KR20210008713A - Ｃｍｐ 패드 컨디셔너 제조방법 및 이를 이용한 ｃｍｐ 패드 컨디셔너 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 CMP 패드 컨디셔너 제조방법 및 이를 이용한 CMP 패드 컨디셔너에 관한 것으로, 금속 모재와, 금속 모재의 표면에 하단이 고정되는 다이아몬드 지립과, 금속 모재와 다이아몬드 지립의 하부층 표면에 도금되어, 다이아몬드 지립의 상부층을 외부로 노출시키는 도금층 및, 도금층과 다이아몬드 지립의 상부층 표면에 증착되는 코팅층을 포함한다.
Description
본 발명은 CMP 패드 컨디셔너 제조방법 및 이를 이용한 CMP 패드 컨디셔너에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다이아몬드 지립의 결합력을 향상시킬 수 있고, 내부식성과 내마모성을 향상시킬 수 있으며, 미세 선폭의 반도체 공정의 확대를 가속화해 줄 수 있어 전자기기의 부피를 감소시킬 수 있는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법 및 이를 이용한 CMP 패드 컨디셔너에 관한 것이다.
일반적으로, CMP(화학기계적 연마; Chemical Mechanical Polishing) 공정이 많은 산업 분야에서 특정 피 가공물의 표면을 연마하는데 이용되고 있다.
특히, 반도체 소자, 마이크로 전자소자 또는 컴퓨터 제품 등의 제조 분야에서, 세라믹, 실리콘, 유리, 석영, 금속 및/또는 이들의 웨이퍼를 연마하는 용도로 CMP 공정이 많이 이용되고 있다.
CMP 공정은, 웨이퍼 등의 피 가공물에 대면하여 회전하는 CMP 패드의 이용을 수반하며, 웨이퍼(wafer) 연마 공정에서 CMP 패드에는 화학물질을 함유하는 액체 슬러리와 연마 입자가 첨가된다.
CMP 패드 컨디셔너는, 금속 소재를 이용해서 원판 형상으로 제작되는 금속 모재(metal plate shank)와, 금속 모재의 표면에 결합되어 웨이퍼(wafer)의 표면을 연마하기 위한 다수의 다이아몬드 지립 및, 다이아몬드 지립을 금속 모재의 표면에 고정시키기 위한 도금층 등으로 구성된다.
반도체 소자의 제조 분야에서, CMP 공정 중 웨이퍼(wafer)에 생기는 스크래치나 결함이 반도체 소자의 수율 및 생산성을 떨어뜨린다. 특히, 상대적으로 큰 직경의 웨이퍼(wafer)를 그에 상응하게 큰 CMP 패드를 이용해 평탄화하는 CMP 공정에서는 웨이퍼와 CMP 패드에 가해지는 충격과 스트레스가 더욱 커지며, 이에 따라, 웨이퍼에 발생하는 스크래치 등의 결함 발생 빈도도 더 높다.
그런데, 종래의 CMP 패드 컨디셔너는 웨이퍼(wafer) 연마 공정 시 사용되는 수분이 금속 모재와 다이아몬드 지립들의 결합 부위(계면)에 수분이 침투하게 되며, 이러한 도금층의 부식에 의해 다이아몬드 지립이 떨어져 나와 웨이퍼(wafer)의 표면에 스크레치를 발생시키는 경우가 빈번하였다.
본 발명과 관련된 선행 문헌으로는 등록특허 제10-1131496호(2012년 03월 22일)가 있으며, 상기 선행 문헌에는 ＣＭＰ 패드 컨디셔너 및 그 제조방법이 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 도금 방식을 이용해 금속 모재와 다이아몬드 지립들의 계면에 하나 또는 다수의 도금층을 형성시킴과 아울러, 도금층과 다이아몬드 지립들의 표면에 코팅층을 일정 두께로 증착시킴으로써, 다이아몬드 지립의 결합력을 향상시킬 수 있고, 친환경 적이면서 내부식성과 내마모성을 향상시킬 수 있으며, 미세 선폭의 반도체 공정의 확대를 가속화해 줄 수 있어 전자기기의 부피를 감소시킬 수 있는 CMP 패드 제조방법 및 이를 이용한 CMP 패드를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 목적은 증착 방식을 통해 코팅층을 형성시킴으로써, 반응 물질이 기체 상태이기 때문에 복잡한 형상이나 대면적 증착이 가능하며, 합성 속도를 증가시킬 수 있어 제조의 용이성을 갖는 CMP 패드 제조방법 및 이를 이용한 CMP 패드를 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법은, 금속 모재의 표면에 다수의 삽입홈을 갖는 마스크층을 형성시키는 마스크층 형성단계와, 상기 삽입홈들에 상기 다이아몬드 지립들을 각각 배치시키는 다이아몬드 지립 배치단계와, 상기 금속 모재의 표면에 상기 다이아몬드 지립의 하층부를 상기 금속 모재의 표면에 고정시키기 위해 상기 삽입홈들에 셋팅 도금부를 형성시키는 다이아몬드 지립 고정단계와, 상기 마스크층을 상기 금속 모재의 표면으로부터 제거하여, 상기 셋팅 도금부와 상기 다이아몬드 지립들의 상층부를 외부로 노출시키는 마스크 제거단계와, 상기 다이아몬드 지립의 상층부가 외부로 노출된 상태로 상기 금속 모재와 셋팅 도금부와 상기 다이아몬드 지립의 하부층 표면에 도금층을 형성시키는 도금층 형성단계 및, 상기 도금층과 노출된 상기 다이아몬드 지립의 상부층 표면에 코팅층을 증착시키는 코팅층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 코팅층 형성단계에서 상기 코팅층은 DLC(Diamond Like Carbon) 박막으로 증착될 수 있다.
또한, 상기 코팅층 형성단계에서 상기 코팅층은 0.1 내지 5㎛의 두께 범위로 형성될 수 있다.
또한, 상기 도금층 형성단계에서 상기 도금층은 니켈(Ni)이 도금되어 하나의 층을 형성할 수 있다.
또한, 상기 도금층 형성단계에서 상기 도금층은 니켈(Ni), 팔라듐(Pd) 및 크롬(Cr)이 순차적으로 도금되어 두 개의 층을 형성할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너는 금속 모재와, 상기 금속 모재의 표면에 하단이 고정되는 다이아몬드 지립과, 상기 금속 모재와 상기 다이아몬드 지립의 하부층 표면에 도금되어, 상기 다이아몬드 지립의 상부층을 외부로 노출시키는 도금층 및, 상기 도금층과 상기 다이아몬드 지립의 상부층 표면에 증착되는 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 다이아몬드 지립의 하부층 표면과 상기 금속 모재의 표면에는 셋팅 도금부가 도금 방식으로 더 형성될 수 있으며, 상기 셋팅 도금부는 상기 금속 모재의 표면과 상기 다이아몬드 지립의 하층부에 부착된 상태로 도금되어, 상기 다이아몬드 지립을 상기 금속 모재의 표면에 고정시킬 수 있다.
또한, 상기 도금층은 니켈(Ni)이 도금되어 하나의 층을 형성할 수 있다.
또한, 상기 도금층은 니켈(Ni), 팔라듐(Pd) 및 크롬(Cr)이 순차적으로 도금되어 두 개의 층을 형성할 수 있다.
본 발명은 금속 모재와 다이아몬드 지립들의 계면에 하나 또는 다수의 도금층을 형성시킴과 아울러, 도금층과 다이아몬드 지립들의 표면에 코팅층을 일정 두께로 증착시킴으로써, 다이아몬드 지립의 결합력을 향상시킬 수 있고, 친환경 적이면서 내부식성과 내마모성을 향상시킬 수 있으며, 미세 선폭의 반도체 공정의 확대를 가속화해 줄 수 있어 전자기기의 부피를 감소시킬 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 증착 방식을 통해 코팅층을 형성시킴으로써, 반응 물질이 기체 상태이기 때문에 복잡한 형상이나 대면적 증착이 가능하며, 합성 속도를 증가시킬 수 있어 제조의 용이성을 갖는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법을 보여주기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 마스크층 형성단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 지립 배치단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 지립 고정단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 마스크 제거단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 도금층 형성단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 코팅층 형성단계를 통해 제조가 완료된 CMP 패드 컨디셔너를 보여주기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너를 보여주기 위한 저면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 마스크층 형성단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 지립 배치단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 지립 고정단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 마스크 제거단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 도금층 형성단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 코팅층 형성단계를 통해 제조가 완료된 CMP 패드 컨디셔너를 보여주기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너를 보여주기 위한 저면도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하는 방법은 첨부된 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.
그러나 본 발명은 이하에 개시되는 실시예들에 의해 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기술 등이 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법을 보여주기 위한 블록도이고, 도 2는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 마스크층 형성단계를 보여주기 위한 도면이며, 도 3은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 지립 배치단계를 보여주기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 지립 고정단계를 보여주기 위한 도면이고, 도 5는 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 마스크 제거단계를 보여주기 위한 도면이며, 도 6은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 도금층 형성단계를 보여주기 위한 도면이다.
한편, 도 7은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법에서 코팅층 형성단계를 통해 제조가 완료된 CMP 패드 컨디셔너를 보여주기 위한 도면이고, 도 8은 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너를 보여주기 위한 저면도이다.
도 1 내지 6에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법은 마스크층 형성단계(S100)와, 다이아몬드 지립 배치단계(S200)와, 다이아몬드 지립 고정단계(S300)와, 마스크 제거단계(S400)와, 도금층 형성단계(S500) 및, 코팅층 형성단계(S600)를 포함한다.
먼저, 마스크층 형성단계(S100)는 도 2에서처럼 금속 모재(metal plate shank, 10)의 표면에 다수의 삽입홈(111)을 갖는 마스크층(110)을 형성시키는 과정이다.
여기서, 삽입홈(111)은 후술 될 다이아몬드 지립(120)들이 삽입되는 공간으로, 삽입홈(111)을 통해 금속 모재(10)의 표면이 외부로 노출된다.
그리고, 마스크층 형성단계(S100)에서 금속 모재(10)는 스테인레스(Stainless) 등의 소재를 이용해 원판 형상으로 제작할 수 있고, 금속 모재(10)의 표면에 일정 두께의 마스크층(110)을 형성시킨다.
또한, 마스크층 형성단계(S100)에서 형성시킨 마스크층(110)은 포토 에칭(리소그래피: lithography) 방식 등을 이용해 일정 두께로 형성될 수 있다.
예를 들어, 광을 조사하는 노광 공정과, 그에 뒤 이은 현상 공정 등이 수행될 수 있으며, 노광 공정과 현상 공정에 의해 마스크층(110)에는 금속 모재(10)를 상방으로 노출시키는 다수의 삽입홈(111)들을 형성시킬 수 있다.
다음으로, 지립 배치단계(S200)는 도 3에서처럼 삽입홈(112)들에 다수의 다이아몬드 지립(200)들을 각각 배치시키는 과정이다.
여기서, 지립 배치단계(S200)는 금속 모재(10)의 표면에 다이아몬드 지립(200)들을 위치시킨 후, 금속 모재(10)에 초음파 진동을 가해 다이아몬드 지립(200)들을 삽입홈(111)들에 각각 배치시킬 수 있다.
이때, 다이아몬드 지립(120)들은 도 3에서처럼 하부층(211)들의 내부에 각각 삽입될 수 있고, 다이아몬드 지립(120)들의 상부층(212)이 삽입홈(111)의 상부로 돌출 될 수 있다.
또한, 다이아몬드 지립(120)들은 90~240um의 입자 크기를 가질 수 있으나, 다이아몬드 지립(120)들의 입자 크기는 필요에 따라 다양하게 적용이 가능하다.
다음으로, 다이아몬드 지립 고정단계(S300)는 금속 모재(10)의 표면에 다이아몬드 지립(200)의 하층부(210)를 금속 모재(10)의 표면에 고정시키기 위해 삽입홈(110)들에 셋팅 도금부(300)를 형성시키는 과정이다.
여기서, 셋팅 도금부(300)는 다이아몬드 지립(120)들의 하부층(121) 즉, 다아아몬드 지립(120)들의 하단 테두리 부위와 금속 모재(10)의 표면에 함께 부착되어, 다이아몬드 지립(120)을 금속 모재(10)의 표면에 고정적으로 위치시킨다.
즉, 다이아몬드 지립(120)들이 셋팅 도금부(300)에 의해 금속 모재(10)의 표면에 흔들림 없이 위치될 수 있으며, 이 상태에서 다이아몬드 지립(120)들의 상단이 웨이퍼(wafer)와 접촉된 상태로 연마 과정을 수행한다.
다음으로, 마스크 제거단계(S400)는 마스크층(100)을 금속 모재의 표면으로부터 제거하여, 셋팅 도금부(300)와 다이아몬드 지립(200)들의 상층부(220)를 외부로 노출시키는 과정이다.
이 상태에서는, 다이아몬드 지립(200)들의 하부층(210)이 셋팅 도금부(300)에 의해 금속 모재(10)의 표면에 고정적으로 부착된다.
다음으로, 도금층 형성단계(S500)는 다이아몬드 지립(200)의 상층부(220)가 외부로 노출된 상태로 금속 모재(10)와 셋팅 도금부(300)와 다이아몬드 지립(200)의 하부층(210) 표면에 도금층(400)을 형성시키는 과정이다.
여기서, 도금층 형성단계(S500)에서는 도금층(400)이 금속 모재(10)와 셋팅 도금부(300)의 표면 및, 다이아몬드 지립(200)의 하부층(210)을 외부에서 감싸며, 이때 도금층(400)은 다이아몬드 지립(200)의 하단을 감싸는 상태로 형성된다.
일 실시예로, 도금층 형성단계(S500)에서 도금층(400)은 도 5에서처럼 니켈(Ni) 소재를 사용하여 하나의 층으로 형성시킬 수 있다.
다른 실시예로, 도금층 형성단계(S500)에서 도금층(400)은 니켈(Ni) 및 PNC(Pd+Ni+Cr)가 순차적으로 도금되어 두 개의 층(미도시)을 형성할 수도 있다.
여기서, PNC는 팔라듐(Palladium)과 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)으로 이루어질 수 있으며, 니켈(Ni)과 PNC 결합물이 순차적으로 도금될 수 있다.
또 다른 실시예로, 도금층 형성단계(S500)에서 도금층(400)은 니켈(Ni)과 PNC(Pd+Ni+Cr) 및 크롬(Cr)이 순차적으로 도금되어 세 개의 층(미도시)으로 형성시킬 수도 있다.
여기서, PNC는 팔라듐(Palladium)과 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)으로 이루어질 수 있으며, 니켈(Ni)과 PNC 결합물 및 크롬(Cr)이 순차적으로 도금될 수 있다.
최종적으로, 코팅층 형상단계(S600)는 도금층(400)과 노출된 다이아몬드 지립(200)의 상부층 표면에 코팅층(500)을 증착시키는 과정이다.
여기서, 코팅층 형성단계(S600)에서 코팅층(500)은 DLC(Diamond Like Carbon) 박막으로 증착되는 것이 바람직하며, 코팅층(500)은 0.1 내지 5㎛의 두께 범위로 형성시킬 수 있다.
DLC(Diamond Like Carbon) 박막은, 다이아몬드와 그 특성이 유사하다는 점에서 DLC로 많이 불리고, 합성에 사용되는 활성화된 이온이 필름의 구조나 특성을 결정하는 중요한 역할을 한다는 관점에서 I-Carbon 이라는 이름으로 불리기도 한다.
그리고, DLC(Diamond Like Carbon) 박막은 수소를 함유한 경우에는 그 구조적 특징을 강조한 수소함유 비정질 카본(hudrogenated amorphous carbon)이라는 이름이 사용되기도 한다.
이러한 점에서, 수소함유 비정질 실리콘의 표현방법과 유사하게 a C: H라고도 하며, 밀도와 경도가 높다는 의미에서 경질카본(hard carbon) 또는 고밀도 카본(densecarbon), 고밀도 탄화수소(dense hydrocarbon) 등의 이름들도 사용되고 있으며, HDLC (hydrogenated diamond-like carbon), DLHC(diamond-like hydrocarbon)이라고도 불린다.
그리고, DLC 박막은 수소를 함유하고 있는지의 여부에 따라 크게 두 가지로 나누어 볼 수 있는데, 합성방법 중 탄화수소 화합물을 합성 가스로 이용하는 플라즈마 CVD법, ECR, 그리고 스퍼터링법이나 이온빔 증착법에 의해 합성된 DLC박막은 20%~50%에 이르는 높은 함량의 수소를 가지고 있다.
탄소 원자는, IV족 원소 중 유일하게 sp, sp, 그리고 sp 결합 모두를 형성할 수 있고, 그 중에서도 100% sp 와 sp 결합을 이루고 있는 경우가 각각 흑연과 다이아몬드이며, sp 결합과 sp 결합이 비정질 상태로 혼재되어 있는 물질을 통칭하여 다이아몬드상 탄소 박막(DLC)이라 한다.
DLC 박막은, 내부의 수소 함량에 의해 그 특성이 결정되고, DLC 박막 중에서도 수소의 함량이 1% 미만인 경우를 비정질 탄소 박막(a-C)이라 부르며, 수소화된 비정질 탄소 박막은 수소함량에 따라, 폴리머상 탄소박막(수소함량: 50% 이상)과 다이아몬드상 탄소 박막(수소함량: 20%~30%)으로 분류된다.
다이아몬드상 탄소 박막은, 경도가 높다는 장점 때문에 내마모 코팅재 및 절연 특성을 이용한 전자 산업 등에 많이 사용되었으나, 폴리머상 탄소 박막은 아직까지 산업적으로 널리 이용되고 있지 않다.
이와 같은 비정질 탄소 박막에 대한 기본적인 물성을 [표 1]에 나타내었다.
[표 1]
다이아몬드상 탄소박막필름은, 그 물리화학적 특성이 다이아몬드와 유사하면서도 저온 합성(상온에서 200?)이 가능하여 기판의 제한이 거의 없어 종이, 폴리머, 세라믹에 이르기까지 모든 재료를 기판으로 사용할 수 있다.
특히, 고 경도, 고 윤활성 등의 물리적, 화학적, 광학적 특성과 화학적 안정성과 신체 적합성 등의 특성을 가지고 있다.
그러나, DLC 박막의 응용을 제한하는 몇 가지 문제들도 있는데, 대표적으로 고온에서 박막의 특성이 흑연에 가까운 특성을 가지게 되는 불안정성을 들 수 있다. 또한 합성된 박막의 밀착력이 낮고, 최고 10 GPa에 이르는 높은 잔류응력을 가지고 있다.
압축응력은, 박막의 두께가 얇은 경우에는 박막의 파괴를 억제하는 역할을 하지만, 두꺼운 박막의 경우에는 박막이 기판으로부터의 박리에 의해 분리되는 문제점을 가지고 있다.
특히, 습도가 높은 경우에는 이러한 박리현상이 촉진되기 때문에 사용 분위기에 제한을 받게 된다. 따라서 DLC 박막의 응용범위를 확대하기 위해 이러한 문제점들을 해결해야 한다.
한편, 최근에는 DLC의 열 안정도가 불안한 문제와 높은 잔류 압축응력 문제에 대한 해결을 위하여 W, Ti, Ni, B, Si, F 등의 성분을 첨가하는 연구가 활발히 진행되고 있다.
그 중, Si을 첨가하는 Si-doped DLC(Si-DLC) 박막에 대한 연구가 가장 많이 진행 중이며, 다양한 기판에 증착이 가능하고, 잔여 내부응력 감소, 높은 경도, 높은 열적 안정성, 표면 점착력등의 특성을 가지는 Si-DLc 박막에 대한 연구가 많이 진행되었다.
이와 같은 DLC 박막 코팅은, 높은 내마모성과 낮은 마찰 계수, 화학적 안정성 및 적외선 영역에서의 높은 투과율과 낮은 광 반사도, 높은 전기저항과 낮은 유전율, 전계방출 특성 등 여러 가지 장점을 가진 물질이다.
DLC 박막의 이러한 특성들과 공정 변수에 의한 물성제어 능력은, DLC 박막을 여러 분야에 응용이 가능하게 하며, 초기에는 주로 자동차 엔진과 공구의 내마모 내부식 코팅과 윤활 박막과 같은 보호 코팅(protective coating) 재료에 관한 응용이 대부분이었다.
내마모성에 관한 연구가 활발히 진행되면서 다이아몬드 헤드드럼을 이용해 새로운 형태의 VCR을 제조하기도 했는데, VCR속 헤드드럼은 엄청난 고속 주행으로 비디오 테이프의 정보를 읽는데, 이로 인해 많은 마모가 생기게 되는데 이는 헤드드럼에 보호층을 입혀줌으로써 수명과 성능을 향상시킬 수 있었다.
또한, DLC의 우수한 내산성, 내식성을 이용하여 광섬유의 표면 파괴를 억제하기 위한 보호코팅으로서의 응용연구도 활발하게 진행되고 있으며, 최근에는 표면처리와 HMDS(hexamethyldisilance)를 첨가하여 섬유의 친, 소수성 적용 및 높은 경도와 가시광선에 대한 투명도를 향상시켜 자동차 헤드라이트와 디스플레이의 보호용 박막으로 연구가 진행되고 있다
DLC 박막 코팅의 합성방법은, 주로 증착속도를 향상시키기 위한 이온 플레팅, 그리고 DC 혹은 RF를 이용한 플라즈마 CVD에 의한 합성이 보고되었으며, 플라즈마 CVD의 단점을 보완하고자 ECR, DC, RF, ion beam을 이용한 스퍼터링법등 다양한 연구가 진행되어 왔다.
지금까지 증착속도 증가와 특성을 향상시키기 위한 연구가 진행되고 있으나, 근본적인 합성방법은 PVD(Physical vapor deposition), CVD(Chimical vapor deposition)로 대별 할 수 있다.
이 중, PVD법은 증발증착법(evaporation), 이온plating, 스퍼터링(sputtering) 등 다양한 방법이 개발되었고, 탄소와 수소에 대한 조성 및 이온에너지 제어를 통해 sp 결합비율을 높임으로써 경도 향상을 구현할 수 있게 되었다.
CVD법은, 등방성 증착 특성을 보이므로 비교적 복잡한 형상에 코팅이 가능하다. PECVD 플라즈마를 이용한 CVD기술이 발전되어 왔으며, DLC 박막은 전형적으로 sp 와 sp 결합이 혼재되어 있는 특성이 나타난다.
PVD법에 의해 제조된 박막은, CVD법에 비해 표면에서의 응력 집중도가 높기 때문에 안정한 상태로 결합되는 증착 두께에 한계성이 있고, 증착 시간이 비교적 길다는 특성이 있다.
이하, 도 7과 8을 참조로 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너(100)를 설명하면 다음과 같으며, 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너(100)는 금속 모재(10)와, 다이아몬드 지립(200)과, 도금층(400) 및, 코팅층(500)을 포함한다.
먼저, 금속 모재(10)는 원판 형상을 가질 수 있으며, 다이아몬드 지립(200)은 금속 모재(10)의 표면에 하단이 고정되는 것으로, 도 6에서처럼 하부층(211)들의 내부에 각각 삽입될 수 있고, 다이아몬드 지립(120)의 상부층(212)이 삽입홈(111)의 상부로 돌출 될 수 있다.
도금층(400)은, 금속 모재(120)와 다이아몬드 지립(200)의 하부층(210) 표면에 도금되어, 다이아몬드 지립(120)의 상부층(122)을 외부로 노출시킨다.
여기서, 도금층(140)은 도 5와 6에서처럼 니켈(Ni)이 도금되어 하나의 층을 형성할 수 있으나, 도금층(140)은 니켈(Ni)과 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), PNC(Pd+Ni+Cr)가 순차적으로 도금되어 두 개의 층을 형성시키거나, 니켈(Ni)과 PNC(Pd+Ni+Cr) 및 크롬(Cr)이 순차적으로 도금되어 세 개의 층을 형성시킬 수 있다.
이와 같은 도금층(140)은, 다이아몬드 지립(120)의 하부층(121)을 감싸는 상태로 금속 모재(10)의 표면에 부착되므로, 다이아몬드 지립(120)을 보다 안정적으로 고정시킬 수 있다.
한편, 다이아몬드 지립(120)의 하부층(122) 표면과 금속 모재(10)의 표면에는 도 4에서처럼 셋팅 도금부(130)가 도금 방식으로 더 형성될 수 있다.
여기서, 셋팅 도금부(130)는 금속 모재(10)의 표면과 다이아몬드 지립(120)의 하층부(121)에 부착된 상태로 도금되어, 다이아몬드 지립(120)을 금속 모재(10)의 표면에 고정시킬 수 있다.
코팅층(500)은, 도금층(140)과 다이아몬드 지립(120)의 상부층 표면에 증착되는 것으로, 코팅층(500)은 DLC(Diamond Like Carbon) 박막으로 증착되는 것이 바람직하며, 코팅층(500)은 0.1 내지 5㎛의 두께 범위로 형성시킬 수 있다.
예를 들어, 다이아몬드 지립(120)의 상단에 코팅된 부분은 웨이퍼(wafer) 연마 공정시 일정 시간 후에 서서히 제거될 수 있는 부분으로, 일정 시간 이상으로 사용시 다이아몬드 지립(120)의 상단 만이 외부로 노출될 수 있고, 다이아몬드 지립(120)의 측면 부분이 코팅층(500)에 의해 코팅된 상태가 유지된다.
이와 같은 코팅층(500)은, 웨이퍼(wafer) 연마시 다이아몬드 지립(120)들과 금속 모재(10)의 계면으로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
결과적으로, 본 발명은 도금 방식을 이용해 금속 모재(10)와 다이아몬드 지립(120)들의 계면에 하나 또는 다수의 도금층(140)을 형성시킴과 아울러, 도금층(140)과 다이아몬드 지립(120)들의 표면에 코팅층(150)을 일정 두께로 증착시킴으로써, 다이아몬드 지립(120)의 결합력을 향상시킬 수 있고, 친환경 적이면서 내부식성과 내마모성을 향상시킬 수 있으며, 미세 선폭의 반도체 공정의 확대를 가속화해 줄 수 있어 전자기기의 부피를 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 증착 방식을 통해 코팅층(150)을 형성시킴으로써, 반응 물질이 기체 상태이기 때문에 복잡한 형상이나 대면적 증착이 가능하며, 합성 속도를 증가시킬 수 있다.
지금까지 본 발명에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법 및 이를 이용한 CMP 패드 컨디셔너에 관한 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 실시 변형이 가능함은 자명하다.
그러므로 본 발명의 범위에는 설명된 실시예에 국한되어 전해져서는 안되며, 후술하는 특허등록 청구범위뿐만 아니라 이 특허등록 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
즉, 전술된 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며, 한정적인 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술 될 특허등록 청구범위에 의하여 나타내어지며, 그 특허등록 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 금속 모재
100: CMP 패드 컨디셔너
110: 마스크층 111: 삽입홈
120: 다이아몬드 지립 121: 하층부
122: 상층부 130: 셋팅 도금부
140: 도금층 150: 코팅층
110: 마스크층 111: 삽입홈
120: 다이아몬드 지립 121: 하층부
122: 상층부 130: 셋팅 도금부
140: 도금층 150: 코팅층
Claims (11)
- 금속 모재의 표면에 다수의 삽입홈을 갖는 마스크층을 형성시키는 마스크층 형성단계;
상기 삽입홈들에 상기 다이아몬드 지립들을 각각 배치시키는 다이아몬드 지립 배치단계;
상기 금속 모재의 표면에 상기 다이아몬드 지립의 하층부를 상기 금속 모재의 표면에 고정시키기 위해 상기 삽입홈들에 셋팅 도금부를 형성시키는 다이아몬드 지립 고정단계;
상기 마스크층을 상기 금속 모재의 표면으로부터 제거하여, 상기 셋팅 도금부와 상기 다이아몬드 지립들의 상층부를 외부로 노출시키는 마스크 제거단계;
상기 다이아몬드 지립의 상층부가 외부로 노출된 상태로 상기 금속 모재와 셋팅 도금부와 상기 다이아몬드 지립의 하부층 표면에 도금층을 형성시키는 도금층 형성단계; 및
상기 도금층과 노출된 상기 다이아몬드 지립의 상부층 표면에 코팅층을 증착시키는 코팅층 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 제조방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 코팅층 형성단계에서 상기 코팅층은,
DLC(Diamond Like Carbon) 박막으로 증착되는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 코팅층 형성단계에서 상기 코팅층은,
0.1 내지 5㎛의 두께 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 도금층 형성단계에서 상기 도금층은,
니켈(Ni)이 도금되어 하나의 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 도금층 형성단계에서 상기 도금층은,
니켈(Ni) 및 PNC(Pd+Ni+Cr)가 순차적으로 도금되어 두 개의 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 도금층 형성단계에서 상기 도금층은,
니켈(Ni)과 팔라듐(Pd), PNC(Pd+Ni+Cr) 및 크롬(Cr)이 순차적으로 도금되어 세 개의 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너 제조방법. - CMP 패드 컨디셔너에 있어서,
금속 모재와,
상기 금속 모재의 표면에 하단이 고정되는 다이아몬드 지립;
상기 금속 모재와 상기 다이아몬드 지립의 하부층 표면에 도금되어, 상기 다이아몬드 지립의 상부층을 외부로 노출시키는 도금층; 및
상기 도금층과 상기 다이아몬드 지립의 상부층 표면에 증착되는 코팅층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너. - 청구항 7에 있어서,
상기 다이아몬드 지립의 하부층 표면과 상기 금속 모재의 표면에는,
셋팅 도금부가 도금 방식으로 더 형성되며,
상기 셋팅 도금부는,
상기 금속 모재의 표면과 상기 다이아몬드 지립의 하층부에 부착된 상태로 도금되어, 상기 다이아몬드 지립을 상기 금속 모재의 표면에 고정시키는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너. - 청구항 7에 있어서,
상기 도금층은,
니켈(Ni)이 도금되어 하나의 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너. - 청구항 7에 있어서,
상기 도금층은,
니켈(Ni) 및 PNC(Pd+Ni+Cr)가 순차적으로 도금되어 두 개의 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너. - 청구항 7에 있어서,
상기 도금층 형성단계에서 상기 도금층은,
니켈(Ni)과 팔라듐(Pd), PNC(Pd+Ni+Cr) 및 크롬(Cr)이 순차적으로 도금되어 세 개의 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너.
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| KR20050081952A (ko) * | 2004-02-17 | 2005-08-22 | 신한다이아몬드공업 주식회사 | 다이아몬드 공구 |
| KR20120003197A (ko) * | 2010-07-02 | 2012-01-10 | 이화다이아몬드공업 주식회사 | 강 내식성 ｃｍｐ용 다이아몬드공구 |
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