KR20210039958A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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KR20210039958A
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료 사사키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 커버 링의 소모에 의한 프로세스 변동을 회피하기 위한 기술을 제공한다.
[해결 수단] 하나의 예시적 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 탑재대와 포커스 링과 커버 링과 도전성 링과 고주파 전원을 구비한다. 포커스 링은 탑재대에 탑재되고, 도전성을 갖는다. 도전성 링은 커버 링에 탑재된다. 포커스 링의 외주에 있는 제 1 측면과, 도전성 링의 내주에 있는 제 2 측면은 서로 대향하여 이격되어 있다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 개시의 예시적 실시형태는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
기판 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치는 예를 들면, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 포커스 링(focus ring) 및 커버 링(cover ring)을 구비하는 구성을 가질 수 있다. 반도체 기판의 주위를 둘러싸도록 도전성의 포커스 링을 배치하는 것에 의해, 기판 단부에 있어서의 바이어스 전위의 불연속성이 완화되어, 플라즈마 처리의 균일성이 향상한다. 이 포커스 링(에지 링이라고도 불림)의 주위에는, 석영의 커버 링이 마련된다. 포커스 링의 외주 측면은 커버 링에 의해서 덮인다.
일본 특허 공개 제 2018-206913 호 공보
포커스 링의 외주 측면을 덮는 석영 등의 커버 링은, 플라즈마의 이온에 의한 스퍼터에 의해서 경시적으로 소모할 수 있다. 커버 링은 포커스 링 근방측이 특히 소모하기 때문에, 커버 링의 소모에 수반하여, 커버 링에 의해 덮여져 있던 포커스 링의 외주 측면이 플라즈마에 대해 노출한다. 이러한 경우, 포커스 링의 캐소드로서의 면적이 변동한다. 즉, 포커스 링의 외주 측면이 커버 링으로 덮여져 있는 경우는, 포커스 링의 상면이 캐소드로서 기능한다. 이에 대해 커버 링이 소모하여 포커스 링의 외주 측면이 노출하면, 포커스 링의 외주 측면도 캐소드로서 기능해버린다. 따라서, 커버 링의 소모 전후에 의해, 기판 단부에 있어서의 틸팅의 발생 등의 프로세스 변동이 생길 수 있다. 본 개시는, 커버 링의 소모에 의한 프로세스 변동을 억제하기 위한 기술을 제공한다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 장치는 탑재대, 포커스 링, 커버 링, 도전성 링, 고주파 전원을 구비한다. 탑재대는 기판을 탑재하는 기판 탑재부와 기판 탑재부를 둘러싸는 주연부를 갖는다. 포커스 링은 탑재대의 주연부에 탑재되어 있고, 도전성을 갖는다. 커버 링은 탑재대의 외주를 둘러싸고, 유전체로 구성되어 있다. 도전성 링은 커버 링에 탑재된다. 고주파 전원은 탑재대에 결합된다. 포커스 링의 외주부에 있는 제 1 면과, 도전성 링의 내주부에 있는 제 2 면은, 서로 대향하여 이격한다. 커버 링은 포커스 링과 도전성 링을 이격시키는 이격부를 갖는다.
본 개시에 의하면, 커버 링의 소모에 의한 프로세스 변동을 억제하기 위한 기술을 제공할 수 있다.
도 1은 하나의 예시적 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 2는 하나의 예시적 실시형태에 따른 도전성 링의 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 하나의 예시적 실시형태에 따른 도전성 링의 구성의 다른 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 하나의 예시적 실시형태에 따른 도전성 링의 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 도전성 링의 내주 하면의 구성 및 이격부의 구성의 배리에이션(variation)을 도시하는 도면이다.
도 6은 하나의 예시적 실시형태에 따른 도전성 링의 구성의 다른 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은 하나의 예시적 실시형태에 따른 도전성 링의 구성의 다른 일례를 도시하는 도면이다.
도 8은 하나의 예시적 실시형태에 따른 도전성 링의 구성의 다른 일례를 도시하는 도면이다.
이하, 여러 가지의 예시적 실시형태에 대해서 설명한다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 장치는 탑재대, 포커스 링, 커버 링, 도전성 링, 고주파 전원을 구비한다. 탑재대는 기판을 탑재하는 기판 탑재부와 기판 탑재부를 둘러싸는 주연부를 갖는다. 포커스 링은 탑재대의 주연부에 탑재되어 있고, 도전성을 갖는다. 커버 링은 탑재대의 외주를 둘러싸고, 유전체로 구성되어 있다. 도전성 링은 커버 링에 탑재된다. 고주파 전원은 탑재대에 결합된다. 포커스 링의 외주부에 있는 제 1 면과, 도전성 링의 내주부에 있는 제 2 면은 서로 대향하여 이격한다. 커버 링은 포커스 링과 도전성 링을 이격시키는 이격부를 갖는다. 포커스 링의 외주에 있는 제 1 측면과, 도전성 링의 내주에 있는 제 2 측면은 서로 대향하여 이격되어 있다. 포커스 링은 플라즈마 처리 중에 있어서 캐소드로서 기능한다. 이러한 포커스 링의 외주에 대향하도록, 전기적으로 플로트 상태의 도전성 링이 마련된다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 포커스 링의 내주부는 탑재대의 주연부에 의해 지지되고, 포커스 링의 외주부는 커버 링의 내주부 상면을 덮는다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 제 1 면은 포커스 링의 외주부 측면이며, 제 2 면은 도전성 링의 내주부 측면이다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 제 1 면은 포커스 링의 외주부 하면이며, 제 2 면은 도전성 링의 내주부 상면이다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 제 1 면은 포커스 링의 외주부 상면이며, 제 2 면은 도전성 링의 내주부 하면이다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 포커스 링의 외주부 측면과, 도전성 링의 내주부 측면이 서로 대향하여 이격되어 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 포커스 링의 외주부 하면과 대향하는 도전성 링의 내주부 상면의 면적은, 포커스 링의 외주부 측면과 대향하는 도전성 링의 내주부 측면의 면적보다 크다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 포커스 링의 외주부 하면과 도전성 링의 내주부 상면 사이의 간극은, 포커스 링의 외주부 측면과 도전성 링의 내주부 측면 사이의 간극보다 좁다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 포커스 링과 도전성 링은 제 1 면과 제 2 면에서 용량 결합하여 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 제 1 면과 제 2 면 사이의 거리는 제로보다 크고, 또한, 포커스 링의 두께보다 작다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 도전성 링의 내주부 하면은 포커스 링의 외주부 하면보다 하방에 위치한다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 이격부는 커버 링의 표면에 형성된 홈부이다. 도전성 링의 내주부 하면은 홈부 내에 수용된다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 이격부는 도전성 링의 내주부 측면이 접촉하도록 구성된, 커버 링의 표면에 형성된 단차부이다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 도전성 링은, 도전성 링의 외주가 커버 링의 외주의 내측에 위치하도록 배치된다. 커버 링의 외주부 상면은 플라즈마 처리 공간에 노출되어 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 커버 링은 복수의 유전체 부품으로 구성된다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 기판 탑재부 및 주연부가 정전 척으로 구성된다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 기판 탑재부는 정전 척으로 구성되고, 주연부는 탑재대의 기대로 구성된다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 도전성 링은 도전성 링의 상면과 도전성 링의 내주부 측면 사이에 경사부를 갖는다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 도전성 링의 재료는 실리콘 또는 실리콘카바이드이다. 커버 링의 재료는 석영이다.
이하, 도면을 참조하여 여러 가지의 예시적 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당한 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다.
하나의 예시적 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 챔버(10)를 구비한다. 챔버(10)는 그 안에 내부 공간(12c)을 제공한다. 챔버(10)는 챔버 본체(12)를 포함한다. 챔버 본체(12)는 대략 원통 형상을 갖는다. 챔버 본체(12)의 재료는 예를 들면, 알루미늄일 수 있다. 챔버 본체(12)의 내벽면 상에는, 내부식성을 갖는 막이 마련되어 있다. 해당 막의 재료는 산화알루미늄, 산화이트륨 등의 세라믹일 수 있다.
챔버 본체(12)의 측벽에는, 통로(12p)가 형성되어 있다. 기판(W)은 통로(12p)를 통해서 내부 공간(12c)과 챔버(10)의 외부 사이에서 반송된다. 통로(12p)는 챔버 본체(12)의 측벽을 따라서 마련되는 게이트 밸브(12g)에 의해서 개폐된다.
챔버 본체(12)의 바닥부 상에는, 통 형상부(28)가 마련되어 있다. 통 형상부(28)의 재료는 절연 재료일 수 있다. 통 형상부(28)는 대략 원통 형상을 갖는다. 통 형상부(28)는 내부 공간(12c) 안에서, 챔버 본체(12)의 바닥부로부터 상방으로 연장되어 있다.
내부 공간(12c) 내에서는, 지지부(15)가 대략 원통 형상의 통 형상부(28)의 내측의 측면을 따라 챔버 본체(12)의 바닥부로부터 상방으로 연장되어 있다. 지지부(15)는 대략 원통 형상을 갖고 있다. 지지부(15)의 재료는 세라믹 등의 절연 재료일 수 있다. 지지부(15) 상에는 탑재대(16)가 탑재되어 있다. 탑재대(16)는 지지부(15)에 의해서 지지되어 있다. 탑재대(16)는 내부 공간(12c) 안에 있어서, 기판(W)을 지지하도록 구성되어 있다.
탑재대(16)는 지지부(15) 상에 마련된다. 탑재대(16)는 탑재부(31), 기대(18), 전극 플레이트(21)를 구비한다.
탑재부(31)는 기판(W)을 탑재하는 영역인 기판 탑재부(31a)와, 기판 탑재부(31a)를 둘러싸는 영역인 주연부(31b)를 구비한다. 주연부(31b)에는 도전성을 갖는 포커스 링(FR)이 탑재된다. 도전성 링(DR)은 포커스 링(FR)의 외주(OPc)를 따라 동심원 형상으로 커버 링(CR) 위에 탑재된다. 탑재부(31)는 정전 척(20)으로 구성해도 좋다.
커버 링(CR)은 통 형상부(28) 상에 마련된다. 커버 링(CR)은 절연체이며, 탑재대(16)의 외주를 따라 연장되어 있다. 커버 링(CR)은 탑재부(31)의 상방에서 바라볼 때(상부 전극(30)의 측에서 바라볼 때), 탑재부(31)의 외주를 둘러싸도록 마련된다. 커버 링(CR)의 재료는 절연성을 갖는 재료이며, 예를 들면, 석영 또는 알루미나 등의 세라믹일 수 있다. 커버 링(CR)은 복수의 유전체 부품으로 구성할 수 있다.
도전성 링(DR)은 커버 링(CR)의 상방에 배치된다. 도전성 링(DR)은 탑재부(31)의 상방에서 바라볼 때, 포커스 링(FR)을 둘러싸도록 마련된다. 도전성 링(DR)은 대략 환상판 형상을 갖고 있고, 도전성을 갖는 재료로 형성되어 있다. 도전성 링(DR)의 재료는 예를 들면, 실리콘(Si)이나 실리콘카바이드(SiC)일 수 있다.
전극 플레이트(21)는 알루미늄이라고 한 도전성 재료로 형성되어 있고, 대략 원반 형상을 갖는다. 기대(18)는 전극 플레이트(21) 상에 마련되어 있다. 기대(18)는 알루미늄이라고 한 도전성 재료로 형성되어 있고, 대략 원반 형상을 갖는다. 기대(18)는 전극 플레이트(21)에 전기적으로 접속되어 있고, 하부 전극으로서 기능한다.
정전 척(20)은 탑재부(31)로서 기대(18) 상에 마련되어 있다. 정전 척(20)의 상면에 기판(W)이 탑재된다. 정전 척(20)은 본체 및 전극을 갖는다. 정전 척(20)의 본체는 대략 원반 형상을 갖는다. 정전 척(20)의 본체의 재료는 유전체이다. 정전 척(20)의 전극은 막 형상의 전극이며, 정전 척(20)의 본체 내에 마련되어 있다. 정전 척(20)의 전극은 스위치(20s)를 거쳐서 직류 전원(20p)에 접속되어 있다. 정전 척(20)의 전극에 직류 전원(20p)으로부터의 전압이 인가되면, 정전 척(20)과 기판(W) 사이에 정전 인력이 발생한다. 그 정전 인력에 의해서, 기판(W)이 정전 척(20)에 보지된다.
포커스 링(FR)은 기판 탑재부(31a)에 탑재된 기판(W)의 외주를 둘러싸도록, 주연부(31b)에 배치된다. 포커스 링(FR)은 기판(W)에 대한 플라즈마 처리의 면내 균일성을 향상시킨다. 포커스 링(FR)은 대략 환상판 형상을 갖고 있고, 도전성을 갖는 재료로 형성되어 있다. 포커스 링(FR)의 재료는 예를 들면, 실리콘(Si) 또는 실리콘카바이드(SiC)일 수 있다.
기대(18)의 내부에는, 유로(18f)가 마련되어 있다. 유로(18f)에는, 챔버(10)의 외부에 마련되어 있는 칠러 유닛(도시되지 않음)으로부터 배관(23a)을 거쳐서 열교환 매체(예를 들면, 냉매)가 공급된다. 유로(18f)에 공급된 열교환 매체는 배관(23b)을 거쳐서 칠러 유닛에 되돌려진다. 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 정전 척(20) 상에 탑재된 기판(W)의 온도가, 열교환 매체와 기대(18)의 열교환에 의해서 조정될 수 있다.
플라즈마 처리 장치(1)에는, 가스 공급 라인(25)이 마련되어 있다. 가스 공급 라인(25)은 전열 가스 공급 기구로부터의 전열 가스(예를 들면, He 가스)를, 정전 척(20)의 상면과 기판(W)의 이면 사이에 공급한다.
플라즈마 처리 장치(1)는 상부 전극(30)을 더 구비한다. 상부 전극(30)은 탑재대(16)의 상방에 마련되어 있다. 상부 전극(30)은 부재(32)를 거쳐서, 챔버 본체(12)의 상부에 지지되어 있다. 부재(32)의 재료는 절연성을 갖는 재료일 수 있다. 상부 전극(30)과 부재(32)는 챔버 본체(12)의 상부 개구를 폐쇄하여 있다.
상부 전극(30)은 천장판(34) 및 지지체(36)를 포함할 수 있다. 천장판(34)의 하면은 내부 공간(12c)의 측의 하면이며, 내부 공간(12c)을 규정한다. 천장판(34)은 발생하는 줄 열이 적은 저 저항의 도전체 또는 반도체로 형성될 수 있다. 천장판(34)은, 천장판(34)을 그 판 두께 방향으로 관통하는 복수의 가스 토출 구멍(34a)을 갖는다.
지지체(36)는 천장판(34)을 착탈 가능하게 지지한다. 지지체(36)의 재료는 알루미늄 등의 도전성 재료일 수 있다. 지지체(36)의 내부에는, 가스 확산실(36a)이 마련되어 있다. 지지체(36)는 가스 확산실(36a)로부터 하방으로 연장되는 복수의 가스 구멍(36b)을 갖는다. 복수의 가스 구멍(36b)은 복수의 가스 토출 구멍(34a)에 각각 연통하여 있다. 지지체(36)에는, 가스 도입구(36c)가 형성되어 있다. 가스 도입구(36c)는 가스 확산실(36a)에 접속하여 있다. 가스 도입구(36c)에는, 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.
가스 공급관(38)에는, 밸브군(44), 유량 제어기군(42) 및 가스 소스군(40)이 접속되어 있다. 가스 소스군(40), 밸브군(44) 및 유량 제어기군(42)은 가스 공급부를 구성하고 있다. 가스 소스군(40)은 복수의 가스 소스를 포함한다. 밸브군(44)은 복수의 개폐 밸브를 포함한다. 유량 제어기군(42)은 복수의 유량 제어기를 포함한다. 유량 제어기군(42)의 복수의 유량 제어기의 각각은, 매스 플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기이다. 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스의 각각은, 밸브군(44)의 대응의 개폐 밸브 및 유량 제어기군(42)의 대응의 유량 제어기를 거쳐서, 가스 공급관(38)에 접속되어 있다.
통 형상부(28)와 챔버 본체(12)의 측벽 사이에는, 배플 플레이트(48)가 마련되어 있다. 배플 플레이트(48)는 예를 들면, 알루미늄으로 형성된 모재의 표면에 내부식성을 갖는 막(산화이트륨 등의 막)을 형성하는 것에 의해서 구성된다. 배플 플레이트(48)에는, 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 배플 플레이트(48)보다 하방, 또한, 챔버 본체(12)의 바닥부에는, 배기구가 마련되어 있다. 배기구에는, 배기관(52)을 거쳐서 배기 장치(50)가 접속되어 있다. 배기 장치(50)는 압력 조정 밸브 및 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 포함한다.
플라즈마 처리 장치(1)는 제 1 고주파 전원(62) 및 제 2 고주파 전원(64)을 구비하고 있다. 제 1 고주파 전원(62)은 제 1 고주파 전력을 발생하는 전원이다. 제 1 고주파 전력은 플라즈마의 생성에 적절한 주파수를 갖는다. 제 1 고주파 전력의 주파수는 예를 들면, 27 내지 100[㎒]의 범위 내의 주파수이다. 제 1 고주파 전원(62)은 정합기(66) 및 전극 플레이트(21)를 거쳐서 기대(18)에 접속되어 있다. 정합기(66)는 제 1 고주파 전원(62)의 출력 임피던스와 부하측(기대(18)의 측)의 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖는다. 또한, 제 1 고주파 전원(62)은 정합기(66)를 거쳐서, 상부 전극(30)에 접속되어 있어도 좋다.
제 2 고주파 전원(64)은 제 2 고주파 전력을 발생하는 전원이다. 제 2 고주파 전력은 제 1 고주파 전력의 주파수보다 낮은 주파수를 갖는다. 제 1 고주파 전력과 함께 제 2 고주파 전력이 이용되는 경우에는, 제 2 고주파 전력은 기판(W)에 이온을 인입하기 위한 바이어스용의 고주파 전력으로서 이용된다. 제 2 고주파 전력의 주파수는 예를 들면, 400[㎑] 내지 13.56[㎒]의 범위 내의 주파수이다. 제 2 고주파 전원(64)은 정합기(68) 및 전극 플레이트(21)를 거쳐서 기대(18)에 접속되어 있다. 정합기(68)는 제 2 고주파 전원(64)의 출력 임피던스와 부하측(기대(18)측)의 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖는다.
또한, 제 1 고주파 전력을 이용하지 않고, 제 2 고주파 전력을 이용하여, 즉, 단일의 고주파 전력만을 이용하여 플라즈마를 생성해도 좋다. 이 경우에는, 제 2 고주파 전력의 주파수는 13.56[㎒]보다 큰 주파수, 예를 들면, 40[㎒]일 수 있다. 플라즈마 처리 장치(1)는 제 1 고주파 전원(62) 및 정합기(66)를 구비하지 않아도 좋다.
플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 가스 공급부에서 내부 공간(12c)에 가스가 공급되어서, 플라즈마가 생성된다. 제 1 고주파 전력 및 제 2 고주파 전력 중 적어도 일방이 공급되는 것에 의해서, 상부 전극(30)과 기대(18)(하부 전극) 사이에서 고주파 전계가 생성된다. 생성된 고주파 전계에 의해서 플라즈마가 생성된다.
플라즈마 처리 장치(1)는 제어부(MC)를 더 구비할 수 있다. 제어부(MC)는 프로세서, 메모리 등의 기억부, 입력 장치, 표시 장치, 신호의 입출력 인터페이스 등을 구비하는 컴퓨터일 수 있다. 제어부(MC)는 플라즈마 처리 장치(1)의 각 부를 제어한다.
제어부(MC)에서는, 입력 장치를 이용하여, 오퍼레이터가 플라즈마 처리 장치(1)를 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 실행할 수 있다. 또한, 제어부(MC)에서는, 표시 장치에 의해서, 플라즈마 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화하여 표시할 수 있다. 게다가, 기억부에는, 제어 프로그램 및 레시피 데이터가 저장되어 있다. 제어 프로그램은 플라즈마 처리 장치(1)에서 각종 처리를 실행하기 위해서, 프로세서에 의해서 실행된다. 프로세서가 제어 프로그램을 실행하고, 레시피 데이터에 따라서 플라즈마 처리 장치(1)의 각 부를 제어한다.
도 2를 참조하여, 도 1에 도시하는 탑재대(16)의 영역(ER)의 구성을 설명한다. 특히, 도전성 링(DR), 포커스 링(FR)의 구성을 상세하게 설명한다.
도 2에 도시하는 예에서는, 커버 링(CR)은 내측 커버 링(CRa)과 외측 커버 링(CRb)의 2개의 유전체 부재로 구성되어 있다. 또한, 커버 링(CR)은 1개의 유전체 부재로 구성해도 좋고, 3개 이상의 유전체 부재로 구성해도 좋다.
포커스 링(FR)의 내주측(내주부)은 탑재부(31)의 주연부(31b)인 정전 척(20) 상에 탑재되고, 외주측(외주부)은 내측 커버 링(CRa)을 덮도록 배치된다. 포커스 링(FR)의 외주부는 내측 커버 링(CRa)에 탑재되어 있어도 좋다. 포커스 링(FR)의 내주부가 주연부(31b)로 확실히 지지되도록, 내측 커버 링(CRa)의 상면(SFa)을 주연부(31b)의 상면보다 낮게 형성하고, 포커스 링(FR)의 외주부 하면과 내측 커버 링(CRa)의 상면(SFa) 사이에 간극이 마련되어도 좋다. 즉, 포커스 링(FR)의 외주부는 내측 커버 링(CRa)에 탑재되어 있지 않아도 좋다. 정전 척(20)의 본체의 두께는 내측 커버 링(CRa)의 두께와 비교하여 극히 작다. 이 때문에, 포커스 링(FR)은 정전 척(20)을 거쳐서 제 1 고주파 전원(62) 및 제 2 고주파 전원(64)과 고주파 회로로서 결합하여 있다. 또한, 도 3에 도시되는 바와 같이, 내측 커버 링(CRa)에 마련한 관통 구멍에, 직류 전원(DC)과 접속되어 포커스 링(FR)의 하면과 접촉하는 급전봉(SP)을 배치하고, 포커스 링(FR)에 직류 전압도 인가할 수 있도록 구성해도 좋다.
도전성 링(DR)은 외측 커버 링(CRb) 위에 탑재되어 있다. 외측 커버 링(CRb)의 두께는 크기 때문에, 도전성 링(DR)은 외측 커버 링(CRb)을 거쳐서 제 1 고주파 전원(62) 및 제 2 고주파 전원(64)과 고주파 회로로서 결합하여 있지 않다.
외측 커버 링(CRb)은 내주측의 상면(SFc)과 외주측의 상면(SFd)을 구비한다. 외측 커버 링(CRb)의 내주측은 포커스 링(FR)에 가깝기 때문에, 외주측보다 소모하기 쉽다. 따라서, 도 2의 예에서는, 소모하기 쉬운 개소(외측 커버 링(CRb)의 내주측의 상면(SFc))만을 덮도록 도전성 링(DR)을 배치하고 있다. 즉, 도전성 링(DR)의 외주(OPd)는 커버 링(CR)의 외주(OPe)보다 내측에 위치하도록 배치되고, 커버 링(CR)의 외주 상면이 플라즈마 처리 공간(내부 공간(12c))에 노출되어 있다. 단, 도전성 링(DR)은 외측 커버 링(CRb)의 상면 전부를 덮도록 배치해도 좋다. 또한, 도 2의 예에서는, 외주측의 상면(SFd)과 도전성 링(DR)으로 덮여져 있는 내주측의 상면(SFc)이 동일 평면 상에 있도록 구성되어 있지만, 동일 평면 상에 없도록 구성해도 좋다. 예를 들어, 도전성 링(DR)에 의해서 덮이지 않는 외측 커버 링(CRb)의 상면(SFd)은, 도전성 링(DR)의 상면(SFb)보다 높게 되도록 해도 좋고, 동일한 높이로 해도 좋다.
도 2에 도시되는 바와 같이, 포커스 링(FR)과 도전성 링(DR) 사이에는, 공극(AS)이 마련되어 있다. 보다 구체적으로, 포커스 링(FR)의 외주(OPc)에 있는 제 1 측면(SSa)과, 도전성 링(DR)의 내주(IPb)에 있는 제 2 측면(SSb)은 서로 대향하여 이격되어 있다. 도전성 링(DR)의 내주 하면(ILSb)은 포커스 링(FR)의 외주 하면(ILSa)보다 하방에 위치한다.
도 2에 도시하는 예에서는, 제 2 측면(SSb)의 면적은 도전성 링(DR)의 상면(SFb)의 면적보다 작아지도록 구성되어 있다. 도전성 링(DR)의 상면(SFb)은 포커스 링(FR)의 상면보다 높게 되어 있다. 바꿔말하면, 도전성 링(DR)의 내주(IPb)의 두께는 포커스 링(FR)의 외주(OPc)의 두께보다 두껍게 되어 있다.
제 1 측면(SSa)과 제 2 측면(SSb) 사이의 거리(GA)는 공극(AS)의 폭이다. 후술하는 바와 같이, 제 1 측면(SSa) 및 제 2 측면(SSb)은 커패시터로서 기능한다. 따라서, 거리(GA)는 제로보다 크고, 또한, 포커스 링(FR)의 두께(SH)보다 작은 것이 바람직하다.
커버 링(CR)은 이격부(DT)를 더 구비한다. 이격부(DT)는 포커스 링(FR)의 제 1 측면(SSa)과 도전성 링(DR)의 제 2 측면(SSb)을 이격시킨다.
도 2에 도시되는 예에서는, 내측 커버 링(CRa)의 상면(SFa)보다 외측 커버 링(CRb)의 내주측의 상면(SFc)을 낮게 구성하는 것에 의해, 내측 커버 링(CRa)과 외측 커버 링(CRb) 사이에 단차부를 마련함으로써 이격부(DT)를 구성하여 있다. 단차부와 도전성 링(DR)의 제 2 측면(SSb)이 접촉하기 때문에, 도전성 링(DR)의 제 2 측면(SSb)과 포커스 링(FR)의 제 1 측면(SSa)은 접촉하지 않는다. 즉, 이격부(DT)를 마련하는 것에 의해, 제 1 측면(SSa)과 제 2 측면(SSb)이 접촉하여, 커패시터로서 기능하지 않게 되는 것을 막을 수 있다.
상기한 구성의 탑재대(16)에 있어서, 도전성 링(DR)은 커버 링(CR) 위에 배치된다. 커버 링(CR)의 두께는 정전 척(20)의 본체의 두께와 비교하여 크기 때문에, 도전성 링(DR)은 제 1 고주파 전원(62) 및 제 2 고주파 전원(64)과 커버 링(CR)을 거쳐서 고주파 회로로서 결합되어 있지 않다. 또한, 포커스 링(FR)의 외주(OPc)의 제 1 측면(SSa)과, 도전성 링(DR)의 내주(IPb)의 제 2 측면(SSb)은, 서로 대향하여 이격되어 있다. 따라서, 제 1 측면(SSa) 및 제 2 측면(SSb)은 커패시터로서 기능한다. 즉, 포커스 링(FR)과 도전성 링(DR)이 제 1 측면(SSa) 및 제 2 측면(SSb)에서 용량 결합한다. 고주파 전력이 기대(18)에 인가되면, 포커스 링(FR)의 외주(OPc)에 있는 제 1 측면(SSa)에 존재하는 정(正) 또는 부(負)의 전하에 의해, 도전성 링(DR)의 내부에서 정전 유도가 생긴다. 이 때문에, 도전성 링(DR)의 제 2 측면(SSb)에 모아진 전하와 등량 또한 반대의 전하가, 플라즈마의 전위에 끌어당겨져서 도전성 링(DR)의 상면(SFb)에 모아진다. 상면(SFb)의 면적은 제 2 측면(SSb)의 면적보다 크기 때문에, 상면(SFb)에 존재하는 단위 면적 당의 전하의 양은 제 2 측면(SSb)에 존재하는 단위 면적 당의 전하의 양보다 작아진다. 따라서, 포커스 링(FR)의 전위보다 도전성 링(DR)의 전위가 낮아져서, 도전성 링(DR)을 향하는 플라즈마 중의 이온의 가속이 저감된다. 따라서, 도전성 링(DR)(즉, 포커스 링(FR)의 외측의 영역)이 스패터되기 어려워진다.
도전성 링(DR)은 커버 링(CR)의 소모하기 쉬운 개소를 덮도록 배치되고, 커버 링(CR)보다 스패터에 대한 내성이 높은 재질로 형성되어 있다. 또한, 도전성 링(DR)을 향하는 이온의 가속이 저감되기 때문에, 도전성 링(DR) 자체도 스패터되기 어렵게 되어 있다. 따라서, 포커스 링(FR)의 외주 주위의 커버 링(CR)의 소모에 의해, 포커스 링(FR)의 캐소드로서의 면적의 변동을 억제할 수 있다. 이 때문에, 기판 단부에 있어서의 틸팅의 발생 등의 프로세스 변동을 억제할 수 있다.
또한, 도전성 링(DR)의 상면(SFb)의 면적을 조정하는 것에 의해서, 도전성 링(DR)의 상면(SFb)의 전위를 조정할 수 있다.
게다가, 도전성 링(DR)은 포커스 링(FR)의 제 1 측면(SSa)과 대향하여 배치된다. 포커스 링(FR)의 제 1 측면(SSa)의 측방측에 물체(도전성 링(DR))가 존재하기 때문에, 제 1 측면(SSa)을 향하는 이온은 도전성 링(DR)에 의해 차단된다. 따라서, 포커스 링(FR)은 제 1 측면(SSa)으로부터 스패터되기 어려워지기 때문에, 포커스 링(FR)의 소모를 억제할 수 있다.
또한, 도 2에 도시되는 예에서는, 기판 탑재부(31a)와 포커스 링(FR)을 탑재하는 주연부(31b)를 정전 척(20)으로 구성하여 있지만, 이에 한정되지 않는다. 기판 탑재부(31a)의 정전 척과 주연부(31b)의 정전 척은, 각각 독립하여 마련해도 좋다. 또한, 도 4에 도시되는 바와 같이, 기판 탑재부(31a)만을 정전 척(20)으로 하고, 주연부(31b)를 기대(18)로 구성해도 좋다. 또한, 포커스 링(FR)의 내주측뿐만이 아니라, 포커스 링 전체를 주연부(31b)에 탑재하도록 해도 좋다. 주연부(31b)는 기판 탑재부(31a)보다 낮게 형성하여, 단차부로 해도 좋다.
또한, 도 2에 도시되는 예에서는, 내측 커버 링(CRa)의 상면(SFa)보다 외측 커버 링(CRb)의 내주측의 상면(SFc)을 낮게 구성하는 것에 의해, 이격부(DT)를 구성하였지만, 이에 한정되지 않는다. 도 5에 도시되는 바와 같이, 도전성 링(DR)이 탑재되어 있는 커버 링(CR)에 오목 형상의 홈을 마련하고, 도전성 링(DR)의 내주 하면(ILSb)을 하방을 향해서 볼록 형상으로 마련하고 있어도 좋다. 이 경우, 도전성 링(DR)의 내주 하면(ILSb)은 커버 링(CR)의 오목부(홈) 내에 수용된다. 볼록 형상의 내주 하면(ILSb)이 오목 형상의 홈에 끼워넣어지는 것에 의해서, 커버 링(CR)에 있어서의 도전성 링(DR)의 위치가 안정적으로 유지될 수 있다. 또한, 도 5에서는 이격부(DT)로서 외측 커버 링(CRb)에 홈을 마련하고 있지만, 내측 커버 링(CRa)측에 마련해도 좋다. 이 경우, 도전성 링(DR)의 내주측은 내측 커버 링(CRa)에 탑재되고, 도전성 링(DR)의 외주측은 외측 커버 링(CRb)에 탑재된다. 또한, 도 5에서는, 포커스 링(FR)이 탑재되어 있는 커버 링(CR)의 상면(SFa)과, 도전성 링(DR)이 탑재되어 있는 커버 링(CR)의 상면(SFc)이 동일한 높이로 구성되어 있지만, 상이한 높이로 구성해도 좋다. 예를 들어, 도전성 링(DR)이 탑재되어 있는 커버 링(CR)의 상면(SFc)이, 포커스 링(FR)이 탑재되어 있는 커버 링(CR)의 상면(SFa)보다 높아지도록 구성해도 좋다.
또한, 도 2에 도시되는 예에서는, 포커스 링(FR)의 제 1 측면(SSa)과, 도전성 링(DR)의 제 2 측면(SSb)을, 서로 대향하여 이격시키는 것에 의해 커패시터로서 기능시키고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 도 6에 도시되는 바와 같이, 포커스 링(FR)의 외주부 하면과 도전성 링(DR)의 내주부 상면이, 서로 대향하여 이격되도록 구성해도 좋다. 도 6에 도시되는 도전성 링(DR)은 내주부의 하부가 내주측으로 돌출하여 있다. 도전성 링(DR)의 돌출한 하부 내주부의 상면과 포커스 링(FR)의 하면은 서로 대향하여 이격되어 있다. 또한, 포커스 링(FR)의 제 1 측면(SSa)과, 도전성 링(DR)의 상부 내주부의 측면인 제 2 측면(SSb)은 서로 대향하여 이격되어 있다.
내측 커버 링(CRa)의 상면(SFa)보다 외측 커버 링(CRb)의 내주측의 상면(SFc)이 낮게 되어 있고, 내측 커버 링(CRa)과 외측 커버 링(CRb) 사이에 이격부(DT)가 되는 단차부가 형성되어 있다. 도전성 링(DR)의 하부 내주부의 측면인 제 3 측면(SSc)이 단차부(내측 커버 링(CRa)의 외주 측면)에 접촉하기 때문에, 도전성 링(DR)의 상부 내주부의 측면인 제 2 측면(SSb)과 포커스 링(FR)의 제 1 측면(SSa)은 접촉하지 않는다. 또한, 내측 커버 링(CRa)의 상면(SFa)은 도전성 링(DR)의 하부 내주부의 상면보다 높은 위치에 형성되어 있다. 따라서, 포커스 링(FR)의 하면이 내측 커버 링(CRa)의 상면(SFa)에 접촉하기 때문에, 도전성 링(DR)의 하부 내주부의 상면과 포커스 링 하면은 접촉하지 않는다.
도 6에 도시되는 예에서는, 제 1 측면(SSa) 및 제 2 측면(SSb)뿐만 아니라, 포커스 링(FR)의 외주부 하면과 도전성 링(DR)의 하부 내주부 상면도 커패시터로서 기능시킬 수 있다. 이에 의해, 포커스 링(FR)과 도전성 링(DR) 사이의 커패시턴스를 크게 할 수 있다.
포커스 링(FR)의 외주부 하면과 도전성 링(DR)의 하부 내주부 상면 사이의 거리(GB)는, 제 1 측면(SSa)과 제 2 측면(SSb) 사이의 거리(GA)보다 작아지도록 구성해도 좋다. 거리(GB)는 거리(GA)보다 작기 때문에, 제 1 측면(SSa)과 제 2 측면(SSb) 사이의 커패시턴스보다, 포커스 링(FR)의 외주부 하면과 도전성 링(DR)의 하부 내주부 상면 사이의 커패시턴스쪽이 커진다. 이 때문에, 포커스 링(FR) 및 도전성 링(DR)의 소모에 의해 제 1 측면(SSa)과 제 2 측면(SSb)의 면적이 변동해도, 포커스 링(FR)과 도전성 링(DR) 사이의 커패시턴스의 변동을 작게 할 수 있다. 게다가, 제 1 측면(SSa)과 제 2 측면(SSb) 사이의 거리(GA)를 크게 할 수 있기 때문에, 퇴적물에 의해 공극(AS)이 폐색하여 커패시터로서 기능하지 않게 되는 것(또는 커패시턴스가 크게 변동하는 것)을 억제할 수 있다.
포커스 링(FR)의 외주부 하면과 대향하는 도전성 링(DR)의 하부 내주부 상면의 면적을, 포커스 링(FR)의 외주부 측면과 대향하는 도전성 링(DR)의 내주부 측면의 면적보다 커지도록 구성해도 좋다. 포커스 링(FR)의 외주부 하면과 도전성 링(DR)의 하부 내주부 상면 사이의 커패시턴스가 커지기 때문에, 포커스 링(FR)과 도전성 링(DR) 사이의 커패시턴스의 변동을 작게 할 수 있다.
도 6에 도시되는 예와 같이, 도전성 링(DR)의 내주부 측면과 상면 사이에 경사부를 형성해도 좋다. 경사부를 마련하는 것에 의해, 포커스 링(FR)의 상면과 도전성 링(DR)의 상면의 높이의 변화가 완화되어, 도전성 링(DR) 및 포커스 링(FR)의 상방에 형성되는 시스의 불연속성을 완화할 수 있다.
도 2 내지 도 6에 도시되는 예에서는, 도전성 링(DR)의 상면(SFb)이 포커스 링(FR)의 상면보다 높아지도록 구성하여 있지만, 이에 한정되지 않는다. 도전성 링(DR)의 상면(SFb)을 포커스 링(FR)의 상면과 동일한 높이가 되도록 구성해도 좋고, 포커스 링(FR)의 상면보다 낮게 구성해도 좋다.
도 6에 도시되는 예에서는, 포커스 링(FR)의 외주부 하면과 도전성 링(DR)의 내주부 상면이 서로 대향하여 이격되어 있다. 또한, 도 7에 도시되는 바와 같이, 포커스 링(FR)의 외주부 상면과 도전성 링(DR)의 내주부 하면이 서로 대향하여 이격되도록 구성되어 있어도 좋다.
도 7에 도시되는 도전성 링(DR)은 내주부의 상부가 내주측으로 돌출하여 있다. 도전성 링(DR)의 돌출한 상부 내주부의 하면과 포커스 링(FR)의 상면은 서로 대향하여 이격되어 있다. 또한, 포커스 링(FR)의 제 1 측면(SSa)과, 도전성 링(DR)의 하부 내주부의 측면인 제 2 측면(SSb)은 서로 대향하여 이격되어 있다.
내측 커버 링(CRa)의 상면(Sfa)보다 외측 커버 링(CRb)의 내주측의 상면(SFc)이 낮게 되어 있고, 내측 커버 링(CRa)과 외측 커버 링(CRb) 사이에 이격부(DT)가 되는 단차부가 형성되어 있다. 도전성 링(DR)의 하부 내주부의 측면인 제 2 측면(SSb)이 단차부(내측 커버 링(CRa)의 외주 측면)에 접촉하기 때문에, 도전성 링(DR)의 상부 내주부의 측면인 제 2 측면(SSb)과 포커스 링(FR)의 제 1 측면(SSa)은 접촉하지 않는다. 또한, 도전성 링(DR)의 돌출한 상부 내주부의 하면은, 포커스 링의 외주부의 상면보다 높은 위치에 형성되어 있다. 따라서, 도전성 링(DR)의 상부 내주부의 하면과 포커스 링 상면은 접촉하지 않는다.
도 6에 도시되는 예와 마찬가지로, 포커스 링(FR)의 외주부 상면과 도전성 링(DR)의 상부 내주부 하면 사이의 거리(GC)는, 제 1 측면(SSa)과 제 2 측면(SSb) 사이의 거리(GA)보다 작아지도록 구성되어 있어도 좋다. 포커스 링(FR)의 외주부 상면과 대향하는 도전성 링(DR)의 상부 내주부 하면의 면적은, 포커스 링(FR)의 외주부 측면과 대향하는 도전성 링(DR)의 내주부 측면의 면적보다 커도 좋다.
도 7에 도시되는 예에서는, 공극(AS)이 도전성 링(DR)의 상부 내주부에 의해 덮여 있기 때문에, 퇴적물에 의해 공극(AS)이 폐색하여 커패시터로서 기능하지 않게 되는(또는 커패시턴스가 크게 변동하는) 것을 억제할 수 있다.
도 6 및 도 7에 도시되는 예에서는, 포커스 링(FR)의 외주부 하면(상면)과 도전성 링(DR)의 내주부 상면(하면)이 서로 대향하여 이격되는 동시에, 포커스 링(FR)의 제 1 측면(SSa)과 도전성 링(DR)의 제 2 측면(SSb)이 서로 대향하여 이격된다. 그렇지만, 포커스 링(FR)의 외주부 하면(상면)과 도전성 링(DR)의 내주부 상면(하면)만이 서로 대향하여 이격되어 있어도 좋다.
도 2 내지 도 7에 도시되는 예에서는, 포커스 링(FR)의 외주측(외주부)에서 내측 커버 링(Cra)을 덮도록 포커스 링(FR)을 배치하였다. 그렇지만, 포커스 링(FR) 전체를 정전 척(20) 상 또는 기대(18)에 배치해도 좋다. 즉, 포커스 링(FR)의 내주측(내주부)뿐만 아니라, 외주측(외주부)도 탑재부(31)의 주연부(31b)인 정전 척(20) 상 또는 기대(18)에 탑재해도 좋다.
도 8에는, 포커스 링(FR)의 외주부 상면과 도전성 링(DR)의 내주부 하면만이 서로 대향하여 이격되도록 구성된 예가 도시되어 있다. 또한, 포커스 링(FR) 전체는 정전 척(20) 상에 탑재되어 있다.
커버 링(CR)의 내주부는 포커스 링(FR)의 외주부에 탑재되어 있다. 도전성 링(DR)은 커버 링(CR)에 탑재되어 있다. 도전성 링(DR)의 내주부는 하방으로 돌출하는 돌출부를 갖고, 돌출부 하면(내주부 하면)은 포커스 링(FR)의 외주부 상면과 서로 대향하여 이격되어 있다. 도전성 링(DR)은 커버 링(CR)에 탑재되어 있기 때문에, 커버 링(CR) 상면과 도전성 링(DR)의 외주부 하면은 접촉한다. 즉, 커버 링(CR)의 상면이 이격부(DT)가 되어서, 도전성 링(DR)의 돌출부 하면과 포커스 링(FR)의 외주부 상면은 접촉하지 않는다. 또한, 도 8에 도시되는 예에서는, 도전성 링(DR)의 내주부에 하방으로 돌출하는 돌출부가 형성되어 있지만, 도전성 링(DR)의 내주부 하면과 포커스 링 외주부 상면 사이에서 충분한 커패시턴스가 얻어지면, 돌출부는 형성되어 있지 않아도 좋다.
이상, 여러 가지의 예시적 실시형태에 대해서 설명해왔지만, 상술한 예시적 실시형태로 한정되는 일 없이, 여러 가지 생략, 치환 및 변경이 이루어져도 좋다. 또한, 상이한 예시적 실시형태에 있어서의 요소를 조합하여 별개의 예시적 실시형태를 형성하는 것이 가능하다.
이상의 설명으로부터, 본 개시의 여러 가지의 예시적 실시형태는, 설명의 목적으로 본 명세서에서 설명되어 있고, 본 개시의 범위 및 주지로부터 일탈하는 일 없이 여러 가지의 변경을 할 수 있는 것이 이해될 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시한 여러 가지의 예시적 실시형태는 한정하는 것을 의도하지 않고, 진정한 범위와 주지는 첨부의 특허청구범위에 의해서 나타난다.
1 : 플라즈마 처리 장치 10 : 챔버
12 : 챔버 본체 12c : 내부 공간
12g : 게이트 밸브 12p : 통로
15 : 지지부 16 : 탑재대
18 : 기대 18f : 유로
20 : 정전 척 20p : 직류 전원
20s : 스위치 21 : 전극 플레이트
23a : 배관 23b : 배관
25 : 가스 공급 라인 28 : 통 형상부
30 : 상부 전극 31 : 탑재부
31a : 기판 탑재부 31b : 주연부
32 : 부재 34 : 천장판
34a : 가스 토출 구멍 36 : 지지체
36a : 가스 확산실 36b : 가스 구멍
36c : 가스 도입구 38 : 가스 공급관
40 : 가스 소스군 42 : 유량 제어기군
44 : 밸브군 48 : 배플 플레이트
50 : 배기 장치 52 : 배기관
62 : 제 1 고주파 전원 64 : 제 2 고주파 전원
66 : 정합기 68 : 정합기
AS : 공극 CR : 커버 링
CRa : 내측 커버 링 CRb : 외측 커버 링
DC : 직류 전원 DR : 도전성 링
DT : 이격부 ER : 영역
FR : 포커스 링 GA : 거리
ILSa : 외주 하면 ILSb : 내주 하면
IPb : 내주 MC : 제어부
OPc : 외주 OPd : 외주
OPe : 외주 SFa : 상면
SFb : 상면 SFc : 상면
SFd : 상면 SH : 두께
SP : 급전봉 SSa : 제 1 측면
SSb : 제 2 측면 W : 기판

Claims (19)

  1. 기판을 탑재하는 기판 탑재부와 상기 기판 탑재부를 둘러싸는 주연부를 갖는 탑재대와,
    상기 탑재대의 상기 주연부에 탑재된 도전성을 갖는 포커스 링과,
    상기 탑재대의 외주를 둘러싸고, 유전체로 구성된 커버 링과,
    상기 커버 링에 탑재된 도전성 링과,
    상기 탑재대에 결합된 고주파 전원을 구비하고,
    상기 포커스 링의 외주부에 있는 제 1 면과, 상기 도전성 링의 내주부에 있는 제 2 면은 서로 대향하여 이격되고,
    상기 커버 링은 상기 포커스 링과 상기 도전성 링을 이격시키는 이격부를 갖는
    플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 포커스 링의 내주부는 상기 탑재대의 상기 주연부에 의해 지지되고, 상기 포커스 링의 상기 외주부는 상기 커버 링의 내주부 상면을 덮는
    플라즈마 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 면은 상기 포커스 링의 외주부 측면이며, 상기 제 2 면은 상기 도전성 링의 내주부 측면인
    플라즈마 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 면은 상기 포커스 링의 외주부 하면이며, 상기 제 2 면은 상기 도전성 링의 내주부 상면인
    플라즈마 처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 면은 상기 포커스 링의 외주부 상면이며, 상기 제 2 면은 상기 도전성 링의 내주부 하면인
    플라즈마 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 포커스 링의 외주부 측면과, 상기 도전성 링의 내주부 측면이 서로 대향하여 이격되어 있는
    플라즈마 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 포커스 링의 외주부 하면과 대향하는 상기 도전성 링의 내주부 상면의 면적은, 상기 포커스 링의 외주부 측면과 대향하는 상기 도전성 링의 내주부 측면의 면적보다 큰
    플라즈마 처리 장치.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 포커스 링의 외주부 하면과 상기 도전성 링의 내주부 상면 사이의 간극은, 상기 포커스 링의 외주부 측면과 상기 도전성 링의 내주부 측면 사이의 간극보다 좁은
    플라즈마 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 포커스 링과 상기 도전성 링은 상기 제 1 면과 상기 제 2 면에서 용량 결합하여 있는
    플라즈마 처리 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 면과 상기 제 2 면 사이의 거리는 제로보다 크고, 또한, 상기 포커스 링의 두께보다 작은
    플라즈마 처리 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 링의 내주부 하면은 상기 포커스 링의 외주부 하면보다 하방에 위치하는
    플라즈마 처리 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이격부는 상기 커버 링의 표면에 형성된 홈부이며,
    상기 도전성 링의 내주부 하면은 상기 홈부 내에 수용되는
    플라즈마 처리 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이격부는 상기 도전성 링의 내주부 측면이 접촉하도록 구성된, 상기 커버 링의 표면에 형성된 단차부인
    플라즈마 처리 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 링은, 상기 도전성 링의 외주가 상기 커버 링의 외주의 내측에 위치하도록 배치되고,
    상기 커버 링의 외주부 상면은 플라즈마 처리 공간에 노출되어 있는
    플라즈마 처리 장치.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커버 링은 복수의 유전체 부품으로 구성되는
    플라즈마 처리 장치.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 탑재부 및 상기 주연부가 정전 척으로 구성되는
    플라즈마 처리 장치.
  17. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 탑재부는 정전 척으로 구성되고, 상기 주연부는 상기 탑재대의 기대로 구성되는
    플라즈마 처리 장치.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 링은, 상기 도전성 링의 상면과 상기 도전성 링의 내주부 측면 사이에 경사부를 갖는
    플라즈마 처리 장치.
  19. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 링의 재료는 실리콘 또는 실리콘카바이드이며,
    상기 커버 링의 재료는 석영인
    플라즈마 처리 장치.
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