KR20210017984A - 반도체 공정용 배관 - Google Patents

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KR20210017984A KR1020190175786A KR20190175786A KR20210017984A KR 20210017984 A KR20210017984 A KR 20210017984A KR 1020190175786 A KR1020190175786 A KR 1020190175786A KR 20190175786 A KR20190175786 A KR 20190175786A KR 20210017984 A KR20210017984 A KR 20210017984A
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Abstract

개시되는 반도체 공정용 배관은, 튜브형상의 강관; 튜브형상이며 그 외면에 길이 방향과 동일한 적어도 하나 이상의 홈으로 형성된 선형 유동홈을 포함하며, 상기 강관의 내부에 압입되는 수지관; 및 상기 수지관의 외면에 도포되어 상기 강관과 상기 수지관 사이를 접착하는 접착성 수지층;를 포함하고, 상기 수지관은, 사출 성형이 가능한 내 화학성 수지류를 재료로 형성되며, 상기 사출 성형이 가능한 내 화학성 수지류는, PFA(Perfluoroalkoxy)과 PVDF(Polyvinylidene fluoride)와 ETFE(Ethylene tetrafluoroethylene)와, PP(Polypropylene)과 ECTFE(ethylene chlorotrifluoroethylene)와, PTFE(Polytetrafluoroethylene) 및 PE(polyethylene)로 이루어진 군에서 선택된다.

Description

반도체 공정용 배관{Pipe for Semiconductor Manufacturing}
본 발명(Disclosure)은, 반도체 공정용 배관에 관한 것으로서, 구체적으로 수지관의 압입공정이 용이하고 융착 특성을 개선할 수 있으며, 압입 공정 조건 및 융착 특성을 일정하게 유지할 수 있고, 수지관과 강관의 융착과정에서, 수지관과 강관에 인가되는 열적 기계적 충격을 최소화할 수 있는, 반도체 공정용 배관에 관한 것이다.
여기서는, 본 발명에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
일반적으로 사용되는 배관의 재료는 스테인레스 강(Stainless Steel; SUS)으로서, 철과 다른 금속을 재료로 형성된 내식(耐蝕)용 강(鋼)의 총칭이다. 이러한 스테인레스 강은, 철 고유의 특성인 내구성과 내열성 뿐만 아니라, 강한 내부식성을 가진다.
반도체 제조 공정에서는, 강 산성 또는 강 알카리성 화학 물질을 이용한 다양한 반도체 처리 공정이 수행되는 경우가 많다. 뿐만 아니라, 각종 맹독성 가스를 사용하여, 다양한 특성의 반도체를 제조한다.
따라서 반도체 공정용 배관의 내벽은, 열(熱)에 대한 내열성 및 수분에 대한 내부식성 뿐만 아니라, 반응성이 높은 화학물질 대한 내화학성을 갖추어야 한다.
일반적으로 내화학성 배관중에 하나는, 스테인레스 강 재료로 하는 강관의 내면에 내화학성 수지류가 도포되거나 코팅된 구조이다. 또는, 내화학성 수지류를 재료한 수지관을 압입한 이중복합관 구조이다.
내화학성 수지류를 도포하거나 코팅할 경우에, 그 두께 조절이 쉽지 않을 뿐만 아니라, 균일도를 보장할 수 없는 문제점이 있다.
내화학성 수지류를 이용한 수지관이 압입된 이중복합관 구조는, 수지관의 압입 공정이 쉽지 않다. 특히 내화학성 수지관은 기계적 강도가 낮아 압입과정에서 손상되는 경우가 많다. 또한, 압입 과정에서 불량이 발생하게 되면, 수지관과 강관의 분리가 쉽지 않기 때문에, 전량 폐기 해야 하는 문제점이 있다.
이중복합관은 수지관과 강관 사이에 접착층을 형성함으로써, 강관과 수지관을 영구적으로 접착한다. 접착층은, 자연경화되는 접착제 또는 열가소성 수지를 이용한 접착성 수지를 이용할 수 있다.
접착제를 사용할 경우에는 압입과정 또는 압입 직후에 응고되어 압입 공정 조건 설정이 어려운 문제점이 있다. 또한, 접착성 수지를 이용할 경우에, 접착성 수지층을 가열하기 위해서, 수지관 및 강관을 가열해야 하며, 이때, 내열성이 약한 수지층에 심각한 손상이 발생하는 문제점이 있다.
1. 한국등록특허공보 제10-1720436호
본 발명(Disclosure)은, 수지관의 압입공정이 용이하고 융착 특성을 개선할 수 있으며, 압입 공정 조건 및 융착 특성을 일정하게 유지할 수 있는 반도체 공정용 배관의 제공을 일 목적으로 한다.
본 발명(Disclosure)은, 수지관과 강관의 융착과정에서, 수지관과 강관에 인가되는 열적 기계적 충격을 최소화할 수 있는 반도체 공정용 배관의 제공을 일 목적으로 한다.
여기서는, 본 발명의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 발명의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니 된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
상기한 과제의 해결을 위해, 본 발명을 기술하는 여러 관점들 중 어느 일 관점(aspect)에 따른 반도체 공정용 배관은, 튜브형상의 강관; 튜브형상이며 그 외면에 길이 방향과 동일한 적어도 하나 이상의 홈으로 형성된 선형 유동홈을 포함하며, 상기 강관의 내부에 압입되는 수지관; 및 상기 수지관의 외면에 도포되어 상기 강관과 상기 수지관 사이를 접착하는 접착성 수지층;를 포함하고, 상기 수지관은, 사출 성형이 가능한 내 화학성 수지류를 재료로 형성되며, 상기 사출 성형이 가능한 내 화학성 수지류는, PFA(Perfluoroalkoxy)과 PVDF(Polyvinylidene fluoride)와 ETFE(Ethylene tetrafluoroethylene)와, PP(Polypropylene)과 ECTFE(ethylene chlorotrifluoroethylene)와, PTFE(Polytetrafluoroethylene) 및 PE(polyethylene)로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 또 다른 일 관점(aspect)에 따른 반도체 공정용 배관에서, 상기 수지관은, 그 외면에 외주 방향의 홈으로 형성된 순환 유동홈을 더 포함한다.
본 발명에 따르면, 강관 내부에 압입되는 수지관의 외면에 선형 유동홈을 형성함으로써, 강관 내부로의 압입 및 외부로의 토출이 쉽게 수행된다.
본 발명에 따르면, 일정한 형상으로 형성되는 선형 유동홈 및 순환 유동홈에 접착성 수지류가 도포되어 접착성 수지층을 형성함으로써, 강관과 수지관의 융착 특성을 향상할 수 있다.
본 발명에 따르면, 고강도 초음파를 이용하여 접착성 수지층을 국부적으로 가열함으로써, 강관 및 수지관에 대한 물리적 손상을 최소화하면서 강관과 수지관을 융착시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 선형 유동홈 및 순환 유동홈이 형성된 수지관을 사출 성형방법으로 형성함으로써, 압입 공정의 조건 및 수지관과 강관의 융착 특성을 일정하게 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관의 일 실시형태를 설명하기 위해 접착성 수지층의 일부를 절개한 도면.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관의 또 다른 일 실시형태를 설명하기 위해 접착성 수지층의 일부를 절개한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관의 융착 장치의 일 실시형태를 설명하는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관 제작 방법의 일 실시형태를 설명하는 순서도.
이하, 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관을 구현한 실시형태를 도면을 참조하여 자세히 설명한다.
다만, 본 발명의 본질적인(intrinsic) 기술적 사상은 이하에서 설명되는 실시형태에 의해 그 실시 가능 형태가 제한된다고 할 수는 없고, 본 발명의 본질적인(intrinsic) 기술적 사상에 기초하여 통상의 기술자에 의해 이하에서 설명되는 실시형태를 치환 또는 변경의 방법으로 용이하게 제안될 수 있는 범위를 포섭함을 밝힌다.
또한, 이하에서 사용되는 용어는 설명의 편의를 위하여 선택한 것이므로, 본 발명의 본질적인(intrinsic) 기술적 사상을 파악하는 데 있어서, 사전적 의미에 제한되지 않고 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미로 적절히 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관의 일 실시형태를 설명하기 위해 접착성 수지층의 일부를 절개한 도면이며, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관의 또 다른 일 실시형태를 설명하기 위해 접착성 수지층의 일부를 절개한 도면이다.
도 1을 참조하면 본 실시형태에 따른 반도체 공정용 배관은, 강관(10)과 수지관(20) 및 접착성 수지층(30)을 포함한다.
강관(10)은, 튜브형상으로 그 내부에 후술하는 수지관(20)이 압입된다. 강관(10)은 바람직하게는, 스테인레스 강을 포함하는 내열성 및 내부식성의 내식(耐蝕)용 강(鋼), 또는 알루미늄을 포함한 비철금속을 재료로 한다.
수지관(20)은, 튜브형상이며 그 외면에 길이 방향과 같은 방향으로 형성된 홈을 적어도 하나이상 포함하는 선형 유동홈(21)을 가진다.
접착성 수지층(30)은, 접착성 수지류가 수지관(20)의 외면에 도포되어 형성된다. 수지관(20)이 강관(10)의 내부에 압입된 후, 접착성 수지층(30)은 강관(10)과 수지관(20) 사이를 접착한다.
본 발명에 따른 반도체 공정용 배관에서, 수지관(20)에 접착성 수지류를 도포하면, 선형 유동홈(21)이 형성된 수지관(20)의 외면을 따라 형성되는 접착성 수지층(30)이 형성된다.
수직관(20)이 강관(10) 내부에 압입되는 과정에서, 접착성 수지류가 선형 유동홈(21)으로 이동한다. 따라서 수지관(20)이 강관에 압입된 후, 접착성 수지층(30)은, 선형 유동홈(21)에 채워진 상태로 변형될 수 있다.
선형 유동홈(21)에 채워진 접착성 수지층은, 수지관(20)과 강관(10) 사이을 접착한다.
선형 유동홈(21)의 크기와 형태는, 접착성 수지층(30)을 형성하는 접착성 수지류의 점성에 따라 달라질 수 있다.
접착성 수지층(30)의 점성이 높으면 선형 유동홈(21)이 크게 형성되어도, 선형 유동홈(21)을 채울 수 있다.
반면에 접착성 수지층(30)의 점성이 낮으면 선형 유동홈(21)의 크기가 작아야, 충분한 표면장력으로 선형 유동홈(21)을 채울 수 있다.
접착성 수지류의 점성이 낮으면, 수지관(20)이 강관(10)압입되기 전에 접착성 수지류가 수지관(20)의 표면에서 떨어져 접착성 수지층(20)의 두께가 얇아질 수 있다.
이렇게 되면, 수지관(20)이 강관(10) 압입된 후, 선형 유동홈(21)을 채운 접착성 수지류의 절대량이 부족할 수 있다. 즉, 수지관(20)과 강관(10)사이으 접착력이 변할 수 있다.
따라서 접착성 수지층(30)을 형성하는 접착성 수지류의 점성과 선형 유동홈(21)의 크기는 서로를 결정하는 변수로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 공정용 배관은, 선형 유동홈(21)이 형성된 수지관(20)의 외면과 강관(10)의 내면의 접촉면적이 감소함으로써, 낮은 압입력으로 쉽게 압입할 수 있다. 또한 압입 과정에서 불량이 발생할 경우에, 수지관(20)을 강관(10)으로부터 쉽게 빼냄으로써, 제조 공정에서 자재 손실을 최소화 할 수 있다.
선형 유동홈(21)이 형성되지 않은 수지관(20)은, 외면에 접착성 수지층(30)을 도포하여 강관(10)에 압입하면, 접착성 수지류가 충분한 두께를 형성되지 않거나, 그 두께의 균일도가 나빠진다.
수지관(20)의 압입을 쉽게 하기 위해서는, 수지관(20)의 외면과 강관(10)의 내면 사이의 간극이 크게 형성되어야 한다.
접착성 수지층(30)을 형성하는 일반적인 접착성 수지류는 묽은 액상 또는, 적어도 점성이 큰 유동체이다.
수지관(20)의 외면과 강관(10)의 내면 사이게 간극이 크면, 수지관(20)의 외주면 또는 길이 방향으로 접착성 수지류가 유동하여 고르게 분포하지 않을 수 있다.
반면에 수지관(20)의 외면과 강관(10)의 내면 사이이 간극이 좁으면, 압입 과정에서 강한 압입력이 요구되며, 그에 따라서 불량 발생 가능성이 높아진다.
뿐만 아니라, 압입후, 접착성 수지층(30)의 두께가 얇아질 수 있으므로, 강관(10)과 수지관(20)의 접착 특성이 나빠질 가능성이 있다.
그러나 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관은, 정확한 크기와 형상의 선형 유동홈(21)이 형성된 수지관(20)을 이용한다.
즉, 선형 유동홈(21)을 일정한 간격과 깊이로 형성하게 되면, 접착성 수지류도 일정한 간격으로 배치되어 접착성 수지층(30)을 형성한다.
따라서, 수지관(20) 또는 강관(10)의 길이 방향과 외주 방향으로의 접착성 수지층(30)의 균일도를 일정하게 유지할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 공정용 배관에서 수지관(20)은, 사출 성형이 가능한 내 화학성 수지류를 재료로 형성될 수 있다.
사출 성형이 가능한 내화학성 수지류는, 바람직하게는, PFA(Perfluoroalkoxy)과 PVDF(Polyvinylidene fluoride)와 ETFE(Ethylene tetrafluoroethylene)와, PTFE(Polytetrafluoroethylene) 및 PE(polyethylene)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
사출 성형으로 수지관(20)을 형성함으로써, 제조 공정의 시간을 단출할 수 있을 뿐만 아니라, 선형 유동홈(21)의 형상 및 크기를 일정하게 유지할 수 있다. 이러한 수지관(20)의 품질 수준유지는, 접착성 수지층(30)의 특성을 균일하게 유지하며, 결국 수지관(20)과 강관(10) 사이의 융착 특성을 일정하게 유지하는데 효과적이다.
또한, 동일한 융착 특성을 일정하게 유지하기 위한 융착 공정의 조건도 정량화 하여 일정하게 유지할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 공정용 배관의 강관(10) 및 수지관(20)은, 원형 또는 사각 튜브 형상일 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 실시형태에 따른 반도체 공정용 배관에서, 선형 유동홈은, 나선형으로 형성된다.
선형 유동홈(21)이 나선형으로 형성되면, 수지관(20)의 압입과정에서, 회전력을 인가함으로써 압입이 효과적으로 수행될 수 있다. 또한 압입되어 강관(10) 내부에 배치된 수지관(20)을 빼낼때도, 수지관(20)에 회전력을 인가하면, 쉽게 빼 닐수 있다.
또한 수지관(20)이 압입되는 과정에서 회전하므로, 강관(10)의 내면에 접착성 수지류를 코팅하는 효과가 있다.
또한 도 1 내지 도 2를 참조하면 본 실시형태에 따른 반도체 공정용 배관의 수지관(20)은, 그 외면에 외주 방향의 홈으로 형성된 순환 유동홈(22)을 적어도 하나이상 포함할 수 있다.
순환 유동홈(22)은, 선형 유동홈(21) 사이를 서로 개방하여 인접하는 선형 유동홈 사이를 접착성 수지류가 유동할 수 있다.
따라서, 선형 유동홈(21) 상호 간의 접착성 수지류의 분포가 균일해지며, 압입시 강관(10)의 내면에 접착성 수지류를 코팅하는 효과가 있다.
또한 하나의 순환 유동홈(22)은, 바람직하게는 수지관(20)의 중심축을 중심으로 특정한 각도 범위에 한정적으로 형성된다.
하나의 순환 유동홈(22)이 수지관(20)의 중심축을 중심으로 360로 형성되면, 해당 부위의 전단응력이 약화될 수 있다.
순환 유동홈(22)이 배치된 특정 부위의 전단응력이 약화되면, 수지관(20)은 강한 압력으로 강관(10)에 압입시 파손의 위험이 있을 수 있다.
또한 접착성 수지류가 도포될 때, 순환 유동홈(22)을 모두 채워질 수 있다. 상술한 바와 같이 순환 유동홈(22)은, 접착성 수지류가 상호 유동할 수 있도록 선형 유동홈(21) 사이를 개방한다. 그러나 선형 유동홈(21)이 과도하게 개방되면, 수지관(20) 자체의 전단 응력이 약화 될 수 있다.
따라서, 선형 유동홈(21)의 형상에 따라 접착성 수지층(30)이 형성될 때, 순환 유동홈(22)은 접착성 수지류에 의해 완전히 채워질 수 있도록, 순환 유동홈(22)의 폭이 조절되는 것이 바람직하다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관의 융착 장치의 일 실시형태를 설명하는 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 실시형태에 따른 반도체 공정용 배관의 융착 장치는, 전원부(110, 미도시)와 고수파 생성부(120)및 초음파 생성부(130) 및 초음파 집속부(140, 미도시)를 포함한다.
전원부(110, 미도시)는, 후술하는 고수파 생성부(120)에 전력을 공급한다.
고수파 생성부(120)는, 전력을 이용하여 고주파 신호를 생성한다.
초음파 생성부(130)는, 고주파 신호를 이용하여 초음파를 생성한다
초음파 집속부(140, 미도시)는, 초음파를 집속하여 접착성 수지층(30)에 고강도 초음파를 인가한다.
본 발명에 따른 반도체 공정용 배관의 융착 장치는, 강관(10) 및 수지관(20)에 기계적, 열적 에너지를 인가하지 않는다.
초음파 생성부(130)에서 생성된 초음파는 파동의 형태로 접착성 수지층(30)에 인가되므로, 강관(10) 및 수지관(20)에 물리적 충격이 인가되지 않는다.
따라서 접착성 수지층(30)에 국부적으로 가열하며, 가열시간이 짧아서 강관(10) 및 수지관(20)의 손상을 최소화 할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 공정용 배관의 융착 장치에서, 초음파 집속부(140, 미도시)는 초음파 생성부(130) 내측 및 외측중 어느 하나에 배치될 수 있다.
본 실시형태에 따른 반도체 공정용 배관의 융착 장치는, 초음파 생성부(130)를 적어도 두개 이상으로 구비하며, 각각의 초음파 생성부(130)에서 방출되는 초음파의 전파(propagation) 방향을 제어하는 초음파 생성부 정렬유닛(150)를 더 포함할 수 있다.
서로 다른 두 개의 초음파 생성부(130)에서 생성된 초음파는, 접착성 수지층에서 서로 보강 간섭함으로써, 강관(10)과 수지관(20)에는 손실을 최소화 하면서, 접착성 수지층(30)에 국부적으로 고강도 초음파를 인가할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 반도체 공정용 배관의 융착 장치는, 강관(10)을 그 중심축을 중심으로하여, 특정한 회전 속도로 회전시키는 강관 회전부(160)를 더 포함할 수 있다.
이때, 강관 회전부(160)는 강관(10)을 연속 회전 또는 불연속 회전시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관의 융착 장치는, 접착성 수지층(30)의 일부를 국부적으로 가열하여 융착한다. 따라서 강관(10)을 회전시킴으로써, 둘레 방향으로 접착성 수지층(30) 전체를 가열하여 융착시킬 수 있다.
강관 회전부(160)가 강관(10)을 회전시키는 속도는 바람직하게는 22.5°/5초 또는 360°/8분 이다.
또한 도 3을 참조하면, 본 실시형태에 따른 반도체 공정용 배관의 융착 장치는, 초음파 생성부(130)를 선형 유동홈(21)의 길이 방향으로 왕복이동시키는 초음파 이동부(170)를 더 포함할 수 있다.
집속된 고강도 초음파의 스폿(spot) 크기가 선형 유동홈(21)의 길이보다 작으면, 선형 유동홈(21)의 길이 방향으로 초음파 생성부(130)를 이동시킴으로써, 접착성 수지(30, 미도시)층 전체를 가열할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관의 융착 장치의 또 다른 일 실시형태에서는, 원형 튜브 또는 사각 튜브 형상인 강관(10) 및 수지관(20)을 융착할 수 있다.
특히, 사각 튜브 형상의 강관(10) 및 수지관(20)을 융착하기 위해서, 이동식 고주파 융착기를 이용할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관 제작 방법의 일 실시형태를 설명하는 순서도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시형태에 따른 반도체 공정용 배관 제작 방법은, 우선, 튜브형상의 강관(10)을 준비하는 강관 준비단계(S10)에서 시작한다.
다음으로, 튜브형상이며 그 외면에 길이 방향의 홈으로 형성된 선형 유동홈(21)을 포함하는 수지관(20)을 준비하는 수지관 준비단계(S20)가 수행된다.
이때, 수지관 준비단계(S20)는 그 외면에 외주 방향의 홈으로 형성된 순환 유동홈(22)를 형성하는 순환 유동홈 형성단계(S20a)를 더 포함할 수 있다.
다음으로 수지관(20)의 외면에 접착성 수지층(30)을 형성하는 접착성 수지층 형성단계(S30)가 수행된다.
압입단계(S40)에서는, 접착성 수지층(30)이 형성된 수지관(20)을 강관(10)의 내부에 압입하여 압입 강관을 형성한다.
융착단계(S50)에서는, 압입 강관 내부의 접착성 수지층(30)을 가열함으로써 강관(10)의 내면과 수지관(20)의 외면을 융착시킨다.
이때, 수지관 준비단계(S20)에서 수지관(20)은, 바람직하게는 사출 성형 방법으로 형성한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 공정용 배관 제조 공정에서, 융착단계(S50)는, 강관(10)과 수지관(20) 사이의 접착성 수지층(30)만을 국부적으로 가열시킴으로써, 강관(10) 및 수지관(20)의 손상을 최소화 한다.
이때, 융착단계(S50)에서, 고강도 초음파를 접착성 수지층(30)에 인가함으로써 접착성 수지층(30)을 가열한다.
또한, 고강도 초음파는, 바람직하게는 적어도 둘 이상의 초음파 생성부(130)에서 생성된 초음파를 접착성 수지층(30)에 집속함으로써 생성될 수 있다.
이때, 각각의 초음파 생성부(130)에서 생성되는 초음파는, 강관(10) 및 수지관(20)에 손상을 줄 수 있는 강도보다 낮은 에너지를 갖는다.
반면에, 각각의 초음파가 접착성 수지층(30)에서 보강 간섭현상을 발생함으로써, 접착성 수지층(30)이 가열될 수 있다.

Claims (2)

  1. 튜브형상의 강관;
    튜브형상이며 그 외면에 길이 방향과 동일한 적어도 하나 이상의 홈으로 형성된 선형 유동홈을 포함하며, 상기 강관의 내부에 압입되는 수지관; 및
    상기 수지관의 외면에 도포되어 상기 강관과 상기 수지관 사이를 접착하는 접착성 수지층;를 포함하고,
    상기 수지관은,
    사출 성형이 가능한 내 화학성 수지류를 재료로 형성되며,
    상기 사출 성형이 가능한 내 화학성 수지류는,
    PFA(Perfluoroalkoxy)과 PVDF(Polyvinylidene fluoride)와 ETFE(Ethylene tetrafluoroethylene)와, PP(Polypropylene)과 ECTFE(ethylene chlorotrifluoroethylene)와, PTFE(Polytetrafluoroethylene) 및 PE(polyethylene)로 이루어진 군에서 선택되는 반도체 공정용 배관.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 수지관은,
    그 외면에 외주 방향의 홈으로 형성된 순환 유동홈을 적어도 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 배관.
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