KR20210076091A - 방사선 촬상 장치, 방사선 촬상 장치의 제조 방법, 및 방사선 촬상 장치의 수복 방법 - Google Patents

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류지 규시마
가즈키 후지타
준이치 사와다
다카오 아리타케
미노루 이치카와
하루요시 오카다
세이지 후카미즈
슈헤이 난바
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하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
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Abstract

일 실시 형태의 방사선 촬상 장치는, 검출 영역이 형성됨과 아울러 검출 영역의 외측에 전극 패드가 형성된 제1 면과, 제1 면과는 반대측인 제2 면을 가지는 방사선 검출 패널과, 방사선 검출 패널의 제2 면에 대향함과 아울러 방사선 검출 패널을 지지하는 지지면을 가지는 베이스 기판과, 접속 부재를 통해서 전극 패드에 접속된 가요성 회로 기판을 구비하고, 베이스 기판의 단부는 지지면과 직교하는 Z방향에서 보았을 때, 전극 패드와 접속 부재와 가요성 회로 기판이 겹치는 접속 영역의 내측 단부보다도 내측에 위치하고 있다.

Description

방사선 촬상 장치, 방사선 촬상 장치의 제조 방법, 및 방사선 촬상 장치의 수복 방법
본 개시는 방사선 촬상 장치, 방사선 촬상 장치의 제조 방법, 및 방사선 촬상 장치의 수복 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는 X선 검출 장치가 기재되어 있다. 이 X선 검출 장치는, 지지 부재와, 지지 부재 상에 고정된 X선 검출 패널과, 외부 장착된 IC가 탑재된 가요성 회로 기판(플렉서블 회로 기판)을 구비하고 있다. 가요성 회로 기판의 일단은, X선 검출 패널의 주연(周緣)부에 배치된 전극 패드(전하 취출부) 상에 접착 부재(이방도전성 접착제)를 통해서 배치되어 있다.
특허 문헌 1: 일본 특허공개공보 2010－145349호
상기와 같이 가요성 회로 기판의 일단을 전극 패드에 접속할 때에는, 가요성 회로 기판, 접착 부재, 및 X선 검출 패널을 한 쌍의 히터 부재의 사이에 두고 가열함으로써, 접착 부재를 열압착하는 처리가 실시된다. 또, 가요성 회로 기판의 리페어(수리, 교환 등)를 행하는 경우에도, 수리 후의 가요성 회로 기판(또는 예비품 등)을 재차 부착할 때에 있어서, 상술한 열압착이 행해진다. 그렇지만, 상기 X선 검출 장치와 같이 X선 검출 패널의 이면(전극 패드가 마련된 면과는 반대측의 면)이 지지 부재에 완전하게 덮여 있으면, X선 검출 패널 측에 배치되는 히터 부재와 지지 부재가 간섭해 버린다. 따라서, 상기 X선 검출 장치의 구성에서는, 가요성 회로 기판의 리페어시에 있어서, X선 검출 패널을 지지 부재로부터 분리하는 작업이 필요하다. 이 때문에, 상기 X선 검출 장치에는 작업성의 관점으로부터 향상의 여지가 있다.
또, X선 검출 패널과 직교하는 방향(X선입사 방향)에서 보았을 때, 지지 부재의 단부가 X선 검출 패널의 단부보다도 외측에 위치하는 경우에는, 가요성 회로 기판을 지지 부재의 단부보다도 외측으로 둘러칠 필요가 생긴다. 이러한 둘러 치기가 필요한 만큼 가요성 회로 기판이 길어져, 가요성 회로 기판을 통해서 전달되는 신호에 노이즈가 섞기기 쉬워져 버린다.
본 개시의 일 측면은, 가요성 회로 기판의 리페어 작업을 용이화함과 아울러 가요성 회로 기판을 통해서 전달되는 신호에 있어서의 노이즈를 억제하는 것이 가능한 방사선 촬상 장치, 방사선 촬상 장치의 제조 방법, 및 방사선 촬상 장치의 수복 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일 측면에 따른 방사선 촬상 장치는, 방사선을 검출하는 검출 영역이 형성됨과 아울러 검출 영역의 외측에 전극 패드가 형성된 제1 면과, 제1 면과는 반대측인 제2 면을 가지는 방사선 검출 패널과, 방사선 검출 패널의 제2 면에 대향함과 아울러 방사선 검출 패널을 지지하는 지지면을 가지는 베이스 기판과, 접속 부재를 통해서 전극 패드에 접속된 가요성 회로 기판을 구비하고, 베이스 기판의 단부는 지지면과 직교하는 제1 방향에서 보았을 때, 전극 패드와 접속 부재와 가요성 회로 기판이 겹치는 접속 영역의 내측 단부보다도 내측에 위치하고 있는, 방사선 촬상 장치.
상기 방사선 촬상 장치에 있어서는, 가요성 회로 기판을 전극 패드에 접속할 때에, 가요성 회로 기판, 접속 부재, 및 방사선 검출 패널을 제1 방향에 있어서의 양측에서 히터로 가열할 필요가 생기는 경우가 있다. 한편, 상기 방사선 촬상 장치에서는, 베이스 기판의 단부가, 제1 방향에서 보았을 때 접속 영역의 내측 단부보다도 내측에 위치하고 있다. 이 때문에, 방사선 검출 패널의 제2 면측에 배치되는 히터와 베이스 기판의 간섭을 회피할 수 있다. 이것에 의해, 가요성 회로 기판의 리페어(수리, 교환 등)가 필요하게 되었을 경우에 있어서, 방사선 검출 패널을 베이스 기판으로부터 분리하는 일 없이, 가요성 회로 기판의 리페어를 행할 수 있다. 따라서, 상기 방사선 촬상 장치에 의하면, 가요성 회로 기판의 리페어 작업을 용이화할 수 있다. 또, 만일, 제1 방향에서 보았을 때 베이스 기판의 단부가 방사선 검출 패널의 단부보다도 외측에 위치하는 경우에는, 가요성 회로 기판을 베이스 기판의 단부보다도 외측으로 둘러칠 필요가 생긴다. 이러한 둘러 치기가 필요한 만큼 가요성 회로 기판이 길어져, 가요성 회로 기판을 통해서 전달되는 신호에 노이즈가 섞기기 쉬워져 버린다. 한편, 상기 방사선 촬상 장치에 있어서는, 제1 방향에서 보았을 때 베이스 기판의 단부가 접속 영역의 내측 단부보다도 내측에 위치하고 있다(즉, 방사선 검출 패널의 단부보다도 내측에 위치하고 있다). 이 때문에, 상술한 것 같은 가요성 회로 기판의 둘러 치기가 불필요해져, 가요성 회로 기판의 전체 길이를 짧게 할 수 있다. 그 결과, 가요성 회로 기판을 통해서 전달되는 신호에 있어서의 노이즈를 억제하는 것이 가능해진다.
방사선 검출 패널은, 제1 방향에서 보았을 때 직사각 형상으로 형성되어 있고, 방사선 검출 패널이 적어도 1개의 변부에, 1 이상의 접속 영역이 형성되어 있고, 베이스 기판의 단부는, 제1 방향에서 보았을 때, 적어도 1개의 변부에 형성된 모든 접속 영역의 내측 단부보다도 내측에 위치하고 있어도 된다. 이 구성에 의하면, 상기 적어도 1개의 변부에 있어서의 접속 영역에 접속된 가요성 회로 기판의 제1 방향에서 본 외측 단부의 위치를, 베이스 기판의 단부에 간섭시키는 일 없이, 방사선 검출 패널의 단부에 근접시킬 수 있다. 즉, 상기 적어도 1개의 변부에 있어서의 가요성 회로 기판의 외측 단부를 가능한 한 내측에 위치시킬 수 있다. 이것에 의해, 장치의 소형화를 도모할 수 있다. 예를 들면 베이스 기판 및 방사선 검출 패널 등을 케이스에 수용하는 경우에 있어서, 해당 케이스의 소형화를 도모할 수 있다.
상기 방사선 촬상 장치는 제1 면 상에 배치되어, 검출 영역을 구성하는, 방사선을 광 또는 전하로 변환하는 변환부를 더 구비하고, 제1 방향에서 보았을 때, 베이스 기판의 단부는 검출 영역보다도 외측에 위치하고 있고, 제1 방향과 직교하는 제2 방향에 있어서의 접속 영역의 내측 단부와 베이스 기판의 단부의 거리는, 1mm 이상이어도 된다. 방사선을 광 또는 전하로 변환하는 변환부는, 열에 약한 성질을 가지는 경우가 많다. 상기 구성에 의하면, 가요성 회로 기판을 전극 패드에 접속할 때 접속 부재를 가열하는 히터와 변환부의 거리를, 일정 이상(적어도 1mm 이상) 확보할 수 있다. 그 결과, 히터로부터의 열이 변환부에 주는 악영향을 억제할 수 있다.
변환부는 방사선을 광으로 변환하는 신틸레이터여도 된다. 신틸레이터에는, 방습성을 가지는 방습막이 마련되는 경우가 있다. 이러한 방습막은 특히 열에 약한 성질을 가진다. 상기 구성에 의하면, 히터로부터의 열이 이와 같이 특히 열에 약한 성질을 가지는 신틸레이터(방습막을 포함함)에 주는 악영향을 억제할 수 있다.
베이스 기판은 제1 방향에서 보았을 때, 가요성 회로 기판과 겹치지 않는 위치에 있어서 방사선 검출 패널보다도 외측으로 돌출된 돌출부를 가져도 된다. 이 구성에 의하면, 방사선 검출 패널이 베이스 기판에 지지된 상태로, 돌출부를 파지(把持)부로서 이용할 수 있기 때문에, 방사선 촬상 장치의 제조시 또는 리페어시에 있어서의 핸들링성을 향상시킬 수 있다.
돌출부의 지지면에는, 제1 방향으로 연장되어 있는 제1 연재(延在)부가 마련되어 있어도 된다. 예를 들면, 제1 연재부는 방사선 검출 패널을 위치 결정하는 위치 결정 부재여도 된다. 이 구성에 의하면, 제1 연재부에 의해서 베이스 기판의 지지면에 대한 방사선 검출 패널의 위치 결정을 용이하게 행하는 것이 가능해지기 때문에, 조립 작업성을 향상시킬 수 있다.
상기 방사선 촬상 장치는 방사선 검출 패널, 베이스 기판, 및 가요성 회로 기판을 수용하는 케이스를 더 구비하고, 케이스는 제1 면에 대향하는 제1 벽부와, 제2 면에 대향하는 제2 벽부를 가지고, 베이스 기판은 제1 연재부를 통해서 제1 벽부에 지지되어 있어도 된다. 이 구성에 의하면, 베이스 기판(돌출부)이 제1 연재부를 통해서 케이스(제1 벽부)에 지지되기 때문에, 케이스에 대해서 베이스 기판을 안정적으로 지지할 수 있다.
돌출부의 지지면과는 반대측의 면에는, 돌출부를 사이에 두고 제1 연재부와 대향하는 위치에 배치되고, 제1 방향으로 연장되어 있는 제2 연재부가 마련되어 있고, 베이스 기판은 제2 연재부를 통해서 제2 벽부에 지지되어 있어도 된다. 이 구성에 의하면, 베이스 기판(돌출부)이, 제1 연재부 및 제2 연재부를 통해서, 서로 대향하는 케이스의 일부(제1 벽부 및 제2 벽부)에 의해서 끼워 지지된다. 이것에 의해, 케이스에 대해서 베이스 기판을 보다 한층 안정적으로 지지할 수 있다. 여기서, 베이스 기판을 케이스에 대해서 지지하는 방법으로서는, 예를 들면 주상(柱狀)의 지지 부재를 통해서 베이스 기판의 이면(지지면과는 반대측의 면)을 제2 벽부에 지지하는 방법이 있다. 상기 구성에 의하면, 제1 연재부 및 제2 연재부를 통해서 베이스 기판이 케이스에 지지된다. 이 때문에, 상기의 지지 방법을 병용하는 경우에 있어서는, 베이스 기판의 이면에 마련되는 지지 부재의 수를 삭감하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 베이스 기판의 이면에 대한 외부(특히 제2 벽부)로부터의 충격을 전해지기 어렵게 할 수 있다. 그 결과, 베이스 기판에 지지되는 방사선 검출 패널로의 충격을 저감시키는 것이 가능해진다.
제1 연재부 및 제2 연재부는, 베이스 기판과는 별개로 형성되어 있어도 된다. 이 구성에 의하면, 베이스 기판이 제1 연재부 및 제2 연재부 중 적어도 한쪽과 일체로 형성되어 있는 경우와 비교하여, 베이스 기판의 휨을 저감시킬 수 있다.
본 개시의 일 측면에 따른 방사선 촬상 장치의 제조 방법은, 방사선을 검출하는 검출 영역이 형성됨과 아울러 검출 영역의 외측에 전극 패드가 형성된 제1 면과, 제1 면과는 반대측인 제2 면을 가지는 방사선 검출 패널을 준비하는 공정과, 방사선 검출 패널의 제2 면을 베이스 기판의 지지면에 지지시키는 공정과, 접속 부재를 통해서 전극 패드에 가요성 회로 기판을 접속시키는 공정을 포함하고, 지지시키는 공정에서는, 지지면과 직교하는 제1 방향에서 보았을 때, 베이스 기판의 단부가 전극 패드와 접속 부재와 가요성 회로 기판이 겹칠 예정의 접속 영역의 내측 단부보다도 내측에 위치하도록, 방사선 검출 패널에 대해서 베이스 기판을 배치하고, 접속하는 공정에서는, 가요성 회로 기판을 사이에 두고 접속 부재와는 반대측에 배치되는 제1 히터와 방사선 검출 패널을 사이에 두고 접속 부재와는 반대측에 배치되는 제2 히터에 의해서 접속 부재를 가열한다.
상기 제조 방법에 의하면, 지지시키는 공정에 있어서, 접속 영역과 겹치지 않도록 베이스 기판이 배치됨으로써, 제1 히터와 제2 히터로 가요성 회로 기판, 접속 부재, 및 방사선 검출 패널을 사이에 두고 열압착하는 것이 가능해진다. 즉, 가요성 회로 기판과 전극 패드를 접속할 때, 제2 히터와 베이스 기판이 서로 간섭하는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해, 방사선 검출 패널을 베이스 기판에 의해서 안정적으로 지지한 상태로, 가요성 회로 기판을 방사선 검출 패널에 접속시킬 수 있다. 또, 이와 같이 제1 히터와 제2 히터로 접속 부재의 양측(가요성 회로 기판 측 및 방사선 검출 패널 측)에서 가열함으로써, 접속 부재의 한쪽 편으로부터 가열하는 경우와 비교하여, 낮은 가열 온도(히터의 온도)로 충분한 접속 강도를 확보할 수 있다. 따라서, 상기 제조 방법에 의하면, 가열시의 열이 방사선 검출 패널 등에 미치는 악영향을 억제하면서, 접속 강도를 확보할 수도 있다.
본 개시의 일 측면에 따른 방사선 촬상 장치의 수복 방법은, 방사선 검출 패널이 베이스 기판에 지지된 상태로, 제1 가요성 회로 기판을 전극 패드로부터 분리시키는 공정과, 방사선 검출 패널이 베이스 기판에 지지된 상태로, 제2 가요성 회로 기판을 사이에 두고 접속 부재와는 반대측에 배치되는 제1 히터와 방사선 검출 패널을 사이에 두고 접속 부재와는 반대측에 배치되는 제2 히터에 의해서 접속 부재를 가열함으로써, 제2 가요성 회로 기판을 접속 부재를 통해서 전극 패드에 접속시키는 공정을 포함한다.
상기 수복 방법에 의하면, 접속 영역과 겹치지 않도록 베이스 기판이 배치되어 있음으로써, 방사선 검출 패널을 베이스 기판으로부터 분리하는 일 없이, 가요성 회로 기판의 리페어(분리시키는 공정 및 접속시키는 공정)를 행할 수 있다. 따라서, 상기 수복 방법에 의하면, 가요성 회로 기판의 리페어 작업을 용이하게 행할 수 있다.
본 개시의 일 측면에 의하면, 가요성 회로 기판의 리페어 작업을 용이화함과 아울러 가요성 회로 기판을 통해서 전달되는 신호에 있어서의 노이즈를 억제하는 것이 가능한 방사선 촬상 장치, 방사선 촬상 장치의 제조 방법, 및 방사선 촬상 장치의 수복 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 일 실시 형태의 방사선 촬상 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 II－II선을 따른 단면도이다.
도 3은 방사선 검출 패널의 일부를 확대한 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV－IV선을 따른 단면도이다.
도 5는 수광부 및 IC 칩의 내부 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 접속 영역과 베이스 기판과의 위치 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 방사선 검출 패널에 있어서의 히터로부터의 거리와 온도의 관계를 나타내는 도면이다.
도 8은 방사선 촬상 장치의 제조 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 방사선 촬상 장치의 제조 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10은 방사선 촬상 장치의 제조 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 11은 방사선 촬상 장치의 제조 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 12는 전극 패드의 배치예를 나타내는 도면이다.
도 13은 베이스 기판의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 14는 제1 연재부의 배치예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 개시의 실시 형태가 상세하게 설명된다. 도면의 설명에 있어서, 동일 또는 동 등한 요소에는 동일 부호가 이용되고, 중복하는 설명은 생략된다. 본 개시는 이들 예시로 한정되는 것이 아니고, 특허 청구의 범위에 의해서 나타나고, 특허 청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다. 덧붙여, 이해의 용이를 위해서, 도 1~도 4, 도 6, 및 도 8~도 11에는 XYZ 직교 좌표계가 도시되어 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태의 방사선 촬상 장치(1)의 평면도이다. 도 2는 도 1의 II－II선을 따른 단면도이다. 다만, 도 1에서는, 천장벽(11) 및 나사 부재(14)의 도시가 생략되어 있다. 방사선 촬상 장치(1)는, 예를 들면 의료용 X선 촬상 시스템에 이용되는 대면적 플랫 패널 센서이다. 도 1 및 도 2에 도시되는 것처럼, 방사선 촬상 장치(1)는 케이스(10)와, 베이스 기판(20)과, 방사선 검출 패널(30)과, 가요성 회로 기판(40)과, 제어 기판(50)과, 방사선 차폐 부재(60)를 구비한다.
케이스(10)는 대략 직육면체 모양의 중공(中空) 용기이다. 케이스(10)는 천장벽(11)(제1 벽부)과, 저벽(12)(제2 벽부)과, 측벽(13)(제3 벽부)을 가진다. 천장벽(11) 및 저벽(12)은, 각각 XY 평면을 따라서 연장되는 직사각형 판상으로 형성되어 있고, 서로 대향하고 있다. 측벽(13)은 XZ 평면 또는 YZ 평면을 따라서 연장되어 있고, 천장벽(11)의 가장자리부와 저벽(12)의 가장자리부를 접속하고 있다. 즉, 측벽(13)은 Z방향에서 보았을 때, 직사각형 환상으로 형성되어 있다. 케이스(10)는 베이스 기판(20), 방사선 검출 패널(30), 가요성 회로 기판(40), 제어 기판(50), 및 방사선 차폐 부재(60)를 수용하고 있다.
천장벽(11)은 방사선 촬상 장치(1)의 검출 대상인 방사선(예를 들면 X선)을 케이스(10)의 내부로 투과하는 부재에 의해서 구성되어 있다. 천장벽(11)은 Z방향을 따라서 입사되는 방사선을 케이스(10)의 내측으로 이끈다. 즉, Z방향은 검출 대상의 방사선의 입사 방향이다. 본 실시 형태에서는, 천장벽(11)은 2층 구조를 가진다. 구체적으로는, 천장벽(11)은 방사선이 입사되는 측(외측)에 마련된 카본 파이버 플레이트(111)와, 카본 파이버 플레이트(111)의 내측 표면에 마련된 전자파를 차폐하기 위한 쉴드 부재(112)를 가진다. 쉴드 부재(112)는, 예를 들면, 카본 파이버 플레이트(111)의 내측 표면에 알루미늄박이 접착됨으로써 형성된 알루미늄 쉴드이다.
저벽(12) 및 측벽(13)은, 방사선을 차단하는 금속 재료(예를 들면 철 등)에 의해서 형성되어 있다. 측벽(13)의 상면(13a)은 쉴드 부재(112)와 면접촉하고 있고, 쉴드 부재(112)와 도통하고 있다. 이것에 의해, 케이스(10) 밖으로부터 케이스(10) 안으로 향하는 전자파의 차폐가 도모되고 있다. 또, 측벽(13)의 상면(13a)에는, 복수의 나사구멍(13b)이 마련되어 있다. 나사 부재(14)가 천장벽(11)에 마련된 관통공(11a)에 삽입 관통됨과 아울러 나사구멍(13b)에 나사 결합되어 있다. 이것에 의해, 천장벽(11)은 측벽(13)에 고정되어 있다.
베이스 기판(20)은 방사선 검출 패널(30), 제어 기판(50), 및 방사선 차폐 부재(60)를 지지하는 부재이다. 베이스 기판(20)은, 예를 들면, 철, 알루미늄, 스텐레스, 텅스텐 합금, 동텅스텐 등의 금속으로 이루어진다. 본 실시 형태에서는 일례로서 베이스 기판(20)은, 비교적 경량인 알루미늄에 의해서 형성되어 있다. 베이스, 기판(20)은 지지면(20a)과, 지지면(20a)과는 반대측인 이면(20b)을 가진다. 지지면(20a)은 천장벽(11)에 대향하는 면이고, 이면(20b)은 저벽(12)에 대향하는 면이다. 지지면(20a)은 방사선 검출 패널(30)의 기판(31)을 지지하고 있다. 이면(20b)에는, 예를 들면 Z방향으로 연장되는 주상으로 형성된 1 이상의 지지 부재(55)를 통해서 제어 기판(50)이 고정되어 있다.
방사선 검출 패널(30)은 직사각형 판상으로 형성된 기판(31)을 가진다. 기판(31)은 수광부(32)(수광면)가 형성된 제1 면(31a)과 제1 면(31a)과는 반대측인 제2 면(31b)을 가진다. 제1 면(31a)은 천장벽(11)에 대향하는 면이며, 제2 면(31b)은 저벽(12)에 대향하는 면이다. 수광부(32) 상에는, 신틸레이터(34)(변환부)가 배치되어 있다. 신틸레이터(34)는, 예를 들면 CsI를 주성분으로 하는 신틸레이터 재료를 수광부(32) 상에 증착함으로써 형성되어 있다. 신틸레이터(34)는 천장벽(11)을 통해서 입사된 방사선을 광으로 변환한다. 구체적으로는, 신틸레이터(34)는 방사선의 입사 강도에 따른 강도의 신틸레이션광을 수광부(32)로 출력한다. 이것에 의해, 제1 면(31a)에 있어서 수광부(32)가 형성된 영역은, 방사선을 검출하는 검출 영역(R)으로서 기능한다. 검출 영역(R)은, 예를 들면 한 변 30cm~40cm 정도의 수광 면적(일례로서, 40cm×30cm)을 가진다.
기판(31)은, 예를 들면 투명한 유리 기판이다. 기판(31)의 제2 면(31b)이 베이스 기판(20)의 지지면(20a)에 고정됨으로써, 기판(31)은 베이스 기판(20)에 고정되어 있다. 예를 들면, 기판(31)의 제2 면(31b)은, 양면 테이프 등의 접착 부재(G)(도 6 참조)를 통해서, 베이스 기판(20)의 지지면(20a)에 고정되어 있다. Z방향에서 보았을 때, 적어도 수광부(32) 및 신틸레이터(34)가 배치된 영역은, 지지면(20a)에 포함되어 있다. 또, 접착 부재(G)(도 6 참조)는, Z방향에서 보았을 때, 적어도 수광부(32)와 겹치는 영역에 마련되어 있다. 또, 접착 부재(G)의 외측 단부는, Z방향에서 보았을 때, 베이스 기판(20)의 단부(후술하는 단부(21a))보다도 내측에 위치하고 있다. 기판(31)의 제1 면(31a)에 있어서, 검출 영역(R)의 외측에는, 복수의 전극 패드(33)가 형성되어 있다. 복수의 전극 패드(33)는, 후술하는 배선(판독용 배선 및 행 선택용 배선) 등을 통해서, 수광부(32)에 형성된 화소(Pm , n)(도 3 참조)와 전기적으로 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는 일례로서, X방향을 따른 기판(31)의 주연부에 22개(11개×2변)의 전극 패드(33)가 형성되어 있다. 또, Y방향을 따른 기판(31)의 주연부에 14개(7개×2변)의 전극 패드(33)가 형성되어 있다.
가요성 회로 기판(40)은 전극 패드(33)와 전기적으로 접속된 회로 부재이다. 가요성 회로 기판(40)은 접어 굽힘 등의 변형이 가능한 플렉서블 기판(41)과, 플렉서블 기판(41)에 탑재된 IC 칩(42)을 가진다. 플렉서블 기판(41)은, 예를 들면, 박막 상의 절연체(예를 들면 폴리이미드 등) 상에 도체박(예를 들면 동 등)에 의한 회로 패턴이 형성된 구조를 가진다. 플렉서블 기판(41)의 일단부(41a)는, 접속 부재(70)를 통해서 전극 패드(33)에 접속되어 있다. 접속 부재(70)는 열압착에 의해서 접착력을 생기게 하는 부재이며, 예를 들면 ACF(이방성 도전 필름), ACP(이방성 도전 페이스트) 등의 이방성 도전 재료이다. 플렉서블 기판(41)의 타단부(41b)는, 제어 기판(50)(커넥터(51))에 접속되어 있다.
제어 기판(50)은 IC 칩(42)의 동작(예를 들면, 후술하는 수직 시프트 레지스터(42a, 42b), 및 신호 접속부(42c, 42d)의 동작)의 제어, 및 IC 칩(42)으로의 전원의 공급을 행하기 위한 회로를 포함한다. 구체적으로는, 예를 들면 케이스(10)의 외측(예를 들면 저벽(12)의 외측 등)에 배치된 도시하지 않은 외부 전원으로부터 제어 기판(50)에 전력이 공급되고, 해당 전력이 제어 기판(50)을 통해서 IC 칩(42)으로 공급된다. 덧붙여, 상기 외부 전원은 케이스(10)의 내부(예를 들면 제어 기판(50)과 저벽(12) 사이의 공간)에 배치되어도 된다. 다만, 상기 외부 전원에 기인하는 측정 노이즈의 발생을 억제하는 관점 등으로부터, 상기 외부 전원은 케이스(10)의 외측에 배치되는 것이 바람직하다. 제어 기판(50)은 상술한 1 이상의 지지 부재(55)를 통해서 베이스 기판(20)의 이면(20b)에 고정되어 있다. 또, 제어 기판(50)은 지지 부재(55)와 같은 지지 부재(56)를 통해서 저벽(12)에도 고정되어 있다. 덧붙여, 지지 부재(55)와 지지 부재(56)는, Z방향으로 제어 기판(50)을 관통하면서 제어 기판(50)을 지지하는 주상 부재로서, 일체적으로 형성되어 있어도 된다. 이러한 주상 부재는, 저벽(12)에 대해서 베이스 기판(20)을 지지함과 아울러, 저벽(12) 및 베이스 기판(20)에 대해서 제어 기판(50)을 지지하는 부재로서 기능한다.
여기서, 가요성 회로 기판(40)에 탑재된 IC 칩(42)과 제어 기판(50)에 탑재된 AD 컨버터(52)는, 특히 발열하기 쉬운 부분(발열 부재)이다. 또, IC 칩(42) 또는 AD 컨버터(52)로부터의 열이 방사선 검출 패널(30)에 전해지면, 수광부(32)에 의해 취득되는 화상에 노이즈가 발생할 우려가 있다. 이에, 본 실시 형태에서는, IC 칩(42) 및 AD 컨버터(52)로부터의 발열을 효율 좋게 케이스(10)의 저벽(12)으로 빼기 위해서, IC 칩(42) 및 AD 컨버터(52)의 각각과 저벽(12)의 사이에 방열 부재(57)가 배치되어 있다. 방열 부재(57)는, 예를 들면 실리콘 등을 주원료로 하는 젤 시트 등이다. 도 2에 도시되는 것처럼, IC 칩(42) 또는 AD 컨버터(52)와 저벽(12) 사이의 거리가 큰 경우에는, 저벽(12)의 내면 중 Z방향에서 보았을 때 IC 칩(42) 또는 AD 컨버터(52)와 겹치는 부분에, 천장벽(11) 측으로 돌출되는 볼록부(12a)가 마련되어도 된다. 이러한 볼록부(12a)에 의하면, IC 칩(42) 또는 AD 컨버터(52)로부터의 발열을 방열 부재(57) 및 볼록부(12a)를 통해서 저벽(12)으로 적절히 뺄 수 있다. 또, 저벽(12)의 내면을 부분적으로 끌어 올림으로써, 볼록부(12a)가 마련되지 않은 부분을, 각종 부품 등을 수용하기 위한 공간으로서 활용하는 것이 가능해진다.
제어 기판(50)은, Z방향에서 보았을 때, 신틸레이터(34) 및 베이스 기판(20)과 겹쳐 있다. 즉, 천장벽(11)으로부터 입사되어 제어 기판(50)으로 향하는 방사선의 대부분은, 신틸레이터(34) 및 베이스 기판(20)에 의해서 차폐된다. 한편, 본 실시 형태와 같이, 가요성 회로 기판(40)에 탑재된 IC 칩(42)은, Z방향에서 보았을 때, 신틸레이터(34) 및 베이스 기판(20)과 겹치지 않는 위치에 배치되는 경우가 있다. 즉, 천장벽(11)으로부터 입사되어 IC 칩(42)으로 향하는 방사선은, 신틸레이터(34) 및 베이스 기판(20)에 의해서 차폐되지 않는 경우가 있다. 이 경우, 아무런 대책도 취하지 않으면, 해당 방사선에 의해서 IC 칩(42)이 손상되어, IC 칩(42)의 오작동 등이 일으켜질 우려가 있다. 이에, 본 실시 형태에서는, 천장벽(11)으로부터 입사된 방사선 중 IC 칩(42)으로 향하는 방사선을 차폐하기 위해서, 방사선 차폐 부재(60)가 마련되어 있다.
방사선 차폐 부재(60)는, 예를 들면, 납, 텅스텐 등의 X선 차폐능이 높은 재료에 의해서 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는 일례로서, 방사선 차폐 부재(60)는 직사각(短冊) 형상으로 형성되어 있고, 베이스 기판(20)의 이면(20b)의 가장자리부에 마련되어 있다. 방사선 차폐 부재(60)의 일부는, Z방향에서 보았을 때, IC 칩(42)과 겹치도록, 베이스 기판(20)의 외측으로 돌출되어 있다. 방사선 차폐 부재(60)는 IC 칩(42)마다 마련되어도 되고, 서로 인접하는 복수의 IC 칩(42)에 대해서 1개의 방사선 차폐 부재(60)(즉, Z방향에서 보았을 때 해당 복수의 IC 칩과 겹치는 크기로 형성된 부재)가 마련되어도 된다. 본 실시 형태에서는, 베이스 기판(20)을 비교적 경량의 알루미늄에 의해 형성하는 한편으로, 특히 방사선을 차폐할 필요가 있는 지점에 상술한 것 같은 비교적 중량이 큰 재료로 형성된 방사선 차폐 부재(60)를 부분적으로 마련함으로써, 방사선 촬상 장치(1)의 경량화를 도모되고 있다.
베이스 기판(20)은 지지면(20a)과 직교하는 Z방향(제1 방향)에서 보았을 때 직사각 형상으로 형성된 본체부(21)와, 본체부(21)의 모서리부(네 모퉁이)의 각각에 형성되고, 본체부(21)의 외측으로 돌출되는 돌출부(22)를 가진다. 본 실시 형태에서는 일례로서, 돌출부(22)는, Z방향에서 보았을 때 모퉁이부가 모따기된 대략 직사각 형상으로 형성되어 있다. 또, 본체부(21)와 돌출부(22)는 일체적으로 형성되어 있고, 돌출부(22)의 두께(판두께)는 본체부(21)의 두께와 동일하다. 즉, 베이스 기판(20)은, 대략 균등한 두께를 가지는 한 장의 판(板)으로서 구성되어 있다.
Z방향에서 보았을 때, 가요성 회로 기판(40)이 전극 패드(33)에 접속된 부분에 대응하는 베이스 기판(20)의 단부는, 방사선 검출 패널(30)의 단부(즉, 기판(31)의 단부(31c))보다도 내측(검출 영역(R)측)에 위치하고 있다. 구체적으로는, 본체부(21)가, Z방향에서 보았을 때 기판(31)보다도 작은 직사각 형상으로 형성되어 있고, 본체부(21)의 단부(21a)가, 기판(31)의 단부(31c)보다도 내측에 위치하고 있다. 즉, 방사선 검출 패널(30)의 각 변부(전극 패드(33)가 형성된 부분)에 대응하는 베이스 기판(20)의 단부(즉, 본체부(21)의 단부(21a))는, 기판(31)의 단부(31c)보다도 내측에 위치하고 있다. 추가로, 본 실시 형태에서는, 베이스 기판(20)은, Z방향에서 보았을 때, 전극 패드(33)와 접속 부재(70)와 가요성 회로 기판(40)(플렉서블 기판(41)의 일단부(41a))이 겹치는 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 형성되어 있다. 즉, 본체부(21)의 단부(21a)는, 접속 영역(A)의 내측 단부(A1)보다도 내측에 위치하고 있다. 이것에 의해, Z방향에서 보았을 때 베이스 기판(20)이 접속 영역(A)(본 실시 형태에서는, 36개의 접속 영역(A))과 겹치지 않는 구성이 실현되어 있다.
돌출부(22)는 Z방향에서 보았을 때 가요성 회로 기판(40)과 겹치지 않는 위치(본 실시 형태에서는 일례로서, 본체부(21)의 모서리부)에 있어서, 방사선 검출 패널(30)보다도 외측으로 돌출되어 있다. 즉, Z방향에서 보았을 때, 돌출부(22)는, 기판(31)보다도 외측으로 돌출되어 있다. 본 실시 형태에서는, 돌출부(22)는 Z방향에서 보았을 때, 플렉서블 기판(41)의 단부(접어 구부러진 부분으로서, XY 평면에 평행한 방향에 있어서 기판(31)의 단부(31c)로부터 가장 떨어진 부분)보다도 외측으로 돌출되어 있다.
돌출부(22)의 지지면(20a)에는, Z방향으로 연장되어 있는 제1 연재부(81)가 마련되어 있다. 본 실시 형태에서는 일례로서, 제1 연재부(81)는 알루미늄으로 이루어진다. 다만, 제1 연재부(81)는 그 외의 재료에 의해서 형성되어도 된다. 예를 들면, 제1 연재부(81)의 재료는, 철 등의 알루미늄 이외의 금속, 폴리아세탈(POM) 및 폴리 에테르 에테르 케톤(PEEK) 등의 엔지니어링 플라스틱 등이어도 된다. 제1 연재부(81)는, 예를 들면 도시하지 않은 고정 부재(예를 들면 나사 등)를 통해서, 돌출부(22)에 고정되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 연재부(81)는, Z방향으로 연장되는 주상 부재이고, 방사선 검출 패널(30)(즉, 기판(31))을 위치 결정하는 위치 결정 부재로서 기능한다. 구체적으로는, 제1 연재부(81)는 기판(31)의 모서리부(31d)를 수용하기 위해서 Z방향으로 연장되는 가이드 홈(81a)을 가진다. 가이드 홈(81a)은 Z방향에서 보았을 때, 기판(31)의 모서리부(31d)의 형상에 맞도록 L자 모양으로 형성되어 있다. 즉, 제1 연재부(81)는 사각 주상 부재(후술하는 제2 연재부(82)와 같은 형상을 가지는 부재)의 일부(가이드 홈(81a)에 의해서 형성되는 공간에 상당하는 사각 주상의 부분)를 노치한 것 같은 형상을 가지고 있다. 본 실시 형태에서는, 이러한 제1 연재부(81)가 기판(31)의 네 모퉁이의 각각에 대응해서 마련되어 있다. 즉, 기판(31)의 각 모서리부(31d)를 각 제1 연재부(81)의 가이드 홈(81a)의 내측에 배치함으로써, 기판(31)의 위치 결정을 행하는 것이 가능해지고 있다.
제1 연재부(81)는 천장벽(11)에 지지되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 연재부(81)의 천장벽(11) 측의 표면에 나사구멍(81b)이 형성되어 있다. 그리고, 나사 부재(14)가, 천장벽(11)에 마련된 관통공(11a)에 삽입 관통됨과 아울러 나사구멍(81b)에 나사 결합되어 있다. 이와 같이 제1 연재부(81)는, 천장벽(11)에 지지됨과 아울러, 돌출부(22)에 지지되어 있다. 즉, 베이스 기판(20)은 제1 연재부(81)를 통해서 천장벽(11)에 지지되어 있다. 본 실시 형태에서는, 나사 고정에 의해서, 베이스 기판(20)(돌출부(22))은, 제1 연재부(81)를 통해서 천장벽(11)에 대해서 단단히 고정되어 있다.
돌출부(22)의 이면(20b)에는, 돌출부(22)를 사이에 두고 제1 연재부(81)와 대향하는 위치에 배치되고, Z방향으로 연장되어 있는 제2 연재부(82)가 마련되어 있다. 본 실시 형태에서는 일례로서, 제2 연재부(82)는 알루미늄으로 이루어진다. 다만, 제2 연재부(82)의 재료로서는, 상술한 제1 연재부(81)의 재료와 같은 재료를 이용할 수 있다. 제2 연재부(82)는, 예를 들면 도시하지 않은 고정 부재(예를 들면 나사 등)를 통해서, 돌출부(22)에 지지되어 있다. 덧붙여, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)는, 제1 연재부(81) 측 또는 제2 연재부(82) 측으로부터 공통의 나사를 이용하여 나사 고정됨으로써 돌출부(22)에 고정되어도 되고, 서로 다른 나사를 이용하여 개별로 나사 고정됨으로써 돌출부(22)에 고정되어도 된다. 또, 제2 연재부(82)는 제1 연재부(81)와 같은 고정 수단에 의해, 저벽(12)에 지지되어 있다. 예를 들면, 제2 연재부(82)의 저벽(12) 측의 표면에는, 도시하지 않은 나사구멍이 형성되어 있고, 도시하지 않은 나사 부재가 저벽(12)에 마련된 도시하지 않은 관통공에 삽입 관통됨과 아울러 해당 나사구멍에 나사 결합되어 있다. 이와 같이, 제2 연재부(82)는 돌출부(22) 및 저벽(12)에 지지되어 있다. 즉, 베이스 기판(20)은 제2 연재부(82)를 통해서 저벽(12)에 지지되어 있다. 본 실시 형태에서는, 나사 고정에 의해서, 베이스 기판(20)(돌출부(22))은 제2 연재부(82)를 통해서 저벽(12)에 대해서 단단히 고정되어 있다.
덧붙여, 제2 연재부(82)에는, 제1 연재부(81)의 가이드 홈(81a)에 대응하는 홈부를 형성할 필요가 없다. 이 때문에, 본 실시 형태에서는, 제2 연재부(82)는 사각 주상으로 형성되어 있다. 즉, 제2 연재부(82)는 Z방향에서 보았을 때 제1 연재부(81)와 겹치는 부분을 가짐과 아울러, Z방향에서 보았을 때 가이드 홈(81a)에 의해서 형성된 사각 주상의 공간과 겹치는 부분을 가진다. 다만, 예를 들면 부재의 공통화 등을 위해서, 제2 연재부(82)는 제1 연재부(81)와 동일 치수의 L자 모양의 주상 부재로 형성되고, Z방향에서 보았을 때 제1 연재부(81)와 완전하게 겹치도록 배치되어도 된다.
상술한 것처럼, 본 실시 형태에서는, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)는, 본체부(21)의 모서리부(네 모퉁이)에 마련된 돌출부(22)에 마련되어 있다. 즉, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)는, 방사선 검출 패널(30)(기판(31))의 모서리부(31d)에 대응하는 위치에 마련되어 있다. 그리고, 측벽(13)은 Z방향에서 보았을 때, 직사각형 환상으로 형성되어 있고, 측벽(13)의 모서리부에는, 돌출부(22), 제1 연재부(81), 및 제2 연재부(82)와의 간섭을 피하기 위한 오목부(13c)가 형성되어 있다. 오목부(13c)에 있어서의 측벽(13)의 두께 t1는, 서로 이웃하는 모서리부끼리를 접속하는 변부에 있어서의 측벽(13)의 두께 t2보다도 작다. 본 실시 형태에서는, 측벽(13)의 모서리부에 있어서, 측벽(13)의 내측면의 일부가 노치됨으로써, Z방향에서 보았을 때 돌출부(22)의 바깥 가장자리로부터 이격되도록 오목부(13c)가 형성되어 있다. 이와 같이 두께가 작은 오목부(13c)가 측벽(13)의 모서리부에 형성됨으로써, 측벽(13)의 모서리부로의 응력 집중이 억제되어 있다.
여기서, 상술한 나사구멍(13b)은 두께가 작은 오목부(13c)(두께 t1의 부분)에는 마련되어 있지 않고, 두께가 큰 변부(두께 t2의 부분)에만 마련되어 있다. 이 때문에, Z방향에서 본 케이스(10)의 모서리부(네 모퉁이)에 있어서는, 천장벽(11)과 측벽(13)은 서로 고정되어 있지 않다(나사 고정되어 있지 않다). 그러나, 그 대신에, 본 실시 형태에서는, 상술한 것처럼 천장벽(11)과 제1 연재부(81)가 나사 부재(14)에 의해서 서로 고정되어 있다. 즉, 케이스(10)의 모서리부에 있어서도, 천장벽(11)과 측벽(13)이 서로 강고하게 고정되어 있다. 이것에 의해, 케이스(10)의 모서리부(천장벽(11)과 측벽(13)이 직접 나사 고정되어 있지 않은 부분)에 있어서도, 천장벽(11)의 쉴드 부재(112)와 측벽(13)의 양호한 면접촉을 도모할 수 있다. 그 결과, 케이스(10) 밖으로부터의 전자파의 누설(케이스(10) 내부로의 침입)을 효과적으로 억제할 수 있다.
또, 이러한 오목부(13c)를 형성함으로써, Z방향에서 본 케이스(10)의 외형을 가능한 한 작게 할 수 있다. 즉, 케이스(10)의 모서리부에 있어서 천장벽(11)과 측벽(13)을 나사 고정하기 위해서는, 케이스(10)의 모서리부에 있어서도 나사구멍(13b)을 마련하기 위해서 필요한 측벽(13)의 두께를 확보하기 위해서, Z방향에서 본 케이스(10)의 외형을 크게 할 필요가 있다. 이 경우, Z방향에서 보았을 경우의 방사선 촬상 장치(1)에 있어서의 불감 영역의 비율(즉, 방사선 촬상 장치(1) 전체의 영역에 대한 유효 수광 에어리어(검출 영역(R)) 이외의 영역의 비율)이 커져 버린다. 한편, 본 실시 형태와 같이, 오목부(13c)를 형성함과 아울러, 케이스(10)의 모서리부에 있어서 천장벽(11)과 측벽(13)을 고정하는 대신에 제1 연재부(81)와 천장벽(11)을 서로 고정함으로써, 천장벽(11)과 측벽(13)의 양호한 면접촉을 확보하면서, 불감 영역의 비율을 저감시키는 것이 가능해진다.
다음에, 방사선 촬상 장치(1)의 동작(방사선의 검출)에 대해 설명한다. 본 실시 형태에서는, X방향을 따른 기판(31)의 주연부에 형성된 전극 패드(33)에 접속되는 가요성 회로 기판(40)의 IC 칩(42)에는, 수직 시프트 레지스터(수직 주사 회로)가 형성되어 있다. 구체적으로는, 도 1에 있어서의 기판(31)의 좌측의 주연부(좌변)에 마련된 가요성 회로 기판(40)의 IC 칩(42)에 의해서, 수직 시프트 레지스터(42a)가 형성되어 있고, 기판(31)의 우측의 주연부(우변)에 마련된 가요성 회로 기판(40)의 IC 칩(42)에 의해서, 수직 시프트 레지스터(42b)가 형성되어 있다. 또, Y방향을 따른 기판(31)의 주연부에 형성된 전극 패드(33)에 접속되는 가요성 회로 기판(40)의 IC 칩(42)에는, 신호 판독용의 앰프 칩(신호 접속부)이 형성되어 있다. 구체적으로는, 도 1에 있어서의 기판(31)의 상측의 주연부(상변)에 마련된 가요성 회로 기판(40)의 IC 칩(42)에 의해서, 신호 접속부(42c)가 형성되어 있고, 기판(31)의 하측의 주연부(하변)에 마련된 가요성 회로 기판(40)의 IC 칩(42)에 의해서, 신호 접속부(42d)가 형성되어 있다. 이와 같이, 본 실시 형태에서는, 신호 판독의 노이즈 저감 및 속도 향상을 도모하기 위해서, 신호 판독 라인(데이터 라인)을 상하로 2분할한 구성이 채용되어 있다.
도 3~도 5를 참조하여, 수광부(32) 및 IC 칩(42)의 상세한 구성(방사선 촬상 장치(1)의 동작)에 대해 설명한다. 도 3은 방사선 검출 패널(30)의 일부를 확대한 평면도이다. 도 4는 도 3의 IV－IV선을 따른 단면도이다. 도 5는 수광부(32) 및 IC 칩(42)의 내부 구성을 나타내는 도면이다.
수광부(32)는 M×N개의 화소가 M행 N열로 2차원 배열됨으로써 구성되어 있다. 도 3에 도시되는 화소(Pm , n)는, 제m행 제n열에 위치하는 화소이다. 여기서, m은 1 이상 M 이하의 각 정수이며, n은 1 이상 N 이하의 각 정수이다. 덧붙여, 도 3에 있어서, 열방향은 X축 방향과 일치하고, 행방향은 Y축 방향과 일치한다. 수광부(32)에 포함되는 복수의 화소 P1, 1~PM, N의 각각은, 포토 다이오드(PD) 및 판독용 스위치(SW1)를 구비하고 있다. 포토 다이오드(PD)의 애노드 단자에는 바이어스 전압이 인가되고 있고, 포토 다이오드(PD)의 캐소드 단자에는 판독용 스위치(SW1)의 일단(한쪽의 전류 단자)이 접속되어 있다. 또, 판독용 스위치(SW1)의 타단(다른 쪽의 전류 단자)은, 대응하는 판독용 배선(예를 들면 화소(Pm , n)의 경우, 제n열 판독용 배선(LO, n))에 접속되어 있다. 판독용 스위치(SW1)의 제어 단자는 대응하는 행 선택용 배선(예를 들면 화소(Pm , n)의 경우, 제m행 선택용 배선(LV , m))에 접속되어 있다.
도 4에 도시되는 것처럼, 기판(31)의 제1 면(31a)의 전면(全面)에는, 실리콘막(35)이 마련되어 있다. 그리고, 포토 다이오드(PD), 판독용 스위치(SW1), 및 제n열 판독용 배선(LO, n)은, 이 실리콘막(35)의 표면에 형성되어 있다. 포토 다이오드(PD), 판독용 스위치(SW1), 및 제n열 판독용 배선(LO, n)은, 절연층(36)에 의해서 덮여 있다. 절연층(36) 위에는, 신틸레이터(34)가 기판(31)의 제1 면(31a)의 검출 영역(R)의 전체를 덮도록 마련되어 있다. 포토 다이오드(PD)는, 예를 들면, 아모퍼스 실리콘을 포함하여 구성되어 있다.
본 실시 형태의 포토 다이오드(PD)는 n형 다결정 실리콘으로 이루어지는 n형 반도체층(91)과, n형 반도체층(91) 상에 마련된 i형 아모퍼스 실리콘으로 이루어지는 i형 반도체층(92)과, i형 반도체층(92) 상에 마련된 p형 아모퍼스 실리콘으로 이루어지는 p형 반도체층(93)을 가진다. 또, 판독용 스위치(SW1)는 다결정 실리콘에 의해 형성된 박막 트랜지스터(TFT：Thin Film Transistor)이며, 전계 효과 트랜지스터(FET)로서의 구성을 가진다. 즉, 판독용 스위치(SW1)는 채널 영역(94)과, 채널 영역(94)의 한쪽의 측면을 따라서 배치된 소스 영역(95)과, 채널 영역(94)의 다른 쪽의 측면을 따라서 배치된 드레인 영역(96)과, 채널 영역(94) 상에 형성된 게이트 절연막(97) 및 게이트 전극(98)을 가진다. 제n열 판독용 배선(LO, n)은, 금속으로 이루어진다. 신틸레이터(34)는 입사된 방사선에 따라 신틸레이션광을 발생시켜 방사선상을 광상으로 변환하여, 이 광상을 수광부(32)로 출력한다.
도 5에는, M×N개의 화소(Pm , n)(m=1, …, M, n=1, …, N)를 대표하여, 4×4개의 화소(100)가 도시되어 있다. 화소(100)의 각각은, 포토 다이오드(PD) 및 판독용 스위치(SW1)를 포함하여 구성되어 있다. 포토 다이오드(PD)는 입사광의 강도에 따른 양의 전하를 발생시키고, 발생시킨 전하를 접합 용량부에 축적한다. 상술한 대로, 판독용 스위치(SW1)는, 화소(100)가 속하는 행에 대응하는 행 선택용 배선(LV)에 접속되어 있다. 여기서, 제m행의 화소(Pm , n)에 대응하는 행 선택용 배선(LV)은, 상술한 제m행 선택용 배선(LV , m)이다. M개의 행 선택용 배선(LV)은 수직 시프트 레지스터(42a 및 42b)에 접속되어 있다. 수직 시프트 레지스터(42a 및 42b)의 각각은, 판독용 스위치(SW1)의 도통 상태/비도통 상태를 각 행마다 제어하기 위한 행 선택 신호를 생성하고, 해당 행 선택 신호를, 각 행의 행 선택용 배선(LV)에 대해서 차례로 제공한다.
수직 시프트 레지스터(42a 또는 42b)로부터 행 선택용 배선(LV)에 출력되는 행 선택 신호가 비(非)유의값(예를 들면 로우 레벨)일 때, 판독용 스위치(SW1)가 열린다. 이 때, 포토 다이오드(PD)에서 발생한 전하는, 대응하는 열판독용 배선(LO)으로 출력되는 일 없이, 접합 용량부에 축적된다. 여기서, 제n열의 화소(Pm , n)에 대응하는 열판독용 배선(LO)은, 상술한 제n열 판독용 배선(LO, n)이다. 한편, 행 선택 신호가 유의값(예를 들면 하이 레벨)일 때, 판독용 스위치(SW1)가 닫힌다. 이 때, 그때까지 포토 다이오드(PD)에서 발생해 접합 용량부에 축적되어 있던 전하는, 판독용 스위치(SW1)를 거쳐, 대응하는 판독용 배선(LO)으로 출력된다. 출력된 전하는 판독용 배선(LO)을 통해서 적분 회로(101)로 보내진다. 본 실시 형태에서는, 수광부(32)에 형성된 화소(100) 중, 기판(31)의 상변(上邊)측의 행에 위치하는 화소(100)의 판독용 스위치(SW1)는, 대응하는 판독용 배선(LO)을 통해서, 신호 접속부(42c)의 적분 회로(101)에 접속되어 있다. 한편, 수광부(32)에 형성된 화소(100) 중, 기판(31)의 하변측의 행에 위치하는 화소(100)의 판독용 스위치(SW1)는, 대응하는 판독용 배선(LO)을 통해서, 신호 접속부(42d)의 적분 회로(101)에 접속되어 있다. 덧붙여, 기판(31)의 상변측의 행과 하변측의 행의 분할의 방법은 임의이다. 예를 들면, 기판(31)의 상변측의 행의 수를 N1이라고 하고, 기판(31)의 하변측의 행의 수를 N2라고 했을 경우, 「N1=N2」, 「N1＞N2」, 및 「N1＜N2」 중 어느 관계가 성립해도 된다.
적분 회로(101)는 앰프(101a), 용량 소자(101b), 및 방전용 스위치(101c)를 포함하는, 이른바 전하 적분형의 구성을 구비하고 있다. 용량 소자(101b) 및 방전용 스위치(101c)는, 서로 병렬로 접속되고, 또한 앰프(101a)의 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속되어 있다. 앰프(101a)의 입력 단자는, 열판독용 배선(LO)에 접속되어 있다. 방전용 스위치(101c)에는 리셋용 배선(LR)을 통해서 리셋 제어 신호(RE)가 제공된다.
리셋 제어 신호(RE)는 N개의 적분 회로(101) 각각의 방전용 스위치(101c)의 개폐 동작을 지시한다. 예를 들면, 리셋 제어 신호(RE)가 비유의값(예를 들면 하이 레벨)일 때, 방전용 스위치(101c)가 닫혀, 용량 소자(101b)가 방전되어, 적분 회로(101)의 출력 전압값이 초기화된다. 또, 리셋 제어 신호(RE)가 유의값(예를 들면 로우 레벨)일 때, 방전용 스위치(101c)가 열려, 적분 회로(101)에 입력된 전하가 용량 소자(101b)에 축적되어, 그 축적 전하량에 따른 전압값이 적분 회로(101)로부터 출력된다.
신호 접속부(42c 및 42d)의 각각은, N개의 유지 회로(102) 및 수평 시프트 레지스터(103)를 더 가진다. 각 유지 회로(102)는 입력용 스위치(102a), 출력용 스위치(102b), 및 전압 유지부(102c)를 포함한다. 전압 유지부(102c)의 일단은, 입력용 스위치(102a)를 통해서 적분 회로(101)의 출력단에 접속되고, 전압 유지부(102c)의 타단은 출력용 스위치(102b)를 통해서 전압 출력용 배선(LOUT)과 접속되어 있다. 입력용 스위치(102a)에는, 유지용 배선(LH)을 통해서 유지 제어 신호(Hd)가 주어진다. 유지 제어 신호(Hd)는 N개의 유지 회로(102) 각각의 입력용 스위치(102a)의 개폐 동작을 지시한다. 유지 회로(102)의 출력용 스위치(102b)에는, 수평 시프트 레지스터(103)로부터 열선택 신호가 주어진다. 열선택 신호는 대응하는 열의 유지 회로(102)의 출력용 스위치(102b)의 개폐 동작을 지시한다.
유지 제어 신호(Hd)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하면, 입력용 스위치(102a)가 닫힌 상태로부터 열린 상태로 변하고, 그 때에 유지 회로(102)에 입력되고 있는 전압값이 전압 유지부(102c)에 유지된다. 그 후, 수평 시프트 레지스터(103)로부터의 열선택 신호가 각 열마다 로우 레벨에서 하이 레벨로 차례로 변하면, 출력용 스위치(102b)가 차례로 닫혀, 전압 유지부(102c)에 유지되고 있는 전압값이 각 열마다 전압 출력용 배선(LOUT)으로 차례로 출력된다.
다음에, 도 6을 참조하여, 접속 영역(A)과 베이스 기판(20)(본체부(21))의 단부(21a)의 위치 관계에 대해 설명한다. 도 6에 도시되는 것처럼, 가요성 회로 기판(40)의 일단부(41a)는, 해당 일단부(41a)와 전극 패드(33)의 사이에 접속 부재(70)를 끼운 상태로 상하로부터 히터(H1 및 H2)로 끼워 가열(열압착)함으로써, 접속 부재(70)를 통해서 전극 패드(33)에 접속된다. 히터(H1)(제1 히터)는 가요성 회로 기판(40)을 사이에 두고 접속 부재(70)와는 반대측에 배치되는 압착 지그이다. 히터(H1)는, 예를 들면 탄화 텅스텐 및 코발트로 이루어지는 초경합금이다. 히터(H2)(제2 히터)는 히터(H1)와 방사선 검출 패널(30)(즉, 기판(31))을 사이에 두고 접속 부재(70)와는 반대측에 배치되는 압착 지그이다. 히터(H2)는, 예를 들면 석영 유리이다.
가요성 회로 기판(40)을 전극 패드(33)에 접속시킬 때는, 히터(H1)의 표면(H1a)(일단부(41a)에 대향하는 면)은, Z방향에서 보았을 때 적어도 접속 영역(A)과 겹치도록, 플렉서블 기판(41)의 일단부(41a)에 접촉시킨다. 또, 히터(H2)의 표면(H2a)(기판(31)의 제2 면(31b)에 대향하는 면)은, Z방향에서 보았을 때 적어도 접속 영역(A)과 겹치도록, 기판(31)의 제2 면(31b)에 접촉시킨다. 이 상태에서, 예를 들면, 190℃까지 온도 상승된 히터(H1) 및 40℃로 고정된 히터(H2)에 의해서 몇초 동안 가열된다. 이러한 열압착(특히 기판(31)의 제2 면(31b)에 대한 히터(H2)의 접촉)을 행하기 위해서는, 작업시에 있어서의 히터(H2)와 베이스 기판(20)의 간섭을 억제하기 위해서, 접속 영역(A)의 내측 단부(A1)로부터 베이스 기판(20)의 단부(본체부(21)의 단부(21a))까지의 거리 d는, 10μm 이상인 것이 바람직하다.
한편, 열압착 시에 히터(H1, H2)로부터 발생한 열의 일부는, 기판(31)을 통해서, 수광부(32), 신틸레이터(34), 및 접착 부재(G)로 전달될 수 있다. 이와 같이 전달되는 열은, 이들 부재에 악영향을 미칠 우려가 있다. 여기서, 상술한 것처럼, Z방향에서 보았을 때, 수광부(32), 신틸레이터(34), 및 접착 부재(G)는 모두, 베이스 기판(20)의 단부(21a)보다도 내측에 위치하고 있다. 즉, 접속 영역(A)의 내측 단부(A1)로부터 수광부(32), 신틸레이터(34), 및 접착 부재(G)의 각각까지의 거리(XY 평면을 따른 거리)는, 거리 d보다도 긴 것이 보증된다. 따라서, 거리 d를 조정함으로써, 접속 영역(A)으로부터 각 부재(수광부(32), 신틸레이터(34), 및 접착 부재(G))까지의 거리(거리 d보다도 긴 이격 거리)를 확보할 수 있다. 상술한 것 같은 히터(H1, H2)로부터 발생한 열이 각 부재에 미치는 악영향을 억제하는 관점으로부터는, 거리 d는 1mm 이상인 것이 바람직하다.
또한, 신틸레이터(34)로서 조해성(潮解性)을 가지는 재료가 이용되는 경우, 신틸레이터(34)의 전체를 덮도록, 파리렌(Parylene) 등에 의해서 성막된 방습막(보호막)이 마련되는 경우가 있다. 이러한 방습막의 방습성은, 약 50℃ 정도에서 저하하는 것이 알려져 있다. 이러한 경우에는, 상기 거리 d는 신틸레이터(34)(방습막)의 온도가 방습성을 유지하기 위해서 필요한 온도(여기에서는 50℃ 이하)로 억제되도록 설정되어도 된다.
도 7은 히터(H1)를 200℃로 함과 아울러 히터(H2)를 40℃으로 한 상태에서 8초 동안 열압착을 행했을 경우의 시뮬레이션 결과를 나타내고 있다. 도 7의 (A)는 기판(31)이 유리 기판(여기에서는, 열전도율이 1.2W/mK인 무알칼리 유리)인 경우에 있어서의, 히터(H1)로부터의 거리(도 6에 있어서의 Y축을 따른 거리)와 해당 거리에 대응하는 부분에 있어서의 기판(31)의 온도의 관계를 나타내고 있다. 도 7의 (B)는 기판(31)이 플렉서블 기판(여기에서는, 열전도율이 0.3W/mK인 필름 재료)인 경우에 있어서의, 히터(H1)로부터의 거리와 해당 거리에 대응하는 부분에 있어서의 기판(31)의 온도의 관계를 나타내고 있다. 기판(31)이 유리 기판인 경우에 대해서는, 기판(31)의 두께 t가 0.3mm, 0.5mm, 0.7mm, 및 0.9mm인 경우의 각각에 대한 시뮬레이션이 행해졌다. 한편, 기판(31)이 플렉서블 기판인 경우에 대해서는, 기판(31)의 두께 t가 0.1mm 및 0.2mm인 경우의 각각에 대한 시뮬레이션이 행해졌다.
도 7의 (A)에 도시되는 것처럼, 기판(31)이 상술한 유리 기판인 경우에는, 히터(H1)로부터의 거리가 약 3.5mm 이상이면, 어느 두께(0.3mm, 0.5mm, 0.7mm, 0.9mm)에 대해서도, 50℃ 이하로 억제되는 것이 확인되었다. 또, 도 7의 (B)에 도시되는 것처럼, 기판(31)이 상술한 플렉서블 기판인 경우에는, 히터(H1)로부터의 거리가 약 1.5mm 이상이면, 어느 두께(0.1mm, 0.2mm)에 대해서도, 50℃ 이하로 억제되는 것이 확인되었다. 여기서, 히터(H1)로부터의 거리의 기준이 된 위치로부터 접속 영역(A)의 내측 단부(A1)까지의 거리(Y방향을 따른 길이)는, 0.27mm이다. 또, 상술한 것처럼, Z방향에서 보았을 때, 신틸레이터(34)의 가장자리부는, 베이스 기판(20)의 단부(21a)보다도 내측에 위치하고 있다. 따라서, 신틸레이터(34)(방습막)의 온도를 50℃ 이하로 억제하는 관점으로부터는, 기판(31)이 상술한 유리 기판인 경우에는, 거리 d는 3.23mm 이상인 것이 바람직하고, 기판(31)이 상술한 플렉서블 기판인 경우에는, 거리 d는 1.23mm 이상인 것이 바람직하다.
다음에, 도 8~도 11을 참조하여, 방사선 촬상 장치(1)의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다.
우선, 도 8의 (A)에 도시되는 것처럼, 신틸레이터(34)가 형성된 방사선 검출 패널(30)이 준비된다. 예를 들면, 방사선 검출 패널(30)에 대한 프로빙 등의 화상 검사를 실시함으로써, 방사선 검출 패널(30)의 양부(良否) 판정이 행해진다. 이어서, 우량품으로 판정된 방사선 검출 패널(30)의 픽셀 에어리어(수광부(32)) 상에 CsI 등의 신틸레이터 재료를 증착함으로써, 신틸레이터(34)가 형성된다. 이것에 의해, 도 8의 (A)에 도시되는 방사선 검출 패널(30)이 준비된다.
또, 도 8의 (B)에 도시되는 것처럼, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)가 부착된 베이스 기판(20)이 준비된다. 예를 들면, 금속의 한 장의 판에 대한 평면 형상 가공이 실시됨으로써, 상술한 본체부(21) 및 돌출부(22)로 이루어지는 베이스 기판(20)이 제작된다. 이어서, 돌출부(22)(본 실시 형태에서는 본체부(21)의 네 모퉁이에 마련된 4개의 돌출부(22)의 각각)의 지지면(20a)에, 제1 연재부(81)가 나사 고정 등에 의해서 부착된다. 또, 돌출부(22)의 이면(20b)에, 제2 연재부(82)가 나사 고정 등에 의해서 부착된다. 또, 본체부(21)의 이면(20b)에, 제어 기판(50)을 고정하기 위한 지지 부재(55)가 부착된다. 덧붙여, 제1 연재부(81)와 제2 연재부(82)가 서로 다른 나사를 이용하여 개별로 나사 고정되는 경우에는, 제2 연재부(82)는 반드시 이 단계에서 돌출부(22)에 부착되지 않아도 된다. 이 경우, 제2 연재부(82)는 후술하는 케이스의 상자부에 수용하는 공정(도 11 참조)보다도 전의 임의의 시점에 돌출부(22)에 부착되면 된다. 또, 지지 부재(55)에 대해서도, 반드시 이 단계에서 본체부(21)에 부착되지 않아도 되고, 후술하는 제어 기판(50)의 장착 공정(도 9의 (A) 참조)보다도 전의 임의의 시점에 본체부(21)에 부착되면 된다.
이어서, 도 8의 (C)에 도시되는 것처럼, 신틸레이터(34)가 형성된 방사선 검출 패널(30)(도 8의 (A) 참조)이, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)가 부착된 베이스 기판(20)(도 8의 (B) 참조)의 지지면(20a)에 고정된다. 여기에서는, 베이스 기판(20)의 네 모퉁이(돌출부(22))에 마련된 제1 연재부(81)의 가이드 홈(81a)을 이용함으로써, 방사선 검출 패널(30)(기판(31))이 위치 결정된다. 이어서, 예를 들면 미리 기판(31)의 제2 면(31b)에 마련된 양면 테이프 등의 접착 부재(G)(도 6 참조)에 의해서, 기판(31)이 베이스 기판(20)의 지지면(20a)에 고정된다. 여기에서는, Z방향에서 보았을 때, 전극 패드(33)와 접속 부재(70)와 가요성 회로 기판(40)이 겹칠 예정의 접속 영역(A)(도 2 및 도 6 참조)과 겹치지 않도록, 방사선 검출 패널(30)에 대해서 베이스 기판(20)이 배치된다. 본 실시 형태에서는, 제1 연재부(81)의 가이드 홈(81a)에 의해서 기판(31)이 위치 결정되는 결과, 베이스 기판(20)의 본체부(21)의 단부(21a)가 기판(31)의 단부(31c)보다도 내측에 배치된다. 이것에 의해, 베이스 기판(20)은 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 배치된다. 덧붙여, 도 8의 (C)에 도시되는 상태에 있어서, 돌출부(22)가 마련된 부분(본 실시 형태에서는, 돌출부(22), 제1 연재부(81), 및 제2 연재부(82) 중 적어도 1개)을 파지(把持)함으로써, 방사선 검출 패널(30) 및 베이스 기판(20)을 용이하게 운반할 수 있다. 즉, 돌출부(22)가 마련된 부분에 의해서, 방사선 검출 패널(30) 및 베이스 기판(20)의 핸들링성이 향상되어 있다.
이어서, 도 9의 (A)에 도시되는 것처럼, 베이스 기판(20)의 이면(20b)에, 지지 부재(55)를 통해서 제어 기판(50)이 고정된다.
이어서, 도 9의 (B)에 도시되는 것처럼, 가요성 회로 기판(40)의 일단부(41a)가, 접속 부재(70)를 통해서 전극 패드(33)에 접속된다. 예를 들면, 미리, 각 IC 칩(42)의 검사가 실시되어, 검사에 있어서 우량품으로 판정된 IC 칩(42)이 플렉서블 기판(41)에 탑재된다. 이어서, IC 칩(42)이 플렉서블 기판(41)에 탑재된 상태에서, 추가로 검사(예를 들면 IC 칩(42) 및 플렉서블 기판(41)의 도통 확인 등)가 실시된다. 이러한 검사를 거쳐, 기판(31)의 전극 패드(33)(본 실시 형태에서는 36개의 전극 패드(33))에 부착하기 위한 가요성 회로 기판(40)이 준비된다. 덧붙여, 제어 기판(50) 및 가요성 회로 기판(40)의 부착 순서는 상기와는 반대여도 된다. 즉, 가요성 회로 기판(40)이 방사선 검출 패널(30)에 부착 후에, 제어 기판(50)이 베이스 기판(20)에 부착되어도 된다.
이어서, 가요성 회로 기판(40)(일단부(41a))을 사이에 두고 접속 부재(70)와는 반대측에 배치되는 히터(H1)와 방사선 검출 패널(30)(기판(31))을 사이에 두고 접속 부재(70)와는 반대측에 배치되는 히터(H2)에 의해서, 접속 부재(70)가 가열(열압착)된다. 상술한 것처럼, 베이스 기판(20)이 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 배치되어 있음으로써, 히터(H2)와 베이스 기판(20)의 간섭이 방지되고 있다. 또, 본 실시 형태에서는, 기판(31)이 투명한 유리 기판이기 때문에, 기판(31)의 이면(제2 면(31b)) 측으로부터 전극 패드(33)의 위치를 확인할 수 있다. 이것에 의해, 히터(H2)의 위치 맞춤을 용이하게 행할 수 있다. 이상의 처리에 의해, 각 전극 패드(33)와 각 가요성 회로 기판(40)이 전기적으로 접속된다. 덧붙여, 기판(31)의 각 변부에 배치된 전극 패드(33)에 가요성 회로 기판(40)이 부착 후에는, 기판(31)의 각 변부를 파지하는 것이 곤란해지지만, 상술한 것처럼 돌출부(22)가 마련된 부분을 파지함으로써, 방사선 검출 패널(30) 및 베이스 기판(20)을 용이하게 운반할 수 있다.
이어서, 도 10의 (A)에 도시되는 것처럼, 각 가요성 회로 기판(40)에 탑재된 IC 칩(42)으로 향하는 방사선을 차폐하기 위한 방사선 차폐 부재(60)가, 베이스 기판(20)의 이면(20b)의 가장자리부에 마련되다.
이어서, 도 10의 (B)에 도시되는 것처럼, 각 가요성 회로 기판(40)의 타단부(41b)가, 제어 기판(50)(커넥터(51))에 접속된다. 이것에 의해, 각 가요성 회로 기판(40)과 제어 기판(50)이 전기적으로 접속된다. 그 결과, 도 10의 (B)에 도시되는 것처럼, 케이스(10)에 부착되기 전의 검출 유닛(1a)이 완성된다.
이어서, 도 10의 (B)에 도시되는 상태로 동작 확인이 실시된다. 여기서, 어느 가요성 회로 기판(40)의 결함(예를 들면, 해당 가요성 회로 기판(40)에 탑재된 IC 칩(42)의 동작 불량 등)이 발견되었을 경우, 이하의 절차에 의한 리페어 작업(일 실시 형태의 수복 방법)이 실시된다.
우선, 결함이 발견된 가요성 회로 기판(40)(이하 「제1 가요성 회로 기판」)의 외단부(41b)가 커넥터(51)로부터 분리됨과 아울러, 제1 가요성 회로 기판에 대응해서 마련된 방사선 차폐 부재(60)가 베이스 기판(20)의 이면(20b)으로부터 분리된다. 여기서, 방사선 차폐 부재(60)는 1 또는 복수의 IC 칩(42)마다 부분적으로 마련되어 있기 때문에, 일부의 방사선 차폐 부재(60)만을 분리시키면 되어, 작업성이 향상되어 있다. 이어서, 방사선 검출 패널(30)이 베이스 기판(20)에 지지된 상태로, 제1 가요성 회로 기판(일단부(41a))이 전극 패드(33)로부터 분리된다. 구체적으로는, 접속 부재(70)가 가열됨으로써, 접속 부재(70)가 전극 패드(33)로부터 분리된다. 이와 같이 접속 부재(70)를 전극 패드(33)로부터 분리시킴으로써, 제1 가요성 회로 기판(일단부(41a))을 전극 패드(33)로부터 분리시킬 수 있다. 그 결과, 도 9의 (A)에 도시되는 상태가 된다. 덧붙여, 제1 가요성 회로 기판을 분리시킬 때에 있어서의 접속 부재(70)의 가열은, 설치시와 마찬가지로 히터(H1, H2)에 의해서 행해져도 되고, 다른 방법에 의해서 행해져도 된다. 예를 들면, 히터(H1, H2)를 이용하는 대신에, 에어건 등을 이용하여 접속 부재(70)의 한쪽 편(예를 들면 제1 가요성 회로 기판(일단부(41a)) 측)에 대해서 열풍을 분사함으로써, 접속 부재(70)를 가열해도 된다.
이어서, 방사선 검출 패널(30)에 부착하기 위한 가요성 회로 기판(40)(제2 가요성 회로 기판)이 준비된다. 예를 들면, 상술한 제1 가요성 회로 기판의 수복이 가능한 경우(예를 들면, 제1 가요성 회로 기판에 탑재된 IC 칩(42)을 다른 IC 칩으로 교환함으로써 수복 가능한 경우)에는, 제1 가요성 회로 기판의 수복 작업이 실행되어도 된다. 이 경우, 수복된 제1 가요성 회로 기판이, 제2 가요성 회로 기판으로서 이용된다. 한편, 제1 가요성 회로 기판의 수복이 불가능한 경우에는, 미리 준비되어 있는 가요성 회로 기판의 예비품이, 제2 가요성 회로 기판으로서 이용되어도 된다.
이어서, 방사선 검출 패널(30)이 베이스 기판(20)에 지지된 상태로, 제2 가요성 회로 기판이, 전극 패드(33)에 부착된다. 즉, 도 9의 (B)에 도시되는 것처럼, 제2 가요성 회로 기판(일단부(41a))을 사이에 두고 접속 부재(70)와는 반대측에 배치되는 히터(H1)와 방사선 검출 패널(30)(기판(31))을 사이에 두고 접속 부재(70)와는 반대측에 배치되는 히터(H2)에 의해서 접속 부재(70)를 가열(열압착)함으로써, 제2 가요성 회로 기판이 접속 부재(70)를 통해서 전극 패드(33)에 접속된다. 이상의 절차에 의해, 가요성 회로 기판(40)의 리페어(즉, 고장난 제1 가요성 회로 기판의 분리, 및 제2 가요성 회로 기판(예를 들면, 수리 후의 제1 가요성 회로 기판 또는 예비품 등)의 재부착)가 완료된다. 그 후, 가요성 회로 기판(40)의 리페어를 위해서 일단 분리된 방사선 차폐 부재(60)를 재차 베이스 기판(20)의 이면(20b)의 가장자리부에 부착함과 아울러, 제2 가요성 회로 기판의 타단부(41b)를 커넥터(51)에 부착함으로써, 도 10의 (B)에 도시되는 상태가 된다. 이와 같이, 베이스 기판(20)이 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 배치되어 있음으로써, 베이스 기판(20)으로부터 방사선 검출 패널(30)을 분리시키는 일 없이, 가요성 회로 기판(40)의 리페어 작업을 실시할 수 있다.
이어서, 도 11에 도시되는 것처럼, 도 10의 (B)에 도시되는 검출 유닛(1a)이, 케이스의 상자부(저벽(12) 및 측벽(13))에 수용(고정)된다. 구체적으로는, 제2 연재부(82)가 저벽(12)에 고정된다. 또, 지지 부재(56)를 통해서 제어 기판(50)이 저벽(12)에 고정된다. 또, IC 칩(42) 또는 AD 컨버터(52)와 저벽(12)의 볼록부(12a)의 사이에는, 방열 부재(57)가 배치된다. 이어서, 도 2에 도시되는 것처럼, 케이스의 덮개부(천장벽(11))가 측벽(13) 및 제1 연재부(81)에 나사 고정된다. 이상에 의해, 방사선 촬상 장치(1)가 제조된다. 덧붙여, 상술한 가요성 회로 기판(40)의 리페어 작업은, 방사선 촬상 장치(1)가 완성된 후에 실시되어도 된다. 이 경우, 천장벽(11)을 측벽(13) 및 제1 연재부(81)로부터 분리시킴과 아울러, 검출 유닛(1a)을 저벽(12)으로부터 분리시킴으로써 도 10의 (B)에 도시되는 상태로 한 후에, 상술한 리페어 작업이 실시되면 된다.
다음에, 방사선 촬상 장치(1)의 작용 효과에 대해 설명한다.
방사선 촬상 장치(1)는 방사선을 검출하는 검출 영역(R)이 형성됨과 아울러 검출 영역(R)의 외측에 전극 패드(33)가 형성된 제1 면(31a)과, 제1 면(31a)과는 반대측인 제2 면(31b)을 가지는 방사선 검출 패널(30)과, 방사선 검출 패널(30)의 제2 면(31b)에 대향함과 아울러 방사선 검출 패널(30)을 지지하는 지지면(20a)을 가지는 베이스 기판(20)과, 접속 부재(70)를 통해서 전극 패드(33)에 접속된 가요성 회로 기판(40)을 구비하고 있다. 베이스 기판(20)의 단부(21a)는, 지지면(20a)에 직교하는 Z방향에서 보았을 때, 전극 패드(33)와 접속 부재(70)와 가요성 회로 기판(40)이 겹치는 접속 영역(A)의 내측 단부(A1)보다도 내측에 위치하고 있다. 방사선 촬상 장치(1)에 있어서는, 가요성 회로 기판(40)을 전극 패드(33)에 접속시킬 때, 가요성 회로 기판(40), 접속 부재(70), 및 방사선 검출 패널(30)을 Z방향에 있어서의 양측으로부터 히터(H1, H2)로 가열할 필요가 생기는 경우가 있다. 즉, 예를 들면 이방성 도전 재료와 같이 열압착에 의해서 접착력을 생기게 하는 부재를 접속 부재(70)로서 이용하는 경우, 상기의 히터(H1, H2)에 의한 열압착이 필요해 진다. 한편, 방사선 촬상 장치(1)에서는 베이스 기판(20)의 단부(21a)가, Z방향에서 보았을 때 접속 영역(A)(본 실시 형태에서는 모든 접속 영역(A))의 내측 단부(A1)보다도 내측에 위치하고 있다. 이 때문에, 방사선 검출 패널(30)의 제2 면(31b) 측에 배치되는 히터(H2)와 베이스 기판(20)의 간섭을 회피할 수 있다. 이것에 의해, 가요성 회로 기판(40)의 리페어(수리, 교환 등)가 필요하게 되었을 경우에 있어서, 방사선 검출 패널(30)을 베이스 기판(20)으로부터 분리하는 일 없이, 가요성 회로 기판(40)의 리페어를 행할 수 있다. 따라서, 방사선 촬상 장치(1)에 의하면, 가요성 회로 기판(40)의 리페어 작업을 용이화할 수 있다.
또, 만일, Z방향에서 보았을 때 베이스 기판(20)의 단부(21a)가 방사선 검출 패널(30)의 단부(31c)보다도 외측에 위치하는 경우에는, 가요성 회로 기판(40)을 베이스 기판(20)의 단부(21a)보다도 외측으로 둘러칠 필요가 생긴다. 이러한 둘러 치기가 필요한 만큼 가요성 회로 기판(40)이 길어져, 가요성 회로 기판(40)을 통해서 전달되는 신호에 노이즈가 섞기기 쉬워져 버린다. 한편, 방사선 촬상 장치(1)에 있어서는, Z방향에서 보았을 때 베이스 기판(20)의 단부(21a)가 접속 영역(A)의 내측 단부(A1)보다도 내측에 위치하고 있다(즉, 방사선 검출 패널(30)의 단부(31c)보다도 내측에 위치하고 있다). 이 때문에, 상술한 것 같은 가요성 회로 기판(40)의 둘러 치기가 불필요해져, 가요성 회로 기판(40)의 전체 길이를 짧게 할 수 있다. 그 결과, 가요성 회로 기판(40)을 통해서 전달되는 신호에 있어서의 노이즈를 억제하는 것이 가능해진다.
또, 방사선 검출 패널(30)은 Z방향에서 보았을 때 직사각 형상으로 형성되어 있고, 방사선 검출 패널(30) 중 적어도 1개의 변부에, 1 이상의 접속 영역(A)이 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는 일례로서, 모든(4개) 변부의 각각에, 복수의 접속 영역(A)이 형성되어 있다. 베이스 기판(20)의 단부(21a)는, Z방향에서 보았을 때, 적어도 1개의 변부(본 실시 형태에서는 모든 변부의 각각)에 형성된 모든 접속 영역(A)의 내측 단부(A1)보다도 내측에 위치하고 있다. 이 구성에 의하면, 상기 적어도 1개의 변부에 있어서의 접속 영역(A)에 접속된 가요성 회로 기판(40)의 Z방향에서 본 외측 단부(40a)의 위치를, 베이스 기판(20)의 단부(21a)에 간섭시키는 일 없이, 방사선 검출 패널(30)의 단부(31c)에 근접시킬 수 있다. 즉, 상기 적어도 1개의 변부에 있어서의 가요성 회로 기판(40)의 외측 단부(40a)를 가능한 한 내측에 위치시킬 수 있다. 이것에 의해, Z방향에서 보았을 경우의 케이스(10)의 치수를 작게 할 수 있어, 방사선 촬상 장치(1)의 소형화를 도모할 수 있다.
또, 방사선 촬상 장치(1)는 제1 면(31a)상에 배치되어, 검출 영역(R)을 구성하는, 방사선을 광으로 변환하는 신틸레이터(34)를 구비하고 있고, Z방향에서 보았을 때, 베이스 기판(20)의 단부(21a)는, 검출 영역(R)보다도 외측에 위치하고 있고, XY 평면을 따른 방향(제2 방향)에 있어서의 접속 영역(A)의 내측 단부(A1)와 베이스 기판(20)의 단부(21a)의 거리 d(도 6 참조)는, 1mm 이상이어도 된다. 상기 구성에 의하면, 가요성 회로 기판(40)을 전극 패드(33)에 접속시킬 때 접속 부재(70)를 가열하는 히터(H1)와 신틸레이터(34)의 거리를, 일정 이상(적어도 1mm 이상) 확보할 수 있다. 그 결과, 히터(H1)로부터의 열이 신틸레이터(34)에 주는 악영향을 억제할 수 있다. 또, 상술한 것처럼, 신틸레이터(34)에는, 방습성을 가지는 방습막이 마련되는 경우가 있다. 이러한 방습막은 특히 열에 약한 성질을 가진다. 상기 구성에 의하면, 히터(H1)로부터의 열이 이와 같이 특히 열에 약한 성질을 가지는 신틸레이터(34)(방습막을 포함함)에 주는 악영향을 억제할 수 있다.
또, 베이스 기판(20)은 Z방향에서 보았을 때, 가요성 회로 기판(40)과 겹치지 않는 위치에 있어서 방사선 검출 패널(30)(기판(31))보다도 외측으로 돌출된 돌출부(22)를 가지고 있다. 이 구성에 의하면, 방사선 검출 패널(30)이 베이스 기판(20)에 지지된 상태로, 돌출부(22)를 파지부로서 이용할 수 있기 때문에, 방사선 촬상 장치(1)의 제조시 또는 리페어시에 있어서의 핸들링성을 향상시킬 수 있다.
또, 돌출부(22)의 지지면(20a)에는, Z방향으로 연장되어 있는 제1 연재부(81)가 마련되어 있다. 그리고, 제1 연재부(81)는 방사선 검출 패널(30)(기판(31))을 위치 결정하는 위치 결정 부재로서 기능한다. 이 구성에 의하면, 제1 연재부(81)에 의해서 베이스 기판(20)의 지지면(20a)에 대한 방사선 검출 패널(30)(기판(31))의 위치 결정을 용이하게 행하는 것이 가능해지기 때문에, 조립 작업성을 향상시킬 수 있다.
또, 베이스 기판(20)은 제1 연재부(81)를 통해서 천장벽(11)에 지지되어 있다. 이 구성에 의하면, 베이스 기판(20)(돌출부(22))이 제1 연재부(81)를 통해서 케이스(10)(천장벽(11))에 지지되기 때문에, 케이스(10)에 대해서 베이스 기판(20)을 안정적으로 지지할 수 있다.
또, 베이스 기판(20)은 제2 연재부(82)를 통해서 저벽(12)에 지지되어 있다. 이 구성에 의하면, 베이스 기판(20)(돌출부(22))이, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)를 통해서, 서로 대향하는 케이스(10)의 일부(천장벽(11) 및 저벽(12))에 의해서 끼워 지지된다. 이것에 의해, 케이스(10)에 대해서 베이스 기판(20)을 보다 한층 안정적으로 지지할 수 있다. 여기서, 베이스 기판(20)을 케이스(10)에 대해서 지지하는 방법으로서는, 상기 실시 형태에서 나타낸 것처럼, 예를 들면 주상의 지지 부재(55, 56)(혹은, Z방향으로 제어 기판(50)을 관통하면서 제어 기판(50)을 지지하도록 지지 부재(55, 56)가 일체화된 지지 부재)를 통해서 베이스 기판(20)의 이면(20b)을 저벽(12)에 지지하는 방법이 있다. 상기 실시 형태에서는, 상기의 지지 방법이 병용되고 있지만, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)를 통해서 베이스 기판(20)이 케이스(10)에 지지되기 때문에, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)가 마련되지 않는 경우와 비교하여, 베이스 기판(20)의 이면(20b)에 마련되는 지지 부재의 수를 삭감하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 베이스 기판(20)의 이면(20b)에 대한 외부(특히 저벽(12))로부터의 충격을 전해지기 어렵게 할 수 있다. 그 결과, 베이스 기판(20)에 지지되는 방사선 검출 패널(30)로의 충격을 저감시키는 것이 가능해진다. 또, 저벽(12)에 대해서 제어 기판(50)을 지지하기 위한 지지 부재(56)의 수를 삭감하는 것이 가능하게 됨으로써, 제어 기판(50)에 대한 외부(특히 저벽(12))로부터의 충격을 전해지기 어렵게 할 수 있다. 또, 제어 기판(50)을 관통하는 지지 부재의 수를 삭감하는 것이 가능하게 됨으로써, 제어 기판(50)의 레이아웃(제어 기판(50) 내에 실장된 회로 및 배선 등의 레이아웃)의 설계 자유도를 향상시킬 수 있다.
또, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)는, 베이스 기판(20)과 일체적으로 형성되어 있어도 되지만, 상기 실시 형태에서는, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)는, 베이스 기판(20)과는 별개로 형성되어 있다. 이 구성에 의하면, 베이스 기판(20)이 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82) 중 적어도 한쪽과 일체로 형성되어 있는 경우와 비교하여, 베이스 기판(20)의 휨을 저감시킬 수 있다. 또, 제1 연재부(81) 또는 제2 연재부(82)를 베이스 기판(20)과 일체적으로 형성하는 경우에는, 비교적 두꺼운 금속판을 깎아내는 작업이 필요하여, 재료 코스트 및 작업 공정수가 증대하는 디메리트가 생긴다. 한편, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)를 베이스 기판(20)과는 별개로 형성함으로써, 이러한 디메리트를 회피할 수 있다.
또, 상술한 방사선 촬상 장치(1)의 제조 방법은, 방사선 검출 패널(30)을 준비하는 공정(도 8의 (A))과, 방사선 검출 패널(30)의 제2 면(31b)을 베이스 기판(20)의 지지면(20a)에 지지시키는 공정(도 8의 (C))과, 접속 부재(70)를 통해서 전극 패드(33)에 가요성 회로 기판(40)을 접속시키는 공정(도 9의 (B))을 포함한다. 그리고, 지지시키는 공정에서는, Z방향에서 보았을 때, 베이스 기판(20)의 단부(21a)가 전극 패드(33)와 접속 부재(70)와 가요성 회로 기판(40)이 겹칠 예정의 접속 영역(A)(도 6 참조)의 내측 단부(A1)보다도 내측에 위치하도록, 방사선 검출 패널(30)에 대해서 베이스 기판(20)이 배치된다. 또, 접속시키는 공정에서는, 가요성 회로 기판(40)을 사이에 두고 접속 부재(70)와는 반대측에 배치되는 히터(H1)와 방사선 검출 패널(30)을 사이에 두고 접속 부재(70)와는 반대측에 배치되는 히터(H2)에 의해서 접속 부재(70)가 가열된다. 이러한 제조 방법에 의하면, 지지시키는 공정에 있어서, 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 베이스 기판(20)이 배치됨으로써, 히터(H1)와 히터(H2)로 가요성 회로 기판(40), 접속 부재(70), 및 방사선 검출 패널(30)을 사이에 두고 열압착하는 것이 가능해진다. 즉, 가요성 회로 기판(40)과 전극 패드(33)를 접속할 때, 히터(H2)와 베이스 기판(20)이 서로 간섭하는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해, 방사선 검출 패널(30)을 베이스 기판(20)에 의해서 안정적으로 지지한 상태로, 가요성 회로 기판(40)을 방사선 검출 패널(30)에 접속시킬 수 있다. 또, 이와 같이 히터(H1, H2)로 접속 부재(70)의 양측(가요성 회로 기판(40) 측 및 방사선 검출 패널(30) 측)으로부터 가열함으로써, 접속 부재(70)의 한쪽 편으로부터 가열하는 경우와 비교하여, 낮은 가열 온도(히터의 온도)로 충분한 접속 강도를 확보할 수 있다. 따라서, 상기 제조 방법에 의하면, 가열시의 열이 방사선 검출 패널(30) 등 (예를 들면, 신틸레이터(34) 등)에 미치는 악영향을 억제하면서, 접속 강도를 확보할 수도 있다.
다만, 방사선 촬상 장치(1)의 제조 절차는 상기 절차로 한정되지 않고, 예를 들면, 방사선 검출 패널(30)을 베이스 기판(20)에 지지시키기 전에, 방사선 검출 패널(30)의 전극 패드(33)에 가요성 회로 기판(40)을 접속시켜도 된다. 즉, 방사선 검출 패널(30)이 베이스 기판(20)에 지지되고 있지 않은 상태로, 방사선 검출 패널(30)에 가요성 회로 기판(40)이 접속되어도 된다. 어쨌든, 베이스 기판(20)의 형상 및 배치가, 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 설계되어 있음으로써, 방사선 촬상 장치(1)의 제조시에 있어서의 작업 절차의 자유도가 향상되어 있다. 구체적으로는, 방사선 검출 패널(30)에 가요성 회로 기판(40)을 접속시키는 공정을 실시하는 타이밍을, 임의로 선택하는 것이 가능해진다. 즉, 방사선 검출 패널(30)을 베이스 기판(20)에 지지시키는 전후의 어느 것에 있어서도, 방사선 검출 패널(30)에 가요성 회로 기판(40)을 접속하는 것이 가능해진다.
또, 상술한 방사선 촬상 장치(1)의 수복 방법은, 방사선 검출 패널(30)이 베이스 기판(20)에 지지된 상태로, 제1 가요성 회로 기판을 전극 패드(33)로부터 분리시키는 공정과, 방사선 검출 패널(30)이 베이스 기판(20)에 지지된 상태로, 제2 가요성 회로 기판(수리 후의 제1 가요성 회로 기판, 또는 다른 가요성 회로 기판)을 사이에 두고 접속 부재(70)와는 반대측에 배치되는 히터(H1)와 방사선 검출 패널(30)을 사이에 두고 접속 부재(70)와는 반대측에 배치되는 히터(H2)에 의해서 접속 부재(70)를 가열함으로써, 제2 가요성 회로 기판을 접속 부재(70)를 통해서 전극 패드(33)에 접속시키는 공정을 포함한다. 이러한 수복 방법에 의하면, 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 베이스 기판(20)이 배치되어 있음으로써, 방사선 검출 패널(30)을 베이스 기판(20)으로부터 분리하는 일 없이, 가요성 회로 기판(40)의 리페어(분리시키는 공정 및 접속시키는 공정)를 행할 수 있다. 따라서, 상기 수복 방법에 의하면, 가요성 회로 기판(40)의 리페어 작업을 용이하게 행할 수 있다.
(부기 1)
방사선 촬상 장치(1)는 방사선을 검출하는 검출 영역(R)이 형성된 제1 면(31a)과, 제1 면(31a)과는 반대측인 제2 면(31b)을 가지는 방사선 검출 패널(30)과, 방사선 검출 패널(30)의 제2 면(31b)에 대향함과 아울러 방사선 검출 패널(30)을 지지하는 지지면(20a)을 가지는 베이스 기판(20)과, 방사선 검출 패널(30)에 접속된 가요성 회로 기판(40)을 구비하고 있다. 지지면(20a)에 직교하는 Z방향에서 보았을 때, 가요성 회로 기판(40)이 접속된 부분에 대응하는 베이스 기판(20)의 단부(21a)는, 방사선 검출 패널(30)의 단부(31c)보다도 내측에 위치하고 있고, 베이스 기판(20)은 Z방향에서 보았을 때, 가요성 회로 기판(40)과 겹치지 않는 위치에 있어서 방사선 검출 패널(30)보다도 외측으로 돌출된 돌출부(22)를 가진다. 방사선 촬상 장치(1)에서는, 가요성 회로 기판(40)이 접속된 부분에 대응하는 베이스 기판(20)의 단부(21a)는, 방사선 검출 패널(30)(기판(31))의 단부(31c)보다도 내측에 위치하고 있다. 이것에 의해, 본 실시 형태와 같이, 가요성 회로 기판(40)의 타단부(41b)를 베이스 기판(20)의 이면(20b)에 배치된 제어 기판(50)에 접속할 필요가 있는 경우에, 가요성 회로 기판(40)과 베이스 기판(20)의 간섭을 적절히 방지할 수 있다.
또, 상술한 불감 영역의 비율(즉, 방사선 촬상 장치(1) 전체의 영역에 대한 유효 수광 에어리어(검출 영역(R)) 이외의 영역의 비율)을 저감시키는 관점으로부터, Z방향에서 보았을 경우의 가요성 회로 기판(40)의 기판(31)의 단부(31c)로부터의 돌출 길이를 가능한 한 작게 하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 돌출 길이는 Z방향에서 보았을 경우의 가요성 회로 기판(40)의 외측 단부(40a)(접어 구부러진 부분으로서, XY 평면에 평행한 방향에 있어서 기판(31)의 단부(31c)로부터 가장 떨어진 부분)와 기판(31)의 단부(31c)의 이격 거리이다. 베이스 기판(20)의 단부(21a)가 방사선 검출 패널(30)(기판(31))의 단부(31c)보다도 내측에 위치하고 있음으로써, 상기 돌출 길이를 가능한 한 작게 할 수 있다. 구체적으로는, 만일 베이스 기판(20)의 단부(21a)가 단부(31c)보다도 외측에 위치하고 있는 경우에는, 상기 돌출 길이는 단부(31c)와 베이스 기판(20)의 단부(21a) 사이의 거리보다도 크게 해야 한다고 하는 제약이 생긴다. 한편, 베이스 기판(20)의 단부(21a)가 방사선 검출 패널(30)(기판(31))의 단부(31c)보다도 내측에 위치하고 있음으로써, 상기 제약이 생기지 않는다.
또, 베이스 기판(20)은 Z방향에서 보았을 때, 가요성 회로 기판(40)과 겹치지 않는 위치에 있어서 방사선 검출 패널(30)(기판(31))보다도 외측으로 돌출된 돌출부(22)를 가지고 있다. 이것에 의해, 방사선 검출 패널(30)이 베이스 기판(20)에 지지된 상태로, 돌출부(22)를 파지부로서 이용할 수 있기 때문에, 베이스 기판(20)의 핸들링성을 향상시킬 수 있다.
또, 돌출부(22)는 적어도 2지점에 형성되어 있다. 이 경우, 베이스 기판(20)을 2지점에서 안정되게 파지하는 것이 가능해진다. 또, 돌출부(22)는 적어도 3지점에 형성되어 있어도 되고, 적어도 4지점에 형성되어 있어도 된다. 본 실시 형태에서는, 돌출부(22)는 4지점에 형성되어 있다. 이 경우, 베이스 기판(20)을 보다 한층 안정되게 파지하는 것이 가능해진다.
또, 기판(31)(방사선 검출 패널(30))은, Z방향에서 보았을 때 직사각 형상으로 형성되어 있다. 돌출부(22)는 방사선 검출 패널(30)의 모서리부에 대응하는 위치에 마련되어 있다. 기판(31)의 모서리부에 대응하는 위치에 돌출부(22)를 마련함으로써, 기판(31)의 각 변부를 가요성 회로 기판(40)과 접속되는 스페이스(즉, 전극 패드(33)가 형성되는 영역)로서 이용하면서, 베이스 기판(20)의 핸들링성을 향상시킬 수 있다. 본 실시 형태에서는, 베이스 기판(20)의 네 모퉁이에 돌출부(22)가 형성되고, 이들 돌출부(22)가 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)를 통해서 케이스(10)에 고정되어 있다. 이것에 의해, 베이스 기판(20)은 그 네 모퉁이에 형성된 돌출부(22)를 통해서 케이스(10)에 대해서 밸런스 좋게 지지된다. 또, 이 경우, Z방향에서 보았을 때 방사선 검출 패널(30)로부터 가능한 한 멀어진 위치에 형성된 상기 돌출부(22)에 의해서 베이스 기판(20)이 케이스(10)에 지지된다. 이것에 의해, 예를 들면 케이스(10)에 외력이 가해져 케이스(10)가 변형됐다고 해도, 해당 케이스(10)의 변형의 영향이 베이스 기판(20)을 통해서 방사선 검출 패널(30)로 파급되는 것을 적합하게 억제할 수 있다.
또, 방사선 검출 패널(30)은 Z방향에서 보았을 때 직사각 형상으로 형성되어 있고, 방사선 검출 패널(30) 중 적어도 1개의 변부에, 1 이상의 가요성 회로 기판(40)이 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는 일례로서, 모든(4개) 변부의 각각에, 복수의 가요성 회로 기판(40)이 접속되어 있다. 적어도 1개의 변부에 있어서의 모든 가요성 회로 기판(40)이 접속된 부분에 대응하는 베이스 기판(20)의 단부(21a)는, 방사선 검출 패널(30)의 단부(31c)보다도 내측에 위치하고 있다. 이 구성에 의하면, 상기 적어도 1개의 변부에 있어서의 모든 가요성 회로 기판(40)의 Z방향에서 본 외측 단부(40a)의 위치를, 베이스 기판(20)의 단부(21a)에 간섭시키는 일 없이, 방사선 검출 패널(30)의 단부(31c)에 근접시킬 수 있다. 즉, 상기 적어도 1개의 변부에 있어서의 가요성 회로 기판(40)의 외측 단부(40a)를 가능한 한 내측에 위치시킬 수 있다. 이것에 의해, Z방향에서 보았을 경우의 케이스(10)의 치수를 작게 할 수 있어, 방사선 촬상 장치(1)의 소형화를 도모할 수 있다.
(부기 2)
방사선 촬상 장치(1)에 의하면, 베이스 기판(20)(돌출부(22))이, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)를 통해서, 서로 대향하는 케이스(10)의 일부(천장벽(11) 및 저벽(12))에 의해서 끼워 지지된다. 이것에 의해, 케이스(10)에 대해서 베이스 기판(20)을 안정적으로 지지할 수 있다. 여기서, 베이스 기판(20)을 케이스(10)에 대해서 지지하는 방법으로서는, 상기 실시 형태에서 나타낸 것처럼, 예를 들면 주상의 지지 부재(55, 56)(혹은, Z방향으로 제어 기판(50)을 관통하면서 제어 기판(50)을 지지하도록 지지 부재(55, 56)가 일체화된 지지 부재)를 통해서 베이스 기판(20)의 이면(20b)을 저벽(12)에 지지하는 방법이 있다. 상기 실시 형태에서는, 상기의 지지 방법이 병용되고 있지만, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)를 통해서 베이스 기판(20)이 케이스(10)에 지지되기 때문에, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)가 마련되지 않는 경우와 비교하여, 베이스 기판(20)의 이면(20b)에 마련되는 지지 부재의 수를 삭감하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 베이스 기판(20)의 이면(20b)에 대한 외부(특히 저벽(12))로부터의 충격을 전해지기 어렵게 할 수 있다. 그 결과, 베이스 기판(20)에 지지되는 방사선 검출 패널(30)로의 충격을 저감시키는 것이 가능해진다. 또, 저벽(12)에 대해서 제어 기판(50)을 지지하기 위한 지지 부재(56)의 수를 삭감하는 것이 가능하게 됨으로써, 제어 기판(50)에 대한 외부(특히 저벽(12))로부터의 충격을 전해지기 어렵게 할 수 있다. 또, 제어 기판(50)을 관통하는 지지 부재의 수를 삭감하는 것이 가능하게 됨으로써, 제어 기판(50)의 레이아웃(제어 기판(50) 내에 실장된 회로 및 배선 등의 레이아웃)의 설계 자유도를 향상시킬 수 있다.
또, 상술한 것처럼, 제1 연재부(81)와 제2 연재부(82)는, 공통의 부착 부재(나사 등)에 의해서 돌출부(22)에 부착되어 있어도 된다. 이 구성에 의하면, 제1 연재부(81)와 제2 연재부(82)의 상대적인 위치 관계를 정밀도 좋게 유지할 수 있어, 베이스 기판(20)을 보다 한층 안정적으로 지지할 수 있다.
또, 제2 연재부(82)는 Z방향에서 보았을 때, 제1 연재부(81)보다도 크고, 제2 연재부(82)는 Z방향에서 보았을 때, 제1 연재부(81)와 겹치지 않는 부분을 가지고 있다. 본 실시 형태에서는, 제2 연재부(82)는 제1 연재부(81)의 가이드 홈(81a)에 대응하는 홈부가 마련되어 있지 않은 만큼, 제1 연재부(81)보다도 크다. 케이스(10) 중, 방사선 검출 패널(30)의 검출 영역(R)이 형성된 제1 면(31a)과는 반대측에 위치하는(즉, 제2 면(31b)에 대향하는) 저벽(12)은, 통상 접지면이 된다. 이 때문에, 상기 구성에 의하면, 저벽(12)에 지지되는 제2 연재부(82)를 제1 연재부(81)보다도 크게 함으로써, 베이스 기판(20)을 보다 한층 안정적으로 지지할 수 있다. 또, 접지면측(저벽(12))으로부터의 충격을 제2 연재부(82)에서 적합하게 흡수하는 것이 가능해지기 때문에, 해당 충격을 방사선 검출 패널(30)에 전달하기 어렵게 할 수 있다.
또, 돌출부(22)의 지지면(20a)에는, 서로 이격되어 배치된 복수의 제1 연재부(81)가 마련됨과 아울러, 복수의 제1 연재부(81)에 대응하도록, 서로 이격되어 배치된 복수의 제2 연재부(82)가 마련되어 있다. 본 실시 형태에서는, 서로 이격되어 배치된 4개의 제1 연재부(81)와, 해당 4개의 제1 연재부(81)에 대응하는 4개의 제2 연재부(82)가 마련되어 있다. 이 구성에 의하면, 서로 이격되는 복수의 위치(본 실시 형태에서는, 베이스 기판(20)의 네 모퉁이)에 점재(点在)하는 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)에 의해서 베이스 기판(20)을 케이스(10)에 대해서 지지할 수 있다. 이것에 의해, 예를 들면 베이스 기판(20)의 가장자리부를 따라서 제1 연재부 및 제2 연재부를 벽 형상으로 형성하는 경우와 비교하여, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)를 경량화하면서, 베이스 기판(20)을 케이스(10)에 대해서 안정적으로 지지할 수 있다.
또, 베이스 기판(20)은 서로 이격되어 배치된 복수(본 실시 형태에서는 4개)의 돌출부(22)를 가지고, 복수의 돌출부(22)의 각각에, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)가 마련되어 있다. 이 구성에 의하면, 돌출부(22)마다 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)를 마련함으로써, 상술한 효과를 달성하는 구성을 용이하게 실현할 수 있다. 덧붙여, 상기 실시 형태와는 달리, 1개의 돌출부(22)에 대해서, 서로 이격되는 복수의 제1 연재부(81) 및 서로 이격되는 복수의 제2 연재부(82)가 마련되어도 된다. 이 경우에도, 상술한 효과를 달성할 수 있다. 다만, 본 실시 형태와 같이, 분산해서 배치된 복수의 돌출부(22)의 각각에 대해서, 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)를 1개씩 마련함으로써, 돌출부(22)에 있어서의 불필요한 영역(제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)가 마련되지 않는 영역)을 줄일 수 있어, 돌출부(22)의 소형화 및 경량화를 도모할 수 있다.
또, 방사선 검출 패널(30)은 Z방향에서 보았을 때 직사각 형상으로 형성되어 있다. 복수의 돌출부(22)는 방사선 검출 패널(30)의 네 모퉁이에 대응하는 위치에 마련되어 있다. 이 구성에 의하면, 베이스 기판(20)의 네 모퉁이를 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)를 통해서 천장벽(11) 및 저벽(12)에 의해서 밸런스 좋게 끼워 지지할 수 있기 때문에, 케이스(10)에 대해서 베이스 기판(20)을 보다 한층 안정적으로 지지할 수 있다.
또, 측벽(13)은 Z방향에서 보았을 때, 직사각형 환상으로 형성되어 있다. 측벽(13)의 모서리부에는, 돌출부(22), 제1 연재부(81), 및 제2 연재부(82)와의 간섭을 피하기 위한 오목부(13c)가 형성되어 있다. 오목부(13c)에 있어서의 측벽(13)의 두께 t1은, 서로 이웃하는 측벽(13)의 모서리부끼리를 접속하는 변부에 있어서의 측벽(13)의 두께 t2보다도 작다. 측벽(13)의 두께를 일정하게 하는(즉, 모서리부에 있어서의 두께를 변부에 있어서의 두께와 동일하게 하는) 경우에는, 모서리부에 있어서 돌출부(22)와의 간섭을 회피할 필요가 있는 만큼, Z방향에서 본 케이스(10)의 외형을 크게 할 필요가 생긴다. 이 경우, Z방향에서 보았을 경우의 방사선 촬상 장치(1)에 있어서의 불감 영역의 비율이 커져 버린다. 한편, 상기 구성에 의하면, 오목부(13c)를 형성함으로써, 불감 영역의 비율을 저감시키는 것이 가능해진다.
또, 천장벽(11)은 측벽(13)과 면접촉하도록 배치된 쉴드 부재(112)를 가지고 있고, 천장벽(11)은 측벽(13)의 변부(측벽(13)의 변부에 마련된 나사공(13b)) 및 제1 연재부(81)(제1 연재부(81)에 마련된 나사구멍(81b))에 대해서 나사 고정되어 있다. 이 구성에 의하면, 천장벽(11)이 측벽(13)의 변부 및 제1 연재부(81)(즉, 측벽(13)의 모서리부에 근접된 부분)에 대해서 나사 고정됨으로써, 측벽(13)의 상면(13a) 전체에 있어서, 천장벽(11)과 측벽(13)의 양호한 면접촉을 도모할 수 있다. 이것에 의해, 전자 쉴드 효과를 효과적으로 높일 수 있다.
이상, 본 개시의 바람직한 실시 형태에 대해 상세하게 설명되었지만, 본 개시는 상기 실시 형태로 한정되지 않는다. 예를 들면, 각부의 재료 및 형상에는, 상술한 재료 및 형상에 한정하지 않고, 다양한 재료 및 형상을 채용할 수 있다.
상기 실시 형태에서는, 수직 시프트 레지스터(42a, 42b), 및 신호 접속부(42c, 42d)는 모두 가요성 회로 기판(40)을 통해서 외부 장착되어 있었다. 또, 판독 성능(노이즈 및 판독 속도 등)을 고려하여, 검출 영역(R)의 좌우 양측으로 수직 시프트 레지스터(42a, 42b)를 접속하기 위한 전극 패드(33)가 배치되고, 검출 영역(R)의 상하 양측에 신호 접속부(42c, 42d)를 접속하기 위한 전극 패드(33)가 배치되어 있다. 즉, 상기 실시 형태에서는, 도 12의 (A)에 도시되는 것처럼, 검출 영역(R)을 둘러싸는 4변에 복수의 전극 패드(33)가 배치되어 있다. 그러나, 전극 패드(33)는 반드시 4변 모두에 배치되어 있지 않아도 된다. 또, 각변에 배치되는 전극 패드(33)의 개수 및 배치 간격도 특히 한정되지 않는다.
예를 들면, 수직 시프트 레지스터(42a, 42b)의 한쪽, 또는 신호 접속부(42c, 42d)의 한쪽이 생략되어도 된다. 이 경우, 도 12의 (B)에 도시되는 것처럼, 기판(31)의 3변에 따라서 전극 패드(33)가 배치된다. 또, 수직 시프트 레지스터(42a, 42b)의 한쪽, 및 신호 접속부(42c, 42d)의 한쪽이 생략되어도 된다. 이 경우, 도 12의 (C)에 도시되는 것처럼, 기판(31)의 2변을 따라서 전극 패드(33)가 배치된다. 또, 예를 들면, 수직 시프트 레지스터(42a, 42b)에 대응하는 회로가, 외부 장착된 IC 칩(42)이 아니라 기판(31)에 만들어 넣어져도 된다. 또한, 신호 접속부(42c, 42d)의 한쪽이 생략되어도 된다. 이 경우, 도 12의 (D)에 도시되는 것처럼, 기판(31)의 한 변을 따라서 전극 패드(33)가 배치된다. 예를 들면, 기판(31)을 저온 폴리 실리콘을 이용한 TFT 패널로서 구성함으로써, 이러한 회로의 제작을 용이하게 행할 수 있다.
또, 도 12의 (E)에 도시되는 것처럼, 기판(31)에 있어서 전극 패드(33)가 마련되는 변부(여기에서는 좌우 양측의 2변)에는, 비교적 넓은 간격으로 복수(여기에서는 일례로서 2개)의 전극 패드(33)가 배치되어 있어도 된다. 이 예에서는, 좌우 양측의 2변의 중앙부에, 전극 패드(33)가 배치되지 않은 비교적 넓은 스페이스가 형성되어 있다. 또, 도 12의 (F)에 도시되는 것처럼, 기판(31)에 있어서 전극 패드(33)가 마련되는 변부(여기에서는 좌우 양측의 2변)에는, 1개의 전극 패드(33)만이 배치되고, 해당 전극 패드(33)의 양측에 비교적 넓은 스페이스가 형성되어 있어도 된다. 그리고, 도 12의 (B)~(F)에 도시되는 것처럼, 기판(31)에 있어서 전극 패드(33)가 형성되지 않은 변부, 또는 전극 패드(33)가 마련되어 있지 않은 비교적 넓은 스페이스가 마련되는 경우에는, 해당 변부 또는 해당 스페이스에 대응하는 부분에, 돌출부(22)(예를 들면 도 13의(E)~(I) 참조)가 배치되어도 된다.
상기 실시 형태에서는, 돌출부(22)는 본체부(21)의 네 모퉁이에 마련되었지만, 돌출부(22)의 배치 및 개수는 상기 예로 한정되지 않는다. 예를 들면, 돌출부(22)는, 도 13의 (A)에 도시되는 것처럼 1개의 모서리부에 마련되어도 되고, 도 13의 (B)에 도시되는 것처럼 서로 인접하는 2개의 모서리부에 마련되어도 되고, 도 13의 (C)에 도시되는 것처럼 서로 대각 관계에 있는 2개의 모서리부에 마련되어도 되고, 도 13의 (D)에 도시되는 것처럼, 3개의 모서리부에 마련되어도 된다.
또, 돌출부(22)가 마련되는 위치는, 본체부(21)의 모서리부에 한정되지 않고, 본체부(21)의 변부여도 된다. 이 경우, 예를 들면, 돌출부(22)는, 도 13의 (E)에 도시되는 것처럼 1변에 마련되어도 되고, 도 13의 (F)에 도시되는 것처럼 서로 인접하는 2변에 마련되어도 되고, 도 13의 (G)에 도시되는 것처럼 서로 대향하는 2변에 마련되어도 되고, 도 13의 (H)에 도시되는 것처럼 3변에 마련되어도 되고, 도 13의 (I)에 도시되는 것처럼 4변에 마련되어도 된다. 또, 도 13의(F)~(I)의 예에서는, 돌출부(22)는 각변의 중앙부에 마련되어 있지만, 돌출부(22)는 각변의 중앙부로부터 어긋난 위치에 마련되어도 되고, 1변에 대해서 2 이상의 돌출부(22)가 마련되어도 된다(예를 들면, 도 14의 (D) 참조). 덧붙여, 도 13의 (A) 및 (E)에 도시되는 것처럼, 돌출부(22)가 1개뿐이었다고 해도, 해당 돌출부(22)를 파지함으로써, 방사선 검출 패널(30) 및 베이스 기판(20)을 용이하게 운반할 수 있다. 즉, 돌출부(22)가 마련된 부분에 의해서, 방사선 검출 패널(30) 및 베이스 기판(20)의 핸들링성이 향상된다. 한편, 복수의 돌출부(22)를 마련했을 경우에는, 베이스 기판(20)을 복수 지점에서 안정되게 파지하는 것이 가능해지기 때문에, 상기 핸들링성을 보다 한층 향상시킬 수 있다.
또, 돌출부(22)는 본체부(21)의 모서리부 및 변부의 양쪽에 마련되어 있어도 된다. 즉, 상기 실시 형태 및 도 13 등에 도시되는 돌출부(22)의 배치는, 임의로 조합되어도 된다.
상기 실시 형태에서는, 위치 결정 부재로서의 제1 연재부(81)(가이드 홈(81a)이 마련된 제1 연재부(81))가, 기판(31)의 네 모퉁이의 각각에 대응하는 위치에 마련되었지만, 위치 결정 부재로서의 제1 연재부(81)는, 적어도 1개 마련되면 된다. 이 경우에도, 기판(31)의 모서리부를 사이에 두고 서로 인접하는 2변(서로 직교하는 2변)의 위치 결정을 행할 수 있기 때문에, 기판(31)의 위치 결정을 행할 수 있다. 다만, 도 14의 (A)~(C)에 도시되는 것처럼, 위치 결정 부재로서의 제1 연재부(81)는, 기판(31)의 2지점 이상의 모서리부에 대응하는 위치에 마련되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 기판(31)을 베이스 기판(20)의 지지면(20a)에 배치할 때의 작업성을 향상시킬 수 있다.
또, 도 14의 (D)~(F)에 도시되는 것처럼, 돌출부(22)가 본체부(21)의 변부에 마련되는 경우에는, 제1 연재부(81)는 기판(31)의 변부를 위치 결정하기 위한 가이드면(81c)(Z방향에서 보았을 때, 대응하는 기판(31)의 변부에 평행이 되는 면)을 가져도 된다. 또, 이 경우, 제1 연재부(81)는 서로 직교하는 2변에 적어도 1개씩(합 2개) 마련되면 된다. 다만, 도 14의 (D)~(F)에 도시되는 것처럼, 위치 결정 부재로서의 제1 연재부(81)는, 3지점 이상으로 마련되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 기판(31)을 베이스 기판(20)의 지지면(20a)에 배치할 때의 작업성을 향상시킬 수 있다.
또, 위치 결정 부재로서의 제1 연재부(81)는, 본체부(21)의 모서리부 및 변부의 양쪽에 마련되어도 된다.
위치 결정 부재로서 이용된 제1 연재부(81)는, 기판(31)이 지지면(20a)에 고정된 후에 분리되어도 된다. 다만, 기판(31)이 지지면(20a)에 고정된 후에도 제1 연재부(81)를 남겨 둠으로써, 제1 연재부(81)를 분리시킬 때에 있어서의 핸들링 미스의 발생을 방지하여, 핸들링 미스에 기인하는 베이스 기판(20) 등의 부재의 손상(즉, 방사선 촬상 장치(1)의 수율 저하)을 방지할 수 있다. 또, 제1 연재부(81)를 남겨 둠으로써, 해당 제1 연재부(81)를 기판(31)의 단부(상기 실시 형태에서는, 기판(31)의 모서리부(31d))를 보호하는 보호 부재로서 기능시킬 수 있다. 추가로, 상기 실시 형태와 같이, 제1 연재부(81)를 돌출부(22)와 천장벽(11)을 접속시키는 지지 부재로서 활용할 수도 있다.
상기 실시 형태에서는, 제1 연재부(81)는 기판(31)을 위치 결정하는 위치 결정 부재로서 기능함과 아울러, 천장벽(11)에 대해서 돌출부(22)를 지지하는 지지 부재로서 기능했지만, 제1 연재부(81)는 위치 결정 부재 및 지지 부재 중 한쪽 기능만을 가져도 된다. 즉, 제1 연재부(81)에는, 기판(31)을 위치 결정하는 부분(본 실시 형태에서는, 가이드 홈(81a))이 마련되어 않아도 된다. 혹은, 제1 연재부(81)는 천장벽(11)에 고정되어 있지 않아도 된다. 혹은, 제1 연재부(81)는 생략되어도 된다. 또, 복수의 돌출부(22)가 마련되는 경우에 있어서, 제1 연재부(81)는 일부의 돌출부(22)에만 마련되어도 된다. 마찬가지로, 제2 연재부(82)는 생략되어도 된다. 또, 복수의 돌출부(22)가 마련되는 경우에 있어서, 제2 연재부(82)는 일부의 돌출부(22)에만 마련되어도 된다.
돌출부(22)는 생략되어도 된다. 즉, 베이스 기판(20)은 상술한 본체부(21)로만 이루어지는 부재여도 된다. 이 경우에는, 돌출부(22)에 고정되는 제1 연재부(81) 및 제2 연재부(82)에 대해서도 생략된다.
상기 실시 형태에서는, 베이스 기판(20)은 Z방향에서 보았을 때 모든 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 형성되었지만, 베이스 기판(20)은 적어도 1개의 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 형성되어 있으면 되고, 반드시 모든 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 형성되어 있지 않아도 된다. 예를 들면, 베이스 기판(20)은, 특히 고장 발생율이 높은(즉, 리페어 작업이 발생하기 쉬운) IC 칩(42)이 탑재된 가요성 회로 기판(40)에 대응하는 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 형성되는 한편으로, 다른 접속 영역(A)과 겹치도록 형성되어도 된다. 이 경우, 상기 실시 형태에서 나타낸 절차(즉, 방사선 검출 패널(30)을 베이스 기판(20)에 지지시킨 후에, 각 가요성 회로 기판(40)을 각 전극 패드(33)에 접속시키는 절차)를 실시할 수 없게 되지만, 방사선 검출 패널(30)에 각 가요성 회로 기판(40)을 접속시킨 후에 방사선 검출 패널(30)을 베이스 기판(20)에 지지시킴으로써, 방사선 촬상 장치(1)를 제조할 수 있다. 또, 베이스 기판(20)이 고장 발생율이 높은 IC 칩(42)이 탑재된 가요성 회로 기판(40)에 대응하는 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 형성되어 있음으로써, 해당 IC 칩(42)이 고장났을 경우에는, 베이스 기판(20)으로부터 방사선 검출 패널(30)을 분리시키는 일 없이, 해당 가요성 회로 기판(40)의 리페어 작업을 실시할 수 있다. 따라서, 이와 같이 베이스 기판(20)이 일부의 접속 영역(A)과만 겹치지 않도록 형성되어 있는 경우에 있어서도, 상기 실시 형태와 마찬가지로, 해당 접속 영역(A)에 대응하는 가요성 회로 기판(40)의 리페어 작업을 용이화할 수 있어, 해당 가요성 회로 기판(40)을 통해서 전달되는 신호에 있어서의 노이즈를 억제할 수 있다고 하는 효과가 달성된다.
상기 실시 형태에서는, 각 전극 패드(33)와의 전기적인 접속 수단으로서 가요성 회로 기판(40)만이 이용되었지만, 가요성 회로 기판(40) 이외의 접속 수단(예를 들면, 와이어 본딩 등)이 병용되어도 된다. 예를 들면, 일부의 전극 패드(33)가, 가요성 회로 기판(40)을 통해서 제어 기판(50)에 접속되고, 다른 전극 패드(33)이 와이어 본딩에 의해서 제어 기판(50)(혹은 별도 마련되는 제어 회로)에 접속되어도 된다.
또, 상기 실시 형태에서는, 외부 장착된 IC 칩(42)과 전극 패드(33)는, 가요성 회로 기판(40)을 통해서 전기적으로 접속되어 있지만, 예를 들면 케이스(10) 내에 칩 탑재용의 기판이 수용되고, 해당 기판에 IC 칩이 탑재되어도 된다. 또, 해당 IC 칩과 전극 패드(33)는, 가요성 회로 기판(40) 이외의 접속 수단(예를 들면, 상술한 와이어 본딩 등)에만 의해서 전기적으로 접속되어도 된다. 또, 이러한 경우에는, 상기 실시 형태에서 설명한 것 같은 접속 영역(A)은 존재하지 않기 때문에, Z방향에서 보았을 때, 베이스 기판(20)의 단부(21a)는 방사선 검출 패널(30)(기판(31))의 단부(31c)보다도 내측에 배치되지 않아도 된다. 즉, Z방향에서 보았을 때, 기판(31)을 완전하게 내포(內包)하는 크기의 베이스 기판(20)(즉, Z방향에서 보았을 때, 베이스 기판(20)의 주연부 전체가 기판(31)보다도 외측에 위치하는 베이스 기판(20))이 이용되어도 된다. 이 경우, 베이스 기판(20)의 주연부 전체가, 상기 실시 형태에 있어서의 돌출부(22)에 대응한다.
또한, 상술한 것처럼, 베이스 기판(20)과 가요성 회로 기판(40)의 간섭을 방지하는 관점, 및 불감 영역의 비율을 저감시키는 관점으로부터는, 가요성 회로 기판(40)이 접속된 부분에 대응하는 베이스 기판(20)의 단부(21a)는, 방사선 검출 패널(30)(기판(31))의 단부(31c)보다도 내측에 위치하고 있으면 되고, 베이스 기판(20)은 Z방향에서 보았을 때 접속 영역(A)과 겹치지 않도록 형성되어 있지 않아도 된다.
상기 실시 형태에서는, 검출 영역(R)은 신틸레이터(34)에 의해서 방사선상을 광상으로 변환한 후에 수광부(32)에 의해서 해당 광상을 촬상하여 화상을 얻는 간접 변환 방식이 적용된 영역이었지만, 검출 영역(R)은 방사선상을 직접적으로 촬상하여 화상을 얻는 직접 변환 방식이 적용된 영역이어도 된다. 예를 들면, 기판(31)의 제1 면(31a)에 있어서, 수광부(32) 대신에, 전하의 축적 및 전송을 행하도록 구성된 화소 회로가 마련됨과 아울러, 신틸레이터(34) 대신에, 방사선을 직접적으로 전하로 변환하는 고체 재료(변환부)(예를 들면, CdTe, CdZnTe, GaAs, InP, TlBr, HgI2, PbI2, Si, Ge, 및 a－Se 등)가 마련되어도 된다. 이것에 의해, 직접 변환 방식이 적용된 검출 영역(R)이 얻어진다. 이 경우의 검출 영역(R)은, 방사선이 입사되는 영역이고, 또한 바이어스 전압이 인가되는 영역(즉, 화상을 취득하는 대상이 되는 영역)이다. 덧붙여, 이러한 고체 재료도, 신틸레이터(34)와 마찬가지로 고온에 약한 성질을 가지기 때문에, 고체 재료와 접속 영역(A)의 거리(즉, 베이스 기판(20)의 단부(21a)와 접속 영역(A)의 내측 단부(A1)의 거리 d)를 가능한 한 크게 취하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 고체 재료가 마련되는 경우(직접 변환 방식)에 있어서도, 신틸레이터(34)가 마련되는 경우(간접 변환 방식)와 마찬가지로, 상기 거리 d는, 1mm 이상으로 설정되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 가요성 회로 기판(40)을 전극 패드(33)에 접속시키기 위해서 접속 부재(70)를 가열하는 히터(H1)와 고체 재료의 거리를, 일정 이상(적어도 1mm 이상) 확보할 수 있다. 그 결과, 히터(H1)로부터의 열이 고체 재료에 주는 악영향을 억제할 수 있다.
상기 실시 형태에서는, 유리 기판인 기판(31) 상에 다결정 실리콘 또는 아모퍼스 실리콘 등이 성막되어 이루어지는 방사선 검출 패널(30)에 대해 설명했지만, 방사선 검출 패널(30)은, 상기 구성으로 한정되지 않고, 예를 들면 단결정 실리콘 기판 상에 수광부를 형성해서 이루어지는 구성을 가지고 있어도 된다. 또, 기판(31)은 유리 기판으로 한정되지 않고, 예를 들면 필름 형상의 기판(플렉서블 기판) 등이어도 된다.
1 …방사선 촬상 장치 10 …케이스
11 …천장벽(제1 벽부) 12 …저벽(제2 벽부)
13 …측벽(제3 벽부) 13c …오목부
20 …베이스 기판 20a …지지면
20b …이면 21a …단부
22 …돌출부 30 …방사선 검출 패널
31c …단부 32 …수광부
33 …전극 패드 34 …신틸레이터(변환부)
40 …가요성 회로 기판 70 …접속 부재
81 …제1 연재부 82 …제2 연재부
112 …쉴드 부재 A …접속 영역
A1 …내측 단부 H1 …히터(제1 히터)
H2 …히터(제2 히터)

Claims (12)

  1. 방사선을 검출하는 검출 영역이 형성됨과 아울러 상기 검출 영역의 외측에 전극 패드가 형성된 제1 면과, 상기 제1 면과는 반대측인 제2 면을 가지는 방사선 검출 패널과,
    상기 방사선 검출 패널의 상기 제2 면에 대향함과 아울러 상기 방사선 검출 패널을 지지하는 지지면을 가지는 베이스 기판과,
    접속 부재를 통해서 상기 전극 패드에 접속된 가요성 회로 기판을 구비하고,
    상기 베이스 기판의 단부는, 상기 지지면과 직교하는 제1 방향에서 보았을 때, 상기 전극 패드와 상기 접속 부재와 상기 가요성 회로 기판이 겹치는 접속 영역의 내측 단부보다도 내측에 위치하고 있는, 방사선 촬상 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 방사선 검출 패널은 상기 제1 방향에서 보았을 때 직사각 형상으로 형성되어 있고,
    상기 방사선 검출 패널이 적어도 1개의 변부에, 1 이상의 상기 접속 영역이 형성되어 있고,
    상기 베이스 기판의 단부는, 상기 제1 방향에서 보았을 때, 상기 적어도 1개의 변부에 형성된 모든 상기 접속 영역의 내측 단부보다도 내측에 위치하고 있는, 방사선 촬상 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 면 상에 배치되어, 상기 검출 영역을 구성하는, 방사선을 광 또는 전하로 변환하는 변환부를 더 구비하고,
    상기 제1 방향에서 보았을 때, 상기 베이스 기판의 단부는, 상기 검출 영역보다도 외측에 위치하고 있고,
    상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향에 있어서의 상기 접속 영역의 내측 단부와 상기 베이스 기판의 단부의 거리는, 1mm 이상인, 방사선 촬상 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 변환부는 방사선을 광으로 변환하는 신틸레이터인, 방사선 촬상 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 상기 제1 방향에서 보았을 때, 상기 가요성 회로 기판과 겹치지 않는 위치에 있어서 상기 방사선 검출 패널보다도 외측으로 돌출된 돌출부를 가지는, 방사선 촬상 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 돌출부의 상기 지지면에는, 상기 제1 방향으로 연장되어 있는 제1 연재부가 마련되어 있는, 방사선 촬상 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 연재부는 상기 방사선 검출 패널을 위치 결정하는 위치 결정 부재인, 방사선 촬상 장치.
  8. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 방사선 검출 패널, 상기 베이스 기판, 및 상기 가요성 회로 기판을 수용하는 케이스를 더 구비하고,
    상기 케이스는 상기 제1 면에 대향하는 제1 벽부와, 상기 제2 면에 대향하는 제2 벽부를 가지고,
    상기 베이스 기판은, 상기 제1 연재부를 통해서 상기 제1 벽부에 지지되어 있는, 방사선 촬상 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 돌출부의 상기 지지면과는 반대측의 면에는, 상기 돌출부를 사이에 두고 상기 제1 연재부와 대향하는 위치에 배치되어, 상기 제1 방향으로 연장되어 있는 제2 연재부가 마련되어 있고,
    상기 베이스 기판은 상기 제2 연재부를 통해서 상기 제2 벽부에 지지되어 있는, 방사선 촬상 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1 연재부 및 상기 제2 연재부는, 상기 베이스 기판과는 별개로 형성되어 있는, 방사선 촬상 장치.
  11. 방사선을 검출하는 검출 영역이 형성됨과 아울러 상기 검출 영역의 외측에 전극 패드가 형성된 제1 면과, 상기 제1 면과는 반대측인 제2 면을 가지는 방사선 검출 패널을 준비하는 공정과,
    상기 방사선 검출 패널의 상기 제2 면을 베이스 기판의 지지면에 지지시키는 공정과,
    접속 부재를 통해서 상기 전극 패드에 가요성 회로 기판을 접속시키는 공정을 포함하고,
    상기 지지시키는 공정에서는, 상기 지지면과 직교하는 제1 방향에서 보았을 때, 상기 베이스 기판의 단부가 상기 전극 패드와 상기 접속 부재와 상기 가요성 회로 기판이 겹칠 예정의 접속 영역의 내측 단부보다도 내측에 위치하도록, 상기 방사선 검출 패널에 대해서 상기 베이스 기판을 배치하고,
    상기 접속시키는 공정에서는, 상기 가요성 회로 기판을 사이에 두고 상기 접속 부재와는 반대측에 배치되는 제1 히터와 상기 방사선 검출 패널을 사이에 두고 상기 접속 부재와는 반대측에 배치되는 제2 히터에 의해서 상기 접속 부재를 가열하는, 방사선 촬상 장치의 제조 방법.
  12. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 방사선 촬상 장치의 수복 방법으로서,
    상기 방사선 검출 패널이 상기 베이스 기판에 지지된 상태로, 제1 가요성 회로 기판을 상기 전극 패드로부터 분리시키는 공정과,
    상기 방사선 검출 패널이 상기 베이스 기판에 지지된 상태로, 제2 가요성 회로 기판을 사이에 두고 상기 접속 부재와는 반대측에 배치되는 제1 히터와 상기 방사선 검출 패널을 사이에 두고 상기 접속 부재와는 반대측에 배치되는 제2 히터에 의해서 상기 접속 부재를 가열함으로써, 상기 제2 가요성 회로 기판을 상기 접속 부재를 통해서 상기 전극 패드에 접속시키는 공정을, 포함하는 방사선 촬상 장치의 수복 방법.
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