KR20210057874A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20210057874A
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김수정
김이수
심이섭
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자 상에 배치되어 상기 발광 소자를 봉지하는 박막 봉지층; 상기 박막 봉지층 상에 배치된 터치 부재; 상기 터치 부재 상에 배치된 컬러 필터층; 및 상기 컬러 필터층 상에 배치되어 상기 컬러 필터층을 덮는 평탄화층을 포함하되, 상기 평탄화층은 하기 화학식 1로 표시되는 광 흡수제를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00126

상기 화학식 1에서, Ar은 파이렌, 크라이센, 또는 안트라센이고, Y는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 하기 구조식들 중 어느 하나로 표시되고,
Figure pat00127
Figure pat00128
Figure pat00129
Figure pat00130

X는 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2-1] [화학식 2-2] [화학식 2-3]
Figure pat00131
Figure pat00132
Figure pat00133

Description

표시 장치{Display device}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
사용자에게 영상을 제공하는 스마트 폰, 태블릿 PC, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 스마트 텔레비젼 등의 전자기기는 영상을 표시하기 위한 표시 장치를 포함한다. 표시 장치는 영상을 생성하여 표시하는 표시 패널 및 다양한 입력 장치를 포함한다. 상기 예로든 표시 장치는 발광층을 구비하는 발광 소자를 포함하여 사용자에게 화면을 표시할 수 있다.
한편, 표시 장치의 실외 사용이 늘어남에 따라 외부 자외선에 따른 발광 소자가 포함하는 발광층 등의 손상이 발생할 수 있다. 상기 발광층 손상은 발광 휘도가 감소하고, 발광 영역 자체가 감소하는 등 소자 특성 저하로 이어질 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 발광 소자 특성 저하를 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자 상에 배치되어 상기 발광 소자를 봉지하는 박막 봉지층; 상기 박막 봉지층 상에 배치된 터치 부재; 상기 터치 부재 상에 배치된 컬러 필터층; 및 상기 컬러 필터층 상에 배치되어 상기 컬러 필터층을 덮는 평탄화층을 포함하되, 상기 평탄화층은 하기 화학식 1로 표시되는 광 흡수제를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, Ar은 파이렌, 크라이센, 또는 안트라센이고, Y는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 하기 구조식들 중 어느 하나로 표시되고,
Figure pat00002
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
X는 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2-1] [화학식 2-2] [화학식 2-3]
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다. [화학식 1-1] [화학식 1-2] [화학식 1-3]
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-4 내지 1-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-4] [화학식 1-5] [화학식 1-6]
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-7 내지 1-9 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-7] [화학식 1-8] [화학식 1-9]
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
X는 화학식 2-1로 표시되고, Y는 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다. [화학식 3]
Figure pat00018
380nm 이상 410nm 이하의 파장 범위에서 0.7 이상의 흡광도를 가질 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 광 흡수제는 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 선택되는 어느 하나일 수 있다.
[화합물군 1]
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
상기 광 흡수제는 상기 컬러 필터층에 더 배치될 수 있다.
상기 컬러 필터층은 각 화소마다 배치되고, 인접 화소의 경계에서 이격되어 배치되며, 상기 인접 화소의 경계에는 상기 터치 부재 상의 차광층이 더 배치될 수 있다.
상기 터치 부재는 제1 터치 도전층, 상기 제1 터치 도전층 상에 배치된 제1 터치 절연층, 상기 제1 터치 절연층 상에 배치된 제2 터치 도전층, 및 상기 제2 터치 도전층 상에 배치된 터치 유기층을 포함하고, 상기 광 흡수제는 상기 제1 터치 절연층 및/또는 상기 터치 유기층에 더 배치될 수 있다.
상기 제1 터치 도전층은 상기 박막 봉지층에 직접 배치될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자 상에 배치되어 상기 발광 소자를 봉지하는 박막 봉지층; 상기 박막 봉지층 상에 배치된 터치 부재; 상기 터치 부재 상에 배치된 컬러 필터층; 및 상기 컬러 필터층 상에 배치되어 상기 컬러 필터층을 덮는 평탄화층을 포함하되, 상기 평탄화층은 함량이 3% 내지 25%이내인 광 흡수제를 포함한다.
상기 광 흡수제는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00022
상기 화학식 1에서, Ar은 파이렌, 크라이센, 또는 안트라센이고, Y는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 하기 구조식들 중 어느 하나로 표시되고,
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
X는 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시된다:
[화학식 2-1] [화학식 2-2] [화학식 2-3]
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
상기 광 흡수제는 상기 컬러 필터층에 더 배치될 수 있다.
상기 컬러 필터층은 각 화소마다 배치되고, 인접 화소의 경계에서 이격되어 배치되며, 상기 인접 화소의 경계에는 상기 터치 부재 상의 차광층이 더 배치될 수 있다.
상기 터치 부재는 제1 터치 도전층, 상기 제1 터치 도전층 상에 배치된 제1 터치 절연층, 상기 제1 터치 절연층 상에 배치된 제2 터치 도전층, 및 상기 제2 터치 도전층 상에 배치된 터치 유기층을 포함하고, 상기 광 흡수제는 상기 제1 터치 절연층 및/또는 상기 터치 유기층에 더 배치될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자 상에 배치되어 상기 발광 소자를 봉지하는 박막 봉지층; 상기 박막 봉지층 상에 배치된 터치 부재; 및 상기 터치 부재 상에 배치된 광학 부재를 포함하고, 상기 터치 부재는 제1 터치 도전층, 상기 제1 터치 도전층 상에 배치된 제1 터치 절연층, 상기 제1 터치 절연층 상에 배치된 제2 터치 도전층, 및 상기 제2 터치 도전층 상에 배치된 터치 유기층을 포함하고, 상기 광 흡수제는 상기 제1 터치 절연층 및/또는 상기 터치 유기층에 배치되고, 상기 광 흡수제는 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00030
상기 화학식 1에서, Ar은 파이렌, 크라이센, 또는 안트라센이고, Y는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 하기 구조식들 중 어느 하나로 표시되고,
Figure pat00031
Figure pat00032
Figure pat00033
Figure pat00034
X는 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시된다:
[화학식 2-1] [화학식 2-2] [화학식 2-3]
Figure pat00035
Figure pat00036
Figure pat00037
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1] [화학식 1-2] [화학식 1-3]
Figure pat00038
Figure pat00039
Figure pat00040
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-4 내지 1-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-4] [화학식 1-5] [화학식 1-6]
Figure pat00041
Figure pat00042
Figure pat00043
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-7 내지 1-9 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-7] [화학식 1-8] [화학식 1-9]
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 발광 소자 특성 저하를 방지할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 부분 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 패널의 예시적인 적층 구조를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 터치 부재의 개략적인 평면 배치도이다.
도 5는 도 4의 터치 영역의 부분 확대도이다.
도 6는 도 5의 Ⅵ-Ⅵ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시부의 화소와 터치 부재의 메쉬형 패턴의 상대적인 배치 관계를 나타낸 배치도이다.
도 8은 도 7의 VIII-VIII' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 광 흡수제의 파장에 따른 흡광도를 보여주는 그래프이다.
도 10은 오버 코트층에서의 광 흡수제 함량에 따른 발광 소자의 화이트(White) 휘도 변화율을 나타낸 그래프이다.
도 11은 오버 코트층에서의 광 흡수제 함량에 따른 파장의 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 12 내지 도 17은 광 흡수제를 포함하지 않는 오버 코트층과 광 흡수제를 포함하는 오버 코트층의 적색, 녹색, 및 청색 파장 범위의 투과율을 보여주는 그래프들이다.
도 18은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 20은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 21은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 부분 단면도이다.
실시예들에서, 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)은 서로 다른 방향으로 상호 교차한다. 도 1의 평면도에서는 설명의 편의상 세로 방향인 제1 방향(DR1)과 가로 방향인 제2 방향(DR2)이 정의되어 있다. 이하의 실시예들에서 제1 방향(DR1) 일측은 평면도상 상측 방향을, 제1 방향(DR1) 타측은 평면도상 하측 방향을, 제2 방향(DR2) 일측은 평면도상 우측 방향을 제2 방향(DR2) 타측은 평면도상 좌측 방향을 각각 지칭하는 것으로 한다. 다만, 실시예에서 언급하는 방향은 상대적인 방향을 언급한 것으로 이해되어야 하며, 실시예는 언급한 방향에 한정되지 않는다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치, 워치 폰, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, 게임기, 디지털 카메라 등과 같은 휴대용 전자 기기 뿐만 아니라 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷 등이 표시 장치(1)에 포함될 수 있다.
표시 장치(1)는 활성 영역(AAR)과 비활성 영역(NAR)을 포함한다. 표시 장치(1)에서, 화면을 표시하는 부분을 표시 영역으로, 화면을 표시하지 않는 부분을 비표시 영역으로 정의하고, 터치 입력의 감지가 이루어지는 영역을 터치 영역으로 정의하면, 표시 영역과 터치 영역은 활성 영역(AAR)에 포함될 수 있다. 표시 영역과 터치 영역은 중첩할 수 있다. 즉, 활성 영역(AAR)은 표시도 이루어지고 터치 입력의 감지도 이루어지는 영역일 수 있다. 활성 영역(AAR)의 형상은 직사각형 또는 모서리가 둥근 직사각형일 수 있다. 예시된 활성 영역(AAR)의 형상은 모서리가 둥글고 제1 방향(DR1)이 제2 방향(DR2)보다 긴 직사각형이다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 활성 영역(AAR)은 제2 방향(DR2)이 제1 방향(DR1)보다 긴 직사각형 형상, 정사각형이나 기타 다각형 또는 원형, 타원형 등과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다.
비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)의 주변에 배치된다. 비활성 영역(NAR)은 베젤 영역일 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)의 모든 변(도면에서 4변)을 둘러쌀 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니며, 예컨대 활성 영역(AAR)의 상측변 부근이나, 좌우 측변 부근에는 비활성 영역(NAR)이 배치되지 않을 수도 있다.
비활성 영역(NAR)에는 활성 영역(AAR)(표시 영역이나 터치 영역)에 신호를 인가하기 위한 신호 배선이나 구동 회로들이 배치될 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 표시 영역을 포함하지 않을 수 있다. 나아가, 비활성 영역(NAR)은 터치 영역을 포함하지 않을 수 있다. 다른 실시예에서, 비활성 영역(NAR)은 일부의 터치 영역을 포함할 수도 있고, 해당 영역에 압력 센서 등과 같은 센서 부재가 배치될 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 활성 영역(AAR)은 화면이 표시되는 표시 영역과 완전히 동일한 영역이 되고, 비활성 영역(NAR)은 화면이 표시되지 않는 비표시 영역과 완전히 동일한 영역이 될 수 있다.
표시 장치(1)는 표시 화면을 제공하는 표시 패널(10)을 포함한다. 표시 패널(10)의 예로는 유기발광 표시 패널, 마이크로 LED 표시 패널, 나노 LED 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 액정 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널, 전기영동 표시 패널, 전기습윤 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널(10)의 일 예로서, 유기발광 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다.
표시 패널(10)은 복수의 화소를 포함할 수 있다. 복수의 화소는 행렬 방향으로 배열될 수 있다. 각 화소의 형상은 평면상 직사각형 또는 정사각형일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고 각 변이 제1 방향(DR1)에 대해 기울어진 마름모 형상일 수도 있다. 각 화소는 발광 영역을 포함할 수 있다. 각 발광 영역은 화소의 형상과 동일할 수도 있지만, 상이할 수도 있다. 예를 들어, 화소의 형상이 직사각형 형상인 경우, 해당 화소의 발광 영역의 형상은 직사각형, 마름모, 육각형, 팔각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 각 화소 및 발광 영역에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다.
표시 장치(1)는 터치 입력을 감지하는 터치 부재를 더 포함할 수 있다. 터치 부재는 표시 패널(10)과 별도의 패널이나 필름으로 제공되어 표시 패널(10) 상에 부착될 수도 있지만, 표시 패널(10) 내부에 터치층의 형태로 제공될 수도 있다. 이하의 실시예에서는 터치 부재가 표시 패널 내부에 마련되어 표시 패널(10)에 포함되는 경우를 예시하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
표시 패널(10)은 폴리이미드 등과 같은 가요성 고분자 물질을 포함하는 플렉시블 기판을 포함할 수 있다. 그에 따라, 표시 패널(10)은 휘어지거나, 절곡되거나, 접히거나, 말릴 수 있다.
표시 패널(10)은 패널이 벤딩되는 영역인 벤딩 영역(BR)을 포함할 수 있다. 벤딩 영역(BR)을 중심으로 표시 패널(10)은 벤딩 영역(BR)의 일측에 위치하는 메인 영역(MR)과 벤딩 영역(BR)의 타측에 위치하는 서브 영역(SR)으로 구분될 수 있다.
표시 패널(10)의 표시 영역은 메인 영역(MR) 내에 배치된다. 일 실시예에서 메인 영역(MR)에서 표시 영역의 주변 에지 부분, 벤딩 영역(BR) 전체 및 서브 영역(SR) 전체가 비표시 영역이 될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 벤딩 영역(BR) 및/또는 서브 영역(SR)도 표시 영역을 포함할 수도 있다.
메인 영역(MR)은 대체로 표시 장치(1)의 평면상 외형과 유사한 형상을 가질 수 있다. 메인 영역(MR)은 일 평면에 위치한 평탄 영역일 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 메인 영역(MR)에서 벤딩 영역(BR)과 연결된 에지(변)를 제외한 나머지 에지들 중 적어도 하나의 에지가 휘어져 곡면을 이루거나 수직 방향으로 절곡될 수도 있다.
메인 영역(MR)에서 벤딩 영역(BR)과 연결된 에지(변)를 제외한 나머지 에지들 중 적어도 하나의 에지가 곡면을 이루거나 절곡되어 있는 경우, 해당 에지에도 표시 영역이 배치될 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고 곡면 또는 절곡된 에지는 화면을 표시하지 않는 비표시 영역이 되거나, 해당 부위에 표시 영역과 비표시 영역이 혼재될 수도 있다.
벤딩 영역(BR)은 메인 영역(MR)의 제1 방향(DR1) 일측에 연결된다. 예를 들어, 벤딩 영역(BR)은 메인 영역(MR)의 하측 단변을 통해 연결될 수 있다. 벤딩 영역(BR)의 폭은 메인 영역(MR)의 폭(단변의 폭)보다 작을 수 있다. 메인 영역(MR)과 벤딩 영역(BR)의 연결부는 L자 커팅 형상을 가질 수 있다.
벤딩 영역(BR)에서 표시 패널(10)은 두께 방향으로 하측 방향, 다시 말하면 표시면의 반대 방향으로 곡률을 가지고 벤딩될 수 있다. 벤딩 영역(BR)은 일정한 곡률 반경은 가질 수 있지만, 이에 제한되지 않고 구간별로 다른 곡률 반경을 가질 수도 있다. 표시 패널(10)이 벤딩 영역(BR)에서 벤딩됨에 따라 표시 패널(10)의 면이 반전될 수 있다. 즉, 상부를 항하는 표시 패널(10)의 일면이 벤딩 영역(BR)을 통해 외측을 항하였다가 다시 하부를 향하도록 변경될 수 있다.
서브 영역(SR)은 벤딩 영역(BR)으로부터 연장된다. 서브 영역(SR)은 벤딩이 완료된 이후부터 시작하여 메인 영역(MR)과 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 서브 영역(SR)은 표시 패널(10)의 두께 방향으로 메인 영역(MR)과 중첩할 수 있다. 서브 영역(SR)의 폭(제2 방향(DR2)의 폭)은 벤딩 영역(BR)의 폭과 동일할 수 있지만 이에 제한되는 것은 아니다.
서브 영역(SR)에는 구동칩(IC)이 배치될 수 있다. 구동칩(IC)은 표시 패널(10)을 구동하는 집적 회로를 포함할 수 있다. 상기 집적 회로는 디스플레이용 집적 회로 및/또는 터치 유닛용 집적 회로를 포함할 수 있다. 디스플레이용 집적 회로와 터치 유닛용 집적 회로는 별도의 칩으로 제공될 수도 있고, 하나의 칩에 통합되어 제공될 수도 있다.
표시 패널(10)의 서브 영역(SR) 단부에는 패드부가 배치될 수 있다. 패드부는 복수의 디스플레이 신호 배선 패드 및 터치 신호 배선 패드를 포함할 수 있다. 표시 패널(10)의 서브 영역(SR) 단부의 패드부에는 구동 기판(FPC)이 연결될 수 있다. 구동 기판(FPC)은 연성 인쇄회로기판이나 필름일 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 패널의 예시적인 적층 구조를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(10)은 기판(SUB) 상에 배치된 회로 구동층(DRL)을 포함할 수 있다. 회로 구동층(DRL)은 화소의 발광층(175)을 구동하는 회로를 포함할 수 있다. 회로 구동층(DRL)은 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
회로 구동층(DRL) 상부에는 발광층(175)이 배치될 수 있다. 발광층(175)은 유기 발광층을 포함할 수 있다. 발광층(175)은 회로 구동층(DRL)에서 전달하는 구동 신호에 따라 다양한 휘도로 발광할 수 있다.
발광층(175) 상부에는 봉지층(ENL)이 배치될 수 있다. 봉지층(ENL)은 무기막 또는 무기막과 유기막의 적층막을 포함할 수 있다. 다른 예로 봉지층(ENL)으로 글래스나 봉지 필름 등이 적용될 수도 있다.
봉지층(ENL) 상부에는 터치층(TSL)이 배치될 수 있다. 터치층(TSL)은 터치 입력을 인지하는 층으로서, 터치 부재의 기능을 수행할 수 있다. 터치층(TSL)은 복수의 감지 영역과 감지 전극들을 포함할 수 있다.
터치층(TSL) 상부에는 컬러 필터층(CFL)이 배치될 수 있다. 컬러 필터층(CFL)은 적색 파장 범위의 광을 투과하고, 나머지 파장 범위의 광을 흡수하여 차단하는 적색 컬러 필터, 녹색 파장 범위의 광을 투과하고, 나머지 파장 범위의 광을 흡수하여 차단하는 녹색 컬러 필터, 및 청색 파장 범위의 광을 투과하고, 나머지 파장 범위의 광을 흡수하여 차단하는 청색 컬러 필터를 포함할 수 있다. 컬러 필터층(CFL)은 색 순도를 개선할뿐만 아니라, 경우에 따라 외광 반사를 줄이는 역할을 할 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 터치 부재의 개략적인 평면 배치도이고, 도 5는 도 4의 터치 영역의 부분 확대도이고, 도 6는 도 5의 Ⅵ-Ⅵ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 터치 부재는 활성 영역(AAR)에 위치하는 터치 영역과 비활성 영역(NAR)에 위치하는 비터치 영역을 포함할 수 있다. 도 4에서는 설명의 편의상 터치 부재의 전반적인 형상을 단순화하고, 비터치 영역을 상대적으로 넓게 도시하였지만, 터치 영역의 형상과 비터치 영역의 형상은 상술한 활성 영역(AAR) 및 비활성 영역(NAR)의 형상과 실질적으로 동일할 수 있다.
터치 부재의 터치 영역은 복수의 제1 감지 전극(IE1)(또는 제1 터치 전극) 및 복수의 제2 감지 전극(IE2)(또는 제2 터치 전극)을 포함할 수 있다. 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2) 중 어느 하나는 구동 전극이고, 다른 하나는 센싱 전극일 수 있다. 본 실시예에서는 제1 감지 전극(IE1)이 구동 전극이고, 제2 감지 전극(IE2)이 센싱 전극인 경우를 예시한다.
제1 감지 전극(IE1)은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 제1 감지 전극(IE1)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 복수의 제1 센서부(SP1) 및 인접한 제1 센서부(SP1)를 전기적으로 연결하는 제1 연결부(CP1)를 포함할 수 있다.
복수의 제1 감지 전극(IE1)은 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다.
제2 감지 전극(IE2)은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 감지 전극(IE2)은 제2 방향(DR2)으로 배열된 복수의 제2 센서부(SP2) 및 인접한 제2 센서부(SP2)를 전기적으로 연결하는 제2 연결부(CP2)를 포함할 수 있다. 복수의 제2 감지 전극(IE2)은 제1 방향(DR1)으로 배열될 수 있다.
도면에서는 4개의 제1 감지 전극(IE1)과 6개의 제2 감지 전극(IE2)이 배열된 경우를 예시하고 있지만, 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)의 수가 상기 예시된 바에 제한되지 않음은 자명하다.
적어도 일부의 제1 센서부(SP1) 및 제2 센서부(SP2)는 마름모 형상일 수 있다. 몇몇 제1 센서부(SP1) 및 제2 센서부(SP2)는 마름모 형상으로부터 잘린 도형 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 연장 방향 양 단부를 제외한 제1 센서부(SP1)들 및 제2 센서부(SP2)들은 모두 마름모 형상이고, 연장 방향 양 단부에 위치하는 제1 센서부(SP1)들 및 제2 센서부(SP2)들은 각각 마름모를 절반으로 절단한 삼각형 형상일 수 있다. 마름모 형상의 제1 센서부(SP1)들과 마름모 형상의 제2 센서부(SP2)들은 그 크기 및 형상이 실질적으로 서로 동일할 수 있다. 삼각형 형상의 제1 센서부(SP1)들과 삼각형 형상의 제2 센서부(SP2)들은 그 크기 및 형상이 실질적으로 서로 동일할 수 있다. 그러나, 실시예가 상기 예시된 것에 제한되는 것은 아니고, 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)의 형상 및 크기는 다양하게 변형 가능하다.
제1 감지 전극(IE1)의 제1 센서부(SP1)와 제2 감지 전극(IE2)의 제2 센서부(SP2)는 각각 면형 패턴 또는 메쉬형 패턴을 포함하여 이루어질 수 있다. 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)가 면형 패턴을 포함하여 이루어진 경우, 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)는 투명한 도전층으로 이루어질 수 있다. 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)가 도 5 및 도 7 등에 예시된 바와 같이 비발광 영역을 따라 배치된 메쉬형 패턴을 포함하여 이루어진 경우, 불투명한 저저항 금속을 적용하더라도 발광된 빛의 진행을 방해하지 않을 수 있다. 이하에서는 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)가 각각 메쉬형 패턴을 포함하여 이루어진 경우를 예로 하여 설명하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 연결부(CP1)는 이웃하는 제1 센서부(SP1)들의 마름모 또는 삼각형의 모서리 부위를 연결할 수 있다. 제2 연결부(CP2)는 이웃하는 제2 센서부(SP2)들의 마름모 또는 삼각형의 모서리 부위를 연결할 수 있다. 제1 연결부(CP1)와 제2 연결부(CP2)의 폭은 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)의 폭보다 작을 수 있다.
제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)은 절연되어 교차할 수 있다. 서로 교차하는 영역에서 다른 층에 위치하는 도전층을 통해 연결됨으로써 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2) 간 절연을 확보할 수 있다. 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)의 절연 교차는 제1 연결부(CP1) 및/또는 제2 연결부(CP2)에 의해 이루어질 수 있다. 절연 교차를 위해 제1 연결부(CP1)와 제2 연결부(CP2) 중 적어도 하나는 제1 감지 전극(IE1) 및 제2 감지 전극(IE2)과 다른 층에 위치할 수 있다.
일 예로 제1 감지 전극(IE1)의 제1 센서부(SP1)와 제2 감지 전극(IE2)의 제2 센서부(SP2)는 동일한 층에 위치하는 도전층으로 이루어지고, 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2) 자체는 서로 교차하거나 중첩하지 않을 수 있다. 인접한 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)는 물리적으로 상호 이격될 수 있다.
제2 연결부(CP2)는 제2 센서부(SP2)와 동일한 도전층으로 이루어져 인접한 제2 센서부(SP2)를 연결할 수 있다. 제2 연결부(CP2)가 지나는 영역을 중심으로 제1 감지 전극(IE1)의 인접한 제1 센서부(SP1)들은 물리적으로 이격된다. 제1 센서부(SP1)들을 연결하는 제1 연결부(CP1)는 제1 센서부(SP1)와 다른 도전층으로 이루어져 제2 감지 전극(IE2)의 영역을 가로지를 수 있다. 제1 연결부(CP1)는 컨택을 통해 인접한 각 제1 센서부(SP1)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 연결부(CP1)는 복수개일 수 있다. 예를 들어, 이에 제한되는 것은 아니지만, 제1 연결부(CP1)는 인접한 일측의 제2 감지 전극(IE2)을 중첩하여 지나는 하나의 제1 연결부(CP1_1)와 인접한 타측의 제2 감지 전극(IE2)을 중첩하여 지나는 다른 하나의 제1 연결부(CP1_2)를 포함할 수 있다. 인접한 2개의 제1 센서부(SP1)를 연결하는 제1 연결부(CP1)가 복수개 마련되면 어느 하나가 정전기 등에 의해 단선되더라도 해당 제1 감지 전극(IE1)의 단선이 방지될 수 있다.
서로 인접한 제1 센서부(SP1)들과 제2 센서부(SP2)들은 단위 감지 영역(SUT)을 구성할 수 있다(도 5 참조). 예를 들어, 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)이 교차하는 영역을 중심으로 인접한 2개의 제1 센서부(SP1)의 절반과 인접한 2개의 제2 센서부(SP2)의 절반은 하나의 정사각형 또는 직사각형을 구성할 수 있다. 이와 같이 인접한 2개의 제1 센서부(SP1) 및 제2 센서부(SP2)의 절반 영역에 의해 정의된 영역은 하나의 단위 감지 영역(SUT)이 될 수 있다. 복수의 단위 감지 영역(SUT)은 행열 방향으로 배열될 수 있다.
각 단위 감지 영역(SUT)에서는 인접한 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)들 사이의 커패시턴스 값을 측정함으로써, 터치 입력 여부를 판단하고, 해당 위치를 터치 입력 좌표로 산출할 수 있다. 터치 감지는 뮤추얼 캡 방식으로 이루어질 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
각 단위 감지 영역(SUT)은 화소의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 단위 감지 영역(SUT)은 복수개의 화소에 대응할 수 있다. 단위 감지 영역(SUT)의 한 변의 길이는 4~5mm의 범위일 수 있지만 이에 제한되는 것은 아니다.
터치 영역의 외측인 비활성 영역(NAR)에는 복수의 터치 신호 배선이 배치된다. 터치 신호 배선은 서브 영역(SR)에 위치하는 터치 패드부(TPA1, TPA2)로부터 벤딩 영역(BR)을 거쳐 메인 영역(MR)의 비활성 영역(NAR)으로 연장될 수 있다.
복수의 터치 신호 배선은 복수의 터치 구동 배선(TX) 및 복수의 터치 센싱 배선(RX)을 포함한다. 일 실시예에서, 복수의 터치 신호 배선은 터치 접지 배선(G) 및/또는 터치 정전기 방지 배선(ES)을 더 포함할 수 있다.
터치 구동 배선(TX)은 제1 감지 전극(IE1)과 연결된다. 일 실시예에서, 하나의 제1 감지 전극(IE1)에는 복수의 터치 구동 배선이 연결될 수 있다. 예를 들어, 터치 구동 배선은 제1 감지 전극(IE1)의 하측 단부에 연결되는 제1 터치 구동 배선(TX1_1, TX2_1, TX3_1, TX4_1) 및 제1 감지 전극(IE1)의 상측 단부에 연결되는 제2 터치 구동 배선(TX1_2, TX2_2, TX3_2, TX4_2)을 포함할 수 있다. 제1 터치 구동 배선(TX1_1, TX2_1, TX3_1, TX4_1)은 터치 신호 배선 패드부(TPA1)로부터 제1 방향(DR1) 일측으로 연장되어 제1 감지 전극(IE1)의 하측 단부와 연결될 수 있다. 제2 터치 구동 배선(TX1_2, TX2_2, TX3_2, TX4_2)은 터치 신호 배선 패드부(TPA1)로부터 제1 방향(DR1) 일측으로 연장되고 터치 영역의 좌측 에지를 우회하여 제1 감지 전극(IE1)의 상측 단부와 연결될 수 있다.
터치 센싱 배선(RX)은 제2 감지 전극(IE2)과 연결된다. 일 실시예에서, 하나의 제2 감지 전극(IE2)에는 하나의 터치 센싱 배선(RX)이 연결될 수 있다. 각 터치 센싱 배선(RX1, RX2, RX3, RX4, RX5, RX6)은 터치 신호 배선 패드부(TPA2)로부터 제1 방향(DR1) 일측으로 연장되고 터치 영역의 우측 에지 측으로 연장하여 제2 감지 전극(IE2)의 우측 단부와 연결될 수 있다.
터치 신호 배선의 최외곽부에는 터치 정전기 방지 배선(ES)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 터치 정전기 방지 배선은 제1 터치 정전기 방지 배선(ES1), 제2 터치 정전기 방지 배선(ES2), 제3 터치 정전기 방지 배선(ES3), 및 제4 터치 정전기 방지 배선(ES4)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 터치 정전기 방지 배선(ES)은 터치 영역 및 신호 배선들을 링 형상으로 둘러쌀 수 있다.
제1 터치 정전기 방지 배선(ES1)은 우측에 위치하는 터치 신호 배선의 외측에서 커버할 수 있다. 제2 터치 정전기 방지 배선(ES2)은 우측에 위치하는 터치 신호 배선의 내측을 커버할 수 있다. 제3 터치 정전기 방지 배선(ES3)은 좌측에 위치하는 터치 신호 배선의 내측 및 터치 영역의 하측에서 제2 방향(DR2)으로 연장되는 터치 신호 배선의 외측을 커버할 수 있다. 제4 터치 정전기 방지 배선(ES4)은 좌측에 위치하는 터치 신호 배선의 외측 및 터치 영역의 상측에서 제2 방향(DR2)으로 연장되는 터치 신호 배선의 외측을 커버할 수 있다.
터치 접지 배선(G)은 신호 배선들 사이에 배치될 수 있다. 터치 접지 배선(G)은 제1 터치 접지 배선(G1), 제2 터치 접지 배선(G2), 제3 터치 접지 배선(G3), 제4 터치 접지 배선(G4) 및 제5 터치 접지 배선(G5)을 포함할 수 있다. 제1 터치 접지 배선(G1)은 터치 센싱 배선(RX)과 제1 터치 정전기 방지 배선(ES1) 사이에 배치될 수 있다. 제2 터치 접지 배선(G2)은 제2 터치 정전기 방지 배선(ES)과 터치 센싱 배선(RX) 사이에 배치될 수 있다. 제3 터치 접지 배선(G3)은 제1 터치 구동 배선(TX_1)과 제3 터치 정전기 방지 배선(ES3) 사이에 배치될 수 있다. 제4 터치 접지 배선(G4)은 제1 터치 구동 배선(TX_1)과 제2 터치 구동 배선(TX_2) 사이에 배치될 수 있다. 제5 터치 접지 배선(G5)은 제2 터치 구동 배선(TX_2)과 제4 터치 정전기 방지 배선(ES4) 사이에 배치될 수 있다.
상기한 터치 부재의 적층 구조를 설명하면, 상기 터치 부재는 베이스층(205), 베이스층(205) 상의 제1 터치 도전층(210), 제1 터치 도전층(210) 상의 제1 터치 절연층(215), 제1 터치 절연층(215) 상의 제2 터치 도전층(220) 및 제2 터치 도전층(220)을 덮는 제2 터치 절연층(230)을 포함할 수 있다.
구체적으로 설명하면, 베이스층(205) 상에는 제1 터치 도전층(210)이 배치된다. 제1 터치 도전층(210)은 제1 터치 절연층(215)에 의해 덮인다. 제1 터치 절연층(215)은 제1 터치 도전층(210)과 제2 터치 도전층(220)을 절연한다. 제1 터치 절연층(215) 상에는 제2 터치 도전층(220)이 배치된다. 제2 터치 절연층(230)은 제2 터치 도전층(220)을 덮어 보호할 수 있다.
베이스층(205)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스층(205)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄 옥사이드층, 또는 알루미늄 옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 베이스층(205)은 후술하는 박막 봉지층을 구성하는 제2 무기막(193)으로 대체될 수도 있다.
제1 터치 도전층(210) 및 제2 터치 도전층(220)은 각각 금속이나 투명 도전층을 포함할 수 있다. 상기 금속은 알루미늄, 티타늄, 구리, 몰리브덴, 은 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 상기 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물이나, PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다. 상술한 것처럼, 제1 터치 도전층(210)과 제2 터치 도전층(220)이 비발광 영역 상에 배치되는 경우, 저저항의 불투명 금속으로 이루어지더라도 발광된 빛의 진행을 방해하지 않을 수 있다.
제1 터치 도전층(210) 및/또는 제2 터치 도전층(220)은 다층 구조의 도전층을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제1 터치 도전층(210) 및/또는 제2 터치 도전층(220)은 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상술한 제1 연결부(CP1)는 제1 터치 도전층(210)으로 이루어지고, 제1 센서부(SP1), 제2 센서부(SP2) 및 제2 연결부(CP2)는 제2 터치 도전층(220)으로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 예시된 바와 반대로 제1 연결부(CP1)가 제2 터치 도전층(220)으로 이루어지고, 센서부(SP1, SP2)와 제2 연결부(CP2)가 제1 터치 도전층(210)으로 이루어질 수도 있다. 터치 신호 배선은 제1 터치 도전층(210)으로 이루어지거나, 제2 터치 도전층(220)으로 이루어질 수 있고, 컨택으로 연결된 제1 터치 도전층(210)과 제2 터치 도전층(220)으로 이루어질 수도 있다. 기타, 감지 전극이나 신호 배선의 각 부재를 구성하는 터치 도전층은 다양하게 변형 가능하다.
제1 터치 절연층(215)과 제2 터치 절연층(230)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 터치 절연층(215)과 제2 터치 절연층(230) 중 어느 하나는 무기 물질을 포함하고, 다른 하나는 유기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 터치 절연층(215)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄 옥사이드층, 또는 알루미늄 옥사이드층 등을 포함하고, 제2 터치 절연층(230)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 터치 절연층(215)은 컨택홀(CNT_T)을 포함할 수 있다. 컨택홀(CNT_T)을 통해 제1 터치 도전층(210)(예컨대 제1 연결부(CP1))과 제2 터치 도전층(220)의 일부(예컨대, 제1 센서부(SP1))가 전기적으로 연결될 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시부의 화소와 터치 부재의 메쉬형 패턴의 상대적인 배치 관계를 나타낸 배치도이다.
도 7을 참조하면, 활성 영역(AAR)의 표시 영역은 복수의 화소를 포함한다. 각 화소는 발광 영역(EMA)을 포함한다. 발광 영역(EMA)은 뱅크층(126)의 개구부와 중첩하며, 그에 의해 정의될 수 있다. 각 화소의 발광 영역(EMA) 사이에는 비발광 영역(NEM)이 배치된다. 비발광 영역(NEM)은 뱅크층(126)과 중첩하며, 그에 의해 정의될 수 있다. 비발광 영역(NEM)은 발광 영역(EMA)을 둘러쌀 수 있다. 비발광 영역(NEM)은 평면도상 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하는 대각선 방향을 따라 배치된 격자 형상 또는 메쉬 형상을 갖는다. 메쉬형 패턴(MSP)은 비발광 영역(NEM)에 배치된다.
화소는 제1 색 화소(예컨대, 적색 화소), 제2 색 화소(예컨대, 청색 화소) 및 제3 색 화소(예컨대, 녹색 화소)를 포함할 수 있다. 상기 제1 색은 통상적으로 적색으로 시인되는 약 640nm 내지 약 750nm 범위의 파장 범위를 갖고, 상기 제2 색은 통상적으로 녹색으로 시인되는 약 492nm 내지 약 600nm 범위의 파장 범위를 갖고, 상기 제3 색은 통상적으로 청색으로 시인되는 약 450nm 내지 약 480nm 범위의 파장 범위를 가질 수 있다.
각 색 화소의 발광 영역(EMA)의 형상은 대체로 팔각형 또는 모서리가 둥근 사각형이나 마름모 형상일 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 각 발광 영역(EMA)의 형상은 원형, 마름모나 기타 다른 다각형, 모서리가 둥근 다각형 등일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 색 화소의 발광 영역(EMA_R)의 형상과 제2 색 화소의 발광 영역(EMA_B)의 형상은 각각 모서리가 둥근 마름모 형상으로 서로 유사한 형상을 가질 수 있다. 제2 색 화소의 발광 영역(EMA_B)은 제1 색 화소의 발광 영역(EMA_R)보다 클 수 있다.
제3 색 화소의 발광 영역(EMA_G)은 제1 색 화소의 발광 영역(EMA_R)의 크기보다 작을 수 있다. 제3 색 화소의 발광 영역(EMA_G)은 대각선 방향으로 기울어지고, 기울어진 방향으로 최대 폭을 갖는 팔각형 형상을 가질 수 있다. 제3 색 화소는 발광 영역(EMA_G1)이 제1 대각선 방향으로 기울어진 제3 색 화소와 발광 영역(EMA_G2)이 제2 대각선 방향으로 기울어진 제3 색 화소를 포함할 수 있다.
각 색 화소는 다양한 방식으로 배열될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 방향(DR2)을 따라 제1 행을 이루며 제1 색 화소(예컨대, 적색 화소)와 제2 색 화소(예컨대, 청색 화소)가 교대 배열되고, 그에 인접하는 제2 행은 제2 방향(DR2)을 따라 제3 색 화소(예컨대, 녹색 화소)가 배열될 수 있다. 제2 행에 속하는 화소(제3 색 화소)는 제1 행에 속하는 화소에 대해 제2 방향(DR2)으로 엇갈려 배치될 수 있다. 제2 행에서, 제1 대각선 방향으로 기울어진 제3 색 화소와 제2 대각선 방향으로 기울어진 제3 색 화소(EMA_G1 참조)는 제2 방향(DR2)을 따라 교대 배열될 수 있다. 제2 행에 속하는 제3 색 화소의 개수는 제1 행에 속하는 제1 색 화소 또는 제2 색 화소의 개수의 2배일 수 있다.
제3 행은 제1 행과 동일한 색 화소들의 배열을 갖지만, 배열 순서는 반대일 수 있다. 즉, 제1 행의 제1 색 화소와 동일 열에 속하는 제3 행에는 제2 색 화소가 배치되고, 제1 행의 제2 색 화소와 동일 열에 속하는 제3 행에는 제1 색 화소가 배치될 수 있다. 제4 행은 제2 행과 동일하게 제3 색 화소의 배열을 갖지만, 대각선 방향에 기울어진 형상을 기준으로 보면 그 배열 순서가 반대일 수 있다. 즉, 제2 행의 제1 대각선 방향으로 기울어진 제3 색 화소와 동일 열에 속하는 제4 행에는 제2 대각선 방향으로 기울어진 제3 색 화소가 배치되고, 제2 행의 제2 대각선 방향으로 기울어진 제3 색 화소와 동일 열에 속하는 제4 행에는 제1 대각선 방향으로 기울어진 제3 색 화소가 배치될 수 있다.
상기 제1 행 내지 제4 행의 배열은 제1 방향(DR1)을 따라 반복될 수 있다. 그러나, 화소의 배열이 상기 예시한 바에 제한되지 않음은 물론이다.
메쉬형 패턴(MSP)은 비발광 영역(NEM)에서 화소의 경계를 따라 배치될 수 있다. 메쉬형 패턴(MSP)은 발광 영역(EMA)과는 비중첩할 수 있다. 메쉬형 패턴(MSP)의 폭은 비발광 영역(NEM)의 폭보다 작을 있다. 일 실시예에서, 메쉬형 패턴(MSP)이 노출하는 메쉬홀(MHL)은 실질적인 마름모 형상일 수 있다. 각 메쉬홀(MHL)의 크기는 동일할 수도 있지만, 해당 메쉬홀(MHL)이 노출하는 발광 영역(EMA)의 크기에 따라 상이할 수도 있고, 그와 무관하게 상이할 수도 있다. 도면에서는 하나의 메쉬홀(MHL)이 하나의 발광 영역(EMA)에 대응된 경우가 예시되어 있지만, 이에 제한되는 것은 아니며, 하나의 메쉬홀(MHL)이 2 이상의 발광 영역(EMA)에 대응될 수도 있다.
도 8은 도 7의 VIII-VIII' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 8의 단면도에서는 애노드 전극(170) 하부의 층들은 대부분 생략하고 유기 발광 소자 상부의 구조를 중심으로 도시하였다.
도 8을 참조하면, 표시 장치(1)의 기판(110)은 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 고분자 물질의 예로는 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene napthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terepthalate: PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate: CAT), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 기판(100)은 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉시블(flexible) 기판일 수 있다. 플렉시블 기판을 이루는 물질의 예로 폴리이미드(PI)를 들 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(110) 상에는 애노드 전극(170)이 배치된다. 도면에서는 설명의 편의상 기판(110)의 바로 위에 애노드 전극(170)이 배치된 경우를 도시하였지만, 당업계에 널리 알려진 바와 같이 기판(110)과 애노드 전극(170) 사이에는 복수의 박막 트랜지스터와 신호 배선이 배치될 수 있다.
애노드 전극(170)은 화소마다 배치된 화소 전극일 수 있다. 애노드 전극(170)은 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Induim Oxide: In2O3)의 일함수가 높은 물질층과 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 혼합물 등과 같은 반사성 물질층이 적층된 적층막 구조를 가질 수 있다. 일함수가 높은층이 반사성 물질층보다 위층에 배치되어 발광층(175)에 가깝게 배치될 수 있다. 애노드 전극(170)은 ITO/Mg, ITO/MgF, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO의 복수층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
기판(110) 상에는 뱅크층(126)이 배치될 수 있다. 뱅크층(126)은 애노드 전극(170) 상에 배치되며, 애노드 전극(170)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 뱅크층(126) 및 그 개구부에 의해 발광 영역(EMA)과 비발광 영역(NEM)이 구분될 수 있다. 뱅크층(126)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 뱅크층(126)은 무기 물질을 포함할 수도 있다.
뱅크층(126)이 노출하는 애노드 전극(170) 상에는 발광층이 배치된다. 발광층은 유기층(175)을 포함할 수 있다. 유기층(175)은 유기 발광층을 포함하며, 정공 주입/수송층 및/또는, 전자 주입/수송층을 더 포함할 수 있다.
각 발광층(175)이 발광하는 빛의 파장은 색 화소별로 발광 파장이 상이할 수도 있다. 예컨대, 발광층(175)은 제1 색 화소의 발광 영역(EMA_R)에 배치된 제1 색 발광층, 제2 색 화소의 발광 영역(EMA_B)에 배치된 제2 색 발광층, 및 제3 색 화소의 발광 영역(EMA_G)에 배치된 제3 색 발광층을 포함할 수 있다. 상기 제1 색 발광층은 적색 파장 범위의 광을 발광하고, 상기 제2 색 발광층은 청색 파장 범위의 광을 발광하고, 상기 제3 색 발광층은 녹색 파장 범위의 광을 발광할 수 있다.
한편, 각 발광층(175)은 외부 단파장 범위의 광(UV)에 노출되면 각 발광층(175)을 이루는 유기물이 손상될 수 있다. 본 명세서에서 단파장 범위의 광은 자외선 파장 범위, 또는 상기 자외선 파장 범위에 인접한 가시광선 파장 범위의 광을 지칭할 수 있다.
각 발광층(175)을 이루는 유기물이 손상되면 각 발광층(175)이 배치된 발광 영역(EMA_R, EMA_G, EMA_B)의 크기가 줄어들어, 표시 장치(1)의 전반적인 발광 효율이 감소할뿐만 아니라, 각 발광층(175)의 발광 효율이 서로 다르게 감소하면, 이상 색감이 발현될 수 있다. 따라서, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 발광층(175)의 상부층에 상기 외부 단파장 범위의 광을 흡수하는 광 흡수제를 더 배치함으로써 표시 장치(1)의 전반적인 발광 효율이 감소하는 것을 방지할 뿐만 아니라. 이상 색감 발현을 미연에 방지할 수 있다. 일 실시예에서는, 후술할 오버 코트층(260) 내에 상기 광 흡수제가 배치되어 각 발광층(175)에 조사되는 외부 단파장 범위의 광(UV)의 총량을 줄일 수 있다.
유기층(175) 상에는 캐소드 전극(180)이 배치될 수 있다. 캐소드 전극(180)은 화소의 구별없이 전면적으로 배치된 공통 전극일 수 있다. 애노드 전극(170), 유기층(175) 및 캐소드 전극(180)은 각각 유기 발광 소자를 구성할 수 있다.
캐소드 전극(180)은 유기층(175)과 접할 뿐만 아니라, 뱅크층(126)의 상면에도 접할 수 있다. 또한, 스페이서(127)가 형성된 영역에서 캐소드 전극(180)은 스페이서(127)의 표면과 접하고, 스페이서(127)의 표면을 덮을 수 있다. 캐소드 전극(180)은 하부 구조물의 단차를 반영하도록 하부 구조물에 대해 컨포말하게 형성될 수 있다.
캐소드 전극(180)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물 등)과 같은 일함수가 작은 물질층을 포함할 수 있다. 캐소드 전극(180)은 상기 일함수가 작은 물질층 상에 배치된 투명 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다.
캐소드 전극(180) 상부에는 제1 무기막(191), 유기막(192) 및 제2 무기막(193)을 포함하는 박막 봉지층(190)이 배치된다. 제1 무기막(191) 및 제2 무기막(193)은 각각 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 유기막(192)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
박막 봉지층(190) 상부에는 베이스층(205), 제1 터치 절연층(215), 제2 터치 도전층(220), 및 제2 터치 절연층(230)이 순차 배치될 수 있으며, 각 층에 대한 중복 설명은 생략한다. 도 8은 센서부를 절단한 단면도이므로, 해당 단면도에서 제1 터치 도전층(210)은 도시되어 있지 않다.
제2 터치 도전층(220)은 뱅크층(126)과 중첩 배치되고, 비발광 영역(NEM) 내에 배치될 수 있다. 제2 터치 도전층(220)은 센서부의 메쉬형 패턴(MSP)을 구성하며, 발광 영역(EMA)과 중첩하지 않기 때문에 발광을 방해하지 않고, 사용자에게 시인되지 않을 수 있다.
제2 터치 절연층(230) 상에는 차광 패턴(240)이 배치된다. 차광 패턴(240)은 외광 반사를 줄이고, 반사 색감을 좋게 하는 역할을 할 수 있다 차광 패턴(240)은 비발광 영역(NEM)에 배치된다. 차광 패턴(240)은 평면도 상 격자 형상 또는 메쉬 형상을 가질 수 있다. 차광 패턴(240), 터치 도전층(210, 220) 및 뱅크층(126)은 모두 비발광 영역(NEM)에 배치되며 두께 방향으로 중첩한다. 차광 패턴(240)의 폭은 뱅크층(126)의 폭보다 작거나 같고, 터치 도전층(210, 220)의 폭보다 클 수 있다. 차광 패턴(240)은 발광 영역(EMA)과는 비중첩할 수 있다.
차광 패턴(240) 상에는 컬러 필터층(250)이 배치될 수 있다. 컬러 필터층(250)은 각 상기 색 화소에서 해당하는 색이 아닌 다른 색의 빛이 방출되는 것을 차단하는 역할을 할 수 있다. 컬러 필터층(250)은 차광 패턴(240)의 개구부를 통해 노출되는 제2 터치 절연층(230)의 일면 상에 배치될 수 있다. 나아가, 컬러 필터층(250)은 인접한 차광 패턴(240) 상에도 일부 배치될 수 있다.
컬러 필터층(250)은 제2 색 화소에 배치되는 청색 컬러 필터층(250_B), 제1 색 화소에 배치되는 적색 컬러 필터층(250_R) 및 제3 색 화소에 배치되는 녹색 컬러 필터층(250_G)을 포함할 수 있다. 각 컬러 필터층(250)은 해당하는 색 파장 이외의 파장을 흡수하는 염료나 안료 같은 색료(colorant)를 포함할 수 있다. 청색 컬러 필터층(250_B)은 대체로 상기한 제2 색에 해당하는 파장 범위를 투과시키고, 상기 제2 색을 제외한 파장 범위의 광을 흡수할 수 있고, 적색 컬러 필터층(250_R)은 상기한 제1 색에 해당하는 파장 범위 이상의 광을 투과시킬 수 있다. 나아가, 적색 컬러 필터층(250_R)은 구성 물질에 따라 약 350nm 내지 약 380nm 파장 범위의 광을 더 투과시킬 수 있으나, 그 투과량은 상기한 제1 색에 해당하는 파장 범위의 광보다 현저히 작을 수 있다, 적색 컬러 필터층(250_R)은 상기한 상기 제1 색 파장 범위 이상의 광, 및 약 350nm 내지 약 380nm 파장 범위의 광을 제외하고 대체로 흡수할 수 있다. 녹색 컬러 필터층(250_G)은 대체로 상기한 제3 색을 투과시키고, 상기 제3 색을 제외한 파장 범위의 광을 흡수할 수 있다.
도면에서는 이웃하는 컬러 필터층(250)이 차광 패턴(240) 상에서 서로 이격되도록 배치된 경우를 예시하였지만, 이웃하는 컬러 필터층(250)은 차광 패턴(240) 상에서 상호 부분적으로 중첩할 수도 있다.
한편, 컬러 필터층(250)은 외부 단파장 범위의 광(UV)(예컨대, 자외선 파장 범위의 광)에 노출되면 컬러 필터층(250)이 손상될 수 있다. 더욱 구체적으로 설명하면, 외부 단파장 범위의 광(UV)에 컬러 필터층(250)이 노출되면 각각 적색 컬러 필터층(250_R)이 손상되어 적색 컬러 필터층(250_R)은 약 350nm 내지 약 380nm 파장 범위의 광을 손상 전 대비 더 투과시킬 수 있고, 청색 컬러 필터층(250_B)은 상기 제2 색에 해당하는 파장 범위의 광을 손상 전 대비 더 작게 투과시킬 수 있다.
다만, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 발광층(175)의 상부층에 상기 외부 단파장 범위의 광을 흡수하는 광 흡수제를 더 배치함으로써 상기한 컬러 필터층(250)의 손상을 미연에 방지할 수 있다.
차광 패턴(240) 및 컬러 필터층(250) 상에는 오버 코트층(260)이 배치된다. 오버 코트층(260)은 차광 패턴(240) 및 컬러 필터층(250)의 바로 위에 배치될 수 있다. 오버 코트층(260)은 차광 패턴(240) 및 컬러 필터층(250)을 덮어 보호하는 역할을 한다. 실시예에 따라 오버 코트층(260)은 표면을 평탄화하는 역할을 더 할 수 있다. 오버 코트층(260)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 유기 절연 물질의 예로는 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등을 들 수 있다.
오버 코트층(260)은 오버 코트층(260) 내에 분산되어 배치된 광 흡수제(UVA)를 더 포함할 수 있다.
본 명세서에서, "치환 또는 비치환된"은 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 실릴기, 붕소기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알케닐기, 아릴기 및 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 비페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.
본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-부타디에닐 아릴기, 스티레닐기, 스티릴비닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 60 이하, 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기, 섹시페닐기, 비페닐렌기, 트리페닐렌기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수도 있다. 플루오레닐기가 치환되는 경우의 예시는 하기와 같다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00047
Figure pat00048
Figure pat00049
Figure pat00050
본 명세서에서, 헤테로아릴기는 헤테로 원자로 O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다. 헤테로아릴기가 헤테로 원자를 2개 포함할 경우, 2개의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 60 이하, 2 이상 30 이하 또는 2 이상 20 이하이다. 헤테로아릴기는 단환식 헤테로아릴기 또는 다환식 헤테로아릴기일 수 있다. 다환식 헤테로아릴기는 예를 들어, 2환 또는 3환 구조를 갖는 것일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페녹사진기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, N-아릴카바졸기, N-헤테로아릴카바졸기, N-알킬카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 티에노티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트롤린기, 티아졸기, 이소옥사졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 페노티아진기, 디벤조실롤기 및 디벤조퓨란기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 실릴기는 알킬 실릴기 및 아릴 실릴기를 포함한다. 실릴기의 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 붕소기는 알킬 붕소기 및 아릴 붕소기를 포함한다. 붕소기의 예로는 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아미노기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 아미노기는 알킬 아미노기 및 아릴 아미노기를 포함할 수 있다. 아미노기의 예로는 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 페닐아미노기, 디페닐아미노기, 나프틸아미노기, 9-메틸-안트라세닐아미노기, 트리페닐아미노기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 포스핀 옥사이드기는 예를 들어 알킬기 및 아릴기 중 적어도 하나로 치환될 수 있다. 포스핀 옥사이드기의 예로는 페닐 포스핀 옥사이드기, 디페닐 포스핀 옥사이드기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서, 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 탄소수 1 내지 30일 수 있다.
본 명세서에서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 또는 1 이상 10 이하일 수 있다. 예를 들어, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 시클로헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서, 아크릴레이트의 탄소수는 1 이상 20 이하, 또는 1 이상 10 이하일 수 있다. 아크릴레이트의 알킬 부(moiety)는 치환 또는 비치환된 알킬기 또는 시클로알킬기일 수 있다.
일 실시예에 따른 광 흡수제(UVA)는 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00051
화학식 1에서, Ar은 파이렌(pyrene), 크라이센(chrysene), 또는 안트라센(anthracene)이다.
화학식 1에서, Y는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 아크릴레이트기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 벤조페논기(benzophenone), 치환 또는 비치환된 벤조에이트기(benzoate), 또는 치환 또는 비치환된 살리실레이트기(salicylate)이다.
화학식 1에서, X는 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2-1] [화학식 2-2] [화학식 2-3]
Figure pat00052
Figure pat00053
Figure pat00054
화학식 2-1 내지 2-3에서,
Figure pat00055
는 화학식 1의 Ar과 연결되는 부위를 의미한다.
화학식 1은 예를 들어, 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1] [화학식 1-2] [화학식 1-3]
Figure pat00056
Figure pat00057
Figure pat00058
화학식 1-1 내지 1-3에서, X 및 Y는 전술한 바와 동일하다.
화학식 1-1은 예를 들어, 하기 화학식 1-4로 표시될 수 있으며, 화학식 1-2는 하기 화학식 1-5로 표시될 수 있고, 화학식 1-3은 하기 화학식 1-6으로 표시될 수 있다.
[화학식 1-4] [화학식 1-5] [화학식 1-6]
Figure pat00059
Figure pat00060
Figure pat00061
화학식 1-4 내지 1-6에서, X 및 Y는 전술한 바와 동일하다.
화학식 1-1은 예를 들어, 하기 화학식 1-7로 표시될 수 있고, 화학식 1-2는 하기 화학식 1-8로 표시될 수 있고, 화학식 1-3은 하기 화학식 1-9로 표시될 수 있다. 다만, X 및 Y의 치환 위치가 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 1-7] [화학식 1-8] [화학식 1-9]
Figure pat00062
Figure pat00063
Figure pat00064
상기 화학식 1-7 내지 1-9에서, X 및 Y는 전술한 바와 동일하다.
화학식 1-7은 하기 화학식 1-10 내지 1-12 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-10] [화학식 1-11] [화학식 1-12]
Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
상기 화학식 1-10 내지 1-12에서, X 및 Y는 전술한 바와 동일하다.
이에 한정되는 것은 아니나, 화학식 1에서 Ar이 파이렌인 것일 수 있다.
화학식 1에서, Y는 수소 원자일 수 있다. 이 경우, 화학식 1의 Ar은 X로만 치환된 것일 수 있다.
화학식 1에서, Y는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 다환식 헤테로아릴기일 수 있다.
화학식 1에서, Y는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기일 수 있다.
화학식 1에서, Y는 치환 또는 비치환된 페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 비페닐기일 수 있고, 페닐기 및 비페닐기가 치환되는 경우, 치환기는 예를 들어, 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기일 수 있다.
화학식 1에서, Y는 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00068
화학식 3에서, R는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 5 이하의 알킬기이다. 예를 들어, R은 치환 또는 비치환된 메틸기일 수 있다.
화학식 3은 하기 화학식 3-1 또는 3-2로 표시될 수 있다.
[화학식 3-1] [화학식 3-2]
Figure pat00069
Figure pat00070
화학식 3-1 및 3-2에서, R은 전술한 바와 동일하다.
이에 한정되는 것은 아니나, X는 화학식 2-1로 표시되고, Y는 화학식 3으로 표시되는 것일 수 있다.
화학식 1은 예를 들어, 하기 화학식 1-13으로 표시될 수 있다.
[화학식 1-13]
Figure pat00071
화학식 1에서, Y는 하기 구조식들 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
Figure pat00075
상기 구조식에서,
Figure pat00076
는 화학식 1의 Ar과 연결되는 부위를 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1로 표시되는 광 흡수제는 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 선택되는 어느 하나일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화합물군 1]
Figure pat00077
Figure pat00078
Figure pat00079
일 실시예에 의한 제1 화학식으로 표현되는 광 흡수제(UVA)의 오버 코트층(260)에서의 함량은 3% 내지 25%일 수 있다.
상술한 바와 같이 일 실시예에 의하면, 오버 코트층(260) 내에 광 흡수제(UVA)가 더 배치됨으로써 각 발광층(175)에 조사되는 외부 단파장 범위의 광(UV)의 총량을 줄일 수 있고 이로 인해, 표시 장치(1)의 전반적인 발광 효율이 감소하는 것을 방지할 뿐만 아니라. 이상 색감 발현을 미연에 방지할 수 있다. 나아가, 컬러 필터층(250)의 손상을 방지하여 각 컬러 필터층(250)의 해당 파장 범위의 광 투과 기능을 더 잘할 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 광 흡수제의 파장에 따른 흡광도를 보여주는 그래프이고, 도 10은 오버 코트층에서의 광 흡수제 함량에 따른 발광 소자의 화이트(White) 휘도 변화율을 나타낸 그래프이고, 도 11은 오버 코트층에서의 광 흡수제 함량에 따른 파장의 투과율을 나타낸 그래프이고, 도 12 내지 도 17은 광 흡수제를 포함하지 않는 오버 코트층과 광 흡수제를 포함하는 오버 코트층의 적색, 녹색, 및 청색 파장 범위의 투과율을 보여주는 그래프들이다.
우선, 도 9를 참조하면, 화학식 1로 표시되는 광 흡수제(UVA)는 380nm 이상 410nm 이하의 최대 흡수 파장을 갖는 것일 수 있다. 예를 들어, 화학식 1로 표시되는 광 흡수제(UVA)는 380nm 이상 410nm 이하의 파장 범위에서 0.7 이상의 흡광도를 갖는 것일 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니나, 화학식 1로 표시되는 광 흡수제는 380nm 이상 410nm 이하의 파장 범위에서 0.8 이상, 또는 0.85 이상의 흡광도를 갖는 것일 수 있다.
도 10은 오버 코트층에 함유된 화학식 1로 표시되는 광 흡수제의 함량에 따라, 발광층의 화이트(WhIte) 휘도 변화율을 나타낸다. 더욱 구체적으로 설명하면, 제1 샘플인 광 흡수제를 전혀 포함하지 않은 오버 코트층, 제2 샘플인 광 흡수제가 12% 함유된 오버 코트층, 및 제3 샘플인 광 흡수제가 25% 함유된 오버 코트층이 준비된다. 각 샘플의 380nm 이상 410nm 이하의 파장 범위의 단파장 광이 조사되기 전의 화이트 효율은 1로 측정된다. 이어 각 샘플에 380nm 이상 410nm 이하의 파장 범위의 단파장 광이 장시간 조사된다. 그 결과, 광 흡수제를 전혀 포함하지 않은 오버 코트층인 제1 샘플은 화이트 효율이 실질적으로 0에 근접하게 떨어지고, 제2 샘플인 광 흡수제가 12% 함유된 오버 코트층은 화이트 효율이 약 0.4로 떨어져 단파장 광 조사 전의 약 60% 화이트 휘도 저하가 발생하고, 제3 샘플인 광 흡수제가 25% 함유된 오버 코트층은 약 0.65로 떨어져 단파장 광 조사 전의 약 35% 화이트 휘도 저하가 발생함을 확인할 수 있다. 즉, 광 흡수제가 함유된 오버 코트층의 발광층의 효율이 현저히 높음을 알 수 있다.
도 11은 오버 코트층에 함유된 화학식 1로 표시되는 광 흡수제의 함량에 따라, 파장에 따른 외부 단파장 투과율을 나타낸다.
더욱 구체적으로 설명하면, 제1 샘플인 광 흡수제를 전혀 포함하지 않은 오버 코트층, 제2 샘플인 광 흡수제가 3% 함유된 오버 코트층, 및 제3 샘플인 광 흡수제가 20% 함유된 오버 코트층이 준비된다.
이어 각 샘플에 380nm 이상 410nm 이하의 파장 범위의 단파장 광이 장시간 조사된다. 그 결과, 광 흡수제를 전혀 포함하지 않은 오버 코트층인 제1 샘플은 상기 단파장 광의 투과율이 약 80% 내지 90%이고, 제2 샘플인 광 흡수제가 3% 함유된 오버 코트층은 상기 단파장 광의 투과율이 약 70% 내지 83%이고, 제3 샘플인 광 흡수제가 20% 함유된 오버 코트층은 상기 단파장 광의 투과율이 약 60% 내지 약 80%임이 확인되었다. 즉, 오버 코트층에 함유된 광 흡수제의 함량이 약 3%이상이면 광 흡수제를 전혀 포함하지 않은 오버 코트층 대비 동일한 단파장 광 투과율이 약 10% 이상 줄어듬을 확인할 수 있다.
도 12 내지 도 14를 참조하면, 청색 컬러 필터는 대체로 상기한 제2 색에 해당하는 파장 범위를 투과시키고, 상기 제2 색을 제외한 파장 범위의 광을 흡수할 수 있고, 적색 컬러 필터는 상기한 제1 색에 해당하는 파장 범위 이상의 광을 투과시킬 수 있다. 나아가, 적색 컬러 필터는 구성 물질에 따라 약 350nm 내지 약 380nm 파장 범위의 광을 더 투과시킬 수 있으나, 그 투과량은 상기한 제1 색에 해당하는 파장 범위의 광보다 현저히 작을 수 있다, 적색 컬러 필터는 상기한 상기 제1 색 파장 범위 이상의 광, 및 약 350nm 내지 약 380nm 파장 범위의 광을 제외하고 대체로 흡수할 수 있다. 녹색 컬러 필터는 대체로 상기한 제3 색을 투과시키고, 상기 제3 색을 제외한 파장 범위의 광을 흡수할 수 있다.
한편, 각 컬러 필터는 상기한 외부 단파장 범위의 광에 노출되면 상기한 흡수 및 투과 양상이 달라질 수 있다. 상기 외부 단파장 범위의 광에 노출되면 적색 컬러 필터는 손상되어 적색 컬러 필터는 약 350nm 내지 약 380nm 파장 범위의 광을 손상 전 대비 더 투과시킬 수 있고, 청색 컬러 필터는 상기 제2 색에 해당하는 파장 범위의 광을 손상 전 대비 더 작게 투과시킬 수 있다.
다만, 도 15 내지 도 17을 참조하면, 각 컬러 필터의 상기한 외부 단파장 범위의 광에 노출되어 발생하는 상기한 흡수 및 투과 양상이 달라지는 것이 거의 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다.
이하, 다른 실시예들에 대해 설명한다.
도 18은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(11)는 화학식 1로 표시되는 광 흡수제(UVA)가 각 컬러 필터층(250_R, 250_G, 250_B)에 배치된다는 점에서 도 8에 따른 실시예와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(11)는 화학식 1로 표시되는 광 흡수제(UVA)가 각 컬러 필터층(250_R, 250_G, 250_B)에 배치될 수 있다. 광 흡수제(UVA)의 물질, 및 표시 장치의 구성에 대해서는 상술한 바 중복 설명은 이하 생략하기로 한다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 19를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(12)는 화학식 1로 표시되는 광 흡수제(UVA)가 제2 터치 절연층(230)에 배치된다는 점에서 도 8에 따른 실시예와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(12)는 화학식 1로 표시되는 광 흡수제(UVA)가 제2 터치 절연층(230)에 배치될 수 있다. 광 흡수제(UVA)의 물질, 및 표시 장치의 구성에 대해서는 상술한 바 중복 설명은 이하 생략하기로 한다.
도 20은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(13)는 화학식 1로 표시되는 광 흡수제(UVA)가 제1 터치 절연층(215)에 배치된다는 점에서 도 8에 따른 실시예와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(13)는 화학식 1로 표시되는 광 흡수제(UVA)가 제1 터치 절연층(215)에 배치될 수 있다. 광 흡수제(UVA)의 물질, 및 표시 장치의 구성에 대해서는 상술한 바 중복 설명은 이하 생략하기로 한다.
도 21은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(14)는 화학식 1로 표시되는 광 흡수제(UVA)가 제2 터치 절연층(230)에 배치된다는 점은 도 19와 동일하지만, 제2 터치 절연층(230) 상부의 컬러 필터층(250) 및 오버 코트층(260)이 생략되고, 제2 터치 절연층(230) 상에 광학 부재(270)가 배치될 수 있다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(14)는 화학식 1로 표시되는 광 흡수제(UVA)가 제2 터치 절연층(230)에 배치될 수 있다. 나아가, 제2 터치 절연층(230) 상부의 컬러 필터층(250) 및 오버 코트층(260)이 생략될 수 있으며 제2 터치 절연층(230) 상에 광학 부재(270)가 배치될 수 있다. 광학 부재(270)는 편광 필름을 포함할 수 있다. 광학 부재(270)는 외광 반사를 줄이는 역할을 할 수 있다.
상술한 도 8의 실시예, 도 18의 실시예, 도 19의 실시예, 및 도 20의 실시예는 기술적 사상 범위 내에서 서로 조합될 수 있다. 예를 들어, 광 흡수제(UVA)는 오버 코트층(260), 컬러 필터층(250), 제2 터치 절연층(230), 및 제1 터치 절연층(215) 중 두 개이상에 배치될 수 있다.
또한, 상술한 도 21의 실시예의 경우에도 기술적 사상 범위 내에서 광 흡수제(UVA)는 제1 터치 절연층(215)에만 배치되거나 제1 터치 절연층(215) 및 제2 터치 절연층(230)에 각각 배치될 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1: 표시 장치
10: 표시 패널
UVA: 광 흡수제
240: 차광 패턴
250: 컬러 필터층
260: 오버 코트층
270: 광학 부재

Claims (20)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치된 발광 소자;
    상기 발광 소자 상에 배치되어 상기 발광 소자를 봉지하는 박막 봉지층;
    상기 박막 봉지층 상에 배치된 터치 부재;
    상기 터치 부재 상에 배치된 컬러 필터층; 및
    상기 컬러 필터층 상에 배치되어 상기 컬러 필터층을 덮는 평탄화층을 포함하되,
    상기 평탄화층은 하기 화학식 1로 표시되는 광 흡수제를 포함하는 표시 장치.
    [화학식 1]
    Figure pat00080

    상기 화학식 1에서,
    Ar은 파이렌, 크라이센, 또는 안트라센이고,
    Y는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 하기 구조식들 중 어느 하나로 표시되고,
    Figure pat00081
    Figure pat00082

    Figure pat00083
    Figure pat00084

    [화학식 2-1] [화학식 2-2] [화학식 2-3]
    Figure pat00085
    Figure pat00086
    Figure pat00087
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 1-1] [화학식 1-2] [화학식 1-3]
    Figure pat00088
    Figure pat00089
    Figure pat00090
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-4 내지 1-6 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 1-4] [화학식 1-5] [화학식 1-6]
    Figure pat00091
    Figure pat00092
    Figure pat00093
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-7 내지 1-9 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 1-7] [화학식 1-8] [화학식 1-9]
    Figure pat00094
    Figure pat00095
    Figure pat00096
  5. 제1 항에 있어서,
    X는 화학식 2-1로 표시되고, Y는 하기 화학식 3으로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 3]
    Figure pat00097
  6. 제1 항에 있어서,
    380nm 이상 410nm 이하의 파장 범위에서 0.7 이상의 흡광도를 갖는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 광 흡수제는 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 선택되는 어느 하나인 표시 장치.
    [화합물군 1]
    Figure pat00098

    Figure pat00099

    Figure pat00100
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 광 흡수제는 상기 컬러 필터층에 더 배치된 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 컬러 필터층은 각 화소마다 배치되고, 인접 화소의 경계에서 이격되어 배치되며, 상기 인접 화소의 경계에는 상기 터치 부재 상의 차광층이 더 배치된 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 터치 부재는 제1 터치 도전층, 상기 제1 터치 도전층 상에 배치된 제1 터치 절연층, 상기 제1 터치 절연층 상에 배치된 제2 터치 도전층, 및 상기 제2 터치 도전층 상에 배치된 터치 유기층을 포함하고, 상기 광 흡수제는 상기 제1 터치 절연층 및/또는 상기 터치 유기층에 더 배치된 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 터치 도전층은 상기 박막 봉지층에 직접 배치된 표시 장치.
  12. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치된 발광 소자;
    상기 발광 소자 상에 배치되어 상기 발광 소자를 봉지하는 박막 봉지층;
    상기 박막 봉지층 상에 배치된 터치 부재;
    상기 터치 부재 상에 배치된 컬러 필터층; 및
    상기 컬러 필터층 상에 배치되어 상기 컬러 필터층을 덮는 평탄화층을 포함하되,
    상기 평탄화층은 함량이 3% 내지 25%이내인 광 흡수제를 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 광 흡수제는 하기 화학식 1로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 1]
    Figure pat00101

    상기 화학식 1에서,
    Ar은 파이렌, 크라이센, 또는 안트라센이고,
    Y는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 하기 구조식들 중 어느 하나로 표시되고,
    Figure pat00102
    Figure pat00103

    Figure pat00104
    Figure pat00105

    [화학식 2-1] [화학식 2-2] [화학식 2-3]
    Figure pat00106
    Figure pat00107
    Figure pat00108
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 광 흡수제는 상기 컬러 필터층에 더 배치된 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 컬러 필터층은 각 화소마다 배치되고, 인접 화소의 경계에서 이격되어 배치되며,
    상기 인접 화소의 경계에는 상기 터치 부재 상의 차광층이 더 배치된 표시 장치.
  16. 제12 항에 있어서,
    상기 터치 부재는 제1 터치 도전층, 상기 제1 터치 도전층 상에 배치된 제1 터치 절연층, 상기 제1 터치 절연층 상에 배치된 제2 터치 도전층, 및 상기 제2 터치 도전층 상에 배치된 터치 유기층을 포함하고,
    상기 광 흡수제는 상기 제1 터치 절연층 및/또는 상기 터치 유기층에 더 배치된 표시 장치.
  17. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치된 발광 소자;
    상기 발광 소자 상에 배치되어 상기 발광 소자를 봉지하는 박막 봉지층;
    상기 박막 봉지층 상에 배치된 터치 부재; 및
    상기 터치 부재 상에 배치된 광학 부재를 포함하고,
    상기 터치 부재는 제1 터치 도전층, 상기 제1 터치 도전층 상에 배치된 제1 터치 절연층, 상기 제1 터치 절연층 상에 배치된 제2 터치 도전층, 및 상기 제2 터치 도전층 상에 배치된 터치 유기층을 포함하고,
    광 흡수제는 상기 제1 터치 절연층 및/또는 상기 터치 유기층에 배치되고,
    상기 광 흡수제는 하기 화학식 1로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 1]
    Figure pat00109

    상기 화학식 1에서,
    Ar은 파이렌, 크라이센, 또는 안트라센이고,
    Y는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 하기 구조식들 중 어느 하나로 표시되고,
    Figure pat00110
    Figure pat00111

    Figure pat00112
    Figure pat00113

    [화학식 2-1] [화학식 2-2] [화학식 2-3]
    Figure pat00114
    Figure pat00115
    Figure pat00116
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 1-1] [화학식 1-2] [화학식 1-3]
    Figure pat00117
    Figure pat00118
    Figure pat00119
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-4 내지 1-6 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 1-4] [화학식 1-5] [화학식 1-6]
    Figure pat00120
    Figure pat00121
    Figure pat00122
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-7 내지 1-9 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 1-7] [화학식 1-8] [화학식 1-9]
    Figure pat00123
    Figure pat00124
    Figure pat00125
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