WO2020218396A1

WO2020218396A1 - 蒸着マスク欠陥原因特定システム、蒸着マスク欠陥原因特定方法およびプログラム

Info

Publication number: WO2020218396A1
Application number: PCT/JP2020/017429
Authority: WO
Inventors: 山田　清治; 泰充柴田; 大生藤戸
Original assignee: 凸版印刷株式会社
Priority date: 2019-04-26
Filing date: 2020-04-23
Publication date: 2020-10-29
Also published as: JPWO2020218396A1; CN113498441B; KR102599165B1; JP7259945B2; KR20220005430A; CN113498441A

Abstract

複数の孔が形成された基材を有する蒸着マスクの欠陥原因を特定する蒸着マスク欠陥原因特定システムは、正常孔部分と不良孔部分とを含む前記複数の孔を撮像した複数の孔部分と、複数の孔の周囲の前記基材を撮像した基材部分と、を含む前記蒸着マスクの撮像画像を取得する画像取得部と、画像取得部によって取得された撮像画像に含まれる正常孔部分の面積を算出する第１面積算出部と、画像取得部によって取得された撮像画像に含まれる不良孔部分の面積を算出する第２面積算出部と、正常孔部分の面積に対する不良孔部分の面積の割合である面積比率を算出する面積比率算出部と、不良孔部分の原因を特定する欠陥原因特定部とを備え、欠陥原因特定部は、面積比率が１以上である場合に、不良孔部分の原因が、第１原因または第２原因であると特定し、面積比率が１未満である場合に、不良孔部分の原因が、第１原因および第２原因のどちらでもない原因であると特定する。

Description

蒸着マスク欠陥原因特定システム、蒸着マスク欠陥原因特定方法およびプログラム

　本発明は、蒸着マスク欠陥原因特定システム、蒸着マスク欠陥原因特定方法およびプログラムに関する。
　本願は、２０１９年４月２６日に日本に出願された特願２０１９－０８６５７０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　従来から、ウェーハの画像からウェーハの欠陥を検出するウェーハ欠陥検出装置が知られている（特許文献１参照）。特許文献１に記載されたウェーハ欠陥検出装置では、画像中のウェーハの検査対象の領域内の各画素について移動平均輝度が算出され、各画素が欠陥候補画素であるか否かが判定される。
　ところで、特許文献１に記載された技術では、面積、円形度、長い幅と短い幅との比などに基づいて欠陥種類が判定されるものの、特許文献１に記載されたウェーハ欠陥検出装置は、欠陥の原因（つまり、そのような欠陥が生じた原因）を特定することができない。

　また、従来から、メタルマスクの表面上の異物を検出するメタルマスク検査装置が知られている（特許文献２参照）。特許文献２に記載されたメタルマスク検査装置では、スリット部（透過させる部分）とワイヤ部（マスクする部分）とを有するメタルマスクの検査を行うために、バックライト画像、同軸反射画像などが用いられる。
　ところで、特許文献２に記載された技術では、バックライト画像、同軸反射画像などを用いることによって、スリット部に飛び出した異物などが検出される。しかし、特許文献２に記載されたメタルマスク検査装置によっても、欠陥の原因（つまり、そのような異物などが生じた原因）を特定することができない。

　蒸着マスクの製造現場においては、検査担当者が、蒸着マスクの撮像画像を目視することによって、蒸着マスクに含まれる複数の孔の形状を確認している。蒸着マスクに不良孔が含まれる場合には、検査担当者が、不良孔の形状に基づいて、不良孔の原因を判断している。具体的には、検査担当者は、不良孔のサイズが正常孔のサイズよりも大きいか否か、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状（例えば欠けた形状）になっているか否かなどを目視で確認している。

日本国特開２０１１－２３７３０３号公報日本国特開２００４－０３７１３４号公報

　本発明者等は、鋭意研究において、蒸着マスク作製時に用いるレジストがネガタイプである場合の蒸着マスクでは、例えば以下のような場合において、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）以上になり、かつ、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることを見出した。例えば、（１）レジスト自体に異物があり現像時に脱落した場合（つまり、レジストパターンが欠けた場合）、（２）蒸着マスクの製造中にレジストに物理的に傷がついた場合（つまり、レジストパターンが欠けた場合）などが挙げられる。また、例えばドライフィルムレジストが適用される例では、（３）基材に対するレジストのラミネート時に異物を挟み込み、レジストと基材とが密着しなかった部分が孔にかかっている場合（つまり、レジストパターンが欠けた場合）、（４）基材の前処理以降からレジストの基材へのラミネート処理までに、基材の汚れが取れていない場合、（５）露光マスク（蒸着マスクの原版）に問題がある場合（つまり、レジストパターンが欠けた場合）、（６）基材に対するレジストのラミネート時のエアの挟み込みが生じた場合、および、（７）露光時の異物（蒸着マスク側ではなく、基材側の異物）による露光阻害（共通ではなく、単発の露光阻害）が生じた場合などが挙げられる。

　更に、本発明者等は、蒸着マスク作製時に用いるレジストがネガタイプである場合の蒸着マスクでは、例えば以下のような場合において、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることなく、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）以上になることを見出した。例えば、（１）露光マスクの開口パターンに問題がある場合（露光マスクの開口パターンのサイズが設計値より小さい場合）、（２）露光マスクの表面全体が一様に汚れていた場合（光量が不足した場合）、（３）レジストの基材へのラミネート処理の条件が適切ではなく（つまり、事前の条件出しが適切ではなく）レジストの基材への密着性が低下した場合、（４）エッチングでの浸み込み（温度、酸等）があった場合などが挙げられる。

　また、本発明者等は、蒸着マスクの作製時に用いるレジストがネガタイプである場合の蒸着マスクでは、例えば以下のような場合において、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）未満になり、かつ、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることを見出した。例えば、（１）レジストと基材との間の異物による局所的なエッチングの遅れが生じた場合、（２）ドライフィルムレジストのキャリアフィルム上の異物による、レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストの一部が硬化し、局所的なエッチングの遅れが生じた場合、（３）現像によりパターニングが行われた後のレジストの開口内の残存物による局所的なエッチングの遅れが生じた場合、（４）露光マスクの開口パターンに局所的な欠損がある場合、および、（５）露光マスクの基材に対向する面において、基材に向かって突出する局所的なキズによるバリ（突出部）がある場合（つまり、レジストへの露光時に、突出部周辺で光が散乱し、突出部周辺のレジストが硬化する場合）などが挙げられる。

　更に、本発明者等は、蒸着マスク作製時に用いるレジストがネガタイプである場合の蒸着マスクでは、例えば以下のような場合において、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることなく、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）未満になることを見出した。例えば、（１）レジストの開口のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れが生じた場合、（２）現像によりパターニングが行われた後のレジストの開口内の皮膜残渣によるエッチング不足が生じた場合、（３）ドライフィルムレジストのキャリアフィルム上の異物による、レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じた場合、（４）ドライフィルムレジストのキャリアフィルムの内部の異物による、レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じた場合、および、（５）レジストの密着不足に起因する、レジストへの露光時の光の散乱によって、遮光されているレジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じた場合などが挙げられる。

　また、本発明者等は、蒸着マスクの作製時に用いるレジストがポジタイプである場合の蒸着マスクでは、例えば以下のような場合において、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）以上になり、かつ、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることを見出した。例えば、（１）レジスト自体に異物があり現像時に脱落した場合などが挙げられる。また、例えばドライフィルムレジストが適用される例では（２）基材に対するレジストのラミネート時に異物を挟み込んだ場合、（３）レジストと基材とが密着しなかった部分が孔にかかっている場合、（４）基材に対するレジストのラミネート時のエアの挟み込みが生じた場合、および、（５）ドライフィルムレジストのキャリアフィルム上の異物による露光時の光散乱よって、遮光されている部分のレジストの一部が分解し、局所的にエッチングが進行しすぎた場合などが挙げられる。

　更に、本発明者等は、蒸着マスクの作製時に用いるレジストがポジタイプである場合の蒸着マスクでは、例えば以下のような場合において、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることなく、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）以上になることを見出した。例えば、（１）レジストの基材へのラミネート処理の条件が適切ではなく（つまり、事前の条件出しが適切ではなく）レジストの基材への密着性が低下した場合、（２）エッチングでの浸み込み（温度、酸等）があった場合、（３）レジストのキャリアフィルム上の異物による、レジストへの露光時の光散乱よって、遮光されている部分のレジストの一部が分解し、エッチングが進行しすぎた場合、（４）レジストのキャリアフィルムの内部の異物による露光時の光散乱よって、遮光されている部分のレジストの一部が分解し、エッチングが進行しすぎた場合、および、（５）レジストへの露光時の密着不足に伴う光の散乱によるレジストの分解が生じた場合などが挙げられる。

　また、本発明者等は、蒸着マスク作製時に用いるレジストがポジタイプである場合の蒸着マスクでは、例えば以下のような場合において、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）未満になり、かつ、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることを見出した。例えば、（１）レジストと基材との間の異物による局所的なエッチングの遅れが生じた場合、（２）現像によりパターニングが行われた後のレジストの開口内の残存物による局所的なエッチングの遅れが生じた場合、（３）露光マスクに形成されている孔の一部を塞ぐような欠陥や異物の付着がある場合（つまり、レジストパターンでエッチングされる部分が狭くなる場合）、および、（４）レジストへの露光時の異物による、レジストへの露光阻害が生じた場合などが挙げられる。

　更に、本発明者等は、蒸着マスク作製時に用いるポジタイプである場合の蒸着マスクでは、例えば以下のような場合において、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることなく、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）未満になることを見出した。例えば、（１）レジストの開口のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れが生じた場合、（２）現像によりパターニングが行われた後のレジストの開口内の皮膜残渣によるエッチング不足が生じた場合、および、（３）露光マスクの表面全体が一様に汚れていた場合などが挙げられる。

　そこで、本発明は、蒸着マスクの検査担当者が不良孔部分の形状を目視で確認する必要なく、不良孔部分の原因を特定することができる蒸着マスク欠陥原因特定システム、蒸着マスク欠陥原因特定方法およびプログラムを提供することを目的とする。

　本発明の第１の態様に係る蒸着マスク欠陥原因特定システムは、複数の孔が形成された基材を有する蒸着マスクの欠陥原因を特定するシステムにおいて、正常孔部分と不良孔部分とを含む前記複数の孔を撮像した複数の孔部分と、前記複数の孔の周囲の前記基材を撮像した基材部分と、を含む前記蒸着マスクの撮像画像を取得する画像取得部と、前記画像取得部によって取得された前記撮像画像における前記正常孔部分の面積を算出する第１面積算出部と、前記画像取得部によって取得された前記撮像画像における前記不良孔部分の面積を算出する第２面積算出部と、前記正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率を算出する面積比率算出部と、前記不良孔部分の原因を特定する欠陥原因特定部と、を備え、前記欠陥原因特定部は、前記面積比率が１以上である場合に、前記不良孔部分の原因が、第１原因または第２原因であると特定し、前記面積比率が１未満である場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因および前記第２原因のどちらでもない原因であると特定する。

　また、蒸着マスク欠陥原因特定システムは、前記画像取得部によって取得された前記撮像画像における、前記不良孔部分の重心位置から、前記不良孔部分と前記不良孔部分の周囲の前記基材部分との境界部分までの長さである径寸法を算出する径寸法算出部と、前記径寸法算出部によって算出された前記径寸法に基づいて前記不良孔部分の形状の対称性を判定する対称性判定部と、を更に備え、前記径寸法算出部は、前記重心位置を中心とする４５°間隔の８方向の前記径寸法を算出してもよい。

　また、蒸着マスク欠陥原因特定システムでは、前記欠陥原因特定部は、前記面積比率が１以上である場合であって、前記撮像画像における前記正常孔部分の形状が対称性を有し、かつ前記不良孔部分の形状が対称性を有さないと前記対称性判定部によって判定された場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因であると特定し、前記面積比率が１以上である場合であって、前記撮像画像における前記正常孔部分の形状が対称性を有し、かつ、前記不良孔部分の形状が対称性を有すると前記対称性判定部によって判定された場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因とは異なる前記第２原因であると特定し、前記面積比率が１未満である場合であって、前記撮像画像における前記正常孔部分の形状が対称性を有し、かつ前記不良孔部分の形状が対称性を有さないと前記対称性判定部によって判定された場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因および前記第２原因のどちらでもない第３原因であると特定し、前記面積比率が１未満である場合であって、前記撮像画像における前記正常孔部分の形状が対称性を有し、かつ、前記不良孔部分の形状が対称性を有すると前記対称性判定部によって判定された場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因、前記第２原因および前記第３原因のいずれでもない第４原因であると特定してもよい。

　また、蒸着マスク欠陥原因特定システムでは、前記蒸着マスクの作製に用いるレジストがネガタイプである場合、前記第１原因には、前記レジスト自体に異物があり現像時に脱落したこと、前記蒸着マスクの製造中に前記レジストに物理的に傷がついたこと、前記基材に対する前記レジストのラミネート時に異物を挟み込み、前記レジストと前記基材とが密着しなかった部分が前記不良孔部分にかかっていること、前記基材の前処理以降から前記レジストの前記基材へのラミネート処理までに前記基材の汚れが取れていないこと、前記蒸着マスクの作製に用いる露光マスクに問題があること、前記基材に対する前記レジストのラミネート時のエアの挟み込みが生じたこと、および、露光時の異物による露光阻害が生じたことの少なくともいずれかが含まれ、前記第２原因には、前記露光マスクの開口パターンに問題があること、前記露光マスクの表面全体が一様に汚れていたこと、前記レジストの基材へのラミネート処理の条件が適切ではなく、前記レジストの基材との密着性が低下したこと、および、エッチングでの浸み込みがあったことの少なくともいずれかが含まれ、前記第３原因には、前記レジストと前記基材との間の異物による局所的なエッチングの遅れが生じたこと、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムの上の異物による、前記レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されている前記レジストの一部が硬化し、局所的なエッチングの遅れが生じたこと、現像によりパターニングが行われた後の前記レジストの開口内の残存物による局所的なエッチングの遅れが生じたこと、前記露光マスクの前記開口パターンに局所的な欠損があること、および、前記露光マスクの前記基材に対向する面において、前記基材に向かって突出する局所的なキズによるバリがあること、の少なくともいずれかが含まれ、前記第４原因には、前記レジストの開口のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れが生じたこと、現像によりパターニングが行われた後の前記レジストの開口内の皮膜残渣によるエッチング不足が生じたこと、前記ドライフィルムレジストの前記キャリアフィルムの上の異物による、前記レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されている前記レジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じたこと、前記ドライフィルムレジストの前記キャリアフィルムの内部の異物による、前記レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されている前記レジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じたこと、および、前記レジストの密着不足に起因する、前記レジストへの露光時の光の散乱によって、遮光されている前記レジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じたこと、の少なくともいずれかが含まれてもよい。

　また、蒸着マスク欠陥原因特定システムでは、前記蒸着マスクの作製に用いるレジストがポジタイプである場合、前記第１原因には、前記レジスト自体に異物があり現像時に脱落したこと、前記基材に対する前記レジストのラミネート時に異物を挟み込んだこと、前記レジストと前記基材とが密着しなかった部分が前記不良孔部分にかかっていること、前記基材に対するレジストのラミネート時のエアの挟み込みが生じたこと、および、前記レジストのキャリアフィルム上の異物による露光時の光散乱によって、遮光されている部分の前記レジストの一部が分解し、局所的にエッチングが進行しすぎたこと、の少なくともいずれかが含まれ、前記第２原因には、前記レジストの前記基材へのラミネート処理の条件が適切ではなく、前記レジストの前記基材への密着性が低下したこと、エッチングでの浸み込みがあったこと、前記レジストのキャリアフィルム上の異物による露光時の光散乱によって、遮光されている部分の前記レジストの一部が分解し、エッチングが進行しすぎたこと、前記レジストのキャリアフィルムの内部の異物による、前記レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されている部分の前記レジストの一部が分解し、エッチングが進行しすぎたこと、および、前記レジストへの露光時の密着不足に伴う光の散乱による前記レジストの分解が生じたこと、の少なくともいずれかが含まれ、前記第３原因には、前記レジストと前記基材との間の異物による局所的なエッチングの遅れが生じたこと、現像によりパターニングが行われた後の前記レジストの開口内の残存物による局所的なエッチングの遅れが生じたこと、前記蒸着マスクの作製に用いる露光マスクに形成されている孔の一部を塞ぐような欠陥や異物の付着があること、および、前記レジストへの露光時の異物による、前記レジストへの露光阻害が生じたこと、の少なくともいずれかが含まれ、前記第４原因には、前記レジストの開口のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れが生じたこと、現像によりパターニングが行われた後の前記レジストの開口内の皮膜残渣によるエッチング不足が生じたこと、および、前記露光マスクの表面全体が一様に汚れていたことの少なくともいずれかが含まれてもよい。

　本発明の第２の態様に係る蒸着マスク欠陥原因特定方法は、複数の孔が形成された基材を有する蒸着マスクの欠陥原因を特定する方法において、正常孔部分と不良孔部分とを含む前記複数の孔を撮像した複数の孔部分と、前記複数の孔の周囲の前記基材を撮像した基材部分と、を含む前記蒸着マスクの撮像画像を取得する画像取得ステップと、前記画像取得ステップにおいて取得された前記撮像画像における前記正常孔部分の面積を算出する第１面積算出ステップと、前記画像取得ステップにおいて取得された前記撮像画像における前記不良孔部分の面積を算出する第２面積算出ステップと、前記正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率を算出する面積比率算出ステップと、前記不良孔部分の原因を特定する欠陥原因特定ステップと、を備え、前記欠陥原因特定ステップでは、前記面積比率が１以上である場合に、前記不良孔部分の原因が、第１原因または第２原因であると特定され、前記面積比率が１未満である場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因および前記第２原因のどちらでもない原因であると特定される。

　本発明の第３の態様に係るプログラムは、複数の孔が形成された基材を有する蒸着マスクの欠陥原因を特定する欠陥原因特定するプログラムにおいて、コンピュータに、正常孔部分と不良孔部分とを含む前記複数の孔を撮像した複数の孔部分と、前記複数の孔の周囲の前記基材を撮像した基材部分と、を含む前記蒸着マスクの撮像画像を取得する画像取得ステップと、前記画像取得ステップにおいて取得された前記撮像画像における前記正常孔部分の面積を算出する第１面積算出ステップと、前記画像取得ステップにおいて取得された前記撮像画像における前記不良孔部分の面積を算出する第２面積算出ステップと、前記正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率を算出する面積比率算出ステップと、前記不良孔部分の原因を特定する欠陥原因特定ステップと、を実行させるためのプログラムであって、前記欠陥原因特定ステップでは、前記面積比率が１以上である場合に、前記不良孔部分の原因が、第１原因または第２原因であると特定され、前記面積比率が１未満である場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因および前記第２原因のどちらでもない原因であると特定される。

　本発明の第４の態様に係る蒸着マスク欠陥原因特定システムは、複数の孔が形成された基材を有する蒸着マスクの欠陥原因を特定するシステムにおいて、正常孔部分と不良孔部分とを含む前記複数の孔を撮像した複数の孔部分と、前記複数の孔の周囲の前記基材を撮像した基材部分と、を含む前記蒸着マスクの撮像画像を取得する画像取得部と、前記画像取得部によって取得された前記撮像画像における前記正常孔部分の面積を算出する第１面積算出部と、前記画像取得部によって取得された前記撮像画像における前記不良孔部分の面積を算出する第２面積算出部と、前記正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率を算出する面積比率算出部と、前記不良孔部分の原因を特定する欠陥原因特定部と、教師データ取得部と、を備え、前記教師データ取得部は、学習用第１蒸着マスクの撮像画像と、前記学習用第１蒸着マスクに含まれる不良孔部分の原因との関係を示す第１教師データと、学習用第２蒸着マスクの撮像画像と、前記学習用第２蒸着マスクに含まれる不良孔部分の原因との関係を示す第２教師データとを取得し、前記学習用第１蒸着マスクに含まれる正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率は１以上であり、前記学習用第２蒸着マスクに含まれる正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率は１未満であり、前記欠陥原因特定部は、前記第１教師データおよび前記第２教師データを使用した教師あり学習を実行した後に、前記面積比率算出部によって算出された前記面積比率が１以上である場合の前記不良孔部分の原因と、前記面積比率算出部によって算出された前記面積比率が１未満である場合の前記不良孔部分の原因と、を特定する。

　本発明によれば、蒸着マスクの検査担当者が不良孔部分の形状を目視で確認する必要なく、不良孔部分の原因を特定することができる蒸着マスク欠陥原因特定システム、蒸着マスク欠陥原因特定方法およびプログラムを提供することができる。

第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システムの概略構成の一例を示す図である。面積比率算出部によって算出された面積比率が１以上である場合に画像取得部によって取得された蒸着マスクの撮像画像の一部の一例を示す図である。面積比率算出部によって算出された面積比率が１未満である場合であって、撮像画像上における正常孔部分の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分の形状が対称性を有さない場合に画像取得部によって取得された蒸着マスクの撮像画像の一部の一例を示す図である。面積比率算出部によって算出された面積比率が１未満である場合であって、撮像画像上における正常孔部分の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分の形状が対称性を有する場合に画像取得部によって取得された蒸着マスクの撮像画像の一部の一例を示す図である。不良孔部分の形状が対称性を有さないと対称性判定部によって判定される一例を説明するための図である。不良孔部分の形状が対称性を有すると対称性判定部によって判定される一例を説明するための図である。第１原因に含まれる原因の１つである蒸着マスクの製造時における基材に対するレジストの密着性不良の一例を説明するための図である。蒸着マスク作製時に用いるレジストがネガタイプである場合に第１原因に含まれる原因の１つであるレジスト上またはレジスト中の異物による露光障害によるレジストの硬化不足の一例を説明するための図である。図８Ａの基材をエッチング処理した後の図である。第３原因に含まれる原因の１つであるレジストと基材との間の異物による局所的なエッチングの遅れの一例を説明するための図である。第３原因に含まれる原因の１つである現像によりパターニングが行われた後のレジストの開口内の残存物による局所的なエッチングの遅れの一例を説明するための図である。蒸着マスク作製時に用いるレジストがネガタイプである場合に第４原因に含まれる原因の１つであるレジストのキャリアフィルム上の異物またはキャリアフィルムの内部の異物によるレジストへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストの一部が硬化することによる局所的なエッチングの遅れの一例を説明するための図である。第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システムにおいて実行される処理の一例を説明するためのフローチャートである。第２実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システムの概略構成の一例を示す図である。蒸着マスクの製造方法の一例を説明する図であり、基材の両面にドライフィルムレジストをラミネートする工程を説明するための図である。図１４Ａの次の工程を説明するための図である。図１４Ｂの次の工程を説明するための図である。図１４Ｃの次の工程を説明するための図である。図１４Ｄの次の工程を説明するための図である。蒸着マスクに形成された孔の形状および寸法を説明するための図である。

　以下、添付図面を参照し、本発明の蒸着マスク欠陥原因特定システム、蒸着マスク欠陥原因特定方法およびプログラムの実施形態について説明する。

＜第１実施形態＞
　図１は第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１の概略構成の一例を示す図である。
　図１に示す例では、蒸着マスク欠陥原因特定システム１が、蒸着マスクＭ（図２参照）の欠陥の原因を特定する。蒸着マスク欠陥原因特定システム１は、画像取得部１１と、第１面積算出部１２と、第２面積算出部１３と、面積比率算出部１４と、径寸法算出部１５と、対称性判定部１６と、欠陥原因特定部１７とを備えている。

　ここで、蒸着マスク欠陥原因特定システム１により撮像される蒸着マスクＭの製造方法を図面に基づいて説明する。
　図１４Ａに示すように、基材Ｍ１の両面に、レジストＲを配置する。基材Ｍ１は、鉄とニッケルとを主成分とする合金である鉄‐ニッケル系合金を用いることができる。例えば、３０質量％以上のニッケルと、残余分の鉄を含む合金であってもよい。鉄およびニッケルに加えて、クロム、マンガン、炭素、およびコバルトなどの添加物を含んでいてもよい。また、基材Ｍ１は、熱膨張率の小さい、例えばニッケルを３６質量％含むインバー材などの合金であってもよい。
　基材Ｍ１は、鉄‐ニッケル‐コバルト系の合金を用いることもできる。例えば、３０質量％以上のニッケル、３質量％以上のコバルト、および残余分の鉄を含む合金であってもよい。鉄、ニッケル、およびコバルトに加えて、クロム、マンガン、および炭素などの添加物を含んでいてもよい。また、基材Ｍ１は、さらに熱膨張率の小さい、例えばニッケルを３２質量％、コバルトを４質量％以上５質量％以下含む合金、すなわちスーパーインバー材などの合金であってもよい。
　レジストＲは、ネガタイプまたはポジタイプのいずれを用いてもよい。また、レジストＲは、ドライフィルムレジストであってもよい。レジストＲがドライフィルムレジストである場合には、基材Ｍ１の表面にレジストＲを含むドライフィルムがラミネートされる。以降、ドライフィルムレジストを用いる場合において、基材Ｍ１の表面にドライフィルムレジストをラミネートすることを、レジストＲがラミネートされる、とも表現する。
　図１４Ａに示す例では、基材Ｍ１の両面にレジストＲが配置されているが、一方の面のみにレジストＲが配置されてもよい。

　（方向定義）
　本実施形態では、基材Ｍ１およびレジストＲが積層された方向を上下方向といい、基材Ｍ１において、紙面上側の面を上面、紙面下側の面を下面と呼ぶ。また、上下方向から見ることを平面視といい、上下方向に沿った断面で見ることを断面視という。

　次に、図１４Ｂに示すように、露光マスク（不図示）を用いレジストＲに部分的に光を露光し、露光マスクのパターン（開口パターン）をレジストＲに転写する。露光マスクの開口パターンは、露光された光が透過する光透過部である。露光マスクは、蒸着マスクの原版ともいう。図１４Ｂ～図１４Ｅでは、説明のため、蒸着マスクＭに形成される複数の孔のうちの一つの孔を形成する工程を図示している。
　ネガタイプのレジストＲを用いた場合には、露光された部分のレジストＲが硬化する。アルカリ水溶液で洗浄することで、露光マスクにより光が遮蔽された部分のレジストＲを除去する。これにより、図１４Ｂに示すように、レジストＲに開口を形成することができる。ポジタイプのレジストＲを用いた場合には、露光された部分のレジストＲが分解する。分解したレジストＲをアルカリ水溶液で除去することで、図１４Ｂに示すように、レジストＲに開口を形成することができる。

　次に、図１４Ｃに示すように、基材Ｍ１の下面側にバックシートＢＳを張り付けた後に、基材Ｍ１の上面をエッチングする。ここで、図１４Ｃに示す例では、等方性エッチングにより、レジストＲの開口から等方的にエッチングが進んでいる。すなわち、基材Ｍ１の上面には、下方向に向かって凸の球面状の孔が形成される。
　次に、図１４Ｄに示すように、次工程で基材Ｍ１の下面をエッチング時に基材Ｍ１の上面側を保護するために、基材Ｍ１の上面側にエッチング保護用のニスＮを塗布する。さらに、基材Ｍ１の下面側のバックシートＢＳを除去する。図１４Ｃと同様にエッチングを行うことで、基材Ｍ１の下面に、上方向に向かって凸の球面状の孔が形成される。
　ここで、基材Ｍ１の上面の孔の径は、下面の孔の径よりも小さくてもよい。以降、基材Ｍ１の上面の孔を小孔Ｍ２Ｓ、下面の孔を大孔Ｍ２Ｌとも呼ぶ。
　なお、等方性エッチングにより孔Ｍ２を形成する例に限らず、異方性エッチングにより孔Ｍ２を形成してもよい。

　図１４Ｅに示すように、小孔Ｍ２Ｓおよび大孔Ｍ２Ｌにより、基材Ｍ１を上下方向に貫通する孔Ｍ２が形成される。図１５に示すように、基材Ｍ１の上面には、開口幅がＤＳである小孔Ｍ２Ｓが形成され、下面には、開口幅がＤＬである大孔Ｍ２Ｌが形成される。上下方向において、小孔Ｍ２Ｓおよび大孔Ｍ２Ｌが重なって形成される箇所を第１開口部Ｍ２ｆとし、第１開口部Ｍ２ｆにおける開口幅をＤ１とする。孔Ｍ２の開口幅は、第１開口部Ｍ２ｆにおいて最小となる。
　高精細な蒸着マスクＭを作製する場合、基材Ｍ１の下面からの１回のエッチングにより蒸着マスクＭを上下方向に貫通する複数の孔Ｍ２を形成してもよい。この場合、孔Ｍ２の開口幅が最小になる箇所は、基材Ｍ１の上面（すなわち、ＤＳ＝Ｄ１）となる。

　蒸着マスク欠陥原因特定システム１の画像取得部１１は、図１５の基材Ｍ１の上面側または下面側に配置したカメラ（不図示）等によって蒸着マスクＭに形成された複数の孔Ｍ２を撮影し、撮像画像ＩＭ（図２参照）（詳細には、２次元画像）を取得する。
　孔Ｍ２のうち、上下方向においていずれの位置を撮像するかは、カメラの配置場所や撮像のための光を照射する方向を変更することにより適宜変更できる。例えば、第1開口部Ｍ２ｆの形状や開口幅Ｄ１を測定する場合には、カメラを基材Ｍ１の上面側に配置し、光源を基材Ｍ１の下面側に配置する。この場合、基材Ｍ１の下面側からの孔Ｍ２を透過する光により、基材Ｍ１を撮像する。

　この例に限らず、第1開口部Ｍ２ｆの形状や開口幅Ｄ１を撮像するために、カメラおよび光源を基材Ｍ１の上面側に配置し、基材Ｍ１の上面側から孔Ｍ２を反射する光により、基材Ｍ１を撮像してもよい。
　また、小孔Ｍ２Ｓの形状や開口幅ＤＳを測定するために、カメラおよび光源を基材Ｍ１の上面側に配置し、基材Ｍ１の上面側から孔Ｍ２を反射する光により、基材Ｍ１を撮像してもよい。大孔Ｍ２Ｌの形状や開口幅ＤＬを測定するために、カメラおよび光源を基材Ｍ１の下面側に配置し、基材Ｍ１の下面側から孔Ｍ２を反射する光により、基材Ｍ１を撮像してもよい。
　また、第1開口部Ｍ２ｆの形状や開口幅Ｄ１を測定するために、カメラおよび光源を基材Ｍ１の下面側に配置し、基材Ｍ１の下面側から孔Ｍ２を反射する光により、基材Ｍ１を撮像してもよい。
　この例に限らず、第1開口部Ｍ２ｆの形状や開口幅Ｄ１を測定するために、カメラを基材Ｍ１の下面側に配置し、光源を基材Ｍ１の上面側に配置する。この場合、基材Ｍ１の上面側からの孔Ｍ２を透過する光により、基材Ｍ１を撮像してもよい。
　また、基材Ｍ１の下面において、複数形成された大孔Ｍ２Ｌの開口端同士がオーバーラップしていてもよい。この場合、形成された大孔Ｍ２Ｌ同士の大きさや重なり具合等の条件に応じて、あらかじめ設定した箇所の寸法を測定すればよい。

　画像取得部１１によって取得される撮像画像ＩＭについて説明する。撮像画像ＩＭに撮像されている蒸着マスクＭの各構成には、図１４Ａ～図１５に示す蒸着マスクＭの構成と同一の符号を付す。また、基材Ｍ１を撮像した部分を基材部分Ｍ１、孔Ｍ２を撮像した部分を孔部分Ｍ２とも呼ぶ。撮像画像ＩＭに含まれる蒸着マスクＭには、複数の孔部分Ｍ２（図２参照）と、複数の孔部分Ｍ２の周囲の基材部分Ｍ１（図２参照）とが含まれる。図２の撮像画像ＩＭは、第1開口部Ｍ２ｆを撮像した画像であるが、孔部分Ｍ２の上下方向における他の箇所（例えば、小孔Ｍ２Ｓ、大孔Ｍ２Ｌ等）を撮像した画像であってもよい。
　詳細は後述するが、正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５（図２の（Ａ）～（Ｅ）を参照）が複数の孔部分Ｍ２に含まれる場合のみならず、不良孔部分Ｍ２Ｆ（図２の（Ｆ）を参照）も複数の孔部分Ｍ２に含まれる場合がある。この時に、蒸着マスク欠陥原因特定システム１は、不良孔部分Ｍ２Ｆが形成された原因を特定する。

　第１面積算出部１２は、画像取得部１１によって取得された撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の各面積ＡＮを算出する。詳細には、正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の面積ＡＮの平均面積を算出する。
　第２面積算出部１３は、画像取得部１１によって取得された撮像画像ＩＭ上における不良孔部分Ｍ２Ｆの面積ＡＦを算出する。
　面積比率算出部１４は、正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の面積ＡＮに対する不良孔部分Ｍ２Ｆの面積ＡＦの割合である面積比率（ＡＦ／ＡＮ）を算出する。

　径寸法算出部１５は、画像取得部１１によって取得された撮像画像ＩＭ上における、径寸法Ｌ１～Ｌ８（図５参照）を算出する。径寸法Ｌ１～Ｌ８は、不良孔部分Ｍ２Ｆの重心位置Ｃ（図５参照）から、不良孔部分Ｍ２Ｆと不良孔部分Ｍ２Ｆの周囲の基材部分Ｍ１との境界部分Ｍ３までの長さである。詳細には、径寸法算出部１５は、重心位置Ｃを中心とする４５°間隔の８方向の径寸法Ｌ１～Ｌ８を算出する。
　対称性判定部１６は、径寸法算出部１５によって算出された径寸法Ｌ１～Ｌ８に基づいて不良孔部分Ｍ２Ｆの形状の対称性を判定する。

　欠陥原因特定部１７は、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）などに基づいて、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因を特定する。
　面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、後述する第１原因または第２原因であると特定する。

　具体的には、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さないと対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、第１原因であると特定する。

　面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有すると対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、第１原因とは異なる第２原因であると特定する。

　一方、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、第１原因および第２原因のどちらでもない原因であると特定する。

　具体的には、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さないと対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、第１原因および第２原因のどちらでもない、後述する第３原因であると特定する。

　面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有すると対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、第１原因、第２原因および第３原因のいずれでもない、後述する第４原因であると特定する。

　上述したように、本発明者等は、鋭意研究において、蒸着マスク作製時に用いるレジストがネガタイプである場合の蒸着マスクでは、以下のような場合に、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）以上になり、かつ、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることを見出した。例えば、（１）レジスト自体に異物があり現像時に脱落した場合（つまり、レジストパターンが欠けた場合）、（２）蒸着マスクの製造中にレジストに物理的に傷がついた場合（つまり、レジストパターンが欠けた場合）などが挙げられる。また、例えばドライフィルムレジストが適用される例では、（３）基材に対するレジストのラミネート時に異物を挟み込み、レジストと基材とが密着しなかった部分が孔にかかっている場合（つまり、レジストパターンが欠けた場合）、（４）基材の前処理以降から基材へのラミネート処理までに、基材の汚れが取れていない場合、（５）露光マスクに問題がある場合（つまり、レジストパターンが欠けた場合）、（６）基材に対するレジストのラミネート時のエアの挟み込みが生じた場合、および、（７）露光時の異物（蒸着マスク側ではなく、基材側の異物）による露光阻害（共通ではなく、単発の露光阻害）が生じた場合などが挙げられる。

　詳細には、打痕による傷が蒸着マスクにつく場合、ローラー起因の傷は定ピッチで発生し、ひっかきによる傷は連続的に発生する。ドライフィルムレジストが適用される場合には、主に現像工程以降に傷が発生する可能性があり、液レジストが用いられる場合には、コーター工程以降に傷が発生する可能性がある。
　そこで、第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１では、蒸着マスク作製時に用いるレジストがネガタイプである場合であって、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さないと対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第１原因であると特定する。

　第１原因は、（１）レジスト自体に異物があり現像時に脱落したため、（２）蒸着マスクの製造中にレジストに物理的に傷がついたため、等の原因を含む。また、第１原因は、例えばドライフィルムレジストが適用される例では（３）基材に対するレジストのラミネート時に異物を挟み込み、レジストと基材とが密着しなかった部分が不良孔部分Ｍ２Ｆにかかっているため、（４）基材の前処理以降からレジストの基材へのラミネート処理までに、基材の汚れが取れていないため、（５）露光マスクに問題があるため、（６）基材に対するレジストのラミネート時のエアの挟み込みが生じたため、あるいは、（７）露光時の異物による露光阻害が生じたため、等の原因を含む。

　また、上述したように、本発明者等は、鋭意研究において、蒸着マスク作製時に用いるレジストがネガタイプである場合の蒸着マスクでは、以下のような場合に、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることなく、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）以上になることを見出した。例えば、（１）露光マスクの開口パターンに問題がある場合（露光マスクの開口パターンのサイズが設計値より小さい場合）、（２）露光マスクの表面全体が一様に汚れていた場合（光量が不足した場合）、（３）レジストの基材へのラミネート処理の条件が適切ではなくつまり、事前の条件出しが適切ではなく）レジストの基材への密着性が低下した場合、（４）エッチングでの浸み込み（温度、酸等）があった場合などが挙げられる。

　そこで、第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１では、蒸着マスク作製時に用いるレジストがネガタイプである場合であって、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有すると対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第２原因であると特定する。

　第２原因は、（１）露光マスクの開口パターンに問題があるため、（２）露光マスクの表面全体が一様に汚れていたため（光量が不足したため）、（３）レジストの基材へのラミネート処理の条件が適切ではなく（つまり、事前の条件出しが適切ではなく）レジストの基材への密着性が低下したため、あるいは、（４）エッチングでの浸み込み（温度、酸等）があったため、等を含む。

　また、上述したように、本発明者等は、鋭意研究において、蒸着マスク作製時に用いるレジストがネガタイプである場合の蒸着マスクでは、以下のような場合に、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）未満になり、かつ、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることを見出した。例えば、（１）レジストと基材との間の異物による局所的なエッチングの遅れが生じた場合、（２）ドライフィルムレジストのキャリアフィルムの上の異物による露光時の光散乱によって、遮光されているレジストの一部が硬化し、局所的なエッチングの遅れが生じた場合、（３）現像によりパターニングが行われた後のレジストの開口内の残存物による局所的なエッチングの遅れが生じた場合、（４）露光マスクの開口パターンに局所的な欠損がある場合、および、（５）露光マスクの基材に対向する面において、基材に向かって突出する局所的なキズによるバリ（突出部）がある場合（つまり、レジストへの露光時に、突出部周辺で光が散乱し、突出部周辺のレジストが硬化する場合）、などが挙げられる。

　そこで、第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１では、蒸着マスク作製時に用いるレジストがネガタイプである場合であって、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さないと対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第３原因であると特定する。詳細は後述するが、図７～１１に示されるような原因により、不良孔Ｍ２Ｆが形成される場合がある。

　第３原因は、（１）レジストＲと基材Ｍ１との間の異物ＣＴによる局所的なエッチングの遅れが生じたため、（２）ドライフィルムレジストのキャリアフィルムＲＢ上の異物ＣＴによる、レジストＲへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストの一部が硬化し、局所的なエッチングの遅れが生じたため、（３）現像によりパターニングが行われた後のレジストＲの開口Ｒ１（図１０参照）内の残存物ＲＳ（図１０参照）による局所的なエッチングの遅れが生じたため、（４）露光マスクの開口パターンの局所的な欠損のため、あるいは、（５）露光マスクの基材に対向する面において、基材Ｍ１に向かって突出する局所的なキズによるバリ（突出部）があるため（つまり、レジストＲへの露光時に、突出部周辺で光が散乱し、突出部周辺のレジストＲが硬化するため）、等の原因を含む。

　つまり、上述した第３原因には、（１）レジストＲと基材Ｍ１との間の異物ＣＴによる局所的なエッチングの遅れ、（２）ドライフィルムレジストのキャリアフィルムＲＢ上の異物ＣＴによる、レジストＲへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化することによる局所的なエッチングの遅れ、（３）現像によりパターニングが行われた後のレジストＲの開口Ｒ１内の残存物ＲＳによる局所的なエッチングの遅れ、（４）露光マスクの開口パターンの局所的な欠損、および、（５）露光マスクの基材に対向する面において、基材に向かって突出する局所的なキズによるバリ（突出部）がある場合（つまり、レジストへの露光時に、突出部周辺で光が散乱し、突出部周辺のレジストが硬化する場合）、の少なくともいずれかが含まれる。

　また、上述したように、本発明者等は、鋭意研究において、蒸着マスク作製時に用いるレジストが、ネガタイプである場合の蒸着マスクでは、以下のような場合に、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることなく、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）未満になることを見出した。例えば、（１）レジストの開口のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れが生じた場合、（２）現像によりパターニングが行われた後のレジストの開口内の皮膜残渣によるエッチング不足が生じた場合、（３）ドライフィルムレジストのキャリアフィルム上の異物による、レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じた場合、（４）ドライフィルムレジストのキャリアフィルムの内部の異物による、レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じた場合、および、（５）レジストの密着不足に起因する、レジストへの露光時の光の散乱によって、遮光されているレジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じた場合、等が挙げられる。

　そこで、第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１では、蒸着マスク製造時に用いるレジストがネガタイプである場合であって、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有すると対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第４原因であると特定する。

　第４原因は、（１）レジストＲの開口Ｒ１のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れが生じたため、（２）現像によりパターニングが行われた後のレジストＲの開口Ｒ１内の皮膜残渣（残存物ＲＳ（図１０参照））によるエッチング不足が生じたため、（３）ドライフィルムレジストのキャリアフィルムＲＢ上の異物ＣＴによる、レジストＲへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化することによりエッチングの遅れが生じたため、（４）レジストＲのキャリアフィルムＲＢの内部の異物ＣＴによる、レジストＲへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化することによりエッチングの遅れが生じたため、あるいは、（５）レジストＲの密着不足に起因する、レジストへの露光時の光の散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じたため、等の原因を含む。

　つまり、上述した第４原因には、（１）レジストＲの開口Ｒ１のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れ、（２）現像によりパターニングが行われた後のレジストＲの開口Ｒ１内の皮膜残渣によるエッチング不足、（３）ドライフィルムレジストのキャリアフィルムＲＢ上の異物ＣＴによる、レジストＲへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化することによるエッチングの遅れ、（４）レジストＲのキャリアフィルムＲＢの内部の異物ＣＴによる、レジストＲへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化することによるエッチングの遅れ、および、（５）レジストＲの密着不足に起因する、レジストへの露光時の光の散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化することによるエッチングの遅れ、の少なくともいずれかが含まれる。

　また、上述したように、本発明者等は、鋭意研究において、蒸着マスクの作製時に用いるレジストがポジタイプである場合の蒸着マスクでは、以下のような場合において、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）以上になり、かつ、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることを見出した。例えば、（１）レジスト自体に異物があり現像時に脱落した場合、例えばドライフィルムレジストが適用される例では（２）基材に対するレジストのラミネート時に異物を挟み込んだ場合、（３）レジストと基材とが密着しなかった部分が孔にかかっている場合、（４）基材に対するレジストのラミネート時のエアの挟み込みが生じた場合、および、（５）ドライフィルムレジストのキャリアフィルム上の異物による露光時の光散乱よって、遮光されている部分のレジストの一部が分解し、局所的にエッチングが進行しすぎた場合、等が挙げられる。

　そこで、第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１では、蒸着マスクの作製時に用いるレジストがポジタイプである場合であって、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さないと対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第１原因であると特定する。

　第１原因は、（１）レジスト自体に異物があり現像時に脱落したため、（２）基材に対するレジストのラミネート時に異物を挟み込んだため、（３）レジストと基材とが密着しなかった部分が不良孔部分Ｍ２Ｆにかかっていたため、（４）基材に対するレジストのラミネート時のエアの挟み込みが生じたため、あるいは、（５）ドライフィルムレジストのキャリアフィルム上の異物による露光時の光散乱よって、遮光されている部分のレジストの一部が分解し、局所的にエッチングが進行しすぎたため、等の原因を含む。

　また、上述したように、本発明者等は、鋭意研究において、蒸着マスク作製時に用いるレジストがポジタイプである場合の蒸着マスクでは、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることなく、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）以上になることを見出した。例えば、（１）レジストの基材へのラミネート処理の条件が適切ではなく（つまり、事前の条件出しが適切ではなく）レジストの基材への密着性が低下した場合、（２）エッチングでの浸み込み（温度、酸等）があった場合、（３）レジストのキャリアフィルム上の異物による、レジストへの露光時の光散乱よって、遮光されている部分のレジストの一部が分解し、エッチングが進行しすぎた場合、（４）レジストのキャリアフィルムの内部の異物による露光時の光散乱よって、遮光されている部分のレジストの一部が分解し、エッチングが進行しすぎた場合、および、（５）レジストへの露光時の密着不足に伴う光の散乱によるレジストの分解が生じた場合などが挙げられる。

　そこで、第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１では、蒸着マスク作製時に用いるレジストがポジタイプである場合であって、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有すると対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第２原因であると特定する。

　第２原因は、（１）レジストの基材へのラミネート処理の条件が適切ではなく（つまり、事前の条件出しが適切ではなく）レジストの基材への密着性が低下したため、（２）エッチングでの浸み込み（温度、酸等）があったため、（３）レジストのキャリアフィルム上の異物による、レジストへの露光時の光散乱よって、遮光されている部分のレジストの一部が分解し、エッチングが進行しすぎたため、（４）レジストのキャリアフィルムの内部の異物による露光時の光散乱よって、遮光されている部分のレジストの一部が分解し、エッチングが進行しすぎたため、あるいは、（５）レジストへの露光時の密着不足に伴う光の散乱によるレジストの分解のため、等の原因を含む。

　また、上述したように、本発明者等は、鋭意研究において、蒸着マスク作製時に用いるレジストがポジタイプである場合の蒸着マスクでは、例えば以下のような場合において、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）未満になり、かつ、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることを見出した。例えば、（１）レジストと基材との間の異物による局所的なエッチングの遅れが生じた場合、（２）現像によりパターニングが行われた後のレジストの開口内の残存物による局所的なエッチングの遅れが生じた場合、（３）露光マスクに形成されている孔の一部を塞ぐような欠陥や異物の付着がある場合（つまり、レジストパターンでエッチングされる部分が狭くなる場合）、および、（４）レジストへの露光時の異物による露光阻害が生じた場合、などが挙げられる。

　そこで、第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１では、蒸着マスクに用いられるレジストがポジタイプである場合であって、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さないと対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第３原因であると特定する。

　第３原因は、（１）レジストＲと基材Ｍ１との間の異物による局所的なエッチングの遅れが生じたため、（２）現像によりパターニングが行われた後のレジストＲの開口内の残存物による局所的なエッチングの遅れが生じたため、（３）露光マスクに形成されている孔の一部を塞ぐような欠陥や異物の付着があるため（つまり、レジストパターンでエッチングされる部分が狭くなる場合）、あるいは、（４）レジストへの露光時の異物による、レジストへの露光阻害が生じたため、等の原因を含む。

　また、上述したように、本発明者等は、鋭意研究において、蒸着マスク作製時に用いられるレジストがポジタイプである場合の蒸着マスクでは、例えば以下のような場合において、不良孔の形状が正常孔の形状と比較して崩れた形状になることなく、不良孔のサイズ（面積）が正常孔のサイズ（面積）未満になることを見出した。例えば、（１）レジストの開口のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れが生じた場合、（２）現像によりパターニングが行われた後のレジストの開口内の皮膜残渣によるエッチング不足が生じた場合、および、（３）露光マスクの表面全体が一様に汚れていた場合、などが挙げられる。

　そこで、第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１では、蒸着マスク作製時に用いられるレジストがポジタイプである場合であって、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有すると対称性判定部１６によって判定された場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第４原因であると特定する。

　第４原因は、（１）レジストＲの開口Ｒ１のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れが生じたため、（２）現像によりパターニングが行われた後のレジストＲの開口Ｒ１内の皮膜残渣によるエッチング不足が生じたため、あるいは、（３）露光マスクの表面全体が一様に汚れていたため、等の原因を含む。

　図２は面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合に画像取得部１１によって取得された蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭの一部の一例を示す図である。詳細には、図２（Ａ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ１とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図２（Ｂ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ２とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図２（Ｃ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ３とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図２（Ｄ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ４とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図２（Ｅ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ５とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図２（Ｆ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの不良孔部分Ｍ２Ｆとその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。

　図２に示す例では、正常孔部分Ｍ２Ｎ１の左右方向（図２（Ａ）の左右方向）寸法が４５．０［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ１の上下方向（図２（Ａ）の上下方向）寸法が４７．５［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ２の左右方向寸法が４５．０［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ２の上下方向寸法が４８．８［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ３の左右方向寸法が４５．０［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ３の上下方向寸法が４７．５［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ４の左右方向寸法が４５．０［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ４の上下方向寸法が４８．８［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ５の左右方向寸法が４５．０［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ５の上下方向寸法が４７．５［μｍ］である。不良孔部分Ｍ２Ｆの左右方向寸法が４５．０［μｍ］であり、不良孔部分Ｍ２Ｆの上下方向寸法が５７．５［μｍ］である。

　第１面積算出部１２によって算出される正常孔部分Ｍ２Ｎ１の面積ＡＮ１が３０９［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ２の面積ＡＮ２が３１０［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ３の面積ＡＮ３が３１４［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ４の面積ＡＮ４が３１４［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ５の面積ＡＮ５が３１５［ｐｉｘｅｌ］である。また、第１面積算出部１２によって算出される正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の平均面積ＡＮが３１２．４［ｐｉｘｅｌ］である。
　第２面積算出部１３によって算出される不良孔部分Ｍ２Ｆの面積ＡＦは３３３［ｐｉｘｅｌ］である。
　面積比率算出部１４によって算出される面積比率（ＡＦ／ＡＮ）は１．０７である（つまり、１以上である）。

　図３は面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さない場合に画像取得部１１によって取得された蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭの一部の一例を示す図である。詳細には、図３（Ａ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ１とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図３（Ｂ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ２とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図３（Ｃ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ３とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図３（Ｄ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ４とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図３（Ｅ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ５とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図３（Ｆ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの不良孔部分Ｍ２Ｆとその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。

　図３に示す例では、正常孔部分Ｍ２Ｎ１の左右方向（図３（Ａ）の左右方向）寸法が３３．８［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ１の上下方向（図３（Ａ）の上下方向）寸法が４０．０［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ２の左右方向寸法が３５．０［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ２の上下方向寸法が４１．３［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ３の左右方向寸法が３３．８［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ３の上下方向寸法が４０．０［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ４の左右方向寸法が３５．０［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ４の上下方向寸法が４１．３［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ５の左右方向寸法が３５．０［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ５の上下方向寸法が４０．０［μｍ］である。不良孔部分Ｍ２Ｆの左右方向寸法が３３．８［μｍ］であり、不良孔部分Ｍ２Ｆの上下方向寸法が４０．０［μｍ］である。

　第１面積算出部１２によって算出される正常孔部分Ｍ２Ｎ１の面積ＡＮ１が２０５［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ２の面積ＡＮ２が２１０［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ３の面積ＡＮ３が２０５［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ４の面積ＡＮ４が２０６［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ５の面積ＡＮ５が２０４［ｐｉｘｅｌ］である。また、第１面積算出部１２によって算出される正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の平均面積ＡＮが２０６．０［ｐｉｘｅｌ］である。
　第２面積算出部１３によって算出される不良孔部分Ｍ２Ｆの面積ＡＦは１８９［ｐｉｘｅｌ］である。
　面積比率算出部１４によって算出される面積比率（ＡＦ／ＡＮ）は０．９２である（つまり、１未満である）。

　そのため、図３に示す例では、欠陥原因特定部１７は、例えば蒸着マスクＭの作製時に用いられるレジストがネガタイプである場合に、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、以下の原因のうちのいずれかであると特定する。不良孔部分Ｍ２Ｆの原因は、（１）レジストＲと基材部分Ｍ１との間の異物ＣＴによる局所的なエッチングの遅れが生じたため、（２）ドライフィルムレジストのキャリアフィルムＲＢ上の異物ＣＴによる、レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化し、局所的なエッチングの遅れが生じたため、（３）現像によりパターニングが行われた後のレジストＲの開口Ｒ１（図１０参照）内の残存物ＲＳ（図１０参照）による局所的なエッチングの遅れが生じたため、（４）露光マスクの開口パターンの局所的な欠損のため、あるいは、（５）露光マスクの基材に対向する面において、基材に向かって突出する局所的なキズによるバリ（突出部）があるため（つまり、レジストへの露光時に、突出部周辺で光が散乱し、突出部周辺のレジストが硬化するため）、等の原因を含む。

　図４は面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有する場合に画像取得部１１によって取得された蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭの一部の一例を示す図である。詳細には、図４（Ａ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ１とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図４（Ｂ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ２とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図４（Ｃ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ３とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図４（Ｄ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ４とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図４（Ｅ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの正常孔部分Ｍ２Ｎ５とその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。図４（Ｆ）は蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭのうちの１つの不良孔部分Ｍ２Ｆとその周囲の基材部分Ｍ１とを示している。

　図４に示す例では、正常孔部分Ｍ２Ｎ１の左右方向（図４（Ａ）の左右方向）寸法が４５．０［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ１の上下方向（図４（Ａ）の上下方向）寸法が４７．５［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ２の左右方向寸法が４５．０［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ２の上下方向寸法が４７．５［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ３の左右方向寸法が４３．８［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ３の上下方向寸法が４７．５［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ４の左右方向寸法が４３．８［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ４の上下方向寸法が４６．３［μｍ］である。正常孔部分Ｍ２Ｎ５の左右方向寸法が４３．８［μｍ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ５の上下方向寸法が４７．５［μｍ］である。不良孔部分Ｍ２Ｆの左右方向寸法が３０．０［μｍ］であり、不良孔部分Ｍ２Ｆの上下方向寸法が３３．８［μｍ］である。

　第１面積算出部１２によって算出される正常孔部分Ｍ２Ｎ１の面積ＡＮ１が３０８［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ２の面積ＡＮ２が３０２［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ３の面積ＡＮ３が３０４［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ４の面積ＡＮ４が３０１［ｐｉｘｅｌ］であり、正常孔部分Ｍ２Ｎ５の面積ＡＮ５が３０４［ｐｉｘｅｌ］である。また、第１面積算出部１２によって算出される正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の平均面積ＡＮが３０３．８［ｐｉｘｅｌ］である。
　第２面積算出部１３によって算出される不良孔部分Ｍ２Ｆの面積ＡＦは１３１［ｐｉｘｅｌ］である。
　面積比率算出部１４によって算出される面積比率（ＡＦ／ＡＮ）は０．４３である（つまり、１未満である）。

　そのため、図４に示す例では、欠陥原因特定部１７は、例えば蒸着マスクＭの作製時に用いられるレジストがネガタイプである場合に、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、以下の原因のうちのいずれかであると特定する。不良孔部分Ｍ２Ｆの原因は、（１）レジストＲの開口Ｒ１のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れが生じたため、（２）現像によりパターニングが行われた後のレジストＲの開口Ｒ１内の皮膜残渣（残存物ＲＳ（図１０参照））によるエッチング不足が生じたため、（３）ドライフィルムレジストのキャリアフィルムＲＢ上の異物ＣＴによる、レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じたため、（４）ドライフィルムレジストのキャリアフィルムＲＢの内部の異物ＣＴによる、レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じたため、あるいは、（５）レジストの密着不足に起因する、レジストへの露光時の光の散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じたため、等の原因を含む。

　図５は不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さないと対称性判定部１６によって判定される一例を説明するための図である。詳細には、図５は不良孔部分Ｍ２Ｆと正常孔部分Ｍ２Ｎ１とを重ねて示した図である。
　図５に示す例では、径寸法算出部１５が、画像取得部１１によって取得された撮像画像ＩＭ上における、径寸法Ｌ１を算出する。径寸法Ｌ１は、不良孔部分Ｍ２Ｆの重心位置Ｃから、不良孔部分Ｍ２Ｆと不良孔部分Ｍ２Ｆの周囲の基材部分Ｍ１との境界部分Ｍ３までの長さである。また、径寸法算出部１５は、不良孔部分Ｍ２Ｆの重心位置Ｃから境界部分Ｍ３までの長さである径寸法Ｌ２～Ｌ８であって、径寸法Ｌ１の向きと４５°の角度をなす向きの径寸法Ｌ２と、径寸法Ｌ２の向きと４５°の角度をなす向きの径寸法Ｌ３と、径寸法Ｌ３の向きと４５°の角度をなす向きの径寸法Ｌ４と、径寸法Ｌ４の向きと４５°の角度をなす向きの径寸法Ｌ５と、径寸法Ｌ５の向きと４５°の角度をなす向きの径寸法Ｌ６と、径寸法Ｌ６の向きと４５°の角度をなす向きの径寸法Ｌ７と、径寸法Ｌ７の向きと４５°の角度をなす向きの径寸法Ｌ８と、を算出する。

　対称性判定部１６は、径寸法算出部１５によって算出された径寸法Ｌ１～Ｌ８に基づいて不良孔部分Ｍ２Ｆの形状の対称性を判定する。詳細には、対称性判定部１６は、径寸法算出部１５によって算出された径寸法Ｌ１、Ｌ３、Ｌ５、Ｌ７の最大値ＬＭＡＸと最小値ＬＭＩＮとを算出し、最大値ＬＭＡＸと最小値ＬＭＩＮとの差分（ＬＭＡＸ－ＬＭＩＮ）を算出する。また、対称性判定部１６は、差分（ＬＭＡＸ－ＬＭＩＮ）が閾値ＴＨ以上の場合に、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さないと判定し、差分（ＬＭＡＸ－ＬＭＩＮ）が閾値ＴＨ未満の場合に、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有すると判定する。

　詳細には、図５に示す例では、径寸法Ｌ５（最小値ＬＭＩＮ）が小さいため、差分（ＬＭＡＸ－ＬＭＩＮ）が閾値ＴＨ以上になる。その結果、対称性判定部１６は、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さないと判定する。
　上記の例に限らず、対称性判定部１６は、８方向の径寸法Ｌ１～Ｌ８を算出し、径寸法Ｌ１～Ｌ８における最大値ＬＭＡＸと最小値ＬＭＩＮとにより、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性の有無を判定してもよい。

　図６は不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有すると対称性判定部１６によって判定される一例を説明するための図である。詳細には、図６は不良孔部分Ｍ２Ｆと正常孔部分Ｍ２Ｎ１とを重ねて示した図である。
　図６に示す例では、径寸法算出部１５が、図５に示す例と同様に、径寸法Ｌ１～Ｌ８を算出する。
　対称性判定部１６は、図５に示す例と同様に、径寸法算出部１５によって算出された径寸法Ｌ１～Ｌ８に基づいて不良孔部分Ｍ２Ｆの形状の対称性を判定する。
　詳細には、図６に示す例では、径寸法Ｌ１と、径寸法Ｌ３と、径寸法Ｌ５と、径寸法Ｌ７とがほぼ等しいため、差分（ＬＭＡＸ－ＬＭＩＮ）が閾値ＴＨ未満になる。その結果、対称性判定部１６は、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有すると判定する。
　上記の例に限らず、図５の説明と同様に、８方向の径寸法Ｌ１～Ｌ８を算出し、径寸法Ｌ１～Ｌ８における最大値ＬＭＡＸと最小値ＬＭＩＮとにより、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性の有無を判定してもよい。

　図７～１１は、蒸着マスクＭの製造時に、不良孔Ｍ２Ｆが形成される原因を説明するための図である。図７～１１は、小孔Ｍ２Ｓが形成された基材Ｍ１の断面視である。図７～１１に示される工程の後に、基材Ｍ１の下面に大孔Ｍ２Ｌを形成してもよい。また、図７～１１では、レジストＲに形成されている開口の幅などの寸法が異なっているが、寸法は図示の例に限定されず、蒸着マスクＭの製造条件に合わせて、適宜変更されてもよい。

　図７は第１原因に含まれる原因の１つである蒸着マスクＭの製造時における基材Ｍ１に対するレジストＲの密着性不良の一例を説明するための図である。
　図７に示す例では、蒸着マスクＭの製造時に、例えばドライフィルムレジストなどのレジストＲが蒸着マスクＭの基材Ｍ１の上面に配置される。密着不良部Ｐは、基材Ｍ１に対するレジストＲの密着性不良が生じている箇所であり、図７に示す例ではレジストＲの開口端の近傍に形成されている。つまり、レジストＲと基材Ｍ１とが密着しなかった密着不良部Ｐが不良孔部分Ｍ２Ｆにかかっている。この場合には、レジストＲを介した基材Ｍ１のエッチング処理の時に、エッチング液がレジストＲと基材Ｍ１との隙間（密着不良部Ｐ）に浸入する。

　その結果、エッチング液が侵入した密着不良部ＰにおいてレジストＲが十分に機能しなくなってしまい、図７において破線で示されている正常孔部分（Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５）よりも径が大きい不良孔部分Ｍ２Ｆが形成されてしまう（つまり、面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上になる）。
　例えば、（１）基材Ｍ１に不純物が含まれる場合、（２）レジストＲと基材Ｍ１との間にエアまたはミストが入り込む場合、（３）基材Ｍ１の表面粗さが大きい場合などに、基材Ｍ１に対するレジストＲの密着性不良が生じる。

　図８Ａおよび図８Ｂは蒸着マスクＭの作製時に用いるレジストがネガタイプである場合に第１原因に含まれる原因の１つである、レジストＲ上またはレジストＲ中の異物ＣＴによる露光障害によるレジストＲの硬化不足の一例を説明するための図である。
　図８Ａに示す例では、蒸着マスクＭの製造時にレジストＲが蒸着マスクＭの基材Ｍ１の上面に配置される。異物ＣＴがレジストＲ上またはレジストＲ中に含まれている。また、図８Ａの例では、異物ＣＴは、露光マスクＰＭの開口端の下側に位置している。この場合には、レジストＲに対する露光が実行される時に、露光が異物ＣＴによって遮られ、露光障害が生じてしまう（つまり、露光時の異物ＣＴによる露光阻害が生じてしまう）。露光障害が生じた箇所（図８Ａ中の異物ＣＴの下側の部分）を露光不良部ＥＦ１とする。

　その結果、図８Ｂに示すように、露光不良部ＥＦ１では、レジストＲが十分に硬化せず、露光不良部ＥＦ１では、レジストＲが十分に機能しなくなる。そのため、図８Ｂにおいて破線で示されている正常孔部分（Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５）よりも径が大きい不良孔部分Ｍ２Ｆが形成されてしまう（つまり、面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上になる）。

　図９は第３原因に含まれる原因の１つであるレジストＲと基材Ｍ１との間の異物ＣＴによる局所的なエッチングの遅れの一例を説明するための図である。
　図９に示す例では、蒸着マスクＭの製造時にレジストＲが蒸着マスクＭの基材Ｍ１の上面に形成される。異物ＣＴがレジストＲと基材Ｍ１との間に存在する場合には、基材Ｍ１のエッチング処理の実行時に、エッチング液が異物ＣＴによって遮られ、エッチングの遅れが生じてしまう。

　その結果、図９において破線で示されている正常孔部分（Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５）よりも径が小さい不良孔部分Ｍ２Ｆが形成されてしまう（つまり、面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満になる）。図９では、基材Ｍ１に孔が形成されていない例を示しているが、正常孔部分よりも径が小さい不良孔部分Ｍ２Ｆが形成されている場合もある。
　エッチングの遅れが局所的に生じる場合には、対称性を有さない形状の不良孔部分Ｍ２Ｆが形成されてしまう。
　例えば、（１）基材Ｍ１の上面の異物ＣＴが整面処理で十分に除去されなかった場合、（２）レジストＲのラミネート処理前に異物ＣＴが基材Ｍ１の上面に付着した場合などに、レジストＲと基材Ｍ１との間の異物ＣＴによるエッチングの遅れが生じる。

　図１０は第３原因に含まれる原因の１つである現像によりパターニングが行われた後のレジストＲの開口Ｒ１内の残存物ＲＳによる局所的なエッチングの遅れの一例を説明するための図である。
　図１０に示す例では、蒸着マスクＭの製造時に、レジストＲが蒸着マスクＭの基材Ｍ１の上面に形成され、現像によりレジストＲのパターニングが行われる。パターニングが行われた後に残存物ＲＳがレジストＲの開口Ｒ１内に存在する場合には、基材Ｍ１のエッチング処理の実行時に、エッチング液が残存物ＲＳによって遮られ、エッチングの遅れが生じてしまう。

　その結果、図１０において破線で示されている正常孔部分（Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５）よりも径が小さい不良孔部分Ｍ２Ｆが形成されてしまう（つまり、面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満になる）。図１０では、基材Ｍ１に孔が形成されていない例を示しているが、正常孔部分よりも径が小さい不良孔部分Ｍ２Ｆが形成されている場合もある。
　エッチングの遅れが局所的に生じる場合には、対称性を有さない形状の不良孔部分Ｍ２Ｆが形成されてしまう。
　例えば、（１）現像または水洗での不純物の乾き残り、（２）レジスト昇華物の溶解などによって、レジストＲの開口Ｒ１内の残存物ＲＳによるエッチングの遅れが生じる。

　図１１は蒸着マスクＭの作製時に用いるレジストがネガタイプである場合に第４原因に含まれる原因の１つである、レジストＲのキャリアフィルムＲＢ上の異物ＣＴまたはキャリアフィルムＲＢの内部の異物ＣＴによる露光時の光散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が硬化することによるエッチングの遅れの一例を説明するための図である。光散乱によって、遮光されているレジストＲの一部が意図せず硬化してしまうことを、「レジストＲの裾引き」ともいう。図示は省略するが、レジストがポジタイプの場合は、遮光されているレジストＲの一部が意図せず分解してしまうことを、「レジストＲの食い込み」ともいう。
　図１１に示す例では、蒸着マスクＭの作製時に用いるレジストがネガタイプである場合の蒸着マスクＭの製造工程を示している。レジストＲが蒸着マスクＭの基材Ｍ１の上面に形成されている。レジストＲにおいて露光された場所を説明するために、図中に露光マスクＰＭを図示している。異物ＣＴがレジストＲのキャリアフィルムＲＢ上またはキャリアフィルムＲＢの内部に存在する場合には、レジストＲに対する露光が実行される時に、異物ＣＴによる光散乱（光の廻り込み）によってレジストＲの裾引きが生じる。そのため、図示のように、露光マスクＰＭで遮光されている箇所においても、レジストＲが硬化する場合がある。露光マスクＰＭにより遮光されていたが、レジストＲが硬化した箇所（露光不良部ＥＦ２）の近傍では、エッチングの遅れが生じてしまう。

　その結果、図１１において破線で示されている正常孔部分（Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５）よりも径が小さい不良孔部分Ｍ２Ｆが形成されてしまう（つまり、面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満になる）。詳細には、対称性を有する形状の不良孔部分Ｍ２Ｆが形成されてしまう。
　図１１に示すキャリアフィルムＲＢおよびレジストＲは、例えば「感光性フィルムの特性と応用」（https://www.jstage.jst.go.jp/article/networkpolymer/34/5/34_253/_pdf）に記載されているベースフィルムおよび感光層（レジスト層）に相当する。ベースフィルムとして、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が一般的に用いられる。

　図１２は第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１において実行される処理の一例を説明するためのフローチャートである。
　図１２に示す例では、画像取得ステップＳ１１において、画像取得部１１が、蒸着マスクＭの撮像画像ＩＭを取得する。
　次いで、第１面積算出ステップＳ１２では、第１面積算出部１２が、ステップＳ１１において取得された撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の面積ＡＮを算出する。
　また、第２面積算出ステップＳ１３では、第２面積算出部１３が、ステップＳ１１において取得された撮像画像ＩＭ上における不良孔部分Ｍ２Ｆの面積ＡＦを算出する。

　次いで、面積比率算出ステップＳ１４では、面積比率算出部１４が、正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の面積ＡＮに対する不良孔部分Ｍ２Ｆの面積ＡＦの割合である面積比率（ＡＦ／ＡＮ）を算出する。
　次いで、欠陥原因特定ステップにより、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因を特定する。欠陥原因特定ステップは、以下のステップＳ１４Ａ、Ｓ１５Ａ～Ｂ、Ｓ１６Ａ～Ｂ、Ｓ１７Ａ～Ｄを含んでいてもよい。
　ステップＳ１４Ａでは、例えば欠陥原因特定部１７は、ステップＳ１４において算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上であるか否かを判定する。面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合にはステップＳ１５Ａに進み、面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合にはステップＳ１５Ｂに進む。

　ステップＳ１５Ａでは、径寸法算出部１５が、不良孔部分Ｍ２Ｆの重心位置Ｃを中心とする４５°間隔の８方向の径寸法Ｌ１～Ｌ８を算出する。
　次いで、ステップＳ１６Ａでは、対称性判定部１６が、ステップＳ１５Ａにおいて算出された径寸法Ｌ１～Ｌ８に基づいて不良孔部分Ｍ２Ｆの形状の対称性を判定する。詳細には、対称性判定部１６は、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有するか否かと、撮像画像ＩＭ上における不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有するか否かと、を判定する。

　撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さない場合には、ステップＳ１７Ａに進む。一方、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有する場合には、ステップＳ１７Ｂに進む。

　ステップＳ１５Ｂでは、径寸法算出部１５が、不良孔部分Ｍ２Ｆの重心位置Ｃを中心とする４５°間隔の８方向の径寸法Ｌ１～Ｌ８を算出する。
　次いで、ステップＳ１６Ｂでは、対称性判定部１６が、ステップＳ１５Ｂにおいて算出された径寸法Ｌ１～Ｌ８に基づいて不良孔部分Ｍ２Ｆの形状の対称性を判定する。詳細には、対称性判定部１６は、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有するか否かと、撮像画像ＩＭ上における不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有するか否かと、を判定する。

　撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さない場合には、ステップＳ１７Ｃに進む。一方、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有する場合には、ステップＳ１７Ｄに進む。

　ステップＳ１７Ａでは、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、第１原因であると特定する。
　ステップＳ１７Ｂでは、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、第２原因であると特定する。
　ステップＳ１７Ｃでは、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、第３原因であると特定する。
　ステップＳ１７Ｄでは、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が、第４原因であると特定する。

　上述したように、第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１では、蒸着マスクＭに含まれる正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の面積ＡＮに対する不良孔部分Ｍ２Ｆの面積ＡＦの割合である面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さない場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第１原因であると特定する。

　また、面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有する場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第２原因であると特定する。

　また、面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有さない場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第３原因であると特定する。

　また、面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合であって、撮像画像ＩＭ上における正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の形状が対称性を有し、かつ、不良孔部分Ｍ２Ｆの形状が対称性を有する場合に、欠陥原因特定部１７は、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が第４原因であると特定する。

　つまり、蒸着マスクＭの検査担当者ではなく、蒸着マスク欠陥原因特定システム１によって、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因が自動で特定される。
　そのため、第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１では、蒸着マスクＭの検査担当者が不良孔部分Ｍ２Ｆの形状を目視で確認する必要なく、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因を特定することができる。

＜適用例＞
　上述した第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１は、例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence）の原版となる蒸着マスクの欠陥原因を特定するために用いられる。有機ＥＬのＲＧＢ画素形成の原版となる蒸着マスクでは、４０μｍ程度の大きさを有する孔が数万個並んでおり、それらの孔が規格を満足する必要がある。
　第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１が用いられる適用例では、それらの孔形状が不良となる原因を特定することによって、孔形状の検査担当者の負担を軽減することができる。
　第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１を用いることによって、孔形状が不良となる原因の解析を容易にすることができる。その結果、良品マスクの作製を容易にすることができる。

＜第２実施形態＞
　以下、本発明の蒸着マスク欠陥原因特定システム、蒸着マスク欠陥原因特定方法およびプログラムの第２実施形態について説明する。
　第２実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１は、後述する点を除き、上述した第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１と同様に構成されている。従って、第２実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１によれば、後述する点を除き、上述した第１実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１と同様の効果を奏することができる。

　図１３は第２実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１の概略構成の一例を示す図である。
　図１３に示す例では、蒸着マスク欠陥原因特定システム１が、蒸着マスクＭ（図２参照）の欠陥の原因を特定する。蒸着マスク欠陥原因特定システム１は、画像取得部１１と、第１面積算出部１２と、第２面積算出部１３と、面積比率算出部１４と、欠陥原因特定部１７と、教師データ取得部１Ａとを備えている。
　教師データ取得部１Ａは、学習用第１蒸着マスク（図示せず）の撮像画像（図示せず）と、学習用第１蒸着マスクに含まれる不良孔部分（図示せず）の原因との関係を示す第１教師データ（図示せず）を取得する。学習用第１蒸着マスクに含まれる正常孔部分の面積に対する不良孔部分の面積の割合（面積比率）は１以上である。

　また、教師データ取得部１Ａは、学習用第２蒸着マスク（図示せず）の撮像画像（図示せず）と、学習用第２蒸着マスクに含まれる不良孔部分（図示せず）の原因との関係を示す第２教師データ（図示せず）を取得する。学習用第２蒸着マスクに含まれる正常孔部分の面積に対する不良孔部分の面積の割合（面積比率）は１未満である。

　欠陥原因特定部１７は、第１教師データおよび第２教師データを使用した教師あり学習を実行する。更に、欠陥原因特定部１７は、その教師あり学習を実行した後に、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１以上である場合の不良孔部分Ｍ２Ｆの原因と、面積比率算出部１４によって算出された面積比率（ＡＦ／ＡＮ）が１未満である場合の不良孔部分Ｍ２Ｆの原因とを特定する。

　つまり、第２実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１では、正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５（図２参照）の面積ＡＮに対する不良孔部分Ｍ２Ｆ（図２参照）の面積ＡＦの割合（面積比率（ＡＦ／ＡＮ））が１以上の蒸着マスクＭに含まれる不良孔部分Ｍ２Ｆの原因を特定する場合に、欠陥原因特定部１７は、第１教師データを使用した教師あり学習の結果を反映させて、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因を特定する。
　また、正常孔部分Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５の面積ＡＮに対する不良孔部分Ｍ２Ｆの面積ＡＦの割合（面積比率（ＡＦ／ＡＮ））が１未満の蒸着マスクＭに含まれる不良孔部分Ｍ２Ｆの原因を特定する場合には、欠陥原因特定部１７が、第２教師データを使用した教師あり学習の結果を反映させて、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因を特定する。

　第２実施形態の蒸着マスク欠陥原因特定システム１においても、蒸着マスクＭの検査担当者が不良孔部分Ｍ２Ｆの形状を目視で確認する必要なく、不良孔部分Ｍ２Ｆの原因を特定することができる。

　以上、本発明を実施するための形態について実施形態を用いて説明したが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形および置換を加えることができる。上述した各実施形態および各例に記載の構成を適宜組み合わせてもよい。

　例えば、蒸着マスク欠陥原因特定システム１に用いる蒸着マスクＭの基材Ｍ１は、上述の合金のみの構成に限らず、合金と樹脂（もしくはフィルム）とが積層された構成であってもよい。なお、この場合、樹脂（もしくはフィルム）の線膨張係数は、合金の線膨張係数に近いことが好ましい。

　なお、上述した実施形態における蒸着マスク欠陥原因特定システム１が備える各部の機能全体あるいはその一部は、これらの機能を実現するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行することによって実現しても良い。なお、ここでいう「コンピュータシステム」とは、ＯＳや周辺機器等のハードウェアを含むものとする。

　また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ－ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶部のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムを送信する場合の通信線のように、短時間の間、動的にプログラムを保持するもの、その場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリのように、一定時間プログラムを保持しているものも含んでも良い。また上記プログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであっても良く、さらに前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるものであっても良い。

１…蒸着マスク欠陥原因特定システム、１１…画像取得部、１２…第１面積算出部、１３…第２面積算出部、１４…面積比率算出部、１５…径寸法算出部、１６…対称性判定部、１７…欠陥原因特定部、１Ａ…教師データ取得部、Ｍ…蒸着マスク、Ｍ１…基材、基材部分、Ｍ２…孔、孔部分、Ｍ２Ｎ１～Ｍ２Ｎ５…正常孔部分、Ｍ２Ｆ…不良孔部分、Ｃ…重心位置、Ｍ３…境界部分、ＩＭ…撮像画像、Ｒ…レジスト、Ｒ１…開口、ＲＢ…キャリアフィルム、ＣＴ…異物、ＲＳ…残存物

Claims

　複数の孔が形成された基材を有する蒸着マスクの欠陥原因を特定する蒸着マスク欠陥原因特定システムにおいて、
　正常孔部分と不良孔部分とを含む前記複数の孔を撮像した複数の孔部分と、前記複数の孔の周囲の前記基材を撮像した基材部分と、を含む前記蒸着マスクの撮像画像を取得する画像取得部と、
　前記画像取得部によって取得された前記撮像画像における前記正常孔部分の面積を算出する第１面積算出部と、
　前記画像取得部によって取得された前記撮像画像における前記不良孔部分の面積を算出する第２面積算出部と、
　前記正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率を算出する面積比率算出部と、
　前記不良孔部分の原因を特定する欠陥原因特定部と、を備え、
　前記欠陥原因特定部は、
　前記面積比率が１以上である場合に、前記不良孔部分の原因が、第１原因または第２原因であると特定し、
　前記面積比率が１未満である場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因および前記第２原因のどちらでもない原因であると特定する、
　蒸着マスク欠陥原因特定システム。
　前記画像取得部によって取得された前記撮像画像における、前記不良孔部分の重心位置から、前記不良孔部分と前記不良孔部分の周囲の前記基材部分との境界部分までの長さである径寸法を算出する径寸法算出部と、
　前記径寸法算出部によって算出された前記径寸法に基づいて前記不良孔部分の形状の対称性を判定する対称性判定部と、を更に備え、
　前記径寸法算出部は、前記重心位置を中心とする４５°間隔の８方向の前記径寸法を算出する、
　請求項１に記載の蒸着マスク欠陥原因特定システム。
　前記欠陥原因特定部は、
　前記面積比率が１以上である場合であって、前記撮像画像における前記正常孔部分の形状が対称性を有し、かつ前記不良孔部分の形状が対称性を有さないと前記対称性判定部によって判定された場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因であると特定し、
　前記面積比率が１以上である場合であって、前記撮像画像における前記正常孔部分の形状が対称性を有し、かつ、前記不良孔部分の形状が対称性を有すると前記対称性判定部によって判定された場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因とは異なる前記第２原因であると特定し、
　前記面積比率が１未満である場合であって、前記撮像画像における前記正常孔部分の形状が対称性を有し、かつ前記不良孔部分の形状が対称性を有さないと前記対称性判定部によって判定された場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因および前記第２原因のどちらでもない第３原因であると特定し、
　前記面積比率が１未満である場合であって、前記撮像画像における前記正常孔部分の形状が対称性を有し、かつ、前記不良孔部分の形状が対称性を有すると前記対称性判定部によって判定された場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因、前記第２原因および前記第３原因のいずれでもない第４原因であると特定する、
　請求項２に記載の蒸着マスク欠陥原因特定システム。
　前記蒸着マスクの作製に用いるレジストがネガタイプである場合、
　前記第１原因には、
　　前記レジスト自体に異物があり現像時に脱落したこと、
　　前記蒸着マスクの製造中に前記レジストに物理的に傷がついたこと、
　　前記基材に対する前記レジストのラミネート時に異物を挟み込み、前記レジストと前記基材とが密着しなかった部分が前記不良孔部分にかかっていること、
　　前記基材の前処理以降から前記レジストの前記基材へのラミネート処理までに、前記基材の汚れが取れていないこと、
　　前記蒸着マスクの作製に用いる露光マスクに問題があること、
　　前記基材に対する前記レジストのラミネート時のエアの挟み込みが生じたこと、および、
　　露光時の異物による露光阻害が生じたこと、の少なくともいずれかが含まれ、
　前記第２原因には、
　　前記露光マスクの開口パターンに問題があること、
　　前記露光マスクの表面全体が一様に汚れていたこと、
　　前記レジストの前記基材へのラミネート処理の条件が適切ではなく、前記レジストの前記基材への密着性が低下したこと、および、
　　エッチングでの浸み込みがあったこと、の少なくともいずれかが含まれ、
　前記第３原因には、
　　前記レジストと前記基材との間の異物による局所的なエッチングの遅れが生じたこと、
　　ドライフィルムレジストのキャリアフィルムの上の異物による、前記レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されている前記レジストの一部が硬化し、局所的なエッチングの遅れが生じたこと、
　　現像によりパターニングが行われた後の前記レジストの開口内の残存物による局所的なエッチングの遅れが生じたこと、
　　前記露光マスクの前記開口パターンに局所的な欠損があること、および、
　　前記露光マスクの前記基材に対向する面において、前記基材に向かって突出する局所的なキズによるバリがあること、の少なくともいずれかが含まれ、
　前記第４原因には、
　　前記レジストの開口のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れが生じたこと、
　　現像によりパターニングが行われた後の前記レジストの開口内の皮膜残渣によるエッチング不足が生じたこと、
　　前記ドライフィルムレジストの前記キャリアフィルムの上の異物による、前記レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されている前記レジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じたこと、
　　前記ドライフィルムレジストの前記キャリアフィルムの内部の異物による、前記レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されている前記レジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じたこと、および、
　　前記レジストの密着不足に起因する、前記レジストへの露光時の光の散乱によって、遮光されている前記レジストの一部が硬化し、エッチングの遅れが生じたこと、の少なくともいずれかが含まれる、
　請求項３に記載の蒸着マスク欠陥原因特定システム。
　前記蒸着マスクの作製に用いるレジストがポジタイプである場合、
　前記第１原因には、
　　前記レジスト自体に異物があり現像時に脱落したこと、
　　前記基材に対する前記レジストのラミネート時に異物を挟み込んだこと、
　　前記レジストと前記基材とが密着しなかった部分が前記不良孔部分にかかっていること、
　　前記基材に対する前記レジストのラミネート時のエアの挟み込みが生じたこと、および、
　　ドライフィルムレジストのキャリアフィルム上の異物による露光時の光散乱によって、遮光されている部分の前記レジストの一部が分解し、局所的にエッチングが進行しすぎたこと、の少なくともいずれかが含まれ、
　前記第２原因には、
　　前記レジストの前記基材へのラミネート処理の条件が適切ではなく、前記レジストの前記基材への密着性が低下したこと、
　　エッチングでの浸み込みがあったこと、
　　前記レジストのキャリアフィルム上の異物による、前記レジストへの露光時の光散乱によって、遮光されている部分の前記レジストの一部が分解し、エッチングが進行しすぎたこと、
　　前記レジストのキャリアフィルムの内部の異物による露光時の光散乱によって、遮光されている部分の前記レジストの一部が分解し、エッチングが進行しすぎたこと、および、
　　前記レジストへの露光時の密着不足に伴う光の散乱による前記レジストの分解が生じたこと、の少なくともいずれかが含まれ、
　前記第３原因には、
　　前記レジストと前記基材との間の異物による局所的なエッチングの遅れが生じたこと、
　　現像によりパターニングが行われた後の前記レジストの開口内の残存物による局所的なエッチングの遅れが生じたこと、
　　前記蒸着マスクの作製に用いる露光マスクに形成されている孔の一部を塞ぐような欠陥や異物の付着があること、および、
　　前記レジストへの露光時の異物による、前記レジストへの露光阻害が生じたこと、の少なくともいずれかが含まれ、
　前記第４原因には、
　　前記レジストの開口のバラツキまたはエッチング液の濡れ性不足によるエッチングの遅れが生じたこと、
　　現像によりパターニングが行われた後の前記レジストの開口内の皮膜残渣によるエッチング不足が生じたこと、および、
　　前記露光マスクの表面全体が一様に汚れていたこと、の少なくともいずれかが含まれる、
　請求項３に記載の蒸着マスク欠陥原因特定システム。
　複数の孔が形成された基材を有する蒸着マスクの欠陥原因を特定する蒸着マスク欠陥原因特定方法において、
　正常孔部分と不良孔部分とを含む前記複数の孔を撮像した複数の孔部分と、前記複数の孔の周囲の前記基材を撮像した基材部分と、を含む前記蒸着マスクの撮像画像を取得する画像取得ステップと、
　前記画像取得ステップにおいて取得された前記撮像画像における前記正常孔部分の面積を算出する第１面積算出ステップと、
　前記画像取得ステップにおいて取得された前記撮像画像における前記不良孔部分の面積を算出する第２面積算出ステップと、
　前記正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率を算出する面積比率算出ステップと、
　前記不良孔部分の原因を特定する欠陥原因特定ステップと、を備え、
　前記欠陥原因特定ステップでは、
　前記面積比率が１以上である場合に、前記不良孔部分の原因が、第１原因または第２原因であると特定され、
　前記面積比率が１未満である場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因および前記第２原因のどちらでもない原因であると特定される、
　蒸着マスク欠陥原因特定方法。
　複数の孔が形成された基材を有する蒸着マスクの欠陥原因を特定する欠陥原因特定するプログラムにおいて、
　コンピュータに、
　　正常孔部分と不良孔部分とを含む前記複数の孔を撮像した複数の孔部分と、前記複数の孔の周囲の前記基材を撮像した基材部分と、を含む前記蒸着マスクの撮像画像を取得する画像取得ステップと、
　　前記画像取得ステップにおいて取得された前記撮像画像における前記正常孔部分の面積を算出する第１面積算出ステップと、
　　前記画像取得ステップにおいて取得された前記撮像画像における前記不良孔部分の面積を算出する第２面積算出ステップと、
　　前記正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率を算出する面積比率算出ステップと、
　　前記不良孔部分の原因を特定する欠陥原因特定ステップと、
　を実行させるためのプログラムであって、
　前記欠陥原因特定ステップでは、
　前記面積比率が１以上である場合に、前記不良孔部分の原因が、第１原因または第２原因であると特定され、
　前記面積比率が１未満である場合に、前記不良孔部分の原因が、前記第１原因および前記第２原因のどちらでもない原因であると特定される、
　プログラム。
　複数の孔が形成された基材を有する蒸着マスクの欠陥原因を特定する蒸着マスク欠陥原因特定システムにおいて、
　正常孔部分と不良孔部分とを含む前記複数の孔を撮像した複数の孔部分と、前記複数の孔の周囲の前記基材を撮像した基材部分と、を含む前記蒸着マスクの撮像画像を取得する画像取得部と、
　前記画像取得部によって取得された前記撮像画像における前記正常孔部分の面積を算出する第１面積算出部と、
　前記画像取得部によって取得された前記撮像画像における前記不良孔部分の面積を算出する第２面積算出部と、
　前記正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率を算出する面積比率算出部と、
　前記不良孔部分の原因を特定する欠陥原因特定部と、
　教師データ取得部と、を備え、
　前記教師データ取得部は、
　学習用第１蒸着マスクの撮像画像と、前記学習用第１蒸着マスクに含まれる不良孔部分の原因との関係を示す第１教師データと、
　学習用第２蒸着マスクの撮像画像と、前記学習用第２蒸着マスクに含まれる不良孔部分の原因との関係を示す第２教師データとを取得し、
　前記学習用第１蒸着マスクに含まれる正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率は１以上であり、
　前記学習用第２蒸着マスクに含まれる正常孔部分の面積に対する前記不良孔部分の面積の割合である面積比率は１未満であり、
　前記欠陥原因特定部は、前記第１教師データおよび前記第２教師データを使用した教師あり学習を実行した後に、前記面積比率算出部によって算出された前記面積比率が１以上である場合の前記不良孔部分の原因と、前記面積比率算出部によって算出された前記面積比率が１未満である場合の前記不良孔部分の原因とを特定する、
　蒸着マスク欠陥原因特定システム。