KR20210055598A - 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름 - Google Patents

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유타 기무라
히데토시 마이카와
고헤이 다케다
다이키 우에노
히로시 나카우라
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에 관한 다이싱 테이프는, 기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프이며, 상기 기재층이, 단일 구조 또는 적층 구조를 구비한 수지 필름으로 구성되어 있고, 상기 기재층은, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이고, 또한, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 기재층의 탄성률과 상기 기재층의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하이다.

Description

다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름{DICING TAPE AND DICING DIE-BONDING FILM}
[관련 출원의 상호 참조]
본원은, 일본 특허 출원 제2019-202484호의 우선권을 주장하고, 인용에 의해 본원 명세서의 기재에 포함된다.
본 발명은, 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 제조에 있어서, 다이 본딩용의 반도체 칩을 얻기 위해, 다이싱 테이프나 다이싱 다이 본드 필름을 사용하는 것이 알려져 있다.
상기 다이싱 테이프는 기재층 상에 점착제층이 적층되어 구성되어 있고, 상기 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 다이 본드층이 박리 가능하게 적층되어 구성되어 있다.
그리고, 상기 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본딩용의 반도체 칩(다이)을 얻는 방법으로서, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공해야 할 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하는 하프컷 공정과, 하프컷 공정 후의 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 백그라인드 공정 후의 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층에 첩부하여, 다이싱 테이프에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 유지하는 커프 유지 공정과, 다이 본드층과 점착제층 사이를 박리하여 다이 본드층이 첩부된 상태에서 반도체 칩을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층이 첩부된 상태의 반도체 칩을 피착체(예를 들어, 실장 기판 등)에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는 방법을 채용하는 것이 알려져 있다.
또한, 상기 커프 유지 공정에 있어서는, 다이싱 테이프에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃)을 쐬어 다이싱 테이프를 열수축시킨 후(히트 슈링크시킨 후) 냉각 고화시켜, 할단된 인접하는 반도체 칩간의 거리(커프)를 유지하고 있다.
또한, 상기 익스팬드 공정에서는, 상기 다이 본드층은, 개편화된 복수의 반도체 칩의 사이즈에 상당하는 크기로 할단된다.
그런데, 상기 커프 유지 공정 후에, 다이 본드층 구비의 반도체 칩의 외주연 부분이 상기 점착제층의 표면으로부터 들뜨는 경우가 있다(칩 들뜸이 발생하는 경우가 있다).
이와 같은 칩 들뜸을 억제하기 위해, 예를 들어 특허문헌 1에는, 특정 물성을 갖는 다이싱 테이프를 사용하는 것이 기재되어 있다.
상세하게는, 적어도 일방향의, 23℃의 온도 조건에서 30％ 연신하고 나서 1000초 후의 응력 완화율이 45％ 이상이고, 또한, 상기 적어도 일방향의, 23℃의 온도 조건에서 30％ 연신하고 나서 1000초 후의 응력값이 4㎫ 이하인 다이싱 테이프를 사용하는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2019-16633호 공보
그러나, 상기 커프 유지 공정 후에 있어서의 칩 들뜸의 억제에 대하여, 아직 충분한 검토가 이루어져 있다고는 말하기 어렵다.
그래서, 본 발명은, 커프 유지 공정 후에 있어서의 칩 들뜸을 비교적 억제할 수 있는 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명에 관한 다이싱 테이프는,
기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프이며,
상기 기재층이, 단일 구조 또는 적층 구조를 구비한 수지 필름으로 구성되어 있고,
상기 기재층은, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이고, 또한, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 기재층의 탄성률과 상기 기재층의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하이다.
상기 다이싱 테이프에 있어서는,
상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 탄성 회복률이 75％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 다이싱 테이프에 있어서는,
상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 경도가 40㎫ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은,
기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고,
상기 기재층이, 단일 구조 또는 적층 구조를 구비한 수지 필름으로 구성되어 있고,
상기 기재층은, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이고, 또한, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 기재층의 탄성률과 상기 기재층의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 테이프의 구성을 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 구성을 도시하는 단면도.
도 3a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 백그라인드 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3d는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 백그라인드 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 6a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 6b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 7은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 커프 유지 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 8은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다.
[다이싱 테이프]
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)는, 기재층(1) 상에 점착제층(2)이 적층된 다이싱 테이프이다.
본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)는, 기재층(1)이 단일 구조 또는 적층 구조를 구비한 수지 필름으로 구성되어 있다.
본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)에 있어서는, 기재층(1)은, 100℃에서의 MD 방향(수지 흐름 방향)의 열수축률이 20％ 이하이다.
본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)에 있어서는, 기재층(1)은, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 기재층(1)의 탄성률과 기재층(1)의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하이다. 굽힘 경도는, 30N·㎟ 이하인 것이 바람직하고, 20N·㎟ 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 기재층(1)의 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이란, MD 방향이 길이 방향이 되도록 소정 치수(폭 20㎜, 길이 120㎜)로 잘라낸 기재층(1)을 시험편으로 하고, 해당 시험편을 온도 100℃의 환경에 60초간 노출시킨 후의 수축률을 의미한다.
또한, MD 방향이란, 기재층(1)을 롤형으로 권취할 때의 권취 방향을 의미한다.
MD 방향의 열수축률은, 이하의 수순에 따라서 구할 수 있다.
(1) 가열 전의 상기 시험편의 길이 방향의 양단부로부터 10㎜의 개소에 각각 마킹을 한다.
(2) 가열 전의 상기 시험편의 마킹간의 거리 L0(즉, MD 방향의 초기 길이)을 측정한다.
(3) 마킹한 개소보다도 외측(즉, 길이 방향의 단부측)의 부분을 클립으로 고정한 상태에서, 상기 시험편을 온도 100℃의 환경에 60초간 노출시킨다.
(4) 상기 시험편을 실온(23±2℃)까지 냉각한 후, (2)와 동일한 개소에 대하여 길이 L1을 측정한다.
(5) 이하의 식에 따라서, 상기 시험편의 길이 방향(MD 방향)의 치수 변화율 RC를 산출한다.
RC=(L0-L1)/L0×100
본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)에 있어서는, 100℃에서의 MD 방향(수지 흐름 방향)의 열수축률이, 0.01％ 이상인 것이 바람직하고, 0.1％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 1％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
열수축률이 1％ 이상임으로써, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 할단한 후에, 반도체 칩간의 거리(즉, 커프)를 보다 충분히 유지할 수 있다.
기재층(1)의 굽힘 경도를 산출하는 데 사용하는 기재층(1)의 탄성률은, 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
측정 장치 및 측정 조건
·장치: Tribo Indenter(Hysitron Inc.사제)
·사용 압자: 베르코비치형 다이아몬드제 압자(삼각뿔형)
·측정 방법: 단일 압입 측정
·측정 온도: 25℃
·압입 깊이 설정: 200㎚
·측정 분위기: 공기 중
·부하(압입) 속도: 20㎚/s
·제하(인발) 속도: 20㎚/s
측정 시료
포매 수지를 사용하여 다이싱 테이프(길이 l: 5㎜, 폭 w: 5㎜, 두께 t: 125㎛)의 전체를 포매한 후, 마이크로톰을 사용하여, 포매된 다이싱 테이프를 폭 방향을 따라서 단면을 잘라낸 것(단면 내기한 것)을 측정 시료로 한다.
또한, 포매 수지로서는, 예를 들어 DEV-TUBE S-31(ITW PP&F 재팬사제)을 사용할 수 있다.
측정 방법
(1) 측정 시료를 25℃에서 1시간 유지한다.
(2) 베르코비치형 다이아몬드제 압자의 압입 방향과, 측정 시료의 기재층(1)의 표면이 직교하도록, 측정 시료를 배치한다.
(3) 베르코비치형 다이아몬드제 압자의 선단을 측정 시료의 기재층(1)의 표면에 맞닿게 한 후, 기재층(1)의 표면으로부터 깊이 200㎚까지, 부하 속도 20㎚/s로 베르코비치형 다이아몬드제 압자를 압입한다.
(4) 기재층(1)의 표면으로부터 깊이 200㎚까지, 베르코비치형 다이아몬드제 압자를 압입한 후, 제하 속도 20㎚/s로, 베르코비치형 다이아몬드제 압자를 압입 개시 시의 위치까지 복귀시킨다.
(5) 해석 소프트웨어 「Triboscan Ver. 9. 2. 12. 0」을 사용하여, 압자를 가장 압입한 위치로부터 제하하였을 때의 기재층(1)의 각 변위, 상기 각 변위가 될 때 기재층(1)에 가해진 하중, 및, 이론적으로 산출되는 상기 각 변위에 있어서의 압흔 면적(상기 각 변위가 될 때의 압자와 기재층(1)의 접촉 면적(접촉 투영 면적))으로부터, 탄성률을 산출한다.
상기 측정은, 기재층(1)의 다른 3개소에 대하여 행하고, 3개소에 있어서 산출된 탄성률을 산술 평균함으로써, 기재층(1)의 탄성률을 구한다.
또한, 기재층(1)이 적층 구조인 경우에는, 각 층에 대하여 탄성률을 구한다.
또한, 기재층(1)의 단면 2차 모멘트 I는, 기재층(1)의 단면이 직사각형이라고 가정하면, 이하의 식을 사용하여 산출할 수 있다.
I=w×h3/12(단, w는 다이싱 테이프의 폭이며, h는 기재층(1)의 두께임)
또한, 기재층(1)이 적층 구조인 경우에는, 각 층에 대하여 단면 2차 모멘트를 산출한다.
기재층(1)의 굽힘 경도는, 기재층(1)의 탄성률과 기재층(1)의 단면 2차 모멘트의 곱을 산출함으로써 구할 수 있다.
또한, 기재층(1)이 적층 구조인 경우에는, 각 층에 대하여 탄성률과 단면 2차 모멘트의 곱을 각각 구하고, 이들을 더함으로써, 굽힘 경도를 구할 수 있다.
기재층(1)이, 제1 층과 해당 제1 층의 한쪽 면측에 적층되는 제2 층으로 구성되는 2층 구조이며, 상기 제1 층의 다른 쪽 면측에 점착제층(2)이 적층되는 경우, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 제1 층의 탄성률은, 350㎫ 이상 800㎫ 이하인 것이 바람직하고, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 제2 층의 탄성률은, 10㎫ 이상 120㎫ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 기재층(1)이, 중심층인 제2 층과, 중심층의 한쪽 면측에 적층되며, 또한, 점착제층(2)이 적층되는 제1 층과, 중심층의 다른 쪽 면측에 적층되는 제3 층으로 구성되는, 3층 구조인 경우, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 제1 층 및 상기 제3 층의 탄성률은, 350㎫ 이상 800㎫ 이하인 것이 바람직하고, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 제2 층의 탄성률은, 10㎫ 이상 200㎫ 이하인 것이 바람직하다.
기재층(1)의 굽힘 경도는, 3N·㎟ 이상인 것이 바람직하고, 10N·㎟ 이상인 것이 보다 바람직하다. 굽힘 경도가 3N·㎟ 이상임으로써, 제품 형태에 있어서, 긴 세퍼레이터(예를 들어, PET 세퍼레이터)로부터, 개편화된 다이싱 테이프를 원활하게 박리할 수 있다.
수지 필름으로 제작된 기재층(1)이, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이고, 또한, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 기재층(1)의 탄성률과 기재층(1)의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하임으로써, 커프 유지 공정 후에 있어서의 칩 들뜸(반도체 칩의 외주연 부분이 점착제층(2)으로부터 들뜨는 것)을 비교적 억제할 수 있는 이유에 대해서는, 이하와 같이 생각된다.
다이싱 테이프(10)를 사용하여 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩을 얻기 위해서는, 일반적으로, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하는 하프컷 공정과, 하프컷 공정 후의 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 백그라인드 공정 후의 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)에 첩부하여, 다이싱 테이프(10)에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 유지하는 커프 유지 공정과, 반도체 칩과 점착제층(2) 사이를 박리하여 반도체 칩을 취출하는 픽업 공정을 구비하는 방법이 채용되는 경우가 많다.
여기서, 반도체 웨이퍼의 회로면에는, 일반적으로, 포토리소그래피법에 의해 회로가 형성되어 있기 때문에, 이 포토리소그래피법에 의한 회로 형성에 의해, 반도체 웨이퍼는, 회로면측으로 휘기 쉽게 되어 있다.
또한, 익스팬드 공정은, 후술하는 바와 같이, 밀어올림 부재를 구비하는 익스팬드 장치를 사용하여, 홈이 형성된 반도체 웨이퍼를 고정한 다이싱 테이프(10)를, 상기 밀어올림 부재로 밀어올리면서 하방향(경사 하방향)으로 잡아늘리는 경우가 많다. 이와 같은 경우, 익스팬드 공정에 있어서, 다이싱 테이프(10)에는, 다이싱 테이프(10)를 상방으로 밀어올리는 힘이 작용하고 있다.
그리고, 다이싱 테이프(10)를 상방으로 밀어올리는 힘(밀어올림력)에 저항하는 힘으로서, 다이싱 테이프(10)에는, 이 밀어올림력과는 반대 방향의 힘, 즉, 하방향의 항력이 발생한다.
한편, 다이싱 테이프(10)를 상방으로 밀어올리면서 잡아늘릴 때는, 홈이 형성된 반도체 웨이퍼에는, 다이싱 테이프(10)가 잡아늘려지는 방향(경사 하방향)의 힘(잡아늘림력)이 작용하게 되고, 이 다이싱 테이프(10)에 작용하는 잡아늘림력에 저항하는 힘으로서, 홈이 형성된 반도체 웨이퍼에는, 잡아늘림력과는 반대 방향의 힘, 즉, 경사 상방의 항력이 발생한다.
그리고, 커프 유지 공정에 있어서, 다이싱 테이프(10)를 냉각 고화한 후에는, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 하방향의 항력 및 홈이 형성된 반도체 웨이퍼에 발생하는 경사 상방향의 항력은, 보존되게 된다. 이에 의해, 보존된 이들 힘에 의해, 커프 유지 공정 후에, 할단된 반도체 칩은, 다이싱 테이프(10)에 대하여 외주연부가 들뜨게 된다고 생각된다.
또한, 잡아늘림에 의해 반도체 칩으로 할단되는 반도체 웨이퍼의 두께는 0.055㎜ 정도로 비교적 얇으므로, 할단된 반도체 칩은, 다이싱 테이프(10)를 냉각 고화한 후에 보존되는, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 항력 및 반도체 웨이퍼에 발생하는 항력의 영향을 받기 쉽게 되어 있다고 생각된다. 이에 의해, 반도체 칩의 외주연 부분은, 커프 유지 공정 후에, 점착제층(2)으로부터 들뜨기 쉽게 되어 있다고 생각된다.
그러나, 본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)에 있어서는, 기재층(1)의 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이므로, 커프 유지 공정에서의 기재층(1)의 열수축을 비교적 작게 할 수 있다.
상기한 바와 같이, 커프 유지 공정 후에는, 다이싱 테이프(10)에 항력이 발생하지만, 기재층(1)의 열수축이 비교적 작으면, 열수축 후에 상기 기재층에 잔존하는 항력이 커지는 것을 억제할 수 있다.
그 결과, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 항력에 의해, 반도체 칩의 외주연 부분이 점착제층(2)으로부터 들뜨는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)에 있어서는, 기재층(1)의 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하이므로, 익스팬드 공정에 있어서, 비교적 굽힘 변형되기 쉬워진다. 즉, 반도체 칩의 외주연부가 들뜨는 방향으로 변위된 경우에도, 기재층(1)이 그 변위에 비교적 추종하기 쉬워진다.
상기에 의해, 커프 유지 공정 후에 있어서의 칩 들뜸을 비교적 억제할 수 있다고 생각된다.
또한, 다이싱 테이프(10)의 기재층(1)의 두께는, 후술하는 바와 같이, 통상, 55㎛ 이상 195㎛ 이하로 얇은 것이다.
그 때문에, 기재층(1)의 특성을 물성에 의해 개선하고자 하는 경우에는, 미소 영역에서의 평가에 적합한 물성에 대하여 검토하는 것이 유익하다고 생각된다.
여기서, 본 발명에 있어서, 기재층(1)을 특정하기 위해 채용한 굽힘 경도라는 물성은, 나노인덴터라는 미소 영역 측정에 특히 적합한 장치로 측정한 탄성률을 사용하여 산출된 것이다.
즉, 굽힘 경도는, 다이싱 테이프(10)의 기재층(1)의 특성을 개선하기 위해 검토하는 물성으로서 특히 적합한 것이라고 생각된다.
또한, 기재층(1)이 적층 구조인 경우, 나노인덴터를 사용하면, 각 층마다 굽힘 경도를 각각 구할 수 있으므로, 이 점에서도, 굽힘 경도는, 기재층(1)의 특성을 평가하는 것으로서 특히 적합했던 것이라고 생각된다.
본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)에 있어서, 기재층(1)은, 점착제층(2)이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 탄성 회복률이 75％ 이하인 것이 바람직하고, 65％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)에 있어서, 기재층(1)은, 점착제층(2)이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 탄성 회복률이 50％ 이상인 것이 바람직하고, 60％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 탄성 회복률이 50％ 이상임으로써, 기재층(1)이 변형되는 것에 기인하는 외관 불량을 보다 충분히 억제할 수 있다.
나노인덴터를 사용한 탄성 회복률의 측정은, 상기한 기재층(1)의 탄성률의 측정에 사용한 것과 동일한 측정 장치 및 측정 시료를 사용하고, 상기한 기재층(1)의 탄성률의 측정 조건과 동일한 조건을 채용하고, 해석 소프트웨어 「Triboscan Ver. 9. 2. 12. 0」을 사용하여, 상기한 기재층(1)의 탄성률과 동일한 측정 방법을 채용함으로써 행할 수 있다.
또한, 압자를 가장 압입한 위치로부터 제하를 개시하였을 때 기재층(1)에 하중이 가해지지 않으면, 탄성 회복률은 0％가 되고, 압자와 기재층(1)이 맞닿지 않게 되기 직전까지 기재층(1)에 하중이 가해지면, 탄성 회복률은 100％가 된다.
즉, 탄성 회복률은, 압입 개시 위치를 기준으로 하여, 어느 위치까지 제하하였을 때, 기재층(1)에 하중이 가해지지 않게 되는지를 조사함으로써, 구할 수 있다.
본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)에 있어서, 기재층(1)은, 점착제층(2)이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 경도가 40㎫ 이하인 것이 바람직하고, 35㎫ 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)에 있어서, 기재층(1)은, 점착제층(2)이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 경도가 20㎫ 이상인 것이 바람직하고, 30㎫ 이상인 것이 보다 바람직하다.
나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 경도가 20㎫ 이상임으로써, 반도체 웨이퍼 및 다이 본드층의 할단을 보다 양호하게 행할 수 있다.
나노인덴터를 사용한 경도의 측정은, 상기한 기재층(1)의 탄성률의 측정에 사용한 것과 동일한 측정 장치 및 측정 시료를 사용하고, 상기한 기재층(1)의 탄성률의 측정 조건과 동일한 조건을 채용하고, 해석 소프트웨어 「Triboscan Ver. 9. 2. 12. 0」을 사용하여, 압자를 가장 압입하였을 때 기재층(1)에 가해지는 하중, 및, 압자를 가장 압입하였을 때 이론적으로 산출되는 압흔 면적(압자를 가장 압입하였을 때의 압자와 기재층(1)의 접촉 면적(접촉 투영 면적))으로부터, 기재층(1)의 경도를 구하는 것 이외는, 상기한 기재층(1)의 탄성률의 측정 방법과 동일한 방법을 채용함으로써 행할 수 있다.
기재층(1)은, 점착제층(2)을 지지한다. 기재층(1)은, 수지 필름을 사용하여 제작된다. 수지 필름에 포함되는 수지로서는, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리페닐술피드, 불소 수지, 셀룰로오스계 수지, 및, 실리콘 수지 등을 들 수 있다.
폴리올레핀으로서는, 예를 들어 α-올레핀의 호모 폴리머, 2종 이상의 α-올레핀의 공중합체, 블록 폴리프로필렌, 랜덤 폴리프로필렌, 1종 또는 2종 이상의 α-올레핀과 다른 비닐 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다.
α-올레핀의 호모 폴리머로서는, 탄소수 2 이상 12 이하의 α-올레핀의 호모 폴리머인 것이 바람직하다. 이와 같은 호모 폴리머로서는, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐 등을 들 수 있다.
2종 이상의 α-올레핀의 공중합체로서는, 에틸렌/프로필렌 공중합체, 에틸렌/1-부텐 공중합체, 에틸렌/프로필렌/1-부텐 공중합체, 에틸렌/탄소수 5 이상 12 이하의 α-올레핀 공중합체, 프로필렌/에틸렌 공중합체, 프로필렌/1-부텐 공중합체, 프로필렌/탄소수 5 이상 12 이하의 α-올레핀 공중합체 등을 들 수 있다.
1종 또는 2종 이상의 α-올레핀과 다른 비닐 모노머의 공중합체로서는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA) 등을 들 수 있다.
폴리올레핀은, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머라 불리는 것이어도 된다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머로서는, 프로필렌·에틸렌 공중합체와 프로필렌 호모 폴리머를 조합한 것, 또는, 프로필렌·에틸렌·탄소수 4 이상의 α-올레핀 3원 공중합체를 들 수 있다.
α-올레핀계 열가소성 엘라스토머의 시판품으로서는, 예를 들어 프로필렌계 엘라스토머 수지인 비스타맥스 3980(엑슨모빌 케미컬사제)을 들 수 있다.
수지 필름은, 상기한 수지를 1종 포함하는 것이어도 되고, 상기한 수지를 2종 이상 포함하는 것이어도 된다.
또한, 점착제층(2)이 후술하는 자외선 경화 점착제를 포함하는 경우, 기재층(1)을 제작하는 수지 필름은, 자외선 투과성을 갖도록 구성되는 것이 바람직하다.
기재층(1)은, 단층 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 기재층(1)은, 비연신 성형에 의해 얻어져도 되고, 연신 성형에 의해 얻어져도 되지만, 연신 성형에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 기재층(1)이 적층 구조인 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머를 포함하는 층(이하, 엘라스토머층이라 함)과 비엘라스토머를 포함하는 층(이하, 비엘라스토머층이라 함)을 갖는 것이 바람직하다.
기재층(1)을 엘라스토머층과 비엘라스토머층을 갖는 것으로 함으로써, 엘라스토머층을, 인장 응력을 완화하는 응력 완화층으로서 기능시킬 수 있다. 즉, 기재층(1)에 발생하는 인장 응력을 비교적 작게 할 수 있으므로, 기재층(1)을 적당한 경도를 가지면서, 비교적 연신되기 쉬운 것으로 할 수 있다.
이에 의해, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 할단성을 향상시킬 수 있다.
또한, 익스팬드 공정에서의 할단 시에, 기재층(1)이 찢어져 파손되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서는, 엘라스토머층이란, 비엘라스토머층에 비해 실온에서의 인장 저장 탄성률이 낮은 저탄성률층을 의미한다. 엘라스토머층으로서는, 실온에서의 인장 저장 탄성률이 10㎫ 이상 200㎫ 이하인 것을 들 수 있고, 비엘라스토머층으로서는, 실온에서의 인장 저장 탄성률이 200㎫ 이상 500㎫ 이하인 것을 들 수 있다.
엘라스토머층은, 1종의 엘라스토머를 포함하는 것이어도 되고, 2종 이상의 엘라스토머를 포함하는 것이어도 되지만, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머나, EVA(에틸렌-아세트산비닐 공중합체)를 포함하는 것이 바람직하다.
비엘라스토머층은, 1종의 비엘라스토머를 포함하는 것이어도 되고, 2종 이상의 비엘라스토머를 포함하는 것이어도 되지만, 후술하는 메탈로센 PP를 포함하는 것이 바람직하다.
기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층을 갖는 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머층을 중심층으로 하고, 해당 중심층의 서로 대향하는 양면에 비엘라스토머층을 갖는 3층 구조(비엘라스토머층/엘라스토머층/비엘라스토머층)로 형성되는 것이 바람직하다(도 1 참조). 또한, 도 1에서는, 한쪽의 비엘라스토머층을 제1 수지층(1a)으로서 나타내고, 엘라스토머층을 제2 수지층(1b)으로서 나타내고, 다른 쪽의 비엘라스토머층을 제3 수지층(3c)으로서 나타내고 있다.
또한, 상기한 바와 같이, 커프 유지 공정에 있어서는, 실온(예를 들어 23℃)에서 익스팬드 상태를 유지한 상기 다이싱 다이 본드 필름에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃)을 쐬어 상기 다이싱 다이 본드 필름을 열수축시킨 후, 냉각 고화시키기 위해, 기재층(1)의 최외층은, 다이싱 테이프에 쐬어지는 열풍의 온도에 가까운 융점을 갖는 수지를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 열풍을 쐼으로써 용융된 최외층을 보다 신속하게 고화시킬 수 있다.
그 결과, 커프 유지 공정에 있어서, 커프를 보다 충분히 유지할 수 있다.
기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조이며, 엘라스토머층이 α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 포함하고, 또한, 비엘라스토머층이 후술하는 메탈로센 PP 등의 폴리올레핀을 포함하는 경우, 엘라스토머층은, 해당 엘라스토머층을 형성하는 엘라스토머의 총 질량에 대하여, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 50질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 바람직하고, 70질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 보다 바람직하고, 80질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 더욱 바람직하고, 90질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 특히 바람직하고, 95질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 최적이다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머가 상기 범위에서 포함되어 있음으로써, 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 친화성이 높아지기 때문에, 기재층(1)을 비교적 용이하게 압출 성형할 수 있다. 또한, 엘라스토머층을 응력 완화층으로서 작용시킬 수 있으므로, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.
기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조인 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머와 비엘라스토머를 공압출하여, 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조로 하는 공압출 성형에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 공압출 성형으로서는, 필름이나 시트 등의 제조에 있어서 일반적으로 행해지는 임의의 적절한 공압출 성형을 채용할 수 있다. 공압출 성형 중에서도, 기재층(1)을 효율적으로 저렴하게 얻을 수 있는 점에서, 인플레이션법이나 공압출 T다이법을 채용하는 것이 바람직하다.
적층 구조를 이루는 기재층(1)을 공압출 성형으로 얻는 경우, 상기 엘라스토머층 및 상기 비엘라스토머층은 가열되어 용융된 상태에서 접하기 때문에, 상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점차는 작은 쪽이 바람직하다. 융점차가 작음으로써, 저융점이 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머 중 어느 것에 과도한 열이 가해지는 것이 억제되기 때문에, 저융점이 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머 중 어느 것이 열열화됨으로써 부생성물이 생성되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 저융점이 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머 중 어느 것의 점도가 과도하게 저하됨으로써 상기 엘라스토머층과 상기 비엘라스토머층 사이에 적층 불량이 발생하는 것도 억제할 수 있다. 상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점차는, 0℃ 이상 70℃ 이하인 것이 바람직하고, 0℃ 이상 55℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점은, 시차 주사 열량(DSC) 분석에 의해 측정할 수 있다. 예를 들어, 시차 주사 열량계 장치(TA 인스트루먼츠사제, 형식 DSC Q2000)를 사용하여, 질소 가스 기류 하, 승온 속도 5℃/min로 200℃까지 승온하고, 흡열 피크의 피크 온도를 구함으로써 측정할 수 있다.
기재층(1)의 두께는, 55㎛ 이상 195㎛ 이하인 것이 바람직하고, 55㎛ 이상 190㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 55㎛ 이상 170㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 60㎛ 이상 160㎛ 이하인 것이 최적이다. 기재층(1)의 두께를 상기 범위로 함으로써, 다이싱 테이프를 효율적으로 제조할 수 있고, 또한, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.
기재층(1)의 두께는, 예를 들어 다이알 게이지(PEACOCK사제, 형식 R-205)를 사용하여, 랜덤하게 선택한 임의의 5점의 두께를 측정하고, 이들 두께를 산술 평균함으로써 구할 수 있다.
엘라스토머층과 비엘라스토머층을 적층시킨 기재층(1)에 있어서, 엘라스토머층의 두께에 대한 비엘라스토머층의 두께의 비는, 1/25 이상 1/3 이하인 것이 바람직하고, 1/25 이상 1/3.5 이하인 것이 보다 바람직하고, 1/25 이상 1/4인 것이 더욱 바람직하고, 1/22 이상 1/4 이하인 것이 특히 바람직하고, 1/20 이상 1/4 이하인 것이 최적이다. 엘라스토머층의 두께에 대한 비엘라스토머층의 두께의 비를 상기 범위로 함으로써, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 보다 효율적으로 할단할 수 있다.
엘라스토머층은, 단층(1층) 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 엘라스토머층은, 1층 내지 5층 구조인 것이 바람직하고, 1층 내지 3층 구조인 것이 보다 바람직하고, 1층 내지 2층 구조인 것이 더욱 바람직하고, 1층 구조인 것이 최적이다. 엘라스토머층이 적층 구조인 경우, 모든 층이 동일한 엘라스토머를 포함하고 있어도 되고, 적어도 2층이 다른 엘라스토머를 포함하고 있어도 된다.
비엘라스토머층은, 단층(1층) 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 비엘라스토머층은, 1층 내지 5층 구조인 것이 바람직하고, 1층 내지 3층 구조인 것이 보다 바람직하고, 1층 내지 2층 구조인 것이 더욱 바람직하고, 1층 구조인 것이 최적이다. 비엘라스토머층이 적층 구조인 경우, 모든 층이 동일한 비엘라스토머를 포함하고 있어도 되고, 적어도 2층이 다른 비엘라스토머를 포함하고 있어도 된다.
비엘라스토머층은, 비엘라스토머로서, 메탈로센 촉매에 의한 중합품인 폴리프로필렌 수지(이하, 메탈로센 PP라 함)를 포함하는 것이 바람직하다. 메탈로센 PP로서는, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 공중합체를 들 수 있다. 비엘라스토머층이 메탈로센 PP를 포함함으로써, 다이싱 테이프를 효율적으로 제조할 수 있고, 또한, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.
또한, 시판되고 있는 메탈로센 PP로서는, 윈텍 WFX4M(니혼 폴리프로사제)을 들 수 있다.
여기서, 메탈로센 촉매란, 시클로펜타디에닐 골격을 갖는 배위자를 포함하는 주기율표 제4족의 전이 금속 화합물(소위, 메탈로센 화합물)과, 메탈로센 화합물과 반응하여 해당 메탈로센 화합물을 안정된 이온 상태로 활성화할 수 있는 조촉매로 이루어지는 촉매이며, 필요에 따라서, 유기 알루미늄 화합물을 포함한다. 메탈로센 화합물은, 프로필렌의 입체 규칙성 중합을 가능하게 하는 가교형 메탈로센 화합물이다.
상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 공중합체 중에서도, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체가 바람직하고, 상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체 중에서도, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 2의 α-올레핀 랜덤 공중합체, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 4의 α-올레핀 랜덤 공중합체 및 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 5의 α-올레핀 랜덤 공중합체 중에서 선택되는 것이 바람직하고, 이들 중에서도, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/에틸렌 랜덤 공중합체가 최적이다.
상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체로서는, 상기 엘라스토머층과의 공압출 성막성, 및, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼의 할단성의 관점에서, 융점이 80℃ 이상 140℃ 이하, 특히 100℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하다.
상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체의 융점은, 상기한 방법에 의해 측정할 수 있다.
여기서, 상기 엘라스토머층이 기재층(1)의 최외층에 배치되어 있으면, 기재층(1)을 롤체로 한 경우에, 최외층에 배치된 상기 엘라스토머층끼리가 블로킹되기 쉬워진다(달라붙기 쉬워진다). 그 때문에, 기재층(1)을 롤체로부터 되감기 어려워진다. 이에 반해, 상기한 적층 구조의 기재층(1)의 바람직한 양태에서는, 비엘라스토머층/엘라스토머층/비엘라스토머층, 즉, 최외층에 비엘라스토머층이 배치되어 있으므로, 이와 같은 양태의 기재층(1)은, 내블로킹성이 우수한 것이 된다. 이에 의해, 블로킹에 의해 다이싱 테이프(10)를 사용한 반도체 장치의 제조가 지연되는 것을 억제할 수 있다.
상기 비엘라스토머층은, 100℃ 이상 130℃ 이하의 융점을 갖고, 또한, 분자량 분산도(질량 평균 분자량/수 평균 분자량)가 5 이하인 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 수지로서는, 메탈로센 PP를 들 수 있다.
상기 비엘라스토머층이 상기와 같은 수지를 포함함으로써, 커프 유지 공정에 있어서, 비엘라스토머층을 보다 신속하게 냉각 고화할 수 있다. 그 때문에, 다이싱 테이프를 열수축시킨 후에, 기재층(1)이 수축되는 것을 보다 충분히 억제할 수 있다.
이에 의해, 커프 유지 공정에 있어서, 커프를 보다 충분히 유지할 수 있다.
또한, 수지 필름을 상기한 바와 같은 수지로 구성하고, 기재층(1)의 두께를 상기한 바와 같은 두께로 함으로써, 기재층(1)을, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이고, 또한, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 기재층(1)의 탄성률과 기재층(1)의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하인 것으로 할 수 있다.
점착제층(2)은, 점착제를 함유한다. 점착제층(2)은, 반도체 칩으로 개편화하기 위한 반도체 웨이퍼를 점착함으로써 보유 지지한다.
상기 점착제로서는, 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 점착력을 저감 가능한 것(이하, 점착 저감형 점착제라 함)을 들 수 있다.
점착제로서 점착 저감형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서, 점착제층(2)이 비교적 높은 점착력을 나타내는 상태(이하, 고점착 상태라 함)와, 비교적 낮은 점착력을 나타내는 상태(이하, 저점착 상태라 함)를 구분지어 사용할 수 있다. 예를 들어, 다이싱 테이프(10)에 첩부된 반도체 웨이퍼가 할단에 제공될 때는, 반도체 웨이퍼의 할단에 의해 개편화된 복수의 반도체 칩이, 점착제층(2)으로부터 들뜨거나 박리되거나 하는 것을 억제하기 위해, 고점착 상태를 이용한다. 이에 반해, 반도체 웨이퍼의 할단 후에, 개편화된 복수의 반도체 칩을 픽업하기 위해서는, 점착제층(2)으로부터 복수의 반도체 칩을 픽업하기 쉽게 하기 위해, 저점착 상태를 이용한다.
상기 점착 저감형 점착제로서는, 예를 들어 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서 방사선 조사에 의해 경화시키는 것이 가능한 점착제(이하, 방사선 경화 점착제라 함)를 들 수 있다.
상기 방사선 경화 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선 또는 X선의 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제를 들 수 있다. 이들 중에서도, 자외선 조사에 의해 경화되는 점착제(자외선 경화 점착제)를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 방사선 경화 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성 모노머 성분이나 방사선 중합성 올리고머 성분을 포함하는, 첨가형 방사선 경화 점착제를 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머로서는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 포함하는 것을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다.
점착제층(2)은, 외부 가교제를 포함하고 있어도 된다. 외부 가교제로서는, 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머와 반응하여 가교 구조를 형성할 수 있는 것이면, 어떤 것이라도 사용할 수 있다. 이와 같은 외부 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물, 아지리딘 화합물 및 멜라민계 가교제 등을 들 수 있다.
상기 방사선 중합성 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 및, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 방사선 중합성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등의 다양한 올리고머를 들 수 있다. 상기 방사선 경화 점착제 중의 방사선 중합성 모노머 성분이나 방사선 중합성 올리고머 성분의 함유 비율은, 점착제층(2)의 점착성을 적절하게 저하시키는 범위에서 선택된다.
상기 방사선 경화 점착제는, 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드 및 아실포스포네이트 등을 들 수 있다.
점착제층(2)은, 상기 각 성분에다가, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 안료, 또는, 염료 등의 착색제 등을 포함하고 있어도 된다.
점착제층(2)의 두께는, 1㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 바람직하고, 2㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5㎛ 이상 25㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
[다이싱 다이 본드 필름]
다음에, 도 2를 참조하면서, 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대하여 설명한다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 설명에 있어서, 다이싱 테이프(10)와 중복되는 부분에 있어서는, 그 설명은 반복하지 않는다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 기재층(1) 상에 점착제층(2)이 적층된 다이싱 테이프(10)와, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 적층된 다이 본드층(3)을 구비한다.
다이싱 다이 본드 필름(20)에서는, 다이 본드층(3) 상에 반도체 웨이퍼가 첩부된다.
다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 반도체 웨이퍼의 할단에 있어서는, 반도체 웨이퍼와 함께 다이 본드층(3)도 할단된다. 다이 본드층(3)은, 개편화된 복수의 반도체 칩의 사이즈에 상당하는 크기로 할단된다. 이에 의해, 다이 본드층(3) 구비의 반도체 칩을 얻을 수 있다.
다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)는, 상기한 바와 같이, 기재층(1)이, 단일 구조 또는 적층 구조를 구비한 수지 필름으로 구성되어 있고, 다이싱 테이프(10)의 기재층(1)은, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이고, 또한, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 기재층(1)의 탄성률과 기재층(1)의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하이다.
다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)에 있어서, 기재층(1)은, 상기한 바와 같이, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 0.01％ 이상인 것이 바람직하고, 0.1％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 1％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 기재층(1)의 탄성률과 기재층(1)의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 3N·㎟ 이상인 것이 바람직하고, 10N·㎟ 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)에 있어서, 기재층(1)은, 상기한 바와 같이, 점착제층(2)이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 탄성 회복률이 75％ 이하인 것이 바람직하고, 65％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 탄성 회복률은, 50％ 이상인 것이 바람직하고, 60％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)에 있어서, 기재층(1)은, 상기한 바와 같이, 점착제층(2)이 적층되는 측의 표면에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 경도가 40㎫ 이하인 것이 바람직하고, 35㎫ 이하인 것이 보다 바람직하다. 경도는, 20㎫ 이상인 것이 바람직하고, 30㎫ 이상인 것이 보다 바람직하다.
다이 본드층(3)은, 열경화성을 갖는 것이 바람직하다. 다이 본드층(3)에 열경화성 수지 및 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지 중 적어도 한쪽을 포함시킴으로써, 다이 본드층(3)에 열경화성을 부여할 수 있다.
다이 본드층(3)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 이와 같은 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 및 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸 노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 및 글리시딜아민형 에폭시 수지를 들 수 있다.
에폭시 수지의 경화제로서의 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌을 들 수 있다.
다이 본드층(3)이, 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 이와 같은 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 들 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 아크릴 수지로서는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 포함하는 것을 들 수 있다.
열경화성 관능기를 갖는 열경화성 수지에 있어서는, 열경화성 관능기의 종류에 따라서, 경화제가 선택된다.
다이 본드층(3)은, 수지 성분의 경화 반응을 충분히 진행시키거나, 경화 반응 속도를 높이거나 하는 관점에서, 열경화 촉매를 함유하고 있어도 된다. 열경화 촉매로서는, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 및 트리할로겐보란계 화합물을 들 수 있다.
다이 본드층(3)은, 열가소성 수지를 포함하고 있어도 된다. 열가소성 수지는 바인더로서 기능한다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 폴리아미드6이나 폴리아미드6,6 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 조합되어 사용되어도 된다. 상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적고, 또한, 내열성이 높기 때문에, 다이 본드층에 의한 접속 신뢰성이 확보되기 쉬워진다고 하는 관점에서, 아크릴 수지가 바람직하다.
상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 질량 비율로 가장 많은 모노머 단위로서 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및, (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다. 상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 성분에서 유래되는 모노머 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴니트릴 등의 관능기 함유 모노머나, 각종 다관능성 모노머 등을 들 수 있다. 다이 본드층에 있어서 높은 응집력을 실현한다는 관점에서, 상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르(특히, 알킬기의 탄소수가 4 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르)와, 카르복시기 함유 모노머와, 질소 원자 함유 모노머와, 다관능성 모노머(특히, 폴리글리시딜계 다관능 모노머)의 공중합체인 것이 바람직하고, 아크릴산에틸과, 아크릴산부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체인 것이 보다 바람직하다.
다이 본드층(3)은, 필요에 따라서, 1종 또는 2종 이상의 다른 성분을 함유 해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제, 및 이온 트랩제를 들 수 있다.
다이 본드층(3)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 이와 같은 두께는, 3㎛ 이상 150㎛ 이하여도 되고, 5㎛ 이상 100㎛ 이하여도 된다.
본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조하기 위한 보조 용구로서 사용된다. 이하, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 사용의 구체예에 대하여 설명한다.
이하에서는, 기재층(1)이 1층인 다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 예에 대하여 설명한다.
반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하는 하프컷 공정과, 하프컷 공정 후의 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 백그라인드 공정 후의 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층(3)에 첩부하여, 다이싱 테이프(10)에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 유지하는 커프 유지 공정과, 다이 본드층(3)과 점착제층(2) 사이를 박리하여 다이 본드층(3)이 첩부된 상태에서 반도체 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩(다이)을 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는다. 이들 공정을 실시할 때, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(다이싱 다이 본드 필름)가 제조 보조 용구로서 사용된다.
하프컷 공정에서는, 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 반도체 집적 회로를 소편(다이)으로 할단하기 위한 하프컷 가공을 실시한다. 상세하게는, 반도체 웨이퍼 W의 회로면과는 반대측의 면에, 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한다(도 3a 참조). 또한, 웨이퍼 가공용 테이프 T에 다이싱 링 R을 설치한다(도 3a 참조). 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한 상태에서, 분할용의 홈을 형성한다(도 3b 참조). 백그라인드 공정에서는, 도 3c 및 도 3d에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 한다. 상세하게는, 홈을 형성한 면에 백그라인드 테이프 G를 첩부하는 한편, 처음에 첩부한 웨이퍼 가공용 테이프 T를 박리한다(도 3c 참조). 백그라인드 테이프 G를 첩부한 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께로 될 때까지 연삭 가공을 실시한다(도 3d 참조).
마운트 공정에서는, 도 4a 내지 도 4b에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)에 다이싱 링 R을 설치한 후, 노출된 다이 본드층(3)의 면에, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 첩부한다(도 4a 참조). 그 후, 반도체 웨이퍼 W로부터 백그라인드 테이프 G를 박리한다(도 4b 참조).
익스팬드 공정에서는, 도 5a 내지 도 5c에 도시한 바와 같이, 다이싱 링 R을 익스팬드 장치의 유지구 H에 고정한다. 익스팬드 장치가 구비하는 밀어올림 부재 U를 사용하여, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 하측으로부터 밀어올림으로써, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 면 방향으로 넓히도록 잡아늘인다(도 5b 참조). 이에 의해, 특정 온도 조건에 있어서, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 할단한다. 상기 온도 조건은, 예를 들어 -20 내지 5℃이며, 바람직하게는 -15 내지 0℃, 보다 바람직하게는 -10 내지 -5℃이다. 밀어올림 부재 U를 하강시킴으로써 익스팬드 상태를 해제한다(도 5c 참조).
또한, 익스팬드 공정에서는, 도 6a 내지 도 6b에 도시한 바와 같이, 보다 높은 온도 조건 하(예를 들어, 실온(23℃))에 있어서, 면적을 넓히도록 다이싱 테이프(10)를 잡아늘린다. 이에 의해, 할단된 인접하는 반도체 칩 W를 필름면의 면 방향으로 벌려, 간격을 더 넓힌다.
또한, 익스팬드 공정에 있어서는, 상술한 바와 같이, 반도체 칩으로부터 이격되는 방향의 항력이 기재층(1)에 발생한다.
여기서, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)에 있어서, 기재층(1)은, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 기재층(1)의 탄성률과 기재층(1)의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하이다. 그 때문에, 익스팬드 공정에 있어서, 기재층(1)은, 비교적 굽힘 변형되기 쉬운 것이 된다. 즉, 반도체 칩의 외주연 부분이 들뜨는 방향으로 변위되는 경우에도, 기재층(1)이 그 변위에 비교적 추종하기 쉽게 되어 있다.
커프 유지 공정에서는, 도 7에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(10)에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃)을 쐬어 다이싱 테이프(10)를 열수축시킨 후 냉각 고화시켜, 할단된 인접하는 반도체 칩간의 거리(커프)를 유지한다.
여기서, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)에 있어서, 기재층(1)은, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이므로, 커프 유지 공정에서의 기재층(1)의 열수축을 비교적 작게 할 수 있다. 그 때문에, 상기한 바와 같이, 익스팬드 공정에 있어서 반도체 칩으로부터 이격되는 방향의 항력이 기재층(1)에 발생하는 경우에도, 열수축 후에 상기 기재층에 잔존하는 항력을 비교적 작게 할 수 있다. 그 결과, 반도체 칩의 외주연 부분이 점착제층(2)으로부터 들뜨는 것을 비교적 억제할 수 있다.
픽업 공정에서는, 도 8에 도시한 바와 같이, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩 W를 다이싱 테이프(10)의 점착층(2)으로부터 박리한다. 상세하게는, 핀 부재 P를 상승시켜, 픽업 대상의 반도체 칩 W를, 다이싱 테이프(10)를 개재하여 밀어올린다. 밀어올려진 반도체 칩을 흡착 지그 J에 의해 보유 지지한다.
다이 본드 공정에서는, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩 W를 피착체에 접착시킨다.
또한, 상기 반도체 집적 회로의 제조에 있어서는, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 보조구로서 사용하는 예에 대하여 설명하였지만, 다이싱 테이프(10)를 보조구로서 사용한 경우에도, 상기와 마찬가지로 하여 반도체 집적 회로를 제조할 수 있다.
본 명세서에 의해 개시되는 사항은, 이하의 것을 포함한다.
(1)
기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프이며,
상기 기재층이, 단일 구조 또는 적층 구조를 구비한 수지 필름으로 구성되어 있고,
상기 기재층은, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이고, 또한, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 기재층의 탄성률과 상기 기재층의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하인 다이싱 테이프.
이러한 구성에 의하면, 상기 기재층은, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이므로, 커프 유지 공정에서의 상기 기재층의 열수축을 비교적 작게 할 수 있다. 그 때문에, 익스팬드 공정에 있어서 반도체 칩으로부터 이격되는 방향의 항력이 상기 기재층에 발생하였다고 해도, 열수축 후에 상기 기재층에 잔존하는 항력을 비교적 작게 할 수 있다. 그 결과, 반도체 칩의 외주연 부분이 상기 점착제층으로부터 들뜨는 것을 비교적 억제할 수 있다.
또한, 상기 기재층은, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 기재층의 탄성률과 상기 기재층의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하이므로, 익스팬드 공정에 있어서, 상기 기재층은 비교적 굽힘 변형되기 쉬운 것이 된다. 즉, 반도체 칩의 외주연 부분이 들뜨는 방향으로 변위된 경우에도, 기재층이, 그 변위에 비교적 추종하기 쉬워진다.
이에 의해, 커프 유지 공정 후에 있어서의 칩 들뜸을 비교적 억제할 수 있다.
(2)
상기 기재층은, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 1％ 이상인 상기 (1)에 기재된 다이싱 테이프.
이러한 구성에 의하면, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 할단한 후에, 반도체 칩간의 거리(즉, 커프)를 보다 충분히 유지할 수 있다.
(3)
상기 기재층은, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 기재층의 탄성률과 상기 기재층의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 3N·㎟ 이상인 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 다이싱 테이프.
이러한 구성에 의하면, 제품 형태에 있어서, 긴 세퍼레이터로부터, 개편화된 다이싱 테이프를 원활하게 박리할 수 있다.
(4)
상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 탄성 회복률이 75％ 이하인 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 다이싱 테이프.
이러한 구성에 의하면, 상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 탄성 회복률이 75％ 이하이므로, 익스팬드 공정에 있어서 반도체 칩으로부터 이격되는 방향의 항력이 상기 기재층에 발생하였다고 해도, 열수축 후에 상기 기재층에 잔존하는 항력을 보다 한층 더 작게 할 수 있다. 그 결과, 반도체 칩의 외주연 부분이 상기 점착제층으로부터 들뜨는 것을 보다 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 커프 유지 공정 후에 있어서의 칩 들뜸을 보다 한층 더 억제할 수 있다.
(5)
상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 탄성 회복률이 50％ 이상인 상기 (4)에 기재된 다이싱 테이프.
이러한 구성에 의하면, 상기 기재층이 변형되는 것에 기인하는 외관 불량을 보다 충분히 억제할 수 있다.
(6)
상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 경도가 40㎫ 이하인 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 것에 기재된 다이싱 테이프.
이러한 구성에 의하면, 상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 경도가 40㎫ 이하이므로, 익스팬드 공정에 있어서 반도체 칩으로부터 이격되는 방향의 항력이 상기 기재층에 발생하였다고 해도, 열수축 후에 상기 기재층에 잔존하는 항력을 보다 한층 더 작게 할 수 있다. 그 결과, 반도체 칩의 외주연 부분이 상기 점착제층으로부터 들뜨는 것을 보다 한층 더 억제할 수 있다.
이에 의해, 커프 유지 공정 후에 있어서의 칩 들뜸을 보다 한층 더 억제할 수 있다.
(7)
상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 경도가 20㎫ 이상인 상기 (6)에 기재된 다이싱 테이프.
이러한 구성에 의하면, 반도체 웨이퍼 및 다이 본드층의 할단을 보다 양호하게 행할 수 있다.
(8)
기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고,
상기 기재층이, 단일 구조 또는 적층 구조를 구비한 수지 필름으로 구성되어 있고,
상기 기재층은, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이고, 또한, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 기재층의 탄성률과 상기 기재층의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하인 다이싱 다이 본드 필름.
이러한 구성에 의하면, 익스팬드 공정에 있어서 반도체 칩으로부터 이격되는 방향의 항력이 상기 기재층에 발생하였다고 해도, 열수축 후에 상기 기재층에 잔존하는 항력을 비교적 작게 할 수 있고, 또한, 익스팬드 공정에 있어서 상기 기재층을 비교적 탄성 변형되기 쉬운 것으로 할 수 있다.
이에 의해, 커프 유지 공정 후에 있어서의 칩 들뜸을 비교적 억제할 수 있다.
(9)
상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 탄성 회복률이 75％ 이하인 상기 (8)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.
(10)
상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 경도가 40㎫ 이하인 상기 (8) 또는 (9)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.
이러한 구성에 의하면, 커프 유지 공정 후에 있어서의 칩 들뜸을 보다 한층 더 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름은, 상기한 작용 효과에 의해 한정되는 것도 아니다. 본 발명에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름은, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
[실시예]
다음에, 실시예를 들어 본 발명에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예는 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위한 것이고, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.
[실시예 1]
<기재층의 성형>
2종 3층 압출 T다이 성형기를 사용하여, A층/B층/C층의 3층 구조(B층을 중심층으로 하고, B층의 양면에 외층인 A층 및 C층이 적층된 3층 구조)를 갖는 기재층을 성형하였다. A층 및 C층의 수지에는 메탈로센 PP(상품명: 윈텍 WFX4M, 니혼 폴리프로사제)를 사용하고, B층의 수지에는 EVA(상품명: 울트라센(등록상표) 626, 도소사제)를 사용하였다.
상기 압출 성형은, 다이스 온도 190℃에서 행하였다. 즉, A층, B층 및 C층은 190℃에서 압출 성형되었다. 압출 성형에 의해 얻어진 기재층의 두께는 80㎛였다. 또한, A층, B층 및 C층의 두께의 비(층 두께비)는, A층:B층:C층=1:10:1이었다.
성형된 기재층을 충분히 고화시킨 후에, 고화 후의 기재층을 롤형으로 권취하여 롤체로 하였다.
<다이싱 테이프의 제작>
롤형의 기재층으로부터 기재층의 한쪽의 표면에, 애플리케이터를 사용하여 두께 10㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하였다. 점착제 조성물 도포 후의 기재층을 110℃에서 3분 가열 건조하여, 점착제층을 형성함으로써, 다이싱 테이프를 얻었다.
상기 점착제 조성물은, 이하와 같이 하여 조제하였다.
먼저, INA(이소노닐아크릴레이트) 173질량부, HEA(히드록시에틸아크릴레이트) 54.5질량부, AIBN(2,2'-아조비스이소부티로니트릴) 0.46질량부, 아세트산에틸 372질량부를 혼합하여 제1 수지 조성물을 얻었다.
다음에, 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크(용량 1L), 온도계, 질소 도입관, 및, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치의 상기 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내에 상기 제1 수지 조성물을 첨가하고, 상기 제1 수지 조성물을 교반하면서, 상기 제1 수지 조성물의 액온을 상온(23℃)로 하여, 상기 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내를 6시간 질소 치환하였다.
계속해서 상기 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내에 질소를 유입시킨 상태에서, 상기 제1 수지 조성물을 교반하면서, 상기 제1 수지 조성물의 액온을 62℃에서 3시간 유지한 후 또한 75℃에서 2시간 유지하여, 상기 INA, 상기 HEA 및 상기 AIBN을 중합시켜, 제2 수지 조성물을 얻었다. 그 후, 상기 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내로의 질소의 유입을 정지하였다.
액온이 상온이 될 때까지 상기 제2 수지 조성물을 냉각한 후, 상기 제2 수지 조성물에, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(쇼와 덴코사제, 상품명 「카렌즈 MOI(등록상표)」) 52.5질량부, 및, 디라우르산디부틸주석 IV(와코 준야쿠 고교사제) 0.26질량부를 첨가하여 얻은 제3 수지 조성물을, 대기 분위기 하에서, 액온 50℃에서 24시간 교반하였다.
다음에, 상기 제3 수지 조성물에 있어서, 폴리머 고형분 100질량부에 대하여 코로네이트 L(이소시아네이트 화합물) 및 Omnirad127(광중합 개시제)을 각각 0.75질량부 및 2질량부 첨가한 후, 아세트산에틸을 사용하여, 고형분 농도가 20질량％가 되도록 상기 제3 수지 조성물을 희석하여, 점착제 조성물을 조제하였다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
아크릴 수지(나가세 켐텍스사제, 상품명 「SG-P3」, 유리 전이 온도 12℃) 100질량부, 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, 상품명 「JER1001」) 46질량부, 페놀 수지(메이와 가세이사제, 상품명 「MEH-7851ss」) 51질량부, 구상 실리카(애드마텍스사제, 상품명 「SO-25R」) 191질량부, 및, 경화 촉매(시코쿠 가세이 고교사제, 상품명 「큐어졸 PHZ」) 0.6질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하여, 고형분 농도 20질량％의 다이 본드 조성물을 얻었다.
다음에, 박리 라이너인 PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리를 실시한 면 상에, 애플리케이터를 사용하여 두께 10㎛가 되도록 상기 다이 본드 조성물을 도포하고, 130℃에서 2분간 건조하여 상기 다이 본드 조성물로부터 탈용매하여, 상기 박리 라이너 상에 다이 본드층이 적층된 다이 본드 시트를 얻었다.
다음에, 상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층 상에, 상기 다이 본드 시트에 있어서의 상기 박리 시트가 적층되어 있지 않은 측을 접합한 후, 상기 박리 라이너를 상기 다이 본드층으로부터 박리하여, 다이 본드층을 구비하는 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
(굽힘 경도)
점착제층을 형성하기 전의 기재층에 대하여, 굽힘 경도를 구하였다.
굽힘 경도는, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 기재층의 탄성률과 상기 기재층의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구하였다.
점착제층을 형성하기 전의 기재층의 탄성률은, 이하와 같이 하여 구하였다.
측정 장치 및 측정 조건
·장치: Tribo Indenter(Hysitron Inc.사제)
·사용 압자: 베르코비치형 다이아몬드제 압자(삼각뿔형)
·측정 방법: 단일 압입 측정
·측정 온도: 25℃
·압입 깊이 설정: 200㎚
·측정 분위기: 공기 중
·부하(압입) 속도: 20㎚/s
·제하 속도(인발): 20㎚/s
측정 시료
포매 수지를 사용하여 다이싱 테이프(길이 l: 5㎜, 폭 w: 5㎜, 두께 t: 125㎛)의 전체를 포매한 후, 마이크로톰을 사용하여, 포매된 다이싱 테이프를 폭 방향을 따라서 단면을 잘라낸 것(단면 내기한 것)을 측정 시료로 하였다.
또한, 포매 수지로서는, DEV-TUBE S-31(ITW PP&F 재팬사제)을 사용하였다.
측정 방법
(1) 측정 시료를 25℃에서 1시간 유지하였다.
(2) 베르코비치형 다이아몬드제 압자의 압입 방향과, 측정 시료의 기재층의 표면이 직교하도록, 측정 시료를 배치하였다.
(3) 베르코비치형 다이아몬드제 압자의 선단을 측정 시료의 기재층의 표면에 맞닿게 한 후, 기재층(1)의 표면으로부터 깊이 200㎚까지, 부하 속도 20㎚/s로 베르코비치형 다이아몬드제 압자를 압입하였다.
(4) 기재층의 표면으로부터 깊이 200㎚까지, 베르코비치형 다이아몬드제 압자를 압입한 후, 제하 속도 20㎚/s로, 베르코비치형 다이아몬드제 압자를 압입 개시 시의 위치까지 복귀시켰다.
(5) 해석 소프트웨어 「Triboscan Ver. 9. 2. 12. 0」을 사용하여, 압자를 가장 압입한 위치로부터 제하하였을 때의 기재층(1)의 각 변위, 상기 각 변위가 될 때 기재층에 가해진 하중, 및, 이론적으로 산출되는 상기 각 변위에 있어서의 압흔 면적(상기 각 변위가 될 때의 압자와 기재층(1)의 접촉 면적(접촉 투영 면적))으로부터, 탄성률을 산출하였다.
상기 측정은, 기재층의 다른 3개소에 대하여 행하고, 3개소에 있어서 산출된 탄성률을 산술 평균함으로써, 기재층의 탄성률을 구하였다.
실시예 1에 관한 기재층은 3층 구조였기 때문에, 각 층에 대하여 탄성률을 구하였다.
또한, 점착제층을 형성하기 전의 기재층의 단면 2차 모멘트는, 기재층의 단면이 직사각형이라고 가정하여, 이하의 식을 사용하여 산출하였다.
I=w×h3/12(단, w는 기재층의 폭이며, h는 기재층의 두께임)
여기서, 실시예 1에 관한 기재층은 3층 구조였기 때문에, 각 층에 대하여 단면 2차 모멘트를 산출하였다.
또한, 기재층의 1층째(A층)의 폭은 300㎜, 두께는 10.4㎛이며, 기재층의 2층째(B층)의 폭은 300㎜, 두께는 10.4㎛이고, 기재층의 3층째(C층)의 폭은 300㎜이며, 두께는 10.4㎛였다.
또한, 실시예 1에 관한 기재층의 굽힘 경도는, 각 층에 대하여, 탄성률과 단면 2차 모멘트의 곱을 구하고, 이들을 더함으로써 구하였다.
(탄성 회복률)
점착제층을 형성하기 전의 기재층에 대하여, 탄성 회복률을 구하였다.
탄성 회복률은, 상기한 기재층의 측정에 사용한 것과 동일한 측정 장치 및 측정 시료를 사용하고, 상기한 기재층의 탄성률의 측정 조건과 동일한 측정 조건을 채용하고, 해석 소프트웨어 「Triboscan Ver. 9. 2. 12. 0」을 사용하여, 상기한 기재층의 탄성률과 동일한 측정 방법을 채용함으로써 측정하였다.
(경도)
점착제층을 형성하기 전의 기재층에 대하여, 경도를 구하였다.
경도는, 상기한 기재층의 측정에 사용한 것과 동일한 측정 장치 및 측정 시료를 사용하고, 상기한 기재층의 탄성률의 측정 조건과 동일한 측정 조건을 채용하고, 해석 소프트웨어 「Triboscan Ver. 9. 2. 12. 0」을 사용하여, 압자를 가장 압입하였을 때 기재층에 가해지는 하중, 및, 압자를 가장 압입하였을 때 이론적으로 산출되는 압흔 면적(압자를 가장 압입하였을 때의 압자와 기재층의 접촉 면적(접촉 투영 면적))으로부터, 기재층의 경도를 구함으로써 측정하였다.
(열수축률)
점착제층을 형성하기 전의 기재층으로부터, MD 방향이 길이 방향이 되도록 소정 치수(폭 20㎜, 길이 120㎜)로 잘라낸 시험편에 대하여, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률을 측정하였다.
열수축률은, 이하의 수순에 따라서 구하였다.
(1) 가열 전의 상기 시험편의 길이 방향의 양단부로부터 10㎜의 개소에 각각 마킹을 하였다.
(2) 가열 전의 상기 시험편의 마킹간의 거리 L0(즉, MD 방향의 초기 길이)을 측정하였다.
(3) 마킹한 개소보다도 외측(즉, 길이 방향의 단부측)의 부분을 클립으로 고정한 상태에서, 상기 시험편을 온도 100℃의 환경에 60초간 노출시켰다.
(4) 상기 시험편을 실온(23±2℃)까지 냉각한 후, (2)와 동일한 개소에 대하여 길이 L1을 측정하였다.
(5) 이하의 식에 따라서, 상기 시험편의 길이 방향(MD 방향)의 치수 변화율 RC를 산출하였다.
RC=(L0-L1)/L0×100
(칩 들뜸의 평가)
상기와 같이 하여 얻은 실시예 1에 관한 다이싱 다이 본드 필름에, 베어 웨이퍼(직경 300㎜) 및 다이싱 링을 첩부하였다.
다음에, 다이 세퍼레이터 DDS230(디스코사제)를 사용하여, 반도체 웨이퍼 및 다이 본드층의 할단을 행하고, 할단 후의 칩 들뜸에 대하여 평가하였다. 베어 웨이퍼는, 길이 10㎜×폭 10㎜×두께 0.055㎜의 크기의 베어 칩으로 할단하였다.
또한, 베어 웨이퍼로서는, 휨 웨이퍼를 사용하였다.
휨 웨이퍼는 이하와 같이 하여 제작하였다.
먼저, 하기 (a) 내지 (f)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 고형분 농도 20질량％의 휨 조정 조성물을 얻었다.
(a) 아크릴 수지(나가세 켐텍스사제, 상품명 「SG-70L」): 5질량부
(b) 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, 상품명 「JER828」): 5질량부
(c) 페놀 수지(메이와 가세이사제, 상품명 「LDR8210」): 14질량부
(d) 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, 상품명 「MEH-8005」): 2질량부
(e) 구상 실리카(애드마텍스사제, 상품명 「SO-25R」): 53질량부
(f) 인계 촉매(TPP-K): 1질량부
다음에, 상기 휨 조정 조성물을, 박리 라이너된 PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리한 면 상에, 애플리케이터를 사용하여 두께 25㎛로 도포하고, 130℃에서 2분간 건조하여 상기 휨 조정 조성물로부터 탈용매하여, 상기 박리 라이너 상에 휨 조정층이 적층된 휨 조정 시트를 얻었다.
다음에, 상기 휨 조정 시트에 있어서의 상기 박리 라이너가 적층되어 있지 않은 측에, 라미네이터(MCK사제, 형식 MRK-600)를 사용하여, 60℃, 0.1㎫, 10㎜/s의 조건에서 베어 웨이퍼를 첩부하고, 오븐에 넣어 175℃에서 1시간 가열하여 상기 휨 조정층에 있어서의 수지를 열경화시키고, 이에 의해, 상기 휨 조정층이 수축됨으로써 휜 베어 웨이퍼를 얻었다.
상기 휨 조정층을 수축시킨 후, 휜 베어 웨이퍼에 있어서의 상기 휨 조정층이 적층되어 있지 않은 측에 웨이퍼 가공용 테이프(닛토덴코 가부시키가이샤제, 상품명 「V-12SR2」)를 첩부한 후, 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 개재하여, 휜 베어 웨이퍼에 다이싱 링을 고정하였다. 그 후, 휜 베어 웨이퍼로부터 상기 휨 조정층을 제거하였다.
다이싱 장치(DISCO사제, 형번 6361)를 사용하여, 휜 베어 웨이퍼에 있어서의 상기 휨 조정층을 제거한 면(이하, 한쪽 면이라 함)의 전체에, 이 면으로부터 100㎛의 깊이의 홈을 격자형(폭 20㎛)으로 형성하였다.
다음에, 휜 베어 웨이퍼의 한쪽 면에 백그라인드 테이프를 접합하고, 휜 베어 웨이퍼의 다른 쪽 면(상기 한쪽 면과 반대측의 면)으로부터 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 제거하였다.
다음에, 백그라인더(DISCO사제, 형식 DGP8760)를 사용하여, 휜 베어 웨이퍼의 두께가 55㎛(0.055㎜)가 되도록, 다른 쪽 면측으로부터 휜 베어 웨이퍼를 연삭함으로써 얻어진 웨이퍼를, 휨 웨이퍼로 하였다.
칩 들뜸은 상세하게는 이하와 같이 하여 평가하였다.
먼저, 쿨 익스팬더 유닛에서, 익스팬드 온도 -5℃, 익스팬드 속도 100㎜/초, 익스팬드양 12㎜의 조건에서, 베어 웨이퍼 및 다이 본드층을 할단하여, 다이 본드층 구비 반도체 칩을 얻었다.
다음에, 실온, 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드양 5㎜의 조건에서 익스팬드를 행하였다. 그리고, 익스팬드 상태를 유지한 채로, 히트 온도 200℃, 히트 거리 18㎜, 로테이션 스피드 5°/sec의 조건에서, 베어 웨이퍼의 외주연과의 경계 부분의 다이싱 다이 본드 필름을 열수축시켰다.
다음에, 다이싱 다이 본드 필름의 기재층 표면에 대하여, 현미경 관찰에 의해 다이 본드층 구비 반도체 칩의 들뜸의 상태를 촬영하고, 2치화함으로써, 들뜸 면적을 산출하였다. 그리고, 들뜸 면적이 4％ 미만인 경우를 ○로 평가하고, 4％ 이상인 경우를 ×로 평가하였다.
[실시예 2]
기재층을 125㎛로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
또한, 실시예 2에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 굽힘 경도, 탄성 회복률, 및 경도를 구하였다.
또한, 실시예 2에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 칩 들뜸을 평가하였다.
[실시예 3]
기재층을 150㎛로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
또한, 실시예 3에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 굽힘 경도, 탄성 회복률, 및 경도를 구하였다.
또한, 실시예 3에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 칩 들뜸을 평가하였다.
[실시예 4]
A층, B층 및 C층의 두께의 비(층 두께비)를 A층:B층:C층=1:4:1로 한 것 이외에는, 실시예 3과 마찬가지로 하여, 실시예 4에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
또한, 실시예 4에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 굽힘 경도, 탄성 회복률, 및 경도를 구하였다.
또한, 실시예 4에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 칩 들뜸을 평가하였다.
[실시예 5]
기재층을 A층 및 B층의 2층으로 구성하고, 기재층의 층 두께비를, A층:B층=1:5로 한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 한, 실시예 5에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
또한, 실시예 5에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 굽힘 경도, 탄성 회복률, 및 경도를 구하였다.
또한, 실시예 5에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 칩 들뜸을 평가하였다.
[실시예 6]
기재층의 A층 및 C층(외층)을 구성하는 수지를 Novatec LC720으로 한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여, 실시예 6에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
또한, 실시예 6에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 굽힘 경도, 탄성 회복률, 및 경도를 구하였다.
또한, 실시예 6에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 칩 들뜸을 평가하였다.
[실시예 7]
기재층의 A층 및 C층(외층)을 구성하는 수지를 니폴론 하드(등록상표) 2000(도소제)으로 한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여, 실시예 7에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
또한, 실시예 7에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 굽힘 경도, 탄성 회복률, 및 경도를 구하였다.
또한, 실시예 7에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 칩 들뜸을 평가하였다.
[비교예 1]
기재층을 A층의 1층으로 구성한 것 이외는, 실시예 2와 마찬가지로 하여, 비교예 1에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
또한, 비교예 1에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 굽힘 경도, 탄성 회복률, 및 경도를 구하였다.
또한, 비교예 1에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 칩 들뜸을 평가하였다.
[비교예 2]
기재층의 A층을 구성하는 수지를 니폴론 하드(등록상표) 2000(도소제)으로 하고, 층 두께를 150㎛로 한 것 이외에는, 비교예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.
또한, 비교예 2에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 굽힘 경도, 탄성 회복률, 및 경도를 구하였다.
또한, 비교예 2에 관한 기재층에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 칩 들뜸을 평가하였다.
각 예에 관한 기재층에 대하여, 굽힘 경도, 탄성 회복률 및 경도를 구한 결과와 함께, 각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 칩 들뜸을 평가한 결과를 이하의 표 1에 나타냈다.
Figure pat00001
표 1로부터, 실시예 1 내지 7에 관한 기재층은, 모두, 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하를 나타내고, 또한, 열수축률이 20％ 이하를 나타내고 있어, 실시예 1 내지 7에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 칩 들뜸을 억제할 수 있음을 알 수 있다.
이에 반해, 비교예 1에 관한 기재층은, 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하이지만, 열수축률이 20％를 초과하고 있어, 비교예 1에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 칩 들뜸이 충분히 억제되어 있지 않음을 알 수 있다.
또한, 비교예 2에 관한 기재층은, 열수축률이 20％ 이하이지만, 굽힘 경도가 40N·㎟를 초과하고 있어, 비교예 2에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 칩 들뜸이 충분히 억제되어 있지 않음을 알 수 있다.
또한, 표 1에 게재한 결과는, 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이지만, 다이싱 다이 본드 필름에 포함되는 다이싱 테이프에 있어서도, 표 1에 나타낸 것과 마찬가지의 결과가 얻어질 것으로 예상된다.
1: 기재층
2: 점착제층
3: 다이 본드층
10: 다이싱 테이프
20: 다이싱 다이 본드 필름
1a: 제1 수지층
1b: 제2 수지층
1c: 제3 수지층
G: 백그라인드 테이프
H: 유지구
J: 흡착 지그
P: 핀 부재
R: 다이싱 링
T: 웨이퍼 가공용 테이프
U: 밀어올림 부재
W: 반도체 웨이퍼

Claims (4)

  1. 기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프이며,
    상기 기재층이, 단일 구조 또는 적층 구조를 구비한 수지 필름으로 구성되어 있고,
    상기 기재층은, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이고, 또한, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 기재층의 탄성률과 상기 기재층의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하인, 다이싱 테이프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 탄성 회복률이 75％ 이하인, 다이싱 테이프.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기재층은, 상기 점착제층이 적층되는 측의 표층부에 대하여, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정하였을 때의 경도가 40㎫ 이하인 다이싱 테이프.
  4. 기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,
    상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고,
    상기 기재층이, 단일 구조 또는 적층 구조를 구비한 수지 필름으로 구성되어 있고,
    상기 기재층은, 100℃에서의 MD 방향의 열수축률이 20％ 이하이고, 또한, 나노인덴터를 사용하여 25℃에서 측정한 상기 기재층의 탄성률과 상기 기재층의 단면 2차 모멘트의 곱으로서 구해지는 굽힘 경도가 40N·㎟ 이하인, 다이싱 다이 본드 필름.
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