KR20210047259A - 위치결정 장치, 노광 장치, 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

위치결정 장치, 노광 장치, 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

[과제] 스테이지의 위치를 정밀도 좋게 계측하기 위해서 유리한 기술을 제공한다.
[해결 수단] 플레이트의 위치결정을 행하는 위치결정 장치는, 상기 플레이트를 보유하여 제1방향으로 이동가능한 스테이지와, 상기 제1방향으로 광을 사출하고, 상기 스테이지의 상면 위에 설치된 반사 부재로 반사된 광에 근거하여, 상기 제1방향에 있어서의 상기 스테이지의 위치를 계측하는 계측부를, 포함하고, 상기 스테이지는, 상기 제1방향으로의 상기 스테이지의 이동에 의해 상기 플레이트의 주위의 기체가 상기 계측부의 광로에 침입하는 것을 저감하기 위한 벽부를, 상기 제1방향에 있어서의 상기 플레이트와 상기 반사 부재와의 사이에 갖고, 상기 벽부는, 그의 상단이 상기 플레이트의 상면보다 높게 구성되고, 또한, 상기 플레이트 및 상기 반사 부재로부터 이격되어서 배치되어 있다.

Description

위치결정 장치, 노광 장치, 및 물품의 제조 방법{POSITIONING APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은, 플레이트의 위치결정을 행하는 위치결정 장치, 그것을 포함하는 노광 장치, 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 패널이나 반도체 디바이스의 제조 공정(리소그래피 공정)에서 사용되는 장치의 하나로서, 원판과 기판을 상대적으로 주사하면서 기판을 노광하는 노광 장치가 알려져 있다. 이러한 노광 장치에서는, 기판상에 패턴을 정밀도 좋게 형성하기 때문에, 원판이나 기판을 보유하는 스테이지의 위치결정 정밀도의 향상이 요구되고 있고, 거기에는 스테이지의 위치를 정밀도 좋게 계측하는 것이 필요하다.
스테이지의 위치의 계측에는, 일반적으로 레이저 간섭계를 사용할 수 있지만, 레이저 간섭계에서는, 계측광로상에 있어서의 기체의 온도나 압력, 습도등의 변동에 기인하는 계측광로상의 굴절률의 변화가 계측정밀도의 저하(계측오차)의 요인이 될 수 있다. 예를 들면, 원판에서는, 기판의 노광중에 조명되어서 온도가 상승하기 때문에, 원판에 생긴 열이, 원판 스테이지의 이동에 따라 주위로 확장되어서 계측광로에 침입하면, 원판 스테이지의 위치의 계측정밀도가 저하할 수 있다. 또한, 원판의 흐림 방지를 위해, 원판의 배치 공간을, 그 주위보다 저습도의 기체(퍼지 가스)로 가득 채우는 경우가 있다. 이 경우에 있어서도, 원판 스테이지의 이동에 따라 저습도의 기체가 계측광로에 침입하면, 원판 스테이지의 위치의 계측정밀도가 저하할 수 있다.
특허문헌 1에는, 스테이지의 측면에 설치된 반사 미러를 향해서 광을 사출하여, 반사 미러로 반사된 광과 참조 광과의 간섭 광을 받아서 스테이지의 위치를 검출하는 간섭계를 구비한 계측장치가 개시되어 있다. 특허문헌 1에서 개시된 계측 장치에서는, 기체 분출부로부터 스테이지를 향해서 분출되는 기체를 간섭계의 광로에 정류해서 효율적으로 이끌기 위한 구조체(정류판)가, 해당 광로의 일부 및 반사 미러를 상하로부터 끼워 넣도록 설치되어 있다.
일본 특허공개 2012-209401호 공보
특허문헌 1에서 개시된 것 같이 반사 미러 및 구조체가 스테이지의 측면에 설치된 구성에서는, 스테이지의 이동에 따라 스테이지상(예를 들면, 원판상)의 기체가 스테이지의 측면에 유입하는 일이 있다. 이 경우, 스테이지의 측면의 근방에 있어서의 계측광로에서는, 기체 분출부로부터 분출되어서 구조체로 이끌어진 기체와 스테이지상으로부터 흘러 온 기체로 난류(기체의 변동)가 생겨버려, 스테이지의 위치의 계측정밀도가 저하할 수 있다.
그래서, 본 발명은, 스테이지의 위치를 정밀도 좋게 계측하기 위해서 유리한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일측면으로서의 위치결정 장치는, 플레이트의 위치결정을 행하는 위치결정 장치이며, 상기 플레이트를 보유하여 제1방향으로 이동가능한 스테이지와, 상기 제1방향으로 광을 사출하고, 상기 스테이지의 상면의 위에 설치된 반사 부재로 반사된 광에 근거하여, 상기 제1방향에 있어서의 상기 스테이지의 위치를 계측하는 계측부를 포함하고, 상기 스테이지는, 상기 제1방향으로의 상기 스테이지의 이동에 의해 상기 플레이트의 주위의 기체가 상기 계측부의 광로에 침입하는 것을 저감하기 위한 벽부를, 상기 제1방향에 있어서의 상기 플레이트와 상기 반사 부재와의 사이에 갖고, 상기 벽부는, 그의 상단이 상기 플레이트의 상면보다 높게 구성되고, 또한, 상기 플레이트 및 상기 반사 부재로부터 이격되어서 배치되어 있는, 것을 특징으로 한다.
본 발명의 추가의 목적 또는 그 밖의 측면은, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 형태에 의해 분명해질 것이다.
본 발명에 의하면, 예를 들면, 스테이지의 위치를 정밀도 좋게 계측하기 때문에 유리한 기술을 제공할 수 있다.
[도1] 노광 장치의 구성을 도시한 개략도
[도2] 제1실시 형태의 위치결정 장치의 구성을 도시한 개략도
[도3] 제1실시 형태의 위치결정 장치의 효과를 설명하기 위한 도
[도4] 벽부의 변형 예를 도시한 도면
[도5] 제2실시 형태의 위치결정 장치의 구성을 도시한 개략도
[도6] 제3실시 형태의 위치결정 장치의 구성을 도시한 개략도
[도7] 제4실시 형태의 위치결정 장치의 구성을 도시한 개략도
[도8] 제4실시 형태의 위치결정 장치의 변형 예를 도시한 개략도
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태는 특허청구의 범위에 따른 발명을 한정하는 것이 아니다. 실시 형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이것들의 복수의 특징의 모두가 발명에 필수적인 것이라고는 한정하지 않고, 또한, 복수의 특징은 임의로 조합되어도 좋다. 더욱, 첨부 도면에 있어서는, 동일 또는 마찬가지의 구성에 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복된 설명은 생략한다.
<제1실시 형태>
[노광 장치의 구성]
본 발명에 따른 제1실시 형태에 대해서 설명한다. 도1은, 본 실시 형태의 노광 장치(100)의 전체 구성을 도시한 개략도다. 본 실시 형태의 노광 장치(100)는, 원판M과 기판W를 주사하면서 기판W를 노광 함에 의해 원판M의 패턴을 기판상에 전사하는 스텝·앤드·스캔 방식의 노광 장치다. 이러한 노광 장치(100)는, 주사 노광 장치나 스캐너라고도 불린다. 본 실시 형태에서는, 원판M은, 예를 들면 석영제 마스크(레티클)이며, 기판W에 있어서의 복수의 숏 영역의 각각에 전사되어야 할 회로 패턴이 형성되어 있다. 또한, 기판W는, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼이며, 예를 들면 단결정 실리콘 기판등이 사용될 수 있다.
노광 장치(100)는, 조명 광학계ＩＯ와, 원판M을 보유하여 이동가능한 원판 스테이지(11)와, 투영 광학계ＰＯ와, 기판W를 보유하여 이동가능한 기판 스테이지(21)와, 제어부ＣＮＴ를 포함할 수 있다. 제어부ＣＮＴ는, 예를 들면, ＣＰＵ나 메모리를 갖는 컴퓨터로 구성됨과 아울러, 장치내의 각 부에 전기적으로 접속되어, 장치 전체의 동작을 총괄해서 제어한다. 여기에서, 이하의 설명에서는, 조명 광학계ＩＯ로부터 사출되어 원판M에 입사하는 광의 광축에 평행한 축방향을 Z축방향으로 하고 해당 광축에 수직한 면내에 있어서 서로 직행하는 2개의 축방향을 X축방향 및 Y축방향으로 한다.
조명 광학계ＩＯ는, 수은 램프, ＡｒＦ엑시머 레이저, ＫｒＦ엑시머 레이저등의 광원ＬＳ로부터 사출된 광을, 예를 들면 띠형이나 원호형의 슬릿 광으로 정형하고, 그 슬릿 광으로 원판M의 일부를 조명한다. 원판M의 일부를 투과한 광은, 해당 원판M의 일부의 패턴을 반영한 패턴 광으로서 투영 광학계ＰＯ에 입사한다. 투영 광학계ＰＯ는, 소정의 투영 배율을 갖고, 패턴 광에 의해 원판M의 패턴을 기판상(구체적으로는, 기판상의 레지스트)에 투영한다. 원판M 및 기판W는, 원판 스테이지(11) 및 기판 스테이지(21)에 의해 각각 보유되어 있고, 투영 광학계ＰＯ를 통해 광학적으로 공역한 위치(투영 광학계ＰＯ의 물체면 및 상면)에 각각 배치된다. 제어부ＣＮＴ는, 원판 스테이지(11) 및 기판 스테이지(21)를, 서로 동기하면서 투영 광학계ＰＯ의 투영 배율에 따른 속도비로 상대적으로 주사한다(본 실시 형태에서는, 원판M 및 기판W의 주사 방향을 Y축방향(제1방향)으로 한다). 이에 따라, 원판M의 패턴을 기판상에 전사할 수 있다.
[위치결정 장치의 구성]
다음에, 플레이트의 위치결정을 행하는 위치결정 장치에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에서는, 플레이트로서 원판M의 위치결정을 행하는 위치결정 장치(10)에 대해서 설명하지만, 플레이트로서 기판W의 위치결정을 행하는 경우에 있어서도 마찬가지의 구성의 위치결정 장치를 적용할 수 있다.
도2는, 본 실시 형태의 위치결정 장치(10A)의 구성을 도시한 개략도다. 도2(a)는, 위치결정 장치(10A)의 측면도를 나타내고 있고, 도2(b)는, 위치결정 장치(10A)의 상면도를 나타내고 있다. 위치결정 장치(10A)는, 예를 들면, 원판M을 보유하여 적어도 Y축방향(제1방향)으로 이동가능한 원판 스테이지(11)와, Y축방향에 있어서의 원판 스테이지(11)의 위치를 계측하는 계측부(12)를 포함할 수 있다.
계측부(12)는, 예를 들면 레이저 간섭계로 구성되어, 원판 스테이지(11)에 설치된 반사 부재(13)(미러)를 향해서 광을 사출하고, 해당 반사 부재(13)로부터의 반사광과 참조 광의 간섭에 근거하여, Y축방향에 있어서의 원판 스테이지(11)의 위치를 계측할 수 있다. 도2에 나타내는 예에서는, 복수(2개)의 계측부(12)가 X축방향으로 이격되어서 배치되어 있다. 이렇게 복수의 계측부(12)를 사용하는 것으로, θ방향(Z축주변의 회전 방향)에 있어서의 원판 스테이지(11)의 회전을 계측할 수도 있다. 또한, 반사 부재(13)는, 원판 스테이지(11)의 상면S의 위에 설치될 수 있다. 본 실시 형태의 경우, 반사 부재(13)는, 도2에 나타낸 바와 같이, 원판 스테이지(11)의 상면S로부터 +Z방향으로 돌출한 지지부(16)에 의해 지지된다. 여기에서, 원판 스테이지(11)의 상면S이란, 예를 들면, 원판 스테이지(11)에 있어서 원판M을 보유하는 보유면을 포함하는 면이다.
위치결정 장치(10A)에서는, 계측부(12)로부터 사출되는 광의 광로(계측광로)(12a)에 있어서 기체의 온도나 습도등의 변동(분위기 변동)이 생기면, 거기에 기인해서 계측광로(12a)의 굴절률이 변화되고, 계측정밀도의 저하(계측오차)가 생기는 일이 있다. 그 때문에, 본 실시 형태의 위치결정 장치(10A)에는, 계측광로(12a)의 분위기를 안정화하기 위한 기체(14a)를 분출하는 분출부(14)가 설치될 수 있다. 분출부(14)는, 예를 들면, 계측부(12)의 계측광로(12a)에 있어서 Y축방향에 따른 기체의 흐름이 형성되도록, 원판 스테이지(11)를 향해서 기체를 분출하도록 구성될 수 있다. 분출부(14)로부터 분출되는 기체(14a)는, 계측광로(12a)의 분위기를 안정화하는 것과 아울러, 원판M의 흐림을 방지하거나, 원판 스테이지(11)를 냉각하거나 하기 위해서도 사용되는 일이 있다. 분출부(14)로부터 분출되는 기체(14a)로서는, 예를 들면, 크린 에어, 크린 드라이 에어, 질소 가스등, 온도나 습도가 소정범위내로 유지된(조정된) 깨끗한 기체가 사용되면 좋다.
그런데, 원판M은, 기판W의 노광중에 조명되어서 온도가 상승하기 때문에, 원판M에 생긴 열이 원판 스테이지(11)의 이동에 따라 주위로 확장되어 계측광로(12a)에 침입하면, 계측부(12)에 의한 원판 스테이지(11)의 위치의 계측정밀도가 저하할 수 있다. 또한, 원판M의 흐림 방지를 위해, 원판M의 배치 공간을, 그 주위보다 저습도의 기체(퍼지 가스)로 가득 채우는 경우가 있다. 이 경우에 있어서도, 원판 스테이지(11)의 이동에 따라 저습도의 기체가 계측광로에 침입하면, 계측부(12)에 의한 원판 스테이지(11)의 위치의 계측정밀도가 저하할 수 있다. 또한, 이하에서는, 원판M으로부터의 열을 띤 기체와 원판M의 배치 공간에 공급된 기체(퍼지 가스)를 총칭해서 「원판M의 주위 기체」라고 부르는 경우가 있다.
그래서, 본 실시 형태의 위치결정 장치(10A)에서는, 원판 스테이지(11)의 상면S에 있어서의 반사 부재(13)(지지부16)와 원판M과의 사이에 벽부(17)가 설치된다. 이렇게 벽부(17)를 설치하는 것에 의해, 원판 스테이지(11)의 이동에 따라 원판M의 주위 기체가 이동해서 계측광로(12a)에 침입하는 것을 저감할 수 있다. 구체적으로는, 도3에 도시한 바와 같이, 화살표V를 따라서 원판 스테이지(11)가 이동하면, 원판M의 주위 기체는, 계측광로(12a)를 향하는 방향(-X방향)으로 이동을 시작한다. 그렇지만, 이동을 시작한 원판M의 주위 기체는, 화살표A에 도시한 바와 같이 벽부(17)에 충돌하고, 그 이동 방향(흐름의 방향)이, 계측광로(12a)로부터 떨어지는 방향으로 바뀐다. 그 때문에, 원판M의 주위 기체가 계측광로(12a)에 침입하는 것을 저감(방지)할 수 있다.
벽부(17)는, 그의 높이(Z축방향)가 원판M의 상면보다 높아지도록 구성된다. 벽부(17)의 높이는, 높을수록, 원판M의 주위 기체의 이동 방향을 계측광로(12a)로부터 떨어지는 방향으로 유도(변환)해서 해당 주위 기체의 흐름과 계측광로(12a)와의 사이의 거리를 증가시킬 수 있다. 이렇게 원판M의 주위 기체의 흐름과 계측광로(12a)와의 사이의 거리를 증가시키면, 원판M의 주위 기체가 계측광로(12a)에 침입하는 것을 저감할 수 있다. 그리고, 이 경우, 분출부(14)로부터 분출된 기체(14a)에 의해 원판M의 주위 기체의 흐름을 계측광로(12a)로부터 더욱 떨어지게 할 수 있기 때문에, 원판M의 주위 기체가 계측광로(12a)에 침입하는 것을 더욱 저감할 수 있다.
또한, 벽부(17)는, 그의 폭(X축방향의 길이)이 원판M의 폭(X축방향의 길이)이상이면 좋다. 벽부(17)의 폭은, 넓을수록, 이동하는 원판M의 주위 기체를 계측광로(12a)로부터 떨어지는 방향으로 유도해서 해당 주위 기체의 흐름과 계측광로(12a)와의 사이의 거리를 증가시킬 수 있다. 또한, X축방향은, 원판 스테이지(11)의 상면S와 평행한 면내에서 주사 방향(X축방향, 제1방향)에 수직한 방향(제2방향)으로 정의할 수 있다. 여기에서, 상기한 바와 같이, 벽부(17)의 높이는 높을수록 좋고, 벽부(17)의 폭은 넓을수록 좋지만, 벽부(17)의 높이 및 폭은, 예를 들면 원판 스테이지(11)의 사이즈 또는 원판 스테이지(11)가 이동가능한 공간의 사이즈에 따라서 결정될 수 있다.
벽부(17)는, Z축방향으로부터 보아서(평면에서 보아서), 직사각형 형상에 한정되는 것이 아니고, 원판M의 주위 기체의 이동 방향을 바꾸는 효과를 증가시킬 수 있는 그 밖의 형상을 가져도 좋다. 도4(a)∼(d)는, 벽부(17)의 형상 예를 나타내고 있다. 도4(a)에 나타내는 벽부(17)는, X축방향측의 단부가 원판M으로부터 멀어지는 방향(+Y방향)으로 「L자」형으로 절곡된 형상을 갖고 있다. 도4(b)에 나타내는 벽부(17)는, X축방향측의 단부가 원판M을 향하는 방향(-Y방향)으로 「L자」형으로 절곡된 형상을 갖고 있다. 도4(c)에 나타내는 벽부(17)는, X축방향측의 단부가 원판M으로부터 멀어지는 방향(+Y방향)으로 「< 자」형으로 절곡된 형상을 갖고 있다. 도4(d)에 나타내는 벽부(17)는, X축방향측의 측면이 경사진 형상을 갖고 있다(즉, 평면에서 본 형상이 사다리꼴 형상을 갖고 있다). 이때, 벽부(17)의 형상은, 곡률을 갖고 있거나 두께가 부분적으로 다르거나 등, 도4에 나타내는 형상에 한정되는 것이 아니다. 또한, 벽부(17)에서의 공기저항에 의해 원판 스테이지(11)의 이동에 영향을 줄 경우에는, 해당 공기저항이 소망 값보다 작아지도록 벽부(17)를 경사 형상으로 하여도 좋다.
한편, 분출부(14)로부터 분출된 기체(14a)의 흐름도, 벽부(17)에 의해 변화될 수 있다. 기체(14a)는, 상술한 것 같이, 계측광로(12a)의 분위기를 안정화해서 계측정밀도의 저하를 저감하기 위해서 계측광로(12a)에 공급된다. 그 때문에, 계측광로(12a)에 있어서 부분적으로 기체(14a)의 흐름이 변화되어버리면, 그 부분에서 굴절률이 변화되어서 계측정밀도가 저하할 수 있다. 예를 들면, 분출부(14)로부터 분출된 기체(14a)가 벽부(17)에 충돌하면, 벽부(17)의 근방에서는, 기체(14a)의 흐름이 변화될 수 있다. 또한, 벽부(17)의 근방의 기체(14a)는, 원판 스테이지(11)의 이동에 따라, 벽부(17)에 의해 밀어내지거나 잡아 당겨지거나 하기 때문에, 흐트러진 흐름(난류)이 되는 경우가 있다. 이러한 기체(14a)의 흐름의 변화나 난류가, 계측광로(12a)에서 생겨버리면, 계측정밀도의 저하를 일으킬 수 있다.
그 때문에, 본 실시 형태의 벽부(17)는, 반사 부재(13)(지지부16)로부터 Y축방향으로 이격되어서 배치되어 있다. 예를 들면, 벽부(17)는, Y축방향에 있어서, 원판M과 반사 부재(13)(지지부16)와의 중간위치보다 원판측(플레이트측)으로 배치되면 좋다. 이렇게 벽부(17)를 반사 부재(13)(지지부16)로부터 이격되어서 배치함으로써, 벽부(17)의 근방에 있어서의 기체(14a)의 흐름의 변화나 난류가 계측광로(12a)에 주는 영향을 저감하고, 계측정밀도의 저하를 저감할 수 있다. 더욱, 벽부(17)에 의해 기체(14a)의 흐름이 변화되는 방향은, 계측광로(12a)로부터 떨어지는 방향이 되기 때문에, 이러한 변화후의 기체(14a)의 흐름에 의해, 벽부(17)를 넘어 온 원판M의 주위 기체를 계측광로(12a)로부터 멀리하는 효과를 증가시킬 수 있다.
다음에, 원판M과 반사 부재(13)(지지부16)와의 사이에 벽부(17)를 설치하는 효과를 시뮬레이션으로 확인한 결과에 대해서 설명한다. 시뮬레이션에서는, 원판M의 사이즈를 152mm×152mm로 했다. 또한, 벽부(17)를, 180mm 폭(X축방향의 길이) 및 26mm 높이로 해서 원판 스테이지(11)의 상면S에 있어서의 원판M의 단부로부터 35mm의 위치에 설치했다. 이 경우에 있어서, 기판W의 노광중에 원판M의 온도가 1.4℃ 상승했을 때, 벽부(17)를 설치하지 않고 있는 경우와 비교하여, 원판M의 온도 기인에 의한 계측광로(12a)의 변동이 45% 개선된 결과가 되었다.
상술한 것 같이, 본 실시 형태의 위치결정 장치(10A)에서는, 원판 스테이지(11)의 상면에 있어서의 원판M과 반사 부재(13)와의 사이에 벽부(17)가 설치된다. 또한, 벽부(17)는, 그의 상단이 원판M의 상면보다 높게 구성되어, 원판M 및 반사 부재(13)(지지부16)로부터 이격되어서 배치된다. 이 구성에 의해, 노광중에 원판M에 생긴 열이나 원판M에 대하여 공급된 퍼지 가스등, 원판M의 주위 기체가 계측부(12)의 계측광로(12a)에 침입하는 것을 저감할 수 있다. 그 때문에, 계측광로(12a)의 분위기 변동에 기인하는 계측부(12)의 계측오차를 저감하고, 원판M을 정밀도 좋게 위치결정할 수 있다. 여기에서, 본 실시 형태의 구성에 있어서, 계측부(12) 및 반사 부재(13)의 위치를 바꾸어 넣어도 좋다. 즉, 본 실시 형태에서는 원판 스테이지(11)의 상면S에 반사 부재(13)를 설치했지만, 원판 스테이지(11)의 상면S에 계측부(12)를 설치해도 좋다.
<제2실시 형태>
본 발명에 따른 제2실시 형태에 대해서 설명한다. 본 실시 형태는, 제1실시 형태를 기본적으로 이어받는 것이지만, 계측부(12)의 계측광로(12a)의 일부를 둘러싸는 커버 부재(18)를 더 갖는 점에서 제1실시 형태와 다르다. 이하에, 커버 부재(18)를 갖는 본 실시 형태의 위치결정 장치(10B)에 대해서 설명한다.
도5는, 본 실시 형태의 위치결정 장치(10B)의 구성을 도시한 개략도다. 도5(a)는, 위치결정 장치(10B)의 측면도를 나타내고 있고, 도5(b)는, 위치결정 장치(10B)의 상면도를 나타내고 있다. 본 실시 형태의 원판 스테이지(11)는, 그의 상면S에 있어서 계측광로(12a)의 일부를 둘러싸는(덮는) 커버 부재(18)를 갖는다. 커버 부재(18)는, 벽부(17)를 넘어 온 원판M의 주위 기체가 계측광로(12a)에 주는 영향을 더욱 저감하기 위해서, 다시 말해, 원판 스테이지(11)상에서의 기체의 흐름을 맞추어서 계측광로(12a)의 분위기의 안정화를 꾀하기 위해서 설치될 수 있다.
본 실시 형태의 커버 부재(18)는, 커버 부재(18)와 벽부(17)와의 사이에 간극(19)이 형성되도록, 원판 스테이지(11)의 상면S에 배치될 수 있다. 이렇게 벽부(17)로부터 간극(19)을 두어서 커버 부재(18)를 배치함으로써, 분출부(14)로부터 분출되어 커버 부재(18)를 통과한 기체(14a)를, 해당 간극(19)으로부터 배출하고, 벽부(17)를 따라 흘릴 수 있다. 즉, 벽부(17)를 넘어 이동해 온 원판M의 주위 기체를 계측광로(12a)로부터 멀리하는 효과를 더욱 증가시킬 수 있다.
커버 부재(18)와 벽부(17)와의 사이의 간극(19)은, 좁을수록, 해당 간극(19)으로부터 배출되는 기체(14a)의 유속을 증가시켜, 원판M의 주위 기체를 계측광로(12a)로부터 멀리하는 효과를 증가시킬 수 있다. 한편, 간극(19)을 좁게 하면, 분출부(14)로부터 분출된 기체(14a)가 커버 부재(18)의 내부에서 괴어버려, 계측광로(12a)의 분위기 변동을 야기하는 경우가 있다. 그 때문에, 본 실시 형태의 커버 부재(18)는, X축방향측의 측면에, 내부를 통과한 기체를 배출하기 위한 개구부(18a)를 갖는다. 개구부(18a)는, 벽부(17)측에 형성되면 좋고, 바람직하게는, Y축방향에 있어서의 반사 부재(13)와 벽부(17)와의 사이에 형성되면 좋다. 또한, 개구부(18a)는, Y축방향에 있어서, 가능한 한 반사 부재(13)로부터 떨어진 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 이것은, 원판M의 주위 기체가, 벽부(17)를 넘어서 개구부(18a)로부터 커버 부재(18)의 내부에 침입했다고 한들, 계측광로(12a)에 영향을 주는 것을 저감하기 위해서다.
여기에서, 커버 부재(18)는, 벽부(17)와 일체로 구성되어도 좋다. 이 경우에 있어서도, 해당 일체 구성의 부재에 대하여, 간극(19) 및 개구부(18a)에 대응하는 개구나 잘려진 부분 등이 형성될 수 있다. 또한, 개구부(18a)는, 커버 부재(18)와 벽부(17)와의 사이의 간극(19)의 좁음에 상관없이 형성되어도 좋다. 더욱, 본 실시 형태의 커버 부재(18)는, 도5에 도시한 바와 같이, X축방향으로 이격되어서 배치된 복수의 반사 부재(13)(계측광로12a)를 둘러싸도록 구성되어 있지만, 거기에 한정되지 않고, 복수의 반사 부재(13)의 각각을 개별로 둘러싸도록 구성되어도 좋다.
상술한 것 같이, 본 실시 형태의 위치결정 장치(10B)는, 벽부(17)에 대하여 간극(19)을 두어서 원판 스테이지(11)의 상면S에 설치된 커버 부재(18)를 갖는다. 또한, 커버 부재(18)는, X축방향측의 측면에 형성된 개구부(18a)를 가져도 좋다. 이 구성에 의해, 분출부(14)로부터 분출되어서 커버 부재(18)를 통과한 기체(14a)를, 해당 간극(19)으로부터 배출하고, 벽부(17)를 따라 흘릴 수 있기 때문에, 원판M의 주위 기체가 계측부(12)의 계측광로(12a)에 침입하는 것을 더욱 저감할 수 있다.
<제3실시 형태>
본 발명에 따른 제3실시 형태에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에서는, 원판M이 배치되는 공간(이하, 원판M의 배치 공간)에 퍼지 가스를 공급하도록 구성된 위치결정 장치(10C)의 구성 예에 대해서 설명한다. 이때, 본 실시 형태는, 특히 언급되지 않는 한, 제1∼제2실시 형태를 기본적으로 이어받는 것이다.
도6은, 본 실시 형태의 위치결정 장치(10C)의 구성을 도시한 개략도다. 도6(a)는, 위치결정 장치(10C)의 측면도를 나타내고 있고, 도6(b)는, 위치결정 장치(10C)의 상면도를 나타내고 있다. 본 실시 형태의 위치결정 장치(10C)는, 예를 들면, 원판M의 배치 공간에 퍼지 가스(일례로서 저습도의 기체)를 공급하는 경우에 유용하다.
본 실시 형태의 위치결정 장치(10C)는, 제1면부재(31)와 제2면부재(32)와의 사이를 원판 스테이지(11)가 이동하도록 구성된다. 제1면부재(31)는, 예를 들면 조명 광학계ＩＯ에 의해 지지되어서 ＸＹ방향으로 넓어지는 부재이며, 제2면부재(32)는, 예를 들면 투영 광학계ＰＯ에 의해 지지되어서 ＸＹ방향으로 넓어지는 부재다. 제1면부재(31) 및 제2면부재(32)는, 원판 스테이지(11)에 대한 간극이 가능한 한 좁아지도록 배치된다. 이에 따라, 원판M의 배치 공간에 공급된 퍼지 가스(33)가, 제1면부재(31)와 원판 스테이지(11)와의 간극, 및 제2면부재(32)와 원판 스테이지(11)와의 간극으로부터 빠져 나가는 것을 저감할 수 있다.
또한, 원판 스테이지(11)는, 반사 부재(13)(지지부16)와, 벽부(17)와, 커버 부재(18)와, 간극 규정 부재(34)를 갖는다. 반사 부재(13)(지지부16) 및 벽부(17)는, 제1∼제2실시 형태에서 설명한 바와 같이 원판 스테이지(11)의 상면S의 위에 설치된다. 커버 부재(18)는, 제2실시 형태에서 설명한 바와 같이, 벽부(17)에 대하여 간극(19)이 형성되도록 원판 스테이지(11)의 상면S에 설치되고, X축방향측의 측면에 개구부(18a)를 갖는다. 그리고, 본 실시 형태의 경우, 커버 부재(18)는, 제1면부재(31)에 대하여 좁은 간극을 형성하도록 벽부(17)와 동일 높이로 구성될 수 있다. 간극 규정 부재(34)는, 제1면부재(31)에 대하여 좁은 간극을 형성하기 위한 부재이며, 원판M의 배치 공간을 기준(중심)으로 하여서 벽부(17) 및 커버 부재(18)의 반대측(원판M의 배치 공간의 -Y방향측)에 배치된다. 간극 규정 부재(34)는, 벽부(17) 및 커버 부재(18)와 동일 높이로 구성될 수 있다.
이렇게, 원판 스테이지(11)를 구성함으로써, 원판M의 배치 공간에 공급된 퍼지 가스(33)가 빠져 나가는 것을 저감할 수 있다. 또한, 벽부(17)와 제1면부재(31)와의 간극, 및 벽부(17)와 커버 부재(18)와의 간극을 통해 퍼지 가스(33)가 계측광로(12a)에 침입하는 것을 저감할 수 있다. 여기에서, 커버 부재(18)의 개구부(18a)의 면적(총면적)은, 벽부(17)와 커버 부재(18)와의 간극의 면적(총 면적)보다 큰 것이 바람직하다. 본 실시 형태의 구성에서는, 벽부(17)와 커버 부재(18)와의 간극으로부터 기체(14a)가 배출되기 어려우므로, 커버 부재(18)의 내부에 있어서 기체(14a)가 괴어버려, 계측광로(12a)의 분위기 변동을 야기하기 쉬워지기 때문이다. 또한, 개구부(18a)는, Y축방향에 있어서, 반사 부재(13)와 벽부(17)와의 사이에 형성되면 좋다. 이 경우, 개구부(18a)는, Y축방향에 있어서, 가능한 한 반사 부재(13)로부터 떨어진 위치에 형성되는 것이 바람직하다. 이것은, 반사 부재(13)의 근방의 계측광로(12a)에 있어서, 기체(14a)의 급격한 유속변화를 억제하고, 계측광로(12a)의 분위기 변동을 저감하기 위해서다.
<제4실시 형태>
본 발명에 따른 제5실시 형태에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에서는, 원판 스테이지(11)가 조동 스테이지(11a)와 미동 스테이지(11b)를 포함하도록 구성된 위치결정 장치(10D)의 구성 예에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시 형태는, 특히 언급되지 않는 한, 제1실시 형태를 기본적으로 이어받는 것이다. 또한, 본 실시 형태는, 제2실시 형태에서 설명한 커버 부재(18)를 포함하는 구성, 및/또는, 제3실시 형태에서 설명한 제1면부재(31)와 제2면부재(32)를 포함하는 구성을 적용해도 좋다.
도7은, 본 실시 형태의 위치결정 장치(10D)의 구성을 도시한 개략도다. 도7(a)는, 위치결정 장치(10D)의 측면도를 나타내고 있고, 도7(b)는 위치결정 장치(10D)의 상면도를 나타내고 있다. 본 실시 형태의 위치결정 장치(10D)에 있어서의 원판 스테이지(11)는, 조동 스테이지(11a)와 미동 스테이지(11b)를 포함할 수 있다.
조동 스테이지(11a)는, 베이스(41)에 대하여 적어도 Y축방향으로 상대 이동하기 위한 구동기구(42)(액추에이터)를 갖는다. 그리고, Y축방향에 있어서의 조동 스테이지(11a)의 위치는, 제2계측부(43)에 의해 계측된다. 제2계측부(43)는, 예를 들면 레이저 간섭계로 구성되어, 조동 스테이지(11a)에 설치된 반사 부재(44)를 향해서 광을 사출하고, 해당 반사 부재(44)로부터의 반사광과 참조 광의 간섭에 근거하여, Y축방향에 있어서의 조동 스테이지(11a)의 위치를 계측할 수 있다. 도7에서는, 제2계측부(43)의 계측광로(43a)가 도시되어 있다. 여기에서, 본 실시 형태에서는, 반사 부재(44)는, 조동 스테이지(11a)의 측면에 설치되어 있지만, 조동 스테이지(11a)의 상면에 설치되어도 좋다.
또한, 미동 스테이지(11b)는, 원판M을 보유함과 아울러, 조동 스테이지(11a)에 대하여 적어도 Y축방향으로 상대 이동하기 위한 구동기구(45)(액추에이터)를 갖는다. 본 실시 형태의 경우, 반사 부재(13)(지지부16) 및 벽부(17)는, 미동 스테이지(11b)의 상면S에 설치되어 있다. 그리고, 벽부(17)는, 반사 부재(13)(지지부16)와 원판M과의 사이에 있어서, 반사 부재(13) 및 원판M과 이격되도록 미동 스테이지(11b)에 의해 지지되어 있다.
여기에서, 벽부(17)는, 도8에 도시한 바와 같이, 미동 스테이지(11b)가 아니고, 조동 스테이지(11a)에 의해 지지되어 있어도 좋다. 도8은, 벽부(17)가 조동 스테이지(11a)에 의해 지지된 구성의 위치결정 장치(10E)의 구성을 도시한 개략도다. 도8(a)는, 위치결정 장치(10E)의 측면도를 나타내고 있고, 도8(b)는 위치결정 장치(10E)의 상면도를 나타내고 있다. 도8에 나타내는 위치결정 장치(10E)에서는, 벽부(17)는, 지지 부재(46)를 통해 조동 스테이지(11a)에 의해 지지되어 있다. 구체적으로는, 벽부(17)는, 반사 부재(13)(지지부16)와 원판M과의 사이에 있어서, 반사 부재(13) 및 원판M과 이격되도록, 지지 부재(46)를 통해 조동 스테이지(11b)에 의해 지지되어 있다.
본 실시 형태의 위치결정 장치(10D∼10E)의 구성에 의해서도, 원판M의 주위 기체가 계측부(12)의 계측광로(12a)에 침입하는 것을 저감할 수 있다. 그 때문에, 계측광로(12a)에 있어서의 분위기 변동에 기인하는 계측부(12)의 계측오차를 저감하고, 원판M을 정밀도 좋게 위치결정할 수 있다.
<물품의 제조 방법의 실시 형태>
본 발명의 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들면, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세구조를 갖는 소자등의 물품을 제조하는데 적합하다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 기판에 도포된 감광제에 상기한 노광 장치를 사용해서 잠상 패턴을 형성하는 공정(기판을 노광하는 공정)과, 이러한 공정으로 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상(가공)하는 공정을 포함한다. 더욱, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 종래의 방법과 비교하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용 중 적어도 1개에 있어서 유리하다.
발명은 상기실시 형태에 제한되는 것이 아니고, 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 여러가지 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 발명의 범위를 밝히기 위해서 청구항을 첨부한다.
10: 위치결정 장치, 11: 원판 스테이지, 12: 계측부, 13: 반사 부재, 16: 지지부, 17: 벽부, 18: 커버 부재

Claims (13)

  1. 플레이트의 위치결정을 행하는 위치결정 장치이며,
    상기 플레이트를 보유하여 제1방향으로 이동가능한 스테이지와,
    상기 제1방향으로 광을 사출하고, 상기 스테이지의 상면 위에 설치된 반사 부재로 반사된 광에 근거하여, 상기 제1방향에 있어서의 상기 스테이지의 위치를 계측하는 계측부를,
    포함하고,
    상기 스테이지는, 상기 제1방향으로의 상기 스테이지의 이동에 의해 상기 플레이트의 주위의 기체가 상기 계측부의 광로에 침입하는 것을 저감하기 위한 벽부를, 상기 제1방향에 있어서의 상기 플레이트와 상기 반사 부재와의 사이에 갖고,
    상기 벽부는, 그의 상단이 상기 플레이트의 상면보다 높게 구성되고, 또한, 상기 플레이트 및 상기 반사 부재로부터 이격되어서 배치되어 있는, 것을 특징으로 하는 위치결정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 벽부는, 상기 제1방향에 있어서, 상기 플레이트와 상기 반사 부재와의 중간위치보다 상기 플레이트측에 배치되어 있는, 것을 특징으로 하는 위치결정 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 부재는, 상기 스테이지의 상면으로부터 돌출한 지지부에 의해 지지되고,
    상기 벽부는, 상기 지지부로부터 이격되어서 배치되어 있는, 것을 특징으로 하는 위치결정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지의 상면은, 상기 플레이트를 보유하는 보유면을 포함하는 면인, 것을 특징으로 하는 위치결정 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지의 상면과 평행한 면내에서 상기 제1방향으로 수직한 제2방향에 있어서, 상기 벽부의 길이는 상기 플레이트의 길이 이상인, 것을 특징으로 하는 위치결정 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지는, 상기 계측부의 광로의 일부를 둘러싸는 커버 부재를 갖고,
    상기 커버 부재와 상기 벽부와의 사이에는, 상기 커버 부재의 내부로부터 기체를 배출하기 위한 간극이 형성되어 있는, 것을 특징으로 하는 위치결정 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 커버 부재는, 그의 내부로부터 기체를 배출하기 위한 개구부를, 상기 제1방향과 수직한 제2방향측의 측면에 갖는, 것을 특징으로 하는 위치결정 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 커버 부재는, 상기 제1방향에 있어서의 상기 반사 부재와 상기 벽부와의 사이에 상기 개구부를 갖는, 것을 특징으로 하는 위치결정 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지는, 조동 스테이지와, 상기 플레이트를 보유함과 아울러 상기 조동 스테이지에 대하여 상대 이동하는 미동 스테이지를, 포함하고,
    상기 벽부는, 상기 미동 스테이지에 의해 지지되어 있는, 것을 특징으로 하는 위치결정 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지는, 조동 스테이지와, 상기 플레이트를 보유함과 아울러 상기 조동 스테이지에 대하여 상대 이동하는 미동 스테이지를, 포함하고,
    상기 벽부는, 상기 조동 스테이지에 의해 지지되어 있는, 것을 특징으로 하는 위치결정 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 계측부의 광로에 있어서 상기 제1방향에 따른 기체의 흐름이 형성되도록, 상기 스테이지를 향해서 기체를 분출하는 분출부를 더 포함하는, 것을 특징으로 하는 위치결정 장치.
  12. 원판과 기판을 주사하면서 상기 기판을 노광하는 노광 장치이며,
    청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 기재된 위치결정 장치를 포함하고,
    상기 위치결정 장치는, 상기 플레이트로서, 상기 원판 및 상기 기판 중 적어도 한쪽의 위치결정을 행하는, 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  13. 청구항 12에 기재된 노광 장치를 사용해서 기판을 노광하는 공정과,
    상기 공정으로 노광이 행해진 상기 기판을 현상하는 공정을 포함하여,
    현상된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209401A (ja) 2011-03-29 2012-10-25 Canon Inc 計測装置、リソグラフィ装置及びデバイスの製造方法。

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3089802B2 (ja) * 1992-04-01 2000-09-18 株式会社ニコン ステージの位置計測装置、投影露光装置及び投影露光方法
JPH1137895A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Nikon Corp 反射率測定センサの検査方法
JP2001160531A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Canon Inc ステージ装置
JP2004241478A (ja) 2003-02-04 2004-08-26 Nikon Corp 露光方法及びその装置、並びにデバイス製造方法
JP4125315B2 (ja) * 2005-10-11 2008-07-30 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009141190A (ja) 2007-12-07 2009-06-25 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2010161116A (ja) 2009-01-06 2010-07-22 Canon Inc 位置決め装置、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法
JP5002613B2 (ja) * 2009-03-31 2012-08-15 株式会社東芝 Ｘｙステージ装置
JP5679850B2 (ja) * 2011-02-07 2015-03-04 キヤノン株式会社 インプリント装置、および、物品の製造方法
NL2015639A (en) * 2014-11-28 2016-09-20 Asml Netherlands Bv Encoder, position measurement system and lithographic apparatus.
JP2017111243A (ja) 2015-12-15 2017-06-22 キヤノン株式会社 ステージ装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP6916616B2 (ja) * 2016-12-13 2021-08-11 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、物品の製造方法、および計測装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209401A (ja) 2011-03-29 2012-10-25 Canon Inc 計測装置、リソグラフィ装置及びデバイスの製造方法。

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