CN111482700A - 面板加工装置 - Google Patents

Abstract

面板加工装置包括：台，布置有具有由第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向而定义的平面的母面板；激光单元，布置于所述台上；以及吸入装置，布置于所述台上，并且相邻于所述激光单元，其中，所述吸入装置包括：第一吸入部，限定有沿第一方向开口的第一开口部；以及第二吸入部，限定有沿与所述第一方向相反的方向开口并沿所述第二方向与所述第一开口部隔开的第二开口部，在所述第一吸入部以及第二吸入部的下部分别限定有沿所述第一方向延伸的第一吸入孔以及第二吸入孔。

Description

面板加工装置

技术领域

本发明涉及一种吸入装置及包括该吸入装置的面板加工装置。

背景技术

通常，显示装置包括包含多个像素的显示面板。当制造显示面板时，准备包括多个单位面板的母面板。单位面板分别包括多个像素。从母面板分离出单位面板，并且单位面板分别被使用为显示面板。

为了从母面板分离单位面板而使用激光。从激光单元产生的激光照射至母面板，并每个单位面板的边缘被激光切割。每个单位面板的边缘被激光切割后，单位面板从母面板分离。

当激光照射至母面板时，从母面板的被切割的部分会产生污染粒子。在污染粒子吸附于单位面板的像素的情况下，可能会产生不良单位面板。因此，要求提出一种用于有效地去除污染粒子的技术。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于提供一种能够有效地去除污染粒子的吸入装置以及包括该吸入装置的面板加工装置。

技术方案

根据本发明的实施例的一种面板加工装置包括：台，布置有具有由第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向定义的平面的母面板；激光单元，布置于所述台上；以及吸入装置，布置于所述台上，并且相邻于所述激光单元，其中，所述吸入装置包括：第一吸入部，限定有沿所述第一方向开口的第一开口部；以及第二吸入部，限定有沿与所述第一方向相反的方向开口并沿所述第二方向与所述第一开口部隔开的第二开口部，在所述第一吸入部以及第二吸入部中下部分别限定有沿所述第一方向延伸的第一吸入孔和第二吸入孔。

根据本发明的实施例，通过在第一吸入部的一侧限定第一开口部并在第二吸入部的一侧限定第二开口部，从而可以使从第一开口部以及第二开口部延伸的第一吸入部以及第二吸入部的排气通道中的每个的第一流量变得大于分别限定在第一吸入部以及第二吸入部下部的吸入孔中的每个的第二流量。

因此，当通过吸入孔吸入污染粒子时，污染粒子沿着较大的第一流量通过排气通道而有效地被去除，并且在吸入孔形成较小的第二流量，从而可以防止母面板的翘起现象。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的面板加工装置立体图。

图2是示出图1所示的单位面板的平面构成的图。

图3是示例性地图示图2所示的任意一个像素的等价电路的图。

图4是图示与图3所示的发光元件对应的部分的截面的图。

图5是从图1所示的第一吸入部以及第二吸入部上方观察第一吸入部以及第二吸入部的图。

图6是在图1所示的第一吸入部以及第二吸入部下方观察第一吸入部以及第二吸入部的图。

图7是沿图6所示的I-I’线的剖面图。

图8是沿图6所示的Ⅱ-Ⅱ'线的剖面图。

图9以及图10是用于说明利用图1所示的面板加工装置切割母面板的方法的图。

图11是用于说明图1所示的吸入装置的操作的图。

图12以及图13是用于说明第一吸入部以及第二吸入部的流量的图。

符号说明：

PPA：面板加工装置 STG：台

LU：激光单元 M_P：母面板

U_P：单位面板 SUT：吸入装置

SUT1：第一吸入部 SUT2：第二吸入部

CNP：连接部 VP：垂直部

OP1：第一开口部 OP2：第二开口部

SH1：第一吸入孔 SH2：第二吸入孔

EHP1：第一排气通道 EHP2：第二排气通道

EX1：第一延伸部 EX2：第二延伸部

EX34：第三延伸部 EX4：第四延伸部

具体实施方式

在本说明书中，当提到某一构成要素(或者区域、层、部分等)在另一构成要素“之上”、与另一构成要素“连接”或者与另一构成要素“结合”时，其表示可以直接布置/连接/结合在另一构成要素上，或者在它们之间也可以布置有第三构成要素。

相同的附图标号指代相同的构成要素。并且，在附图中，构成要素的厚度、比率以及尺寸为了有效地说明技术内容而被夸大。

“和/或”包括相关构成能够定义的一个以上的组合的全部。

第一、第二等术语可以用于说明多种构成要素，但所述构成要素不应被所述术语限定。所述术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的同时，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，相似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。除非在语境中明确表示为其他含义，否则单数的表述包括复数的表述。

并且，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成之间的相关关系。所述术语作为相对概念，以附图中表示的方向为基准而被说明。

只要没有被不同地定义，则本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常所理解的术语相同的含义。并且，如通常使用的词典中所定义的术语一样的术语应当被解释为具有与在相关技术的语境中的含义一致的含义，并且只要没有被解释为理想的或者过度地形式性的含义，则可以在此明示性地被定义。

“包括”或者“具有”等术语旨在表示说明书上所记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在，应当被理解为不预先排除一个或者一个以上的其他特征或者数字、步骤、工作、构成要素、部件或者其组合的存在或者附加的可能性。

以下，参照附图针对本发明的实施例进行详细说明。

图1是根据本发明的实施例的面板加工装置立体图。

参照图1，根据本发明的实施例的面板加工装置PPA可包括台STG、激光单元LU以及吸入装置SUT。台STG上可布置有包含多个单位面板U_P的母面板M_P。

台STG及母面板M_P可具有四角形形状，然而这是示例性地说明的情形，台STG以及母面板M_P的形状并不局限于此。台STG以及母面板M_P可以具有沿第一方向DR1具有长边并沿与第一方向DR1交叉的第二方向DR2具有短边的矩形形状。台STG以及母面板M_P可以具有由第一方向DR1以及第二方向DR2而定义的平面。

以下，将与由第一方向DR1以及第二方向DR2定义的平面实际上垂直交叉的方向定义为第三方向DR3。并且，本说明书中，“从平面上观察时”的含义可以意味着在第三方向DR3上观察的状态。

台STG可以起到能够稳定地固定母面板M_P的作用。虽然未图示，但是在台STG可以限定有为了吸附母面板M_P而向母面板M_P提供吸附力的多个孔。孔内的空气排出至外部而使孔变为真空状态，从而可以为台STG提供预定的吸附力。

单位面板U_P可以具有沿第二方向DR2具有长边并沿第一方向DR1具有短边的矩形形状，然而单位面板U_P的形状并不局限于此。单位面板U_P可以排列为矩阵形态。示例性地图示了以3行及4列排列的12个单位面板U_P，然而单位面板U_P的数量并不局限于此。

激光单元LU以及吸入装置SUT可以布置于台STG上。激光单元LU可以生成激光LA而朝母面板M_P照射。单位面板U_P的边缘被激光LA切割，从而单位面板U_P可以从母面板M_P分离。以下，将针对这样的操作进行详细说明。

吸入装置SUT可相邻于激光单元LU而布置。吸入装置SUT可以相比于激光单元LU布置于下方，从而相邻于母面板M_P。吸入装置SUT可以吸入当母面板M_P被切割时产生的污染粒子而去除。以下，将针对此种构成进行详细说明。

吸入装置SUT可以具有如管子的排气管结构。以下，吸入装置SUT的排气管结构的内部通道可被定义为排气通道。吸入装置SUT可以具有圆筒形形状并可以延伸。因此，吸入装置SUT的截面可以具有圆形形状。吸入装置SUT可以包括第一吸入部SUT1、第二吸入部SUT2、连接部CNP以及垂直部VP。

第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2相邻于激光单元LU，并且可以比激光单元LU布置于下方。第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2可以布置于台STG与激光单元LU之间。激光LA可以穿过第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2之间而提供至母面板M_P。

在第一吸入部SUT1，可以限定有沿第一方向DR1开口的第一开口部OP1。在第一吸入部SUT1的一侧，可以限定有第一开口部OP1。第一开口部OP1可以向第一吸入部SUT1内的排气通道延伸。

在第二吸入部SUT2，可以限定有沿第一方向DR1的相反方向开口的第二开口部OP2。在第二吸入部SUT2的一侧，可以限定有第二开口部OP2。第二开口部OP2可以在第二方向DR2上与第一开口部OP1隔开。第二开口部OP2可以向第二吸入部SUT2内的排气通道延伸。

连接部CNP可以从第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2延伸。连接部CNP可以平行于台STG的平面而延伸。在平面上观察时，连接部CNP可以具有四边形的边框形状，这是示例性地图示的情形，连接部CNP可以具有多种形状。

连接部CNP可以向垂直部VP延伸。垂直部VP可以从连接部CNP的预定部分向上部延伸。第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的排气通道可以向连接部CNP以及垂直部VP的排气通道延伸。虽然未图示，但是垂直部VP可以与用于收集污染粒子的外部的集尘器(dustcollector)连接。

第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2、连接部CNP及垂直部VP可以形成为一体。因此，第一开口部OP1以及第二开口部OP2、第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的排气通道和连接部CNP及垂直部VP的排气通道可以形成为一体的通道。

图2是示出图1所示的单位面板的平面构成的图。

参照图2，单位面板U_P可以包括显示面板DP、扫描驱动部(scan driver)SDV、数据驱动部(data driver)DDV以及发光驱动部(emission driver)EDV。实际上，数据驱动部DDV可以被制造为驱动芯片而连接于单位面板U_P的垫部(未图示)。

根据本发明的一实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板，并不受特别的限定。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光物质。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点以及量子棒等。以下，将显示面板DP作为有机发光显示面板而进行说明。

显示面板DP可以具有沿第一方向DR1具有短边并沿第二方向DR2具有长边的矩形形状。显示面板DP可以包括显示区域DA以及围绕显示区域DA的非显示区域NDA。

显示面板DP可以包括多个像素PX、多个扫描线SL1～SLm、多个数据线DL1～DLn以及多个发光线EL1～Elm。m及n为正整数。像素PX可以布置于显示区域DA，并且连接于扫描线SL1～SLm、数据线DL1～DLn以及发光线EL1～Elm。

扫描驱动部SDV、数据驱动部DDV以及发光驱动部EDV可以布置于非显示区域NDA。扫描驱动部SDV以及发光驱动部EDV可以分别相邻于显示面板DP的长边而布置。数据驱动部DDV可以相邻于显示面板DP的短边中的任意一个短边而布置。

扫描线SL1～SLm可以沿第一方向DR1延伸而连接于扫描驱动部SDV，数据线DL1～DLn可以沿第二方向DR2延伸而连接于数据驱动部DDV。发光线EL1～Elm可以沿第一方向DR1延伸而连接于发光驱动部EDV。

扫描驱动部SDV可以生成多个扫描信号，并且扫描信号可以通过扫描线SL1～SLm被施加到像素PX。扫描信号可以依次被施加到像素PX。数据驱动部DDV可以生成多个数据电压，并且数据电压可以通过数据线DL1～DLn被施加到像素PX。发光驱动部EDV可以生成多个发光信号，并且发光信号可以通过发光线EL1～Elm被施加到像素PX。

像素PX可以响应于扫描信号而接收数据电压。像素PX可以响应于发光信号而发出与数据电压对应的亮度的光，从而显示图像。像素PX的发光时间可以由发光信号来控制。

图3是示例性地图示图2所示的任意一个像素的等价电路的图。

参照图3，像素PX可以包括有机发光元件OLED以及像素电路CC。像素电路CC可以包括多个晶体管T1～T7以及电容器CP。像素电路CC可以基于数据电压来控制流过有机发光元件OLED的电流量。有机发光元件OLED可以以与从像素电路CC接收的电流量对应的亮度发光。为此，第一电压ELVDD的电平可以设定为比第二电压ELVSS的电平高。

晶体管T1～T7分别可以包括输入电极(或者源极电极)、输出电极(或者漏极电极)以及控制电极(或者栅极电极)。本说明书中，为了方便起见，可以将输入电极以及输出电极中的任意一个称为第一电极，并可以将另一个称为第二电极。

第一晶体管T1的第一电极可以经过第五晶体管T5而连接于第一电压ELVDD，第二电极可以经过第六晶体管T6而连接于有机发光元件OLED的阳极。第一晶体管T1在本说明书中可以被称为驱动晶体管。第一晶体管T1可以根据被施加到第一晶体管T1的控制电极的电压而控制流过有机发光元件OLED的电流量。

第二晶体管T2可以连接于数据线DL与第一晶体管T1的第一电极之间，并且第二晶体管T2的控制电极可以连接于第i个扫描线SLi。第二晶体管T2可以在通过第i个扫描线SLi提供第i个扫描信号Si时被导通，从而电连接数据线DL和第一晶体管T1的第一电极。

第三晶体管T3可以连接于第一晶体管T1的第二电极与控制电极之间。第三晶体管T3的控制电极可以连接于第i个扫描线SLi。第三晶体管T3可以在通过第i个扫描线SLi提供第i个扫描信号Si时被导通，从而可以电连接第一晶体管T1的第二电极和控制电极。当第三晶体管T3被导通时，第一晶体管T1可以以二极管形态连接。

第四晶体管T4可以连接于节点ND与初始化电源生成部(未图示)之间。第四晶体管T4的控制电极可以连接于第i-1个扫描线SLi-1。第四晶体管T4可以在通过第i-1个扫描线SLi-1提供第i-1个扫描信号Si-1时被导通，从而可以为节点ND提供初始化电压Vint。

第五晶体管T5可以连接于电源线PL与第一晶体管T1的第一电极之间。第五晶体管T5的控制电极可以连接于第i个发光线ELi。

第六晶体管T6可以连接于第一晶体管T1的第二电极与有机发光元件OLED的阳极之间。第六晶体管T6的控制电极可以连接于第i个发光线ELi。

第七晶体管T7可以连接于初始化电源生成部(未图示)与有机发光元件OLED的阳极之间。第七晶体管T7的控制电极可以连接于第i+1个扫描线SLi+1。第七晶体管T7可以在通过第i+1个扫描线SLi+1提供第i+1个扫描信号Si+1时被导通，从而可以将初始化电压Vint提供至有机发光元件OLED的阳极。

若第七晶体管T7被导通，则有机发光元件OLED的寄生电容器(未图示)可以将放电。在此情况下，当呈现黑色亮度时，由于从第一晶体管T1的漏电，从而有机发光元件OLED将不会发光，据此，可以提升黑色显示性能。

虽然图3中将晶体管T1～T7图示为PMOS，然而并不局限于此，晶体管T1～T7还可以构成为NMOS。

电容器CP可以布置于电源线PL与节点ND之间。电容器CP可以存储数据电压。根据存储于电容器CP的电压，可以决定当第五晶体管T5以及第六晶体管T6被导通时流过第一晶体管T1的电流量。

图4是图示与图3所示的发光元件对应的部分的截面的图。

参照图4，像素PX可以包括有机发光元件OLED以及连接于有机发光元件OLED的晶体管TR。有机发光元件OLED可以包括第一电极E1、第二电极E2以及布置于第一电极E1与第二电极E2之间的有机发光层OEL。晶体管TR可以是图3所示的第六晶体管T6。第一电极E1可以是阳极，第二电极E2可以是阴极。

像素PX可以被划分为像素区域PA以及像素区域PA周边的非像素区域NPA。有机发光元件OLED可以布置于像素区域PA，晶体管TR可以布置于非像素区域NPA。

晶体管TR以及有机发光元件OLED可以布置于基板SUB上。基板SUB上可以布置有缓冲层BFL，并且缓冲层BFL可以包括无机物质。

缓冲层BFL上可以布置有晶体管TR的半导体层SM。半导体层SM可以包括如非晶(Amorphous)硅或结晶(Poly)硅的无机材料的半导体或有机半导体。并且，半导体层SM可以包括氧化物半导体(oxide semiconductor)。虽然图4中未图示，半导体层SM可以包括源区域、漏区域以及源区域与漏区域之间的沟道区域。

缓冲层BFL上可以以覆盖半导体层SM的方式布置有第一绝缘层INS1。第一绝缘层INS1可以包括无机物质。第一绝缘层INS1上可以布置有与半导体层SM重叠的晶体管TR的栅极GE。栅极GE可以布置为与半导体层SM的沟道区域重叠。

第一绝缘层INS1上可以以覆盖栅极GE的方式布置有第二绝缘层INS2。第二绝缘层INS2可以被定义为层间绝缘层。第二绝缘层INS2可以包括有机物质和/或无机物质。

在第二绝缘层INS2上，晶体管TR的源极SE以及漏极DE可以彼此隔开而布置。源极SE可以通过贯通第一绝缘层INS1以及第二绝缘层INS2而定义的第一接触孔CH1连接于半导体层SM的源区域。漏极DE可以通过贯通第一绝缘层INS1以及第二绝缘层INS2而定义的第二接触孔CH2连接于半导体层SM的漏区域。

第二绝缘层INS2上可以以覆盖晶体管TR的源极SE以及漏极DE的方式布置有第三绝缘层INS3。第三绝缘层INS3可以被定义为提供平坦的上表面的平坦化膜，并且可以包括有机物质。

第三绝缘层INS3上可以布置有第一电极E1。第一电极E1可以通过贯通第三绝缘层INS3而定义的第三接触孔CH3而连接于晶体管TR的漏极DE。第一电极E1可以被定义为像素电极。

在第一电极E1以及第三绝缘层INS3上可以布置有暴露第一电极E1的预定部分的像素定义膜PDL。在像素定义膜PDL中可以限定有用于暴露第一电极E1的预定部分的开口部PX_OP。

在开口部PX_OP内，第一电极E1上可以布置有有机发光层OEL。有机发光层OEL可以生成红色、绿色以及蓝色中的任意一种光。然而并非局限于此，有机发光层OEL可以借由生成红光、绿光以及蓝光的有机物质的组合而生成白光。

在像素定义膜PDL以及有机发光层OEL上可以布置有第二电极E2。第二电极E2可以被定义为共用电极。薄膜封装层TFE可以以覆盖像素PX的方式布置于有机发光元件OLED上。

第一电压ELVDD可以被施加到第一电极E1，第二电压ELVSS可以被施加到第二电极E2。注入到有机发光层OEL的空穴和电子可以结合而形成激子(excition)，并且激子可以从基态跃迁而使有机发光元件OLED发光。有机发光元件OLED可以根据电流的流动而发出红光、绿光以及蓝光，从而显示图像。

图5是从图1所示的第一吸入部以及第二吸入部上方观察第一吸入部以及第二吸入部的图。图6是在图1所示的第一吸入部以及第二吸入部下方观察第一吸入部以及第二吸入部的图。图7是沿图6所示的I-I’线的剖面图。图8是沿图6所示的Ⅱ-Ⅱ'线的剖面图。

图5所示的第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2是第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的上部，并且，图6所示的第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2是第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的下部。为了便于说明，图5及图6中放大图示了第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2，并且激光单元LU以虚线进行了图示。并且，在图5及图6中，第一排气通道EHP1以及第二排气通道EHP2以虚线进行了图示。

参照图5及图6，第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2可以具有圆筒形形状并延伸。如上所述，在第一吸入部SUT1限定有向第一方向DR1形成开口的第一开口部OP1，在第二吸入部SUT2限定有向与第一方向DR1相反的方向形成开口的第二开口部OP2。如图6所示，在第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2下部可分别限定有沿第一方向DR1延伸的吸入孔SH1、SH2。

吸入孔SH1、SH2可以包括在第一吸入部SUT1限定的第一吸入孔SH1以及在第二吸入部SUT2限定的第二吸入孔SH2。第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2可以具有沿第一方向DR1延伸的狭缝形状。

在平面上观察时，激光单元LU可以布置于第一吸入部SUT1与第二吸入部SUT2之间。激光LA可以穿过第一吸入部SUT1与第二吸入部SUT2之间。激光LA和第一吸入孔SH1及第二吸入孔SH2可以布置于与第一方向DR1平行的同一线LI上。

在第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2，可以分别限定有排气通道EHP1、EHP2。排气通道EHP1、EHP2可以包括限定在第一吸入部SUT1并从第一开口部OP1延伸的第一排气通道EHP1以及限定在第二吸入部SUT2并从第二开口部OP2延伸的第二排气通道EHP2。

参照图7，从第一方向DR1观察的第一吸入部SUT1的截面可具有圆形形状。具体地，由于在第一吸入部SUT1限定有第一排气通道EHP1，从而第一吸入部SUT1的截面可以具有圆形的环形状。虽然未图示截面，但是从第一方向DR1观察的第二吸入部SUT2的截面也可以与第一吸入部SUT1相同地具有圆形的环形状。

参照图5及图6，以从第一方向DR1观察的第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的截面为基准，第一排气通道EHP1以及第二排气通道EHP2尺寸可以与第一开口部OP1以及第二开口部OP2的尺寸分别相同。例如，第一排气通道EHP1以及第二排气通道EHP2中的每个的直径DI可以与第一开口部OP1以及第二开口部OP2中的每个的直径DI相同。然而，这是示例性地说明的情形，第一排气通道EHP1以及第二排气通道EHP2的尺寸可以与第一开口部OP1以及第二开口部OP2的尺寸分别不同。

参照图8，以从第一方向DR1观察的第一吸入部SUT1的截面为基准，第一排气通道EHP1的尺寸可以比第一吸入孔SH1的尺寸大。例如，以第二方向DR2为基准，第一排气通道EHP1的直径DI可以比第一吸入孔SH1的长度LT大。

虽然未图示，但是以从第一方向DR1观察的第二吸入部SUT2的截面为基准，第二排气通道EHP2的尺寸可以比第二吸入孔SH2的尺寸大。例如，以第二方向DR2为基准，第二排气通道EHP2的直径DI可以比第二吸入孔SH2的长度LT大。并且，第一开口部OP1以及第二开口部OP2中的每个的直径DI也可以比第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2中的每个的长度LT大。

参照图5及图6，第一吸入部SUT1可以包括第一延伸部EX1以及第二延伸部EX2。第一延伸部EX1可以在由第一方向DR1以及第二方向DR2定义的平面上沿与第一方向DR1以及第二方向DR2交叉的第一对角方向DDR1延伸。在第一延伸部EX1的一侧，可以限定有第一开口部OP1。

第二延伸部EX2可以从作为第一延伸部EX1的一侧的相反侧的第一延伸部EX1的另一侧延伸。第一延伸部EX1的一侧以及另一侧可以是沿第一对角方向DDR1彼此相反的第一延伸部EX1的两侧。第二延伸部EX2可以沿第一方向DR1延伸。

第二吸入部SUT2可以包括第三延伸部EX3以及第四延伸部EX4。第三延伸部EX3可以沿第一对角方向DDR1延伸。在第三延伸部EX3的一侧可以限定有第二开口部OP2。第三延伸部EX3可以沿与第一对角方向DDR1交叉的第二对角方向DDR2与第一延伸部EX1相面对。

第四延伸部EX4可以从作为第三延伸部EX3的一侧的相反侧的第三延伸部EX3的另一侧延伸。第三延伸部EX3的一侧及另一侧可以是沿第一对角方向DDR1彼此相反的第三延伸部EX3的两侧。第四延伸部EX4可以沿第一方向DR1延伸。

第一开口部OP1可以相邻于第三延伸部EX3的另一侧，第二开口部OP2可以相邻于第一延伸部EX1的另一侧。激光单元LU可以布置于第一延伸部EX1与第三延伸部EX3之间以及第二延伸部EX2与第四延伸部EX4之间。因此，激光LA可以穿过第一延伸部EX1与第三延伸部EX3之间以及第二延伸部EX2与第四延伸部EX4之间。

如图5所示，第一吸入孔SH1可以限定在与第三延伸部EX3相面对的第一延伸部EX1的侧面的一部分。并且，如图6所示，第一吸入孔SH1可以限定为在从第一延伸部EX1的下部的预定的部分延伸至第二延伸部EX2的下部的预定的部分。然而，并非局限于此，第一吸入孔SH1也可以不限定在与第三延伸部EX3相面对的第一延伸部EX1的侧面的一部分。

如图5所示，第二吸入孔SH2可以限定在与第一延伸部EX1相面对的第三延伸部EX3的侧面的一部分。并且，如图6所示，第二吸入孔SH2可以限定为在从第三延伸部EX3的下部的预定部分延伸至第四延伸部EX4的下部的预定的部分。然而，并非局限于此，第二吸入孔SH2也可以不限定在与第一延伸部EX1相面对的第三延伸部EX3的侧面的一部分。

图9以及图10是用于说明利用图1所示的面板加工装置切割母面板的方法的图。

参照图9，母面板M_P可以布置于台STG上，从激光单元LU生成的激光LA可以照射至母面板M_P。实际上，激光单元LU以及吸入装置SUT并不会移动，台STG可以移动。

从平面上，可以向单位面板U_P的上侧边缘以及下侧边缘照射激光LA。为了向单位面板U_P的上侧边缘以及下侧边缘照射激光LA，台STG可以沿第一方向DR1移动。其结果，单位面板U_P的上侧边缘及下侧边缘可以被切割。示例性地，利用实线图示了从母面板M_P被切割的部分。

参照图10，从平面上，可以向单位面板U_P的左侧边缘以及右侧边缘照射激光LA。为了向单位面板U_P的左侧边缘及右侧边缘照射激光LA，台STG可以沿第二方向DR2移动。其结果，单位面板U_P的左侧边缘以及右侧边缘可以被切割。

单位面板U_P各自的边缘可以被切割，并且单位面板U_P可以从母面板M_P分离。

图11是用于说明图1所示的吸入装置的操作的图。

为了便于说明，图11中以虚线图示了第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2。

参照图11，当激光LA照射至母面板M_P而使母面板M_P被切割时，从切割部分可能产生污染粒子PT。由于高温的激光LA，母面板M_P的切割部分可能被碳化而产生污染粒子PT。

从吸入装置SUT产生吸入力，并且污染粒子PT可以通过第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2而被吸入至第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2。被吸入的污染粒子PT可以通过第一吸入部SUT1的第一排气通道EHP1以及第二吸入部SUT2的第二排气通道EHP2而被排出至外部。具体地，吸入的污染粒子PT可以通过连接部CNP以及垂直部VP的排气通道被排出至外部的集尘器而被去除。

在污染粒子PT被吸附在单位面板U_P的情况下，可能会制造出不良的单位面板。然而，本发明的实施例中，污染粒子PT被吸入装置SUT吸入而被去除，从而污染粒子PT不会粘附在单位面板U_P。

图12以及图13是用于说明第一吸入部以及第二吸入部的流量的图。

图12是对应于图5所示的第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的图，图13是对应于图6所示的第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的图。图12及图13中的箭头的方向可以表示气流的方向，各个箭头的大小可以对应于流量的大小。

参照图12及图13，当在吸入装置SUT产生吸入力时，借由吸入力可以从第一吸入部SUT1的外部向第一开口部OP1形成气流，并且可以从第一开口部OP1向第一排气通道EHP1形成气流。并且，可以从第二吸入部SUT2的外部向第二开口部OP2形成气流，并且可以从第二开口部OP2向第二排气通道EHP2形成气流。

第一吸入部SUT1的外部可以是相邻于第一开口部OP1的外部空间。第二吸入部SUT2的外部可以是相邻于第二开口部OP2的外部空间。

从第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的下方向第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2和第一排气通道EHP1以及第二排气通道EHP2可以形成气流。

在第一排气通道EHP1以及第二排气通道EHP2各自所形成的流量可以被定义为第一流量F1，在第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2各自所形成的流量可以被定义为第二流量F2。第一流量F1可以借由从第一开口部OP1以及第二开口部OP2向第一排气通道EHP1以及第二排气通道EHP2流动的空气而被定义。第二流量F2可以借由在第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2流动的空气而被定义。

流量可以与空间的大小成比例。由于第一排气通道EHP1及第二排气通道EHP2的尺寸大于第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2，从而第一流量F1可以大于第二流量F2。

通过第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2吸入的污染粒子PT可以通过第一排气通道EHP1及第二排气通道EHP2移动。第一排气通道EHP1及第二排气通道EHP2的流量越小，第一排气通道EHP1以及第二排气通道EHP2的污染粒子越不会通过第一排气通道EHP1以及第二排气通道EHP2流动，而可能吸附于限定有第一排气通道EHP1及第二排气通道EHP2的第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的内表面。在此情况下，污染粒子PT可能沉积在第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的内表面。

流量可以与流速成比例，且吸入力越大，流速可以越大。为了使第一排气通道EHP1及第二排气通道EHP2各自的第一流量F1形成得更大，可以向吸入装置SUT提供更大的吸入力。因此，污染粒子PT借由第一流量F1而不会沉积于第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的内表面，而是可以通过第一排气通道EHP1及第二排气通道EHP2流动。

在第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的一侧，可以不限定有第一开口部OP1以及第二开口部OP2，而是第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的一侧可以被封闭。并且，为了使污染粒子PT不沉积在第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的内表面而通过第一排气通道EHP1及第二排气通道EHP2流动，可以向吸入装置SUT提供更大的吸入力。然而，在此情况下，被提供至吸入装置SUT的吸入力可以全部被传递至第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2。

因此，相比于第一开口部OP1以及第二开口部OP2限定在第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2，在第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2可以产生更大的吸入力。在此情况下，母面板M_P的布置于第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2下方的部分因较大的吸入力而可能朝第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2翘起而弯曲。在母面板M_P发生弯曲的部分，并且布置有弯曲的部分的单位面板U_P可以被判别为不良单位面板。

然而，本发明的实施例中，由于在第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的一侧限定有第一开口部OP1以及第二开口部OP2，向吸入装置SUT提供的吸入力可以被分散至第一开口部OP1以及第二开口部OP2和第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2。在第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2借由第二流量F2而产生较小的压力，此种压力可以被设定为母面板M_P不会被翘起的程度的压力。

因此，即使向吸入装置SUT提供使污染粒子PT不会沉积在第一吸入部SUT1以及第二吸入部SUT2的内表面的更大的吸入力，在第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2可以形成较小的第二流量F2，从而母面板M_P不会翘起。

最终，当通过第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2吸入污染粒子PT时，污染粒子PT可以借由较大的第一流量F1而通过第一排气通道EHP1及第二排气通道EHP2有效地被去除，并且由于在第一吸入孔SH1以及第二吸入孔SH2形成较小的第二流量F2，从而可以防止母面板M_P翘起的现象。

以上虽然参照实施例进行了说明，但是相关技术领域的熟练的技术人员将可以理解在不脱离权利要求书所记载的本发明的思想及领域的范围内能够对本发明进行多样的修改及变更。并且，本发明公开的实施例并非用于限定本发明的技术思想，权利要求书记载的范围及与此等同的范围内的全部技术思想应当被理解为包含于本发明的权利范围。

Claims (11)

1.一种面板加工装置，包括：

台，布置有具有由第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向定义的平面的母面板；

激光单元，布置于所述台上；以及

吸入装置，布置于所述台上，并且相邻于所述激光单元，

其中，所述吸入装置包括：

第一吸入部，限定有沿所述第一方向开口的第一开口部；以及

第二吸入部，限定有沿与所述第一方向相反的方向开口并沿所述第二方向与所述第一开口部隔开的第二开口部，

在所述第一吸入部以及第二吸入部的下部分别限定有沿所述第一方向延伸的第一吸入孔以及第二吸入孔。

2.如权利要求1所述的面板加工装置，其中，

所述第一吸入部以及第二吸入部相比于所述激光单元而布置于下方，

从平面上观察时，所述激光单元布置于所述第一吸入部与所述第二吸入部之间。

3.如权利要求1所述的面板加工装置，其中，

从所述激光单元生成的激光穿过所述第一吸入部与所述第二吸入部之间而照射至所述母面板。

4.如权利要求3所述的面板加工装置，其中，

所述激光以及所述第一吸入孔与所述第二吸入孔布置于与所述第一方向平行的同一线上。

5.如权利要求3所述的面板加工装置，其中，

从所述母面板产生的污染粒子通过所述第一吸入孔所述第二吸入孔被吸入至所述第一吸入部以及第二吸入部。

6.如权利要求5所述的面板加工装置，其中，

在所述第一吸入部以及第二吸入部中的每个，限定有从所述第一开口部以及第二开口部分别延伸的第一排气通道和第二排气通道，

并且，当在所述第一吸入部以及第二吸入部产生吸入力时，形成于所述第一排气通道和所述第二排气通道的第一流量分别比形成于所述第一吸入孔和所述第二吸入孔的第二流量大。

7.如权利要求6所述的面板加工装置，其中，

所述第一吸入部以及第二吸入部具有圆筒形形状而延伸，并且所述第一排气通道和所述第二排气通道的直径与所述第一开口部以及第二开口部的直径分别相同。

8.如权利要求7所述的面板加工装置，其中，

以所述第二方向为基准，所述第一排气通道和所述第二排气通道的所述直径分别大于所述第一吸入孔和所述第二吸入孔的长度。

9.如权利要求1所述的面板加工装置，其中，

所述第一吸入部包括：

第一延伸部，沿与所述第一方向及第二方向交叉的第一对角方向延伸，并在一侧限定有所述第一开口部；以及

第二延伸部，从所述第一延伸部的作为所述第一延伸部的所述一侧的相反侧的另一侧延伸，

其中，所述第二延伸部沿所述第一方向延伸。

10.如权利要求9所述的面板加工装置，其中，

所述第二吸入部包括：

第三延伸部，沿所述第一对角方向延伸，在一侧限定有所述第二开口部，并且沿与所述第一对角方向交叉的第二对角方向与所述第一延伸部向面对；以及

第四延伸部，从所述第三延伸部的作为所述第三延伸部的所述一侧的相反侧的另一侧延伸，

所述第四延伸部沿所述第一方向延伸，所述第一开口部相邻于所述第三延伸部的所述另一侧，并且所述第二开口部相邻于所述第一延伸部的所述另一侧。

11.如权利要求10所述的面板加工装置，其中，

所述第一吸入孔从所述第一延伸部的下部的预定的部分至所述第二延伸部的下部的预定的部分被限定，并且所述第二吸入孔从所述第三延伸部的下部的预定的部分至所述第四延伸部的下部的预定的部分被限定。

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