KR20220005430A - 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템, 증착 마스크 결함 원인 특정 방법 및 프로그램 - Google Patents
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Abstract
복수의 구멍이 형성된 기재를 갖는 증착 마스크의 결함 원인을 특정하는 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템은, 정상 구멍 부분과 불량 구멍 부분을 포함하는 상기 복수의 구멍을 촬상한 복수의 구멍 부분과, 복수의 구멍의 주위의 상기 기재를 촬상한 기재 부분을 포함하는 상기 증착 마스크의 촬상 화상을 취득하는 화상 취득부와, 화상 취득부에 의해서 취득된 촬상 화상에 포함되는 정상 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 1 면적 산출부와, 화상 취득부에 의해서 취득된 촬상 화상에 포함되는 불량 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 2 면적 산출부와, 정상 구멍 부분의 면적에 대한 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율을 산출하는 면적 비율 산출부와, 불량 구멍 부분의 원인을 특정하는 결함 원인 특정부를 구비하고, 결함 원인 특정부는, 면적 비율이 1 이상인 경우에, 불량 구멍 부분의 원인이, 제 1 원인 또는 제 2 원인이라고 특정하고, 면적 비율이 1 미만인 경우에, 불량 구멍 부분의 원인이, 제 1 원인 및 제 2 원인 중 어느 것도 아닌 원인이라고 특정한다.
Description
본 발명은 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템, 증착 마스크 결함 원인 특정 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
본원은 2019년 4월 26일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2019-086570호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
종래부터, 웨이퍼의 화상으로부터 웨이퍼의 결함을 검출하는 웨이퍼 결함 검출 장치가 알려져 있다 (특허문헌 1 참조). 특허문헌 1 에 기재된 웨이퍼 결함 검출 장치에서는, 화상 중의 웨이퍼의 검사 대상의 영역 내의 각 화소에 대해서 이동 평균 휘도가 산출되고, 각 화소가 결함 후보 화소인지의 여부가 판정된다.
그런데, 특허문헌 1 에 기재된 기술에서는, 면적, 원형도, 긴 폭과 짧은 폭의 비 등에 기초하여 결함 종류가 판정되기는 하지만, 특허문헌 1 에 기재된 웨이퍼 결함 검출 장치는, 결함의 원인 (요컨대, 그와 같은 결함이 발생된 원인) 을 특정할 수 없다.
또, 종래부터, 메탈 마스크의 표면 상의 이물질을 검출하는 메탈 마스크 검사 장치가 알려져 있다 (특허문헌 2 참조). 특허문헌 2 에 기재된 메탈 마스크 검사 장치에서는, 슬릿부 (투과시키는 부분) 와 와이어부 (마스크하는 부분) 를 갖는 메탈 마스크의 검사를 행하기 위해서, 백라이트 화상, 동축 반사 화상 등이 사용된다.
그런데, 특허문헌 2 에 기재된 기술에서는, 백라이트 화상, 동축 반사 화상 등을 사용함으로써, 슬릿부에서 나온 이물질 등이 검출된다. 그러나, 특허문헌 2 에 기재된 메탈 마스크 검사 장치에 의해서도, 결함의 원인 (요컨대, 그와 같은 이물질 등이 발생된 원인) 을 특정할 수 없다.
증착 마스크의 제조 현장에 있어서는, 검사 담당자가 증착 마스크의 촬상 화상을 육안으로 봄으로써, 증착 마스크에 포함되는 복수의 구멍의 형상을 확인하고 있다. 증착 마스크에 불량 구멍이 포함되는 경우에는, 검사 담당자가 불량 구멍의 형상에 기초하여 불량 구멍의 원인을 판단하고 있다. 구체적으로는, 검사 담당자는 불량 구멍의 사이즈가 정상 구멍의 사이즈보다 큰지의 여부, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상 (예를 들어, 결손 형상) 으로 되어 있는지의 여부 등을 육안으로 확인하고 있다.
본 발명자들은, 예의 연구에 있어서, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 예를 들어 아래와 같은 경우에 있어서, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 이상으로 되며, 또한, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트 자체에 이물질이 있어 현상시에 탈락되었을 경우 (요컨대, 레지스트 패턴이 결손된 경우), (2) 증착 마스크의 제조 중에 레지스트에 물리적으로 흠집이 났을 경우 (요컨대, 레지스트 패턴이 결손된 경우) 등을 들 수 있다. 또, 예를 들어 드라이 필름 레지스트가 적용되는 예에서는, (3) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시에 이물질이 사이에 끼이고, 레지스트와 기재가 밀착되지 않은 부분이 구멍에 위치해 있을 경우 (요컨대, 레지스트 패턴이 결손된 경우), (4) 기재의 전처리 이후부터 레지스트의 기재에 대한 라미네이트 처리까지, 기재의 오염이 제거되어 있지 않는 경우, (5) 노광 마스크 (증착 마스크의 원판) 에 문제가 있을 경우 (요컨대, 레지스트 패턴이 결손된 경우), (6) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시의 에어의 끼임이 발생되었을 경우, 및, (7) 노광시의 이물질 (증착 마스크측이 아니고, 기재측의 이물질) 에 의한 노광 저해 (공통이 아니고, 단발의 노광 저해) 가 발생되었을 경우 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명자들은, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 예를 들어 아래와 같은 경우에 있어서, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되지 않고, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 이상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 노광 마스크의 개구 패턴에 문제가 있을 경우 (노광 마스크의 개구 패턴의 사이즈가 설계치보다 작을 경우), (2) 노광 마스크의 표면 전체가 일정하게 오염되어 있었을 경우 (광량이 부족할 경우), (3) 레지스트의 기재에 대한 라미네이트 처리의 조건이 적절하지 않아 (요컨대, 사전의 조건 설정이 적절하지 않아) 레지스트의 기재에 대한 밀착성이 저하되었을 경우, (4) 에칭에 의한 침입 (온도, 산 등) 이 있었을 경우 등을 들 수 있다.
또, 본 발명자들은, 증착 마스크의 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 예를 들어 아래와 같은 경우에 있어서, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 미만으로 되며, 또한, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트와 기재 사이의 이물질에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (2) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한, 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트의 일부가 경화되어, 국소적인 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (3) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트의 개구 내의 잔존물에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (4) 노광 마스크의 개구 패턴에 국소적인 결손이 있을 경우, 및, (5) 노광 마스크의 기재에 대향하는 면에 있어서, 기재를 향하여 돌출하는 국소적인 흠집에 의한 버 (돌출부) 가 있을 경우 (요컨대, 레지스트에 대한 노광시에, 돌출부 주변에서 광이 산란하여, 돌출부 주변의 레지스트가 경화되는 경우) 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명자들은, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 예를 들어 아래와 같은 경우에 있어서, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되지 않고, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 미만으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트의 개구의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (2) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트의 개구 내의 피막 잔사에 의한 에칭 부족이 발생되었을 경우, (3) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한, 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (4) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름의 내부의 이물질에 의한, 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생되었을 경우, 및, (5) 레지스트의 밀착 부족에서 기인하는, 레지스트에 대한 노광시의 광의 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생되었을 경우 등을 들 수 있다.
또, 본 발명자들은, 증착 마스크의 제작시에 사용하는 레지스트가 포지티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 예를 들어 아래와 같은 경우에 있어서, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 이상으로 되며, 또한, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트 자체에 이물질이 있어 현상시에 탈락되었을 경우 등을 들 수 있다. 또, 예를 들어 드라이 필름 레지스트가 적용되는 예에서는 (2) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시에 이물질이 사이에 끼였을 경우, (3) 레지스트와 기재가 밀착되지 않은 부분이 구멍에 위치해 있을 경우, (4) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시의 에어의 끼임이 발생되었을 경우, 및, (5) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 레지스트의 일부가 분해되어, 국소적으로 에칭이 지나치게 진행되었을 경우 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명자들은, 증착 마스크의 제작시에 사용하는 레지스트가 포지티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 예를 들어 아래와 같은 경우에 있어서, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되지 않고, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 이상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트의 기재에 대한 라미네이트 처리의 조건이 적절하지 않아 (요컨대, 사전의 조건 설정이 적절하지 않아) 레지스트의 기재에 대한 밀착성이 저하되었을 경우, (2) 에칭에 의한 침입 (온도, 산 등) 이 있었을 경우, (3) 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한, 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 레지스트의 일부가 분해되어, 에칭이 지나치게 진행되었을 경우, (4) 레지스트의 캐리어 필름의 내부의 이물질에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 레지스트의 일부가 분해되어, 에칭이 지나치게 진행되었을 경우, 및, (5) 레지스트에 대한 노광시의 밀착 부족에 수반하는 광의 산란에 의한 레지스트의 분해가 발생되었을 경우 등을 들 수 있다.
또, 본 발명자들은, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 포지티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 예를 들어 아래와 같은 경우에 있어서, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 미만으로 되며, 또한, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트와 기재 사이의 이물질에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (2) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트의 개구 내의 잔존물에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (3) 노광 마스크에 형성되어 있는 구멍의 일부를 막는 결함이나 이물질의 부착이 있는 경우 (요컨대, 레지스트 패턴으로 에칭되는 부분이 좁아지는 경우), 및, (4) 레지스트에 대한 노광시의 이물질에 의한, 레지스트에 대한 노광 저해가 발생되었을 경우 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명자들은, 증착 마스크 제작시에 사용하는 포지티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 예를 들어 아래와 같은 경우에 있어서, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되지 않고, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 미만으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트의 개구의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (2) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트의 개구 내의 피막 잔사에 의한 에칭 부족이 발생되었을 경우, 및, (3) 노광 마스크의 표면 전체가 일정하게 오염되어 있었을 경우 등을 들 수 있다.
그래서, 본 발명은, 증착 마스크의 검사 담당자가 불량 구멍 부분의 형상을 육안으로 확인할 필요 없이, 불량 구멍 부분의 원인을 특정할 수 있는 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템, 증착 마스크 결함 원인 특정 방법 및 프로그램을 제공하는 것을 목적에서 한다.
본 발명의 제 1 양태에 관련된 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템은, 복수의 구멍이 형성된 기재를 갖는 증착 마스크의 결함 원인을 특정하는 시스템에 있어서, 정상 구멍 부분과 불량 구멍 부분을 포함하는 상기 복수의 구멍을 촬상한 복수의 구멍 부분과, 상기 복수의 구멍의 주위의 상기 기재를 촬상한 기재 부분을 포함하는 상기 증착 마스크의 촬상 화상을 취득하는 화상 취득부와, 상기 화상 취득부에 의해서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 1 면적 산출부와, 상기 화상 취득부에 의해서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 불량 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 2 면적 산출부와, 상기 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율을 산출하는 면적 비율 산출부와, 상기 불량 구멍 부분의 원인을 특정하는 결함 원인 특정부를 구비하고, 상기 결함 원인 특정부는, 상기 면적 비율이 1 이상인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 제 1 원인 또는 제 2 원인이라고 특정하고, 상기 면적 비율이 1 미만인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인 및 상기 제 2 원인 중 어느 것도 아닌 원인이라고 특정한다.
또, 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템은, 상기 화상 취득부에 의해서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의, 상기 불량 구멍 부분의 무게 중심 위치부터, 상기 불량 구멍 부분과 상기 불량 구멍 부분의 주위의 상기 기재 부분의 경계 부분까지의 길이인 직경 치수를 산출하는 직경 치수 산출부와, 상기 직경 치수 산출부에 의해서 산출된 상기 직경 치수에 기초하여 상기 불량 구멍 부분의 형상의 대칭성을 판정하는 대칭성 판정부를 추가로 구비하고, 상기 직경 치수 산출부는, 상기 무게 중심 위치를 중심으로 하는 45°간격의 8 방향의 상기 직경 치수를 산출해도 된다.
또, 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템에서는, 상기 결함 원인 특정부는, 상기 면적 비율이 1 이상인 경우로서, 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 상기 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 상기 대칭성 판정부에 의해서 판정된 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인이라고 특정하고, 상기 면적 비율이 1 이상인 경우로서, 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 상기 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖는다고 상기 대칭성 판정부에 의해서 판정된 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인과는 상이한 상기 제 2 원인이라고 특정하고, 상기 면적 비율이 1 미만인 경우로서, 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 상기 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 상기 대칭성 판정부에 의해서 판정된 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인 및 상기 제 2 원인 중 어느 것도 아닌 제 3 원인이라고 특정하고, 상기 면적 비율이 1 미만인 경우로서, 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 상기 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖는다고 상기 대칭성 판정부에 의해서 판정된 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인, 상기 제 2 원인 및 상기 제 3 원인 중 어느 것도 아닌 제 4 원인이라고 특정해도 된다.
또, 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템에서는, 상기 증착 마스크의 제작에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우, 상기 제 1 원인에는, 상기 레지스트 자체에 이물질이 있어 현상시에 탈락된 것, 상기 증착 마스크의 제조 중에 상기 레지스트에 물리적으로 흠집이 난 것, 상기 기재에 대한 상기 레지스트의 라미네이트시에 이물질이 사이에 끼이고, 상기 레지스트와 상기 기재가 밀착되지 않은 부분이 상기 불량 구멍 부분에 위치해 있는 것, 상기 기재의 전처리 이후부터 상기 레지스트의 상기 기재에 대한 라미네이트 처리까지 상기 기재의 오염이 제거되어 있지 않는 것, 상기 증착 마스크의 제작에 사용하는 노광 마스크에 문제가 있는 것, 상기 기재에 대한 상기 레지스트의 라미네이트시의 에어의 끼임이 발생된 것, 및, 노광시의 이물질에 의한 노광 저해가 발생된 것 중 적어도 어느 것이 포함되고, 상기 제 2 원인에는, 상기 노광 마스크의 개구 패턴에 문제가 있는 것, 상기 노광 마스크의 표면 전체가 일정하게 오염되어 있던 것, 상기 레지스트의 기재에 대한 라미네이트 처리의 조건이 적절하지 않아, 상기 레지스트의 기재와의 밀착성이 저하된 것, 및, 에칭에 의한 침입이 있었던 것 중 적어도 어느 것이 포함되고, 상기 제 3 원인에는, 상기 레지스트와 상기 기재 사이의 이물질에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생된 것, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한, 상기 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 상기 레지스트의 일부가 경화되어, 국소적인 에칭의 지연이 발생된 것, 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 상기 레지스트의 개구 내의 잔존물에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생된 것, 상기 노광 마스크의 상기 개구 패턴에 국소적인 결손이 있는 것, 및, 상기 노광 마스크의 상기 기재에 대향하는 면에 있어서, 상기 기재를 향하여 돌출하는 국소적인 흠집에 의한 버가 있는 것 중 적어도 어느 것이 포함되고, 상기 제 4 원인에는, 상기 레지스트의 개구의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연이 발생된 것, 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 상기 레지스트의 개구 내의 피막 잔사에 의한 에칭 부족이 발생된 것, 상기 드라이 필름 레지스트의 상기 캐리어 필름 상의 이물질에 의한, 상기 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 상기 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생된 것, 상기 드라이 필름 레지스트의 상기 캐리어 필름의 내부의 이물질에 의한, 상기 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 상기 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생된 것, 및, 상기 레지스트의 밀착 부족에서 기인하는, 상기 레지스트에 대한 노광시의 광의 산란에 의해서, 차광되어 있는 상기 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생된 것 중 적어도 어느 것이 포함되어도 된다.
또, 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템에서는, 상기 증착 마스크의 제작에 사용하는 레지스트가 포지티브 타입인 경우, 상기 제 1 원인에는, 상기 레지스트 자체에 이물질이 있어 현상시에 탈락된 것, 상기 기재에 대한 상기 레지스트의 라미네이트시에 이물질이 사이에 끼인 것, 상기 레지스트와 상기 기재가 밀착되지 않은 부분이 상기 불량 구멍 부분에 위치해 있는 것, 상기 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시의 에어의 끼임이 발생된 것, 및, 상기 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 상기 레지스트의 일부가 분해되어, 국소적으로 에칭이 지나치게 진행된 것 중 적어도 어느 것이 포함되고, 상기 제 2 원인에는, 상기 레지스트의 상기 기재에 대한 라미네이트 처리의 조건이 적절하지 않아, 상기 레지스트의 상기 기재에 대한 밀착성이 저하된 것, 에칭에 의한 침입이 있었던 것, 상기 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 상기 레지스트의 일부가 분해되어, 에칭이 지나치게 진행된 것, 상기 레지스트의 캐리어 필름의 내부의 이물질에 의한, 상기 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 상기 레지스트의 일부가 분해되어, 에칭이 지나치게 진행된 것, 및, 상기 레지스트에 대한 노광시의 밀착 부족에 수반하는 광의 산란에 의한 상기 레지스트의 분해가 발생된 것 중 적어도 어느 것이 포함되고, 상기 제 3 원인에는, 상기 레지스트와 상기 기재 사이의 이물질에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생된 것, 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 상기 레지스트의 개구 내의 잔존물에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생된 것, 상기 증착 마스크의 제작에 사용하는 노광 마스크에 형성되어 있는 구멍의 일부를 막는 결함이나 이물질의 부착이 있는 것, 및, 상기 레지스트에 대한 노광시의 이물질에 의한, 상기 레지스트에 대한 노광 저해가 발생된 것 중 적어도 어느 것이 포함되고, 상기 제 4 원인에는, 상기 레지스트의 개구의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연이 발생된 것, 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 상기 레지스트의 개구 내의 피막 잔사에 의한 에칭 부족이 발생된 것, 및, 상기 노광 마스크의 표면 전체가 일정하게 오염되어 있던 것 중 적어도 어느 것이 포함되어도 된다.
본 발명의 제 2 양태에 관련된 증착 마스크 결함 원인 특정 방법은, 복수의 구멍이 형성된 기재를 갖는 증착 마스크의 결함 원인을 특정하는 방법에 있어서, 정상 구멍 부분과 불량 구멍 부분을 포함하는 상기 복수의 구멍을 촬상한 복수의 구멍 부분과, 상기 복수의 구멍의 주위의 상기 기재를 촬상한 기재 부분을 포함하는 상기 증착 마스크의 촬상 화상을 취득하는 화상 취득 스텝과, 상기 화상 취득 스텝에 있어서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 1 면적 산출 스텝과, 상기 화상 취득 스텝에 있어서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 불량 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 2 면적 산출 스텝과, 상기 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율을 산출하는 면적 비율 산출 스텝과, 상기 불량 구멍 부분의 원인을 특정하는 결함 원인 특정 스텝을 구비하고, 상기 결함 원인 특정 스텝에서는, 상기 면적 비율이 1 이상인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 제 1 원인 또는 제 2 원인이라고 특정되고, 상기 면적 비율이 1 미만인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인 및 상기 제 2 원인 중 어느 것도 아닌 원인이라고 특정된다.
본 발명의 제 3 양태에 관련된 프로그램은, 복수의 구멍이 형성된 기재를 갖는 증착 마스크의 결함 원인을 특정하는 결함 원인 특정 프로그램에 있어서, 컴퓨터에, 정상 구멍 부분과 불량 구멍 부분을 포함하는 상기 복수의 구멍을 촬상한 복수의 구멍 부분과, 상기 복수의 구멍의 주위의 상기 기재를 촬상한 기재 부분을 포함하는 상기 증착 마스크의 촬상 화상을 취득하는 화상 취득 스텝과, 상기 화상 취득 스텝에 있어서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 1 면적 산출 스텝과, 상기 화상 취득 스텝에 있어서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 불량 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 2 면적 산출 스텝과, 상기 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율을 산출하는 면적 비율 산출 스텝과, 상기 불량 구멍 부분의 원인을 특정하는 결함 원인 특정 스텝을 실행시키기 위한 프로그램으로서, 상기 결함 원인 특정 스텝에서는, 상기 면적 비율이 1 이상인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 제 1 원인 또는 제 2 원인이라고 특정되고, 상기 면적 비율이 1 미만인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인 및 상기 제 2 원인 중 어느 것도 아닌 원인이라고 특정된다.
본 발명의 제 4 양태에 관련된 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템은, 복수의 구멍이 형성된 기재를 갖는 증착 마스크의 결함 원인을 특정하는 시스템에 있어서, 정상 구멍 부분과 불량 구멍 부분을 포함하는 상기 복수의 구멍을 촬상한 복수의 구멍 부분과, 상기 복수의 구멍의 주위의 상기 기재를 촬상한 기재 부분을 포함하는 상기 증착 마스크의 촬상 화상을 취득하는 화상 취득부와, 상기 화상 취득부에 의해서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 1 면적 산출부와, 상기 화상 취득부에 의해서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 불량 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 2 면적 산출부와, 상기 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율을 산출하는 면적 비율 산출부와, 상기 불량 구멍 부분의 원인을 특정하는 결함 원인 특정부와, 교사 데이터 취득부를 구비하고, 상기 교사 데이터 취득부는, 학습용 제 1 증착 마스크의 촬상 화상과, 상기 학습용 제 1 증착 마스크에 포함되는 불량 구멍 부분의 원인의 관계를 나타내는 제 1 교사 데이터와, 학습용 제 2 증착 마스크의 촬상 화상과, 상기 학습용 제 2 증착 마스크에 포함되는 불량 구멍 부분의 원인의 관계를 나타내는 제 2 교사 데이터를 취득하고, 상기 학습용 제 1 증착 마스크에 포함되는 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율은 1 이상이고, 상기 학습용 제 2 증착 마스크에 포함되는 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율은 1 미만이고, 상기 결함 원인 특정부는, 상기 제 1 교사 데이터 및 상기 제 2 교사 데이터를 사용한 지도 학습을 실행한 후에, 상기 면적 비율 산출부에 의해서 산출된 상기 면적 비율이 1 이상인 경우의 상기 불량 구멍 부분의 원인과, 상기 면적 비율 산출부에 의해서 산출된 상기 면적 비율이 1 미만인 경우의 상기 불량 구멍 부분의 원인을 특정한다.
본 발명에 의하면, 증착 마스크의 검사 담당자가 불량 구멍 부분의 형상을 육안으로 확인할 필요 없이, 불량 구멍 부분의 원인을 특정할 수 있는 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템, 증착 마스크 결함 원인 특정 방법 및 프로그램을 제공할 수 있다.
도 1 은, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2 는, 면적 비율 산출부에 의해서 산출된 면적 비율이 1 이상인 경우에 화상 취득부에 의해서 취득된 증착 마스크의 촬상 화상의 일부의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3 은, 면적 비율 산출부에 의해서 산출된 면적 비율이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 상에 있어서의 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖지 않는 경우에 화상 취득부에 의해서 취득된 증착 마스크의 촬상 화상의 일부의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 면적 비율 산출부에 의해서 산출된 면적 비율이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 상에 있어서의 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖는 경우에 화상 취득부에 의해서 취득된 증착 마스크의 촬상 화상의 일부의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5 는, 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 대칭성 판정부에 의해서 판정되는 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 6 은, 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖는다고 대칭성 판정부에 의해서 판정되는 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 7 은, 제 1 원인에 포함되는 원인의 하나인 증착 마스크의 제조시에 있어서의 기재에 대한 레지스트의 밀착성 불량의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 는, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우에 제 1 원인에 포함되는 원인의 하나인 레지스트 상 또는 레지스트 중의 이물질에 의한 노광 장해에 의한 레지스트의 경화 부족의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 8b 는, 도 8a 의 기재를 에칭 처리한 후의 도면이다.
도 9 는, 제 3 원인에 포함되는 원인의 하나인 레지스트와 기재 사이의 이물질에 의한 국소적인 에칭의 지연의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 10 은, 제 3 원인에 포함되는 원인의 하나인 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트의 개구 내의 잔존물에 의한 국소적인 에칭의 지연의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 11 은, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우에 제 4 원인에 포함되는 원인의 하나인 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질 또는 캐리어 필름의 내부의 이물질에 의한 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트의 일부가 경화되는 것에 의한 국소적인 에칭의 지연의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 12 는, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템에 있어서 실행되는 처리의 일례를 설명하기 위한 플로 차트이다.
도 13 은, 제 2 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 14a 는, 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하는 도면이고, 기재의 양면에 드라이 필름 레지스트를 라미네이트하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14b 는, 도 14a 의 다음의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14c 는, 도 14b 의 다음의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14d 는, 도 14c 의 다음의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14e 는, 도 14d 의 다음의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15 는, 증착 마스크에 형성된 구멍의 형상 및 치수를 설명하기 위한 도면이다.
도 2 는, 면적 비율 산출부에 의해서 산출된 면적 비율이 1 이상인 경우에 화상 취득부에 의해서 취득된 증착 마스크의 촬상 화상의 일부의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3 은, 면적 비율 산출부에 의해서 산출된 면적 비율이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 상에 있어서의 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖지 않는 경우에 화상 취득부에 의해서 취득된 증착 마스크의 촬상 화상의 일부의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 면적 비율 산출부에 의해서 산출된 면적 비율이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 상에 있어서의 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖는 경우에 화상 취득부에 의해서 취득된 증착 마스크의 촬상 화상의 일부의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5 는, 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 대칭성 판정부에 의해서 판정되는 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 6 은, 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖는다고 대칭성 판정부에 의해서 판정되는 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 7 은, 제 1 원인에 포함되는 원인의 하나인 증착 마스크의 제조시에 있어서의 기재에 대한 레지스트의 밀착성 불량의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 는, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우에 제 1 원인에 포함되는 원인의 하나인 레지스트 상 또는 레지스트 중의 이물질에 의한 노광 장해에 의한 레지스트의 경화 부족의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 8b 는, 도 8a 의 기재를 에칭 처리한 후의 도면이다.
도 9 는, 제 3 원인에 포함되는 원인의 하나인 레지스트와 기재 사이의 이물질에 의한 국소적인 에칭의 지연의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 10 은, 제 3 원인에 포함되는 원인의 하나인 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트의 개구 내의 잔존물에 의한 국소적인 에칭의 지연의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 11 은, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우에 제 4 원인에 포함되는 원인의 하나인 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질 또는 캐리어 필름의 내부의 이물질에 의한 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트의 일부가 경화되는 것에 의한 국소적인 에칭의 지연의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 12 는, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템에 있어서 실행되는 처리의 일례를 설명하기 위한 플로 차트이다.
도 13 은, 제 2 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 14a 는, 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하는 도면이고, 기재의 양면에 드라이 필름 레지스트를 라미네이트하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14b 는, 도 14a 의 다음의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14c 는, 도 14b 의 다음의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14d 는, 도 14c 의 다음의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14e 는, 도 14d 의 다음의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15 는, 증착 마스크에 형성된 구멍의 형상 및 치수를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템, 증착 마스크 결함 원인 특정 방법 및 프로그램의 실시형태에 대해서 설명한다.
＜제 1 실시형태＞
도 1 은 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 1 에 나타내는 예에서는, 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 이, 증착 마스크 (M) (도 2 참조) 의 결함의 원인을 특정한다. 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 은, 화상 취득부 (11) 와, 제 1 면적 산출부 (12) 와, 제 2 면적 산출부 (13) 와, 면적 비율 산출부 (14) 와, 직경 치수 산출부 (15) 와, 대칭성 판정부 (16) 와, 결함 원인 특정부 (17) 를 구비하고 있다.
여기에서, 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에 의해서 촬상되는 증착 마스크 (M) 의 제조 방법을 도면에 기초하여 설명한다.
도 14a 에 나타내는 바와 같이, 기재 (M1) 의 양면에, 레지스트 (R) 를 배치한다. 기재 (M1) 는, 철과 니켈을 주성분으로 하는 합금인 철-니켈계 합금을 사용할 수 있다. 예를 들어, 30 질량％ 이상의 니켈과, 잔여분의 철을 함유하는 합금이어도 된다. 철 및 니켈에 더하여, 크롬, 망간, 탄소, 및 코발트 등의 첨가물을 함유하고 있어도 된다. 또, 기재 (M1) 는, 열팽창률이 작은, 예를 들어 니켈을 36 질량％ 함유하는 인바재 등의 합금이어도 된다.
기재 (M1) 는, 철-니켈-코발트계의 합금을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 30 질량％ 이상의 니켈, 3 질량％ 이상의 코발트, 및 잔여분의 철을 함유하는 합금이어도 된다. 철, 니켈, 및 코발트에 더하여, 크롬, 망간, 및 탄소 등의 첨가물을 함유하고 있어도 된다. 또, 기재 (M1) 는, 추가로 열팽창률이 작은, 예를 들어 니켈을 32 질량％, 코발트를 4 질량％ 이상 5 질량％ 이하 함유하는 합금, 즉 슈퍼 인바재 등의 합금이어도 된다.
레지스트 (R) 는, 네거티브 타입 또는 포지티브 타입 중 어느 것을 사용해도 된다. 또, 레지스트 (R) 는, 드라이 필름 레지스트여도 된다. 레지스트 (R) 가 드라이 필름 레지스트인 경우에는, 기재 (M1) 의 표면에 레지스트 (R) 를 함유하는 드라이 필름이 라미네이트된다. 이후, 드라이 필름 레지스트를 사용하는 경우에 있어서, 기재 (M1) 의 표면에 드라이 필름 레지스트를 라미네이트하는 것을 레지스트 (R) 가 라미네이트된다고도 표현한다.
도 14a 에 나타내는 예에서는, 기재 (M1) 의 양면에 레지스트 (R) 가 배치되어 있지만, 일방의 면에만 레지스트 (R) 가 배치되어도 된다.
(방향 정의)
본 실시형태에서는, 기재 (M1) 및 레지스트 (R) 가 적층된 방향을 상하 방향이라고 하여, 기재 (M1) 에 있어서, 지면 상측의 면을 상면, 지면 하측의 면을 하면이라고 한다. 또, 상하 방향에서 바라 보는 것을 평면에서 바라 보는 것이라고 하고, 상하 방향을 따른 단면에서 바라 보는 것을 단면에서 보는 것이라고 한다.
다음으로, 도 14b 에 나타내는 바와 같이, 노광 마스크 (도시 생략) 를 사용하여 레지스트 (R) 에 부분적으로 광을 노광하고, 노광 마스크의 패턴 (개구 패턴) 을 레지스트 (R) 에 전사한다. 노광 마스크의 개구 패턴은, 노광된 광이 투과하는 광 투과부이다. 노광 마스크는, 증착 마스크의 원판이라고도 한다. 도 14b ∼ 도 14e 에서는, 설명을 위해서, 증착 마스크 (M) 에 형성되는 복수의 구멍 중 1 개의 구멍을 형성하는 공정을 도시하고 있다.
네거티브 타입의 레지스트 (R) 를 사용한 경우에는, 노광된 부분의 레지스트 (R) 가 경화된다. 알칼리 수용액으로 세정함으로써, 노광 마스크에 의해서 광이 차폐된 부분의 레지스트 (R) 를 제거한다. 이로써, 도 14b 에 나타내는 바와 같이, 레지스트 (R) 에 개구를 형성할 수 있다. 포지티브 타입의 레지스트 (R) 를 사용한 경우에는, 노광된 부분의 레지스트 (R) 가 분해된다. 분해된 레지스트 (R) 를 알칼리 수용액으로 제거함으로써, 도 14b 에 나타내는 바와 같이, 레지스트 (R) 에 개구를 형성할 수 있다.
다음으로, 도 14c 에 나타내는 바와 같이, 기재 (M1) 의 하면측에 백 시트 (BS) 를 붙인 후에, 기재 (M1) 의 상면을 에칭한다. 여기에서, 도 14c 에 나타내는 예에서는, 등방성 에칭에 의해서, 레지스트 (R) 의 개구로부터 등방적으로 에칭이 진행된다. 즉, 기재 (M1) 의 상면에는, 하 방향을 향하여 볼록한 구면상 (球面狀) 의 구멍이 형성된다.
다음으로, 도 14d 에 나타내는 바와 같이, 다음 공정에서 기재 (M1) 의 하면을 에칭시에 기재 (M1) 의 상면측을 보호하기 위해서, 기재 (M1) 의 상면측에 에칭 보호용의 니스 (N) 를 도포한다. 또한, 기재 (M1) 의 하면측의 백 시트 (BS) 를 제거한다. 도 14c 와 동일하게 에칭을 행함으로써, 기재 (M1) 의 하면에, 상 방향을 향하여 볼록한 구면상의 구멍이 형성된다.
여기에서, 기재 (M1) 의 상면의 구멍의 직경은, 하면의 구멍의 직경보다 작아도 된다. 이후, 기재 (M1) 의 상면의 구멍을 소구멍 (M2S), 하면의 구멍을 대구멍 (M2L) 이라고도 한다.
또한, 등방성 에칭에 의해서 구멍 (M2) 을 형성하는 예에 한정하지 않고, 이방성 에칭에 의해서 구멍 (M2) 을 형성해도 된다.
도 14e 에 나타내는 바와 같이, 소구멍 (M2S) 및 대구멍 (M2L) 에 의해서, 기재 (M1) 를 상하 방향으로 관통하는 구멍 (M2) 이 형성된다. 도 15 에 나타내는 바와 같이, 기재 (M1) 의 상면에는, 개구폭이 DS 인 소구멍 (M2S) 이 형성되고, 하면에는 개구폭이 DL 인 대구멍 (M2L) 이 형성된다. 상하 방향에 있어서, 소구멍 (M2S) 및 대구멍 (M2L) 이 겹쳐서 형성되는 지점을 제 1 개구부 (M2f) 로 하고, 제 1 개구부 (M2f) 에 있어서의 개구폭을 D1 로 한다. 구멍 (M2) 의 개구폭은, 제 1 개구부 (M2f) 에 있어서 최소가 된다.
고정세한 증착 마스크 (M) 를 제조하는 경우, 기재 (M1) 의 하면으로부터의 1 회의 에칭에 의해서 증착 마스크 (M) 를 상하 방향으로 관통하는 복수의 구멍 (M2) 을 형성해도 된다. 이 경우, 구멍 (M2) 의 개구폭이 최소가 되는 지점은, 기재 (M1) 의 상면 (즉, DS = D1) 된다.
증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 의 화상 취득부 (11) 는, 도 15 의 기재 (M1) 의 상면측 또는 하면측에 배치한 카메라 (도시 생략) 등에 의해서 증착 마스크 (M) 에 형성된 복수의 구멍 (M2) 을 촬영하고, 촬상 화상 (IM) (도 2 참조) (상세하게는, 2 차원 화상) 을 취득한다.
구멍 (M2) 중, 상하 방향에 있어서 어느 위치를 촬상할지는, 카메라의 배치 장소나 촬상을 위한 광을 조사할 방향을 변경함으로써 적절히 변경할 수 있다. 예를 들어, 제 1 개구부 (M2f) 의 형상이나 개구폭 D1 을 측정하는 경우에는, 카메라를 기재 (M1) 의 상면측에 배치하고, 광원을 기재 (M1) 의 하면측에 배치한다. 이 경우, 기재 (M1) 의 하면측으로부터의 구멍 (M2) 을 투과하는 광에 의해서, 기재 (M1) 를 촬상한다.
이 예에 한정하지 않고, 제 1 개구부 (M2f) 의 형상이나 개구폭 D1 을 촬상하기 위해서, 카메라 및 광원을 기재 (M1) 의 상면측에 배치하고, 기재 (M1) 의 상면측으로부터 구멍 (M2) 을 반사하는 광에 의해서, 기재 (M1) 를 촬상해도 된다.
또, 소구멍 (M2S) 의 형상이나 개구폭 DS 를 측정하기 위해서, 카메라 및 광원을 기재 (M1) 의 상면측에 배치하고, 기재 (M1) 의 상면측으로부터 구멍 (M2) 을 반사하는 광에 의해서, 기재 (M1) 를 촬상해도 된다. 대구멍 (M2L) 의 형상이나 개구폭 DL 을 측정하기 위해서, 카메라 및 광원을 기재 (M1) 의 하면측에 배치하고, 기재 (M1) 의 하면측으로부터 구멍 (M2) 을 반사하는 광에 의해서, 기재 (M1) 를 촬상해도 된다.
또, 제 1 개구부 (M2f) 의 형상이나 개구폭 D1 을 측정하기 위해서, 카메라 및 광원을 기재 (M1) 의 하면측에 배치하고, 기재 (M1) 의 하면측으로부터 구멍 (M2) 을 반사하는 광에 의해서, 기재 (M1) 를 촬상해도 된다.
이 예에 한정하지 않고, 제 1 개구부 (M2f) 의 형상이나 개구폭 D1 을 측정하기 위해서, 카메라를 기재 (M1) 의 하면측에 배치하고, 광원을 기재 (M1) 의 상면측에 배치한다. 이 경우, 기재 (M1) 의 상면측으로부터의 구멍 (M2) 을 투과하는 광에 의해서, 기재 (M1) 를 촬상해도 된다.
또, 기재 (M1) 의 하면에 있어서, 복수 형성된 대구멍 (M2L) 의 개구단끼리가 오버 랩되어 있어도 된다. 이 경우, 형성된 대구멍 (M2L) 끼리의 크기나 겹침 정도 등의 조건에 따라서, 미리 설정한 지점의 치수를 측정하면 된다.
화상 취득부 (11) 에 의해서 취득되는 촬상 화상 (IM) 에 대해서 설명한다. 촬상 화상 (IM) 에 촬상되어 있는 증착 마스크 (M) 의 각 구성에는, 도 14a ∼ 도 15 에 나타내는 증착 마스크 (M) 의 구성과 동일한 부호를 붙인다. 또, 기재 (M1) 를 촬상한 부분을 기재 부분 (M1), 구멍 (M2) 을 촬상한 부분을 구멍 부분 (M2) 이라고도 한다. 촬상 화상 (IM) 에 포함되는 증착 마스크 (M) 에는, 복수의 구멍 부분 (M2) (도 2 참조) 과, 복수의 구멍 부분 (M2) 의 주위의 기재 부분 (M1) (도 2 참조) 이 포함된다. 도 2 의 촬상 화상 (IM) 은, 제 1 개구부 (M2f) 를 촬상한 화상이지만, 구멍 부분 (M2) 의 상하 방향에 있어서의 다른 지점 (예를 들어, 소구멍 (M2S), 대구멍 (M2L) 등) 을 촬상한 화상이어도 된다.
상세한 것은 후술하지만, 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) (도 2 의 (A) ∼ (E) 를 참조) 이 복수의 구멍 부분 (M2) 에 포함되는 경우뿐만 아니라, 불량 구멍 부분 (M2F) (도 2 의 것 (F) 을 참조) 도 복수의 구멍 부분 (M2) 에 포함되는 경우가 있다. 이 때, 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 은, 불량 구멍 부분 (M2F) 이 형성된 원인을 특정한다.
제 1 면적 산출부 (12) 는, 화상 취득부 (11) 에 의해서 취득된 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 각 면적 (AN) 을 산출한다. 상세하게는, 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 면적 (AN) 의 평균 면적을 산출한다.
제 2 면적 산출부 (13) 는, 화상 취득부 (11) 에 의해서 취득된 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 불량 구멍 부분 (M2F) 의 면적 (AF) 을 산출한다.
면적 비율 산출부 (14) 는, 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 면적 (AN) 에 대한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 면적 (AF) 의 비율인 면적 비율 (AF/AN) 을 산출한다.
직경 치수 산출부 (15) 는, 화상 취득부 (11) 에 의해서 취득된 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의, 직경 치수 L1 ∼ L8 (도 5 참조) 을 산출한다. 직경 치수 L1 ∼ L8 은, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 무게 중심 위치 (C) (도 5 참조) 부터, 불량 구멍 부분 (M2F) 과 불량 구멍 부분 (M2F) 의 주위의 기재 부분 (M1) 의 경계 부분 (M3) 까지의 길이이다. 상세하게는, 직경 치수 산출부 (15) 는, 무게 중심 위치 (C) 를 중심으로 하는 45°간격의 8 방향의 직경 치수 L1 ∼ L8 을 산출한다.
대칭성 판정부 (16) 는, 직경 치수 산출부 (15) 에 의해서 산출된 직경 치수 L1 ∼ L8 에 기초하여 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상의 대칭성을 판정한다.
결함 원인 특정부 (17) 는, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 등에 기초하여, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인을 특정한다.
면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 후술하는 제 1 원인 또는 제 2 원인이라고 특정한다.
구체적으로는, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 제 1 원인이라고 특정한다.
면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 제 1 원인과는 상이한 제 2 원인이라고 특정한다.
한편, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 제 1 원인 및 제 2 원인 중 어느 것도 아닌 원인이라고 특정한다.
구체적으로는, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 제 1 원인 및 제 2 원인 중 어느 것도 아닌, 후술하는 제 3 원인이라고 특정한다.
면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 제 1 원인, 제 2 원인 및 제 3 원인 중 어느 것도 아닌, 후술하는 제 4 원인이라고 특정한다.
상기 서술한 바와 같이, 본 발명자들은, 예의 연구에 있어서, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 아래와 같은 경우에, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 이상으로 되며, 또한, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트 자체에 이물질이 있어 현상시에 탈락되었을 경우 (요컨대, 레지스트 패턴이 결손된 경우), (2) 증착 마스크의 제조 중에 레지스트에 물리적으로 흠집이 났을 경우 (요컨대, 레지스트 패턴이 결손된 경우) 등을 들 수 있다. 또, 예를 들어 드라이 필름 레지스트가 적용되는 예에서는, (3) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시에 이물질이 사이에 끼이고, 레지스트와 기재가 밀착되지 않은 부분이 구멍에 위치해 있을 경우 (요컨대, 레지스트 패턴이 결손된 경우), (4) 기재의 전처리 이후부터 기재에 대한 라미네이트 처리까지, 기재의 오염이 제거되어 있지 않는 경우, (5) 노광 마스크에 문제가 있을 경우 (요컨대, 레지스트 패턴이 결손된 경우), (6) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시의 에어의 끼임이 발생되었을 경우, 및, (7) 노광시의 이물질 (증착 마스크측이 아니고, 기재측의 이물질) 에 의한 노광 저해 (공통이 아니고, 단발의 노광 저해) 가 발생되었을 경우 등을 들 수 있다.
상세하게는, 타흔에 의한 흠집이 증착 마스크에 난 경우, 롤러에서 기인하는 흠집은 정(定)피치로 발생되고, 긁힘에 의한 흠집은 연속적으로 발생된다. 드라이 필름 레지스트가 적용되는 경우에는, 주로 현상 공정 이후에 흠집이 발생될 가능성이 있고, 액 레지스트가 사용되는 경우에는, 코터 공정 이후에 흠집이 발생될 가능성이 있다.
그래서, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에서는, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우이며, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 1 원인이라고 특정한다.
제 1 원인은, (1) 레지스트 자체에 이물질이 있어 현상시에 탈락되었기 때문에, (2) 증착 마스크의 제조 중에 레지스트에 물리적으로 흠집이 났기 때문에 등의 원인을 포함한다. 또, 제 1 원인은, 예를 들어 드라이 필름 레지스트가 적용되는 예에서는 (3) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시에 이물질이 사이에 끼이고, 레지스트와 기재가 밀착되지 않은 부분이 불량 구멍 부분 (M2F) 에 위치해 있기 때문에, (4) 기재의 전처리 이후부터 레지스트의 기재에 대한 라미네이트 처리까지, 기재의 오염이 제거되어 있지 않기 때문에, (5) 노광 마스크에 문제가 있기 때문에, (6) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시의 에어의 끼임이 발생되었기 때문에, 혹은, (7) 노광시의 이물질에 의한 노광 저해가 발생되었기 때문에 등의 원인을 포함한다.
또, 상기 서술한 바와 같이, 본 발명자들은, 예의 연구에 있어서, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 아래와 같은 경우에, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되지 않고, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 이상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 노광 마스크의 개구 패턴에 문제가 있을 경우 (노광 마스크의 개구 패턴의 사이즈가 설계치보다 작을 경우), (2) 노광 마스크의 표면 전체가 일정하게 오염되어 있었을 경우 (광량이 부족할 경우), (3) 레지스트의 기재에 대한 라미네이트 처리의 조건이 적절하지 않아 (요컨대, 사전의 조건 설정이 적절하지 않아) 레지스트의 기재에 대한 밀착성이 저하되었을 경우, (4) 에칭에 의한 침입 (온도, 산 등) 이 있었을 경우 등을 들 수 있다.
그래서, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에서는, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우이며, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 2 원인이라고 특정한다.
제 2 원인은, (1) 노광 마스크의 개구 패턴에 문제가 있기 때문에, (2) 노광 마스크의 표면 전체가 일정하게 오염되어 있었기 때문에 (광량이 부족했기 때문에), (3) 레지스트의 기재에 대한 라미네이트 처리의 조건이 적절하지 않아 (요컨대, 사전의 조건 설정이 적절하지 않아) 레지스트의 기재에 대한 밀착성이 저하되었기 때문에, 혹은, (4) 에칭에 의한 침입 (온도, 산 등) 이 있었기 때문에 등을 포함한다.
또, 상기 서술한 바와 같이, 본 발명자들은, 예의 연구에 있어서, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 아래와 같은 경우에, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 미만으로 되며, 또한, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트와 기재 사이의 이물질에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (2) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트의 일부가 경화되어, 국소적인 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (3) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트의 개구 내의 잔존물에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (4) 노광 마스크의 개구 패턴에 국소적인 결손이 있을 경우, 및, (5) 노광 마스크의 기재에 대향하는 면에 있어서, 기재를 향하여 돌출하는 국소적인 흠집에 의한 버 (돌출부) 가 있을 경우 (요컨대, 레지스트에 대한 노광시에, 돌출부 주변에서 광이 산란하여, 돌출부 주변의 레지스트가 경화되는 경우), 등을 들 수 있다.
그래서, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에서는, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우이며, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 3 원인이라고 특정한다. 상세한 것은 후술하지만, 도 7 ∼ 11 에 나타내는 원인에 의해서, 불량 구멍 (M2F) 이 형성되는 경우가 있다.
제 3 원인은, (1) 레지스트 (R) 와 기재 (M1) 사이의 이물질 (CT) 에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (2) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 (RB) 상의 이물질 (CT) 에 의한, 레지스트 (R) 에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트의 일부가 경화되어, 국소적인 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (3) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트 (R) 의 개구 (R1) (도 10 참조) 내의 잔존물 (RS) (도 10 참조) 에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (4) 노광 마스크의 개구 패턴의 국소적인 결손 때문에, 혹은, (5) 노광 마스크의 기재에 대향하는 면에 있어서, 기재 (M1) 를 향하여 돌출하는 국소적인 흠집에 의한 버 (돌출부) 가 있기 때문에 (요컨대, 레지스트 (R) 에 대한 노광시에, 돌출부 주변에서 광이 산란하여, 돌출부 주변의 레지스트 (R) 가 경화되기 때문에) 등의 원인을 포함한다.
요컨대, 상기 서술한 제 3 원인에는, (1) 레지스트 (R) 와 기재 (M1) 사이의 이물질 (CT) 에 의한 국소적인 에칭의 지연, (2) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 (RB) 상의 이물질 (CT) 에 의한, 레지스트 (R) 에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화되는 것에 의한 국소적인 에칭의 지연, (3) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 내의 잔존물 (RS) 에 의한 국소적인 에칭의 지연, (4) 노광 마스크의 개구 패턴의 국소적인 결손, 및, (5) 노광 마스크의 기재에 대향하는 면에 있어서, 기재를 향하여 돌출하는 국소적인 흠집에 의한 버 (돌출부) 가 있을 경우 (요컨대, 레지스트에 대한 노광시에, 돌출부 주변에서 광이 산란하여, 돌출부 주변의 레지스트가 경화되는 경우) 중 적어도 어느 것이 포함된다.
또, 상기 서술한 바와 같이, 본 발명자들은, 예의 연구에 있어서, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가, 네거티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 아래와 같은 경우에, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되지 않고, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 미만으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트의 개구의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (2) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트의 개구 내의 피막 잔사에 의한 에칭 부족이 발생되었을 경우, (3) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한, 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (4) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름의 내부의 이물질에 의한, 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생되었을 경우, 및, (5) 레지스트의 밀착 부족에서 기인하는, 레지스트에 대한 노광시의 광의 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생되었을 경우 등을 들 수 있다.
그래서, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에서는, 증착 마스크 제조시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우이며, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 4 원인이라고 특정한다.
제 4 원인은, (1) 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (2) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 내의 피막 잔사 (잔존물 (RS) (도 10 참조)) 에 의한 에칭 부족이 발생되었기 때문에, (3) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 (RB) 상의 이물질 (CT) 에 의한, 레지스트 (R) 에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화됨으로써 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (4) 레지스트 (R) 의 캐리어 필름 (RB) 의 내부의 이물질 (CT) 에 의한, 레지스트 (R) 에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화됨으로써 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, 혹은, (5) 레지스트 (R) 의 밀착 부족에서 기인하는, 레지스트에 대한 노광시의 광의 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생되었기 때문에 등의 원인을 포함한다.
요컨대, 상기 서술한 제 4 원인에는, (1) 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연, (2) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 내의 피막 잔사에 의한 에칭 부족, (3) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 (RB) 상의 이물질 (CT) 에 의한, 레지스트 (R) 에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화되는 것에 의한 에칭의 지연, (4) 레지스트 (R) 의 캐리어 필름 (RB) 의 내부의 이물질 (CT) 에 의한, 레지스트 (R) 에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화되는 것에 의한 에칭의 지연, 및, (5) 레지스트 (R) 의 밀착 부족에서 기인하는, 레지스트에 대한 노광시의 광의 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화되는 것에 의한 에칭의 지연 중 적어도 어느 것이 포함된다.
또, 상기 서술한 바와 같이, 본 발명자들은, 예의 연구에 있어서, 증착 마스크의 제작시에 사용하는 레지스트가 포지티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 아래와 같은 경우에 있어서, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 이상으로 되며, 또한, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트 자체에 이물질이 있어 현상시에 탈락되었을 경우, 예를 들어 드라이 필름 레지스트가 적용되는 예에서는 (2) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시에 이물질이 사이에 끼였을 경우, (3) 레지스트와 기재가 밀착되지 않은 부분이 구멍에 위치해 있을 경우, (4) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시의 에어의 끼임이 발생되었을 경우, 및, (5) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 레지스트의 일부가 분해되어, 국소적으로 에칭이 지나치게 진행되었을 경우 등을 들 수 있다.
그래서, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에서는, 증착 마스크의 제작시에 사용하는 레지스트가 포지티브 타입인 경우이며, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 1 원인이라고 특정한다.
제 1 원인은, (1) 레지스트 자체에 이물질이 있어 현상시에 탈락되었기 때문에, (2) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시에 이물질이 사이에 끼였기 때문에, (3) 레지스트와 기재가 밀착되지 않은 부분이 불량 구멍 부분 (M2F) 에 위치해 있었기 때문에, (4) 기재에 대한 레지스트의 라미네이트시의 에어의 끼임이 발생되었기 때문에, 혹은, (5) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 레지스트의 일부가 분해되어, 국소적으로 에칭이 지나치게 진행되었기 때문에 등의 원인을 포함한다.
또, 상기 서술한 바와 같이, 본 발명자들은, 예의 연구에 있어서, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 포지티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되지 않고, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 이상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트의 기재에 대한 라미네이트 처리의 조건이 적절하지 않아 (요컨대, 사전의 조건 설정이 적절하지 않아) 레지스트의 기재에 대한 밀착성이 저하되었을 경우, (2) 에칭에 의한 침입 (온도, 산 등) 이 있었을 경우, (3) 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한, 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 레지스트의 일부가 분해되어, 에칭이 지나치게 진행되었을 경우, (4) 레지스트의 캐리어 필름의 내부의 이물질에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 레지스트의 일부가 분해되어, 에칭이 지나치게 진행되었을 경우, 및, (5) 레지스트에 대한 노광시의 밀착 부족에 수반하는 광의 산란에 의한 레지스트의 분해가 발생되었을 경우 등을 들 수 있다.
그래서, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에서는, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 포지티브 타입인 경우이며, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 2 원인이라고 특정한다.
제 2 원인은, (1) 레지스트의 기재에 대한 라미네이트 처리의 조건이 적절하지 않아 (요컨대, 사전의 조건 설정이 적절하지 않아) 레지스트의 기재에 대한 밀착성이 저하되었기 때문에, (2) 에칭에 의한 침입 (온도, 산 등) 이 있었기 때문에, (3) 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한, 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 레지스트의 일부가 분해되어, 에칭이 지나치게 진행되었기 때문에, (4) 레지스트의 캐리어 필름의 내부의 이물질에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 레지스트의 일부가 분해되어, 에칭이 지나치게 진행되었기 때문에, 혹은, (5) 레지스트에 대한 노광시의 밀착 부족에 수반하는 광의 산란에 의한 레지스트의 분해 때문에 등의 원인을 포함한다.
또, 상기 서술한 바와 같이, 본 발명자들은, 예의 연구에 있어서, 증착 마스크 제작시에 사용하는 레지스트가 포지티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 예를 들어 아래와 같은 경우에 있어서, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 미만으로 되며, 또한, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트와 기재 사이의 이물질에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (2) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트의 개구 내의 잔존물에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (3) 노광 마스크에 형성되어 있는 구멍의 일부를 막는 결함이나 이물질의 부착이 있는 경우 (요컨대, 레지스트 패턴으로 에칭되는 부분이 좁아지는 경우), 및, (4) 레지스트에 대한 노광시의 이물질에 의한 노광 저해가 발생되었을 경우 등을 들 수 있다.
그래서, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에서는, 증착 마스크에 사용되는 레지스트가 포지티브 타입인 경우이며, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 3 원인이라고 특정한다.
제 3 원인은, (1) 레지스트 (R) 와 기재 (M1) 사이의 이물질에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (2) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트 (R) 의 개구 내의 잔존물에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (3) 노광 마스크에 형성되어 있는 구멍의 일부를 막는 결함이나 이물질의 부착이 있기 때문에 (요컨대, 레지스트 패턴으로 에칭되는 부분이 좁아지는 경우), 혹은, (4) 레지스트에 대한 노광시의 이물질에 의한, 레지스트에 대한 노광 저해가 발생되었기 때문에 등의 원인을 포함한다.
또, 상기 서술한 바와 같이, 본 발명자들은, 예의 연구에 있어서, 증착 마스크 제작시에 사용되는 레지스트가 포지티브 타입인 경우의 증착 마스크에서는, 예를 들어 아래와 같은 경우에 있어서, 불량 구멍의 형상이 정상 구멍의 형상과 비교하여 일그러진 형상으로 되지 않고, 불량 구멍의 사이즈 (면적) 가 정상 구멍의 사이즈 (면적) 미만으로 되는 것을 알아내었다. 예를 들어, (1) 레지스트의 개구의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연이 발생되었을 경우, (2) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트의 개구 내의 피막 잔사에 의한 에칭 부족이 발생되었을 경우, 및, (3) 노광 마스크의 표면 전체가 일정하게 오염되어 있었을 경우 등을 들 수 있다.
그래서, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에서는, 증착 마스크 제작시에 사용되는 레지스트가 포지티브 타입인 경우이며, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정된 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 4 원인이라고 특정한다.
제 4 원인은, (1) 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (2) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 내의 피막 잔사에 의한 에칭 부족이 발생되었기 때문에, 혹은, (3) 노광 마스크의 표면 전체가 일정하게 오염되어 있었기 때문에 등의 원인을 포함한다.
도 2 는 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우에 화상 취득부 (11) 에 의해서 취득된 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 의 일부의 일례를 나타내는 도면이다. 상세하게는, 도 2 의 (A) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N1) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 2 의 (B) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N2) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 2 의 (C) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N3) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 2 의 (D) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N4) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 2 의 (E) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N5) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 2 의 (F) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 불량 구멍 부분 (M2F) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다.
도 2 에 나타내는 예에서는, 정상 구멍 부분 (M2N1) 의 좌우 방향 (도 2 의 (A) 의 좌우 방향) 치수가 45.0 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N1) 의 상하 방향 (도 2 의 (A) 의 상하 방향) 치수가 47.5 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N2) 의 좌우 방향 치수가 45.0 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N2) 의 상하 방향 치수가 48.8 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N3) 의 좌우 방향 치수가 45.0 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N3) 의 상하 방향 치수가 47.5 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N4) 의 좌우 방향 치수가 45.0 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N4) 의 상하 방향 치수가 48.8 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N5) 의 좌우 방향 치수가 45.0 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N5) 의 상하 방향 치수가 47.5 [㎛] 이다. 불량 구멍 부분 (M2F) 의 좌우 방향 치수가 45.0 [㎛] 이고, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 상하 방향 치수가 57.5 [㎛] 이다.
제 1 면적 산출부 (12) 에 의해서 산출되는 정상 구멍 부분 (M2N1) 의 면적 (AN1) 이 309 [pixel] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N2) 의 면적 (AN2) 이 310 [pixel] 이며, 정상 구멍 부분 (M2N3) 의 면적 (AN3) 이 314 [pixel] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N4) 의 면적 (AN4) 이 314 [pixel] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N5) 의 면적 (AN5) 이 315 [pixel] 이다. 또, 제 1 면적 산출부 (12) 에 의해서 산출되는 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 평균 면적 (AN) 이 312.4 [pixel] 이다.
제 2 면적 산출부 (13) 에 의해서 산출되는 불량 구멍 부분 (M2F) 의 면적 (AF) 은 333 [pixel] 이다.
면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출되는 면적 비율 (AF/AN) 은 1.07 이다 (요컨대, 1 이상이다).
도 3 은 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는 경우에 화상 취득부 (11) 에 의해서 취득된 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 의 일부의 일례를 나타내는 도면이다. 상세하게는, 도 3 의 (A) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N1) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 3 의 (B) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N2) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 3 의 (C) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N3) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 3 의 (D) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N4) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 3 의 (E) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N5) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 3 의 (F) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 불량 구멍 부분 (M2F) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다.
도 3 에 나타내는 예에서는, 정상 구멍 부분 (M2N1) 의 좌우 방향 (도 3 의 (A) 의 좌우 방향) 치수가 33.8 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N1) 의 상하 방향 (도 3 의 (A) 의 상하 방향) 치수가 40.0 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N2) 의 좌우 방향 치수가 35.0 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N2) 의 상하 방향 치수가 41.3 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N3) 의 좌우 방향 치수가 33.8 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N3) 의 상하 방향 치수가 40.0 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N4) 의 좌우 방향 치수가 35.0 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N4) 의 상하 방향 치수가 41.3 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N5) 의 좌우 방향 치수가 35.0 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N5) 의 상하 방향 치수가 40.0 [㎛] 이다. 불량 구멍 부분 (M2F) 의 좌우 방향 치수가 33.8 [㎛] 이고, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 상하 방향 치수가 40.0 [㎛] 이다.
제 1 면적 산출부 (12) 에 의해서 산출되는 정상 구멍 부분 (M2N1) 의 면적 (AN1) 이 205 [pixel] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N2) 의 면적 (AN2) 이 210 [pixel] 이며, 정상 구멍 부분 (M2N3) 의 면적 (AN3) 이 205 [pixel] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N4) 의 면적 (AN4) 이 206 [pixel] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N5) 의 면적 (AN5) 가 204 [pixel] 이다. 또, 제 1 면적 산출부 (12) 에 의해서 산출되는 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 평균 면적 (AN) 이 206.0 [pixel] 이다.
제 2 면적 산출부 (13) 에 의해서 산출되는 불량 구멍 부분 (M2F) 의 면적 (AF) 은 189 [pixel] 이다.
면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출되는 면적 비율 (AF/AN) 은 0.92 이다 (요컨대, 1 미만이다).
그 때문에, 도 3 에 나타내는 예에서는, 결함 원인 특정부 (17) 는, 예를 들어 증착 마스크 (M) 의 제작시에 사용되는 레지스트가 네거티브 타입인 경우에, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 아래의 원인 중 어느 것으로 특정한다. 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인은, (1) 레지스트 (R) 와 기재 부분 (M1) 사이의 이물질 (CT) 에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (2) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 (RB) 상의 이물질 (CT) 에 의한, 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화되어, 국소적인 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (3) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트 (R) 의 개구 (R1) (도 10 참조) 내의 잔존물 (RS) (도 10 참조) 에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (4) 노광 마스크의 개구 패턴의 국소적인 결손 때문에, 혹은, (5) 노광 마스크의 기재에 대향하는 면에 있어서, 기재를 향하여 돌출하는 국소적인 흠집에 의한 버 (돌출부) 가 있기 때문에 (요컨대, 레지스트에 대한 노광시에, 돌출부 주변에서 광이 산란하여, 돌출부 주변의 레지스트가 경화되기 때문에) 등의 원인을 포함한다.
도 4 는 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는 경우에 화상 취득부 (11) 에 의해서 취득된 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 의 일부의 일례를 나타내는 도면이다. 상세하게는, 도 4 의 (A) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N1) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 4 의 (B) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N2) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 4 의 (C) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N3) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 4 의 (D) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N4) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 4 의 (E) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 정상 구멍 부분 (M2N5) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다. 도 4 의 (F) 는 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 중 하나의 불량 구멍 부분 (M2F) 과 그 주위의 기재 부분 (M1) 을 나타낸다.
도 4 에 나타내는 예에서는, 정상 구멍 부분 (M2N1) 의 좌우 방향 (도 4 의 (A) 의 좌우 방향) 치수가 45.0 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N1) 의 상하 방향 (도 4 의 (A) 의 상하 방향) 치수가 47.5 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N2) 의 좌우 방향 치수가 45.0 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N2) 의 상하 방향 치수가 47.5 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N3) 의 좌우 방향 치수가 43.8 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N3) 의 상하 방향 치수가 47.5 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N4) 의 좌우 방향 치수가 43.8 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N4) 의 상하 방향 치수가 46.3 [㎛] 이다. 정상 구멍 부분 (M2N5) 의 좌우 방향 치수가 43.8 [㎛] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N5) 의 상하 방향 치수가 47.5 [㎛] 이다. 불량 구멍 부분 (M2F) 의 좌우 방향 치수가 30.0 [㎛] 이고, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 상하 방향 치수가 33.8 [㎛] 이다.
제 1 면적 산출부 (12) 에 의해서 산출되는 정상 구멍 부분 (M2N1) 의 면적 (AN1) 이 308 [pixel] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N2) 의 면적 (AN2) 이 302 [pixel] 이며, 정상 구멍 부분 (M2N3) 의 면적 (AN3) 이 304 [pixel] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N4) 의 면적 (AN4) 이 301 [pixel] 이고, 정상 구멍 부분 (M2N5) 의 면적 (AN5) 이 304 [pixel] 이다. 또, 제 1 면적 산출부 (12) 에 의해서 산출되는 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 평균 면적 (AN) 이 303.8 [pixel] 이다.
제 2 면적 산출부 (13) 에 의해서 산출되는 불량 구멍 부분 (M2F) 의 면적 (AF) 은 131 [pixel] 이다.
면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출되는 면적 비율 (AF/AN) 은 0.43 이다 (요컨대, 1 미만이다).
그 때문에, 도 4 에 나타내는 예에서는, 결함 원인 특정부 (17) 는, 예를 들어 증착 마스크 (M) 의 제작시에 사용되는 레지스트가 네거티브 타입인 경우에, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 아래의 원인 중 어느 것으로 특정한다. 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인은, (1) 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (2) 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 내의 피막 잔사 (잔존물 (RS) (도 10 참조)) 에 의한 에칭 부족이 발생되었기 때문에, (3) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 (RB) 상의 이물질 (CT) 에 의한, 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, (4) 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 (RB) 의 내부의 이물질 (CT) 에 의한, 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생되었기 때문에, 혹은, (5) 레지스트의 밀착 부족에서 기인하는, 레지스트에 대한 노광시의 광의 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생되었기 때문에 등의 원인을 포함한다.
도 5 는 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정되는 일례를 설명하기 위한 도면이다. 상세하게는, 도 5 는 불량 구멍 부분 (M2F) 과 정상 구멍 부분 (M2N1) 을 중첩시켜 나타낸 도면이다.
도 5 에 나타내는 예에서는, 직경 치수 산출부 (15) 가, 화상 취득부 (11) 에 의해서 취득된 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의, 직경 치수 L1 을 산출한다. 직경 치수 L1 은, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 무게 중심 위치 (C) 부터, 불량 구멍 부분 (M2F) 과 불량 구멍 부분 (M2F) 의 주위의 기재 부분 (M1) 의 경계 부분 (M3) 까지의 길이이다. 또, 직경 치수 산출부 (15) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 무게 중심 위치 (C) 부터 경계 부분 (M3) 까지의 길이인 직경 치수 L2 ∼ L8 로서, 직경 치수 L1 의 방향과 45°의 각도를 이루는 방향의 직경 치수 L2 와, 직경 치수 L2 의 방향과 45°의 각도를 이루는 방향의 직경 치수 L3 과, 직경 치수 L3 의 방향과 45°의 각도를 이루는 방향의 직경 치수 L4 와, 직경 치수 L4 의 방향과 45°의 각도를 이루는 방향의 직경 치수 L5 와, 직경 치수 L5 의 방향과 45°의 각도를 이루는 방향의 직경 치수 L6 과, 직경 치수 L6 의 방향과 45°의 각도를 이루는 방향의 직경 치수 L7 과, 직경 치수 L7 의 방향과 45°의 각도를 이루는 방향의 직경 치수 L8 을 산출한다.
대칭성 판정부 (16) 는, 직경 치수 산출부 (15) 에 의해서 산출된 직경 치수 L1 ∼ L8 에 기초하여 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상의 대칭성을 판정한다. 상세하게는, 대칭성 판정부 (16) 는, 직경 치수 산출부 (15) 에 의해서 산출된 직경 치수 L1, L3, L5, L7 의 최대치 LMAX 와 최소치 LMIN 을 산출하고, 최대치 LMAX 와 최소치 LMIN 의 차분 (LMAX - LMIN) 을 산출한다. 또, 대칭성 판정부 (16) 는, 차분 (LMAX - LMIN) 이 임계값 TH 이상인 경우에, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 판정하고, 차분 (LMAX - LMIN) 이 임계값 TH 미만인 경우에, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는다고 판정한다.
상세하게는, 도 5 에 나타내는 예에서는, 직경 치수 L5 (최소치 LMIN) 가 작기 때문에, 차분 (LMAX - LMIN) 이 임계값 TH 이상이 된다. 그 결과, 대칭성 판정부 (16) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 판정한다.
상기한 예에 한정하지 않고, 대칭성 판정부 (16) 는, 8 방향의 직경 치수 L1 ∼ L8 을 산출하고, 직경 치수 L1 ∼ L8 에 있어서의 최대치 LMAX 와 최소치 LMIN 에 의해서, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상의 대칭성의 유무를 판정해도 된다.
도 6 은 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는다고 대칭성 판정부 (16) 에 의해서 판정되는 일례를 설명하기 위한 도면이다. 상세하게는, 도 6 은 불량 구멍 부분 (M2F) 과 정상 구멍 부분 (M2N1) 을 중첩시켜 나타낸 도면이다.
도 6 에 나타내는 예에서는, 직경 치수 산출부 (15) 가, 도 5 에 나타내는 예와 동일하게, 직경 치수 L1 ∼ L8 을 산출한다.
대칭성 판정부 (16) 는, 도 5 에 나타내는 예와 동일하게, 직경 치수 산출부 (15) 에 의해서 산출된 직경 치수 L1 ∼ L8 에 기초하여 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상의 대칭성을 판정한다.
상세하게는, 도 6 에 나타내는 예에서는, 직경 치수 L1 과, 직경 치수 L3 과, 직경 치수 L5 와, 직경 치수 L7 이 거의 동등하기 때문에, 차분 (LMAX - LMIN) 이 임계값 TH 미만으로 된다. 그 결과, 대칭성 판정부 (16) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는다고 판정한다.
상기한 예에 한정하지 않고, 도 5 의 설명과 동일하게, 8 방향의 직경 치수 L1 ∼ L8 을 산출하고, 직경 치수 L1 ∼ L8 에 있어서의 최대치 LMAX 와 최소치 LMIN 에 의해서, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상의 대칭성의 유무를 판정해도 된다.
도 7 ∼ 11 은, 증착 마스크 (M) 의 제조시에, 불량 구멍 (M2F) 이 형성되는 원인을 설명하기 위한 도면이다. 도 7 ∼ 11 은, 소구멍 (M2S) 이 형성된 기재 (M1) 의 단면에서 바라 본 것이다. 도 7 ∼ 11 에 나타나는 공정 이후에, 기재 (M1) 의 하면에 대구멍 (M2L) 을 형성해도 된다. 또, 도 7 ∼ 11 에서는, 레지스트 (R) 에 형성되어 있는 개구의 폭 등의 치수가 상이하지만, 치수는 도시된 예에 한정되지 않고, 증착 마스크 (M) 의 제조 조건에 맞추어 적절히 변경되어도 된다.
도 7 은 제 1 원인에 포함되는 원인의 하나인 증착 마스크 (M) 의 제조시에 있어서의 기재 (M1) 에 대한 레지스트 (R) 의 밀착성 불량의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 7 에 나타내는 예에서는, 증착 마스크 (M) 의 제조시에, 예를 들어 드라이 필름 레지스트 등의 레지스트 (R) 가 증착 마스크 (M) 의 기재 (M1) 의 상면에 배치된다. 밀착 불량부 (P) 는, 기재 (M1) 에 대한 레지스트 (R) 의 밀착성 불량이 발생되어 있는 지점이고, 도 7 에 나타내는 예에서는 레지스트 (R) 의 개구단의 근방에 형성되어 있다. 요컨대, 레지스트 (R) 와 기재 (M1) 가 밀착되지 않은 밀착 불량부 (P) 가 불량 구멍 부분 (M2F) 에 위치해 있다. 이 경우에는, 레지스트 (R) 를 통한 기재 (M1) 의 에칭 처리시에, 에칭액이 레지스트 (R) 와 기재 (M1) 의 간극 (밀착 불량부 (P)) 에 침입한다.
그 결과, 에칭액이 침입한 밀착 불량부 (P) 에 있어서 레지스트 (R) 가 충분히 기능하지 않게 되어 버려, 도 7 에 있어서 파선으로 나타내어지는 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 보다 직경이 큰 불량 구멍 부분 (M2F) 이 형성되어 버린다 (요컨대, 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상이 된다).
예를 들어, (1) 기재 (M1) 에 불순물이 함유되는 경우, (2) 레지스트 (R) 와 기재 (M1) 사이에 에어 또는 미스트가 들어가는 경우, (3) 기재 (M1) 의 표면 조도가 큰 경우 등에, 기재 (M1) 에 대한 레지스트 (R) 의 밀착성 불량이 발생된다.
도 8a 및 도 8b 는 증착 마스크 (M) 의 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우에 제 1 원인에 포함되는 원인의 하나인, 레지스트 (R) 상 또는 레지스트 (R) 중의 이물질 (CT) 에 의한 노광 장해에 의한 레지스트 (R) 의 경화 부족의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 에 나타내는 예에서는, 증착 마스크 (M) 의 제조시에 레지스트 (R) 가 증착 마스크 (M) 의 기재 (M1) 의 상면에 배치된다. 이물질 (CT) 이 레지스트 (R) 상 또는 레지스트 (R) 중에 포함되어 있다. 또, 도 8a 의 예에서는, 이물질 (CT) 은, 노광 마스크 (PM) 의 개구단의 하측에 위치하고 있다. 이 경우에는, 레지스트 (R) 에 대한 노광이 실행될 때에, 노광이 이물질 (CT) 에 의해서 차단되어, 노광 장해가 발생되어 버린다 (요컨대, 노광시의 이물질 (CT) 에 의한 노광 저해가 발생되어 버린다). 노광 장해가 발생된 지점 (도 8a 중의 이물질 (CT) 의 하측의 부분) 을 노광 불량부 (EF1) 로 한다.
그 결과, 도 8b 에 나타내는 바와 같이, 노광 불량부 (EF1) 에서는, 레지스트 (R) 가 충분히 경화되지 않아, 노광 불량부 (EF1) 에서는, 레지스트 (R) 가 충분히 기능하지 않게 된다. 그 때문에, 도 8b 에 있어서 파선으로 나타내어지는 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 보다 직경이 큰 불량 구멍 부분 (M2F) 이 형성되어 버린다 (요컨대, 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상이 된다).
도 9 는 제 3 원인에 포함되는 원인의 하나인 레지스트 (R) 와 기재 (M1) 사이의 이물질 (CT) 에 의한 국소적인 에칭의 지연의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 9 에 나타내는 예에서는, 증착 마스크 (M) 의 제조시에 레지스트 (R) 가 증착 마스크 (M) 의 기재 (M1) 의 상면에 형성된다. 이물질 (CT) 이 레지스트 (R) 와 기재 (M1) 사이에 존재하는 경우에는, 기재 (M1) 의 에칭 처리의 실행시에, 에칭액이 이물질 (CT) 에 의해서 차단되어, 에칭의 지연이 발생되어 버린다.
그 결과, 도 9 에 있어서 파선으로 나타내어지는 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 보다 직경이 작은 불량 구멍 부분 (M2F) 이 형성되어 버린다 (요컨대, 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만으로 된다). 도 9 에서는, 기재 (M1) 에 구멍이 형성되어 있지 않은 예를 나타내고 있지만, 정상 구멍 부분보다 직경이 작은 불량 구멍 부분 (M2F) 이 형성되어 있는 경우도 있다.
에칭의 지연이 국소적으로 발생되는 경우에는, 대칭성을 갖지 않는 형상의 불량 구멍 부분 (M2F) 이 형성되어 버린다.
예를 들어, (1) 기재 (M1) 의 상면의 이물질 (CT) 이 정면 (整面) 처리로 충분히 제거되지 않았던 경우, (2) 레지스트 (R) 의 라미네이트 처리 전에 이물질 (CT) 이 기재 (M1) 의 상면에 부착된 경우 등에, 레지스트 (R) 와 기재 (M1) 사이의 이물질 (CT) 에 의한 에칭의 지연이 발생된다.
도 10 은 제 3 원인에 포함되는 원인의 하나인 현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 내의 잔존물 (RS) 에 의한 국소적인 에칭의 지연의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 10 에 나타내는 예에서는, 증착 마스크 (M) 의 제조시에, 레지스트 (R) 가 증착 마스크 (M) 의 기재 (M1) 의 상면에 형성되고, 현상에 의해서 레지스트 (R) 의 패터닝이 행해진다. 패터닝이 행해진 후에 잔존물 (RS) 이 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 내에 존재하는 경우에는, 기재 (M1) 의 에칭 처리의 실행시에, 에칭액이 잔존물 (RS) 에 의해서 차단되어, 에칭의 지연이 발생되어 버린다.
그 결과, 도 10 에 있어서 파선으로 나타내어지는 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 보다 직경이 작은 불량 구멍 부분 (M2F) 이 형성되어 버린다 (요컨대, 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만으로 된다). 도 10 에서는, 기재 (M1) 에 구멍이 형성되어 있지 않은 예를 나타내고 있지만, 정상 구멍 부분보다 직경이 작은 불량 구멍 부분 (M2F) 이 형성되어 있는 경우도 있다.
에칭의 지연이 국소적으로 발생되는 경우에는, 대칭성을 갖지 않는 형상의 불량 구멍 부분 (M2F) 이 형성되어 버린다.
예를 들어, (1) 현상 또는 수세에서의 불순물의 건조 후 남음, (2) 레지스트 승화물의 용해 등에 의해서, 레지스트 (R) 의 개구 (R1) 내의 잔존물 (RS) 에 의한 에칭의 지연이 발생된다.
도 11 은 증착 마스크 (M) 의 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우에 제 4 원인에 포함되는 원인의 하나인, 레지스트 (R) 의 캐리어 필름 (RB) 상의 이물질 (CT) 또는 캐리어 필름 (RB) 의 내부의 이물질 (CT) 에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 경화되는 것에 의한 에칭의 지연의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 뜻하지 않게 경화되어 버리는 것을,「레지스트 (R) 의 스커트상 붕괴」라고도 한다. 도시는 생략하지만, 레지스트가 포지티브 타입인 경우에는, 차광되어 있는 레지스트 (R) 의 일부가 뜻하지 않게 분해되어 버리는 것을,「레지스트 (R) 의 잠식」라고도 한다.
도 11 에 나타내는 예에서는, 증착 마스크 (M) 의 제작시에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우의 증착 마스크 (M) 의 제조 공정을 나타낸다. 레지스트 (R) 가 증착 마스크 (M) 의 기재 (M1) 의 상면에 형성되어 있다. 레지스트 (R) 에 있어서 노광된 장소를 설명하기 위해서, 도면 중에 노광 마스크 (PM) 를 도시하고 있다. 이물질 (CT) 이 레지스트 (R) 의 캐리어 필름 (RB) 상 또는 캐리어 필름 (RB) 의 내부에 존재하는 경우에는, 레지스트 (R) 에 대한 노광이 실행될 때에, 이물질 (CT) 에 의한 광 산란 (광의 돌아 들어감) 에 의해서 레지스트 (R) 의 스커트상 붕괴가 발생된다. 그 때문에, 도시한 바와 같이, 노광 마스크 (PM) 로 차광되어 있는 지점에 있어서도, 레지스트 (R) 가 경화되는 경우가 있다. 노광 마스크 (PM) 에 의해서 차광되어 있었지만, 레지스트 (R) 가 경화된 지점 (노광 불량부 EF2) 의 근방에서는, 에칭의 지연이 발생되어 버린다.
그 결과, 도 11 에 있어서 파선으로 나타내어지는 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 보다 직경이 작은 불량 구멍 부분 (M2F) 이 형성되어 버린다 (요컨대, 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만으로 된다). 상세하게는, 대칭성을 갖는 형상의 불량 구멍 부분 (M2F) 이 형성되어 버린다.
도 11 에 나타내는 캐리어 필름 (RB) 및 레지스트 (R) 는, 예를 들어「감광성 필름의 특성과 응용」 (https://www.jstage.jst.go.jp/article/networkpolymer/34/5/34_253/_pdf) 에 기재되어 있는 베이스 필름 및 감광층 (레지스트 층) 에 상당한다. 베이스 필름으로서 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 가 일반적으로 사용된다.
도 12 는 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에 있어서 실행되는 처리의 일례를 설명하기 위한 플로 차트이다.
도 12 에 나타내는 예에서는, 화상 취득 스텝 S11 에 있어서, 화상 취득부 (11) 가, 증착 마스크 (M) 의 촬상 화상 (IM) 을 취득한다.
이어서, 제 1 면적 산출 스텝 S12 에서는, 제 1 면적 산출부 (12) 가, 스텝 S11 에 있어서 취득된 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 면적 (AN) 을 산출한다.
또, 제 2 면적 산출 스텝 S13 에서는, 제 2 면적 산출부 (13) 가, 스텝 S11 에 있어서 취득된 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 불량 구멍 부분 (M2F) 의 면적 (AF) 을 산출한다.
이어서, 면적 비율 산출 스텝 S14 에서는, 면적 비율 산출부 (14) 가, 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 면적 (AN) 에 대한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 면적 (AF) 의 비율인 면적 비율 (AF/AN) 을 산출한다.
이어서, 결함 원인 특정 스텝에 의해서, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인을 특정한다. 결함 원인 특정 스텝은, 아래의 스텝 S14A, S15A ∼ S15B, S16A ∼ S16B, S17A ∼ S17D 를 포함하고 있어도 된다.
스텝 S14A 에서는, 예를 들어 결함 원인 특정부 (17) 는, 스텝 S14 에 있어서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인지의 여부를 판정한다. 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우에는 스텝 S15A 로 진행되고, 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우에는 스텝 S15B 로 진행된다.
스텝 S15A 에서는, 직경 치수 산출부 (15) 가, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 무게 중심 위치 (C) 를 중심으로 하는 45°간격의 8 방향의 직경 치수 L1 ∼ L8 을 산출한다.
이어서, 스텝 S16A 에서는, 대칭성 판정부 (16) 가, 스텝 S15A 에 있어서 산출된 직경 치수 L1 ∼ L8 에 기초하여 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상의 대칭성을 판정한다. 상세하게는, 대칭성 판정부 (16) 는, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 갖는지의 여부와, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는지의 여부를 판정한다.
촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는 경우에는, 스텝 S17A 로 진행된다. 한편, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는 경우에는, 스텝 S17B 로 진행된다.
스텝 S15B 에서는, 직경 치수 산출부 (15) 가, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 무게 중심 위치 (C) 를 중심으로 하는 45°간격의 8 방향의 직경 치수 L1 ∼ L8 을 산출한다.
이어서, 스텝 S16B 에서는, 대칭성 판정부 (16) 가, 스텝 S15B 에 있어서 산출된 직경 치수 L1 ∼ L8 에 기초하여 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상의 대칭성을 판정한다. 상세하게는, 대칭성 판정부 (16) 는, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 갖는지의 여부와, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는지의 여부를 판정한다.
촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는 경우에는, 스텝 S17C 로 진행된다. 한편, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는 경우에는, 스텝 S17D 로 진행된다.
스텝 S17A 에서는, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 제 1 원인이라고 특정한다.
스텝 S17B 에서는, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 제 2 원인이라고 특정한다.
스텝 S17C 에서는, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 제 3 원인이라고 특정한다.
스텝 S17D 에서는, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이, 제 4 원인이라고 특정한다.
상기 서술한 바와 같이, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에서는, 증착 마스크 (M) 에 포함되는 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 면적 (AN) 에 대한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 면적 (AF) 의 비율인 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 1 원인이라고 특정한다.
또, 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 2 원인이라고 특정한다.
또, 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖지 않는 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 3 원인이라고 특정한다.
또, 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우로서, 촬상 화상 (IM) 상에 있어서의 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상이 대칭성을 갖는 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 제 4 원인이라고 특정한다.
요컨대, 증착 마스크 (M) 의 검사 담당자가 아니라, 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에 의해서, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인이 자동으로 특정된다.
그 때문에, 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에서는, 증착 마스크 (M) 의 검사 담당자가 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상을 육안으로 확인할 필요 없이, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인을 특정할 수 있다.
＜적용예＞
상기 서술한 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 은, 예를 들어, 유기 EL (Electro Luminescence) 의 원판이 되는 증착 마스크의 결함 원인을 특정하기 위해서 사용된다. 유기 EL의 RGB 화소 형성의 원판이 되는 증착 마스크에서는, 40 ㎛ 정도의 크기를 갖는 구멍이 수만 개 나열되어 있고, 이들 구멍이 규격을 만족할 필요가 있다.
제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 이 사용되는 적용예에서는, 이들 구멍 형상이 불량이 되는 원인을 특정함으로써, 구멍 형상의 검사 담당자의 부담을 경감할 수 있다.
제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 을 사용함으로써, 구멍 형상이 불량이 되는 원인의 해석을 용이하게 할 수 있다. 그 결과, 우량품 마스크의 제작을 용이하게 할 수 있다.
＜제 2 실시형태＞
이하, 본 발명의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템, 증착 마스크 결함 원인 특정 방법 및 프로그램의 제 2 실시형태에 대해서 설명한다.
제 2 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 은, 후술하는 점을 제외하고, 상기 서술한 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 과 동일하게 구성되어 있다. 따라서, 제 2 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에 의하면, 후술하는 점을 제외하고, 상기 서술한 제 1 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
도 13 은 제 2 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 13 에 나타내는 예에서는, 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 이, 증착 마스크 (M) (도 2 참조) 의 결함의 원인을 특정한다. 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 은, 화상 취득부 (11) 와, 제 1 면적 산출부 (12) 와, 제 2 면적 산출부 (13) 와, 면적 비율 산출부 (14) 와, 결함 원인 특정부 (17) 와, 교사 데이터 취득부 (1A) 를 구비하고 있다.
교사 데이터 취득부 (1A) 는, 학습용 제 1 증착 마스크 (도시 생략) 의 촬상 화상 (도시 생략) 과, 학습용 제 1 증착 마스크에 포함되는 불량 구멍 부분 (도시 생략) 의 원인의 관계를 나타내는 제 1 교사 데이터 (도시 생략) 를 취득한다. 학습용 제 1 증착 마스크에 포함되는 정상 구멍 부분의 면적에 대한 불량 구멍 부분의 면적의 비율 (면적 비율) 은 1 이상이다.
또, 교사 데이터 취득부 (1A) 는, 학습용 제 2 증착 마스크 (도시 생략) 의 촬상 화상 (도시 생략) 과, 학습용 제 2 증착 마스크에 포함되는 불량 구멍 부분 (도시 생략) 의 원인의 관계를 나타내는 제 2 교사 데이터 (도시 생략) 를 취득한다. 학습용 제 2 증착 마스크에 포함되는 정상 구멍 부분의 면적에 대한 불량 구멍 부분의 면적의 비율 (면적 비율) 은 1 미만이다.
결함 원인 특정부 (17) 는, 제 1 교사 데이터 및 제 2 교사 데이터를 사용한 지도 학습을 실행한다. 또한, 결함 원인 특정부 (17) 는, 그 지도 학습을 실행한 후에, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 이상인 경우의 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인과, 면적 비율 산출부 (14) 에 의해서 산출된 면적 비율 (AF/AN) 이 1 미만인 경우의 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인을 특정한다.
요컨대, 제 2 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에서는, 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) (도 2 참조) 의 면적 (AN) 에 대한 불량 구멍 부분 (M2F) (도 2 참조) 의 면적 (AF) 의 비율 (면적 비율 (AF/AN)) 이 1 이상인 증착 마스크 (M) 에 포함되는 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인을 특정하는 경우에, 결함 원인 특정부 (17) 는, 제 1 교사 데이터를 사용한 지도 학습의 결과를 반영시켜, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인을 특정한다.
또, 정상 구멍 부분 (M2N1 ∼ M2N5) 의 면적 (AN) 에 대한 불량 구멍 부분 (M2F) 의 면적 (AF) 의 비율 (면적 비율 (AF/AN)) 이 1 미만인 증착 마스크 (M) 에 포함되는 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인을 특정하는 경우에는, 결함 원인 특정부 (17) 가, 제 2 교사 데이터를 사용한 지도 학습의 결과를 반영시켜, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인을 특정한다.
제 2 실시형태의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에 있어서도, 증착 마스크 (M) 의 검사 담당자가 불량 구멍 부분 (M2F) 의 형상을 육안으로 확인할 필요 없이, 불량 구멍 부분 (M2F) 의 원인을 특정할 수 있다.
이상, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 실시형태를 사용하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 실시형태에 전혀 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 여러 가지의 변형 및 치환을 부가할 수 있다. 상기 서술한 각 실시형태 및 각 예에 기재된 구성을 적절히 조합해도 된다.
예를 들어, 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 에 사용하는 증착 마스크 (M) 의 기재 (M1) 는, 상기 서술한 합금만의 구성에 한정하지 않고, 합금과 수지 (혹은 필름) 가 적층된 구성이어도 된다. 또한, 이 경우, 수지 (혹은 필름) 의 선 팽창 계수는, 합금의 선 팽창 계수에 가까운 것이 바람직하다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서의 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템 (1) 이 구비하는 각 부의 기능 전체 혹은 그 일부는, 이들 기능을 실현하기 위한 프로그램을 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록하여, 이 기록 매체에 기록된 프로그램을 컴퓨터 시스템에 판독하게 하고, 실행시킴으로써 실현해도 된다. 또한, 여기에서 말하는 「컴퓨터 시스템」이란, OS 나 주변 기기 등의 하드웨어를 포함하는 것으로 한다.
또, 「컴퓨터 판독 가능한 기록 매체」란, 플렉시블 디스크, 광 자기 디스크, ROM, CD-ROM 등의 가반 매체, 컴퓨터 시스템에 내장되는 하드 디스크 등의 기억부를 말한다. 또한 「컴퓨터 판독 가능한 기록 매체」란, 인터넷 등의 네트워크나 전화 회선 등의 통신 회선을 통하여 프로그램을 송신하는 경우의 통신선과 같이, 단시간 동안, 동적으로 프로그램을 유지하는 것, 그 경우의 서버나 클라이언트로 이루어지는 컴퓨터 시스템 내부의 휘발성 메모리와 같이, 일정 시간 프로그램을 유지하고 있는 것도 포함해도 된다. 또 상기 프로그램은, 전술한 기능의 일부를 실현하기 위한 것이어도 되고, 추가로 전술한 기능을 컴퓨터 시스템에 이미 기록되어 있는 프로그램과의 조합으로 실현될 수 있는 것이어도 된다.
1 : 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템,
11 : 화상 취득부,
12 : 제 1 면적 산출부,
13 : 제 2 면적 산출부,
14 : 면적 비율 산출부,
15 : 직경 치수 산출부,
16 : 대칭성 판정부,
17 : 결함 원인 특정부,
1A : 교사 데이터 취득부,
M : 증착 마스크,
M1 : 기재, 기재 부분,
M2 : 구멍, 구멍 부분,
M2N1 ∼ M2N5 : 정상 구멍 부분,
M2F : 불량 구멍 부분,
C : 무게 중심 위치,
M3 : 경계 부분,
IM : 촬상 화상,
R : 레지스트,
R1 : 개구,
RB : 캐리어 필름,
CT : 이물질,
RS : 잔존물
11 : 화상 취득부,
12 : 제 1 면적 산출부,
13 : 제 2 면적 산출부,
14 : 면적 비율 산출부,
15 : 직경 치수 산출부,
16 : 대칭성 판정부,
17 : 결함 원인 특정부,
1A : 교사 데이터 취득부,
M : 증착 마스크,
M1 : 기재, 기재 부분,
M2 : 구멍, 구멍 부분,
M2N1 ∼ M2N5 : 정상 구멍 부분,
M2F : 불량 구멍 부분,
C : 무게 중심 위치,
M3 : 경계 부분,
IM : 촬상 화상,
R : 레지스트,
R1 : 개구,
RB : 캐리어 필름,
CT : 이물질,
RS : 잔존물
Claims (8)
- 복수의 구멍이 형성된 기재를 갖는 증착 마스크의 결함 원인을 특정하는 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템에 있어서,
정상 구멍 부분과 불량 구멍 부분을 포함하는 상기 복수의 구멍을 촬상한 복수의 구멍 부분과, 상기 복수의 구멍의 주위의 상기 기재를 촬상한 기재 부분을 포함하는 상기 증착 마스크의 촬상 화상을 취득하는 화상 취득부와,
상기 화상 취득부에 의해서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 1 면적 산출부와,
상기 화상 취득부에 의해서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 불량 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 2 면적 산출부와,
상기 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율을 산출하는 면적 비율 산출부와,
상기 불량 구멍 부분의 원인을 특정하는 결함 원인 특정부를 구비하고,
상기 결함 원인 특정부는,
상기 면적 비율이 1 이상인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 제 1 원인 또는 제 2 원인이라고 특정하고,
상기 면적 비율이 1 미만인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인 및 상기 제 2 원인 중 어느 것도 아닌 원인이라고 특정하는,
증착 마스크 결함 원인 특정 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 화상 취득부에 의해서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의, 상기 불량 구멍 부분의 무게 중심 위치부터, 상기 불량 구멍 부분과 상기 불량 구멍 부분의 주위의 상기 기재 부분의 경계 부분까지의 길이인 직경 치수를 산출하는 직경 치수 산출부와,
상기 직경 치수 산출부에 의해서 산출된 상기 직경 치수에 기초하여 상기 불량 구멍 부분의 형상의 대칭성을 판정하는 대칭성 판정부를 추가로 구비하고,
상기 직경 치수 산출부는, 상기 무게 중심 위치를 중심으로 하는 45°간격의 8 방향의 상기 직경 치수를 산출하는,
증착 마스크 결함 원인 특정 시스템. - 제 2 항에 있어서,
상기 결함 원인 특정부는,
상기 면적 비율이 1 이상인 경우로서, 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 상기 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 상기 대칭성 판정부에 의해서 판정된 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인이라고 특정하고,
상기 면적 비율이 1 이상인 경우로서, 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 상기 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖는다고 상기 대칭성 판정부에 의해서 판정된 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인과는 상이한 상기 제 2 원인이라고 특정하고,
상기 면적 비율이 1 미만인 경우로서, 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한 상기 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖지 않는다고 상기 대칭성 판정부에 의해서 판정된 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인 및 상기 제 2 원인 중 어느 것도 아닌 제 3 원인이라고 특정하고,
상기 면적 비율이 1 미만인 경우로서, 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 형상이 대칭성을 가지며, 또한, 상기 불량 구멍 부분의 형상이 대칭성을 갖는다고 상기 대칭성 판정부에 의해서 판정된 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인, 상기 제 2 원인 및 상기 제 3 원인 중 어느 것도 아닌 제 4 원인이라고 특정하는,
증착 마스크 결함 원인 특정 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 증착 마스크의 제작에 사용하는 레지스트가 네거티브 타입인 경우,
상기 제 1 원인에는,
상기 레지스트 자체에 이물질이 있어 현상시에 탈락된 것,
상기 증착 마스크의 제조 중에 상기 레지스트에 물리적으로 흠집이 난 것,
상기 기재에 대한 상기 레지스트의 라미네이트시에 이물질이 사이에 끼이고, 상기 레지스트와 상기 기재가 밀착되지 않은 부분이 상기 불량 구멍 부분에 위치해 있는 것,
상기 기재의 전처리 이후부터 상기 레지스트의 상기 기재에 대한 라미네이트 처리까지, 상기 기재의 오염이 제거되어 있지 않는 것,
상기 증착 마스크의 제작에 사용하는 노광 마스크에 문제가 있는 것,
상기 기재에 대한 상기 레지스트의 라미네이트시의 에어의 끼임이 발생된 것, 및,
노광시의 이물질에 의한 노광 저해가 발생된 것 중 적어도 어느 것이 포함되고,
상기 제 2 원인에는,
상기 노광 마스크의 개구 패턴에 문제가 있는 것,
상기 노광 마스크의 표면 전체가 일정하게 오염되어 있던 것,
상기 레지스트의 상기 기재에 대한 라미네이트 처리의 조건이 적절하지 않아, 상기 레지스트의 상기 기재에 대한 밀착성이 저하된 것, 및,
에칭에 의한 침입이 있었던 것 중 적어도 어느 것이 포함되고,
상기 제 3 원인에는,
상기 레지스트와 상기 기재 사이의 이물질에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생된 것,
드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한, 상기 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 상기 레지스트의 일부가 경화되어, 국소적인 에칭의 지연이 발생된 것,
현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 상기 레지스트의 개구 내의 잔존물에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생된 것,
상기 노광 마스크의 상기 개구 패턴에 국소적인 결손이 있는 것, 및,
상기 노광 마스크의 상기 기재에 대향하는 면에 있어서, 상기 기재를 향하여 돌출하는 국소적인 흠집에 의한 버가 있는 것 중 적어도 어느 것이 포함되고,
상기 제 4 원인에는,
상기 레지스트의 개구의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연이 발생된 것,
현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 상기 레지스트의 개구 내의 피막 잔사에 의한 에칭 부족이 발생된 것,
상기 드라이 필름 레지스트의 상기 캐리어 필름 상의 이물질에 의한, 상기 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 상기 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생된 것,
상기 드라이 필름 레지스트의 상기 캐리어 필름의 내부의 이물질에 의한, 상기 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 상기 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생된 것, 및,
상기 레지스트의 밀착 부족에서 기인하는, 상기 레지스트에 대한 노광시의 광의 산란에 의해서, 차광되어 있는 상기 레지스트의 일부가 경화되어, 에칭의 지연이 발생된 것 중 적어도 어느 것이 포함되는,
증착 마스크 결함 원인 특정 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 증착 마스크의 제작에 사용하는 레지스트가 포지티브 타입인 경우,
상기 제 1 원인에는,
상기 레지스트 자체에 이물질이 있어 현상시에 탈락된 것,
상기 기재에 대한 상기 레지스트의 라미네이트시에 이물질이 사이에 끼인 것,
상기 레지스트와 상기 기재가 밀착되지 않은 부분이 상기 불량 구멍 부분에 위치해 있는 것,
상기 기재에 대한 상기 레지스트의 라미네이트시의 에어의 끼임이 발생된 것, 및,
드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 상기 레지스트의 일부가 분해되어, 국소적으로 에칭이 지나치게 진행된 것 중 적어도 어느 것이 포함되고,
상기 제 2 원인에는,
상기 레지스트의 상기 기재에 대한 라미네이트 처리의 조건이 적절하지 않아, 상기 레지스트의 상기 기재에 대한 밀착성이 저하된 것,
에칭에 의한 침입이 있었던 것,
상기 레지스트의 캐리어 필름 상의 이물질에 의한, 상기 레지스트에 대한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 상기 레지스트의 일부가 분해되어, 에칭이 지나치게 진행된 것,
상기 레지스트의 캐리어 필름의 내부의 이물질에 의한 노광시의 광 산란에 의해서, 차광되어 있는 부분의 상기 레지스트의 일부가 분해되어, 에칭이 지나치게 진행된 것, 및,
상기 레지스트에 대한 노광시의 밀착 부족에 수반하는 광의 산란에 의한 상기 레지스트의 분해가 발생된 것 중 적어도 어느 것이 포함되고,
상기 제 3 원인에는,
상기 레지스트와 상기 기재 사이의 이물질에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생된 것,
현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 상기 레지스트의 개구 내의 잔존물에 의한 국소적인 에칭의 지연이 발생된 것,
상기 증착 마스크의 제작에 사용하는 노광 마스크에 형성되어 있는 구멍의 일부를 막는 결함이나 이물질의 부착이 있는 것, 및,
상기 레지스트에 대한 노광시의 이물질에 의한, 상기 레지스트에 대한 노광 저해가 발생된 것 중 적어도 어느 것이 포함되고,
상기 제 4 원인에는,
상기 레지스트의 개구의 불균일 또는 에칭액의 젖음성 부족에 의한 에칭의 지연이 발생된 것,
현상에 의해서 패터닝이 행해진 후의 상기 레지스트의 개구 내의 피막 잔사에 의한 에칭 부족이 발생된 것, 및,
상기 노광 마스크의 표면 전체가 일정하게 오염되어 있던 것 중 적어도 어느 것이 포함되는,
증착 마스크 결함 원인 특정 시스템. - 복수의 구멍이 형성된 기재를 갖는 증착 마스크의 결함 원인을 특정하는 증착 마스크 결함 원인 특정 방법에 있어서,
정상 구멍 부분과 불량 구멍 부분을 포함하는 상기 복수의 구멍을 촬상한 복수의 구멍 부분과, 상기 복수의 구멍의 주위의 상기 기재를 촬상한 기재 부분을 포함하는 상기 증착 마스크의 촬상 화상을 취득하는 화상 취득 스텝과,
상기 화상 취득 스텝에 있어서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 1 면적 산출 스텝과,
상기 화상 취득 스텝에 있어서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 불량 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 2 면적 산출 스텝과,
상기 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율을 산출하는 면적 비율 산출 스텝과,
상기 불량 구멍 부분의 원인을 특정하는 결함 원인 특정 스텝을 구비하고,
상기 결함 원인 특정 스텝에서는,
상기 면적 비율이 1 이상인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 제 1 원인 또는 제 2 원인이라고 특정되고,
상기 면적 비율이 1 미만인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인 및 상기 제 2 원인 중 어느 것도 아닌 원인이라고 특정되는,
증착 마스크 결함 원인 특정 방법. - 복수의 구멍이 형성된 기재를 갖는 증착 마스크의 결함 원인을 특정하는 결함 원인 특정 프로그램에 있어서,
컴퓨터에,
정상 구멍 부분과 불량 구멍 부분을 포함하는 상기 복수의 구멍을 촬상한 복수의 구멍 부분과, 상기 복수의 구멍의 주위의 상기 기재를 촬상한 기재 부분을 포함하는 상기 증착 마스크의 촬상 화상을 취득하는 화상 취득 스텝과,
상기 화상 취득 스텝에 있어서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 1 면적 산출 스텝과,
상기 화상 취득 스텝에 있어서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 불량 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 2 면적 산출 스텝과,
상기 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율을 산출하는 면적 비율 산출 스텝과,
상기 불량 구멍 부분의 원인을 특정하는 결함 원인 특정 스텝
을 실행시키기 위한 프로그램으로서,
상기 결함 원인 특정 스텝에서는,
상기 면적 비율이 1 이상인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 제 1 원인 또는 제 2 원인이라고 특정되고,
상기 면적 비율이 1 미만인 경우에, 상기 불량 구멍 부분의 원인이, 상기 제 1 원인 및 상기 제 2 원인 중 어느 것도 아닌 원인이라고 특정되는,
프로그램. - 복수의 구멍이 형성된 기재를 갖는 증착 마스크의 결함 원인을 특정하는 증착 마스크 결함 원인 특정 시스템에 있어서,
정상 구멍 부분과 불량 구멍 부분을 포함하는 상기 복수의 구멍을 촬상한 복수의 구멍 부분과, 상기 복수의 구멍의 주위의 상기 기재를 촬상한 기재 부분을 포함하는 상기 증착 마스크의 촬상 화상을 취득하는 화상 취득부와,
상기 화상 취득부에 의해서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 정상 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 1 면적 산출부와,
상기 화상 취득부에 의해서 취득된 상기 촬상 화상에 있어서의 상기 불량 구멍 부분의 면적을 산출하는 제 2 면적 산출부와,
상기 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율을 산출하는 면적 비율 산출부와,
상기 불량 구멍 부분의 원인을 특정하는 결함 원인 특정부와,
교사 데이터 취득부를 구비하고,
상기 교사 데이터 취득부는,
학습용 제 1 증착 마스크의 촬상 화상과, 상기 학습용 제 1 증착 마스크에 포함되는 불량 구멍 부분의 원인의 관계를 나타내는 제 1 교사 데이터와,
학습용 제 2 증착 마스크의 촬상 화상과, 상기 학습용 제 2 증착 마스크에 포함되는 불량 구멍 부분의 원인의 관계를 나타내는 제 2 교사 데이터를 취득하고,
상기 학습용 제 1 증착 마스크에 포함되는 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율은 1 이상이고,
상기 학습용 제 2 증착 마스크에 포함되는 정상 구멍 부분의 면적에 대한 상기 불량 구멍 부분의 면적의 비율인 면적 비율은 1 미만이고,
상기 결함 원인 특정부는, 상기 제 1 교사 데이터 및 상기 제 2 교사 데이터를 사용한 지도 학습을 실행한 후에, 상기 면적 비율 산출부에 의해서 산출된 상기 면적 비율이 1 이상인 경우의 상기 불량 구멍 부분의 원인과, 상기 면적 비율 산출부에 의해서 산출된 상기 면적 비율이 1 미만인 경우의 상기 불량 구멍 부분의 원인을 특정하는,
증착 마스크 결함 원인 특정 시스템.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102673099B1 (ko) * | 2023-02-22 | 2024-06-07 | (주) 이노윈테크 | 증착 공정용 디퓨저 패널 검사장치 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4555798A (en) * | 1983-06-20 | 1985-11-26 | Kla Instruments Corporation | Automatic system and method for inspecting hole quality |
| JP2000028539A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 欠陥検出方法 |
| JP2004037134A (ja) | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Nec Corp | メタルマスク検査方法及びメタルマスク検査装置 |
| JP2006046943A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | マスクの欠陥分類方法および分類装置 |
| JP2011237303A (ja) | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Sumco Corp | ウェーハ欠陥検査装置及びウェーハ欠陥検査方法 |
| JP2018044219A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着用メタルマスクの補修装置、および、蒸着用メタルマスクの補修方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3639636B2 (ja) * | 1995-04-25 | 2005-04-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体ウェハの不良解析装置及び不良解析方法 |
| JP4088990B2 (ja) * | 1997-12-22 | 2008-05-21 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスク欠陥解析装置および欠陥解析方法ならびにフォトマスク欠陥解析プログラムを記録した記録媒体 |
| JP2008157676A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 色判別装置、色判別プログラム、故障診断装置 |
| US8995747B2 (en) * | 2010-07-29 | 2015-03-31 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Methods, systems and apparatus for defect detection and classification |
| US10295477B2 (en) * | 2017-01-26 | 2019-05-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Methods for defect inspection, sorting, and manufacturing photomask blank |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4555798A (en) * | 1983-06-20 | 1985-11-26 | Kla Instruments Corporation | Automatic system and method for inspecting hole quality |
| JP2000028539A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 欠陥検出方法 |
| JP2004037134A (ja) | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Nec Corp | メタルマスク検査方法及びメタルマスク検査装置 |
| JP2006046943A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | マスクの欠陥分類方法および分類装置 |
| JP2011237303A (ja) | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Sumco Corp | ウェーハ欠陥検査装置及びウェーハ欠陥検査方法 |
| JP2018044219A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着用メタルマスクの補修装置、および、蒸着用メタルマスクの補修方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102673099B1 (ko) * | 2023-02-22 | 2024-06-07 | (주) 이노윈테크 | 증착 공정용 디퓨저 패널 검사장치 |
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