KR20210155693A - 플랫 탑을 갖는 나노로드 반도체층과 이를 이용한 마이크로 led와 이를 포함하는 화소 플레이트와 이를 포함하는 디스플레이 장치와 전자장치들 - Google Patents

플랫 탑을 갖는 나노로드 반도체층과 이를 이용한 마이크로 led와 이를 포함하는 화소 플레이트와 이를 포함하는 디스플레이 장치와 전자장치들 Download PDF

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최준희
박진주
한주헌
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Abstract

플랫 탑을 갖는 나노로드 반도체층과 이를 이용한 마이크로 LED와 이를 포함하는 화소 플레이트와 이를 포함하는 디스플레이 장치와 전자장치들에 관해 개시되어 있다. 개시된 나노로드 반도체층은 몸체(body)와 상기 몸체로부터 형성된 상단부를 포함하고, 상기 상단부는 제1 경사면과, 상기 제1 경사면과 마주하는 제2 경사면과, 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면 사이의 평평한 수평면을 포함하고, 위로 갈수록 폭이 좁아지며, 상기 상단부의 돌출된 길이(상기 상단부의 두께)를 L1, 상기 제1 및 제2 경사면 중 선택된 하나의 면으로부터 상기 선택된 하나의 면과 평행하게 연장된 면과 상기 상부면 사이의 각을 β, 상기 몸체의 폭을 D라 할 때, 상기 상부면의 폭(D1)은 다음 수학식을 만족한다.
<수학식>
D1 = D-(2×L1×tanβ)

Description

플랫 탑을 갖는 나노로드 반도체층과 이를 이용한 마이크로 LED와 이를 포함하는 화소 플레이트와 이를 포함하는 디스플레이 장치와 전자장치들{Nanorod structure having flat top, mirco-LED using the same, pixel plate including micro-LED and display and electronic devices including pixel plate}
본 개시는 나노 사이즈를 갖는 구조물과 관련된 것으로써, 보다 자세하게는 플랫 탑을 갖는 나노로드 구조물과 이를 이용한 마이크로 LED와 이를 포함하는 화소 플레이트와 이를 포함하는 디스플레이 장치와 전자장치들에 관한 것이다.
반도체 소자에는 다양한 반도체 물질이 사용된다. 반도체 소자에 사용되는 반도체 물질의 품질은 반도체 소자의 동작특성과 효율에 영향을 줄 수 있다. 예컨대, 발광소자의 발광효율은 사용되는 반도체층의 품질(두께, 조성 균일성 등)과 밀접한 관련이 있을 수 있다. 따라서 반도체 소자에 사용되는 반도체 물질의 품질을 높이기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
예시적인 일 실시예는 고품질 반도체층을 얻을 수 있는 플랫 탑을 갖는 나노로드 반도체층을 제공한다.
예시적인 일 실시예는 이러한 나노로드 반도체층을 이용하여 활성층(광 방출층)의 두께 및 조성 균일성을 높일 수 있는 마이크로 LED를 제공한다.
예시적인 일 실시예는 이러한 마이크로 LED를 발광소자로 포함하는 화소 플레이트를 제공한다.
예시적인 일 실시예는 이러한 화소 플레이트를 포함하는 디스플레이 장치와 전자장치들을 제공한다.
예시적인 일 실시예에 의한 플랫 탑을 갖는 나노로드 반도체층은 몸체(body)와 상기 몸체로부터 형성된 상단부를 포함하고, 상기 상단부는 제1 경사면과, 상기 제1 경사면과 마주하는 제2 경사면과, 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면 사이의 평평한 수평면을 포함하고, 위로 갈수록 폭이 좁아지며, 상기 상단부의 돌출된 길이(상기 상단부의 두께)를 L1, 상기 제1 및 제2 경사면 중 선택된 하나의 면으로부터 상기 선택된 하나의 면과 평행하게 연장된 면과 상기 상부면 사이의 각을 β, 상기 몸체의 폭을 D라 할 때, 상기 상부면의 폭(D1)은 다음 수학식을 만족한다.
<수학식>
D1 = D-(2×L1×tanβ)
일 예에서, 상기 몸체의 높이를 H라 할 때, 상기 몸체의 종횡비(H/D)는 0.05<H/D<20을 만족할 수 있다. 일 예로, 상기 H는 0.5㎛<H<20㎛를 만족하고, 상기 D는 0.05㎛<D<2㎛를 만족할 수 있다.
상기 제1 및 제2 면의 기하학적 형태는 동일할 수 있다.
예시적인 일 실시예에 의한 나노로드 반도체층을 이용한 마이크로 LED는 나노로드 형태의 제1 형의 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층과 마주하고, 상기 제1 형과 다른 제2 형의 제2 반도체층과, 상기 제1 및 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함한다. 상기 제1 반도체층은 몸체(body)와 상기 몸체로부터 형성된 상단부를 포함하고, 상기 상단부는 제1 경사면과, 상기 제1 경사면과 마주하는 제2 경사면과, 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면 사이의 평평한 수평면을 포함하고, 위로 갈수록 폭이 좁아진다. 상기 상단부의 돌출된 길이(상기 상단부의 두께)를 L1, 상기 제1 및 제2 경사면 중 선택된 하나의 면으로부터 상기 선택된 하나의 면과 평행하게 연장된 면과 상기 상부면 사이의 각을 β, 상기 몸체의 폭을 D라 할 때, 상기 상부면의 폭(D1)은 다음 수학식을 만족한다.
<수학식>
D1 = D-(2×L1×tanβ)
일 예에서, 상기 활성층은 제1 화합물 반도체층을 포함할 수 있다. 다른 예에서, 상기 활성층은 상기 제1 화합물 반도체층 상에 제2 화합물 반도체층을 더 포함할 수 있다. 다른 예에서, 상기 제1 및 제2 화합물 반도체층의 조성은 동일하고, 조성비는 서로 다를 수 있다. 상기 몸체의 높이를 H라 할 때, 상기 몸체의 종횡비(H/D)는 0.05<H/D<20을 만족할 수 있고, 상기 H는 0.5㎛<H<20㎛를 만족할 수 있으며, 상기 D는 0.05㎛<D<2㎛를 만족할 수 있다. 상기 제1 및 제2 경사면의 기하학적 형태는 동일할 수 있다. 상기 몸체의 밑면과 상기 제2 반도체층의 상부면 사이는 절연막으로 둘러싸일 수 있다.
예시적인 일 실시예에 의한 마이크로 LED 화소를 포함하는 화소 플레이트는 복수의 화소영역을 포함하고, 상기 복수의 화소영역 각각은 제1 광을 방출하도록 배치된 제1 마이크로 LED를 포함하는 제1 부화소와, 제2 광을 방출하도록 배치된 제2 마이크로 LED를 포함하는 제2 부화소와, 제3 광을 방출하도록 배치된 제3 마이크로 LED를 포함하는 제3 부화소를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 마이크로 LED는 활성층의 물질이 서로 다른 것을 제외하고, 각 마이크로 LED의 구성과 형태는 상기 예시적인 일 실시예에 의한 마이크로 LED와 동일하다.
일 예에서, 상기 각 부화소는 서로 평행하고 이격된 두 전극을 포함하고, 상기 두 전극은 마이크로 LED로 연결될 수 있다. 일 예에서, 상기 제1 내지 제3 부화소 중 하나에 포함된 마이크로 LED의 수는 나머지 부화소에 포함된 마이크로 LED의 수와 다를 수 있다. 상기 제1 내지 제3 부화소 사이에 격벽이 마련될 수 있다.
예시적인 일 실시예에 의한 화소 플레이트를 포함하는 디스플레이 장치는 백플레인(backplane)과, 상기 백플레인과 마주하는 전방패널과, 상기 백플레인과 상기 전방패널 사이에 배치된 화소 플레이트를 포함하고, 상기 화소 플레이트는 상기 예시적인 일 실시예에 의한 화소 플레이트를 포함한다.
예시적인 일 실시예에 의한 화소 플레이트를 포함하는 전자장치는 전방패널과, 상기 전방패널과 마주하는 후방패널과, 상기 전방패널과 상기 후방패널 사이에 배치된 화소 플레이트과, 상기 후방패널에 접촉되는 배터리를 포함하고, 상기 화소 플레이트는 상기 예시적인 일 실시예에 의한 화소 플레이트를 포함한다. 일 예에서, 상기 후방패널은 통신모듈을 포함하고, 상기 후방패널에 카메라 모듈이 연결될 수 있다. 다른 예에서, 상기 전자장치는 몸체와 상기 몸체의 양쪽에 연결된 줄을 더 포함하고, 상기 몸체는 상기 전방패널, 상기 후방패널, 상기 화소 플레이트 및 상기 배터리를 포함하는 표시영역을 포함하고, 상기 표시영역 둘레에 카메라, 마이크 및 스피커를 구비할 수 있다.
일 실시예에 의한 나노로드 구조물은 실질적으로 평평한 상부면을 가질 수 있다. 따라서 일 실시예에 의한 나노로드 구조물 상에서 성장된 반도체층의 경우, 균일한 두께와 균일한 조성을 가질 수 있다. 예컨대, 상기 반도체층이 InGaN층인 경우, 두께가 균일하면서 인듐(In)의 조성도 균일한 InGaN층을 얻을 수 있다. 상기 반도체층이 순차적으로 성장된 격자상수가 서로 다른 화합물 반도체층을 포함하는 경우에도 결함이 없거나 결함을 줄인 반도체층을 얻을 수 있다.
또한, 일 실시예에 의한 나노로드 구조물은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 주어진 형태에 따라 회절격자나 포토닉 결정 등에도 적용될 수 있다.
일 실시예에 의한 마이크로 LED는 이러한 나노로드 구조물을 기반으로 형성된 것인 바, 활성층(광 방출층)의 두께 및 조성의 균일성을 높일 수 있다. 이에 따라 일 실시예에 의한 마이크로 LED의 경우, 광 방출효율을 높이면서 균일한 세기의 광 방출이 가능하다. 그러므로 개시된 마이크로 LED로 이루어진 화소를 포함하는 전자장치의 경우, 상대적으로 낮은 전력으로 이미지를 보다 밝고 선명하게 표현할 수 있다.
도 1은 예시적인 일 실시예에 의한 나노로드 반도체층을 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에서 나노로드 반도체층의 상단부 상에 반도체층이 더 구비된 경우를 나타낸 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 의한 나노로드 반도체층 둘레의 마스크에 대한 것으로, 복수의 원형 관통홀을 포함하는 마스크에 대한 평면도이다.
도 4는 일 실시예에 의한 나노로드 반도체층 둘레의 마스크에 대한 것으로, 복수의 라인형태 관통홀을 포함하는 마스크에 대한 평면도이다.
도 5는 일 실시예에 의한 나노로드 구조물을 이용한 마이크로 LED를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시한 마이크로 LED를 나타내는 등가 마이크로 LED를 나타낸 단면도이다.
도 7은 일 실시예 의한 마이크로 LED를 포함하는 단위화소를 나타낸 평면도이다.
도 8은 도 7을 8-8' 방향으로 절개한 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 의한 복수의 화소를 포함하는 화소 플레이트를 나타낸 사시도이다.
도 10은 일 실시예에 의한 화소 플레이트를 포함하는 표시장치를 나타낸 사시도이다.
도 11은 일 실시예에 의한 화소 플레이트를 포함하는, 표시영역을 갖는 전자장치를 나타낸 단면도이다.
도 12는 도 11의 전자장치가 모바일폰일 때의 사시도이다.
도 13은 도 11의 전자장치가 테블릿 PC일 때의 사시도이다.
도 14는 일 실시예에 의한 화소 플레이트를 포함하는 전자장치의 하나로 스마트 워치를 나타낸 평면도이다.
도 15는 도 14를 15-15' 방향으로 절개한 단면도이다.
이하, 일 실시예에 의한 플랫 탑을 갖는 나노로드 반도체층과 이를 이용한 마이크로 LED와 이를 포함하는 화소 플레이트(pixel plate)와 이를 포함하는 디스플레이장치와 전자장치를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 다소 과장되게 도시될 수 있다. 그리고 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 또한, 이하에서 설명하는 층 구조에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 표현은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다. 상기 전자소자는 반도체 소자를 포함한다. 아래 설명에서 각 도면의 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다.
먼저, 플랫 탑을 갖는 나노로드 반도체층에 대해 설명한다.
도 1은 예시적인 일 실시예에 의한 나노로드 반도체층을 보여준다.
도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 III-V족 물질층(12)이 마련되어 있다. 기판(10)은 실리콘 기판 또는 사파이어 기판일 수 있으나, 이것으로 한정되지는 않을 수 있다. III-V족 물질층(12)은 기판(10)의 상부면 전체를 덮을 수 있다. III-V족 물질층(12)는 도핑된 물질층이거나 무도핑(updoped) 물질층일 수 있다. 일 예에서, III-V족 물질층(12)은 도핑된 GaN층 혹은 무도핑 GaN층일 수 있다. 상기 도핑된 GaN층의 경우, N형 불순물(dopant)이 도핑된 GaN층일 수 있다. III-V족 물질층(12)은 기판(10)의 상부면에 수직하고, 기판(10)의 상부면에서 멀어지는 방향으로 형성된 나노로드 반도체층(12A+12D)을 포함한다. 나노로드 반도체층(12A+12D)은 나노로드 몸체(12A)와 몸체(12A)의 상단에 연결된 상단부(12D)를 포함한다. 상단부(12D)는 위로 갈수록 폭이 좁아진다. 설명의 편의를 위해, 나노로드 반도체층(12A+12D)을 몸체(12A)와 상단부(12D)로 구분하지만, 몸체(12A)와 상단부(12D)는 물리적 경계를 갖지 않는 동일물질 동일조성의 단일체일 수 있다. 몸체(12A)는 주어진 간격으로 이격되어 있다. 몸체(12A)는 주어진 높이(H)와 주어진 직경(D)을 가질 수 있다. 몸체(12A)의 종횡비(aspect ratio), 곧 높이(H)와 직경(D)의 비(H/D)는 0.05< H/D <20 정도일 수 있다. 몸체(12A)는 이러한 종횡비를 만족하는 직경(D)을 가질 수 있는데, 일 예로 몸체(12A)의 직경(D)은 0.05㎛<D<2㎛ 정도일 수 있다. 또한, 몸체(12A)는 상기 종횡비를 만족하는 높이(H)를 가질 수 있는데, 일 예로 몸체(12A)의 높이(H)는 0.5㎛<H<20㎛ 정도일 수 있다.
상단부(12D)는 몸체(12A)로부터 성장된 부분 혹은 돌출된 부분으로 볼 수 있다. 상단부(12D)는 상부면(12S)과 상부면(12S) 양쪽에 경사진 측면, 곧 경사면(S11, S12)을 포함한다. 경사면(S11, S12)은 상부면(12S)을 중심으로 좌우 대칭을 이룰 수 있다. 일 예에서, 평면으로 본 상단부(12D)의 기하학적 형태는 육각형일 수 있다. 제1 경사면(S11)은 주어진 경사각(β)을 가질 수 있다. 경사각(β)은 제1 경사면(S11)으로부터 제1 경사면(S11)에 평행하게 확장된 가상면(ES1)과 상부면(12S) 사이의 각이다. 경사각(β)은, 예를 들면 52±5°정도일 수 있다. 상단부(12D)는 위로 갈수록 폭이 좁아지는 형태이므로, 상부면(12S)의 폭(D1)은 몸체(12A)의 폭(D)에 비해 좁을 수 있다. 상부면(12S)의 폭(D1)은 다음 수학식을 만족할 수 있다.
<수학식 1>
D1 = D-(2xL1xtanβ)
도 2는 도 1의 나노로드 반도체층(12A+12D) 상에 다른 반도체층(130)이 마련된 경우를 보여준다. 반도체층(130)은 화합물 반도체층일 수 있다. 반도체층(130)은 상단부(12D)의 상부면(12S)과 제1 및 제2 경사면(S11, S12)을 덮는다. 상단부(12D)의 상부면은 평평하고, 이러한 상부면 상에 반도체층(130)이 존재하는 바, 상단부(12D) 상에 성장된 반도체층(130)의 두께와 조성은 균일할 수 있다. 반도체층(130)은 발광층으로 사용될 수 있다. 일 예에서, 반도체층(130)은 InGaN층일 수 있으나, 이것으로 제한되지 않는다. 반도체층(130)이 InGaN층일 때, 나노로드 반도체층(12A+12D)의 평평한 상부면(12S) 상에 반도체층(130)이 성장되는 바, 반도체층(130)의 인듐(In) 분포 균일성은 반도체층(130)이 평평하지 않은 면 상에 성장될 때보다 높아질 수 있다. 따라서 반도체층(130)이 발광층으로 사용될 경우, 일 실시예에 의한 나노로드 반도체층(12A+12D)과 반도체층(130)을 포함하는 결과물은 고효율의 발광 나노로드에 사용될 수 있다. 반도체층(130)의 상부면은 역시 평평할 수 있다.
다른 예에서, 반도체층(130)은 순차적으로 적층된 복수의 화합물 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 복수의 화합물 반도체층은 서로 물성이 다를 수 있다. 일 예에서, 반도체층(130)은 격자상수가 서로 다른 제1 및 제2 화합물 반도체층을 순차적으로 성장시켜 형성한 것일 수 있다. 상기 제1 및 제2 화합물 반도체층의 격자상수가 서로 다름에 따라 반도체층(130)에 스트레인(strain)이 나타나고, 이에 따라 반도체층(130) 내에 결함이 생성될 수 있으나, 반도체층(130)이 나노로드 반도체층(12A+12D)의 평평한 상부면(12S) 상에서 성장됨에 따라 상기 결함 생성을 방지하거나 줄일 수 있다. 상기 제1 및 제2 화합물 반도체층은 조성은 동일하고, 조성비가 서로 다를 수 있다. 일 예에서, 상기 제1 화합물 반도체층은 InxGayN(1-y-x)층(x<0.18, y>0.82)일 수 있고, 상기 제2 화합물 반도체층은 InxGayN(1-y-x)층 (x>0.25, y<0.75)일 수 있다.
도 3은 앞에서 설명한 나노로드 반도체층(12A+12D)이 형성될 영역을 한정하는 마스크(14)의 일 예를 보여준다.
도 3을 참조하면, 마스크(14)는 복수의 관통홀(14h)을 포함한다. 복수의 관통홀(14h)은 서로 떨어져 있고, 어레이를 이룰 수 있다. 관통홀(14h)은 평면도 상에서 원형일 수 있으나, 다른 형태일 수도 있는데, 예를 들면, 타원형이나 다각형일 수 있다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 관통홀(14h)은 길쭉한 직사각형 혹은 라인형태의 홀일 수도 있다. 마스크(14)의 형태에 따라, 곧, 마스크(14)에 형성된 관통홀(14h)의 형태에 따라 다양한 나노로드 반도체층이 만들어질 수 있으므로, 마스크(14)에 형성된 관통홀(14h)을 특정 형태로 형성함으로써, 마스크(14)를 사용하여 형성되는 나노로드 반도체층은 회절격자나 포토닉 결정(photonic crystal) 등에 적용될 수도 있다.
도 5는 일 실시예에 의한 나노로드 구조물을 이용한 발광소자의 일 예로 마이크로 LED를 보여준다.
도 5을 참조하면, 마이크로 LED(160)는 기둥형태의 제1 형의 제1 반도체층(162)과 활성층(164)과 제2 형의 제2 반도체층(166)을 포함한다. 상기 제1 형은, 예를 들면 n형일 수 있다. 상기 제2 형은, 예를 들면 p형 일 수 있다. 다른 예에서, 상기 제1 및 제2 형은 반대가 될 수도 있다. 제1 반도체층(162), 활성층(164) 및 제2 반도체층(166)은 순차적으로 적층되어 있다. 일 예에서 제1 반도체층(162)은 III-V족 화합물 반도체층일 수 있는데, 예를 들면, n-GaN층일 수 있으나, 이것으로 제한되지 않는다. 제2 반도체층(162)은 III-V족 화합물 반도체층일 수 있는데, 예를 들면, p-GaN층일 수 있으나, 이것으로 제한되지 않는다.
기둥형태의 제1 반도체층(162), 활성층(164) 및 제2 반도체층(166) 사이에 마이크로 LED(160)의 동작을 보다 안정되게 하거나 안정된 광 방출에 도움을 줄 수 있거나 광 방출효율을 높일 수 있는 다른 부재가 더 배치될 수도 있다. 기둥형태의 제1 반도체층(162)은 n형 반도체층, 예컨대 마이크로 LED의 n형 화합물 반도체층으로 사용될 수 있는 물질들 중에서 선택된 일 예에 불과하다. 기둥형태의 제1 반도체층(162)은 일 실시예에 의한 나노로드 반도체층일 수 있는데, 예를 들면 도 1의 나노로드 몸체(12A)와 돌출된 부분(12D)을 포함하는 나노로드 반도체층일 수 있다. 활성층(164)은 홀과 전자의 재결합으로 인한 광이 방출되는 층, 곧 발광층일 수 있다. 활성층(164)은 다중양자우물 구조를 갖는 반도체층일 수 있다. 활성층(164)의 재료에 따라 활성층(164)으로부터 다양한 파장의 광이 방출될 수 있다. 예컨대, 활성층(164)의 재료에 따라 활성층(164)은 적색광(Red light, R), 녹색광(Green light, G) 또는 청색광(Blue light, B)을 방출하는 발광층이 될 수 있다. 일 예에서, 활성층(164)은 InGaN층일 수 있으며, 이 물질로 한정되지 않는다. 활성층(164)은 단일층 혹은 복층일 수 있다. 일 예에서, 활성층(164)은 단일층의 화합물 반도체층(InGaN)일 수도 있다. 다른 예에서 활성층(164)은 복층의 화합물 반도체층일 수 있다. 예컨대, 활성층(164)이 제1 및 제2 화합물 반도체층(InGaN)인 경우, 각 층의 조성은 동일하고, 조성비는 서로 다를 수 있다. 활성층(164)은 제1 반도체층(162)의 평평한 상부면(16S3)과 상부면(16S3) 양쪽의 제1 및 제2 경사면(16S1, 16S2)을 덮는다. 활성층(164)은 제1 반도체층(162)의 상부면(16S3) 및 양쪽 경사면(16S1, 16S2)과 직접 접촉될 수 있다. 기둥형태의 제1 반도체층(162)의 상부면(16S3)이 평평하므로, 상부면(16S3) 상에서 활성층(164)의 조성과 두께는 균일할 수 있다. 활성층(164)의 제1 반도체층(162)의 제1 및 제2 경사면(16S1, 16S2) 상에 형성된 부분은 측정 오차 범위 내에서 제1 및 제2 경사면(16S1, 16S2)과 동일한 경사각을 갖는 경사면일 수 있다. 기둥형태의 제1 반도체층(162)의 제1 및 제2 경사면(16S1, 16S2) 상에서 활성층(164)은 균일한 조성과 두께를 가질 수 있다. 여기서 두께는 제1 및 제2 경사면(16S1,16S2)에 수직한 방향으로 측정된 두께일 수 있다. 기둥형태의 제1 반도체층(162)의 상부면(16S3) 및 제1 및 제2 경사면(16S1, 16S2) 상에 형성된 활성층(164)의 조성과 두께는 균일하므로, 활성층(164)의 상부면에 수직한 방향으로 양질의 광(L33)이 균일하게 방출될 수 있고, 활성층(164)의 양쪽 측방향으로도 양질의 광(L11, L22)이 균일하게 방출될 수 있다. 활성층(164)의 상부면 및 양쪽 측면은 제2 반도체층(166)으로 덮여 있다. 일 예에서, 제2 반도체층(166)은 활성층(164)의 상부면 전체와 측면 전체를 덮고, 상부면 및 측면과 직접 접촉될 수 있다. 활성층(164)의상부면 상에 제2 반도체층(166)의 두께는 균일할 수 있다. 활성층(164)의 양쪽 경사면 상에서도 제2 반도체층(166)의 두께는 균일할 수 있다. 활성층(164)의 양쪽 경사면 상에서 제2 반도체층(166)은 활성층(164)의 양쪽 경사면과 평행하거나 측정 오차 범위내에서 동일한 각으로 경사진 경사면을 가질 수 있다. 제2 반도체층(166)의 상부면(166S3)은 활성층(164)의 상부면과 평행하거나 실질적으로 평행할 수 있다. 실질적으로 평행하다는 것은 측정 오차 범위내에서 두 상부면이 서로 평행하다는 의미한다. 또한, 제2 반도체층(166)의 상부면(166S3)과 활성층(164)의 상부면이 주어진 각 내에서 서로 경사져 있지만, 두 상부면이 평행할 때와 마찬가지로 광 방출효율에 아무 영향을 주지 않을 때, 주어진 각 내에서 서로 경사진 두 상부면은 실질적으로 평행한 것으로 간주한다. 제2 반도체층(166)은 p형 반도체층으로 사용될 수 있는 물질층들, 예컨대 LED의 p형 화합물 반도체층으로 사용될 수 있는 물질층들 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
도 5에서 볼 수 있듯이, 일 실시예에 의한 마이크로 LED(160)는 기둥형태의 제1 반도체층(162)의 상단부의 상부면(16S3)과 측면(16S1, 16S2)을 활성층(164)과 제2 반도체층(166)이 순차적으로 덮는 구조이므로, 마이크로 LED(160)는 기둥의 상단에 캡이 씌워진 형태와 유사하다. 제1 반도체층(162)의 기둥부분은 마이크로 LED(160)의 기둥역할을 할 수 있다. 특별히 구분할 필요가 있을 때를 제외하고, 제2 반도체층(166)의 상부면(166S3)과 그 양쪽의 경사진 측면은 편의 상, 마이크로 LED(160)의 상부면과 측면으로 간주한다. 또한, 제1 반도체층(162)의 밑면(16S4)도 특별히 구분할 필요가 있을 때를 제외하고, 편의 상, 마이크로 LED(160)의 밑면으로 간주한다.
마이크로 LED(160)의 상부면(166S3)과 밑면(16S4) 사이의 마이크로 LED(160)의 표면 전체는 절연막(168)으로 덮일 수 있다. 절연막(168)은 마이크로 LED(160)의 상부면(166S3)과 밑면(16S4) 사이의 마이크로 LED(160)의 표면 전체에 밀착될 수 있다. 마이크로 LED(160)의 상부면(166S3)과 밑면(16S4)은 노출된다. 다른 예에서, 마이크로 LED(160)의 상부면(166S3) 양쪽 측면의 적어도 일부도 노출될 수 있다.도 6은 도 5에 도시한 마이크로 LED(160)를 나타내는 등가 마이크로 LED(170)를 보여준다. 이하 도면에서는 도시의 편의상, 도 6의 마이크로 LED(170)를 사용한다.
도 6을 참조하면, 등가 마이크로 LED(170)는 기둥(174)과 헤드(172)를 포함한다. 헤드(172)는 기둥(174)의 상단에서 기둥(174)과 하나로 연결되어 있다. 헤드(172)는 도 5의 마이크로 LED(160)의 순차적으로 적층된 제1 반도체층(162), 활성층(164) 및 제2 반도체층(166)을 나타낸다. 기둥(174)은 제1 반도체층(162)의 기둥부분을 나타낸다. 기둥(174)의 길이(LL1)는 기둥(174)의 길이 방향으로 측정된 헤드(172)의 두께(T1)보다 길고, 헤드(172)의 폭(W1)보다 크다. 참조번호 17S3은 마이크로 LED(160)의 노출된 상부면(166S3)을 나타내고, 17S4는 마이크로 LED(160)의 노출된 밑면(16S4)을 나타낸다.
도 7은 일 실시예 의한 마이크로 LED를 포함하는 디스플레이 장치를 보여주는 평면도이다. 도 7의 디스플레이 장치는 1개의 화소 수준에서 보인 것이다.
도 7을 참조하면, 디스플레이 장치(180)는 텔레비전(TV)이나 이미지를 표시할 수 있는 휴대용 전자장치들일 수 있다.
도 7을 참조하면, 디스플레이 장치(180)는 제1 내지 제3 부화소(180R, 180G, 180B)를 포함한다. 제1 내지 제3 부화소(180R, 180G, 180B)는 서로 평행하게 정렬되어 있다. 일 예에서, 제1 부화소(180R)는 적색광(R)을 방출하는 부화소일 수 있고, 제2 부화소(180G)는 녹색광(G)을 방출하는 부화소일 수 있으며, 제3 부화소(180B)는 청색광(B)을 방출하는 부화소일 수 있다. 제1 부화소(180R)는 서로 이격되어 있고, 서로 평행한 제1 전극(186R)과 제1 공통전극(184R)을 포함한다. 제2 부화소(180G)는 서로 이격되고, 서로 평행한 제2 전극(186G)과 제2 공통전극(184G)을 포함한다. 제3 부화소(180B)는 서로 이격되고, 서로 평행한 제3 전극(186B)과 제3 공통전극(184B)을 포함한다. 제1 내지 제3 공통전극(184R, 184G, 184B)은 인접한 다른 화소로 확장될 수 있다. 제1 부화소(180R)의 제1 전극(186R)과 제1 공통전극(184R) 사이에 제1 마이크로 LED(170R)가 배치되어 있다. 제1 전극(186R)과 제1 공통전극(184R) 사이에 3개의 제1 마이크로 LED(170R)가 배치되어 있으나, 제1 전극(186R)과 제1 공통전극(184R) 사이에 배치되는 제1 마이크로 LED(170R)의 수는 1개 이상일 수 있다. 제1 마이크로 LED(170R)의 구성과 형태는 도 6의 마이크로 LED(170)와 동일할 수 있다. 일 예에서, 제1 마이크로 LED(170R)는 적색광을 방출하는 마이크로 LED일 수 있다. 제1 마이크로 LED(170R)의 헤드(170R-H)는 제1 공통전극(184R)에 연결되고, 기둥(170R-P)은 제1 전극(186R)에 연결된다. 제1 마이크로 LED(170R)와 제1 전극(186R) 및 제1 공통전극(184R)의 연결은 금속화(metallization)을 통해 이루어질 수 있다. 금속화 과정에서 헤드(170R-H)의 노출된 부분(상부면)과 제1 공통전극(184R)의 대응하는 부분은 전도성 물질(예, 금속)로 덮여 서로 연결될 수 있고, 기둥(170R-P)의 노출된 부분(밑면)과 제1 전극(186R)의 대응하는 부분도 전도성 물질로 덮여 서로 연결될 수 있다.
제2 부화소(180G)의 제1 전극(186G)과 제1 공통전극(184G) 사이에 제2 마이크로 LED(170G)가 배치되어 있다. 제2 마이크로 LED(170G)의 구성과 형태는 도 6의 마이크로 LED(170)와 동일할 수 있다. 일 예에서, 제2 마이크로 LED(170G)는 녹색광을 방출하는 것을 제외하고, 층구성이나 형태는 제1 마이크로 LED(170R)와 동일할 수 있다. 제1 전극(186G)과 제1 공통전극(184G) 사이에 2개의 제2 마이크로 LED(170G)가 정렬되어 있으나, 제2 마이크로 LED(170G)의 수는 2개로 한정되지 않으며, 1개 이상의 제2 마이크로 LED(170G)가 정렬될 수 있다. 제2 마이크로 LED(170G)와 제2 전극(186G) 및 제2 공통전극(184G)의 연결관계는 제1 마이크로 LED(170R)와 제1 전극(186R) 및 제1 공통전극(184R)의 연결관계와 동일할 수 있다.
제3 부화소(180B)에서 제3 전극(186B)과 제3 공통전극(184B) 사이에 제3 마이크로 LED(170B)가 배치되어 있다. 제3 마이크로 LED(170B)는 2개 배치되어 있으나, 제3 마이크로 LED(170B)의 배치수는 2개로 제한되지 않으며, 1개 이상(예컨대, 3개, 4개 또는 5개 이상)이 배치될 수 있다. 제3 마이크로 LED(170B)의 구성과 형태는 도 6의 마이크로 LED(170)와 동일할 수 있다. 일 예에서, 제3 마이크로 LED(170B)는 청색광을 방출하는 것을 제외하고, 층구성이나 형태에서 제1 및 제2 마이크로 LED(170R, 170G)와 동일할 수 있다. 제3 마이크로 LED(170B)와 제3 전극(186B) 및 제3 공통전극(184B)의 연결관계는 제1 마이크로 LED(170R)와 제1 전극(186R) 및 제1 공통전극(184R)의 연결관계와 동일할 수 있다.
제1 내지 제3 공통전극(184R, 184G, 184B)은 마이크로 LED(170R, 170G, 170B)에서 방출된 광을 위로 반사시키도록 반사재질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3 공통전극(184R, 184G, 184B)은 Ag, Au, Al, Cr 또는 Ni, 또는 이들의 합금 등을 포함할 수 있다.
한편, 제1 내지 제3 공통전극(184R, 184G, 184B)은 그라운드 라인(ground line)일 수 있다. 그리고 제1 내지 제3 부화소(180R, 180G, 180B) 사이에 광 간섭방지를 위한 격벽(도 8의 194)이 있을 수 있다.
도 8은 도 7을 8-8' 방향으로 절개한 단면을 보여준다.
도 8을 참조하면, 기판(190) 상에 복수의 구동소자들(192)이 존재한다. 일 예에서, 기판(190)은 유리기판, 사파이어 기판 또는 실리콘 기판에 산화막이 입혀진 기판일 수 있다. 복수의 구동소자들(192)은 제1 내지 제3 부화소(180R, 180G, 180B)와 일대 일로 대응되도록 배치될 수 있다. 각 부화소(180R, 180G, 180B)와 기판(190) 사이에 1개의 구동소자(192)가 마련되어 있다. 구동소자(192)는 제1 내지 제3 마이크로 LED(170R, 170G, 170B)를 구동시키는 소자일 수 있다. 일 예에서, 구동소자(192)는 박막 트랜지스터일 수 있다. 제1 부화소(180R) 아래의 박막 트랜지스터(192)의 드레인은 제1 전극(186R)과 연결된다. 제2 부화소(180G) 아래의 박막 트랜지스터(192)의 드레인은 제2 전극(186G)과 연결된다. 제3 부화소(180B) 아래의 박막 트랜지스터(192)의 드레인은 제3 전극(186B)에 연결된다. 복수의 구동소자들(192)은 기판(190)의 화소영역 둘레의 일측 혹은 두 측에 어레이 형태로 구비될 수도 있다. 기판(190) 상에는 이러한 구동소자(192)외에도 마이크로 LED 디스플레이의 동작 및 제어를 위한 소자들이 존재할 수 있다. 기판(190)과 구동소자(192)와 층간 절연층(188)을 통칭해서 백플레인(backplane)(19L)이라 할 수 있고, 기판(190)과 구동소자(192)만 통칭해서 백플레인이라 할 수도 있다. 백플레인(19L)은 구동소자(192)에도 기판(190) 상에 구비되는 모든 소자들과 회로까지 포함할 수 있다. 구동소자(192)는 층간 절연층(188)으로 덮여있다. 층간 절연층(188)의 표면은 평평하고, 그 위에 제1 내지 제3 부화소(180R, 180G, 180B)가 마련되어 있다. 층간 절연층(188) 상에 형성된 제1 내지 제3 부화소(170R, 170G, 170B)를 분리하여 편의상 화소 플레이트(196)라 한다. 화소 플레이트(196)는 화소층으로 표현될 수도 있다.
이에 따라 도 8에 도시한 디스플레이 장치(180)는 순차적으로 적층된 백플레인(19L)과 화소 플레이트(196)를 포함하게 된다. 디스플레이 장치(180)는 화소 플레이트(196) 투명한 전방패널(198)을 더 포함할 수 있다. 전방패널(198)은 바깥면에 부착된 반사방지막을 포함할 수 있다.
도 9는 일 실시예에 의한 디스플레이 장치에 포함된 화소 플레이트(200)의 전체 모습을 보여준다.
도 9을 참조하면, 화소 플레이트(200)는 복수의 단위 화소 플레이트(P1)를 포함한다. 복수의 단위 화소 플레이트(P1)는 가로세로 방향으로 정렬되어 있다. 각 단위 화소 플레이트(P1)는 1개의 화소영역에 대응될 수 있다. 각 단위 화소 플레이트(P1)는 도 8에서 설명한 화소 플레이트(196)일 수 있다. 화소 플레이트(190)는 유연성을 가질 수 있다. 따라서 화소 플레이트(190)는 휘어지거나 접힐 수도 있다.
도 10은 도 9의 화소 플레이트(200)을 포함하는 디스플레이 장치(210)를 보여준다.
도 10을 참조하면, 디스플레이 장치(210)는 백플레인(202), 화소 플레이트(200) 및 투명한 전방패널(208)을 포함한다. 백플레인(202)은 디스플레이 장치(210)의 구동을 위한 소자들이 장착된 회로부를 포함할 수 있다. 상기 회로부는 화소 플레이트(200)의 구동을 위한 반도체 소자, 예컨대 TFT나 커패시터 등을 포함할 수 있다. 전방패널(208)은 광에 투명한 플레이트를 포함할 수 있고, 그 표면에 반사방지막이 구비될 수도 있다. 디스플레이 장치(210)는 LED 디스플레이 장치일 수 있다. 다른 예에서, 디스플레이 장치(210)는 이미지 표시영역을 갖는 전자장치의 표시영역을 구성하는 것이거나 상기 표시영역에 포함될 수도 있다. 참조번호 21L은 전방패널(208)을 통해 방출되는 광(이미지)를 나타낸다.
도 11은 일 실시예에 의한 화소 플레이트를 포함하는 전자장치(220)를 보여준다. 전자장치(220)는 사용자가 휴대할 수 있는 휴대용 전자장치일 수 있다. 전자장치(220)는 이미지 표시영역을 갖는 것으로, 통신기능을 포함할 수도 있다. 일 예에서, 전자장치(220)는 모바일폰이나 테블릿 PC일 수 있다.
도 11을 참조하면, 전자장치(220)는 전방패널(212), 화소 플레이트(214), 후방패널(216) 및 배터리(217)를 포함할 수 있다. 화소 플레이트(214)를 통해 만들어지는 이미지는 전방패널(212)을 통과해서 사용자에게 전달된다. 전방패널(212)는 투명판(예, 유리판)을 포함할 수 있다. 화소 플레이트(214)는 도 9의 화소 플레이트(200)일 수 있다. 후방패널(216)은 화소 플레이트(214) 뒤쪽에 배치되고, 화소 플레이트(214)를 사이에 두고 전방패널(212)과 마주할 수 있다. 후방패널(216)은 화소 플레이트(190)의 구동을 위한 소자를 포함하고, 전자장치(220)의 전체 동작 및 제어와 관련된 모듈이 장착된 회로기판이거나 이러한 회로기판을 포함할 수 있다. 배터리(217)는 후방패널(216)의 한 부분에 장착될 수 있다. 배터리(217)는 전자장치(220)의 동작전원으로 사용된다. 후방패널(216)의 일 측에 카메라 모듈(218)이 구비되어 있다. 참조번호 21C는 전방패널(212)의 일부와 화소 플레이트(214)와 후방패널(216)을 감싸 보호하는 케이스를 나타낸다.
도 12는 도 11의 전자장치(220)가 모바일폰일 때의 입체도이다.
도 12를 참조하면, 전자장치(220)는 앞쪽에 표시영역(230)을 갖는다. 표시영역(230)은 전방패널(212)의 앞면의 적어도 일부가 될 수 있다. 참조번호 224는 표시영역(230) 위쪽에 배치된 전방 카메라를 나타낸다.
도 13은 도 11의 전자장치(220)가 테블릿 PC일 때의 입체도이다. 참조번호 232는 이미지가 표시되는 영역을 나타낸다. 표시영역(232) 위쪽에 전방 카메라(234)가 마련되어 있다.
도 14는 일 실시예에 의한 화소 플레이트를 포함하는 전자장치의 일 예로, 스마트 워치(240)를 보여준다. 스마트 워치(240)는 손목에 착용하는 것으로, 시계 및 통신기능 외에 다양한 기능(예, 생체신호측정기능, 인터넷 연결기능 등)을 제공하는 전자장치의 일종이다.
도 14를 참조하면, 스마트 워치(240)는 표시영역(246)을 갖는 몸체(242)와 몸체(242) 양쪽에 각각 연결되어 몸체(242)를 손목에 부착시키는데 사용되는 제1 및 제2 줄(244A, 244B)을 포함할 수 있다. 몸체(242) 자체를 스마트 워치로 볼 수도 있다. 몸체(242)는 편의상 원형으로 도시하였지만, 비원형일 수 있는데, 예를 들면 사각형일 수 있다. 표시영역(246)에는 스마트 워치(240)의 동작상태 및/또는 동작모드가 표시될 수 있고, 이미지도 표시될 수 있다. 스마트 워치(240)의 동작모드 선택과 제어는 표시영역(246)에 표시되는 메뉴를 터치하는 방식으로 수행될 수도 있고, 몸체(242) 둘레에 구비된 기능선택조절기(24B)를 사용하여 수행할 수도 있다. 몸체(242)의 표시영역(246) 둘레에 카메라(24C)와 마이크(24M)와 스피커(24S)가 마련되어 있다. 카메라(24C), 마이크(24M) 및 스피커(24S)의 위치는 상대적이며 달라질 수 있는 바, 도면에 도시된 것으로 제한되지 않는다. 몸체(242)의 한쪽에 연결된 제1 줄(244A)의 끝에 제1 체결부(248A)가 마련되어 있다. 몸체(242)의 다른 쪽에 연결된 제2 줄(244B)의 끝에는 제2 체결부(248B)가 마련되어 있다. 스마트 워치(240)를 손목에 착용할 때, 제1 및 제2 체결부(248A, 248B)는 서로 체결될 수 있다.
도 15는 도 14의 몸체(242)의 표시영역(246)을 15-15' 방향으로 절개한 단면을 보여준다.
도 15를 참조하면, 케이스(25C) 상에 후방패널(252), 화소 플레이트(254) 및 전방패널(256)이 순차적으로 적층되어 있다. 케이스(25C)는 몸체(242)의 하부 케이스일 수 있다. 후방패널(252)은 화소 플레이트(254)의 구동 및 제어를 포함해서 몸체(242)의 전체 동작 및 제어를 담당하는 회로부(예, 회로기판)이거나 이러한 회로부를 포함할 수 있다. 화소 플레이트(254)는 도 9에 도시한 화소 플레이트(200)이거나 화소 플레이트(200)를 포함할 수 있다. 전방패널(256)은 광에 투명한 판을 포함할 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고, 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
10:기판 12A:나노로드 몸체
12D:상단부 12:III-V족 물질층
14:마스크 14h:관통홀
16S1, 16S2:제1 및 제2 경사면 16S3:상부면
16S4, 17S4:마이크로 LED의 노출된 밑면
17S3, 166S3:마이크로 LED의 노출된 상부면
19L, 202:백플레인 21C, 25C:케이스
21L:방출광(이미지) 24B:기능선택조절기
24C:카메라 24M:마이크
24S:스피커 130:반도체층
160:마이크로 LED 162:제1 형 제1 반도체층
164:활성층 166:제2 형 제2 반도체층
168:절연막 170:등가 마이크로 LED
170R, 170G, 170B:제1 내지 제3 마이크로 LED
170R-H, 172:헤드 170R-P, 174:기둥
180:디스플레이 장치 180R, 180G, 180B:제1 내지 제3 부화소
184R, 184G, 184B:제1 내지 제3 공통전극
186R, 186G, 186B:제1 내지 제3 전극
188:층간 절연층 190:기판
192:구동소자 194:격벽
196, 200, 214, 254:화소 플레이트
198, 208, 212, 256:전방패널 220:전자장치
216, 252:후방패널 217:배터리
218:카메라 모듈 224, 234:전방 카메라
230, 232, 246:표시영역 240:스마트워치
242:몸체 244A, 244B:제1 및 제2 줄
248A, 248B:제1 및 제2 체결부 D:나노로드 몸체의 폭(직경)
D1:돌출된 부분(12D)의 상부면의 폭
D2:반도체층(120)의 폭 H:나노로드 몸체의 높이
L1:돌출된 부분(12D)의 돌출길이
L11, L22:활성층의 측방향으로 방출되는 광
L33: 활성층 상부면에 수직한 방향으로 방출되는 광
LL1:기둥(174)의 길이 P1:단위 화소 플레이트
S11:제1 경사면 S12:제2 경사면
T1:헤드(172)의 두께 W1:헤드(172)의 폭

Claims (24)

  1. 몸체(body); 및
    상기 몸체로부터 형성된 상단부;를 포함하고,
    상기 상단부는,
    제1 경사면;
    상기 제1 경사면과 마주하는 제2 경사면; 및
    상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면 사이의 평평한 수평면;을 포함하고,
    위로 갈수록 폭이 좁아지며,
    상기 상단부의 돌출된 길이(상기 상단부의 두께)를 L1, 상기 제1 및 제2 경사면 중 선택된 하나의 면으로부터 상기 선택된 하나의 면과 평행하게 연장된 면과 상기 상부면 사이의 각을 β, 상기 몸체의 폭을 D라 할 때, 상기 상부면의 폭(D1)은 다음 수학식을 만족하는 나노로드 반도체층.
    <수학식>
    D1 = D-(2×L1×tanβ)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체의 높이를 H라 할 때, 상기 몸체의 종횡비(H/D)는 0.05<H/D<20을 만족하는 나노로드 반도체층.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 H는 0.5㎛<H<20㎛를 만족하는 나노로드 반도체층.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 D는 0.05㎛<D<2㎛를 만족하는 나노로드 반도체층.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 경사면의 기하학적 형태는 동일한 나노로드 반도체층.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 각(β)은 52±5°인 나노로드 반도체층.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌출된 길이(L1)는 100nm 이하인 나노로드 반도체층.
  8. 나노로드 형태의 제1 형의 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층과 마주하고, 상기 제1 형과 다른 제2 형의 제2 반도체층; 및
    상기 제1 및 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층;을 포함하고,
    상기 제1 반도체층은,
    몸체(body); 및
    상기 몸체로부터 형성된 상단부;를 포함하고,
    상기 상단부는,
    제1 경사면;
    상기 제1 경사면과 마주하는 제2 경사면; 및
    상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면 사이의 평평한 수평면;을 포함하고,
    위로 갈수록 폭이 좁아지며,
    상기 상단부의 돌출된 길이(상기 상단부의 두께)를 L1, 상기 제1 및 제2 경사면 중 선택된 하나의 면으로부터 상기 선택된 하나의 면과 평행하게 연장된 면과 상기 상부면 사이의 각을 β, 상기 몸체의 폭을 D라 할 때, 상기 상부면의 폭(D1)은 다음 수학식을 만족하는 마이크로 LED.
    <수학식>
    D1 = D-(2×L1×tanβ)
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 활성층은 제1 화합물 반도체층을 포함하는 마이크로 LED.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 활성층은 상기 제1 화합물 반도체층 상에 제2 화합물 반도체층을 더 포함하는 마이크로 LED.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 화합물 반도체층의 조성은 동일하고, 조성비는 서로 다른 마이크로 LED.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 몸체의 높이를 H라 할 때, 상기 몸체의 종횡비(H/D)는 0.05<H/D<20을 만족하는 마이크로 LED.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 H는 0.5㎛<H<20㎛를 만족하는 마이크로 LED.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 D는 0.05㎛<D<2㎛를 만족하는 마이크로 LED.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 경사면의 기하학적 형태는 동일한 마이크로 LED.
  16. 제 8 항에 있어서,
    상기 몸체의 밑면과 상기 제2 반도체층의 상부면 사이는 절연막으로 둘러싸인 마이크로 LED.
  17. 복수의 화소영역을 포함하고,
    상기 복수의 화소영역 각각은
    제1 광을 방출하도록 배치된 제1 마이크로 LED를 포함하는 제1 부화소;
    제2 광을 방출하도록 배치된 제2 마이크로 LED를 포함하는 제2 부화소; 및
    제3 광을 방출하도록 배치된 제3 마이크로 LED를 포함하는 제3 부화소;를 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 마이크로 LED는 활성층의 물질이 서로 다른 것을 제외하고, 각 마이크로 LED의 구성과 형태는 청구항 8의 마이크로 LED와 동일한 화소 플레이트.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 각 부화소는,
    서로 평행하고 이격된 두 전극을 포함하고,
    상기 두 전극은 마이크로 LED로 연결된 화소 플레이트.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 부화소 중 하나에 포함된 마이크로 LED의 수는 나머지 부화소에 포함된 마이크로 LED의 수와 다른 화소 플레이트.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 부화소 사이에 격벽이 마련된 화소 플레이트.
  21. 백플레인;
    상기 백플레인과 마주하는 전방패널; 및
    상기 백플레인과 상기 전방패널 사이에 배치된 화소 플레이트;를 포함하고,
    상기 화소 플레이트는 청구항 17의 화소 플레이트를 포함하는 디스플레이 장치.
  22. 전방패널;
    상기 전방패널과 마주하는 후방패널;
    상기 전방패널과 상기 후방패널 사이에 배치된 화소 플레이트; 및
    상기 후방패널에 접촉되는 배터리;를 포함하고,
    상기 화소 플레이트는 청구항 17의 화소 플레이트를 포함하는 전자장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 후방패널은 통신모듈을 포함하고, 상기 후방패널에 카메라 모듈이 연결된 전자장치.
  24. 제 22 항에 있어서,
    몸체; 및
    상기 몸체의 양쪽에 연결된 줄;을 더 포함하고,
    상기 몸체는 상기 전방패널, 상기 후방패널, 상기 화소 플레이트 및 상기 배터리를 포함하는 표시영역을 포함하고, 상기 표시영역 둘레에 카메라, 마이크 및 스피커가 구비된 전자장치.
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