KR20200145689A - 전자 장치 - Google Patents

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KR20200145689A
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light
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KR1020200068141A
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시아오-랑 린
청-한 차이
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이노럭스 코포레이션
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Abstract

활성 영역 및 비활성 영역을 갖는 전자 장치는 제1 기판, 제2 기판 및 밀봉 층을 포함한다. 제1 기판은 활성 영역에서 복수의 발광 유닛을 포함한다. 제2 기판은 활성 영역에서 복수의 광 변환 유닛을 포함한다. 밀봉 층은 제1 기판과 제2 기판 사이에, 활성 영역과 비활성 영역에 배치된다.

Description

전자 장치{ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 일반적으로 디스플레이 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 2 개의 부착된 기판을 갖는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 정보 표시 기술에서 다양한 전자 장치에 널리 사용되도록 보다 얇은 두께, 더 가벼운 무게 및 더 낮은 전력 소비로 널리 받아들여지는 평판 디스플레이 패널을 포함한다. 일반적으로, 현재 제조되고 판매되는 평판 디스플레이 패널은 주로 서로 정렬된 2 개의 기판을 접합 또는 가압함으로써 형성된다. 하부 기판(bottom substrate) 상에 배치된 발광 영역(light-emitting region)은 상부 기판(upper substrate) 상에 배치된 컬러 필터 층과 정렬될 수 있다. 그러나, 조립 및 접합 공정 동안, 하부 기판 및 상부 기판은 정렬 오차를 유발하기 위해 특정 각도만큼 변위되거나 회전될 수 있으며, 이에 의해 정렬 시프트(alignment shift)를 초래한다. 따라서, 기판들 사이의 정확한 정렬을 보장하는 것이 당업자에게 여전히 시급하다.
본 발명은 활성 영역(active region)을 갖는 디스플레이 장치를 제공하고, 비활성 영역(non-active region)은 제1 기판(first substrate), 제2 기판(second substrate) 및 밀봉 층(sealing layer)을 포함한다. 제1 기판은 활성 영역에서 복수의 발광 유닛(light-emitting unit)을 포함한다. 제2 기판은 활성 영역에서 복수의 광 변환 유닛(light conversion unit)을 포함한다. 밀봉 층은 제1 기판과 제2 기판 사이에, 활성 영역과 비활성 영역에 배치된다.
본 개시의 이들 및 다른 목적은 다양한 도면 및 도면에 도시된 이하의 실시 예에 대한 상세한 설명을 읽은 후 당업자에게 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전자 장치의 단면도를 도시한 개략도이다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전자 장치에서 밀봉 층의 단면도를 도시한 개략도이다.
도 2b는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전자 장치에서 밀봉 층의 단면도를 도시한 다른 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전자 장치의 평면도를 도시한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전자 장치의 단면도를 도시한 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전자 장치에서 비활성 영역의 단면도를 도시한 개략도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전자 장치에서 비활성 영역의 단면도를 도시한 다른 개략도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전자 장치에서 비활성 영역의 단면도를 도시한 다른 개략도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전자 장치에서 비활성 영역의 단면도를 도시한 다른 개략도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전자 장치에서 비활성 영역의 단면도를 도시한 다른 개략도이다.
도 10은 본 개시의 제2 실시 예에 따른 전자 장치를 제조하는 프로세스 흐름을 예시하는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 경화 공정을 도시한 개략도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 예비-경화 과정을 도시한 개략도이다.
도 13은 도 12의 일부의 확대도를 도시한 개략도이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 예비 경화 공정의 위치를 도시한 개략도이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 다른 경화 공정을 도시한 개략도이다.
도 16은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전자 장치를 제조하는 다른 프로세스 흐름을 예시하는 다른 개략도이다.
본 개시는 아래에서 설명되는 도면들과 관련하여 취해진 다음의 상세한 설명을 참조하여 이해될 수 있다. 이해하기 쉽게 설명하기 위해, 본 개시의 다양한 도면은 전자 장치의 일부를 도시하고, 다양한 도면의 특정 요소는 축척대로 도시되지 않을 수 있다. 또한, 도면에 도시 된 각 장치의 수 및 치수는 단지 예시적인 것이며 본 개시의 범위를 제한하려는 것이 아니다.
특정 용어는 설명 및 다음의 청구 범위 전체에서 특정 구성 요소를 지칭하기 위해 사용된다. 당업자라면 이해할 수 있는 바와 같이, 전자 장비 제조업체는 상이한 명칭으로 구성 요소를 언급할 수 있다. 이하의 설명 및 청구 범위에서, 용어 "포함하다(include)", "포함한다(comprise)" 및 "가지고 있다(have)"는 개방형 방식으로 사용되므로, "포함하지만 이에 제한되지 않는"을 의미하는 것으로 해석되어야 한다.
또한 요소 또는 층이 다른 요소 또는 층에 "연결되어" 있거나 "연결된" 것으로 언급될 때, 그것은 다른 요소 또는 층에 직접 또는 직접 연결될 수 있거나, 개재 요소 또는 층이 제시될 수 있다. 반대로, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소를 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
또한, 요소 또는 층이 다른 요소 또는 층에 "배치" 될 때, 다른 요소 또는 층 상에 직접 배치될 수 있거나, 개재 요소 또는 층이 제시될 수 있음을 이해할 수 있다. 대조적으로, 요소가 다른 요소 또는 층에 "직접 배치된"것으로 언급될 때, 개재된 요소 또는 층이 제시되지 않는다.
이하에서 설명되는 다른 실시 예에서의 기술적 특징들은 본 개시의 사상을 벗어나지 않고 다른 실시 예를 구성하기 위해 서로 대체, 재결합 또는 혼합될 수 있다.
도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전자 장치의 단면도가 도시되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 실시 예의 전자 장치(electronic device)(100)는 디스플레이 장치(display device)(100D)를 포함하고, 디스플레이 장치(100D)는 서로 대향하여 배치된 제1 기판(first substrate)(110) 및 제2 기판(second substrate)(130)을 포함할 수 있고, 제1 기판(110) 및 제2 기판(130)은 각각 기판 층(substrate layer)을 포함할 수 있다. 도 1에서, 제1 기판(110)은 제1 기판 층(first substrate layer)(110S)을 포함하고, 제2 기판(130)은 제2 기판 층(second substrate layer)(130S)을 포함한다. 기판 층(110S) 및/또는 기판 층(130S)은 강성 기판(rigid substrate) 또는 가요성 기판(flexible substrate)과 같은 투명 기판(transparent substrate) 일 수 있고, 물질은 유리, 석영, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate)(PET), 폴리카보네이트(polycarbonate)(PC), 폴리(에테르 설폰(ether sulfones))(PES), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(polybutylene terephthalate)(PBT), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate)(PEN), 폴리아릴레이트(polyarylate)(PAR)를 포함할 수 있으며, 다른 적합한 물질 또는 이들의 조합을 포함하나 이에 제한되지는 않는다. 제1 기판 층(110S)의 표면(예를 들어, 상면 또는 내면) 상에 디스플레이 층(display layer)(111)이 배치되고, 제1 기판 층(110S)과 반대되는 제2 기판 층(130S)의 표면(예를 들어, 바닥면 또는 내부면) 상에 광 변환 층(light conversion layer)(131)이 배치된다. 본 실시 예에서, 디스플레이 층(111)은 픽셀 정의 층(pixel defining layer)(PDL)(113)에 의해 정의된 복수의 픽셀 영역(도면에 도시되지 않음)에 각각 배치되는 복수의 발광 유닛(light-emitting unit)(111a)을 포함한다. 디스플레이 층(111)에서의 발광 유닛(111a)의 배치 위치를 통해, 디스플레이 장치(100D)는 활성 영역(100a)과 비활성 영역(100b)으로 구분될 수 있다. 다시 말해, 최외곽 발광 유닛(outermost light-emitting unit)(111a)의 최외곽 에지에 의해 둘러싸인 부분은 활성 영역(active region)(100a)으로 정의될 수 있고, 비활성 영역(non-active region)(100b)은 활성 영역(100a)의 외부에 배치된다. 일 실시 예에서, 제1 기판(110) 또는 제2 기판(130)의 표면에 수직인 평면도 방향에서, 비활성 영역(100b)은 활성 영역(100a)을 둘러쌀 수 있다. 제1 기판(110) 또는 제2 기판(130)이 수평 방향(x)을 따라 연장될 때, 평면도 방향은 방향 y 일 수 있다. 발광 유닛(light-emitting unit)(111a)는 백색광, 청색광 또는 자외광을 방출할 수 있는 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode)(OLED), 또는 무기 발광 다이오드(inorganic light-emitting diode) 등의 자발광 모듈(self-light-emitting module) 일 수 있다. 무기 발광 다이오드는 미세 발광 다이오드(micro light-emitting diode), 미니 발광 다이오드(mini light-emitting diode) 또는 양자점 발광 다이오드(quantum dot light-emitting diode)(QLED/DQLED) 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 각 발광 유닛(111a)는 제1 기판 층(110S) 상에 배치된 적어도 하나의 스위칭 소자에 의해 각각 제어될 수 있으며, 스위칭 소자는 비정질 박막 트랜지스터, 저온 폴리 실리콘 박막 트랜지스터 또는 금속 산화물 박막 트랜지스터와 같은 박막 트랜지스터(TFT) 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 1에서, 박막 트랜지스터 층(thin-film transistor layer)(112)은 설명을 위해 복수의 스위칭 소자를 포함하는 것으로 도시되어 있다.
제1 기판 층(110S)의 표면 및 비활성 영역(100b)에는 복수의 댐(dam)(115)이 배치될 수 있다. 물 및 산소가 제1 기판(110)으로부터 전자 장치(100)로 유입될 확률이 감소될 수 있다. 본 실시 예에서, 각 발광 유닛(111a)은 도 1에 도시된 바와 같이 하부 전극층(bottom electrode layer)(111b), 발광층(light-emitting layer)(111c) 및 상부 전극층(top electrode layer)(111d)을 포함할 수 있다. 그러나, 각 발광 유닛(111a)의 상기 적층된 층은 단지 예일뿐이며 이에 한정되는 것은 아니다. 댐(115)은 높이(h1)(즉, 도 1에 도시된 바와 같이 댐(115)의 가장 높은 지점과 가장 낮은 지점 사이의 높이)를 가지며, 댐(115)의 높이(h1)는 발광층(111c)의 두께(H1) 이상, 예를 들어, 발광층(111c)의 두께(H1)의 1.35 내지 1.85 배일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 댐(115)은 픽셀 정의 층(113)과 함께 선택적으로 형성되어, 유전체 정의 또는 유기 물질과 같은 픽셀 정의 층(113)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 댐(115)은 추가 공정을 통해 형성될 수 있으며, 단층 절연 구조 또는 다층 절연 구조를 포함한다. 일 실시 예에서, 댐(115)은 예를 들어 무기 물질/유기 물질/무기 물질(I.O.I.) 구조를 포함하고, 유기 물질은 포토 레지스트 물질, 폴리플루오로알콕시(polyfluoroallkoxy)(PFA), 다른 적합한 유기 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, 무기물은 산화 규소, 질화 규소 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 당업자는 도 1에서 본 실시 예의 댐(115)이 활성 영역(100a)의 일측에 위치하지만, 댐(115)은 활성 영역(100a)의 외주를 평면도(예를 들어, 도 1에 도시된 방향 y와 반대 방향)에서, 예를 들어 비활성 영역(100b)에 분산된 상태로 둘러쌀 수 있다. 한편, 댐(115)은 반원형으로 도시되어 있지만, 실제 형상 또는 구조는 이에 제한되지 않으며, 제품 요구 사항에 따라 추가로 조정될 수 있다. 예를 들어, 일 실시 예에서, 사다리꼴 섹션 또는 직사각형 섹션(도면에 도시되지 않음)을 갖는 댐이 선택적으로 형성될 수 있거나, 또는 다른 실시 예에서, 댐은 제2 기판 층(130S) 또는 평탄화 층(134)과 같은 다른 위치(도면에 도시되지 않음)에 배치될 수 있다.
광 변환 층(131)은 디스플레이 층(111) 상에 배치될 수 있고, 복수의 광 변환 유닛(131R), 광 변환 유닛(131G), 광 변환 유닛(131B)을 제1 기판(110) 또는 제2 기판(130)의 각각의 표면에 수직인 평면도 방향(예를 들어, 방향 y)으로 각각 대응하는 발광 유닛(111a)과 적어도 부분적으로 중첩된 것을 포함할 수 있다. 정확하게 말하면, 각각의 광 변환 유닛(131R), 각각의 광 변환 유닛(131G) 및 각각의 광 변환 유닛(131B)은 제2 기판 층(130S) 상에 차폐 층(shielding layer)(133)에 의해 개별적으로 배치된다. 광 변환 유닛(131R), 광 변환 유닛(131G) 및 광 변환 유닛(131B)은 양자점 물질(quantum dot material), 형광 물질(fluorescent material), 인광 물질(phosphorescent material), 염료(dye) 또는 안료(pigment) 일 수 있으나 이에 제한되지는 않는다. 일례로, 도 1에 도시된 광 변환 유닛(131R), 광 변환 유닛(131G) 및 광 변환 유닛(131B)은 양자점 물질을 포함할 수 있고; 광 변환 유닛(131R) 내의 양자 점 물질 또는 양자점 입자는 발광 유닛(111a)에 의해 방출된 광을 적색광으로 변환할 수 있고; 유사하게, 광 변환 유닛(131G)의 양자점 물질 또는 양자점 입자는 발광 유닛(111a)에 의해 방출된 광을 녹색광으로 변환할 수 있고; 및 광 변환 유닛(131B) 내의 양자점 물질 또는 양자점 입자는 발광 유닛(111a)에 의해 방출된 광을 청색광으로 변환할 수 있다. 그러나, 일부 실시 예에서, 각각의 발광 유닛(111a)은 청색광을 발생시킬 수 있고, 광 변환 유닛(131B)은 청색 양자점 물질 또는 청색 양자점 입자를 포함하지 않을 수 있다), 또는　광 변환 유닛(131B)의 위치에는 색 변환이 불가능한 물질이 배치될 수 있다.
또한, 디스플레이 장치(display device)(100D)는 제1 기판(110)과 제2 기판(130) 사이에 배치된 밀봉 층(150) 및 밀봉 층(150)은 수지, 에폭시, 접착제 또는 중합체와 같은 접착 물질, 또는 프릿 유리와 같은 산소 및 물을 분리하기 위한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 밀봉 층(150)의 물질은 후속 경화 공정에 따라 선택될 수 있다. 예를 들어, 밀봉 층(150)은 테트라플루오로에틸렌 중합체(tetrafluoroethylene polymer), 헥사플루오로프로필렌 중합체(hexafluoropropylene polymer) 또는 2 성분 혼합 경화 접착제(two-component mixed hardened glue)(AB 접착제)와 같은 열 경화성 물질(thermally curable material), 아폴리실록산(apolysiloxane), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리부틸(polybutyl) 또는 3 블록 공중합체(triblock copolymer)와 같은 광 경화성 물질(photocurable material), 에스테르화 에폭시(메트) 아크릴 레이트 수지(esterified epoxy(meth)acrylate resin), 광중합 개시제(photopolymerization initiator), 열 경화제 또는 유기산 히드라지드(organic acid hydrazide)와 같은 광 경화성 또는 열 경화성 물질, 또는 다른 적합한 물질 또는 이들의 조합이 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시 예에서, 밀봉 층(150)의 물질은 또한, 변형 아스팔트(modified asphalt) 또는 콜타르(coal tar)와 같은 플라스틱 밀봉 페이스트(plastic sealing paste), 폴리염화비닐(PVC) 시멘트 또는 플라스틱 연고(plastic ointment)와 같은 엘라스토플라스틱 밀봉 페이스트(elastoplastic sealing paste), 폴리설파이드 고무, 실리콘 고무, 네오프렌, 폴리우레탄 또는 아크릴 나프탈렌과 같은 탄성 밀봉 페이스트(elastic sealing paste); 폴리비닐알콜(PVA)과 같은 중합체 밀봉 물질(polymer sealing material), 또는 밴드 형 섹션, 스트립 형 섹션 또는 패드 형 섹션을 형성하기 위한 공정의 요건을 충족시킬 수 있는 다른 방수 물질과 같은 유체형 또는 유체형과 같은 밀봉 재로부터 선택될 수 있다. 다른 실시 예에서, 밀봉 층(150)은 지지 탄성, 굽힘성 또는 변형성을 갖는(도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같은) 복수의 지지 요소(supporting element)(170)를 더 포함할 수 있다. 지지 요소(170)는 약 0.5 마이크로 미터(μm) 내지 5 μm의 길이를 가지며, 지지 요소(170)의 물질은 플라스틱 코어, 유리볼, 광 개시제, 아크릴레이트 수지, 에스테르화 된 에폭시, 합성 수지, 섬유, 스페이서, 중합체 코어, 다른 적합한 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있지만 이에 제한되지는 않는다. 합성 수지는 예를 들어 폴리에틸렌 수지, 폴리스티렌 수지 또는 폴리 아크릴 수지를 포함하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다시 말해서, 일부 실시 예에서, 밀봉 층(150)은 지지 요소(170)를 포함하고, 지지 요소(170)는 동시에 하나 이상의 상기 언급된 물질을 포함하거나, 예를 들어 엘라스토머와 비엘라스토머의 조합을 포함하는 상이한 기능을 갖는 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서, 지지 요소는 사다리꼴 섹션, 직사각형 섹션 또는 구형 섹션(도면에 도시되지 않음)과 같은 다양한 섹션을 갖도록 형성될 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다.
본 실시 예의 밀봉 층(150)은 도 1에 도시된 바와 같이, 전자 장치(100)의 비활성 영역(100b)에 배치되어, 제1 기판 층(110S) 상의 댐(115)의 일부 및 픽셀 정의 층(113)의 적어도 일부를 덮으며, 및 평탄화 층(134)의 일부를 제2 기판 층(130S) 상에 덮는다는 것을 유의하라. 본 실시 예에서 밀봉 층(150)의 일측의 측벽(sidewall)은 제2 기판(130)의 측벽(sidewall)과 수직으로 정렬되어 예시되지만, 밀봉 층(150)의 실제 설정은 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 밀봉 층(150)의 측벽은 다양한 실제 공정 요건 하에서 약간 아크이거나 불규칙할 수 있거나(도면에 도시되지 않음), 또는 밀봉 층(150)은 제2 기판 층(130S)의 측벽 또는 제2 기판 층(130S) 상에 배치된 필름 층(예를 들어, 광 변환 층(131)과 같은)의 측벽을 추가로 덮거나, 또는 심지어 제1 기판 층(110S) 또는 제1 기판 층(110S) 상에 배치된 필름 층(예를 들어, 디스플레이 층(111)과 같은)의 측벽을 덮도록 배치될 수 있다.
따라서, 제1 기판(110)은 밀봉 층(150)을 통해 제2 기판(130)에 접착될 수 있고, 제1 기판(110)의 각 발광 유닛(111a)이 제2 기판(130)의 각 광 변환 유닛(131R), 광 변환 유닛(131G) 및 광 변환 유닛(131B)과 실제로 정렬되도록 하여 오정렬을 피한다. 반면에, 밀봉 층(150) 내부의 갭은 균일성이 우수하고, 전자 장치(100)의 양 측면으로부터의 물 및 산소의 침입을 차단하여 디스플레이 층(111)의 손상을 방지하는데 유리할 수 있다. 특히, 밀봉 층(150) 내에 지지 요소(170)를 갖는 실시 예에서, 지지 요소(170)의 배열은 경로를 길게 할 수 있다. 물과 산소를 보다 효과적으로 차단하기 위해, 도 2a에 도시된 바와 같이 물과 산소 A는 제1 기판(110)과 제2 기판(130) 사이의 갭의 균일성을 추가로 조정하여, 도 2b에 도시된 바와 같이, 전자 장치(100)가 외력(화살표 방향과 같은)에 의해 변형되거나 구부러지게 되는 경우 지지력을 제공할 수 있다.
또한, 본 실시 예의 전자 장치(100)는 활성 영역(100a) 내에 공간(space)(120)을 포함한다. 공간(120) 내의 공기는 제1 기판 층(110S) 및 제2 기판 층(130S)과 다른 굴절률을 가지며, 그들 사이의 상이한 굴절률은 디스플레이 층(111)의 광학적 전력 손실을 야기할 수 있다. 정확하게 말하면, 제1 기판 층(110S) 및 제2 기판 층(130S)의 굴절률은 약 1.38 내지 1.60이고, 제1 기판 층(110S) 상의 디스플레이 층(111) 및 제2 기판 층(130S) 상의 광 변환 층(131)의 굴절률은 약 1.42 내지 1.59이고, 공기의 굴절률은 약 1.0이며 다른 필름의 굴절률과는 매우 다르므로, 굴절률의 불일치가 발생할 수 있다. 일반적으로, 전자 장치(100)의 굴절률은 주로 제1 기판 층(110S)(또는 제2 기판 층(130S)) 및 그 위에 배치된 모든 필름의 굴절률을 기기를 통해 일체로 측정함으로써 분석된다. 또는 어떤 상황에서는, 전자 장치(100)의 굴절률은 또한 물질의 유형을 구별하기 위해 우선 푸리에-변형 적외선 분광법(FTIR)을 사용하여 각각의 필름의 물질을 각각 박리하고, 이어서, 물질의 분류 테이블을 통해 그 굴절률을 검색함으로써 분석될 수 있다.
따라서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 전자 장치가 전술한 실시 예에 한정되는 것은 아니라는 것을 쉽게 알 수 있다. 실제 제품 요건에 따라 다른 예 또는 변형을 더 포함할 수 있다. 이하의 설명은 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치를 설명한다. 설명을 단순화하기 위해, 이하의 설명은 상이한 실시 예들 간의 비 유사성을 상세히 설명할 것이며 동일한 특징들은 중복 설명되지 않을 것이다. 실시 예들 사이의 차이점을 용이하게 비교하기 위해, 다음 실시 예들 각각에서 동일한 구성 요소는 동일한 기호로 표시된다.
도 3 내지 도 9를 참조하면, 도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전자 장치(300)의 개략도를 도시하며, 도 3은 전자 장치(300)의(y 방향을 따라) 평면도를 도시하고, 도 4 내지 도 9는 도 3의 A-A' 라인 또는 B-B' 라인을 따라 자른 단면도이다. 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 실시 예의 전자 장치(300)는 디스플레이 장치(300D)를 포함하고, 디스플레이 장치(300D)는 활성 영역(300a) 및 활성 영역(300a)의 외주에 둘러싸여 있는 비활성 영역(300b)을 포함한다. 제1 실시 예와 유사하게, 디스플레이 장치(300D)는 제1 기판(310) 및 제2 기판(330)을 포함할 수 있다. 제1 기판(310)은 제1 기판 층(310S), 및 제1 기판 층(310S) 상에 배치된 디스플레이 층(311) 및 박막 트랜지스터 층(312)을 포함할 수 있다. 제2 기판(330)은 제2 기판 층(330S) 및 제2 기판 층(330S) 상에 배치된 화소 정의 층(PDL)(313), 광 변환 층(331), 차광 층(333) 및 평탄화 층(334)을 포함할 수 있다. 전술한 구성 요소는 제1 실시 예의 구성 요소와 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 중복 설명하지 않을 것이다. 본 실시 예와 전술한 실시 예의 차이점은 광 변환 층(331)이 활성 영역(300a)에만 선택적으로 배치될 수 있다는 점이다. 차광 층(333)은 비활성 영역(300b)까지 연장될 수 있으며, 차광 층(333)상에는 적어도 하나의 댐(335)이 배치될 수 있다. 게다가, 본 실시 예의 밀봉 층(350)은 도 3에 도시된 바와 같이, 활성 영역(300a)으로부터 비활성 영역(300b)으로 연장되고, 따라서, 비활성 영역(300b)(이하, 제1 부분(350b)이라 함)에 배치된 밀봉 층(350b)은 활성 영역(300a)(이하, 제2 부분(350a)이라고 함)에 배치된 밀봉 층(350a)을 제1 기판 층(310S) 또는 제2 기판 층(330S)에 수직인 평면도 방향(예를 들어, 방향 y)으로 둘러쌀 수 있다. 제2 부분(350a)은 갭-필링 기능(gap-filling function)을 더 포함하고, 공기의 굴절률이 발광 유닛(311a)의 기능에 영향을 미치는 문제를 개선하기 위해, 이는 활성 영역(300a)의 공간(예를 들어도 1에 도시 된 바와 같은 공간(120))을 채울 수 있다. 또한, 밀봉 층(350)의 굴절률은 약 1.3 내지 1.6 일 수 있으며, 이는 그 위에 배치된 제1 기판 층(310S), 제2 기판 층(330S) 및 필름(디스플레이 층(311) 및 광 변환 층(331)과 같은)의 굴절률과 유사하여, 광 출력의 손실을 개선할 수 있게 된다. 즉, 디스플레이 장치에서 굴절률 매칭이 중요해야 한다.
본 실시 예에서, 밀봉 층(350)의 물질은 제1 실시 예의 물질과 실질적으로 동일하며, 제1 부분(350b) 및 제2 부분(350a)의 물질은 실제 공정 요건에 기초하여 선택적으로 동일하거나 상이할 수 있다. 정확하게 말하면, 밀봉 층(350)의 물질 또는 경화 공정(UV 노출과 같은)이 발광 유닛(311a) 및 각각의 광 변환 유닛(331R), 광 변환 유닛(331G) 및 광 변환 유닛(331B)의 기능에 영향을 미치는 문제를 방지하기 위해, 제2 부분(350a)은 밀봉재의 물질 또는 경화 공정(예컨대, UV 노출)의 문제를 방지하기 위해 고 투명성 물질, 또는 상기 언급된 열 경화성 물질 또는 광 경화성 또는 열 경화성 물질을 임의로 포함할 수 있다. 반면에, 제1 부분(first portion)(350b)은 선택적으로 예를 들어 4 센티포이즈(centipoise)(cps)보다 큰 점도(viscosity)를 갖는 더 높은 점도를 갖는 물질을 포함할 수 있어서, 제1 부분(350b)은 더욱 소형화될 수 있고, 이에 의해 활성 영역(300a)에 물 및 산소의 침입을 방지하게 된다. 본 실시 예에서, 밀봉 층(350)의 점도는 경화 전 물질의 점도를 지칭한다. 예를 들어, 점도는 150 ℃ 아래에서 약 106/s2 고체 량(solid amount)의 전단율(shear rate)을 갖는 적합한 점도계(viscometer) 또는 레오미터(rheometer)에 의해 측정될 수 있다. 주목할 점은, 전단력(shearing force) 또는 절삭력(cutting force)의 영향으로 인해 연속적으로 쏟아지는 대신 점착성 물질(sticky material)가 단위 시간당 높이에서 불 연속적으로 쏟아질 수 있고, 및 단위 시간당 불 연속적으로 쏟아지는 점착성 물질의 중량은 전단율(shearing rate)을 지칭한다.
물질 외에, 제1 부분(350b) 및 제2 부분(350a)은, 하기 표 1에 도시된 지지 요소(물질, 길이, 밀도 또는 지지력 포함)의 배치 두께 또는 배치 조건과 같은 다른 차이를 포함할 수 있다. 본 실시 예에서, 제2 부분(350a)은 제1 기판 층(310S) 또는 제2 기판 층(330S)에 수직인 방향(예를 들어, 방향 y)에서 두께(h2)(즉, 제2 부분(350a)의 가장 두꺼운 부분의 두께)를 가지며, 두께는 h2는, 예를 들어 1μm 이상 10μm 이하이다. 제1 부분(350b)은 두께(h3)(즉, 제1 부분(350b)의 가장 두꺼운 부분의 두께)를 가지며, 두께(h3)는 제2 부분(350a)의 두께(h2)보다 클 수 있다. 더욱이, 제2 부분(350a)에 배치된 지지 요소(370a)는 예를 들어 0.5μm 내지 3μm의 길이를 가지며, 제1 부분(350b)에 배치된 지지 요소(370b)는 비교적 큰 길이, 예를 들어 지지 요소(370a)의 길이의 약 1.5 배 내지 2 배의 길이를 갖지만, 이에 제한되지는 않는다. 또한, 제2 부분(350a)에 배치된 지지 요소(370a)는 비교적 큰 지지력, 예를 들어 약 3.0 kgf/cm2보다 큰 지지력을 포함할 수 있고, 따라서, 더 큰 변형 및 응력을 갖는 활성 영역(300a)은 전자 장치(300)가 변형 또는 굽힘을 받는 동안 비교적 큰 탄성 지지를 제공할 수 있다. 제2 부분(350a)에 배치된 지지 요소(370a)는 비교적 작은 배치 밀도, 예를 들어 밀봉 층(350)의 단위 부피당 약 1 내지 10 개의 지지 요소(370a)를 배치하지만, 이에 제한되지는 않는다. 전반적인 예에서, 밀봉 층(350)은 제2 부분(350a)을 가지고 및 제1 부분(350b)을 갖음으로써 예시될 수 있고, 그 두께(h2)는 예를 들어 2μm 이상, 4μm 이하이고, 그 안에 배치된 지지 요소(370a)의 길이는 예를 들어 3μm이며, 지지 요소(370a)의 배치 밀도는 예를 들어 1~10/μm3이고, 각각의 지지 요소(370a)의 지지력은 약 4.0 kgf/cm2이고, 그 두께(h3)는 예를 들어 4μm 이상, 6μm 이하이고, 그 안에 배치된 지지 요소(370b)의 길이는 예를 들어 4.5μm이고, 지지 요소(370b)의 배치 밀도는 예를 들어 10-100/μm3이고, 각각의 지지 요소(370b)의 지지력은 약 2.0 kgf/cm2 이지만, 이에 제한되지는 않는다.
제1 부분(350b)과 제2 부분(350a) 사이의 배치된 차이
제1 부분(350b) 제2 부분(350a)
밀봉 층의 점도(Viscosity of Sealing Layer) 비교적 큰(＞4 cps) 비교적 작은
(＜6 cps)
밀봉 층의 두께(Thickness of Sealing Layer) 비교적 두꺼운(≥ 4.5 μm,
Figure pat00001
15 μm)		 비교적 얇은
(≥ 1.0 μm,
Figure pat00002
10 μm)
지지 요소의 길이(Length of Supporting Elements) 비교적 큰(0.75-6 μm) 비교적 작은
(0.5-3.0 μm)
지지 요소의 지지력(Supporting Force of Supporting Elements) 비교적 작은(＜4.0 kgf/cm2) 비교적 높은
(＞3.0 kgf/cm2)
지지 요소의 배치 밀도(Disposing Density of Supporting Elements) 비교적 높은(10-100/μm3) 비교적 작은
(1-10/μm3)
일 실시 예에서, 활성 영역(300a)에서, 필름 층 또는 제1 기판 층(310S) 상에 배치된 요소에 의해 야기된 높이 차이로 인해, 제1 부분(350b)에 배치된 지지 요소(370b)는 도 4에 도시된 바와 같이 하나 이상의 길이를 선택적으로 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서, 지지 요소(370a) 및 지지 요소(370b)는 다양한 색상 및 형상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지 요소(370a) 및 지지 요소(370b)는 각각의 광 변환 유닛(331R), 광 변환 유닛(331G) 및 광 변환 유닛(331B) 사이의 광 누출의 간섭을 분리하기 위해 흑색을 포함할 수 있다. 지지 요소(370a) 및 지지 요소(370b)는 도 4에 도시된 바와 같이 원형 또는 타원형을 포함할 수 있거나, 직사각형을 포함할 수 있다. 지지 요소(370a) 및 지지 요소(370b)는 상이한 제조 프로세스에 기초하여 상이한 물질을 포함할 수 있다는 것이 주목된다. 예를 들어, 지지 요소(370a) 및 지지 요소(370b)는 플라스틱 코어, 아크릴레이트 수지, 에스테르화 된 에폭시 수지 또는 광개시제와 같은 물질을 포함하는 광 지지 요소를 포함할 수 있다. 사진 물질이 먼저 코팅되고 노출되어 패턴을 형성함으로써, 제1 기판(310) 또는 제2 기판(330) 상에 광 지지 요소(photo supporting element)를 형성한다. 또는, 지지 요소(370a) 및 지지 요소(370b)는 합성 수지, 플라스틱 코어 또는 유리 비드와 같은 물질을 포함하는 볼 지지 요소를 포함할 수 있고, 볼 지지 요소는 먼저 외부에 형성되어 제1 기판(310) 또는 제2 기판(330)으로 전달된다. 또는, 지지 요소(370a) 및 지지 요소(370b)는 플라스틱 코어, 플라스틱 미세 구 또는 접착제 물질을 포함하는 접착제지지 요소를 포함할 수 있고, 접착제 지지 요소는 먼저 외부에 접착제 층(도면에 도시되지 않음)을 코팅하고, 접착제 층을 제1 기판(310) 또는 제2 기판(330)으로 전달함으로써 형성되고, 후속 경화 공정에서 광 경화 또는 열 경화 방법을 통해 접착제 층을 용융시킴으로써 접착제 층을 제1 기판(310) 또는 제2 기판(330) 상에 고정시키는 단계를 포함한다.
제1 부분(350b)과 제2 부분(350a)이 상이한 물질을 포함할 때, 제2 부분(350a)은 비활성 영역(300b) 내에 배치된 각각의 요소를 덮도록 비활성 영역(300b) 내로 가능한 한 연장될 수 있다는 점을 유의한다. 다시 말해, 제1 부분(350b)과 제2 부분(350a) 사이의 계면은 또한 활성 영역(300a)과 비활성 영역(300b) 사이의 계면에 위치하는 대신에 비활성 영역(300b)(도 5 내지 도 9에 도시된 바와 같이)에 위치될 수 있다. 예를 들어, 일 실시 예에서, 광 변환 층(331)의 일부가 더미(dummy) 광 변환 유닛처럼 기능하기 위해 비활성 영역(300b) 내로 추가로 연장될 때, 제2 부분(350a)은 도 5에 도시된 바와 같이 광 변환 층(331)의 일부 상에 배치되거나, 광 변환 층(331)의 일부 상에 배치된 투명 도전 층(337) 상에 배치될 수 있다. 도 3 내지 도 5에서, 제1 부분(350b)과 제2 부분(350a) 사이의 경계는 점선으로 도시되어 있지만, 당업자는 제1 부분(350b)과 제2 부분(350a) 사이의 실제 경계가 실제 프로세스에서 명확하게 구별되지 않을 수 있다는 것을 이해할 수 있다. 예를 들어, 제1 부분(350b)과 제2 부분(350a)은 경계에서 서로 약간 혼합될 수 있으므로, 명확한 경계가 보이지 않거나 경계는 불규칙한 형상일 수 있다.
또한, 다른 실시 예에서, 제1 기판(310) 또는 제2 기판(330)은 제1 기판 층(310S) 또는 제2 기판 층(330S) 상의 요소 또는 필름 층을 완전히 덮거나 부분적으로 덮기 위해 그 위에 배치된 평탄화 층, 예를 들어, 도 6에 도시된 평탄화 층(314) 또는 평탄화 층(334)을 더 포함할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 평탄화 층(314) 및 평탄화 층(334)은 제1 기판 층(310S) 또는 제2 기판 층(330S) 상의 광 변환 층(331), 차광 층(333), 댐(315) 또는 댐(335)을 완전히 덮고, 광 변환 층(331)을 보호하기 위해 차광 층(333)의 측벽을 덮기도 한다. 일부 실시 예에 따르면, 제2 부분(350a)은 댐(315) 및/또는 댐(335)의 적어도 일부와 중첩되도록 평탄화 층(314) 및/또는 평탄화 층(334) 상에 배치될 수 있다. 또는 일부 실시 예에 따르면, 제2 부분(350a)은 각각의 댐(315) 사이의 갭을 채우도록 댐(315)의 일부 상에 배치될 수 있으며, 이에 의해 도 6에 도시된 바와 같이 제2 부분(350a)의 결합 기능을 향상시킨다. 일부 실시 예에 따르면, 제2 부분(350a)은 댐(315)의 일부 상에 직접 배치될 수 있다.
다른 실시 예에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 차광 층(333)의 일부는 평탄화 층(334)으로부터 노출된다. 따라서, 제2 기판 층(330S) 상에는 광 변환 층(331)과 차광 층(333)을 보호하기 위한 커버링 층(covering layer)(336)이 추가로 배치되어 평탄화 층(334)이 배치될 수 있다. 도 7의 좌측에 도시된 바와 같이, 제2 부분(350a)은 평탄화 층(334)의 측벽 및 커버링 층(336)의 일부를 추가로 덮을 수 있다. 또는, 제2 부분(350a)은 도 7의 우측에 도시된 바와 같이, 커버링 층(336)과 접촉하지 않고 평탄화 층(334)의 일부분만을 덮을 수 있다. 또한, 다른 실시 예에서, 제2 기판 층(330S) 상에 순차적으로 배치된 커버링 층(336), 평탄화 층(334) 및 다른 커버링 층(338)은 함께 추가의 보호를 제공하기 위해 무기 물질/유기 물질/무기 물질 구조를 형성할 수 있다. 커버링 층(336) 및 커버링 층(338)은 선택적으로 동일한 물질을 포함할 수 있고, 커버링 층(338)의 일부는 도 8에 도시된 바와 같이 평탄화 층(334) 및 그 아래의 커버링 층(336)의 측벽 상에 추가로 배치될 수 있다. 당업자는 전술한 실시 예에서 무기 물질/유기 물질/무기 물질 구조가 제2 기판 층(330S) 상에 형성되는 것만으로 예시되지만, 제1 기판 층(310S) 상의 평탄화 층(314)은 또한 필름 층 및/또는 제1 기판 층(310S) 상의 요소를 보호하기 위해 추가의 커버링 층(도면에 도시되지 않음)과 조합하여 유사한 무기 물질/유기 물질/무기 물질 구조(도면에 도시되지 않음)를 형성할 수 있다. 한편, 제1 기판(310)과 제2 기판(330) 사이의 제2 부분(350a)(또는 제1 부분(350b))의 결합을 향상시키기 위해, 평탄화 층(314) 및/또는 평탄화 층(334)에는 적어도 하나의 트렌치(314a) 또는 적어도 하나의 댐(314b) 또는 댐(334a)이 추가로 배치될 수 있다. 따라서, 제2 부분(350a)(또는 제1 부분(350b))은 트렌치(314a), 댐들(314b) 사이의 갭, 또는 댐들(334a) 사이의 갭을 채울 수 있고, 이에 의해, 도 7 또는 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 기판(310)과 제2 기판(330) 사이의 제2 부분(350a)(또는 제1 부분(350b))의 결합이 개선된다.
또한, 제2 부분(350a)은 가능한 한 비활성 영역(300b)까지 연장될 수 있고, 제1 부분(350b)의 연장 영역은 전자 장치(300)의 양 측면으로부터의 물 및 산소의 침입을 효과적으로 방지하기 위해 또는 제1 기판(310)과 제2 기판(330) 사이의 제1 부분(350b)의 결합을 향상시키기 위해 비활성 영역(300b) 내에서 추가로 확대될 수 있다. 예를 들어, 제1 부분(350b)은 제2 부분(350a)의 측면으로부터 제2 기판(330)의 측벽으로 연장될 수 있다. 이러한 방식으로, 일부 실시 예에서 또는 전자 장치(300)의 일부에서, 제1 부분(350b)은 더미 광 변환 유닛(도 5에 도시됨)을 덮거나, 비활성 영역(300b)에서 제1 기판 층(310S)(또는 제2 기판 층(330S)) 상의 각각의 댐(315) 사이의 갭을 채울 수 있으며(도 6에 도시된 바와 같이), 또는 커버링 층(336) 또는 평탄화 층(334)의 측벽 상에 배치되거나(도 7에 도시된 바와 같이), 또는 비활성 영역(300b)에서 평탄화 층(334) 상의 각각의 댐(334a) 사이의 갭을 채우거나, 또는 비활성 영역(300b)에 배치된 임의의 가능한 요소를 덮을 수 있다. 따라서, 제1 부분(350b)의 결합이 향상될 수 있다. 요소는 제1 기판 층(310S) 또는 제2 기판 층(330S), 예를 들어, 도 5에 도시된 요소(339) 또는 도 9에 도시된 요소(319)에 배치될 수 있으며, 이는 정렬 마크이거나 또는 금속 라인 일 수 있다. 요소는 또한 평탄화 층(314) 또는 평탄화 층(334), 예를 들어 도 7에 도시된 플러그 요소(plug element)(316)에 배치될 수 있다. 소자는 또한 평탄화 층(314) 상에 또는 평탄화 층(334), 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같은 소자(317) 또는 소자(318)에 배치될 수 있으며, 이는 애노드, 캐소드 또는 보조 전극일 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 그러나 다른 프로세스 고려할 때, 제1 부분(350b)은 또한 인덴팅 될 수 있는데, 즉 제1 부분(350b)의 측벽이 도 9에 도시된 바와 같이 제2 기판 층(330S)의 측벽과 정렬되지 않게 한다. 또는, 제1 부분(350b)은 제2 기판 층(330S) 또는 제1 기판 층(310S)(도면에 도시되지 않음)의 측벽을 덮도록 연장될 수 있다.
요약하면, 본 개시의 전자 장치에서, 밀봉 층은 전자 장치의 활성 영역으로부터 비활성 영역으로 연장되도록 2 개의 기판 사이에 추가로 배치되고, 제1 기판 층 또는 제2 기판 층의 측벽과 같이 전자 장치의 측벽을 더 덮거나, 또는 제1 기판 층 또는 제2 기판 층 상에 배치된 요소 또는 필름 층의 측벽을 추가로 덮어서, 전자 장치의 구조적 강화를 달성하여 두 기판 사이의 정렬 정확도를 향상시킨다. 반면에, 밀봉 층은 추가적인 탄성 지지를 제공하거나, 전자 장치에 대한 물 및 산소의 침입을 차단하거나, 활성 영역에서 굴절률 매칭을 제공할 수 있다. 게다가, 당업자는, 이하에서 설명되는 다른 실시 예에서의 기술적 특징이 다른 실시 예를 구성하기 위해 서로 대체, 재결합 또는 혼합될 수 있음을 이해할 수 있다.
본 실시 예에서, 제1 부분(350b)과 제2 부분(350a)의 물질의 유사점과 차이점에 따라, 전자 장치(300)는 아래의 표 2와 같이 다른 방법으로 제조될 수 있다. 전자 장치(300)의 제1 부분(350b)과 제2 부분(350a)이 동일한 물질을 포함하는 경우 밀봉 층(350)을 제조하는 공정 흐름을 나타내는 도 10을 참조한다. 먼저, 기판의 표면에 밀봉 층 패턴(250)이 형성되고(단계 S11), 기판은 전술한 제1 기판(310) 또는 전술한 제2 기판(330) 일 수 있다. 밀봉 층 패턴(250)은 임의의 형상 또는 임의의 유형을 포함할 수 있으며, 도 10에 도시된 것으로 제한되지 않는다. 정확하게 말하면, 밀봉 층 패턴(sealing layer pattern) (250)은 비활성 영역(300b)로부터 기판의 활성 영역(300a)까지 밀봉 층 패턴(250)을 형성하기 위하여, 스크레이퍼 공정(scraper process), 밀봉 패턴 공정, 아닐록스 롤러 공정(anilox roller process) 또는 노즐 공정(nozzle process)을 수행함으로써 달성될 수 있다. 노즐 공정은 디스펜서 공정, 스프레이 공정, 슬릿 코터 공정 또는 잉크젯 인쇄 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 스크레이퍼 프로세스가 수행될 때, 주사기(syringe)(200)는 압력 압착 방식을 통해 기판 표면의 적어도 일부 상에 1 차 밀봉 층 패턴(도면에 도시되지 않음)을 형성하는데 사용되며, 균일한 두께를 형성하기 위해 스크레이퍼(도면에 도시되지 않음)는 기판의 외주에 있는 비활성 영역(도 10에 도시되지 않음)으로부터 활성 영역(도 10에 도시되지 않음)으로 1 차 밀봉 층 패턴을 긁어 내기 위해 사용된다. 다른 프로세스에서, 기판은 또한 동일한 방향을 통해 스프레이, 롤링, 코팅 또는 인쇄될 수 있다.
다음, 다른 기판이 기판에 부착되고 경화 공정이 수행된다(단계 S12). 다른 기판은 전술한 제2 기판(330) 또는 전술한 제1 기판(310) 일 수 있다. 경화 공정은 도 11에 도시된 바와 같은 기계(400)를 사용함으로써 달성될 수 있다. 기계(400)는 스테이지(stage)(410)를 포함하고, 바닥에 핫 플레이트(hot plate)(430) 및 상단에 핫 플레이트(450)가 스테이지(410) 상에 배치된다. 서로 부착된 2 개의 기판은 2 개의 핫 플레이트(430, 450) 사이에 배치되어 경화 공정을 수행한다. 본 실시 예에서, 경화 공정은 밀봉 층 패턴(250)의 물질 선택에 기초하여 상이한 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 밀봉 층 패턴(250)이 전술한 광 경화성 또는 열 경화성 물질을 포함하는 경우, 사전 경화 공정(pre-curing process)(P1)은 먼저 두 기판의 주변에서 비활성 영역(300b)에 대해 수행될 수 있으며, 예를 들어, UV 노출을 위한 핫 플레이트(450)의 양 측면에 배치된 홀(도면에 도시되지 않음)로부터 연장된 UV 섬유(UV fiber)(470)를 사용하여, 이어서 변위를 방지하기 위하여 두 기판을 사전 가압한다. UV 섬유(470)의 노광 에너지는 예를 들어 4000 밀리 줄(mJ)이며, UV 섬유(470)의 노출 위치(B)는 예를 들어 도 12에 도시되어 있으며, 이는 제1 기판(310)과 제2 기판(330)의 주변 및 비활성 영역(300b)에 있다.
사전 경화 공정 P1을 수행할 때, 도 13에 도시된 바와 같은 UV 경화 마스크(490)는 활성 영역(300a)과 같이 노출이 불필요한 영역을 덮기 위해 2 개의 기판 상에 추가로 배치될 수 있고, 이에 의해, 광 변환 층(331) 또는 디스플레이 층(311)이 UV 노출의 높은 에너지에 의해 손상되는 것을 피할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서, UV 노출은 제1 기판(310)의 측면으로부터 수행되지만, 실제 성능은 이에 제한되지 않는다. 다른 실시 예에서, UV 노출은 또한 제2 기판(330)의 측면으로부터 수행될 수 있다. 한편, UV 노출 동안 투과율이 영향을 받지 않도록 하기 위해, 노광 위치(B)는, 도 14에 도시된 바와 같이, 광 변환 유닛(331R), 광 변환 유닛(331G), 광 변환 유닛(331B) 또는 발광 유닛(311a) 또는 다른 요소에 의해 차단되지 않고 비활성 영역(300b)에 위치될 수 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이 투명 도전 층(transparent conductive layer)(337)이 도 5 또는 도 9에 도시된 요소(339) 또는 요소(319)(예를 들어, 정렬 마크 또는 금속 라인), 도 7에 도시된 요소(316)(플러그 등), 또는 요소(317) 또는 도 9에 도시된 바와 같은 요소(318)(예컨대, 전극)는 제1 기판(310) 또는 제2 기판(330) 상에 배치되고, 전술한 UV 노출 대신에 후속 열 경화 공정과 같은 다른 경화 공정이 수행될 수 있다.
그때, 메인 경화 공정(main curing process)(P2)은 적절한 온도 하에서 두 기판을 열 프레스 하기 위해 수행된다. 적절한 온도는 밀봉 층 패턴(250)의 물질 선택에 따라, 예를 들어 75 ℃ 내지 125 ℃일 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 한편, 밀봉 층 패턴(250)이 전술한 열경화성 물질을 포함하는 경우, 사전 경화 공정(P1)은 생략될 수 있고, 메인 경화 공정(P2)은 도 15에 도시된 바와 같이 직접 수행될 수 있다. 메인 경화 공정 P2 후, 2 개의 기판은 냉각 공정(도면에 도시되지 않음)으로 이송되어 냉각 공정을 수행한다(단계 S13). 이에 따라 전자 장치(300)가 형성된다.
전자 장치(300)의 제1 부분(350b)과 제2 부분(350a)이 서로 다른 물질을 포함하는 경우 밀봉 층(350)을 제조하는 공정 흐름을 나타내는 도 16을 참조한다. 먼저, 제1 부분의 패턴(250b)은 기판의 표면 상에 형성되고(단계 S21), 기판은 또한 전술한 제1 기판(310) 또는 전술한 제2 기판(330) 일 수 있다. 제1 부분의 패턴(250b)은 스크린 인쇄 공정 또는 디스펜서 공정을 통해 비활성 영역(300b)에 형성되며, 제1 부분의 패턴(250b)은 폐쇄된 직사각형 형태로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 다음으로, 제2 부분의 패턴(250a)이 기판의 표면 상에, 예를 들어 전술한 노즐 프로세스, 아닐록스 롤러 프로세스 또는 실란트 주입 프로세스를 통해 형성되고(단계 S22), 및 제2 부분의 패턴(250a)은 분무, 롤링, 코팅, 인쇄 또는 주입 방식을 통해 제1 부분의 패턴(250b) 내부에 형성된다. 제1 부분의 패턴(250b) 및 제2 부분의 패턴(250a)은 임의의 형상 또는 임의의 유형을 포함할 수 있고, 그 배치 위치는 도 16에 도시된 것에 제한되지 않으며, 활성 영역(300a)과 비활성 영역(300b)의 실제 배열에 따라 다른 배열을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 부분의 패턴(250b)은 디스펜서 방식으로 후속 UV 노출(예컨대, 도 12에 도시된 노출 위치(B))에 필요한 위치에만 형성될 수 있고, 또는 제1 부분의 패턴(250b)은 전체 영역에서 코팅 될 수 있다.
전자 장치의 제조 방법
동일 물질을 포함하는 제1 부분(350b) 및 제2 부분(First Portion 350b and the Second Portion Including the Same Material) 상이한 물질을 포함하는 제1 부분(350b) 및 제2 부분(First Portion 350b and the Second Portion Including Different Materials)
디스펜서 프로세스(Dispenser Process(노즐 프로세스(Nozzle process))) V V
스크래퍼 프로세스(Scraper Process) V -
스크린 프린팅 프로세스(Screen Printing Process) - V
스프레이 프로세스(Spray Process(노즐 프로세스(Nozzle Process)) V V
아닐록스 롤러 프로세스(Anilox roller process) V V
슬릿 코터 프로세스(Slit Coater Process 노즐 프로세스((Nozzle Process)) V V
잉크-젯 프린팅 프로세스(Ink-Jet Printing process(노즐 프로세스)(Nozzle Process))) V V
실런트 주입 프로세스(Sealent Injecting Process) V V
그후, 다른 기판도 기판에 부착되고, 경화 공정(단계 S12) 및 냉각 공정(단계 S13)이 순차적으로 수행되어 전자 장치(300)를 형성한다. 주목할 점은, 경화 공정(단계 S12) 및 냉각 공정(단계 S13)의 작동 기계, 작동 방법 및 원리는 모두 전술한 것과 실질적으로 동일하며, 이후에 중복되지 않을 것이다. 또한, 당업자는 본 발명의 전자 장치(300)의 제조가 전술한 프로세스 흐름 또는 동작 순서에 제한되지 않으며, 다른 방법을 통해 달성될 수도 있다. 예를 들어, 다른 실시 예에서, 제1 부분의 패턴(250b) 및 제2 부분의 패턴(250a)은 제1 기판(310) 및 제2 기판(330)의 표면 상에 각각 형성될 수 있고, 이어서, 제1 기판(310)과 제2 기판은 서로 부착된다.
당업자는 전술한 본 개시의 실시 예가 전자 장치 및 그 제조에 주로 예시되지만, 본 개시의 밀봉 층 및 지지 요소는 다른 전자 장치와 같은 다른 제품에 추가로 적용될 수 있다. 전자 장치는 예를 들어, 디스플레이 장치, 조명 장치, 안테나 장치, 센서 장치 또는 타일 장치를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 장치는 선택적으로 접을 수 있는 전자 장치 또는 가요성 전자 장치, 액정(LC) 디스플레이 장치 또는 발광 다이오드 디스플레이 장치와 같은 장치를 포함할 수 있다. 발광 디스플레이 장치는 예를 들어 유기 발광 다이오드(OLED) 또는 무기 발광 다이오드(LED)를 포함하고, LED는 예를 들어 미니 LED, 마이크로 LED, 양자점 LED(QLED, QDLED), 형광 LED, 형광체 LED, 또는 임의의 다른 적합한 물질 또는 물질을 갖는 LED를 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 안테나 장치는 액정 안테나 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 타일드 장치는 디스플레이 타일 장치 또는 안테나 타일 장치 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 장치는 상기의 임의의 변형, 배열 또는 조합 일 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다는 것이 주목한다.
일부 실시 예들에 따르면, 밀봉 층의 설계에 의해, 디스플레이 층을 포함하는 제1 기판 및 광 변환 층을 포함하는 제2 기판은 보다 정확한 정렬 및/또는 더 나은 지지력으로 접합될 수 있다.
당업자는 본 개시의 교시를 유지하면서 장치 및 방법의 수많은 수정 및 변경이 이루어질 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다. 따라서, 상기 개시는 첨부된 청구 범위의 한계 및 경계에 의해서만 제한되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (10)

  1. 활성 영역 및 비활성 영역을 갖는 디스플레이 장치에 있어서,
    상기 활성 영역에 복수의 발광 유닛을 포함하는 제1 기판;
    상기 활성 영역에 복수의 광 변환 유닛을 포함하는 제2 기판; 및
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치된 밀봉 층 - 상기 밀봉 층은 상기 활성 영역과 상기 비활성 영역 상에 배치됨 -
    을 포함하는
    장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 밀봉 층은 상기 비활성 영역의 제1 부분 및 상기 활성 영역의 제2 부분을 포함하는
    장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 부분은 상기 제2 부분을 둘러싸는
    장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 부분에 복수의 제1 지지 요소
    를 더 포함하는
    장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 부분에 복수의 제2 지지 요소
    를 더 포함하는
    장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 부분의 복수의 제1 지지 요소의 밀도는 상기 제2 부분의 복수의 제2 지지 요소의 밀도 보다 큰
    장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1 부분의 두께는 상기 제2 부분의 두께 이상 인
    장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제2 부분의 두께는 2㎛ 이상 4㎛ 이하인
    장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부분의 물질은 상기 제2 부분의 물질과 상이한
    장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판은 상기 비활성 영역에 복수의 댐을 더 포함하고, 및
    상기 밀봉 층의 일부는 상기 댐 사이에 배치되는
    장치.
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