JP2014071091A - Probe unit and inspection device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reliably cause a pair of probes to come into contact with a probing object.SOLUTION: A probe unit is configured such that base end parts 31 of a pair of parallely arranged probes 12 are connected in an insulation state and a tip end part 32 of each probe 12 can simultaneously come into contact with one probing object, and the probe 12 has a thin thickness part 33, which is thinner than other parts in the probe 12, formed between the base end part 31 and the tip end part 32, and is configured to be deformable with the thin thickness part 33 as a supporting point such that the tip end part 32 secedes from the tip end part 32 of the other probe 12.

Description

本発明は、一対のプローブを連結して構成されたプローブユニット、およびそのプローブユニットを備えた検査装置に関するものである。   The present invention relates to a probe unit configured by connecting a pair of probes, and an inspection apparatus including the probe unit.

連結された2つのプローブを有するプローブユニットとして、特開2002−357630号公報において出願人が開示した高周波プローブが知られている。この高周波プローブは、棒状にそれぞれ形成された信号端子およびグランド端子を備え、両端子が平行に並べられた状態で連結されて構成されている。この場合、この高周波プローブを用いて基板に設けられている導体パターン(検査対象導体)の検査を行う際には、先端部に高周波プローブを取り付けたアームを導体パターンに近接するように移動(プロービング)させて、信号端子およびグランド端子の双方を導体パターンに同時に(一度に)接触させる。次いで、信号端子およびグランド端子を介して入出力した信号に基づいて電気的特性を測定し、その測定結果から導体パターンの良否を検査する。   As a probe unit having two connected probes, a high-frequency probe disclosed by the applicant in Japanese Patent Laid-Open No. 2002-357630 is known. The high-frequency probe includes a signal terminal and a ground terminal each formed in a rod shape, and is configured such that both terminals are connected in parallel. In this case, when the conductor pattern (conductor to be inspected) provided on the substrate is inspected using this high-frequency probe, the arm having the high-frequency probe attached to the tip is moved so as to be close to the conductor pattern (probing) And both the signal terminal and the ground terminal are brought into contact with the conductor pattern simultaneously (at a time). Next, electrical characteristics are measured based on signals input / output via the signal terminal and the ground terminal, and the quality of the conductor pattern is inspected from the measurement result.

特開2002−357630号公報(第3−4頁、第6図)JP 2002-357630 A (page 3-4, FIG. 6)

ところが、上記の高周波プローブには、改善すべき以下の課題がある。すなわち、この高周波プローブは、一対の棒状の端子を平行に並べた状態で連結して構成されているため、平面的な(基板の表面に平行な)導体パターンに対して各端子が垂直な状態でプロービングを行ったときには、導体パターンに対して各端子の双方を同時に接触させることができる。しかしながら、例えば導体パターン上に形成された半球状の半田バンプに対してプロービングを行う際に、一方の端子が半田バンプにおける頂部の上方に位置し、他方の端子が頂部から外れた部分の上方に位置しているときには、一方の端子だけが半田バンプに接触して、他方の端子は半田バンプに接触しないおそれがある。   However, the above high frequency probe has the following problems to be improved. That is, since this high-frequency probe is configured by connecting a pair of rod-shaped terminals in parallel, each terminal is perpendicular to a planar conductor pattern (parallel to the surface of the substrate). When probing is performed, both terminals can be simultaneously brought into contact with the conductor pattern. However, when probing, for example, a hemispherical solder bump formed on a conductor pattern, one terminal is located above the top of the solder bump and the other terminal is above the portion off the top. When located, only one terminal may contact the solder bump, and the other terminal may not contact the solder bump.

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、一対のプローブをプロービング対象に確実に接触させ得るプローブユニットおよび検査装置を提供することを主目的とする。   This invention is made | formed in view of this subject, and it aims at providing the probe unit and test | inspection apparatus which can make a pair of probe contact the probe object reliably.

上記目的を達成すべく請求項1記載のプローブユニットは、平行に並べた一対のプローブの基端部を絶縁した状態で連結して1つのプロービング対象に当該各プローブの先端部を同時に接触可能に構成されたプローブユニットであって、前記プローブは、前記基端部と前記先端部との間に当該プローブにおける他の部分よりも厚みが薄い薄厚部が形成されて当該先端部が他方の前記プローブの前記先端部から離反するように当該薄厚部を支点として変形可能に構成されている。   In order to achieve the above object, the probe unit according to claim 1 is configured such that the base end portions of a pair of probes arranged in parallel are connected in an insulated state so that the tip portions of the probes can simultaneously contact one probing target. A probe unit configured, wherein the probe has a thin portion formed between the proximal end portion and the distal end portion, which is thinner than other portions of the probe, and the distal end portion is the other probe. The thin portion is configured to be deformable with the thin portion as a fulcrum so as to be separated from the tip portion.

また、請求項2記載のプローブユニットは、請求項1記載のプローブユニットにおいて、前記先端部同士が近接する向きへの予め決められた変形量以上の前記プローブの変形を規制する第1規制部材を備えている。   The probe unit according to claim 2 is the probe unit according to claim 1, wherein the probe unit includes a first restricting member that restricts deformation of the probe by a predetermined amount or more in a direction in which the tip portions approach each other. I have.

また、請求項3記載のプローブユニットは、請求項1または2記載のプローブユニットにおいて、前記先端部同士が離反する向きへの予め決められた変形量以上の前記プローブの変形を規制する第2規制部材を備えている。   A probe unit according to claim 3 is the probe unit according to claim 1 or 2, wherein the probe unit restricts deformation of the probe by a predetermined amount or more in a direction in which the tip portions are separated from each other. A member is provided.

また、請求項4記載の検査装置は、請求項1から3のいずれかに記載のプローブユニットと、前記プロービング対象としての基板の導体部に接触させた前記プローブユニットの前記各プローブを介して入力した電気信号に基づいて当該基板を検査する検査部とを備えている。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an inspection apparatus including the probe unit according to any one of the first to third aspects and the probes of the probe unit that are in contact with a conductor portion of the substrate as the probing target. And an inspection unit for inspecting the substrate based on the electrical signal.

請求項1記載のプローブユニット、および請求項4記載の検査装置では、プローブの基端部と先端部との間に薄厚部が形成されて、先端部が他方のプローブの先端部から離反するように薄厚部を支点として変形可能にプローブが構成されている。この場合、薄厚部が形成されていないプローブでは、先端部の変形が困難なため、例えば、半球状に形成されているプロービング対象としての半田バンプに対してプロービングを行う際に、半田バンプの中心を通る鉛直線と、プローブユニットにおける各プローブの間の中心線とが一致していないときには、プローブユニットにおける一対のプローブの一方の先端部だけが半田バンプに接触し、他方のプローブが非接触状態のまま下降が停止して、検査ができないことがある。これに対して、このプローブユニットおよび検査装置では、半田バンプの鉛直線とプローブユニットの中心線とが一致していない場合においても、半田バンプに先に接触したプローブの先端部が薄厚部を支点として弾性変形しつつ、他方のプローブの先端部が半田バンプに接触するまでプローブユニットが下降し、これによって各プローブの各先端部の双方を半田バンプに接触させることができる。したがって、このプローブユニットおよび検査装置によれば、プローブユニットにおける一対のプローブをプロービング対象としての半田バンプに確実に接触させることができる。   In the probe unit according to claim 1 and the inspection apparatus according to claim 4, a thin portion is formed between the proximal end portion and the distal end portion of the probe so that the distal end portion is separated from the distal end portion of the other probe. The probe is configured to be deformable with the thin portion as a fulcrum. In this case, since it is difficult to deform the tip of the probe in which the thin portion is not formed, for example, when probing a solder bump as a probing target formed in a hemisphere, the center of the solder bump When the vertical line passing through and the center line between each probe in the probe unit do not match, only one tip of the pair of probes in the probe unit is in contact with the solder bump, and the other probe is in a non-contact state The descent may stop and inspection may not be possible. On the other hand, in this probe unit and inspection apparatus, even when the vertical line of the solder bump and the center line of the probe unit do not coincide with each other, the tip of the probe that comes into contact with the solder bump first serves as a fulcrum. The probe unit is lowered until the tip of the other probe comes into contact with the solder bump while elastically deforming, whereby both of the tips of each probe can be brought into contact with the solder bump. Therefore, according to the probe unit and the inspection apparatus, a pair of probes in the probe unit can be reliably brought into contact with a solder bump as a probing target.

また、請求項2記載のプローブユニット、および請求項4記載の検査装置によれば、先端部同士が近接する向きへの予め決められた変形量以上のプローブの変形を規制する第1規制部材を備えたことにより、先端部同士の接触を確実に防止することができる。このため、このプローブユニットおよび検査装置によれば、先端部同士が接触した状態で基板の検査が行われて、これによって誤った良否判定がされる事態を確実に防止することができる。   Further, according to the probe unit according to claim 2 and the inspection device according to claim 4, the first restricting member that restricts the deformation of the probe beyond a predetermined deformation amount in the direction in which the tip portions approach each other. By providing, the contact of front-end | tip parts can be prevented reliably. For this reason, according to the probe unit and the inspection apparatus, it is possible to reliably prevent a situation in which the substrate is inspected in a state in which the tip portions are in contact with each other, thereby making an erroneous pass / fail judgment.

また、請求項3記載のプローブユニット、および請求項4記載の検査装置によれば、先端部同士が離反する向きへの予め決められた変形量以上のプローブの変形を規制する第2規制部材を備えたことにより、先端部同士の予め決められた距離以上の離反を確実に制限することができる。このため、このプローブユニットおよび検査装置によれば、各プローブの先端部同士が予め決められた距離以上に離反することに伴ってプロービング対象に対する先端部からの押圧力が低下し、これによって先端部とプロービング対象との電気的接続が不十分となる事態を確実に回避することができる。   Further, according to the probe unit according to claim 3 and the inspection device according to claim 4, the second restricting member for restricting the deformation of the probe beyond a predetermined deformation amount in the direction in which the tip portions are separated from each other. By providing, separation | separation beyond the predetermined distance of front-end | tip parts can be restrict | limited reliably. For this reason, according to the probe unit and the inspection apparatus, the pressing force from the distal end portion against the probing target is reduced as the distal end portions of the probes are separated from each other by a predetermined distance or more. It is possible to reliably avoid a situation in which the electrical connection with the probing target is insufficient.

検査装置1の構成を示す構成図である。1 is a configuration diagram showing a configuration of an inspection apparatus 1. FIG. プローブユニット3の構成を示す斜視図である。2 is a perspective view showing a configuration of a probe unit 3. FIG. プローブユニット3の分解斜視図である。3 is an exploded perspective view of the probe unit 3. FIG. 検査装置1を用いた検査方法を説明する第1の説明図である。It is the 1st explanatory view explaining the inspection method using inspection device 1. 検査装置1を用いた検査方法を説明する第2の説明図である。It is the 2nd explanatory view explaining the inspection method using inspection device 1. 検査装置1を用いた検査方法を説明する第3の説明図である。It is the 3rd explanatory view explaining the inspection method using inspection device 1. 検査装置1を用いた検査方法を説明する第4の説明図である。It is the 4th explanatory view explaining the inspection method using inspection device 1. 検査装置1を用いた検査方法を説明する第5の説明図である。It is a 5th explanatory view explaining the inspection method using inspection device 1. 検査装置1を用いた検査方法を説明する第6の説明図である。It is the 6th explanatory view explaining the inspection method using inspection device 1.

以下、プローブユニットおよび検査装置の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of a probe unit and an inspection apparatus will be described with reference to the accompanying drawings.

最初に、検査装置の一例としての検査装置1の構成について説明する。図1に示す検査装置1は、一例として、プロービング対象としての基板100に設けられている導体パターン101(図4参照)の断線や短絡などを検査可能に構成されている。具体的には、検査装置1は、図1に示すように、支持台2、2つのプローブユニット3、プロービング機構4、測定部5、操作部6、記憶部7および制御部8を備えて構成されている。   First, the configuration of the inspection apparatus 1 as an example of the inspection apparatus will be described. As an example, the inspection apparatus 1 shown in FIG. 1 is configured to be able to inspect a disconnection or a short circuit of a conductor pattern 101 (see FIG. 4) provided on a substrate 100 as a probing target. Specifically, as shown in FIG. 1, the inspection apparatus 1 includes a support base 2, two probe units 3, a probing mechanism 4, a measurement unit 5, an operation unit 6, a storage unit 7, and a control unit 8. Has been.

支持台2は、クランプ部(図示せず)を備え、検査対象の基板100を支持可能に構成されている。   The support base 2 includes a clamp part (not shown) and is configured to be able to support the substrate 100 to be inspected.

プローブユニット3は、図2,3に示すように、支持部11、および一対のプローブ12を備えて構成されて、図4示すように、基板100の導体パターン101上に形成されている半田バンプ102(導体部)に各プローブ12が接触している状態で、半田バンプ102に対する電気信号の入出力を可能に構成されている。   2 and 3, the probe unit 3 includes a support portion 11 and a pair of probes 12, and solder bumps formed on the conductor pattern 101 of the substrate 100 as shown in FIG. An electric signal can be input / output to / from the solder bump 102 in a state where each probe 12 is in contact with 102 (conductor portion).

支持部11は、図2,3に示すように、基体部21、固定部22、第1規制部材23、および2つの第2規制部材24を備えて一体に構成されている。また、支持部11は、絶縁性(非導電性)を有して高強度な材料(一例として、炭化珪素や窒化珪素などのセラミックス)で形成されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the support portion 11 includes a base portion 21, a fixing portion 22, a first restriction member 23, and two second restriction members 24, and is integrally configured. Further, the support portion 11 is formed of a high-strength material (as an example, ceramics such as silicon carbide and silicon nitride) having insulating properties (non-conductive).

基体部21は、プロービング機構4のアーム41(図1参照)に取り付け可能に構成されている。この場合、図2,3に示すように、基体部21には、2つの挿通孔21aが形成されており、この挿通孔21aに挿通させた図外の取り付け用ネジによって基体部21がアーム41に取り付けられる。   The base portion 21 is configured to be attachable to an arm 41 (see FIG. 1) of the probing mechanism 4. In this case, as shown in FIGS. 2 and 3, two insertion holes 21 a are formed in the base portion 21, and the base portion 21 is attached to the arm 41 by an unillustrated mounting screw inserted through the insertion hole 21 a. Attached to.

固定部22は、プローブ12を固定可能に構成されている。具体的には、図3に示すように、固定部22には、4つのネジ穴22a(同図では、2つのみを図示している)が形成されており、プローブ12の基端部31に形成されている挿通孔31aに挿通させた固定用ネジ13(例えば、キャップスクリュー)をこのネジ穴22aにねじ込むことによってプローブ12が固定部22に固定される。   The fixing part 22 is configured to fix the probe 12. Specifically, as shown in FIG. 3, the fixing portion 22 has four screw holes 22 a (only two are shown in the figure), and the proximal end portion 31 of the probe 12. The probe 12 is fixed to the fixing portion 22 by screwing a fixing screw 13 (for example, a cap screw) inserted into the insertion hole 31a formed in the screw hole 22a.

第1規制部材23は、図2,3に示すように、固定部22の幅方向(両図における左右方向)の中央部から下向きに突出する板状(角柱状)に形成されている。この第1規制部材23は、一対のプローブ12における先端部32同士が互いに近接する向き(つまり、内向き)に予め規定された規定量だけ先端部32側が弾性変形したときに、先端部32が当接してそれ以上の弾性変形を規制して先端部32同士の接触を防止するストッパとして機能する。   As shown in FIGS. 2 and 3, the first restricting member 23 is formed in a plate shape (rectangular column shape) that protrudes downward from the central portion in the width direction of the fixing portion 22 (the left-right direction in both drawings). The first restricting member 23 is configured such that when the distal end portion 32 side is elastically deformed by a predetermined amount in a direction in which the distal end portions 32 of the pair of probes 12 are close to each other (that is, inward), the distal end portion 32 is deformed. It functions as a stopper that abuts and restricts further elastic deformation to prevent contact between the tip portions 32.

第2規制部材24は、図2,3に示すように、基体部21の両端部から下向きに突出する板状(角柱状)にそれぞれ形成されている。この第2規制部材24は、一対のプローブ12における各先端部32が互いに離反する向き(外向き)に予め規定された規定量だけ先端部32側が弾性変形したときに、先端部32が当接してそれ以上の弾性変形を規制して先端部32同士の予め規定された規定距離以上の離反を制限するストッパとして機能する。   As shown in FIGS. 2 and 3, the second restricting members 24 are each formed in a plate shape (a prism shape) protruding downward from both end portions of the base portion 21. The second restricting member 24 comes into contact with the distal end portion 32 when the distal end portion 32 side is elastically deformed by a predetermined amount in a direction (outward direction) in which the distal end portions 32 of the pair of probes 12 are separated from each other. Thus, it functions as a stopper that restricts further elastic deformation and limits the separation between the tip portions 32 by a predetermined distance or more.

プローブ12は、導電性および弾性を有する材料(一例として、ベリリウム銅合金、SKH(高速度工具鋼)およびタングステン鋼など)を用いて、図2,3に示すように、全体として四角柱状に形成されている。また、図3に示すように、プローブ12の基端部31には、支持部11の固定部22に固定するための固定用ネジ13を挿通可能な複数(この例では、2つ)の挿通孔31aが形成されている。また、プローブ12の先端部32には、プローブ12の長さ方向に対して傾斜する傾斜面32aが設けられている。   The probe 12 is formed into a square column as a whole as shown in FIGS. 2 and 3, using a material having conductivity and elasticity (for example, beryllium copper alloy, SKH (high speed tool steel) and tungsten steel). Has been. Further, as shown in FIG. 3, a plurality of (two in this example) insertion screws through which the fixing screws 13 for fixing to the fixing portion 22 of the support portion 11 can be inserted into the proximal end portion 31 of the probe 12. A hole 31a is formed. Further, the tip portion 32 of the probe 12 is provided with an inclined surface 32 a that is inclined with respect to the length direction of the probe 12.

さらに、プローブ12の基端部31と先端部32との間には、プローブ12における他の部分よりも厚みが薄い薄厚部33が設けられている。この場合、薄厚部33は、プローブ12における対向する2つの側面をそれぞれ円弧状に切り欠くことによって形成されている。このプローブ12では、基端部31と先端部32との間に薄厚部33を設けたことにより、支持部11の固定部22に基端部31が固定された状態において、薄厚部33を支点として先端部32が弾性変形することが可能となっている。   Furthermore, between the base end portion 31 and the distal end portion 32 of the probe 12, a thin portion 33 is provided that is thinner than other portions of the probe 12. In this case, the thin portion 33 is formed by notching two opposing side surfaces of the probe 12 in an arc shape. In the probe 12, the thin portion 33 is provided between the proximal end portion 31 and the distal end portion 32, so that the thin portion 33 is supported as a fulcrum in a state where the proximal end portion 31 is fixed to the fixing portion 22 of the support portion 11. As a result, the tip 32 can be elastically deformed.

プロービング機構4は、図1に示すように、2つのアーム41を備え、制御部8の制御に従い、支持台2に支持されている基板100の表面に沿った方向(XY方向)、および基板100に接離する下向きおよび上向き(Z方向)に各アーム41を移動させて基板100の半田バンプ102にプローブユニット3のプローブ12をプロービング(接触)させるプロービング処理を実行する。   As shown in FIG. 1, the probing mechanism 4 includes two arms 41, and in accordance with the control of the control unit 8, the direction along the surface of the substrate 100 supported by the support base 2 (XY direction) and the substrate 100 A probing process is performed in which each arm 41 is moved downward and upward (Z direction) in contact with and away from the probe 100 to probe (contact) the probe 12 of the probe unit 3 with the solder bump 102 of the substrate 100.

測定部5は、基板100の各半田バンプ102にプロービングされた各プローブユニット3の各プローブ12を介して入出力する電気信号に基づき、各半田バンプ102に接続している導体パターン101間の抵抗を4端子法で測定する測定処理を実行する。操作部6は、各種のスイッチやキーを備えて構成され、これらが操作されたときに操作信号を出力する。   The measurement unit 5 determines the resistance between the conductor patterns 101 connected to each solder bump 102 based on an electric signal input / output via each probe 12 of each probe unit 3 probed on each solder bump 102 of the substrate 100. The measurement process which measures this by the four-terminal method is executed. The operation unit 6 includes various switches and keys, and outputs an operation signal when these are operated.

記憶部7は、各プローブユニット3をプロービングさせるべき各半田バンプ102の位置を示す位置データを記憶する。また、記憶部7は、基板100(導体パターン101)の検査に用いる抵抗値の基準値を記憶する。   The storage unit 7 stores position data indicating the position of each solder bump 102 where each probe unit 3 is to be probed. In addition, the storage unit 7 stores a reference value of the resistance value used for the inspection of the substrate 100 (conductor pattern 101).

制御部8は、プロービング機構4によるプロービング処理および測定部5よる測定処理を制御する。また、制御部8は、測定部5と共に検査部として機能して、測定部5によって測定された抵抗値に基づいて基板100の良否、具体的には、一例として、各導体パターン101間の絶縁状態の良否を検査する。   The control unit 8 controls the probing process by the probing mechanism 4 and the measurement process by the measurement unit 5. The control unit 8 functions as an inspection unit together with the measurement unit 5, and the quality of the substrate 100 based on the resistance value measured by the measurement unit 5, specifically, as an example, the insulation between the conductor patterns 101. Check the condition.

次に、プローブユニット3の組み立て方法について、図面を参照して説明する。まず、図3に示すように、一方のプローブ12(例えば、同図における左側のプローブ12)における基端部31の各挿通孔31aに固定用ネジ13をそれぞれ挿通させる。次いで、その状態のプローブ12の基端部31を支持部11の固定部22と第2規制部材24との間の隙間に差し入れる。この場合、同図に示すように、プローブ12における先端部32の傾斜面32aが支持部11の第1規制部材23側を向くようにする。続いて、工具(例えば、六角レンチ)を用いて、各固定用ネジ13を固定部22の各ネジ穴22aにねじ込むことにより、基端部31を固定部22に固定する。   Next, a method for assembling the probe unit 3 will be described with reference to the drawings. First, as shown in FIG. 3, the fixing screw 13 is inserted into each insertion hole 31 a of the base end portion 31 of one probe 12 (for example, the left probe 12 in FIG. 3). Next, the base end portion 31 of the probe 12 in this state is inserted into the gap between the fixing portion 22 of the support portion 11 and the second restriction member 24. In this case, as shown in the figure, the inclined surface 32a of the tip 32 of the probe 12 is made to face the first regulating member 23 side of the support 11. Subsequently, the base end portion 31 is fixed to the fixing portion 22 by screwing each fixing screw 13 into each screw hole 22 a of the fixing portion 22 using a tool (for example, a hexagon wrench).

次いで、同様にして、他方のプローブ12(図3における右側のプローブ12)の基端部31を固定部22に固定する。これにより、図2に示すように、一対のプローブ12が平行に並んだ状態でかつ互いに絶縁された状態で各々の基端部31が支持部11を介して連結されて、プローブユニット3の組み立てが完了する。なお、組み立てが完了したプローブユニット3は、図4に示すように、プロービング機構4におけるアーム41の先端部に支持部11の基体部21を固定用のネジ等を用いて固定することによって取り付けられる。   Next, similarly, the base end portion 31 of the other probe 12 (the right probe 12 in FIG. 3) is fixed to the fixing portion 22. As a result, as shown in FIG. 2, the base end portions 31 are connected via the support portion 11 in a state where the pair of probes 12 are arranged in parallel and insulated from each other, thereby assembling the probe unit 3. Is completed. As shown in FIG. 4, the assembled probe unit 3 is attached by fixing the base portion 21 of the support portion 11 to the distal end portion of the arm 41 in the probing mechanism 4 using a fixing screw or the like. .

次に、検査装置1を用いて基板100を検査する方法について図面を参照して説明する。   Next, a method for inspecting the substrate 100 using the inspection apparatus 1 will be described with reference to the drawings.

まず、支持台2に基板100を載置し、続いて、図外のクランプ部によって基板100を固定する。次いで、操作部6を操作して、検査の開始を指示する。これに応じて、制御部8が検査処理を開始する。この検査処理では、制御部8は、記憶部7から位置データを読み出して、プローブユニット3をプロービングさせるべき半田バンプ102の位置を特定する。   First, the substrate 100 is placed on the support base 2, and then the substrate 100 is fixed by a clamp part (not shown). Next, the operation unit 6 is operated to instruct the start of inspection. In response to this, the control unit 8 starts the inspection process. In this inspection process, the control unit 8 reads position data from the storage unit 7 and specifies the position of the solder bump 102 where the probe unit 3 is to be probed.

続いて、制御部8は、プロービング機構4を制御してプロービング処理を実行させる。このプロービング処理では、プロービング機構4は、基板100の表面に沿って一方のアーム41を移動させ、アーム41に取り付けられているプローブユニット3における各プローブ12の先端部32を1つの半田バンプ102の上方に位置させる。また、プロービング機構4は、同様にして、他方のアーム41に取り付けられているプローブユニット3における各プローブ12の先端部32を他の1つの半田バンプ102の上方に位置させる。次いで、プロービング機構4は、図4に示すように、基板100の表面に近接する向き(下向き)に各アーム41を移動(下降)させる。   Subsequently, the control unit 8 controls the probing mechanism 4 to execute the probing process. In this probing process, the probing mechanism 4 moves one arm 41 along the surface of the substrate 100, and moves the tip 32 of each probe 12 in the probe unit 3 attached to the arm 41 to one solder bump 102. Position it above. Similarly, the probing mechanism 4 positions the tip 32 of each probe 12 in the probe unit 3 attached to the other arm 41 above the other one solder bump 102. Next, as shown in FIG. 4, the probing mechanism 4 moves (lowers) each arm 41 in a direction (downward) close to the surface of the substrate 100.

また、制御部8は、プロービング機構4によるプロービング処理の実行中において、測定部5を制御して各プローブユニット3における2つのプローブ12間の抵抗値を測定させる。この場合、制御部8は、この抵抗値が規定値以下のときには、2つのプローブ12の各先端部32が半田バンプ102を介して導通した(つまり、2つのプローブ12の各先端部32の双方が半田バンプ102に接触した)と判別して、プロービング機構4を制御してその時点から予め決められた移動量だけアーム41をさらに下降させた後に、アーム41の下降を停止させる。また、制御部8は、プロービング処理の開始時点から予め決められた移動量だけアーム41が下降した時点において2つのプローブ12の各先端部32の双方が半田バンプ102に接触していないと判別したときにも、アーム41の下降を停止させる。   Further, the control unit 8 controls the measurement unit 5 to measure the resistance value between the two probes 12 in each probe unit 3 during execution of the probing process by the probing mechanism 4. In this case, when the resistance value is equal to or less than the specified value, the control unit 8 conducts the distal end portions 32 of the two probes 12 through the solder bumps 102 (that is, both the distal end portions 32 of the two probes 12). And the probing mechanism 4 is controlled to further lower the arm 41 by a predetermined amount of movement from that point, and then the lowering of the arm 41 is stopped. In addition, the control unit 8 determines that both the tip portions 32 of the two probes 12 are not in contact with the solder bumps 102 when the arm 41 is lowered by a predetermined movement amount from the start of the probing process. Sometimes, the lowering of the arm 41 is stopped.

ここで、図4に示すように、プロービング処理において、半球状の半田バンプ102の中心を通る鉛直線(以下、「半田バンプ102の鉛直線L1」ともいう)と、プローブユニット3における2つのプローブ12の間の中心線(以下、「プローブユニット3の中心線L2」ともいう)とが一致しているときには、プローブユニット3における各プローブ12の先端部32の双方が半田バンプ102に接触する。続いて、アーム41がさらに下降したときには、図5に示すように、プローブ12の先端部32が対向する他方のプローブ12の先端部32から離反するように(つまり、外向きに)薄厚部33を支点として弾性変形する。このため、弾性変形に伴う弾性力によって先端部32が半田バンプ102を押圧する結果、先端部32と半田バンプ102とが電気的に確実に接続される。   Here, as shown in FIG. 4, in the probing process, a vertical line passing through the center of the hemispherical solder bump 102 (hereinafter also referred to as “vertical line L1 of the solder bump 102”) and two probes in the probe unit 3 are used. When the center line between 12 coincides with the center line (hereinafter also referred to as “center line L2 of the probe unit 3”), both the tip portions 32 of the probes 12 in the probe unit 3 are in contact with the solder bumps 102. Subsequently, when the arm 41 is further lowered, as shown in FIG. 5, the thin portion 33 so that the distal end portion 32 of the probe 12 is separated from the distal end portion 32 of the other probe 12 facing (that is, outward). It is elastically deformed using as a fulcrum. For this reason, as a result of the tip part 32 pressing the solder bump 102 by the elastic force accompanying the elastic deformation, the tip part 32 and the solder bump 102 are electrically connected reliably.

次いで、アーム41がさらに下降したときには、図6に示すように、各プローブ12の各先端部32が薄厚部33を支点として外向きにさらに弾性変形する。この場合、先端部32の弾性変形量が規定量となったときには、同図に示すように、先端部32が支持部11の第2規制部材24に当接する。このため、それ以上の弾性変形が規制されて、先端部32同士の規定距離以上の離反が制限される結果、先端部32と半田バンプ102との接触状態が解除される事態が回避される。   Next, when the arm 41 is further lowered, as shown in FIG. 6, each distal end portion 32 of each probe 12 is further elastically deformed outward with the thin portion 33 as a fulcrum. In this case, when the amount of elastic deformation of the distal end portion 32 reaches a specified amount, the distal end portion 32 comes into contact with the second restricting member 24 of the support portion 11 as shown in FIG. For this reason, as a result of restricting further elastic deformation and restricting the separation beyond the specified distance between the tip portions 32, a situation in which the contact state between the tip portion 32 and the solder bump 102 is released is avoided.

一方、図7に示すように、プロービング処理において、半田バンプ102の鉛直線L1とプローブユニット3の中心線L2とが一致していない(この例では、鉛直線L1に対して中心線L2が左側に位置している)ときには、プローブユニット3における一方のプローブ12(この例では、右側のプローブ12)の先端部32が先に半田バンプ102に接触する。この状態においてアーム41がさらに下降したときには、図8に示すように、このプローブ12の先端部32が薄厚部33を支点として外向きに弾性変形すると共に、他方のプローブ12(この例では、左側のプローブ12)の先端部32が半田バンプ102に接触する。これにより、各プローブ12の各先端部32の双方が半田バンプ102に確実に接触する。   On the other hand, as shown in FIG. 7, in the probing process, the vertical line L1 of the solder bump 102 and the center line L2 of the probe unit 3 do not match (in this example, the center line L2 is on the left side of the vertical line L1). ), The tip 32 of one probe 12 (in this example, the right probe 12) in the probe unit 3 comes into contact with the solder bump 102 first. When the arm 41 is further lowered in this state, as shown in FIG. 8, the distal end portion 32 of the probe 12 is elastically deformed outward with the thin portion 33 as a fulcrum, and the other probe 12 (in this example, the left side) The tip 32 of the probe 12) contacts the solder bump 102. Thereby, both the tip portions 32 of the probes 12 are surely brought into contact with the solder bumps 102.

続いて、制御部8は、測定部5を制御して測定処理を実行させる。この測定処理では、測定部5は、各半田バンプ102に接続されている各導体パターン101の間の抵抗値を4端子法で測定する。具体的には、測定部5は、測定用信号(例えば定電流)を出力する。この際に、2つのプローブユニット3における一方のプローブ12を介して2つの半田バンプ102(2つの導体パターン101)に測定用信号が供給される。次いで、測定部5は、測定用信号の供給に伴って生じる電気信号(例えば電圧)を2つのプローブユニット3における他方のプローブ12を介して入力し、その電圧値と測定用信号の電流値とに基づいて各導体パターン101の間の抵抗値を測定する。   Subsequently, the control unit 8 controls the measurement unit 5 to execute measurement processing. In this measurement process, the measurement unit 5 measures the resistance value between the conductor patterns 101 connected to the solder bumps 102 by a four-terminal method. Specifically, the measurement unit 5 outputs a measurement signal (for example, a constant current). At this time, measurement signals are supplied to the two solder bumps 102 (two conductor patterns 101) via one probe 12 in the two probe units 3. Next, the measurement unit 5 inputs an electric signal (for example, voltage) generated along with the supply of the measurement signal via the other probe 12 in the two probe units 3, and the voltage value and the current value of the measurement signal are Based on the above, the resistance value between the conductor patterns 101 is measured.

続いて、制御部8は、各導体パターン101間の絶縁状態の良否を検査する。具体的には、制御部8は、記憶部7から基準値を読み出して、この基準値と測定部5によって測定された抵抗値(測定値)とを比較する。この場合、制御部8は、測定値が基準値以上のときには、各導体パターン101間の絶縁状態が良好と判別し、測定値が基準値未満のときには、各導体パターン101間の絶縁状態が不良と判別する。この場合、この検査装置1では、上記したように、プローブユニット3の各プローブ12が各半田バンプ102に確実に接触しているため、測定部5による抵抗値の測定が正確に行われる結果、各導体パターン101間の絶縁状態の良否を正確に検査することが可能となっている。   Subsequently, the control unit 8 inspects the quality of the insulation state between the conductor patterns 101. Specifically, the control unit 8 reads the reference value from the storage unit 7 and compares the reference value with the resistance value (measured value) measured by the measuring unit 5. In this case, the control unit 8 determines that the insulation state between the conductor patterns 101 is good when the measured value is greater than or equal to the reference value, and the insulation state between the conductor patterns 101 is poor when the measured value is less than the reference value. Is determined. In this case, in the inspection apparatus 1, as described above, since each probe 12 of the probe unit 3 is in reliable contact with each solder bump 102, the measurement of the resistance value by the measurement unit 5 is accurately performed. It is possible to accurately inspect the quality of the insulation state between the conductor patterns 101.

次いで、制御部8は、プロービング機構4を制御して、各アーム41を基板100から離反する向き(上方)に移動(上昇)させる。続いて、制御部8は、上記した各処理を実行して、他の半田バンプ102に各プローブ12をプロービングさせると共に、他の導体パターン101間の絶縁状態の良否を検査する。   Next, the control unit 8 controls the probing mechanism 4 to move (raise) each arm 41 in a direction (upward) away from the substrate 100. Subsequently, the control unit 8 executes each of the above-described processes to cause each solder bump 102 to probe each probe 12 and inspects the quality of the insulation state between the other conductor patterns 101.

この場合、プロービング処理において、例えば図9に示すように、半田バンプ102の鉛直線L1とプローブユニット3の中心線L2とが比較的大きく離間している(この例では、鉛直線L1に対して中心線L2が左側に位置している)ときには、プローブユニット3における一方のプローブ12(この例では、右側のプローブ12)の先端部32が半田バンプ102に接触して、他方のプローブ12(この例では、左側のプローブ12)の先端部32に近接する向き(つまり、内向き)に薄厚部33を支点として弾性変形することがある。この場合、先端部32の弾性変形量が規定量となったときには、同図に示すように、先端部32が支持部11の第1規制部材23に当接する。このため、それ以上の弾性変形が規制されて、先端部32同士の接触が防止される。このため、この検査装置1では、先端部32同士が接触した状態で制御部8による各導体パターン101間の絶縁状態の検査が行われて、これによって誤った良否判定がされる事態が確実に防止される。   In this case, in the probing process, for example, as shown in FIG. 9, the vertical line L1 of the solder bump 102 and the center line L2 of the probe unit 3 are relatively far apart (in this example, with respect to the vertical line L1). When the center line L2 is located on the left side), the tip 32 of one probe 12 (in this example, the right probe 12) in the probe unit 3 contacts the solder bump 102 and the other probe 12 (this In the example, the thin probe 33 may be elastically deformed in the direction approaching the tip 32 of the left probe 12) (that is, inward) with the thin portion 33 as a fulcrum. In this case, when the amount of elastic deformation of the distal end portion 32 reaches a specified amount, the distal end portion 32 comes into contact with the first regulating member 23 of the support portion 11 as shown in FIG. For this reason, further elastic deformation is restricted, and contact between the tip portions 32 is prevented. For this reason, in this inspection apparatus 1, the state of insulation between the conductor patterns 101 is performed by the control unit 8 in a state in which the tip portions 32 are in contact with each other, and thereby it is ensured that an erroneous pass / fail judgment is made. Is prevented.

このように、このプローブユニット3および検査装置1では、プローブ12の基端部31と先端部32との間に薄厚部33が形成されて、先端部32が他方のプローブ12の先端部32から離反するように(つまり、外向きに)薄厚部33を支点として変形可能にプローブ12が構成されている。この場合、薄厚部33が形成されていないプローブでは、先端部32の変形が困難なため、例えば、半球状に形成されているプロービング対象としての半田バンプ102に対してプロービングを行う際に、半田バンプ102の中心を通る鉛直線L1と、プローブユニット3における各プローブ12の間の中心線L2とが一致していないときには、プローブユニット3における一対のプローブ12の一方の先端部32だけが半田バンプ102に接触し、他方のプローブ12が非接触状態のまま下降が停止して、検査ができないことがある。これに対して、このプローブユニット3および検査装置1では、半田バンプ102の鉛直線L1とプローブユニット3の中心線L2とが一致していない場合においても、半田バンプ102に先に接触したプローブ12の先端部32が薄厚部33を支点として弾性変形しつつ、他方のプローブ12の先端部32が半田バンプ102に接触するまでプローブユニット3が下降し、これによって各プローブ12の各先端部32の双方を半田バンプ102に接触させることができる。したがって、このプローブユニット3および検査装置1によれば、プローブユニット3における一対のプローブ12をプロービング対象としての半田バンプ102に確実に接触させることができる。   Thus, in the probe unit 3 and the inspection apparatus 1, the thin portion 33 is formed between the proximal end portion 31 and the distal end portion 32 of the probe 12, and the distal end portion 32 extends from the distal end portion 32 of the other probe 12. The probe 12 is configured to be deformable with the thin portion 33 as a fulcrum so as to be separated (that is, outward). In this case, since the tip portion 32 is difficult to deform in the probe in which the thin portion 33 is not formed, for example, when probing the solder bump 102 as the probing target formed in a hemispherical shape, When the vertical line L1 passing through the center of the bump 102 and the center line L2 between the probes 12 in the probe unit 3 do not coincide with each other, only one end portion 32 of the pair of probes 12 in the probe unit 3 is solder bump. There is a case where the descent stops while the other probe 12 is in a non-contact state in contact with 102 and the inspection cannot be performed. On the other hand, in the probe unit 3 and the inspection apparatus 1, even when the vertical line L1 of the solder bump 102 and the center line L2 of the probe unit 3 do not coincide with each other, the probe 12 that contacts the solder bump 102 first. The probe unit 3 is lowered until the tip 32 of the other probe 12 comes into contact with the solder bump 102 while the tip 32 of the probe 12 is elastically deformed using the thin portion 33 as a fulcrum. Both can be brought into contact with the solder bumps 102. Therefore, according to the probe unit 3 and the inspection apparatus 1, the pair of probes 12 in the probe unit 3 can be reliably brought into contact with the solder bumps 102 to be probed.

また、このプローブユニット3および検査装置1によれば、先端部32同士が近接する向きへの予め決められた変形量以上のプローブ12の変形を規制する第1規制部材23を備えたことにより、先端部32同士の接触を確実に防止することができる。このため、このプローブユニット3および検査装置1によれば、先端部32同士が接触した状態で制御部8による各導体パターン101間の絶縁状態の検査が行われて、これによって誤った良否判定がされる事態を確実に防止することができる。   Further, according to the probe unit 3 and the inspection apparatus 1, the first restricting member 23 that restricts the deformation of the probe 12 beyond a predetermined deformation amount in the direction in which the distal end portions 32 approach each other is provided. Contact between the tip portions 32 can be reliably prevented. For this reason, according to this probe unit 3 and the inspection apparatus 1, the control part 8 inspects the insulation state between the conductor patterns 101 in a state in which the tip portions 32 are in contact with each other, thereby making an incorrect quality determination. Can be reliably prevented.

また、このプローブユニット3および検査装置1によれば、先端部32同士が離反する向きへの予め決められた変形量以上のプローブ12の変形を規制する第2規制部材24を備えたことにより、先端部32同士の予め決められた距離以上の離反を確実に制限することができる。このため、このプローブユニット3および検査装置1によれば、各プローブ12の先端部32同士が予め決められた距離以上に離反することに伴って半田バンプ102に対する先端部32からの押圧力が低下し、これによって先端部32と半田バンプ102との電気的接続が不十分となる事態を確実に回避することができる。   Further, according to the probe unit 3 and the inspection apparatus 1, the second restricting member 24 that restricts the deformation of the probe 12 beyond a predetermined deformation amount in the direction in which the tip portions 32 are separated from each other is provided. The separation beyond the predetermined distance between the front end portions 32 can be surely limited. For this reason, according to the probe unit 3 and the inspection apparatus 1, the pressing force from the distal end portion 32 against the solder bump 102 decreases as the distal end portions 32 of the probes 12 are separated from each other by a predetermined distance or more. As a result, it is possible to reliably avoid a situation in which the electrical connection between the tip 32 and the solder bump 102 is insufficient.

なお、プローブユニットおよび検査装置は、上記の構成に限定されない。例えば、全体として四角柱状に形成したプローブ12を採用した例について上記したが、プローブ12の形状はこれに限定されず、全体として、断面が四角形以外の多角形をなす柱状や、断面が円形または楕円形をなす柱状に形成することもできる。また、全体として板状に形成したプローブを採用することもできる。また、第1規制部材23および第2規制部材24のいずれか一方、または第1規制部材23および第2規制部材24の双方を備えていないプローブユニットを採用することもできる。   The probe unit and the inspection apparatus are not limited to the above configuration. For example, although an example in which the probe 12 formed in the shape of a quadrangular prism as a whole has been described above, the shape of the probe 12 is not limited to this, and as a whole, the cross section is a polygonal shape other than a square, It can also be formed into an elliptical columnar shape. Moreover, the probe formed in plate shape as a whole is also employable. Also, a probe unit that does not include either the first restriction member 23 or the second restriction member 24 or the first restriction member 23 and the second restriction member 24 may be employed.

また、絶縁性を有する材料で形成した支持部11を用いる例について上記したが、例えば、プローブ12の基端部31を絶縁性を有する材料(一例として、樹脂)で被覆したときには、金属等の導電性を有する材料で形成した支持部を用いることもできる。   In addition, the example using the support portion 11 formed of an insulating material has been described above. For example, when the base end portion 31 of the probe 12 is covered with an insulating material (for example, resin), a metal or the like is used. A support portion formed using a conductive material can also be used.

1 検査装置
3 プローブユニット
5 測定部
8 制御部
11 支持部
12 プローブ
22 固定部
23 第1規制部材
24 第2規制部材
31 基端部
32 先端部
33 薄厚部
100 基板
101 導体パターン
102 半田バンプ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inspection apparatus 3 Probe unit 5 Measuring part 8 Control part 11 Support part 12 Probe 22 Fixing part 23 1st control member 24 2nd control member 31 Base end part 32 Tip part 33 Thin part 100 Board | substrate 101 Conductive pattern 102 Solder bump

Claims (4)

平行に並べた一対のプローブの基端部を絶縁した状態で連結して1つのプロービング対象に当該各プローブの先端部を同時に接触可能に構成されたプローブユニットであって、
前記プローブは、前記基端部と前記先端部との間に当該プローブにおける他の部分よりも厚みが薄い薄厚部が形成されて当該先端部が他方の前記プローブの前記先端部から離反するように当該薄厚部を支点として変形可能に構成されているプローブユニット。
A probe unit configured such that the base ends of a pair of probes arranged in parallel are connected in an insulated state so that the tip of each probe can be simultaneously contacted with one probing target,
The probe is formed such that a thin portion thinner than the other portion of the probe is formed between the base end portion and the tip end portion, and the tip end portion is separated from the tip end portion of the other probe. A probe unit configured to be deformable with the thin portion as a fulcrum.
前記先端部同士が近接する向きへの予め決められた変形量以上の前記プローブの変形を規制する第1規制部材を備えている請求項1記載のプローブユニット。   The probe unit according to claim 1, further comprising a first restricting member that restricts deformation of the probe by a predetermined amount or more in a direction in which the tip portions approach each other. 前記先端部同士が離反する向きへの予め決められた変形量以上の前記プローブの変形を規制する第2規制部材を備えている請求項1または2記載のプローブユニット。   3. The probe unit according to claim 1, further comprising a second restricting member that restricts deformation of the probe by a predetermined amount or more in a direction in which the tip portions are separated from each other. 請求項1から3のいずれかに記載のプローブユニットと、前記プロービング対象としての基板の導体部に接触させた前記プローブユニットの前記各プローブを介して入力した電気信号に基づいて当該基板を検査する検査部とを備えている検査装置。   The substrate is inspected based on the probe unit according to any one of claims 1 to 3 and an electric signal input through each probe of the probe unit brought into contact with a conductor portion of the substrate as the probing target. An inspection device comprising an inspection unit.
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