KR20220008764A - 진공 반송 장치 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

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다츠오 하타노
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 간이한 구조로 고온의 기판으로부터 진공 시일부나 기구부에 열의 영향을 억제할 수 있는 진공 반송 장치 및 기판 처리 시스템을 제공한다.
[해결수단] 진공 중에서 고온의 기판을 반송하는 진공 반송 장치는, 내부에 기구부를 갖는 아암부와 진공 시일부를 갖는 본체부와, 본체부에 접속되어, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 본체부의 표면에 마련되며, 본체부를 구성하는 재료보다 연면 방향의 열 전도율이 높은 재료로 구성되어, 기판으로부터 기판 유지부에 전열된 열을 수송하는 열 수송 부재와, 열 수송 부재에 의해 수송된 열을 방열하는 방열부를 갖는다.

Description

진공 반송 장치 및 기판 처리 시스템{VACUUM TRANSFER DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
본 개시는 진공 반송 장치 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
반도체 제조 프로세스에 있어서는, CVD, ALD, PVD와 같은 성막 처리가 행해지고 있다. 성막 처리를 행하는 성막 시스템은, 기판인 반도체 웨이퍼(웨이퍼)에 진공 중에서 CVD 등의 성막 처리를 행하는 처리 장치에 대하여, 진공 반송 장치에 의해 웨이퍼를 반송하고 있다. 성막 처리는 고온에서 행해지는 경우가 많고, 진공 반송 장치의 기판 유지부에 의해 웨이퍼를 처리 장치로부터 추출할 때의 기판 유지부의 온도는 200∼400℃가 되고, 최근에는 500∼600℃로 더욱 고온의 것도 있다.
진공 반송 장치로서 대표적인 링크 기구를 갖는 것은, 진공 시일부에 자성 유체나 시일 링 등이 이용되고, 또한, 구동부 및 기어·벨트 등의 동력 전달 기구와 같은 기구부도 존재하고 있지만 이들 기구부도 내열성을 갖지 않는다. 이 때문에, 기판 유지부가 고온의 기판을 추출할 때에, 진공 반송 장치가 고온이 되어 진공 시일 성능이 저하하여, 불순물의 혼입에 의한 막질의 저하를 초래할 우려가 있고, 또한, 기구부가 고장나거나, 부재의 열 팽창에 의해 반송 정밀도가 저하하거나 할 우려도 있다. 따라서, 이러한 고온의 웨이퍼에 의한 열의 영향을 회피하는 것이 요구되고 있고, 특허문헌 1에는, 웨이퍼를 반송하는 진공 반송 장치(로보트)의 아암에, 냉매를 순환시키는 냉각 블록을 고착시켜, 아암을 냉각하는 냉각 구조가 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 공개 특허 제2001-35902호 공보
본 개시는 간이한 구조로 고온의 기판으로부터 진공 시일부나 기구부에 열의 영향을 억제할 수 있는 진공 반송 장치 및 기판 처리 시스템을 제공한다.
본 개시의 일양태에 따른 진공 반송 장치는, 진공 중에서 고온의 기판을 반송하는 진공 반송 장치로서, 내부에 기구부를 갖는 아암부와 진공 시일부를 갖는 본체부와, 상기 본체부에 접속되어, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 본체부의 표면에 마련되며, 상기 본체부를 구성하는 재료보다 연면 방향의 열 전도율이 높은 재료로 구성되어, 상기 기판으로부터 상기 기판 유지부에 전열된 열을 수송하는 열 수송 부재와, 상기 열 수송 부재에 의해 수송된 열을 방열하는 방열부를 갖는다.
본 개시에 따르면, 간이한 구조로 고온의 기판으로부터 진공 시일부나 기구부에 열의 영향을 억제할 수 있는 진공 반송 장치 및 기판 처리 시스템이 제공된다.
도 1은 일실시형태에 따른 진공 반송 장치가 이용되는 기판 처리 시스템의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템에 탑재된 일실시형태에 따른 진공 반송 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2의 진공 반송 장치를 보다 상세하게 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시형태에 대해서 설명한다.
<기판 처리 시스템>
도 1은 일실시형태에 따른 진공 반송 장치가 이용되는 기판 처리 시스템의 일례를 나타내는 개략도이다.
기판 처리 시스템(100)은, 복수의 기판에 대하여 연속적으로 고온에서의 처리, 예컨대 CVD, ALD, PVD 등의 성막 처리를 행하는 것이다. 기판은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 이하의 설명에서는, 기판으로서 반도체 웨이퍼(웨이퍼)를 이용한 경우를 예로 들어 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(100)은, 4개의 처리 장치(1, 2, 3, 4)를 구비하고 있고, 이들 처리 장치(1∼4)는 평면 형상이 육각형을 이루는 진공 반송실(5)의 4개의 변에 대응하는 벽부에 각각 대응하여 마련되어 있다. 진공 반송실(5) 내는 진공 펌프(도시하지 않음)에 의해 배기되어 소정의 진공도로 유지되도록 구성되어 있다. 처리 장치(1∼4)에서는, 실제로, 웨이퍼(W)에 대하여 진공 중에 있어서의 고온에서의 처리, 예컨대 웨이퍼(W) 상에 고온에서 박막을 형성하는 성막 처리가 행해진다. 성막 처리로서는, CVD, ALD, PVD가 예시된다.
또한, 진공 반송실(5)의 다른 벽부에는 2개의 로드록실(6)이 접속되어 있다. 2개의 로드록실(6)의 진공 반송실(5)과 반대측에는 대기 반송실(8)이 접속되어 있다. 로드록실(6)은, 대기 반송실(8)과 진공 반송실(5) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 대기압과 진공 사이에서 압력 제어하는 것이다. 또한, 로드록실(6)은 1개여도 3개 이상이어도 좋다.
진공 반송실(5) 내에는, 처리 장치(1∼4), 로드록실(6)에 대하여, 웨이퍼(W)의 반입출을 행하는 진공 반송 장치(12)가 마련되어 있다. 이 진공 반송 장치(12)는, 진공 반송실(5)의 대략 중앙에 배치된 베이스(31)와, 베이스(31)에 기단부가 부착된 2개의 다관절 아암부(32)와, 웨이퍼(W)를 유지하는 2개의 웨이퍼 유지부(33)를 갖는다. 진공 반송 장치(12)의 상세에 대해서는 후술한다.
대기 반송실(8)의 로드록실(6)과 반대측에는 웨이퍼(W)의 수용 용기인 후프(FOUP)를 부착하는 3개의 포트(9, 10, 11)가 마련되어 있다. 대기 반송실(8)의 상부에는 청정 공기의 다운 플로우를 형성하기 위한 필터(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
처리 장치(1∼4)는, 동도면에 나타내는 바와 같이, 진공 반송실(5)의 각 벽부에 대응하는 벽부에 게이트 밸브(G)를 통해 접속되고, 이들은 대응하는 게이트 밸브(G)를 개방함으로써 진공 반송실(5)과 연통되고, 대응하는 게이트 밸브(G)를 폐쇄함으로써 진공 반송실(5)로부터 차단된다. 또한, 2개의 로드록실(6)은, 진공 반송실(5)의 나머지 벽부의 각각에, 제1 게이트 밸브(G1)를 통해 접속되고, 또한, 대기 반송실(8)에 제2 게이트 밸브(G2)를 통해 접속되어 있다.
대기 반송실(8)의 웨이퍼 수납 용기인 포트(9, 10, 11)에는 각각 도시하지 않는 셔터가 마련되어 있고, 이들 포트(9, 10, 11)에 웨이퍼(W)를 수용한, 또는 빈 후프(F)가 스테이지(S)에 직접 부착되고, 부착될 때에 셔터가 벗겨져 외기의 침입을 방지하면서 대기 반송실(8)과 연통하도록 되어 있다. 또한, 대기 반송실(8)의 측면에는 얼라인먼트 챔버(15)가 마련되어 있고, 그래서 웨이퍼(W)의 얼라인먼트가 행해진다.
대기 반송실(8) 내에는, 후프(F)에 대한 웨이퍼(W)의 반입출 및 로드록실(6)에 대한 웨이퍼(W)의 반입출을 행하는 대기 반송 장치(16)가 마련되어 있다. 이 대기 반송 장치(16)는, 2개의 다관절 아암(17)을 갖고 있고, 이들 2개의 다관절 아암(17)이 후프(F)의 배열 방향을 따라 레일(18) 상을 주행 가능하게 되어 있어, 그 선단의 핸드(17a) 상에 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(100)은, 프로세스의 제어를 행하는 제어 장치(20)를 갖고 있다.
이러한 기판 처리 시스템(100)에 있어서는, 먼저, 대기 반송 장치(16)의 다관절 아암(17)에 의해 대기 반송실(8)에 접속된 후프(F)로부터 웨이퍼(W)를 추출하여, 대기 분위기의 로드록실(6)에 반입한다. 그리고, 웨이퍼(W)가 반입된 로드록실(6)을 진공 반송실(5)에 대응하는 진공 상태로 한 후, 그 안의 웨이퍼(W)를 진공 반송 장치(12)의 어느 하나의 웨이퍼 유지부(33)에 의해, 어느 하나의 처리 장치에 반입한다. 웨이퍼(W)가 반입된 처리 장치에서는, 성막 처리 등의 고온 처리가 행해진다.
처리 장치에서의 고온 처리가 종료한 후, 진공 반송 장치(12)의 어느 하나의 웨이퍼 유지부(33)가, 그 처리 장치로부터 처리에 의해 고온, 예컨대 200∼600℃가 된 웨이퍼(W)를 추출하여, 로드록실(6)에 반송한다. 그리고, 웨이퍼(W)가 반입된 로드록실(6)을 대기 분위기로 한 후, 대기 반송 장치(16)의 지지 아암(17)에 의해 그 로드록실로부터 웨이퍼(W)를 추출하여, 후프(F)에 수납한다.
이상의 처리를 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 동시 병행적으로 행하여, 후프(F) 내의 모든 웨이퍼(W)에 대해서 처리를 실시한다.
<진공 반송 장치>
다음에, 일실시형태에 따른 진공 반송 장치에 대해서 설명한다.
도 2는 진공 반송실(5)과 그 안에 마련된 진공 반송 장치(12)의 개략 구성을 나타내는 단면도이고, 도 3은 진공 반송 장치(12)를 보다 상세하게 나타내는 단면도이다.
진공 반송실(5)에는 배기구(52)가 마련되어 있고, 배기구(52)는 배기 배관(53)이 접속되어 있다. 배기 배관(53)에는 압력 제어 밸브(54) 및 진공 펌프(55)가 접속되어 있고, 진공 반송실(5) 내는 미리 정해진 진공도로 조정된다.
진공 반송실(5)에 마련된 진공 반송 장치(12)는, 전술한 바와 같이, 진공 반송실(5)의 대략 중앙에 배치된 베이스(31)와, 베이스(31)에 기단부가 부착된 2개의 다관절 아암부(32)와, 웨이퍼(W)를 유지하는 2개의 웨이퍼 유지부(33)를 갖는다. 2개의 다관절 아암부(32) 및 2개의 기판 유지부(33)는, 각각 동일한 구조를 갖고 있기 때문에, 도 3에서는 주로 한쪽만을 나타내고 있다.
베이스(31)는, 반송실(5)의 바닥부에 마련되고, 내부가 대기압의 중공 구조로 되어 있고, 내부에 구동부가 마련되어 있다. 다관절 아암부(32)는, 제1 아암(41)과 제2 아암(42)을 갖고 있다. 제1 아암(41)의 기단부는, 베이스(31)의 상면으로부터 연장되는 축 및 진공 시일부를 포함하는 연결부(34)에 의해, 베이스(31)의 상면에 선회 가능하게 연결되어 있다. 또한, 제2 아암(42)의 기단부는, 축 및 진공 시일부를 포함하는 연결부(43)에 의해, 제1 아암(41)의 선단부에 선회 가능하게 연결되어 있다. 웨이퍼 유지부(33)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 것이며, 그 기단부는, 축 및 진공 시일부를 포함하는 연결부(35)에 의해, 제2 아암(42)의 선단부에 선회 가능하게 접속되어 있다. 진공 반송 장치(12)의 웨이퍼 유지부(33) 이외의 부분은 본체부를 구성한다.
제1 아암(41), 제2 아암(42)은, 내부가 대기압의 중공 구조로 되어 있고, 내부에 동력 전달 기구가 마련되어 있다. 이에 의해, 구동부의 구동력을, 동력 전달 기구를 통해, 제1 아암(41), 제2 아암(42), 웨이퍼 유지부(33)에 전달시키고, 이들을 접속부(34, 43, 35)를 통해 자유롭게 선회시켜 원하는 웨이퍼 반송 동작을 행할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 진공 반송 장치(12)는, 일반적인 링크 기구에 의해 다관절 구조를 실현하며, 구동부 및 동력 전달 기구를 포함하는 기구부에 의해 동작된다.
본체부의 주요부를 이루는, 베이스(31)의 케이스, 다관절 아암부(32) 및 연결부(34, 35, 43)의 시일부 이외의 부분은, 알루미늄 등의 금속으로 구성된다. 웨이퍼 유지부(33)는, 웨이퍼(W)의 온도에 대하여 내열성을 갖는 재료로 구성된다. 웨이퍼 유지부(33)는, 웨이퍼(W)의 온도가 200℃ 이하이면 일반적인 알루미늄을 이용할 수 있지만, 200℃를 넘는 경우는, 내열성이 높은 재료, 예컨대 알루미나 등이 바람직하다. 또한, 웨이퍼 유지부(33)를 후술하는 열 수송 부재(61)와 동일한 재료로 구성하여도 좋다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 진공 반송 장치의 본체부, 즉, 베이스(31), 다관절 아암부(32)의 제1 아암(41) 및 제2 아암(42)과, 연결부(34, 35, 43)의 표면에는, 단열 부재(62)를 통해, 열 수송 부재(61)가 마련되어 있다. 열 수송 부재(61)는, 본체부를 구성하는 재료보다 연면 방향의 열 전도율이 높은 재료로 구성되어 있다. 열 수송 부재(61)는, 베이스(31)의 케이스로부터 더욱 진공 반송실(5)의 바닥벽(51)의 내측을 베이스(31)로부터 멀어지는 방향으로 연장되고, 도중에 진공 반송실(5)의 하방으로 연장되어, 진공 반송실(5)의 외부에 마련된 방열부(70)에 이른다. 또한, 도 3에서는 열 수송 부재(61)는 일체의 부재로서 그려져 있지만, 접속부(34, 43, 35)에 있어서는, 웨이퍼 유지부(33), 제1 아암(41), 제2 아암(42)이 선회 가능하도록, 열 수송 부재(61)는 접촉을 유지한 상태에서 분리하고 있다. 또한, 접속부(35)에는 열 수송 부재(61)를 마련하지 않아도 좋다.
이에 의해, 고온의 웨이퍼(W)로부터의 열이 웨이퍼 유지부(33)에 전열된 후, 본체부의 표면에 마련된 열 수송 부재(61)를 방열부(70)까지 수송되어, 방열부(70)에서 방열된다. 방열부(70)는 특별히 한정되지 않고, 핀 등의 히트 싱크여도 좋고, 냉각 기능을 갖는 것이어도 좋다. 또한, 단순히 열 수송 부재(61)를 진공 반송실(5)의 외부에 노출시키고, 그 노출부를 방열부로서 이용하여도 좋다.
열 수송 부재(61)는, 베이스(31)의 케이스, 다관절 아암부(32)의 제1 아암(41) 및 제2 아암(42) 등을 포함하는 본체부를 구성하는 재료보다 연면 방향의 열 전도율이 높으면 좋고, 예컨대, 본체부가 알루미늄으로 구성되어 있는 경우는, 구리, AlN, 그래파이트 등을 들 수 있다. 알루미늄의 열 전도율은 200 W/m·K 정도인 데 대하여, 구리는 370∼400 W/m·K, AlN은 250 W/m·K이다. 또한, 그래파이트는 열 전도율에 이방성이 있어, 두께 방향에서는 100 W/m·K인 데 대하여, 연면 방향에서는 2000 W/m·K로 알루미늄의 10배 정도의 매우 큰 열 전도율이 얻어진다. 이 때문에, 베이스(31)나 다관절 아암부(32) 등의 본체부에의 전열을 억제하면서, 매우 큰 열 수송성을 발휘한다. 또한, 웨이퍼 유지부(33)의 표면에 열 수송 부재(61)를 마련하여도 좋다.
단열 부재(62)를 구성하는 재료로서는, 수지 등의 저열 전도성의 재료를 들 수 있고, 다공질체여도 좋다. 또한, 본체부와 열 수송 부재(61) 사이에 간극을 두고 진공 단열로 하여도 좋다.
또한, 열 수송 부재(61)로부터 진공 시일부나 기구부에 미치는 열이 허용되면, 본체부와 열 수송 부재(61) 사이에 단열재(62)나 간극을 마련하는 일없이, 본체부에 직접 열 수송 부재(61)를 마련하여도 좋다.
본 실시형태에서는, 기판에 대하여 고온에서의 처리, 예컨대 CVD, ALD, PVD 등의 고온에서의 성막 처리를 행한다. 진공 반송 장치(12)의 기판 유지부(33)에 의해 웨이퍼(W)를 웨이퍼 유지부(33)로 처리 장치로부터 추출할 때의 웨이퍼(W)의 온도는, 예컨대, 200∼600℃의 고온이 된다.
이 경우, 진공 반송 장치(12)는, 접속부(34, 43, 35) 등에 존재하는 진공 시일부는, 자성 유체나 시일 링 등을 포함하며 내열성을 갖지 않기 때문에, 웨이퍼(W)로부터의 열이 전달되면 진공 시일 성능이 저하하여, 불순물의 혼입에 의해 막질의 저하를 초래할 우려가 있다. 또한, 구동부나 동력 전달 기구와 같은 기구부도 내열성을 갖지 않기 때문에, 웨이퍼(W)로부터의 열이 전달되면 고장이나 반송 정밀도의 저하의 우려가 있다. 그와 같은 열의 영향을 회피하기 위해, 특허문헌 1과 같이, 냉매를 순환시키는 냉각 기구를 마련하면, 진공 반송 장치의 구조가 복잡해져, 장치가 대형화하고, 비용도 증대한다.
이에 대하여, 본 실시형태에서는, 진공 반송 장치(12)에 있어서, 웨이퍼 유지부(33)에 유지된 고온의 웨이퍼(W)의 열을, 연면 방향의 열 전도율이 다관절 아암부(32) 등을 구성하는 재료의 열 전도율보다 높은 재료로 구성된 열 수송 부재(61)에 의해 전열시켜 수송하고, 방열한다. 구체적으로는, 접속부(35), 제2 아암(42), 접속부(43), 제1 아암(41), 접속부(34) 및 베이스(31)의 케이스의 표면을 따라 열 수송 부재(61)를 마련하여, 웨이퍼(W)로부터 웨이퍼 유지부(33)에 전열한 열을, 열 수송 부재(61)에 전열시켜 그 연면 방향에 수송한다. 그리고, 열 수송 부재(61)의 연면 방향에 전열하여 수송된 열은, 진공 반송실(5)의 외부에 마련된 방열부(70)에 방열된다. 따라서, 냉각 기구와 같은 대규모의 구성을 이용하는 일없이, 간이한 구조로, 진공 시일부나 기구부에 미치는 열을 억제할 수 있다.
또한, 베이스(31)나 다관절 아암부(32)나 접속부(34, 43, 35)를 포함하는 본체부와 열 수송 부재(61) 사이에 단열 부재(62)를 마련함으로써, 열 수송 부재(61)로부터 진공 시일부나 기구부에 미치는 열을 보다 유효하게 억제할 수 있다. 또한, 본체부와 열 수송 부재(61) 사이에 간극을 두고 진공 단열로 함으로써 동일한 효과를 얻을 수 있다.
열 수송 부재(61)를 구성하는 재료로서는, 전술한 바와 같이, 본체부를 구성하는 재료보다 연면 방향의 열 전도율이 높은 것이 이용되지만, 특히 그래파이트를 적합하게 이용할 수 있다. 그래파이트는 열 전도율에 이방성이 있어, 두께 방향에서는 100 W/m·K인 데 대하여, 연면 방향에서는 2000 W/m·K로 알루미늄의 10배 정도의 매우 큰 값이 된다. 따라서, 베이스(31)나 다관절 아암부(32) 등의 본체부에의 전열을 억제하면서, 연면 방향에 매우 큰 열 수송성을 발휘할 수 있어, 진공 시일부나 기구부에의 열 영향을 억제하는 효과가 매우 높다.
<다른 적용>
이상, 실시형태에 대해서 설명하였지만, 이번에 개시된 실시형태는, 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시형태는, 첨부된 청구범위 및 그 주지를 일탈하는 일없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
예컨대, 상기 실시형태에서는, 베이스와, 다관절 아암부와, 웨이퍼 유지부를 갖는 진공 반송 장치에 대해서 나타내었지만, 이 구조에 한정되지 않고, 진공 시일부 및 기구부를 갖는 본체부와, 웨이퍼 유지부를 갖는 구조이면 좋다.
또한, 기판으로서 반도체 웨이퍼를 이용한 경우에 대해서 나타내었지만, 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, FPD(플랫 패널 디스플레이) 기판이나, 세라믹스 기판 등의 다른 기판이어도 좋다.

Claims (11)

  1. 진공 중에서 고온의 기판을 반송하는 진공 반송 장치로서,
    내부에 기구부를 갖는 아암부와 진공 시일부를 갖는 본체부와,
    상기 본체부에 접속되어, 기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 본체부의 표면에 마련되며, 상기 본체부를 구성하는 재료보다 연면 방향(沿面方向)의 열 전도율이 높은 재료로 구성되어, 상기 기판으로부터 상기 기판 유지부에 전열된 열을 수송하는 열 수송 부재와,
    상기 열 수송 부재에 의해 수송된 열을 방열하는 방열부
    를 갖는 진공 반송 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 아암부는, 제1 아암과, 제2 아암과, 상기 제1 아암과 상기 제2 아암을 접속하는 제1 접속부를 갖는 다관절 구조이고, 상기 제1 접속부에 상기 진공 시일이 마련되어 있는 것인 진공 반송 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 본체부는, 내부에 기구부로서 구동부를 갖는 베이스를 더 갖고, 상기 베이스에 제2 접속부를 통해 상기 아암부가 접속되어 있고, 상기 제2 접속부에 상기 진공 시일이 마련되어 있는 것인 진공 반송 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 본체부는, 상기 아암부와 상기 기판 유지부를 접속하는 제3 접속부를 더 갖고, 상기 제3 접속부에 상기 진공 시일이 마련되어 있는 것인 진공 반송 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열 수송 부재는, 그래파이트로 구성되는 것인 진공 반송 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 본체부와 상기 열 수송 부재 사이에 마련된 절연 부재
    를 더 갖는 진공 반송 장치.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 본체부와 상기 열 수송 부재 사이에 간극을 갖고, 상기 간극에 의해 상기 본체부와 상기 열 수송 부재가 진공 단열되는 것인 진공 반송 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 200∼600℃인 것인 진공 반송 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공 반송 장치는, 진공으로 유지된 진공 반송실의 내부에 마련되고, 상기 방열부는 상기 진공 반송실의 외부에 마련되고, 상기 열 수송 부재는, 상기 진공 반송실의 외부로 연장되는 것인 진공 반송 장치.
  10. 기판에 대하여 진공 중에서 고온의 처리를 행하는 처리 장치와,
    상기 처리 장치와 인접하여 마련되며, 진공으로 유지된 진공 반송실과,
    상기 진공 반송실의 내부에 마련되며, 상기 처리 장치에 대하여 기판을 반출 및 반입하는, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 구성을 갖는 진공 반송 장치
    를 갖는 기판 처리 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 방열부는 상기 진공 반송실의 외부에 마련되고, 상기 열 수송 부재는, 상기 진공 반송실의 외부로 연장되는 것인 기판 처리 시스템.
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