KR20210018491A - Exhaust gas control unit - Google Patents

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테츠야 이케오쿠
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칸켄 테크노 가부시키가이샤
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Abstract

포어라인 배관으로부터 열분해탑에 이르는 배기 가스 경로의 막힘을 대폭적으로 해소한다.
배기 가스 제해 유닛(U)은, 진공 펌프(1), 배기 가스 도입 노즐부(20), 배기 가스 세정부(40)를 포함한다. 배기 가스 도입 노즐부(20)는, 배기 가스 노즐(21)과, 배기 가스 노즐(21)로부터의 배기 가스(H)를 감싸는 보호 가스 커튼(Gk)을 형성하는 보호 가스 노즐(25)과, 보호 가스 커튼(Gk)을 감싸는 수분 분출 노즐(27)을 포함한다. 배기 가스 세정부(40)는, 상기 수조(41)와 교반부(46)를 포함한다. 수조(41)는 내부에 세정용 물(M)을 저장하는 중공 용기에 배기 가스 도입 노즐부(20)가 접속된다. 수조(41)의 물(M)과 그 천장부(41a)와의 사이의 공간은 배기 가스(H)가 통류하는 통류 공간(45)이다. 교반부(46)는 수조(41)의 천장부(41a)로부터 현수되고, 그 하부가 수조(41) 안의 물(M)에 침지하고 있는 제 1 제방(47)과, 상기 제 1 제방(47)의 하류에 제공되고, 그 상부가 상기 물(M)보다 상부에 노출된 제 2 제방(48)을 포함한다.
It greatly eliminates the clogging of the exhaust gas path from the foreline piping to the pyrolysis tower.
The exhaust gas removing unit U includes a vacuum pump 1, an exhaust gas introduction nozzle unit 20, and an exhaust gas cleaning unit 40. The exhaust gas introduction nozzle unit 20 includes an exhaust gas nozzle 21, a protective gas nozzle 25 forming a protective gas curtain Gk surrounding the exhaust gas H from the exhaust gas nozzle 21, It includes a water jet nozzle 27 surrounding the protective gas curtain Gk. The exhaust gas cleaning unit 40 includes the water tank 41 and the stirring unit 46. The water tank 41 is connected to an exhaust gas introduction nozzle part 20 to a hollow container for storing the cleaning water M therein. The space between the water M of the water tank 41 and the ceiling part 41a is a flow space 45 through which the exhaust gas H flows. The stirring part 46 is suspended from the ceiling part 41a of the water tank 41, and the lower part thereof is immersed in water M in the water tank 41, and the first bank 47 and the first bank 47 It is provided downstream of and includes a second embankment 48 whose upper portion is exposed above the water M.

Description

배기 가스 제해 유닛Exhaust gas control unit

본 발명은, 반도체나 액정 등의 전자 디바이스의 제조 공정으로부터 배출되는 배기 가스를 무해화하여 대기로 방출하는 배기 가스 제해 유닛(exhaust gas detoxification unit)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 상기 배기 가스에 포함된 분진이나 반응 생성물에 의한 배기 가스 통로에서의 배관 또는 기기 내부의 막힘을 대폭적으로 완화시킬 수 있는 배기 가스 제해 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust gas detoxification unit for detoxifying exhaust gas discharged from the manufacturing process of electronic devices such as semiconductors and liquid crystals and discharging them to the atmosphere, and more particularly, to the exhaust gas. The present invention relates to an exhaust gas removal unit capable of remarkably alleviating clogging inside a pipe or equipment in an exhaust gas passage caused by contained dust or reaction products.

반도체 또는 액정 등의 전자 디바이스의 제조 공정에서, 많은 종류의 유해 또는 인화성·폭발성이 있는 위험도가 높은 가스나, 오존 구멍의 원인이 되는 등의 지구 환경 파괴 가스가 사용된다. 지구 환경 파괴 가스로서는, 예를 들어, CVD 챔버의 클리닝 가스로서 사용되는 CF4 및 C2F6과 같은 과불화수소 또는 NF3와 같은 탄소를 포함하지 않는 불소 화합물 등의 퍼플루오로 화합물(이하, 「PFC」라고 함)을 포함하는 다양한 화합물의 가스를 들 수 있다.In the manufacturing process of electronic devices such as semiconductors or liquid crystals, many kinds of harmful or inflammable/explosive gases with high risk, or gases that destroy the global environment, such as causing ozone holes, are used. As the global environment destructive gas, for example, perfluoro compounds such as hydrogen perfluoride such as CF 4 and C 2 F 6 used as cleaning gases of a CVD chamber or fluorine compounds that do not contain carbon such as NF 3 (hereinafter, Gas of various compounds including "PFC") is mentioned.

전자 디바이스 제조 공장에서, 일반적으로 위 층의 클린 룸 내에는 CVD와 같은 제조 장치와 기계식 부스터 펌프(mechanical boster pump)가 설치되고, 아래 층에 예를 들어 스크류식 진공 펌프, 입구 스크러버, 열분해탑, 출구 스크러버 등으로 구성되는 일련의 배기 가스 제해 기기류가 개별로 설치되고, 이것들이 배관으로 접속된다(특허문헌 1, 2 등).In an electronic device manufacturing plant, in general, a manufacturing device such as CVD and a mechanical boster pump are installed in the clean room of the upper floor, and for example, a screw type vacuum pump, inlet scrubber, pyrolysis tower, A series of exhaust gas removing devices composed of an outlet scrubber or the like are individually provided, and these are connected by pipes (Patent Documents 1 and 2, etc.).

그리고, 기계식 부스터 펌프를 통하여 위 층의 제조 장치의 공정 챔버와 아래 층의 스크류식 진공 펌프는 배관 접속되고, 공정 챔버 내의 배기 가스가 상기 진공 펌프로 흡인된다. 공정 챔버로부터 나온 배기 가스는 디바이스 제조 공정에서 생성된 반응 생성 성분(예를 들어, 수용성 성분이나, 수분과 반응해서 대량의 분진을 생성하는 가수분해성 가스)를 포함한다.Then, through a mechanical booster pump, the process chamber of the upper layer manufacturing apparatus and the screw type vacuum pump of the lower layer are connected to each other by piping, and exhaust gas in the process chamber is sucked by the vacuum pump. The exhaust gas from the process chamber contains a reaction-producing component (for example, a water-soluble component or a hydrolyzable gas that reacts with moisture to produce a large amount of dust) generated in the device manufacturing process.

아래 층에 있어서는, 상기 진공 펌프에 이어 설치되며, 상기 진공 펌프로부터 배출된 배기 가스를 샤워에 의한 물 세정하여 상기 수용성 성분이나 가수분해성 성분을 제거하는 동시에 반응에 의해 발생한 분진을 포집하기 위한 입구 스크러버, 상기 입구 스크러버로부터 유출된 세정용 물을 수용하는 수조, 상기 수조 위에 설치되고, 물 세정된 상기 배기 가스를 열분해하는 열분해탑, 상기 열분해탑에서 발생하여, 제해 배기 가스에 포함되는 반응 생성 성분(산성 성분이나 분진 등)을 제거하는 출구 스크러버 등이 이러한 순서로 배관 접속된다.In the lower floor, the inlet scrubber is installed following the vacuum pump, and is used to remove the water-soluble component or hydrolyzable component by washing the exhaust gas discharged from the vacuum pump with water by a shower and collect dust generated by the reaction. , A water tank for accommodating the cleaning water discharged from the inlet scrubber, a pyrolysis tower installed on the water tank and pyrolyzing the water-washed exhaust gas, a reaction generating component generated in the pyrolysis tower and included in the detoxification exhaust gas ( An outlet scrubber to remove acidic components, dust, etc.) is connected by piping in this order.

배기 가스 제해용의 열분해탑으로서는, 배기 가스를 전기 히터의 열로 분해하는 가열 분해식의 것(특허문헌 2), 배기 가스를 플라즈마 공간에 통과시켜서 플라즈마 분해 처리를 행하는 플라즈마식의 것 등이 공지되어 있다(특허문헌 3).As a pyrolysis tower for exhaust gas decomposition, a thermal decomposition type that decomposes exhaust gas into heat of an electric heater (Patent Document 2), and a plasma type that performs plasma decomposition treatment by passing exhaust gas through a plasma space are known. Yes (Patent Document 3).

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 특허 공개 2016-33364호Patent Document 1: JP Patent Publication No. 2016-33364 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 특허 공개 평11-333247호Patent Document 2: Japanese Laid-Open Patent Publication No. Hei 11-333247 특허문헌 3: 일본 특허공보 제5307556호Patent Document 3: Japanese Patent Publication No. 5307556

배기 가스에는 상기와 같이, 가수분해성 성분이 포함되는 경우가 있고, 이것이 공정 챔버로부터 배출되고, 하류의 배기 가스 제해 설비로 흘러가는 동안에 배기 가스 제해 설비의 배관 내 또는 기기류 내의 수분과 반응하여 반응 생성물을 발생시키고, 이것이 배관 내 또는 기기류의 내면에 부착되어서 성장하고, 결국에는 배기 가스 유로 중 어느 부분에서 유로를 막게 하는 폐색 사고를 일으켰었다.As described above, the exhaust gas may contain a hydrolyzable component, and the reaction product reacts with moisture in the piping of the exhaust gas control facility or in the equipment while it is discharged from the process chamber and flowing to the downstream exhaust gas control facility. And, it is attached to the inside of the pipe or the inner surface of the equipment and grows, eventually causing a blockage accident that causes the flow path to be blocked in any part of the exhaust gas flow path.

종래의 배기 가스 제해 설비는, 사용자가 진공 펌프 또는 입구 스크러버, 열 분해 탑, 출구 스크러버, 세정수 회수용의 수조 등의 기기류나 이러한 것들의 접속 배관을 개별로 구입하고, 자사의 전자 디바이스 제조 공장 내에서 조립하였었다. 이러한 경우에, 다음과 같은 문제가 있었다.In the conventional exhaust gas control facility, a user separately purchases equipment such as a vacuum pump or an inlet scrubber, a pyrolysis tower, an outlet scrubber, a water tank for washing water recovery, and connection pipes for these, and the company's electronic device manufacturing plant Had been assembled within. In this case, there were the following problems.

(1) 배기 가스 제해 설비를 구성하는 개별 장치가 따로따로 배치되고 배관 접속되므로, 배기 가스 제해 유닛의 설치 면적이 넓어지기 쉽다.(1) Since the individual devices constituting the exhaust gas control facility are separately arranged and connected to the pipe, the installation area of the exhaust gas control unit is liable to be widened.

(2) 사용자는 성능을 확인하면서 상기 기기류나 접속 배관을 개별로 구입했지만, 따로따로 구입하게 되면 설비 전체로서 보수 관리면에서 통일을 취하기 어렵고, 약점 부분이 있으면 그 부분의 유지 보수가 집중적으로 요구되어 보수 관리를 하기 어렵다. 예를 들어, 전자 디바이스 제조 장치의 공정 챔버와 진공 펌프를 통하여 입구 스크러버를 연결하는 포어라인(foreline)이라고 불리는 배관은, 배기 가스에 포함되는 가수분해성 성분과 입구 스크러버의 샤워수가 반응하고, 샤워 출구에 그 반응 생성물이 퇴적되어, 샤워 출구를 단시간에 폐색시키거나, 상기 샤워수의 수분이 포어라인 배관 내를 흐르는 배기 가스에 역침투하여 포어라인 배관에서 반응하고, 포어라인 배관의 내면에 반응 생성물이 부착되어 성장하여 포어라인 배관을 단시간에 폐색시키는 문제가 있었다.(2) The user purchased the above equipment or connection pipes individually while checking the performance, but if they are purchased separately, it is difficult to achieve unification in terms of maintenance as a whole facility, and if there are weaknesses, the maintenance of that part is intensively required. It becomes difficult to manage the maintenance. For example, a pipe called a foreline that connects the inlet scrubber to the process chamber of the electronic device manufacturing apparatus through a vacuum pump reacts with the hydrolyzable component contained in the exhaust gas and the shower water of the inlet scrubber, and the shower outlet In the foreline pipe, the reaction product is deposited, clogging the shower outlet in a short time, or the moisture of the shower water reacts in the foreline pipe by reverse penetration of the exhaust gas flowing in the foreline pipe, and the reaction product There is a problem that the foreline piping is clogged in a short time due to adhesion and growth.

(3) 또한, 공정 챔버로부터의 배기 가스를 물 세정하면 다량의 분진이 발생하고, 이것이 세정 배기 가스와 함께 열분해탑으로 반입되어, 열분해탑 내부에서 막힘을 발생시키는 경우도 있었다.(3) In addition, when the exhaust gas from the process chamber is washed with water, a large amount of dust is generated, which is carried into the pyrolysis tower together with the cleaning exhaust gas, thereby causing clogging in the pyrolysis tower.

본 발명은 이러한 종래 시스템의 문제에 감안하여 이루어진 것으로, 제 1 과제는, 포어라인 배관으로부터 열분해탑에 이르는 배기 가스 경로의 막힘을 대폭적으로 해소하여, 장기간의 연속 조업을 가능하게 하는 것이며, 제 2 과제는, 전체 구성 요소를 통일한 설계 사상 하에서 배기 가스 제해 유닛으로 구축하고, 이것들을 1개의 하우징 내에 집어넣는 집약화를 도모하는 것에 의해, 설치 면적의 공간 절약화를 실현하는 것이다.The present invention has been made in view of the problems of such a conventional system, and the first problem is to significantly eliminate clogging of the exhaust gas path from the foreline piping to the pyrolysis tower, thereby enabling a long-term continuous operation. The problem is to realize the space saving of the installation area by constructing the exhaust gas control unit as an exhaust gas control unit under the unified design concept of all the constituent elements and putting them in one housing.

상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명(청구항 1)의 배기 가스 제해 유닛(U)은, 반도체 제조 장치(200)의 공정 챔버(201)로부터 배기 가스(H)를 흡인하는 진공 펌프(1)와, 상기 진공 펌프(1)로부터 배출된 배기 가스(H)를 물 세정하는 배기 가스 도입 노즐부(20)와, 상기 배기 가스 도입 노즐부(20)로부터 물 세정되어 배출된 세정 배기 가스(H)에 포함되는 오탁물을 포집하고, 상기 세정 배기 가스(H)를 다음의 배기 가스 분해 공정으로 송출하는 배기 가스 세정부(40)를 포함하고,In order to solve the above problems, the exhaust gas removing unit U of the present invention (claim 1) is a vacuum pump 1 that sucks exhaust gas H from the process chamber 201 of the semiconductor manufacturing apparatus 200. And, an exhaust gas introduction nozzle part 20 for washing the exhaust gas H discharged from the vacuum pump 1 with water, and a cleaning exhaust gas H discharged after water washing from the exhaust gas introduction nozzle part 20. ), and an exhaust gas cleaning unit 40 for collecting the contaminants contained in) and sending the cleaning exhaust gas H to the next exhaust gas decomposition process,

상기 배기 가스 도입 노즐부(20)는, 배기 가스(H)를 배기 가스 세정부(40)로 도입하는 배기 가스 노즐(21)과, 상기 배기 가스 노즐(21)로부터 분출된 배기 가스(H)를 감싸는 보호 가스(G)를 분출하여 보호 가스 커튼(Gk)을 형성하는 보호 가스 노즐(25)과, 상기 보호 가스 노즐(25)로부터 분출된 보호 가스 커튼(Gk)을 감싸는 수분 분출 노즐(27)을 포함하고,The exhaust gas introduction nozzle unit 20 includes an exhaust gas nozzle 21 for introducing an exhaust gas H into the exhaust gas cleaning unit 40, and an exhaust gas H ejected from the exhaust gas nozzle 21. A protective gas nozzle 25 for forming a protective gas curtain Gk by ejecting a protective gas G surrounding the protective gas nozzle 25, and a moisture jet nozzle 27 surrounding the protective gas curtain Gk ejected from the protective gas nozzle 25 ), and

상기 배기 가스 세정부(40)는, 상기 수조(41)와 교반부(46)를 포함하고,The exhaust gas cleaning unit 40 includes the water tank 41 and the stirring unit 46,

상기 수조(41)는, 수평 방향으로 뻗고, 내부에 세정용 물(M)을 저장한 중공 용기로, 배기 가스 도입 노즐부(20)의 출구가 접속된 배기 가스(H)의 도입 개구(41c)와, 상기 물(M)과 그 천장부(41a)와의 사이의 공간에서 배기 가스(H)가 흘러서 배기 가스 분해 공정으로 보내지는 통류 공간(45)을 포함하고,The water tank 41 is a hollow container that extends in a horizontal direction and stores washing water M therein, and is an introduction opening 41c of the exhaust gas H to which the outlet of the exhaust gas introduction nozzle 20 is connected. ), and a through-flow space 45 through which the exhaust gas H flows in the space between the water M and the ceiling part 41a and is sent to the exhaust gas decomposition process,

상기 교반부(46)는, 수조(41)의 천장부(41a)로부터 현수되어, 그 하부가 수조(41) 내의 물(M)에 침지되고, 상기 침지 부분에 배기 가스 통과로(47a)가 제공된 제 1 제방(weir)(47)과, 상기 제 1 제방(47)의 하류에서, 상기 배기 가스 통과로(47a)를 통과한 배기 가스(H)가 상기 물(M)을 교반하는 교반 영역(49)을 통하여 설치되고, 그 상부가 상기 물(M)보다 상부에 노출된 제 2 제방(48)을 포함하는 것을 특징으로 한다.The stirring part 46 is suspended from the ceiling part 41a of the water tank 41, the lower part is immersed in water M in the water tank 41, and an exhaust gas passageway 47a is provided in the immersion part. A stirring region in which the exhaust gas H that has passed through the exhaust gas passageway 47a agitates the water M in the first bank 47 and downstream of the first bank 47 ( 49), and characterized in that it includes a second embankment 48 that is exposed above the water M.

이것에 의하면, 배기 가스 노즐(21)로부터 분출된 배기 가스(H)는, 보호 가스 커튼(Gk)으로 보호되어 있는 범위 내에서 수분 분출 노즐(27)로부터의 수분(M)과의 접촉이 차단되므로, 배기 가스(H)의 가수분해성 성분과 수분(M)과의 접촉에 의한 반응에 의해 생성되는 분진 등의 반응 생성물이 배기 가스 노즐(21)에 부착되어 배기 가스 노즐(21)을 폐색시키는 경우도 없고, 배기 가스 노즐(21)을 흐르는 배기 가스(H)에 역침투하여 배기 가스 노즐(21)의 상류측의 배기 가스 경로를 폐색시키는 경우도 없다.According to this, the exhaust gas H ejected from the exhaust gas nozzle 21 is blocked from contact with the moisture M from the moisture ejection nozzle 27 within the range protected by the protective gas curtain Gk. Therefore, reaction products such as dust generated by the reaction of the hydrolyzable component of the exhaust gas (H) and moisture (M) are attached to the exhaust gas nozzle 21 to close the exhaust gas nozzle 21. In no case, there is no case where the exhaust gas path on the upstream side of the exhaust gas nozzle 21 is blocked by reverse permeation of the exhaust gas H flowing through the exhaust gas nozzle 21.

그리고, 배기 가스 도입 노즐부(20)를 나온 세정 배기 가스(H)는, 배기 가스 세정부(40)의 수조(41) 내로 도입되고, 수조(41) 내의 물(M)과 함께 교반부(46)에서 교반됨으로써 배기 가스에 포함된 분진 등의 오탁물이 물(M)에 효과적으로 포집되어, 오탁물을 포함하지 않는 세정 배기 가스(H)로서 다음 공정에 보내진다.And the cleaning exhaust gas H exiting the exhaust gas introduction nozzle part 20 is introduced into the water tank 41 of the exhaust gas cleaning part 40, and together with the water M in the water tank 41, the stirring part ( By stirring at 46), contaminants such as dust contained in the exhaust gas are effectively collected in the water M and sent to the next step as the cleaning exhaust gas H that does not contain contaminants.

한편, 본 발명에 있어서는, 수분이란, 물, 미스트, 증기, 살수 등을 포함하고, 전부 부호 M으로 나타낸다.In addition, in the present invention, water includes water, mist, steam, sprinkling water, and the like, and all are indicated by the symbol M.

청구항 2는, 청구항 1의 배기 가스 제해 유닛(U)에 있어서,In claim 2, in the exhaust gas removing unit (U) of claim 1,

배기 가스 도입 노즐부(20)는, 배기 가스 노즐(21)로부터 떨어진 위치에서 보호 가스 커튼(Gk)을 넘고, 상기 배기 가스 노즐(21)로부터 분출한 배기 가스(H)와 수분 분출 노즐(27)로부터의 수분(M)이 충돌하는 위치에 설치되고, 상기 배기 가스(H), 보호 가스(G) 및 수분(M)이 충돌해서 이것들을 주위에 살포시키는 비산 부재(30)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.The exhaust gas introduction nozzle unit 20 crosses the protective gas curtain Gk at a position away from the exhaust gas nozzle 21, and the exhaust gas H and the moisture ejection nozzle 27 ejected from the exhaust gas nozzle 21 ) Is installed at a location where moisture (M) from the collision collides, and the exhaust gas (H), protective gas (G), and moisture (M) collide and further includes a scattering member 30 to spread these around Characterized in that.

이러한 것에 의해, 배기 가스(H)와 수분(M)과의 기체-액체 접촉이 효율적으로 행해지고, 배기 가스(H) 중의 가수분해성 성분의 대부분이 여기에서 분해되어, 대량의 분진을 발생시킨다.As a result, gas-liquid contact between the exhaust gas H and the moisture M is efficiently performed, and most of the hydrolyzable components in the exhaust gas H are decomposed there, thereby generating a large amount of dust.

청구항 3은 청구항 1 또는 2에 기재된 배기 가스 제해 유닛(U)에 있어서, In claim 3, in the exhaust gas removing unit (U) according to claim 1 or 2,

진공 펌프(1)는, 반도체 제조 장치(200)의 공정 챔버(201)로부터 인출된 제 1 포어라인 배관(P1)에 접속된 기계식 부스터 펌프(2)와, 상기 기계식 부스터 펌프(2)의 하방에 설치되고, 기계식 부스터 펌프(2)로부터 인출된 제 2 포어라인 배관(P2)에 접속된 러프(rough) 진공 펌프(4)로 구성되고,The vacuum pump 1 includes a mechanical booster pump 2 connected to a first foreline pipe P1 taken out from a process chamber 201 of a semiconductor manufacturing apparatus 200, and a lower side of the mechanical booster pump 2 It is installed in and is composed of a rough vacuum pump 4 connected to the second foreline pipe P2 drawn out from the mechanical booster pump 2,

상기 러프 진공 펌프(4)로부터 인출된 제 3 포어라인 배관(P3)에 배기 가스 도입 노즐부(20)가 접속되고,The exhaust gas introduction nozzle part 20 is connected to the third foreline pipe P3 drawn out from the rough vacuum pump 4,

상기 제 1 포어라인 배관(P1)에 접속되고, 반도체 제조 장치(200)의 클리닝시에, 제 1 포어라인 배관(P1) 내에 불소 라디컬(Fㆍ)을 공급해서 제 1 포어라인 배관(P1)뿐만 아니라, 상기 배기 가스 도입 노즐부(20)를 포함하는 구성 부재의 내면 부착물(S)을 제거하는 내면 클리닝부(10)와,It is connected to the first foreline pipe P1, and when cleaning the semiconductor manufacturing apparatus 200, fluorine radicals (F·) are supplied into the first foreline pipe P1, and the first foreline pipe P1 ), as well as the inner surface cleaning unit 10 for removing the inner surface attachment (S) of the constituent member including the exhaust gas introduction nozzle unit 20,

상기 제 2 포어라인 배관(P2)에 접속되고, 불소 라디컬(Fㆍ)에 의한 상기 내면 클리닝 후에 세정용 물(M)을 공급해서 상기 제 2 포어라인 배관(P2)뿐만 아니라, 상기 배기 가스 도입 노즐부(20)를 포함하는 구성 부재의 내면 부착물(S)을 물 세정하고, 그런 후, 건조 기체(G)를 공급하여, 제 2 포어라인 배관(P2)뿐만 아니라, 상기 배기 가스 도입 노즐부(20)를 포함하는 구성 부재의 내면을 건조하는 내면 세정부(16)로 구성된 것을 특징으로 한다.It is connected to the second foreline pipe (P2) and supplies cleaning water (M) after the inner surface cleaning by fluorine radical (F·) to supply not only the second foreline pipe (P2) but also the exhaust gas. The inner surface attachment (S) of the constituent member including the introduction nozzle part 20 is washed with water, and then, a drying gas (G) is supplied to the exhaust gas introduction nozzle as well as the second foreline pipe (P2). It is characterized by consisting of an inner surface cleaning unit 16 for drying the inner surface of the constituent member including the unit 20.

이러한 것에 의해, 제 1 포어라인 배관(P1)뿐만 아니라, 배기 가스 도입 노즐부(20)를 포함하는 구성 부재의 내면 세정이 반도체 제조 장치(200)의 클리닝시에 동시에 실행되고, 유지 보수 시간을 단축할 수 있다.In this way, not only the first foreline pipe P1, but also the inner surface cleaning of the constituent members including the exhaust gas introduction nozzle unit 20 is simultaneously performed at the time of cleaning of the semiconductor manufacturing apparatus 200, thereby reducing maintenance time. It can be shortened.

청구항 4는, 청구항 1에 기재된 배기 가스 제해 유닛(U)에 있어서, In claim 4, in the exhaust gas removing unit (U) according to claim 1,

진공 펌프(1), 배기 가스 도입 노즐부(20), 배기 가스 세정부(40), 및 배기 가스 세정부(40)로부터의 세정 배기 가스(H)를 열분해하는 열분해탑(60) 및 상기 열분해탑(60)으로부터의 분해 배기 가스(H)를 물 세정하여 상기 열분해에 의해 생성된 분해 배기 가스(H) 내의 오탁물을 제거해서 분해 배기 가스(H)를 청정 배기 가스(H)로서 장치 밖으로 배출하는 출구 스크러버(80)와, 상기 구성 기기를 연결하는 배관계와, 이것들을 수용하는 하우징(90)으로 구성된 것을 특징으로 한다.A pyrolysis tower 60 for pyrolyzing the cleaning exhaust gas H from the vacuum pump 1, the exhaust gas introduction nozzle part 20, the exhaust gas cleaning part 40, and the exhaust gas cleaning part 40, and the pyrolysis The decomposition exhaust gas (H) from the tower 60 is washed with water to remove contaminants in the decomposition exhaust gas (H) generated by the pyrolysis, and the decomposition exhaust gas (H) is taken out of the apparatus as a clean exhaust gas (H). It is characterized by comprising an outlet scrubber 80 to discharge, a piping system for connecting the components, and a housing 90 for accommodating them.

이것에 의하면, 배기 가스 제해의 구성 기기 및 그 배관계가 1개의 하우징(90) 내에 통합하여 수납되어 있으므로, 종래에 비해 그 설치 면적을 컴팩트하게 할 수 있다. 그리고, 일련의 배기 가스 제해의 구성 기기가 동일 메이커에 의해 준비되어 있으므로, 배기 가스 제해 유닛(U) 전체의 성능이 조화되고, 본래 약점으로 여겨졌던 포어라인 배관 계통의 분진 막힘을 해소할 수 있었다.According to this, since the constituent devices for exhaust gas control and their piping systems are integrated and housed in one housing 90, the installation area can be made compact compared to the conventional one. In addition, since a series of exhaust gas control components are prepared by the same manufacturer, the performance of the entire exhaust gas control unit (U) is harmonized, and dust clogging in the foreline piping system, which was originally considered a weakness, was able to be eliminated. .

상기한 바와 같이 본 발명은, 배기 가스 도입 노즐부(20)의 수분 분출 노즐(27)과, 배기 가스 세정부(40)의 교반부(46)와의 협동에 의해, 배기 가스(H)를 분진 등의 오탁물을 포함하지 않는 상태로서 다음 공정에 보낼 수 있다.As described above, in the present invention, the exhaust gas H is dusted by cooperation with the water jet nozzle 27 of the exhaust gas introduction nozzle unit 20 and the stirring unit 46 of the exhaust gas cleaning unit 40. It can be sent to the next step as it does not contain contaminants such as the back.

그리고, 제해 기기나 배관계를 통일한 설계 사상으로 통합하고, 이것들을 1개의 하우징(90) 내에 수납하였으므로, 배기 가스 제해 유닛(U)의 설치 면적을 절약할 수 있는 동시에, 사용자에게 있어서는, 배기 가스 제해 유닛(U)의 입구에서 출구까지 종합적으로 관리할 수 있게 되었다.In addition, since the decontamination equipment and piping systems are integrated in a unified design idea, and these are housed in one housing 90, the installation area of the exhaust gas decontamination unit U can be saved, and for the user, the exhaust gas It is now possible to comprehensively manage the demolition unit (U) from the entrance to the exit.

도 1은 본 발명을 적용한 배기 가스 제해 유닛의 내부 구조를 나타내는 정면도이다.
도 2는 도 1의 구성 요소의 기능 설명도와 교반부(제방)의 확대도이다.
도 3a는 본 발명의 내면 클리닝부의 제 1실시예의 개략 단면도, 도 3b는 본 발명의 제 2 실시예의 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명의 배기 가스 도입 노즐부의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 열분해탑의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 출구 스크러버의 단면도이다.
1 is a front view showing the internal structure of an exhaust gas removing unit to which the present invention is applied.
Fig. 2 is an explanatory view of the functions of the constituent elements of Fig. 1 and an enlarged view of a stirring unit (bank).
3A is a schematic cross-sectional view of a first embodiment of an inner surface cleaning unit of the present invention, and FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of a second embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of an exhaust gas introduction nozzle part of the present invention.
5 is a cross-sectional view of the pyrolysis tower of the present invention.
6 is a cross-sectional view of the exit scrubber of the present invention.

이하, 본 발명을 도시된 실시예에 따라서 설명한다. 본 배기 가스 제해 유닛(U)은, 반도체 디바이스 제조 공정에서 사용되는 제조 장치(200), 예를 들어, CVD 성막 장치에서 배출된 배기 가스(H)를 배기 가스 제해 유닛(U)의 하우징(90) 내에 설치된 진공 펌프(1)(기계식 부스터 펌프(2)와 러프 진공 펌프(4))로 흡인하고, 이 배기 가스(H)를 동일한 하우징(90) 내에 수납된 기기류에 순차적으로 이송하고, 이것을 열분해해서 무해화하여 대기로 방출하는 설비이다.Hereinafter, the present invention will be described according to the illustrated embodiment. This exhaust gas removing unit U is configured to reduce the exhaust gas H discharged from a manufacturing apparatus 200 used in a semiconductor device manufacturing process, for example, a CVD film forming apparatus, to the housing 90 of the exhaust gas removing unit U. ) Installed in the vacuum pump (1) (mechanical booster pump (2) and rough vacuum pump (4)), this exhaust gas (H) is sequentially transferred to equipment stored in the same housing (90), and this It is a facility that is detoxified by pyrolysis and released into the atmosphere.

또한, 배경기술의 설명에서는 PFC 배기 가스의 제해를 대표예로서 설명했지만, 난분해성의 배기 가스는 PFC 배기 가스에 한정되지 않으므로, 본 발명의 처리 대상 가스는, 단순히, 배기 가스(H)라고 한다.Further, in the description of the background art, the decomposition of PFC exhaust gas has been described as a representative example, but since the non-decomposable exhaust gas is not limited to the PFC exhaust gas, the treatment target gas of the present invention is simply referred to as exhaust gas (H). .

이하, 도면을 참조해서 본 발명의 배기 가스 제해 유닛(U)의 실시 형태의 일례를 설명한다. 배기 가스 제해 유닛(U)은, 예를 들어, 반도체 제품이나 액정 패널 등의 제조 공장에 있어서, 반도체 제조 장치(200)가 설치되어 있는 클린 룸(210)의 어느 위 층에 대하여 그 아래의 층에 설치되어, 반도체 제조 장치(200)의 배기계를 구성한다.Hereinafter, an example of an embodiment of the exhaust gas removing unit U of the present invention will be described with reference to the drawings. The exhaust gas control unit U is, for example, in a manufacturing plant such as a semiconductor product or a liquid crystal panel, a layer below it with respect to any upper floor of the clean room 210 in which the semiconductor manufacturing apparatus 200 is installed. And constitutes an exhaust system of the semiconductor manufacturing apparatus 200.

본 발명의 배기 가스 제해 유닛(U)은, 진공 펌프(1), 내면 클리닝부(10), 내면 세정부(16), 배기 가스 도입 노즐부(20), 배기 가스 세정부(40), 열분해탑(60), 출구 스크러버(80) 및 이것들을 연결하는 배관계 및 이것들을 수납하는 하우징(90)으로 구성된다.The exhaust gas removing unit U of the present invention includes a vacuum pump 1, an inner surface cleaning unit 10, an inner surface cleaning unit 16, an exhaust gas introduction nozzle unit 20, an exhaust gas cleaning unit 40, and pyrolysis. It consists of a tower 60, an outlet scrubber 80, a piping system connecting them, and a housing 90 accommodating them.

반도체 제조 장치(200)에는, 액정 패널, 반도체 웨이퍼의 성막, 에칭 기타 공정을 행하는 공정 챔버(201)가 제공된다. 상기 배기 가스 제해 유닛(U)은, 상기한 바와 같이 그 아래의 층에 설치된다.The semiconductor manufacturing apparatus 200 is provided with a process chamber 201 for performing a liquid crystal panel, a semiconductor wafer film formation, etching and other processes. The exhaust gas removing unit U is provided in the lower layer as described above.

진공 펌프(1)는, 공정 챔버(201)의 배기를 행하는 상위 펌프로서 사용하는 기계식 부스터 펌프(2)와, 하위 펌프로서 러프 진공 펌프(4)(예를 들어, 드라이 펌프나 스크류 펌프)를 구비한다.The vacuum pump 1 includes a mechanical booster pump 2 used as an upper pump for evacuating the process chamber 201, and a rough vacuum pump 4 (for example, a dry pump or a screw pump) as a lower pump. Equipped.

도 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 기계식 부스터 펌프(2)는, 하우징(90)의 선반(91)에 놓이고, 러프 진공 펌프(4)는 그 바로 아래에서, 후술하는 배기 가스 세정부(40)의 수조(41) 위에 놓여 있다.As can be seen from FIG. 1, the mechanical booster pump 2 is placed on the shelf 91 of the housing 90, and the rough vacuum pump 4 is immediately below it, an exhaust gas cleaning unit 40 to be described later. ) Is placed on the tank 41.

본 실시예에서, 공정 챔버(201)로부터 인출된 제 1 포어라인 배관(P1)은 바닥(220)을 관통해서 층 아래의 기계식 부스터 펌프(2)에 접속된다.In this embodiment, the first foreline pipe P1 drawn out from the process chamber 201 penetrates the floor 220 and is connected to the mechanical booster pump 2 below the floor.

그리고, 기계식 부스터 펌프(2)와 러프 진공 펌프(4)는 제 2 포어라인 배관(P2)으로 접속되어 있고, 추가로, 러프 진공 펌프(4)으로부터 인출된 제 3 포어라인 배관(P3)에 배기 가스 도입 노즐부(20)가 설치된다.In addition, the mechanical booster pump 2 and the rough vacuum pump 4 are connected by a second foreline pipe P2, and additionally, to the third foreline pipe P3 drawn out from the rough vacuum pump 4 An exhaust gas introduction nozzle part 20 is provided.

본 발명에서, 하우징(90) 내에 있어서, 기계식 부스터 펌프(2)와 러프 진공 펌프(4)는 상하로 배치되고, 배기 가스 도입 노즐부(20)는 러프 진공 펌프(4)의 바로 옆에 배치되어 있으므로, 이것들을 연결하는 제 2 포어라인 배관(P2) 및 제 3 포어라인 배관(P3)의 관 길이는 매우 짧다.In the present invention, in the housing 90, the mechanical booster pump 2 and the rough vacuum pump 4 are arranged up and down, and the exhaust gas introduction nozzle part 20 is arranged right next to the rough vacuum pump 4 Therefore, the pipe length of the second foreline pipe P2 and the third foreline pipe P3 connecting them is very short.

그리고, 제 2 포어라인 배관(P2)은 도 1로부터 알 수 있는 바와 같이 J형으로 형성되고, 그 상단이 기계식 부스터 펌프(2)에 접속되고, 제 2 포어라인 배관(P2)의 바닥부가 러프 진공 펌프(4)에 접속되고, 가로 방향으로 향한 제 2 포어라인 배관(P2)의 단부의 커넥터(P2c)에 후술하는 내면 세정부(16)가 접속된다.And, the second foreline pipe (P2) is formed in a J-shaped as can be seen from Figure 1, the upper end is connected to the mechanical booster pump (2), the bottom of the second foreline pipe (P2) is rough The inner surface cleaning unit 16 described later is connected to the vacuum pump 4 and to the connector P2c at the end of the second foreline pipe P2 facing in the transverse direction.

내면 세정부(16)는 제 2 포어라인 배관(P2)의 단부에 제공된 커넥터(P2c)에 대하여 착탈 가능하다. 내면 세정부(16)의 비접속시에는, 제 2 포어라인 배관(P2)의 커넥터(P2c)는 폐색되어 있고, 내부 세정시에 내면 세정부(16)가 접속된다.The inner surface cleaning unit 16 is detachable from the connector P2c provided at the end of the second foreline pipe P2. When the inner surface cleaning unit 16 is not connected, the connector P2c of the second foreline pipe P2 is closed, and the inner surface cleaning unit 16 is connected during internal cleaning.

제 1 포어라인 배관(P1)에는, 불소 라디컬을 생성해서 제 1 포어라인 배관(P1)뿐만 아니라 배관류나 기기류의 내면 부착물(S)을 가스화하고 이것을 제거하는 내면 클리닝부(10)가 설치되어 있고, 제 2 포어라인 배관(P2)에는 제 2 포어라인 배관(P2)뿐만 아니라 배관류나 기기류에 세정용 물(M)이나 건조용의 가열 불활성 가스(G)를 공급하는 내면 세정부(16)가 설치된다.The first foreline pipe (P1) is provided with an inner surface cleaning unit (10) that gasifies not only the first foreline pipe (P1) by generating fluorine radicals, but also the inner surface attachment (S) of pipes or equipment, and removes it. In the second foreline pipe (P2), an inner surface cleaning unit (16) that supplies cleaning water (M) or heating inert gas (G) for drying to pipes or equipment as well as the second foreline pipe (P2). Is installed.

내면 클리닝부(10)는, 라디컬 생성 챔버(12), 고주파 코일(13) 및 고주파 전원(14)을 포함한다.The inner surface cleaning unit 10 includes a radical generation chamber 12, a high-frequency coil 13, and a high-frequency power supply 14.

라디컬 생성 챔버(12)는, 길이 방향의 양 단면으로 개방이 제공된 중공 원통 부재로, 한쪽의 단면에 제공된 개구를 입구 개구부(12a), 다른 쪽의 단면에 제공된 개구를 출구 개구부(12b)로 한다.The radical generation chamber 12 is a hollow cylindrical member provided with openings in both end faces in the longitudinal direction, and an opening provided in one end surface is an inlet opening 12a, and an opening provided in the other end surface is an outlet opening 12b. do.

라디컬 생성 챔버(12)의 제 1 포어라인 배관(P1)에 대한 부착은, 도 3a에 나타내는 바와 같이 제 1 포어라인 배관(P1)에 직렬 상태로 접속되는 경우와, 도 3b에 나타내는 바와 같이 출구 개구부(12b)를 통하여 제 1 포어라인 배관(P1)에 접속되는 경우가 있다.Attachment of the radical generation chamber 12 to the first foreline pipe P1 is as shown in FIG. 3B and when connected in series to the first foreline pipe P1 as shown in FIG. 3A. In some cases, it is connected to the first foreline pipe P1 through the outlet opening 12b.

도 3a의 라디컬 생성 챔버(12)에서, 길이 방향의 상단부의 입구 개구부(12a)에 제 1 포어라인 배관(P1)의 전반 부분이 접속되고, 하단부의 출구 개구부(12b)에 제 1 포어라인 배관(P1)의 후반 부분이 접속된다. 그리고, 제 1 포어라인 배관(P1)의 전반 부분에 관내 부착물 분해 가스(예를 들어, NF3)를 공급하는 분해 가스 공급관(12c)이 접속된다.In the radical generation chamber 12 of FIG. 3A, the first foreline pipe P1 is connected to the inlet opening 12a of the upper end in the longitudinal direction, and the first foreline is connected to the outlet opening 12b at the lower end. The second half of the pipe P1 is connected. Then, a decomposition gas supply pipe 12c for supplying an in-pipe attachment decomposition gas (for example, NF 3 ) is connected to the front part of the first foreline pipe P1.

도 3b의 경우에는, 라디컬 생성 챔버(12)의 입구 개구부(12a)에 분해 가스 공급관(12c)이 접속된다.In the case of FIG. 3B, the decomposition gas supply pipe 12c is connected to the inlet opening 12a of the radical generation chamber 12.

또한, 라디컬 생성 챔버(12)의 루프 부분(13a) 내에서 생성되고, 출구 개구부(12b)에서 나오는 화살표는 불소 라디컬(Fㆍ)을 나타낸다.Incidentally, an arrow generated in the roof portion 13a of the radical generation chamber 12 and emerging from the outlet opening 12b represents a fluorine radical (F·).

라디컬 생성 챔버(12)는, 스테인리스강(SUS)나 하스텔로이(등록상표) 등의 금속, 또는, SiO2나 Al2O3 등의 세라믹과 같은 기밀성, 내열성, 내식성 및 기계적 강도가 뛰어난 재료로 구성된 통상의 부재이다.The radical generation chamber 12 is a material excellent in airtightness, heat resistance, corrosion resistance and mechanical strength, such as metals such as stainless steel (SUS) or Hastelloy (registered trademark), or ceramics such as SiO 2 or Al 2 O 3 It is a common member composed of.

이 라디컬 생성 챔버(12)의 내부에는, 고주파 코일(13)이 배치된다. 고주파 코일(13)은, 예를 들어 동이나 스테인리스강 등의 도전성 금속으로 이루어진 선재를 나선 형상으로 권취하여 형성한 원통형의 루프 코일이다. 이 고주파 코일(13)은, 나선 형상으로 권취되어 내부에 원통 형상의 공간이 제공된 루프 부분(13a)의 중심축과, 라디컬 생성 챔버(12)의 중심축이 동일한 축이 되도록 라디컬 생성 챔버(12) 내에 장착된다. 또한, 고주파 코일(13)의 루프 부분(13a)의 양 단부는 라디컬 생성 챔버(12) 내로부터 외부로 연장되어, 고주파 전원(14)에 접속된다.A high-frequency coil 13 is disposed inside the radical generation chamber 12. The high frequency coil 13 is a cylindrical loop coil formed by winding a wire made of a conductive metal such as copper or stainless steel in a spiral shape. The high frequency coil 13 is wound in a spiral shape so that the central axis of the loop portion 13a provided with a cylindrical space therein and the central axis of the radical generation chamber 12 are the same axis. It is mounted within 12. In addition, both ends of the loop portion 13a of the high frequency coil 13 extend from the inside of the radical generation chamber 12 to the outside, and are connected to the high frequency power supply 14.

또한, 이 고주파 코일(13)과 상술의 라디컬 생성 챔버(12)는, 과열을 방지하기 위해, 필요에 따라서 냉각하는 것이 바람직하다.In addition, in order to prevent overheating, the high-frequency coil 13 and the above-described radical generation chamber 12 are preferably cooled as necessary.

제 1 포어라인 배관(P1) 및 라디컬 생성 챔버(12) 내에 나타낸 점은 내면 부착물(S)을 나타낸다. 공정 챔버(201)에 접속되어 있는 제 1 포어라인 배관(P1)의 내면에는 공정 챔버(201)로부터의 배기 가스(H)에 수반되는 반응 생성물이 부착된다.The points indicated in the first foreline pipe P1 and the radical generation chamber 12 indicate the inner surface attachment S. A reaction product accompanying the exhaust gas H from the process chamber 201 is attached to the inner surface of the first foreline pipe P1 connected to the process chamber 201.

고주파 전원(14)은, 고주파 코일(13)에 대하여 고주파 전압을 인가하는 전원이다.The high frequency power supply 14 is a power source that applies a high frequency voltage to the high frequency coil 13.

제 2 포어라인 배관(P2)의 커넥터(P2c)에 필요에 따라서 접속되는 내면 세정부(16)는, 세정용의 급수 배관(18)과 건조 기체 공급 배관(19)으로 구성되고, 세정용의 급수 배관(18)과 건조 기체 공급 배관(19)과의 공통 배관(17)이 J형의 제 2 포어라인 배관(P2)의 하단 선단에 제공된 커넥터(P2c)에 불소 라디컬(Fㆍ)에 의한 내면 클리닝에 맞춰서 접속된다. 급수 배관(18), 건조 기체 공급 배관(19) 및 공통 배관(17)에는 개폐 밸브(18v·19v)가 각각 부착된다.The inner surface cleaning unit 16 connected as necessary to the connector P2c of the second foreline piping P2 is composed of a water supply piping 18 for cleaning and a dry gas supply piping 19, for cleaning. The common pipe 17 between the water supply pipe 18 and the dry gas supply pipe 19 is connected to a connector (P2c) provided at the lower end of the J-type second foreline pipe (P2) to a fluorine radical (F·). It is connected according to the internal cleaning by means of. On/off valves 18v·19v are attached to the water supply pipe 18, the dry gas supply pipe 19, and the common pipe 17, respectively.

급수 배관(18)으로부터는 청정한 수돗물(M)(또는, 수조(41)의 물(M))이 공급되고, 건조 기체 공급 배관(19)으로부터는 본 실시예에서는 가열 불활성 가스(질소)(G)가 공급된다.Clean tap water (M) (or water (M) in the water tank 41) is supplied from the water supply pipe 18, and from the drying gas supply pipe 19, in this embodiment, heating inert gas (nitrogen) (G ) Is supplied.

배기 가스 도입 노즐부(20)는 러프 진공 펌프(4)의 출구로부터 연장된 제 3 포어라인 배관(P3)의 출구에 접속된 장치이다. 배기 가스 도입 노즐부(20)에는, 첫째로, 러프 진공 펌프(4)로부터 송출된 배기 가스(H)에 역침투해서 제 3 포어라인 배관(P3)이나 이것보다 상류측의 배관 또는 기기류의 내부에 반응 생성물(S)을 부착하는 것을 방지하는 기능이 요구되고, 두번째로 수분(M)을 살포함으로써 배기 가스(H)에 포함되어 있는 가수분해성 성분을 가수분해하는 기능이 요구된다. 다음에 설명된다.The exhaust gas introduction nozzle unit 20 is a device connected to the outlet of the third foreline pipe P3 extending from the outlet of the rough vacuum pump 4. In the exhaust gas introduction nozzle unit 20, first, the exhaust gas H delivered from the rough vacuum pump 4 is reversely permeated, and the third foreline pipe P3, a pipe upstream from this, or the interior of the equipment. A function of preventing the reaction product (S) from adhering to is required, and secondly, a function of hydrolyzing the hydrolyzable component contained in the exhaust gas (H) by spraying moisture (M) is required. It is explained next.

다음에, 배기 가스 도입 노즐부(20)는, 케이싱(35)과, 상기 케이싱(35)의 천장 부분에 장착된 삼중관(20a)과, 삼중관(20a)의 바로 아래에 제공된 비산 부재(30)로 구성된다.Next, the exhaust gas introduction nozzle unit 20 includes a casing 35, a triple pipe 20a mounted on the ceiling portion of the casing 35, and a scattering member provided immediately below the triple pipe 20a ( 30).

삼중관(20a)의 노즐 구조로서는 내관인 배기 가스 노즐(21), 상기 배기 가스 노즐(21)의 주위를 둘러싸는 중간관이며, 불활성 가스(G)를 분출해서 배기 가스(H)의 주위에 보호 가스 커튼(GK)을 형성하는 보호 가스 노즐(25), 및 상기 보호 가스 노즐(25)의 주위를 둘러싸는 외관이며, 보호 가스 커튼(Gk)의 외측으로부터 수분을 분출하는 수분 분출 노즐(27)로 구성된다.The nozzle structure of the triple tube 20a is an exhaust gas nozzle 21 as an inner tube, an intermediate tube surrounding the exhaust gas nozzle 21, and ejects an inert gas G to surround the exhaust gas H. A protective gas nozzle 25 forming a protective gas curtain GK, and an external appearance surrounding the protective gas nozzle 25, and a moisture jet nozzle 27 for ejecting moisture from the outside of the protective gas curtain Gk. ).

배기 가스 노즐(21)의 입구 부분은, 러프 진공 펌프(4)로부터 인출된 제 3 포어라인 배관(P3)에 접속된다. 배기 가스 노즐(21)의 내면의 종단면 형상은, 그 입구 부분으로부터 중간 부분까지는 굵은 원형 직관형으로 형성되고, 중간 부분으로부터 그 출구인 배기 가스 분출구(21f)를 향해서 그 내경이 점차 감소되도록 좁혀져 있다. 이 배기 가스 분출구(21f)에 반응 생성물이나 분진이 부착되어 퇴적되지 않도록, 나이프 엣지 형상으로 형성해 두는 것이 바람직하다. 배기 가스 노즐(21)의 외면의 배기 가스 분출구(21f)를 향해서 점차 감소하는 역원추 사다리꼴 형상의 부분이 보호 가스(G)가 분사되는 보호 가스 분출로(T1)를 구성하는 틈의 내면으로 된다.The inlet portion of the exhaust gas nozzle 21 is connected to a third foreline pipe P3 drawn out from the rough vacuum pump 4. The longitudinal cross-sectional shape of the inner surface of the exhaust gas nozzle 21 is formed in a thick circular straight tubular shape from the inlet portion to the middle portion, and is narrowed so that the inner diameter gradually decreases from the middle portion toward the exhaust gas outlet 21f which is its outlet. . It is preferable to form a knife edge shape so that reaction products and dust do not adhere to this exhaust gas outlet 21f and deposit. An inverted conical trapezoidal portion gradually decreasing toward the exhaust gas ejection port 21f on the outer surface of the exhaust gas nozzle 21 becomes the inner surface of the gap constituting the protection gas ejection path T1 through which the protection gas G is injected. .

보호 가스 노즐(25)은, 상면 중앙으로 개방되는 원통 형상의 수납 오목부(25b)가 형성되고, 이 수납 오목부(25b)의 중앙에서 아래쪽을 향해서 끝으로 갈수록 가는(로트 형상)의 노즐 구멍(25a)이 천공된다. 이 노즐 구멍(25a)이 설치되어 있는 부분을 노즐 부분(25c)으로 한다. 이 노즐 부분(25c)은 중공에서 역원추 사다리꼴 형상이다. The protective gas nozzle 25 has a cylindrical storage concave portion 25b that opens to the center of the upper surface, and is a nozzle hole of a thinner (lot shape) from the center of the storage concave portion 25b toward the bottom. (25a) is perforated. The portion where the nozzle hole 25a is provided is referred to as the nozzle portion 25c. This nozzle portion 25c is hollow and has an inverted conical trapezoidal shape.

이 보호 가스 분출로(T1)의 선단 개구가 보호 가스 분출구(25f)에서, 배기 가스 분출구(21f)의 전체 둘레를 둘러싸고 있다. 그리고, 보호 가스 노즐(25)의 상부 측면에는 보호 가스 공급 배관(26)이 접속되고, 수납 오목부(25b)의 내면과 배기 가스 노즐(21)의 외면과의 사이에 형성된 가스 저장소(26a)에 연통한다. 즉, 가스 저장소(26a)는 보호 가스 분출구(25f)에 이르는 보호 가스 분출로(T1)에 연통하고 있*. 그리고, 보호 가스 분출구(25f)는, 배기 가스 분출구(21f)로부터 배기 가스 분출 방향으로 돌출된다.The front end opening of this protective gas blowing path T1 surrounds the entire circumference of the exhaust gas blowing port 21f at the protective gas blowing port 25f. Further, a protective gas supply pipe 26 is connected to the upper side of the protective gas nozzle 25, and a gas reservoir 26a formed between the inner surface of the storage concave portion 25b and the outer surface of the exhaust gas nozzle 21 Communicate with In other words, the gas storage 26a is in communication with the protective gas blowing path T1 leading to the protective gas blowing port 25f*. And the protective gas ejection port 25f protrudes from the exhaust gas ejection port 21f in the exhaust gas ejection direction.

수분 분출 노즐(27)은 보호 가스 노즐(25)의 전체 둘레를 둘러싸도록 제공된다.The water jet nozzle 27 is provided to surround the entire circumference of the protective gas nozzle 25.

수분 분출 노즐(27)의 노즐 부분(27c)은, 보호 가스 노즐(25)의 노즐 부분(25c)과 동일한 테이퍼로 형성된 앞이 가는 원추형으로 형성되고, 보호 가스 노즐(25)의 외주면과 수분 분출 노즐(27)의 내주면과의 사이에 수분 분출로(T2)를 구성하는 틈이 보호 가스 노즐(25)의 외주면 전체 둘레에 걸쳐서 형성된다.The nozzle portion 27c of the moisture jet nozzle 27 is formed in a conical shape with a thin front formed with the same taper as the nozzle portion 25c of the protective gas nozzle 25, and the outer peripheral surface of the protective gas nozzle 25 and the moisture jet A gap constituting the water jet passage T2 between the inner circumferential surface of the nozzle 27 is formed over the entire circumference of the outer circumferential surface of the protective gas nozzle 25.

이 수분 분출로(T2)는, 물 웅덩이(28a)를 거쳐 수분 공급 배관(28)에 접속된다. 이 수분 공급 배관(28)은 제 1 양수 배관(42)에 접속되고, 상기 제 1 양수 배관(42)에 설치된 제 1 양수 펌프(YP1)로 수조(41)의 물(M)이 공급된다.This water jet passage T2 is connected to a water supply pipe 28 via a water puddle 28a. The water supply pipe 28 is connected to the first pumping pipe 42, and water M of the water tank 41 is supplied to the first pumping pump YP1 installed in the first pumping pipe 42.

도 4에서는 수분 공급 배관(28)은 수분 분출 노즐(27)의 측면에 접속되어 물 웅덩이(28a)에 이어져 있다.In FIG. 4, the water supply pipe 28 is connected to the side surface of the water jet nozzle 27 and is connected to the water puddle 28a.

이 삼중관(20a)은 케이싱(35)에 설치되고, 삼중관(20a)의 노즐 입구의 아래쪽에 비산 부재(30)가 설치된다. 비산 부재(30)는, 접시 형상부(31)와, 케이싱(35)에 부착된 지지 부재(34), 및 다리부(32)로서 구성된 접시 형상부(31)는 원형이고 얕은 접시 형상의 부재로, 상면 주위가 솟아올라 있고, 이 솟아오른 테두리(31b)의 내측이 움푹 패여 있다. 이 움푹 패여 있는 부분을 충돌 부분(31a)으로 한다. 이 충돌 부분(31a)과 보호 가스 노즐(25)의 노즐 입구 선단과의 간격은, 수분 분출 노즐(27)로부터 분출한 수분(가열 증기 또는 미세 물방울)이 보호 가스 커튼(Gk)을 돌파하는 지점, 또는 이 지점을 넘는 아래쪽 위치가 바람직하다. 충돌 부분(31a)을 보호 가스 노즐(25)의 노즐 입구에 너무 근접시키면 보호 가스 커튼(Gk)의 수분 차폐 효과가 손상된다.This triple pipe 20a is provided in the casing 35, and a scattering member 30 is provided below the nozzle inlet of the triple pipe 20a. The scattering member 30 is a plate-shaped portion 31, a support member 34 attached to the casing 35, and a plate-shaped portion 31 constituted as a leg portion 32 is a circular and shallow plate-shaped member. As a result, the periphery of the upper surface is raised, and the inside of the raised frame 31b is recessed. This recessed part is referred to as the collision part 31a. The distance between the collision part 31a and the nozzle inlet tip of the protective gas nozzle 25 is a point at which the moisture (heated steam or fine water droplets) ejected from the water jet nozzle 27 breaks through the protective gas curtain Gk. , Or a lower position beyond this point is preferred. If the collision portion 31a is too close to the nozzle inlet of the protective gas nozzle 25, the moisture shielding effect of the protective gas curtain Gk is impaired.

지지 부재(34)는 원판 형상의 부재로, 케이싱(35)의 내면에 고정된다. 상기 지지 부재(34)의 적소에는 배기 가스 유하(流下)구멍(33)이 천공된다. 그리고, 원기둥 형상의 다리부(32)의 상단은 접시 형상부(31)의 바닥부 중앙에 부착된다. 다리부(32)의 하단은 지지 부재(34)의 중앙에 부착된다.The support member 34 is a disc-shaped member and is fixed to the inner surface of the casing 35. An exhaust gas flow hole 33 is perforated in the proper place of the support member 34. In addition, the upper end of the columnar leg portion 32 is attached to the center of the bottom portion of the plate-shaped portion 31. The lower end of the leg portion 32 is attached to the center of the support member 34.

케이싱(35)은 하면 개구의 원통체로 구성되고, 상기와 같이 그 천장 부분에 삼중관(20a)이 하향으로 부착된다. 그 하면 개구는 후술하는 수조(41)의 배기 가스(H)의 도입 개구(41c)에 부착된다.The casing 35 is composed of a cylindrical body having an opening in the lower surface, and a triple pipe 20a is attached downwardly to the ceiling portion as described above. The lower surface opening is attached to the introduction opening 41c of the exhaust gas H of the water tank 41 to be described later.

배기 가스 세정부(40)는, 수평 방향으로 길게 연장된 중공 용기로, 내부에 세정용 물(M)을 일정한 높이로 저장한 수조(41)와, 상기 수조(41) 속에 제공된 1개 내지 복수의 교반부(46)와 1개 내지 복수의 분사 노즐(50)을 포함한다. 교반부(46)는, 물(M)의 교반에 의한 기체-액체 접촉 효과가 높은 제방이 사용된다(도 2의 확대도).The exhaust gas cleaning unit 40 is a hollow container that is elongated in a horizontal direction, and a water tank 41 in which cleaning water (M) is stored at a constant height, and one or more provided in the water tank 41 It includes a stirring unit 46 and one to a plurality of spray nozzles 50. As for the stirring unit 46, a bank having a high gas-liquid contact effect by stirring of water M is used (an enlarged view of Fig. 2).

수조(41)의 천장부(41a)와 세정용 물(M)과의 사이에는 배기 가스(H)가 통류하는 통류 공간(45)이 제공된다. 본 실시예의 수조(41)는, 통류 공간(45)을 흐르는 배기 가스(H)와 세정용 물(M)과의 기체-액체 접촉을 높이기 위해, 본 실시예에서는 제방 구조를 교반부(46)로서 채용한다(이하, 교반부(46)를 단순히 제방(46)이라고도 말하는 경우가 있음). 교반부(46)는, 제 1 제방(47)과 제 2 제방(48)으로 구성되고, 제 1 제방(47)과 제 2 제방(48) 사이에 교반 영역(49)이 제공된다(도 2의 확대도).A flow space 45 through which the exhaust gas H flows is provided between the ceiling portion 41a of the water tank 41 and the washing water M. In the water tank 41 of this embodiment, in order to increase the gas-liquid contact between the exhaust gas H flowing through the flow space 45 and the cleaning water M, in this embodiment, the embankment structure is formed by the stirring unit 46 (Hereinafter, the stirring portion 46 may be referred to simply as the embankment 46). The stirring unit 46 is composed of a first bank 47 and a second bank 48, and a stirring region 49 is provided between the first bank 47 and the second bank 48 (Fig. 2 Enlarged view).

제 1 제방(47)은, 배기 가스(H)의 상류측에 수조(41)의 천장부(41a)로부터 현수되고, 그 하단 부분이 세정용 물(M) 속에 수몰된다. 그리고, 그 수몰 부분에 배기 가스 통과로(47a)로 되는 통과 구멍이 형성된다(배기 가스 통과로(47a)는 구멍으로 한정되는 것이 아니고, 배기 가스(H)가 빠져나갈 수 있는 제방이라도 좋다. 여기에서, 배기 가스 통과로(47a)로서 통과 구멍을 사용하기로 한다). 상기 배기 가스 통과로(47a)는, 수면 바로 아래에서 수면에 맞춰서 수평으로 연장된 슬릿 형상의 틈, 또는 수평으로 늘어선 1개 내지 복수의 관통 구멍으로 형성된다. 상기 배기 가스 통과로(47a)의 구멍 가장자리에는 하류 방향으로 연장된 가이드 노즐(47b)이 제공된다.The first embankment 47 is suspended from the ceiling 41a of the water tank 41 on the upstream side of the exhaust gas H, and its lower end is submerged in the washing water M. Then, a passage hole serving as the exhaust gas passage 47a is formed in the submerged portion (the exhaust gas passage 47a is not limited to a hole, and may be an embankment through which the exhaust gas H can escape. Here, a passage hole is used as the exhaust gas passage passage 47a). The exhaust gas passageway 47a is formed of a slit-shaped gap extending horizontally in accordance with the water surface immediately below the water surface, or one to a plurality of through holes arranged horizontally. A guide nozzle 47b extending in a downstream direction is provided at an edge of the hole of the exhaust gas passageway 47a.

제 2 제방(48)은, 교반 영역(49)을 통하여 제 1 제방(47)의 하류측에 제공된다. 그 설치 모습은, 제 1 제방(47)에 대하여 제 2 제방(48)의 상부에 대하여 하부가 점차적어로 떨어지는 방향에서, 그 전체가 하류측을 향하여 아래로 경사지도록 제공된다.The second embankment 48 is provided on the downstream side of the first embankment 47 via the stirring region 49. Its installation is provided so that the whole of the first embankment 47 is inclined downward toward the downstream side in a direction in which the lower part gradually falls with respect to the upper part of the second embankment 48 with respect to the first embankment 47.

제 2 제방(48)의 상부는 수면으로부터 돌출하고, 그 나머지의 하부가 수중에 수몰된다. 그리고, 돌출 부분의 상단 부분이 제 1 제방(47) 방향으로 굴곡 또는 만곡되고, 수몰 부분의 하단 부분이 수조(41)의 바닥부(4lb) 방향에서 제 1 제방(47)측에 비스듬히 아래로 굴곡 또는 만곡하도록 형성된다. 상부의 굴곡 부분을 상부 굴곡 편부(48b), 하부의 굴곡 부분을 하부 굴곡 편부(48a)라고 한다. 전체로서 제 2 제방(48)은 역 C자 형상을 나타낸다.The upper part of the second embankment 48 protrudes from the water surface, and the remaining lower part is submerged in the water. And, the upper part of the protruding part is bent or curved in the direction of the first embankment 47, and the lower part of the submerged part is obliquely downward from the bottom part (4lb) direction of the water tank 41 to the first embankment 47 side. It is formed to be bent or curved. The upper curved portion is referred to as the upper curved piece 48b, and the lower curved portion is referred to as the lower curved piece 48a. As a whole, the second embankment 48 has an inverted C shape.

수중에 수몰된 그 하부의 하부 굴곡 편부(48a)의 굴곡 라인(48l)은, 제 1 제방(47)의 배기 가스 통과로(47a)보다 아래에 위치된다.The curved line 48l of the lower curved piece 48a submerged in water is located below the exhaust gas passageway 47a of the first embankment 47.

교반 영역(49)은, 전술한 바와 같이 제 1 제방(47)과 제 2 제방(48) 사이의 공간에서, 그 사이의 간격은, 배기 가스 통과로(47a)의 출구 부분 근방이 가장 넓고 위로 갈수록 서서히 좁아진다. 그리고, 상부 굴곡 편부(48b)의 선단과 제 1 제방(47) 사이의 간격이 가장 좁고, 이로부터 통류 공간(45)에 연결된다.As described above, the stirring region 49 is the space between the first embankment 47 and the second embankment 48, and the gap therebetween is the widest in the vicinity of the outlet portion of the exhaust gas passageway 47a, and upwards. It gradually narrows as it goes. Then, the gap between the front end of the upper curved piece 48b and the first embankment 47 is the narrowest, and is connected to the flow space 45 therefrom.

이 제방(46)은 수조(41) 내에서 수조(41)의 길이 방향에 대하여 직각 방향의 전체 폭에 제공된다. 이 교반부(46)는 한 곳이라도 좋지만, 두 곳 이상 병설해도 좋다.The embankment 46 is provided in the entire width of the water tank 41 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the water tank 41. One stirrer 46 may be provided, but two or more may be provided side by side.

수조(41)의 통류 공간(45)에는, 분사 노즐(50)이 수평 방향을 향해서 물(M)을 분출시키도록 설치된다. 도면의 실시예에서, 분사 노즐(50)은 3기 설치되어 있고, 제 1 양수 배관(42)의 지관에 접속되고, 상기 지관에 제공된 분사 펌프(FP)로 수조(41)의 세정용 물(M)이 공급되게 된다.In the flow space 45 of the water tank 41, the spray nozzle 50 is provided so as to eject water M toward the horizontal direction. In the embodiment of the drawing, three spray nozzles 50 are installed, connected to the branch pipe of the first pumping pipe 42, and washing water of the water tank 41 with the injection pump FP provided in the branch pipe ( M) will be supplied.

상기 배기 가스 도입 노즐부(20)에서, 삼중관(20a)의 물 스프레이에 의해, 배기 가스(H) 중의 가수분해성 성분이 물(M)과 반응하여, 다량의 분진를 발생시킨다.In the exhaust gas introduction nozzle unit 20, the hydrolyzable component in the exhaust gas H reacts with the water M by water spray of the triple pipe 20a to generate a large amount of dust.

배기 가스 세정부(40)에서, 배기 가스(H)를 다음 공정의 열분해 공정에 보내기 전에 상기 분진을 포집하는 역할과, 보내진 배기 가스(H) 중의 다량의 분진이 수조(41)의 내면에 부착 퇴적해서 수조(41) 내의 통류 공간(45)을 막히게 하지 않도록 하는 역할을 부과한다.In the exhaust gas cleaning unit 40, the dust is collected before the exhaust gas H is sent to the next pyrolysis process, and a large amount of dust in the exhaust gas H is attached to the inner surface of the water tank 41. It imposes a role of not clogging the flow space 45 in the water tank 41 by depositing.

도면의 실시예에서, 제방(46)이 복수의 위치(3개의 위치)에 제공되어 있으므로, 제 1 분사 노즐(50a)은 통류 공간(45)의 최상류에서 수조(41)의 측벽에서 통류 공간(45)의 하류를 향해서 물(M)이 분사되고, 수조(41)의 이 주변(도입 개구(41c))의 내면을 스프레이한다.In the embodiment of the drawing, since the embankment 46 is provided in a plurality of positions (three positions), the first injection nozzle 50a is at the top of the passage space 45 and at the side wall of the water tank 41, the passage space ( Water M is sprayed toward the downstream of 45), and the inner surface of this periphery (introduction opening 41c) of the water tank 41 is sprayed.

도입 개구(41c)의 주위는 가장 분진량이 많은 곳이므로, 통류 공간(45)에 있어서, 도입 개구(41c)의 하류측에도 제 2 분사 노즐(50b)이 설치된다. 제 2 분사 노즐(50b)로부터는 통류 공간(45)의 상류측과 하류측의 2개의 방향으로 분출시키도록 배치되고, 도입 개구(41c)의 하류측에 있어서, 이 주변의 수조(41)의 내면을 스프레이한다.Since the periphery of the introduction opening 41c is a place with the largest amount of dust, the second injection nozzle 50b is also provided on the downstream side of the introduction opening 41c in the flow space 45. It is arranged so as to be ejected from the second injection nozzle 50b in two directions, an upstream side and a downstream side of the flow space 45, and in the downstream side of the introduction opening 41c, the water tank 41 around this Spray inside.

제 3 분사 노즐(50c)은, 최하류의 교반부(46)의 하류측에서 상·하류의 2방향으로 분출시키도록 배치되고, 이 주변의 수조(41)의 내면을 스프레이한다.The 3rd injection nozzle 50c is arrange|positioned so that it may eject in two directions upstream and downstream from the downstream side of the stirring part 46 of the most downstream, and sprays the inner surface of the water tank 41 around this.

상기의 경우, 분사 노즐(50)을 도면과 같이 복수의 위치에 제공해도 좋지만, 배기 가스(H)의 도입 개구(41c)에만 제공해도 좋다.In the above case, the injection nozzle 50 may be provided at a plurality of positions as shown in the drawing, but may be provided only in the introduction opening 41c of the exhaust gas H.

수조(41)에서, 그 통류 공간(45)의 하류 부분에 있어서, 후술하는 열분해 탑(60)과 출구 스크러버(80) 사이에, 열분해탑(60)측과 출구 스크러버(80)측을 나누는 분리 제방판(55)이 수조(41)의 전체폭에 걸쳐 제공된다. 이 분리 제방판(55)은 수조(41)의 천장부(41a)로부터 현수되어, 그 하단 부분이 세정용 물(M) 속에 수몰된다. 이러한 것에 의해 통류 공간(45)을 흘러나온 배기 가스(H)는, 분리 제방판(55)에 막혀서 열분해탑(60)으로 인도된다. 분리 제방판(55)보다 하류의 구성에 대해서는, 출구 스크러버(80)의 페이지에서 설명한다.Separation by dividing the pyrolysis tower 60 side and the outlet scrubber 80 side between the pyrolysis tower 60 and the outlet scrubber 80 to be described later in the water tank 41 in the downstream portion of the flow space 45 The embankment plate 55 is provided over the entire width of the water tank 41. This separation embankment plate 55 is suspended from the ceiling part 41a of the water tank 41, and its lower end is submerged in the washing water M. As a result, the exhaust gas H flowing out of the passage space 45 is blocked by the separation bank 55 and is guided to the pyrolysis tower 60. The configuration downstream from the separation embankment plate 55 will be described on the page of the outlet scrubber 80.

도 5에 나타내는 본 실시예의 열분해탑(60)은, 대기압 플라즈마를 이용한 배기 가스(H)의 열분해 처리 장치로, 굵은 원통 형상의 탑 본체(62), 상기 탑 본체(62)의 정상부에 설치되고, 상기 탑 본체(62)의 내부를 향해서 고온의 플라즈마 제트(J)를 생성하는 비이행형의 플라즈마 제트 토치(61), 그 바로 아래에 직립 설치된 가는 원통 형상의 연소통부(64), 및 상기 탑 본체(62)의 상단 외주를 둘러싸도록 설치된 링 형상의 공간으로, 상시 물(M)이 공급되고, 오버플로우에 의해 상기 탑 본체(62)의 내벽으로 물을 흘려보내서 수막을 형성하는 물 도입부(63)로 구성된다. 물 도입부(63)에는 제 2 양수 배관(43)에 설치된 제 2 양수 펌프(YP2)에 의해 수조(41)의 물(M)이 공급된다.The pyrolysis tower 60 of this embodiment shown in FIG. 5 is a pyrolysis treatment apparatus for exhaust gas H using atmospheric pressure plasma, and is installed at the top of a thick cylindrical tower body 62 and the tower body 62. , A non-transfer-type plasma jet torch 61 for generating a high-temperature plasma jet J toward the inside of the tower main body 62, a thin cylindrical combustion cylinder 64 installed upright under the tower body 62, and the A water introduction part that is a ring-shaped space installed to surround the upper outer periphery of the tower main body 62, where water (M) is always supplied and flows water to the inner wall of the tower main body 62 by overflow to form a water film It consists of (63). The water M of the water tank 41 is supplied to the water introduction part 63 by a second pump YP2 installed in the second pumping pipe 43.

상기 열분해탑(60)은, 수조(41)의 통류 공간(45)의 하류 부분에 있어서, 분리 제방판(55)의 상류측에 직립 설치되고, 통류 공간(45)으로 개방되고 수조(41)의 천장부(41a)에 제공된 연통 개구(41d)를 통하여 통류 공간(45)에 연결된다.The pyrolysis tower 60 is installed upright on the upstream side of the separating levee plate 55 in the downstream portion of the flow space 45 of the water tank 41, and is opened to the flow space 45, and the water tank 41 It is connected to the flow space 45 through the communication opening 41d provided in the ceiling part 41a of the.

연소통부(64)는 탑 본체(62)의 중심축에 일치하여 배치되고, 그 하단 부분이 수조(41)의 물(M)에 침지된다. 그리고, 수면의 바로 위에서 연소통부(64)의 하부로부터의 배기 배관(66)은 수평 방향에 분기되고, 분리 제방판(55)을 관통해서 출구 스크러버(80)측으로 개방된다. 배기 배관(66)이 개방된 출구 스크러버(80)측의 공간은 분해 배기 가스 유입 공간(45a)으로 된다.The combustion cylinder portion 64 is disposed in accordance with the central axis of the tower main body 62, and its lower end is immersed in the water M of the water tank 41. Then, the exhaust pipe 66 from the lower portion of the combustion cylinder 64 directly above the water surface branches in the horizontal direction, passes through the separation levee plate 55 and opens to the outlet scrubber 80 side. The space on the side of the outlet scrubber 80 in which the exhaust pipe 66 is opened is a decomposed exhaust gas inflow space 45a.

열분해탑(60)의 정상부에 제공된 플라즈마 제트 토치(61)는, 내부에 플라즈마 발생실(도시하지 않음)을 갖고, 플라즈마 제트 토치(61)의 하면 중심부에는 플라즈마 발생실 내에서 생성된 플라즈마 제트(J)를 분출시키는 플라즈마 제트 분출 구멍(도시하지 않음)이 제공된다. 플라즈마 제트 토치(61)의 측면 상부에는 필요에 따라서 질소 가스와 같은 작동 가스 송급 배관(도시하지 않음)이 제공된다.The plasma jet torch 61 provided at the top of the pyrolysis tower 60 has a plasma generating chamber (not shown) therein, and a plasma jet generated in the plasma generating chamber at the center of the lower surface of the plasma jet torch 61 ( A plasma jet ejection hole (not shown) for ejecting J) is provided. The upper side of the plasma jet torch 61 is provided with a working gas supply pipe (not shown) such as nitrogen gas as necessary.

플라즈마 제트 분출 구멍에서 분출한 플라즈마 제트(J)는, 탑 본체(62)의 중심에 제공된 연소통부(64)에 불어넣어진다.The plasma jet J ejected from the plasma jet ejection hole is blown into the combustion cylinder 64 provided in the center of the tower main body 62.

상기 분리 제방판(55)을 넘은,수조(41)의 분해 배기 가스 유입 공간(45a)측에는 수조(41)의 바닥부(4lb)에서 일어나, 그 상단이 세정용 물(M)의 수면과 일치한 오버플로우 제방(56)이 설치되고, 이 오버플로우 제방(56)을 넘은 부분이 배수 영역(57)이며, 공장 배수로서 방류된다.On the side of the decomposition exhaust gas inflow space (45a) of the water tank (41) beyond the separating embankment plate (55), rises from the bottom (4lb) of the water tank (41), the upper end coincides with the water surface of the washing water (M) One overflow embankment 56 is provided, and a portion beyond the overflow embankment 56 is a drainage region 57, and is discharged as factory drainage.

수조(41)에는 오버플로우로 방류된 물(M)과 같은 양의 새로운 물(M)이 공급되어, 수조(41) 속의 물(M)은 일정한 수위를 유지한다.The water tank 41 is supplied with the same amount of new water M as the water M discharged due to overflow, so that the water M in the water tank 41 maintains a constant water level.

출구 스크러버(80)는, 소위 습식 스크러버이며, 다음에 그 구조를 설명한다(도 6). 출구 스크러버(80)는, 수조(41)의 천장부(41a)에 열분해탑(60)에 대체로 직립 설치된다.The outlet scrubber 80 is a so-called wet scrubber, and its structure will be described next (Fig. 6). The outlet scrubber 80 is installed substantially upright in the pyrolysis tower 60 in the ceiling part 41a of the water tank 41.

출구 스크러버(80)는, 외장 케이싱(81), 사이클론 통부(82), 배기 팬(89) 및 그 부대 설비를 포함한다. 부대 설비로서는, 제 3 양수 배관(44) 및 그 도중에 제공된 제 3 양수 펌프(YP3), 제 1 출구 세정 스프레이(88a), 및 제 2 출구 세정 스프레이(88b) 등이 있다.The outlet scrubber 80 includes an exterior casing 81, a cyclone cylinder 82, an exhaust fan 89, and auxiliary facilities thereof. Examples of auxiliary facilities include a third pumping pipe 44, a third pumping pump YP3 provided in the middle thereof, a first outlet washing spray 88a, and a second outlet washing spray 88b.

외장 케이싱(81)은 하면 개구의 중공 직원관형으로, 그 바닥부는 분해 배기 가스 유입 공간(45a)측에 저장된 물(M)에 침지된다. 물(M)에 침지되어 있는 바닥부에는 수면 바로 아래의 위치에 분해 배기 가스 통류 구멍(81a)이 복수의 위치에 제공된다. 이 분해 배기 가스 통류 구멍(81a)의 구멍 테두리에는 가로 깔때기 형상의 가이드 노즐(8lb)이 안쪽을 향해서 설치된다. 그리고, 외장 케이싱(81)의 천장 부분에는 이것을 관통해서 세정 배기 가스 배출 통부(86)가 아래를 향해 현수된다. 이 세정 배기 가스 배출 통부(86)는 후술하는 배기 팬(89)에 접속된다.The outer casing 81 is a hollow pipe shape with a lower surface opening, and its bottom portion is immersed in water M stored in the side of the decomposition exhaust gas inflow space 45a. In the bottom portion immersed in water M, a decomposition exhaust gas passage hole 81a is provided in a plurality of positions at a position immediately below the water surface. A transverse funnel-shaped guide nozzle 8lb is provided inward on the periphery of the decomposition exhaust gas passage hole 81a. Then, the cleaning exhaust gas discharge cylinder 86 is suspended downward through the ceiling portion of the exterior casing 81. This cleaning exhaust gas discharge cylinder 86 is connected to an exhaust fan 89 described later.

외장 케이싱(81) 내에서, 그 중심에는 사이클론 통부(82)가 외장 케이싱(81)의 천장 부분으로부터 현수된다. 사이클론 통부(82)의 상부는 원통 형상으로 형성되고, 당해 원통 형상 부분(82c)의 중앙에 상기 세정 배기 가스 배출 통부(86)가 위치된다. 그리고, 상기 원통 형상 부분(82c)에는 분해 배기 가스(H)가 사이클론 통부(82) 내로 유입되는 분해 배기 가스 도입구(82b)가 형성된다. 원통 형상 부분(82c)의 하단에는 깔때기 형상으로 좁아진 깔때기 형상 부분(82a)이 아래를 향해서 제공되고, 이 깔때기 형상 부분(82a)의 하단으로부터 가는 관 부분(82d)이 아래를 향해서 제공된다. 가는 관 부분(82d)의 하단 부분은 분해 배기 가스 유입 공간(45a) 내의 세정용 물(M)에 침지된다.In the exterior casing 81, a cyclone cylinder portion 82 is suspended from the ceiling portion of the exterior casing 81 at its center. The upper portion of the cyclone cylinder portion 82 is formed in a cylindrical shape, and the cleaning exhaust gas discharge cylinder portion 86 is positioned at the center of the cylindrical portion 82c. In addition, a decomposition exhaust gas introduction port 82b through which decomposition exhaust gas H flows into the cyclone cylinder portion 82 is formed in the cylindrical portion 82c. At the lower end of the cylindrical portion 82c, a funnel-shaped portion 82a narrowed in a funnel shape is provided downward, and a thin tube portion 82d from the lower end of the funnel-shaped portion 82a is provided downward. The lower end portion of the thin pipe portion 82d is immersed in the cleaning water M in the decomposition exhaust gas inflow space 45a.

외장 케이싱(81)과 사이클론 통부(82)의 가는 관 부분(82d)와의 사이의 공간에는, 가는 관 부분(82d)의 하부 전체 주위를 둘러싸도록 방해 통 부재(83)가 직립 설치된다. 이 방해 통 부재(83)의 상부가 물(M)에서 위로 돌출되고, 하부가 물(M)에 침지된다. 물(M)에 침지되어 있는 하부의 하단부(83a)가 가이드 노즐(8lb)측을 향해서 비스듬히 하향으로 굴곡되고, 물(M)에서 위로 돌출한 상부의 상단부(83b)가 가는 관 부분(82d)의 방향을 향해서 수평으로 굴곡된다. 그리고, 외장 케이싱(81)의 가이드 노즐(8lb)에 이러한 방해 통 부재(83)의 수몰 부분이 정면으로 마주하고, 또한 그 전체가 상기와 같이 외장 케이싱(81)에 대하여 경사지도록 배치되고, 수조(41)의 제 2 제방(48)과 동일한 역할을 한다. 또한, 수몰 부분의 굴곡 라인(83l)은 분해 배기 가스 통류 구멍(81a)보다 아래로 제공된다.In the space between the exterior casing 81 and the thin tube portion 82d of the cyclone tube portion 82, an obstruction tube member 83 is provided upright so as to surround the entire lower portion of the thin tube portion 82d. The upper part of the obstruction tube member 83 protrudes upward from the water M, and the lower part is immersed in the water M. The lower end (83a) of the lower part immersed in water (M) is bent obliquely downward toward the guide nozzle (8lb) side, and the upper upper end (83b) protruding upward from the water (M) is a thin tube part (82d) It is bent horizontally toward the direction of In addition, the submerged portion of the obstruction tube member 83 faces the guide nozzle 8lb of the exterior casing 81 in front, and the entire thereof is disposed so as to be inclined with respect to the exterior casing 81 as described above, and the water tank It plays the same role as the second embankment 48 of 41. Further, the curved line 83l of the submerged portion is provided below the decomposition exhaust gas passage hole 81a.

방해 통 부재(83)의 윗쪽에는 링 형상 방해판(84)이 외장 케이싱(81)의 내주면에서 내측을 향해 수평으로 제공된다. 링 형상 방해판(84)의 구멍 테두리에는 아래를 향해 연장된 원통 형상부(84a)가 제공된다. 상기 원통 형상부(84a)의 중심에는 사이클론 통부(82)의 가는 관 부분(82d)이 관통한다. 그리고, 이 원통 형상부(84a)는 방해 통 부재(83)의 상부 절반부의 수면 돌출 부분과 사이클론 통부(82)의 가는 관 부분(82d) 사이에 들어가서, 분해 배기 가스(H)의 복잡한 통류 경로를 구성한다.On the upper side of the obstruction tube member 83, a ring-shaped baffle plate 84 is provided horizontally from the inner peripheral surface of the outer casing 81 toward the inner side. A cylindrical portion 84a extending downward is provided at the periphery of the hole of the ring-shaped baffle plate 84. A thin tube portion 82d of the cyclone cylinder portion 82 passes through the center of the cylindrical portion 84a. And, this cylindrical portion 84a enters between the water surface protruding portion of the upper half of the obstruction cylinder member 83 and the thin pipe portion 82d of the cyclone cylinder portion 82, and a complicated passage path of the decomposition exhaust gas H Configure.

상기 링 형상 방해판(84)의 윗쪽에는 복수의 제 1 출구 세정 스프레이(88a)가 상기 가는 관 부분(82d)의 주위에 설치되어, 물을 상하 방향을 향해 상하로 살수한다. 이 제 1 출구 세정 스프레이(88a)에는 분해 배기 가스 유입 공간(45a)측에 저장된 물(M)을 양수하는 제 3 양수 배관(44)이 접속되고, 이 제 3 양수 배관(44)에는 제 3 양수 펌프(YP3)가 그 도중에 제공된다. 제 1 출구 세정 스프레이(88a)로부터의 살수(M)는, 사이클론 통부(82)와 외장 케이싱(81) 사이의 공간을 커버하고, 또한 양자의 내면을 물(M)로 상시 적시도록 한다. 제 1 출구 세정 스프레이(88a)로 살포된 상기 물(M)은 양자의 내면을 따라서 흘러 수조(41)로 돌아간다.On the upper side of the ring-shaped baffle plate 84, a plurality of first outlet cleaning sprays 88a are installed around the thin pipe portion 82d to spray water up and down in the vertical direction. A third pumping pipe 44 for pumping up water M stored in the decomposition exhaust gas inlet space 45a is connected to the first outlet cleaning spray 88a, and a third pumping pipe 44 is connected to the third pumping pipe 44. A positive water pump YP3 is provided on the way. The water spray M from the first outlet cleaning spray 88a covers the space between the cyclone tube portion 82 and the exterior casing 81, and makes both inner surfaces wet with water (M) at all times. The water M sprayed with the first outlet cleaning spray 88a flows along the inner surfaces of both and returns to the water tank 41.

세정 배기 가스 배출 통부(86) 내에는 제 2 출구 세정 스프레이(88b)가 설치되고, 세정 배기 가스 배출 통부(86)로부터 깔때기 형상 부분(82a)을 향해 살수하게 된다. 제 2 출구 세정 스프레이(88b)의 살수(M)는 최종 단계의 수세로서, 청정 배기 가스(H)가 대기 방출되기 때문에 새로운 물이 사용된다.A second outlet cleaning spray 88b is provided in the cleaning exhaust gas discharge cylinder 86, and water is sprayed from the cleaning exhaust gas discharge cylinder 86 toward the funnel-shaped portion 82a. The sprinkling (M) of the second outlet cleaning spray (88b) is the final stage of water washing, and since the clean exhaust gas (H) is released to the atmosphere, fresh water is used.

외장 케이싱(81)의 정상부에는 배기 팬(89)이 설치되고, 외장 케이싱(81)의 세정 배기 가스 배출 통부(86)에 접속된다. 그리고, 상기 배기 팬(89)에 설치된 대기 방출용의 배기용 배관(89a)이 하우징(90)으로부터 인출되어 공장 배관(150)에 접속된다.An exhaust fan 89 is provided at the top of the exterior casing 81, and is connected to the cleaning exhaust gas discharge cylinder 86 of the exterior casing 81. Then, an exhaust pipe 89a for exhausting the atmosphere provided in the exhaust fan 89 is drawn out from the housing 90 and is connected to the factory pipe 150.

배기 가스 제해 유닛(U)의 제어반(C)은, 열분해탑(60)의 제어 시스템과, 기계식 부스터 펌프(2) 및 러프 진공 펌프(4)를 집중 제어하는 펌프 집중 제어 시스템을 중심으로 구성된다. 상기 제어반(C)은 하우징(90) 내에 조립된다.The control panel C of the exhaust gas removal unit U is mainly composed of a control system of the pyrolysis tower 60 and a pump centralized control system that centrally controls the mechanical booster pump 2 and the rough vacuum pump 4. . The control panel C is assembled in the housing 90.

다음에 본 발명의 배기 가스 제해 유닛(U)의 작용에 대하여 설명한다. 반도체 제조 공정에 있어서, 다양한 원료 가스가 반도체 제조 장치(200)의 공정 챔버(201)에 공급되고, 공정 챔버(201) 안에 수납되어 있는 다수매의 반도체 기판을 포함하는 전자 디바이스(도시하지 않음)에 대하여 여러가지 처리가 실시된다. 반응 공정에서 사용된 원료 가스는 배기 가스(H)가 되어 제 1 포어라인 배관(P1)을 통해 배기 가스 제해 유닛(U)으로 배출된다. 배기 팬(89)을 작동시키면 배기 가스 제해 유닛(U)의 배기 가스 경로는 부압으로 유지되고, 배기 가스(H)는 배기 팬(89)에 흡인된다.Next, the operation of the exhaust gas removing unit U of the present invention will be described. In the semiconductor manufacturing process, various source gases are supplied to the process chamber 201 of the semiconductor manufacturing apparatus 200, and an electronic device including a plurality of semiconductor substrates accommodated in the process chamber 201 (not shown) Various treatments are performed on the. The raw material gas used in the reaction process becomes exhaust gas H and is discharged to the exhaust gas removing unit U through the first foreline pipe P1. When the exhaust fan 89 is operated, the exhaust gas path of the exhaust gas removing unit U is maintained at a negative pressure, and the exhaust gas H is sucked into the exhaust fan 89.

배출되는 배기 가스(H) 중에는 상기 공정에서 발생한 분진을 포함하는 반응 생성 성분, 미반응 성분 등의 협잡 성분이 섞여 있다. 제 1 포어라인 배관(P1)뿐만 아니라 배관 또는 기기류를 통과하는 동안 이러한 오탁 성분이 그 내부에 부착되어 퇴적된다. 이것을 내면 부착물(S)이라고 한다. 이러한 내면 부착물(S)의 퇴적은 제 1 포어라인 배관(P1) 이하, 하류로 갈수록 현저해진다.In the exhaust gas (H) discharged, contaminant components such as reaction-generated components and unreacted components including dust generated in the above process are mixed. While passing through the first foreline pipe (P1) as well as pipes or equipment, such contaminants are adhered and deposited therein. This is called the inner surface attachment (S). The deposition of such inner surface attachment S becomes remarkable as it goes downstream of the first foreline pipe P1 or less.

그리고, 공정 챔버(201)로부터 진공 펌프(1)에 의해 흡인된 배기 가스(H)는 배기 가스 도입 노즐부(20)에 이르고, 배기 가스 노즐(21)로부터 수조(41)의 배기 가스(H)의 도입 개구(41c)를 향해서 분사된다. 그리고, 분사된 배기 가스(H)의 주위를 보호 가스 노즐(25)로부터 분사된 보호 가스 커튼(Gk)이 그 전체 주위를 둘러싼다.Then, the exhaust gas H sucked from the process chamber 201 by the vacuum pump 1 reaches the exhaust gas introduction nozzle unit 20, and the exhaust gas H of the water tank 41 from the exhaust gas nozzle 21 ) Is injected toward the introduction opening 41c. Then, a protective gas curtain Gk injected from the protective gas nozzle 25 surrounds the entire circumference of the injected exhaust gas H.

최외층의 수분 분출 노즐(27)의 수분 분출로(T2)의 선단 개구로부터, 그 내측의 보호 가스 커튼(Gk)의 주위를 둘러싸도록, 그리고, 이 보호 가스 커튼(Gk)과 평행하게 가수분해용의 수분(고온 수증기)(M)이 분출한다. 수분 분출로(T2)와 보호 가스 커튼(Gk)를 형성하기 위한 보호 가스 분출로(T1)는 평행하므로, 보호 가스 노즐(25)로부터 특정 거리만큼 떨어진 위치까지 수분 분출로(T2)로부터 분출된 가수분해용의 수분(M)은 보호 가스 커튼(Gk)과 평행하게 분출되고, 그 거리 범위 내에서는 보호 가스 커튼(Gk)을 돌파하여서 내측의 배기 가스(H)에 접촉할 일이 없다.Hydrolyzed from the tip opening of the water jet passage T2 of the moisture jet nozzle 27 of the outermost layer to surround the inner protective gas curtain Gk and parallel to the protective gas curtain Gk. The dragon's moisture (hot water vapor) (M) erupts. Since the protection gas blowing path T1 for forming the moisture blowing path T2 and the protective gas curtain Gk is parallel, the moisture blowing path T2 is ejected from the protection gas nozzle 25 by a specific distance. The moisture M for hydrolysis is ejected in parallel with the protective gas curtain Gk, and within the distance range, there is no need to break through the protective gas curtain Gk and contact the exhaust gas H inside.

그리고, 상기 수분(M)이 상기와 같이 수분 분출로(T2)로부터 보호 가스 커튼(Gk)에 평행하게 분출되면, 유속의 하락과 함께 임의의 일정한 거리의 곳에서 퍼지고, 수분(M), 보호 가스 커튼(Gk) 및 배기 가스(H)가 서로 섞인다. 이 지점에 비산 부재(30)의 접시 형상부(31)가 설치되어 있고, 배기 가스(H), 보호 가스 커튼(Gk) 및 수분(M)이 충돌한다. 그리고, 이 충돌에 의해 이러한 것들은 접시 형상부(31)의 주위에서 비산되는 동시에 케이싱(35) 안을 날아오른다. 그동안, 배기 가스(H)와 수분(M)과의 기체-액체 접촉이 효과적으로 행하여져, 배기 가스(H) 중의 가수분해성 성분이 수분(M)과 접촉해서 대량의 분진을 생성한다.And, when the moisture (M) is ejected in parallel to the protective gas curtain (Gk) from the moisture ejection path (T2) as described above, it spreads at a certain distance with a decrease in flow rate, and the moisture (M), protection The gas curtain Gk and the exhaust gas H are mixed with each other. The dish-shaped part 31 of the scattering member 30 is provided at this point, and the exhaust gas H, the protective gas curtain Gk, and the moisture M collide. And, by this collision, these things are scattered around the plate-shaped part 31 and fly up inside the casing 35 at the same time. In the meantime, gas-liquid contact between the exhaust gas H and the moisture M is effectively performed, and the hydrolyzable component in the exhaust gas H comes into contact with the moisture M to generate a large amount of dust.

이 분진은, 케이싱(35)의 내면이나 삼중관(20a)에 부착되려고 하지만, 상시, 케이싱(35)을 떠도는 수분(M)에 의해 씻겨내려져, 케이싱(35)의 내면이나 삼중관(20a)으로의 부착이 완화된다.This dust is about to adhere to the inner surface of the casing 35 or the triple pipe 20a, but is always washed away by the moisture M floating in the casing 35, and the inner surface of the casing 35 or the triple pipe 20a The adhesion to the body is alleviated.

한편, 케이싱(35) 안으로 날아오르는 케이싱(35)의 상부에서, 보호 가스 커튼(Gk)이 보호 가스 노즐(25)로부터 강하게 분출하고 있으므로, 날아오른 상기 수분(M)은 보호 가스 커튼(Gk)을 돌파할 수 없고, 보호 가스 커튼(Gk)의 보호 범위 내에서는 분출하고 있는 배기 가스(H)에 접촉할 일은 없다. 그 때문에, 제 3 포어라인 배관(P3)을 거슬러 올라가는 수분(M)의 역침투는 없다.On the other hand, from the upper part of the casing 35 flying into the casing 35, the protective gas curtain Gk is strongly ejected from the protective gas nozzle 25, so that the moisture M that has taken off is the protective gas curtain Gk It cannot break through, and there is no contact with the ejected exhaust gas H within the protection range of the protective gas curtain Gk. Therefore, there is no reverse permeation of the moisture M going up through the third foreline pipe P3.

대량의 분진와 함께 수조(41)의 통류 공간(45) 안에 불어넣어진 배기 가스(H)는, 배기 가스(H)의 도입 개구(41c)의 전면을 덮는 제 1ㆍ2 분사 노즐(50a·50b)로부터의 분사수(M)에 접해서 그 일부가 포집되고, 수조(41)의 물(M)에 회수된다. 동시에 이 분사수(M)는 수조(41)의 내벽을 적시고, 내벽에 부착되려고 하는 내면 부착물(S)을 씻어내어, 그 퇴적을 늦춘다.The exhaust gas H blown into the flow space 45 of the water tank 41 together with a large amount of dust is the first and second injection nozzles 50a and 50b covering the entire surface of the introduction opening 41c of the exhaust gas H. In contact with the spray water M from ), a part thereof is collected and recovered in the water M of the water tank 41. At the same time, the spray water M wets the inner wall of the water tank 41 and washs off the inner surface deposits S that are about to be attached to the inner wall, thereby slowing the deposition.

배기 팬(89)의 흡인에 의한 열분해탑(60) 방향으로의 기류에 의해 배기 가스(H)는, 포집을 피한 분진와 함께 교반부(46) 방향으로 흐른다. 이 분진은 다음 공정의 열분해 공정에 가능한 한 갖고 들어가지 않도록 할 필요가 있다.The exhaust gas H flows in the direction of the agitator 46 together with the dust avoided from being collected by the airflow in the direction of the pyrolysis tower 60 by suction of the exhaust fan 89. It is necessary to avoid taking this dust into the pyrolysis step of the next step as much as possible.

교반부(46)에서, 배기 가스(H)는 제 1 제방(47)에 충돌하고, 그 기세로 제 1 제방(47) 부근의 수면을 억누르고, 수면 바로 아래의 배기 가스 통과로(47a)를 지나 교반 영역(49)에 들어간다. 교반 영역(49)에서 교반되면서 거품이 되어서 부상하고, 그동안, 물(M)과 배기 가스(H)가 기체-액체 접촉하고, 배기 가스(H) 중의 분진 등 오탁물이 물(M)에 효과적으로 포집된다. 제 2 제방(48)에서는 그 하부 굴곡 편부(48a)가 제 1 제방(47) 방향으로 하향 만곡하고 있으므로, 상기 거품의 부상에 의해 제 2 제방(48)을 따라 내뿜은 물(M)은 돌출 부분의 상부 굴곡 편부(48b)에 부딪쳐서 아래쪽으로 되돌아가, 교반 영역(49)을 충분히 교반한다. 이러한 것에 의해 분진 포집 효과가 높아진다.In the stirring unit 46, the exhaust gas H collides with the first embankment 47, suppresses the water surface near the first embankment 47 with the momentum, and passes the exhaust gas passageway 47a just below the water surface. And enters the stirring area 49. As it is stirred in the stirring area 49, it becomes a bubble and floats, while water (M) and exhaust gas (H) are in gas-liquid contact, and contaminants such as dust in the exhaust gas (H) are effectively transferred to the water (M). Is captured. In the second embankment 48, since the lower curved piece 48a is curved downward in the direction of the first embankment 47, the water M sprayed along the second embankment 48 protrudes due to the rise of the bubbles. It bumps against the upper curved piece 48b of the part and returns downward, and the stirring area 49 is sufficiently stirred. This increases the dust collection effect.

거품상의 배기 가스(H)는 그대로 부상해서 수면에서 터져, 통류 공간(45)에 들어간다.The foamy exhaust gas (H) floats as it is, bursts from the water surface, and enters the flow space (45).

상기 교반부(46)를 복수의 단계로 제공하면, 상기의 포집 작용이 반복되어, 열분해탑(60)에 이를 즈음에는 분진 등 오탁물을 거의 포함하지 않는 세정 배기 가스(H)가 된다.If the stirring unit 46 is provided in a plurality of steps, the above-described collection operation is repeated, and by the time it reaches the pyrolysis tower 60, it becomes the cleaning exhaust gas H that hardly contains contaminants such as dust.

이상으로부터 제 1 포어라인 배관(P1)으로부터 배기 가스 도입 노즐부(20)의 배기 가스 노즐(21)에 이르는 배기 가스 경로에서, 배기 가스 도입 노즐부(20)의 보호 가스 커텐(Gk)에 의해, 배기 가스 도입 노즐부(20) 내의 수분(M)과, 가수분해성 성분을 포함하는 배기 가스(H)의 접촉이 차단되어 상기 경로의 막힘이 억제된다. 그리고, 배기 가스 도입 노즐부(20)의 케이싱(35) 안에서, 비산 부재(30)의 존재에 의해 배기 가스(H)와 비산된 수분(고온 증기)(M)의 기체-액체 접촉에 의해, 배기 가스(H) 중의 가수분해성 성분의 대부분이 분해되어, 대량의 분진을 동반하게 된다.From the above, in the exhaust gas path from the first foreline pipe P1 to the exhaust gas nozzle 21 of the exhaust gas introduction nozzle unit 20, the protective gas curtain Gk of the exhaust gas introduction nozzle unit 20 , The contact between the moisture M in the exhaust gas introduction nozzle unit 20 and the exhaust gas H containing a hydrolyzable component is blocked, so that clogging of the path is suppressed. And, by the gas-liquid contact of the exhaust gas H and the moisture (hot steam) M scattered by the presence of the scattering member 30 in the casing 35 of the exhaust gas introduction nozzle part 20, Most of the hydrolyzable components in the exhaust gas H are decomposed, and a large amount of dust is accompanied.

그리고, 이러한 분진을 동반하는 배기 가스(H)는 수조(41)의 교반부(46)에서 다수의 단계로 세정되고, 분진을 동반하지 않는 상태로 열분해탑(60)에 공급된다.In addition, the exhaust gas H accompanying such dust is washed in a number of steps in the stirring unit 46 of the water tank 41 and supplied to the pyrolysis tower 60 in a state not accompanied by dust.

수조(41)에서 세정된 배기 가스(H)는, 수조(41)의 연통 개구(41d)로부터 열분해탑(60) 안으로 도입되고, 탑 본체(62) 및 연소통부(64)의 상부의 열분해 영역(65)에서 플라즈마 제트 토치(61)의 플라즈마 제트(J)에 접촉해서 수분의 존재 하에서 열분해된다. 이러한 것에 의해, 분해 배기 가스(H)에는 분진이나 반응 생성물 등의 오탁물이 발생한다.The exhaust gas H cleaned in the water tank 41 is introduced into the pyrolysis tower 60 from the communication opening 41d of the water tank 41, and is a pyrolysis area at the top of the tower body 62 and the combustion cylinder 64 At 65, it contacts the plasma jet J of the plasma jet torch 61 and thermally decomposes in the presence of moisture. As a result, contaminants such as dust and reaction products are generated in the decomposition exhaust gas H.

열분해된 배기 가스(H)는 오탁물과 함께 연소통부(64)를 통과한다. 연소통부(64)는 하단이 개방되어 있으므로, 분해 배기 가스(H) 안에 포함된 분진이나 반응 생성물 등의 오탁물의 대부분은 그대로 낙하하여 수조(41)의 물(M)에 낙하하여 포집되어, 분해 배기 가스(H)는 잔여의 가벼운 오탁물과 함께 배기 배관(66)을 통과하여, 분해 배기 가스 유입 공간(45a)으로 유입된다.The pyrolyzed exhaust gas H passes through the combustion cylinder 64 together with the contaminants. Since the bottom of the combustion cylinder 64 is open, most of the contaminants such as dust or reaction products contained in the decomposition exhaust gas H fall as it is and fall into the water M of the water tank 41 and are collected and decomposed. The exhaust gas H passes through the exhaust pipe 66 together with the remaining light contaminants, and flows into the decomposition exhaust gas inflow space 45a.

분해 배기 가스 유입 공간(45a)으로 유입된 분해 배기 가스(H)는, 배기 팬(89)의 흡인력에 의해 외장 케이싱(81)의 분해 배기 가스 통류 구멍(81a) 근방의 수면을 눌러서 분해 배기 가스 통류 구멍(81a)으로 흘러 들어가고, 외장 케이싱(81)과 방해 통 부재(83) 사이의 교반 영역(87)에서 거품으로 되어 상승한다. 이 거품화에 의해 상기 교반 영역(87)의 물(M)은 크게 교반된다. 이러한 것에 의해 분해 배기 가스(H)에 포함된 분진을 포함하는 오탁물의 대부분이 교반 영역(87)의 물(M)에 의해 포집된다.The decomposition exhaust gas H flowing into the decomposition exhaust gas inflow space 45a presses the water surface near the decomposition exhaust gas passage hole 81a of the outer casing 81 by the suction force of the exhaust fan 89 to decompose exhaust gas. It flows into the through hole 81a, and rises as a bubble in the stirring area 87 between the exterior casing 81 and the obstruction tube member 83. By this foaming, the water M in the stirring region 87 is greatly agitated. In this way, most of the contaminants including dust contained in the decomposition exhaust gas H are collected by the water M in the stirring region 87.

세정된 분해 배기 가스(H)는, 방해 통 부재(83)와 링 형상 방해판(84)에서 구불구불한 통류 경로를 통과하여, 추가로 링 형상 방해판(84)의 원통 형상부(84a)와 가는 관 부분(82d) 사이의 공간으로부터 링 형상 방해판(84) 위의 공간으로 나온다. 상기 구불구불한 통류 경로에서, 세정된 분해 배기 가스(H)는 난류가 되어 방해 통 부재(83), 링 형상 방해판(84) 및 가는 관 부분(82d)에 접촉한다. 링 형상 방해판(84)의 윗쪽에는 제 1 출구 세정 스프레이(88a)가 설치되고, 이부터의 살수(M)에 의해 부착된 오탁물이 흘러내린다.The cleaned decomposition exhaust gas H passes through the serpentine flow path in the obstruction tube member 83 and the ring-shaped baffle plate 84, and additionally, the cylindrical portion 84a of the ring-shaped baffle plate 84 It emerges from the space between the and the thin tube portion 82d into the space above the ring-shaped baffle plate 84. In the meandering flow path, the cleaned decomposition exhaust gas H becomes turbulent and comes into contact with the obstruction tube member 83, the ring-shaped baffle plate 84, and the thin tube portion 82d. A first outlet cleaning spray 88a is provided on the upper side of the ring-shaped baffle plate 84, and dirt adhered by the sprinkling M from there flows down.

제 1 출구 세정 스프레이(88a)는 상하 2방향으로 살수(M)하므로, 외장 케이싱(81)의 내면은 아래로 흐르는 수막으로 덮여 있으므로, 오탁물은 씻겨내려가서 부착되지 않는다.The first outlet cleaning spray 88a sprays M in two directions, so that the inner surface of the exterior casing 81 is covered with a downward flowing water film, so that the dirt is washed away and does not adhere.

분해 배기 가스(H)는, 상기 샤워링에 의해서도 포집되지 않고, 낙하하지 않은 얼마 안된 오탁물이나 미스트와 함께 상승하고, 분해 배기 가스 도입구(82b)를 통과하여 사이클론 통부(82) 안으로 들어간다. 사이클론 통부(82) 안으로 들어간 분해 배기 가스(H)는 세정 배기 가스 배출 통부(86)의 주위를 선회하고, 사이클론 통부(82) 내에서의 소용돌이 형성에 의해 분해 배기 가스(H)보다 무거운 오탁물이나 미스트는 그 원심력과 중력에 의해 선회하면서 낙하하고, 수조(41)의 물(M)로 회수된다. The decomposed exhaust gas H is not collected even by the shower ring and rises together with a small amount of dirt or mist that has not fallen, passes through the decomposition exhaust gas inlet 82b, and enters the cyclone cylinder portion 82. The decomposition exhaust gas (H) that has entered into the cyclone cylinder portion (82) turns around the cleaning exhaust gas discharge cylinder portion (86), and is a contaminant that is heavier than the decomposition exhaust gas (H) by the formation of vortex in the cyclone cylinder portion (82) Ina mist falls while turning by its centrifugal force and gravity, and is recovered as water (M) in the water tank 41.

물 세정 및 사이클론을 거쳐 오탁물을 포함하지 않는 청정 배기 가스(H)는, 배기 팬(89)에 흡인되어 배기용 배관(89a)에 방출되어, 공장 배관(150)으로 흘러 나간다.The clean exhaust gas H that does not contain contaminants through water washing and cyclone is sucked into the exhaust fan 89 and discharged to the exhaust pipe 89a, and flows out to the factory pipe 150.

상기 반응 공정와 그 제해 작업이 종료하면, 공정 챔버(201)의 클리닝 공정으로 바뀐다. 클리닝 공정에서, 내면 세정부(16)의 공통 배관(17)이 제 2 포어라인 배관(P2)의 커넥터(P2c)에 접속된다. 이 단계에서, 개폐 밸브(18v·19v)는 폐쇄된다.When the reaction process and the decontamination operation are completed, the process changes to a cleaning process of the process chamber 201. In the cleaning process, the common pipe 17 of the inner surface cleaning portion 16 is connected to the connector P2c of the second foreline pipe P2. At this stage, the on-off valves 18v·19v are closed.

그런 후, 공정 챔버(201) 안으로 불소계 클리닝 가스(예를 들어, C2F6, NF3 등)가 흐르고, 공정 챔버(201)의 내면에 부착된 반응 생성물이 NF4와 같은 휘발성 가스로 배기 가스 제해 유닛(U)측으르 흐른다. 이러한 것에 의해 공정 챔버(201) 안의 클리닝이 행해진다.Thereafter, a fluorine-based cleaning gas (for example, C 2 F 6 , NF 3, etc.) flows into the process chamber 201, and the reaction product attached to the inner surface of the process chamber 201 is exhausted with a volatile gas such as NF 4 It flows toward the gas removal unit (U) side. In this way, cleaning in the process chamber 201 is performed.

배기 가스 제해 유닛(U)측에서, 제 1 포어라인 배관(P1)으로부터 배기 가스 도입 노즐부(20)에 이르는 배기 가스 경로에 분진이나 반응 생성물이 부착된다. 클리닝 공정에서 클리닝 가스가 공정 챔버(201)에 공급되지만, 이 클리닝 가스의 대부분은 공정 챔버(201)의 클리닝 과정에서 소비되고, 제 1 포어라인 배관(P1)에 흡인되는 클리닝 후의 배기 가스에는 제 1 포어라인 배관(P1)뿐만 아니라 배기 가스 경로에서의 클리닝 능력이 거의 없다.On the side of the exhaust gas removing unit U, dust or reaction products adhere to the exhaust gas path from the first foreline pipe P1 to the exhaust gas introduction nozzle unit 20. In the cleaning process, cleaning gas is supplied to the process chamber 201, but most of this cleaning gas is consumed in the cleaning process of the process chamber 201, and the exhaust gas after cleaning sucked into the first foreline piping P1 is removed. 1 There is little cleaning capability in the exhaust gas path as well as the foreline piping (P1).

그래서, 개폐 밸브(10a)를 열고, 내면 클리닝부(10)에 별도 클리닝 가스(예를 들어, NF3)를 공급하고, 제 1 포어라인 배관(P1)뿐만 아니라 배기 가스 경로의 내면 클리닝을 행한다.Therefore, the opening/closing valve 10a is opened, a separate cleaning gas (for example, NF 3 ) is supplied to the inner surface cleaning unit 10, and the inner surface of the exhaust gas path as well as the first foreline pipe P1 is cleaned. .

즉, 내면 클리닝부(10)의 라디컬 생성 챔버(12)에 별도 클리닝 가스를 공급하면서 고주파 전원(14)을 작동시켜서 고주파 코일(13)로의 고주파 전압을 인가한다. 이러하면, 고주파 코일(13)의 루프 부분(13a)의 내측에 용량 결합성의 플라즈마(CCP)가 생성되고, 이러한 CCP로 유도 자기장에 의한 유도 전류가 흐름으로써 유도 결합 플라즈마(ICP)가 생성한다.That is, the high frequency power supply 14 is operated while separately supplying a cleaning gas to the radical generation chamber 12 of the inner surface cleaning unit 10 to apply a high frequency voltage to the high frequency coil 13. In this case, a capacitively coupled plasma (CCP) is generated inside the loop portion 13a of the high frequency coil 13, and an inductively coupled plasma (ICP) is generated by the flow of an induced current by an induced magnetic field to the CCP.

상기 클리닝 가스는 이 라디컬 생성 챔버(12) 안의 ICP의 고열이나 전자 충격에 의해 분해된다. 이러한 것에 의해 불소 라디컬(Fㆍ)이 대량으로 생성되며, 제 1 포어라인 배관(P1)이나 기계식 부스터 펌프(2), 또한 그 하류의 기기류나 배관류를 통과하는 동안에 이것들의 내면에 부착된 반응 생성물(S)을 가스화한다. 즉, NF3을 분해해서 생성시킨 F 라디컬(Fㆍ)에 의해, Si+4F→SiF4라는 반응으로 반응 생성물(S)을 가스화시켜서 클리닝한다. 이러한 것에 의해, 제 1 포어라인 배관(P1)이나 기계식 부스터 펌프(2), 또한 그 하류의 기기류나 배관류의 내면은 공정 챔버(201)의 클리닝 공정 동안 동시에 클리닝된다.The cleaning gas is decomposed by high heat or electron impact of the ICP in the radical generation chamber 12. As a result of this, fluorine radicals (F·) are generated in large quantities, and are attached to the inner surfaces of the first foreline piping (P1) or mechanical booster pump (2), and also while passing through the downstream equipment or piping. The reaction product (S) is gasified. That is, the cleaning by the F radicals (F and) was generated by decomposition of NF 3, by gasification of the reaction product (S) to the reaction of Si + 4F → SiF 4. In this way, the inner surface of the first foreline pipe P1 or the mechanical booster pump 2, and the downstream equipment or pipes are simultaneously cleaned during the cleaning process of the process chamber 201.

상기 불소 라디컬(Fㆍ)에 의한 내면 클리닝이 종료하면, 내면 클리닝부(10)의 개폐 밸브(10a)를 폐쇄한다.When the inner surface cleaning by the fluorine radical (F·) is finished, the on-off valve 10a of the inner surface cleaning unit 10 is closed.

내면 세정부(16)의 공통 배관(17)은, 상기 내면 클리닝에 앞서 제 2 포어라인 배관(P2)의 하단 선단의 커넥터(P2c)에 접속된다. 내면 클리닝부(10)의 개폐 밸브(10a)를 폐쇄한 후, 내면 세정부(16)의 급수 배관(18)의 개폐 밸브(18v)를 개방한다.The common pipe 17 of the inner surface cleaning unit 16 is connected to the connector P2c at the lower end of the second foreline pipe P2 prior to the inner surface cleaning. After closing the on-off valve 10a of the inner surface cleaning unit 10, the on-off valve 18v of the water supply pipe 18 of the inner surface cleaning unit 16 is opened.

급수 배관(18)으로부터 나온 세정용 물(M)은, 공통 배관(17)을 통과하여 러프 진공 펌프(4)로 흘러 들어가고, 러프 진공 펌프(4)를 통과하여 제 3 포어라인 배관(P3)으로 들어가고, 계속해서 배기 가스 노즐(21)을 지나 수조(41)에 흘러 들어간다. 이러한 것에 의해 러프 진공 펌프(4)뿐만 아니라 기기류와 제 3 포어라인 배관(P3)의 내부가 세정된다. 또한, 기계식 부스터 펌프(2)에는 통수할 수 없기 때문에, 물 세정은 러프 진공 펌프(4) 이하에서 행해진다.The cleaning water M from the water supply pipe 18 passes through the common pipe 17, flows into the rough vacuum pump 4, passes through the rough vacuum pump 4, and passes through the third foreline pipe P3. And flows into the water tank 41 after passing through the exhaust gas nozzle 21. This cleans not only the rough vacuum pump 4 but also the equipment and the inside of the third foreline pipe P3. Further, since water cannot be passed through the mechanical booster pump 2, water washing is performed in the rough vacuum pump 4 or lower.

상기 물 세정이 종료하면, 급수 배관(18)의 개폐 밸브(18v)를 폐쇄하고, 건조 기체 공급 배관(19)의 개폐 밸브(19v)를 연다. 이러한 것에 의해 건조 기체 공급 배관(19)으로부터 가열 불활성 가스(예를 들어, 가열 질소 가스)(G)가 공급되고, 상기 수세 경로를 지나 수조(41)로 흘러 들어가고, 이 경로의 내면을 건조시킨다. 이 건조에 의해 배기계의 클리닝은 종료하여, 다음 제조 공정으로 옮겨간다.When the water washing is completed, the open/close valve 18v of the water supply pipe 18 is closed, and the open/close valve 19v of the dry gas supply pipe 19 is opened. In this way, a heating inert gas (for example, heating nitrogen gas) G is supplied from the drying gas supply pipe 19, flows into the water tank 41 through the water washing path, and the inner surface of this path is dried. . By this drying, cleaning of the exhaust system is ended, and the process moves to the next manufacturing process.

이상과 같이, 본 발명에서, 배기 가스 도입 노즐부(20)와 배기 가스 세정부(40)의 협동에 의해, 배기 가스(H)에 포함되는 가수분해성 성분의 분해와, 이 분해에 의한 분진 등의 오탁물의 배제가 가능해질 뿐만 아니라, 내면 클리닝부(10)와 내면 세정부(16)의 협동에 의해, 클리닝 공정에 맞춰서 제 1 포어라인 배관(P1)으로부터 배기 가스 도입 노즐부(20)까지의 배기 가스 경로를 세정할 수 있고, 막힘 사고가 가장 발생하기 쉬운 이 부분의 막힘을 대폭적으로 억제할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, by cooperation between the exhaust gas introduction nozzle unit 20 and the exhaust gas cleaning unit 40, decomposition of the hydrolyzable component contained in the exhaust gas H, and dust due to this decomposition. Not only is it possible to remove contaminants, but also by cooperation of the inner surface cleaning unit 10 and the inner surface cleaning unit 16, from the first foreline pipe P1 to the exhaust gas introduction nozzle unit 20 according to the cleaning process. It is possible to clean the exhaust gas path of the car, and it is possible to significantly suppress clogging in this part where clogging accidents are most likely to occur.

C: 제어반, F·: 불소 라디컬, FP: 분사 펌프, G: 보호 가스(건조 기체·가열 가스·불활성 가스), Gk: 보호 가스 커튼, H: 배기 가스, J: 플라즈마 제트, M: 수분(물, 물방울, 안개, 증기, 분사수, 살수), P1: 제 1 포어라인 배관, P2: 제 2 포어라인 배관, P2c: 커넥터, P3: 제 3 포어라인 배관, S: 내면 부착물(반응 생성물), T1: 보호 가스 분출로, T2: 수분 분출로, U: 배기 가스 제해 유닛, YP1: 제 1 양수 펌프, YP2: 제 2 양수 펌프, YP3: 제 3 양수 펌프, 1: 진공 펌프, 2: 기계식 부스터 펌프, 4: 러프 진공 펌프, 10: 내면 클리닝부, 10a: 개폐 밸브, 12: 라디컬 생성 챔버, 12a: 입구 개구부, 12b: 출구 개구부, 12c: 분해 가스 공급관, 13: 고주파 코일, 13a: 루프 부분, 14: 고주파 전원, 16: 내면 세정부, 17: 공통 배관, 18: 급수 배관, 18v: 개폐 밸브, 19: 건조 기체 공급 배관, 19v: 개폐 밸브, 20: 배기 가스 도입 노즐부, 20a: 삼중관, 21: 배기 가스 노즐, 21f: 배기 가스 분출구, 25:보호 가스 노즐, 25a: 노즐 구멍, 25b: 수납 오목부, 25c: 노즐 부분, 25f: 보호 가스 분출구, 26: 보호 가스 공급 배관, 26a: 가스 저장소, 27: 수분 분출 노즐, 27c: 노즐 부분, 28: 수분 공급 배관, 28a: 물 웅덩이, 30: 비산 부재, 31: 접시 형상부, 31a: 충돌 부분, 3lb: 솟아오른 테두리, 32: 각부, 33: 배기 가스 유하 구멍, 34: 지지 부재, 35: 케이싱, 40: 배기 가스 세정부, 41: 수조, 41a: 천장부, 4lb: 바닥부, 41c: 도입 개구, 41d: 연통 개구, 42: 제 1 양수 배관, 43: 제 2 양수 배관, 44: 제 3 양수 배관, 45: 통류 공간, 45a: 분해 배기 가스 유입 공간, 46: 교반부(제방), 47: 제 1 제방, 47a: 배기 가스 통과로, 47b: 가이드 노즐, 48: 제 2 제방, 48a: 하부 굴곡 편부, 48b: 상부 굴곡 편부, 48I: 굴곡 라인, 49: 교반 영역, 50(50a 내지 50c): 분사 노즐, 55: 분리 제방판, 56: 오버플로우 제방, 57: 배수 영역, 60: 열분해탑, 61: 플라즈마 제트 토치, 62: 탑 본체, 63: 물 도입부, 64: 연소통부, 65: 열분해 영역, 66: 배기 배관, 80: 출구 스크러버, 81: 외장 케이싱, 81a: 분해 배기 가스 통류 구멍, 8lb: 가이드 노즐, 82: 사이클론 통부, 82a: 깔때기 형상 부분, 82b: 분해 배기 가스 도입구, 82c: 원통 형상부, 82d: 가는 관 부분, 83: 방해 통 부재, 83a: 하단부, 83b: 상단부, 83I: 굴곡 라인, 84: 링 형상 방해판, 84a: 원통 형상부, 86: 세정 배기 가스 배출 통부, 87: 교반 영역, 88a: 제 1 출구 세정 스프레이, 88b: 제 2 출구 세정 스프레이, 89: 배기 팬, 89a: 배기용 배관, 90: 하우징, 91: 선반, 150: 공장 배관, 200: 반도체 제조 장치, 201: 공정 챔버, 210: 클린 룸, 220: 바닥.C: control panel, F·: fluorine radical, FP: injection pump, G: protective gas (dry gas, heating gas, inert gas), Gk: protective gas curtain, H: exhaust gas, J: plasma jet, M: moisture (Water, water droplets, mist, steam, spray water, water spray), P1: first foreline pipe, P2: second foreline pipe, P2c: connector, P3: third foreline pipe, S: inner surface attachment (reaction product ), T1: protective gas jet furnace, T2: moisture jet furnace, U: exhaust gas removal unit, YP1: first pumping pump, YP2: second pumping pump, YP3: third pumping pump, 1: vacuum pump, 2: Mechanical booster pump, 4: rough vacuum pump, 10: inner cleaning part, 10a: on-off valve, 12: radical generation chamber, 12a: inlet opening, 12b: outlet opening, 12c: decomposition gas supply pipe, 13: high frequency coil, 13a : Loop part, 14: high frequency power supply, 16: inner cleaning part, 17: common pipe, 18: water supply pipe, 18v: on/off valve, 19: drying gas supply pipe, 19v: on/off valve, 20: exhaust gas introduction nozzle portion, 20a: triple pipe, 21: exhaust gas nozzle, 21f: exhaust gas outlet, 25: protective gas nozzle, 25a: nozzle hole, 25b: storage recess, 25c: nozzle portion, 25f: protective gas outlet, 26: protective gas supply Piping, 26a: gas reservoir, 27: water jet nozzle, 27c: nozzle portion, 28: water supply pipe, 28a: water puddle, 30: scattering member, 31: plate shape, 31a: impact portion, 3lb: raised rim , 32: leg, 33: exhaust gas flow hole, 34: support member, 35: casing, 40: exhaust gas cleaning portion, 41: water tank, 41a: ceiling, 4lb: bottom, 41c: introduction opening, 41d: communication opening , 42: first pumping pipe, 43: second pumping pipe, 44: third pumping pipe, 45: flow space, 45a: decomposition exhaust gas inlet space, 46: stirring part (bank), 47: first agent Room, 47a: exhaust gas passage, 47b: guide nozzle, 48: second embankment, 48a: lower curved piece, 48b: upper curved piece, 48I: curved line, 49: stirring area, 50 (50a to 50c): injection Nozzle, 55: separation dike plate, 56: overflow bank, 57: drainage area, 60: pyrolysis tower, 61: plasma jet torch, 62: tower body, 63: water inlet, 64: combustion cylinder, 65: pyrolysis zone, 66: exhaust pipe, 80: outlet scrubber, 81: outer casing, 81a: decomposition exhaust gas flow hole, 8lb: guide nozzle, 82: cyclone cylinder portion, 82a: funnel-shaped portion, 82b: decomposition exhaust gas inlet, 82c: cylinder Shape portion, 82d: thin tube portion, 83: obstruction tube member, 83a: lower portion, 83b: upper portion, 83I: bending line, 84: ring-shaped baffle plate, 84a: cylindrical portion, 86: cleaning exhaust gas discharge cylinder portion, 87 : Stirring area, 88a: first outlet cleaning spray, 88b: second outlet cleaning spray, 89: exhaust fan, 89a: exhaust pipe, 90: housing, 91: shelf, 150: factory pipe, 200: semiconductor manufacturing apparatus, 201: process chamber, 210: clean room, 220: floor.

Claims (4)

반도체 제조 장치의 공정 챔버로부터 배기 가스를 흡인하는 진공 펌프와, 상기 진공 펌프로부터 배출된 배기 가스를 물 세정하는 배기 가스 도입 노즐부와, 상기 배기 가스 도입 노즐부로부터 물 세정되어 배출된 세정 배기 가스에 포함되는 오탁물을 포집하고, 상기 세정 배기 가스를 다음의 배기 가스 분해 공정으로 송출하는 배기 가스 세정부를 포함하고,
상기 배기 가스 도입 노즐부는, 배기 가스를 배기 가스 세정부로 도입하는 배기 가스 노즐과, 상기 배기 가스 노즐로부터 분출된 배기 가스를 감싸는 보호 가스를 분출하여 보호 가스 커튼을 형성하는 보호 가스 노즐과, 상기 보호 가스 노즐로부터 분출된 보호 가스 커튼을 감싸는 수분 분출 노즐을 포함하고,
상기 배기 가스 세정부는, 상기 수조와 교반부를 포함하고,
상기 수조는, 수평 방향으로 뻗고, 내부에 세정용 물을 저장한 중공 용기로, 배기 가스 도입 노즐부의 출구가 접속된 배기 가스의 도입 개구와, 상기 물과 그 천장부와의 사이의 공간에서, 배기 가스가 통류하여 배기 가스 분해 공정에 보내어지는 통류 공간을 포함하고,
상기 교반부는, 수조의 천장부로부터 현수되고, 그 하부가 수조 내의 물에 침지되고, 상기 침지 부분에 배기 가스 통과로가 제공된 제 1 제방과, 상기 제 1 제방의 하류에서, 상기 배기 가스 통과로를 통과한 배기 가스가 상기 물을 교반하는 교반 영역을 사이에 두고 설치되고, 그 상부가 상기 물보다 상부에 노출된 제 2 제방을 포함하는 것을 특징으로 하는 배기 가스 제해 유닛.
A vacuum pump that sucks exhaust gas from a process chamber of a semiconductor manufacturing apparatus, an exhaust gas introduction nozzle part that water-washs the exhaust gas discharged from the vacuum pump, and a cleaning exhaust gas that is water-washed and discharged from the exhaust gas introduction nozzle part. An exhaust gas cleaning unit that collects the contaminants contained in and sends the cleaning exhaust gas to the next exhaust gas decomposition process,
The exhaust gas introduction nozzle unit includes an exhaust gas nozzle for introducing exhaust gas to the exhaust gas cleaning unit, a protection gas nozzle for forming a protective gas curtain by blowing a protective gas surrounding the exhaust gas ejected from the exhaust gas nozzle, and the It includes a moisture jet nozzle surrounding the protective gas curtain jetted from the protective gas nozzle,
The exhaust gas cleaning unit includes the water tank and the stirring unit,
The water tank is a hollow container that extends in a horizontal direction and stores water for washing therein, and is exhausted in a space between the water and the ceiling portion and the exhaust gas introduction opening to which the outlet of the exhaust gas introduction nozzle part is connected. It includes a flow space through which gas is passed and sent to the exhaust gas decomposition process,
The stirring portion is suspended from the ceiling portion of the water tank, the lower portion thereof is immersed in water in the water tank, the first embankment provided with an exhaust gas passage path in the immersion portion, and the exhaust gas passage passage downstream of the first embankment. Exhaust gas removal unit, characterized in that it comprises a second embankment in which the passed exhaust gas is provided with a stirring region for stirring the water therebetween, and the upper part thereof is exposed above the water.
제 1 항에 있어서, 배기 가스 도입 노즐부는, 배기 가스 노즐로부터 떨어진 위치에서 보호 가스 커튼을 넘고, 상기 배기 가스 노즐로부터 분출한 배기 가스와 수분 분출 노즐로부터의 수분이 충돌하는 위치에 설치되고, 상기 배기 가스, 보호 가스 및 수분이 충돌해서 이것들을 주위에 살포시키는 비산 부재를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 배기 가스 제해 유닛.The exhaust gas introduction nozzle part according to claim 1, wherein the exhaust gas introduction nozzle part is provided at a position where the exhaust gas ejected from the exhaust gas nozzle and water from the moisture ejection nozzle collide with the protective gas curtain at a position away from the exhaust gas nozzle. An exhaust gas removing unit, characterized in that it further comprises a scattering member through which the exhaust gas, the protective gas and the moisture collide and spread them around. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 진공 펌프는, 반도체 제조 장치의 공정 챔버로부터 인출된 제 1 포어라인 배관에 접속된 기계식 부스터 펌프와, 상기 기계식 부스터 펌프의 하방에 설치되고, 기계식 부스터 펌프로부터 인출된 제 2 포어라인 배관에 접속된 러프 진공 펌프로 구성되고,
상기 러프 진공 펌프로부터 인출된 제 3 포어라인 배관에 배기 가스 도입 노즐부가 접속되고,
상기 제 1 포어라인 배관에 접속되고, 반도체 제조 장치의 클리닝시에, 제 1 포어라인 배관 내에 불소 라디컬을 공급해서 제 1 포어라인 배관 이하, 상기 배기 가스 도입 노즐부를 포함하는 구성 부재의 내면 부착물을 제거하는 내면 클리닝부와,
상기 제 2 포어라인 배관에 접속되고, 불소 라디컬에 의한 상기 내면 클리닝 후에 세정용 물을 공급해서 상기 제 2 포어라인 배관 이하, 상기 배기 가스 도입 노즐부를 포함하는 구성 부재의 내면 부착물을 물 세정하고, 그런 후, 건조 기체를 공급하여, 제 2 포어라인 배관 이하, 상기 배기 가스 도입 노즐부를 포함하는 구성 부재의 내면을 건조하는 내면 세정부(16)로 구성된 것을 특징으로 하는 배기 가스 제해 유닛.
The mechanical booster pump according to claim 1 or 2, wherein the vacuum pump is installed below the mechanical booster pump and connected to the first foreline pipe drawn from the process chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, and from the mechanical booster pump. It is composed of a rough vacuum pump connected to the drawn second foreline pipe,
An exhaust gas introduction nozzle part is connected to the third foreline pipe drawn from the rough vacuum pump,
An inner surface attachment of a constituent member connected to the first foreline pipe and including the exhaust gas introduction nozzle part below the first foreline pipe by supplying fluorine radicals into the first foreline pipe during cleaning of the semiconductor manufacturing apparatus An inner cleaning unit that removes
It is connected to the second foreline pipe, and after the inner surface cleaning by fluorine radicals, cleaning water is supplied to wash the inner surface attachment of the constituent member including the exhaust gas introduction nozzle part below the second foreline pipe with water. And then, an inner surface cleaning unit (16) configured to supply a drying gas to dry the inner surface of the constituent member including the exhaust gas introduction nozzle unit below the second foreline pipe.
제 1 항에 있어서, 진공 펌프, 배기 가스 도입 노즐부, 배기 가스 세정부, 및 배기 가스 세정부로부터의 세정 배기 가스를 열분해하는 열분해탑 및 상기 열분해탑으로부터의 분해 배기 가스를 물 세정하여 상기 열분해에 의해 생성된 분해 배기 가스 내의 오탁물을 제거해서 분해 배기 가스를 청정 배기 가스로서 장치 밖으로 배출하는 출구 스크러버와, 상기 구성 기기를 연결하는 배관계와, 이것들을 수용하는 하우징으로 구성된 것을 특징으로 하는 배기 가스 제해 유닛.The pyrolysis tower according to claim 1, wherein the vacuum pump, the exhaust gas introduction nozzle part, the exhaust gas cleaning part, and the pyrolysis tower for pyrolyzing the cleaning exhaust gas from the exhaust gas cleaning part, and the decomposition exhaust gas from the pyrolysis tower are washed with water. Exhaust, characterized by comprising an outlet scrubber for removing contaminants in the decomposed exhaust gas generated by the decomposition exhaust gas and discharging the decomposed exhaust gas to the outside of the apparatus as clean exhaust gas, a piping system connecting the components, and a housing for accommodating these Gas decontamination unit.
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