KR20210105952A - 열전도성 시트의 제조 방법 - Google Patents

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KR20210105952A
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conductive sheet
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유스케 구보
게이스케 아라마키
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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

시트 표면에 택성을 가지고, 또한 핸들링성이 향상된 열전도성 시트의 제조 방법을 제공한다. 섬유상의 열전도성 충전제가 함유된 열전도성의 성형체 시트(7)를 형성하는 공정과, 상기 성형체 시트(7)의 적어도 한쪽 면에, 지지체(11)에 실리콘 수지(12)가 적층된 실리콘 수지 필름(10)의 상기 실리콘 수지측(12)을 붙이고, 상기 성형체 시트(7)에 상기 실리콘 수지(12)를 전사하여, 실리콘 수지층(5)을 적층하는 공정을 가지고, 상기 성형체 시트(7)는, 상기 실리콘 수지 필름(10)을 전사한 것에 의한 열저항 변화가 0.5℃·cm2/W 이하이다.

Description

열전도성 시트의 제조 방법
본 기술은, 전자 부품 등에 붙여, 그 방열성을 향상시키는 열전도성 시트의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원은, 일본에 있어서 2019년 1월 25일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특원 2019-011143을 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 이 출원은 참조됨으로써, 본 출원에 원용된다.
전자 기기를 한층 더 고성능화함에 수반하여, 반도체 소자 등의 전자 부품의 고밀도화, 고실장화가 진행되고 있다. 이것에 수반하여, 전자 기기를 구성하는 전자 부품으로부터 발열하는 열을 더 효율적으로 방열하기 위해, 각종 열원(예를 들면 LSI, CPU, 트랜지스터, LED 등의 각종 디바이스)과 히트 싱크(예를 들면 방열 팬, 방열 판 등) 등의 방열 부재 사이에 끼워 이용하는 열전도성 시트가 제공되고 있다.
열전도성 시트로서는, 고분자 매트릭스에 무기 필러 등의 열전도성 충전제를 배합한 열전도 수지 조성물을 성형 후에 경화시킨 경화물을 시트형상으로 슬라이스함으로써 형성되는 것이 널리 사용되고 있다.
일본 특허 제5766335호 공보 일본 특허 제5752299호 공보
이와 같은 열전도성 시트는, 각종 열원과 방열 부재 사이의 열저항을 낮추기 위해, 얇고 열전도율이 높은 열전도성 시트가 요망되고 있다. 또, 열전도성 시트에는 피착체에 부착시키는 등 핸들링의 관점에서 택성(점착성)이 요구되는 경우가 있는데, 열전도 수지 조성물의 경화물을 슬라이스하여 열전도성 시트를 제조하는 방법에서는, 슬라이스에 의해 형성한 열전도성 시트 표면에는 택성이 없다는 문제가 있었다.
그래서, 실리콘의 A제와 B제의 비율을 바꾸어 열전도 수지 조성물을 구성하여 얻은 열전도성 시트를, 프레스 또는 PET 필름 사이에 끼워 정치함으로써 반응에 기여하지 않는 성분을 블리드시켜 피착체에 붙기 쉽게 하는 기술도 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 2).
그러나, 실리콘의 A제 비율을 크게 하면 높은 유연성을 가지며, 피착체에 붙기 쉬워지지만, 박리 필름으로부터 열전도성 시트를 벗겨낼 때에 열전도성 시트가 신장하거나 찢어져 버리는 등, 박리성에 문제가 생기는 경우가 있다. 또, 이와 같은 열전도성 시트는, 유연성을 가지는 점에서, 일정 하중이 걸리는 환경에 있어서 크리프에 의한 장기 신뢰성이 문제가 될 가능성이 있었다.
그래서, 본 기술은, 시트 표면에 택성을 가지고, 또한 핸들링성이 향상된 열전도성 시트의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위해, 본 기술에 따른 열전도성 시트의 제조 방법은, 섬유상의 열전도성 충전제가 함유된 열전도성의 성형체 시트를 형성하는 공정과, 상기 성형체 시트의 적어도 한쪽 면에, 지지체에 실리콘 수지가 적층된 실리콘 수지 필름의 상기 실리콘 수지측을 붙이고, 상기 성형체 시트에 상기 실리콘 수지를 전사하여, 실리콘 수지층을 적층하는 공정을 가지고, 상기 성형체 시트는, 상기 실리콘 수지 필름을 전사한 것에 의한 열저항 변화가 0.5℃·cm2/W 이하이다.
본 기술에 의하면, 열전도성 시트는, 점착제층에 의한 택성을 가지고, 또한 시트 본체에 실리콘 수지층이 형성되는 점에서 바인더 수지의 미경화 성분이 블리드하는 것에 기인하는 박리 필름으로부터의 박리성이 문제가 되지 않아, 양호한 핸들링성을 가진다. 또, 본 기술이 적용된 열전도성 시트는, 과잉한 유연성에 기인하는 장기 신뢰성의 문제도 없다.
도 1은, 본 기술이 적용된 열전도성 시트의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는, 열전도성 성형체를 슬라이스하는 공정의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 3은, 성형체 시트의 일면에 실리콘 수지를 전착하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 4는, 반도체 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 기술이 적용된 열전도성 시트의 제조 방법에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 본 기술은, 이하의 실시 형태에만 한정되는 것이 아니라, 본 기술의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 다양한 변경이 가능한 것은 물론이다. 또, 도면은 모식적인 것이며, 각 치수의 비율 등은 현실의 것과는 상이한 경우가 있다. 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 참작하여 판단해야 할 것이다. 또, 도면 상호 간에 있어서도 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.
본 기술이 적용된 열전도성 시트의 제조 방법은, 섬유상의 열전도성 충전제가 함유된 열전도성의 성형체 시트를 형성하는 공정(공정 A)과, 상기 성형체 시트의 적어도 한쪽 면에, 지지체에 실리콘 수지가 적층된 실리콘 수지 필름의 상기 실리콘 수지측을 붙이고, 상기 성형체 시트에 상기 실리콘 수지를 전사하여, 실리콘 수지층을 형성하는 공정(공정 B)을 가지고, 성형체 시트는, 실리콘 수지 필름을 전사한 것에 의한 열저항 변화가 0.5℃·cm2/W 이하가 된다.
본 기술에 의해 제조된 열전도성 시트는, 실리콘 수지층에 의한 택성을 가지고, 또한 시트 본체에 실리콘 수지층이 형성되는 점에서 고분자 매트릭스 성분의 미경화 성분이 블리드하는 것에 의한 박리 필름으로부터의 박리성이 문제가 되지 않아, 양호한 핸들링성을 가진다. 또, 본 기술에 의해 제조된 열전도성 시트는, 과잉한 유연성에 기인하는 장기 신뢰성의 문제도 없다. 또한, 본 기술에 의해 제조된 열전도성 시트는, 택성을 부여하는 실리콘 수지층을 구비하면서도, 열저항의 상승을 억제하여 열전도 효율을 유지할 수 있다.
실리콘 수지층의 두께는, 성형체 시트의 한쪽 면에만 적층된 경우에, 12μm 이하인 것이 바람직하다. 또, 실리콘 수지층의 두께는, 성형체 시트의 양면에 적층된 경우, 양면의 실리콘 수지층의 총 두께가 12μm 이하인 것이 바람직하다. 한편, 성형체 시트의 한쪽 면에만 적층된 실리콘 수지층의 두께나, 성형체 시트의 양면에 적층된 실리콘 수지층의 총 두께가 12μm를 초과하면 열저항이 상승하여, 열전도율이 악화될 우려가 있다.
또한, 성형체 시트의 한쪽 면에만 적층된 실리콘 수지층의 두께나, 성형체 시트의 양면에 적층된 실리콘 수지층의 총 두께는, 택성을 충분히 발현시키기 위해 2μm 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다.
또, 실리콘 수지층은, 성형체 시트의 한쪽 면에 전사되는 것이 바람직하고, 또, 성형체 시트의 다른쪽 면은 비점착성을 가지는 것이 바람직하다. 열전도성 시트는, 한쪽 면에 점착성을 가지고, 다른쪽 면에 비점착성을 구비함으로써 핸들링성을 향상시킬 수 있으며, 또한 열저항율의 상승을 보다 억제할 수 있다.
성형체 시트는, 고분자 매트릭스 성분에 섬유상의 열전도성 충전제가 함유된 열전도성 수지 조성물을 소정의 형상으로 성형하여 경화시켜, 열전도성 성형체를 형성하는 공정과, 상기 열전도성 성형체를 시트형상으로 슬라이스하는 공정에 의해 형성할 수 있다.
본 기술에 의해 제조된 열전도성 시트는, 성형체 시트를 구성하는 고분자 매트릭스 성분이 액상 실리콘 성분이며, 또, 열전도성 충전제가 탄소 섬유인 것이 바람직하다.
[열전도성 시트]
도 1에 본 기술에 의해 제조된 열전도성 시트(1)를 나타낸다. 열전도성 시트(1)는, 적어도 섬유상의 열전도성 충전제를 포함하는 고분자 매트릭스 성분이 경화되어 이루어지는 시트 본체(2)를 가지고, 시트 본체(2)의 적어도 한쪽 면에 실리콘 수지층(5)이 형성되어 있다.
시트 본체(2)는, 표면(2a) 및 이면(2b)의 택성(점착성)이 저감, 또는 소실되어 있다. 여기서, 택성이 저감, 또는 소실이란, 사람이 접촉했을 때에 점착성을 느끼지 않는 정도로까지 택성이 떨어져 있는 것을 말하며, 이것에 의해 열전도성 시트(1)는, 취급성이나 작업성이 향상되어 있다. 또한, 열전도성 시트(1)는, 시트 본체(2)로부터 약간의 고분자 매트릭스 성분의 미경화 성분이 배어 나와, 표리면(2a, 2b)에 노출되는 열전도성 충전제를 피복하는 경우도 있지만, 이것에 의해 시트 본체(2)에 택성이 발현하는 경우는 없다. 뒤에 상세히 서술하는 바와 같이, 열전도성 시트(1)의 택성은, 시트 본체(2)에 성막되는 실리콘 수지층(5)에 의해 실현되고 있다.
(고분자 매트릭스 성분)
시트 본체(2)를 구성하는 고분자 매트릭스 성분은, 열전도성 시트(1)의 기재가 되는 고분자 성분이다. 그 종류에 대해서는, 특별히 한정되지 않으며, 공지의 고분자 매트릭스 성분을 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 고분자 매트릭스 성분의 하나로서, 열경화성 폴리머를 들 수 있다.
상기 열경화성 폴리머로서는, 예를 들면, 가교 고무, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 비스말레이미드 수지, 벤조시클로부텐 수지, 페놀 수지, 불포화 폴리에스테르, 디알릴프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 폴리우레탄, 폴리이미드 실리콘, 열경화형 폴리페닐렌에테르, 열경화형 변성 폴리페닐렌에테르 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
또한, 상기 가교 고무로서는, 예를 들면, 천연 고무, 부타디엔 고무, 이소프렌 고무, 니트릴 고무, 수소첨가 니트릴 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌프로필렌 고무, 염소화 폴리에틸렌, 클로로설폰화 폴리에틸렌, 부틸 고무, 할로겐화 부틸 고무, 불소 고무, 우레탄 고무, 아크릴 고무, 폴리이소부틸렌 고무, 실리콘 고무 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
또, 이들 열경화성 폴리머 중에서도, 성형 가공성 및 내후성이 우수함과 함께, 전자 부품에 대한 밀착성 및 추종성의 점에서, 실리콘 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 상기 실리콘 수지로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 실리콘 수지의 종류를 적절히 선택할 수 있다.
상술한 성형 가공성, 내후성, 밀착성 등을 얻는 관점에서는, 상기 실리콘 수지로서, 액상 실리콘 겔의 주제와, 경화제로 구성되는 실리콘 수지인 것이 바람직하다. 그와 같은 실리콘 수지로서는, 예를 들면, 부가 반응형 액상 실리콘 수지, 과산화물을 가황(加黃)에 이용하는 열가황형 미러블 타입의 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 전자 기기의 방열 부재로서는, 전자 부품의 발열면과 히트 싱크면의 밀착성이 요구되기 때문에, 부가 반응형 액상 실리콘 수지가 특히 바람직하다.
상기 부가 반응형 액상 실리콘 수지로서는, 비닐기를 가지는 폴리오르가노실록산을 주제, Si-H기를 가지는 폴리오르가노실록산을 경화제로 한, 2액성의 부가 반응형 실리콘 수지 등을 이용하는 것이 바람직하다.
여기서, 액상 실리콘 성분은, 주제가 되는 실리콘 A액 성분과 경화제가 포함되는 실리콘 B액 성분을 가지고, 실리콘 A액 성분과 실리콘 B액 성분이 소정의 비율로 배합되어 있다. 실리콘 A액 성분과 실리콘 B액 성분의 배합 비율은 적절히 조정할 수 있지만, 시트 본체(2)에 유연성을 부여함과 함께, 프레스 공정에 의해서도 시트 본체(2)의 표면(2a, 2b)에 고분자 매트릭스 성분의 미경화 성분이 과잉하게 블리드하지 않고, 시트 본체(2)의 표면에 비점착성을 부여하여 핸들링성을 향상시키는 것이 바람직하다.
또, 열전도성 시트(1)에 있어서의 상기 고분자 매트릭스 성분의 함유량은, 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 시트의 성형 가공성이나, 시트의 밀착성 등을 확보하는 관점에서는, 15체적%~50체적% 정도인 것이 바람직하고, 20체적%~45체적%인 것이 보다 바람직하다.
[섬유상 열전도성 충전제]
열전도성 시트(1)에 포함되는 섬유상의 열전도성 충전제는, 시트의 열전도성을 향상시키기 위한 성분이다. 열전도성 충전제의 종류에 대해서는, 열전도성이 높은 섬유상의 재료이면 특별히 한정되지는 않지만, 보다 높은 열전도성을 얻을 수 있는 점에서는, 탄소 섬유를 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 열전도성 충전제에 대해서는, 1종 단독이어도 되고, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다. 또, 2종 이상의 열전도성 충전제를 이용하는 경우에는, 모두 섬유상의 열전도성 충전제여도 되고, 섬유상의 열전도성 충전제와 다른 형상의 열전도성 충전제를 혼합하여 이용해도 된다. 다른 형상의 열전도성 충전제로서는, 은, 구리, 알루미늄 등의 금속, 알루미나, 질화알루미늄, 탄화규소, 그래파이트 등의 세라믹스 등을 들 수 있다.
상기 탄소 섬유의 종류에 대해서 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 피치계, PAN계, PBO 섬유를 흑연화한 것, 아크 방전법, 레이저 증발법, CVD법(화학 기상 성장법), CCVD법(촉매 화학 기상 성장법) 등으로 합성된 것을 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 높은 열전도성을 얻을 수 있는 점에서, PBO 섬유를 흑연화한 탄소 섬유, 피치계 탄소 섬유가 보다 바람직하다.
또, 상기 탄소 섬유는, 필요에 따라, 그 일부 또는 전부를 표면 처리하여 이용할 수 있다. 상기 표면 처리로서는, 예를 들면, 산화처리, 질화처리, 니트로화, 설폰화, 혹은 이들 처리에 의해 표면에 도입된 관능기 혹은 탄소 섬유의 표면에, 금속, 금속 화합물, 유기 화합물 등을 부착 혹은 결합시키는 처리 등을 들 수 있다. 상기 관능기로서는, 예를 들면, 수산기, 카르복실기, 카르보닐기, 니트로기, 아미노기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 탄소 섬유의 평균 섬유 길이(평균 장축 길이)에 대해서도, 특별히 제한은 없고 적절히 선택할 수 있지만, 확실히 높은 열전도성을 얻는 점에서, 50μm~300μm의 범위인 것이 바람직하고, 75μm~275μm의 범위인 것이 보다 바람직하고, 90μm~250μm의 범위인 것이 특히 바람직하다.
또한, 상기 탄소 섬유의 평균 섬유 길이(평균 단축 길이)에 대해서도, 특별히 제한은 없고 적절히 선택할 수 있지만, 확실히 높은 열전도성을 얻는 점에서, 4μm~20μm의 범위인 것이 바람직하고, 5μm~14μm의 범위인 것이 보다 바람직하다.
상기 탄소 섬유의 애스펙트비(평균 장축 길이/평균 단축 길이)에 대해서는, 확실히 높은 열전도성을 얻는 점에서, 8 이상인 것이 바람직하고, 9~30인 것이 보다 바람직하다. 상기 애스펙트비가 8 미만이면, 탄소 섬유의 섬유 길이(장축 길이)가 짧기 때문에, 열전도율이 저하되어 버릴 우려가 있으며, 또한, 30을 초과하면, 열전도성 시트(1) 중에서의 분산성이 저하되기 때문에, 충분한 열전도율을 얻을 수 없을 우려가 있다.
여기서, 상기 탄소 섬유의 평균 장축 길이, 및 평균 단축 길이는, 예를 들면 마이크로스코프, 주사형 전자현미경(SEM) 등에 의해 측정하여, 복수의 샘플로부터 평균을 산출할 수 있다.
또, 열전도성 시트(1)에 있어서의 상기 섬유상의 열전도성 충전제의 함유량으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 4체적%~40체적%인 것이 바람직하고, 5체적%~35체적%인 것이 보다 바람직하다. 상기 함유량이, 4체적% 미만이면, 충분히 낮은 열저항을 얻는 것이 곤란해질 우려가 있으며, 40체적%를 초과하면, 열전도성 시트(1)의 성형성 및 상기 섬유상의 열전도성 충전제의 배향성에 영향을 주어 버릴 우려가 있다. 또, 열전도성 시트(1)에 있어서의 섬유상의 열전도성 충전제를 포함하는 열전도성 충전제의 함유량은, 15체적%~75체적%인 것이 바람직하다.
또한, 섬유상의 열전도성 충전제는, 시트 본체(2)의 표리면(2a, 2b)에 노출되어, 전자 부품 등의 열원이나 히트 싱크 등의 방열 부재와 열적으로 접촉한다. 열전도성 시트(1)는, 시트 본체(2)의 표리면(2a, 2b)에 노출되는 섬유상 열전도성 충전제가 고분자 매트릭스 성분의 미경화 성분으로 피복되는 경우, 전자 부품 등에 탑재했을 때에 섬유상 열전도성 충전제와 전자 부품 등의 접촉 열저항을 낮출 수 있다.
[무기물 필러]
열전도성 시트(1)는, 열전도성 충전제로서, 무기물 필러를 추가로 함유시켜도 된다. 무기물 필러를 함유시킴으로써, 열전도성 시트(1)의 열전도성을 보다 높여, 시트의 강도를 향상시킬 수 있다. 상기 무기물 필러로서는, 형상, 재질, 평균 입경 등에 대해서는 특별히 제한이 되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 상기 형상으로서는, 예를 들면, 구형상, 타원구형상, 덩어리형상, 입자상, 편평형상, 침형상 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구형상, 타원 형상이 충전성의 점에서 바람직하고, 구형상이 특히 바람직하다.
상기 무기물 필러의 재료로서는, 예를 들면, 질화알루미늄(질화알루미늄: AlN), 실리카, 알루미나(산화알루미늄), 질화붕소, 티타니아, 유리, 산화아연, 탄화규소, 규소(실리콘), 산화규소, 금속 입자 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 이들 중에서도, 알루미나, 질화붕소, 질화알루미늄, 산화아연, 실리카가 바람직하고, 열전도율의 점에서, 알루미나, 질화알루미늄이 특히 바람직하다.
또, 상기 무기물 필러는, 표면 처리가 실시된 것을 이용할 수 있다. 상기 표면 처리로서 커플링제로 상기 무기물 필러를 처리하면, 상기 무기물 필러의 분산성이 향상되고, 열전도성 시트(1)의 유연성이 향상된다.
상기 무기물 필러의 평균 입경에 대해서는, 무기물의 종류 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 상기 무기물 필러가 알루미나인 경우, 그 평균 입경은, 1μm~10μm인 것이 바람직하고, 1μm~5μm인 것이 보다 바람직하고, 4μm~5μm인 것이 특히 바람직하다. 상기 평균 입경이 1μm 미만이면, 점도가 커져, 혼합하기 어려워질 우려가 있다. 한편, 상기 평균 입경이 10μm를 초과하면, 열전도성 시트(1)의 열저항이 커질 우려가 있다.
또한, 상기 무기물 필러가 질화알루미늄인 경우, 그 평균 입경은, 0.3μm~6.0μm인 것이 바람직하고, 0.3μm~2.0μm인 것이 보다 바람직하고, 0.5μm~1.5μm인 것이 특히 바람직하다. 상기 평균 입경이, 0.3μm 미만이면, 점도가 커져, 혼합하기 어려워질 우려가 있으며, 6.0μm를 초과하면, 열전도성 시트(1)의 열저항이 커질 우려가 있다.
또한, 상기 무기물 필러의 평균 입경은, 예를 들면, 입도 분포계, 주사형 전자현미경(SEM)에 의해 측정할 수 있다.
[그 외의 성분]
열전도성 시트(1)는, 상술한, 고분자 매트릭스 성분 및 섬유상 열전도성 충전제, 적절히 함유되는 무기물 필러에 더하여, 목적에 따라 그 외의 성분을 적절히 포함할 수도 있다. 그 외의 성분으로서는, 예를 들면, 자성 금속분, 틱소트로피성 부여제, 분산제, 경화 촉진제, 지연제, 미점착 부여제, 가소제, 난연제, 산화방지제, 안정제, 착색제 등을 들 수 있다. 또, 자성 금속분의 함유량을 조정함으로써, 열전도성 시트(1)에 전자파 흡수 성능을 부여해도 된다.
[실리콘 수지층(5)]
시트 본체(2)의 적어도 한쪽 면에 전사되는 실리콘 수지층(5)은, 열전도성 시트(1)의 적어도 한쪽 면에 택성을 부여하는 것이다. 도 1에 나타내는 열전도성 시트(1)는, 시트 본체(2)의 이면(2b)에 실리콘 수지층(5)이 형성되고, 표면(2a)에는 실리콘 수지층(5)이 형성되어 있지 않다. 실리콘 수지층(5)이 형성되어 있지 않은 시트 본체(2)의 표면(2a)은 비점착성이 부여되어, 핸들링성이 향상되어 있다.
실리콘 수지로서는, 시트 본체(2)를 구성하는 고분자 매트릭스 성분으로서 적합한 상기 실리콘 수지를 이용할 수 있다. 즉, 실리콘 수지층(5)을 구성하는 실리콘 수지로서는, 부가 반응형 액상 실리콘 수지, 과산화물을 가황에 이용하는 열가황형 미러블 타입의 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 전자 기기의 방열 부재로서는, 전자 부품의 발열면과 히트 싱크면의 밀착성이 요구되기 때문에, 부가 반응형 액상 실리콘 수지가 특히 바람직하다.
또, 상기 부가 반응형 액상 실리콘 수지로서는, 비닐기를 가지는 폴리오르가노실록산을 주제, Si-H기를 가지는 폴리오르가노실록산을 경화제로 한, 2액성의 부가 반응형 실리콘 수지 등을 이용하는 것이 바람직하다.
여기서, 액상 실리콘 성분은, 주제가 되는 실리콘 A액 성분과 경화제가 포함되는 실리콘 B액 성분을 가지고, 실리콘 A액 성분과 실리콘 B액 성분이 소정의 비율로 배합되어 있다.
시트 본체(2)는, 실리콘 수지 필름을 전사한 것에 의한 열저항 변화가 0.5℃·cm2/W 이하가 되고, 열저항의 상승을 억제하여 열전도 효율을 유지할 수 있다. 이 때문에, 실리콘 수지층(5)은, 두께가 12μm 이하가 되는 것이 바람직하다. 한편, 실리콘 수지층의 두께가 12μm를 초과하면 열저항이 상승하여, 열전도율이 악화될 우려가 있다. 또, 실리콘 수지층(5)은, 시트 표면에 있어서의 택성을 충분히 발현시키기 위해, 두께가 2μm 이상이 되는 것이 바람직하다.
또, 실리콘 수지층(5)은, 시트 본체(2)의 한쪽 면에 전사되는 것이 바람직하고, 또, 시트 본체(2)의 다른쪽 면은 비점착성을 가지는 것이 바람직하다. 열전도성 시트는, 한쪽 면에 점착성을 가지고, 다른쪽 면에 비점착성을 구비함으로써 핸들링성을 향상시킬 수 있으며, 또한 열저항율의 상승을 보다 억제할 수 있다.
또한, 시트 본체(2)의 양면에 실리콘 수지층(5)이 전사되어도 된다. 이 경우, 시트 본체(2)의 양면에 적층된 실리콘 수지층(5)의 총 두께가 12μm 이하가 되는 것이 바람직하다. 실리콘 수지층(5)의 형성 방법에 대해서는, 뒤에 상세히 서술한다.
[열전도성 시트의 제조 방법]
다음에, 열전도성 시트(1)의 제조 공정에 대해서 설명한다. 본 기술이 적용된 열전도성 시트(1)의 제조 공정은, 섬유상의 열전도성 충전제가 함유된 열전도성의 성형체 시트를 형성하는 공정(공정 A)과, 상기 성형체 시트의 적어도 한쪽 면에, 지지체에 실리콘 수지가 적층된 실리콘 수지 필름의 상기 실리콘 수지측을 붙이고, 상기 성형체 시트에 상기 실리콘 수지를 전사하여, 실리콘 수지층을 형성하는 공정(공정 B)을 가진다.
[공정 A]
공정 A에서는, 섬유상의 열전도성 충전제가 함유된 열전도성의 성형체 시트를 형성한다. 성형체 시트는, 고분자 매트릭스 성분에 섬유상의 열전도성 충전제가 함유된 열전도성 수지 조성물을 소정의 형상으로 성형하여 경화시켜, 열전도성 성형체를 형성하는 공정(공정 A1)과, 상기 열전도성 성형체를 시트형상으로 슬라이스하는 공정(공정 A2)에 의해 형성할 수 있다.
공정 A1에서는, 상술한 고분자 매트릭스 성분 및 섬유상 열전도성 충전제, 적절히 함유되는 무기물 필러, 그 외의 성분을 배합하여, 열전도성 수지 조성물을 조제한다. 또한, 각 성분을 배합, 조제하는 순서에 대해서는 특별히 한정되지는 않으며, 예를 들면, 고분자 매트릭스 성분에, 섬유상 열전도성 충전제, 적절히, 무기물 필러, 자성 금속분, 그 외 성분을 첨가하여 혼합함으로써, 열전도성 수지 조성물의 조제가 행해진다.
다음에, 탄소 섬유 등의 섬유상의 열전도성 충전제를 일방향으로 배향시킨다. 이 충전제의 배향 방법은, 일방향으로 배향시킬 수 있는 수단이면 특별히 한정되지는 않는다. 예를 들면, 중공형상의 금형 내에 상기 열전도성 수지 조성물을 고전단력 하에서 압출 또는 압입함으로써, 비교적 용이하게 섬유상의 열전도성 충전제를 일방향으로 배향시킬 수 있어, 상기 섬유상의 열전도성 충전제의 배향은 동일(±10°이내)해진다.
상술한, 중공형상의 금형 내에 상기 열전도성 수지 조성물을 고전단력 하에서 압출 또는 압입하는 방법으로서, 구체적으로는, 압출 성형법 또는 금형 성형법을 들 수 있다. 상기 압출 성형법에 있어서, 상기 열전도성 수지 조성물을 다이로부터 압출할 때, 혹은 상기 금형 성형법에 있어서, 상기 열전도성 수지 조성물을 금형으로 압입할 때, 상기 열전도성 수지 조성물이 유동하여, 그 유동 방향을 따라 섬유상 열전도성 충전제가 배향된다. 이 때, 다이의 선단에 슬릿을 장착하면 섬유상 열전도성 충전제가 보다 배향되기 쉬워진다.
중공형상의 금형 내에 압출 또는 압입된 상기 열전도성 수지 조성물은, 당해 금형의 형상, 크기에 따른 블록 형상으로 성형되어, 섬유상의 열전도성 충전제의 배향 상태를 유지한 채로 상기 고분자 매트릭스 성분을 경화시키는 것에 의해 경화됨으로써, 열전도성 성형체가 형성된다. 열전도성 성형체란, 소정의 사이즈로 절단하여 얻어지는 열전도성 시트(1)의 기초가 되는 시트 절출(切出)용의 모재(성형체)를 말한다.
중공형상의 금형 및 열전도성 성형체의 크기 및 형상은, 요구되는 열전도성 시트(1)의 크기, 형상에 따라 결정할 수 있으며, 예를 들면, 단면의 세로의 크기가 0.5cm~15cm이고 가로의 크기가 0.5cm~15cm인 직육면체를 들 수 있다. 직육면체의 길이는 필요에 따라 결정하면 된다.
상기 고분자 매트릭스 성분을 경화시키는 방법이나 조건에 대해서는, 고분자 매트릭스 성분의 종류에 따라 바꿀 수 있다. 예를 들면, 상기 고분자 매트릭스 성분이 열경화 수지인 경우, 열경화에 있어서의 경화 온도를 조정할 수 있다. 또한, 그 열경화성 수지가, 액상 실리콘 겔의 주제와, 경화제를 함유하는 것인 경우, 80℃~120℃의 경화 온도로 경화를 행하는 것이 바람직하다. 또, 열경화에 있어서의 경화 시간으로서는, 특별히 제한은 없지만, 1시간~10시간으로 할 수 있다.
공정 A2에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 열전도성 성형체(6)를 시트형상으로 슬라이스하여, 성형체 시트(7)를 형성한다. 이 공정 A2에서는, 배향한 섬유상의 열전도성 충전제의 장축 방향에 대해, 0°~90°의 각도가 되도록, 열전도성 성형체(6)를 시트형상으로 절단한다. 이것에 의해, 섬유상 열전도성 충전제는, 시트 본체(2)의 두께 방향으로 배향된다.
또, 열전도성 성형체(6)의 절단에 대해서는, 슬라이스 장치를 이용하여 행해진다. 슬라이스 장치에 대해서는, 상기 열전도성 성형체(6)를 절단할 수 있는 수단이면 특별히 한정되지는 않으며, 공지의 슬라이스 장치를 적절히 이용할 수 있다. 예를 들면, 초음파 커터, 대패 등을 이용할 수 있다.
열전도성 성형체(6)의 슬라이스 두께는, 열전도성 시트(1)의 시트 본체(2)의 두께가 되고, 열전도성 시트(1)의 용도에 따라 적절히 설정할 수 있으며, 예를 들면 0.5~3.0mm이다.
또한, 공정 A2에서는, 열전도성 성형체(6)로부터 잘라 내어진 성형체 시트(7)에 절입(切入)을 형성함으로써, 복수의 성형체 시트(7)로 소편화(小片化)해도 된다.
또, 이 공정 A는, 필요에 따라, 공정 A2 후, 공정 B의 전에, 성형체 시트(7)를 프레스함으로써, 상기 시트 본체(2)의 표면을 평활화시키는 공정(공정 A3)을 가져도 된다. 공정 A3에서는, 성형체 시트(7)의 양면에 박리 필름을 붙이고 프레스함으로써, 시트 표면을 평활화함과 함께 고분자 매트릭스 성분의 미경화 성분에 의해 시트 표면에 노출되는 섬유상의 열전도성 충전제를 피복시킨다. 이것에 의해, 열전도성 시트(1)는, 시트 표면의 요철을 저감시켜, 공정 B에 있어서 실리콘 수지층(5)을 균일하게 전착 가능하게 되고, 또 열원이나 방열 부재와의 밀착성을 향상시켜, 경하중 시의 계면 접촉 저항을 경감시켜, 열전도 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 프레스에 대해서는, 예를 들면, 평반과 표면이 평탄한 프레스 헤드로 이루어지는 한 쌍의 프레스 장치를 사용하여 행할 수 있다. 또, 핀치 롤을 사용하여 프레스를 행해도 된다.
상기 프레스 시의 압력으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 너무 낮으면 프레스를 하지 않는 경우와 열저항이 다르지 않은 경향이 있고, 너무 높으면 시트가 연신하는 경향이 있기 때문에, 0.1MPa~100MPa의 압력 범위로 하는 것이 바람직하고, 0.5MPa~95MPa의 압력 범위로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 성형체 시트(7)의 양면에 붙여지는 박리 필름으로서는, 예를 들면 PET 필름이 이용된다. 또, 박리 필름은, 성형체 시트(7)의 표면으로의 붙임면에 박리 처리를 실시해도 된다. 성형체 시트(7)는, 박리 필름이 박리된 후, 실리콘 수지층(5)의 형성 공정 B에 제공된다.
[공정 B]
공정 B에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 성형체 시트(7)의 적어도 한쪽 면에, 지지체(11)에 실리콘 수지(12)가 적층된 실리콘 수지 필름(10)의 상기 실리콘 수지(12)측을 붙이고, 성형체 시트(7)에 실리콘 수지(12)를 전사하여, 실리콘 수지층을 형성한다.
실리콘 수지(12)를 지지하는 지지체(11)는 플라스틱 필름이며, 예를 들면 PET 필름이 이용된다. 또, 지지체(11)는, 실리콘 수지(12)가 적층되는 면에 박리 처리를 실시해도 된다.
실리콘 수지 필름(10)은, 지지체(11)에 상술한 2액성의 부가 반응형 실리콘 수지 등의 실리콘 수지를 도포함으로써 형성할 수 있다. 실리콘 수지(12)는, 디스팬서의 토출량이나 지지체(11)의 반송 속도 등을 제어함으로써, 두께 12μm 이하로 지지체(11) 상에 적층되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 성형체 시트(7)는, 실리콘 수지 필름(10)을 전사한 것에 의한 열저항 변화가 0.5℃·cm2/W 이하가 되고, 열저항의 상승을 억제하여 열전도 효율을 유지할 수 있다. 또, 실리콘 수지(12)는, 성형체 시트(7) 표면에 있어서의 택성을 충분히 발현시키기 위해, 두께 2μm 이상으로 적층되는 것이 보다 바람직하다.
그리고, 실리콘 수지 필름(10)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 성형체 시트(7)의 한쪽 면에 실리콘 수지가 도포된 측을 붙여, 필름 적층체를 형성한다. 다음에, 이 필름 적층체의 양면에 박리 필름을 붙이고, 소정의 열가압 조건(예를 들면 압력: 0.5MPa, 온도: 87℃, 시간: 3분)으로 가열 압압한다. 이것에 의해 실리콘 수지가 성형체 시트(7)에 전착된 실리콘 수지 필름 부착 열전도성 시트가 형성된다. 박리 필름 및 지지체(11)를 벗겨냄으로써, 시트 본체(2)에 실리콘 수지층(5)이 적층된 열전도성 시트(1)를 얻는다.
[사용 형태예]
실 사용시에 있어서는, 열전도성 시트(1)는, 예를 들면, 반도체 장치 등의 전자 부품이나, 각종 전자 기기의 내부에 실장된다. 이 때, 열전도성 시트(1)는, 시트 본체(2)의 표면에는 택성이 저감 또는 소실되거나, 혹은 지지체(11)가 붙어져 있기 때문에, 취급성이 우수함과 함께, 한쪽 면에 실리콘 수지층(5)이 전착됨으로써 택성을 가지고, 작업성도 우수하다.
열전도성 시트(1)는, 예를 들면, 도 4에 나타내는 바와 같이, 각종 전자 기기에 내장되는 반도체 장치(50)에 실장되고, 열원과 방열 부재 사이에 협지된다. 도 4에 나타내는 반도체 장치(50)는, 전자 부품(51)과, 히트 스프레더(52)와, 열전도성 시트(1)를 적어도 가지고, 열전도성 시트(1)가 히트 스프레더(52)와 전자 부품(51)의 사이에 협지된다. 열전도성 시트(1)를 이용함으로써, 반도체 장치(50)는, 높은 방열성을 가지고, 또 시트 본체(2) 중의 자성 금속분의 함유량에 따라 전자파 억제 효과도 우수하다.
전자 부품(51)으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, CPU, MPU, 그래픽 연산 소자, 이미지 센서 등의 각종 반도체 소자, 안테나 소자, 배터리 등을 들 수 있다. 히트 스프레더(52)는, 전자 부품(51)이 발하는 열을 방열하는 부재이면, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 열전도성 시트(1)는, 히트 스프레더(52)와 전자 부품(51)의 사이에 협지된다. 또 열전도성 시트(1)는, 히트 스프레더(52)와 히트 싱크(53)의 사이에 협지됨으로써, 히트 스프레더(52)와 함께, 전자 부품(51)의 열을 방열하는 방열 부재를 구성한다.
열전도성 시트(1)의 실장 장소는, 히트 스프레더(52)와 전자 부품(51)의 사이나, 히트 스프레더(52)와 히트 싱크(53)의 사이에 한정하지 않고, 전자 기기나 반도체 장치의 구성에 따라, 적절히 선택할 수 있는 것은 물론이다. 또, 방열 부재로서는, 히트 스프레더(52)나 히트 싱크(53) 이외에도, 열원으로부터 발생하는 열을 전도하여 외부로 방산시키는 것이면 되고, 예를 들면, 방열기, 냉각기, 다이 패드, 프린트 기판, 냉각 팬, 펠티에 소자, 히트 파이프, 금속 커버, 하우징 등을 들 수 있다.
실시예
다음에, 본 기술의 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는, 2액성의 부가 반응형 액상 실리콘에, 실란 커플링제로 커플링 처리한 평균 입경 1μm의 질화알루미늄 입자 23체적%과 평균 입경 5μm의 알루미나 입자 20체적%, 섬유상 필러로서 평균 섬유 길이 150μm의 피치계 탄소 섬유 22체적%를 혼합하여, 실리콘 조성물(열전도성 수지 조성물)을 조제했다. 2액성의 부가 반응형 액상 실리콘 수지는, 오르가노폴리실록산을 주성분으로 하는 것을 사용하여, 실리콘 A제와 B제의 배합비가, 17.5vol%:17.5vol%가 되도록 배합한다. 얻어진 실리콘 조성물을, 중공 사각기둥형상의 금형(50mm×50mm)의 내벽을 따르도록 박리 처리된 필름을 붙인 안에 압출 성형하여, 50mm×50mm의 실리콘 성형체를 성형한 후에 오븐에서 100℃에서 6시간 가열하여 실리콘 경화물(열전도성 성형체)로 했다. 중공 사각기둥형상의 금형으로부터 실리콘 경화물을 꺼낸 후에 박리 처리된 필름을 벗겨내어 두께가 0.5mm가 되도록 슬라이서로 시트형상으로 절단했다. 슬라이스하여 얻어진 성형체 시트를 이하의 실시예 및 비교예의 조건에서 가공하여, 열전도성 시트를 얻었다.
얻어진 열전도성 시트(50mm×50mm×0.5mm)의 자중을 이용하여, 실리콘 수지층측을 SUS판에 얹은 후 180도 반전해도 낙하하는지 여부를 3회 확인했다. 3회 모두 1분 이상 낙하하지 않은 경우는 택성을 가지는 것으로 평가하고, 3회 모두 1분 이내에 낙하한 경우는 택성을 가지지 않는 것으로 평가했다. 또한, 1회라도 1분 이상 낙하하지 않은 경우가 있으면, 미소한 택성을 가지는 것으로서 평가했다.
또, 20mmφ로 외형 가공한 열전도성 시트의 열저항[℃·cm2/W]을, ASTM-D5470에 준거한 방법으로 1kgf/cm2의 하중으로 측정했다.
[실시예 1]
박리 PET 상에 2액성의 부가 반응형 액상 실리콘을 도포하여, 두께 2μm의 실리콘 수지가 적층된 실리콘 수지 필름을 얻었다. 슬라이스하여 얻어진 상기 성형체 시트의 한쪽 면에 실리콘 수지 필름을 붙여, 필름 적층체를 형성했다. 이 필름 적층체를 박리 처리된 PET 필름 사이에 끼워 압력 0.5MPa, 온도 87℃, 시간 3분의 조건에서 프레스했다. 프레스 후에 PET 필름을 벗겨내어, 실리콘 수지 필름 부착 열전도 시트를 얻었다.
[실시예 2]
박리 PET 상에 2액성의 부가 반응형 액상 실리콘을 도포하여, 두께 5μm의 실리콘 수지가 적층된 실리콘 수지 필름을 얻었다. 슬라이스하여 얻어진 상기 성형체 시트의 한쪽 면에 실리콘 수지 필름을 붙여, 필름 적층체를 형성했다. 이 필름 적층체를 박리 처리된 PET 필름 사이에 끼워 압력 0.5MPa, 온도 87℃, 시간 3분의 조건에서 프레스했다. 프레스 후에 PET 필름을 벗겨내어, 실리콘 수지 필름 부착 열전도 시트를 얻었다.
[실시예 3]
박리 PET 상에 2액성의 부가 반응형 액상 실리콘을 도포하여, 두께 10μm의 실리콘 수지가 적층된 실리콘 수지 필름을 얻었다. 슬라이스하여 얻어진 상기 성형체 시트의 한쪽 면에 실리콘 수지 필름을 붙여, 필름 적층체를 형성했다. 이 필름 적층체를 박리 처리된 PET 필름 사이에 끼워 압력 0.5MPa, 온도 87℃, 시간 3분의 조건에서 프레스했다. 프레스 후에 PET 필름을 벗겨내어, 실리콘 수지 필름 부착 열전도 시트를 얻었다.
[실시예 4]
박리 PET 상에 2액성의 부가 반응형 액상 실리콘을 도포하여, 두께 5μm의 실리콘 수지가 적층된 실리콘 수지 필름을 얻었다. 슬라이스하여 얻어진 상기 성형체 시트의 양쪽 면에 실리콘 수지 필름을 붙여, 필름 적층체를 형성했다. 이 필름 적층체를 박리 처리된 PET 필름 사이에 끼워 압력 0.5MPa, 온도 87℃, 시간 3분의 조건에서 프레스했다. 프레스 후에 PET 필름을 벗겨내어, 실리콘 수지 필름 부착 열전도 시트를 얻었다.
[실시예 5]
박리 PET 상에 2액성의 부가 반응형 액상 실리콘을 도포하여, 두께 1μm의 실리콘 수지가 적층된 실리콘 수지 필름을 얻었다. 슬라이스하여 얻어진 상기 성형체 시트의 한쪽 면에 실리콘 수지 필름을 붙여, 필름 적층체를 형성했다. 이 필름 적층체를 박리 처리된 PET 필름 사이에 끼워 압력 0.5MPa, 온도 87℃, 시간 3분의 조건에서 프레스했다. 프레스 후에 PET 필름을 벗겨내어, 실리콘 수지 필름 부착 열전도 시트를 얻었다.
[비교예 1]
실리콘 수지층이 형성되어 있지 않은 성형체 시트 만으로 이루어지는 열전도성 시트를 형성했다.
[비교예 2]
박리 PET 상에 2액성의 부가 반응형 액상 실리콘을 도포하여, 두께 20μm의 실리콘 수지가 적층된 실리콘 수지 필름을 얻었다. 슬라이스하여 얻어진 상기 성형체 시트의 한쪽 면에 실리콘 수지 필름을 붙여, 필름 적층체를 형성했다. 이 필름 적층체를 박리 처리된 PET 필름 사이에 끼워 압력 0.5MPa, 온도 87℃, 시간 3분의 조건에서 프레스했다. 프레스 후에 PET 필름을 벗겨내어, 실리콘 수지 필름 부착 열전도 시트를 얻었다.
[비교예 3]
박리 PET 상에 2액성의 부가 반응형 액상 실리콘을 도포하여, 두께 10μm의 실리콘 수지가 적층된 실리콘 수지 필름을 얻었다. 슬라이스하여 얻어진 상기 성형체 시트의 양쪽 면에 실리콘 수지 필름을 붙여, 필름 적층체를 형성했다. 이 필름 적층체를 박리 처리된 PET 필름 사이에 끼워 압력 0.5MPa, 온도 87℃, 시간 3분의 조건에서 프레스했다. 프레스 후에 PET 필름을 벗겨내어, 실리콘 수지 필름 부착 열전도 시트를 얻었다.
Figure pct00001
표 1에 나타내는 바와 같이, 성형체 시트의 한쪽 면 또는 양면에 두께 또는 총 두께가 12μm 이하(1-10μm)의 실리콘 수지를 전사한 실시예 1~5에 따른 열전도성 시트는, 택성 또는 미소한 택성을 부여할 수 있으며, 또한 실리콘 수지를 전사하고 있지 않는 비교예 1에 따른 열전도성 시트를 기준으로 한 열저항의 상승도 낮게 억제되었다.
한편, 성형체 시트의 한쪽 면에 전사한 실리콘 수지의 두께를 20μm로 한 비교예 2, 및 성형체 시트의 양면에 전사한 실리콘 수지의 총 두께를 20μm로 한 비교예 3은 열저항이 증가하여, 비교예 1을 기준으로 하여 열저항이 큰 폭으로 상승했다.
1 열전도성 시트
2 시트 본체
5 실리콘 수지층
6 열전도성 성형체
7 성형체 시트

Claims (8)

  1. 섬유상의 열전도성 충전제가 함유된 열전도성의 성형체 시트를 형성하는 공정과,
    상기 성형체 시트의 적어도 한쪽 면에, 지지체에 실리콘 수지가 적층된 실리콘 수지 필름의 상기 실리콘 수지측을 붙이고, 상기 성형체 시트에 상기 실리콘 수지를 전사하여, 실리콘 수지층을 적층하는 공정을 가지고,
    상기 성형체 시트는, 상기 실리콘 수지 필름을 전사한 것에 의한 열저항 변화가 0.5℃·cm2/W 이하인, 열전도성 시트의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 실리콘 수지층은, 상기 성형체 시트의 한쪽 면에만 적층되고,
    상기 실리콘 수지층의 두께가 12μm 이하인, 열전도성 시트의 제조 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 실리콘 수지층은, 상기 성형체 시트의 양쪽 면에 적층되고,
    상기 성형체 시트의 양쪽 면에 적층된 상기 실리콘 수지층의 총 두께가 12μm 이하인, 열전도성 시트의 제조 방법.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 실리콘 수지층을, 상기 성형체 시트의 한쪽 면에 전사하는, 열전도성 시트의 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 성형체 시트의 다른쪽 면은 비점착성을 가지는, 열전도성 시트의 제조 방법.
  6. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    고분자 매트릭스 성분에 섬유상의 열전도성 충전제가 함유된 열전도성 수지 조성물을 소정의 형상으로 성형하여 경화시켜, 열전도성 성형체를 형성하는 공정과,
    상기 열전도성 성형체를 시트형상으로 슬라이스하는 공정에 의해, 상기 성형체 시트를 형성하는, 열전도성 시트의 제조 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 고분자 매트릭스 성분이 액상 실리콘 성분인, 열전도성 시트의 제조 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열전도성 충전제가 탄소 섬유인, 열전도성 시트의 제조 방법.
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