KR20210125053A - 수지 조성물 및 이를 포함한 프리프레그, 적층판 및 인쇄회로기판 - Google Patents

수지 조성물 및 이를 포함한 프리프레그, 적층판 및 인쇄회로기판 Download PDF

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Abstract

본 개시는 수지 조성물 및 이를 포함한 프리프레그, 적층판 및 인쇄회로기판을 제공하였다. 해당 수지 조성물은 48-54 중량부의 무할로겐 에폭시 수지; 16-31 중량부의 식 (I)로 나타낸 화합물, 여기서, n은 2-15이고, Ac는 아세틸기이며; 및 15-32 중량부의 시아네이트수지를 포함한다. 해당 수지 조성물로 제조한 프리프레그, 적층판 및 인쇄회로기판은 낮은 열팽창계수를 구비한다.

Description

수지 조성물 및 이를 포함한 프리프레그, 적층판 및 인쇄회로기판
관련 출원에 대한 교차 참조
본 개시는 2019년 3월 18일에 제출된 출원번호가 201910205606.1인 중국특허출원의 우선권을 주장하는바, 이의 전부 내용은 참조로서 본 개시에 포함된다.
본 개시는 인쇄회로기판 기술분야에 속하는 것으로서, 구체적으로 수지 조성물 및 이를 포함한 프리프레그, 적층판 및 인쇄회로기판에 관한 것이다.
근래에 들어, 정보 통신 장치는 더 높은 성능, 더 많은 기능을 구비하고 네트워크에서 작동할 수 있게 변해가고 있다. 대용량 정보를 고속으로 전송하고 처리하기 위하여 작동신호는 고주파수화로 되는 추세를 보이고 있다. 또한, 다양한 전자 제품의 발전 요구를 충족시키기 위하여, 회로기판은 더 많은 층과 더 높은 배선 밀도의 방향으로 발전하고 있다. 이로써, 신호의 고주파 전송의 수요를 충족하기 위해 양호한 유전상수 및 유전손실인자를 구비해야 할 뿐만 아니라, 다층 인쇄회로기판의 신뢰성 수요를 충족하기 위해 양호한 내열성을 구비하는 기판 재료가 요구되고 있다. 특히, 기판 재료는 가능한 낮은 열팽창계수를 구비해야 한다.
수지 프리프레그는 인쇄회로기판에서 기판 재료로 자주 쓰인다. 이를 위해, 시아네이트와 활성에스테르를 복합경화제로 사용하여 비페닐형 노볼락에폭시 수지, 아랄킬렌 에폭시 수지 또는 나프톨 에폭시 수지를 경화시키는 일부 수지 조성물을 개발하였다. 하지만 상기 수지 조성물의 열팽창계수(CTE)는 여전히 개선될 필요가 있다.
한 측면에서, 본 개시에서는 수지 조성물을 제공하는바, 상기 수지 조성물은:
무할로겐 에폭시 수지: 48-54중량부;
식 (I)로 나타낸 화합물: 16-31중량부;
Figure pct00001
여기서, n은
2-15이고, Ac는 아세틸기이며; 및
시아네이트 수지: 15-32중량부를 포함한다.
선택적으로, 상기 무할로겐 에폭시 수지는 비페닐노볼락 에폭시 수지, DCPD형 노볼락 에폭시 수지, 알킬렌 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀A형 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀AP형 에폭시 수지, 비스페놀TMC형 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
선택적으로, 상기 수지 조성물은 16-22중량부의 상기 식(I)로 나타낸 화합물, 25-32중량부의 상기 시아네이트 수지를 포함한다.
선택적으로, 상기 시아네이트 수지는 비스페놀A형 시아네이트 수지, 비스페놀F형 시아네이트 수지, 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지, 페놀노볼락형 시아네이트 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
선택적으로, 상기 수지 조성물은 경화촉진제를 더 포함한다.
선택적으로, 상기 수지 조성물은 무할로겐 난연제를 더 포함한다.
선택적으로, 상기 수지 조성물은 충진재를 더 포함한다.
다른 한 측면에서, 본 개시에서는 프리프레그를 제공하는바, 상기 프리프레그는 보강재료에 상기에 따른 수지 조성물을 침지하거나 코팅하고 반경화시켜 얻는다.
다른 한 측면에서, 본 개시에서는 적층판을 제공하는바, 이는 적어도 1장의 상기와 같은 프리프레그를 포함한다.
다른 한 측면에서, 본 개시에서는 인쇄회로기판을 제공하는바, 이는 적어도 1장의 상기와 같은 프리프레그 또는 적층판을 포함한다.
본 개시의 목적은 수지 조성물을 제공하는데 있다. 해당 수지 조성물을 사용하여 제조한 프리프레그, 적층판 및 인쇄회로기판은 낮은 열팽창계수를 구비한다.
본 개시의 발명자는, 활성에스테르 수지 대신 식 (I)로 나타낸 화합물을시아네이트와함께 복합경화제로서 사용하고, 무할로겐 에폭시 수지와 조합하면, 낮은 열팽창계수를 구비하는 에폭시 수지 시스템을 얻을 수 있다는 것을 뜻밖에 발견하였다.
에폭시 수지 조성물, 이는 아래와 같은 조성분을 포함한다:
무할로겐 에폭시 수지: 48-54 중량부;
식 (I)로 나타낸 화합물: 16-31중량부,
Figure pct00002
여기서, n은 2-15이고, Ac는 아세틸기이며; 및
시아네이트수지: 15-32중량부이다.
본 개시에서는 상기 3종 필수적인 조성분간의 상호 배합 및 상호 시너지 촉진 작용을 이용하여, 상기와 같은 수지 조성물을 얻는다. 해당 수지 조성물을 사용하여 제조한 프리프레그, 적층판 및 인쇄회로기판은 낮은 열팽창계수를 구비한다.
무할로겐 에폭시 수지 조성분은 할로겐이 함유되지 않은 에폭시 수지이다. 본 개시에서는 무할로겐 에폭시 수지의 종류에 대해 특별히 제한하지 않는다.
무할로겐 에폭시 수지의 양은 48-54 중량부이고, 예를 들어 48 중량부, 49 중량부, 50 중량부, 51 중량부, 53 중량부 또는 54 중량부이다.
바람직하게, 상기 무할로겐 에폭시 수지는 비페닐노볼락 에폭시 수지, DCPD형 노볼락 에폭시 수지, 알킬렌 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀A형 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀AP형 에폭시 수지, 비스페놀TMC형 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. 이런 무할로겐 에폭시 수지의 장점은 낮은 열팽창계수를 구비하는 것이다.
바람직하게, 식 (I)로 나타낸 화합물은 16-22중량부 일 수 있으며, 예를 들어 16중량부, 18중량부, 20중량부 또는 22중량부이고; 상기 시아네이트 수지는 25-32중량부일 수 있으며, 예를 들어 25중량부, 26중량부, 28중량부, 30중량부 또는 32중량부이다. 상기 조성분을 선택함으로써 무할로겐 에폭시 수지의 열팽창계수를 아주 양호하게 낮출 수 있다.
식 (I)로 나타낸 화합물의 중합도 n은 2-15이고, n은 예를 들어 3, 7, 11 또는 15일 수 있다. 본 발명에서, 조성물에서 식 (I)로 나타낸 화합물 중의 n은 정수가 아닐 수도 있는바, 이는 식 (I)로 나타낸 화합물의 평균중합도를 나타낸다. 예를 들어, 조성물에서의 식 (I)로 나타낸 화합물 중의 절반(Half amount)이 3개의 중복단위를 구비하고, 나머지 절반이 4개의 중복단위를 구비할 경우, n=3.5라고 볼 수 있다. 평균중합도가 2보다 작을 경우, 조성물 경화 후의 열 성능은 나쁘다. 하지만 평균중합도가 15보다 클 경우, 조성물의 침윤성이 떨어지므로, 적층판 또는 인쇄회로기판의 성능에 영향을 미친다. 식 (I)로 나타낸 화합물의 수평균분자량은 상응하게 약 1300 내지 7800이다.
바람직하게, 상기 시아네이트 수지는 비스페놀A형 시아네이트 수지, 비스페놀F형 시아네이트 수지, 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지, 페놀노볼락형 시아네이트 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. 이런 시아네이트 수지를 선택 사용하는 장점은 더욱 낮은 열팽창계수를 구비하도록 하는데 있다.
바람직하게, 상기 수지 조성물은 추가로 수지를 경화시키고 수지의 경화속도를 가속화하는 경화촉진제를 포함할 수 있다. 무할로겐 에폭시 수지, 식 (I)로 나타낸 화합물 및 시아네이트 수지의 총량을 100 중량부의 기준으로, 상기 경화촉진제의 양은 0.05-1중량부이고, 예를 들어 0.08 중량부, 0.1 중량부, 0.15 중량부, 0.2 중량부, 0.25 중량부, 0.3 중량부, 0.35 중량부, 0.4 중량부, 0.45 중량부, 0.5 중량부, 0.55 중량부, 0.60 중량부, 0.65 중량부, 0.7 중량부, 0.75 중량부, 0.8 중량부, 0.85 중량부, 0.9 중량부 또는 0.95 중량부이다.
바람직하게, 상기 경화촉진제는 아연이소옥타네이트, 4-디메틸아미노피리딘, 2-메틸이미다졸, 2-에틸4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
바람직하게, 수요에 따라, 상기 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지 조성물이 난연성을 구비하도록 하며 UL94V-0 요구에 부합되도록 하는 난연제를 더 포함한다. 수요에 따라 첨가된 난연제에 대하여 특별한 한정은 없다. 바람직하게, 해당 난연제는 무할로겐 난연제이다.
난연제의 양은 경화생성물이 도달할 수 있는 UL94V-0 레벨 요구에 따라 결정되고, 특별한 한정은 없다. 바람직하게, 무할로겐 에폭시 수지, 식 (I)로 나타낸 화합물 및 시아네이트수지의 총량을 100 중량부의 기준으로, 상기 난연제의 양은 5-50 중량부이고, 예를 들어 5 중량부, 10 중량부, 15 중량부, 25 중량부, 30 중량부, 35 중량부, 40 중량부 또는 45 중량부이다.
바람직하게, 상기 무할로겐 난연제는 트리(2,6-디메틸페닐)포스핀, 10-(2,5-디히드록시페닐)-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 2,6-디(2,6-디메틸페닐)포스피노벤젠, 10-페닐-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌- 10-옥사이드, 페녹시포스파젠화합물, 붕산아연, 질소-인계 팽창형, 유기중합체 무할로겐 난연제, 인함유 노볼락 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
바람직하게, 수요에 따라, 상기 수지 조성물은 충진재를 더 포함하고, 상기 충진재는 유기충진재 및/또는 무기충진재이며, 이는 주로 열팽창계수(CTE)를 추가로 낮추고, 수분 흡수율을 낮추며, 열전도율을 향상시키는 것과 같은 에폭시 수지 조성물의 일부 물성 효과를 조정하는데 사용된다.
충진재의 첨가량에 대해 특별한 한정은 없다. 바람직하게, 무할로겐 에폭시 수지, 식 (I)로 나타낸 화합물 및 시아네이트 수지의 총량을 100 중량부의 기준으로, 상기 충진재의 양은 100 중량부 이하이고, 바람직하게 50 중량부 이하이다. 상기 충진재의 양은 예를 들어 0.5 중량부, 1 중량부, 5 중량부, 10 중량부, 15 중량부, 20 중량부, 25 중량부, 30 중량부, 35 중량부, 40 중량부, 45 중량부, 50 중량부, 55 중량부, 60 중량부, 65 중량부, 70 중량부, 75 중량부, 80 중량부, 85 중량부, 90 중량부 또는 95 중량부이다.
바람직하게, 상기 무기 충진재는 용융실리카, 결정형실리카, 구형실리카, 중공실리카, 수산화알루미늄, 알루미나, 활석분, 질화알루미늄, 질화붕소, 탄화규소, 황산바륨, 티탄산바륨, 티탄산스트론튬, 탄산칼슘, 규산칼슘, 운모, 유리섬유 분말 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. 이들의 조합은 예를 들어 용융실리카와 결정형실리카의 혼합물; 구형실리카와 중공실리카의 혼합물; 수산화알루미늄과 알루미나의 혼합물; 활석분과 질화알루미늄의 혼합물; 질화붕소와 탄화규소의 혼합물; 황산바륨과 티탄산바륨의 혼합물; 티탄산스트론튬과 탄산칼슘의 혼합물; 규산칼슘, 운모 및 유리섬유 분말의 혼합물; 용융실리카, 결정형실리카 및 구형실리카의 혼합물; 중공실리카와 수산화알루미늄 및 알루미나의 혼합물; 활석분, 질화알루미늄 및 질화붕소의 혼합물; 탄화규소, 황산바륨 및 티탄산바륨의 혼합물; 티탄산스트론튬, 탄산칼슘, 규산칼슘, 운모 및 유리섬유 분말의 혼합물이다.
바람직하게, 상기 유기 충진재는 폴리테트라플루오로에틸렌 분말, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르술폰 분말 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. 이들의 조합은 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌 분말과 폴리페닐렌설파이드의 혼합물, 폴리에테르술폰 분말과 폴리테트라플루오로에틸렌 분말의 혼합물, 폴리페닐렌설파이드와 폴리에테르술폰 분말의 혼합물, 폴리테트라플루오로에틸렌 분말, 폴리페닐렌설파이드 및 폴리에테르술폰 분말의 혼합물이다.
바람직하게, 상기 충진재는 실리카이고, 충진재의 중위입경은 0.1-15μm이며, 바람직하게 충진재의 중위입경은 0.1-10μm이다.
본 개시에서 기재된 "포함하다"는 상기 조성분 외에 기타 조성분을 더 포함할 수 있음을 나타내는 의미이고, 기타 조성분은 상기 수지 조성물의 다른 특성을 부여한다. 이외에, 본 발명에서 기재된 "포함하다"는 폐쇄식의 "……이다." 또는 "……로 구성된다"로 대체할 수 있다.
예를 들어, 상기 수지 조성물은 여러가지 첨가제를 더 함유할 수 있으며, 구체적으로 예를 들면, 항산화제, 열안정제, 대전방지제, 자외선흡수제, 안료, 착색제 또는 윤활제 등을 열거할 수 있다. 이런 다양한 첨가제는 단독으로 사용하거나, 두 가지 또는 두 가지 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
본 개시의 수지 조성물의 통상적인 제조방법은 다음과 같다: 용기를 취하여, 먼저 고체 조성분을 넣은 다음, 용매를 첨가하여 완전히 용해될 때까지 교반한 후, 다시 액체수지, 충진재, 난연제 및 경화촉진제를 첨가하고 계속 교반하여 균일하게 혼합하고, 마지막으로 용매로 액체의 고체함유량을 60%-80%로 조정하여 접착액을 제조한다.
본 개시의 두 번째 목적은 보강재료 및 함침 건조를 거친 후 상기 보강재료에 부착되어 있는 상기에 따른 수지 조성물을 포함하는 프리프레그를 제공하는데 있다.
예시적으로 보강재료는 부직물 및/또는 기타 직물이고, 예를 들어 천연섬유, 유기합성섬유 및 무기섬유이다.
해당 접착액을 사용하여, 유리포 등 직물 또는 유기직물과 같은 보강재료를 함침하고, 함침된 보강재료를 155-170℃의 오븐에서 5-10분 동안 가열건조시키면 프리프레그를 얻는다.
본 개시의 세 번째 목적은 적어도 한 장의 상기에 따른 프리프레그를 포함하는 적층판을 제공하는데 있다.
본 개시의 네 번째 목적은 적어도 한 장의 상기에 따른 프리프레그 또는 적층판을 포함하는 인쇄회로기판을 제공하는데 있다.
본 개시에서는 상기 3종 필수적인 조성분 간의 상호 배합 및 상호 시너지 촉진 작용을 이용하여, 상기와 같은 수지 조성물을 얻는다. 해당 수지 조성물을 사용하여 제조한 프리프레그, 적층판 및 인쇄회로기판은 낮은 열팽창계수를 구비한다.
아래 구체적인 실시예를 통해 본 개시의 기술방안에 대하여 추가적으로 설명하기로 한다.
상기 제조된 수지 조성물에 따른 금속박적층판의 열팽창계수를 측정하고, 아래 실시예와 같이 상세하게 설명하기로 하고, 여기서 유기 수지의 중량부는 유기고형물의 중량부를 기준으로 한다.
본 개시의 실시예에서 사용하고 열거된 재료는 구체적으로 다음과 같다:
KES-7695M75: DCPD 구조를 포함하는 에폭시 수지(KOLON로부터 얻음).
NC-3000H: 비페닐형 노볼락 에폭시 수지(니폰 카야쿠로부터 얻음).
E15-152T: 식 (I)로 나타낸 화합물(ICL로부터 얻음), 그 중에서 n은 약 3.0이다.
HM1100: 포스포네이트 폴리머(FRX Polymers회사로부터 얻음).
HPC-8000-65T: 활성 에스테르 수지(일본DIC로부터 얻음).
CE01PS: 비스페놀A형 시아네이트 수지(YANGZHOU TECHIA CHEMICAL로부터 얻음).
PT60S: 노볼락형 시아네이트 수지(LONZA로부터 얻음).
DMAP: 경화촉진제, 4-디메틸아미노피리딘(GUANGRONG CHEMICAL로부터 얻음).
아연이소옥타네이트: 경화촉진제(Alfa Aesa로부터 얻음).
열팽창계수(CTE)의 측정방법은 다음과 같다: 열기계분석기(TMA)를 이용하여 IPC-TM-650 2.4.24.6에 규정된 TMA방법에 따라 측정한다.
실시예 1
용기를 취하여, 54 중량부의 에폭시 수지 KES-7695M75와 31 중량부의 식 (I)로 나타낸 화합물 E15-152T를 첨가하고, 적당량의 메틸에틸케톤(MEK)과 디메틸포름아미드(DMF)를 첨가하여 완전히 용해될 때까지 교반하고, 그 다음으로 15 중량부의 시아네이트 수지 CE01PS, 사전에 용해시킨 경화촉진제 DMAP와 아연이소옥타네이트를 첨가하고, 계속 균일하게 교반하고, 마지막으로 용매로 액체의 고체함유량을 70%까지 조절하여 접착액을 제조한다. 유리섬유포로 상기 접착액을 침지시키고 적당한 두께로 제어한 후, 건조시켜 용매를 제거함으로써 프리프레그를 얻는다. 제조하여 얻은 프리프레그 6장을 적층하고, 이의 양측에 각각 한 장의 동박을 압착하고, 열압기에 넣어 경화시킴으로써, 상기에 따른 에폭시 수지 동박적층판을 제조한다. 물성 데이터는 표 1에 나타난 바와 같다.
실시예 2-7
제조공정은 실시예 1과 같고, 구성분의 조성 및 물성 지표(physical properties)는 표 1에 나타난 바와 같다.
비교예 1-7
제조공정은 실시예 1과 같고, 구성분의 조성 및 이의 물리적 지표는 표 1에 나타난 바와 같다.
표 1. 각 실시예의 구성분의 조성 및 이의 물성 데이터
구성분
조성		 물질 실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 실시예6 실시예7 비교예1 비교예2 비교예3 비교예4 비교예5 비교예6 비교예7
비페닐 에폭시 수지 NC-3000H 54 53 53 48 52 52 69 74 80 54
54
DCPD형 에폭시 수지 KES-7695M75 54


54 54
식 (I)로 나타낸 화합물 E15-152T 31 31 25 22 22 16 16 16 16 10

HM1100












31 31
활성 에스테르 수지 HPC-8000-65T


31 31

시아네이트 수지 CE01PS 15 15 22 25 30 32 15 10 10 15 15 15 15
PT60S 32




경화촉진제 DMAP 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량
아연이소옥타네이트 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량 적당량
성능 CTE 2.6% 2.7% 2.6% 2.5% 2.4% 2.3% 2.1% 3.3% 3.4% 3.6% 3.0% 3.2% 3.6% 3.7%
비고: 표에는 모두 고체 조성분의 중량부로 계산한다.
비교예 1-3에 비해 실시예 1-7의 조성분의 함량은 모두 본 발명의 한정범위 내에 있으며, 특정 함량 비율의 에폭시 수지, 시아네이트 및 식 (I)로 나타낸 화합물은 시너지 효과를 구비하고, 더 우수한 열팽창계수를 구비한다. 실시예 4-7의 조성분의 함량은 모두 본 발명의 바람직한 한정범위 내에 있으며, 기타 실시예에 비해 더욱 낮은 열팽창계수를 구비한다.
비교예 4-7에서는 식 (I)로 나타낸 화합물을 사용하지 않아도 경화와 난연의 작용을 구현할 수 있지만, 이의 열팽창계수는 최고로 3.7%까지 도달할 수 있다.
따라서 본 개시의 수지 조성물은 낮은 열팽창계수를 구비하며, 시아네이트를 함유한 에폭시 수지를 제공한다. 대응되게, 본 개시의 프리프레그, 적층판 및 인쇄회로기판도 낮은 열팽창계수를 구비한다.
물론, 본 분야의 당업자는 본 개시의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 기초상 본 개시에 대해 각종 변화 및 변형을 진행할 수 있다. 만약 본 개시의 이러한 변화와 변형이 본 개시의 청구범위 및 이와 균등한 기술범위 내에 속하면 이런 변화 및 변형도 본 개시에 포함될 것이다.

Claims (10)

  1. 무할로겐 에폭시 수지: 48-54중량부;
    식 (I)로 나타낸 화합물: 16-31중량부,
    Figure pct00003

    여기서, n은 2-15이고, Ac는 아세틸기이며; 및
    시아네이트수지: 15-32중량부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 무할로겐 에폭시 수지는 비페닐노볼락 에폭시 수지, DCPD형 노볼락 에폭시 수지, 알킬렌 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀A형 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀AP형 에폭시 수지, 비스페놀TMC형 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 수지 조성물은 16-22중량부의 상기 식 (I)로 나타낸 화합물, 25-32중량부의 상기 시아네이트수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 시아네이트수지는 비스페놀A형 시아네이트 수지, 비스페놀F형 시아네이트 수지, 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지, 페놀노볼락형 시아네이트 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 수지 조성물은 경화촉진제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 수지 조성물은 무할로겐 난연제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 수지 조성물은 충진재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  8. 보강재료에 제1항에 따른 수지 조성물을 침지 또는 코팅하고 반경화시켜 얻은 것을 특징으로 하는 프리프레그.
  9. 적어도 한 장의 제8항에 따른 프리프레그를 포함하는 적층판.
  10. 적어도 한 장의 제8항에 따른 프리프레그, 또는 적어도 한 장의 제9항에 따른 적층판을 포함하는 인쇄회로기판.
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