CN112103297A - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子装置，具有一主动区与一非主动区，并包括一第一基板、一第二基板以及一密封层。第一基板包括位于主动区内的多个发光单元。第二基板包括位于主动区内的多个光转换单元。密封层设置在第一基板与第二基板之间，且位于主动区与非主动区上。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种电子装置，特别是涉及一种包括两个贴合在一起的基板的电子装置。
背景技术
电子装置包括平面显示面板(flat display panel)等，由于具有被广为认可的厚度薄、重量轻及低功耗的特点，因此广泛作为各种电子设备中的显示屏幕。
一般而言，目前所制造及售卖的平面显示面板是由两个基板互相对位贴合或压合而成，使得位于下基板上的发光区可对位于位于上基板上的彩色滤光层。然而，在组装贴合过程中，可能会发生上下基板左右位移或是旋转一定角度或因而形成该上下基板的对位误差，导致相对位置偏移(alignment shift)的情况，因此，如何确保各基板间的精确对位对业界来说仍是一重要的课题。
发明内容
本发明提供一电子装置，其具有一主动区与一非主动区，并包括一第一基板、一第二基板以及一密封层。该第一基板包括位于该主动区内的多个发光单元。该第二基板包括位于该主动区内的多个光转换单元。该密封层设置在该第一基板与该第二基板之间，位于该主动区与该非主动区上。
附图说明
图1所示为本发明第一实施例中电子装置的剖面示意图。
图2A所示为本发明第一实施例中电子装置的密封层的剖面示意图。
图2B所示为本发明第一实施例中电子装置的密封层的另一剖面示意图。
图3所示为本发明第二实施例中电子装置的俯视示意图。
图4所示为本发明第二实施例中电子装置的剖面示意图。
图5所示为本发明第二实施例中电子装置的非主动区的剖面示意图。
图6所示为本发明第二实施例中电子装置的非主动区的另一剖面示意图。
图7所示为本发明第二实施例中电子装置的非主动区的另一剖面示意图。
图8所示为本发明第二实施例中电子装置的非主动区的另一剖面示意图。
图9所示为本发明第二实施例中电子装置的非主动区的另一剖面示意图。
图10所示为本发明第二实施例中制作电子装置的步骤流程示意图。
图11所示为本发明第二实施例中固化制程的操作流程示意图。
图12所示为本发明第二实施例中预固化制程的示意图。
图13所示为图12的部分放大示意图。
图14所示为本发明第二实施例中预固化制程的位置示意图。
图15所示为本发明第二实施例中另一固化制程的操作流程示意图。
图16所示为本发明第二实施例中制作电子装置的另一步骤流程示意图。
附图标记说明：100、300-电子装置；100a、300a-主动区；100b、300b-非主动区；110、310-第一基板；111、311-显示层；111a、311a-发光单元；111b-下电极层；111c-发光层；111d-上电极层；112、312-薄膜晶体管层；113、313-像素界定层；115、315-突出结构；120-间隙；130、330-第二基板；131、331-光转换层；131R、131G、131B、331R、331G、331B光转换单元；133、333-遮蔽层；134、314、334-平坦层；150、350-密封层；170、370a、370b-支撑件；200-注射器；250-密封层图案；250a-第二部分的图案；250b-第一部分的图案；350a-第二部分；350b-第一部分；314a-沟槽；314b、334a-突出结构；316、317、318、319、339-元件；335-突出结构；336、338-盖层；337-透明导电层；400-机台；410-底板；430、450-热模板；470-UV光纤；490-屏蔽；A-水氧路径；B-曝光位置；H1-厚度；h1-高度；h2、h3-厚度；P1-预固化制程；P2-主固化制程；S11、S12、S13、S21、S22-步骤；x、y-方向。
具体实施方式
为使熟习本发明所属领域的技术人员能了解本发明，下文配合所附图示详细说明本发明的电子装置。为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。
另外应理解的是，以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。必需了解的是，为特别描述或图标的元件可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板「上」时，有可能是指「直接」在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。
熟习本发明所属领域的技术人员能在不脱离本发明的精神下，参考以下所举实施例，而将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1、图2A和图2B，所示者为本发明第一实施例中电子装置100的剖面示意图。如图1所示，第一实施例的电子装置100包括相对设置的一第一基板110与一第二基板130，第一基板110与第二基板130可分别包括一透明基板，例如可分别为一硬质性基板或是一可挠性基板，而其材质可例如是玻璃、石英、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚砜(Poly(ether sulfones),PES)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(polybutylene terephthalate,PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚芳酯(polyarylate,PAR)、其他适当的材料或其组合等，但不限于此。第一基板110的一表面(例如上表面或内表面)上设置有一显示层111，第二基板130相对于第一基板110的一表面(例如下表面或内表面)上则设置有一光转换层131。在本实施例中，显示层111包括多个发光单元111a，分别设置于由一像素界定层(pixel defined layer,PDL)113所定义的多个像素区(pixel region,未绘示)内。需注意的是，通过显示层111中发光单元111a的设置位置可将电子装置100区分为一主动区(active area,AA)100a与一非主动区(non-active area,non-AA)100b。换言之，由最外围的发光单元111a的最外侧边缘所围起的部分可定义为主动区100a，而非主动区100b则设置于主动区100a外侧。于一实施例中，非主动区100b由垂直于第一基板110或第二基板130表面的一俯视方向来看，可选择环绕主动区100a设置，其中，当第一基板110或第二基板130沿着一水平方向x延伸时，该俯视方向则为y方向。各发光单元111a可为一自发光模块，例如包括能发出白光、蓝光或紫外光等的有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)，或者为非有机发光二极管(inorganic light emitting diode)，而该非有机发光二极管可为微型发光二极管(micro light-emitting diode)、次微米发光二极管(minilight-emitting diode)或是量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode,QLED/QDLED)，但不以此为限。各发光单元111a可分别通过设置于第一基板110上的至少一开关元件加以控制，其中，开关元件例如为薄膜晶体管，例如是非晶硅薄膜晶体管(Amorphous thin-film transistor)、低温多晶硅薄膜晶体管(Low temperaturepolysilicon thin-film transistor)或金属氧化物薄膜晶体管(Metal-oxide thin-filmtransistor)等，但不以此为限。图1中是以一薄膜晶体管层112表示包含了多个开关元件。
再者，第一基板110的该表面上还可凸设有多个突出结构(dam)115，其位于非主动区100b内，可降低水氧自第一基板110进入电子装置100的机率。在本实施例中，各发光单元111a可至少包括依序堆栈的一下电极层111b、一发光层111c与一上电极层111d等，如图1所示，但前述堆栈层仅为例示而不以此为限。其中，突出结构115的高度h1(即图1所示突出结构115的最高点与最低点之间的高度)例如是不小于发光层111c的厚度H1，例如是约为发光层111c的厚度H1的1.35倍至1.85倍，但不限于此。突出结构115可选择与像素界定层113一并形成而具有与像素界定层113相同的材质，如包括一介电材质或一有机材质(organicmaterial)，或者是另外形成，而可具有单层或复合层的绝缘结构。在一实施例中，突出结构115例如是包含一无机材料/有机材料/无机材料(inorganic material/organicmaterial/inorganic material,I.O.I.)结构，而该有机材料例如包括光阻材料、四氟乙烯(polyfluoroalkoxy,PFA)、其他合适的有机材料或其组合等，而该无机材料则例如包括氧化硅、氮化硅或其组合等，但不以此为限。此外，本领域者应可理解，本实施例的突出结构115在图1中虽是位于主动区100a一侧，但如从一俯视图(例如由图1中方向y的反方向所绘示图式)来看，突出结构115可以是整体性地环绕于主动区100a外侧，例如分散于非主动区100b内。并且，图1所示的突出结构115虽是以半圆形状呈现，但其具体形状或结构并不以此为限，而可根据实际元件需求而调整。例如，在另一实施例中，可选择形成剖面为梯形、矩形等态样的突出结构(未绘示)；或者，在另一实施例中，可选择在其他位置，如第二基板130上或是在一平坦层134上设置突出结构(未绘示)。
而光转换层131则设置在显示层111之上，包括多个光转换单元131R、131G、131B分别与对应的发光单元111a在垂直于第一基板110或第二基板130表面的俯视方向(如方向y)上至少部分重叠。详细来说，各光转换单元131R、131G、131B通过第二基板130上的一遮蔽层133而相互分隔设置。光转换单元131R、131G、131B可包括量子点材料、荧光材料、磷光材料、染料或颜料等，但不以此为限。举例而言，图1中的光转换单元131R、131G、131B可包含量子点材料，其中，光转换单元131R中的量子点材料或量子点粒子能够将发光单元111a所发出的光转换成红光；类似地，光转换单元131G中的量子点材料或量子点粒子能够将发光单元111a所发出的光转换成绿光；类似地，光转换单元131B中的量子点材料或量子点粒子能够将发光单元111a所发出的光转换成蓝光。然而，在各发光单元111a可产生蓝光的实施例中，光转换单元131B亦可选择不设置蓝色量子点材料或蓝色量子点粒子，或者是设置不具光颜色转换功能的材料。
另外，电子装置100还包括设置在第一基板110与第二基板130之间的一密封层150，其可包括如树脂(resin)、环氧树脂(epoxy)、黏胶(glue)或有机聚合物(polymer)等具黏着性的材质，或包括如玻璃胶(frit glass)等可隔绝水氧的材质。在一实施例中，密封层150的材质选择可依据其后续固化制程的不同而选择包括一热固化型材质，如四氟乙烯聚合物(tetrafluoroethylene polymer)、六氟丙烯聚合物(hexafluoropropylene polymer)或两液混合的硬化胶(AB胶)等，一光固化型材质，如聚硅氧烷(apolysiloxane)、聚氨酯(polyurethane)、聚丁基(polybutyl)或三嵌段共聚物(triblock copolymer)等，或者是一光固化或热固化均可的材质，如酯化环氧(甲基)丙烯酸酯树脂(esterified epoxy(meth)acrylate resin)、光聚合起始剂(photopolymerization initiator)、热固性剂(thermosetting agent)、有机酸酰肼(organic acid hydrazide)等，或其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。在另一实施例中，密封层150的材质亦可选择流体型或类流体型的密封材质，如改性沥青、煤焦油等塑性密封膏，如聚氯乙烯胶泥、塑料油膏等弹塑性密封膏，如聚硫橡胶、有机硅橡胶、氯丁橡胶、聚氨酯或丙烯酸萘等弹性密封膏，如聚乙烯醇(PVA)等高分子密封材料，或是其他可符合制程需求而能形成带状截面、条状截面或垫状截面的防水材料等。在另一实施例中，密封层150内还可进一步包括具有支撑弹性、可弯折性或形变能力的多个支撑件170(示于图2A、图2B)，支撑件170的长度例如是约为0.5微米(micrometer,μm)至5微米，而其材质可包括塑料核心(plastic core)、玻璃珠(glassball)、光起始剂(photoinitiator)、丙烯酸酯树脂(acrylate resin)、酯化环氧树脂(esterified epoxy)、合成树脂(synthetic resin)、纤维(fiber)、间隙子(spacer)、聚合物核心(polymer core)，或其他适合的材料或上述材料的组合，但不限于此。其中该合成树脂例如是聚乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚丙烯酸树脂等，但不以此为限。也就是说，在密封层150内具有支撑件170的实施例中，支撑件170可同时包括一种或一种以上前述的材质，或者是同时包括一种或一种以上可提供不同功能性的材质，例如可同时包括弹性体与非弹性体的材质组合。而在另一实施例中，还可选择形成剖面为梯形、矩形或者球状等态样的支撑件(未绘示)，但不限于此。
需注意的是，本实施例的密封层150设置在电子装置100的非主动区100b内，至少覆盖第一基板110上的部分突出结构115与部分像素界定层113，并且覆盖第二基板130上的部分平坦层134，如图1所示。其中，密封层150一侧的侧壁虽是与第二基板130的一侧壁垂直切齐作为实施态样进行说明，但其具体设置方式并不以此为限，例如可在各种实际制程需求下形成侧壁略呈圆弧或不规则状的密封层(未绘示)，或者使密封层150可进一步覆盖至第二基板130的侧壁或其上膜层(如光转换层131等)的侧壁上，甚至是覆盖至第一基板110的侧壁或其上膜层(如显示层111等)的侧壁上。
由此，利用密封层150可黏合第一基板110与第二基板130，确保第一基板110上的各发光单元111a可精确对位于第二基板130上的各光转换单元131R、131G、131B，避免对位偏移。另一方面，密封层150内空隙(gap)的均匀性佳，可提供阻隔水氧自电子装置100侧面入侵的效果，防止显示层111受损。特别是在密封层150内还包括有支撑件170的实施例中，支撑件170的设置可使水氧路径A变长，更有效地阻隔水氧，如图2A所示，或是可进一步调整第一基板110与第二基板130之间空隙的均匀性，在电子装置100遭受形变或外力(如箭头方向)弯折时提供支撑力，如图2B所示。
再者，本实施例的电子装置100在主动区100a内具有间隙120，间隙120内的空气与第一基板110、第二基板130的折射率不同，而可能造成显示层111的光功率损耗。详细来说，第一基板110与第二基板130的折射率约为1.38至1.60，第一基板110上的显示层111与第二基板130上的光转换层131的折射率则约为1.42至1.59，而空气的折射率约为1.0，与其他膜层的折射率差异太大，而可能导致折射率的不匹配。一般来说，电子装置100的折射率的分析方式多由仪器整体性的测量第一基板110(或第二基板130)及其上所有膜层的折射率。但在一些情况下，也可选择自第一基板110(或第二基板130)上分别刮取各个膜层的材质，先初步以傅里叶转换红外光谱(Fourier-transform infrared spectroscopy,FTIR)区分该材质的种类，再依照该材料的分类查表得知其折射率。
需注意的是，本发明的电子装置100的一第一基板也可视为包括前述的第一基板110以及其上所设置的显示层111、薄膜晶体管层112、像素界定层113、突出结构115或其他形成在第一基板110上的膜层或元件等；而电子装置100的一第二基板则可视为包括前述的第二基板130以及其上所设置的光转换层131、遮蔽层133、平坦层134或其他形成在第二基板130上的膜层或元件等，并且，通过设置在该第一基板以及该第二基板之间的密封层150黏合该第一基板以及该第二基板可构成本发明的电子装置100，但不以此为限。本发明的其他实施例皆可以类似方式解读，不再赘述。
因此，本领域者应可轻易了解，为能满足实际产品需求的前提下，本发明的电子装置亦可能有其它态样，而不限于前述实施例。下文将进一步针对本发明中电子装置的其他实施例或变化型进行说明。且为简化说明，以下说明主要针对各实施例不同之处进行详述，而不再对相同之处作重复赘述。此外，本发明的各实施例中相同的元件以相同的标号进行标示，以利于各实施例间互相对照。
请参考图3至图9，所示者为本发明第二实施例中电子装置300的示意图，其中图3为电子装置300的俯视(朝方向y)示意图，而图4至图9为图3中沿切线A-A’或切线B-B’的剖面示意图。如图3及图4所示，第二实施例的电子装置300包括主动区300a与环绕于主动区300a外侧的非主动区300b，且同样包括第一基板310、第二基板330与其上设置的显示层311、薄膜晶体管层312、像素界定层313、光转换层331、遮蔽层333与平坦层334等，前述元件特征大体上与第一实施例相同，于此不再赘述。本实施例与前述实施例的差异处在于光转换层331可选择仅设置在主动区300a内，而使遮蔽层333进一步延伸至非主动区300b，且遮蔽层333上还可额外形成至少一突出结构335。此外，本实施例的密封层350从主动区300a延伸设置至非主动区300b，使得设置于非主动区300b的密封层350b(以下简称为第一部分350b)在垂直于第一基板310或第二基板330的俯视方向(如方向y)上应可环绕着设置于主动区300a的密封层350a(以下简称为第二部分350a)，如图3所示。其中，第二部分350a可额外具有填缝功能，可填补主动区300a内的间隙(例如是图1所示的间隙120)，避免空气的折射率影响发光单元311a的功能。另外，密封层350a的折射率例如是约为1.3至1.6，其与第一基板310、第二基板330以及其上膜层(显示层311与光转换层331等)的折射率相近，而可避免光功率的损耗。
在本实施例中，密封层350的材质选择大体上与前述第一实施例相同，第一部分350b与第二部分350a可依据其实际制程的考虑，而选择使用相同的材质，或者是不同的材质。详细来说，第二部分350a可尽量选择透光性高的材质，或是选择前述的热固化型材质，或是光固化或热固化均可的材质等，以避免材质本身或是其固化制程(如UV曝光等)影响到发光单元311a与各光转换单元331R、331G、331B的功能。而第一部分350b可尽量选择黏度较高的材质，例如是黏度约大于4厘泊(centipoise,cps)，使得第一部分350b可较为紧密，让外部水氧不易进入主动区300a内。在本实施例中，密封层350的黏度是指其材质在固化前的黏度，例如是在摄氏150度下，当剪切速率为每秒平方约为106固量(106/s2)时，通过一合适的黏度计或流变仪所测量的结果，其中，该剪切速率为一黏性材质自高处倾倒时，该黏性材质因受到一剪力或切力影响而无法连续性倾倒，而在单位时间内所断开的该黏性材质的固化重量(即固量)即为剪切速率。
除材质选择外，第一部分350b与第二部分350a还可具有其他的差异性，如设置的厚度，或支撑件的设置条件(包括材质、长度、密度或支撑力等)等，如下方表一所列。在本实施例中，第二部分350a在垂直于第一基板310或第二基板330的方向(如方向y)上的厚度h2(即第二部分350a最厚部分的厚度)例如是大于或等于1微米，且小于或等于10微米，而第一部分350b的厚度h3(即第一部分350b最厚部分的厚度)可大于第二部分350a的厚度h2；另外，设置在第二部分350a的支撑件370a的长度例如是0.5微米至3微米，而设置在第一部分350b的支撑件370b则可具有较大的长度，例如是约为支撑件370a长度的1.5倍至2倍，但不以此为限。再者，位于第二部分350a的支撑件370a可具有相对较高的支撑力，例如是约大于每平方公分3公斤力(3.0kgf/cm2)，如此，在电子装置300遭受形变或外力弯折时，使得形变或受力程度较大的主动区300a能具有较大的弹性支撑。另外，位于第二部分350a的支撑件370a可选择具有相对较低的设置密度，例如是在单位体积的密封层350中设置数量约为1至10个的支撑件370a，但不以此为限。整体举例来说，在密封层350的一实施样态中，第二部分350a的厚度h2例如是大于或等于2微米且小于或等于4微米，其内支撑件370a的长度例如是3微米，设置密度例如是每微米立方内设置约1至10个(1-10/μm3)，使得各支撑件370a的支撑力约为4.0kgf/cm2；而第一部分350b的厚度h3则例如是大于或等于4微米且小于或等于6微米，其内支撑件370b的长度例如是4.5微米，设置密度约为每微米立方内设置约10至100个，使得各支撑件370b的支撑力约为2.0kgf/cm2，但不以此为限。
表一：第一部分350b与第二部分350a的设置条件差异
Figure BDA0002539747960000111
在一实施例中，第一部分350b内的各支撑件370b还可选择包括一种以上的长度选择，如图4所示，主要原因是根据主动区300b内因第一基板310上设置的膜层或元件所造成的高度断差。而在另一实施例中，支撑件370a、370b的颜色或形状可具有各种态样，例如支撑件370a、370b的颜色可以是黑色，以分隔各光转换单元331R、331G、331B间的漏光干扰。而支撑件370a、370b的形状可以是图4所示的圆形、椭圆形，或是矩形等。值得一提的是，支撑件370a、370b的材质选择可依据其制程的差异而有不同。举例来说，支撑件370a、370b例如是一光曝型支撑件，其可包括塑料核心、丙烯酸酯树脂、酯化环氧树脂或光起始剂等材质，该光曝型支撑件先在材料上涂布、曝光形成图案后，再将该图案留在第一基板310或第二基板330上。或者，支撑件370a、370b例如是一球型支撑件，其可包括合成树脂、塑料核心或玻璃珠等材质，该球型支撑件先于外部制作完成，再转移至第一基板310或第二基板330上。或者，支撑件370a、370b例如是一黏着型支撑件，其可包括塑料核心、塑料微球(plasticmicropheres)或一黏着性材质等，该黏着型支撑件先在外部涂布一层黏着层(未绘示)，再转移至第一基板310或第二基板330上，而后可在后续的固化制程时，以光固化或热固化的方式融化该黏着层而固着于第一基板310或第二基板330上。
需注意的是，当第一部分350b与第二部分350a具不同的材质时，可使第二部分350a尽可能地延伸至非主动区300b内，而覆盖至位于非主动区300b内的各元件上。也就是说，第一部分350b与第二部分350a的交界亦可能位于非主动区300b内(如图5至图9所示)，而不等于主动区300a与非主动区300b之间的交界。举例来说，在一实施例中，若光转换层331的一部分进一步延伸至非主动区300b以作为虚设的光转换单元时，第二部分350a可直接设置在该部分的光转换层331上，或者是设置在该部分的光转换层331上的一透明导电层337上，如图5所示。另外，在图3至图5(以及后续图6至图9等)中虽是以虚线示意第一部分350b与第二部分350a的交界，但本领域者应可理解第一部分350b与第二部分350a的具体交界在实际制程上亦可能无法明显区分，举例来说，第一部分350b与第二部分350a在其交界处可能发生些微混合的情况而无明显的交界线，或是形成不规则状的交界线。
此外，在另一实施例中，第一基板310或第二基板330上还可进一步设置可整体性覆盖或是部分覆盖其上膜层或元件的一平坦层，例如是如图6所示的平坦层314、334。平坦层314、334完全覆盖第一基板310或第二基板330上的光转换层331、遮蔽层333或突出结构315、335等，甚至是覆盖至遮蔽层333的侧壁，以达到保护光转换层331的效果。此时，第二部分350a则可设置在平坦层314、334上，重叠于至少部分的突出结构315、335，又或者直接设置在部分的突出结构315上，填入各突出结构315之间的空间，而提升第二部分350a的接合能力，如图6所示。
而在另一实施例中，平坦层334则暴露出一部分的阻挡层333，如图7所示。此时，可先另外设置一盖层336，保护第二基板330上的光转换层331与遮蔽层333，再设置平坦层334。于此，第二部分350a则可进一步覆盖至平坦层334的侧边，以及部分的盖层336上，如图7左侧所示。或者，第二部分350a也可仅覆盖到部分的平坦层334，而不接触到盖层336，如图7右侧所示。此外，在另一实施例中，第二基板330上依序设置的盖层336、平坦层334与另一盖层338可共同构成一无机材料/有机材料/无机材料结构，提供进一步保护的效果。其中，盖层336与盖层338可选择具有相同的材质，且部分的盖层338还可进一步设置在平坦层334的侧壁与其下方的盖层336上，如图8所示。而本领域者应可轻易理解，前述实施例虽仅说明在第二基板330上形成该无机材料/有机材料/无机材料结构，但在其他实施例中，第一基板310上的平坦层314亦可与额外设置的盖层(未绘示)等共同构成类似的无机材料/有机材料/无机材料结构(未绘示)，以保护位于第一基板310上的膜层或元件。另一方面，为能进一步提升第二部分350a(或第一部分350b)与第一基板310或第二基板330之间的接合能力，平坦层314、334上还可额外凹设至少一沟槽314a，或者是凸设至少一突出结构314b、334a，使得第二部分350a(或第一部分350b)可填入沟槽314a或各突出结构314b、334a之间，提升第二部分350a(或第一部分350b)与第一基板310或第二基板330之间的接合能力，如图7或图8所示。
另需注意的是，在使第二部分350a尽可能地延伸至非主动区300b内的前提下，还可使第一部分350b尽量在非主动区300b内延伸较大的范围，以有效隔绝水氧自侧面侵入电子装置300，或是提升其与第一基板310或与第二基板330之间的接合能力。例如，第一部分350b的设置范围可自第二部分350a的一侧延伸至第二基板330侧壁，如此，在一些实施例中或是在电子装置300的某些部位中，第一部分350b也可以是覆盖在虚设的光转换单元上(如图5所示)，或是填入第一基板310(或第二基板330)上位于非主动区300b内的各突出结构315(如图6所示)之间，或是设置在盖层336或是平坦层334侧壁上(如图7所示)，或是填入平坦层334上位于非主动区300b内的突出结构334a(如图8所示)，又或者是覆盖在可设置于非主动区300b内的任何一元件上，以提升第一部分350b的接合能力。其中，该元件可以是设置在第一基板310或第二基板330之上，如图5所示元件339或图9所示元件319，其可以是一对准标记(alignment mark)或是一金属导线(metal line)等；该元件也可以是设置在平坦层314、334内，如图7所示元件316，其可以是一插塞(plug)；该元件可以是设置在平坦层314、334上，如图9所示元件317、318，其可以是阳极电极(anode)、阴极电极(cathode)或辅助电极等，但不以此为限。另外，在其他制程的考虑下，也可选择使第一部分350b稍微内缩，也就是说使得第一部分350b的侧壁不切齐第二基板330的侧壁，如图9所示，或者是进一步覆盖至第二基板330或第一基板310的侧壁上(未绘示)。
需注意的是，本发明的电子装置300的一第一基板也可视为包括前述的第一基板310以及其上所设置的显示层311、薄膜晶体管层312、像素界定层313、平坦层314、突出结构314b、突出结构315或其他形成在第一基板310上的膜层或元件等；而电子装置100的一第二基板则可视为包括前述的第二基板330以及其上所设置的光转换层331、遮蔽层333、平坦层334、突出结构334a、突出结构335、盖层336、透明导电层337、盖层338或其他形成在第二基板330上的膜层或元件等，并且，通过设置在该第一基板以及该第二基板之间的密封层350黏合该第一基板以及该第二基板可构成本发明的电子装置300，但不以此为限。本发明的其他实施例皆可以类似方式解读，不再赘述。
综上所述，本发明的电子装置在两个基板之间额外设置密封层，其是自电子装置的主动区延伸至非主动区，甚至进一步覆盖置电子装置的侧壁，如第一基板或第二基板的侧壁，甚至是第一基板或第二基板上所设置的元件或膜层的侧壁，以作为该电子装置的结构补强，避免影响两基板之间的对位精度。另一方面，该密封层内可提供额外的弹力支撑、阻挡水氧进入该电子装置或提供该主动区内的折射率匹配性。此外本领域通常知识者也应了解，本发明中各实施例的技术特征彼此之间可相互结合、置换、搭配或组合成另一实施态样。
在本实施例中，依据第一部分350b与第二部分350a材质选择的异同，电子装置300可分别由不同的方法制作，如下方表二所示。请先参照图10所示，其绘示当电子装置300的第一部分350b与第二部分350a具相同材质时，制作密封层350的步骤流程示意图。首先，在一基板表面形成一密封层图案250(步骤S11)，该基板可以是前述的第一基板310或第二基板330，而密封层图案250可具有任何的形状或态样，不以图10所示为限。详细来说，密封层图案250可由一刮刀制程、一图案化(sealing pattern)制程、一网纹辊滚印(aniloxroller)制程或一喷嘴(nozzle)制程自该基板的非主动区300b往主动区300a形成，其中，该喷嘴制程例如是一点胶(dispenser)制程、一喷涂(spray)制程、一狭缝式涂布(slitcoater)制程或一喷墨印刷(ink-jet printing)制程等。举例来说，若利用该刮刀制程时，使用一注射器(syringe)200并以压力挤吐的方式在该基板的至少部分表面上形成初始的密封层图案(未绘示)，再以一刮刀(未绘示)由该基板外侧的一非主动区(未绘示)往主动区(未绘示)刮平至均匀厚度。其他制程则是以相同方向对该基板进行喷涂、滚印、涂布或印刷等。
接着，可贴合另一基板并进行一固化制程(步骤S12)，该另一基板则可是前述的第二基板330或第一基板310。该固化制程可通过图11所示的一机台400进行，机台400包括一底板(stage)410，其上设置有上、下两个热模板(hot plate)430、450，将贴合的该两基板(如前述的第一基板310与第二基板330)置于两热模板430、450之间，即可进行其固化制程。在本实施例中，该固化制程可依据密封层图案250的材质选择而包括不同的步骤。举例来说，当密封层图案250包括前述光固化或热固化均可的材质时，可先对该两基板周围的非主动区300b先进行一预固化(pre-curing)制程P1，例如可由热模板450两侧所设置的孔洞(未绘示)伸入一UV光纤(UV finer)470进行UV曝光，使该两基板可先被预压合而可避免其位移。其中，UV光纤470曝光的能量例如是4000毫焦耳(milijoule,mJ)，而UV光纤470的曝光位置B例如是如图12所示，位于第一基板310与第二基板330的四周，且位于其非主动区300b内。
值得注意的是，为避免UV曝光时的高能量伤害到光转换层331或显示层310，进行预固化制程P1时，会先在该两基板上额外设置如图13所示的一屏蔽(UV curing mask)490，遮挡不需曝光的区域，如主动区300a等。此外，在本实施例中，虽是以自第一基板310侧进行UV曝光为例进行说明，但并不限于此。在其他实施例中，亦可选择自第二基板330侧进行UV曝光。同时，为避免影响曝光时的穿透率，UV的曝光位置B应位于非主动区300b，且应避免受到光转换单元331R、331G、331B、发光单元311a或其他元件的遮挡，如图14所示。换言之，当第一基板310或第二基板330上设置有如图5所示的透明导电层337、图5或图9所示元件339、319(例如是对准标记或金属导线)、图7所示元件316(例如是插塞)或是图9所示元件317、318(例如是电极)等时，应避免进行UV曝光而选择利用其他的固化制程进行压合，例如是后续进行的热固化制程等。
后续，则进行一主固化制程(main curing)P2，以一合适温度热压合该两基板。其中，该合适温度根据密封层图案250的材质选择而不同，例如是介于摄氏75度至摄氏125度之间，但不以此为限。另一方面，当密封层图案250包括前述热固型材质时，则可如图15所示省略预固化制程P1，直接进行主固化制程P2。主固化制程P2后，则可将该两基板转移至一冷却机台(未绘示)上进行一冷却制程(步骤S13)，由此，即可形成前述的电子装置300。
请再参照图16所示，其绘示当电子装置300的第一部分350b与第二部分350a具不同材质时，制作密封层350的步骤流程示意图。首先，在一基板的表面形成第一部分的图案250b(步骤S21)，该基板同样可为第一基板310或第二基板330。其中，第一部分的图案250b是形成在该基板的非主动区300b内，并且由一网印制程或点胶制程所形成，使得第一部分的图案250b可呈现封闭的一矩圈状，但不以此为限。接着，在该基板表面形成第二部分的图案250a(步骤S22)，其中，第二部分的图案250a例如是以利用前述的喷嘴制程、网纹辊滚印制程或是框胶注入(sealant injection)制程等，以喷涂、滚印、涂布、印刷或注入等方式形成于第一部分的图案250b的内部。其中，第一部分的图案250b与第二部分的图案250a亦可具有任何的形状或态样，或是配合实际装置中主动区300a与非主动区300b的配置而有不同的设置位置等，不以图16所示为限，例如第一部分的图案250b可选择以点胶的方式而仅形成在后续需进行UV曝光的位置(例如是如图12所示曝光位置B)，或者是整区涂满。
表二：电子装置的制作方法
Figure BDA0002539747960000171
后续，则同样贴合另一基板并依序进行一固化制程(步骤S12)与冷却制程(步骤S13)，形成前述的电子装置300。需注意的是，该固化制程与该冷却制程的操作机台、操作方法与原则皆如前所述，容不再赘述。另外，本领域通常知识者也应了解，本发明中电子装置300的制作并不限于前述的步骤流程或操作顺序，也可通过其他方式达成。举例来说，在其他实施例中，也可选择在第一基板310与第二基板330表面分别形成第一部分的图案250b与第二部分的图案250a，再贴合第一基板310与第二基板330。
另外，本发明前述实施例中虽皆以电子装置的结构与制程作为实施态样进行说明，但本领域者应可理解本发明的密封层与支撑件等设计亦可应用于其他产品领域，如其他电子装置等。该电子装置例如包括显示设备、照明装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。其中，该电子装置可为可弯折或可挠式电子装置，例如包括一液晶(liquidcrystal)显示设备或发光二极管显示设备，其中发光二极管可包括有机发光二极管或无机发光二极管，而无机发光二极管可包括次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管、荧光(fluorescence)发光二极管、磷光(phosphor)发光二极管或其他合适材料或其任意排列组合的发光二极管，但不以此为限；该天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限；该拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，该电子装置可为前述各装置的任意排列组合，但不以此为限。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电子装置，具有一主动区与一非主动区，其特征在于，包括：
一第一基板，包括位于该主动区内的多个发光单元；
一第二基板，包括位于该主动区内的多个光转换单元；以及
一密封层，设置在该第一基板与该第二基板之间，且该密封层位于该主动区与该非主动区上。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该密封层包括：
一第一部分，位于该非主动区内；以及
一第二部分，至少位于该主动区内。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，在垂直于该第一基板或该第二基板的一俯视方向上，该第一部分环绕该第二部分。
4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，更包括：
多个第一支撑件，设置在该第一部分中。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，更包括：
多个第二支撑件，设置在该第二部分中。
6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该多个第一支撑件在该第一部分中的设置密度大于该多个第二支撑件设置在该第二部分中的设置密度。
7.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，在垂直于该第一基板或该第二基板的一俯视方向上，该第一部分的厚度大于或等于该第二部分的厚度。
8.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该第二部分的厚度大于或等于2微米，且小于或等于4微米。
9.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该第一部分的材质不同于该第二部分的材质。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一基板还包括多个突出结构，多个突出结构设置于该非主动区内，该密封层的一部分设置于该多个突出结构之间。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11411198B2 (en) * 2019-06-18 2022-08-09 Innolux Corporation Electronic device
KR20210152102A (ko) * 2020-06-05 2021-12-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114028725A (zh) * 2021-09-28 2022-02-11 杭州领挚科技有限公司 一种qled发光模组和美容仪

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003297547A (ja) * 2002-03-28 2003-10-17 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
CN1536939A (zh) * 2003-04-08 2004-10-13 �ձ������ȷ湫˾ 有机电致发光面板及其制造方法
KR20050067253A (ko) * 2003-12-27 2005-07-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
CN101794707A (zh) * 2009-02-04 2010-08-04 财团法人工业技术研究院 电子发射式发光装置及其封装方法
KR20110072131A (ko) * 2009-12-22 2011-06-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
CN103426896A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 群康科技(深圳)有限公司 有机发光二极管显示装置
CN104701342A (zh) * 2013-12-05 2015-06-10 乐金显示有限公司 弯曲式显示装置
JP2015128027A (ja) * 2013-12-27 2015-07-09 シャープ株式会社 有機ｅｌ装置、表示装置
CN106298691A (zh) * 2015-05-29 2017-01-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN106505089A (zh) * 2016-10-31 2017-03-15 上海天马微电子有限公司 显示器件
CN107329303A (zh) * 2017-06-30 2017-11-07 联想(北京)有限公司 一种显示屏、电子设备及显示屏的制备方法
CN109360831A (zh) * 2018-10-29 2019-02-19 合肥京东方显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05241165A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US5600203A (en) * 1993-04-26 1997-02-04 Futaba Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha Airtight envelope for image display panel, image display panel and method for producing same
JP4776769B2 (ja) * 1999-11-09 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6738125B2 (en) * 1999-12-27 2004-05-18 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus and method for manufacturing same
US20030146692A1 (en) * 2002-01-11 2003-08-07 Seiko Epson Corporation Organic EL device and manufacturing method therefor, electrooptic apparatus, and electronic apparatus
JP3594018B2 (ja) 2002-02-18 2004-11-24 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌディスプレイ
JP4240276B2 (ja) * 2002-07-05 2009-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
EP1784054A4 (en) 2004-08-26 2008-09-03 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE
JP5853350B2 (ja) 2010-03-08 2016-02-09 住友化学株式会社 電気装置
KR101711474B1 (ko) * 2010-11-15 2017-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조 방법
TWI667782B (zh) * 2013-09-27 2019-08-01 群創光電股份有限公司 有機發光二極體顯示面板及包含其之有機發光二極體顯示裝置
KR102287435B1 (ko) * 2014-04-09 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102626853B1 (ko) 2015-10-30 2024-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102504073B1 (ko) * 2015-12-14 2023-02-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102291493B1 (ko) 2016-08-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20180064616A (ko) 2016-12-05 2018-06-15 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네센스 장치 및 그것을 포함하는 디스플레이 패널
KR20200055846A (ko) 2018-11-13 2020-05-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11411198B2 (en) * 2019-06-18 2022-08-09 Innolux Corporation Electronic device

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003297547A (ja) * 2002-03-28 2003-10-17 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
CN1536939A (zh) * 2003-04-08 2004-10-13 �ձ������ȷ湫˾ 有机电致发光面板及其制造方法
KR20050067253A (ko) * 2003-12-27 2005-07-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
CN101794707A (zh) * 2009-02-04 2010-08-04 财团法人工业技术研究院 电子发射式发光装置及其封装方法
KR20110072131A (ko) * 2009-12-22 2011-06-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
CN103426896A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 群康科技(深圳)有限公司 有机发光二极管显示装置
CN104701342A (zh) * 2013-12-05 2015-06-10 乐金显示有限公司 弯曲式显示装置
JP2015128027A (ja) * 2013-12-27 2015-07-09 シャープ株式会社 有機ｅｌ装置、表示装置
CN106298691A (zh) * 2015-05-29 2017-01-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN106505089A (zh) * 2016-10-31 2017-03-15 上海天马微电子有限公司 显示器件
CN107329303A (zh) * 2017-06-30 2017-11-07 联想(北京)有限公司 一种显示屏、电子设备及显示屏的制备方法
CN109360831A (zh) * 2018-10-29 2019-02-19 合肥京东方显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

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