KR20210100649A - 리소그래피 패터닝 방법 - Google Patents

Abstract

본 문서는 기판의 표면 상에 피쳐들을 생성하는 리소그래피 패터닝 방법을 기술한다. 상기 패터닝 방법은 레지스트 재료 층을 제공하기 위해 레지스트 재료를 기판 표면에 도포하는 단계, 레지스트 재료 층의 레지스트 재료를 화학적으로 개질하기 위해 위치에 따라서, 그리고 패터닝 데이터에 기초하여, 레지스트 재료 층을 표면 처리 단계에 선택적으로 노광시키는 단계, 및 레지스트 재료를 선택적으로 제거하기 위해 레지스트 재료의 화학적 개질에 기초하여, 레지스트 재료 층을 현상하는 단계를 포함한다. 특히, 현상하는 단계 이전에, 본 방법은 표면 상에 형성될 피쳐들의 하나 이상의 중요 치수들을 측정하기 위해 복수의 위치들에서 기판 표면의 국부 접촉 강도를 결정하기 위해, 음향 스캐닝 프로브 현미경 검사 방법을 이용하여 표면의 적어도 일부분을 스캐닝하는 단계를 포함한다.

Description

리소그래피 패터닝 방법

본 발명은 기판의 표면 상에 피쳐들을 생성하는 리소그래피 패터닝 방법에 관한 것으로, 패터닝 방법은 레지스트 재료 층을 제공하기 위해 레지스트 재료를 기판 표면에 도포하는 단계; 레지스트 재료 층의 레지스트 재료를 화학적으로 개질하기 위해, 위치에 따라서, 그리고 패터닝 데이터에 기초하여, 레지스트 재료 층을 표면 처리 단계에 선택적으로 노광시키는 단계; 및 레지스트 재료를 선택적으로 제거하기 위해 레지스트 재료의 화학적 개질에 기초하여, 레지스트 재료 층을 현상하는 단계를 포함한다. 본 발명은 또한 반도체 엘리먼트를 제조하는 제조 방법, 및 이러한 방법을 이용하여 제조된 반도체 엘리먼트에 관한 것이다.

나노리소그래피는 나노미터 스케일의 구조물들 또는 패턴들의 생성에 관한 것으로, 예를 들어, 반도체 엘리먼트들의 가장 작은 구조물들을 제조하는데 적용된다. 이러한 이유로, 나노리소그래피의 분야는 다양한 응용 분야들에서의 과학기술 발전의 기본 요구 사항들을 만족시킬 수 있기 때문에, 반도체 산업에 대한 관심이 계속 증가하고 있다. 나노리소그래피는 이러한 나노미터 스케일 구조물들의 제조를 가능하게 하는 다수의 상이한 기술들에 대한 총칭이다. 이들 기술들 중 일부가 다른 기술들과 실질적으로 상이하지만, 대부분의 나노리소그래피 방법들은 위에서 언급한 단계들을 공통적으로 갖고 있다. 레지스트 재료 층이 기판 상에 형성되고, 레지스트 재료가 화학적 개질을 유도하기 위해 처리 단계에 노광된다. 이는, 그후 단지 화학적으로 개질된 재료만의 선택적 제거 (또는, 대안적으로, 단지 화학적으로 비개질된 재료의 제거)를 위한 현상 단계의 적용을 가능하게 한다. 일부의 경우, 이에 따라 구조물들이 레지스트 재료로부터 직접 형성되지만, 대부분의 경우에는, 레지스트 재료의 선택적 제거가 레지스트 재료 층을 초래하여 그 아래에 있는 기판 재료의 에칭과 같은 후속 단계를 위한 패터닝된 마스크를 제공한다.

상기 기술의 하나의 단점은 중요 치수들의 측정 및 결함들의 검출이 단지 현상 단계 이후에만 가능하다는 점이다. 선택적 노광 단계가 정확하게 수행될 수 있지만, 그 단계의 결과들이 만족스러운지 여부를 체크할 방법이 없다. 일단 현상되면, 중요 치수들을 검증하고 임의의 결함들을 검출하는 것이 가능하며, 그러나 그 당시에는, 더 이상 보정들을 행하는 것이 불가능하다. 임의의 결함들이 검출되면, 생성중인 개별 반도체 엘리먼트가 손실된 것으로 간주되어야 한다.

본 발명의 목적은 위에서 언급한 단점들을 해결하고, 프로세스의 수율을 증가시키기 위해 중요 치수들 및 결함들의 검출 및 시기적절한 보정 둘다 모두를 가능하게 하는 리소그래피 패터닝 방법을 제공하는 것이다.

이를 위해서, 기판의 표면 상에 피쳐들을 생성하는 리소그래피 패터닝 방법이 제공되며, 상기 패터닝 방법은 레지스트 재료 층을 제공하기 위해 레지스트 재료를 기판 표면에 도포하는 단계; 레지스트 재료 층의 레지스트 재료를 화학적으로 개질하기 위해 위치에 따라서, 그리고 패터닝 데이터에 기초하여, 레지스트 재료 층을 표면 처리 단계에 선택적으로 노광시키는 단계; 및 레지스트 재료를 선택적으로 제거하기 위해 레지스트 재료의 화학적 개질에 기초하여, 레지스트 재료 층을 현상하는 단계를 포함하며; 상기 방법은, 표면 상에 형성될 피쳐들의 하나 이상의 중요 치수들을 측정하기 위해 복수의 위치들에서 기판 표면의 국부 접촉 강도를 결정하기 위해, 음향 스캐닝 프로브 현미경 검사 방법을 이용하여 표면의 적어도 일부분을 스캐닝하는 단계를 현상하는 단계 이전에, 포함한다.

본 발명은 패터닝 동안 수행될 추가적인 검증 단계를, 레지스트의 현상 전에, 추가한다. 이 단계에서, 임의의 결함들의 검출 시, 제조될 디바이스의 손실을 방지하기 위해 패터닝 프로세스를 보정하는 것이 여전히 가능하다. 구체적으로 설명하면, 본 발명은 프로브 팁으로 기판 표면을 스캐닝함으로써 수행될 음향 스캐닝 프로브 현미경 검사 프로세스를 수행할 것을 제안한다.

음향 스캐닝 프로브 현미경 검사 프로세스는 다양한 상이한 종류들일 수도 있다. 예를 들어, 샘플 기판이 프로브의 접촉 공진 주파수보다 높은 초음파 주파수들에서 음향적으로 여기되는 초음파력 현미경 검사 (UFM)가 적용될 수도 있다. 팁-샘플 상호작용의 비선형 성질은, 캔틸레버로 하여금, 접촉 강도에 의존하며 따라서 그 하부의 레지스트 재료의 화학적 조성에서의 차이들을 표시하는 힘-압입(indentation) 관계 및 진폭에 따라 효과적인 (시간-평균된) 힘을 경험하게 할 수 있다. 따라서, 캔틸레버에 가해지는 (시간-평균된) 힘을 초음파 진폭의 함수로 모니터링하는 것은 레지스트 재료에서의 이들 화학적 개질들의 시각화를 가능하게 한다. 이는 패터닝 프로세스, 및 그것이 패터닝 데이터에 대응하는 지 여부, 반도체 엘리먼트의 적합한 동작을 위한 중요 치수들이 만족되는지 여부, 및 임의의 결함들이 존재하는지 여부의 검증을 가능하게 한다. 다른 예로서, 접촉 공진 스캐닝 프로브 현미경 검사 (CR-SPM)에서, 팁-샘플 접촉부(contact) 주변의 확장된 볼륨에서의 재료 속성들에 대한 접촉 공진 주파수에서의 시프트의 감도(sensitivity)가 레지스트 재료에서의 화학적 개질들을 검출하기 위해, 그리고 서브표면 이미징을 위해 이용된다. 더욱이, 또 다른 예로서, 서브표면 초음파 공진 힘 현미경 검사 (SSURFM)에서, 고 주파수 초음파들은 화학적으로 개질된 레지스트 재료 및 서브표면 피쳐들의 점탄성 속성들을 검출하기 위해 AFM 측정들과 결합될 수 있으며, 높은 초음파 주파수들에서의 캔틸레버의 큰 기계적 임피던스 (UFM 참조)가 샘플의 기계적 특성에 대한 캔틸레버의 공진의 감도 (CR-SPM 참조)와 결합된다.

상기로부터 다음과 같이, 음향 스캐닝 프로브 현미경 검사 방법들은 유리하게는, 노광 단계 이후 또는 심지어 동안 선택적 노광 단계의 검증을 수행하기 위해 적용될 수도 있다. 이는 직접 결함들의 보정을 가능하게 하며, 이에 의해, 반도체 엘리먼트들의 손실을 이의 제조 동안 방지할 수 있다.

일부 실시형태들에 따르면, 스캐닝 단계는 샘플 트랜스듀서를 이용하여, 음향 신호를 기판에 인가하는 동시에, 기판 표면을 스캐닝 프로브 현미경 검사 디바이스의 프로브의 프로브 팁과 접촉시키는 단계를 포함하며, 음향 신호는 변조 주파수로 변조된 캐리어 주파수를 포함하며, 변조 주파수는 기판 표면에 대해 프로브의 예상 접촉 공진 주파수 또는 근처에 있도록 선택된다. 접촉 공진 주파수 또는 근처에 변조 주파수를 적용하는 것은 프로브의 프로브 팁 및 캔틸레버에 인가된 음향 신호에 강한 응답 신호를 제공한다. 예컨대, 프로브 팁 아래의 레지스트 재료의 화학적 조성에서의 차이로 인한, 접촉 공진 주파수의 임의의 시프트들은 응답 신호의 강도의 변화를 또한 초래한다. 따라서, 감지된 응답 신호는 한편으로는 음향 신호의 변조 주파수와 다른 한편으로는 (시프팅) 접촉 공진 주파수 사이의 매칭에 강하게 의존한다. 접촉 강도에서의 변화를 표시하는 접촉 공진 주파수에서의 변화는, 따라서, (예컨대, 화학적으로 개질된 레지스트 재료를 표시하는) 프로브 팁 아래의 재료의 차이를 표시한다.

이들 실시형태들의 일부에서, 변조 주파수는 예상 접촉 공진 주파수로부터 최대 20% 편차 내, 바람직하게는, 예상 접촉 공진 주파수로부터 10% 편차 내, 좀더 바람직하게는, 예상 접촉 공진 주파수로부터 5% 편차 내에 있도록 선택되거나, 또는 예상 접촉 공진 주파수와 동일하게 선택된다. 위에서 언급한 바와 같이, 접촉 공진 주파수에 가깝도록 선택된 변조 주파수는 접촉 공진 주파수에서의 결과적인 시프트로 인해, 접촉 강도에서의 변화들에 대한 강한 응답을 초래한다.

표시된 바와 같이 화학적 개질의 정확한 측정을 가능하게 하기 위해, 변조 주파수는 그의 변화들에 대한 상당한 응답을 제공하기 위해 접촉 공진 주파수에 충분히 가까운 값으로 적절히 설정될 필요가 있다. 이러한 이유로, 접촉 공진 주파수는 알고 있어야 하거나 또는 적어도 방법을 프로브와 기판의 조합에 맞게 조정할 수 있도록 추정되어야 한다. 따라서, 일부 실시형태들에 따르면, 본 방법은 예상 접촉 공진 주파수를 결정하는 단계를 더 포함하며, 상기 결정하는 단계는 프로브 팁과 기판 표면 사이의 팁-샘플 상호작용의 수치 시뮬레이션을 수행하고 이로부터 예상 접촉 공진 주파수를 계산하는 단계; 또는 기판 표면 상의 테스트 위치에서, 디더(dither) 트랜스듀서를 이용하여, 입력 주파수의 입력 진동을 프로브에 인가하고, 예상 접촉 공진 주파수를 결정하기 위해 입력 주파수를 변경하고 프로브 편향 출력을 감지하는 단계; 또는 상기 스캐닝 단계 전에, 기판 표면을 테스트 위치에서 프로브 팁과 접촉시키면서 동시에 음향 신호를 기판에 인가하고, 예상 접촉 공진 주파수를 결정하기 위해 변조 신호를 변경하면서 프로브의 응답 신호를 감지하는 단계 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 기법들 중 임의의 기법이 프로세스의 튜닝을 가능하게 하는 접촉 공진 주파수에서의 통찰을 획득하기 위해 적용될 수도 있다.

위에서 나타낸 바와 같이, 일부 실시형태들에 따르면, 스캐닝의 단계는 선택적으로 노광시키는 단계 동안 또는 이후에 수행된다. 또 다른 실시형태에서, 스캐닝 단계는 노광 동안 또는 이후에 수행될 뿐만 아니라, 추가적인 스캐닝의 단계가 노광 전에 수행될 수도 있다. 노광 전에 추가적인 스캐닝 단계를 수행하는 것은 패터닝될 최상부 층 아래의 반도체 엘리먼트의 층들에 존재하는 임의의 서브표면 구조물들의 맵핑을 가능하게 한다. 이는, 레지스트 재료의 노광 후 후속 스캐닝 단계와 조합하여, 임의의 오버레이 에러들을 초기에 드러내기 위해 스캐닝 단계들 양자로부터 획득된 2개의 이미지들을 비교하는 것을 가능하게 한다. 이러한 정보는 예를 들어, 그후, 레지스트 재료의 노광을 예를 들어, 정확하게 목표된 전자 빔을 이용하여 보정하기 위해 사용될 수도 있다.

본 발명의 또 다른 실시형태들에서, 본 방법은 상기 스캐닝 동안, 화학적으로 개질된 레지스트 재료에서의 하나 이상의 결함들을 검출하는 단계를 더 포함하며, 결함들은 패터닝 데이터에 대한 노광된 레지스트 재료의 패터닝 에러들 또는 패터닝된 레지스트 재료와 레지스트 재료 아래의 기판 층 사이의 오버레이 에러들과 관련되며, 본 방법은 검출된 결함들을 보정하기 위해 상기 현상 단계 전에 추가적인 노광 단계를 더 포함한다. 주지하고 있는 바와 같이, 스캐닝 단계는 레지스트 재료의 현상 전에 에러들 또는 결함들의 검출을 가능하게 하기 위해 수행되며, 본 방법은 결함들의 검출 및 이의 해결의 추가적인 단계로부터 이익을 얻는다.

일부 실시형태들에서, 표면 처리 단계는 레지스트 재료를 광학 방사선에 선택적으로 노광시키는 단계; 레지스트 재료를 플라즈마에 선택적으로 노광시키는 단계; 또는 전자 빔을 기판 표면 상에 선택적으로 충돌시키는 단계, 레지스트 재료를 감마 방사선, 예컨대 X-선 방사선에 선택적으로 노광시키는 단계; 스캐닝 프로브 현미경 검사 디바이스를 이용하여, 레지스트 재료를 열 에너지, 전기장 또는 전류, 또는 자기장 중 적어도 하나에 선택적으로 노광시키는 단계를 포함하는 그룹 중 적어도 하나를 포함한다. 당업자는 본 발명이 다양한 상이한 나노-리소그래피 패터닝 방법들에 적용될 수도 있음을 알 수 있을 것이다.

제 2 양태에서, 반도체 엘리먼트를 제조하는 방법이 제공되며, 본 방법은 기판을 제공하기 위해 캐리어 상에 하나 이상의 기판 층들을 도포하는 단계를 포함하며, 하나 이상의 기판 층들 중 적어도 하나는 그 내부에 피쳐들을 생성하는 패터닝 방법을 이용하여 개질되며, 패터닝 방법은 제 1 양태에 따른 리소그래피 패터닝 방법을 포함한다.

본 발명의 또 다른 양태에서, 제 2 양태의 방법을 이용하여 또는 제 1 양태에 대응하는 패터닝 단계를 이용하여 제조된 반도체 엘리먼트가 제공된다.

첨부 도면들을 참조한, 그 일부 특정의 실시형태들의 설명에 의해, 본 발명을 추가로 설명한다. 상세한 설명은 본 발명의 가능한 구현예들의 예들을 제공하지만, 범위에 속하는 유일한 실시형태들을 설명하는 것으로 간주되어서는 안된다. 본 발명의 범위는 특허청구범위에서 정의되며, 설명은 본 발명을 한정하지 않고 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 도면들에서:
도 1은 본 발명에 따른, 나노리소그래피 제조 방법을 개략적으로 예시한다.
도 2는 초음파 원자력 현미경 검사를 수행하기 위한 원자력 현미경 검사 시스템을 개략적으로 예시한다.
도 3a 및 도 3b는 패터닝 프로세스의 오버레이의 초기 검증의 원리를 개략적으로 예시한다.
도 4는 도 3a 및 도 3b의 예와 관련하여, UAFM 시스템을 이용하여 획득된 측정 맵을 제공한다.

도 1은 본 발명에 따른, 나노리소그래피 제조 방법을 개략적으로 예시한다. 방법 51은 무엇보다도, 초음파 원자력 현미경 검사 (UAFM)를 수행하기 위해, 도 2에 개략적으로 도시된 원자력 현미경 검사 시스템 (AFM) (1)을 적용한다.

도 1에 예시된 방법 51에서, 기판 또는 캐리어가 단계 53에서 제공되며, 그 상부에, 그후 기판 층들을 추가하고 이들 층들을 선택적으로 개질하여 패터닝을 수행하고 피쳐들을 추가함으로써, 반도체 디바이스 (14)가 형성될 수도 있다. 후자는 레지스트 재료의 층의 도움으로 수행되며, 이는 레지스트 재료를 국부적으로 화학적으로 개질시키는 처리 단계에 레지스트 재료를 선택적으로 노광시킴으로써 패터닝된다. 그후, 현상 단계 동안, 화학적으로 개질된 레지스트 재료가 원래 비개질된 레지스트 재료와 비교하여 화학적으로 개질된 레지스트 재료의 개질된 재료 속성들을 이용함으로써 선택적으로 제거될 수 있다. 제거 후, 이렇게 패터닝된 레지스트 층이 예컨대, 레지스트 층의 제거에 의해 덮이지 않은 채 남겨진 이들 부분들을 에칭함으로써, 아래에 있는 기판 층의 추가적인 프로세싱을 가능하게 한다. 다른 프로세싱 단계들이 물론 대안적으로 또는 추가적으로 적용될 수도 있다.

도 1을 참조하면, 패터닝을 위해 본 발명의 리소그래피 방법을 적용하기 위해, 레지스트 재료 층 (13)이 단계 55에서 기판의 상부 표면 상에 형성된다. 이 레지스트 재료 층은 예를 들어, 스핀 코팅 프로세스, 원자층 증착 (ALD) 방법, 화학 기상 증착 방법, 물리 기상 증착 방법, 분무, 스퍼터링, 분말 코팅, 롤-투-롤 유형 코팅 방법 (예컨대, 에어 나이프 코팅, 핫 멜트 코팅, 액침 딥(dip) 코팅, 롤-투-롤 ALD, 등), 또는 임의의 다른 적합한 코팅 방법을 이용하여 형성될 수도 있다. 방법은 단계 57에서 계속되며, 여기서, 레지스트 재료 층 (13)은 추후 이의 선택적 제거를 가능하게 하는 레지스트 재료의 화학적 개질을 국부적으로 수행하기 위해 처리 단계에 선택적으로 노광된다. 당업자가 알 수 있는 바와 같이, 다수의 상이한 유형들의 처리 단계들이 여기에 적용될 수도 있다. 실제로, 종래의 리소그래피 방법들 동안 적용되는 처리 단계들의 임의의 일반적으로 적용되는 유형들이 마찬가지로 본 발명의 방법에 적용될 수도 있다. 처리 단계 동안 적용될 수도 있는 특정의 처리들은 레지스트 재료를 광학 방사선에 선택적으로 노광시키는 단계; 레지스트 재료를 플라즈마에 선택적으로 노광시키는 단계; 또는 전자 빔을 기판 표면 상에 선택적으로 충돌시키는 단계; 레지스트 재료를 감마 방사선, 예컨대 X-선 방사선에 선택적으로 노광시키는 단계; 스캐닝 프로브 현미경 검사 디바이스를 이용하여, 레지스트 재료를 열 에너지, 전기장 또는 전류, 또는 자기장 중 적어도 하나에 선택적으로 노광시키는 단계를 포함하는 그룹 중 적어도 하나를 포함한다.

레지스트 재료의 선택적 노광은 제어기 시스템으로부터 얻은 패터닝 데이터 (56) 또는 프로세스에서 사용되는 다른 적합한 데이터 소스에 기초하여 수행된다. 패터닝 데이터는 적어도 형성될 개별 층에 대해 규정할 수도 있으며, 레지스트 재료 층 (13)의 표면 상에, 그 위치에서 레지스트 재료를 국부적으로 개질하기 위해, 노광이 발생한다. 예를 들어, 패터닝 데이터는 표면 맵 또는 표면과 유사한 매트릭스를 포함하는 층 데이터를 포함할 수도 있으며, 표면 상의 각각의 위치에 대해 처리 단계가 수행되어야 하는지 여부가 표시된다. 이는 단순히 처리가 주어진 위치에서 수행되는지 여부를 부울 값들로 표시하는 비트맵일 수도 있다. 그러나, 예를 들어, 그 픽셀에 대한 바람직한 처리 파라미터들 (예컨대, 강도, 주파수, 지속기간, 또는 임의의 다른 관련된 파라미터)을 표시하는, 추가적인 데이터가 마찬가지로 위치 마다 또는 '픽셀' 마다 제공될 수도 있다. 패터닝 데이터 (56)는 패터닝될 하나 이상의 층들과 관련될 수도 있거나 또는 디바이스를 위해 생성될 모든 층들의 층 데이터를 포함할 수도 있다. 더욱이, 이 패터닝 데이터는 본 발명으로부터 일탈함이 없이, 단일 데이터 파일에서 또는 여러 보충적인 데이터 파일들에서 이용가능할 수도 있다.

본 프로세스의 다음 단계는, 본 발명에 따르면, 선택적으로 노광된 레지스트 재료 층이 정확하게 패터닝되는지 여부 (예컨대, 결함들의 검출), 및 적합한 동작을 위한 중요 치수들에 대한 디바이스의 요건들이 만족되는지 여부를 검증하는 것과 관련된다. 여기서, 본 발명의 방법은, 본 방법 후반의 현상 단계 67 전에, 표면 상에 형성될 피쳐들의 하나 이상의 중요 치수들을 측정하기 위해, 복수의 위치들에서 기판 표면 (15)의 국부 접촉 강도를 결정하기 위해, 음향 스캐닝 프로브 현미경 검사 시스템 (1)을 이용하여 표면 (15)의 적어도 일부분을 스캐닝하는 단계 58을 적용한다. 도 1에서, 적용된 음향 스캐닝 프로브 현미경 검사 방법은 초음파 원자력 현미경 검사 (UAFM) 방법이다. 이 방법은, (예컨대, 생성될 디바이스 (14)의 디바이스 피쳐들 (18) (도 2)와 같은) 서브표면 구조물들 또는 세부 사항들을 검출하기 위해 적용될 수도 있지만, 여기서, 레지스트 재료 (13)에서의 화학적 개질들 (16)을 검출하고 맵핑하기 위해 처음 적용된다. 레지스트 재료 (13)에서 화학적으로 개질된 볼륨들 (16)의 위치들, 사이즈들 및 형상들을 검출함으로써, 형성될 피쳐들, 즉 추후 단계들 67 및 69 동안 형성될 피쳐들의 중요 치수들을 검증하는 것이 직접 가능하다. 예를 들어, 이들 화학적으로 개질된 볼륨들 (16)에 대해 얻어진 정보는 결함들, 예컨대 노광부족 영역들을 식별하기 위해 패터닝 데이터 (56)와 비교될 수도 있다. 현상 단계 67 전에, 레지스트 층 (13)의 패터닝이 그 정보에 기초하여 보정될 수도 있다.

추가적인 향상으로서, 일부 실시형태들에서, 음향 스캐닝 프로브 현미경 검사 단계가 기판의 하부 층들에서의 디바이스 피쳐들 (18)의 서브표면 이미징을 추가적으로 수행하는데 사용될 수도 있다. 예를 들어, 초음파 원자력 현미경 검사 (UAFM) 방법이 화학적으로 개질된 볼륨들 (16) 및 서브표면 피쳐들 (18)의 측정 데이터를 동시에 획득하기 위해 사용될 수도 있으며, 오버레이 맵이 그 측정 데이터로부터 이용가능하게 될 수도 있다. 이는 아래의 피쳐들 (18)에 대해 화학적으로 개질된 볼륨들 (16)로부터 획득된 데이터를 비교함으로써, 레지스트 재료 (13)의 패터닝에서 오버레이 에러들을 식별하는 것을 가능하게 한다. 오버레이의 검증은 아래에서 도 3a 및 도 3b에서의 예로 간단히 설명되며, UAFM 시스템을 이용하여 획득된 측정 맵이 도 3a 및 도 3b의 예와 관련하여 도 4에 예시된다. 그 설명은 현재 도 1에 예시된 방법의 나머지에서 계속될 것이다.

임의의 결함들, 오버레이 에러들 또는 스캐닝 단계 58 동안 검출된 중요 치수들에 대한 에러들이 단계 67에서 현상 전에 여전히 보정될 수도 있다. 보정은 심지어 때때로 (에러 및 그것을 해결하는데 요구되는 액션에 따라) 현상 후에 가능할 수도 있으며, 그러나 이는 전형적으로 바람직하지 않는 완전한 레지스트 층 (13)의 제거를 대개 필요로 하기 때문에, 더 번거롭다. 본 발명의 주요 이점은 현상 단계 67 전에 초기 단계들에서 다수의 에러들을 해결하는 것을 가능하게 한다는 점이다. 그 초기 단계들에서, 이러한 에러들은 레지스트 층 (13)을 제거할 필요 없이 용이하게 해결할 수 있다. 현상 단계 67 전에 단계 58에서 결함 또는 오버레이 에러를 검출함으로써, 예를 들어, 추가적인 노광을 결함이 발견되는 위치에서 국부적으로 수행함으로써 결함을 해결하는 것이 여러 번 가능할 수도 있다. 예를 들어, 레지스트 재료 (13)는 노광부족 영역을 추가로 노광하기 위해 전자 빔 (e-빔)으로부터의 방사선에 국부적으로 노광될 수도 있다.

단계 60에서, 제어기 또는 분석 시스템은 단계 58로부터의 측정 데이터에 기초하여, 선택적으로 노광된 레지스트 재료 층 (13)이 패터닝이 보정을 필요로 하는 임의의 결함들 또는 영역들을 포함하는지 여부를 결정한다. 어떤 이러한 영역들도 검출되지 않으면, 프로세스는 단계 67에서 레지스트 재료의 현상을 계속한다. 그렇지 않으면, 그러나, 단계 62에서, 결함이 예를 들어, 추가적인 국부 노광에 의해 해결된다. 대안적으로, AFM 시스템이 예를 들어, 전기장을 인가함으로써 또는 프로브를 이용하여 표면을 기계적으로 마이크로-가공함으로써, 레지스트 재료를 국부적으로 개질하는데 사용될 수도 있다. 다수의 대안적인 또는 추가적인 보정 방법들이 결함을 해결하기 위해 단계 62 동안 적용될 수도 있으며, 이들 중 일부는 본 설명을 읽을 때 당업자에게 명백해 질 수도 있다. 본 발명으로부터 일탈함이 없이, 이러한 보정 단계들이 여기서 적용될 수도 있다.

단계 62 이후, 본 방법은 단계 64 에서 계속될 것이며, 여기서 제어기 또는 분석 시스템은 선택적으로 노광된 레지스트 재료 층 (13)에서 임의의 다른 결함들이 존재하는지 여부를 결정한다. 그렇다면, 본 방법은 화살표 65로 표시된 바와 같이 단계 62로 되돌아갈 것이다. 어떤 보정될 추가적인 결함들 또는 영역들도 검출되지 않으면, 본 방법은 단계 67을 계속한다.

단계 67에서, 레지스트 재료가 이의 화학적으로 개질된 볼륨들을 선택적으로 제거하기 위해 (또는, 대안적으로, 화학적으로 개질된 볼륨들을 그대로 남겨두고 레지스트 재료의 비개질된 볼륨들을 제거하기 위해) 현상될 것이다. 현상 단계는 리소그래피 방법들에서의 기지의 프로세싱 단계이며 여기서는 상세한 설명을 필요로 하지 않는다. 현상 후, 기판을 에칭하는 것 또는 에칭 캐비티들을 다른 기능성 물질들로 재충진하는 것과 같은, 추가 프로세싱 단계들이 이 후속 층에 원하는 디바이스 피쳐들을 생성하기 위해 단계 69에서 수행될 수도 있다.

도 1과 관련하여 위에서 설명된 스캐닝 단계를 수행하기 위해 적용될 수도 있는 시스템 (1)이, 도 2에 개략적으로 예시되며, 캔틸레버 (4) 및 프로브 팁 (5)을 갖는 프로브 (3)를 포함하는 스캐닝 프로브 현미경 (SPM) (2)을 포함한다. 프로브 팁 (5)은 반-제조된 반도체 엘리먼트 (14)를 포함하는 샘플 (12)의 표면 (15)과 접촉한다. 광원 (7), 전형적으로 레이저는, 프로브 팁 (5)의 후면 상에 입사하는 광 신호 빔 (8)을 제공한다. 반사된 광학 빔 (9)은 광 센서 (10)에 의해 수광된다. 샘플 (12)의 표면 (15)에 수직한 프로브 팁 (5)의 임의의 진동은 반사된 광학 빔 (9)의 편향을 초래할 것이다. 이러한 편향은 추가적인 분석을 위해 (전기적) 출력 신호 (39)를 제공하는 광 센서 (10)에 의해 정확하게 결정될 수 있다.

본 발명의 리소그래피 제조 방법 동안 스캐닝 단계를 수행하기 위해, 음향 진동 신호 (50)가 샘플 (12)에 인가된다. 음향 진동들 (50)은 프로브 팁 (5)에 의해 매우 정확하게 다시 감지될 수도 있으며, 입력 및 출력 신호들의 분해가 분석 시스템, 예를 들어, 분석 시스템 (38)을 통해서 효과적으로 달성될 수도 있다. 포토 레지스트 층 (13)에서, 이는 화학적으로 개질된 영역들 (16)의 검출을 가능하게 하여, 선택적 노광 (57)의 단계 후, 스캐닝 단계가 노광을 통해서 포토 레지스트 (13)에 적용된 패턴의 검증을 가능하게 한다. 이는 중요 치수들을 모니터링하는 것을 가능하게 하며, 추가적으로, 임의의 결함들이 유리하게는 검출될 수도 있다. 선택적으로 그리고 추가적으로, UAFM을 이용한 스캐닝 단계는 예컨대, 반-제조된 반도체 엘리먼트 (14)의 하부 층들 (17)에서, 서브-표면 피쳐들 (18)의 검출을 가능하게 한다. 이 정보를 조합하는 것은 오버레이 에러들의 검증을 가능하게 한다 (예컨대, 도 3a 및 도 3b 및 도 4 참조).

도 2의 시스템 (1)에서, 음향 진동 신호가 트랜스듀서 (20)로부터 샘플 (12)로의 신호 전송을 향상시키기 위해 커플링 매체 (coupling medium; 21)와 함께, 기판 (12) 아래에 장착된 트랜스듀서 (20)를 이용하여, 인가될 수도 있다. 이는 트랜스듀서 (20)에 의해 발생된 음향 신호가 샘플 (12)을 관통하는 것을 가능하게 한다. 이와 관련하여, 음향 신호를 기판을 통해서 ((예시된 바와 같이) 샘플 (12) 아래로부터 또는 측면으로부터) 인가하는 것이 본 발명에 필수적인 것은 아님에 유의한다. 대안적으로, 이는 또한 프로브 팁 (5)을 통해서 인가될 수도 있다.

도 1의 샘플 (12)은 제조중인 반도체 디바이스 (14)의 피쳐들 (18)을 포함하는 하나 이상의 선택적인 디바이스 층들 (17)을 포함할 수도 있다. 상부 기판 층 (17')에는 결국 레지스트 재료의 도움으로, 디바이스 (14)를 형성하기 위해 추가적인 피쳐들 (18)이 제공될 것이다. 이에, 레지스트 재료 층 (13)이 상부 기판 층 (17')의 상부 상에 도포되고, 이는 단계 57에서 적합한 표면 처리 단계에 선택적으로 노광되어, 레지스트 재료가 추가적인 디바이스 피쳐들의 형성을 가능하게 하기 위해서 화학적으로 개질된 볼륨들 (16)을 생성한다. 도 1의 반도체 엘리먼트 (14)는 반-제조된 반도체 엘리먼트이며, 따라서, 이는 제조중이며 형성될 현재의 층 (17')에 후속하여, 이후에 추가적인 층들을 수용하거나 또는 수용하지 않을 수도 있다. 주지하고 있는 바와 같이, 도 1에 예시된 샘플 (12) (그리고, 또한 이 문서 전반에 걸쳐 다른 도면들에서 예시된 샘플들)은 단지 예들이다. 이전에 층들 (17)의 피쳐들 (18)이 표면 (15) 및 다양한 상부 층들 (13 및 17') 아래에 매립된다.

적용된 음향 신호들의 주파수에 따라서, 본 발명의 스캐닝 단계 58을 수행하기 위해 적용된 음향 검출 방법들은, 표면의 탄성에서의 변화들 (저 주파수, 예컨대 최대 250 메가헤르츠), 즉 표면 (15)에서 국부적으로 위치 의존적인 접촉 강도에서의 변화들에 기초하여 작용한다. 이들 변화들은 팁-샘플 조합의 접촉 공진 주파수를 변화시킨다. 공진 주파수 근처의 주파수를 갖는 신호 성분을 포함하는 음향 신호를 적용함으로써, 접촉 공진 주파수에서의 임의의 변화들이 인가된 음향 신호 (50)에 대한 프로브 팁 (5)의 응답을 통해서 측정가능하게 된다. 예를 들어, 접촉 주파수에서의 시프트는 진폭에서의 변화를 초래할 수도 있다. 이를 위해, 음향 신호는 예상된 또는 이전에 결정된 접촉 공진 주파수에 가까운, 예컨대, 예상 접촉 공진 주파수로부터 20% 편차 이내, 바람직하게는, 예상 접촉 공진 주파수로부터 10% 편차 이내, 좀더 바람직하게는, 예상 접촉 공진 주파수로부터 5% 편차 이내의 주파수, 또는 팁-샘플 조합의 예상된 또는 이전에 결정된 접촉 주파수를 갖는 신호 성분을 포함할 수도 있다.

도 2의 시스템 (1)을 이용하여 출력 신호 (39)로부터 원하는 정보를 획득하기 위한 다양한 가능성들이 있다. 주로, 출력 신호 (39)를 저역-통과 필터 (30)를 통해서 유도함으로써, 출력 신호 (39)의 저 주파수 성분들이 스캐닝 프로브 현미경 제어기 (31)에 제공될 수도 있다. 이 제어기 (31)는 비례-적분-차동 (PID) 피드백 제어기 (미도시)와 협력하여 AFM Z-피에조 엘리먼트 (미도시)를 제어함으로써, 피드백 모드에서 프로브 팁 (5)을 그의 설정점 힘에 유지할 수도 있다.

트랜스듀서 (20)를 통해서 샘플 (12)에 제공될 음향 진동 신호 (50)는 고 주파수 성분 fc 및 저 주파수 성분 fm으로 구성되며, 다음과 같이 생성된다. 하나 이상의 신호 발생기들 (29)은 적어도 제 1 주파수 발생기 (25), 제 2 주파수 발생기 (26), 및 신호 믹서 (28)를 포함한다. 제 1 주파수 발생기 (25) 및 제 2 주파수 발생기 (26)에 의해 각각 제공되는, 고 주파수 입력 신호 성분 fc 및 저 주파수 입력 신호 성분 fm은, 믹서 (28)에 의해 믹싱되어, 증폭기 (40)에 의해 증폭되고 트랜스듀서 (20)에 제공된다. 트랜스듀서 (20)는 음향 진동 신호를 샘플 (12)의 재료로 전송한다. 광 센서 (10)로부터의 센서 신호가 접촉 모드 피드백(contact mode feedback)을 위해 저역-통과 필터 (30)에 제공되며, 저역-통과 필터 (30)의 출력이 SPM 제어기 (31)로 전송된다. 저역 통과 필터는 예를 들어, 대략 2 kHz의 컷오프 주파수를 갖는다. 이는 스캐닝 속력에 있어 충분히 빠르지만, 샘플링 레이트보다 약간 더 높다 (예컨대, 1 초에 1024 픽셀들은 1.024 kHz의 샘플링 레이트에 대응한다). SPM 제어기 (31)는 접촉 모드 피드백 신호를 이용하여 AFM 시스템을 그의 설정점 힘에 고정되도록 유지한다.

광 센서 (10)로부터의 출력 신호 (39)가 고역 통과 필터 (34)로 추가로 제공된다. 또한, 고역 통과 필터 (34)는 예를 들어, 대략 2 kHz의 컷오프 주파수를 가지며, 따라서 이에 의해 고 주파수 초음파 캐리어 신호 (즉, 성분 fc를 포함) 및 저 주파수 변조 신호 (즉, 성분 fm을 포함)를 포함하는 출력 신호 (39)의 제 2 부분을 복조기 (35)로 송신한다. 복조기 (35)는 저 주파수 입력 신호 fm을 참조 신호로서 추가로 수신한다. 복조기 (35)의 출력 신호가 제어기 (31)를 통해서 분석 시스템 (38)에 제공되며 이는 위치 의존적인 초음파 출력 신호를 분석하여 접촉 강도에 관한 측정 정보를 획득하는 것을 가능하게 한다. 이로부터, 레지스트 재료 (13)에서의 화학적 개질 볼륨들 (16)에 대한 원하는 데이터 및 선택적으로 더 깊은 층들 (17)에서의 피쳐들 (18)에 대한 데이터가 획득될 수도 있다. 주파수 발생기들 (25 및 26), 믹서 (28), 복조기 (35), 및 선택적으로 분석 시스템 (38)은 통합 시스템을 형성할 수도 있다.

도 3a 및 도 3b는 패터닝 프로세스의 오버레이의 초기 검증의 원리를 예시한다. 도 3b에서, 복수의 기판 층들은 디바이스 피쳐들 (80 및 81)을 갖는 기판 층 (17), 디바이스 피쳐들을 생성하기 위해 프로세싱될 상부 기판 층 (17'), 및 층 (17')의 상부 상의 레지스트 재료 층 (13)을 포함한다. 층 (17)에서의 디바이스 피쳐들은 전기 절연 재료의 배리어들 (81)을 분리함으로써 분리된, 특정의 기능적 반도체 재료의 복수의 패치들 (80)을 포함한다. 특정의 패치들 (80)이 기판 층 (17')에 생성될 전극 패치 (82)에 의해 오버레이될 것이다. 레지스트 층 (13)이 디바이스 피쳐의 위치, 예컨대 전극 패치 (82)의 위치를 표시하는 패터닝 데이터에 기초하여 노광된다. 후속 초음파 AFM 단계에서, 패치 (82)에서의 레지스트 재료 (13)의 화학적 개질이 명백해진다. 이는 도 3a에 점선으로 된 피쳐 (82)에 의해 예시된다. 또한, 측정의 깊이가 잘 튜닝된 경우에 초음파 AFM (UAFM)이 이러한 정보를 부산물로서 제공한다는 사실로 인해, 기판 층 (17)에서 서브표면 구조물들 (80 및 81)을 볼 수 있다. 이는 도 3a에 예시된 오버레이 맵을 제공한다. 상기 예의 실제 측정 및 맵핑은 도 4에서 볼 수 있다. 도 4는 현미경(microscopic) 맵에서의 화학적 개질 (82)의 존재 뿐만 아니라, 서브표면 피쳐들 (80 및 81)을 명확하게 나타낸다.

UAFM의 애플리케이션은 나노미터 스케일에서의 피쳐들의 검출을 가능하게 하며, 따라서, 가장 작은 결함들, 에러들도 검출하고 중요 치수들을 검증하기 위해 나노리소그래피와 조합하여 사용될 수도 있다. 예를 들어, 사이즈가 1 나노미터 이상인 피쳐들을 잘 볼 수 있다.

본 발명은 본 발명의 일부 특정의 실시형태들의 관점에서 설명되었다. 도면들에 도시되고 본원에서 설명되는 실시형태들이 단지 예시된 목적들을 위한 것이며 본 발명을 제한하려는 어떠한 방식 또는 수단에 의해서도 의도되지 않음을 알 수 있을 것이다. 본 발명의 동작 및 구성은 전술한 설명 및 이에 첨부된 도면들로부터 명백할 것으로 생각된다. 본 발명이 본원에서 설명된 임의의 실시형태에 제한되지 않으며 첨부된 청구범위의 범위 내에서 고려되어야 하는 수정들이 가능함은 당업자에게 자명할 것이다. 또한, 운동학적 반전들(kinematic inversions)도 본질적으로 개시된 것으로, 그리고, 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 간주된다. 더욱이, 개시된 다양한 실시형태들의 컴포넌트들 및 엘리먼트들 중 임의의 것은 필요하거나, 원하거나 또는 바람직한 것으로 간주되는 경우, 청구항들에서 정의된 바와 같은 본 발명의 범위로부터 일탈함이 없이, 다른 실시형태들에서 결합될 수도 있거나 또는 통합될 수도 있다.

청구항들에서, 임의의 참조 부호들은 청구범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. 용어 '포함하는(comprising)' 및 '구비하는(including)'은, 본 설명 또는 첨부된 청구범위에서 사용될 때, 배타적이거나 또는 완전한 의미가 아니라 포괄적 의미로 해석되어야 한다. 따라서, 표현 '포함하는(comprising)'은 본원에서 사용될 때, 임의의 청구항에 열거된 것들 외에 다른 엘리먼트들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다. 더욱이, 단어들 부정관사('a' 및 'an')는 '단지 하나'에 한정하는 것으로 해석되지 않고, 대신, '적어도 하나'를 의미하는 것으로 사용되며, 복수를 배제하지 않는다. 구체적으로 또는 명시적으로 설명되거나 또는 청구되지 않은 특징들이 본 발명의 범위 내에서 본 발명의 구조에 추가적으로 포함될 수도 있다. "..하는 수단"과 같은 표현은 "..하도록 구성된 컴포넌트" 또는 "..하도록 구성된 부재"로서 해석되어야 하며, 개시된 구조들에 대한 등가물들을 포함하는 것으로 해석되어야 한다. "중요한", "바람직한", "특히 바람직한" 등과 같은 표현들의 사용은 본 발명을 한정하려는 것이 아니다. 당업자의 이해범위 내 추가들, 삭제들, 및 수정들이, 일반적으로, 청구항들에 의해 결정되는 바와 같은, 본 발명의 사상 및 범위로부터 일탈함이 없이, 이루어질 수도 있다. 본 발명은 본원에서 구체적으로 설명되는 바와 같이 달리 실시될 수도 있으며, 단지 첨부된 청구범위에 의해서만 한정된다.

Claims (11)

1. 기판의 표면 상에 피쳐들을 생성하는 리소그래피 패터닝 방법으로서,
   상기 패터닝 방법은,
   레지스트 재료 층을 제공하기 위해 레지스트 재료를 상기 기판 표면에 도포하는 단계;
   상기 레지스트 재료 층의 상기 레지스트 재료를 화학적으로 개질하기 위해, 위치에 따라서, 그리고 패터닝 데이터에 기초하여, 상기 레지스트 재료 층을 표면 처리 단계에 선택적으로 노광시키는 단계; 및
   상기 레지스트 재료를 선택적으로 제거하기 위해, 상기 레지스트 재료의 상기 화학적 개질에 기초하여, 상기 레지스트 재료 층을 현상하는 단계를 포함하며;
   상기 방법은, 상기 현상하는 단계 전에, 상기 표면 상에 형성될 상기 피쳐들의 하나 이상의 중요 치수들을 측정하기 위해, 복수의 위치들에서 상기 기판 표면의 국부 접촉 강도를 결정하기 위해, 음향 스캐닝 프로브 현미경 검사 방법을 이용하여 상기 표면의 적어도 일부분을 스캐닝하는 단계를 포함하는, 리소그래피 패터닝 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 스캐닝 단계는 샘플 트랜스듀서를 이용하여, 음향 신호를 상기 기판에 인가함과 동시에 상기 기판 표면을 스캐닝 프로브 현미경 검사 디바이스의 프로브의 프로브 팁과 접촉시키는 단계를 포함하며, 상기 음향 신호는 변조 주파수로 변조된 캐리어 주파수를 포함하며, 상기 변조 주파수는 상기 기판 표면에 대해 상기 프로브의 예상 접촉 공진 주파수에, 또는 근처에 있도록 선택되는, 리소그래피 패터닝 방법.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 변조 주파수는 상기 예상 접촉 공진 주파수로부터 최대 20% 편차 이내, 바람직하게는, 상기 예상 접촉 공진 주파수로부터 10% 편차 이내, 좀더 바람직하게는, 상기 예상 접촉 공진 주파수로부터 5% 편차 이내에 있도록 선택되거나, 또는 상기 예상 접촉 공진 주파수와 동일하도록 선택되는, 리소그래피 패터닝 방법.
4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
   상기 예상 접촉 공진 주파수를 결정하는 단계를 더 포함하며,
   상기 결정하는 단계는,
   상기 프로브 팁과 상기 기판 표면 사이의 팁-샘플 상호작용의 수치 시뮬레이션을 수행하고 그로부터 상기 예상 접촉 공진 주파수를 계산하는 단계; 또는
   상기 기판 표면 상의 테스트 위치에서, 디더(dither) 트랜스듀서를 이용하여, 입력 주파수에서 입력 진동을 상기 프로브에 인가하고, 상기 입력 주파수를 변경하고, 상기 예상 접촉 공진 주파수를 결정하기 위해 감지 프로브 편향 출력을 감지하는 단계; 또는
   상기 스캐닝 단계 전에, 상기 음향 신호를 상기 기판에 인가함과 동시에 상기 테스트 위치에서 상기 기판 표면을 상기 프로브 팁과 접촉시키고, 상기 변조 신호를 변화시키면서 상기 예상 접촉 공진 주파수를 결정하기 위해 상기 프로브의 응답 신호를 감지하는 단계 중 적어도 하나를 포함하는, 리소그래피 패터닝 방법.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 스캐닝 단계들은 상기 선택적으로 노광시키는 단계 동안 또는 이후에 수행되는, 리소그래피 패터닝 방법.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 음향 스캐닝 프로브 현미경 검사 방법을 이용하여 상기 표면의 적어도 일부분을 스캐닝하는 추가적인 단계를 더 포함하며, 상기 추가적인 스캐닝 단계는 상기 선택적 노광 단계 전에 수행되는, 리소그래피 패터닝 방법.
7. 제 6 항에 있어서,
   상기 선택적으로 노광된 레지스트 재료 층에서의 오버레이 에러를 검출하기 위해 상기 스캐닝 단계로 획득된 이미지를 상기 추가적인 스캐닝 단계로 획득된 이미지와 비교하는 단계를 더 포함하는, 리소그래피 패터닝 방법.
8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 스캐닝 동안, 상기 화학적으로 개질된 레지스트 재료에서 하나 이상의 결함들을 검출하는 단계를 더 포함하며, 상기 결함들은 상기 패터닝 데이터에 대한 상기 노광된 레지스트 재료의 패터닝 에러들 또는 상기 패터닝된 레지스트 재료와 상기 레지스트 재료 아래의 기판 층 사이의 오버레이 에러들과 관련되며, 상기 방법은 상기 검출된 결함들을 보정하기 위해 상기 현상 단계 전에 추가적인 노광 단계를 더 포함하는, 리소그래피 패터닝 방법.
9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 표면 처리 단계는 상기 레지스트 재료를 광학 방사선에 선택적으로 노광시키는 단계; 상기 레지스트 재료를 플라즈마에 선택적으로 노광시키는 단계; 또는 전자 빔을 상기 기판 표면 상에 선택적으로 충돌시키는 단계; 상기 레지스트 재료를 감마 방사선, 예컨대 X-선 방사선에 선택적으로 노광시키는 단계; 스캐닝 프로브 현미경 검사 디바이스를 이용하여, 상기 레지스트 재료를 열 에너지, 전기장 또는 전류, 또는 자기장 중 적어도 하나에 선택적으로 노광시키는 단계를 포함하는 그룹 중 적어도 하나를 포함하는, 리소그래피 패터닝 방법.
10. 반도체 엘리먼트를 제조하는 방법으로서,
    상기 방법은, 기판을 제공하기 위해 하나 이상의 기판 층들을 캐리어 상으로 도포하는 단계를 포함하며, 상기 하나 이상의 기판 층들 중 적어도 하나는 그 내부에 피쳐들을 생성하는 패터닝 방법을 이용하여 개질되며, 상기 패터닝 방법은 상기 제 1 항 내지 제 9 항 중 임의의 하나 이상에 따른 리소그래피 패터닝 방법을 포함하는, 반도체 엘리먼트를 제조하는 방법.
11. 제 10 항의 방법으로 제조된 반도체 엘리먼트.

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