KR20200120918A - 실리콘 감압 접착제 조성물 및 적층체 - Google Patents

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KR20200120918A
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타까카즈 히노
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다우 도레이 캄파니 리미티드
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Abstract

본 발명은 (A) 1분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖는 사슬형의 오르가노폴리실록산, (B) 식: R1 3SiO1 /2(식 중, R1은 동일하거나 또는 상이한, 비치환 혹은 할로겐 치환의 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기)로 나타내는 실록산 단위와 식: SiO4/2로 나타내는 실록산 단위를 갖는 오르가노폴리실록산, (C) 1분자 중에 1개의 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖는 적어도 1종의 반응성 희석제, (D) 1분자 중에 적어도 8개의 수소 원자 결합 실록산 단위를 갖는 오르가노폴리실록산, 및 (E) 하이드로실릴화 반응용 촉매를 포함하는 실리콘 감압(pressure-sensitive) 접착제 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 실리콘 감압 접착제 조성물은 양호한 점착성을 갖고, 시간 경과에 의한 점착력 변화가 작은 감압 접착층을 형성한다.

Description

실리콘 감압 접착제 조성물 및 적층체
본 발명은 실리콘 감압(pressure-sensitive) 접착제 조성물 및 당해 조성물을 사용하여 형성한 감압 접착층을 갖는 적층체에 관한 것이다.
실리콘 감압 접착제 조성물의 점도를 조정하기 위해, 일반적으로 유기 용제가 사용되고 있다. 그러나, 근래의 환경 문제나 사용자의 건강을 배려한다는 점에서, 유기 용제의 사용량을 줄이거나 유기 용제를 전혀 사용하지 않는 실리콘 감압 접착제 조성물의 검토가 실시되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는 반응성 희석제로서, 1분자 중에 1개의 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖는 탄화수소 화합물을 함유하는 실리콘 감압 접착제 조성물이 제안되어 있다.
그러나, 이러한 실리콘 감압 접착제 조성물은 시간 경과에 의한 점착력이 변화한다는 과제가 있었다.
일본 공표특허공보 2006-520838호
본 발명의 목적은 양호한 점착성을 갖고, 시간 경과에 의한 점착력 변화가 작은 감압 접착층을 형성하는 실리콘 감압 접착제 조성물, 및 시간 경과에 의한 점착력 변화가 작은 감압 접착층을 갖는 적층체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 실리콘 감압 접착제 조성물은
(A) 1분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖는 사슬형의 오르가노폴리실록산,
(B) 본 조성물의 10 질량％ 이상, 80 질량％ 이하인, 식: R1 3SiO1 /2(식 중, R1은 동일하거나 또는 상이한, 비치환 혹은 할로겐 치환의 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이다.)로 나타내는 실록산 단위와 식: SiO4 /2로 나타내는 실록산 단위를 갖고, 식: SiO4 /2로 나타내는 실록산 단위에 대한 식: R3SiO1 /2로 나타내는 실록산 단위의 몰비가 0.5 내지 1.5인 오르가노폴리실록산,
(C) 본 조성물의 0 질량％를 초과하고 30 질량％ 이하인, 1분자 중에 1개의 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖는 적어도 1종의 반응성 희석제,
(D) (A) 성분 내지 (C) 성분 중의 지방족 불포화 탄소-탄소 결합의 합계 1 몰에 대해, 0.1 몰 이상, 1.5 몰 이하가 되는 규소 원자 결합 수소 원자를 제공하는, 1분자 중에 적어도 8개의 수소 원자 결합 실록산 단위를 갖는 오르가노폴리실록산, 및
(E) 본 조성물의 하이드로실릴화 반응을 촉진하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 반응용 촉매
를 포함하는 것을 특징으로 한다.
(B) 성분은 규소 원자 결합 수산기를 0.1 내지 2.0 질량％ 가져도 된다.
(C) 성분은 바람직하게는, 탄소 원자수 6 내지 24의 분기 사슬형 혹은 직사슬형의 알켄, 탄소 원자수 6 내지 24의 분기 사슬형 혹은 직사슬형의 알킨, 및 1분자 중에 1개의 알케닐기 또는 알키닐기를 갖는 오르가노실록산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이며, 이 알켄으로는, 도데센, 테트라데센, 또는 헥사데센이 바람직하고, 또한, 이 오르가노실록산으로는, 화학식:
R2R3 aSi[(OSiR3 2)bOSiR3 3](3-a)
(식 중, R2는 탄소 원자수 2 내지 12의 알케닐기 또는 알키닐기이고, R3은 동일하거나 또는 상이하며, 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖지 않는 비치환 혹은 할로겐 치환의 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이고, a는 0, 1, 또는 2이며, b는 0 내지 50의 정수이다.)
로 나타내는 오르가노실록산이 바람직하다.
(C) 성분의 함유량은 본 조성물의 1 내지 25 질량％인 것이 바람직하다.
(D) 성분은 적어도 0.5 질량％의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오르가노폴리실록산인 것이 바람직하다.
본 조성물은 추가로 (F) 하이드로실릴화 반응 억제제를, (A) 성분 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해, 5 질량부 이하 함유해도 된다.
본 발명의 적층체는 지지체와, 그 위의 상기 실리콘 감압 접착제 조성물을 하이드로실릴화 반응하여 형성된 감압 접착층으로 적어도 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실리콘 감압 접착제 조성물은 양호한 점착성을 갖고, 시간 경과에 의한 점착력 변화가 작은 감압 접착층을 형성한다는 특징이 있으며, 또한, 본 발명의 적층체는 감압 접착층의 시간 경과에 의한 점착력 변화가 작다고 하는 특징이 있다.
도 1은 본 발명의 적층체의 단면도이다.
먼저, 본 발명의 실리콘 감압 접착제 조성물을 상세하게 설명한다.
(A) 성분은 1분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖는 사슬형의 오르가노폴리실록산이다. (A) 성분 중의 알케닐기로는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 펜테닐기, 운데세닐기, 도데세닐기 등의 탄소 원자수 2 내지 12의 알케닐기가 예시되고, 바람직하게는 비닐기, 헥세닐기이다. 이 알케닐기의 결합 위치는 한정되지 않으며, 분자 사슬 말단의 규소 원자 및/또는 분자 사슬 중의 규소 원자에 결합하고 있어도 되고, 바람직하게는 분자 사슬 말단의 규소 원자이다. (A) 성분 중의 알케닐기 이외의 규소 원자에 결합하는 유기기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등의 탄소 원자수 1 내지 12의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 자일릴기 등의 탄소 원자수 6 내지 12의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 탄소 원자수 6 내지 12의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 탄소 원자수 1 내지 12의 할로겐화알킬기가 예시되며, 바람직하게는 메틸기, 페닐기이다. 또한, (A) 성분의 분자 구조는 사슬형이고, 구체적으로는, 직사슬형, 일부 분기를 갖는 직사슬형, 분기 사슬형이 예시되며, 바람직하게는 직사슬형이다.
(A) 성분으로는, 분자 사슬 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자 사슬 양말단 헥세닐디메틸실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자 사슬 양말단 디페닐비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자 사슬 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸페닐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·디페닐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 디페닐비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸페닐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸페닐실록산·메틸비닐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·디페닐실록산·메틸비닐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸비닐폴리실록산, 분자 사슬 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·헥세닐메틸실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸비닐실록산·메틸페닐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸비닐실록산·디페닐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 디메틸헥세닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산·메틸비닐실록산 공중합체, 및 분자 사슬 양말단 디메틸헥세닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸헥세닐실록산 공중합체, 디메틸비닐실록시기 말단화 폴리(디메틸실록산-메틸실세스퀴옥산) 공중합체, 디메틸비닐실록시기 말단화 폴리(디메틸실록산-메틸비닐실록산-메틸실세스퀴옥산) 공중합체, 트리메틸실록시기 말단화 폴리(디메틸실록산-메틸비닐실록산-메틸실세스퀴옥산) 공중합체, 헥세닐디메틸실록시기 말단화 폴리(디메틸실록산-모노메틸실세스퀴옥산) 공중합체, 헥세닐디메틸실록시기 말단화 폴리(디메틸실록산-헥세닐메틸실록산-메틸실세스퀴옥산) 공중합체, 트리메틸실록시기 말단화 폴리(디메틸실록산-헥세닐메틸실록산-메틸실세스퀴옥산) 공중합체, 디메틸비닐실록시기 말단화 폴리(디메틸실록산-실리케이트) 공중합체, 헥세닐디메틸실록시기 말단화 폴리(디메틸실록산-실리케이트) 공중합체, 트리메틸실록시기 말단화 폴리(디메틸실록산-메틸비닐실록산-실리케이트) 공중합체, 트리메틸실록시기 말단화 폴리(디메틸실록산-헥세닐메틸실록산-실리케이트) 공중합체, 트리메틸실록시기-디메틸비닐실록시기 혼합 말단화 폴리(디메틸실록산-실리케이트) 공중합체, 트리메틸실록시기-헥세닐디메틸실록시기 혼합 말단화 폴리(디메틸실록산-실리케이트) 공중합체, 트리메틸실록시기-디메틸비닐실록시기 혼합 말단화 폴리(디메틸실록산-메틸비닐실록산-실리케이트) 공중합체, 트리메틸실록시기-헥세닐디메틸실록시기 혼합 말단화 폴리(디메틸실록산-헥세닐메틸실록산-실리케이트) 공중합체, 및 이들 오르가노폴리실록산의 2종 이상의 혼합물이 예시된다.
이와 같은 (A) 성분은 한정되지 않지만, 바람직하게는 25℃에 있어서의 점도가 10 mPa·s 이상, 10,000 mPa·s 이하, 혹은 100 mPa·s 이상, 5,000 mPa·s 이하, 혹은 200 mPa·s 이상, 3,000 mPa·s 이하이다. 이는 (A) 성분의 점도가 상기 범위의 하한 이상이면, 충분한 점착력을 얻을 수 있기 때문이며, 한편, 상기 범위의 상한 이하이면, 본 조성물의 취급 작업성이 양호하기 때문이다. 여기서, (A) 성분의 25℃에 있어서의 점도는 JIS K7117-1에 준거한 회전 점도계에 의해 측정할 수 있다. 또한, (A) 성분으로서 고점도인 것과 저점도인 것을 혼합하는 것이 바람직하고, 예를 들면, (A) 성분의 일부로서, 25℃에 있어서의 점도가 10,000 mPa·s를 초과하는 것을 사용한 경우에도, (A) 성분의 잔부로서, 저점도인 것을 혼합하여 상기 범위의 점도로 함으로써, 본 조성물의 도공시의 레벨링성을 향상시킬 수 있다.
(B) 성분은 식: R1 3SiO1 /2로 나타내는 실록산 단위와 식: SiO4 /2로 나타내는 실록산 단위를 갖는 오르가노폴리실록산이고, 식: SiO4 /2로 나타내는 실록산 단위에 대한 식: R1 3SiO1 /2로 나타내는 실록산 단위의 몰비가 0.5 내지 1.5의 범위 내이며, 바람직하게는, 이 몰비가 0.5 내지 1.2의 범위 내, 0.6 내지 1.2의 범위 내, 혹은 0.8 내지 1.2의 범위 내이다. 이는 이 몰비가 상기 범위 내이면, 얻어지는 감압 접착층의 점착력이 커지기 때문이다.
식 중, R1은 동일하거나 또는 상이한, 비치환 혹은 할로겐 치환의 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등의 탄소 원자수 1 내지 12의 알킬기; 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 펜테닐기, 운데세닐기, 도데세닐기 등의 탄소 원자수 2 내지 12의 알케닐기; 페닐기, 톨릴기, 자일릴기 등의 탄소 원자수 6 내지 12의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 탄소 원자수 6 내지 12의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 탄소 원자수 1 내지 12의 할로겐화알킬기가 예시되며, 바람직하게는 메틸기, 비닐기, 페닐기이다.
또한, (B) 성분 중의 규소 원자는 상기 1가 탄화수소기 이외에 수산기 또는 가수 분해성기를 갖고 있어도 된다. 이 가수 분해성기로는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기 등의 탄소 원자수 1 내지 3의 알콕시기; 아세톡시기; 이소프로페녹시기가 예시된다. (B) 성분이 규소 원자 결합 수산기를 갖는 경우, 그 함유량은 한정되지 않지만, 0.1 내지 2.0 질량％의 범위 내인 것이 바람직하다.
(B) 성분은 식: R1 3SiO1 /2로 나타내는 실록산 단위와 식: SiO4 /2로 나타내는 실록산 단위를 가지나, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 극소량의 식: R1 2SiO2/2로 나타내는 실록산 단위나 식: R1SiO3 /2로 나타내는 실록산 단위를 갖고 있어도 된다. 여기서, 식 중, R1은 상기와 동일하다.
(B) 성분의 함유량은 본 조성물의 10 질량％ 이상, 80 질량％ 이하이며, 바람직하게는, 그 하한은 15 질량％ 이상, 20 질량％ 이상, 25 질량％ 이상, 30 질량％ 이상, 35 질량％ 이상, 40 질량％ 이상, 혹은 45 질량％ 이상이며, 한편, 그 하한은 75 질량％ 이하, 70 질량％ 이하, 65 질량％ 이하, 65 질량％ 이하, 혹은 60 질량％ 이하이다. 이는 (B) 성분의 함유량이 상기 범위 내이면, 얻어지는 감압 접착층의 점착성이 양호하기 때문이다.
또한, (B) 성분이 25℃에서 고체상으로, 본 조성물 중에 균일하게 혼합하는 것이 곤란한 경우, 미리 (B) 성분의 유기 용액을 제조하고, 이를 (A) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 일부 또는 전부와 혼합한 후, 이 혼합물에서 사용한 유기 용매를 제거함으로써, 이를 해결할 수 있다. 여기서, (B) 성분의 유기 용액을 제조하기 위해 사용할 수 있는 유기 용매는 (B) 성분을 용해할 수 있고, 용이하게 제거할 수 있는 것이면 된다. 구체적으로는 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소, 및 헥산, 헵탄 등의 지방족 탄화수소가 예시되지만, 이로 한정되지 않는다.
(C) 성분은 감압 접착층의 점착성을 저하시키지 않으면서 본 조성물의 점도를 조정하기 위한, 1분자 중에 1개의 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖는 적어도 1종의 반응성 희석제이다. 이와 같은 (C) 성분으로는, 탄소 원자수 6 내지 24의 분기 사슬형 혹은 직사슬형의 알켄, 탄소 원자수 6 내지 24의 분기 사슬형 혹은 직사슬형의 알킨, 및 1분자 중에 1개의 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖는 오르가노실록산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.
(C) 분자 중의 알켄으로는, 탄소 원자수가 6 내지 24인 분기 사슬형 혹은 직사슬형의 알켄이면 특별히 한정되지 않는다. 하지만, 반응성이 양호하다는 점에서, 그 지방족 불포화 탄소-탄소 이중 결합이 분자 사슬 말단에 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 (C) 성분의 알켄으로는, 헥센, 헵텐, 옥텐, 노넨, 데센, 운데센, 도데센, 트리데센, 테트라데센, 헥사데센, 헵타데센, 옥타데센, 2-옥틸-1-도데센 등의 비치환의 알켄; 혹은, 이들 알켄의 수소 원자의 일부를 에테르기, 에스테르기, 에폭시기, 아미노기 등으로 치환한 알켄이 예시되며, 바람직하게는 도데센, 테트라데센, 또는 헥사데센이다.
(C) 분자 중의 알킨으로는, 탄소 원자수가 6 내지 24인 분기 사슬형 혹은 직사슬형의 알킨이면 특별히 한정되지 않지만, 반응성이 양호하다는 점에서, 그 지방족 불포화 탄소-탄소 삼중 결합이 분자 사슬 말단에 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 (C) 성분의 알킨으로는, 헥신, 헵틴, 옥틴, 노닌, 데신, 운데신, 도데신, 트리데신, 테트라데신, 헥사데신, 헵타데신, 옥타데신, 2-옥틸-1-도데신 등의 비치환의 알킨; 혹은, 이들 알킨의 수소 원자의 일부를 에테르기, 에스테르기, 에폭시기, 아미노기 등으로 치환한 알킨이 예시되며, 바람직하게는 도데신, 테트라데신, 또는 헥사데신이다.
또한, (C) 성분 중의 오르가노실록산으로는, 화학식:
R2R3 aSi[(OSiR3 2)bOSiR3 3](3-a)
로 나타내는 오르가노실록산이 예시된다.
식 중, R2는 탄소 원자수 2 내지 12의 알케닐기 또는 알키닐기이다. R2의 알케닐기로는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 펜테닐기, 운데세닐기, 도데세닐기가 예시되며, 바람직하게는 비닐기, 알릴기이다. 또한, R2의 알키닐기로는, 에티닐기, 프로피닐기, 부티닐기, 펜티닐기, 헥시닐기, 헵티닐기, 옥티닐기, 펜티닐기, 운데시닐기, 도데시닐기가 예시되며, 바람직하게는 에티닐기, 프로피닐기이다.
또한, 식 중, R3은 동일하거나 또는 상이하며, 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖지 않는 비치환 혹은 할로겐 치환의 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등의 탄소 원자수 1 내지 12의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 자일릴기 등의 탄소 원자수 6 내지 12의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 탄소 원자수 6 내지 12의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 탄소 원자수 1 내지 12의 할로겐화알킬기가 예시되며, 바람직하게는 메틸기, 페닐기이다.
또한, 식 중, a는 0, 1, 또는 2이며, 바람직하게는 0이다.
또한, 식 중, b는 0 내지 50 범위 내의 정수이며, 바람직하게는 0 내지 30 범위 내의 정수, 혹은, 0 내지 20 범위 내의 정수이다.
이와 같은 (C) 성분의 오르가노실록산으로는, 아래 식으로 나타내는 오르가노실록산이 예시된다.
CH2=CHSi[OSi(CH3)3]3
CH2=CHSi[OSi(CH3)2OSi(CH3)3]3
CH2=CH(CH3)Si[OSi(CH3)3]2
CH2=CH(CH3)Si[OSi(CH3)2OSi(CH3)3]2
CH2=CH(CH3)2SiOSi(CH3)3
CH2=CHCH2Si[OSi(CH3)3]3
CH2=CH(CH2)4(CH3)2Si[OSi(CH3)3]2
CH2=CH(CH2)6(CH3)2Si[OSi(CH3)3]2
CH2=CH(CH3)2Si[OSi(CH3)2]OSi(CH3)3
CH2=CH(CH3)2Si[OSi(CH3)2]12OSi(CH3)3
CH2=CH(CH3)Si[{OSi(CH3)2}2OSi(CH3)3][{OSi(CH3)2}3OSi(CH3)3]
본 조성물에 있어서, (C) 성분으로서, 탄소 원자수 8 내지 24의 알켄 혹은 알킨을 2종 이상 혼합하여 사용해도 되고, 동일하게 1분자 중에 1개의 알케닐기 혹은 알키닐기를 갖는 오르가노실록산을 2 이상 혼합하여 사용해도 된다. 나아가서는, (C) 성분으로서, 탄소 원자수 8 내지 24의 알켄 혹은 알킨과 1분자 중에 1개의 알케닐기 혹은 알키닐기를 갖는 오르가노실록산을 혼합하여 사용해도 된다.
(C) 성분으로서 탄소 원자수 15 이상의 알켄 혹은 알킨만을 사용한 경우에는, 얻어지는 감압 접착층의 택이 낮아지는 경향이 있으므로, 탄소 원자수 14 이하의 알켄 혹은 알킨 및/또는 1분자 중에 1개의 알케닐기 혹은 알키닐기를 갖는 오르가노실록산을 혼합하는 것이 추천된다. 본 조성물의 조성을 안정시킬 수 있다는 점에서, (C) 성분으로서, 휘발성이 낮은 탄소 원자수 15 이상의 알켄 혹은 알킨 또는 1분자 중에 1개의 알케닐기 혹은 알키닐기를 갖는 오르가노실록산을 사용하는 것이 바람직하고, 탄소 원자수 14 이하의 알켄 혹은 알킨을 많아도 60 질량％로 하는 것이 바람직하다.
(C) 성분의 함유량은 본 조성물의 0 질량％를 초과하고 30 질량％ 이하이고, 바람직하게는 그 하한이 1 질량％ 이상, 3 질량％ 이상, 5 질량％ 이상, 혹은 7 질량％ 이상이며, 한편, 그 하한은 25 질량％ 이하이다. 이는 (C) 성분의 함유량이 상기 범위 내이면, 감압 접착층의 점착성을 저하시키지 않으면서 본 조성물의 점도를 조정할 수 있기 때문이다.
(D) 성분은 본 조성물의 가교제이고, 1분자 중에 적어도 8개의 수소 원자 결합 실록산 단위를 갖는 오르가노폴리실록산이며, 바람직하게는 9개 혹은 10개이다. 이는 수소 원자 결합 실록산 단위가 상기 개수 이상이면, (D) 성분의 휘발성이 낮아져 본 조성물의 조성이 안정되기 때문이며, 한편, 1분자 중의 수소 원자 결합 실록산 단위의 수의 상한은 한정되지 않지만, 입수가 비교적 용이하다는 점에서, 100개 이하, 혹은 70개 이하인 것이 바람직하다. 여기서, (D) 성분 중의 수소 원자 결합 실록산 단위란, 식: HR3 2SiO1 /2로 나타내는 실록산 단위, 식: HR3SiO2 /2로 나타내는 실록산 단위, 식: HSiO3 /2로 나타내는 실록산 단위가 예시된다. 또한, 식 중의 R3은 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖지 않는 비치환 혹은 할로겐 치환의 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이고, 상기와 동일한 기가 예시된다.
또한, (D) 성분 중의 규소 원자 결합 수소의 함유량은 한정되지 않지만, 적어도 0.5 질량％, 적어도 0.6 질량％, 혹은 적어도 0.7 질량％인 것이 바람직하다. (D) 성분 중의 규소 원자 수소 원자의 함유량이 상기 하한 이상이면, 시간 경과에 의한 점착성의 저하가 보다 작은 감압 접착층을 형성할 수 있기 때문이다.
또한, (D) 성분 중의 수소 원자 이외의 규소 원자에 결합하는 기로는, 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖지 않는 비치환 혹은 할로겐 치환의 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기가 예시되며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등의 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 자일릴기 등의 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 탄소수 6 내지 12의 아랄킬기;; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 탄소 원자수 1 내지 12의 할로겐화알킬기가 예시되며, 바람직하게는 메틸기, 페닐기이다.
(D) 성분의 분자 구조는 한정되지 않으며, 직사슬형, 일부 분기를 갖는 직사슬형, 분기 사슬형, 고리형, 망형(network structure), 수지형이 예시되며, 바람직하게는 직사슬형, 일부 분기를 갖는 직사슬형이다.
이와 같은 (D) 성분으로는, 분자 사슬 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐폴리실록산, 분자 사슬 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산·메틸페닐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸페닐실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 분자 사슬 양말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 메틸페닐실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 식: R3 3SiO1 /2로 나타내는 실록산 단위와 식; R3 2HSiO1 /2로 나타내는 실록산 단위와 식: SiO4 /2로 나타내는 실록산 단위로 이루어지는 오르가노폴리실록산 레진, 식: R3 2HSiO1 /2로 나타내는 실록산 단위와 식: SiO4 /2로 나타내는 실록산 단위로 이루어지는 오르가노폴리실록산 레진, 식: R3HSiO2 /2로 나타내는 실록산 단위와 식: R3SiO3 /2로 나타내는 실록산 단위 또는 식: HSiO3 /2로 나타내는 실록산 단위로 이루어지는 오르가노폴리실록산 레진, 및 이들 오르가노폴리실록산의 2종 이상의 혼합물이 예시된다. 여기서, 식 중의 R3은 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖지 않는 비치환 혹은 할로겐 치환의 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이고, 상기와 동일한 기가 예시된다.
또한, (D) 성분의 점도는 한정되지 않지만, 바람직하게는 25℃에 있어서의 동점도가 3 내지 1,000 mm2/s의 범위 내이며, 바람직하게는 3 내지 300 mm2/s의 범위 내, 3 내지 100 mm2/s의 범위 내, 3 내지 50 mm2/s의 범위 내이다. 이는 (D) 성분의 점도가 상기 범위의 하한 이상이면, (D) 성분의 휘발성이 낮아져 얻어지는 경화물의 조성이 안정되기 때문이며, 한편, 상기 범위의 상한 이하이면, 입수 곤란하기 때문이다. 여기서, (D) 성분의 25℃에 있어서의 동점도는 JIS Z8803에 준거한 우벨로데형 점도계에 의해 측정할 수 있다.
(D) 성분의 함유량은 (A) 성분 내지 (C) 성분 중의 지방족 불포화 탄소-탄소 결합의 합계 1 몰에 대해, 본 성분에 의해 제공되는 규소 원자 결합 수소 원자가 0.1 몰 이상, 1.5 몰 이하가 되는 양이며, 바람직하게는 그 하한이 0.3 몰 이상, 0.4 몰 이상, 0.5 몰 이상, 혹은 0.6 몰 이상이며, 한편, 그 하한이 1.3 몰 이하, 1.2 몰 이하, 혹은 1.2 몰 미만이 되는 양이다. 이는 (D) 성분의 함유량이 상기 범위의 하한 이상이면, 충분한 기계적 특성을 갖는 감압 접착층을 형성할 수 있기 때문이며, 한편, 상기 범위의 상한 이하이면, 시간 경과에 의한 점착성의 변화가 보다 작은 감압 접착층을 형성할 수 있기 때문이다.
(E) 성분은 본 조성물의 하이드로실릴화 반응을 촉진시키기 위한 하이드로실릴화 반응용 촉매이다. 백금계 촉매, 팔라듐계 촉매, 로듐계 촉매가 예시되며, 바람직하게는 백금계 촉매이다. 이 백금계 촉매로서, 염화백금산, 염화백금산의 알코올 용액, 백금의 카르보닐 착물, 백금의 알케닐실록산 착물, 백금의 올레핀 착물이 예시된다. 특히 (A) 성분과의 상용성이 양호하다는 점에서, 백금의 알케닐실록산 착물인 것이 바람직하다. 이 백금의 알케닐실록산 착물에 있어서, 알케닐실록산으로는, 예를 들면, 1,3-디비닐테트라메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라비닐디메틸디실록산을 들 수 있다.
(E) 성분의 함유량은 본 조성물의 하이드로실릴화 반응을 촉진하기에 충분한 양이며, 바람직하게는, 본 조성물에 대한 본 성분 중의 촉매 금속이 질량 단위로 0.1 내지 1,000 ppm 범위 내가 되는 양, 0.1 내지 500 ppm 범위 내가 되는 양, 혹은, 0.1 내지 250 ppm 범위 내가 되는 양이다. 이는 (E) 성분의 함유량이 상기 범위의 하한 이상이면, 본 조성물의 하이드로실릴화 반응이 촉진되기 때문이며, 한편, 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 감압 접착층에 착색 등의 문제가 발생하기 어렵기 때문이다.
본 조성물에는 하이드로실릴화 반응의 속도를 조절하기 위해, (F) 하이드로실릴화 반응 억제제를 함유해도 된다. 이 (F) 성분으로는, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 3-메틸-1-펜텐-3-올, 2-페닐-3-부틴-2-올, 1-에티닐-1-시클로헥산올, 2-에티닐이소프로판올, 2-에티닐부탄-2-올 등의 알킨알코올; 트리메틸(3,5-디메틸-1-헥신-3-옥시)실란, 디메틸비스(3-메틸-1-부틴옥시)실란, 메틸비닐비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 및 [(1,1-디메틸-2-프로피닐)옥시]트리메틸실란 등의 실릴화아세틸렌알코올; 2-이소부틸-1-부텐-3-인, 3,5-디메틸-3-헥센-1-인, 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3-메틸-3-헥센-1-인, 1-에티닐시클로헥센, 3-에틸-3-부텐-1-인, 및 3-페닐-3-부텐-1-인 등과 엔인 화합물; 디알릴말레에이트, 디메틸말레에이트, 디에틸푸마레이트, 디알릴푸마레이트, 비스-2-메톡시-1-메틸에틸말레에이트, 모노옥틸말레에이트, 모노이소옥틸말레에이트, 모노알릴말레에이트, 모노메틸말레에이트, 모노에틸푸마레이트, 모노알릴푸마레이트, 및 2-메톡시-1-메틸에틸말레에이트 등의 불포화 카르복실산에스테르; 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐시클로테트라실록산 등의 알케닐실록산; 그 외 벤조트리아졸이 예시된다.
(F) 성분의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 (A) 성분 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해, 5 질량부 이하, 또는 3 질량부 이하이며, 한편, 그 하한은 0.01 질량부 이상, 또는 0.1 질량부 이상이다. 이는 (F) 성분의 함유량이 상기 범위의 하한 이상이면, 도공액의 사용 가능 시간을 확보할 수 있기 때문이며, 한편, 상기 범위의 상한 이하이면, 통상적인 경화 온도에서 경화할 수 있기 때문이다.
또한, 본 조성물은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한, 퓸드 실리카, 침강 실리카, 소성 실리카, 결정성 실리카, 석영 분말, 규조토 등의 보강성 실리카; 이 보강성 실리카의 표면을 메틸클로로실란류, 디메틸폴리실록산, 헥사메틸디실라잔 등의 유기 규소 화합물로 처리한 것을 함유해도 된다. 이러한 보강성 실리카의 함유량은 한정되지 않지만, 본 조성물의 취급 작업성의 점에서, (A) 성분 100 질량부에 대해 200 질량부 이하인 것이 바람직하고, 나아가서는 3 내지 150 질량부의 범위 내인 것이 바람직하다.
본 조성물은 상기 성분 이외에도 필요에 따라 내열성 향상제, 난연성 향상제, 접착 촉진제, 반응 제어제 등을 함유해도 된다. 또한, 다른 종류의 오르가노폴리실록산을 추가로 배합해도 된다. 이와 같이 부가적으로 배합해도 되는 첨가제로는, 예를 들면, 카본, NiO2, FeO, FeO2, Fe2O3, Fe3O4, CoO2, CeO2, 및 TiO2에서 선택되는 내열성 및 난연성 향상제; 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸 등의 난연성 향상제; 비닐트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 접착 촉진제; 무관능 디메틸폴리실록산과 같은 가소제 및 점도 조절제 등을 사용할 수도 있다. 이들 첨가제의 사용량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한 임의이다.
또한, 본 조성물은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한, 톨루엔, 자일렌, 헥산, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 유기 용제; 분자 사슬 양말단이 트리메틸실록시기로 봉쇄된 디메틸실록산 등의 상기 (A) 성분 내지 (D) 성분의 어느 것에도 해당하지 않는, 분기 사슬형, 직사슬형, 혹은 고리형의 오르가노실록산을 함유해도 된다. 이들 유기 용제 또는 오르가노실록산의 함유량은 한정되지 않지만, 점도 저하를 위해서는, 바람직하게는 본 조성물의 0.5 내지 10 질량％ 범위 내, 1 내지 5 질량％ 범위 내, 혹은 1 내지 3 질량％ 범위 내이며, 한편, 도공시의 레벨링성 향상을 위해서는, 바람직하게는 본 조성물의 0.1 내지 10 질량％ 범위 내, 0.5 내지 5 질량％ 범위 내이다.
다음으로, 본 발명의 적층체를 상세하게 설명한다.
본 발명의 적층체는 지지체(1)와, 그 위의, 상기 실리콘 감압 접착제 조성물을 하이드로실릴화 반응하여 형성된 감압 접착층(2)으로 적어도 이루어진다. 이러한 본 발명의 적층체는 예를 들면, 점착 필름으로서 사용할 수 있다.
이 지지체(1)로는, 유리판, 금속판, 금속 포일 등의 무기계 지지체 외에, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-에틸렌아크릴레이트 공중합체 등의 플라스틱판 혹은 필름이 예시된다. 그 두께는 한정되지 않지만, 통상 10 내지 3,000 μm인 것이 바람직하다.
감압 접착층(2)과의 밀착성을 향상시키기 위해, 이들 지지체(1)의 표면을 프라이머 처리, 코로나 처리, 에칭 처리, 혹은 플라스마 처리해도 되고, 특히, 프라이머로서 실리콘 점착제용 프라이머 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 실리콘 점착제용 프라이머 조성물로는, 일본 공개특허공보 소 54-61242호, 일본 공개특허공보 평 3-28283호, 혹은 일본 공개특허공보 2013-139509호에서 개시되는 프라이머 조성물을 사용할 수 있다. 또한, 이러한 실리콘 점착제용 프라이머 조성물은 예를 들면, 다우코닝사 제조의 DOW CORNING(R) 7499 PSA PRIMER와 DOW CORNING(R) 7387 CROSSLINKER에 백금계 촉매를 배합함으로써 제조할 수 있다.
한편, 지지체로서 박리층을 처리한 릴리스 라이너를 사용하여 양면 점착 테이프를 작성할 수도 있다. 이 릴리스 라이너로는, 플루오로실리콘으로 표면 처리하여 이루어지는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 나일론, 열가소성 폴리우레탄 등의 필름; 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소계 수지 필름; 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소계 수지를 피복하여 이루어지는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 나일론, 열가소성 폴리우레탄 등의 필름을 들 수 있다. 여기서, 이 릴리스 라이너는 양면 점착 테이프의 저장 중에 그 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위한 박리성 보호 필름으로도 기능한다.
또한, 지지 필름(1)에 실리콘 감압 접착제를 도공하는 방법은 한정되지 않으며, 그라비아 코트, 오프셋 코트, 오프셋 그라비아, 롤 코트, 리버스 롤 코트, 에어 나이프 코트, 커튼 코트, 콤마 코트가 예시된다.
다음으로, 실리콘 감압 접착제 조성물을 실온 혹은 가열함으로써 하이드로실릴화 반응시켜, 상기 지지체 상에 감압 접착층을 형성할 수 있다. 이 가열 조건으로는, 60 내지 160℃에서 15초 내지 5분으로 할 수 있다. 여기서, 실리콘 감압 접착제 조성물을 충분히 하이드로실릴화 반응시키기 위해, 또한, (C) 성분을 반응 중에 휘발시키지 않기 위해, 이 조성물을 실온 내지 100℃, 혹은 60 내지 80℃로 가열하고, 그 후 80 내지 160℃, 혹은 100 내지 160℃로 가열하여 경화시키는 이른바 스텝 큐어를 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 연속로(continuous furnace) 등으로 가열 온도를 연속적으로 상승시켜도 된다.
본 발명의 적층체에 있어서, 감압 접착층(2)의 두께는 한정되지 않지만, 일반적으로는 1 내지 2000 μm 범위 내, 또는 5 내지 500 μm 범위 내이다.
또한, 본 발명의 적층체는 상기와 같이 지지체 상에 본 접착제를 직접 도공하여 적층체를 제작한 것이어도 되고, 또한, 박리 필름이나 박리지에 본 감압 접착제를 도공하고 하이드로실릴화 반응에 의해 감압 접착층을 형성한 후, 이를 상기 지지체에 첩합시키는 전사법에 의해 제작한 것이어도 된다.
실시예
본 발명의 실리콘 감압 접착제 조성물 및 적층체를 실시예, 비교예에 의해 상세하게 설명한다. 여기서, 실시예 중의 점도는 25℃에 있어서의 값이다. 또한, 점착력의 시간 경과 변화를 다음과 같이 하여 측정하였다.
[점도]
점도(mPa·s)는 JIS K7117-1에 준거한 회전 점도계를 사용하여 측정한 값이며, 동점도(mm2/s)는 JIS Z8803에 준거한 우벨로데형 점도계에 의해 측정한 값이다.
[질량 평균 분자량]
질량 평균 분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 값이다.
[점착력 및 유지율]
25℃에서 1일 보관한 감압 접착 필름을 1 인치 폭으로 절단하여 감압 접착 테이프를 작성하고, 경면 가공된 스테인레스제(SUS304)의 피착체에 2 kgf의 고무 롤러를 사용하여 압착시켰다. 그 후, 25℃에서 1시간 동안 정치하였다. 이를 저속(300 mm/분) 인장 시험기를 사용해 180° 박리법에 의해 점착력을 측정하여 점착력(Kgf/inch)을 구하였다.
또한, 70℃에서 7일간 보관한 감압 접착 필름을 상기와 동일하게 하여, 그 180° 박리법에 의해 점착력을 측정하여 점착력(Kgf/inch)을 구하였다.
25℃ 1일간 보관했을 때의 점착력에 대한, 70℃에서 7일간 보관했을 때의 점착력의 비율을 유지율(％)로서 구하였다.
실시예 및 비교예에 있어서, (A) 내지 (F) 성분으로서 다음의 성분을 사용하였다.
(A) 성분으로서 다음의 성분을 사용하였다.
(a-1): 점도 350 mPa·s의 분자 사슬 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산(비닐기의 함유량=0.43 질량％)
(a-2): 점도 2,000 mPa·s의 분자 사슬 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산(비닐기의 함유량=0.22 질량％)
(a-3): 동점도 7 mm2/s의 분자 사슬 양말단 헥세닐디메틸실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산(헥세닐기의 함유량=18.1 질량％)
(a-4): 동점도 60 mm2/s의 분자 사슬 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산(비닐기의 함유량=1.57 질량％)
(a-5): 점도 350 mPa·s의 디메틸비닐실록시기 말단화 폴리(디메틸실록산-실리케이트) 공중합체(비닐기의 함유량=0.64 질량％)
(B) 성분으로서 다음의 성분을 사용하였다.
(b-1): 평균 단위식:
[(CH3)3SiO1/2]0.44(SiO4/2)0.56
으로 나타내는 오르가노실록산(규소 원자 결합 수산기의 함유량=0.8 질량％; 질량 평균 분자량=14,800)
(b-2): 평균 단위식:
[(CH3)3SiO1/2]0.50(SiO4/2)0.50
으로 나타내는 오르가노실록산(규소 원자 결합 수산기의 함유량=0.4 질량％; 질량 평균 분자량=5,400)
(b-3): 식:
[(CH3)3SiO1/2]0.50(SiO4/2)0.56
으로 나타내는 오르가노실록산(규소 원자 결합 수산기의 함유량=0.9 질량％; 질량 평균 분자량=10,200)
(C) 성분으로서 다음의 성분을 사용하였다.
(c-1): 도데센
(c-2): 테트라데센
(c-3): 헥사데센
(c-4): 식:
CH2=CHSi[OSi(CH3)3]3
으로 나타내는 오르가노실록산
(D) 성분으로서 다음의 성분을 사용하였다.
(d-1): 동점도 5 mm2/s의 식:
(CH3)3SiO[(CH3)HSiO]14Si(CH3)3
으로 나타내는 오르가노폴리실록산(규소 원자 결합 수소 원자의 함유량=1.40 질량％)
(d-2): 동점도 20 mm2/s의 식:
(CH3)3SiO[(CH3)HSiO]50Si(CH3)3
으로 나타내는 오르가노폴리실록산(규소 원자 결합 수소 원자의 함유량=1.60 질량％)
(d-3): 동점도 65 mm2/s의 식:
(CH3)3SiO[(CH3)HSiO]28[(CH3)2SiO]30Si(CH3)3
으로 나타내는 오르가노폴리실록산(규소 원자 결합 수소 원자의 함유량=0.70 질량％)
(d-4): 동점도 50 mm2/s의 식:
(CH3)3SiO[(CH3)HSiO]16[(CH3)2SiO]34Si(CH3)3
으로 나타내는 오르가노폴리실록산(규소 원자 결합 수소 원자의 함유량=0.44 질량％)
(d-5): 동점도 5 mm2/s의 식:
(CH3)3SiO[(CH3)HSiO]6[(CH3)2SiO]3.5Si(CH3)3
으로 나타내는 오르가노폴리실록산(규소 원자 결합 수소 원자의 함유량=0.78 질량％)
(d-6): 동점도 15 mm2/s의 식:
X(CH3)2SiO[(CH3)HSiO]3[(CH3)2SiO]18Si(CH3)2X
(식 중, X의 90 몰％는 수소 원자이며, 나머지 10 몰％는 메틸기이다.)
로 나타내는 오르가노폴리실록산(규소 원자 결합 수소 원자의 함유량=0.28 질량％)
(E) 성분으로서 다음의 성분을 사용하였다.
(e-1): 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물 b의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 용액(백금 원자의 함유량= 약 5200 ppm)
(F) 성분으로서 다음의 성분을 사용하였다.
(f-1): 2-메틸-3-부틴-2-올
[실시예 1]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-1) 성분 58 질량％, (c-3) 성분 19 질량％, 및 (c-4) 성분 23 질량％로 이루어지는 혼합물, (D) 성분으로서 (d-1) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 75℃, 10분, 이어서 150℃, 2분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 2]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-3) 성분, (D) 성분으로서 (d-2) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 80℃, 3분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 3]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-4) 성분, (D) 성분으로서 (d-1) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 80℃, 3분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 4]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-3) 성분, (D) 성분으로서 (d-1) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 90℃, 3분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 5]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-4) 성분, (D) 성분으로서 (d-1) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 80℃, 3분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 6]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분을, (C) 성분으로서 (c-1) 성분 50 질량％ 및 (c-3) 성분 50 질량％로 이루어지는 혼합물, (D) 성분으로서 (d-1) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 80℃, 3분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 7]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-1) 성분 34 질량％, (c-3) 성분 34 질량％, 및 (c-4) 성분 32 질량％로 이루어지는 혼합물, (D) 성분으로서 (d-1) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 80℃, 3분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 8]
실시예 7과 동일하게 하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 9]
(A) 성분으로서 (a-2) 성분 98 질량％ 및 (a-3) 성분 2 질량％로 이루어지는 혼합물, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-1) 성분 20 질량％, (c-3) 성분 40 질량％, 및 (c-4) 성분 40 질량％로 이루어지는 혼합물, (D) 성분으로서 (d-1) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 50℃, 10분, 이어서 100℃, 7분, 추가로 150℃, 5분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 10]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분 48 질량％ 및 (b-2) 성분 52 질량％로 이루어지는 혼합물, (C) 성분으로서 (c-1) 성분 33 질량％, (c-3) 성분 28 질량％, 및 (c-4) 성분 39 질량％로 이루어지는 혼합물, (D) 성분으로서 (d-1) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 80℃, 3분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 11]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-3) 성분, (D) 성분으로서 (d-3) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 90℃, 2분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 12]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분 84 질량％ 및 (a-5) 성분 16 질량％로 이루어지는 혼합물, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-3) 성분, (D) 성분으로서 (d-1) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 100℃, 2분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 13]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분 65 질량％ 및 (a-2) 성분 35 질량％로 이루어지는 혼합물, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-1) 성분 29 질량％, (c-3) 성분 29 질량％, 및 (c-4) 성분 42 질량％로 이루어지는 혼합물, (D) 성분으로서 (d-4) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 80℃, 3분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
[실시예 14]
(A) 성분으로서 (a-2) 성분 98 질량％ 및 (a-3) 성분 2 질량％로 이루어지는 혼합물, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-3) 성분, (D) 성분으로서 (d-1) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분, BET 비표면적이 200 m2/g이며, 헥사메틸디실라잔에 의해 표면 처리된 소수성 퓸드 실리카를 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분 및 실리카의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이고, 퓸드 실리카의 함유량은 상기 (A) 성분 100 질량부에 대해 34.4 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 100℃, 3분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 1에 나타내었다.
Figure pct00001
[비교예 1]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-3) 성분, (D) 성분으로서 (d-1) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 100℃, 2분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 2에 나타내었다.
[비교예 2]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-3) 성분, (D) 성분으로서 (d-5) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 100℃, 2분, 이어서 150℃, 3분 140℃, 2분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력을 측정하려고 했지만, 감압 점착층이 응집 파괴되어 점착력의 측정은 불가능하였다.
[비교예 3]
(A) 성분으로서 (a-1) 성분, (B) 성분으로서 (b-3) 성분, (C) 성분으로서 (c-2) 성분, (D) 성분으로서 (d-5) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 2에 나타내었다.
[비교예 4]
(A) 성분으로서 (a-4) 성분, (B) 성분으로서 (b-3) 성분, (C) 성분으로서 (c-1) 성분 22 질량％ 및 (c-4) 성분 78 질량％로 이루어지는 혼합물, (D) 성분으로서 (d-6) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 90℃, 2분, 이어서 150℃, 3분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 2에 나타내었다.
[비교예 5]
(A) 성분으로서 (a-4) 성분, (B) 성분으로서 (b-1) 성분, (C) 성분으로서 (c-4) 성분, (D) 성분으로서 (d-6) 성분, (E) 성분으로서 (e-1) 성분, (F) 성분으로서 (f-1) 성분을 각각 사용하여 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하였다. 여기서, (E) 성분의 함유량은 실리콘 감압 접착제 조성물 중 백금 원자가 40 ppm이 되는 양이며, (F) 성분의 함유량은 상기 (A) 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해 0.2 질량부가 되는 양이다. 이 실리콘 감압 접착제 조성물은 탁상 어플리케이터로 도공하기에 충분히 낮은 점도였다.
다음으로, 이 실리콘 감압 접착제 조성물을 PET 필름 상에 도공하여 평활한 도공면을 제작하고, 140℃, 5분 동안 경화시켜, 두께 40 μm의 감압 접착층을 갖는 점착 필름을 제작하였다. 이 점착 필름의 점착력 및 그 유지율을 표 2에 나타내었다.
Figure pct00002
본 발명의 실리콘 감압 접착제 조성물은 양호한 점착성을 갖고, 시간 경과에 의한 점착성의 변화가 작은 감압 접착층을 형성하므로, 정밀 부품, 광학 부재, 또는 전자 부품의 가공 공정에 있어서, 부품 보호나 마스킹 목적으로 첩부하는 용도에 바람직하다.
1: 지지체
2: 감압 접착층

Claims (9)

  1. (A) 1분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖는 사슬형의 오르가노폴리실록산,
    (B) 본 조성물의 10 질량％ 이상, 80 질량％ 이하인, 식: R1 3SiO1 /2(식 중, R1은 동일하거나 또는 상이한, 비치환 혹은 할로겐 치환의 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이다)로 나타내는 실록산 단위와 식: SiO4 /2로 나타내는 실록산 단위를 갖고, 식: SiO4 /2로 나타내는 실록산 단위에 대한 식: R3SiO1 /2로 나타내는 실록산 단위의 몰비가 0.5 내지 1.5인 오르가노폴리실록산,
    (C) 본 조성물의 0 질량％를 초과하고 30 질량％ 이하인, 1분자 중에 1개의 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖는 적어도 1종의 반응성 희석제,
    (D) (A) 성분 내지 (C) 성분 중의 지방족 불포화 탄소-탄소 결합의 합계 1 몰에 대해, 0.1 몰 이상, 1.5 몰 이하가 되는 규소 원자 결합 수소 원자를 제공하는, 1분자 중에 적어도 8개의 수소 원자 결합 실록산 단위를 갖는 오르가노폴리실록산, 및
    (E) 본 조성물의 하이드로실릴화 반응을 촉진하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 반응용 촉매
    를 포함하는, 실리콘 감압(pressure-sensitive) 접착제 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    (B) 성분이 규소 원자 결합 수산기를 0.1 내지 2.0 질량％ 갖는 오르가노폴리실록산인, 실리콘 감압 접착제 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    (C) 성분이 탄소 원자수 6 내지 24의 분기 사슬형 혹은 직사슬형의 알켄, 탄소 원자수 6 내지 24의 분기 사슬형 혹은 직사슬형의 알킨, 및 1분자 중에 1개의 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖는 오르가노실록산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 실리콘 감압 접착제 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    (C) 성분의 알켄이 도데센, 테트라데센, 또는 헥사데센인, 실리콘 감압 접착제 조성물.
  5. 제3항에 있어서,
    (C) 성분의 오르가노실록산이 화학식:
    R2R3 aSi[(OSiR3 2)bOSiR3 3](3-a)
    (식 중, R2는 탄소 원자수 2 내지 12의 알케닐기 또는 알키닐기이고, R3은 동일하거나 또는 상이하며, 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 갖지 않는 비치환 혹은 할로겐 치환의 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이고, a는 0, 1, 또는 2이며, b는 0 내지 50의 정수이다)
    로 나타내는 오르가노실록산인, 실리콘 감압 접착제 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    (C) 성분의 함유량이 본 조성물의 1 내지 25 질량％인, 실리콘 감압 접착제 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    (D) 성분이 적어도 0.5 질량％의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오르가노폴리실록산인, 실리콘 감압 접착제 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    추가로 (F) 하이드로실릴화 반응 억제제를, (A) 성분 내지 (E) 성분의 합계 100 질량부에 대해, 5 질량부 이하 함유하는, 실리콘 감압 접착제 조성물.
  9. 지지체와, 그 위의, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 실리콘 감압 접착제 조성물을 하이드로실릴화 반응하여 형성된 감압 접착층으로 적어도 이루어지는 적층체.
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