KR20210135575A

KR20210135575A - 강판

Info

Publication number: KR20210135575A
Application number: KR1020217032230A
Authority: KR
Inventors: 유야 스즈키; 겐고 다케다
Original assignee: 닛폰세이테츠 가부시키가이샤
Priority date: 2019-04-24
Filing date: 2020-04-24
Publication date: 2021-11-15
Also published as: JPWO2020218575A1; US20220119928A1; CN113454258B; MX2021009677A; JP7147968B2; CN113454258A; US11555234B2; EP3960892A1; EP3960892A4; KR102647647B1; WO2020218575A1

Abstract

본 발명은, 성형성 및 용접성을 양립하는 강판에 관한 것이다. 본 발명의 강판은, 강판의 표면으로부터 판 두께 방향으로 30㎛까지의 영역인 표층부에 있어서, Si 산화물 입자가 3000 내지 6000개/㎟인 개수 밀도로 존재하고, ㎛ 단위로 측정한 Si 산화물 입자의 입경의 자연대수는, 평균이 -2.0 내지 -1.2, 표준 편차가 0.6 이하이고, 입경의 자연대수의 평균으로부터의 어긋남이 표준 편차의 2배보다도 커지는 Si 산화물 입자의 수가 전체 Si 산화물 입자수의 5％ 이하이고, 강판의 판 두께의 1/2의 위치에 있어서, Si 산화물 입자의 개수 밀도는 1000개/㎟ 이하인 것을 특징으로 한다.

Description

강판

본 발명은, 강판에 관한 것이다.

근년, 환경 보전으로 이어지는 자동차의 연비 향상 등의 관점에서, 자동차용 강판을 고강도화하여 얇게 하고, 자동차를 경량화하는 것이 요구되고 있다. 또한, 자동차 부품에 사용되는 강판은, 다양한 형태로 성형되기 때문에, 우수한 성형성이 요구된다. 또한, 자동차의 조립 공정에서는 성형 부품이 용접되기 때문에, 자동차의 구조 부품에 사용되는 강판의 선정 기준으로서는, 양호한 용접성도 중요하다.

그런데, 아연 도금을 실시한 강판, 특히 고강도의 강판의 용접에서는, 예를 들어 하기 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 액체 금속 취화(LME) 균열에 의한 용접성의 저하가 문제가 되는 경우가 있다. LME 균열은, 용접 시에 강판의 표층부의 오스테나이트 입계에 침입한 용융 아연이 강판을 취화시켜서, 용접 시에 인장 응력이 강판에 더 가해짐으로써, 발생한다고 생각된다.

일본 특허 제6388099호 공보

상기한 바와 같이 LME 균열은 용융 아연이 강판의 표층부의 오스테나이트 입계에 침입하는 것에 기인하여 발생한다고 생각된다. 그 때문에, 강판의 용접성에는, 표층부의 상태가 크게 영향을 미친다고 생각된다. 그래서, 본 발명은, 성형성 및 용접성을 양립할 수 있는 강판을 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명자들은, 강판의 표층부의 오스테나이트 입계에 대한 용융 아연의 침입을 억제함으로써, LME 균열을 억제하여 강판의 용접성을 개선할 수 있다고 생각하였다.

우선, 본 발명자들은 표층부에 다수의 Si 산화물 입자가 분포한 강판을 복수 제작하고, 이들 강판의 용접성을 조사하였다. 그 결과, 이들 강판은, 모두 용접성이 개선되고 있었다. 이 효과의 메커니즘은, 완전하게 명백하지는 않지만, 이하와 같이 생각된다.

강판의 표층부에 분포하는 Si 산화물 입자는, 용접 시의 냉각 중에 페라이트의 핵 생성 사이트가 됨으로써 페라이트 변태를 촉진할 수 있다. 또한, 용접 중에 고온에서 Si 산화물 입자가 용해되었다고 해도, 고용 Si는, 페라이트 생성 원소로서 작용함으로써, 페라이트 변태를 촉진할 수 있다. 이와 같이 페라이트 변태가 촉진되면, 많은 페라이트가 오스테나이트 입계에 생성된다. 그리고, 강판의 표층부에 있어서, 오스테나이트 입계에 생성된 페라이트에 의해 오스테나이트 입계에 대한 용융 아연의 침입이 억제된다고 생각된다. 그 결과, LME 균열이 억제되어, 강판의 용접성이 개선된다고 생각된다.

단, Si 산화물 입자의 분포 상태에 따라, 용접성은 개선되는 한편 성형성은 열화되는 경우가 있음을 알게 되어, 본 발명자들은 보다 상세한 조사를 계속하였다. 그 결과, 본 발명자들은, 강판의 표층부에 있어서의 Si 산화물 입자의 분포를 적절하게 제어하는 것이 성형성을 열화시키지 않기 때문에 중요하다는 것을 알아내었다.

상술한 바와 같이 하여 얻어진 본 발명의 요지는 이하와 같다.

(1) 인장 강도가 600MPa 이상의 강판이며, 상기 강판의 표면으로부터 판 두께 방향으로 30㎛까지의 영역을 표층부라고 정의할 때, 적어도 편면측의 표층부에 있어서, 입경 20㎚ 이상의 Si 산화물 입자가 3000 내지 6000개/㎟ 이하의 개수 밀도로 존재하고, ㎛ 단위로 측정한 상기 Si 산화물 입자의 입경의 자연대수는, 평균이 -2.0 내지 -1.2, 표준 편차가 0.6 이하이고, 상기 입경의 자연대수의 상기 평균으로부터의 어긋남이 상기 표준 편차의 2배보다도 커지는 Si 산화물 입자의 수가 입경 20㎚ 이상인 전체 Si 산화물 입자수의 5％ 이하이고, 상기 강판의 표면으로부터 판 두께의 1/4의 위치에 있어서의 화학 조성이, 질량％로, C: 0.050 내지 0.800％, Si: 0.01 내지 2.50％, Mn: 0.01 내지 8.0％, P: 0.1000％ 이하, S: 0.0500％ 이하, Al: 0.050％ 이하, N: 0.0100％ 이하, O: 0 내지 0.020％, Cr: 0 내지 3.00％, Mo: 0 내지 1.00％, B: 0 내지 0.0100％, Ti: 0 내지 0.200％, Nb: 0 내지 0.200％, V: 0 내지 0.20％, Cu: 0 내지 1.000％ 및 Ni: 0 내지 1.000％, 잔부: Fe 및 불순물이며, 강판의 판 두께의 1/2의 위치에 있어서, Si 산화물 입자의 개수 밀도는 1000개/㎟ 이하인 것을 특징으로 하는 강판.

(2) 상기 화학 조성이, Cr: 0.01 내지 3.00％, Mo: 0.01 내지 1.00％, B: 0.001 내지 0.0100％, Ti: 0.010 내지 0.200％, Nb: 0.010 내지 0.200％, V: 0.01 내지 0.20％, Cu: 0.010 내지 1.000％, Ni: 0.010 내지 1.000％로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 상기 (1)에 기재된 강판.

(3) 상기 표층부의 표면에, 용융 아연 도금층, 합금화 용융 아연 도금층 또는 전기 아연 도금층을 더 포함하는, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 강판.

본 발명에 따르면, 성형성 및 용접성을 양립할 수 있는 강판을 제공할 수 있다. 이와 같은 본 발명의 강판은, 자동차 부품용 소재 등으로서 적합하다.

도 1은 본 발명의 강판 제조 방법의 연속 주조 공정에 있어서, 용강의 표층부에 산화철을 첨가하는 방법의 일례를 나타내는 모식도이다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 이하에 예시하는 실시 형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하여 해석하기 위한 것은 아니다. 본 발명은, 그 취지를 일탈하지 않고, 이하의 실시 형태로부터 변경, 개량할 수 있다. 또한, 수치 범위의 표현에 있어서의 "내지"는, 그 좌측의 숫자를 하한으로서 포함하고, 우측의 숫자를 상한으로서 포함하는 것을 의미한다.

본 실시 형태에 따른 강판의 인장 강도는, 600MPa 이상으로 되고, 바람직하게는 900MPa 이상으로 된다. 본 실시 형태에 따른 강판에 있어서는, 강판의 표면으로부터의 판 두께 방향으로 30㎛까지의 영역을 표층부라고 정의하고, 표층부로부터 판 두께 방향의 내측 영역을 강판 중심부라고 정의한다. 본 실시 형태에 따른 강판의 표층부는, 이하에 설명하는 조건을 충족한다.

강판의 적어도 편면측의 표층부에는 Si 산화물 입자가 존재한다. 표층부는 강판의 편면측에만 형성되어도 되고, 강판의 양면측에 형성되어도 된다. 본 실시 형태에 있어서, Si 산화물 입자의 개수 밀도는 3000 내지 6000개/㎟이다. 또한, 본 실시 형태에 있어서의 Si 산화물 입자의 입경은, 각각 이하의 입경 분포에 따른다. 즉, ㎛ 단위로 측정한 Si 산화물 입자의 입경의 자연대수는, 평균이 -2.0 내지 -1.2, 표준 편차가 0.6 이하이다. 또한, Si 산화물 입자 중 입경의 자연대수의 평균으로부터의 어긋남이 표준 편차의 2배를 초과하는 것의 개수가, 표층부에 있어서의 측정 대상의 전체 Si 산화물 입자의 개수 5％ 이하이다. 상기 Si 산화물의 조건을 충족함으로써, 600MPa 이상, 바람직하게는 900MPa 이상의 인장 강도를 갖는 고강도 강판에 대하여, 성형성 및 용접성을 양립하는 것이 가능하다.

㎛ 단위로 측정한 Si 산화물 입자의 입경의 자연대수의 평균은 -1.2 이하이다. 이에 의해, 강판의 성형 시에 조대한 Si 산화물 입자가 기점으로 되어 균열이 발생하는 것이 억제되어, 강판의 성형성의 열화가 억제된다. 그 관점에서, 당해 평균은 -1.3 이하인 것이 보다 바람직하고, -1.5 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서 성형성이란, 압연 방향에 직각으로 일본 공업 규격 JIS5호 시험편을 강판으로부터 채취하고, JIS Z 2241(2011)에 준거하여 당해 시험편에 인장 시험을 행하여 얻어지는 전체 신율을 가리킨다. 한편, ㎛ 단위로 측정한 Si 산화물 입자의 입경의 자연대수의 평균이 -2.0 이상이 됨으로써, 강판의 용접성이 개선된다. 그 관점에서, 당해 평균은, -1.9 이상인 것이 바람직하고, -1.7 이상인 것이 더욱 바람직하다.

또한, ㎛ 단위로 측정한 Si 산화물 입자의 입경의 자연대수의 표준 편차는 0.6 이하이다. 이에 의해, 강판의 성형 시에 조대한 Si 산화물 입자가 기점으로 되어 균열이 발생하는 것이 억제되어, 강판의 성형성의 열화가 억제된다. 당해 표준 편차의 하한은 이상적으로는 0이다. 단, 당해 표준 편차의 하한을 0.1 미만으로 하는 것은 기술적으로 곤란하다. 이 때문에, 당해 표준 편차의 하한을 0.1로 해도 된다.

또한, 상기 입경 분포에 있어서, 입경의 자연대수가 평균에 대하여 표준 편차의 2배를 초과하는 Si 산화물 입자의 비율은, 전체 Si 산화물 입자의 5％ 이하이다. 이와 같이 Si 산화물 입자의 입경이 제어됨으로써, 강판의 성형 시에 조대한 Si 산화물 입자가 기점으로 되어 균열이 발생하는 것이 억제되어, 강판의 성형성의 열화가 억제된다. 상기 비율의 하한은 이상적으로는 0이다. 단, 상기 비율을 1％ 미만으로 하는 것은 기술적으로 곤란하므로, 하한을 1％로 해도 된다.

강판의 적어도 편면측의 표층부에 존재하는 다수의 Si 산화물 입자의 개수 밀도는, 3000 내지 6000개/㎟이다. 강판의 표층부에 존재하는 Si 산화물 입자의 개수 밀도를 3000개/㎟ 이상으로 함으로써, LME 균열이 억제되어, 용접성이 향상된다. 한편, 강판의 표층부에 존재하는 Si 산화물 입자의 개수 밀도를 6000개/㎟ 이하로 함으로써, 강판의 성형성의 열화가 억제된다. 이 관점에서, Si 산화물 입자의 개수 밀도는, 5500개/㎟ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5000개/㎟ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

또한, 상기와 같은 다수의 Si 산화물 입자는, 표면으로부터 30㎛까지의 범위인 표층부를 초과해서 존재해도 된다. 강판의 양면측에 다수의 Si 산화물 입자가 존재하는 경우, 각각의 표층부가 마찬가지의 조건에서 형성되어도 되며, 각각의 표층부가 서로 다른 조건에서 형성되어도 된다. 그 때, 한쪽의 표층부가 상기 조건을 충족하면 다른 쪽의 표층부는 상기 조건을 충족하지 않아도 되지만, 양쪽의 표층부가 상기 조건을 충족하는 것이 바람직하다. 상기 조건을 충족하는 표층부를 접합면으로 하면, LME 균열을 억제할 수 있다.

본 발명에 있어서, 「표층부의 Si 산화물 입자의 개수 밀도」 및 「표층부의 Si 산화물 입자의 입경 분포」는, 이하와 같이 하여 결정된다.

Si 산화물 입자의 개수와 입경은, 강판의 압연 방향 및 판 두께 방향으로 평행한 단면을 10000배의 배율로 관찰함으로써 동정할 수 있다. 구체적으로는, 우선, 잘라낸 강판의 단면을 기계 연마에 의해 경면으로 마무리한 후, 나이탈 시약을 사용하여 강 조직을 현출시킨다. 그 후, 강판의 표면으로부터 판 두께 방향으로 15㎛의 위치(표층부의 두께의 1/2의 위치)를 중심으로 하는 0.04㎟의 영역(표층부에 포함되는 영역)에 있어서, 주사형 전자 현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)을 사용하여 강 조직을 관찰한다. 이와 같이 하여 관찰하여 산출한 Si 산화물 입자의 개수를 1㎟당 개수로 환산한 값을 「표층부의 Si 산화물 입자의 개수 밀도」로 한다. 또한, 상기 영역 내에서 측정하여 얻어지는 Si 산화물 입자의 입경(외접원 상당 직경)과, 각 입경의 값이 측정되는 빈도를, 「표층부의 Si 산화물 입자의 입경 분포」로 한다. 여기서, 상기 Si 산화물 입자의 개수에 포함하는 Si 산화물 입자는, 입경이 20㎚ 이상인 것으로 한다.

이 효과의 메커니즘은, 완전하게 명백하지는 않지만, 이하와 같이 생각된다. 표층부에 존재하는 Si 산화물 입자의 입경이 상기 입경 분포에 따르지 않는 경우, 표층부에 조대한 Si 산화물 입자가 많이 존재하는 경향이 있다고 생각된다. 이들의 조대한 Si 산화물 입자는 강판의 성형 시에 변형이나 응력이 집중되는 원인으로 되고, 보이드가 생성됨으로써 균열의 기점이 될 가능성이 있다. 한편, 표층부에 분포하는 다수의 Si 산화물 입자의 입경이 상기 입경 분포에 따름으로써, 상기와 같이 페라이트 변태를 촉진하면서 조대한 Si 산화물 입자에 의한 균열의 발생이 억제될 수 있다. 그 때문에, 강판의 성형성의 열화를 억제하면서 용접성을 개선할 수 있었다고 생각된다.

또한, 강판의 표층부 이외의 부위에서의 Si 산화물 입자의 개수 밀도나 입경에 의한 강판의 용접성에 대한 현저한 영향은 확인되지 않았다. 이러한 점에서, 종래, 용접성이 불리하던, 연성이 우수한 DP(Dual Phase) 강이나 TRIP(변태 유기 소성: Transformation Induced Plasticity) 강 등을 강판 중심부에 사용하는 경우에도, 표층부를 상기와 같이 형성함으로써, 용접성이 우수한 강판으로 할 수 있다는 점이, 본 발명의 우수한 점의 하나이다.

단, 강판의 성형성의 열화를 억제하는 관점에서, 강판 중심부에 존재하는 Si 산화물 입자의 개수 밀도는 작은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 강판의 판 두께 방향의 중심(판 두께의 1/2의 위치)에 있어서, Si 산화물 입자의 개수 밀도는 1000개/㎟ 이하로 한다. 당해 영역 내에 있어서, 판 두께의 1/2의 위치를 중심으로 하는 0.04㎟의 영역을, 상기와 마찬가지로 10000배의 배율로 강 조직을 관찰한다. 이와 같이 관찰하여 산출한 Si 산화물 입자의 개수를 1㎟당 개수로 환산한 값을, 강판 중심부의 Si 산화물 입자의 개수 밀도로 한다.

이와 같이 표층부를 개질함으로써, 성형성 및 용접성을 양립한 강판을 얻을 수 있다.

계속해서, 본 발명의 강판의 화학 조성에 대하여 설명한다. 본 발명의 강판에 있어서, 강판 중심부의 화학 조성은, 이하의 조건을 충족하는 것이 바람직하다. 강판 중심부의 화학 조성은, 강판의 표면으로부터 판 두께의 1/4의 위치에 있어서 측정되는 화학 조성을 의미하는 것으로 한다. 원소의 함유량에 관한 「％」는, 특별히 언급이 없는 한 「질량％」를 의미한다.

「C: 0.050 내지 0.800％」

C는, 강판의 강도를 높이는 원소이다. C에 의해 강판의 강도를 충분히 높이는 효과를 얻기 위해서는, C의 함유량을 0.050％ 이상으로 한다. 또한, C의 함유량이 0.800％ 이하임으로써, 강판의 인성 저하가 억제될 수 있다. 그 관점에서, C의 함유량은 0.600％ 이하인 것이 바람직하고, 0.500％ 이하인 것이 보다 바람직하다.

「Si: 0.01 내지 2.50％」

Si는, 페라이트를 안정화시키는 원소이다. 즉, Si는, Ac3 변태점을 높이는 점에서, 넓은 어닐링 온도 범위에서 다량의 페라이트를 형성시키는 것이 가능하며, 강판의 조직 제어성의 향상의 관점에서 첨가된다. Si에 의한 이러한 효과를 얻기 위해서는, Si의 함유량을 0.01％ 이상으로 한다. 또한, Si는, 철계 탄화물의 조대화를 억제하고, 강판의 강도와 성형성을 높이는 원소이기도 하다. 또한, Si는, 고용 강화 원소로서, 강판의 고강도화에 기여하기 위해서 첨가된다. 이들 관점에서, Si의 함유량은 1.00％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.20％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 단, Si의 함유량이 많아지면 강판이 취화하여 연성이 열화되는 경우가 있다. 이 때문에, Si의 함유량은 2.50％ 이하로 한다. Si의 함유량은 2.20％ 이하인 것이 바람직하고, 2.00％ 이하인 것이 보다 바람직하다.

「Mn: 0.1 내지 8.0％」

Mn은, 강의 ??칭성을 높이는 원소이다. Mn에 의한 이러한 효과를 얻기 위해서는, Mn의 함유량을 0.1％ 이상으로 한다. Mn이 편석해서 경도 차가 너무 커지는 것을 억제하는 관점에서는, Mn의 함유량은 8.0％ 이하인 것이 바람직하고, 5.0％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 4.0％인 것이 더욱 바람직하며, 3.0％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

「P: 0.1000％ 이하」

P는, 편석해서 용접부를 취화시키는 경우가 있는 원소이다. 이 때문에, P의 함유량은 적은 것이 바람직하다. 구체적으로는, P의 함유량은 0.1000％ 이하로 한다. P의 함유량의 하한은 0이다. P의 함유량을 0.0010％ 미만으로 하는 것은 경제적으로 불리하므로, 0.0010％를 하한으로 해도 된다.

「S: 0.0500％ 이하」

S는, 강판의 용접성 그리고 주조 시 및 열간 압연 시의 제조성에 악영향을 미치는 경우가 있는 원소이다. 이 때문에, S의 함유량은 적은 것이 바람직하다. 구체적으로는, S의 함유량은 0.0500％ 이하로 한다. S의 함유량의 하한은 0이다. S의 함유량을 0.0001％ 미만으로 하는 것은, 경제적으로 불리하므로, 0.0001％를 하한으로 해도 된다. S의 함유량은 0.0010％ 이상이어도 된다.

「Al: 0.050％ 이하」

Al은, 탈산제로서 작용하는 원소이며, 필요에 따라서 탈산 공정에서 첨가된다. 탈산제로서 Al을 사용하는 경우, 강판에 Al이 잔류하는 경우가 있으므로, 0.050％ 이하의 Al이 함유되어도 된다. Al이 함유될 필요는 없으므로, 하한은 0이다. 제조성의 관점에서, 하한을 0.0001％로 해도 된다.

「N: 0.0100％ 이하」

N은, 조대한 질화물을 형성하고, 강판의 굽힘성을 열화시키는 경우가 있다. 또한, N은, 용접 시의 블로우홀 발생의 원인이 되는 경우가 있다. 따라서, N의 함유량은 적은 것이 바람직하다. 구체적으로는, N의 함유량은 0.0100％ 이하로 한다. N의 함유량의 하한은 0이다. N의 함유량을 0.0005％ 미만으로 하는 것은 경제적으로 불리하므로, 0.0005％를 하한으로 해도 된다.

「O: 0 내지 0.020％」

O는 표층에 Si 산화물을 형성하기 위해서 필요한 원소이다. 단, 표층부에 Si 산화물이 형성되어 있으면, 표면으로부터 판 두께의 1/4의 위치에 있어서는, O는 존재하지 않아도 된다. 따라서, 표면으로부터 판 두께의 1/4의 위치에 있어서의 O의 함유량의 하한은 0이다. 단, 표층부에 효율적으로 Si 산화물을 형성하기 위해서, 0.001％를 하한으로 해도 된다. 표면으로부터 판 두께의 1/4의 위치의 O양이 많아지면 신율이 저하되므로, 상한은 0.020％로 한다.

강판 중심부의 화학 조성의 잔부는 Fe 및 불순물이다. 단, Fe의 일부 대신에 이하의 원소를 함유해도 된다.

「Cr: 0 내지 3.00％, Mo: 0 내지 1.00％, B: 0 내지 0.0100％」

Cr, Mo 및 B는, 각각 강의 ??칭성을 높여서 강판의 강도의 향상에 기여하는 원소이다. 이들 원소가 함유됨에 따른 효과는, 이들 원소의 함유량이 소량이어도 얻어진다. 이들 원소의 함유량은 0％여도 되지만, 상기 효과를 충분히 얻기 위해서는, Cr의 함유량은 0.01％ 이상, Mo의 함유량은 0.01％ 이상, B의 함유량은 0.0001％ 이상인 것이 바람직하다. 한편, 강판의 산세성이나 용접성, 열간 가공성 등의 열화를 억제하는 관점에서, Cr의 함유량은 3.00％ 이하, Mo의 함유량은 1.00％ 이하, B의 함유량은 0.0100％ 이하로 한다.

「Ti: 0 내지 0.200％, Nb: 0 내지 0.200％, V: 0 내지 0.20％」

Ti, Nb 및 V는, 각각 강판의 강도의 향상에 기여하는 원소이다. 이들 원소는, 석출물 강화, 페라이트 결정립의 성장 억제에 의한 세립 강화 및 재결정의 억제를 통한 전위 강화에 의해, 강판의 강도 상승에 기여한다. 이들 원소가 함유됨에 따른 효과는, 이들 원소의 함유량이 소량이어도 얻어진다. 이들 원소의 함유량은 0％여도 되지만, 상기 효과를 충분히 얻기 위해서는, Ti, Nb의 각각의 함유량은 0.010％ 이상, V의 함유량은 0.01％ 이상인 것이 바람직하다. 단, 탄질화물의 석출이 많아짐으로써 강판의 성형성이 열화되는 것을 억제하는 관점에서, Ti, Nb의 각각의 함유량은 0.200％ 이하, V의 함유량은 0.20％ 이하로 한다.

「Cu: 0 내지 1.000％, Ni: 0 내지 1.000％」

Cu 및 Ni는 각각 강판의 강도의 향상에 기여하는 원소이다. 이들 원소가 함유됨에 따른 효과는, 이들 원소의 함유량이 소량이어도 얻어진다. 이들 원소의 함유량은 0％여도 되지만, 상기 효과를 충분히 얻기 위해서는, Cu 및 Ni의 함유량은, 각각 0.010％ 이상인 것이 바람직하다. 한편, 강판의 산세성이나 용접성, 열간 가공성 등의 열화를 억제하는 관점에서, Cu 및 Ni의 함유량은 각각 1.000％ 이하로 한다.

또한, 강판 중심부에는, 본 발명의 효과가 얻어지는 범위에서 이하의 원소가 Fe의 일부 대신에 의도적 또는 불가피하게 함유되어도 된다. 즉, 본 실시 형태의 강판은, W: 0 내지 0.1％, Ta: 0 내지 0.1％, Sn: 0 내지 0.05％, Sb: 0 내지 0.05％, As: 0 내지 0.05％, Mg: 0 내지 0.05％, Ca: 0 내지 0.05％, Zr: 00.05％, 그리고 Y: 0 내지 0.05％, La: 0 내지 0.05％, 및 Ce: 0 내지 0.05％ 이하 등의 REM(희토류 금속: Rare-Earth Metal)을 함유해도 된다.

또한, 본 발명의 강판은, 표층부의 표면에 용융 아연 도금층, 합금화 용융 아연 도금층 또는 전기 아연 도금층을 더 포함하고 있어도 된다. 이와 같이 도금층이 형성되는 경우라도 본 발명의 강판은, 상기와 같이 표층부의 개질에 의해 성형성 및 용접성을 양립할 수 있다.

다음으로, 본 발명의 강판을 얻기 위한 제법의 일례에 대하여 설명한다.

본 발명에서는, 표층부에 포함되는 다수의 Si 산화물 입자의 입경을 상기 입경 분포에 따르도록 제어하는 점이 있다. 이하에서는, Si 산화물 입자의 개수 밀도와 입경을 제어하는 본 발명의 강판의 제법을 설명한다. 또한, 본 발명의 강판에는, 열연 강판, 냉연 강판, 도금 강판 등이 포함된다.

[열연 강판]

본 실시 형태에 있어서, 열연 강판을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 와이어 첨가에 의해 표층부의 Si 산화물 입자의 분포를 제어하는 방법, 강판 중심부에 상당하는 강판과 다수의 Si 산화물 입자가 분포한 표층부에 상당하는 강판을 따로따로 제조하고, 이들 강판이 적층되어 접합된 복층 강판으로 하는 방법, 조압연 전의 디스케일링을 조정하여 Si 산화물을 포함하는 스케일을 강판 표면에 남기는 방법이 예시된다.

이하, 와이어 첨가에 의해 표층부의 Si 산화물 입자의 분포를 제어하는 방법에 대하여 설명한다.

상기 강판 중심부의 화학 조성을 충족하는 용강을 턴디쉬로부터 연속 주조기에 흘리는 공정에 있어서, 강판의 표층부에 상당하는 부위에 와이어 형상의 산화철을 첨가하고, 슬래브를 얻는다. 도 1은, 본 발명의 강판의 제조 방법의 연속 주조 공정에 있어서, 와이어 형상의 산화철을 용강의 표층부에 첨가하는 방법을 나타내는 모식도이다. 이와 같이 하여 용강의 표층부에 산화철이 첨가되고, 당해 산화철에 포함되는 산소가 Si와 결합되어 Si 산화물 입자가 형성된다.

와이어 형상의 산화철을 용강에 첨가할 때에는, 1㎜ 이상 50㎜ 이하의 직경을 갖는 와이어 형상의 산화철을 사용한다. 와이어의 직경(와이어 직경)이 1㎜ 이상으로 됨으로써, Si 산화물 입자의 입경이 따르는 상기 입경 분포의 평균을 -2.0 이상으로 할 수 있다. 한편, 와이어 직경이 50㎜ 이하로 됨으로써, 상기 입경 분포의 평균을 -1.2 이하로 할 수 있다. 또한, 와이어 직경이 50㎜ 이하로 됨으로써, 상기 입경 분포의 표준 편차를 0.6 이하로 할 수 있다.

또한, 와이어 형상의 산화철은, 와이어 중심이 용강의 표면으로부터 와이어 직경(㎜ 단위) 이상, 와이어 직경(㎜ 단위)+30㎜ 이하 이격된 위치를 통과하도록, 또한 와이어 중심 간의 간격이 와이어 직경(㎜ 단위) 이상, 와이어 직경(㎜ 단위)+30㎜ 이하가 되도록 용강의 폭 방향으로 복수 배열하여 용강에 첨가한다. 이와 같이 와이어 중심의 위치 및 와이어의 간격이 제어됨으로써, 강판 표층의 Si 산화물의 분포 및 강판 내층의 Si 산화물의 개수 밀도를 적절하게 조정할 수 있다.

또한, 와이어 형상의 산화철은, 와이어의 이송 속도와 용강의 유속의 차가 -500㎜/분 이상 500㎜/분 이하가 되도록 하여, 용강에 첨가한다. 이와 같이 하여 산화철이 용강에 첨가됨으로써, 표층부에 있어서의 Si 산화물 입자의 개수 밀도를 3000개/㎟ 이상 6000개/㎟ 이하로 제어할 수 있다. 와이어의 이송 속도가 빠를수록, Si 산화물 입자의 개수 밀도가 작아지는 경향이 있고, 와이어의 이송 속도가 느릴수록, Si 산화물 입자의 개수 밀도가 커지는 경향이 있다.

상기와 같이 하여, 강판 중심부로 되는 층과 Si 산화물 입자가 분포한 표층부로 되는 층을 갖는 슬래브를 형성한 후, 1100℃ 이상 1350℃ 이하, 바람직하게는 1150℃ 초과 1350℃ 이하의 가열 온도에서 당해 슬래브를 가열한다. 슬래브의 가열 온도가 1100℃ 이상으로 됨으로써, 주조에 기인하는 결정 방위의 이방성을 억제할 수 있다. 한편, 슬래브의 가열 온도를 1350℃ 이하로 함으로써, 제조 비용의 대폭적인 증가를 억제할 수 있다.

상기와 같이 슬래브를 가열한 후, 당해 슬래브를 열간 압연에 제공한다. 이 열간 압연 공정은, 조압연 공정 및 처리 온도 800℃ 이상 980℃ 이하에서의 마무리 압연 공정을 포함한다. 열간 압연의 마무리 온도를 800℃ 이상으로 함으로써, 압연 반력이 높아지는 것을 억제하여, 원하는 판 두께를 안정적으로 얻는 것이 용이해진다. 한편, 열간 압연의 마무리 온도를 980℃ 이하로 함으로써, 슬래브의 가열 종료로부터 열간 압연의 완료까지의 공정에 있어서 별도 가열 장치를 사용하지 않아도 열간 압연을 종료할 수 있어, 강판의 제조 비용의 대폭적인 증가를 억제할 수 있다.

그 후, 550℃ 이상 750℃ 이하의 온도까지 평균 냉각 속도 2.5℃/s 이상에서 상기와 같이 열간 압연된 강판을 냉각한다. 이 냉각 공정은, 강판의 대부분을 저온 변태 조직으로 하고, 강판을 고강도화하기 위해서 필요한 공정이다. 평균 냉각 속도가 2.5℃/s 이상으로 됨으로써, 페라이트 변태나 펄라이트 변태가 억제되어, 강판의 강도 저하를 억제할 수 있다. 평균 냉각 속도는, 바람직하게는 5℃/s 이상, 보다 바람직하게는 10℃/s 이상이다. 단, 750℃보다 높은 온도에서는, 페라이트 변태나 펄라이트 변태는 발생하기 어렵기 때문에, 평균 냉각 속도는 한정되지 않는다. 또한, 550℃보다 낮은 온도에서는, 저온 변태 조직으로 변태하기 때문에, 평균 냉각 속도는 한정되지 않는다.

다음으로, 상기 냉각 공정에 있어서 냉각된 강판을 권취한다. 이 권취 공정에 있어서, 권취 온도는 550℃ 이하로 한다. 권취 온도를 550℃ 이하로 함으로써, 강판의 표층부에서의 페라이트 변태나 펄라이트 변태가 억제된다. 권취 온도는, 바람직하게는 500℃ 이하, 보다 바람직하게는 300℃ 이하이다. 이와 같이 하여, 권취된 본 발명의 열연 강판을 얻을 수 있다.

[냉연 강판]

다음으로, 본 발명에 포함되는 강판 중 냉연 강판을 제조하는 방법의 예를 설명한다.

우선, 상기 열연 강판의 제조예와 마찬가지로 슬래브를 얻은 후, 상기 열연 강판의 제조예와 마찬가지로 슬래브를 가열하여 열간 압연을 행한다. 그 후, 상기 열연 강판의 제조예와 마찬가지로 열간 압연된 강판을 냉각하고, 권취한다. 단, 권취 공정에 있어서, 권취 온도는 20℃ 이상 700℃ 이하로 한다.

다음으로, 상기와 같이 하여 권취된 열연 강판을 권출하여 산세를 행한다. 이 산세 공정은, 열연 강판의 표면 산화물(스케일)을 제거하는 것이며, 1회여도 되고, 복수회로 나누어 행해져도 된다.

다음으로, 냉간 압연을 행한다. 이 냉간 압연 공정에서는, 압하율의 합계가 85％ 이하인 것이 바람직하다. 압하율의 합계가 85％ 이하로 됨으로써, 강판 중심부의 연성 저하가 억제되어, 냉간 압연 중에 강판 중심부가 파단하는 것이 억제된다. 한편, 다음의 어닐링 공정에 있어서 재결정을 충분히 진행시키기 위해서는, 냉간 압연 공정에서의 압하율의 합계가 20％ 이상인 것이 바람직하고, 30％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 냉간 압연 전에, 냉연 하중을 저하시킬 목적으로, 700℃ 이하의 온도에서 강판을 어닐링해도 된다.

상기 냉간 압연 공정의 후, 어닐링을 행한다. 이 어닐링 공정에서는, 강판을 고강도화하기 위해서 강판의 조직의 대부분을 저온 변태 조직으로 하고, 페라이트 변태나 펄라이트 변태를 억제하는 것이 중요하다. 어닐링 공정에서는, 우선, 강판 중심부의 Ac3점 -50℃ 이상, 900℃ 이하의 온도에서 5초 이상 유지한다. 가열 온도를 강판 중심부의 Ac3점 -50℃ 이상으로 하는 이유는, 강판 중심부를 페라이트 및 오스테나이트의 2상역 또는 오스테나이트 단상역에 가열함으로써, 그 후의 열처리에 의해 변태 조직을 얻어, 원하는 강도를 갖는 강판을 얻기 위해서이다. 한편, 어닐링 공정에서의 가열 온도를 900℃ 이하로 함으로써, 강판 중심부의 구 오스테나이트 입경이 조대화하는 것을 억제하여, 강판의 인성이 열화되는 것을 억제할 수 있다.

또한, Ac3점은 하기 식에 의해 구해진다.

여기서, C, Si, Mn, P, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, V 및 Al은 슬래브에 포함되는 각 원소의 함유량[질량％]이다.

상기 어닐링 공정의 후, 550℃ 이상 750℃ 이하의 온도까지 평균 냉각 속도 2.5℃/s 이상에서 어닐링된 강판을 냉각하고, 본 발명의 냉연 강판을 얻을 수 있다. 이 냉각 공정은, 강판을 고강도화하기 위해서 필요한 공정이다. 평균 냉각 속도가 2.5℃/s 이상으로 됨으로써, 페라이트 변태나 펄라이트 변태가 억제되어, 강판의 강도 저하를 억제할 수 있다. 평균 냉각 속도는, 바람직하게는 5℃/s 이상, 보다 바람직하게는 10℃/s 이상이다. 단, 750℃보다 높은 온도에서는, 페라이트 변태나 펄라이트 변태는 발생하기 어렵기 때문에, 평균 냉각 속도는 한정되지 않는다. 또한, 550℃보다 낮은 온도에서는, 저온 변태 조직으로 변태하기 때문에, 평균 냉각 속도는 한정되지 않는다. 550℃ 이하의 온도에서는, 실온까지 일정한 냉각 속도에서 강판을 냉각해도 되고, 200℃ 이상 550℃ 이하 정도의 온도에서 강판을 유지함으로, 베이나이트 변태를 진행시키거나, 마르텐사이트를 템퍼링하거나 해도 된다. 단, 300℃ 이상 550℃ 이하로 강판을 장시간 유지하면, 강판의 강도가 저하될 가능성이 있기 때문에, 그 온도역에서 강판을 유지하는 경우, 유지 시간은 600초 이하가 바람직하다.

이상의 설명은, 본 발명의 강판을 얻기 위한 제법의 단순한 예시를 의도하는 것이다. 전술한 바와 같이, 본 발명의 강판의 제법은, 와이어 첨가에 의해 표층부의 Si 산화물 입자의 분포를 제어하는 방법에 한정되지는 않는다.

[도금 강판]

다음으로, 본 발명에 포함되는 도금 강판을 제조하는 방법의 예를 설명한다.

상기와 같이 하여 제조되는 냉연 강판의 표층부의 표면에 용융 아연 도금을 실시함으로써, 용융 아연 도금 강판이 얻어진다. 용융 아연 도금을 실시하는 경우, 도금욕 온도는 종래부터 적용되어 있는 조건이어도 된다. 즉, 도금욕 온도는, 예를 들어 440℃ 이상 550℃ 이하로 된다.

또한, 상기와 같이 용융 아연 도금을 실시한 후, 가열 합금화 처리함으로써, 합금화 용융 아연 도금 강판이 얻어진다. 가열 합금화 처리하는 경우의 합금화의 가열 온도로서는 종래부터 적용되어 있는 조건이어도 된다. 즉, 합금화의 가열 온도는, 예를 들어 400℃ 이상 600℃ 이하로 된다. 합금화의 가열 방식은 특별히 한정되는 것이 아니라, 연소 가스에 의한 직접 가열이나, 유도 가열, 직접 통전 가열 등, 종래부터의 용융 도금 설비에 따른 가열 방식을 사용할 수 있다. 합금화 처리의 후, 강판은 200℃ 이하로 냉각되고, 필요에 따라서 조질 압연이 실시된다.

또한, 전기 아연 도금 강판을 제조하는 방법으로서는, 다음의 예를 들 수 있다. 예를 들어, 상기 냉연 강판에 대하여, 도금 전처리로서, 알칼리 탈지, 수세, 산세 및 수세를 순서대로 실시한다. 그 후, 전처리 후의 강판에 대하여, 예를 들어 액 순환식 전기 도금 장치를 사용하고, 도금욕으로서 황산아연, 황산나트륨, 황산으로 이루어지는 것을 사용하고, 전류 밀도 100A/dm² 정도에서 소정의 도금 두께가 될 때까지 전해 처리한다.

본 발명은, 아연 도금을 실시한 강판의 용접에서 발생하는 액체 금속 취화(LME) 균열을 억제하는 것을 과제로 하여 이루어진 것이다. LME 균열은, 용접하는 한쪽의 강판이 아연 도금 강판, 다른 쪽이 도금을 실시하지 않은 강판이어도 발생하는 경우가 있다. 본 발명의 강판은 아연 도금되어 있지 않아도, 용접 대상이 아연 도금 강판인 경우, LME 균열을 억제할 수 있다. 따라서, 상술한 강판은, 아연 도금을 실시한 강판뿐만 아니라, 아연 도금이 실시되지 않은 강판도 LME 균열의 억제라고 하는 과제를 해결한다.

실시예

표 1에 나타낸 화학 조성을 갖는 판 두께 250㎜의 연속 주조 슬래브를 제조하는 공정에 있어서, 표 2-1 내지 2-3에 나타낸 조건에서 와이어 형상의 산화철을 첨가하고, 표층부에 Si 산화물이 분포된 슬래브를 얻었다. 편면의 표층부에 와이어 형상의 산화철을 첨가한 것인지, 양면의 표층부에 와이어 형상의 산화철을 첨가한 것인지를, 「표층부의 위치」로서 표 4-1 내지 4-3에 나타낸다. 이 슬래브를 표 2-1 내지 2-3에 나타낸 가열 온도, 마무리 온도, 권취 온도의 조건하에서 열간 압연에 제공하고, 열연 강판을 얻었다. 냉연 강판으로 하는 강판에 대해서는, 상기와 같이 열연 강판을 얻은 후에, 산세, 압하율의 합계가 50％인 냉간 압연을 행하고, 표 2-1 내지 2-3에 나타낸 조건에서 어닐링을 행하였다. 또한, 일부의 강판에는 통상의 방법에 의해 도금을 실시하고, 표 2-1 내지 2-3에 나타낸 바와 같이 도금 강판으로 하였다.

얻어진 강판에 대한 평가 결과를 표 3-1 내지 4-3에 나타낸다. 표 4-1 내지 4-3에 나타낸 표층부에 있어서의 Si 산화물의 「개수 밀도」, 「평균」, 「표준 편차」 및 「평균으로부터 어긋난 비율」에 대한 상세는 상기한 바와 같다. 또한, 얻어진 강판의 표면으로부터 판 두께의 1/4의 위치에 있어서의 화학 조성을 표 3-1 내지 3-3에 나타낸다. 또한, 얻어진 강판에 대하여, 인장 시험 및 용접 시험을 하기와 같이 실시하였다.

인장 강도(MPa) 및 전체 신율(％)은, JIS Z 2241(2011)에 따라서, 압연 방향과 직각 방향으로 장축을 취해 JIS5호 시험편을 제작하고, 인장 시험을 행하여 측정한 것이다. 본 실시예에서는, 인장 강도가 600MPa 이상이고, 또한 인장 강도×전체 신율의 값이 10000MPa％ 이상인 경우를 합격으로 하였다.

또한, 용접 시험은 다음과 같이 행하였다. 강판으로부터 50㎜×80㎜의 시험편을 채취하고, 서보 모터 가압식 단상 교류 스포트 용접기(전원 주파수 50㎐)를 사용하여, 당해 시험편에 도금 강판을 용접하였다. 그 후, 당해 강판의 너깃 중심부의 영역의 강 조직을 광학 현미경으로 관찰하였다. 본 실시예에서는, 이 관찰의 결과, 균열이 확인되지 않은 경우를 합격으로 하였다.

[표 1]

[표 2-1]

[표 2-2]

[표 2-3]

[표 3-1]

[표 3-2]

[표 3-3]

[표 4-1]

[표 4-2]

[표 4-3]

비교예 2, 65의 강판에서는, 연속 주조 공정에서 첨가하는 와이어 직경이 1㎜보다도 작고, 표층부의 Si 산화물의 입경의 대수값의 평균이 -2.0보다도 작다. 그 결과로서, 이 비교예의 강판에서는, 인장 강도×전체 신율은 10000MPa％ 이상이지만, 용접성이 개선되지 않았다.

비교예 6, 66의 강판에서는, 연속 주조 공정에서 첨가하는 와이어 직경이 50㎜보다도 크고, 표층부의 Si 산화물의 입경의 대수값의 평균이 -1.2보다도 크고, 표준 편차가 0.6보다도 크다. 그 결과로서, 이 비교예의 강판에서는, 인장 강도×전체 신율은 10000MPa％ 미만이고, 용접성도 개선되지 않았다.

비교예 16, 69의 강판에서는, 연속 주조 공정에서 첨가하는 와이어의 간격이 와이어 직경보다도 작고, 표층부의 Si 산화물의 개수 밀도가 6000개/㎟보다 크고, 입경의 대수값의 평균이 -1.2보다도 크다. 그 결과로서 인장 강도×전체 신율이 10000MPa％ 미만이고, 또한 용접성이 개선되지 않았다.

비교예 23, 71의 강판에서는, 연속 주조 공정에서 첨가하는 와이어의 이송 속도와 용강의 유속의 차가 -500㎜/분보다도 작고, 표층부의 Si 산화물의 개수 밀도가 6000개/㎟보다 크다. 그 결과로서 인장 강도×전체 신율이 10000MPa％ 미만이고, 또한 용접성이 개선되지 않았다.

또한, 비교예 27, 72의 강판에서는, 연속 주조 공정에서 첨가하는 와이어의 이송 속도와 용강의 유속 차가 500㎜/분보다도 크고, 표층부의 Si 산화물의 개수 밀도가 3000개/㎟보다 작다. 그 결과로서 인장 강도×전체 신율은 10000MPa％ 이상이지만, 용접성이 개선되지 않았다. 이와는 대조적으로, 와이어의 이송 속도와 용강의 유속의 차가 -500㎜/분 이상 500㎜/분 이하의 요건을 충족시키는 본 발명의 실시예에 있어서의 강판에서는, Si 산화물의 개수 밀도가 상기 요건을 충족시키고 있으며, 인장 강도×전체 신율을 저하시키지 않아 용접성이 향상되었다.

비교예 28, 44의 강판에서는, 열간 압연 공정 혹은 어닐링 공정에서 750℃ 내지 550℃의 평균 냉각 속도가 2.5℃/s보다도 작다. 그 결과로서, 이들 강판에서는 인장 강도가 600MPa보다도 낮다.

비교예 53 및 54의 강판에서는, C 농도가 본 실시 형태의 요건을 충족시키지 않는다. 그 결과, 이들 강판에서는 인장 강도나 인장 강도×전체 신율의 요건을 충족시키지 않는다.

비교예 55, 67의 강판에서는, 연속 주조 공정에서 첨가하는 와이어의 중심 위치와 용강 표면의 거리가 와이어 직경보다도 작고, 표층부의 Si 산화물의 개수 밀도가 3000개/㎟를 하회한다. 그 결과로서, 용접성이 낮다.

비교예 56의 강판에서는, 어닐링 공정에서의 가열 온도가 Ac3점 -50℃보다도 낮기 때문에, 인장 강도가 600MPa보다도 낮다.

비교예 57, 70의 강판에서는, 연속 주조 공정에서 첨가하는 와이어의 간격이 와이어 직경+30㎜보다도 크고, 표층부의 Si 산화물의 개수 밀도가 3000개/㎟보다 작다. 그 결과로서 인장 강도×전체 신율은 10000MPa％ 이상이지만, 용접성이 개선되지 않았다.

비교예 64, 68의 강판에서는, 연속 주조 공정에서 첨가하는 와이어의 중심 위치와 용강 표면의 거리가 와이어 직경+30㎜보다도 크기 때문에, 표층부의 Si 산화물의 개수 밀도가 3000개/㎟를 하회하고, 또한 강판의 판 두께의 1/2의 위치에 있어서, Si 산화물의 개수 밀도가 1000개/㎟를 상회한다. 그 결과로서 인장 강도×전체 신율이 10000MPa％ 미만이고, 또한 용접성이 개선되지 않았다.

이와는 대조적으로, 본 발명의 화학 성분, 제조 방법을 충족하는 실시예의 강판은, Si 산화물의 개수 밀도가 소정의 요건을 충족시키고 있으며, 인장 강도×전체 신율을 저하시키지 않아 용접성이 향상되었음을 확인할 수 있었다.

이상과 같이, 본 발명에 따르면, 표층부의 개질에 의해 성형성 및 용접성을 양립한 강판이 얻어진다는 것을 확인할 수 있었다.

본 발명에 따르면, 성형성 및 용접성이 우수한 강판을 제공할 수 있다. 이와 같은 본 발명의 강판은, 예를 들어 자동차 등의 수송 기기의 분야에 있어서 구조재에 적합하다.

1: 용강
2: 와이어
11: 턴디쉬
12: 연속 주조기

Claims

인장 강도가 600MPa 이상의 강판이며,
상기 강판의 표면으로부터 판 두께 방향으로 30㎛까지의 영역을 표층부라고 정의할 때,
적어도 편면측의 표층부에 있어서,
입경 20㎚ 이상의 Si 산화물 입자가 3000 내지 6000개/㎟ 이하의 개수 밀도로 존재하고,
㎛ 단위로 측정한 상기 Si 산화물 입자의 입경의 자연대수는, 평균이 -2.0 내지 -1.2, 표준 편차가 0.6 이하이고, 상기 입경의 자연대수의 상기 평균으로부터의 어긋남이 상기 표준 편차의 2배보다도 커지는 Si 산화물 입자의 수가 입경 20㎚ 이상인 전체 Si 산화물 입자수의 5％ 이하이고,
상기 강판의 표면으로부터 판 두께의 1/4의 위치에 있어서의 화학 조성이, 질량％로,
C : 0.050 내지 0.800％,
Si: 0.01 내지 2.50％,
Mn: 0.01 내지 8.0％,
P: 0.1000％ 이하,
S: 0.0500％ 이하,
Al: 0.050％ 이하,
N: 0.0100％ 이하,
O: 0 내지 0.020％,
Cr: 0 내지 3.00％,
Mo: 0 내지 1.00％,
B: 0 내지 0.0100％,
Ti: 0 내지 0.200％,
Nb: 0 내지 0.200％,
V: 0 내지 0.20％,
Cu: 0 내지 1.000％,
Ni: 0 내지 1.000％
잔부: Fe 및 불순물
이며,
강판의 판 두께의 1/2의 위치에 있어서, Si 산화물 입자의 개수 밀도는 1000개/㎟ 이하인 것을 특징으로 하는, 강판.
제1항에 있어서,
상기 화학 조성이,
Cr: 0.01 내지 3.00％,
Mo: 0.01 내지 1.00％,
B: 0.001 내지 0.0100％,
Ti: 0.010 내지 0.200％,
Nb: 0.010 내지 0.200％,
V: 0.01 내지 0.20％,
Cu: 0.010 내지 1.000％ 및
Ni: 0.010 내지 1.000％
로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 강판.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 표층부의 표면에, 용융 아연 도금층, 합금화 용융 아연 도금층 또는 전기 아연 도금층을 더 포함하는, 강판.