KR20210156216A - 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210156216A
KR20210156216A KR1020210073709A KR20210073709A KR20210156216A KR 20210156216 A KR20210156216 A KR 20210156216A KR 1020210073709 A KR1020210073709 A KR 1020210073709A KR 20210073709 A KR20210073709 A KR 20210073709A KR 20210156216 A KR20210156216 A KR 20210156216A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
valve
gas supply
processing chamber
supply pipe
Prior art date
Application number
KR1020210073709A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102616693B1 (ko
Inventor
준이치 아베
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20210156216A publication Critical patent/KR20210156216A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102616693B1 publication Critical patent/KR102616693B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L58/00—Protection of pipes or pipe fittings against corrosion or incrustation
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D1/00—Pipe-line systems
    • F17D1/02—Pipe-line systems for gases or vapours
    • F17D1/04—Pipe-line systems for gases or vapours for distribution of gas
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D3/00—Arrangements for supervising or controlling working operations
    • F17D3/01—Arrangements for supervising or controlling working operations for controlling, signalling, or supervising the conveyance of a product
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

[과제] 공급 배관 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버를 대기 개방할 수 있는 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법을 제공한다.
[해결 수단] 기판 처리 장치는 처리 챔버와, 가스 공급 배관과, 처리 가스 배관과, 퍼지 가스 배관과, 연동 개방부를 갖는다. 처리 챔버는 내부에 있어서 부식성의 처리 가스에 의해 기판에 처리를 실시하는 처리 챔버이다. 가스 공급 배관은 처리 챔버에 접속되고, 처리 챔버의 내부까지 연통하여 있는 배관이다. 처리 가스 배관은 가스 공급 배관에 제 1 밸브를 거쳐서 접속되고, 처리 가스를 가스 공급 배관에 도입한다. 퍼지 가스 배관은 제 1 밸브의 처리 챔버측에 있어서, 가스 공급 배관에 제 2 밸브를 거쳐서 접속되고, 퍼지 가스를 가스 공급 배관에 도입한다. 연동 개방부는 제 1 밸브가 폐쇄되어 있는 상태로, 처리 챔버의 내부로의 대기 도입과 연동하여 제 2 밸브를 개방한다.

Description

기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF PURGING GAS SUPPLY PIPES}
본 개시는 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치에서는, 소자 형성에 관한 처리를 실행하기 위해서, 처리 챔버에 대해서, 종종 부식성의 처리 가스가 공급 배관을 통해서 공급된다. 기판 처리 장치는 정기적으로 실행되는 메인터넌스 시에 처리 챔버의 덮개가 개방되어서, 처리 챔버 내부가 대기에 노출된다. 이때, 처리 챔버에 연통하는 공급 배관 내에도 대기가 인입되고, 공급 배관 내에 잔류한 처리 가스가 대기 중의 수분과 반응하여, 예를 들면, HCl 등의 부식성의 물질을 생성한다. 이 부식성의 물질이 공급 배관 내를 부식시킴으로써, 파티클의 원인이 된다. 공급 배관 내의 부식을 억제하기 위해서, 처리 챔버의 덮개를 개방하는 대기 개방 전부터 퍼지 가스를 흘리는 것이 제안되고 있다.
일본 특허 공개 제 2017-092310 호 공보
본 개시는 공급 배관 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버를 대기 개방할 수 있는 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법을 제공한다.
본 개시의 일 태양에 의한 기판 처리 장치는, 처리 챔버와, 가스 공급 배관과, 처리 가스 배관과, 퍼지 가스 배관과, 연동 개방부를 갖는다. 처리 챔버는 내부에 있어서 부식성의 처리 가스에 의해 기판에 처리를 실시하는 처리 챔버이다. 가스 공급 배관은 처리 챔버에 접속되고, 처리 챔버의 내부까지 연통하여 있는 배관이다. 처리 가스 배관은 가스 공급 배관에 제 1 밸브를 거쳐서 접속되고, 처리 가스를 가스 공급 배관에 도입한다. 퍼지 가스 배관은 제 1 밸브의 처리 챔버측에 있어서, 이 가스 공급 배관에 제 2 밸브를 거쳐서 접속되고, 퍼지 가스를 가스 공급 배관에 도입한다. 연동 개방부는 제 1 밸브가 폐쇄되어 있는 상태로, 처리 챔버의 내부로의 대기 도입과 연동하여 제 2 밸브를 개방한다.
본 개시에 의하면, 공급 배관 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버를 대기 개방할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 2는 본 실시형태에 있어서의 퍼지 지그의 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 각 샤워 플레이트에 대한 퍼지 유량의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 퍼지 처리의 일례를 나타내는 플로우 차트이다.
이하에, 개시하는 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법의 실시형태에 대해서, 도면에 근거하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시형태에 의해 개시 기술이 한정되는 것은 아니다.
기판 처리 장치의 메인터넌스에 있어서, 공급 배관 내의 부식을 억제하기 위해서, 처리 챔버의 덮개를 개방하는 대기 개방 전부터 공급 배관 내에 퍼지 가스를 공급하면, 처리 챔버 내가 양압(陽壓)이 되고 처리 챔버의 덮개의 개방과 함께 한 번에 내부의 퍼지 가스가 분출하여, 안전상 바람직하지 않은 경우가 있다. 한편, 처리 챔버의 덮개를 개방한 후에 공급 배관 내에 퍼지 가스를 공급하면, 공급 배관 내에 대기가 들어가 버려서, 공급 배관 내가 부식하는 경우가 있다. 그래서, 공급 배관 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버를 대기 개방하는 것이 기대되고 있다.
[기판 처리 장치(1)의 구성]
도 1은 본 개시의 일 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)는 예를 들면, 플라즈마 처리 장치이며, 유도 결합 플라즈마(ICP)를 생성하고, 생성된 플라즈마를 이용하여, 직사각형상의 기판(G)에 대해, 에칭이나 애싱, 성막 등의 플라즈마 처리를 실시한다. 본 실시형태에 있어서, 기판(G)은 예를 들면, FPD(Flat Panel Display)용의 유리 기판이다.
기판 처리 장치(1)는 본체부(10) 및 제어 장치(20)를 갖는다. 본체부(10)는 예를 들면, 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄 등의 도전성 재료에 의해서 형성된 각통 형상의 기밀한 처리 챔버(30)를 갖는다. 처리 챔버(30)는 접지되어 있다. 처리 챔버(30)는 상부의 덮개(31)와, 하부의 본체(32)가, 복수의 샤워 플레이트(33)를 갖는 격벽(31a)에 의해 구획되어 있다. 격벽(31a)은 유전체창 또는 금속창을 갖는다. 격벽(31a)과 본체(32)로 둘러싸이는 공간이 처리실(32a)이 된다. 덮개(31)와 본체(32)는 통상시는 밀폐되어 있지만 A-A면으로 분할 가능하며, 메인터넌스 시에는, 덮개(31)측이 예를 들면, 상방향으로 이동하여 이탈함으로써, 본체(32) 내(처리실(32a))가 대기 개방된다.
각 샤워 플레이트(33)에는, 각각 가스 공급 배관(34)이 접속된다. 각 가스 공급 배관(34)은 처리 챔버(30)의 외부로부터 공급되는 가스를 각 샤워 플레이트(33)에 도입하기 위한 배관이다. 가스 공급 배관(34)으로부터 샤워 플레이트(33)에 공급된 가스는, 샤워 플레이트(33) 내의 도시되지 않은 확산실에서 확산되고, 가스 토출 구멍(33a)으로부터 처리실(32a)로 공급된다.
가스 공급 배관(34)은 제 1 밸브(35)를 거쳐서 처리 가스 배관(36)에 접속된다. 즉, 가스 공급 배관(34)은 처리 챔버(30)의 외부로부터 처리 챔버(30)의 내부의 샤워 플레이트(33)까지 연통하여 있다. 처리 가스 배관(36)은 FRC(Flow Ratio Controller)(37), 덮개측 밸브(38) 및 본체측 밸브(39)를 거쳐서, 처리 가스 공급부(40)에 접속되어 있다. FRC(37)는 처리 가스 공급부(40) 내의 MFC(Mass Flow Controller) 등의 유량 제어기에서 결정된 유량을 소정의 비율로 분배한다. 즉, 도시는 하지 않지만, 처리 가스 배관(36)은 덮개측 밸브(38)까지는 예를 들면, 1개이며, 덮개측 밸브(38)로부터 FRC(37)까지의 사이에서 복수의 처리 가스 배관(36)으로 분기한다. 분기한 각 처리 가스 배관(36)에는, 각각 FRC(37) 및 제 1 밸브(35)가 마련되고, 각 제 1 밸브(35)에, 각각의 가스 공급 배관(34)이 접속되어 있다. 각 가스 공급 배관(34)은 격벽(31a)의 상이한 영역에 위치하는 샤워 플레이트(33)에 각각 접속되고, 각 FRC(37)의 가스 배분을 조절하는 것에 의해서 처리 가스의 공급 분포를 제어할 수 있다. 덮개측 밸브(38) 및 본체측 밸브(39)는 덮개(31)를 개방하는 경우에 폐쇄함으로써, 처리 가스 배관(36)을 덮개(31)측과 본체(32)측으로 분할 가능하게 하기 위한 밸브이다.
처리 가스 공급부(40)는 가스 공급원, MFC 등의 유량 제어기, 및 밸브를 갖는다. 유량 제어기는 밸브가 개방된 상태로, 가스 공급원으로부터 공급된 처리 가스의 유량을 제어하고, 유량이 제어된 처리 가스를 처리 가스 배관(36)에 공급한다. 처리 가스는 예를 들면, O2 가스나, Cl2 가스, BCl3 가스라고 하는 염소계의 가스(부식성의 가스), 또는 이들의 혼합 가스 등이다. 또한, 처리 가스 공급부(40)는 마찬가지로 N2 가스 등의 불활성 가스를 처리 가스 배관(36)에 공급한다.
각 제 1 밸브(35)의 샤워 플레이트(33)측의 각 가스 공급 배관(34)에는, 각각 제 2 밸브(41)를 거쳐서 각 퍼지 가스 배관(42)이 접속된다. 각 퍼지 가스 배관(42)은 플랜지(43)를 거쳐서 퍼지 지그(44)에 접속된다. 제 2 밸브(41)는 퍼지 가스 배관(42)으로부터 공급되는 퍼지 가스의 가스 공급 배관(34)으로의 공급/정지를 전환한다. 또한, 제 2 밸브(41)는 에어 구동 방식의 밸브이며, 메커니컬 밸브(45)를 거쳐서 구동용 배관(49)이 접속된다. 구동용 배관(49)은 퍼지 지그(44)에 접속되어 있다. 플랜지(43)는 각 퍼지 가스 배관(42)을 분할 가능하게 접속하기 위한 것이다. 각 퍼지 가스 배관(42)은 플랜지(43)에 있어서, 처리 챔버(30)측과 퍼지 지그(44)측으로 분할할 수 있다. 즉, 플랜지(43)는 메인터넌스 시에 퍼지 지그(44)를 접속하고, 퍼지 가스를 공급하는 메인터넌스 가스 포트이다.
메커니컬 밸브(45)는 기계적인 동작으로 개폐를 제어할 수 있는 밸브이다. 메커니컬 밸브(45)는 밸브부(46)와 검출부(47)를 갖는다. 밸브부(46)는 구동용 배관(49)으로부터 도입되는 퍼지 가스의 공급/정지를 전환함으로써, 제 2 밸브(41)의 개폐를 제어한다. 검출부(47)는 밸브부(46)의 개폐를 제어하는 스위치이며, 덮개(31)측에 마련된다. 검출부(47)와 대향하는 본체(32)측의 위치에는, 검출부(47)를 압하(壓下)하기 위한 블록(48)이 마련되어 있다. 덮개(31)가 폐쇄되어 있는 경우, 검출부(47)는 블록(48)과 접촉하여 압하되어 있는 상태이며, 밸브부(46)는 폐쇄된다. 한편, 덮개(31)가 개방되어 있는(덮개(31)가 본체(32)로부터 이탈하여 있는) 경우, 검출부(47)는 블록(48)으로부터 떨어지고, 압하되지 않은 상태가 되고, 밸브부(46)는 개방된다. 또한, 도 1에서는, 밸브부(46)와 검출부(47)가 떨어진 위치에 있도록 도시되어 있지만, 밸브부(46)와 검출부(47)는 일체화되어 있고, 밸브부(46)와 검출부(47)는 기계적으로 접속되어 있다. 또한, 구동용 배관(49)은 메커니컬 밸브(45)와 분리 가능하게 접속되어 있다.
퍼지 지그(44)는 퍼지 가스 공급 배관(50)을 거쳐서 퍼지 가스 공급부(51)에 접속되어 있다. 퍼지 가스 공급부(51)는 가스 공급원, MFC 등의 유량 제어기, 및 밸브를 갖는다. 유량 제어기는 밸브가 개방된 상태로, 가스 공급원으로부터 공급된 퍼지 가스의 유량을 제어하고, 유량이 제어된 퍼지 가스를 퍼지 가스 공급 배관(50)에 공급한다. 퍼지 가스는 예를 들면, 드라이 에어 등을 이용할 수 있다. 또한, 퍼지 지그(44)는 처리 챔버(30) 내의 클리닝을 위해서, 수증기를 공급 가능하게 해도 좋다.
본 명세서에서, 도 2를 이용하여 퍼지 지그(44)에 대해서 설명한다. 도 2는 본 실시형태에 있어서의 퍼지 지그의 구성의 일례를 도시하는 도면이다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 퍼지 지그(44)는 퍼지 가스 공급 배관(50)측으로부터 순서대로, 핸드 밸브(52), 레귤레이터(53), 복수의 유량계(55), 복수의 니들 밸브(56) 및 복수의 필터(57)를 갖고, 퍼지 지그(44) 밖의 플랜지(43)를 거쳐서 각 퍼지 가스 배관(42)에 접속되어 있다. 또한, 핸드 밸브(52)와 레귤레이터(53) 사이를 접속하는 배관으로부터 배관(49a)이 분기하고, 퍼지 지그(44) 밖의 구동용 배관(49)에 접속되어 있다. 또한, 퍼지 지그(44)는 덮개(31)를 개방하는 메인터넌스 시에 설치되고, 플랜지(43)를 거쳐서 처리 챔버(30)측의 각 퍼지 가스 배관(42)과, 퍼지 지그(44)측의 각 퍼지 가스 배관(42)이 접속된다. 게다가, 메인터넌스 시에는, 구동용 배관(49)도 메커니컬 밸브(45)에 접속된다. 또한, 퍼지 지그(44)는 통상시에 있어서도 기판 처리 장치(1)의 일부분으로서 설치되어 있어도 좋다.
핸드 밸브(52)는 퍼지 가스 공급 배관(50)을 거쳐서 퍼지 가스 공급부(51)로부터 공급되는 퍼지 가스를 수동으로 개폐하는 밸브이다. 핸드 밸브(52)는 퍼지 지그(44)의 설치 후에, 각 퍼지 가스 배관(42) 및 구동용 배관(49)의 접속이 확인되면, 작업자에 의해서 개방된다. 레귤레이터(53)는 각 퍼지 가스 배관(42)에 공급하는 퍼지 가스의 압력을 조정한다. 압력계(54)는 레귤레이터(53)에 있어서의 압력을 계측한다. 레귤레이터(53)의 출력측의 배관(42a)은 분기하여 있고, 복수의 유량계(55)에 각각 접속한다. 각각의 유량계(55)는 각 퍼지 가스 배관(42)으로 출력하는 퍼지 가스의 유량을 계측한다. 니들 밸브(56)는 각 퍼지 가스 배관(42)의 유량을 조정한다. 필터(57)는 퍼지 가스 중의 미립자 등을 제거하기 위한 필터이다.
본 명세서에서, 도 3을 이용하여 각 샤워 플레이트(33)에 대한 퍼지 가스의 유량의 일례를 설명한다. 도 3은 각 샤워 플레이트(33)에 대한 퍼지 유량의 일례를 도시하는 도면이다. 도 3에 도시하는 가스 공급 배관(34a)은 복수의 가스 공급 배관(34) 중 하나를 발출(拔出)한 것이다. 가스 공급 배관(34a)은 게다가, 각 샤워 플레이트(33)에 접속되는 복수의 가스 공급 배관(34b)으로 분기한다. 도 3의 예에서는, 가스 공급 배관(34a)에 예를 들면, 52L/min의 퍼지 가스가 공급되면, 퍼지 가스는 가스 공급 배관(34b)의 각각에 균등하게 분배된다. 각 가스 공급 배관(34b)은 각 샤워 플레이트(33)에 6.5L/min의 퍼지 가스를 공급한다. 퍼지 가스로서 드라이 에어를 이용하는 경우, 각 샤워 플레이트(33)에 대해서 5L/min 이상의 드라이 에어 퍼지를 실행할 수 있으면, 대기의 가스 공급 배관(34)으로의 침입을 억제할 수 있다. 따라서, 도 3의 예에서는, 가스 공급 배관(34, 34a, 34b) 내 및 샤워 플레이트(33) 내의 부식을 억제할 수 있다.
도 1의 설명으로 돌아온다. 덮개(31) 내에는, 안테나(60)가 설치되어 있다. 안테나(60)는 구리 등의 도전성이 높은 금속에 의해 환상이나 소용돌이 형상 등의 임의의 형상으로 형성되어 있다. 안테나(60)는 도시되지 않은 스페이서에 의해 격벽(31a)으로부터 이격되어 있다.
안테나(60)에는, 정합기(61)를 거쳐서 고주파 전원(62)이 접속되어 있다. 고주파 전원(62)은 정합기(61)를 거쳐서 안테나(60)에, 예를 들면, 13.56㎒의 주파수의 고주파 전력을 공급한다. 이에 의해, 안테나(60)의 하방에 있는 처리실(32a) 내에 유도 전계가 형성된다. 처리실(32a) 내에 형성된 유도 전계에 의해, 샤워 플레이트(33)로부터 공급된 처리 가스가 플라즈마화되고, 처리실(32a) 내에 유도 결합 플라즈마가 생성된다. 고주파 전원(62) 및 안테나(60)는 플라즈마 생성 기구의 일례이다.
본체(32)의 바닥부에는, 기판(G)을 탑재하는 탑재대(70)가 배치되어 있다. 탑재대(70)는 기판(G)의 형상에 대응한 사각판 형상 또는 사각 기둥 형상으로 형성되어 있다. 탑재대(70)의 상면에 있어서 기판(G)을 탑재하는 탑재면에는, 기판(G)을 보지하기 위한 정전 척(도시되지 않음)이 형성되어 있고, 플라즈마 처리가 실행되고 있는 동안, 기판(G)은 탑재대(70)에 고정된다.
탑재대(70)에는, 정합기(71) 및 고주파 전원(72)이 접속되어 있다. 고주파 전원(72)은 정합기(71)를 거쳐서 탑재대(70)에, 바이어스용의 고주파 전력을 공급한다. 고주파 전원(72)은 바이어스 전력 공급 기구의 일례이다. 정합기(71)를 거쳐서 탑재대(70)에 바이어스용의 고주파 전력이 공급되는 것에 의해, 탑재대(70)에 탑재된 기판(G)에 이온이 인입된다. 고주파 전원(72)에 의해서 탑재대(70)에 공급되는 고주파 전력의 주파수는, 예를 들면, 50㎑ 내지 10㎒의 범위의 주파수이며, 예를 들면, 6㎒이다. 또한, 탑재대(70)에는, 도시는 되지 않지만 전열 가스를 공급하기 위한 배관, 온도 조절 기구 및 리프트 핀 등이 마련되어 있다.
본체(32)의 측면에는, 기판(G)을 반출입하기 위한 도시되지 않은 개구 및 게이트 밸브가 마련되어 있다. 또한, 본체(32)의 바닥부의 외주측에는, 복수의 배기구(73)가 형성되어 있다. 각 배기구(73)에는, 각각 배기관(74) 및 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(75)를 거쳐서, 진공 펌프(76)가 접속되어 있다. 진공 펌프(76)에 의해 처리실(32a) 내가 배기되고, APC 밸브(75)의 개방도가 조정되는 것에 의해, 처리실(32a) 내의 압력이 소정의 압력으로 유지된다.
제어 장치(20)는 메모리, 프로세서, 및 입출력 인터페이스를 갖는다. 제어 장치(20) 내의 프로세서는 제어 장치(20) 내의 메모리에 격납된 프로그램을 읽어내서 실행하는 것에 의해, 제어 장치(20)의 입출력 인터페이스를 거쳐서 본체부(10)의 각 부를 제어한다.
[가스 공급 배관의 퍼지 방법]
다음에, 본 실시형태에 있어서의 가스 공급 배관의 퍼지 방법에 대해서 설명한다. 도 4는 퍼지 처리의 일례를 나타내는 플로우 차트이다. 도 4에서는, 덮개(31)의 상부에 퍼지 지그(44)를 설치하고, 각 퍼지 가스 배관(42) 및 구동용 배관(49)을 처리 챔버(30)측에 접속하고, 퍼지 가스 공급 배관(50)을 퍼지 가스 공급부(51)에 접속한 상태로부터 설명을 개시한다.
제어 장치(20)는 처리 가스 공급부(40)로부터 가스 공급 배관(34)에, N2 가스를 공급시킨다(단계(S1)). N2 가스는 처리 가스 배관(36) 및 제 1 밸브(35)를 경유하여 가스 공급 배관(34)에 도입된다. 다음에, 제어 장치(20)는 제 1 밸브(35)를 폐쇄하고(단계(S2)), N2 가스의 공급을 정지시킨다. 즉, 처리 가스 배관(36)에 N2 가스가 봉입된 상태가 된다. 또한, 제어 장치(20)는 덮개측 밸브(38) 및 본체측 밸브(39)를 폐쇄한다. 그 후, 작업자에 의해서 기판 처리 장치(1)의 전원이 꺼진다. 이때, 퍼지 지그(44)는 각 퍼지 가스 배관(42) 및 구동용 배관(49)에 퍼지 가스를 공급하고 있는 상태이다.
기판 처리 장치(1)의 전원이 꺼진 상태로, 작업자에 의해 덮개(31)가 본체(32)로부터 이탈되고, 처리 챔버(30)의 내부에 대기가 도입된다. 즉, 처리실(32a)이 대기 개방된다. 메커니컬 밸브(45)는 검출부(47)에서 덮개(31)의 본체(32)로부터의 이탈을 검출하고, 밸브부(46)를 개방한다. 제 2 밸브(41)는 밸브부(46)가 개방되어서 공급되는 퍼지 가스에 의해 개방된다. 제 2 밸브(41)가 개방되면, 각 퍼지 가스 배관(42)의 퍼지 가스는 가스 공급 배관(34)에 공급된다. 즉, 처리 챔버(30)의 대기 개방에 연동하여, 가스 공급 배관(34)에 퍼지 가스가 공급된다(단계(S3)).
가스 공급 배관(34)에 공급된 퍼지 가스는, 샤워 플레이트(33)의 가스 토출 구멍(33a)으로부터 계속 토출되므로, 가스 공급 배관(34) 내로의 대기의 침입을 저지하고, 가스 공급 배관(34) 내의 부식을 억제할 수 있다. 또한, 가스 공급 배관(34)으로의 퍼지 가스의 공급은, 사람의 손을 거치지 않고 처리 챔버(30)의 대기 개방에 연동하여 개시되기 때문에, 대기 개방시에 처리 챔버(30) 내가 양압이 되지 않고, 보다 안전하게 처리 챔버를 대기 개방할 수 있다.
이상, 각 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치(1)는 처리 챔버(30)와, 가스 공급 배관(34)과, 처리 가스 배관(36)과, 퍼지 가스 배관(42)과, 연동 개방부(메커니컬 밸브(45))를 갖는다. 처리 챔버(30)는, 내부에 있어서 부식성의 처리 가스에 의해 기판(G)에 처리를 실시하는 처리 챔버이다. 가스 공급 배관(34)은 처리 챔버(30)에 접속되고, 처리 챔버(30)의 내부까지 연통하여 있는 배관이다. 처리 가스 배관(36)은 가스 공급 배관(34)에 제 1 밸브(35)를 거쳐서 접속되고, 처리 가스를 가스 공급 배관(34)에 도입한다. 퍼지 가스 배관(42)은 제 1 밸브(35)의 처리 챔버(30)측에 있어서, 가스 공급 배관(34)에 제 2 밸브(41)를 거쳐서 접속되고, 퍼지 가스를 가스 공급 배관(34)에 도입한다. 연동 개방부는 제 1 밸브(35)가 폐쇄되어 있는 상태로, 처리 챔버(30)의 내부로의 대기 도입과 연동하여 제 2 밸브(41)를 개방한다. 그 결과, 가스 공급 배관(34) 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버(30)를 대기 개방할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의하면, 처리 챔버(30)는 본체(32)와 덮개(31)에 의해 밀폐되어 구성된다. 또한, 대기 도입은 덮개(31)를 본체(32)로부터 이탈시킴으로써, 처리 챔버(30)의 내부에 대기를 도입한다. 그 결과, 덮개(31)를 본체(32)로부터 이탈시킨 타이밍에서, 처리 챔버(30)를 대기 개방할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의하면, 연동 개방부는 덮개(31)가 본체(32)로부터 이탈하는 것에 기반하여, 제 2 밸브(41)를 개방한다. 그 결과, 덮개(31)를 본체(32)로부터 이탈시킨 타이밍에서, 가스 공급 배관(34)에 퍼지 가스를 공급할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의하면, 연동 개방부는 덮개(31)의 본체(32)로부터의 이탈을 메커니컬 밸브(45)에 의해 검출하고, 메커니컬 밸브(45)에 접속된 구동용 배관(49)에 퍼지 가스 배관(42)으로부터 분기하여 공급되는 퍼지 가스에 의해, 제 2 밸브(41)를 개방한다. 그 결과, 기판 처리 장치(1)의 전원이 꺼진 상태에서도, 가스 공급 배관(34)에 퍼지 가스를 공급할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의하면, 퍼지 가스는 드라이 에어이다. 그 결과, 가스 공급 배관(34) 내의 부식을 억제할 수 있다. 또한, 대기 개방시에 퍼지 가스를 계속 공급해도 작업자에게 영향을 미치지 않는다.
또한, 본 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 가스 공급 배관의 퍼지 방법은, 내부에 있어서 부식성의 처리 가스에 의해 기판(G)에 처리를 실시하는 처리 챔버(30)에 접속된 가스 공급 배관(34)에 제 1 밸브(35)를 거쳐서 접속되고, 처리 가스를 가스 공급 배관(34)에 도입하는 처리 가스 배관(36)의 제 1 밸브(35)를 폐쇄하는 공정과, 제 1 밸브(35)의 처리 챔버(30)측에 있어서, 가스 공급 배관(34)에 제 2 밸브(41)를 거쳐서 접속되는 퍼지 가스 배관(42)의 제 2 밸브(41)를, 처리 챔버(30)의 내부로의 대기 도입과 연동하여 개방하고, 퍼지 가스를 가스 공급 배관(34)에 도입하는 공정을 갖는다. 그 결과, 가스 공급 배관(34) 내의 부식을 억제하면서, 보다 안전하게 처리 챔버(30)를 대기 개방할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에서는, 플라즈마원의 일례로서, 유도 결합형의 기판 처리 장치로서 설명했지만, 다른 플라즈마원을 구비한 기판 처리 장치여도 좋다. 유도 결합 플라즈마 이외의 플라즈마원으로서는, 예를 들면, 용량 결합형 플라즈마(CCP), 마이크로파 여기 표면파 플라즈마(SWP), 전자 사이크로톤 공명 플라즈마(ECP), 및 헬리콘파 여기 플라즈마(HWP) 등을 들 수 있다.
금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시형태는 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하는 일 없이, 여러가지 형체로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
1 : 기판 처리 장치
10 : 본체부
20 : 제어 장치
30 : 처리 챔버
31 : 덮개
31a : 격벽
32 : 본체
32a : 처리실
33 : 샤워 플레이트
34 : 가스 공급 배관
35 : 제 1 밸브
36 : 처리 가스 배관
40 : 처리 가스 공급부
41 : 제 2 밸브
42 : 퍼지 가스 배관
43 : 플랜지
44 : 퍼지 지그
45 : 메커니컬 밸브
49 : 구동용 배관
50 : 퍼지 가스 공급 배관
51 : 퍼지 가스 공급부
60 : 안테나
61, 71 : 정합기
62, 72 : 고주파 전원
70 : 탑재대
G : 기판

Claims (6)

  1. 내부에 있어서 부식성의 처리 가스에 의해 기판에 처리를 실시하는 처리 챔버와,
    상기 처리 챔버에 접속되고, 상기 처리 챔버의 내부까지 연통하여 있는 가스 공급 배관과,
    상기 가스 공급 배관에 제 1 밸브를 거쳐서 접속되고, 상기 처리 가스를 상기 가스 공급 배관에 도입하는 처리 가스 배관과,
    상기 제 1 밸브의 상기 처리 챔버 측에 있어서, 상기 가스 공급 배관에 제 2 밸브를 거쳐서 접속되고, 퍼지 가스를 상기 가스 공급 배관에 도입하는 퍼지 가스 배관과,
    상기 제 1 밸브가 폐쇄되어 있는 상태로, 상기 처리 챔버의 내부로의 대기 도입과 연동하여 상기 제 2 밸브를 개방하는 연동 개방부를 갖는
    기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 챔버는 본체와 덮개에 의해 밀폐되어 구성되고,
    상기 대기 도입은 상기 덮개를 상기 본체로부터 이탈시킴으로써, 상기 처리 챔버의 내부에 대기를 도입하는
    기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 연동 개방부는 상기 덮개가 상기 본체로부터 이탈하는 것에 기반하여, 상기 제 2 밸브를 개방하는
    기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 연동 개방부는 상기 덮개의 상기 본체로부터의 이탈을 메커니컬 밸브에 의해 검출하고, 상기 메커니컬 밸브에 접속된 구동용 배관에 상기 퍼지 가스 배관으로부터 분기하여 공급되는 퍼지 가스에 의해, 상기 제 2 밸브를 개방하는
    기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 퍼지 가스는 드라이 에어인
    기판 처리 장치.
  6. 기판 처리 장치에 있어서의 가스 공급 배관의 퍼지 방법에 있어서,
    내부에 있어서 부식성의 처리 가스에 의해 기판에 처리를 실시하는 처리 챔버에 접속된 가스 공급 배관에 제 1 밸브를 거쳐서 접속되고, 상기 처리 가스를 상기 가스 공급 배관에 도입하는 처리 가스 배관의 상기 제 1 밸브를 폐쇄하는 공정과,
    상기 제 1 밸브의 상기 처리 챔버 측에 있어서, 상기 가스 공급 배관에 제 2 밸브를 거쳐서 접속되는 퍼지 가스 배관의 상기 제 2 밸브를, 상기 처리 챔버의 내부로의 대기 도입과 연동하여 개방하고, 퍼지 가스를 상기 가스 공급 배관에 도입하는 공정을 갖는
    가스 공급 배관의 퍼지 방법.
KR1020210073709A 2020-06-17 2021-06-07 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법 KR102616693B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-104219 2020-06-17
JP2020104219A JP7378357B2 (ja) 2020-06-17 2020-06-17 基板処理装置およびガス供給配管のパージ方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210156216A true KR20210156216A (ko) 2021-12-24
KR102616693B1 KR102616693B1 (ko) 2023-12-20

Family

ID=78942473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210073709A KR102616693B1 (ko) 2020-06-17 2021-06-07 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7378357B2 (ko)
KR (1) KR102616693B1 (ko)
CN (1) CN113808971B (ko)
TW (1) TW202213500A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114574837B (zh) * 2022-03-07 2023-03-21 苏州迈为科技股份有限公司 等离子体工艺设备中用于解决寄生等离子体的结构及方法
CN115789520A (zh) * 2022-11-20 2023-03-14 上海良薇机电工程有限公司 一种液态源供应装置、方法及半导体工艺系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960012664U (ko) * 1994-09-28 1996-04-17 현대전자산업주식회사 공정용 가스공급라인 자동퍼지장치
KR19990004094A (ko) * 1997-06-27 1999-01-15 윤종용 반도체장치 제조설비의 배관 퍼지장치와 그 퍼지방법 및 이들 퍼지장치와 퍼지방법을 이용한 제조설비의 클리닝 방법
KR20140144243A (ko) * 2012-03-23 2014-12-18 피코순 오와이 원자층 증착 방법 및 장치
JP2017092310A (ja) 2015-11-12 2017-05-25 東京エレクトロン株式会社 ハロゲン系ガスを用いる処理装置における処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2849255B2 (ja) * 1991-11-29 1999-01-20 東洋エンジニアリング株式会社 高性能半導体製造用の排気システムおよびその制御方法
JP2922440B2 (ja) * 1994-02-21 1999-07-26 松下電器産業株式会社 空圧機器の大気開放方法
JPH09246257A (ja) * 1996-03-08 1997-09-19 Hitachi Ltd 半導体製造装置およびガス排出方法
JP4798981B2 (ja) 2004-10-28 2011-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御方法，基板処理装置，基板処理装置の制御を行うプログラム
JP5078243B2 (ja) 2005-09-02 2012-11-21 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置および真空予備室の排気方法
JP4680030B2 (ja) 2005-10-31 2011-05-11 東京応化工業株式会社 減圧処理装置
JP4985183B2 (ja) * 2007-07-26 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体
JP5065115B2 (ja) * 2008-03-25 2012-10-31 日本エア・リキード株式会社 ガス供給システム
WO2019053836A1 (ja) 2017-09-14 2019-03-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびウェットクリーニング方法
US11118262B2 (en) * 2018-10-11 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus having a gas-mixing manifold
JP7283152B2 (ja) 2019-03-18 2023-05-30 株式会社リコー 自律移動装置、プログラムおよび自律移動装置の操舵方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960012664U (ko) * 1994-09-28 1996-04-17 현대전자산업주식회사 공정용 가스공급라인 자동퍼지장치
KR19990004094A (ko) * 1997-06-27 1999-01-15 윤종용 반도체장치 제조설비의 배관 퍼지장치와 그 퍼지방법 및 이들 퍼지장치와 퍼지방법을 이용한 제조설비의 클리닝 방법
KR20140144243A (ko) * 2012-03-23 2014-12-18 피코순 오와이 원자층 증착 방법 및 장치
JP2017092310A (ja) 2015-11-12 2017-05-25 東京エレクトロン株式会社 ハロゲン系ガスを用いる処理装置における処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113808971B (zh) 2024-01-26
JP7378357B2 (ja) 2023-11-13
CN113808971A (zh) 2021-12-17
KR102616693B1 (ko) 2023-12-20
JP2021197489A (ja) 2021-12-27
TW202213500A (zh) 2022-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6387208B2 (en) Inductive coupling plasma processing apparatus
TW406291B (en) Plasma processing apparatus
KR102616693B1 (ko) 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법
US11742188B2 (en) Substrate processing method, pressure control apparatus and substrate processing system
WO2005050723A1 (ja) プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法
KR20110128150A (ko) 플라즈마 처리 장치, 기판 유지 기구, 기판 위치 어긋남 검출 방법
US10553409B2 (en) Method of cleaning plasma processing apparatus
KR102538188B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 세정 방법
US10867778B2 (en) Cleaning method and processing apparatus
TW201729649A (zh) 電漿處理方法
KR20190106785A (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
TWI831956B (zh) 清潔處理方法及電漿處理裝置
KR20140067905A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
EP1078389A1 (en) Reduction of metal oxide in dual frequency plasma etch chamber
JP2004095663A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2000106358A (ja) 半導体製造装置および半導体基板の処理方法
KR20210020808A (ko) 기판 처리 방법, 압력 제어 장치 및 기판 처리 시스템
TW201937597A (zh) 清洗方法及電漿處理裝置
TWI759470B (zh) 閘閥裝置及基板處理系統
US20070221332A1 (en) Plasma processing apparatus
CN113113281A (zh) 边缘环和基板处理装置
KR100627785B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 처리 장치
TWI837594B (zh) 電漿處理裝置
CN211016999U (zh) 一种等离子处理系统
JP2009182300A (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant