KR20210152748A - Inspection device and inspection method using the same - Google Patents

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KR20210152748A
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Abstract

One embodiment of the present invention discloses an inspection device and an inspection method using the same. The inspection device comprises: a settlement unit with an opening at which a rear surface of a display device including a GIP circuit and a circuit board is exposed; a probe electrically connected to an electric pad of the circuit board exposed at the opening; a driving unit electrically connecting the probe to the electric pad of the circuit board; a power source unit supplying a power source to the electric pad of the circuit board through the probe; and an inspection unit inspecting a defective transistor among a plurality of transistors disposed in the GIP circuit connected to the electric pad of the circuit board.

Description

검사 장치 및 이를 이용한 검사 방법{INSPECTION DEVICE AND INSPECTION METHOD USING THE SAME}Inspection device and inspection method using the same

실시예는 GIP 회로의 검사 장치 및 이를 이용한 검사 방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a test apparatus for a GIP circuit and a test method using the same.

표시장치는 픽셀 어레이의 데이터 라인들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 회로, 데이터 신호에 동기되는 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 픽셀 어레이의 게이트 라인들(또는 스캔 라인들)에 순차적으로 공급하는 게이트 구동 회로(또는 스캔 구동 회로), 데이터 구동 회로와 게이트 구동 회로를 제어하는 타이밍 콘트롤러 등을 포함한다.The display device includes a data driving circuit that supplies a data signal to data lines of a pixel array, and a gate that sequentially supplies a gate pulse (or scan pulse) synchronized with the data signal to gate lines (or scan lines) of the pixel array. and a driving circuit (or scan driving circuit), a timing controller for controlling a data driving circuit and a gate driving circuit, and the like.

최근, 게이트 구동 회로를 픽셀 어레이와 함께 표시패널에 내장하는 기술이 적용되고 있다. 표시패널에 내장된 게이트 구동 회로는 GIP(Gate In Panel) 회로 또는 GIP 드라이버로 정의할 수 있다.Recently, a technique for embedding a gate driving circuit together with a pixel array in a display panel has been applied. The gate driving circuit built into the display panel may be defined as a GIP (Gate In Panel) circuit or a GIP driver.

GIP 회로를 구성하는 트랜지스터들은 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT들로 구현될 수 있다. 이 GIP 회로는 픽셀 어레이의 TFT 형성시 동시에 형성될 수 있다. 텔레비전과 같이 크기가 큰 표시장치에서, 게이트 펄스 파형의 RC 딜레이(RC delay)를 줄이기 위하여 표시패널의 좌우에 GIP 회로가 배치될 수 있다. Transistors constituting the GIP circuit may be implemented as TFTs of a Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) structure. This GIP circuit can be formed at the same time when TFTs of the pixel array are formed. In a display device having a large size such as a television, GIP circuits may be disposed on the left and right sides of a display panel in order to reduce an RC delay of a gate pulse waveform.

GIP 회로가 표시패널의 기판 상에 형성되기 때문에 GIP 회로의 불량은 표시패널의 수율에 큰 영향을 끼친다. 그러나, 종래에는 GIP 회로에 회로기판이 연결된 완성품 상태에서는 게이트 드라이버의 동작을 검사할 수 있는 장치가 없었다. 따라서, GIP 회로에 회로기판이 연결된 상태에서는 GIP 회로의 트랜지스터의 불량 여부를 검사할 수 없는 문제가 있다.Since the GIP circuit is formed on the substrate of the display panel, a defect in the GIP circuit greatly affects the yield of the display panel. However, conventionally, there is no device capable of inspecting the operation of the gate driver in the state of the finished product in which the circuit board is connected to the GIP circuit. Accordingly, there is a problem in that it is impossible to check whether the transistor of the GIP circuit is defective while the circuit board is connected to the GIP circuit.

실시예는 GIP 회로에 회로기판이 연결된 완성품 상태에서 GIP 회로의 트랜지스터의 불량 여부를 검사할 수 있는 검사 장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide an inspection device capable of inspecting whether a transistor of the GIP circuit is defective in a state in which the circuit board is connected to the GIP circuit.

실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.The problem to be solved in the embodiment is not limited thereto, and it will be said that the purpose or effect that can be grasped from the solving means or embodiment of the problem described below is also included.

본 발명의 일 특징에 따른 검사 장치는, GIP 회로와 회로기판을 포함하는 표시장치의 후면이 노출되는 개구부가 형성된 안착부; 상기 개구부로 노출된 상기 회로기판의 전극패드와 전기적으로 연결되는 프로브; 상기 프로브를 상기 회로기판의 전극패드와 전기적으로 연결시키는 구동부; 상기 프로브를 통해 상기 회로기판의 전극패드에 전원을 인가하는 전원부; 및 상기 회로기판의 전극패드와 연결된 GIP 회로 내에 배치된 복수 개의 트랜지스터 중 불량인 트랜지스터를 검출하는 검출부를 포함한다.An inspection apparatus according to one aspect of the present invention includes: a seating part having an opening through which a rear surface of a display device including a GIP circuit and a circuit board is exposed; a probe electrically connected to the electrode pad of the circuit board exposed through the opening; a driving unit electrically connecting the probe to an electrode pad of the circuit board; a power supply unit for applying power to the electrode pad of the circuit board through the probe; and a detection unit configured to detect a defective transistor among a plurality of transistors disposed in the GIP circuit connected to the electrode pad of the circuit board.

상기 검출부는 상기 복수 개의 트랜지스터의 온도를 감지하는 열화상 장치일 수 있다.The detector may be a thermal imager that senses the temperatures of the plurality of transistors.

상기 검출부는 상기 복수 개의 트랜지스터의 정상 동작여부를 검사하는 테스트 회로를 포함할 수 있다. The detection unit may include a test circuit that checks whether the plurality of transistors operate normally.

상기 테스트 회로는 상기 복수 개의 트랜지스터를 순차적으로 동작시키는 릴레이 스위치를 포함할 수 있다.The test circuit may include a relay switch that sequentially operates the plurality of transistors.

상기 구동부는 상기 안착부의 하부에 배치된 프레임, 상기 프레임을 따라 이동 가능한 제1 구동부, 및 상기 프레임의 상부로 이동하여 상기 프로브를 상기 회로기판의 전극패드와 전기적으로 연결하는 제2 구동부를 포함할 수 있다.The driving unit may include a frame disposed below the seating unit, a first driving unit movable along the frame, and a second driving unit moving above the frame to electrically connect the probe to the electrode pad of the circuit board. can

상기 프로브와 상기 전극패드의 정렬 이미지를 획득하는 카메라를 포함하고, 상기 제1 구동부는 상기 프로브와 상기 전극패드를 정렬시키도록 조정될 수 있다.and a camera configured to acquire an alignment image of the probe and the electrode pad, and the first driving unit may be adjusted to align the probe and the electrode pad.

상기 표시장치의 후면에 레이저를 조사하여 상기 전극패드를 노출시키는 제1 레이저 유닛을 포함할 수 있다.A first laser unit for exposing the electrode pad by irradiating a laser to the rear surface of the display device may be included.

상기 불량인 트랜지스터를 리페어하는 제2 레이저 유닛을 포함할 수 있다.A second laser unit for repairing the defective transistor may be included.

상기 노출된 전극패드에 수지를 도포하는 디스펜서를 포함할 수 있다.A dispenser for applying a resin to the exposed electrode pad may be included.

상기 전극패드가 상기 프로브와 연결 가능하도록 상기 제1 레이저 조사 후 상기 표시장치를 뒤집는 회전부를 포함할 수 있다.The electrode pad may include a rotating part that turns the display device over after irradiation with the first laser so that the electrode pad can be connected to the probe.

본 발명의 일 특징에 따른 검사 방법은, GIP 회로를 포함하는 표시장치의 후면에 노출된 전극패드와 프로브를 전기적으로 연결하는 단계; 상기 GIP 회로 내에 배치된 복수 개의 트랜지스터 중 불량인 트랜지스터를 검출하는 단계; 상기 복수 개의 트랜지스터 중 불량인 트랜지스터를 리페어하는 단계; 및 상기 전극패드 상에 레진을 도포하는 단계를 포함한다.An inspection method according to one aspect of the present invention includes the steps of electrically connecting an electrode pad exposed on a rear surface of a display device including a GIP circuit and a probe; detecting a defective transistor among a plurality of transistors disposed in the GIP circuit; repairing a defective transistor among the plurality of transistors; and coating a resin on the electrode pad.

상기 전기적으로 연결하는 단계 이전에, 상기 GIP 회로를 포함하는 표시장치의 후면에 레이저를 조사하여 상기 전극패드를 노출시키는 단계; 및 상기 프로브와 연결 가능하도록 상기 표시장치를 회전시키는 단계를 더 포함할 수 있다.exposing the electrode pads by irradiating a laser to a rear surface of the display device including the GIP circuit before the electrically connecting; and rotating the display device to be connectable to the probe.

실시예에 따르면, GIP 회로에 회로기판이 연결된 상태에서도 GIP 회로의 트랜지스터의 불량 여부를 검사할 수 있는 검사 장치를 제공함으로써 제품의 신뢰성이 향상될 수 있다.According to the embodiment, the reliability of the product may be improved by providing an inspection device capable of inspecting whether the transistor of the GIP circuit is defective even when the circuit board is connected to the GIP circuit.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above, and will be more easily understood in the course of describing specific embodiments of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치를 보여주는 도면이고,
도 2a는 GIP 회로가 내장된 표시장치의 전면을 보여주는 도면이고,
도 2b는 GIP 회로가 내장된 표시장치의 후면을 보여주는 도면이고,
도 3은 표시장치의 후면에 레이저를 조사하여 회로기판의 전극패드를 노출시키는 과정을 보여주는 도면이고,
도 4는 안착부의 개구부로 회로기판의 전극패드가 노출된 과정을 보여주는 도면이고,
도 5는 회로기판의 전극패드와 프로브가 전기적으로 연결된 과정을 보여주는 도면이고,
도 6은 GIP 회로 내의 복수 개의 트랜지스터를 테스트하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 7은 불량인 트랜지스터에 레이저를 조사하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 8은 불량인 트랜지스터가 제거된 상태를 보여주는 도면이고,
도 9는 표시장치의 후면의 노출부를 덮는 과정을 보여주는 도면이고,
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 검사 장치를 보여주는 도면이고,
도 11은 도 10의 평면도이고,
도 12는 표시장치의 후면에 레이저를 조사하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 13은 표시장치의 후면이 노출되어 회로기판의 전극패드가 노출된 상태를 보여주는 도면이고,
도 14는 GIP 회로가 내장된 표시장치의 후면을 보여주는 도면이고,
도 15는 회전부가 표시장치에 결합된 상태를 보여주는 도면이고,
도 16은 회전부에 의해 표시장치가 뒤집힌 상태를 보여주는 도면이고,
도 17은 회전부의 구성을 보여주는 도면이고,
도 18은 표시장치의 회로기판의 전극패드가 프로브에 전기적으로 연결된 상태를 보여주는 도면이고,
도 19는 표시장치의 회로기판의 전극패드가 프로브에 전기적으로 연결되어 전원이 인가되는 상태를 보여주는 도면이고,
도 20은 불량인 트랜지스터에 레이저를 조사하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 21은 불량인 트랜지스터가 제거된 상태를 보여주는 도면이고,
도 22는 표시장치에 회전부가 결합된 상태를 보여주는 도면이고,
도 23은 회전부에 의해 표시장치가 뒤집힌 상태를 보여주는 도면이고,
도 24는 표시장치가 디스펜서의 하부로 이동한 상태를 보여주는 도면이고,
도 25는 표시장치의 후면에 레진이 도포된 상태를 보여주는 도면이고,
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법의 순서도이다.1 is a view showing an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention,
2A is a view showing the front side of a display device having a built-in GIP circuit;
2B is a view showing a rear surface of a display device having a built-in GIP circuit;
3 is a view showing a process of exposing electrode pads of a circuit board by irradiating a laser to the rear surface of the display device;
4 is a view showing a process in which an electrode pad of a circuit board is exposed through an opening of a seating part;
5 is a view showing a process in which an electrode pad of a circuit board and a probe are electrically connected;
6 is a view showing a process of testing a plurality of transistors in the GIP circuit,
7 is a view showing a process of irradiating a laser to a defective transistor,
8 is a view showing a state in which a defective transistor is removed;
9 is a view showing a process of covering the exposed portion of the rear surface of the display device;
10 is a view showing an inspection apparatus according to another embodiment of the present invention,
11 is a plan view of FIG. 10;
12 is a view showing a process of irradiating a laser to the rear surface of the display device;
13 is a view showing a state in which the rear surface of the display device is exposed so that the electrode pads of the circuit board are exposed;
14 is a view showing a rear surface of a display device having a built-in GIP circuit;
15 is a view showing a state in which the rotating part is coupled to the display device;
16 is a view showing a state in which the display device is turned over by the rotating part;
17 is a view showing the configuration of the rotating part,
18 is a view showing a state in which an electrode pad of a circuit board of a display device is electrically connected to a probe;
19 is a diagram illustrating a state in which an electrode pad of a circuit board of a display device is electrically connected to a probe and power is applied;
20 is a view showing a process of irradiating a laser to a defective transistor;
21 is a view showing a state in which a defective transistor is removed;
22 is a view showing a state in which the rotating part is coupled to the display device;
23 is a view showing a state in which the display device is turned over by the rotating part;
24 is a view showing a state in which the display device is moved to the lower part of the dispenser;
25 is a view showing a state in which the resin is applied to the rear surface of the display device;
26 is a flowchart of an inspection method according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Since the present invention may have various changes and may have various embodiments, specific embodiments will be illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including an ordinal number such as second, first, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as the first component, and similarly, the first component may also be referred to as the second component. and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When an element is referred to as being “connected” or “connected” to another element, it is understood that it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components are given the same reference numerals regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치를 보여주는 도면이고, 도 2a는 GIP 회로가 내장된 표시장치의 전면을 보여주는 도면이고, 도 2b는 GIP 회로가 내장된 표시장치의 후면을 보여주는 도면이고, 도 3은 표시장치의 후면에 레이저를 조사하여 회로기판의 전극패드를 노출시키는 과정을 보여주는 도면이다.1 is a view showing an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2a is a view showing a front side of a display device having a built-in GIP circuit, and FIG. 2b is a view showing a rear side of a display device having a built-in GIP circuit. 3 is a view showing a process of exposing electrode pads of a circuit board by irradiating a laser to the rear surface of the display device.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 검사 장치는, GIP 회로(12)와 회로기판(14)을 포함하는 표시장치(10)의 후면(10b)이 노출되는 개구부(141a)가 형성된 안착부(141), 개구부(141a)로 노출된 회로기판(14)의 전극패드(14a)와 전기적으로 연결되는 프로브, 프로브를 회로기판(14)의 전극패드(14a)와 전기적으로 연결시키는 구동부(140), 프로브를 통해 회로기판(14)의 전극패드(14a)에 전원을 인가하는 전원부 및 회로기판(14)의 전극패드(14a)와 연결된 GIP 회로(12) 내에 배치된 복수 개의 트랜지스터 중 불량인 트랜지스터를 검출하는 검출부(133)를 포함할 수 있다.1 to 4 , in the inspection apparatus according to the embodiment, an opening 141a through which the rear surface 10b of the display device 10 including the GIP circuit 12 and the circuit board 14 is exposed is formed. The seating part 141, the probe electrically connected to the electrode pad 14a of the circuit board 14 exposed through the opening 141a, and a driving part electrically connecting the probe to the electrode pad 14a of the circuit board 14 (140), a power supply for applying power to the electrode pad 14a of the circuit board 14 through the probe and a plurality of transistors disposed in the GIP circuit 12 connected to the electrode pad 14a of the circuit board 14 A detection unit 133 for detecting a defective transistor may be included.

안착부(141)는 지지 기판(110)의 상부에 배치되고, 표시장치(10)가 배치될 수 있는 크기로 제작될 수 있다. 안착부(141)의 하부에는 프레임(142)이 배치되어 후술하는 바와 같이 전극패드(14a)와 프로브를 전기적으로 연결할 수 있다.The seating part 141 is disposed on the support substrate 110 and may be manufactured to have a size in which the display device 10 can be disposed. A frame 142 is disposed under the seating part 141 to electrically connect the electrode pad 14a and the probe to the electrode pad 14a as will be described later.

제1 구동 모듈(120)은 제1 레이저 유닛(123)과 디스펜서(124)가 배치되는 제1 프레임(121) 및 제1 프레임(121)을 제1 방향(X축 방향)으로 전진 또는 후진시키는 제1 이동 유닛(122)을 포함하고, 제1 레이저 유닛(123)과 디스펜서(124)는 제1 프레임(121) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 이동할 수 있다. The first driving module 120 moves the first frame 121 and the first frame 121 in which the first laser unit 123 and the dispenser 124 are disposed forward or backward in a first direction (X-axis direction). The first moving unit 122 is included, and the first laser unit 123 and the dispenser 124 may move in the second direction (Y-axis direction) on the first frame 121 .

제1 레이저 유닛(123)은 안착부(141)의 상부에서 자유롭게 이동하여 표시장치(10)의 일부분을 컷팅할 수 있다. 또한, 디스펜서(124)는 안착부(141)의 상부에서 자유롭게 이동하여 표시장치(10)의 일부분에 레진을 도포할 수 있다. 그러나, 필요에 따라 제1 레이저 유닛(123) 또는 디스펜서(124)는 생략될 수도 있다.The first laser unit 123 may move freely on the upper portion of the seating unit 141 to cut a portion of the display device 10 . In addition, the dispenser 124 may freely move on the upper portion of the seating unit 141 to apply the resin to a portion of the display device 10 . However, if necessary, the first laser unit 123 or the dispenser 124 may be omitted.

제2 구동 모듈(130)은 검출부(133)와 제2 레이저 유닛(134)이 배치되는 제2 프레임(131) 및 제2 프레임(131)을 제1 방향으로 전진 또는 후진시키는 제2 이동 유닛을 포함하고, 검출부(133)와 제2 레이저 유닛(134)은 제2 프레임(131) 상에서 제2 방향으로 이동할 수 있다. The second driving module 130 includes a second frame 131 in which the detector 133 and the second laser unit 134 are disposed, and a second moving unit that moves the second frame 131 forward or backward in a first direction. In addition, the detector 133 and the second laser unit 134 may move in the second direction on the second frame 131 .

검출부(133)는 안착부(141)의 상부에서 자유롭게 이동하여 GIP 회로(12)의 트랜지스터 중에서 불량인 트랜지스터의 위치를 확인할 수 있다. 또한, 제2 레이저 유닛(134)은 안착부(141)의 상부에서 자유롭게 이동하여 불량인 트랜지스터를 리페어할 수 있다. 그러나, 필요에 따라 검출부(133) 또는 제2 레이저 유닛(134)은 생략될 수도 있다.The detection unit 133 can freely move on the upper portion of the seating unit 141 to confirm the position of a defective transistor among the transistors of the GIP circuit 12 . In addition, the second laser unit 134 may freely move on the upper portion of the mounting portion 141 to repair a defective transistor. However, if necessary, the detection unit 133 or the second laser unit 134 may be omitted.

실시예에 따른 검사 장치는 OLED 표시장치(10)에 내장된 GIP 회로(12)의 정상 동작 여부를 검사할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 OLED 이외의 다양한 표시장치(10)의 정상 동작 여부를 검사하는 장치에 응용될 수도 있다. 예시적으로 GIP 회로(12)가 내장된 액정표시장치, 마이크로 LED 표시장치 등의 검사 장치에도 응용될 수 있다.The test apparatus according to the embodiment may test whether the GIP circuit 12 built in the OLED display 10 operates normally. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and it may be applied to a device for checking whether various display devices 10 other than OLEDs operate normally. Exemplarily, the GIP circuit 12 may be applied to a liquid crystal display device, a micro LED display device, and the like.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 표시장치(10)는 GIP 회로(12)는 액티브 영역(11)의 측면에 배치되고 복수 개의 전기 배선(15a, 15b)에 의해 회로기판(14)이 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 GIP 회로(12)에 연성인쇄회로기판(16)이 전기적으로 연결되고, 연성인쇄회로기판(16)에 회로기판(14)이 연결된 상태일 수 있다. 따라서, 회로기판(14)의 전극패드(14a)는 각각 GIP 회로(12)의 트랜지스터와 연결될 수 있다. 이때, 연성인쇄회로기판(16)이 절곡되어 회로기판(14)은 표시장치의 후면에 배치될 수 있다.2A and 2B , in the display device 10 , the GIP circuit 12 is disposed on the side of the active region 11 and the circuit board 14 is electrically connected to the circuit board 14 by a plurality of electrical wires 15a and 15b. can be connected Specifically, the flexible printed circuit board 16 may be electrically connected to the GIP circuit 12 , and the circuit board 14 may be connected to the flexible printed circuit board 16 . Accordingly, the electrode pads 14a of the circuit board 14 may be respectively connected to the transistors of the GIP circuit 12 . In this case, the flexible printed circuit board 16 may be bent so that the circuit board 14 may be disposed on the rear surface of the display device.

회로기판(14)의 전극패드(14a)는 연성인쇄회로기판(16)과 전기적으로 연결되는 부분일 수 있다. 이 연결 부분은 보호층(미도시)으로 커버된 상태일 수 있다. 따라서, 회로기판(14)의 후면에 레이저를 조사하여 보호층을 제거함으로써 전극패드(14a)를 노출시킬 수 있다. 이와 같이 전극패드가 노출된 상태에서 표시장치는 검사장치에 제공될 수 있다.The electrode pad 14a of the circuit board 14 may be a portion electrically connected to the flexible printed circuit board 16 . This connection part may be covered with a protective layer (not shown). Accordingly, the electrode pad 14a can be exposed by removing the protective layer by irradiating the laser on the back surface of the circuit board 14 . In this way, in the state where the electrode pad is exposed, the display device may be provided to the inspection device.

그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 검사장치에서 전극패드를 노출시킬 수도 있다. 도 3을 참조하면, 제1 레이저 유닛(123)을 이용하여 표시장치(10)의 후면(10b)에 배치된 회로기판(14)의 일부를 제거하여 전극패드(14a)를 노출시킬 수 있다. 즉, GIP 회로(12)와 연결된 복수 개의 전극패드(14a)만이 외부로 노출되도록 레이저를 조사할 수 있다. 제1 레이저 유닛(123)은 CO2 레이저일 수 있으나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 전극패드를 보호하는 층을 제거할 수 있는 종류가 제한 없이 적용될 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the electrode pad may be exposed in the inspection apparatus. Referring to FIG. 3 , the electrode pad 14a may be exposed by removing a portion of the circuit board 14 disposed on the rear surface 10b of the display device 10 using the first laser unit 123 . That is, the laser may be irradiated so that only the plurality of electrode pads 14a connected to the GIP circuit 12 are exposed to the outside. The first laser unit 123 may be a CO2 laser, but is not limited thereto, and a type capable of removing the layer protecting the electrode pad may be applied without limitation.

도 4는 안착부의 개구부로 회로기판의 전극패드가 노출된 과정을 보여주는 도면이고, 도 5는 회로기판의 전극패드와 프로브가 전기적으로 연결된 과정을 보여주는 도면이고, 도 6은 GIP 회로 내의 복수 개의 트랜지스터를 테스트하는 과정을 보여주는 도면이다.4 is a view showing a process in which the electrode pad of the circuit board is exposed through the opening of the seating part, FIG. 5 is a view showing the process in which the electrode pad of the circuit board and the probe are electrically connected, and FIG. 6 is a plurality of transistors in the GIP circuit A diagram showing the testing process.

도 4를 참조하면, 안착부(141)는 표시장치(10)의 전극패드(14a)가 노출되는 개구부(141a)를 포함할 수 있다. 표시장치(10)는 후면(10b)에 전극패드(14a)가 노출된 상태에서 안착부(141) 상에 배치될 수도 있다.Referring to FIG. 4 , the seating part 141 may include an opening 141a through which the electrode pad 14a of the display device 10 is exposed. The display device 10 may be disposed on the seating portion 141 in a state in which the electrode pad 14a is exposed on the rear surface 10b.

구동부(143)는 안착부(141)의 하부에 배치된 프레임(142)을 따라 이동 가능한 제1 구동부(144), 및 상부로 이동하여 프로브(147)를 회로기판(14)의 전극패드(14a)와 전기적으로 연결하는 제2 구동부(145)를 포함할 수 있다. 프로브(147)는 전극패드(14a)와 접촉하여 전기적으로 연결되는 복수 개의 검침핀(147a)을 포함할 수 있다.The driving unit 143 includes a first driving unit 144 movable along the frame 142 disposed below the seating unit 141 , and moving upward to move the probe 147 to the electrode pad 14a of the circuit board 14 . ) and may include a second driving unit 145 electrically connected to the. The probe 147 may include a plurality of probe pins 147a electrically connected to the electrode pad 14a.

실시예에 따르면, 제1 구동부(144)가 전극패드(14a)의 하부로 이동할 수 있다. 제1 구동부(144)는 프로브(147)를 전극패드(14a)의 하부로 이동시킬 수 있는 구성이면 특별히 제한되지 않는다. 예시적으로 제1 구동부(144)는 모터와 기어를 이용하여 프로브(147)를 이동시킬 수 있다. 또는 제1 구동부(144)는 컨베이어벨트와 같은 이동 수단을 구비할 수 있다.According to an embodiment, the first driving unit 144 may move to a lower portion of the electrode pad 14a. The first driving unit 144 is not particularly limited as long as it has a configuration capable of moving the probe 147 to the lower portion of the electrode pad 14a. For example, the first driving unit 144 may move the probe 147 using a motor and a gear. Alternatively, the first driving unit 144 may be provided with a moving means such as a conveyor belt.

도 5 및 도 6을 참조하면, 제2 구동부(145)는 프로브(147)가 배치된 지지판(146)을 상승시킬 수 있다. 제2 구동부(145)는 모터 또는 실린더 부재일 수 있으나 이외에도 다양한 승하강 수단이 적용될 수 있다.5 and 6 , the second driving unit 145 may raise the support plate 146 on which the probe 147 is disposed. The second driving unit 145 may be a motor or a cylinder member, but in addition, various elevating means may be applied.

지지판(146)에 배치된 카메라(148)는 프로브(147)와 전극패드(14a)가 정렬되었는지 확인할 수 있다. 제어부(181)는 카메라(148)가 획득한 정렬 이미지를 기반으로 프로브(147)의 검침핀(147a)과 전극패드(14a)가 정렬되었는지 판단할 수 있다.The camera 148 disposed on the support plate 146 may check whether the probe 147 and the electrode pad 14a are aligned. The controller 181 may determine whether the probe 147a of the probe 147 and the electrode pad 14a are aligned based on the alignment image obtained by the camera 148 .

카메라(148)의 위치는 프로브(147)의 측면에 배치된 것으로 도시하였으나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 정렬 이미지를 용이하게 획득할 수 있는 위치에 다양하게 배치될 수 있다. Although the position of the camera 148 is illustrated as being disposed on the side of the probe 147 , the present invention is not limited thereto and may be variously disposed at a position where an alignment image can be easily obtained.

제어부(181)는 프로브(147)의 검침핀(147a)과 전극패드(14a)가 정렬되지 않은 것으로 판단된 경우, 제1 구동부(144) 또는 제2 구동부(145)를 미세하게 이동시켜 프로브(147)와 전극패드(14a)를 정렬시킬 수 있다.When it is determined that the probe 147a of the probe 147 and the electrode pad 14a are not aligned, the control unit 181 finely moves the first driving unit 144 or the second driving unit 145 to move the probe ( 147) and the electrode pad 14a may be aligned.

프로브(147)와 전극패드(14a)가 정렬된 것으로 판단되면 제2 구동부(145)는 프로브(147)와 전극패드(14a)가 전기적으로 연결되도록 프로브(147)를 상승시킬 수 있다. 프로브(147)와 전극패드(14a)가 연결된 상태에서 전원부(182)에서 전원이 공급되면 GIP 회로(12)에 내장된 복수 개의 트랜지스터(12a 내지 12e)에는 전원이 인가될 수 있다. 이때 복수 개의 트랜지스터(12a 내지 12e) 중에서 불량인 트랜지스터는 미리 정해진 기준치보다 높은 열을 발생시킬 수 있다. When it is determined that the probe 147 and the electrode pad 14a are aligned, the second driver 145 may raise the probe 147 so that the probe 147 and the electrode pad 14a are electrically connected. When power is supplied from the power source 182 while the probe 147 and the electrode pad 14a are connected, power may be applied to the plurality of transistors 12a to 12e built in the GIP circuit 12 . In this case, a defective transistor among the plurality of transistors 12a to 12e may generate heat higher than a predetermined reference value.

따라서, 제어부(181)는 검출부(133)에서 획득한 열상 이미지를 통해 미리 정해진 기준치보다 높은 열을 발생시키는 트랜지스터를 불량인 것으로 판단할 수 있다. 예시적으로 제1 트랜지스터(12a)와 제4 트랜지스터(12d)에서 기준치보다 높은 열이 발생한 것을 감지할 수 있다.Accordingly, the controller 181 may determine that the transistor that generates heat higher than a predetermined reference value is defective through the thermal image acquired by the detector 133 . For example, it may be detected that heat higher than a reference value is generated in the first transistor 12a and the fourth transistor 12d.

그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 불량 트랜지스터를 검출하는 방법은 다양하게 변형될 수 있다. 예시적으로 열화상 카메라 대신에 테스트 회로(149)를 연결하여 불량 여부를 판단할 수 있다. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and a method for detecting a bad transistor may be variously modified. Exemplarily, instead of the thermal imaging camera, the test circuit 149 may be connected to determine whether there is a defect.

테스트 회로(149)에는 릴레이 스위치가 내장되어 복수 개의 트랜지스터(12a 내지 12e)에 순차적으로 전원을 인가하여 정상적으로 동작하는지 검출할 수도 있다. 이러한 테스트 회로는 기존에 사용 중인 다양한 트랜지스터 테스트 회로가 제한 없이 적용될 수 있다. The test circuit 149 may have a built-in relay switch to sequentially apply power to the plurality of transistors 12a to 12e to detect whether they operate normally. These test circuits can be applied to various transistor test circuits in use without limitation.

도 7은 불량인 트랜지스터에 레이저를 조사하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 8은 불량인 트랜지스터가 제거된 상태를 보여주는 도면이고, 도 9는 표시장치의 후면의 노출부를 덮는 과정을 보여주는 도면이다.7 is a view showing a process of irradiating a laser to a defective transistor, FIG. 8 is a view showing a state in which the defective transistor is removed, and FIG. 9 is a view showing a process of covering the exposed portion of the rear surface of the display device.

도 7 및 도 8을 참조하면, 먼저 제1 레이저 유닛(123)을 불량 트랜지스터 영역의 상부로 이동시켜 레이저를 조사하여 불량 트랜지스터를 제거할 수 있다. 제1 레이저 유닛(123)에 의해 레이저가 조사되면 패널 내의 베젤 부분과 편광판(pol) 부분이 제거될 수 있다. 제1 레이저 유닛(123)은 CO2 레이저일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 예시적으로 복수 개의 트랜지스터(12a 내지 12e) 중 제1 트랜지스터(12a)와 제4 트랜지스터(12d)가 불량인 경우 해당 영역에만 레이저를 조사하여 베젤 부분과 편광판(pol) 부분을 제거할 수 있다. Referring to FIGS. 7 and 8 , first, the first laser unit 123 may be moved to the upper portion of the defective transistor region and the defective transistor may be removed by irradiating the laser. When the laser is irradiated by the first laser unit 123 , the bezel part and the polarizing plate pol part in the panel may be removed. The first laser unit 123 may be a CO2 laser, but is not limited thereto. Exemplarily, when the first transistor 12a and the fourth transistor 12d among the plurality of transistors 12a to 12e are defective, the bezel portion and the polarizing plate pol portion may be removed by irradiating a laser only to a corresponding region.

이후 제2 레이저 유닛(134)에 의해 리페어 작업을 진행할 수 있다. 제2 레이저 유닛(134)은 256nm 파장대의 레이저 광을 조사하여 회로를 리페어할 수 있다. 예시적으로, 제1 트랜지스터(12a)가 이웃한 트랜지스터(또는 배선) 등과 쇼트되어 불량이 발생한 것이라면 쇼트인 부분을 제거하여 리페어할 수 있다.Thereafter, a repair operation may be performed by the second laser unit 134 . The second laser unit 134 may repair the circuit by irradiating laser light in a wavelength band of 256 nm. For example, if the first transistor 12a is short-circuited with a neighboring transistor (or wiring) and the like and a defect occurs, the short-circuited portion may be removed and repaired.

이러한 리페어 방법은 기존의 LCD 또는 OLED 소자의 회로 리페어 방법이 제한 없이 적용될 수 있다. 또한, 필요에 따라서는 불량인 트랜지스터를 검출만 할 수도 있고, 불량인 트랜지스터를 제거까지만 수행할 수도 있다.Such a repair method may be applied without limitation to a circuit repair method of an existing LCD or OLED device. In addition, if necessary, only the detection of the defective transistor may be performed, or only the removal of the defective transistor may be performed.

도 9를 참조하면, 검사가 완료된 경우 디스펜서(124)가 전극패드(14a)가 노출된 회로기판(14)의 후면에 레진을 도포하여 몰딩할 수 있다. 따라서, 노출된 전극패드(14a)는 다시 보호될 수 있다. 레진의 종류는 특별히 한정되지 않으나 제거 영역의 재질과 유사한 종류가 선택될 수 있다.Referring to FIG. 9 , when the inspection is completed, the dispenser 124 may apply a resin to the rear surface of the circuit board 14 to which the electrode pads 14a are exposed and mold the resin. Accordingly, the exposed electrode pad 14a can be protected again. The type of the resin is not particularly limited, but a type similar to the material of the removal area may be selected.

실시예에 따르면, 표시장치(10)의 회로기판(14)을 일부 제거하여 전극패드(14a)를 노출시키고, 전극패드(14a)에 전원을 인가하여 불량인 트랜지스터를 검출 및 리페어한 후 다시 회로기판(14)에 레진을 도포하여 노출 영역을 메울 수 있다.According to the embodiment, the circuit board 14 of the display device 10 is partially removed to expose the electrode pad 14a, and power is applied to the electrode pad 14a to detect and repair a defective transistor, and then re-circuit the circuit. A resin may be applied to the substrate 14 to fill the exposed area.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 검사 장치를 보여주는 도면이고, 도 11은 도 10의 평면도이고, 도 12는 표시장치의 후면에 레이저를 조사하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 13은 표시장치의 후면이 노출되어 회로기판의 전극패드가 노출된 상태를 보여주는 도면이고, 도 14는 GIP 회로가 내장된 표시장치의 후면을 보여주는 도면이다.10 is a view showing an inspection device according to another embodiment of the present invention, FIG. 11 is a plan view of FIG. 10, FIG. 12 is a view showing a process of irradiating a laser to the rear surface of the display device, and FIG. 13 is a display device is a view showing a state in which the rear surface of the circuit board is exposed and the electrode pad of the circuit board is exposed, and FIG. 14 is a view showing the rear surface of the display device having a built-in GIP circuit.

도 10 및 도 11을 참조하면, 실시예에 따른 검사 장치는 제1 구동 모듈(120)과 제2 구동 모듈(130) 사이에 회전부(150)가 배치될 수 있다. 제1 구동 모듈(120)은 제1 레이저 유닛(123)과 디스펜서(124)가 배치되는 제1 프레임(121) 및 제1 프레임(121)을 제1 방향으로 전진 또는 후진시키는 제1 이동 유닛(122)을 포함하고, 제1 레이저 유닛(123)과 디스펜서(124)는 제1 프레임(121) 상에서 제2 방향으로 이동할 수 있다. 10 and 11 , in the test apparatus according to the embodiment, the rotating part 150 may be disposed between the first driving module 120 and the second driving module 130 . The first driving module 120 includes a first frame 121 in which the first laser unit 123 and the dispenser 124 are disposed, and a first moving unit ( 122 , the first laser unit 123 and the dispenser 124 may move in the second direction on the first frame 121 .

제2 구동 모듈(130)은 검출부(133)와 제2 레이저 유닛(134)이 배치되는 제2 프레임(131) 및 제2 프레임(131)을 제1 방향으로 전진 또는 후진시키는 제2 이동 유닛(132)을 포함하고, 검출부(133)와 제2 레이저 유닛(134)은 제2 프레임(131) 상에서 제2 방향으로 이동할 수 있다. The second driving module 130 includes a second frame 131 in which the detection unit 133 and the second laser unit 134 are disposed and a second moving unit ( 132 , the detector 133 and the second laser unit 134 may move in the second direction on the second frame 131 .

실시예에 따르면, 표시기판이 로딩되어 전극패드가 노출되는 로딩 영역, 표시기판이 뒤집히는 회전 영역, 및 불량 트랜지스터가 레페어되는 리페어 영역을 포함할 수 있다. 로딩 영역은 제1 구동 모듈(120)에 의해 수행될 수 있고, 회전 영역은 회전부(150)에 의해 수행될 수 있고, 리페어 영역은 제2 구동 모듈(130)에 의해 수행될 수 있다.According to an embodiment, a loading region in which the display substrate is loaded and the electrode pad is exposed, a rotation region in which the display substrate is turned over, and a repair region in which a defective transistor is repaired may be included. The loading area may be performed by the first driving module 120 , the rotation area may be performed by the rotating unit 150 , and the repair area may be performed by the second driving module 130 .

도 12 내지 도 14를 참조하면, 제1 레이저 유닛(123)이 표시장치의 후면(10b)에 배치된 회로기판(14)에 레이저를 조사하여 회로기판(14)의 전극패드(14a)를 노출시킬 수 있다. 제1 레이저 유닛(123)의 종류는 특별히 한정하지 않는다. 즉, GIP 회로(12)와 연결된 복수 개의 전극패드(14a)만이 노출되도록 레이저를 조사할 수 있다. 예시적으로 제1 레이저는 CO2 레이저일 수 있다.12 to 14 , the first laser unit 123 irradiates a laser to the circuit board 14 disposed on the rear surface 10b of the display device to expose the electrode pads 14a of the circuit board 14 . can do it The type of the first laser unit 123 is not particularly limited. That is, the laser may be irradiated so that only the plurality of electrode pads 14a connected to the GIP circuit 12 are exposed. Exemplarily, the first laser may be a CO2 laser.

회로기판(14)의 전극패드(14a)는 연성인쇄회로기판(16)과 전기적으로 연결되는 부분일 수 있다. 이 연결 부분은 보호층(미도시)으로 커버된 상태일 수 있다. 따라서, 회로기판(14)의 후면에 레이저를 조사하여 보호층을 제거함으로써 전극패드(14a)를 노출시킬 수 있다.The electrode pad 14a of the circuit board 14 may be a portion electrically connected to the flexible printed circuit board 16 . This connection part may be covered with a protective layer (not shown). Accordingly, the electrode pad 14a can be exposed by removing the protective layer by irradiating the laser on the back surface of the circuit board 14 .

도 15는 회전부가 표시장치에 결합된 상태를 보여주는 도면이고, 도 16은 회전부에 의해 표시장치가 뒤집힌 상태를 보여주는 도면이고, 도 17은 회전부의 구성을 보여주는 도면이다.15 is a view showing a state in which the rotating unit is coupled to the display device, FIG. 16 is a view showing a state in which the display device is turned over by the rotating unit, and FIG. 17 is a view showing the configuration of the rotating unit.

도 15 및 도 16을 참조하면, 회전부(150)가 표시장치(10)에 결합되어 표시장치(10)를 회전시킬 수 있다. 따라서, 표시장치(10)는 전면(10a)이 위로 오도록 회전할 수 있다. 15 and 16 , the rotating unit 150 may be coupled to the display device 10 to rotate the display device 10 . Accordingly, the display device 10 may rotate so that the front surface 10a faces upward.

도 17을 참조하면, 회전부(150)는 표시장치(10)에 결합되는 제1 결합부(151) 및 제1 결합부(151)와 제2 결합부(153) 사이에 연결되는 회전축(152) 및 제2 결합부(153)를 승하강시키는 승하강부(154)를 포함할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 회전부(150)는 표시장치(10)의 전면(10a) 또는 후면(10b)이 위를 향하도록 뒤집을 수 있는 다양한 회전 구조가 적용될 수 있다.Referring to FIG. 17 , the rotating unit 150 includes a first coupling unit 151 coupled to the display device 10 and a rotating shaft 152 coupled between the first coupling unit 151 and the second coupling unit 153 . and an elevating unit 154 for elevating and lowering the second coupling unit 153 . However, the present invention is not limited thereto, and various rotational structures in which the front surface 10a or the rear surface 10b of the display device 10 can be turned over may be applied to the rotation unit 150 .

도 18은 표시장치의 회로기판의 전극패드가 프로브에 전기적으로 연결된 상태를 보여주는 도면이고, 도 19는 표시장치의 회로기판의 전극패드가 프로브에 전기적으로 연결되어 전원이 인가되는 상태를 보여주는 도면이고, 도 20은 불량인 트랜지스터에 레이저를 조사하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 21은 불량인 트랜지스터가 제거된 상태를 보여주는 도면이다.18 is a view showing a state in which the electrode pad of the circuit board of the display device is electrically connected to the probe, and FIG. 19 is a view showing a state in which power is applied by connecting the electrode pad of the circuit board of the display device electrically to the probe. , FIG. 20 is a view showing a process of irradiating a laser to a defective transistor, and FIG. 21 is a view showing a state in which the defective transistor is removed.

도 18 내지 도 20을 참조하면, 표시장치(10)의 회로기판(14)의 전극패드는 프로브(147)와 전기적으로 연결될 수 있다. 프로브(147)를 통해 전원이 인가되면 GIP 회로(12)에 내장된 복수 개의 트랜지스터에는 전원이 인가될 수 있다. 이때 복수 개의 트랜지스터 중에서 불량인 트랜지스터는 미리 정해진 기준치보다 높은 열을 발생시킬 수 있다. 18 to 20 , the electrode pad of the circuit board 14 of the display device 10 may be electrically connected to the probe 147 . When power is applied through the probe 147 , power may be applied to a plurality of transistors built in the GIP circuit 12 . In this case, a defective transistor among the plurality of transistors may generate heat higher than a predetermined reference value.

따라서, 제어부(181)는 검출부(133)에서 획득한 열상 이미지를 통해 미리 정해진 기준치보다 높은 열을 발생시키는 트랜지스터를 불량인 것으로 판단할 수 있다.Accordingly, the controller 181 may determine that the transistor that generates heat higher than a predetermined reference value is defective through the thermal image acquired by the detector 133 .

그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 불량 트랜지스터를 검출하는 방법은 다양하게 변형될 수 있다. 예시적으로 열화상 카메라 대신에 테스트 회로를 연결하여 불량 여부를 판단할 수도 있다. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and a method for detecting a bad transistor may be variously modified. Exemplarily, a test circuit may be connected instead of the thermal imaging camera to determine whether there is a defect.

도 21을 참조하면, 먼저 제1 레이저 유닛(123)을 불량 트랜지스터 영역의 상부로 이동시켜 레이저를 조사하여 불량 트랜지스터를 제거할 수 있다. 제1 레이저 유닛(123)에 의해 레이저가 조사되면 패널 내의 베젤 부분과 편광판(pol) 부분이 제거될 수 있다. 제1 레이저 유닛(123)은 CO2 레이저일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. Referring to FIG. 21 , the defective transistor may be removed by first moving the first laser unit 123 to the upper portion of the defective transistor region and irradiating the laser. When the laser is irradiated by the first laser unit 123 , the bezel part and the polarizing plate pol part in the panel may be removed. The first laser unit 123 may be a CO2 laser, but is not limited thereto.

이후 제2 레이저 유닛(134)에 의해 리페어 작업을 진행할 수 있다. 제2 레이저 유닛(134)은 256nm 파장대의 레이저 광을 조사하여 회로를 리페어할 수 있다. 예시적으로, 불량인 트랜지스터가 이웃한 트랜지스터(또는 배선) 등과 쇼트되어 불량이 발생한 것이라면 쇼트인 부분을 제거하여 리페어할 수 있다.Thereafter, a repair operation may be performed by the second laser unit 134 . The second laser unit 134 may repair the circuit by irradiating laser light in a wavelength band of 256 nm. For example, if a defective transistor is short-circuited with a neighboring transistor (or wiring) and the like, and the defect has occurred, the short-circuited portion may be removed and repaired.

이러한 리페어 방법은 기존의 LCD 또는 OLED 소자의 회로 리페어 방법이 제한 없이 적용될 수 있다. 또한, 필요에 따라서는 불량인 트랜지스터를 검출만 할 수도 있고, 불량인 트랜지스터를 제거까지만 수행할 수도 있다.Such a repair method may be applied without limitation to a circuit repair method of an existing LCD or OLED device. In addition, if necessary, only the detection of the defective transistor may be performed, or only the removal of the defective transistor may be performed.

도 22는 표시장치에 회전부가 결합된 상태를 보여주는 도면이고, 도 23은 회전부에 의해 표시장치가 뒤집힌 상태를 보여주는 도면이고, 도 24는 표시장치가 디스펜서의 하부로 이동한 상태를 보여주는 도면이고, 도 25는 표시장치의 후면에 레진이 도포된 상태를 보여주는 도면이다.22 is a view showing a state in which the rotating part is coupled to the display device, FIG. 23 is a view showing a state in which the display device is turned over by the rotating part, and FIG. 24 is a view showing a state in which the display device is moved to the lower part of the dispenser, 25 is a view showing a state in which a resin is applied to the rear surface of the display device.

도 22 내지 도 24를 참조하면, 회전부(150)는 표시장치(10)의 후면(10b)이 위를 향하도록 회전시킨 후 제1 구동 모듈(120)의 디스펜서(124)의 하부에 배치시킬 수 있다. 도 25를 참조하면, 전극패드(14a)가 노출된 표시장치(10)의 후면(10b)에 레진을 도포하여 몰딩할 수 있다. 레진의 종류는 특별히 한정되지 않으나 제거 영역의 재질과 유사한 종류가 선택될 수 있다.22 to 24 , the rotating unit 150 may be disposed under the dispenser 124 of the first driving module 120 after the rear surface 10b of the display device 10 is rotated to face upward. have. Referring to FIG. 25 , a resin may be applied to the rear surface 10b of the display device 10 to which the electrode pad 14a is exposed and then molded. The type of the resin is not particularly limited, but a type similar to the material of the removal area may be selected.

도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법의 순서도이다.26 is a flowchart of an inspection method according to an embodiment of the present invention.

도 26을 참조하면, 실시예에 따른 검사 방법은, GIP 회로(12)를 포함하는 표시장치(10)의 후면(10b)에 노출된 전극패드(14a)와 프로브(147)를 전기적으로 연결하는 단계(S110), GIP 회로(12) 내에 배치된 복수 개의 트랜지스터 중 불량인 트랜지스터를 검출하는 단계(S120), 복수 개의 트랜지스터 중 불량인 트랜지스터를 리페어하는 단계(S130), 및 전극패드(14a) 상에 레진을 도포하는 단계(S140)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 26 , the inspection method according to the embodiment electrically connects the electrode pad 14a exposed on the rear surface 10b of the display device 10 including the GIP circuit 12 and the probe 147 . Step S110, detecting a defective transistor among the plurality of transistors disposed in the GIP circuit 12 (S120), repairing the defective transistor among the plurality of transistors (S130), and on the electrode pad 14a It may include a step (S140) of applying a resin to the.

전기적으로 연결하는 단계 이전에, GIP 회로(12)를 포함하는 표시장치(10)의 후면(10b)에 레이저를 조사하여 전극패드(14a)를 노출시키는 단계 및 프로브(147)와 연결 가능하도록 표시장치(10)를 뒤집는 단계를 더 포함할 수 있다.Before the step of electrically connecting, the step of exposing the electrode pad 14a by irradiating a laser to the rear surface 10b of the display device 10 including the GIP circuit 12 and displaying the electrode pad 14a so as to be connectable with the probe 147 The step of inverting the device 10 may further include.

전극패드(14a)를 노출시키는 단계는, 제1 레이저 유닛(123)이 표시장치의 후면(10b)에 배치된 회로기판(14)에 레이저를 조사하여 회로기판(14)의 전극패드(14a)를 노출시킬 수 있다. 제1 레이저 유닛(123)의 종류는 특별히 한정하지 않는다. 즉, GIP 회로(12)와 연결된 복수 개의 전극패드(14a)만이 노출되도록 레이저를 조사할 수 있다. 예시적으로 제1 레이저는 CO2 레이저일 수 있다.In the step of exposing the electrode pad 14a, the first laser unit 123 irradiates a laser to the circuit board 14 disposed on the rear surface 10b of the display device to thereby irradiate the electrode pad 14a of the circuit board 14. can be exposed. The type of the first laser unit 123 is not particularly limited. That is, the laser may be irradiated so that only the plurality of electrode pads 14a connected to the GIP circuit 12 are exposed. Exemplarily, the first laser may be a CO2 laser.

전극패드(14a)와 프로브(147)를 전기적으로 연결하는 단계(S110)는, 도 4 및 도 5와 같이 구동부(143)에 의해 안착부(141)의 하부로 프로브(147)가 이동하여 전극패드(14a)에 결합할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 도 18 및 도 19와 같이 표시장치(10)가 프로브(147)의 상부로 이동하여 결합할 수도 있다.In the step (S110) of electrically connecting the electrode pad 14a and the probe 147 to the electrode 147, the probe 147 is moved to the lower part of the seating part 141 by the driving part 143 as shown in FIGS. 4 and 5 . It may be coupled to the pad 14a. However, the present invention is not limited thereto, and as shown in FIGS. 18 and 19 , the display device 10 may move to an upper portion of the probe 147 to be coupled thereto.

불량인 트랜지스터를 검출하는 단계(S120)는, 표시장치(10)의 회로기판(14)의 전극패드는 프로브(147)와 전기적으로 연결될 수 있다. 프로브(147)를 통해 전원이 인가되면 GIP 회로(12)에 내장된 복수 개의 트랜지스터에는 전원이 인가될 수 있다. 이때 복수 개의 트랜지스터 중에서 불량인 트랜지스터는 미리 정해진 기준치보다 높은 열을 발생시킬 수 있다. In the step of detecting the defective transistor ( S120 ), the electrode pad of the circuit board 14 of the display device 10 may be electrically connected to the probe 147 . When power is applied through the probe 147 , power may be applied to a plurality of transistors built in the GIP circuit 12 . In this case, a defective transistor among the plurality of transistors may generate heat higher than a predetermined reference value.

따라서, 제어부(181)는 검출부(133)에서 획득한 열상 이미지를 통해 미리 정해진 기준치보다 높은 열을 발생시키는 트랜지스터를 불량인 것으로 판단할 수 있다.Accordingly, the controller 181 may determine that the transistor that generates heat higher than a predetermined reference value is defective through the thermal image acquired by the detector 133 .

불량인 트랜지스터를 리페어하는 단계(S130)는, 먼저 제1 레이저 유닛(123)을 불량 트랜지스터 영역의 상부로 이동시켜 레이저를 조사하여 불량 트랜지스터를 제거할 수 있다. 제1 레이저 유닛(123)에 의해 레이저가 조사되면 패널 내의 베젤 부분과 편광판(pol) 부분이 제거될 수 있다. 제1 레이저 유닛(123)은 CO2 레이저일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. In the step of repairing the defective transistor ( S130 ), the defective transistor may be removed by first moving the first laser unit 123 to the upper portion of the defective transistor region and irradiating the laser. When the laser is irradiated by the first laser unit 123 , the bezel part and the polarizing plate pol part in the panel may be removed. The first laser unit 123 may be a CO2 laser, but is not limited thereto.

이후 제2 레이저 유닛(134)에 의해 리페어 작업을 진행할 수 있다. 제2 레이저 유닛(134)은 256nm 파장대의 레이저 광을 조사하여 회로를 리페어할 수 있다. 예시적으로, 불량 트랜지스터가 이웃한 트랜지스터(또는 배선) 등과 쇼트되어 불량이 발생한 것이라면 쇼트인 부분을 제거하여 리페어할 수 있다.Thereafter, a repair operation may be performed by the second laser unit 134 . The second laser unit 134 may repair the circuit by irradiating laser light in a wavelength band of 256 nm. For example, if the defective transistor is short-circuited with a neighboring transistor (or wiring) and the like, and a defect has occurred, the short-circuited portion may be removed and repaired.

이러한 리페어 방법은 기존의 LCD 또는 OLED 소자의 회로 리페어 방법이 제한 없이 적용될 수 있다. 또한, 필요에 따라서는 불량인 트랜지스터를 검출만 할 수도 있고, 불량인 트랜지스터를 제거까지만 수행할 수도 있다.Such a repair method may be applied without limitation to a circuit repair method of an existing LCD or OLED device. In addition, if necessary, only the detection of the defective transistor may be performed, or only the removal of the defective transistor may be performed.

전극패드(14a) 상에 레진을 도포하는 단계(S140)는, 전극패드(14a)가 노출된 표시장치(10)의 후면(10b)에 레진을 도포하여 몰딩할 수 있다. 레진의 종류는 특별히 한정되지 않으나 제거 영역의 재질과 유사한 종류가 선택될 수 있다.In the step of applying the resin on the electrode pad 14a ( S140 ), the resin may be applied to the rear surface 10b of the display device 10 to which the electrode pad 14a is exposed and then molded. The type of the resin is not particularly limited, but a type similar to the material of the removal area may be selected.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

Claims (11)

GIP 회로와 회로기판을 포함하는 표시장치의 후면이 노출되는 개구부가 형성된 안착부;
상기 개구부로 노출된 상기 회로기판의 전극패드와 전기적으로 연결되는 프로브;
상기 프로브를 상기 회로기판의 전극패드와 전기적으로 연결시키는 구동부;
상기 프로브를 통해 상기 회로기판의 전극패드에 전원을 인가하는 전원부; 및
상기 회로기판의 전극패드와 연결된 GIP 회로 내에 배치된 복수 개의 트랜지스터 중 불량인 트랜지스터를 검출하는 검출부를 포함하는 검사 장치.
a seating part having an opening through which a rear surface of a display device including a GIP circuit and a circuit board is exposed;
a probe electrically connected to the electrode pad of the circuit board exposed through the opening;
a driving unit electrically connecting the probe to an electrode pad of the circuit board;
a power supply unit for applying power to the electrode pad of the circuit board through the probe; and
and a detection unit configured to detect a defective transistor among a plurality of transistors disposed in a GIP circuit connected to an electrode pad of the circuit board.
 제1항에 있어서,
상기 검출부는 상기 복수 개의 트랜지스터의 온도를 감지하는 열화상 장치인 검사 장치.
According to claim 1,
The detector is a thermal imaging device that detects the temperatures of the plurality of transistors.
 제1항에 있어서,
상기 검출부는 상기 복수 개의 트랜지스터의 정상 동작여부를 검사하는 테스트 회로를 포함하는 검사 장치.
According to claim 1,
and the detection unit includes a test circuit that tests whether the plurality of transistors operate normally.
 제1항에 있어서,
상기 구동부는 상기 안착부의 하부에 배치된 프레임을 따라 이동 가능한 제1 구동부, 및 상기 프로브를 승강시켜 상기 회로기판의 전극패드와 전기적으로 연결하는 제2 구동부를 포함하는 검사 장치.
According to claim 1,
The driving unit includes a first driving unit movable along a frame disposed under the seating unit, and a second driving unit electrically connecting the probe to the electrode pad of the circuit board by elevating the probe.
 제4항에 있어서,
상기 프로브와 상기 전극패드의 정렬 이미지를 획득하는 카메라를 포함하고,
상기 제1 구동부는 상기 프로브와 상기 전극패드를 정렬시키도록 조정되는 검사 장치.
5. The method of claim 4,
A camera for obtaining an alignment image of the probe and the electrode pad,
The first driving unit is adjusted to align the probe and the electrode pad.
 제1항에 있어서,
상기 표시장치의 후면에 레이저를 조사하여 상기 전극패드를 노출시키는 제1 레이저 유닛을 포함하는 검사 장치.
According to claim 1,
and a first laser unit irradiating a laser to a rear surface of the display device to expose the electrode pad.
 제1항에 있어서,
상기 불량인 트랜지스터를 리페어하는 제2 레이저 유닛을 포함하는 검사 장치.
According to claim 1,
and a second laser unit for repairing the defective transistor.
 제1항에 있어서,
상기 노출된 전극패드에 수지를 도포하는 디스펜서를 포함하는 검사 장치.
According to claim 1,
Inspection apparatus including a dispenser for applying a resin to the exposed electrode pad.
 제6항에 있어서,
상기 전극패드가 상기 프로브와 연결 가능하도록 상기 표시장치를 뒤집는 회전부를 포함하는 검사 장치.
7. The method of claim 6,
and a rotating part that turns the display device over so that the electrode pad can be connected to the probe.
 GIP 회로를 포함하는 표시장치의 후면에 노출된 전극패드와 프로브를 전기적으로 연결하는 단계;
상기 GIP 회로 내에 배치된 복수 개의 트랜지스터 중 불량인 트랜지스터를 검출하는 단계;
상기 복수 개의 트랜지스터 중 불량인 트랜지스터를 리페어하는 단계; 및
상기 전극패드 상에 수지를 도포하는 단계를 포함하는 검사 방법.
electrically connecting an electrode pad exposed on a rear surface of a display device including a GIP circuit and a probe;
detecting a defective transistor among a plurality of transistors disposed in the GIP circuit;
repairing a defective transistor among the plurality of transistors; and
and applying a resin on the electrode pad.
 제10항에 있어서,
상기 전기적으로 연결하는 단계 이전에,
상기 GIP 회로를 포함하는 표시장치의 후면에 레이저를 조사하여 상기 전극패드를 노출시키는 단계를 더 포함하는 검사 방법. 11. The method of claim 10,
Before the step of electrically connecting,
The method further comprising exposing the electrode pad by irradiating a laser to the rear surface of the display device including the GIP circuit.
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