KR20210075482A - 비-접촉식 온도 센서를 가진 공정 설비 - Google Patents
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Abstract
비-접촉식 온도 센서를 가진 공정 설비가 설명된다. 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비는 상부에 배치된 가열 모듈, 하부에 배치된 지지부, 및 상기 가열 모듈과 상기 지지부 사이의 공정 공간을 포함할 수 있다. 상기 가열 모듈은 하우징, 상기 하우징 내에 배치된 가열 램프 및 온도 측정부, 및 상기 하우징의 하부에 배치된 차단 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 차단 플레이트는 상기 가열 램프와 상기 공정 공간을 공간적으로 분리할 수 있다. 상기 차단 플레이트는 상기 온도 측정부와 상기 공정 공간을 공간적으로 연결하는 윈도우를 가질 수 있다.
Description
본 개시는 비-접촉식 온도 센서를 가진 공정 설비 및 공정을 수행하는 중 실시간으로 온도를 조절할 수 있는 방법을 제공한다.
반도체 제조 공정에서, 생산성을 높이기 위하여 짧은 시간 내에 가공물을 가열하는 방법이 널리 이용되고 있다. 예를 들어, 가열 램프를 이용하여 직접적으로 빛을 조사함으로써 가공물을 짧은 시간 내에 가열하는 기술이 이용되고 있다. 또한, 공정이 매우 정밀하게 수행되므로 가공물의 온도는 매우 정확하게 측정되어야 한다. 종래에는 가공물의 온도는 가공물의 후면(backside)과 직접적으로 접촉함으로써 측정되었다. 그러나, 빛에 의해 가공물의 전면(frontside)이 가열되므로, 가공물의 후면의 온도를 측정하는 것은 시간적 및 공간적 온도 오차가 커서 사용되기 어렵다.
그러나, 직접적으로 가공물의 전면과 접촉함으로써 온도를 측정하는 것은 가능하지 않다. 온도 센서가 빛에 노출되기 때문이다. 따라서, 가열 램프를 이용하여 가공물을 가열하는 공정 및 공정 설비에서는 파이로미터(pyrometer) 같은 비-접촉식 온도 센서를 이용하여 가공물의 온도를 실시간으로 측정해야 한다. 하지만, 비-접촉식 온도 센서를 이용하여 가공물의 온도를 측정할 경우, 가공물의 표면의 물질적 및 광학적 특성, 가열 램프에 의한 다양한 영향들, 공정 환경들, 등에 따라 가공물의 실제 온도와 비-접촉식 온도 센서에 의해 측정된 온도가 큰 차이를 보일 수 있다. 특히, 램프가 조사하는 빛과 온도 센서가 온도를 측정하기 위하여 수광하는 빛의 파장 대역이 중첩되는 경우, 측정된 온도 정보의 신뢰성이 매우 낮아진다.
본 개시의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛을 수광하여 가공물의 온도를 측정하는 방법 및 설비를 제공하는 것이다.
본 개시의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는 가공물의 상면과 수직하게 배치된 가열 램프들 및 비-접촉식 온도 센서들을 가진 설비를 제공하는 것이다.
본 개시의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는 비-접촉식 온도 센서를 이용하여 가공물의 전면의 온도를 실시간으로 측정하는 방법 및 설비를 제공하는 것이다.
본 개시의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는 실시간으로 측정된 가공물의 전면의 온도에 따라 가열 램프를 실시간으로 온/오프 시키거나 또는 가열 램프들의 가열 파워를 조절하는 방법 및 설비를 제공하는 것이다.
본 개시의 실시예들이 해결하고자 하는 다양한 과제들이 본문 내에서 구체적으로 언급될 것이다.
본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비는 상부에 배치된 가열 모듈, 하부에 배치된 지지부, 및 상기 가열 모듈과 상기 지지부 사이의 공정 공간을 포함할 수 있다. 상기 가열 모듈은 하우징, 상기 하우징 내에 배치된 가열 램프 및 온도 측정부, 및 상기 하우징의 하부에 배치된 차단 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 차단 플레이트는 상기 가열 램프와 상기 공정 공간을 공간적으로 분리할 수 있다. 상기 차단 플레이트는 상기 온도 측정부와 상기 공정 공간을 공간적으로 연결하는 윈도우를 가질 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비는 상부에 배치된 가열 모듈, 하부에 배치된 지지부, 및 상기 가열 모듈과 상기 지지부 사이의 공정 공간을 가진 공정 챔버를 포함할 수 있다. 상기 가열 모듈은 하우징, 상기 하우징 내에 배치된 다수의 가열 램프들 및 다수의 온도 측정부들, 및 상기 하우징의 하부에 배치된 차단 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 다수의 온도 측정부들은 상기 다수의 가열 램프들 사이에 배치될 수 있다. 상기 다수의 온도 측정부들은 각각, 상기 지지부의 상면에 수직한 광 통로, 상기 광 통로 내에 배치된 필터, 및 온도 센서를 포함할 수 있다. 상기 차단 플레이트는 5㎛ 미만의 파장을 가진 빛을 투과시킬 수 있다. 상기 필터는 5㎛ 미만의 파장을 가진 빛을 차단하고 및 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛을 투과시킬 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비는 상부에 배치된 가열 모듈, 하부에 배치된 지지부, 및 상기 가열 모듈과 상기 지지부 사이의 공정 공간을 가진 공정 챔버를 포함할 수 있다. 상기 가열 모듈은 하우징, 상기 하우징 내에 배치된 다수의 가열 램프들 및 다수의 온도 측정부들, 및 상기 하우징의 하부에 배치된 차단 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 다수의 온도 측정부들은 상기 다수의 가열 램프들 사이에 배치될 수 있다. 상기 다수의 가열 램프들과 상기 다수의 온도 측정부들은 상기 지지부의 상면과 수직하게 배치될 수 있다. 상기 다수의 온도 측정부들은 각각, 광 통로, 및 상기 광 통로 내에 배치된 필터 및 온도 센서를 포함할 수 있다. 상기 차단 플레이트는 상기 공정 공간과 상기 가열 램프들을 공간적으로 차단할 수 있다. 상기 차단 플레이트는 상기 온도 측정부들을 상기 공정 공간에 공간적으로 노출시키는 윈도우를 가질 수 있다. 상기 차단 플레이트는 석영을 포함할 수 있다. 상기 필터는 5㎛ 미만의 파장을 가진 빛을 차단하고 및 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛을 투과시키도록 상기 차단 플레이트와 다른 물질을 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 방법은, 상부에 배치된 가열 모듈, 하부에 배치된 지지부, 및 상기 가열 모듈과 상기 지지부 사이의 공정 공간을 포함하고, 상기 가열 모듈은 하우징, 상기 하우징 내에 배치된 가열 램프 및 온도 측정부, 및 상기 하우징의 하부에 배치된 차단 플레이트를 포함하고, 상기 차단 플레이트는 상기 가열 램프와 상기 공정 공간을 공간적으로 분리하고, 및 상기 차단 플레이트는 상기 온도 측정부와 상기 공정 공간을 공간적으로 연결하는 윈도우를 갖는 공정 설비를 이용하여 수행될 수 있다. 상기 반도체 소자 제조 방법은 상기 가열 램프를 이용하여 상기 가공물을 가열하고, 상기 온도 측정부를 이용하여 상기 가공물의 온도를 측정하고, 상기 지지부 상에 가공물을 도입하고, 및 상기 가공물을 가열하며 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 방법은, 챔버 내의 하부에 위치한 지지부 상에 가공물을 로딩하고, 챔버 내의 상부에 위치한 가열 모듈의 다수의 가열 램프들로부터 상기 가공물로 빛을 조사하여 상기 가공물을 가열하고, 및 상기 가공물로부터 복사된 빛을 상기 가열 모듈의 온도 측정부를 이용하여 수광하는 것을 포함할 수 있다. 상기 가열 램프로부터 상기 가공물로 조사되는 상기 빛은 상기 차단 플레이트를 통과할 수 있다. 상기 가공물로부터 복사되어 상기 온도 측정부로 수광되는 상기 빛은 상기 차단 플레이트를 통과하지 않고 상기 온도 측정부로 직접적으로 전달될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 방법은 챔버, 상기 챔버의 하부에 위치한 지지부, 상기 챔버의 상부에 위치한 가열 모듈, 및 상기 가열 모듈과 상기 지지부 사이의 공정 공간을 포함하는 공정 설비를 이용하여 가공물을 가공하는 방법이고, 상기 지지부 상에 상기 가공물을 로딩하고, 상기 가열 모듈의 다수의 가열 램프들로부터 상기 가공물로 빛을 조사하여 상기 가공물을 가열하고, 및 상기 가공물로부터 복사된 빛을 상기 가열 모듈의 온도 측정부를 이용하여 수광하는 것을 포함하고, 상기 가열 램프로부터 상기 가공물로 조사되는 상기 빛은 상기 차단 플레이트를 통과하고, 및 상기 가공물로부터 복사되어 상기 온도 측정부로 수광되는 상기 빛은 상기 차단 플레이트를 통과하지 않고 상기 온도 측정부로 직접적으로 전달될 수 있다. 상기 가열 모듈은 광 통로, 상기 광 통로 내의 필터 및 온도 센서를 포함하고, 상기 필터는 5㎛ 이상의 빛을 투과시킬 수 있다.
본 개시의 실시예들에 의한 공정 설비는 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛을 수광하여 가공물의 온도를 측정할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 의한 공정 설비는 가공물의 상면과 수직하게 배치된 가열 램프들 및 비-접촉식 온도 센서들을 포함하므로 짧은 시간 내에 가공물의 정확한 온도를 실시간으로 측정할 수 있고, 및 가열할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 다양한 효과들이 본문 내에서 언급될 것이다.
도 1a는 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비를 개략적으로 도시한 측단면도이고 및 도 1b는 A 영역의 확대도이다.
도 2a는 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비를 도시한 측단면도이고 및 도 2b는 B 영역의 확대도이다.
도 3a 내지 3g는 본 개시의 다양한 실시예들에 의한 가열 모듈들의 상면도들이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 5a는 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비를 개략적으로 도시한 측면도이고, 및 도 5b는 C 영역의 확대도이다.
도 6 및 7은 본 개시의 다양한 실시예들에 의한 공정 설비들을 개략적으로 도시한 측면도들이다.
도 8은 본 개시의 실시예들에 의한 공정 설비들의 가열 모듈들의 온도 측정부들을 이용하여 가공물의 온도를 측정하는 것을 설명하는 도면들이다.
도 2a는 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비를 도시한 측단면도이고 및 도 2b는 B 영역의 확대도이다.
도 3a 내지 3g는 본 개시의 다양한 실시예들에 의한 가열 모듈들의 상면도들이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 5a는 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비를 개략적으로 도시한 측면도이고, 및 도 5b는 C 영역의 확대도이다.
도 6 및 7은 본 개시의 다양한 실시예들에 의한 공정 설비들을 개략적으로 도시한 측면도들이다.
도 8은 본 개시의 실시예들에 의한 공정 설비들의 가열 모듈들의 온도 측정부들을 이용하여 가공물의 온도를 측정하는 것을 설명하는 도면들이다.
최근 들어, 반도체 제조 공정들이 점차 낮은 온도 영역에서 진행되고 있다. 특히, 가스 보조 본딩 설비(gas assisted bonder)처럼 약 300℃ 이하의 상대적으로 낮은 온도 범위 내에서 진행되는 공정들이 점차 많아지고 있다. 반도체 공정에 널리 사용되는 실리콘 또는 실리콘 베이스 물질들은 5㎛ 미만의 파장들의 방사가 약하기 때문에 300℃ 이하의 상대적으로 낮은 온도를 정확하게 측정하는 것이 매우 어렵다. 따라서, 300℃ 이하의 상대적으로 낮은 공정의 온도를 정확하게 측정하기 위하여 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛을 수광하는 것이 필요하다. 언급되었듯이, 짧은 시간 내에 가공물을 가열하는 공정에서는 접촉식 온도 센서를 이용하여 가공물의 온도를 측정하는 것이 가능하지 않다. 즉, 빛을 이용하여 가공물을 가열하는 공정 및 설비에서는 비-접촉식 온도 센서를 이용하여 온도를 짧은 시간 내에 측정해야 한다. 또한, 언급되었듯이, 300℃ 이하의 온도를 정확하게 측정하려면 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛을 수광하여야 한다. 그러나, 일반적으로 사용되는 석영 재질의 플레이트는 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛을 대부분 차단한다. 본 개시의 다양한 실시예들은 비-접촉식 온도 센서를 이용하여 석영 재질의 플레이트를 투과하지 않음으로써, 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛을 수광하여 300℃ 이하의 온도를 정확하게 측정하는 방법 및 설비를 제공한다.
도 1a는 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100A)를 개략적으로 도시한 측단면도이고 및 도 1b는 A 영역의 확대도이다.
도 1a 및 1b를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100A)는 공정 챔버(10), 가열 모듈(20A), 지지부(50), 및 제어부(60)를 포함할 수 있다.
공정 챔버(10)는 상부의 가열 모듈(20A) 및 하부의 지지부(50) 사이에 공정이 수행되기 위한 공정 공간(PS)을 제공할 수 있다. 예를 들어, 공정 챔버(10)는 스테인레스 스틸을 포함할 수 있다.
가열 모듈(20A)은 공정 챔버(10)의 상부에 배치되어 지지부(50) 상의 가공물들(71, 72)을 가열할 수 있고, 및 가공물들(71, 72)의 온도를 측정할 수 있다.
가열 모듈(20A)은 하우징(21), 가열 램프들(23), 온도 측정부(30), 및 차단 플레이트(40)를 포함할 수 있다.
하우징(21)은 가열 램프들(23) 및 온도 측정부(30)가 결합될 수 있는 본체(main body)를 제공할 수 있다. 하우징(21)은 스테인레스 스틸을 포함할 수 있다.
가열 램프들(23)은 빛을 발생하여 가공물들(71, 72)을 가열할 수 있다. 예를 들어, 가열 램프들(23)은 텅스텐 할로겐 램프, 제논 램프, 플래시 램프, 또는 기타 다양한 램프들을 포함할 수 있다. 가열 램프들(23)은 다양한 파장을 가진 빛을 발생시켜 가공물들(71, 72)로 조사할 수 있다. 예를 들어, 가열 램프들(23)은 1㎛ 이하의 파장을 가진 빛부터 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛까지 다양한 파장을 가진 빛을 발생시킬 수 있다. 가열 램프들(23)은 지지부(50)의 표면에 수직하게 배치될 수 있다. 따라서, 가열 램프들(23)은 지지부(50)의 상면 및 가공물들(71, 72)의 상면을 향하여 수직한 방향으로 빛을 조사할 수 있다. 빛이 가공물들(71, 72)을 향하여 수직하게 조사되는 경우, 단위 면적이 받는 빛 에너지가 가장 높다. 따라서, 가열 램프들(23)이 조사하는 빛이 가공물들(71, 72)을 가장 효율적으로 가열할 수 있다.
온도 측정부(30)는 광 통로(31), 필터(33), 및 온도 센서(35)를 포함할 수 있다.
광 통로(31)는 가공물들(71, 72)로부터 온도 센서(35)로 온도 정보를 가진 빛(복사파)가 전달되는 통로를 제공할 수 있다. 광 통로(31)는 빈 공간을 제공하는 관 또는 실린더 모양을 가질 수 있다. 광 통로(31)는 지지부(50)의 표면에 수직하게 배치될 수 있다. 따라서, 광 통로(31)는 지지부(50) 및 가공물들(71, 72)로부터 수직한 방향으로 복사(irradiate) 또는 방사(radiate)되는 빛을 수집하여 온도 센서(35)로 전달 및 제공할 수 있다. 광 통로(31)가 가공물들(71, 72)에 수직한 경우, 온도 센서(35)가 가공물들(71, 72)로부터 가장 짧은 거리에 위치할 수 있다. 따라서, 경로에 따른 온도 정보의 손실이 최소화될 수 있고, 온도 센서(35)는 실질적인 가공물들(71, 72)의 온도를 가장 근접하고 정확하게 측정할 수 있다.
필터(33)는 5㎛ 미만의 상대적으로 짧은 파장을 갖는 빛을 차단할 수 있고, 및 5㎛ 이상의 상대적으로 긴 파장을 갖는 빛을 투과시킬 수 있다. 언급되었듯이, 5㎛ 이상의 파장을 갖는 빛은 300℃ 이하의 온도 정보를 가장 충분하고 근접하게 전달할 수 있다. 5㎛ 미만의 짧은 파장을 갖는 빛은 300℃ 이하의 온도 정보를 측정하는 데 미약하고 노이즈(noise)로 작용할 수 있다. 따라서, 본 개시의 공정 설비(100A)는 가공물들(71, 72)을 300℃ 이하에서 가공하는 공정에서 매우 유용할 수 있다. 필터(33)는 저마늄(Ge) 또는 저마늄 베이스의 화합물을 포함할 수 있다. 필터(33)는 광 통로(31)의 안 쪽에 배치되어 공정 공간(PS) 및 차단 플레이트(40)로부터 이격될 수 있다. 필터(33)가 공정 공간(PS)과 이격됨으로써, 공정 공간(PS)으로부터 오염 물질들이 침투하는 것이 어려워질 수 있다. 필터(33)는 메사(mesa) 모양을 가질 수 있다. 필터(33)는 상대적으로 좁은 하면 및 상대적으로 넓은 상면을 가질 수 있다. 사시도에서, 필터(33)는 잘린 원뿔(truncated cone) 모양을 가질 수 있다. 상면도 또는 하면도에서 필터(33) 원 판(circular plate) 형태를 가질 수 있다. 필터(33)와 하우징(21) 사이에 씰링재가 개재될 수 있다.
온도 센서(35)는 파이로미터(pyrometer) 또는 적외선 센서(IR sensor) 같은 비-접촉식 온도 센서를 포함할 수 있다. 온도 센서(35)는 가공물들(71, 72)로부터 전달 및 제공된 빛을 분석하여 가공물들(71, 72)의 온도를 측정할 수 있다. 특히, 온도 센서(35)는 5㎛ 이상의 파장을 갖는 빛 정보를 분석하여 가공물들(71, 72)의 온도 정보(Temp1)를 제어부(60)로 제공할 수 있다.
차단 플레이트(40)는 가열 모듈(20A)의 하부에 전체적으로 배치될 수 있다. 차단 플레이트(40)는 가열 램프들(23)과 공정 공간(PS)을 공간적으로 분리할 수 있다. 따라서, 차단 플레이트(40)는 공정 공간(PS) 내에서 발생하는 오염 물질이 가열 램프들(23)를 오염시키는 것을 차단할 수 있다. 차단 플레이트(40)는 석영(Quartz)을 포함할 수 있다. 차단 플레이트(40)는 온도 측정부(30)의 하부 영역을 개방하는 윈도우(W)를 가질 수 있다. 따라서, 온도 측정부(30)는 공정 공간(PS)에 노출될 수 있고, 및 온도 측정부(30)의 광 통로(31)와 공정 공간(PS)은 공간적으로 서로 연결될 수 있다.
지지부(50)는 가공물들(71, 72)을 지지할 수 있다. 지지부(50)는 지지 플레이트(51), 및 지지 플레이트(51) 내에 내장된 히터(53) 및 쿨러(55)를 포함할 수 있다. 히터(53)는 히팅 코일 등을 포함할 수 있고, 및 지지 플레이트(51) 상에 놓인 가공물들(71, 72)을 직접적으로 가열할 수 있다. 쿨러(55)는 내부의 냉각 홀들(H)을 통하여 물(water) 같은 냉매를 순환시킴으로써 지지 플레이트(51)를 냉각시킬 수 있다. 히터(53)와 쿨러(55)의 동작들에 의해 지지 플레이트(51)의 온도가 일정하게 유지될 수 있다.
제어부(60)는 온도 센서(35)로부터 측정된 온도 정보(Temp1)를 받아 가열 램프들(23)로 가열 커맨드(Heat)를 전송할 수 있다. 제어부(60)는 온도 정보(Temp1)를 분석하여 가열 램프들(23)을 개별적으로 온/오프시키거나 또는 가열 램프들(23)의 가열 파워를 조절하기 위한 가열 커맨드(Heat)를 각 가열 램프들(23)로 전송할 수 있다.
가공물들(71, 72)은 웨이퍼(71) 및/또는 본딩용 칩들(72)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 개시의 가열 설비(100A) 내에서 웨이퍼(71) 상에 칩들(72)을 본딩하는 칩 본딩 공정 또는 다이 본딩 공정이 수행될 수 있다. 본 개시의 일 실시예에서, 가열 설비(100A) 내에서 웨이퍼(71)을 직접적으로 가공하는 공정들 - 예를 들어, 증착 공정, 에칭 공정, 임플란트 공정 등 - 이 수행될 경우, 본딩용 칩들(72)은 생략될 수 있다.
도 2a는 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100B)를 도시한 측단면도이고 및 도 2b는 B 영역의 확대도이다. 도 2a 및 2b를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100B)는 공정 챔버(10), 가열 모듈(20B), 지지부(50), 및 제어부(60)를 포함할 수 있다. 가열 모듈(20B)은 하우징(21), 하우징(21) 내에 배치된 가열 램프들(23), 온도 측정부(30), 및 하우징(21) 하부에 배치된 차단 플레이트(40)를 포함할 수 있다. 온도 측정부(30)는 광 통로(31), 필터(33), 온도 센서(35), 및 차단 블록(37)을 포함할 수 있다.
차단 블록(37)은 온도 측정부(35)의 광 통로(31)의 하부 영역 내에 배치될 수 있다. 차단 블록(37)은 공정 공간(PS)과 광 통로(31), 필터(33), 및 온도 센서(35)를 공간적으로 분리할 수 있다. 따라서, 차단 블록(37)은 공정 공간(PS) 내에서 발생하는 오염 물질이 광 통로(31) 및 필터(33)를 오염시키는 것을 차단할 수 있다. 차단 블록(37)은 5㎛ 이상의 파장을 갖는 빛을 투과시킬 수 있다. 5㎛ 미만의 파장을 가진 빛 중 일부가 차단 블록(37)을 투과할 수도 있다. 차단 블록(37)은 징크 셀레나이드(ZnSe)를 포함할 수 있다. 차단 블록(37)의 하단은 차단 플레이트(40)의 하면 보다 높은 레벨에 위치할 수 있다. 차단 블록(37)은 차단 플레이트(40)의 윈도우(W)와 수평으로 부분적으로 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 차단 블록(37)의 하면과 차단 플레이트(40)의 하면은 유사하거나 또는 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있다. 차단 블록(37)은 메사(mesa) 모양을 가질 수 있다. 차단 블록(37)은 상대적으로 좁은 하면 및 상대적으로 넓은 상면을 가질 수 있다. 사시도에서, 차단 블록(37)은 역 잘린 원뿔(truncated cone) 모양을 가질 수 있다. 상면도 또는 하면도에서 차단 블록(37)은 원 판(circular plate) 형태를 가질 수 있다. 차단 블록(37)과 차단 플레이트(40) 사이에 씰링재가 개재될 수 있다.
도 3a 내지 3e는 본 개시의 다양한 실시예들에 의한 가열 모듈들(20C-20F)의 상면도들이다.
도 3a를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 가열 모듈(20C)은 하우징(21), 가열 램프들(23), 및 온도 측정부들(30)을 포함할 수 있고, 가열 램프들(23)은 하우징(21) 내에 격자 모양으로 배치될 수 있고, 및 온도 측정부들(30)은 가열 램프들(23) 사이에 격자 형태로 선택적으로 배치될 수 있다. 온도 측정부들(30)의 개수는 가열 램프들(23)의 개수보다 적을 수 있다. 가열 램프들(23)은 독립적으로 온/오프될 수 있다. 또는 가열 램프들(23)의 가열 파워는 독립적으로 조절될 수 있다. 가열 램프들(23)은 규칙적으로 배열될 수 있고, 및 온도 측정부들(30)은 불규칙적으로 배열될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 가열 모듈(20D)은 하우징(21), 가열 램프들(23), 및 온도 측정부들(30)을 포함할 수 있고, 가열 램프들(23)은 하우징(21) 내에 지그재그 형태 또는 사선 형태로 선택적으로 배치될 수 있고, 및 온도 측정부들(30)은 가열 램프들(23) 사이에 지그재그 형태 또는 사선 형태로 선택적으로 배치될 수 있다. 온도 측정부들(30)의 개수는 가열 램프들(23)의 개수보다 적을 수 있다. 가열 램프들(23)은 규칙적으로 배열될 수 있고, 및 온도 측정부들(30)은 불규칙적으로 배열될 수 있다.
도 3c를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 가열 모듈(20E)은 하우징(21), 가열 램프들(23), 및 온도 측정부들(30)을 포함할 수 있고, 가열 램프들(23) 및 온도 측정부들(30)은 다수의 영역들(Z) 내에 분리되어 배치될 수 있다. 다수의 영역들(Z)은 가상적으로 분리되었으므로 점선을 이용하여 표시되었다. 온도 측정부들(30)의 개수는 가열 램프들(23)의 개수보다 적을 수 있다. 각 영역들(Z) 내에 분리되어 배치된 가열 램프들(23)은 공통적으로 동시에 동작할 수 있다. 예를 들어, 동일한 영역(Z) 내에 배치된 가열 램프들(23)은 동시에 온/오프될 수 있거나 및/또는 가열 램프들(23)의 가열 파워가 동시에 조절될 수 있다. 각 영역들(Z)마다 적어도 하나의 온도 측정부들(30)이 배치될 수 있다. 도면에는 하나의 영역(Z) 내에 세 개의 가열 램프들(23) 및 하나의 온도 측정부(30)가 배치된 것으로 도시되었으나, 이것은 예시적인 것이다. 하나의 영역(Z) 내에 적어도 하나 이상 또는 다수 개의 가열 램프들(23)이 배치될 수 있다. 또한, 가열 램프들(23)은 다각형 모양, 격자 모양, 지그재그 모양, 방사형 모양, 또는 기타 다양한 기하학적 배열을 형성할 수 있다. 도면에서, 각 영역들(Z)은 중앙 영역(Z1) 및 주변 영역들(Z2, Z3)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 중앙 영역(Z1)은 원 모양을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 중앙 영역(Z1)은 다각형(polygon) 모양을 가질 수 있다. 예를 들어, 주변 영역들(Z2, Z3)은 디스크 모양을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 주변 영역들(Z2, Z3)은 프레임 모양 또는 다각형 림(rim) 모양을 형성할 수 있다. 예를 들어, 주변 영역들(Z2, Z3)은 내부 디스크 모양을 형성하는 내부 주변 영역들(Z2) 및 외부 디스크 모양을 형성하는 외부 주변 영역들(Z3)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 주변 영역들(Z2, Z3)은 셋 이상의 디스크형 영역들을 형성할 수 있다. 예를 들어, 중앙 영역(Z1)과 내부 주변 영역들(Z2)의 사이, 내부 주변 영역들(Z2)과 외부 주변 영역들(Z3) 사이, 또는 외부 주변 영역들(Z3) 외곽에 추가적인 주변 영역들이 더 형성될 수 있다. 가열 램프들(23)은 규칙적으로 배열될 수 있고, 및 온도 측정부들(30)은 불규칙적으로 배열될 수 있다.
도 3d를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 가열 모듈(20F)은 하우징(21), 가열 램프들(23), 및 온도 측정부들(30)을 포함할 수 있고, 가열 램프들(23)은 다수의 영역들(Z) 내에 분리되어 배치될 수 있고, 및 온도 측정부들(30)은 다수의 영역들(Z) 중 일부 영역들 내에 선택적으로 배치될 수 있다. 도면에 도시된 온도 측정부들(30)의 배열은 예시적인 것이다. 온도 측정부들(30)은 다양한 다양한 위치 및 형태로 배치될 수 있다. 가열 램프들(23)은 규칙적으로 배열될 수 있고, 및 온도 측정부들(30)은 불규칙적으로 배열될 수 있다.
도 3e를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 가열 모듈(20G)은 하우징(21), 가열 램프들(23), 및 온도 측정부들(30)을 포함할 수 있고, 가열 램프들(23) 및 온도 측정부들(30)은 다수의 섹터형 영역들(Z) 내에 분포되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 가열 램프들(23)은 사선형 격자형 또는 지그재그 형태로 배열될 수 있고, 및 온도 측정부들(30)은 가열 램프들(Z)의 사이에 선택적으로 배치될 수 있다. 도면에 도시된 온도 측정부들(30)의 배열은 예시적인 것이다. 온도 측정부들(30)은 다양한 형태로 배치될 수 있다. 또한, 섹터형 영역들(Z)이 여섯 조각으로 가상적으로 분리된 것이 도시되었으나, 섹터형 영역들(Z)은 더 많은 조각으로 가상적으로 분리될 수 있다. 가열 램프들(23)은 규칙적으로 배열될 수 있고, 및 온도 측정부들(30)은 불규칙적으로 배열될 수 있다.
도 3f를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 가열 모듈(20H)은 하우징(21), 가열 램프들(23), 및 온도 측정부들(30)을 포함할 수 있고, 가열 램프들(23) 및 온도 측정부들(30)은 다수의 삼각형 영역들(Z) 내에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 온도 측정부들(30)은 다수의 삼각형 영역들(Z) 내에 선택적으로 배치될 수 있다. 삼각형 영역들(Z)은 가상적으로 분리될 수 있다. 가열 램프들(23)은 규칙적으로 배열될 수 있고, 및 온도 측정부들(30)은 불규칙적으로 배열될 수 있다.
도 3g를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 가열 모듈(20I)은 하우징(21), 가열 램프들(23), 및 온도 측정부들(30)을 포함할 수 있고, 가열 램프들(23) 및 온도 측정부들(30)은 중앙 영역(Z1) 및 주변 영역들(Z2-Z5)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 중앙 영역(Z1)은 사각형 모양을 가질 수 있고, 및 주변 영역들(Z2-Z5)은 프레임(frame) 모양을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 온도 측정부들(30)은 다수의 사각형 영역들(Z) 내의 다양한 위치에 선택적으로 배치될 수 있다. 삼각형 영역들(Z)은 가상적으로 분리될 수 있다. 가열 램프들(23)은 규칙적으로 배열될 수 있고, 및 온도 측정부들(30)은 불규칙적으로 배열될 수 있다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100C)를 개략적으로 도시한 측면도이다. 3a 내지 3e 및 도 4를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100C)는 공정 챔버(10), 가열 모듈(20H), 지지부(50), 및 제어부(60)를 포함할 수 있다. 가열 모듈(20H)은 하우징(21), 하우징(21) 내에 배치된 다수 개의 가열 램프들(23), 다수 개의 온도 측정부들(30), 및 하우징(21)의 하부에 배치된 차단 플레이트(40)를 포함할 수 있다.
도 5a는 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100D)를 개략적으로 도시한 측면도이고, 및 도 5b는 C 영역의 확대도이다.
도 5a 및 5b를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100D)는 공정 챔버(10), 가열 모듈(20I), 지지부(50), 및 제어부(60)를 포함할 수 있다. 가열 모듈(20I)은 하우징(21), 하우징(21) 내에 배치된 가열 램프들(23), 온도 측정부(30), 상부 접촉식 온도 센서(45), 및 차단 플레이트(40)를 포함할 수 있다. 상부 접촉식 온도 센서(45)는 차단 플레이트(40)와 직접적으로 접촉할 수 있다. 상부 접촉식 온도 센서(45)는 차단 플레이트(40)의 온도를 센싱하여 제어부(60)로 차단 플레이트(40)의 온도 정보(Temp2)를 제공할 수 있다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100E)를 개략적으로 도시한 측면도이다. 도 6을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100E)는 공정 챔버(10), 가열 모듈(20H), 지지부(50), 및 제어부(60)를 포함할 수 있다. 가열 모듈(20H)은 하우징(21), 하우징(21) 내에 배치된 다수의 가열 램프들(23), 다수의 온도 측정부들(30), 및 차단 플레이트(40)를 포함할 수 있다. 지지부(50)는 지지 플레이트(51), 및 지지 플레이트(51) 내에 내장된 히터(53), 쿨러(55), 및 하부 접촉식 온도 센서(75)를 포함할 수 있다. 하부 접촉식 온도 센서(75)는 지지 플레이트(51) 또는 가공물(71)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 하부 접촉식 온도 센서(45)는 지지 플레이트(51) 또는 가공물(51)의 온도를 센싱하여 제어부(60)로 온도 정보(Temp3)를 제공할 수 있다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100F)를 개략적으로 도시한 측면도이다. 도 7을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 공정 설비(100F)는 공정 챔버(10), 가열 모듈(20I), 지지부(50), 및 제어부(60)를 포함할 수 있다. 가열 모듈(20I)은 하우징(21), 하우징(21) 내에 배치된 가열 램프들(23), 온도 측정부(30), 상부 접촉식 온도 센서(45), 및 차단 플레이트(40)를 포함할 수 있다. 지지부(50)는 지지 플레이트(51), 및 지지 플레이트(51) 내에 내장된 히터(53), 쿨러(55), 및 하부 접촉식 온도 센서(75)를 포함할 수 있다. 상부 접촉식 온도 센서(45)는 차단 플레이트(40)와 직접적으로 접촉할 수 있고, 및 차단 플레이트(40)의 온도 정보(Temp2)를 제어부(60)로 전달할 수 있다. 하부 접촉식 온도 센서(75)는 지지 플레이트(51) 또는 가공물(71)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 및 플레이트(51) 또는 가공물(71)의 온도 정보(Temp3)를 제어부(60)로 전달할 수 있다.
도 8은 본 개시의 실시예들에 의한 공정 설비들(100)의 가열 모듈(20)의 온도 측정부(30)를 이용하여 가공물(71)의 온도를 측정하는 것을 설명하는 도면들이다.
도 8을 참조하면, 온도 측정부(30)는 가공물(71)로부터 복사 또는 방사되는 빛(Lt)과 가공물(71)의 표면으로부터 반사된 빛(Lb)을 모두 수광할 수 있다. 예를 들어, 가공물(71)로부터 복사 또는 방사되는 빛(Lt)은 가공물(71)의 온도 정보를 갖는다. 가공물(71)의 표면으로부터 반사된 빛(Lb)은 가열 램프들(23)로부터 가공물(71)로 조사된 빛(La)이 가공물(71)의 표면으로부터 반사된 빛(Lb)이므로 가공물(71)의 온도 정보를 갖지 않는다. 즉, 가공물(71)의 표면으로부터 반사된 빛(Lb)은 노이즈 성분이다.
일반적으로, 가공물(71)은 실리콘 또는 실리콘 베이스의 물질을 포함할 수 있다. 실리콘은 5㎛ 미만의 파장을 가진 빛의 방사율이 낮고, 및 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛의 방사율이 높다. 따라서, 가공물(71)로부터 복사 또는 방사되는 빛(Lt)은 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛을 주로 포함할 수 있다.
가열 램프들(23)로부터 조사된 빛(La)은 차단 플레이트(40)를 투과하여 가공물(71)로 제공된다. 언급되었듯이, 차단 플레이트(40)가 석영을 포함하므로, 가공물(71)로 조사된 빛(La)은 차단 플레이트(40)에 의해 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛이 차단되고 5㎛ 미만의 파장을 가진 빛만 포함할 수 있다. 즉, 가공물(71)의 표면으로부터 반사된 빛(Lb)은 5㎛ 미만의 파장을 가진 빛을 포함할 수 있다. 따라서, 온도 측정부(30)에 수광된 빛(Lt, Lb) 중, 가공물(71)의 표면으로부터 반사된 빛(Lb) 성분을 제거하여야 정확한 가공물(71)의 온도 정보가 얻어질 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 의한 온도 측정부(30)는 5㎛ 미만의 파장을 가진 빛을 차단하고, 및 5㎛ 이상의 빛을 투과시키는 필터(33)를 포함한다. 따라서, 본 개시의 다양한 실시예들에 의한 공정 설비(100)는 정확한 가공물(71)의 온도를 측정할 수 있다.
이것은 다음과 같이 설명될 수 있다.
T(total) = T(Lt) + T(Lb)
(T(total): 총 온도 정보, T(Lt): 빛(Lt)에 의한 온도 정보, T(Lb): 빛(Lb)에 의한 온도 정보)
여기서, 빛(Lb)에 의한 온도 정보 (T(Lb))는 필터(33)에 의해 대부분이 차단될 수 있다. 즉, 온도 측정부(30)로부터 제어부(60)으로 제공되는 온도 정보(Temp1)는 가공물(71)로부터 방사된 빛(Lt)의 온도 정보(T(Lt))와 근접할 수 있다.
가공물(71)의 정확한 온도는 온도 측정부(30)로부터 제어부(60)으로 제공되는 온도 정보(Temp1)로부터 노이즈 성분을 제거함으로써 얻어질 수 있다. 노이즈 성분은 가공물(71)로부터 반사된 빛(Lb) 외에도 시간적 오차, 가공물(71)을 제외한 다른 구성 요소들의 온도 정보, 등 다양한 성분을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 가공물(71)의 정확한 온도는 온도 측정부(30)로부터 제어부(60)으로 제공되는 온도 정보(Temp1)와 차단 플레이트(40)의 온도 정보(Temp2)를 비교함으로써 추정될 수 있다. 예를 들어, 도 5a 및 5b를 참조하여, 차단 플레이트(40)의 온도 정보(Temp)를 온도 정보(Temp1)와 비교함으로써 가공물(71)의 정확한 실제 온도가 추정될 수 있다. 일 실시예에서, 일 실시예에서, 가공물(71)의 정확한 온도는 온도 측정부(30)로부터 제어부(60)으로 제공되는 온도 정보(Temp1)와 지지 플레이트(51) 또는 가공물(71)의 후면의 온도 정보(Temp3)를 비교함으로써 추정될 수 있다. 예를 들어, 도 6을 참조하여, 지지 플레이트(51) 또는 가공물(71)의 후면의 온도 정보(Temp3)를 온도 정보(Temp1)와 비교함으로써 가공물(71)의 정확한 실제 온도가 추정될 수 있다.
온도 측정부(30)에 의해 측정된 온도 정보(Temp1), 차단 플레이트(40)의 온도 정보(Temp2), 및 지지 플레이트(51) 또는 가공물(71)의 후면의 온도 정보(Temp3)는 가공물(71)의 종류, 재질, 공정 종류, 공정 온도, 공정 압력, 및 다양한 공정 조건들에 의해 다양한 분포를 보일 수 있다. 따라서, 획득된 온도 정보들(Temp1, Temp2, Temp3)에 따라 가공물(71)의 정확한 온도를 추정하는 것은 매우 다양하므로, 본 개시에서 예시 및 언급되지 않았다.
본 개시에서 설명된 다양한 실시예들에 의한 공정 설비(100)를 이용하여 반도체 제조 공정을 수행하는 것이 설명된다.
먼저, 공정 설비(100)의 지지부(50) 상에 가공물들(71, 72)이 도입될 수 있다. (Step1) 가열 램프들(23)에 의해 가공물들(71, 72)이 가열될 수 있다. (Step2) 온도 측정부(30)의 온도 센서(35)를 이용하여 가공물들(71, 72)의 온도가 측정될 수 있다. (Step3) 측정된 온도 정보(Temp1)는 제어부(60)로 제공될 수 있다. (Step4) 제어부(60)는 온도 정보(Temp1)를 분석하여 가열 램프들(23)을 제어하기 위한 가열 커맨드(Heat)를 생성할 수 있다. (Step5) 가열 커맨드(Heat)에 의해 가열 램프들(23)이 독립적으로 실시간으로 제어될 수 있다. 공정이 종료되면 가공물들(71, 72)은 공정 설비(100)의 외부로 반출될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 따른 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야 한다.
100: 공정 설비
10: 공정 챔버
20: 가열 모듈 21: 하우징
23: 가열 램프 30: 온도 측정부
31: 광 통로 33: 필터
35: 온도 센서 37: 차단 블록
40: 차단 플레이트 45: 상부 접촉식 온도 센서
50: 지지부 51: 지지 플레이트
52: 히터 55: 쿨러
60: 컨트롤러 71: 가공물 (웨이퍼)
72: 가공물(칩) 75: 하부 접촉식 온도 센서
PS: 공정 공간 W: 윈도우
Z: 영역 Z1: 원형 영역
Z2, Z3: 방사형 섹터 영역 Heat: 가열 커맨드
Temp1, Temp2, Temp3: 온도 정보
20: 가열 모듈 21: 하우징
23: 가열 램프 30: 온도 측정부
31: 광 통로 33: 필터
35: 온도 센서 37: 차단 블록
40: 차단 플레이트 45: 상부 접촉식 온도 센서
50: 지지부 51: 지지 플레이트
52: 히터 55: 쿨러
60: 컨트롤러 71: 가공물 (웨이퍼)
72: 가공물(칩) 75: 하부 접촉식 온도 센서
PS: 공정 공간 W: 윈도우
Z: 영역 Z1: 원형 영역
Z2, Z3: 방사형 섹터 영역 Heat: 가열 커맨드
Temp1, Temp2, Temp3: 온도 정보
Claims (20)
- 상부에 배치된 가열 모듈, 하부에 배치된 지지부, 및 상기 가열 모듈과 상기 지지부 사이의 공정 공간을 포함하고,
상기 가열 모듈은 하우징, 상기 하우징 내에 배치된 가열 램프 및 온도 측정부, 및 상기 하우징의 하부에 배치된 차단 플레이트를 포함하고,
상기 차단 플레이트는 상기 가열 램프와 상기 공정 공간을 공간적으로 분리하고, 및
상기 차단 플레이트는 상기 온도 측정부와 상기 공정 공간을 공간적으로 연결하는 윈도우를 갖는 공정 설비.
- 제1항에 있어서,
상면도에서, 상기 가열 램프는 격자 모양으로 배치된 다수의 가열 램프들을 포함하고, 및
상기 온도 측정부는 상기 다수의 가열 램프들 사이에 배치된 다수의 온도 측정부들을 포함하는 공정 설비.
- 제2항에 있어서,
상기 다수의 가열 램프들의 파워는 각각 독립적으로 조절되는 공정 설비.
- 제2항에 있어서,
상면도에서, 상기 가열 모듈의 상기 하우징은 다수의 영역들로 분리되고,
각 상기 분리된 영역 내에 배치된 상기 다수의 가열 램프들의 파워는 공통적으로 동시에 조절되는 공정 설비.
- 제1항에 있어서,
상기 온도 측정부는 광 통로, 상기 광 통로 내의 필터 및 온도 센서를 포함하는 공정 설비.
- 제5항에 있어서,
상기 필터는 5㎛ 미만의 파장을 가진 빛을 차단하는 공정 설비.
- 제5항에 있어서,
상기 필터는 저마늄(Ge)을 포함하는 공정 설비.
- 제5항에 있어서,
상기 온도 측정부는 상기 공정 공간과 상기 필터를 공간적으로 분리하는 차단 블록을 더 포함하고, 및
상기 차단 블록은 상기 차단 플레이트와 다른 물질을 포함하는 공정 설비.
- 제8항에 있어서,
상기 차단 블록은 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛을 투과시키는 공정 설비.
- 제8항에 있어서,
상기 차단 블록은 징크 셀레나이드(ZnSe)를 포함하는 공정 설비.
- 제1항에 있어서,
상기 가열 램프 및 상기 온도 측정부는 상기 지지부의 상면과 수직하게 배치된 공정 설비.
- 제1항에 있어서,
상기 차단 플레이트는 석영을 포함하는 공정 설비.
- 챔버 내의 하부에 위치한 지지부 상에 가공물을 로딩하고,
챔버 내의 상부에 위치한 가열 모듈의 다수의 가열 램프들로부터 상기 가공물로 빛을 조사하여 상기 가공물을 가열하고, 및
상기 가공물로부터 복사된 빛을 상기 가열 모듈의 온도 측정부를 이용하여 수광하는 것을 포함하고,
상기 가열 램프로부터 상기 가공물로 조사되는 상기 빛은 상기 차단 플레이트를 통과하고, 및
상기 가공물로부터 복사되어 상기 온도 측정부로 수광되는 상기 빛은 상기 차단 플레이트를 통과하지 않고 상기 온도 측정부로 직접적으로 전달되는 반도체 소자 제조 방법.
- 제13항에 있어서,
상기 온도 측정부는 광 통로, 상기 광 통로 내의 필터 및 온도 센서를 포함하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제14항에 있어서,
상기 필터는 5㎛ 미만의 파장을 가진 빛을 차단하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제14항에 있어서,
상기 온도 측정부는 상기 공정 공간과 상기 필터를 공간적으로 분리하는 차단 블록을 더 포함하고, 및
상기 차단 블록은 상기 차단 플레이트와 다른 물질을 포함하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제16항에 있어서,
상기 차단 블록은 5㎛ 이상의 파장을 가진 빛을 투과시키는 반도체 소자 제조 방법.
- 제13항에 있어서,
상기 가열 램프 및 상기 온도 측정부는 상기 지지부의 상면과 수직하게 배치된 반도체 소자 제조 방법.
- 제13항에 있어서,
상기 차단 플레이트는 석영(quartz)을 포함하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제13항에 있어서,
상면도에서, 상기 가열 모듈은 다수의 영역들로 분리되고,
각 상기 분리된 영역 내에 배치된 상기 다수의 가열 램프들의 파워는 공통적으로 동시에 조절되는 반도체 소자 제조 방법.
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- 2019-12-13 KR KR1020190166604A patent/KR20210075482A/ko not_active Application Discontinuation
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2020
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