KR20220025657A - Electrical contact structure of electrical contactor and electrical connecting apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention is capable of shortening the length of a conduction path in which an electrical contact flows so as to stably contact a conductive part of the electrical contact and an electrode part. An electrical contact structure of an electrical contact according to the present invention comprises: a support hole with an opening formed on one side of a support substrate; an electrical contact which is inserted into the support hole and makes electrical contact with an object to be inspected; and an electrode part installed near the opening of the support hole. The electrical contact includes: a non-conductive part with a bent part, and a conductive part provided on one end side of the non-conductive part. The bent part bends so that when one end of the conductive part is in electrical contact with the object to be inspected, the other end side of the conductive part is short-circuited with the electrode part.

Description

전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조 및 전기적 접속 장치{ELECTRICAL CONTACT STRUCTURE OF ELECTRICAL CONTACTOR AND ELECTRICAL CONNECTING APPARATUS}ELECTRICAL CONTACT STRUCTURE OF ELECTRICAL CONTACTOR AND ELECTRICAL CONNECTING APPARATUS

본 발명은, 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조 및 전기적 접속 장치에 관한 기술이다.The present invention relates to an electrical contact structure of an electrical contactor and an electrical connection device.

예를 들면, 반도체 웨이퍼에 형성되어 있는 복수의 반도체 집적 회로의 전기적 특성의 검사에는, 전기적 접속 장치로서의 프로브 카드가 이용된다.For example, a probe card as an electrical connection device is used for inspection of electrical characteristics of a plurality of semiconductor integrated circuits formed on a semiconductor wafer.

일반적으로, 프로브 카드는, 절연 기판의 하면에 복수의 전기적 접촉자(이하에서는, 「접촉자」, 「프로브」 등으로 부른다.)를 배치해 구성되어 있고, 프로브 카드는 각 집적 회로(피검사체)를 검사하는 검사 장치에 장착된다. 검사 시에, 프로브 카드의 각 접촉자가 각 집적 회로의 각 전극에 강압되어, 각 집적 회로의 전기적 특성을 검사하고 있다.In general, a probe card is constituted by arranging a plurality of electrical contacts (hereinafter, referred to as "contactors", "probes", etc.) on the lower surface of an insulating substrate, and the probe card includes each integrated circuit (subject to be inspected). It is mounted on the inspection device to be inspected. At the time of inspection, each contact of the probe card is pressed against each electrode of each integrated circuit, and the electrical characteristics of each integrated circuit are inspected.

전기적 접속 장치로서의 프로브 카드에는, 피검사체의 각 전극에 대하여 수직으로 각 접촉자를 전기적으로 접촉시키는 수직형 프로브 카드라고 불리는 것이 있다. 게다가, 수직형 프로브 카드에 이용되는 전기적 접촉자에는, 예를 들면, 스프링 타입과, 니들 타입이 있다.[0003] A probe card as an electrical connection device has what is called a vertical probe card for electrically contacting each contact vertically with respect to each electrode of an object to be inspected. In addition, there are, for example, a spring type and a needle type of electrical contactor used in the vertical probe card.

스프링 타입의 접촉자는, 피검사체에 대하여 수직 방향으로 탄성을 가지기 때문에, 피검사체의 전극에 대하여 탄성적으로 확실하게 접촉할 수 있다.Since the spring-type contactor has elasticity in a direction perpendicular to the subject, it can elastically and reliably contact the electrode of the subject.

니들 타입의 접촉자는, 선상(線狀)(봉상(棒狀))이기 때문에, 좁은 피치로 배치된 피검사체의 전극에 대하여 확실하게 전기적으로 접촉할 수 있지만, 수직 방향으로 탄성을 가지게 하는 것은 어렵다.Since the needle-type contactor is linear (rod-shaped), it can reliably make electrical contact with the electrodes of the subject arranged at a narrow pitch, but it is difficult to have elasticity in the vertical direction. .

그 때문에, 복수의 접촉자(34)를 지지하는 구조는, 도 2에 예시하는 것처럼, 니들 타입의 각 접촉자(34)의 상부를 지지하는 상단판(톱판(Top plate))(43)과, 각 접촉자(34)의 하부를 지지하는 하단판(보텀판(Bottom plate))(41)을 이용해서 각 접촉자(34)를 지지하도록 하고 있다. 여기서, 수직 방향의 탄성을 갖게 하기 위해, 상단판(톱판)(43)의 지지구멍(43A)의 위치와, 하단판(보텀판)(41)의 지지구멍(41A)의 위치가, 면(面)방향에 있어서 상대적으로 엇갈리도록 배치시키고 있다. 이러한 구조로 함으로써, 각 접촉자(34)를 국부적으로 만곡시켜, 수직 방향으로 탄성을 가지도록 하고 있다.Therefore, the structure for supporting the plurality of contacts 34 is, as illustrated in FIG. 2 , a top plate (Top plate) 43 supporting the upper portion of each of the needle-type contacts 34, and each Each of the contactors 34 is supported by using a bottom plate (bottom plate) 41 that supports the lower portion of the contactors 34 . Here, in order to have the elasticity in the vertical direction, the position of the support hole 43A of the upper plate (top plate) 43 and the position of the support hole 41A of the lower plate (bottom plate) 41 are plane ( ) are arranged so that they are relatively staggered in the direction. By setting it as such a structure, each contactor 34 is curved locally, and it is made to have elasticity in a vertical direction.

최근, 반도체 집적 회로의 초미세화, 초고집적화에 수반하여, 프로브 카드에 설치하는 전기적 접촉자(프로브)에는, 반도체칩 상의 전극 면적의 축소화, 패드 간의 피치의 협소화에 대응시키는 것이 요구된다. 또, 반도체 집적 회로의 동작 속도의 고속화에 수반해, 입출력 핀의 신호 주파수가 증가하는 경향에 있고, 전기적 접촉자(프로브)에는, 고주파 특성에 대응시키는 것도 요구되고 있다.In recent years, with the ultra-miniaturization and ultra-high integration of semiconductor integrated circuits, electrical contacts (probes) provided on probe cards are required to respond to reduction of electrode area on semiconductor chips and narrowing of pitch between pads. Moreover, there exists a tendency for the signal frequency of an input/output pin to increase with the speedup of the operation speed of a semiconductor integrated circuit, and it is also calculated|required that electrical contactors (probes) be made to respond|correspond to a high frequency characteristic.

특허문헌 1 및 2에는, 반도체 집적 회로를 검사하는 프로브 헤드(또는 테스트 헤드)가 공개되어 있다. 예를 들면, 프로브 헤드에는, 복수의 컨택트 프로브를 수용하는 복수의 가이드 구멍이 설치되어 있다. 게다가, 수직 방향으로 탄성을 갖게 하기 위해, 컨택트 프로브를 S자 형상으로 만곡시킨다. 컨택트 프로브는, 제1 단부와 제2 단부와의 사이의 길이 방향에 따라 연재(延在)하고, 제1 단부와, 피검사체의 전극과 접촉하는 제2 단부에 의해 구성되어 있다. 또, 컨택트 프로브는, 제1 단부와 제2 단부와의 사이에, 비도통성의 제1 부분과, 상기 제1 부분으로부터 제2 단부까지의 제2 부분을 구성하고 있다. 게다가, 가이드 구멍에는 도전부가 설치되어 있고, 컨택트 프로브의 제2 부분과 도전부를 전기적으로 접속시켜서 단락(短絡)시키도록 하고 있다.Patent Documents 1 and 2 disclose a probe head (or a test head) for inspecting a semiconductor integrated circuit. For example, a plurality of guide holes for accommodating a plurality of contact probes are provided in the probe head. In addition, in order to have elasticity in the vertical direction, the contact probe is curved in an S-shape. The contact probe extends along the longitudinal direction between the first end and the second end, and includes a first end and a second end in contact with the electrode of the subject. Moreover, the contact probe comprises, between a 1st end and a 2nd end, a non-conductive 1st part, and the 2nd part from the said 1st part to a 2nd end. Furthermore, a conductive part is provided in the guide hole, and the second part of the contact probe and the conductive part are electrically connected to short circuit.

[특허문헌 1] 국제공개 제2018/108790호[Patent Document 1] International Publication No. 2018/108790 [특허문헌 2] 국제공개 제2019/091946호[Patent Document 2] International Publication No. 2019/091946

그렇지만, 특허문헌 1 및 2에 기재된 기술과 같이, 가이드 구멍의 도전부(전극부)에 대하여, 컨택트 프로브의 도전성의 접촉 부분을 전기적으로 접촉시키려고 하면, 그 접촉 개소가 접동 접점이 될 수 있으므로, 컨택트 프로브의 접촉 부분, 및 또는, 도전부가 마모될 우려가 생기고, 그 결과, 접촉 개소가 열화해, 고정밀도의 검사에도 영향이 생길 수 있다.However, as in the techniques described in Patent Documents 1 and 2, when the conductive contact portion of the contact probe is electrically brought into contact with the conductive portion (electrode portion) of the guide hole, the contact point may become a sliding contact, There arises a possibility that the contact part of a contact probe, or an electroconductive part wears, As a result, the contact part deteriorates, and an influence may arise also in a high-precision test|inspection.

그 때문에, 전기적 접촉자를 흐르는 도통 경로 길이를 짧게 할 수 있어, 전기적 접촉자의 도통부와 전극부를 안정적으로 접촉시킬 수 있는 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조 및 전기적 접속 장치가 요구되고 있다.Accordingly, there is a demand for an electrical contact structure and an electrical connection device for an electrical contact capable of shortening the length of the conductive path through which the electrical contact flows and stably bringing the conductive portion and the electrode portion of the electrical contact into contact.

이러한 과제를 해결하기 위해, 제1의 본 발명에 관한 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조는, (1)지지 기판의 일방 면에 개구가 형성되는 지지구멍과, (2)지지구멍에 삽통되어, 피검사체와 전기적으로 접촉하는 전기적 접촉자와, (3)지지구멍의 상기 개구 부근에 설치되는 전극부를 갖추고, (4)전기적 접촉자는, 굴곡부를 가지는 비도통부와, 비도통부의 일방 단부측에 설치된 도통부를 가지는 것이고, (5)굴곡부는, 도통부의 일방 단부가 피검사체와 전기적으로 접촉될 때에, 도통부의 타방 단부측이 전극부와 단락하도록 구부러지는 것을 특징으로 한다.In order to solve this problem, the electrical contact structure of the electrical contactor according to the first present invention includes (1) a support hole in which an opening is formed on one side of a support substrate, and (2) a support hole inserted into the support hole, an electrical contactor in electrical contact with, (3) an electrode portion provided near the opening of the support hole; and (5) the bent portion is characterized in that when one end of the conductive portion is in electrical contact with the subject, the other end side of the conductive portion is bent so as to short-circuit with the electrode portion.

제2의 본 발명에 관한 전기적 접속 장치는, 복수의 전기적 접촉자를 지지하는 지지 기판을 갖추고, 피검사체와 검사 장치와의 사이를 전기적으로 접속하는 전기적 접속 장치에 있어서, 제1의 본 발명의 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조를 가진다.An electrical connection device according to a second aspect of the present invention includes a support substrate for supporting a plurality of electrical contacts, and electrically connects an object to be inspected and an inspection device. It has the electrical contact structure of the contactor.

본 발명에 의하면, 전기적 접촉자를 흐르는 도통 경로 길이를 짧게 할 수 있어, 전기적 접촉자의 도통부와 전극부를 안정적으로 접촉시킬 수 있다.According to the present invention, the length of the conduction path through which the electrical contactor flows can be shortened, so that the conducting portion of the electrical contactor can be stably brought into contact with the electrode portion.

[도 1] 실시 형태에 따른 전기적 접속 장치의 구성을 도시한 평면도이다.
[도 2] 종래의 접촉자의 전기적 접속 구조의 구성을 도시한 구성도이다.
[도 3] 실시 형태에 따른 전기적 접속 장치의 구성을 도시한 정면도이다.
[도 4] 실시 형태에 따른 접촉자의 전기적 접속 구조의 구성을 도시한 부분 단면도이다.
[도 5] 실시 형태에 따른 프로브의 구성을 도시한 구성도이다.
[도 6] 비컨택트 시와 컨택트 시의 프로브 상태를 도시한 도이다.
[도 7] 변형 실시 형태에 따른 접촉자의 전기적 접속 구조의 구성을 도시한 부분 단면도이다(그 1).
[도 8] 변형 실시 형태에 따른 접촉자의 전기적 접속 구조의 구성을 도시한 부분 단면도이다(그 2).
[도 9] 변형 실시 형태에 따른 접촉자의 전기적 접속 구조의 구성을 도시한 부분 단면도이다(그 3).
[도 10] 변형 실시 형태에 따른 프로브의 구성과 접촉자의 전기적 접속 구조의 구성을 도시한 구성도이다.
1 is a plan view showing the configuration of an electrical connection device according to an embodiment.
[ Fig. 2 ] It is a configuration diagram showing the configuration of an electrical connection structure of a conventional contactor.
[Fig. 3] Fig. 3 is a front view showing the configuration of an electrical connection device according to an embodiment.
4 is a partial cross-sectional view showing the configuration of an electrical connection structure of a contactor according to an embodiment.
[ Fig. 5] Fig. 5 is a configuration diagram showing the configuration of a probe according to an embodiment.
[ Fig. 6] Fig. 6 is a diagram showing the state of the probe during non-contact and during contact.
Fig. 7 is a partial cross-sectional view showing the configuration of an electrical connection structure of a contactor according to a modified embodiment (part 1).
Fig. 8 is a partial cross-sectional view showing the configuration of an electrical connection structure of a contactor according to a modified embodiment (part 2).
[Fig. 9] Fig. 9 is a partial cross-sectional view showing the configuration of an electrical connection structure of a contactor according to a modified embodiment (part 3).
[Fig. 10] Fig. 10 is a configuration diagram showing the configuration of the probe and the electrical connection structure of the contactor according to the modified embodiment.

(A) 주된 실시 형태(A) Main embodiment

이하에서는, 본 발명에 관한 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조 및 전기적 접속 장치의 실시 형태를, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of an electrical contact structure and an electrical connection device of an electrical contactor according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(A-1) 실시 형태의 구성(A-1) Configuration of the embodiment

이 실시 형태에서는, 본 발명을 이용하여, 반도체 웨이퍼 상에 형성된 복수의 반도체 집적 회로의 전기적 특성의 검사(예를 들면, 통전(通電) 검사 등)를 실시하는 검사 장치(이하에서는, 「테스터」라고도 부른다.)에 장착되는 전기적 접속 장치에 적용하는 경우를 예시한다.In this embodiment, using the present invention, an inspection apparatus (hereinafter referred to as a "tester") that performs inspection (eg, energization inspection, etc.) of electrical characteristics of a plurality of semiconductor integrated circuits formed on a semiconductor wafer. It is also called.) and is an example of application to the electrical connection device mounted on the

이하의 설명에서 「피검사체」는, 검사 장치가 전기적 특성을 검사하는 대상물이며, 예를 들면, 집적 회로, 반도체 웨이퍼 등을 나타낸다. 「반도체 웨이퍼」는, 웨이퍼에 회로 패턴이 형성된 복수의 집적 회로를 가지고, 다우징 전의 상태를 상정한다.In the following description, an "inspection object" is an object for which an inspection apparatus inspects electrical characteristics, and indicates, for example, an integrated circuit, a semiconductor wafer, or the like. A "semiconductor wafer" has a plurality of integrated circuits in which circuit patterns are formed on the wafer, and assumes a state before dosing.

「전기적 접속 장치」는, 피검사체의 각 전극과 전기적으로 접촉하는 복수의 접촉자를 가지고, 피검사체와 검사 장치를 전기적으로 접속한다. 전기적 접속 장치는, 예를 들면, 프로브 카드 등이며, 이 실시 형태에서는, 수직형 프로브 카드일 경우를 예시한다.An "electrical connection device" has a plurality of contactors electrically contacting each electrode of an object to be inspected, and electrically connects the object to be inspected and the inspection apparatus. The electrical connection device is, for example, a probe card or the like, and in this embodiment, a vertical probe card is exemplified.

「접촉자」는, 피검사체의 전극에 대하여 전기적으로 접촉하는 전기적 접촉자이다. 접촉자는, 예를 들면, 프로브를 적용할 수 있고, 선상 부재로 형성된 니들 타입의 프로브, 얇은 판의 세폭(細幅) 부재로 형성된 프로브 등을 적용할 수 있다. 이 실시 형태에서는, 접촉자가 전체적으로 선상 부재로 형성된 니들 타입의 프로브일 경우를 예시한다.A "contactor" is an electrical contactor that makes electrical contact with an electrode of a subject. For the contactor, for example, a probe can be applied, and a needle-type probe formed of a linear member, a probe formed of a thin member of a thin plate, or the like can be applied. In this embodiment, the case where the contactor is a needle-type probe formed entirely of a linear member is exemplified.

「지지 기판」은, 복수의 접촉자(전기적 접촉자)를 지지하는 판상 기판이다. 지지 기판은, 일방 면에 개구가 형성되는 복수의 지지구멍을 가지고 있고, 지지 기판의 각 지지구멍에 각 접촉자(전기적 접촉자)가 삽통되어 각 접촉자를 지지한다. 지지 기판은, 예를 들면, 후술하는 프로브 지지체(17), 배선 기판(2) 등으로 할 수 있다.A "support substrate" is a plate-shaped substrate that supports a plurality of contacts (electrical contacts). The support substrate has a plurality of support holes in which openings are formed on one side thereof, and each contactor (electrical contactor) is inserted into each support hole of the support substrate to support each contactor. The support substrate can be, for example, a probe support body 17 or a wiring board 2 described later.

(A-1-1) 전기적 접속 장치(1)의 상세한 구성(A-1-1) Detailed configuration of electrical connection device 1

도 1은, 실시 형태에 따른 전기적 접속 장치(1)의 구성을 도시한 평면도이다. 도 3은, 실시 형태에 따른 전기적 접속 장치(1)의 구성을 도시한 정면도이다. 도 4은, 실시 형태에 따른 접촉자(프로브)(21)의 전기적 접속 구조의 구성을 도시한 부분 단면도이다.1 is a plan view showing the configuration of an electrical connection device 1 according to an embodiment. 3 is a front view showing the configuration of the electrical connection device 1 according to the embodiment. 4 is a partial cross-sectional view showing the configuration of the electrical connection structure of the contactor (probe) 21 according to the embodiment.

전기적 접속 장치(1)는, 배선 기판(2)과, 접속 기판(3)과, 복수의 배선(4)과, 프로브 조립체(5)를 가진다.The electrical connection device 1 includes a wiring board 2 , a connection board 3 , a plurality of wirings 4 , and a probe assembly 5 .

배선 기판(2)은, 원판상으로 형성된 기판이다. 배선 기판(2)의 일방 면(예를 들면, 상면(上面))측의 중앙부에는, 상기 배선 기판(2)의 두께 방향(Z방향, 판두께 방향)으로 기판을 관통하는 구형(矩形)의 개구(7)가 형성되어 있다. 배선 기판(2)의 일방 면(예를 들면, 상면)에는, 구형의 개구(7) 한 쌍의 대변(opposite side)에 따라, 접속부로서의 다수의 접속 랜드(9)가 정렬해서 형성되어 있다. 또, 배선 기판(2)의 일방 면(예를 들면, 상면)의 외연부(外緣部)에는, 검사 장치(테스터)의 전기 회로와 접속하는 복수의 테스터 랜드(테스터 접속부)가 형성되어 있다. 각 접속 랜드(9)와 대응하는 테스터 랜드(8)는, 종래의 전기적 접속 장치와 마찬가지로, 배선 기판(2)의 도전로(導電路)(도시하지 않는다)를 거쳐 전기적 접속되어 있다.The wiring board 2 is a board|substrate formed in the shape of a disk. In a central portion on one side (eg, upper surface) side of the wiring board 2 , a spherical shape penetrating the board in the thickness direction (Z direction, plate thickness direction) of the wiring board 2 is formed. An opening 7 is formed. On one surface (eg, upper surface) of the wiring board 2 , a plurality of connection lands 9 as connection portions are formed in alignment along opposite sides of a pair of spherical openings 7 . Moreover, in the outer edge part of one surface (for example, upper surface) of the wiring board 2, the some tester land (tester connection part) connected with the electric circuit of an inspection apparatus (tester) is formed. . Each connection land 9 and the corresponding test land 8 are electrically connected via a conductive path (not shown) of the wiring board 2 similarly to the conventional electrical connection apparatus.

접속 기판(3)은, 전기 절연 재료에 의해 형성되고, 배선 기판의 일방 면(예를 들면, 상면)측의 대략 중앙부에 장착되는 부재이다. 접속 기판(3)은, 개구(7) 내에 수용되는 구형(矩形) 평면 형상의 구형부(11)와, 구형부(11)의 일방 면(예를 들면, 상면)에 있어서 구형부(11)의 외연(外緣)으로 내뻗은 구형의 환상 플랜지(Ring-shape flange)(12)를 가진다. 접속 기판(3)은, 구형부(11)가 배선 기판(2)의 개구(7) 내에 들어가, 개구(7)의 연부(緣部)에 환상 플랜지(12)가 재치된 상태에서, 복수의 나사 부재(13)에 의해 환상 플랜지(12)가 배선 기판(2)의 일방 면(예를 들면, 상면)에 장착된다.The connection board 3 is formed of an electrically insulating material and is a member attached to a substantially central portion on one side (eg, upper surface) side of the wiring board. The connecting substrate 3 has a spherical planar spherical portion 11 accommodated in the opening 7 , and a spherical portion 11 on one surface (eg, upper surface) of the spherical portion 11 . It has a spherical annular flange (Ring-shape flange) (12) extending to the outer edge of the. The connecting board 3 has a plurality of spherical parts 11 in the opening 7 of the wiring board 2 in a state where the annular flange 12 is mounted on the edge of the opening 7 . The annular flange 12 is mounted on one surface (eg, upper surface) of the wiring board 2 by means of a screw member 13 .

접속 기판(3)의 구형부(11)에는, 도 1에 도시한 것처럼, 기판의 두께 방향(Z방향, 판두께 방향)으로 기판을 관통하는 복수의 관통구멍(14)이 형성되어 있다. 복수의 관통구멍(14)의 각각은, 피검사체(15)로서의 집적 회로의 전극(16)의 위치에 대응해서 형성되어 있다.As shown in FIG. 1, in the spherical part 11 of the connection board|substrate 3, the several through-hole 14 penetrating through the board|substrate in the thickness direction (Z direction, plate|board thickness direction) of the board|substrate is formed. Each of the plurality of through holes 14 is formed in correspondence with the position of the electrode 16 of the integrated circuit as the object 15 to be inspected.

각 배선(4)의 일단부는, 접속 기판(3)의 각 관통구멍(14)에 삽입된다. 각 관통구멍(14)에 삽입된 각 배선(4)의 일단부의 선단면(先端面)은, 프로브 조립체(5)가 지지하고 있는 대응하는 각 프로브(21)와 전기적으로 접속된다. 각 배선(4)은, 대응하는 각 프로브(21)와 직접적으로 접속되어도 좋고, 도전로 및 단자를 통해서 간접적으로 각 프로브(21)와 접속되어도 무방하다. 한편, 각 배선(4)의 타단부는, 대응하는 각 접속 랜드(9)와 접속하고 있다. 각 프로브(21)는 각 배선(4)을 통해서 각 접속 랜드(9)와 접속한다. 따라서, 각 프로브(21)는, 각 접속 랜드(9)와 전기적으로 접속하고 있는 대응하는 테스터 랜드(8)를 거쳐, 검사 장치(테스터)의 전기 회로에 접속된다.One end of each wiring 4 is inserted into each through hole 14 of the connection board 3 . A front end surface of one end of each wiring 4 inserted into each through hole 14 is electrically connected to each corresponding probe 21 supported by the probe assembly 5 . Each wiring 4 may be directly connected to each corresponding probe 21, and may be connected to each probe 21 indirectly via a conductive path and a terminal. On the other hand, the other end of each wiring 4 is connected to each corresponding connection land 9 . Each probe 21 is connected to each connection land 9 via each wiring 4 . Therefore, each probe 21 is connected to the electric circuit of an inspection apparatus (tester) via each connection land 9 and the corresponding tester land 8 electrically connected.

프로브 조립체(5)는, 접속 기판(3)의 타방 면(예를 들면, 하면(下面))측에 장착된다. 프로브 조립체(5)는, 복수의 프로브(21)를 지지하는 프로브 지지체(17)를 가진다.The probe assembly 5 is attached to the other surface (for example, the lower surface) side of the connection board 3 . The probe assembly 5 has a probe support 17 that supports a plurality of probes 21 .

프로브 지지체(17)는, 전기 절연성 부재로 형성된 판상 부재이다. 프로브 지지체(17)는, 상기 프로브 지지체(17)의 타방 면(예를 들면, 하면)(18)에 개구가 형성되고, 상방(즉, 판두께 방향, Z방향)을 향해서, 복수의 프로브(21)의 각각을 수용하는 복수의 지지구멍(19)을 가지고 있다. 바꿔 말하면, 각 지지구멍(19)은, 프로브 지지체(17)의 하면(18)에, 개구가 형성된 요부(凹部)라고도 할 수 있다.The probe support body 17 is a plate-shaped member formed of an electrically insulating member. The probe support body 17 has an opening formed on the other surface (for example, the lower surface) 18 of the probe support body 17, and faces upward (ie, plate thickness direction, Z direction), a plurality of probes ( 21) has a plurality of support holes 19 for receiving each. In other words, each support hole 19 can be said to be a recessed portion in which an opening is formed in the lower surface 18 of the probe support body 17 .

프로브 지지체(17)의 각 지지구멍(19)은, 피검사체(15)의 각 전극(16)의 위치에 대응하는 위치에 형성되어 있다. 프로브 지지체(17)의 지지구멍(19)은, 피검사체(15)의 전극(16)의 수와 같은 수만큼 형성되어 있다.Each support hole 19 of the probe support body 17 is formed at a position corresponding to the position of each electrode 16 of the subject 15 . The number of support holes 19 of the probe support body 17 is equal to the number of the electrodes 16 of the object 15 to be inspected.

각 프로브(21)를 지지하는 각 지지구멍(19)의 천장부(192)는, 프로브(21)의 제1 단부(예를 들면, 상단부)에 있는 피지지부(51)를 지지한다. 예를 들면, 도 4에 예시하는 것처럼, 지지구멍(19)의 천장부(192)에는, 프로브(21)의 제1 단부를 지지하기 위한 구멍부가 설치되고, 그 구멍부에 프로브(21)의 제1 단부가 삽입됨으로써, 지지구멍(19)에 수용되는 프로브(21)를 지지할 수 있다. 즉, 천장부(192)에 지지된 프로브(21)는 지지구멍(19)의 내부에 하수(下垂)하여 상기 지지구멍(19)에 수용되는 것과 함께, 각 프로브(21)의 제2 단부측의 도통부(212)의 일부 또는 전부(도 5 참조)가 지지구멍(19)의 하면(18)보다도 하방으로 돌출해서 설치된다.The ceiling portion 192 of each support hole 19 supporting each probe 21 supports the supported portion 51 at the first end (eg, upper end) of the probe 21 . For example, as illustrated in FIG. 4 , a hole portion for supporting the first end of the probe 21 is provided in the ceiling portion 192 of the support hole 19 , and the second end of the probe 21 is provided in the hole portion. By inserting one end, the probe 21 accommodated in the support hole 19 can be supported. That is, the probe 21 supported by the ceiling portion 192 is received in the support hole 19 by draining the inside of the support hole 19 , and at the second end side of each probe 21 . A part or all of the conduction portion 212 (refer to FIG. 5 ) is provided to protrude below the lower surface 18 of the support hole 19 .

덧붙여, 지지구멍(19)에 프로브(21)를 지지하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 지지구멍(19)의 천장부(192)에 낸 구멍에, 프로브(21)의 피지지부(51)를 삽입한 다음에, 접착재(binding material) 등으로 고정해도 무방하다. 또, 각 지지구멍(19)은, 단면(斷面)이 원형 또는 타원형의 구멍이어도 좋고, 단면이 정방형 또는 장방형 또는 다각형의 구멍이어도 무방하다.In addition, the method of supporting the probe 21 in the support hole 19 is not specifically limited. For example, after inserting the supported portion 51 of the probe 21 into a hole made in the ceiling portion 192 of the support hole 19, it may be fixed with an adhesive material or the like. Moreover, the cross section of each support hole 19 may be a circular or elliptical hole, and a square, rectangular, or polygonal hole may be sufficient as a cross section.

프로브 지지체(17)의 하면(18)에는, 각 지지구멍(19)의 근방에, 각 전극 단자(20)가 설치되어 있다. 여기서, 후술하는 바와 같이, 각 프로브(21)의 제1 단부측에는 굴곡부(54)를 가지는 비도통 가이드부(211)가 형성되어 있다(도 5 참조). 피검사체(15)의 검사 시에, 각 프로브(21)와 피검사체(15)의 전극(16)이 서로 접촉하면, 각 지지구멍(19)에 지지되어 있는 각 프로브(21)가 탄성 변형(예를 들면, 휘어짐 등)한다.Each electrode terminal 20 is provided on the lower surface 18 of the probe support body 17 in the vicinity of each support hole 19 . Here, as will be described later, a non-conductive guide portion 211 having a bent portion 54 is formed on the first end side of each probe 21 (refer to FIG. 5 ). When each probe 21 and the electrode 16 of the subject 15 are in contact with each other during the inspection of the subject 15, each probe 21 supported by each support hole 19 is elastically deformed ( For example, bending, etc.).

각 전극 단자(20)는, 컨택트 하중에 의해, 변형한 각 프로브(21)의 도통부(212)(도 5 참조)와 전기적으로 접촉한다. 바꿔 말하면, 각 전극 단자(20)는, 변형한 각 프로브(21)의 도통부(212)와 전기적으로 접속하는 단자이다.Each electrode terminal 20 is in electrical contact with the conduction part 212 (refer FIG. 5) of each probe 21 deformed by a contact load. In other words, each electrode terminal 20 is a terminal electrically connected to the conductive portion 212 of each deformed probe 21 .

또, 각 전극 단자(20)는, 프로브 지지체(17)에 형성된 각 도전로(22)와 접속한다. 각 도전로(22)는, 각 전극 단자(20)와, 대응하는 각 배선(4)과의 사이에서 전기 신호를 흐르게 하는 부분이다. 따라서, 각 프로브(21)의 도통부(212)는, 각 전극 단자(20) 및 도전로(22)를 거쳐, 대응하는 각 배선(4)과 전기적으로 접속한다.Moreover, each electrode terminal 20 is connected to each conductive path 22 formed in the probe support body 17 . Each conductive path 22 is a part through which an electric signal flows between each electrode terminal 20 and each corresponding wiring 4 . Accordingly, the conductive portion 212 of each probe 21 is electrically connected to each corresponding wiring 4 via each electrode terminal 20 and the conductive path 22 .

덧붙여, 도전로(22)는, 프로브 지지체(17)의 기판 내부에 형성되어도 무방하다. 또, 예를 들면, 다층 구조 기판으로 형성된 프로브 지지체(17)로 하는 경우, 도전로(22)의 일부가 프로브 지지체(17)의 면 방향(즉, XY 평면 상)에 형성되어도 무방하다.In addition, the conductive path 22 may be formed inside the board|substrate of the probe support body 17 . Also, for example, in the case of the probe support 17 formed of a multilayer structure substrate, a part of the conductive path 22 may be formed in the plane direction of the probe support 17 (ie, on the XY plane).

여기서, 실시 형태에서의 복수의 프로브(21)의 지지 구조와, 도 2에 예시하는 종래의 복수의 접촉자(프로브)(34)의 지지 구조를 비교하면서 설명한다.Here, it demonstrates comparing the support structure of the some probe 21 in embodiment, and the support structure of the conventional some contactor (probe) 34 illustrated in FIG.

도 2에서의 종래의 프로브 지지 구조는, 각 접촉자(34)의 상부를 지지하는 상단판(톱판)(43)과, 각 접촉자(34)의 하부를 지지하는 하단판(보텀판)(41)을 이용하여, 대략 S자 형상의 각 접촉자(34)를 지지하도록 하고 있다.The conventional probe support structure in FIG. 2 includes an upper plate (top plate) 43 supporting an upper portion of each contactor 34 and a lower plate (bottom plate) 41 supporting a lower portion of each contactor 34 . is used to support each contactor 34 having a substantially S-shape.

이에 대해, 실시 형태에서의 복수의 프로브 지지 구조는, 적어도 하단판(보텀판)(41)을 설치하지 않는다. 후술하는 것처럼, 실시 형태의 프로브(21)는, 비도통 가이드부(211)가 탄성 기능을 담당하고 있다.On the other hand, in the plurality of probe support structures in the embodiment, at least the lower end plate (bottom plate) 41 is not provided. As will be described later, in the probe 21 of the embodiment, the non-conductive guide part 211 is responsible for the elastic function.

따라서, 실시 형태에서는, 프로브 조립체(5)의 두께 방향(Z방향)의 길이를, 종래의 프로브 조립체의 두께 방향(Z방향) 보다도 짧게 할 수 있다. 바꿔 말하면, 피검사체(15)의 검사 시에, 프로브(21)를 거쳐, 피검사체(15)의 전극(16)과 배선(4)과의 사이에서 흐르는 전류의 도전로의 길이를 짧게 할 수 있다. 그 결과, 검사 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또, 프로브 조립체(5)의 비용도 억제할 수 있다.Therefore, in the embodiment, the length of the probe assembly 5 in the thickness direction (Z direction) can be made shorter than that of the conventional probe assembly in the thickness direction (Z direction). In other words, the length of the conductive path of the current flowing between the electrode 16 of the subject 15 and the wiring 4 through the probe 21 can be shortened during the inspection of the subject 15 . there is. As a result, inspection precision can be improved. Moreover, the cost of the probe assembly 5 can also be suppressed.

또, 도 2에서의 종래의 프로브 지지 구조는, 상단판(톱판)(43)의 지지구멍(43A)의 위치와, 하단판(보텀판)(41)의 지지구멍(41A)의 위치가, 면 방향에 있어서 상대적으로 엇갈리도록 배치된다.In addition, in the conventional probe support structure in FIG. 2, the position of the support hole 43A of the upper plate (top plate) 43 and the position of the support hole 41A of the lower plate (bottom plate) 41 are, They are arranged so as to be relatively staggered in the plane direction.

이에 대해, 실시 형태에서의 프로브 지지 구조는, 프로브 지지체(17)의 지지구멍(19)에 지지되는 프로브(21)는, 지지점으로부터 수직 방향(Z방향)으로 연장되어 배치된다.On the other hand, in the probe support structure in the embodiment, the probe 21 supported by the support hole 19 of the probe support body 17 is disposed extending from the support point in the vertical direction (Z direction).

따라서, 실시 형태의 프로브 지지 구조로 함으로써, 피검사체(15)로서의 반도체 웨이퍼 상의 전극(16)에 접촉시키는 프로브(21)의 위치맞춤(alignment)을 제어하기 쉬워지고, 위치맞춤 정밀도를 향상시킬 수 있다.Therefore, by using the probe support structure of the embodiment, it is easy to control the alignment of the probe 21 brought into contact with the electrode 16 on the semiconductor wafer as the object 15 to be inspected, and the alignment accuracy can be improved. there is.

덧붙여, 이 실시 형태에서는, 프로브 조립체(5)의 프로브 지지체(17)에 복수의 프로브(21)를 지지하는 경우를 예시한다. 그러나, 이 예로 한정되지 않고, 배선 기판(2)의 하면에, 프로브 지지체(17)의 각 지지구멍(19)과 마찬가지의 구조를 설치하고, 배선 기판(2)에 설치한 각 지지구멍(19)에, 각 프로브(21)를 지지시키도록 해도 무방하다. 이 경우, 상단판(톱판)(43)도 설치할 필요가 없어진다.In addition, in this embodiment, the case where the some probe 21 is supported by the probe support body 17 of the probe assembly 5 is illustrated. However, it is not limited to this example, and the same structure as each support hole 19 of the probe support body 17 is provided on the lower surface of the wiring board 2, and each support hole 19 provided in the wiring board 2 is provided. ), each probe 21 may be supported. In this case, there is also no need to provide the upper plate (top plate) 43 .

(A-1-2) 프로브(21)의 구성(A-1-2) Configuration of the probe (21)

도 5(A)는, 실시 형태에 따른 프로브(21)의 구성을 나타내는 측면도이며, 도 5(B)는, 실시 형태에 따른 프로브(21)의 구성을 도시한 정면도이다. 덧붙여, 도 5(A) 및 도 5(B)에 예시하는 프로브(21)의 사이즈, 선지름(線徑), 길이, 및 굴곡 정도 등은 강조 표시를 하고 있다.Fig. 5A is a side view showing the configuration of the probe 21 according to the embodiment, and Fig. 5B is a front view showing the configuration of the probe 21 according to the embodiment. In addition, the size, wire diameter, length, bending degree, etc. of the probe 21 illustrated in FIG.5(A) and FIG.5(B) are highlighted.

프로브(21)는, 굴곡부(54)를 가지는 비도통 가이드부(211)와, 비도통 가이드부(211)의 일방 단부측에 설치된 도통부(212)를 가지며 형성된다. 프로브(21)는, 상기 프로브(21) 전체적으로, 예를 들면, 절연 재료 및 도전성 금속의 세선(細線) 등으로 형성된 니들 타입의 접촉자로 할 수 있다. 덧붙여, 프로브(21)는, 선상 부재로 한정되지 않고, 예를 들면, 절연 재료 및 도전성 금속의 폭길이(幅長)가 작은 얇은 판상 부재로 형성되어도 무방하다. 이 실시 형태에서는, 프로브(21)가 선상 부재로 형성된 것을 예시한다.The probe 21 has a non-conductive guide portion 211 having a bent portion 54 , and a conductive portion 212 provided on one end side of the non-conductive guide portion 211 , and is formed. The probe 21 may be a needle-type contactor formed of, for example, a thin wire of an insulating material and a conductive metal, as the whole of the probe 21 . Incidentally, the probe 21 is not limited to a linear member, and may be formed of, for example, a thin plate-like member having a small width of an insulating material and a conductive metal. In this embodiment, what the probe 21 was formed of the linear member is illustrated.

프로브(21)의 선지름(프로브(21)의 직경(直徑))이나 전체길이(全長)는, 특별히 한정되지 않고, 검사 대상으로 하는 반도체 웨이퍼의 전극(16)의 사이즈 등에 따라서 적당히 정할 수 있다. 예를 들어, 프로브(21)의 선지름은 수십 μm 정도, 길이는 수 mm 정도로 할 수 있다.The wire diameter (diameter of the probe 21) and overall length of the probe 21 are not particularly limited, and can be appropriately determined according to the size of the electrode 16 of the semiconductor wafer to be inspected, etc. . For example, the wire diameter of the probe 21 may be about several tens of μm, and the length may be about several mm.

프로브(21)의 비도통 가이드부(211)는, 절연성의 합성 수지 재료 등의 절연성 재료로 형성된 것이다. 비도통 가이드부(211)는, 프로브(21) 전체에 상하 방향(Z방향)으로 탄성을 가지게 하는 탄성 기능을 가진다. 또, 비도통 가이드부(211)는, 프로브(21)의 도통부(212)를 지지하는 도전부 지지 부재로서 기능한다. 바꿔 말하면, 비도통 가이드부(211)는, 탄성을 가지는 도전부 지지 부재로서의 기능을 가진다.The non-conductive guide portion 211 of the probe 21 is formed of an insulating material such as an insulating synthetic resin material. The non-conductive guide part 211 has an elastic function of giving elasticity to the entire probe 21 in the vertical direction (Z direction). In addition, the non-conductive guide part 211 functions as a conductive part support member for supporting the conductive part 212 of the probe 21 . In other words, the non-conductive guide portion 211 has a function as a conductive portion supporting member having elasticity.

절연성 재료의 선상으로 형성된 비도통 가이드부(211)는, 상기 프로브(21)가 수용되는 지지구멍(19)에 지지되는 피지지부(51)와, 상기 프로브(21)의 길이 방향에 따라, 상기 피지지부(51)의 하방으로 연장되는 하방 부분을 가진다. 상기 하방 부분은, 피지지부(51)와 일체적으로 이어져 있다.The non-conductive guide portion 211 formed in a linear shape of an insulating material includes the supported portion 51 supported by the support hole 19 in which the probe 21 is accommodated, and the supported portion 51 along the length direction of the probe 21 . It has a lower portion extending downward of the supported portion 51 . The lower portion is integrally connected with the supported portion 51 .

비도통 가이드부(211)의 하방 부분의 대략 중앙부에는, 예를 들면, 굽힘 가공에 의해, 상기 하방 부분을 굴곡시킨 굴곡부(54)가 형성되어 있다. 예를 들면, 피검사체(15)의 검사 시에, 피검사체(15)의 전극(16)에 대하여 프로브(21)의 하단부(도통부(212)의 하단부)가 접촉하고, 프로브(21)에 컨택트 하중이 작용한다. 이때, 상기 하방 부분에 굴곡부(54)가 형성되어 있음으로써, 굴곡부(54)를 기점(起点)으로, 프로브(21) 전체가 변형하여, 프로브(21)가 크게 만곡하고, 프로브(21) 전체가 상하 방향(Z방향)의 탄성을 가지게 된다.In a substantially central portion of the lower portion of the non-conductive guide portion 211, a bent portion 54 in which the lower portion is bent by, for example, bending is formed. For example, during the inspection of the subject 15 , the lower end of the probe 21 (the lower end of the conductive portion 212 ) is in contact with the electrode 16 of the subject 15 , and the probe 21 is A contact load is applied. At this time, since the bent portion 54 is formed in the lower portion, the entire probe 21 is deformed with the bent portion 54 as a starting point, the probe 21 is greatly curved, and the entire probe 21 is has elasticity in the vertical direction (Z direction).

덧붙여, 도 5(A)에서는, 크게 굴곡시킨 굴곡부(54)를 나타내고 있지만, 컨택트 시에, 굴곡부(54)를 기점으로 하여, 프로브(21)를 변형할 수 있는 정도의 굴곡이면 무방하다. 굴곡부(54)는, 굽힘 가공으로 형성해도 좋고, 굴곡하기 쉽도록, 굴곡부(54)의 선지름을, 비도통 가이드부(211)의 선지름 보다 작게 해도 무방하다.In addition, although the bent part 54 which was greatly bent is shown in FIG.5(A), it may be sufficient as long as it is a degree of bend which can deform|transform the probe 21 with the bent part 54 as a starting point at the time of a contact. The bent part 54 may be formed by bending, and the wire diameter of the bent part 54 may be made smaller than the wire diameter of the non-conductive guide part 211 so that it may bend easily.

여기서, 비도통 가이드부(211)의 하방 부분 중, 상기 피지지부(51)로부터 굴곡부(54)까지의 부분을 제1 가이드부(52)라고 부르고, 굴곡부(54)로부터 비도통 가이드부(211)의 하단부까지를 제2 가이드부(53)라고 부른다.Here, among the lower portions of the non-conductive guide portion 211 , a portion from the supported portion 51 to the bent portion 54 is referred to as a first guide portion 52 , and from the bent portion 54 to the non-conductive guide portion 211 . ) up to the lower end of the second guide part 53 is called.

프로브(21)의 도통부(212)는, 비도통 가이드부(211)의 제2 가이드부(53)의 하단부에 설치되어 있다. 도통부(212)는, 도전성 재료로 형성된다. 도통부(212)는, 예를 들면, 구리, 구리합금, 베릴륨 구리합금 등의 금속, 예를 들어 일래스터머(elastomer) 등의 도전성을 가지는 고무 재료, 도전성을 가지는 합성 수지 재료 등으로 형성되도록 해도 무방하다. 또, 비도통 가이드부(211)의 하단부 표면에 도금 가공 등을 실시해, 도통부(212)를 형성해도 무방하다. 이 실시 형태에서는, 도통부(212)는, 대체로 도전성 금속 세선으로 형성되는 경우를 예시한다.The conduction portion 212 of the probe 21 is provided at the lower end of the second guide portion 53 of the non-conduction guide portion 211 . The conduction portion 212 is formed of a conductive material. Conductive portion 212 is, for example, to be formed of a metal such as copper, copper alloy, beryllium copper alloy, for example, a rubber material having conductivity such as elastomer, a synthetic resin material having conductivity, etc. it's free to do Further, the conductive portion 212 may be formed by plating or the like on the surface of the lower end of the non-conductive guide portion 211 . In this embodiment, the conductive part 212 exemplifies the case where it is generally formed of a thin conductive metal wire.

비도통 가이드부(211)에 설치되는 도통부(212)는, 예를 들어 접착재 등으로 비도통 가이드부(211)의 제2 가이드부(53)에 접착해 설치하도록 해도 무방하다.The conductive part 212 provided in the non-conductive guide part 211 may be attached to the second guide part 53 of the non-conductive guide part 211 with an adhesive or the like, for example.

도통부(212)는, 프로브 지지체(17)의 타방 면(예를 들면, 하면)의 전극 단자(20)와 접촉하는 제2 접촉부(56)와, 피검사체(15)의 전극(16)과 접촉하는 제1 접촉부(55)를 가진다. 바꿔 말하면, 도통부(212)는, 전극 단자(30) 및 도전로(22)를 거쳐서 배선(4)과 배선 접속하는 제2 접촉부(56)와, 피검사체(15)의 전극(16)에 대하여 전기적으로 접촉하는 제1 접촉부(55)를 가진다.The conductive portion 212 includes a second contact portion 56 in contact with the electrode terminal 20 of the other surface (eg, lower surface) of the probe support 17 , and the electrode 16 of the subject 15 , and It has a first contact portion 55 in contact. In other words, the conductive portion 212 is connected to the second contact portion 56 for wiring connection with the wiring 4 via the electrode terminal 30 and the conductive path 22 , and to the electrode 16 of the subject 15 . It has a first contact portion 55 in electrical contact with the .

도통부(212)의 제2 접촉부(56)는, 컨택트 하중을 받은 상기 프로브(21)가 탄성 변형했을 때, 전극 단자(20)에 대하여 접촉한다. 제2 접촉부(56)의 형상은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 둥그스러움을 가진 역삼각기둥 또는 역삼각뿔 등의 형상으로 해도 무방하다. 그 경우, 제2 접촉부(56)의 상면부(561) 혹은 그 주변 부분과, 전극 단자(20)와의 접촉 면적이 넓어지고, 전기적 접촉성이 양호해진다.The second contact portion 56 of the conductive portion 212 comes into contact with the electrode terminal 20 when the probe 21 subjected to a contact load is elastically deformed. The shape of the 2nd contact part 56 is not specifically limited, For example, it is good also as a shape, such as an inverted triangular prism or an inverted triangular pyramid which has roundness. In this case, the contact area between the upper surface portion 561 or its peripheral portion of the second contact portion 56 and the electrode terminal 20 is increased, and the electrical contact property is improved.

도통부(212)의 제1 접촉부(55)는, 제2 접촉부(56)로부터 하방을 향해 연장된 선상 부분이다. 선상으로 형성된 제1 접촉부(55)의 하단부(551)가, 피검사체(15)의 전극(16)과 접촉한다. 덧붙여, 제1 접촉부(55)의 하단부(551)를, 전극(16)과 접촉하는 「접촉부」라고도 부른다.The first contact portion 55 of the conduction portion 212 is a linear portion extending downward from the second contact portion 56 . The lower end 551 of the first contact portion 55 formed in a linear shape is in contact with the electrode 16 of the object 15 to be inspected. In addition, the lower end part 551 of the 1st contact part 55 is also called "contact part" which contacts the electrode 16. As shown in FIG.

제1 접촉부(55)는, 제2 접촉부(56)와 마찬가지로, 예를 들면, 구리, 구리합금, 베릴륨 구리합금 등의 도전성 재료로 형성되어 있다. 제2 접촉부(56)와 제1 접촉부(55)는, 동일 재료로, 일체적으로 형성되어도 무방하다. 동일 재료로, 일체적으로 형성함으로써, 도통 특성이 양호해지고, 고정밀도의 검사가 가능해진다.The first contact portion 55, like the second contact portion 56, is made of, for example, a conductive material such as copper, a copper alloy, or a beryllium copper alloy. The second contact portion 56 and the first contact portion 55 may be formed integrally with the same material. By forming integrally with the same material, conduction|electrical_connection characteristic becomes favorable and a high-precision test|inspection becomes possible.

프로브(21)는, 비도통 가이드부(211)의 하단부에 도통부(212)가 설치되어 있다. 후술하는 것처럼, 도통부(212)의 길이를 짧게 함으로써, 피검사체(15)의 검사 시의 도통 경로의 길이를 짧게 할 수 있다. 예를 들면, 제2 접촉부(56) 및 제2 접촉부를 가지는 도통부(212)의 길이를 짧게 함으로써, 도통 경로를 짧게 할 수 있다.In the probe 21 , a conductive portion 212 is provided at the lower end of the non-conductive guide portion 211 . As will be described later, by shortening the length of the conduction portion 212 , the length of the conduction path during the inspection of the subject 15 can be shortened. For example, by shortening the length of the second contact portion 56 and the conductive portion 212 having the second contact portion, the conduction path can be shortened.

예를 들면, 절연성의 합성 수지 재료로 형성되는 비도통 가이드부(211)는, 상기 비도통 가이드부(211)의 형상, 길이, 선지름 등을 가공하기 쉽다. 따라서, 도통부(212)의 길이에 의존하지 않고, 비도통 가이드부(211)의 길이나 형상을 변형시키도록 해도 무방하다.For example, the non-conductive guide part 211 formed of an insulating synthetic resin material is easy to process the shape, length, wire diameter, etc. of the non-conductive guide part 211 . Accordingly, the length or shape of the non-conductive guide portion 211 may be changed regardless of the length of the conductive portion 212 .

예를 들면, 프로브(21)의 도통부(212)의 길이를 소정 길이로 하고, 피검사체(15)의 전극(16)에 프로브(21)를 접촉시키는 침압(針壓)을 크게 하려고 할 때는, 비도통 가이드부(211)의 길이를 비교적 짧게 하고, 한편, 상기 침압을 작게 하려고 할 때에는, 비도통 가이드부(211)의 길이를 비교적 길게 해도 무방하다.For example, when the length of the conductive portion 212 of the probe 21 is set to a predetermined length and the probe pressure for contacting the probe 21 with the electrode 16 of the subject 15 is increased , When the length of the non-conductive guide part 211 is relatively short and the needle pressure is reduced, the length of the non-conductive guide part 211 may be relatively long.

(A-1-3) 프로브(21)의 전기적 접촉 구조(A-1-3) Electrical contact structure of probe 21

도 6(A)는, 비컨택트 시에 있어서의 프로브(21)의 상태를 도시한 도이며, 도 6(B)는, 컨택트 시에 있어서의 프로브(21)의 상태를 도시한 도이다. 덧붙여, 도 6(A) 및 도 6(B)에 예시하는 프로브(21)의 사이즈, 선지름, 길이 및, 굴곡·만곡의 정도 등은 강조 표시를 하고 있다.Fig. 6(A) is a diagram showing the state of the probe 21 at the time of non-contact, and Fig. 6(B) is a diagram showing the state of the probe 21 at the time of contact. Incidentally, the size, wire diameter, length, and degree of bending and curvature of the probe 21 illustrated in FIGS. 6A and 6B are highlighted.

도 6(A)는, 프로브(21)의 비도통 가이드부(211) 중, 피지지부(51)가 지지구멍(19)의 천장부(192)에 지지되어 있는 상태를 나타내고 있다.FIG. 6(A) shows a state in which, among the non-conductive guide portions 211 of the probe 21 , the supported portion 51 is supported by the ceiling portion 192 of the support hole 19 .

비컨택트 시의 프로브(21)는, 피지지부(51)의 위치로부터 수직 하방으로 연장되어 설치된다. 도통부(212)에 형성되는 제1 접촉부(55)의 하단부(551)는, 대체로, 프로브(21)의 지지점인 피지지부(51)의 위치로부터 수직 방향으로 내려간 선(C) 상 혹은 선(C) 부근에 위치한다.The non-contact probe 21 is installed extending vertically downward from the position of the supported portion 51 . The lower end 551 of the first contact portion 55 formed in the conductive portion 212 is generally on the line C or the line (C) descending from the position of the supported portion 51 that is the support point of the probe 21 C) is located nearby.

종래는, 도 2, 특허문헌 1 및 2에 예시된 것처럼, S자 형상으로 형성한 프로브를 배치시키고 있다. 따라서, 프로브의 상부 위치와, 피검사체의 전극에 접촉시키는 프로브의 하단부의 위치가 엇갈리고 있다. 이에 대해, 이 실시 형태와 같이, 피지지부(51)의 위치를 지나는 수선(垂線)(C) 상에 하단부(551)를 위치시킴으로써, 피지지부(51)의 위치와 하단부(551)의 위치가 정합(整合)(일치 혹은 거의 일치)한다. 따라서, 이 실시 형태에 의하면, 피검사체(15)의 전극(16)에 대한, 프로브(21)의 위치맞춤을 제어하기 쉬워지고, 위치맞춤 정밀도도 향상된다.Conventionally, as illustrated in FIG. 2 and Patent Documents 1 and 2, a probe formed in an S-shape is disposed. Accordingly, the position of the upper portion of the probe and the position of the lower end of the probe that are brought into contact with the electrode of the subject are staggered. On the other hand, as in this embodiment, by positioning the lower end 551 on a vertical line C passing through the position of the supported portion 51, the position of the supported portion 51 and the position of the lower end 551 are to match (consistent or nearly coincide). Therefore, according to this embodiment, it becomes easy to control the alignment of the probe 21 with respect to the electrode 16 of the subject 15, and the alignment precision also improves.

또, 비컨택트 시의 프로브(21)는, 지지구멍(19)의 내벽에 접촉하지 않고 수용되는 것이 바람직하다. 비도통 가이드부(211)에는 굴곡부(54)가 형성되지만, 굴곡부(54)가 지지구멍(19)의 내벽에 접촉하지 않고, 프로브(21)가 지지구멍(19)에 수용되는 것이 바람직하다. 바꿔 말하면, 지지구멍(19)에 있어서, 지지되는 피지지부(51)의 위치는, 지지구멍(19)의 천장부(192)의 중심 위치일 필요는 없다. 굴곡부(54)가 지지구멍(19)의 내벽에 접촉하지 않도록, 피지지부(51)는 지지구멍(19)의 천장부(192)에 지지하도록 해도 무방하다.Moreover, it is preferable that the probe 21 at the time of a non-contact is accommodated without contacting the inner wall of the support hole 19. As shown in FIG. Although the curved portion 54 is formed in the non-conductive guide portion 211 , it is preferable that the curved portion 54 does not contact the inner wall of the support hole 19 and the probe 21 is accommodated in the support hole 19 . In other words, in the support hole 19 , the position of the supported portion 51 supported does not need to be the central position of the ceiling portion 192 of the support hole 19 . The supported portion 51 may be supported by the ceiling portion 192 of the support hole 19 so that the bent portion 54 does not contact the inner wall of the support hole 19 .

덧붙여, 프로브(21)의 탄성이 약해질 가능성이 있지만, 변형 예로서, 비컨택트 시의 프로브(21)의 굴곡부(54) 등이 지지구멍(19)의 내벽에 접촉하고 있어도 무방하다.In addition, although the elasticity of the probe 21 may become weak, as a modification, the bent part 54 of the probe 21 at the time of non-contact, etc. may be in contact with the inner wall of the support hole 19. As shown in FIG.

게다가, 비컨택트 시의 프로브(21)는, 도통부(212)가 프로브 지지체(17)의 하면(18)으로부터 돌출하도록 지지구멍(19)에 수용된다. 예를 들면, 도통부(212)에서의 제2 접촉부(56)의 위치가, 프로브 지지체(17)의 하면(18) 보다도 하방으로 위치하도록, 프로브(21)는 지지구멍(19)에 지지된다. 이는, 프로브(21)의 컨택트 시에, 프로브(21)의 탄성 변형 시에, 제2 접촉부(56)와 전극 단자(20)가 전기적으로 접촉하도록 하기 위함이다.In addition, the probe 21 during non-contact is accommodated in the support hole 19 so that the conductive portion 212 protrudes from the lower surface 18 of the probe support body 17 . For example, the probe 21 is supported by the support hole 19 so that the position of the second contact portion 56 in the conduction portion 212 is lower than the lower surface 18 of the probe support body 17 . . This is to make the second contact portion 56 and the electrode terminal 20 electrically contact when the probe 21 is in contact and when the probe 21 is elastically deformed.

도 6(B)는, 피검사체(15)의 전극(16)에 대하여 프로브(21)의 하단부(551)가 접촉하고, 프로브(21)에 컨택트 하중이 작용하고 있을 때의 프로브(21)의 상태를 나타내고 있다.6B shows the probe 21 when the lower end 551 of the probe 21 is in contact with the electrode 16 of the subject 15 and a contact load is applied to the probe 21 . indicates the status.

프로브(21)의 하단부(551)가 전극(16)에 접촉하여, 프로브(21)에 컨택트 하중이 작용하면, 프로브(21)는 변형한다. 즉, 비도통 가이드부(211)에 형성된 굴곡부(54)가 기점이 되어, 선상의 비도통 가이드부(211)가 만곡을 강화해, 굴곡부(54)가 지지구멍(19)의 내벽에 접촉한다. 굴곡부(54)와 지지구멍(19)의 내벽면과의 접촉에 의해, 지지구멍(19)의 축(예를 들면, 피지지부(51)로부터의 수선(C)으로 해도 무방하다)을 향해, 도통부(212)의 타방 단부에 있는 제2 접촉부(56)를 이동시킨다. 그리고 그와 거의 동시에, 프로브(21)의 도통부(212)에서, 전극(16)과 접촉하고 있는 하단부(551)가 기점이 되어, 컨택트 하중에 의해, 선상의 제1 접촉부(55)가 만곡한다. 이에 따라, 도통부(212)의 제2 접촉부(56)가 상방으로 이동하고, 도통부(212)의 제2 접촉부(56)와 전극 단자(20)가 접촉하게 된다.When the lower end 551 of the probe 21 comes into contact with the electrode 16 and a contact load is applied to the probe 21 , the probe 21 is deformed. That is, the bent portion 54 formed in the non-conductive guide portion 211 serves as a starting point, and the linear non-conductive guide portion 211 strengthens the curvature, and the bent portion 54 contacts the inner wall of the support hole 19 . . By the contact between the bent portion 54 and the inner wall surface of the support hole 19, toward the axis of the support hole 19 (for example, it may be a perpendicular C from the supported portion 51), The second contact portion 56 at the other end of the conductive portion 212 is moved. And at about the same time, in the conduction part 212 of the probe 21, the lower end part 551 which is in contact with the electrode 16 becomes a starting point, and the linear 1st contact part 55 is curved by a contact load. do. Accordingly, the second contact portion 56 of the conductive portion 212 moves upward, and the second contact portion 56 of the conductive portion 212 and the electrode terminal 20 come into contact with each other.

즉, 굴곡부(54)는, 도통부(212)의 일방 단부에 있는 하단부(511)가, 피검사체(15)의 전극(16)에 전기적으로 접촉될 때에, 도통부(212)의 타방 단부측에 있는 제2 접촉부(56)가 전극 단자(20)와 단락하도록 구부러지는 기능을 한다.That is, the bent portion 54 is at the other end side of the conductive portion 212 when the lower end 511 at one end of the conductive portion 212 electrically contacts the electrode 16 of the subject 15 . The second contact portion 56 on the pole functions to be bent so as to be short-circuited with the electrode terminal 20 .

또, 이때, 지지구멍(19)에 지지되어 있는 프로브(21)는, 전극(16)에 접촉하고 있는 접촉점과, 지지구멍(19)의 내벽에 접촉하고 있는 접촉점에 의해 지지되므로, 프로브(21)의 자세를 안정화시킬 수 있다. 프로브(21)의 자세가 안정되어 있는 상태에서, 전극 단자(20)에 대하여 제2 접촉부(56)가 접촉하므로, 전극 단자(20)에 대한 제2 접촉부(56)의 접동을 억제할 수 있다. 그 결과, 전극 단자(20)와 제2 접촉부(56)와의 마모를 억제할 수 있고, 접촉 개소의 열화를 억제할 수 있어, 검사 정밀도도 향상시킬 수 있다.At this time, since the probe 21 supported by the support hole 19 is supported by the contact point in contact with the electrode 16 and the contact point in contact with the inner wall of the support hole 19 , the probe 21 ) to stabilize the posture. Since the second contact portion 56 is in contact with the electrode terminal 20 in a state where the posture of the probe 21 is stable, sliding of the second contact portion 56 with respect to the electrode terminal 20 can be suppressed. . As a result, abrasion between the electrode terminal 20 and the second contact portion 56 can be suppressed, deterioration of the contact portion can be suppressed, and the inspection accuracy can also be improved.

도 6(B)의 컨택트 시의 프로브(21)의 상태에서, 피검사체(15)의 검사를 실시하는 경우를 설명한다.A case in which the test subject 15 is inspected in the state of the probe 21 at the time of contact of FIG. 6B will be described.

프로브(21)의 도통부(212)에 있어서, 제1 접촉부(55)의 하단부(551)가 피검사체(15)의 전극(16)과 전기적으로 접촉하는 것과 함께, 제2 접촉부(56)가 전극 단자(20)과 전기적으로 접촉하고 있다. 따라서, 전기 신호가 흐르는 도통 경로는, 제1 접촉부(55)의 하단부(551)가 전극(16)에 접촉하는 접촉점과, 제2 접촉부(56)가 전극 단자(20)에 접촉하는 접촉점과의 사이의 경로가 되고, 종래보다도 도통 경로를 짧게 할 수 있다.In the conduction portion 212 of the probe 21 , the lower end 551 of the first contact portion 55 is in electrical contact with the electrode 16 of the subject 15 , and the second contact portion 56 is It is in electrical contact with the electrode terminal 20 . Therefore, the conduction path through which the electric signal flows is a contact point where the lower end 551 of the first contact part 55 contacts the electrode 16 and the contact point where the second contact part 56 contacts the electrode terminal 20 . It becomes a path between them, and the conduction path|route can be shortened compared with the prior art.

예를 들면, 피검사체(15)로서의 집적 회로의 동작 속도의 고속화에 수반하여, 프로브 카드에는, 피검사체(15)의 고주파 특성에 대응시키는 것이 요구된다. 검사에 이용되는 프로브(21)의 길이가 길어지면, 그 만큼, 리액턴스(reactance) 성분이 커지고, 특히 고주파 특성의 검사 정밀도에 영향이 생길 수 있다.For example, with the increase in the operating speed of the integrated circuit as the subject 15 , the probe card is required to correspond to the high-frequency characteristics of the subject 15 . As the length of the probe 21 used for inspection increases, the reactance component increases accordingly, and in particular, the inspection accuracy of high-frequency characteristics may be affected.

이 실시 형태에 의하면, 비도통 가이드부(211)와, 길이가 짧은 도통부(212)로 형성되는 프로브(21)를 이용함으로써, 도통 경로가 짧아지므로, 검사 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to this embodiment, by using the probe 21 formed of the non-conductive guide portion 211 and the short conductive portion 212 , the conduction path is shortened, so that the inspection accuracy can be improved.

(A-2) 실시 형태의 변형 예(A-2) Modifications of the embodiment

이하에, 상술한 실시 형태의 변형 예를, 도면을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, a modified example of the above-described embodiment will be described with reference to the drawings.

(A-2-1) 도 7(A)는, 변형 실시 형태에서의 비컨택트 시의 프로브(21)의 상태를 도시한 도이며, 도 7(B)는, 변형 실시 형태에서의 컨택트 시의 프로브(21)의 상태를 도시한 도이다.(A-2-1) FIG. 7(A) is a diagram showing the state of the probe 21 at the time of non-contact in the modified embodiment, and FIG. 7(B) is the contact at the time of contact in the modified embodiment. It is a figure which shows the state of the probe 21. As shown in FIG.

상술한 실시 형태에서는, 전극 단자(20)가, 프로브 지지체(17)의 하면(18)에 설치되어 있는 경우를 예시했지만, 도 7(A) 및 도 7(B)에서는, 도전로(22)와 접속하는 전극 단자(20)가, 프로브 지지체(17)의 지지구멍(19)의 내벽 표면에 설치하는 경우를 예시한다. 예를 들면, 이 경우, 컨택트 시에, 만곡을 강화한 프로브(21)의 제2 접촉부(56)가 지지구멍(19)의 내벽과 접촉하는 내벽 표면에, 전극 단자(20)를 설치하도록 해도 무방하다.In the above-described embodiment, the case in which the electrode terminal 20 is provided on the lower surface 18 of the probe support body 17 is exemplified. In Figs. 7A and 7B, the conductive path 22 is A case in which the electrode terminal 20 connected to the probe is provided on the inner wall surface of the support hole 19 of the probe support body 17 is exemplified. For example, in this case, the electrode terminal 20 may be provided on the inner wall surface where the second contact portion 56 of the curved probe 21 is in contact with the inner wall of the support hole 19 at the time of contact. Do.

덧붙여, 도 7(A) 및 도 7(B)에서는, 프로브(21)를 수용하는 지지구멍(19)의 내벽 중, 컨택트 시에 프로브(21)의 제2 접촉부(56)가 접촉하는 지지구멍(19)의 내벽 일부분에 전극 단자(20)를 설치하는 경우를 예시하고 있다. 그러나, 예를 들면, Z방향에 소정 폭길이의 전극 단자(20)를, 지지구멍(19)의 내벽 전체둘레(全周)에 걸쳐서 설치해도 무방하다. 또, 예를 들면, 지지구멍(19)의 내벽 전 표면에 전극 단자(20)를 설치해도 무방하다.Incidentally, in FIGS. 7A and 7B , among the inner walls of the support hole 19 for accommodating the probe 21 , the support hole where the second contact portion 56 of the probe 21 comes into contact with each other. The case where the electrode terminal 20 is provided on a part of the inner wall of (19) is exemplified. However, for example, the electrode terminals 20 having a predetermined width in the Z direction may be provided over the entire perimeter of the inner wall of the support hole 19 . Further, for example, the electrode terminals 20 may be provided on the entire surface of the inner wall of the support hole 19 .

이러한 구조로 함으로써, 프로브 지지체(17)의 하면(18)으로부터 하방을 향해 돌출하는 프로브(21) 부분(즉, 도통부(212)의 선상의 제1 접촉부(55))의 길이를 보다 짧게 할 수 있다. 또, 프로브(21)를 수용하는 지지구멍(19)의 지름(직경)을 보다 크게 할 수 있다. 따라서, 지지구멍(19)에 프로브(21)를 수용하기 쉬워진다.With such a structure, the length of the portion of the probe 21 protruding downward from the lower surface 18 of the probe support 17 (that is, the first contact portion 55 on the line of the conductive portion 212) can be made shorter. can Moreover, the diameter (diameter) of the support hole 19 which accommodates the probe 21 can be made larger. Therefore, it becomes easy to accommodate the probe 21 in the support hole 19 .

(A-2-2) 별개의 변형 실시 형태를 도 8에 예시한다. 도 8(A)는, 변형 실시 형태에서의 비컨택트 시의 프로브(21)의 상태를 도시한 도이며, 도 8(B)는, 변형 실시 형태에서의 컨택트 시의 프로브(21)의 상태를 도시한 도이다.(A-2-2) Another modified embodiment is illustrated in FIG. 8 . Fig. 8(A) is a diagram showing the state of the probe 21 at the time of non-contact in the modified embodiment, and Fig. 8(B) shows the state of the probe 21 at the time of contact in the modified embodiment. It is a city shown

도 8(A) 및 도 8(B)에서는, 프로브 지지체(17)에서, 지지구멍(19)의 개구단부의 일부를 절결(切缺; Notch Cut)하고, 이 절결부(사면(斜面))(191)의 일부 표면 또는 전 표면에, 도전로(22)와 접속하는 전극 단자(20)를 설치하도록 해도 무방하다.8(A) and 8(B), in the probe support body 17, a part of the open end of the support hole 19 is notch cut, and this cut-out part (slope) The electrode terminal 20 connected to the conductive path 22 may be provided on a partial surface or the entire surface of 191 .

예를 들면, 지지구멍(19)의 개구단부에 설치한 사면인 절결부(191)의 표면과, 절결부(191)와 이어지는 지지구멍(19)의 내벽 표면과의 양방 또는 어느 일방에, 전극 단자(20)를 설치하도록 해도 무방하다. 이 경우도, 지지구멍(19)의 내벽 전면(全面)에, 도전로(22)와 접속하는 전극 단자(20)를 설치하도록 해도 무방하다.For example, in both or one of the surface of the cutout 191, which is a slope provided at the open end of the support hole 19, and the surface of the inner wall of the support hole 19 connected to the cutout 191, the electrode The terminal 20 may be provided. Also in this case, the electrode terminal 20 connected to the conductive path 22 may be provided on the entire inner wall of the support hole 19 .

덧붙여, 절결부(191)는, 예를 들면, 지지구멍(19)의 대략 원형 개구단부의 전체둘레에 설치하도록 해도 무방하다. 바꿔 말하면, 지지구멍(19)의 개구단부에 대하여, Z방향 위를 향할수록 지름이 가늘어지는 테이퍼(taper) 형상으로 가공한 절결부(191)를 설치하도록 해도 무방하다.In addition, you may make it provide the notch 191 in the whole perimeter of the substantially circular open end of the support hole 19, for example. In other words, you may make it provide the cutout 191 machined to the taper shape whose diameter becomes narrower as it goes upward in the Z direction with respect to the open end of the support hole 19. As shown in FIG.

이러한 구조로 함으로써, 컨택트 시에, 프로브(21)의 제2 접촉부(56)와 전극 단자(20)와의 접촉성이 양호해지고, 제2 접촉부(56)와 전극 단자(20)와의 접촉 면적도 보다 커진다. 그 결과, 검사 정밀도가 향상된다.With such a structure, the contact between the second contact portion 56 of the probe 21 and the electrode terminal 20 is improved at the time of contact, and the contact area between the second contact portion 56 and the electrode terminal 20 is also increased. get bigger As a result, the inspection precision is improved.

(A-2-3) 또, 별도의 변형 실시 형태를 도 9에 예시한다. 도 9(A)는, 변형 실시 형태에서의 비컨택트 시의 프로브(21)의 상태를 도시한 도이며, 도 9(B)는, 변형 실시 형태에서의 컨택트 시의 프로브(21)의 상태를 도시한 도이다.(A-2-3) Another modified embodiment is illustrated in FIG. 9 . Fig. 9(A) is a diagram showing the state of the probe 21 at the time of non-contact in the modified embodiment, and Fig. 9(B) shows the state of the probe 21 at the time of contact in the modified embodiment. It is a city shown

도 9(A) 및 도 9(B)에서는, 프로브 지지체(17)의 지지구멍(19)을, 피검사체(15)인 반도체 웨이퍼에 대하여 경사 방향으로 설치한 경우를 예시한다. 즉, Z축의 수직 방향에 대하여 소정의 경사를 가지게 한 지지구멍(19)을 설치하고, 프로브(21)도 지지구멍(19)의 경사에 상응해 경사 방향으로 지지되고 있는 경우를 예시한다.9(A) and 9(B) exemplify a case in which the support hole 19 of the probe support body 17 is provided in an oblique direction with respect to the semiconductor wafer which is the object to be inspected 15 . That is, a case in which the support hole 19 having a predetermined inclination with respect to the vertical direction of the Z-axis is provided and the probe 21 is also supported in the inclined direction corresponding to the inclination of the support hole 19 is exemplified.

이 경우, 지지구멍(19)의 내벽면도 경사진다. 한편, 프로브 지지체(17) 내에는 수직 방향의 도전로(22)가 설치되어 있다. 따라서, 프로브 지지체(17) 내의 수직 방향의 도전로(22)가 지지구멍(19)과 교차하고, 지지구멍(19)의 내벽 표면에 나타나는 도전로(22) 부분을 전극 단자(20)로 해도 무방하다. 도 9(A) 및 도 9(B)에서는, 지지구멍(19)의 경사진 내벽면의 하단부로부터, 지지구멍(19)의 내벽 중앙부 부근까지의 넓은 범위에 걸쳐, 전극 단자(20)가 설치되는 경우를 예시하고 있다.In this case, the inner wall surface of the support hole 19 is also inclined. On the other hand, a vertical conductive path 22 is provided in the probe support 17 . Therefore, even if the conductive path 22 in the vertical direction in the probe support 17 intersects the support hole 19 and the portion of the conductive path 22 appearing on the inner wall surface of the support hole 19 is the electrode terminal 20 . free 9(A) and 9(B), the electrode terminals 20 are installed over a wide range from the lower end of the inclined inner wall surface of the support hole 19 to the vicinity of the inner wall center of the support hole 19 It exemplifies a case where

이러한 구조로 함으로써, 컨택트 시에, 프로브(21)의 제2 접촉부(56)와 전극 단자(20)와의 접촉성이 양호해지고, 제2 접촉부(56)와 전극 단자(20)와의 접촉 면적도 보다 커진다. 그 결과, 검사 정밀도가 향상된다.With such a structure, the contact between the second contact portion 56 of the probe 21 and the electrode terminal 20 is improved at the time of contact, and the contact area between the second contact portion 56 and the electrode terminal 20 is also increased. get bigger As a result, the inspection precision is improved.

(A-3) 실시 형태의 효과(A-3) Effects of the embodiment

이상과 같이, 실시 형태에 의하면, 프로브(21)가 비도통 가이드부(211)와 도통부(212)를 가지며 형성되고, 지지구멍(19)에 지지되는 프로브(21)가, 컨택트 하중에 의해 변형함으로써, 도통부(212)의 제2 접촉부(56)가 지지구멍(19) 부근의 전극 단자(20)에 접촉한다. 그 때문에, 프로브(21)를 거쳐, 피검사체(15)의 전극(16)과 전극 단자(20)와의 사이에서 흐르는 전류의 도통 경로를 짧게 할 수 있다. 그 결과, 피검사체(15)의 전기적 특성의 검사 정밀도를 향상시킬 수 있다.As described above, according to the embodiment, the probe 21 is formed having the non-conductive guide portion 211 and the conductive portion 212 , and the probe 21 supported by the support hole 19 is subjected to a contact load. By deforming, the second contact portion 56 of the conductive portion 212 comes into contact with the electrode terminal 20 in the vicinity of the support hole 19 . Therefore, the conduction path of the current flowing between the electrode 16 of the subject 15 and the electrode terminal 20 via the probe 21 can be shortened. As a result, the inspection accuracy of the electrical characteristics of the inspected object 15 can be improved.

또, 실시 형태에 의하면, 피검사체(15)의 전극(16)에 프로브(21)를 접촉시키는 컨택트 시에, 비도통 가이드부(211)에 형성한 굴곡부(54)를 기점으로 해서 프로브(21)가 변형한다. 굴곡부(54)가 지지구멍(19)의 내벽에 접촉하는 접촉점과, 하단부(551)가 전극(16)에 접촉하는 접촉점에 의해, 프로브(21)의 자세가 안정된다. 그 때문에, 전극 단자(20)에 대한 제2 접촉부(56)의 접동 및 마모를 억제할 수 있다.Further, according to the embodiment, when the probe 21 is brought into contact with the electrode 16 of the subject 15 , the probe 21 is taken from the bent portion 54 formed in the non-conductive guide portion 211 as a starting point. ) is transformed. The posture of the probe 21 is stabilized by the contact point at which the bent portion 54 comes into contact with the inner wall of the support hole 19 and the contact point at which the lower end 551 comes into contact with the electrode 16 . Therefore, sliding and abrasion of the 2nd contact part 56 with respect to the electrode terminal 20 can be suppressed.

(B) 다른 실시 형태(B) another embodiment

상술한 실시 형태에서도 다양한 변형 실시 형태를 언급했지만, 본 발명은, 이하의 변형 실시 형태에도 적용할 수 있다.Although the above-mentioned embodiment also mentioned various modified embodiment, this invention is applicable also to the following modified embodiment.

(B-1) 본 발명에 관한 전기적 접촉자(프로브)는, 상술한 실시 형태에 설명한 구성으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 10(A)에 예시하는 프로브(21A)의 구성에도 적용할 수 있다.(B-1) The electrical contactor (probe) which concerns on this invention is not limited to the structure demonstrated in the above-mentioned embodiment. For example, it is applicable also to the structure of the probe 21A illustrated in FIG.10(A).

도 10(A)는, 변형 실시 형태에 따른 프로브(21A)의 구성을 도시한 구성도이며, 도 10(B)는, 변형 실시 형태의 컨택트 시의 프로브(21A)의 상태를 도시한 도이다.Fig. 10(A) is a block diagram showing the configuration of the probe 21A according to the modified embodiment, and Fig. 10(B) is a diagram showing the state of the probe 21A during contact according to the modified embodiment. .

도 10(A)에서, 프로브(21A)는, 세선(細線) 또는 세폭(細幅) 판상 부재의 비도통 가이드부(211A)와, 세선 또는 세폭 판상 부재의 도통부(212A)를 가지며 형성된다.In Fig. 10(A), the probe 21A is formed having a non-conductive guide portion 211A of a thin wire or narrow plate-like member and a conductive portion 212A of a thin wire or narrow plate-like member. .

도통부(212A)는, 비도통 가이드부(211A)의 대략 중앙부로부터 비도통 가이드부(211A)의 하단부에 걸쳐 중첩되서 형성되어 있고, 도통부(212A)의 하단부가, 비도통 가이드부(211A)의 하단부 보다도 하방으로 돌출하고 있다.The conduction portion 212A is formed to overlap from the substantially central portion of the non-conductive guide portion 211A to the lower end portion of the non-conduction guide portion 211A, and the lower end of the conduction portion 212A is connected to the non-conduction guide portion 211A. ) protrudes downward from the lower end.

예를 들면, 세폭 판상 부재로 한 비도통 가이드부(211A)의 일방 면(도 10(A)의 좌측면)에, 도통부(212A)가 형성되도록 해도 된다. 도통부(212A)는, 세폭 판상 부재여도 좋다. 그 경우, 세폭 판상의 도통부(212A)의 폭길이는, 비도통 가이드부(211A)의 폭길이와 같거나, 혹은, 조금 작게 해도 무방하다.For example, you may make it the conduction|electrical_connection part 212A formed in one surface (left side of FIG. 10(A)) of the non-conductive guide part 211A made into the narrow plate-shaped member. The conduction part 212A may be a narrow plate-shaped member. In that case, the width length of the narrow plate-shaped conduction portion 212A may be the same as the width length of the non-conduction guide portion 211A, or may be slightly smaller.

비도통 가이드부(211A)는, 위에서부터, 지지구멍(19)에 지지되는 피지지부(51A)와, 지지부(58), 제1 가이드부(52A), 제2 가이드부(53A), 굴곡부(54A)를 가진다. 한편, 도통부(212A)는, 위에서부터, 피가이드부(57), 제2 접촉부(56A), 제1 접촉부(55A)를 가진다. 제1 접촉부(55A)의 하단부(551A)가, 피검사체(15)의 전극(16)과 접촉한다.The non-conductive guide portion 211A includes a supported portion 51A supported by the support hole 19 from above, a support portion 58 , a first guide portion 52A, a second guide portion 53A, and a bent portion ( 54A). On the other hand, the conduction part 212A has the to-be-guided part 57, the 2nd contact part 56A, and the 1st contact part 55A from above. The lower end 551A of the first contact portion 55A is in contact with the electrode 16 of the object 15 to be inspected.

비도통 가이드부(211A)의 제1 가이드부(52A), 굴곡부(54A) 및 제2 가이드부(53A)는, 도통부(212A)의 피가이드부(57), 제2 접촉부(56A) 및 제1 접촉부(55A)와 중첩되어 있다.The first guide portion 52A, the bent portion 54A, and the second guide portion 53A of the non-conductive guide portion 211A include the guided portion 57 of the conductive portion 212A, the second contact portion 56A and It overlaps with the 1st contact part 55A.

또, 굴곡부(54A)는, 비도통 가이드부(211A)와 도통부(212A)가 중첩되어 있는 부분에서 형성되어 있다. 굴곡부(54A)의 굴곡에 수반해, 도통부(212A)도 굴곡하여, 그 도통부(212A)의 굴곡 부분이 제2 접촉부(56A)로서 형성된다.Further, the bent portion 54A is formed in a portion where the non-conductive guide portion 211A and the conduction portion 212A overlap. With the bending of the bent portion 54A, the conductive portion 212A is also bent, and a bent portion of the conductive portion 212A is formed as the second contact portion 56A.

따라서, 도 10(B)에 도시한 것처럼, 컨택트 시에, 프로브(21A)의 하단부(551A)가 전극(16)에 접촉하여, 컨택트 하중이 작용하면, 비도통 가이드부(211A)의 굴곡부(54A)가 기점이 되어, 프로브(21A)는 변형한다.Therefore, as shown in Fig. 10B, during contact, the lower end 551A of the probe 21A comes into contact with the electrode 16, and when a contact load is applied, the bent portion of the non-conductive guide portion 211A ( 54A) becomes the starting point, and the probe 21A deform|transforms.

이때, 굴곡부(54A)와 대응하는 위치에 있는 제2 접촉부(56A)가, 지지구멍(19)의 내벽에 있는 전극 단자(20)와 접촉하는 것과 함께, 비도통 가이드부(211A)의 지지부(58)가 만곡해서 지지구멍(19)의 내벽에 접촉한다.At this time, the second contact portion 56A at a position corresponding to the bent portion 54A comes into contact with the electrode terminal 20 on the inner wall of the support hole 19, and the support portion ( 58) is curved to contact the inner wall of the support hole (19).

이 경우도, 지지구멍(19)에 지지되어 있는 프로브(21A)는, 전극(16)에 접촉하고 있는 접촉점과, 지지구멍(19)의 내벽에 접촉하고 있는 접촉점(제2 접촉부(56A), 지지부(58)의 접촉점(58A))에 의해 지지되므로, 프로브(21A)의 자세를 안정화시킬 수 있다.Also in this case, the probe 21A supported by the support hole 19 includes a contact point in contact with the electrode 16 and a contact point in contact with the inner wall of the support hole 19 (second contact portion 56A); Since it is supported by the contact point 58A of the support portion 58), the posture of the probe 21A can be stabilized.

즉, 프로브(21A)의 자세가 안정되어 있는 상태에서, 전극 단자(20)에 대하여 제2 접촉부(56A)가 접촉하므로, 전극 단자(20)에 대한 제2 접촉부(56A)의 접동을 억제할 수 있다. 그 결과, 전극 단자(20)와 제2 접촉부(56A)와의 마모를 억제할 수 있고, 접촉 개소의 열화를 억제할 수 있어, 검사 정밀도도 향상시킬 수 있다.That is, since the second contact portion 56A is in contact with the electrode terminal 20 in a state where the posture of the probe 21A is stable, sliding of the second contact portion 56A with respect to the electrode terminal 20 can be suppressed. can As a result, abrasion between the electrode terminal 20 and the second contact portion 56A can be suppressed, deterioration of the contact portion can be suppressed, and the inspection accuracy can also be improved.

덧붙여, 도 10(B)에서는, 전극 단자(20)가, 지지구멍(19)의 내벽 표면에 설치되어 있는 경우를 예시하고 있다. 그러나, 전극 단자(20)는, 도 6(A) 및 도 6(B)에 예시한 것처럼, 프로브 지지체(17)의 하면(18)에 설치되어도 되고, 또는, 도 8(A) 및 도 8(B)에 예시한 것처럼, 절결부(191) 및 또는 지지구멍(19)의 내벽면에 설치되어도 무방하다.In addition, in FIG. 10(B), the case where the electrode terminal 20 is provided in the inner wall surface of the support hole 19 is illustrated. However, the electrode terminal 20 may be provided on the lower surface 18 of the probe support body 17 as illustrated in FIGS. 6A and 6B , or FIGS. 8A and 8B . As illustrated in (B), it may be provided on the inner wall surface of the cut-out portion 191 and or the support hole 19 .

(B-2) 상술한 실시 형태에서는, 프로브(21)가 배선 접속하기 위한 전극 단자가, 지지구멍(19) 부근 또는 지지구멍(19)의 내벽에 설치되는 경우를 예시하였다. 전극 단자(20)의 위치는, 컨택트 하중에 의해 프로브(21)가 변형했을 때, 제2 접촉부(56)와 접촉 가능한 위치이면 무방하고, 상술한 실시 형태로 한정되는 것이 아니다.(B-2) In the above-mentioned embodiment, the case where the electrode terminal for wiring connection of the probe 21 is provided in the vicinity of the support hole 19 or the inner wall of the support hole 19 was exemplified. The position of the electrode terminal 20 may be any position capable of contacting the second contact portion 56 when the probe 21 is deformed by the contact load, and is not limited to the above-described embodiment.

(B-3) 상술한 실시 형태에서는, 프로브(21)의 비도통 가이드부(211)가, 굴곡부(54)를 가지는 경우를 예시했지만, 비도통 가이드부(211)에 설치하는 굴곡부(54)의 수는, 1개로 한정되지 않고, 복수 개(예를 들면, 2개 이상)여도 무방하다.(B-3) In the above-mentioned embodiment, although the case where the non-conductive guide part 211 of the probe 21 has the bending part 54 was exemplified, the bending part 54 provided in the non-conductive guide part 211 is shown. The number of is not limited to one, and may be plural (for example, two or more).

1 … 전기적 접속 장치,
5 … 프로브 조립체,
15 … 피검사체,
16 … 전극,
17 … 프로브 지지체,
18 … 프로브 지지체의 하면,
19 … 지지구멍,
191 … 절결부,
192 … 천장부,
20 … 전극 단자,
21 및 21A … 전기적 접촉자(프로브),
211 및 211A … 비도통 가이드부,
212 및 212A … 도통부,
51 및 51A … 피지지부,
52 및 52A … 제1 가이드부,
53 및 53A … 제2 가이드부,
54 및 54A … 굴곡부,
55 및 55A … 제1 접촉부,
551 … 하단부,
56 및 56A … 제2 접촉부,
57 … 피가이드부,
58 … 지지부.
One … electrical connector,
5 … probe assembly,
15 … subject,
16 … electrode,
17 … probe support,
18 … The lower surface of the probe support,
19 … support hole,
191 … cutout,
192 … ceiling,
20 … electrode terminal,
21 and 21A … electrical contactor (probe);
211 and 211A … non-conductive guide part,
212 and 212A … continuity,
51 and 51A... sebaceous part,
52 and 52A... a first guide unit;
53 and 53A... a second guide unit;
54 and 54A... bend,
55 and 55A … first contact;
551 … lower part,
56 and 56A... second contact;
57 … blood guide,
58 … support.

Claims (9)

지지 기판의 일방 면에 개구가 형성되는 지지구멍과,
상기 지지구멍에 삽통되어, 피검사체와 전기적으로 접촉하는 전기적 접촉자와,
상기 지지구멍의 상기 개구 부근에 설치되는 전극부
를 갖추고,
상기 전기적 접촉자는,
굴곡부를 가지는 비도통부와,
상기 비도통부의 일방 단부측에 설치된 도통부
를 가지는 것이고,
상기 굴곡부는,
상기 도통부의 일방 단부가 상기 피검사체와 전기적으로 접촉될 때에, 상기 도통부의 타방 단부측이 상기 전극부와 단락하도록 구부러지는
것을 특징으로 하는 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조.
a support hole having an opening formed on one side of the support substrate;
an electrical contact inserted into the support hole and in electrical contact with the subject;
An electrode part installed in the vicinity of the opening of the support hole
equipped with
The electrical contactor is
a non-conductive portion having a bent portion;
A conductive portion provided on one end side of the non-conductive portion
is to have
The curved part,
When one end of the conductive part is in electrical contact with the subject, the other end side of the conductive part is bent to short-circuit with the electrode part.
Electrical contact structure of an electrical contactor, characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 도통부의 타방 단부측에는, 상기 도통부의 축방향과 교차하는 방향으로 돌출하는 제2 접촉부가 설치되는 것을 특징으로 하는 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조.
According to claim 1,
The electrical contact structure of the electrical contactor, wherein a second contact portion protruding in a direction crossing the axial direction of the conductive portion is provided on the other end side of the conductive portion.
제1항에 있어서,
상기 전기적 접촉자의 변형에 의해, 상기 도통부의 제2 접촉부와 상기 전극부가 접촉하는 것을 특징으로 하는 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조.
According to claim 1,
An electrical contact structure of an electrical contactor, characterized in that the second contact portion of the conductive portion and the electrode portion contact each other by deformation of the electrical contactor.
제1항에 있어서,
상기 전기적 접촉자의 변형에 의해, 상기 굴곡부와 상기 지지구멍의 내벽면이 접촉함으로써, 상기 지지구멍의 축과 교차하는 방향을 향해, 상기 도통부의 타방 단부를 이동시키는 것을 특징으로 하는 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조.
According to claim 1,
Electrical contact of an electrical contact, characterized in that the bending portion and the inner wall surface of the support hole come into contact with each other by deformation of the electrical contactor, thereby moving the other end of the conducting portion in a direction intersecting the axis of the support hole structure.
제1항에 있어서,
상기 전기적 접촉자의 상기 비도통부가, 선상 부재 또는 세폭 판상 부재로 형성되고,
상기 도통부의 제2 접촉부가, 상기 비도통부의 상기 일방 단부에 있어서, 상기 전극부에 대하여 넓은 면적으로 접촉하는 부재로 형성되고,
상기 도통부의 제1 접촉부가, 상기 제2 접촉부에 지지되는, 선상 부재 또는 세폭 판상 부재로 형성된 것인
것을 특징으로 하는 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조.
According to claim 1,
The non-conductive portion of the electrical contact is formed of a linear member or a narrow plate-like member,
The second contact portion of the conductive portion is formed of a member in contact with the electrode portion over a large area at the one end of the non-conductive portion,
The first contact portion of the conductive portion is supported by the second contact portion and is formed of a linear member or a narrow plate-like member
Electrical contact structure of an electrical contactor, characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 전극부가,
상기 지지 기판의 저면(底面)이며, 상기 지지구멍의 개구 부근에 설치된 것을 특징으로 하는 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조.
According to claim 1,
the electrode part,
An electrical contact structure of an electrical contactor, which is a bottom surface of the support substrate and is provided in the vicinity of an opening of the support hole.
제1항에 있어서,
상기 전극부가,
상기 지지구멍의 내벽의 일부 표면 또는 전면에 설치된 것을 특징으로 하는 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조.
According to claim 1,
the electrode part,
An electrical contact structure of an electrical contactor, characterized in that it is installed on a partial surface or an entire surface of the inner wall of the support hole.
제1항에 있어서,
상기 전극부가,
상기 지지구멍의 개구를 절결한 절결부의 사면 표면, 및 또는, 상기 지지구멍의 내벽면에 설치된 것을 특징으로 하는 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조.
According to claim 1,
the electrode part,
The electrical contact structure of an electrical contactor, characterized in that it is provided on the surface of the slope of the cutout formed by cutting the opening of the support hole, and or on the inner wall surface of the support hole.
복수의 전기적 접촉자를 지지하는 지지 기판을 갖추고, 피검사체와 검사 장치와의 사이를 전기적으로 접속하는 전기적 접속 장치에 있어서,
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 전기적 접촉자의 전기적 접촉 구조를 가지는 전기적 접속 장치.
An electrical connection device comprising a support substrate supporting a plurality of electrical contacts and electrically connecting an object to be inspected and an inspection device, the electrical connection device comprising:
An electrical connection device having an electrical contact structure of an electrical contactor according to any one of claims 1 to 8.
KR1020210078759A 2020-08-24 2021-06-17 Electrical contact structure of electrical contactor and electrical connecting apparatus KR102534435B1 (en)

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