CN217426709U - 基板移送装置 - Google Patents

基板移送装置 Download PDF

Info

Publication number
CN217426709U
CN217426709U CN202220779286.8U CN202220779286U CN217426709U CN 217426709 U CN217426709 U CN 217426709U CN 202220779286 U CN202220779286 U CN 202220779286U CN 217426709 U CN217426709 U CN 217426709U
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulating layer
substrate transfer
transfer device
substrate
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202220779286.8U
Other languages
English (en)
Inventor
金钟协
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN217426709U publication Critical patent/CN217426709U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种基板移送装置，其可以包括：下部绝缘层；上部绝缘层，布置在所述下部绝缘层上；多个导电层，布置在所述下部绝缘层与所述上部绝缘层之间；以及多个孔，从所述上部绝缘层的上表面限定到所述下部绝缘层的预定的部分，并且不与所述导电层重叠。

Description

基板移送装置
技术领域
本实用新型涉及基板移送装置及基板移送装置的水分流入防止方法。
背景技术
为了稳定地执行诸如液晶显示器、等离子体显示器或有机发光元件显示器等的平板显示器的制造工艺流程，经常使用通过静电卡盘固定基板或晶片的方法。
静电卡盘利用静电力将基板等固定到下部电极上。静电卡盘包括在一个电极与基板之间生成电位差以吸附基板的单极(unipolar)型和在两个以上的电极之间产生电位差以吸附基板的双极(bipolar)型。
静电卡盘为陶瓷材质，在制作时其内部存在气孔。在静电卡盘暴露在大气状态的情况下，外部空气可通过气孔填充在静电卡盘中。由于外部空气包含水分，因此在向静电卡盘施加电压并夹持基板的情况下，静电卡盘的静电力会由于水分而降低。
实用新型内容
解决的技术问题
本实用新型的目的在于提供当腔室的内部从大气压转换为真空状态时，防止水分流入基板移送装置的内部，从而防止静电力的降低的基板移送装置及基板移送装置的水分流入防止方法。
解决方法
根据本实用新型的实施例的基板移送装置可以包括：下部绝缘层；上部绝缘层，布置在所述下部绝缘层上；多个导电层，布置在所述下部绝缘层与所述上部绝缘层之间；以及多个孔，从所述上部绝缘层的上表面限定到所述下部绝缘层的预定的部分，并且不与所述导电层重叠。
所述孔可以不贯通所述下部绝缘层。
当在平面上观察时，所述孔中的每个的截面的圆周可以被设定为1πmm至30πmm。
所述导电层可以包括：多个第一电极，具有第一极性；以及多个第二电极，具有与所述第一电极的极性相反的第二极性。
所述第一电极和所述第二电极可以彼此平行地交替布置。
所述基板移送装置还可以包括：腔室，所述腔室的内部布置有所述下部绝缘层、所述上部绝缘层和所述导电层。
所述基板移送装置还可以包括：基板，布置在所述上部绝缘层上，其中，当所述腔室的内部保持为真空状态时，所述基板可以通过由所述第一电极和所述第二电极产生的静电力而接触于所述上部绝缘层的所述上表面。
当所述腔室的所述内部保持为大气压状态时，所述基板可以通过所述孔被真空吸附于所述上部绝缘层的所述上表面。
当在平面上观察时，所述孔可以限定在与所述上部绝缘层的所述上表面的边缘相邻的部分。
所述孔可以在所述下部绝缘层中形成为一体的通道。
所述基板移送装置还可以包括：孔门，布置在所述下部绝缘层的一个侧面，并且连接到所述孔中的任意一个孔，其中，所述孔门用于敞开或关闭限定在所述下部绝缘层的内部的所述孔与所述下部绝缘层的外部之间的连接。
有益效果
根据本实用新型的实施例，当将真空状态的腔室的内部转换为大气压状态时，可以防止水分流入基板移送装置内部。如果水分流入被阻断，则可以防止基板移送装置的静电力减小。因此，当再次将腔室的内部转换为真空状态时，也不需要用于去除基板移送装置内部的水分的时间。即，用于去除基板移送装置内部的水分的等待时间减少，使得工艺效率可以提高。
附图说明
SMA：基板移送装置 U-INS：上部绝缘层
L-INS：下部绝缘层 U-INSP：上表面
SUB：基板 HOL：孔
AHL：气孔 EL：导电层
EL1：第一电极 EL2：第二电极
CHB：腔室 PS：电源
附图标记的说明
图1是根据本实用新型的一个实施例的基板移送装置的平面图。
图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
图3是图1所示的基板移送装置的侧视图。
图4a是根据本实用新型的一个实施例的基板移送装置的侧视图。
图4b是根据本实用新型的一个实施例的基板移送装置的侧视图。
图5是根据本实用新型的一个实施例的基板移送装置的水分流入防止方法的流程图。
图6是布置有基板的基板移送装置的侧视图。
图7是电源关闭的基板移送装置的侧视图。
图8是示出通过孔吸附到基板移送装置的基板的视图。
图9是利用本实用新型的基板移送装置制造的显示面板的平面图。
图10是示例性地示出图9所示的任意一个像素的截面的视图。
图11是用于说明在由基板移送装置移送的基板上执行的沉积工艺的视图。
图12是根据本实用新型的一个实施例的基板移送装置的平面图。
图13是沿着图12的线II-II'截取的剖视图。
图14是图12所示的基板移送装置的侧视图。
具体实施方式
在本说明书中，当某个构成要素(或区域、层、部分等)被称为在另一个构成要素上、连接或结合至另一个构成要素时，其意味着该构成要素可以直接布置在另一个构成要素上、直接连接/结合至另一个构成要素，或者在它们之间也可以布置有第三构成要素。
相同的附图标记指代相同的构成要素。另外，在附图中，为了有效地说明技术内容，夸大了构成要素的厚度、比例及尺寸。
“和/或”包括相关的构成要素所能定义的一个或多个组合。
“第一”、“第二”等术语用于描述多种构成要素，但上述构成要素不应受限于上述术语。上述术语仅用于区分一个构成要素与另一个构成要素的目的。例如，在不超出本实用新型的权利范围的情况下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。除非在上下文中另外明确指出，否则单数的表达包括复数的表达。
此外，“在……之下”、“在……下侧”、“在……之上”、“在……上侧”等术语用于描述在附图中所示的构成要素的相关关系。上述术语为相对的概念，且以附图中所示的方向为基准进行描述。
应该理解，诸如“包括”或“具有”等的术语旨在表示说明书中所描述的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或其组合的存在，而不事先排除一个或多个其他的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或其组合的存在或增加的可能性。
除非另有定义，否则本说明书中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本实用新型所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。此外，术语，诸如在常用词典中定义的术语，应该解释为具有与它们在相关技术背景中的含义相一致的含义，且除非在本文中明确地如此定义，否则不应解释为理想化的或过于形式化的含义。
以下，参照附图对本实用新型的实施例进行说明。
图1是根据本实用新型实施例的基板移送装置的平面图。
参照图1，基板移送装置SMA可以包括上部绝缘层U-INS、多个孔HOL和多个导电层EL。
基板移送装置SMA可以包括静电卡盘(Electrostatic chuck)。基板移送装置SMA可以具有四边形形状，四边形形状具有在第一方向DR1上延伸的侧表面以及在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的侧表面。然而，基板移送装置SMA的形状并不限于此。
以下，与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面交叉的方向被定义为第三方向DR3。第三方向DR3可以实质上垂直相交于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。在本说明书中，“当在平面上观看时”可意味着在第三方向DR3上观察的状态。
上部绝缘层U-INS为陶瓷(ceramic)材质，其可以包括氧化铝(Aluminum Oxide)。然而，上部绝缘层U-INS的材质并不限于此。
多个导电层EL可以布置在上部绝缘层U-INS的内部。导电层EL可以具有由在第一方向DR1上延伸的短边和在第二方向DR2上延伸的长边限定的矩形形状。然而，导电层EL的形状并不限于此。
导电层EL可以包括第一电极EL1和第二电极EL2。第一电极EL1和第二电极EL2可以在第一方向DR1上排列成彼此间隔开。第一电极EL1的长边和第二电极EL2的长边可以在第二方向DR2上彼此平行。
第一电极EL1和第二电极EL2可以在第一方向DR1上交替布置。尽管未示出，但是第一电极EL1和第二电极EL2也可以在第二方向DR2上交替布置。除了布置在上部绝缘层U-INS的第一方向DR1上的两个末端的第一电极EL1和第二电极EL2之外，第一电极EL1可以布置在第二电极EL2之间，并且第二电极EL2可以布置在第一电极EL1之间。
多个孔HOL可以限定在上部绝缘层U-INS的上表面U-INSP。孔HOL可以在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此间隔开。孔HOL可以以矩阵形态排列。然而，孔HOL的排列不限于此，并且可以以各种方式布置。
孔HOL可以布置在第一电极EL1与第二电极EL2之间以及第一电极EL1和第二电极EL2的外围。孔HOL可以不与第一电极EL1和第二电极EL2重叠。
当在平面上观察时，孔HOL可以具有圆形的形状。孔HOL中的每个的截面的圆周可以被设定为1πmm至30πmm。
图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
参照图2，基板移送装置SMA还可以包括下部绝缘层L-INS。与上部绝缘层U-INS一样，下部绝缘层L-INS为陶瓷材质，其可以包括氧化铝(Aluminum Oxide)。然而，下部绝缘层L-INS的材质并不限于此。
上部绝缘层U-INS可以布置在下部绝缘层L-INS上。导电层EL可以布置在下部绝缘层L-INS与上部绝缘层U-INS之间。
孔HOL可以从上部绝缘层U-INS的上表面U-INSP限定到下部绝缘层L-INS的预定的部分。孔HOL可以形成至与下部绝缘层L-INS的下表面相邻的部分，但是孔HOL不贯通下部绝缘层L-INS。即，下部绝缘层L-INS的下表面上可以不形成有孔HOL。
导电层EL可以具有极性。第一电极EL1可以具有第一极性。第二电极EL2可以具有与第一极性相反的第二极性。示例性地，第一极性可以具有正极性(+)，且第二极性可以具有负极性(-)，但不限于此，第一极性可以具有负极性(-)，且第二极性可以具有正极性(+)。
基板移送装置SMA可以连接到电源PS。电源PS可以连接到第一电极EL1和第二电极EL2。电源PS可以包括被定义为正极的一个端子和被定义为负极的另一端子。电源PS的一个端子可以连接到第一电极EL1，使得第一电极EL1具有正极性。电源PS的另一端子可以连接到第二电极EL2，使得第二电极EL2具有负极性。
电源PS可以被施加到基板移送装置SMA，从而在基板移送装置SMA中产生静电力。例如，电源PS可以被施加到第一电极EL1和第二电极EL2，从而产生静电力。
图3是图1所示的基板移送装置的侧视图。
参照图3，基板移送装置SMA可以布置在腔室CHB的内部。基板SUB可以布置在基板移送装置SMA上。基板SUB可以布置在基板移送装置SMA的上部绝缘层U-INS上。
腔室CHB的内部可以被调整为真空状态或大气压状态。
当腔室CHB的内部保持为真空状态时，基板移送装置SMA可以产生静电力。由于静电力，基板SUB与基板移送装置SMA之间可以产生引力。即，通过由第一电极EL1和第二电极EL2产生的静电力，基板SUB可以接触上部绝缘层U-INS的上表面U-INSP。
当腔室CHB的内部保持为大气压状态时，基板SUB可以通过孔HOL被真空吸附到上部绝缘层U-INS的上表面U-INSP。将在以下的图8中详细地说明真空吸附到上部绝缘层U-INS的上表面U-INSP的基板SUB。
图4a是根据本实用新型的一个实施例的基板移送装置的侧视图。
参照图4a，基板移送装置SMA的内部可以限定有多个气孔AHL。气孔AHL可以限定在上部绝缘层U-INS的内部和下部绝缘层L-INS的内部。
在用陶瓷材质制作基板移送装置SMA的情况下，气孔AHL可以形成在基板移送装置SMA的内部。
可以周期性地、或者在腔室CHB的内部的装置发生问题的情况下，为了检查发生问题的部分，腔室CHB的内部可以转换为大气压状态。在大气压状态下，可以检查腔室CHB的内部的基板SUB、基板移送装置SMA和其它工艺设备。
在腔室CHB的内部转换为大气压状态的情况下，空气AIR可以流入基板移送装置SMA的气孔AHL。
大气中的空气AIR可以包含水分。流入到基板移送装置SMA的内部的空气AIR可以包含水分。如果水分流入基板移送装置SMA的内部，则基板移送装置SMA的静电力可能减小。在静电力减小的情况下，基板移送装置SMA与基板SUB之间的引力可能减小。在这种情况下，当用基板移送装置SMA移送基板SUB时，基板SUB不与基板移送装置SMA正常地接触，从而可能损坏基板SUB。
因此，当将大气压状态的腔室CHB的内部转换为真空状态时，需要用于去除流入到基板移送装置SMA的气孔AHL的水分的时间。即，为了防止基板SUB从基板移送装置SMA分离而损坏，需要用于去除基板移送装置SMA的内部的水分的等待时间，使得工艺的效率可能降低。
根据本实用新型，可以防止水分流入基板移送装置SMA的内部。以下，将在图4b中对防止水分流入基板移送装置SMA进行说明。
图4b是根据本实用新型的一个实施例的基板移送装置的侧视图。
参照图4b，当腔室CHB的内部转换为大气压状态时，基板SUB可以布置在基板移送装置SMA上。基板SUB可以接触上部绝缘层U-INS的上表面U-INSP，从而阻断与上部绝缘层U-INS的上表面U-INSP相邻的气孔AHL与上部绝缘层U-INS的外部的连接。因此，可以防止空气AIR通过上部绝缘层U-INS的上表面U-INSP流入基板移送装置SMA的内部。
越是与基板移送装置SMA和基板SUB的接触面相邻的气孔AHL，其对基板移送装置SMA的静电力的影响可能越大。因此，可以在上部绝缘层U-INS上布置基板SUB。基板SUB可以防止空气AIR流入布置于上部绝缘层U-INS的上表面U-INSP与导电层EL之间的气孔AHL。即，基板SUB可以阻断水分流入基板移送装置SMA的内部。因此，可以防止基板移送装置SMA的静电力减小。
当腔室CHB的内部转换为真空状态时，水分流入被防止的基板移送装置SMA可以在没有另外的等待时间的情况下被使用。即，不需要用于去除基板移送装置SMA内部的水分的等待时间。因此，工艺效率可以提高。
图5是根据本实用新型的一个实施例的基板移送装置的水分流入防止方法的流程图。图6是布置有基板的基板移送装置的侧视图。
参照图5和图6，基板移送装置SMA可以布置在腔室CHB的内部，并且基板SUB可以布置在基板移送装置SMA上。腔室CHB的内部可以保持为真空状态。由于腔室CHB的内部是真空状态，因此基板移送装置SMA的孔HOL也可以是真空状态。
基板移送装置SMA的电源PS(在图2中示出)可以是接通(on)状态。第一电极EL1可以具有第一极性。第二电极EL2可以具有第二极性。示例性地，第一极性被示出为正极性(+)，且第二极性被示出为负极性(-)。
尽管未示出，但是在腔室CHB的内部，基板移送装置SMA可以移送提供到腔室CHB内部的基板SUB。基板移送装置SMA可以利用静电力将基板SUB附着到基板移送装置SMA的上表面，并且通过机械臂(未示出)，基板移送装置SMA的上下可以翻转。因此，基板SUB的和与基板移送装置SMA附着的基板SUB的一个表面相对的另一表面可以朝下。可以在由基板移送装置SMA移送的基板SUB上进行工艺。
周期性地、或者在腔室CHB的内部的基板移送装置SMA发生问题的情况下，基板移送装置SMA可以被调整为上部绝缘层U-INS朝上且下部绝缘层L-INS朝下，并布置在用于检查的场所。
在步骤S110中，可以将在真空状态的腔室CHB中进行工艺的基板SUB原样布置在基板移送装置SMA上。例如，基板SUB的不与基板移送装置SMA接触的上表面上可以布置有用于实现显示装置的金属和有机物等。
基板SUB的不进行工艺的下表面可以与基板移送装置SMA接触，以扩大基板SUB与基板移送装置SMA的接触面积。
由于为工艺提供的基板SUB经过去除诸如灰尘颗粒的杂质的清洗过程之后提供到腔室CHB的内部，因此可以防止杂质进入基板移送装置SMA。然而，不限于此，腔室CHB中可以具有用于附着到基板移送装置SMA的上表面的另外的基板，或者也可以具有包括金属或聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)等的其它材料的保护板。
图7是电源关闭的基板移送装置的侧视图。
参照图5和图7，在步骤S120中，可以关闭(off)基板移送装置SMA的电源PS(在图2中示出)。第一电极EL1和第二电极EL2可以不具有极性，从而去除基板移送装置SMA与基板SUB之间的静电力。即使去除了基板移送装置SMA与基板SUB之间的静电力，基板SUB也会由于基板SUB的自重而接触在基板移送装置SMA上。
图8是示出通过孔吸附到基板移送装置的基板的视图。
参照图5和图8，在步骤S130中，可以将保持为真空状态的腔室CHB的内部转换为大气压状态。当腔室CHB的内部转换为大气压状态时，空气AIR可以流入腔室CHB的内部。
孔HOL的内部可以保持为真空状态。基板SUB可以阻断空气AIR从基板移送装置SMA的外部流入孔HOL。
在步骤S140中，可以将基板SUB真空吸附到基板移送装置SMA的上表面。
基板SUB的上表面可以暴露在大气压状态的腔室CHB的内部，并且基板SUB的下表面可以暴露在真空状态的孔HOL的内部。由于基板SUB的上表面与下表面的气压差，基板SUB可以在孔HOL的内部方向上受到吸附力ABF。
基板SUB可以通过孔HOL的吸附力ABF吸附到基板移送装置SMA。基板SUB可以紧贴基板移送装置SMA，从而不从基板移送装置SMA移动或与基板移送装置SMA间隔开。通过与基板移送装置SMA紧贴的基板SUB，可以进一步阻断空气AIR流入基板移送装置SMA的内部。因此，可以阻断水分流入基板移送装置SMA的内部，从而防止基板移送装置SMA的静电力减小。
图9是利用本实用新型的基板移送装置制造的显示面板的平面图。
参照图9，显示面板DP可以具有四边形形状，四边形形状具有在第一方向DR1上延伸的长边和在第二方向DR2上延伸的短边，但是显示面板DP的形状并不限于此。显示面板DP可以包括显示部DA和围绕显示部DA的非显示部NDA。
显示面板DP可以是发光型显示面板。显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点和量子棒等。以下，显示面板DP被描述为有机发光显示面板。
显示面板DP可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1～SLm、多条数据线DL1～DLn、多条发光线EL1～ELm、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、第一电源线PL1和第二电源线PL2、连接线CNL、以及多个焊盘PD。m和n是自然数。
像素PX可以布置在显示部DA中。扫描驱动部SDV和发光驱动部EDV可以布置在分别与显示面板DP的长边相邻的非显示部NDA中。数据驱动部DDV可以布置在与显示面板DP的短边中的任意一个短边相邻的非显示部NDA中。当在平面上观察时，数据驱动部DDV可以与显示面板DP的下端相邻。
扫描线SL1～SLm可以在第二方向DR2上延伸并连接到像素PX和扫描驱动部SDV。数据线DL1～DLn可以在第一方向DR1上延伸并连接到像素PX和数据驱动部DDV。发光线EL1～ELm可以在第二方向DR2上延伸并连接到像素PX和发光驱动部EDV。
第一电源线PL1可以在第一方向DR1上延伸并布置在非显示部NDA中。第一电源线PL1可以布置在显示部DA与发光驱动部EDV之间，但不限于此，并且可以布置在显示部DA与扫描驱动部SDV之间。
连接线CNL可以在第二方向DR2上延伸并且在第一方向DR1上排列。连接线CNL可以连接到第一电源线PL1和像素PX。第一电压可以通过彼此连接的第一电源线PL1和连接线CNL被施加到像素PX。
第二电源线PL2可以布置在非显示部NDA中。第二电源线PL2可以沿着显示面板DP的长边和没有布置数据驱动部DDV的显示面板DP的另一短边延伸。第二电源线PL2可以与扫描驱动部SDV和发光驱动部EDV相比布置在外围。
尽管未示出，但是第二电源线PL2可以朝向显示部DA延伸并连接到像素PX。具有比第一电压低的电平的第二电压可以通过第二电源线PL2被施加到像素PX。
第一控制线CSL1可以连接到扫描驱动部SDV，并且当在平面上观察时，可以朝向显示面板DP的下端延伸。第二控制线CSL2可以连接到发光驱动部EDV，并且当在平面上观察时，可以朝向显示面板DP的下端延伸。数据驱动部DDV可以布置在第一控制线CSL1与第二控制线CSL2之间。
焊盘PD可以布置在显示面板DP上。焊盘PD可以比数据驱动部DDV更邻近显示面板DP的下端。数据驱动部DDV、第一电源线PL1、第二电源线PL2、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以连接到焊盘PD。数据线DL1～DLn可以连接到数据驱动部DDV，并且数据驱动部DDV可以连接到与数据线DL1～DLn对应的焊盘PD。
尽管未示出，但是用于控制扫描驱动部SDV、数据驱动部DDV和发光驱动部EDV的操作的时序控制器以及用于生成第一电压和第二电压的电压生成部可以布置在印刷电路板上。时序控制器和电压生成部可以通过印刷电路板连接到对应的焊盘PD。
扫描驱动部SDV可以生成多个扫描信号，并且扫描信号可以通过扫描线SL1～SLm被施加到像素PX。数据驱动部DDV可以生成多个数据电压，并且数据电压可以通过数据线DL1～DLn被施加到像素PX。发光驱动部EDV可以生成多个发光信号，并且发光信号可以通过发光线EL1～ELm被施加到像素PX。
像素PX可以响应于扫描信号而接收数据电压。像素PX可以响应于发光信号而发射具有与数据电压对应的亮度的光，从而显示图像。像素PX的发光时间可以由发光信号控制。
图10是示例性地示出图9所示的任意一个像素的截面的视图。
参照图10，像素PX可以布置在基板SUB上，并且可以包括晶体管TR和发光元件OLED。像素PX的晶体管TR和发光元件OLED可以连接到前述的数据线DL1～DLn以及第一电源线PL1和第二电源线PL2。
像素PX的晶体管TR和发光元件OLED可以通过数据线DL1～DLn以及第一电源线PL1和第二电源线PL2连接到前述的焊盘PD。像素PX的晶体管TR可以通过数据线DL1～DLn连接到焊盘PD。
发光元件OLED可以包括阳极电极AE、阴极电极CE、空穴控制层HCL、电子控制层ECL和发光层EML。
晶体管TR和发光元件OLED可以布置在基板SUB上。尽管示例性地示出了一个晶体管TR，但是像素PX可以包括用于驱动发光元件OLED的多个晶体管和至少一个电容器。
显示部DA可以包括与像素PX对应的发光部PA和围绕发光部PA的非发光部NPA。发光元件OLED可以布置在发光部PA中。
基板SUB可以包括柔性塑料基板。例如，基板SUB可以包括透明的聚酰亚胺(PI：polyimide)。缓冲层BFL可以布置在基板SUB上，并且缓冲层BFL可以是无机层。
半导体图案可以布置在缓冲层BFL上。半导体图案可以包括多晶硅。然而，不限于此，半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。
半导体图案可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。半导体图案可以包括高掺杂区域和低掺杂区域。高掺杂区域的导电性可以大于低掺杂区域的导电性，并且可以实质上起到晶体管TR的源电极和漏电极的作用。低掺杂区域可以实质上对应于晶体管TR的有源(或沟道)。
晶体管TR的源极S、有源A和漏极D可以由半导体图案形成。第一绝缘层INS1可以布置在半导体图案上。晶体管TR的栅极G可以布置在第一绝缘层INS1上。第二绝缘层INS2可以布置在栅极G上。第三绝缘层INS3可以布置在第二绝缘层INS2上。
连接电极CNE可以布置在晶体管TR与发光元件OLED之间，以连接晶体管TR和发光元件OLED。连接电极CNE可以包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。
第一连接电极CNE1可以布置在第三绝缘层INS3上，并且可以通过限定于第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3的第一接触孔CH1连接到漏极D。第四绝缘层INS4可以布置在第一连接电极CNE1上。第五绝缘层INS5可以布置在第四绝缘层INS4上。
第二连接电极CNE2可以布置在第五绝缘层INS5上。第二连接电极CNE2可以通过限定于第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5的第二接触孔CH2连接到第一连接电极CNE1。第六绝缘层INS6可以布置在第二连接电极CNE2上。第一绝缘层INS1至第六绝缘层INS6可以是无机层或有机层。
阳极电极AE可以布置在第六绝缘层INS6上。阳极电极AE可以通过限定于第六绝缘层INS6的第三接触孔CH3连接到第二连接电极CNE2。暴露阳极电极AE的预定的部分的像素限定膜PDL可以布置在阳极电极AE和第六绝缘层INS6上。像素限定膜PDL中可以限定有暴露阳极电极AE的预定的部分的开口PX_OP。
空穴控制层HCL可以布置在阳极电极AE和像素限定膜PDL上。空穴控制层HCL可以共同地布置在发光部PA和非发光部NPA中。空穴控制层HCL可以包括空穴输送层和空穴注入层。
发光层EML可以布置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以布置在与开口PX_OP对应的区域中。发光层EML可以包括有机材料和/或无机材料。发光层EML可以生成红色、绿色和蓝色中的任意一种光。
电子控制层ECL可以布置在发光层EML和空穴控制层HCL上。电子控制层ECL可以共同地布置在发光部PA和非发光部NPA中。电子控制层ECL可以包括电子输送层和电子注入层。
阴极电极CE可以布置在电子控制层ECL上。阴极电极CE可以共同地布置在像素PX中。从缓冲层BFL到发光元件OLED的层可以被定义为像素层。
薄膜封装层TFE可以布置在发光元件OLED上。薄膜封装层TFE可以布置在阴极电极CE上从而覆盖像素PX。薄膜封装层TFE可以包括至少两个无机层以及无机层之间的有机层。无机层可以保护像素PX免受水分/氧气的影响。有机层可以保护像素PX免受诸如灰尘颗粒的杂质的影响。
第一电压可以通过晶体管TR被施加到阳极电极AE，并且具有比第一电压低的电平的第二电压可以被施加到阴极电极CE。注入到发光层EML的空穴和电子结合而形成激子(exciton)，并且在激子跃迁到基态的同时，发光元件OLED可以发光。
图11是用于说明在由基板移送装置移送的基板上执行的沉积工艺的视图。
示例性地，图11被示出为与图10对应的截面，且为了便于说明，示出了附着到基板移送装置SMA的基板SUB布置在下方，并且沉积材料DPM的喷射部分布置在上方，然而，沉积工艺可以是基板SUB布置在上方并且沉积材料DPM的喷射部分布置在下方的基板向下式沉积工艺。
此外，尽管示例性地示出了在基板SUB上执行的沉积工艺，但是在基板SUB上执行的工艺不限于此。例如，基板SUB可以由基板移送装置SMA移送，并执行通过激光的图案(pattern)形成工艺以及蚀刻(etching)工艺等的各种工艺。
参照图11，沉积掩模DMK可以布置成面对基板SUB。沉积掩模DMK可以布置成靠近基板SUB。
沉积材料DPM可以通过限定于沉积掩模DMK的开口OP被提供到基板SUB上。通过沉积材料DPM，发光层EML可以形成在基板SUB上。
图12是根据本实用新型的一个实施例的基板移送装置的平面图。
在图12的说明中，对通过图1说明的构成要素赋予相同的附图标记，并且省略对其的说明。
参照图12，基板移送装置SMA'可以包括上部绝缘层U-INS'、多个导电层EL、多个孔HOL'和孔门HGT。
孔HOL'可以限定在与上部绝缘层U-INS'的上表面U-INSP'的边缘相邻的部分。孔HOL'可以以预定的间隔彼此间隔开，并且当在平面上观察时，孔HOL'可以不与导电层EL重叠。
孔门HGT可以布置在基板移送装置SMA'的一个侧面。孔门HGT可以布置成与孔HOL'中的任意一个孔HOL'相邻。
图13是沿着图12的线II-II'截取的剖视图。
参照图13，基板移送装置SMA'的上部绝缘层U-INS'的下方可以布置有下部绝缘层L-INS'。
孔HOL'可以从上部绝缘层U-INS'的上表面U-INSP'限定到下部绝缘层L-INS'的预定的部分。孔HOL'可以不贯通下部绝缘层L-INS'。
孔连接部HCNT可以限定在下部绝缘层L-INS'的内部。
孔连接部HCNT可以在下部绝缘层L-INS'中连接孔HOL'。孔HOL'可以通过孔连接部HCNT形成为一体的通道。
孔门HGT可以布置在下部绝缘层L-INS'的一个侧面。孔门HGT可以连接到孔HOL'中的与下部绝缘层L-INS'的一个侧面相邻布置的任意一个孔HOL'。孔门HGT和任意一个孔HOL'可以通过孔连接部HCNT连接。
孔门HGT可以敞开或关闭下部绝缘层L-INS'的内部的孔HOL'与下部绝缘层L-INS'的外部的连接。
图14是图12所示的基板移送装置的侧视图。
参照图14，基板SUB可以布置在基板移送装置SMA'上。腔室CHB的内部可以保持为真空状态。
当腔室CHB的内部是真空状态时，基板移送装置SMA'的孔HOL'也可以是真空状态。基板SUB可以通过导电层EL的静电力附着到基板移送装置SMA'的上表面。孔门HGT可以关闭。
腔室CHB的内部可以转换为大气压状态。在腔室CHB的内部转换为大气压状态的情况下，由于基板移送装置SMA'的内部的孔HOL'与基板移送装置SMA'的外部的气压差，基板SUB可以被吸附到基板移送装置SMA'。
需要时，基板SUB可以被搬运到腔室CHB的外部。在这种情况下，当将真空吸附到基板移送装置SMA'的基板SUB从基板移送装置SMA'分离时，基板SUB可能损坏。
孔门HGT可以敞开，以将基板SUB从基板移送装置SMA'分离。通过敞开的孔门HGT，空气可以流入基板移送装置SMA'的内部。流入到基板移送装置SMA'的内部的空气通过孔连接部HCNT流入孔HOL'，并且孔HOL'可以转换为大气压的状态。
基板移送装置SMA'内部的孔HOL'的压力可以与基板移送装置SMA'的外部的压力一样变成大气压。因此，将基板SUB吸附到基板移送装置SMA'的吸附力可以被去除，使得基板SUB容易地从基板移送装置SMA'分离。
以上参照本实用新型的优选实施例进行了说明，但本领域技术人员将可以理解，在不脱离权利要求书中记载的本实用新型的思想及技术领域的范围内，可以对本实用新型进行各种修改及变更。因此，本实用新型的技术范围不限于说明书的详细说明中所记载的内容，而应由权利要求书来确定。

Claims (9)

1.一种基板移送装置，其特征在于，包括：
下部绝缘层；
上部绝缘层，布置在所述下部绝缘层上；
多个导电层，布置在所述下部绝缘层与所述上部绝缘层之间；以及
多个孔，从所述上部绝缘层的上表面限定到所述下部绝缘层的预定的部分，并且不与所述导电层重叠。
2.根据权利要求1所述的基板移送装置，其特征在于，
所述孔不贯通所述下部绝缘层。
3.根据权利要求1所述的基板移送装置，其特征在于，
当在平面上观察时，所述孔中的每个的截面的圆周被设定为1πmm至30πmm。
4.根据权利要求1所述的基板移送装置，其特征在于，
所述导电层包括：
多个第一电极，具有第一极性；以及
多个第二电极，具有与所述第一电极的极性相反的第二极性。
5.根据权利要求4所述的基板移送装置，其特征在于，还包括：
腔室，所述腔室的内部布置有所述下部绝缘层、所述上部绝缘层和所述导电层。
6.根据权利要求5所述的基板移送装置，其特征在于，还包括：
基板，布置在所述上部绝缘层上，
其中，当所述腔室的内部保持为真空状态时，所述基板通过由所述第一电极和所述第二电极产生的静电力而接触于所述上部绝缘层的所述上表面。
7.根据权利要求6所述的基板移送装置，其特征在于，
当所述腔室的所述内部保持为大气压状态时，所述基板通过所述孔被真空吸附于所述上部绝缘层的所述上表面。
8.根据权利要求1所述的基板移送装置，其特征在于，
当在平面上观察时，所述孔限定在与所述上部绝缘层的所述上表面的边缘相邻的部分，以及
所述孔在所述下部绝缘层中形成为一体的通道。
9.根据权利要求8所述的基板移送装置，其特征在于，还包括：
孔门，布置在所述下部绝缘层的一个侧面，并且连接于所述孔中的任意一个孔，
其中，所述孔门用于敞开或关闭限定在所述下部绝缘层的内部的所述孔与所述下部绝缘层的外部之间的连接。
CN202220779286.8U 2021-04-14 2022-03-29 基板移送装置 Active CN217426709U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0048763 2021-04-14
KR1020210048763A KR20220142601A (ko) 2021-04-14 2021-04-14 기판 이송 장치 및 기판 이송 장치의 수분 유입 방지 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN217426709U true CN217426709U (zh) 2022-09-13

Family

ID=83181251

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202220779286.8U Active CN217426709U (zh) 2021-04-14 2022-03-29 基板移送装置
CN202210368194.5A Pending CN115206860A (zh) 2021-04-14 2022-03-29 基板移送装置及基板移送装置的水分流入防止方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210368194.5A Pending CN115206860A (zh) 2021-04-14 2022-03-29 基板移送装置及基板移送装置的水分流入防止方法

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20220142601A (zh)
CN (2) CN217426709U (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
CN115206860A (zh) 2022-10-18
KR20220142601A (ko) 2022-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4291203B2 (ja) 平板表示装置及びその製造方法
KR100460210B1 (ko) 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
KR100678858B1 (ko) 유기전계발광 소자 및 그 제조 방법
US20130056784A1 (en) Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same
WO2021162159A1 (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101411660B1 (ko) 정전기 방지 소자 및 이를 갖는 유기전계발광소자
US10692959B2 (en) Electroluminescent display device
US20060180890A1 (en) Top emission flat panel display with sensor feedback stabilization
WO2022179139A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
KR102605250B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2021153833A1 (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
EP3967788A1 (en) Deposition apparatus
WO2021117956A1 (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US10797127B2 (en) Electroluminescent display device
KR20050030296A (ko) 능동구동형 평판표시장치
CN217426709U (zh) 基板移送装置
KR100753569B1 (ko) 유기전계발광표시소자의 제조방법
EP3970902A1 (en) Mask repairing apparatus
KR20160038174A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100808085B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
KR100479002B1 (ko) 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
CN109860236A (zh) 有机发光二极管显示面板及掩模板
CN219136920U (zh) 微粒收集装置
KR102677888B1 (ko) 석션 장치 및 그것을 포함하는 패널 가공 장치
EP4310219A1 (en) Deposition apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant