KR20220027980A - 기판 처리 시스템 및 처리액 조제 방법 - Google Patents

기판 처리 시스템 및 처리액 조제 방법 Download PDF

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가즈요시 시노하라
다카히사 오츠카
가즈키 고사이
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 처리 시스템은, 탱크와, 탱크로부터 나와 탱크로 되돌아가는 처리액이 흐르는 순환 라인과, 제1 액, 제2 액 및 처리액 중 적어도 어느 것의 탱크로의 공급을 조정하는 공급 조정부와, 탱크 또는 순환 라인으로부터 배출되는 처리액이 흐르는 드레인 라인과, 드레인 라인을 통한 처리액의 배출을 조정하는 드레인 조정부와, 농도 계측 라인을 흐르는 처리액의 농도를 계측하는 농도 센서를 갖는다. 제어부는, 농도 센서의 계측 결과에 기초하여, 드레인 조정부를 제어하여 처리액의 배출을 조정하고, 공급 조정부를 제어하여 제1 액, 제2 액 및 처리액 중 적어도 어느 것의 탱크로의 공급을 조정한다.

Description

기판 처리 시스템 및 처리액 조제 방법
본 개시는, 기판 처리 시스템 및 처리액 조제 방법에 관한 것이다.
탱크에 저류되는 처리액을 순환 라인을 통해 순환시키면서, 순환 라인으로부터 분기되는 라인을 통해 처리 유닛에 처리액을 공급하고, 당해 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리 시스템이 알려져 있다(특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조). 이러한 기판 처리 시스템에서는, 통상, 탱크 내의 처리액이 기판 처리에 적합한 소망 농도로 조정되고, 농도 조정 후의 처리액이 탱크로부터 순환 라인을 통해 처리 유닛으로 보내진다.
그러한 기판 처리 시스템에서는, 저농도(예를 들어 20ppm 이하의 농도)의 처리액을 사용하여 기판 처리가 행해지는 경우도 있다. 특히 근년에는, 초저농도(예를 들어 3ppm 이하의 농도)의 처리액을 사용한 기판 처리도 실시되게 되었다. 이들의 경우에도, 탱크 내의 처리액이 소망의 저농도 또는 초저농도로 조정된다. 그러나 탱크 내의 처리액을 저농도 또는 초저농도로 조정하려면, 엄밀한 농도 컨트롤이 요구되어, 상당한 수고 및 시간을 요한다.
또한 저농도 또는 초저농도의 처리액은, 농도가 다른 처리액이 소량이라도 혼합됨으로써 농도가 쉽게 변화되어 버린다. 그 때문에, 처리액의 농도를 소망의 저농도 또는 초저농도로 안정적으로 유지하는 것은 간단하지 않다. 특히, 기판 처리 시스템의 유로에는 처리액이 잔류하고 있는 경우가 있다. 그러한 처리액의 잔류는, 액 교환 처리나 드레인 처리를 행하여도 발생할 수 있다. 잔류 처리액의 농도가 소망 농도와는 다른 경우(예를 들어 소망의 초저농도보다 높은 경우), 탱크 내의 처리액을 일단 소망 농도로 조정해도, 처리액이 탱크로부터 처리 유닛에 이르기까지의 동안에 잔류 처리액이 처리액에 혼입되어 처리액의 농도가 변동되어 버린다.
일본 특허 공개 제2015-220318호 공보 일본 특허 공개 제2017-208418호 공보
본 개시는, 기판 처리 시스템에 있어서 처리액을 소망 농도로 신속하게 조정할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태는, 제1 액 및 제2 액을 함유하는 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리계와, 기판 처리계에 처리액을 공급하는 처리액 공급계와, 제1 액, 제2 액 및 처리액 중 적어도 어느 것을 처리액 공급계에 공급하는 처리액 조정계와, 제어부를 구비하고, 처리액 공급계는, 처리액 조정계에 접속되며, 처리액을 저류하는 탱크와, 탱크에 접속되며, 탱크로부터 나와 탱크로 되돌아가는 처리액이 흐르는 순환 라인과, 순환 라인 및 기판 처리계에 접속되는 분기 라인과, 순환 라인에 있어서 처리액을 흐르게 하는 순환기와, 탱크 및 순환 라인 중 적어도 어느 것으로부터 배출되는 처리액이 흐르는 드레인 라인과, 드레인 라인을 통한 처리액의 배출을 조정하는 드레인 조정부와, 탱크, 순환 라인, 탱크에 접속되는 농도 계측 라인, 및 순환 라인에 접속되는 농도 계측 라인 중 적어도 어느 것에 있어서의 처리액의 농도를 계측하는 농도 센서를 갖고, 처리액 조정계는, 제1 액, 제2 액 및 처리액 중 적어도 어느 것의 탱크로의 공급을 조정하는 공급 조정부를 갖고, 제어부는, 순환기를 제어하여 탱크 및 순환 라인에 있어서 어느 양의 처리액을 순환시킨 후의 농도 센서의 계측 결과에 기초하여, 드레인 조정부를 제어하여 처리액의 배출을 조정하고, 공급 조정부를 제어하여 제1 액, 제2 액 및 처리액 중 적어도 어느 것의 탱크로의 공급을 조정하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
본 개시에 의하면, 기판 처리 시스템에 있어서 처리액을 소망의 초저농도로 신속하게 조정할 수 있다.
도 1은 기판 처리 시스템의 개략 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 개략 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 기판 처리계, 처리액 공급계 및 처리액 조정계의 개략 구성예를 도시하는 도면이다.
도 4는 처리액 조제 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 5는 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 기판 처리계, 처리액 공급계 및 처리액 조정계의 개략 구성예를 도시하는 도면이다.
도 6은 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 기판 처리계, 처리액 공급계 및 처리액 조정계의 개략 구성예를 도시하는 도면이다.
도면을 참조하여, 기판 처리 시스템 및 처리액 조제 방법의 실시 형태를 설명한다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시하는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상방 방향으로 한다.
도 1에 도시하는 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입출 스테이션(2)은, 캐리어 적재부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 적재부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 적재된다.
반송부(12)는, 캐리어 적재부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동, 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 보유 지지 기구를 사용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동, 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 보유 지지 기구를 사용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대해 소정의 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있었던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 적재부(11)에 적재된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 적재한다. 전달부(14)에 적재된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)으로 반입된다.
처리 유닛(16)으로 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 적재된다. 그리고 전달부(14)에 적재된 처리 완료된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 적재부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.
다음으로, 처리 유닛(16)의 개략 구성에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 보유 지지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수 컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는, 기판 보유 지지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수 컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.
기판 보유 지지 기구(30)는, 보유 지지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 보유 지지부(31)는 웨이퍼(W)를 수평하게 보유 지지한다. 지주부(32)는 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 보유 지지부(31)를 수평하게 지지한다. 구동부(33)는 지주부(32)를 연직축 주위로 회전시킨다. 이러한 기판 보유 지지 기구(30)는, 구동부(33)를 사용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 보유 지지부(31)를 회전시키고, 이에 의해 보유 지지부(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대해 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.
회수 컵(50)은, 보유 지지부(31)를 둘러싸도록 배치되어, 보유 지지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산되는 처리액을 포집한다. 회수 컵(50)의 저부에는 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수 컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수 컵(50)의 저부에는 FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다.
다음으로, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 처리액의 농도 조정, 순환 및 공급에 관하여 설명한다.
이하의 각 실시 형태에서는, 처리액의 농도를 초저농도(예를 들어 3ppm 이하의 농도)로 조정하는 경우에 대해 설명하는데, 처리액의 농도를 다른 농도(예를 들어 3ppm보다 높은 농도)로 조정하는 경우에도 이하의 각 실시 형태는 응용 가능하다.
[제1 실시 형태]
도 3은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 기판 처리계(21), 처리액 공급계(22) 및 처리액 조정계(23)의 개략 구성예를 도시하는 도면이다.
본 실시 형태의 기판 처리 시스템(1)은, 기판 처리계(21), 처리액 공급계(22), 처리액 조정계(23) 및 제어부(18)(도 1 참조)를 구비한다.
기판 처리계(21)는, 제1 액(본 예에서는 수산화암모늄(암모니아수)) 및 제2 액(본 예에서는 DIW(Deionized Water))을 함유하는 처리액을 사용하여, 웨이퍼(W)의 처리(예를 들어 세정 처리)를 행한다. 처리액의 구체적인 함유 성분은 한정되지 않고, 처리액의 함유 성분은, 제1 액 또는 제2 액의 함유 성분과 완전히 동일해도 되고, 달라도 된다.
처리액 공급계(22)는, 기판 처리계(21)에 처리액을 공급한다. 처리액 조정계(23)는, 제1 액, 제2 액 및 처리액 중 적어도 어느 것을 처리액 공급계(22)에 공급한다. 제어부(18)는, 기판 처리계(21), 처리액 공급계(22) 및 처리액 조정계(23)가 갖는 개폐 밸브, 펌프, 유량계 및 농도 센서 등의 구성 요소에 접속되고, 각 구성 요소의 작동 상태를 제어하거나, 계측 결과를 각 구성 요소로부터 수신하거나 한다.
도 3에 도시하는 기판 처리계(21)는, 복수의 처리 유닛(16)과, 메인 복귀 라인(41)을 갖는다. 각 처리 유닛(16)은 상술한 도 2에 도시하는 구조를 갖고 있고, 도 3에서는 각 처리 유닛(16)의 구성이 간략화되어 도시되어 있다. 각 처리 유닛(16)이 갖는 처리 유체 공급부(40)는 메인 분기 라인(37)에 접속되어 있고, 메인 분기 라인(37)을 통해 보내져 오는 처리액을, 기판 보유 지지 기구(30)가 지지하는 웨이퍼(W)의 처리면에 공급한다.
메인 분기 라인(37)에는, 복수의 처리 유닛(16) 각각에 할당되는 복수의 개폐 밸브(55l)가 마련되어 있다. 각 개폐 밸브(55l)는, 제어부(18)의 제어하에서 개폐되고, 메인 분기 라인(37)으로부터 대응의 처리 유닛(16)(즉 처리 유체 공급부(40))으로의 처리액의 유량의 조정(처리액의 공급의 유무를 포함함)을 행한다. 메인 복귀 라인(41)은, 각 처리 유닛(16)의 배액구(51)(도 2 참조)에 접속됨과 함께 탱크(35)에 접속되고, 각 처리 유닛(16)으로부터 배출되는 처리액을 탱크(35) 내로 안내한다.
또한 도 3에 도시하는 기판 처리계(21)는 일례에 불과하며, 기판 처리계(21)는 다른 구성을 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 도 3에는 4개의 처리 유닛(16)이 도시되어 있지만, 기판 처리계(21)는 5 이상의 처리 유닛(16)을 갖고 있어도 되고(도 1 참조), 3 이하의 처리 유닛(16)을 갖고 있어도 된다. 또한 순환 라인(36)에 대해 복수의 메인 분기 라인(37)이 직접적으로 접속되고, 이들 메인 분기 라인(37)이 복수의 처리 유닛(16)(즉 복수의 처리 유체 공급부(40)) 각각에 접속되어 있어도 된다. 또한, 메인 복귀 라인(41) 중 복수의 처리 유닛(16) 각각에 할당되는 복수의 부분에 개폐 밸브(도시 생략)가 마련되고, 처리 유닛(16)마다 메인 복귀 라인(41)으로의 처리액의 배출이 당해 개폐 밸브에 의해 컨트롤되어도 된다. 또한 각 처리 유닛(16)에 드레인 라인(도시 생략)이 접속되어 있어도 된다. 당해 드레인 라인 및 메인 복귀 라인(41)은 유로 전환부(도시 생략)를 통해 각 처리 유닛(16)에 접속되어 있어도 된다. 당해 유로 전환부는, 제어부(18)의 제어하에서, 각 처리 유닛(16)으로부터 배출되는 처리액을, 드레인 라인으로 흘리거나, 메인 복귀 라인(41)으로 흘리거나 할 수 있다.
또한, 각각의 처리 유닛(16)에 대응하도록 마련되는 서브 순환 라인(도시 생략)이며, 대응의 처리 유닛(16)을 우회하도록 메인 분기 라인(37) 및 메인 복귀 라인(41)에 접속되는 서브 순환 라인(도시 생략)이 설치되어 있어도 된다. 예를 들어, 각 개폐 밸브(55l)를 삼방 밸브 등의 유로 전환구로서 구성하고, 각 개폐 밸브(55l)에 대해 대응의 처리 유체 공급부(40)에 접속되는 유로(메인 분기 라인(37))와, 대응의 서브 순환 라인이 접속되어 있어도 된다. 이 경우, 각 개폐 밸브(55l)는, 제어부(18)의 제어하에서, 상류측의 메인 분기 라인(37)으로부터 보내져 오는 처리액을, 하류측의 메인 분기 라인(37)을 통해 대응의 처리 유체 공급부(40)를 향해 흘리는 모드와, 대응의 서브 순환 라인으로 흘리는 모드 사이에서 전환된다.
또한 본 명세서에 있어서 「상류」 및 「하류」라는 용어는, 특별이 정함이 없는 한, 기판 처리 시스템(1)의 유로를 흐르는 유체(본 실시 형태에서는 제1 액, 제2 액 및 처리액)의 흐름 방향을 기준으로 한다.
도 3에 도시하는 처리액 공급계(22)는, 탱크(35) 및 순환 라인(36)을 갖는다. 탱크(35)는, 처리액 조정계(23)(특히 메인 보급 라인(71))에 접속되고, 처리액 조정계(23)로부터 제1 액, 제2 액 및/또는 처리액이 보급되고, 처리액을 저류한다. 순환 라인(36)은, 탱크(35)에 접속되고, 탱크(35)로부터 나와 탱크(35)로 되돌아가는 처리액이 흐른다. 순환 라인(36) 및 기판 처리계(21)(특히 각 처리 유닛(16)의 처리 유체 공급부(40))에는 메인 분기 라인(37)이 접속되어 있다.
순환 라인(36)에는, 순환 펌프(순환기)(42), 필터(43), 히터(44), 유량계(45) 및 복수의 개폐 밸브(55h, 55i, 55j)가 상류측으로부터 하류측을 향해 순차 마련되어 있다.
순환 펌프(42)는, 순환 라인(36)에 있어서 처리액을 흘린다. 도 3에 도시하는 순환 펌프(42)는, 순환 라인(36) 내의 처리액을 반시계 방향으로 흘린다. 탱크(35)로부터 순환 라인(36)으로 유입된 처리액은, 순환 펌프(42), 필터(43), 히터(44), 유량계(45) 및 복수의 개폐 밸브(55h, 55i, 55j)를 거쳐 다시 탱크(35)로 복귀된다.
필터(43)는 처리액으로부터 이물 및 기포를 제거한다. 처리액이 필터(43)를 통과함으로써, 이물 및 기포가 처리액으로부터 제거된다. 도시한 필터(43)는, 순환 라인(36)에 있어서 순환 펌프(42)보다 하류측에 마련되고, 순환 펌프(42)의 근방에 배치되어 있다. 순환 라인(36)을 통해 탱크(35)로 유입된 처리액은 탱크(35)에 저류되므로, 탱크(35)로부터 순환 라인(36)으로 유출된 처리액은 퇴적물 등의 이물을 포함할 수 있다. 또한 순환 펌프(42)의 작동에 의해 처리액에는 기포가 혼입되는 경우가 있다. 그러한 이물이나 기포를 효과적으로 처리액으로부터 제거하기 위해, 탱크(35) 및 순환 펌프(42)의 하류측이면서 근방에 필터(43)가 배치되는 것이 바람직하다. 또한 충분량의 처리액을 급격하게 필터(43)에 유입하는 관점에서도, 필터(43)는 순환 펌프(42)의 하류측이면서 근방에 배치되는 것이 바람직하다.
히터(44)는, 제어부(18)의 제어하에서, 순환 라인(36) 내의 처리액에 열에너지를 가하여 처리액의 온도를 상승시킨다. 유량계(45)는, 처리액의 유량을 계측하고, 계측 결과를 제어부(18)에 송신한다. 개폐 밸브(55h, 55i, 55j)는, 순환 라인(36)에 있어서 필터(43) 및 히터(44)보다 하류측에 마련되고, 제어부(18)의 제어하에서 개방도가 조정된다. 개폐 밸브(55h, 55i, 55j)의 개방도에 따라서, 순환 라인(36)에 있어서의 처리액의 유량이 조정된다. 특히, 순환 라인(36) 및 메인 분기 라인(37)의 접속부에 인접하도록 마련되는 개폐 밸브(55h) 및 개폐 밸브(55i)는, 순환 라인(36)으로부터 기판 처리계(21)로의 처리액의 공급을 조정하는 액 공급 조정부로서 기능한다. 예를 들어 순환 라인(36) 중 메인 분기 라인(37)이 접속되는 부분보다 상류측에 마련되는 개폐 밸브(55h)가 폐쇄됨으로써, 메인 분기 라인(37) 및 기판 처리계(21)로의 처리액의 공급을 멈출 수 있다. 또한 순환 라인(36) 중 메인 분기 라인(37)이 접속되는 부분보다 하류측에 마련되는 개폐 밸브(55i, 55j)가 폐쇄됨으로써, 처리액이 순환 라인(36)을 통해 탱크(35)로 복귀되는 것을 멈출 수 있다.
순환 라인(36) 및 탱크(35)에는 농도 계측 라인(39)이 접속되어 있다. 도시한 농도 계측 라인(39)의 일단부는, 순환 라인(36) 중 필터(43)와 개폐 밸브(55h)(액 공급 조정부) 사이의 부분(특히 필터(43)와 히터(44) 사이의 부분)에 접속되어 있다. 도시한 농도 계측 라인(39)의 타단부는, 탱크(35)에 직접적으로 접속되어 있다. 농도 계측 라인(39)에는 개폐 밸브(55k) 및 농도 센서(46)가 마련되어 있다.
농도 센서(46)는, 농도 계측 라인(39)을 흐르는 처리액의 농도(본 예에서는 제1 액에 포함되는 성분의 농도(즉 암모니아 농도))를 계측하고, 계측 결과를 제어부(18)에 송신한다. 농도 센서(46)의 구체적인 구성은 한정되지 않고, 전형적으로는 용액의 도전율과 농도의 상관에 기초하여 계측을 행하는 센서를 농도 센서(46)로서 사용할 수 있다. 개폐 밸브(55k)는, 제어부(18)의 제어하에서 개폐되고, 순환 라인(36)으로부터 농도 계측 라인(39)으로의 처리액의 유입량(처리액의 유입의 유무를 포함함)을 조정한다. 또한 농도 센서(46)는 처리액의 농도를 정확하게 계측하는 관점에서, 이물이나 기포가 제거된 처리액을 계측 대상으로 하는 것이 바람직하고, 도시한 예에서는 필터(43)보다 하류측의 유로에 마련되는 것이 바람직하다.
또한 처리액 공급계(22)가 갖는 농도 센서(46)는, 도시한 형태에 한정되지는 않는다. 도시는 생략하지만, 농도 센서(46)는 예를 들어 탱크(35), 순환 라인(36), 탱크(35)에 접속되는 농도 계측 라인, 및 순환 라인(36)에 접속되는 농도 계측 라인(39) 중 적어도 어느 것에 있어서의 처리액의 농도를 계측해도 된다. 또한 처리액 공급계(22)는 복수의 농도 센서를 가져도 된다. 예를 들어, 히터(44)보다 상류측 및 하류측 각각에 있어서 농도 계측 라인(39, 39a)이 순환 라인(36)으로부터 분기되고, 이들 농도 계측 라인(39, 39a)의 각각에 농도 센서(46, 46a)가 마련되어 있어도 된다. 복수의 농도 센서를 마련하는 경우, 계측 가능 농도 범위를 농도 센서마다 바꿈으로써, 전체적으로 광범위한 농도를 정확하게 계측하는 것이 가능하다.
처리액 공급계(22)는 또한, 처리액 공급계(22)로부터 배출되는 처리액이 흐르는 드레인 라인(38)과, 드레인 라인(38)을 통한 처리액의 배출을 조정하는 개폐 밸브(55e, 55f, 55g)(드레인 조정부)를 갖는다. 드레인 라인(38)은, 탱크(35) 및 순환 라인(36) 중 적어도 어느 것으로부터 배출되는 처리액이 흐른다. 도 3에 도시하는 처리액 공급계(22)는 3개의 드레인 라인(38)을 갖고, 각각의 드레인 라인(38)에 개폐 밸브(55e, 55f, 55g)가 마련되어 있다. 개폐 밸브(55e)가 마련되어 있는 드레인 라인(38)은 탱크(35)에 대해 직접적으로 접속되어 있다. 개폐 밸브(55f)가 마련되어 있는 드레인 라인(38)은 순환 라인(36) 중 탱크(35)와 순환 펌프(42) 사이의 부분에 접속되어 있다. 개폐 밸브(55g)가 마련되어 있는 드레인 라인(38)은 순환 라인(36) 중 순환 펌프(42)와 필터(43) 사이의 부분에 접속되어 있다. 각 드레인 라인(38)은, 다른 드레인 라인(38)과 합류해도 되고, 합류하지 않아도 된다.
처리액 조정계(23)는 공급 조정부(즉 개폐 밸브(55a, 55b, 55d))를 갖는다. 공급 조정부(개폐 밸브(55a, 55b, 55d))는, 제1 액(수산화암모늄), 제2 액(DIW) 및 처리액(수산화암모늄 및 DIW의 혼합액) 중 적어도 어느 것의 탱크(35)로의 공급을 조정한다. 도시한 처리액 조정계(23)는, 탱크(35)에 접속되는 메인 보급 라인(71)과, 메인 보급 라인(71)에 합류하는 서브 보급 라인(72)을 갖는다.
메인 보급 라인(71)의 한쪽 단부는 제2 액 공급원(62)에 접속되고, 다른 쪽 단부는 탱크(35)에 접속되어 있다. 메인 보급 라인(71)에는, 개폐 밸브(55a), 농도 센서(64) 및 개폐 밸브(55d)가 상류측으로부터 하류측을 향해 순차 마련되어 있다.
서브 보급 라인(72)의 한쪽 단부는 제1 액 공급원(61)에 접속되고, 다른 쪽 단부는 메인 보급 라인(71)에 접속되어 있다. 도시한 서브 보급 라인(72)은, 메인 보급 라인(71) 중 농도 센서(64)와 개폐 밸브(55a) 사이의 부분에 접속되어 있다. 서브 보급 라인(72)에는, 유량계(63) 및 개폐 밸브(55b)가 상류측으로부터 하류측을 향해 순차 마련되어 있다.
메인 보급 라인(71) 중 농도 센서(64)보다 하류측의 부분(도시한 예에서는 농도 센서(64)와 개폐 밸브(55d) 사이의 부분)에는 드레인 라인(38)이 접속되어 있고, 당해 드레인 라인(38)에는 개폐 밸브(55c)가 마련되어 있다. 당해 개폐 밸브(55c)는 제어부(18)의 제어하에서 개폐되며, 처리액 조정계(23)(특히 메인 보급 라인(71))로부터 드레인 라인(38)을 통한 처리액의 배출을 조정한다.
이와 같이 도 3에 도시하는 기판 처리 시스템(1)에서는, 처리액 공급계(22) 및 처리액 조정계(23) 중 적어도 일부가, 도 2에 도시하는 처리 유체 공급원(70)에 대응된다. 처리액 공급계(22) 및 처리액 조정계(23)의 조합은 순환 캐비닛(24)이라고도 칭해지며, 순환 캐비닛(24)은 일체적으로 구성 가능하다. 본 실시 형태에서는 하나의 순환 캐비닛(24)이 하나의 기판 처리계(21)에 접속되어 있다.
제어부(18)(도 1 참조)는, 농도 센서(46)의 계측 결과에 기초하여 드레인 조정부(개폐 밸브(55e), 개폐 밸브(55f) 및/또는 개폐 밸브(55g))를 제어하여, 처리액 공급계(22)(탱크(35) 및/또는 순환 라인(36))로부터의 처리액의 배출을 조정한다. 또한 제어부(18)는, 농도 센서(46)의 계측 결과에 기초하여 공급 조정부(개폐 밸브(55a, 55b, 55d))를 제어하여, 제1 액, 제2 액 및 처리액 중 적어도 어느 것의 탱크(35)로의 공급을 조정한다. 특히, 본 실시 형태의 제어부(18)는, 순환 펌프(42)를 제어하여 탱크(35) 및 순환 라인(36)에 있어서 어느 양의 처리액을 순환시킨 후에, 상술한 처리액의 배출 및 탱크(35)로의 DIW의 공급을 행한다.
다음으로, 상술한 기판 처리 시스템(1)(특히 처리액 공급계(22) 및 처리액 조정계(23))에 의해 실시되는 처리액 조제 방법의 일례에 대해 설명한다.
이하에 설명되는 처리액 조제 방법에 의하면, 먼저 탱크(35)에 목표 농도보다 높은 농도의 처리액이 저류되고, 탱크(35) 및 순환 라인(36)을 포함하는 유로에 있어서 고농도 처리액이 순환된다. 그 후, 탱크(35) 및/또는 순환 라인(36)으로부터 처리액이 배출되며 또한 DIW가 탱크(35)에 공급됨으로써, 처리액 공급계(22)에 있어서의 처리액의 농도가 묽어진다. 이들 일련의 처리를 필요에 따라서 반복하여 행함으로써, 처리액 공급계(22)에 있어서의 처리액의 농도가 소망의 초저농도로 조정된다.
도 4는 처리액 조제 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다. 또한 상세한 설명은 생략하는데, 제어부(18)는, 하기의 처리를 적절하게 실행하기 위해, 기판 처리 시스템(1)에 포함되는 개폐 밸브 등의 요소를 적절하게 제어한다.
먼저 제어부(18)는 공급 조정부(개폐 밸브(55a, 55b, 55d))를 제어하여, 목표 농도(예를 들어 3ppm)보다 높은 농도의 처리액(예를 들어 20ppm 정도의 농도의 처리액)을 탱크(35)에 공급한다(도 4의 S1). 처리액 조정계(23)로부터 탱크(35)로 고농도의 처리액이 공급됨으로써, 탱크(35)에 저류되는 처리액의 농도는 처리액의 목표 농도보다 높아진다. 전형적으로는, 개폐 밸브(55a), 개폐 밸브(55b) 및 개폐 밸브(55d)가 개방되어, 제1 액 공급원(61)으로부터의 수산화암모늄 및 제2 액 공급원(62)으로부터의 DIW가 메인 보급 라인(71)에서 합류하고, 개폐 밸브(55d)를 거쳐 탱크(35)에 추가적으로 공급된다. 단, 개폐 밸브(55a)가 폐쇄되고 또한 개폐 밸브(55b) 및 개폐 밸브(55d)가 개방되어, 제1 액 공급원(61)으로부터의 수산화암모늄만이 개폐 밸브(55d)를 거쳐 탱크(35)에 추가적으로 공급되어도 된다.
그 후, 제어부(18)는 순환 펌프(42)를 제어하여, 순환 펌프(42)에 의해 적어도 탱크(35) 및 순환 라인(36)에 있어서 어느 양의 처리액을 순환시킨다(S2). 이에 의해, 처리액 공급계(22)(예를 들어 순환 라인(36), 순환 펌프(42), 필터(43), 히터(44), 유량계(45) 및 개폐 밸브(55h, 55i, 55j))에 있어서의 잔류 처리액이 순환 처리액에 의해 휩쓸려 탱크(35)로 복귀된다. 그 결과, 처리액 공급계(22) 전체에 있어서의 처리액(예를 들어 탱크(35) 내 및 순환 라인(36) 내의 처리액)의 농도가 균일화된다. 이 경우의 처리액의 순환 시간은 한정되지 않는다. 처리액 공급계(22) 전체에 있어서의 처리액의 농도의 상위를 해소하는 관점에서는, 처리액의 순환 시간은, 처리액 공급계(22)에 있어서의 잔류 처리액이 순환 처리액과 함께 탱크(35)로 복귀되는 데에 충분한 시간(예를 들어 30초 정도)인 것이 바람직하다.
또한 기판 처리계(21)가 처리액을 순환 가능한 유로 구성을 갖는 경우, 처리액 공급계(22)에 있어서 처리액을 순환시킬 때(S2), 기판 처리계(21)에 있어서도 처리액을 순환시켜도 된다. 예를 들어 기판 처리계(21)가 상술한 서브 순환 라인(도시 생략)을 갖는 경우, 탱크(35), 순환 라인(36), 메인 분기 라인(37), 서브 순환 라인 및 메인 복귀 라인(41)에 있어서도 처리액을 순환시켜도 된다. 기판 처리계(21)에 있어서 처리액을 순환시킴으로써, 기판 처리계(21)에 있어서의 잔류 처리액도 순환 처리액과 함께 탱크(35)로 회수된다. 이에 의해, 기판 처리계(21) 및 처리액 공급계(22)에 있어서 처리액의 농도를 균일화할 수 있다.
상술한 바와 같이 처리액을 순환시킨 후, 농도 센서(46)에 의해 계측되는 처리액의 농도가 제어부(18)에 의해 취득된다. 그리고 농도 센서(46)에 의해 계측되는 처리액의 농도가 목표 농도에 도달하였는지 여부가, 제어부(18)에 의해 판정된다(S3). 목표 농도는, 미리 설정되어 있는 특정한 값이어도 되지만, 전형적으로는 어느 범위를 가진 농도로 미리 설정된다.
농도 센서(46)에 의해 계측되는 처리액의 농도가 목표 농도에 도달한 경우(S3의 "예"), 원하는 농도의 처리액의 조제가 완료되어, 처리액 조제 처리는 종료된다.
농도 센서(46)에 의해 계측되는 처리액의 농도가 목표 농도에 도달하지 않은 경우(S3의 "아니오"), 처리액 공급계(22)에 있어서의 처리액의 일부가 드레인 라인(38)을 통해 배출되고(S4), 처리액 조정계(23)로부터 탱크(35)로 DIW가 공급된다(S5). 즉 제어부(18)는 농도 센서(46)의 계측 결과에 기초하여 드레인 조정부(개폐 밸브(55e), 개폐 밸브(55f) 및/또는 개폐 밸브(55g))를 제어하여, 드레인 조정부에 의해 처리액의 배출이 조정된다. 또한 제어부(18)는 농도 센서(46)의 계측 결과에 기초하여 공급 조정부(개폐 밸브(55a, 55b, 55d))를 제어하고, 공급 조정부에 의해 탱크(35)로의 DIW의 공급이 조정된다. 이에 의해, 탱크(35) 내의 처리액의 농도는 묽어져, 목표 농도에 가까워진다.
또한 처리액의 농도를 효율적으로 묽게 하는 관점에서는, 처리액의 배출이 완료된 후에 탱크(35)로의 DIW의 공급이 행해지는 것이 바람직하지만, 처리액의 배출 및 탱크(35)로의 DIW의 공급이 행해지는 타이밍은 한정되지 않는다. 또한 드레인 라인(38)을 통한 처리액의 배출량 및 탱크(35)로의 DIW의 공급량은 한정되지 않지만, 처리액의 배출량 및 DIW의 공급량이 증가할수록 탱크(35) 내의 처리액의 농도 저하의 정도는 커진다. 일례로서, 처리액의 배출(S4) 및 DIW의 공급(S5)이 행해지기 직전의 탱크(35) 내의 처리액의 양의 75％ 내지 85％ 정도의 양의 처리액을 드레인 라인(38)을 통해 배출하고, 처리액의 배출량과 동일한 양의 DIW를 탱크(35)에 공급할 수 있다.
또한 처리액의 배출량 및 DIW의 공급량은 미리 결정된 양이어도 되지만, 처리액 공급계(22)에 있어서의 농도 센서(46)의 계측 결과에 따라서 처리액의 배출량 및 DIW의 공급량이 결정되어도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는 처리액의 순환(S2) 후에 있어서의 농도 센서(46)의 계측 결과로부터 도출되는 처리액의 농도와 목표 농도의 차를 취득해도 된다. 제어부(18)는, 이 처리액의 농도와 목표 농도의 차에 기초하여, 처리액 공급계(22)로부터의 처리액의 배출량 및 DIW의 탱크(35)로의 공급량을 결정해도 된다. 제어부(18)는, 당해 결정의 결과에 기초하여 드레인 조정부 및 공급 조정부를 제어한다.
또한 제어부(18)는, 처리액의 순환(S2) 전후에 있어서의 순환 라인(36)의 농도 센서(46)의 계측 결과로부터 도출되는 처리액의 농도차(이하 「순환 농도차」라고도 칭함)를 취득해도 된다. 처리액의 순환(S2) 후에 있어서의 처리액의 농도가 목표 농도로부터 벗어나 있는 경우, 제어부(18)는 순환 농도차의 조건과, 순환 후의 처리액의 농도와, 목표 농도에 기초하여 처리액의 배출량 및 DIW의 탱크(35)로의 공급량을 결정해도 된다. 또한, 여기서 말하는 순환 후의 처리액의 농도는, 농도 센서(46)의 계측 결과로부터 도출된다.
처리액의 배출 및 탱크(35)로의 DIW의 공급이 행해진 후, 다시 처리액의 순환(S2)과, 처리액의 농도가 목표 농도에 도달하였는지 여부의 판정(S3)이 행해진다. 그리고 처리액의 농도가 목표 농도에 도달하였다고 판정되는 경우에는 처리액의 조제 처리는 종료되고, 처리액의 농도가 목표 농도에 도달하지 않았다고 판정되는 경우에는 처리액의 배출(S4) 및 DIW의 공급(S5)이 다시 행해진다.
이와 같이 제어부(18)는 드레인 조정부, 공급 조정부 및 순환 펌프(42)를 제어하여, 처리액의 농도가 목표 농도에 도달할 때까지 처리액 공급계(22)로부터의 처리액의 배출, 탱크(35)로의 DIW의 공급, 및 처리액 공급계(22)에 있어서의 처리액의 순환을 반복하여 행한다. 특히, 제어부(18)는, 목표 농도보다 높은 농도의 처리액을 탱크(35)에 공급한 후에, 순환 펌프(42), 드레인 조정부 및 공급 조정부를 제어하여, 탱크(35) 및 순환 라인(36)에 있어서의 처리액의 순환, 처리액의 배출 및 DIW의 탱크(35)로의 공급을 행한다. 또한 제어부(18)는, 처리액 공급계(22)로부터의 처리액의 배출 및 탱크(35)로의 DIW의 공급을 행한 후에, 순환 펌프(42)를 제어하여 적어도 탱크(35) 및 순환 라인(36)에 있어서 어느 양의 처리액을 순환시킨다. 그리고 제어부(18)는, 어느 양의 처리액의 순환 후의 농도 센서(46)의 계측 결과가 목표 농도에 도달할 때까지 드레인 조정부, 공급 조정부 및 순환 펌프(42)를 제어하여, 처리액의 배출, DIW의 탱크(35)로의 공급, 및 어느 양의 처리액의 순환을 반복한다. 이에 의해, 처리액 공급계(22)로부터의 처리액의 배출 및 탱크(35)로의 DIW의 공급을 행함으로써 농도가 바뀐 탱크(35) 내의 처리액과, 잔류 처리액 사이의 농도 불균형이 해소되어, 탱크(35) 내의 처리액의 농도를 목표 농도에 근접시키면서 균일화할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 따르면, 처리액 공급계(22) 전체에서 처리액의 농도를 균일화시키면서 탱크(35) 내의 처리액 농도를 조정할 수 있어, 기판 처리계(21)에 공급되는 처리액의 농도를 적절하게 관리할 수 있다. 또한 본 실시 형태에 따르면, 기판 처리 시스템(1)(특히 처리액 공급계(22))이 복잡한 유로 구성을 갖고 있거나, 기판 처리 시스템(1)의 구성 요소에 개체차가 있거나 해도, 소망 농도의 처리액을 고정밀도로 조제할 수 있다.
특히, 잔류 처리액을 포함하는 처리액 공급계(22) 전체의 처리액의 농도의 균일화가 행해진 후에, 농도 센서(46)에 의해 처리액의 농도가 계측되어, 처리액의 배출 및 DIW의 공급의 필요 여부가 판정된다. 이와 같이 잔류 처리액을 고려하면서 탱크(35) 내의 처리액 농도를 조정함으로써, 처리액 공급계(22)에 있어서의 처리액을, 신속하게 소망 농도(본 실시 형태에서는 초저농도)로 조정할 수 있다.
종래는, 예를 들어 처리액을 순환시키지 않고 탱크 내의 처리액을 소망 농도로 조정하고, 그 후, 처리액을 순환시켜, 잔류 처리액의 영향으로 탱크 내의 처리액이 소망 농도로부터 벗어난 경우에는, 탱크 내의 처리액의 조정이 반복하여 행해진다. 한편, 본 실시 형태의 기판 처리 시스템(1) 및 처리액 조제 방법에 의하면, 그러한 잔류 처리액에 기인하는 의도치 않은 처리액 농도의 변동이 발생하지 않으므로, 신속하게 처리액의 농도를 소망 농도로 조정할 수 있다.
또한 본 실시 형태에 의하면, 목표 농도보다 높은 농도의 처리액이 탱크(35)에 저류된 후에, 탱크(35) 내의 처리액 농도가 서서히 묽어진다. 이와 같이 처리액 농도의 조정 처리의 최초에 있어서 탱크(35)에 저류하는 처리액의 농도를 고농도로 함으로써, 탱크(35) 내의 처리액의 농도에 대한 잔류 처리액의 실질적인 영향의 정도를 저감할 수 있다. 이에 의해 처리액 공급계(22)에 있어서의 처리액의 농도를 안정적으로 목표 농도로 조정할 수 있어, 목표 농도가 저농도(특히 3ppm 이하의 초저농도)라도, 소망 농도의 처리액을 고정밀도이면서도 안정적으로 조제할 수 있다.
[제2 실시 형태]
본 실시 형태에 있어서 상술한 제1 실시 형태와 동일 또는 유사한 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다.
처리액 공급계(22)는 복수 마련되어도 된다. 이 경우, 복수의 처리액 공급계(22)의 각각과 기판 처리계(21) 사이의 접속 상태를 전환하는 전환부가 마련되어 있어도 된다. 제어부(18)는, 당해 전환부를 제어하여, 기판 처리계(21)에 처리액을 공급하는 처리액 공급계(22)를 전환하는 것이 바람직하다.
도 5는 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 기판 처리계(21), 처리액 공급계(22) 및 처리액 조정계(23)의 개략 구성예를 도시하는 도면이다.
도 5에 도시하는 기판 처리 시스템(1)은, 1개의 기판 처리계(21), 2개의 처리액 공급계(22)(즉 제1 처리액 공급계(22a) 및 제2 처리액 공급계(22b)) 및 1개의 처리액 조정계(23)를 구비한다. 각 처리액 공급계(22)는, 기판 처리계(21)에 접속되고, 또한 처리액 조정계(23)에 접속되어 있다.
본 실시 형태에서는, 상술한 제1 실시 형태에 있어서 처리액 조정계(23)의 메인 보급 라인(71) 중 서브 보급 라인(72)이 합류하는 개소보다 하류측에 마련되는 개폐 밸브(55d)(도 3 참조) 대신에, 삼방 밸브 등에 의해 실현 가능한 보급 전환구(76)가 마련되어 있다. 보급 전환구(76)에는 메인 보급 라인(71)이 접속됨과 함께, 제1 보급 라인(71a) 및 제2 보급 라인(71b)이 접속되어 있다. 제1 보급 라인(71a)은 제1 처리액 공급계(22a)의 탱크(35)에 접속되고, 제2 보급 라인(71b)은 제2 처리액 공급계(22b)의 탱크(35)에 접속되어 있다. 보급 전환구(76)는, 제어부(18)의 제어하에서 상류측의 메인 보급 라인(71)에 대한 제1 보급 라인(71a) 및 제2 보급 라인(71b)의 접속 및 비접속을 전환한다.
메인 분기 라인(37)은, 공급 전환부(74) 및 제1 분기 라인(37a)을 통해 제1 처리액 공급계(22a)의 순환 라인(36)에 접속되고, 공급 전환부(74) 및 제2 분기 라인(37b)을 통해 제2 처리액 공급계(22b)의 순환 라인(36)에 접속되어 있다. 공급 전환부(74)는, 제어부(18)의 제어하에서 메인 분기 라인(37)에 대한 제1 분기 라인(37a) 및 제2 분기 라인(37b)의 접속 및 비접속을 전환한다.
메인 복귀 라인(41)은, 복귀 전환부(75) 및 제1 복귀 라인(41a)을 통해 제1 처리액 공급계(22a)의 탱크(35)에 접속되고, 복귀 전환부(75) 및 제2 복귀 라인(41b)을 통해 제2 처리액 공급계(22b)의 탱크(35)에 접속되어 있다. 복귀 전환부(75)는, 제어부(18)의 제어하에서 메인 복귀 라인(41)에 대한 제1 복귀 라인(41a) 및 제2 복귀 라인(41b)의 접속 및 비접속을 전환한다.
도 5에 도시하는 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 제1 처리액 공급계(22a) 및 제2 처리액 공급계(22b) 중 한쪽을 선택적으로 사용하여, 기판 처리계(21)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 행하거나, 처리액의 조제를 행하거나 할 수 있다.
예를 들어, 제1 처리액 공급계(22a)로부터 기판 처리계(21)에 처리액을 공급하여 각 처리 유닛(16)에 있어서 웨이퍼(W)의 처리를 행하면서, 제2 처리액 공급계(22b)에 있어서 처리액의 조제(도 4 참조)를 행할 수 있다. 이 경우, 공급 전환부(74)는 제1 분기 라인(37a)을 메인 분기 라인(37)에 접속하고, 복귀 전환부(75)는 제1 복귀 라인(41a)을 메인 복귀 라인(41)에 접속하고, 보급 전환구(76)는 메인 보급 라인(71)을 제2 보급 라인(71b)에 접속한다. 또한 마찬가지로 하여, 제2 처리액 공급계(22b)로부터 기판 처리계(21)에 처리액을 공급하여 각 처리 유닛(16)에 있어서 웨이퍼(W)의 처리를 행하면서, 제1 처리액 공급계(22a)에 있어서 처리액의 조제를 행할 수도 있다.
상술한 바와 같이 본 실시 형태의 기판 처리 시스템(1)에서는, 제1 처리액 공급계(22a) 및 제2 처리액 공급계(22b)가 공통의 처리액 조정계(23)에 접속 가능하게 마련되어 있다. 그리고 제1 처리액 공급계(22a), 제2 처리액 공급계(22b) 및 처리액 조정계(23)의 조합에 의해 하나의 순환 캐비닛(24)이 구성되어 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태의 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 제1 처리액 공급계(22a) 및 제2 처리액 공급계(22b)를 구분하여 사용하여, 기판 처리 및 소망 농도의 처리액의 조제를 행할 수 있다. 따라서 기판 처리 및 처리액의 조제의 각각에 사용하는 처리액 공급계(22)로서, 제1 처리액 공급계(22a) 및 제2 처리액 공급계(22b)를 교호로 사용하는 것이 가능하다. 이 경우, 시스템 전체의 처리를 효율적으로 행할 수 있다. 특히, 제1 처리액 공급계(22a) 및 제2 처리액 공급계(22b)에 있어서 기판 처리 및 소망 농도의 처리액의 조제를 동시적으로 행함으로써, 시스템 전체의 처리 시간을 단축하는 것이 가능하다.
[제3 실시 형태]
본 실시 형태에 있어서 상술한 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태와 동일 또는 유사한 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다.
처리액 조정계(23)는 복수 마련되어 있어도 된다. 이 경우, 복수의 처리액 조정계(23)의 각각으로부터 복수의 처리액 공급계(22)에, 제1 액, 제2 액 및 처리액 중 적어도 어느 것이 공급되어도 된다.
도 6은 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 기판 처리계(21), 처리액 공급계(22) 및 처리액 조정계(23)의 개략 구성예를 도시하는 도면이다.
도 6에 도시하는 기판 처리 시스템(1)은, 복수의 순환 캐비닛(24)(구체적으로는 제1 순환 캐비닛(24a) 및 제2 순환 캐비닛(24b))을 구비한다. 각 순환 캐비닛(24)은 처리액 공급계(22) 및 처리액 조정계(23)의 조합을 포함한다. 즉 제1 순환 캐비닛(24a)은, 서로 접속된 제1 처리액 공급계(22a) 및 제1 처리액 조정계(23a)를 포함한다. 제2 순환 캐비닛(24b)은, 서로 접속된 제2 처리액 공급계(22b) 및 제2 처리액 조정계(23b)를 포함한다.
제1 처리액 공급계(22a)의 순환 라인(36)에는 제1 분기 라인(37a)이 접속되어 있고, 제1 분기 라인(37a)은 공급 전환부(74)를 통해 메인 분기 라인(37)에 접속되어 있다. 제2 처리액 공급계(22b)의 순환 라인(36)에는 제2 분기 라인(37b)이 접속되어 있고, 제2 분기 라인(37b)은 공급 전환부(74)를 통해 메인 분기 라인(37)에 접속되어 있다. 공급 전환부(74)는, 제어부(18)의 제어하에서 메인 분기 라인(37)에 대한 제1 분기 라인(37a) 및 제2 분기 라인(37b)의 접속 및 비접속을 전환한다.
제1 처리액 공급계(22a)의 탱크(35)에는 제1 복귀 라인(41a)이 접속되어 있고, 제1 복귀 라인(41a)은 복귀 전환부(75)를 통해 메인 복귀 라인(41)에 접속되어 있다. 제2 처리액 공급계(22b)의 탱크(35)에는 제2 복귀 라인(41b)이 접속되어 있고, 제2 복귀 라인(41b)은 복귀 전환부(75)를 통해 메인 복귀 라인(41)에 접속되어 있다. 복귀 전환부(75)는, 제어부(18)의 제어하에서 메인 복귀 라인(41)에 대한 제1 복귀 라인(41a) 및 제2 복귀 라인(41b)의 접속 및 비접속을 전환한다.
도 6에 도시하는 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 제1 순환 캐비닛(24a) 및 2제2 순환 캐비닛(24b) 중 한쪽을 선택적으로 사용하여, 기판 처리계(21)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 행하거나, 처리액의 조제를 행하거나 할 수 있다. 예를 들어, 제1 순환 캐비닛(24a)(특히 제1 처리액 공급계(22a))을 기판 처리계(21)에 접속하여 웨이퍼(W)의 처리를 행하면서, 제2 순환 캐비닛(24b)에 있어서 처리액의 조제(도 4 참조)를 행할 수 있다. 이 경우, 공급 전환부(74)는 제1 분기 라인(37a)을 메인 분기 라인(37)에 접속하고, 복귀 전환부(75)는 제1 복귀 라인(41a)을 메인 복귀 라인(41)에 접속한다. 또한 마찬가지로 하여, 제2 순환 캐비닛(24b)(특히 제2 처리액 공급계(22b))을 기판 처리계(21)에 접속하여 웨이퍼(W)의 처리를 행하면서, 제1 순환 캐비닛(24a)에 있어서 처리액의 조제를 행할 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 따르면, 제1 순환 캐비닛(24a) 및 제2 순환 캐비닛(24b)을 구분하여 사용하여, 기판 처리 및 소망 농도의 처리액의 조제를 행할 수 있다. 따라서 기판 처리 및 처리액의 조제의 각각에 사용하는 순환 캐비닛(24)으로서, 제1 순환 캐비닛(24a) 및 제2 순환 캐비닛(24b)을 교호로 사용하는 것이 가능하다. 이 경우, 시스템 전체의 처리를 효율적으로 행할 수 있다. 특히, 제1 순환 캐비닛(24a) 및 제2 순환 캐비닛(24b)에 있어서 기판 처리 및 소망 농도의 처리액의 조제를 동시적으로 행함으로써, 시스템 전체의 처리 시간을 단축하는 것이 가능하다.
[변형예]
상술한 각 실시 형태에서는, 처리액의 농도가 목표 농도(즉 초저농도)에 도달하지 않은 경우, 처리액의 농도를 묽게 하기 위해, 탱크(35)에는 제2 액(DIW)이 공급된다(도 4의 S5 참조). 이 경우, 제2 액(DIW) 대신에, 처리액(제1 액 및 제2 액의 혼합액)이 처리액 조정계(23)로부터 탱크(35)로 공급되어도 된다. 단, 탱크(35) 내의 처리액의 농도를 낮추어 목표 농도로 조정하기 위해, 목표 농도보다 낮은 농도의 처리액이 처리액 조정계(23)로부터 탱크(35)에 공급된다.
또한 탱크(35) 내의 처리액의 농도가 목표 농도보다 하회하고 있는 경우, 처리액 조정계(23)로부터 탱크(35)로는, 제1 액(수산화암모늄)이 공급되어도 되고, 처리액이 공급되어도 된다. 처리액이 공급되는 경우, 탱크(35) 내의 처리액의 농도를 높여 목표 농도로 조정하기 위해, 목표 농도보다 높은 농도의 처리액이 처리액 조정계(23)로부터 탱크(35)로 공급된다.
어느 쪽이든 제어부(18)는 농도 센서의 계측 결과가 목표 농도에 도달할 때까지 처리액의 배출 및 제1 액, 제2 액 및 처리액 중 적어도 어느 것의 탱크(35)로의 공급을 반복한다.
또한 본 명세서에서 개시되어 있는 실시 형태는 모든 점에서 예시에 불과하며 한정적으로는 해석되지 않음에 유의해야 한다. 상술한 실시 형태는, 첨부의 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 다양한 형태에서의 생략, 치환 및 변경이 가능하다. 예를 들어 상술한 실시 형태 및 변형예가 조합되어도 되고, 또한 상술 이외의 실시 형태가 상술한 실시 형태 또는 변형예와 조합되어도 된다.
또한 상술한 기술적 사상을 구현화하는 기술적 카테고리도 한정되지 않는다. 예를 들어 상술한 기판 처리 시스템이 다른 장치에 응용되어도 된다. 또한 상술한 처리액 조제 방법에 포함되는 하나 또는 복수의 수순(스텝)을 컴퓨터에 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램에 의해 상술한 기술적 사상이 구현화되어도 된다. 또한 그러한 컴퓨터 프로그램이 기록된 컴퓨터가 판독 가능한 비일시적(non-transitory)인 기록 매체에 의해 상술한 기술적 사상이 구현화되어도 된다.

Claims (10)

  1. 제1 액 및 제2 액을 함유하는 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리계와,
    상기 기판 처리계에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급계와,
    상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것을 상기 처리액 공급계에 공급하는 처리액 조정계와,
    제어부를 구비하고,
    상기 처리액 공급계는,
    상기 처리액 조정계에 접속되며, 상기 처리액을 저류하는 탱크와,
    상기 탱크에 접속되며, 상기 탱크로부터 나와 상기 탱크로 되돌아가는 상기 처리액이 흐르는 순환 라인과,
    상기 순환 라인 및 상기 기판 처리계에 접속되는 분기 라인과,
    상기 순환 라인에 있어서 상기 처리액을 흐르게 하는 순환기와,
    상기 탱크 및 상기 순환 라인 중 적어도 어느 것으로부터 배출되는 상기 처리액이 흐르는 드레인 라인과,
    상기 드레인 라인을 통한 상기 처리액의 배출을 조정하는 드레인 조정부와,
    상기 탱크, 상기 순환 라인, 상기 탱크에 접속되는 농도 계측 라인, 및 상기 순환 라인에 접속되는 농도 계측 라인 중 적어도 어느 것에 있어서의 상기 처리액의 농도를 계측하는 농도 센서를 갖고,
    상기 처리액 조정계는, 상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것의 상기 탱크로의 공급을 조정하는 공급 조정부를 갖고,
    상기 제어부는, 상기 순환기를 제어하여 상기 탱크 및 상기 순환 라인에 있어서 어느 양의 처리액을 순환시킨 후의 상기 농도 센서의 계측 결과에 기초하여, 상기 드레인 조정부를 제어하여 상기 처리액의 배출을 조정하고, 상기 공급 조정부를 제어하여 상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것의 상기 탱크로의 공급을 조정하는, 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 농도 센서의 계측 결과가 목표 농도에 도달할 때까지 상기 드레인 조정부 및 상기 공급 조정부를 제어하여, 상기 처리액의 배출 및 상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것의 상기 탱크로의 공급을 반복하는, 기판 처리 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 처리액의 배출 및 상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것의 상기 탱크로의 공급을 행한 후에, 상기 순환기를 제어하여 상기 탱크 및 상기 순환 라인에 있어서 어느 양의 처리액을 순환시키고,
    상기 어느 양의 처리액의 순환 후의 상기 농도 센서의 계측 결과가 상기 목표 농도에 도달할 때까지 상기 드레인 조정부, 상기 공급 조정부 및 상기 순환기를 제어하여, 상기 처리액의 배출, 상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것의 상기 탱크로의 공급, 및 상기 어느 양의 처리액의 순환을 반복하는, 기판 처리 시스템.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 농도 센서의 계측 결과로부터 도출되는 상기 처리액의 농도와 상기 목표 농도의 차에 기초하여 상기 처리액의 배출량 및 상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것의 상기 탱크로의 공급량을 결정하고, 당해 결정의 결과에 기초하여 상기 드레인 조정부 및 상기 공급 조정부를 제어하는, 기판 처리 시스템.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 공급 조정부를 제어하여 농도가 상기 목표 농도보다 높은 상기 처리액을 상기 탱크에 공급한 후에, 상기 순환기, 상기 드레인 조정부 및 상기 공급 조정부를 제어하여, 상기 탱크 및 상기 순환 라인에 있어서의 상기 처리액의 순환, 상기 처리액의 배출 및 상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것의 상기 탱크로의 공급을 행하는, 기판 처리 시스템.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 순환 라인에 있어서 상기 순환기보다 하류측에 마련되는 필터와,
    상기 순환 라인에 있어서 상기 필터보다 하류측에 마련되며, 상기 순환 라인으로부터 상기 기판 처리계로의 상기 처리액의 공급을 조정하는 액 공급 조정부를 더 구비하고,
    상기 농도 계측 라인은, 상기 순환 라인 중 상기 필터와 상기 액 공급 조정부 사이의 부분에 접속되고,
    상기 농도 센서는, 상기 농도 계측 라인을 흐르는 상기 처리액의 농도를 계측하는, 기판 처리 시스템.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액 공급계는 복수 마련되고,
    상기 복수의 처리액 공급계의 각각과 상기 기판 처리계 사이의 접속 상태를 전환하는 전환부가 마련되고,
    상기 제어부는, 전환부를 제어하여, 상기 기판 처리계에 상기 처리액을 공급하는 상기 처리액 공급계를 전환하는, 기판 처리 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 처리액 조정계는 복수 마련되고,
    상기 복수의 처리액 공급계는, 상기 복수의 처리액 조정계의 각각으로부터 상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것이 공급되는, 기판 처리 시스템.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리계는,
    상기 분기 라인에 접속되며, 상기 분기 라인으로부터의 상기 처리액을 상기 기판에 공급하는 처리 유닛과,
    상기 처리 유닛으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 탱크로 안내하는 복귀 라인을 갖는, 기판 처리 시스템.
  10. 제1 액 및 제2 액을 함유하는 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리계와, 상기 기판 처리계에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급계이며, 상기 처리액을 저류하는 탱크, 상기 탱크에 접속되고 상기 탱크로부터 나와 상기 탱크로 되돌아가는 상기 처리액이 흐르는 순환 라인, 상기 순환 라인에 있어서 상기 처리액을 흐르게 하는 순환기, 상기 탱크 및 상기 순환 라인 중 적어도 어느 것으로부터 배출되는 상기 처리액이 흐르는 드레인 라인, 상기 처리액의 배출을 조정하는 드레인 조정부, 및 상기 탱크, 상기 순환 라인, 상기 탱크에 접속되는 농도 계측 라인, 및 상기 순환 라인에 접속되는 농도 계측 라인 중 적어도 어느 것에 있어서의 상기 처리액의 농도를 계측하는 농도 센서를 갖는 처리액 공급계와, 상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것을 상기 처리액 공급계에 공급하는 처리액 조정계이며, 상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것의 상기 탱크로의 공급을 조정하는 공급 조정부를 갖는 처리액 조정계를 구비하는 기판 처리 시스템에 있어서 행해지는 처리액 조제 방법으로서,
    상기 순환기에 의해 상기 탱크 및 상기 순환 라인에 있어서 어느 양의 처리액을 순환시키는 공정과,
    상기 어느 양의 처리액을 순환시킨 후에, 상기 농도 센서에 의해 상기 처리액의 농도를 계측하는 공정과,
    상기 농도 센서의 계측 결과에 기초하여, 상기 드레인 조정부를 제어하여 상기 처리액의 배출을 조정하는 공정과,
    상기 농도 센서의 계측 결과에 기초하여, 상기 공급 조정부를 제어하여 상기 제1 액, 상기 제2 액 및 상기 처리액 중 적어도 어느 것의 상기 탱크로의 공급을 조정하는 공정을 포함하는, 처리액 조제 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015220318A (ja) 2014-05-16 2015-12-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、洗浄方法及び記憶媒体
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI619155B (zh) * 2013-05-14 2018-03-21 Shibaura Mechatronics Corp Liquid supply device and substrate processing device
JP6290762B2 (ja) * 2013-10-30 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 流量調整機構、希釈薬液供給機構、液処理装置及びその運用方法
JP6352143B2 (ja) * 2013-11-13 2018-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015220318A (ja) 2014-05-16 2015-12-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、洗浄方法及び記憶媒体
JP2017208418A (ja) 2016-05-17 2017-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、タンク洗浄方法及び記憶媒体

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