KR20200093724A - 석션 장치 및 그것을 포함하는 패널 가공 장치 - Google Patents

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김상호
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Abstract

패널 가공 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 의해 정의된 평면을 갖는 모 패널이 배치된 스테이지, 상기 스테이지 상에 배치된 레이저 유닛, 및 상기 스테이지 상에 배치되어 상기 레이저 유닛에 인접한 석션 장치를 포함하고, 상기 석션 장치는, 상기 제1 방향을 향해 개구된 제1 개구부가 정의된 제1 석션부 및 상기 제1 방향과 반대 방향을 향해 개구되고 상기 제1 개구부와 상기 제2 방향으로 이격된 제2 개구부가 정의된 제2 석션부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 석션부들 각각의 하부에는 상기 제1 방향으로 연장하는 석션홀이 정의된다.

Description

석션 장치 및 그것을 포함하는 패널 가공 장치{SUCTION DEIVICE AND PANEL PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 석션 장치 및 그것을 포함하는 패널 가공 장치에 관한 것이다.
일반적으로 표시 장치는 복수 개의 화소들을 포함하는 표시 패널을 포함한다. 표시 패널의 제조시 복수 개의 단위 패널을 포함하는 모 패널이 준비된다. 단위 패널들 각각은 복수 개의 화소들을 포함한다. 모 패널로부터 단위 패널들이 분리되고, 단위 패널들 각각이 표시 패널로서 사용된다.
모 패널로부터 단위 패널들을 분리하기 위해 레이저가 사용된다. 레이저 유닛에서 생성된 레이저는 모 패널에 조사되고, 레이저에 의해 단위 패널들 각각의 테두리가 절단된다. 레이저에 의해 단위 패널들 각각의 테두리가 절단된 후, 단위 패널들이 모 패널로부터 분리된다.
레이저가 모 패널에 조사될 때, 모 패널의 절단되는 부분들에서 오염 입자들이 발생된다. 오염 입자들이 단위 패널들의 화소들에 흡착될 경우, 불량 단위 패널이 발생할 수 있다. 따라서, 오염 입자들을 효율적으로 제거하기 위한 기술이 요구된다.
본 발명의 목적은 오염 입자들을 효율적으로 제거할 수 있는 석션 장치 및 그것을 포함하는 패널 가공 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 패널 가공 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 의해 정의된 평면을 갖는 모 패널이 배치된 스테이지, 상기 스테이지 상에 배치된 레이저 유닛, 및 상기 스테이지 상에 배치되어 상기 레이저 유닛에 인접한 석션 장치를 포함하고, 상기 석션 장치는, 상기 제1 방향을 향해 개구된 제1 개구부가 정의된 제1 석션부 및 상기 제1 방향과 반대 방향을 향해 개구되고 상기 제1 개구부와 상기 제2 방향으로 이격된 제2 개구부가 정의된 제2 석션부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 석션부들 각각의 하부에는 상기 제1 방향으로 연장하는 석션홀이 정의된다.
본 발명의 실시 예에 따른 석션 장치는 제1 방향을 향해 개구된 제1 개구부가 정의된 제1 석션부, 상기 제1 방향과 반대 방향을 향해 개구되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 제1 개구부와 이격된 제2 개구부가 정의된 제2 석션부, 상기 제1 석션부 및 상기 제2 석션부로부터 연장하는 연결부, 및 상기 연결부의 소정의 부분에서부터 상부로 연장하는 수직부을 포함하고, 상기 제1 및 제2 석션부들 각각의 하부에는 상기 제1 방향으로 연장하는 석션홀이 정의된다.
본 발명의 실시 예에 따르며, 제1 석션부의 일측에 제1 개구부를 정의하고 및 제2 석션부의 일측에 제2 개구부를 정의함으로써, 제1 및 제2 개구부들로부터 연장하는 제1 및 제2 석션부들의 배기 통로들 각각의 제1 유량이 제1 및 제2 석션부들 하부에 정의된 석션홀들 각각의 제2 유량보다 커질 수 있다.
따라서, 석션홀을 통해 오염 입자들이 흡입될 때, 오염 입자들이 보다 큰 제1 유량에 따라 배기 통로들을 통해 효율적으로 제거되고, 석션홀에 보다 작은 제2 유량이 형성되어, 모 패널의 들림 현상이 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 패널 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 단위 패널의 평면 구성을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 어느 한 화소의 등가 회로를 예시적으로 도시한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 발광 소자에 대응하는 부분의 단면을 도시한 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 제1 및 제2 석션부들 위에서 제1 및 제2 석션부들을 바라본 도면이다.
도 6은 도 1에 도시된 제1 및 제2 석션부들 아래에서 제1 및 제2 석션부들을 바라본 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 I-I' 선의 단면도이다.
도 8은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 단면도이다.
도 9 및 도 10은 도 1에 도시된 패널 가공 장치를 이용하여 모 패널을 절단하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 11은 도 1에 도시된 석션 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 12 및 도 13은 제1 및 제2 석션부들의 유량을 설명하기 위한 도면들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의됩니다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들이 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 패널 가공 장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 패널 가공 장치(PPA)는 스테이지(STG), 레이저 유닛(LU), 및 석션 장치(SUT)를 포함할 수 있다. 스테이지(STG) 상에 복수 개의 단위 패널들(U_P)을 포함하는 모 패널(M_P)이 배치될 수 있다.
스테이지(STG) 및 모 패널(M_P)은 사각형 형상을 가질 수 있으나, 이는 예시적으로 설명된 것이며, 스테이지(STG) 및 모 패널(M_P)의 형상은 이에 한정되지 않는다. 스테이지(STG) 및 모 패널(M_P)은 제1 방향(DR1)으로 장변들을 갖고, 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 단변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 스테이지(STG) 및 모 패널(M_P)은 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)에 의해 정의된 평면을 가질 수 있다.
이하, 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)에 의해 정의된 평면과 실질적으로 수직하게 교차하는 방향은 제3 방향(DR3)으로 정의된다. 또한, 본 명세서에서, "평면 상에서 봤을 때"의 의미는 제3 방향(DR3)에서 바라본 상태를 의미할 수 있다.
스테이지(STG)는 모 패널(M_P)을 안정적으로 고정할 수 있는 역할을 할 수 있다. 도시하지 않았으나, 스테이지(STG)에는 모 패널(M_P)을 흡착하기 위해 모 패널(M_P)에 흡착력을 제공하는 복수 개의 홀들이 정의될 수 있다. 홀들의 공기가 외부로 배출되어 홀들이 진공 상태로 변하면서, 소정의 흡착력이 스테이지(STG)에 제공될 수 있다.
단위 패널들(U_P)은 제2 방향(DR2)으로 장변들을 갖고 제1 방향(DR1)으로 단변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있으나, 단위 패널들(U_P)의 형상은 이에 한정되지 않는다. 단위 패널들(U_P)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 예시적으로 3개의 행들 및 4개의 열들로 배열된 12개의 단위 패널들(U_P)이 도시되었으나, 단위 패널들(U_P)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
레이저 유닛(LU) 및 석션 장치(SUT)는 스테이지(STG) 상에 배치될 수 있다. 레이저 유닛(LU)은 레이저(LA)를 생성하여 모 패널(M_P)을 향해 조사할 수 있다. 레이저(LA)에 의해 단위 패널들(U_P)의 테두리들이 절단되어 단위 패널들(U_P)이 모 패널(M_P)로부터 분리될 수 있다. 이러한 동작은 이하 상세히 설명될 것이다.
석션 장치(SUT)는 레이저 유닛(LU)에 인접하게 배치될 수 있다. 석션 장치(SUT)는 레이저 유닛(LU) 보다 아래에 배치되어 모 패널(M_P)에 인접할 수 있다. 석션 장치(SUT)는 모 패널(M_P)이 절단될 때 발생하는 오염 입자들을 흡입하여 제거할 수 있다. 이러한 구성은 이하 상세히 설명될 것이다.
석션 장치(SUT)는 파이프와 같은 배기관 구조를 가질 수 있다. 이하, 석션 장치(SUT)의 배기관 구조의 내부 통로는 배기 통로로 정의된다. 석션 장치(SUT)는 원통형 형상을 갖고 연장할 수 있다. 따라서, 석션 장치(SUT)의 단면은 원형 형상을 가질 수 있다. 석션 장치(SUT)는 제1 석션부(SUT1), 제2 석션부(SUT2), 연결부(CNP), 및 수직부(VP)를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)은 레이저 유닛(LU)에 인접하고, 레이저 유닛(LU)보다 아래에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)은 스테이지(STG) 및 레이저 유닛(LU) 사이에 배치될 수 있다. 레이저(LA)는 제1 석션부(SUT1) 및 제2 석션부(SUT2) 사이를 지나 모 패널(M_P)에 제공될 수 있다.
제1 석션부(SUT1)에는 제1 방향(DR1)을 향해 개구된 제1 개구부(OP1)가 정의될 수 있다. 제1 석션부(SUT1)의 일측에 제1 개구부(OP1)가 정의될 수 있다. 제1 개구부(OP1)는 제1 석션부(SUT1) 내의 배기 통로로 연장 수 있다.
제2 석션부(SUT2)에는 제1 방향(DR1)과 반대 방향을 향해 개구된 제2 개구부(OP2)가 정의될 수 있다. 제2 석션부(SUT2)의 일측에 제2 개구부(OP2)가 정의될 수 있다. 제2 개구부(OP2)는 제2 방향(DR2)으로 제1 개구부(OP1)와 이격될 수 있다. 제2 개구부(OP2)는 제2 석션부(SUT2) 내의 배기 통로로 연장 수 있다.
연결부(CNP)는 제1 석션부(SUT1) 및 제2 석션부(SUT2)로부터 연장할 수 있다. 연결부(CNP)는 스테이지(STG)의 평면에 평행하게 연장할 수 있다. 평면 상에서 봤을 때, 연결부(CNP)는 사각형의 테두리 형상을 가질 수 있으나, 이는 예시적으로 도시한 것으로서 연결부(CNP)는 다양한 형상을 가질 수 있다.
연결부(CNP)는 수직부(VP)를 향해 연장할 수 있다. 수직부(VP)는 연결부(CNP)의 소정의 부분에서부터 상부로 연장할 수 있다. 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 배기 통로들은 연결부(CNP) 및 수직부(VP)의 배기 통로들로 연장할 수 있다. 도시하지 않았으나, 수직부(VP)는 오염 입자들을 수집하기 위한 외부의 집진기(dust collector)에 연결될 수 있다.
제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2), 연결부(CNP), 및 수직부(VP)는 일체로 형성될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 개구부들(OP1,OP2), 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 배기 통로들, 및 연결부(CNP) 및 수직부(VP)의 배기 통로들은 일체의 통로로 형성될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 단위 패널의 평면 구성을 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 단위 패널(U_P)은 표시 패널(DP), 주사 구동부(SDV)(scan driver), 데이터 구동부(DDV)(data driver), 및 발광 구동부(EDV)(emission driver)를 포함할 수 있다. 실질적으로, 데이터 구동부(DDV)는 구동 칩으로 제조되어 단위 패널(U_P)의 패드부(미 도시됨)에 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 발광형 표시 패널일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 표시 패널(DP)은 유기발광 표시패널 또는 퀀텀닷 발광 표시패널일 수 있다. 유기발광 표시패널의 발광층은 유기발광물질을 포함할 수 있다. 퀀텀닷 발광 표시패널의 발광층은 퀀텀닷, 및 퀀텀로드 등을 포함할 수 있다. 이하, 표시 패널(DP)은 유기발광 표시패널로 설명된다.
표시 패널(DP)은 제1 방향(DR1)으로 단변들을 갖고, 제2 방향(DR2)으로 장변들을 갖는 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 표시 패널(DP)은 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 복수 개의 화소들(PX), 복수 개의 주사 라인들(SL1~SLm), 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLn), 및 복수 개의 발광 라인들(EL1~ELm)을 포함할 수 있다. m 및 n은 자연수이다. 화소들(PX)은 표시 영역(DA)에 배치되고, 주사 라인들(SL1~SLm), 데이터 라인들(DL1~DLn), 및 발광 라인들(EL1~ELm)에 연결될 수 있다.
주사 구동부(SDV), 데이터 구동부(DDV), 및 발광 구동부(EDV)는 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 주사 구동부(SDV) 및 발광 구동부(EDV)는 표시 패널(DP)의 장변들에 각각 인접하게 배치될 수 있다. 데이터 구동부(DDV)는 표시 패널(DP)의 단변들 중 어느 한 단변에 인접하게 배치될 수 있다.
주사 라인들(SL1~SLm)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 주사 구동부(SDV)에 연결되고, 데이터 라인들(DL1~DLn)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 데이터 구동부(DDV)에 연결될 수 있다. 발광 라인들(EL1~ELm)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 발광 구동부(EDV)에 연결될 수 있다.
주사 구동부(SDV)는 복수 개의 주사 신호들을 생성하고, 주사 신호들은 주사 라인들(SL1~SLm)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다. 주사 신호들은 순차적으로 화소들(PX)에 인가될 수 있다. 데이터 구동부(DDV)는 복수 개의 데이터 전압들을 생성하고, 데이터 전압들은 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다. 발광 구동부(EDV)는 복수 개의 발광 신호들을 생성하고, 발광 신호들은 발광 라인들(EL1~ELm)을 통해 화소들(PX)에 인가될 수 있다.
화소들(PX)은 주사 신호들에 응답하여 데이터 전압들을 제공받을 수 있다. 화소들(PX)은 발광 신호들에 응답하여 데이터 전압들에 대응하는 휘도의 광을 발광함으로써 영상을 표시할 수 있다. 화소들(PX)의 발광 시간은 발광 신호들에 의해 제어될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 어느 한 화소의 등가 회로를 예시적으로 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 화소(PX)는 유기 발광 소자(OLED) 및 화소 회로(CC)를 포함할 수 있다. 화소 회로(CC)는 복수 개의 트랜지스터들(T1~T7) 및 커패시터(CP)를 포함할 수 있다. 화소 회로(CC)는 데이터 전압에 기초하여 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 화소 회로(CC)로부터 제공되는 전류량에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. 이를 위하여, 제1 전압(ELVDD)의 레벨은 제2 전압(ELVSS)의 레벨보다 높게 설정될 수 있다.
트랜지스터들(T1~T7)은 각각 입력 전극(또는, 소스 전극), 출력 전극(또는, 드레인 전극) 및 제어 전극(또는, 게이트 전극)을 포함할 수 있다. 본 명세서 내에서 편의상 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나는 제1 전극으로 지칭되고, 다른 하나는 제2 전극으로 지칭될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 전압(ELVDD)에 접속되고, 제2 전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극에 접속될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 본 명세서 내에서 구동 트랜지스터로 지칭될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제1 트랜지스터(T1)의 제어 전극에 인가되는 전압에 따라 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 데이터 라인(DL)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 접속되고, 제2 트랜지스터(T2)의 제어전극은 i번째 주사 라인(SLi)에 접속될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 i번째 주사 라인(SLi)으로 i번째 주사 신호(Si)가 제공될 때 턴-온되어 데이터 라인(DL)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킬 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제어 전극 사이에 접속될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 제어 전극은 i번째 주사 라인(SLi)에 접속될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 i번째 주사 라인(SLi)으로 i번째 주사 신호(Si)가 제공될 때 턴-온되어 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제어 전극을 전기적으로 접속시킬 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온될 때 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드 형태로 접속될 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 노드(ND)와 초기화 전원 생성부(미도시) 사이에 접속될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 제어 전극은 i-1번째 주사 라인(SLi-1)에 접속될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 i-1번째 주사 라인(SLi-1)으로 i-1번째 주사 신호(Si-1)가 제공될 때 턴-온되어 노드(ND)로 초기화 전압(Vint)을 제공할 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 전원 라인(PL)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 접속될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 제어 전극은 i번째 발광 라인(ELi)에 접속될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 유기 발광 소자(OLED)의 애노드전극 사이에 접속될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)의 제어 전극은 i번째 발광 라인(ELi)에 접속될 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 초기화 전원생성부(미도시)와 유기 발광 소자(OLED)의 애노드전극 사이에 접속될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 제어 전극은 i+1번째 주사 라인(SLi+1)에 접속될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 i+1번째 주사 라인(SLi+1)으로 i+1번째 주사 신호(Si+1)가 제공될 때 턴-온되어 초기화 전압(Vint)을 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극으로 제공할 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)가 턴-온되면 유기 발광 소자(OLED)의 기생 커패시터(미도시)가 방전될 수 있다. 이러한 경우, 블랙 휘도 구현시 제1 트랜지스터(T1)로부터의 누설 전류에 의하여 유기 발광 소자(OLED)가 발광하지 않게 되고, 이에 따라 블랙 표현 능력이 향상될 수 있다.
도 3에서는 트랜지터들(T1~T7)은 PMOS로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 트랜지스터들(T1~T7)은 NMOS로 구성될 수도 있다.
커패시터(CP)는 전원 라인(PL)과 노드(ND) 사이에 배치될 수 있다. 커패시터(CP)는 데이터 전압을 저장할 수 있다. 커패시터(CP)에 저장된 전압에 따라 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온 될 때 제1 트랜지스터(T1)에 흐르는 전류량이 결정될 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 발광 소자에 대응하는 부분의 단면을 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 화소(PX)는 유기 발광 소자(OLED) 및 유기 발광 소자(OLED)에 연결된 트랜지스터(TR)를 포함할 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 제1 전극(E1), 제2 전극(E2), 및 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 배치된 유기 발광층(OEL)을 포함할 수 있다. 트랜지스터(TR)는 도 3에 도시된 제6 트랜지스터(T6)일 수 있다. 제1 전극(E1)은 애노드일 수 있으며, 제2 전극(E2)은 캐소드일 수 있다.
화소(PX)는 화소 영역(PA) 및 화소 영역(PA) 주변의 비화소 영역(NPA)으로 구분될 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 화소 영역(PA)에 배치되고, 트랜지스터(TR)는 비화소 영역(NPA)에 배치될 수 있다.
트랜지스터(TR) 및 유기 발광 소자(OLED)는 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 기판(SUB) 상에 버퍼층(BFL)이 배치되며, 버퍼층(BFL)은 무기 물질을 포함할 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에 트랜지스터(TR)의 반도체층(SM)이 배치될 수 있다. 반도체층(SM)은 비정질(Amorphous) 실리콘 또는 결정질(Poly) 실리콘과 같은 무기 재료의 반도체나 유기 반도체를 포함할 수 있다. 또한, 반도체층(SM)은 산화물 반도체(oxide semiconductor)를 포함할 수 있다. 도 4에 도시되지 않았으나, 반도체층(SM)은 소스 영역, 드레인 영역, 및 소스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역을 포함할 수 있다.
반도체층(SM)을 덮도록 버퍼층(BFL) 상에 제1 절연층(INS1)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(INS1)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 제1 절연층(INS1) 상에 반도체층(SM)과 중첩하는 트랜지스터(TR)의 게이트 전극(GE)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 반도체층(SM)의 채널 영역과 중첩되도록 배치될 수 있다.
게이트 전극(GE)을 덮도록 제1 절연층(INS1) 상에 제2 절연층(INS2)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(INS2)은 층간 절연층으로 정의될 수 있다. 제2 절연층(INS2)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
제2 절연층(INS2) 상에서 트랜지스터(TR)의 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 서로 이격되어 배치될 수 있다. 소스 전극(SE)은 제1 절연층(INS1) 및 제2 절연층(INS2)을 관통하여 정의된 제1 컨택홀(CH1)을 통해 반도체층(SM)의 소스 영역에 연결될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 제1 절연층(INS1) 및 제2 절연층(INS2)을 관통하여 정의된 제2 컨택홀(CH2)을 통해 반도체층(SM)의 드레인 영역에 연결될 수 있다.
트랜지스터(TR)의 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 덮도록 제2 절연층(INS2) 상에 제3 절연층(INS3)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(INS3)은 평평한 상면을 제공하는 평탄화막으로 정의될 수 있으며, 유기 물질을 포함할 수 있다.
제3 절연층(INS3) 상에 제1 전극(E1)이 배치될 수 있다. 제1 전극(E1)은 제3 절연층(INS3)을 관통하여 정의된 제3 컨택홀(CH3)을 통해 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(DE)에 연결될 수 있다. 제1 전극(E1)은 화소 전극으로 정의될 수 있다.
제1 전극(E1) 및 제3 절연층(INS3) 상에 제1 전극(E1)의 소정의 부분을 노출시키는 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 제1 전극(E1)의 소정의 부분을 노출시키기 위한 개구부(PX_OP)가 정의될 수 있다.
개구부(PX_OP) 내에서 제1 전극(E1) 상에 유기 발광층(OEL)이 배치될 수 있다. 유기 발광층(OEL)은 적색, 녹색, 및 청색 중 어느 하나의 광을 생성할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 유기 발광층(OEL)은 적색, 녹색, 및 청색을 생성하는 유기 물질들의 조합에 의해 백색광을 생성할 수도 있다.
화소 정의막(PDL) 및 유기 발광층(OEL) 상에 제2 전극(E2)이 배치될 수 있다. 제2 전극(E2)은 공통 전극으로 정의될 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 화소(PX)를 덮도록 유기 발광 소자(OLED) 상에 배치될 수 있다.
제1 전압(ELVDD)이 제1 전극(E1)에 인가되고, 제2 전압(ELVSS)이 제2 전극(E2)에 인가될 수 있다. 유기 발광층(OEL)에 주입된 정공과 전자가 결합하여 여기자(exciton)가 형성되고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서 유기 발광 소자(OLED)가 발광될 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 전류의 흐름에 따라 적색, 녹색, 및 청색의 빛을 발광함으로써, 영상이 표시될 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 제1 및 제2 석션부들 위에서 제1 및 제2 석션부들을 바라본 도면이다. 도 6은 도 1에 도시된 제1 및 제2 석션부들 아래에서 제1 및 제2 석션부들을 바라본 도면이다. 도 7은 도 6에 도시된 I-I' 선의 단면도이다. 도 8은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 단면도이다.
도 5에 도시된 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)은 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 상부들이고, 도 6에 도시된 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)은 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 하부들이다. 설명의 편의를 위해, 도 5 및 도 6에서 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)은 확대되어 도시되었으며, 레이저 유닛(LU)은 점선으로 도시되었다. 또한, 도 5 및 도 6에서 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)은 점선으로 도시되었다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)은 원통형 형상을 갖고 연장할 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 석션부(SUT1)에는 제1 방향(DR1)을 향해 개구된 제1 개구부(OP1)가 정의되고, 제2 석션부(SUT2)에는 제1 방향(DR1)과 반대 방향을 향해 개구된 제2 개구부(OP2)가 정의될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 하부들에는 제1 방향(DR1)으로 연장하는 석션홀들(SH1,SH2)이 각각 정의될 수 있다.
석션홀들(SH1,SH2)은 제1 석션부(SUT1)에 정의된 제1 석션홀(SH1) 및 제2 석션부(SUT2)에 정의된 제2 석션홀(SH2)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)은 제1 방향(DR1)으로 연장하는 슬릿 형상을 가질 수 있다.
평면 상에서 봤을 때, 레이저 유닛(LU)은 제1 석션부(SUT1) 및 제2 석션부(SUT2) 사이에 배치될 수 있다. 레이저(LA)는 제1 석션부(SUT1) 및 제2 석션부(SUT2) 사이를 지날 수 있다. 레이저(LA) 및 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)은 제1 방향(DR1)에 평행한 동일 선(LI) 상에 배치될 수 있다.
제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)에는 배기 통로들(EHP1,EHP2)이 각각 정의될 수 있다. 배기 통로들(EHP1,EHP2)은 제1 석션부(SUT1)에 정의되고 제1 개구부(OP1)로부터 연장하는 제1 배기 통로(EHP1) 및 제2 석션부(SUT2)에 정의되고 제2 개구부(OP2)로부터 연장하는 제2 배기 통로(EHP2)를 포함할 수 있다.
도 7을 참조하면, 제1 방향(DR1)에서 바라본 제1 석션부(SUT1)의 단면은 원형 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 석션부(SUT1)에 제1 배기 통로(EHP1)가 정의되므로, 제1 석션부(SUT1)의 단면은 원형의 링 형상을 가질 수 있다. 단면을 도시하지 않았으나, 제1 방향(DR1)에서 바라본 제2 석션부(SUT2)의 단면도 제1 석션부(SUT1)과 동일하게 원형의 링 형상을 가질 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 방향(DR1)에서 바라본 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 단면들을 기준으로 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2) 각각의 크기는 제1 및 제2 개구부들(OP1,OP2) 각각과 같을 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2) 각각의 지름(DI)은 제1 및 제2 개구부들(OP1,OP2) 각각의 지름(DI)과 같을 수 있다. 그러나, 이는 예시적으로 설명한 것으로서, 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2) 각각의 크기는 제1 및 제2 개구부들(OP1,OP2) 각각과 다를 수 있다.
도 8을 참조하면, 제1 방향(DR1)에서 바라본 제1 석션부(SUT1)의 단면을 기준으로 제1 배기 통로(EHP1)의 크기는 제1 석션홀(SH1)의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 방향(DR2)을 기준으로 제1 배기 통로(EHP1)의 지름(DI)은 제1 석션홀(SH1)의 길이(LT)보다 클 수 있다.
도시하지 않았으나, 제1 방향(DR1)에서 바라본 제2 석션부(SUT2)의 단면을 기준으로 제2 배기 통로(EHP2)의 크기는 제2 석션홀(SH2)의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 방향(DR2)을 기준으로 제2 배기 통로(EHP2)의 지름(DI)은 제2 석션홀(SH2)의 길이(LT)보다 클 수 있다. 또한, 제1 및 제2 개구부들(OP1,OP2) 각각의 지름(DI) 역시 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2) 각각의 길이(LT)보다 클 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 석션부(SUT1)는 제1 연장부(EX1) 및 제2 연장부(EX2)를 포함할 수 있다. 제1 연장부(EX1)는 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)에 의해 정의된 평면 상에서 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)과 교차하는 제1 대각 방향(DDR1)으로 연장할 수 있다. 제1 연장부(EX1)의 일측에 제1 개구부(OP1)가 정의될 수 있다.
제2 연장부(EX2)는 제1 연장부(EX1)의 일측의 반대측인 제1 연장부(EX1)의 타측으로부터 연장할 수 있다. 제1 연장부(EX1)의 일측 및 타측은 제1 대각 방향(DDR1)으로 서로 반대하는 제1 연장부(EX1)의 양측들일 수 있다. 제2 연장부(EX2)는 제1 방향(DR1)으로 연장할 수 있다.
제2 석션부(SUT2)는 제3 연장부(EX3) 및 제4 연장부(EX4)를 포함할 수 있다. 제3 연장부(EX3)는 제1 대각 방향(DDR1)으로 연장할 수 있다. 제3 연장부(EX3)의 일측에 제2 개구부(OP2)가 정의될 수 있다. 제3 연장부(EX3)는 제1 대각 방향(DDR1)과 교차하는 제2 대각 방향(DDR2)으로 제1 연장부(EX1)와 마주볼 수 있다.
제4 연장부(EX4)는 제3 연장부(EX3)의 일측의 반대측인 제3 연장부(EX3)의 타측으로부터 연장할 수 있다. 제3 연장부(EX3)의 일측 및 타측은 제1 대각 방향(DDR1)으로 서로 반대하는 제3 연장부(EX3)의 양측들일 수 있다. 제4 연장부(EX4)는 제1 방향(DR1)으로 연장할 수 있다.
제1 개구부(OP1)는 제3 연장부(EX3)의 타측에 인접하고, 제2 개구부(OP2)는 제1 연장부(EX1)의 타측에 인접할 수 있다. 레이저 유닛(LU)은 제1 연장부(EX1)와 제3 연장부(EX3) 사이 및 제2 연장부(EX2)와 제4 연장부(EX4) 사이에 배치되 수 있다. 따라서, 레이저(LA)는 제1 연장부(EX1)와 제3 연장부(EX3) 사이 및 제2 연장부(EX2)와 제4 연장부(EX4) 사이를 지날 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제1 석션홀(SH1)은 제3 연장부(EX3)와 마주보는 제1 연장부(EX1)의 측면의 일부에 정의될 수 있다. 또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 석션홀(SH1)은 제1 연장부(EX1)의 하부의 소정의 부분에서부터 제2 연장부(EX2)의 하부의 소정의 부분까지 연장하여 정의될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 제1 석션홀(SH1)은 제3 연장부(EX3)와 마주보는 제1 연장부(EX1)의 측면의 일부에 정의되지 않을 수도 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제2 석션홀(SH2)은 제1 연장부(EX1)와 마주보는 제3 연장부(EX3)의 측면의 일부에 정의될 수 있다. 또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 석션홀(SH2)은 제3 연장부(EX3)의 하부의 소정의 부분에서부터 제4 연장부(EX4)의 하부의 소정의 부분까지 연장하여 정의될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 제2 석션홀(SH2)은 제1 연장부(EX1)와 마주보는 제3 연장부(EX3)의 측면의 일부에 정의되지 않을 수도 있다.
도 9 및 도 10은 도 1에 도시된 패널 가공 장치를 이용하여 모 패널을 절단하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9를 참조하면, 스테이지(STG) 상에 모 패널(M_P)이 배치되고, 레이저 유닛(LU)에서 생성된 레이저(LA)가 모 패널(M_P)에 조사될 수 있다. 실질적으로, 레이저 유닛(LU) 및 석션 장치(SUT)는 이동하지 않고, 스테이지(STG)가 이동할 수 있다.
평면 상에서, 단위 패널들(U_P)의 상측 테두리들 및 하측 테두리들에 레이저(LA)가 조사될 수 있다. 단위 패널들(U_P)의 상측 테두리들 및 하측 테두리들에 레이저(LA)가 조사되기 위해 스테이지(STG)는 제1 방향(DR1)으로 이동할 수 있다. 그 결과, 단위 패널들(U_P)의 상측 테두리들 및 하측 테두리들이 절단될 수 있다. 예시적으로 모 패널(M_P)에서 절단된 부분은 실선으로 도시하였다.
도 10을 참조하면, 평면 상에서 단위 패널들(U_P)의 좌측 테두리들 및 우측 테두리들에 레이저(LA)가 조사될 수 있다. 단위 패널들(U_P)의 좌측 테두리들 및 우측 테두리들에 레이저(LA)가 조사되기 위해 스테이지(STG)는 제2 방향(DR2)으로 이동할 수 있다. 그 결과, 단위 패널들(U_P)의 좌측 테두리들 및 우측 테두리들이 절단될 수 있다.
단위 패널들(U_P) 각각의 테두리가 절단되고, 단위 패널들(U_P)이 모 패널(M_P)로부터 분리될 수 있다.
도 11은 도 1에 도시된 석션 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
설명의 편의를 위해, 도 11에서 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)은 점선으로 도시되었다.
도 11을 참조하면, 레이저(LA)가 모 패널(M_P)에 조사되어 모 패널(M_P)이 절단될 때, 절단 부분에서 오염 입자들(PT)이 발생할 수 있다. 고온의 레이저(LA)에 의해 모 패널(M_P)의 절단 부분이 탄화되어 오염 입자들(PT)이 발생할 수 있다.
석션 장치(SUT)에서 흡입력이 발생하고, 오염 입자들(PT)은 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)을 통해 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)로 흡입될 수 있다. 흡입된 오염 입자들(PT)은 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 구체적으로, 흡입된 오염 입자들(PT)은 연결부(CNP) 및 수직부(VP)의 배기 통로들을 통해 외부의 집진기로 배출되어 제거될 수 있다.
오염 입자들(PT)이 단위 패널들(U_P)에 흡착될 경우, 불량 단위 패널들이 제조될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시 예에서 석션 장치(SUT)에 의해 오염 입자들(PT)이 흡입되어 제거되므로, 오염 입자들(PT)이 단위 패널들(U_P)에 흡착되지 않을 수 있다.
도 12 및 도 13은 제1 및 제2 석션부들의 유량을 설명하기 위한 도면들이다.
도 12는 도 5에 도시된 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)에 대응하는 도면이며, 도 13은 도 6에 도시된 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)에 대응하는 도면이다. 도 12 및 도 13에서 화살표들의 방향들은 기류의 방향을 나타내며, 화살표들의 크기들 각각은 유량의 크기에 대응될 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 석션 장치(SUT)에서 흡입력이 발생할 때, 흡입력에 의해 제1 석션부(SUT1)의 외부로부터 제1 개구부(OP1)를 향해 기류가 형성되고, 제1 개구부(OP1)로부터 제1 배기 통로(EHP1)를 향해 기류가 형성될 수 있다. 또한, 제2 석션부(SUT2)의 외부로부터 제2 개구부(OP2)를 향해 기류가 형성되고, 제2 개구부(OP2)로부터 제2 배기 통로(EHP2)를 향해 기류가 형성될 수 있다.
제1 석션부(SUT1)의 외부는 제1 개구부(OP1)에 인접한 외부의 공간일 수 있다. 제2 석션부(SUT2)의 외부는 제2 개구부(OP2)에 인접한 외부의 공간일 수 있다.
제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2) 아래에서부터 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2) 및 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)을 향해 기류가 형성될 수 있다.
제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2) 각각에 형성된 유량은 제1 유량(F1)으로 정의되고, 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2) 각각에 형성된 유량은 제2 유량(F2)으로 정의될 수 있다. 제1 유량(F1)은 제1 및 제2 개구부들(OP1,OP2)로부터 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)을 향해 흐르는 공기에 의해 정의될 수 있다. 제2 유량(F2)은 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)에서 흐르는 공기에 의해 정의될 수 있다.
유량은 공간의 크기에 비례할 수 있다. 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)의 크기가 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)보다 크므로, 제1 유량(F1)이 제2 유량(F2)보다 클 수 있다.
제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)을 통해 흡입된 오염 입자들(PT)은 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)을 통해 이동할 수 있다. 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)의 유량이 작을수록 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)의 오염 입자들은 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)을 통해 흐르지 않고, 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)이 정의된 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 내면들에 흡착될 수 있다. 이러한 경우, 오염 입자들(PT)이 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 내면들에 쌓일 수 있다.
유량은 유속에 비례할 수 있고, 흡입력이 강할수록 유속이 커질 수 있다. 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2) 각각의 제1 유량(F1)을 보다 크게 형성하기 위해, 보다 강한 흡입력이 석션 장치(SUT)에 제공될 수 있다. 따라서, 제1 유량(F1)에 의해 오염 입자들(PT)이 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 내면들에 쌓이지 않고, 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)을 통해 흐를 수 있다.
제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 일측들에 제1 및 제2 개구부들(OP1,OP2)이 정의되지 않고, 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 일측들이 폐쇄될 수 있다. 또한, 오염 입자들(PT)이 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 내면들에 쌓이지 않고, 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)을 통해 흐르도록 하기 위해, 석션 장치(SUT)에 보다 강한 흡입력이 제공될 수 있다. 그러나, 이러한 경우, 석션 장치(SUT)에 제공된 흡입력은 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)에 모두 전달될 수 있다.
따라서, 제1 및 제2 개구부들(OP1,OP2)이 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)에 정의될때 보다, 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)에 보다 강한 흡입력이 발생할 수 있다. 이러한 경우, 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2) 아래에 배치된 모 패널(M_P)의 부분이 강한 흡입력에 의해 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)을 향해 들떠올라 휘어질 수 있다. 모 패널(M_P)에 휘어지는 부분이 발생하고, 휘어진 부분이 배치된 단위 패널(U_P)은 불량 단위 패널로 판별될 수 있다.
그러나, 본 발명의 실시 예에서, 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 일측들에 제1 및 제2 개구부들(OP1,OP2)이 정의되므로, 석션 장치(SUT)에 제공된 흡입력은 제1 및 제2 개구부들(OP1,OP2)과 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)로 분산될 수 있다. 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)에는 제2 유량(F2)에 따라 보다 작은 압력이 발생하고, 이러한 압력은 모 패널(M_P)이 들떠오르지 않을 정도의 압력으로 설정될 수 있다.
따라서, 제1 및 제2 석션부들(SUT1,SUT2)의 내면들에 오염 입자들(PT)이 쌓이지 않도록 보다 강한 흡입력이 석션 장치(SUT)에 제공되더라도, 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)에는 보다 작은 제2 유량(F2)이 형성되어 모 패널(M_P)이 들떠오르지 않을 수 있다.
결과적으로, 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)을 통해 오염 입자들(PT)이 흡입될 때, 오염 입자들(PT)이 보다 큰 제1 유량(F1)에 따라 제1 및 제2 배기 통로들(EHP1,EHP2)을 통해 효율적으로 제거되고, 제1 및 제2 석션홀들(SH1,SH2)에 보다 작은 제2 유량(F2)이 형성되므로, 모 패널(M_P)의 들림 현상이 방지될 수 있다.
이상 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
PPA: 패널 가공 장치 STG: 스테이지
LU: 레이저 유닛 M_P: 모 패널
U_P: 단위 패널 SUT: 석션 장치
SUT1,SUT2: 제1 및 제2 석션부 CNP: 연결부
VP: 수직부 OP1,OP2: 제1 및 제2 개구부
SH1,SH2: 제1 및 제2 석션홀 EHP1, EHP2: 제1 및 제2 배기 통로
EX1,EX2: 제1 및 제2 연장부 EX3,EX4: 제3 및 제4 연장부

Claims (20)

  1. 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 의해 정의된 평면을 갖는 모 패널이 배치된 스테이지;
    상기 스테이지 상에 배치된 레이저 유닛; 및
    상기 스테이지 상에 배치되어 상기 레이저 유닛에 인접한 석션 장치를 포함하고,
    상기 석션 장치는,
    상기 제1 방향을 향해 개구된 제1 개구부가 정의된 제1 석션부; 및
    상기 제1 방향과 반대 방향을 향해 개구되고 상기 제1 개구부와 상기 제2 방향으로 이격된 제2 개구부가 정의된 제2 석션부를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 석션부들 각각의 하부에는 상기 제1 방향으로 연장하는 석션홀이 정의된 패널 가공 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 석션부들은 상기 레이저 유닛보다 아래에 배치되고, 평면상에서 봤을 때, 상기 레이저 유닛은 상기 제1 석션부 및 상기 제2 석션부 사이에 배치되는 패널 가공 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 유닛에서 생성된 레이저는 상기 제1 석션부 및 상기 제2 석션부 사이를 지나 상기 모 패널에 조사되는 패널 가공 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 레이저 및 상기 석션홀은 상기 제1 방향에 평행한 동일 선상에 배치되는 패널 가공 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 모 패널은 복수 개의 단위 패널들을 포함하고,
    상기 레이저는 상기 단위 패널들 각각의 테두리에 조사되는 패널 가공 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 모 패널에서 발생하는 오염 입자들은 상기 석션홀를 통해 상기 제1 및 제2 석션부들로 흡입되는 패널 가공 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 석션부들 각각에는 상기 제1 및 제2 개구부들 각각으로부터 연장된 배기 통로가 정의되고, 상기 제1 및 제2 석션부들에 흡입력이 발생할 때, 상기 배기 통로에 형성된 제1 유량은 상기 석션홀에 형성된 제2 유량보다 큰 패널 가공 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 석션부들은 원통형 형상을 갖고 연장하며, 상기 배기 통로의 지름은 상기 제1 및 제2 개구부들 각각의 지름과 같은 패널 가공 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 방향을 기준으로 상기 배기 통로의 상기 지름은 상기 석션홀의 길이보다 큰 패널 가공 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 석션부는,
    상기 제1 석션부 및 상기 제2 석션부로부터 연장하는 연결부; 및
    상기 연결부의 소정의 부분에서부터 상부로 연장하는 수직부를 더 포함하는 패널 가공 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 석션홀은 상기 제1 방향으로 연장하는 슬릿 형상을 갖는 패널 가공 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 석션부는,
    상기 제1 및 제2 방향들에 교차하는 제1 대각 방향으로 연장하고 일측에 상기 제1 개구부가 정의된 제1 연장부; 및
    상기 제1 연장부의 상기 일측의 반대측인 상기 제1 연장부의 타측으로부터 연장하는 제2 연장부를 포함하고,
    상기 제2 연장부는 상기 제1 방향으로 연장하는 패널 가공 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 석션부는,
    상기 제1 대각 방향으로 연장하고, 일측에 상기 제2 개구부가 정의되며, 상기 제1 대각 방향과 교차하는 제2 대각 방향으로 상기 제1 연장부와 마주보는 제3 연장부; 및
    상기 제3 연장부의 상기 일측의 반대측인 상기 제3 연장부의 타측으로부터 연장하는 제4 연장부를 포함하고,
    상기 제4 연장부는 상기 제1 방향으로 연장하고, 상기 제1 개구부는 상기 제3 연장부의 상기 타측에 인접하고, 상기 제2 개구부는 상기 제1 연장부의 상기 타측에 인접한 패널 가공 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 석션홀은 상기 제1 연장부의 하부의 소정의 부분에서부터 상기 제2 연장부의 하부의 소정의 부분까지 정의되고, 상기 제3 연장부의 하부의 소정의 부분에서부터 상기 제4 연장부의 하부의 소정의 부분까지 정의되는 패널 가공 장치.
  15. 제1 방향을 향해 개구된 제1 개구부가 정의된 제1 석션부;
    상기 제1 방향과 반대 방향을 향해 개구되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 제1 개구부와 이격된 제2 개구부가 정의된 제2 석션부;
    상기 제1 석션부 및 상기 제2 석션부로부터 연장하는 연결부; 및
    상기 연결부의 소정의 부분에서부터 상부로 연장하는 수직부을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 석션부들 각각의 하부에는 상기 제1 방향으로 연장하는 석션홀이 정의된 석션 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 석션부들 각각에는 상기 제1 및 제2 개구부들 각각으로부터 연장된 배기 통로가 정의되고, 상기 석션부에서 흡입력이 발생할 때, 상기 배기 통로에 형성된 제1 유량은 상기 석션홀에 형성된 제2 유량보다 큰 석션 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 석션부들은 원통형 형상을 갖고, 상기 배기 통로 및 상기 제1 및 제2 개구부들 각각의 지름은 상기 제2 방향을 기준으로 상기 석션홀의 길이보다 큰 석션 장치.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 제1 석션부는,
    상기 제1 및 제2 방향들에 교차하는 제1 대각 방향으로 연장하고 일측에 상기 제1 개구부가 정의된 제1 연장부; 및
    상기 제1 연장부의 상기 일측의 반대측인 상기 제1 연장부의 타측으로부터 연장하는 제2 연장부를 포함하고,
    상기 제2 연장부는 상기 제1 방향으로 연장하는 석션 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제2 석션부는,
    상기 제1 대각 방향으로 연장하고, 일측에 상기 제2 개구부가 정의되며, 상기 제1 대각 방향과 교차하는 제2 대각 방향으로 상기 제1 연장부와 마주보는 제3 연장부; 및
    상기 제3 연장부의 상기 일측의 반대측인 상기 제3 연장부의 타측으로부터 연장하는 제4 연장부를 포함하고,
    상기 제4 연장부는 상기 제1 방향으로 연장하고, 상기 제1 개구부는 상기 제3 연장부의 상기 타측에 인접하고, 상기 제2 개구부는 상기 제1 연장부의 상기 타측에 인접한 석션 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 석션홀은, 상기 제1 연장부의 하부의 소정의 부분에서부터 상기 제2 연장부의 하부의 소정의 부분까지 정의되고, 상기 제3 연장부의 하부의 소정의 부분에서부터 상기 제4 연장부의 하부의 소정의 부분까지 정의되는 석션 장치.
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