KR20210128336A - 웨이퍼 생성 장치 - Google Patents

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KR20210128336A
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켄타로 이즈카
료헤이 야마모토
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 정전 또는 트러블이 발생해도 반도체 잉곳과 웨이퍼와의 부모 자식 관계가 무너지지 않고 항상 명확하게 되는 웨이퍼 생성 장치를 제공한다.
(해결 수단) 웨이퍼 생성 장치는, 반도체 잉곳을 수용하는 잉곳 수용부와 반도체 잉곳으로부터 생성된 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 수용부를 구비한 반송 트레이와, 반송 트레이를 각 가공기에 반송하는 벨트 컨베이어 유닛과, 웨이퍼를 수용하는 카세트가 반송 트레이에 대응하여 재치되는 카세트 랙과, 반송 트레이의 웨이퍼 수용부에서 카세트 랙에 재치된 카세트에 웨이퍼를 이체하는 이체 유닛을 포함한다. 반송 트레이에는 식별 마크가 형성된다. 반송 트레이에 대응하는 카세트 랙 또는 카세트에는 반송 트레이에 형성된 식별 마크와 동일한 식별 마크가 형성된다.

Description

웨이퍼 생성 장치{WAFER PRODUCING APPARATUS}
본 발명은, 반도체 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 생성 장치에 관한 것이다.
IC, LSI, LED 등의 디바이스는, Si(실리콘)나 Al2O3(사파이어) 등을 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되어 분할 예정 라인에 의해서 구획되어서 형성된다. 또한, 파워 디바이스, LED 등은 단결정 SiC(탄화 규소)를 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되어 분할 예정 라인에 의해서 구획되어 형성된다. 디바이스가 형성된 웨이퍼는, 절삭 장치, 레이저 가공 장치에 의해서 분할 예정 라인에 가공이 행해져서 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 각 디바이스 칩은 휴대 전화나 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.
디바이스가 형성되는 웨이퍼는, 일반적으로 원주 형상의 반도체 잉곳을 와이어 쏘로 얇게 절단하는 것에 의해 생성된다. 절단된 웨이퍼의 표면 및 이면은, 연마하는 것에 의해 경면으로 마무리된다(예컨대 특허 문헌 1 참조). 그러나, 반도체 잉곳을 와이어 쏘로 절단하고, 절단한 웨이퍼의 표면 및 이면을 연마하면, 반도체 잉곳의 대부분(70 ~ 80%)이 버려지게 되어 비경제적이라고 하는 문제가 있다. 특히 단결정 SiC 잉곳에 있어서는, 경도가 높고 와이어 쏘(wire saw)로의 절단이 곤란하고 상당한 시간을 필요로 하기 때문에 생산성이 나쁘고, 반도체 잉곳의 단가가 비싸고, 효율적으로 웨이퍼를 생성해야 한다는 과제를 가지고 있다.
그래서 단결정 SiC 에 대해서 투과성을 가지는 파장의 레이저 광선의 집광점을 단결정 SiC 잉곳의 내부에 위치시켜서 단결정 SiC 잉곳에 레이저 광선을 조사하여서 절단 예정면에 박리층을 형성하고, 박리층이 형성된 절단 예정면을 따라서 단결정 SiC 잉곳으로부터 웨이퍼를 박리하는 웨이퍼 생성 장치가 제안되고 있다(예컨대 특허 문헌 2 참조).
또한, 하기 특허 문헌 2에 개시되어 있는 웨이퍼 생성 장치에 있어서는, 반도체 잉곳이 수용된 반송 트레이를 벨트 컨베이어 유닛에 상시 수 개(예컨대 4개) 재치하고, 벨트 컨베이어 유닛으로 반도체 잉곳을 각 가공기에 반송하여 반도체 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하고, 웨이퍼를 생성한 반도체 잉곳과 동일한 반송 트레이에 웨이퍼를 수용하고, 웨이퍼 반출 영역에 있어서, 반도체 잉곳에 관련지어진 카세트에 웨이퍼를 수용하는 일련의 작업을 효율 좋게 실시할 수 있다.
일본 공개 특허 공보 2000-94221호 공보 일본 공개 특허 공보 2019-106458호 공보
그런데, 정전 또는 트러블에 의해서 웨이퍼 생성 장치의 가동이 정지하고, 반송 트레이를 벨트 컨베이어 유닛으로부터 반출 등을 하고, 그 후 재가동하면 반도체 잉곳에 관련지어진 카세트에 웨이퍼를 수용할 수 없는 경우가 있고, 반도체 잉곳과 웨이퍼와의 부모 자식 관계가 불명확하게 된다고 하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 정전 또는 트러블이 발생해도 반도체 잉곳과 웨이퍼와의 부모 자식 관계가 무너지지 않고 항상 명확하게 되는 웨이퍼 생성 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 반도체 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 생성 장치로서, 상기 반도체 잉곳을 수용하는 잉곳 수용부와 상기 반도체 잉곳으로부터 생성된 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 수용부를 가지는 반송 트레이와, 상기 반송 트레이를 각 가공기에 반송하는 벨트 컨베이어 유닛과, 웨이퍼를 수용하는 카세트가 상기 반송 트레이에 대응하여 재치되는 카세트 랙과, 상기 반송 트레이의 상기 웨이퍼 수용부로부터 상기 카세트 랙에 재치된 상기 카세트에 웨이퍼를 이체하는 이체 유닛을 구비하고, 상기 반송 트레이에는 식별 마크가 형성되고, 상기 반송 트레이에 대응하는 상기 카세트 랙 또는 상기 카세트에는 상기 반송 트레이에 형성된 식별 마크와 동일한 식별 마크가 형성되는 웨이퍼 생성 장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 식별 마크는, 색채, 기호, 문자, 도형, 모양, 그림 중 어느 하나, 또는 조합이다.
본 발명에 의하면, 정전 또는 트러블이 발생하여 웨이퍼 생성 장치의 가동이 정지했을 경우에도, 반도체 잉곳에 관련지어진 카세트에 웨이퍼를 확실히 수용할 수 있고, 반도체 잉곳과 웨이퍼와의 부모 자식 관계가 무너지지 않고 항상 명확하게 된다.
도 1은 본 발명 실시형태의 웨이퍼 생성 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 반송 트레이의 사시도이다.
도 3은 도 1에 나타내는 웨이퍼 생성 장치의 일부 사시도이다.
이하, 본 발명 실시형태의 웨이퍼 생성 장치에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1에 나타내는 웨이퍼 생성 장치(2)는, 반도체 잉곳(이하, 단지 잉곳이라 대략 칭함) 및 웨이퍼를 수용하는 반송 트레이(4)와, 반송 트레이(4)를 각 가공기에 반송하는 벨트 컨베이어 유닛(6)과, 웨이퍼를 수용하는 카세트(8)가 반송 트레이(4)에 대응하여 재치되는 카세트 랙(10)과, 반송 트레이(4)로부터 카세트 랙(10)에 재치된 카세트(8)에 웨이퍼를 이체(移替)하는 이체 유닛(12)을 포함한다.
도 2를 참조하여 설명하면, 반송 트레이(4)는, 직사각형 형상의 상벽(14)과, 상벽(14)의 하방에 배치된 직사각형 형상의 하벽(16)과, 상벽(14)과 하벽(16)을 연결하는 직사각형 형상의 한 쌍의 측벽(18)과, 상벽(14)과 하벽(16)과 한 쌍의 측벽(18)으로 형성되는 터널(20)을 구비한다.
상벽(14)의 상면에는, 잉곳을 수용하는 잉곳 수용부(22)가 형성되어 있다. 본 실시형태의 잉곳 수용부(22)는, 상벽(14)의 상면으로부터 하방으로 몰입한 환형의 제1 잉곳 수용부(22a)와, 제1 잉곳 수용부(22a)보다 직경이 작고 제1 잉곳 수용부(22a)보다 더 하방에 몰입한 원형의 제2 잉곳 수용부(22b)를 가진다. 제1 잉곳 수용부(22a)와 제2 잉곳 수용부(22b)는 동심형으로 형성되어 있다.
제1 잉곳 수용부(22a)의 직경은 비교적 대직경(예컨대 직경 6 인치)의 원기둥형 잉곳(24)보다 약간(수 mm 정도) 크고, 제1 잉곳 수용부(22a)에는 비교적 대직경의 잉곳(24)이 수용된다. 제2 잉곳 수용부(22b)의 직경은 비교적 소직경(예컨대 직경 4 인치)의 원기둥형 잉곳(26)보다 약간 크고, 제2 잉곳 수용부(22b)에는 비교적 소직경의 잉곳(26)이 수용된다.
이와 같이 본 실시형태의 잉곳 수용부(22)는, 2 종류의 크기의 잉곳(24, 26)에 대응한 동심형의 제1·제2 잉곳 수용부(22a, 22b)를 구비한다. 또한, 잉곳 수용부(22)는, 1 종류의 크기의 잉곳에 대응한 단일의 원형 수용 오목부여도 좋고, 혹은, 3 종류 이상의 크기의 잉곳에 대응한 동심형의 복수의 수용 오목부를 구비하고 있어도 좋다.
도 2에 도시된 바와 같이, 하벽(16)의 상면에는, 잉곳으로부터 생성된 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 수용부(28)가 형성되어 있다. 본 실시형태의 웨이퍼 수용부(28)는, 하벽(16)의 상면으로부터 하방에 몰입한 환형의 제1 웨이퍼 수용부(28a)와, 제1 웨이퍼 수용부(28a)보다 직경이 작고 제1 웨이퍼 수용부(28a)보다 더 하방에 몰입한 원형의 제2 웨이퍼 수용부(28b)를 가진다. 제1 웨이퍼 수용부(28a)와 제2 웨이퍼 수용부(28b)는 동심형으로 형성되어 있다.
제1 웨이퍼 수용부(28a)의 직경은 비교적 대직경(예컨대 직경 6 인치)의 원판형 웨이퍼(30)보다 약간 크고, 제1 웨이퍼 수용부(28a)에는 비교적 대직경의 웨이퍼(30)가 수용된다. 제2 웨이퍼 수용부(28b)의 직경은 비교적 소직경(예컨대 직경 4 인치)의 원판형 웨이퍼(32)보다 약간 크고, 제2 웨이퍼 수용부(28b)에는 비교적 소직경의 웨이퍼(32)가 수용된다.
이와 같이 본 실시형태의 웨이퍼 수용부(28)는, 2 종류의 크기의 웨이퍼(30), 32에 대응한 동심형의 제1·제2 웨이퍼 수용부(28a, 28b)를 구비한다. 또한, 웨이퍼 수용부(28)는, 1 종류의 크기의 웨이퍼에 대응한 단일의 원형 수용 오목부여도 좋고, 혹은, 3 종류 이상의 크기의 웨이퍼에 대응한 동심형의 복수의 수용 오목부를 구비하고 있어도 좋다. 또한, 본 실시형태와는 반대로, 상벽(14)의 상면에 웨이퍼 수용부(28)가 형성되고, 하벽(16)의 상면에 잉곳 수용부(22)가 형성되어 있어도 좋다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 반송 트레이(4)에는 식별 마크(34)가 형성되어 있다. 식별 마크(34)는, 색채, 기호, 문자, 도형, 모양, 그림 중 어느 하나라도 좋고, 또는 색채, 기호, 문자, 도형, 모양, 그림의 2 개 이상의 조합 이라도 좋다. 본 실시형태에서는, 식별 마크(34)로서 문자 A, B, C, D가 반송 트레이(4)의 측벽(18)의 외면에 형성되어 있지만, 식별 마크(34)로서, 적색, 청색, 녹색, 황색 등의 색채가 형성되어 있어도 좋고, ο,△,□,☆등의 도형이 형성되어 있어도 좋고, 또는 그림이 그려져 있어도 좋다.
도 1에 도시된 바와 같이, 잉곳(본 실시형태에서는 비교적 대직경의 잉곳(24))을 수용한 반송 트레이(4)는 반송 트레이 랙(36)에 수용된다. 본 실시형태의 반송 트레이 랙(36)은, 도 1에 화살표(X)로 나타내는 X축 방향으로 관통한 4 개의 수용부(38)를 가진다. 반송 트레이 랙(36)에 있어서는, 도 1에 있어서 X축 방향 앞쪽으로부터 수용부(38)에 반송 트레이(4)를 수용 가능하고, 또한 도 1에 있어서 X축 방향 안쪽으로부터 수용부(38) 내의 반송 트레이(4)를 반출 가능하게 되어 있다. 또한, 도 1에 화살표(Y)로 나타내는 Y축 방향은 X축 방향에 직교하는 방향이고, 도 1에 화살표(Z)로 나타내는 Z축 방향은 X축 방향 및 Y축 방향에 직교하는 상하 방향이다. X축 방향 및 Y축 방향이 규정하는 XY 평면은 실질적으로 수평이다.
도 1 및 도 3을 참조하여, 잉곳을 수용한 반송 트레이(4)가 반송되는 각 가공기에 대해 설명한다. 본 실시형태의 웨이퍼 생성 장치(2)는, 가공기로서, 잉곳 연삭 유닛(40)과, 레이저 조사 유닛(42)과, 웨이퍼 박리 유닛(44)을 구비한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 잉곳 연삭 유닛(40)은, 잉곳을 흡인 유지하는 회전 가능한 유지 테이블(46)과, 유지 테이블(46)에 흡인 유지된 잉곳의 상면을 연삭하여 평탄화하는 연삭 수단(48)을 포함한다. 연삭 수단(48)은, 연삭 지석(미도시)을 가지는 회전 가능한 연삭 휠(50)을 가진다. 그리고, 잉곳 연삭 유닛(40)은, 잉곳을 흡인 유지한 유지 테이블(46)을 회전시킴과 함께 연삭 휠(50)을 회전시키면서, 연삭 지석을 잉곳의 상면에 접촉시키는 것에 의해, 잉곳의 상면을 연삭하여 평탄화한다.
레이저 조사 유닛(42)은, 잉곳을 흡인 유지하여 X축 방향으로 이동 가능하고 또한 회전 가능한 유지 테이블(52)과, 유지 테이블(52)에 흡인 유지된 잉곳에 레이저 광선을 조사하는 레이저 조사 수단(54)을 포함한다. 레이저 조사 수단(54)은, 레이저 발진기(미도시)로부터 출사된 펄스 레이저 광선을 집광하여서 잉곳에 조사하고 Y축 방향으로 이동 가능한 집광기(56)를 가진다.
레이저 조사 유닛(42)은, 잉곳을 흡인 유지한 유지 테이블(52)을 X축 방향으로 이동시키면서, 또는 집광기(56)를 Y축 방향으로 이동시키면서, 잉곳의 상면으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에, 잉곳에 대해서 투과성을 가지는 파장의 레이저 광선의 집광점을 위치시켜서 레이저 광선을 잉곳에 조사하는 것에 의해, 잉곳의 내부에 강도가 저하된 박리층을 형성한다.
웨이퍼 박리 유닛(44)은, 잉곳을 흡인 유지하고 X축 방향으로 이동 가능한 유지 테이블(58)과, 유지 테이블(58)과 협동하여 액체 수용 공간을 형성하는 액조(液槽) 체(60)와, 유지 테이블(58)에 흡인 유지된 잉곳에 초음파 진동을 부여하고 잉곳으로부터 박리한 웨이퍼를 흡인 유지하는 초음파 진동 생성 부재(62)를 포함한다.
웨이퍼 박리 유닛(56)은, 잉곳을 흡인 유지한 유지 테이블(58)과 액조 체(60)에 의해서 형성한 액체 수용 공간에 액체를 수용한 후, 초음파 진동 생성 부재(62)를 작동시켜서 잉곳에 초음파 진동을 부여하는 것에 의해, 박리층을 기점으로 하여 잉곳으로부터 웨이퍼를 박리한다.
본 실시형태에서는, 잉곳 연삭 유닛(40)과 레이저 조사 유닛(42)과 웨이퍼 박리 유닛(44)에 반송 트레이(4)를 벨트 컨베이어 유닛(6)이 반송하게 되어 있다.
벨트 컨베이어 유닛(6)은, Y1 방향으로 반송 트레이(4)를 반송하는 왕로(往路) 벨트 컨베이어(64)와, Y2 방향(Y1의 반대 방향)으로 반송 트레이(4)를 반송하는 복로(復路) 벨트 컨베이어(66)와, 왕로 벨트 컨베이어(64)의 종점으로부터 복로 벨트 컨베이어(66)의 시작점에 반송 트레이(4)를 반송함과 함께 왕로 벨트 컨베이어(64)로 반송되어 있는 반송 트레이(4)를 웨이퍼 박리 유닛(44)에 대면하는 위치에서 정지시키는 제1 반송 유닛(68)과, 복로 벨트 컨베이어(66)의 종점으로부터 왕로 벨트 컨베이어(64)의 시작점에 반송 트레이(4)를 반송하는 제2 반송 유닛(70)을 포함한다.
또한, 벨트 컨베이어 유닛(6)은, 왕로 벨트 컨베이어(64)로 반송되어 있는 반송 트레이(4)를 잉곳 연삭 유닛(40)에 대면하는 위치에서 정지시키는 승강 가능한 제1 반송 트레이 스토퍼(72)와, 왕로 벨트 컨베이어(64)로 반송되어 있는 반송 트레이(4)를 레이저 조사 유닛(42)에 대면하는 위치에서 정지시키는 승강 가능한 제2 반송 트레이 스토퍼(74)를 포함한다.
또한, 벨트 컨베이어 유닛(6)은, 제1 반송 트레이 스토퍼(72)로 정지된 반송 트레이(4)와 잉곳 연삭 유닛(40)과의 사이에 잉곳을 이동시키는 제1 이동 기구(76)와, 제2 반송 트레이 스토퍼(74)로 정지된 반송 트레이(4)와 레이저 조사 유닛(42)과의 사이에 잉곳을 이동시키는 제2 이동 기구(78)와, 제1 반송 유닛(68)으로 정지된 반송 트레이(4)와 웨이퍼 박리 유닛(44)과의 사이에 잉곳을 이동시킴과 함께 잉곳으로부터 박리된 웨이퍼를 웨이퍼 박리 유닛(44)으로부터 반송 트레이(4)에 이동시키는 제3 이동 기구(80)를 포함한다.
공통의 구성으로 좋은 제1·제2·제3 이동 기구(76, 78, 80)의 각각은, X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동 가능한 다관절 아암(82)과, 다관절 아암(82)의 선단에 상하 반전 가능하게 장착된 흡착편(84)을 포함한다. 흡착편(84)의 한 면에는, 흡인 수단(미도시)에 접속된 복수의 흡인 구멍(미도시)이 형성되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시형태의 카세트 랙(10)은, Y축 방향에 관통한 16 개의 수용부(86)를 가진다. 각 수용부(86)에는, 잉곳으로부터 박리된 웨이퍼를 수용하는 카세트(8)가 수용된다. 카세트 랙(10)에 있어서는, 도 1에 있어서 Y축 방향 앞쪽으로부터 수용부(86)에 카세트(8)를 수용 가능하고, 또한 도 1에 있어서 Y축 방향 안쪽으로부터 수용부(86) 내의 카세트(8)에 웨이퍼를 수용 가능하게 되어 있다.
반송 트레이(4)에 대응하는 카세트 랙(10)에는 반송 트레이(4)에 형성된 식별 마크(34)와 동일한 식별 마크(34')가 형성되고, 또는 반송 트레이(4)에 대응하는 카세트(8)에는 반송 트레이(4)에 형성된 식별 마크(34)와 동일한 식별 마크(34")가 형성되어 있는 것이 중요하다. 본 실시형태에서는, 반송 트레이(4)의 식별 마크(34)와 동일한 문자 A, B, C, D 가 식별 마크(34')로서 카세트 랙(10)의 수용부(86)에 형성되어 있고, 반송 트레이(4)의 식별 마크(34)와 동일한 문자 A, B, C, D 가 식별 마크(34")로서 카세트(8)의 외면에 형성되어 있다. 카세트 랙(10)의 수용부(86)에는, 각 수용부(86)의 식별 마크(34')와 동일한 식별 마크(34")가 형성되어 있는 카세트(8)가 재치된다. 또한, 도 1에 있어서는, 카세트 랙(10)의 최상단의 수용부(86)에만 식별 마크(34')가 형성되어 있지만, 다른 수용부(86)에도 식별 마크(34')가 형성되어 있어도 좋다.
도 3을 참조하여 설명하면, 이체 유닛(12)은, X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동 가능한 다관절 아암(88)과, 다관절 아암(88)의 선단에 상하 반전 가능하게 장착된 흡착편(90)을 포함한다. 흡착편(90)의 한 면에는, 흡인 수단(미도시)에 접속된 복수의 흡인 구멍(미도시)이 형성되어 있다. 이체 유닛(12)은, 반송 트레이 랙(36) 내의 반송 트레이(4)를 벨트 컨베이어 유닛(6)까지 반송함과 함께, 반송 트레이(4)의 웨이퍼 수용부(28)로부터 카세트 랙(10)에 재치된 카세트(8)에 웨이퍼를 이체한다.
웨이퍼 생성 장치(2)에 의해서 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성할 때는, 도 1에 도시된 바와 같이, 우선, 1 개 이상의 잉곳(본 실시형태에서는 4 개의 대직경의 잉곳(24))을 준비한다. 그 다음에, 각각의 잉곳(24)을 반송 트레이(4)의 제1 잉곳 수용부(22a)에 수용하고, 잉곳(24)을 수용한 반송 트레이(4)를 반송 트레이 랙(36)에 수용한다.
그 다음에, 반송 트레이 랙(36)으로부터 레이저 조사 유닛(42)에 잉곳(24)을 반송하는 제1 반송 공정을 실시한다. 통상, 잉곳은, 후술하는 박리층 형성 공정에 있어서의 레이저 광선의 입사를 방해하지 않는 정도로 단부면이 평탄화되어 있기 때문에, 본 실시형태에서는, 제1 반송 공정에 있어서 반송 트레이 랙(36)으로부터 레이저 조사 유닛(42)에 잉곳(24)을 반송하는 예를 설명하지만, 잉곳(24)의 단부면이 박리층 형성 공정에 있어서의 레이저 광선의 입사를 방해하지 않는 정도로 평탄화되어 있지 않은 경우에는, 제1 반송 공정에 있어서 반송 트레이 랙(36)으로부터 잉곳 연삭 유닛(40)에 잉곳(24)을 반송해도 좋다.
제1 반송 공정에서는, 우선, 이체 유닛(12)의 다관절 아암(88)을 구동시키고, 흡인 구멍을 위로 향한 흡착편(90)을 반송 트레이(4)의 터널(20)에 삽입한다. 그 다음에, 터널(20) 내에 있어서 흡착편(90)을 약간 상승시켜서 반송 트레이(4) 상벽(14)의 하면을 흡착편(90)으로 흡인 유지한다. 그 다음에, 흡착편(90)으로 흡인 유지한 반송 트레이(4)를 반송 트레이 랙(36)으로부터 왕로 벨트 컨베이어(64)에 반송한다.
반송 트레이(4)를 왕로 벨트 컨베이어(64)에 실은 후, 레이저 조사 유닛(42)에 대면하는 위치까지 왕로 벨트 컨베이어(64)로 Y1 방향으로 반송 트레이(4)를 반송한다. 이때에는, 제1 반송 트레이 스토퍼(72)를 하강시킴과 함께, 제2 반송 트레이 스토퍼(74)를 상승시키는 것에 의해, 레이저 조사 유닛(42)에 대면하는 위치에서 반송 트레이(4)를 정지시킨다. 그 다음에, 제2 이동 기구(78)의 다관절 아암(82)을 구동시키고, 반송 트레이(4) 상의 잉곳(24)을 흡착편(84)으로 흡인 유지한다. 그 다음에, 흡착편(84)으로 흡인 유지한 잉곳(24)을 반송 트레이(4)로부터 레이저 조사 유닛(42)의 유지 테이블(52)에 이동시킨다.
제1 반송 공정을 실시한 후, 유지 테이블(52)로 잉곳(24)을 흡인 유지함과 함께, 유지 테이블(52)로 흡인 유지한 잉곳(24)의 상면으로부터 생성해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에, 잉곳(24)에 대해서 투과성을 가지는 파장의 레이저 광선의 집광점을 위치시켜서, 레이저 광선을 잉곳(24)에 조사하여 박리층을 형성하는 박리층 형성 공정을 레이저 조사 유닛(42)에 있어서 실시한다.
박리층 형성 공정을 실시한 후, 박리층이 형성된 잉곳(24)을 레이저 조사 유닛(42)으로부터 웨이퍼 박리 유닛(44)에 반송하는 제2 반송 공정을 실시한다.
제2 반송 공정에서는, 우선, 제2 이동 기구(78)의 다관절 아암(82)을 구동시키고, 유지 테이블(52) 상의 잉곳(24)을 흡착편(84)으로 흡인 유지함과 함께, 유지 테이블(52)의 흡인력을 해제한다. 그 다음에, 흡착편(84)으로 흡인 유지한 잉곳(24)을 유지 테이블(52)로부터 반송 트레이(4)의 제1 잉곳 수용부(22a)에 이동시킨다.
그 다음에, 웨이퍼 박리 유닛(44)에 대면하는 위치까지 왕로 벨트 컨베이어(64)로 Y1 방향으로 반송 트레이(4)를 반송한다. 이때에는, 제1 반송 유닛(68)에 의해서 반송 트레이(4)를 웨이퍼 박리 유닛(44)에 대면하는 위치에서 정지시킨다. 그 다음에, 제3 이동 기구(80)의 다관절 아암(82)을 구동시키고, 반송 트레이(4) 상의 잉곳(24)을 흡착편(84)으로 흡인 유지한다. 그 다음에, 흡착편(84)으로 흡인 유지한 잉곳(24)을 반송 트레이(4)로부터 웨이퍼 박리 유닛(44)의 유지 테이블(58)에 이동시킨다.
제2 반송 공정을 실시한 후, 박리층이 형성된 잉곳(24)을 유지 테이블(58)로 흡인 유지함과 함께, 유지 테이블(58)로 흡인 유지한 잉곳(24)의 상면을 유지하고 박리층을 기점으로 하여 잉곳(24)으로부터 웨이퍼(30)를 박리하는 웨이퍼 박리 공정을 웨이퍼 박리 유닛(44)에서 실시한다.
웨이퍼 박리 공정을 실시한 후, 잉곳(24)으로부터 박리된 웨이퍼(30)(도 2 참조)를 웨이퍼 박리 유닛(44)으로부터 카세트 랙(10)의 카세트(8)에 반송함과 함께, 웨이퍼(30)가 박리된 잉곳(24)을 웨이퍼 박리 유닛(44)으로부터 잉곳 연삭 유닛(40)에 반송하는 제3 반송 공정을 실시한다.
제3 반송 공정에서는, 우선, 제3 이동 기구(80)의 다관절 아암(82)을 구동시키고, 잉곳(24)으로부터 박리된 웨이퍼(30)를 흡착편(84)으로 흡인 유지한다. 그 다음에, 흡착편(84)으로 흡인 유지한 웨이퍼(30)를 웨이퍼 박리 유닛(44)으로부터 반송 트레이(4)의 제1 웨이퍼 수용부(28a)에 이동시킨다.
그 다음에, 제3 이동 기구(80)의 다관절 아암(82)을 구동시키고, 유지 테이블(58) 상의 잉곳(24)을 흡착편(84)으로 흡인 유지함과 함께, 유지 테이블(58)의 흡인력을 해제한다. 그 다음에, 흡착편(84)으로 흡인 유지한 잉곳(24)을 유지 테이블(58)로부터 반송 트레이(4)의 제1 잉곳 수용부(22a)에 이동시킨다.
그 다음에, 잉곳(24) 및 웨이퍼(30)를 수용한 반송 트레이(4)를 제1 반송 유닛(68)에 의해서 왕로 벨트 컨베이어(64)로부터 복로 벨트 컨베이어(66)에 반송한다. 그 다음에, 복로 벨트 컨베이어(66)에 의해서 반송 트레이(4)를 Y2 방향으로 반송하여 제2 반송 유닛(70)에 반송 트레이(4)를 전달한다. 그 다음에, 제2 반송 유닛(70)에 의해서 왕로 벨트 컨베이어(64)를 향해 반송 트레이(4)를 반송한다.
제2 반송 유닛(70)으로부터 왕로 벨트 컨베이어(64)에 반송 트레이(4)가 전달되기 전에 제2 반송 유닛(70)을 일단 정지시킨다. 그 다음에, 이체 유닛(12)의 다관절 아암(88)을 구동시키고, 제2 반송 유닛(70) 상의 반송 트레이(4)에 수용된 웨이퍼(30)를 흡착편(90)으로 흡인 유지한다. 그리고, 흡착편(90)으로 흡인 유지한 웨이퍼(30)를 반송 트레이(4)로부터 반출하여서, 카세트 랙(10)의 카세트(8) 내에 웨이퍼(30)를 이체한다. 이때는, 반송 트레이(4)의 식별 마크(34)와 동일한 식별 마크(34")가 형성된 카세트(8)에 웨이퍼(30)를 이체한다.
그 다음에, 제2 반송 유닛(70)을 작동시키고, 제2 반송 유닛(70)으로부터 왕로 벨트 컨베이어(64)에 반송 트레이(4)를 전달한 후, 잉곳 연삭 유닛(40)에 대면하는 위치까지 왕로 벨트 컨베이어(64)로 Y1 방향으로 반송 트레이(4)를 반송한다. 이때에는, 제1 반송 트레이 스토퍼(72)를 상승시키는 것에 의해, 잉곳 연삭 유닛(40)에 대면하는 위치에서 반송 트레이(4)를 정지시킨다. 그 다음에, 제1 이동 기구(76)의 다관절 아암(82)을 구동시키고, 반송 트레이(4) 상의 잉곳(24)을 흡착편(84)으로 흡인 유지한다. 그 다음에, 흡착편(84)으로 흡인 유지한 잉곳(24)을 반송 트레이(4)로부터 잉곳 연삭 유닛(40)의 유지 테이블(46)에 이동시킨다.
제3 반송 공정을 실시한 후, 웨이퍼(30)가 박리된 잉곳(24)을 유지 테이블(46)로 흡인 유지함과 함께, 유지 테이블(46)로 흡인 유지한 잉곳(24)의 상면(박리면)을 연삭하여 평탄화하는 잉곳 연삭 공정을 잉곳 연삭 유닛(40)에서 실시한다.
잉곳 연삭 공정을 실시한 후, 상면이 평탄화된 잉곳(24)을 잉곳 연삭 유닛(40)으로부터 레이저 조사 유닛(42)에 반송하는 제４ 반송 공정을 실시한다.
제4 반송 공정에서는, 우선, 제1 이동 기구(76)의 다관절 아암(82)을 구동시키고, 유지 테이블(46) 상의 잉곳(24)을 흡착편(84)으로 흡인 유지함과 함께, 유지 테이블(46)의 흡인력을 해제한다. 그 다음에, 흡착편(84)으로 흡인 유지한 잉곳(24)을 유지 테이블(46)로부터 반송 트레이(4)의 제1 잉곳 수용부(22a)에 이동시킨다.
그 다음에, 레이저 조사 유닛(42)에 대면하는 위치까지 왕로 벨트 컨베이어(64)로 Y1 방향으로 반송 트레이(4)를 반송한다. 그 다음에, 제2 이동 기구(78)의 다관절 아암(82)을 구동시키고, 반송 트레이(4) 상의 잉곳(24)을 흡착편(84)으로 흡인 유지한다. 그 다음에, 흡착편(84)으로 흡인 유지한 잉곳(24)을 반송 트레이(4)로부터 레이저 조사 유닛(42)의 유지 테이블(52)에 이동시킨다.
제4 반송 공정을 실시한 후, 상술한 박리층 형성 공정을 레이저 조사 유닛(42)에서 실시한다. 그리고, 박리층 형성 공정과, 웨이퍼 박리 공정과, 잉곳 연삭 공정과, 제2로부터 제4까지의 반송 공정을 반복하여 실시하는 것에 의해, 잉곳(24)으로부터 생성 가능한 수량의 웨이퍼(30)를 생성하고, 반송 트레이(4)에 형성된 식별 마크(34)와 동일한 식별 마크(34")가 형성된 카세트(8)에 웨이퍼(30)를 수용한다.
본 실시형태에서는, 웨이퍼 생성 장치(2)에서 실시하는 각 공정을 1 개의 잉곳(24)에 주목하여 설명했지만, 반송 트레이 랙(36)으로부터 레이저 조사 유닛(42)에 잉곳(24)을 반송하는 제1 반송 공정을 실시한 후, 적절한 간격을 두고, 제1 반송 공정을 반복해서 실시하고, 박리층 형성 공정과, 웨이퍼 박리 공정과, 잉곳 연삭 공정과, 제2로부터 제4까지의 반송 공정을 병행하여 복수의 잉곳(24)에 대해서 반복하여 실시하는 것에 의해, 복수의 잉곳(24)으로부터 생성 가능한 수량의 웨이퍼(30)를 생성할 수 있다.
또한, 웨이퍼 생성 장치(2)에서는, 반송 트레이(4)에 식별 마크(34)가 형성되고, 반송 트레이(4)에 대응하는 카세트 랙(10) 또는 카세트(8)에 반송 트레이(4)의 식별 마크(34)와 동일한 식별 마크(34', 34")가 형성되므로, 정전 또는 트러블이 발생하여 웨이퍼 생성 장치(2)의 가동이 정지했을 경우에도, 잉곳(24)에 관련지어진 카세트(8)에 웨이퍼(30)를 확실히 수용할 수 있고, 잉곳(24)과 웨이퍼(30)의 부모 자식 관계가 무너지지 않고 항상 명확하게 된다.
2: 웨이퍼 생성 장치
4: 반송 트레이
6: 벨트 컨베이어 유닛
8: 카세트
10: 카세트 랙
12: 이체 유닛
22: 잉곳 수용부
22a: 제1 잉곳 수용부
22b: 제2 잉곳 수용부
28: 웨이퍼 수용부
28a: 제1 웨이퍼 수용부
28b: 제2 웨이퍼 수용부
34: 반송 트레이의 식별 마크
34': 카세트 랙의 식별 마크
34": 카세트의 식별 마크

Claims (2)

  1. 반도체 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 생성 장치로서,
    상기 반도체 잉곳을 수용하는 잉곳 수용부와 상기 반도체 잉곳으로부터 생성된 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 수용부를 가지는 반송 트레이와,
    상기 반송 트레이를 각 가공기에 반송하는 벨트 컨베이어 유닛과,
    웨이퍼를 수용하는 카세트가 상기 반송 트레이에 대응하여 재치되는 카세트 랙과,
    상기 반송 트레이의 상기 웨이퍼 수용부로부터 상기 카세트 랙에 재치된 상기 카세트에 웨이퍼를 이체하는 이체 유닛
    을 포함하고,
    상기 반송 트레이에는 식별 마크가 형성되고, 상기 반송 트레이에 대응하는 상기 카세트 랙 또는 상기 카세트에는 상기 반송 트레이에 형성된 식별 마크와 동일한 식별 마크가 형성되는 것인, 웨이퍼 생성 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식별 마크는, 색채, 기호, 문자, 도형, 모양, 그림 중 어느 하나, 또는 조합인 것인, 웨이퍼 생성 장치.
KR1020210034352A 2020-04-16 2021-03-17 웨이퍼 생성 장치 KR20210128336A (ko)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
JP2019106458A (ja) 2017-12-12 2019-06-27 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置および搬送トレー

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3900855B2 (ja) 2001-05-21 2007-04-04 株式会社ダイフク 仕分け設備
JP2007150369A (ja) 2007-03-14 2007-06-14 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2011144000A (ja) 2010-01-14 2011-07-28 Techno Craft Co Ltd カラーコード印刷体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
JP2019106458A (ja) 2017-12-12 2019-06-27 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置および搬送トレー

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