CN111628069A - 电子设备以及将发光元件附接至衬底的方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及电子设备以及将发光元件附接到衬底的方法。该电子设备包括基底层；电路层，设置在基底层上；第一绝缘层，设置在电路层上；发光元件，设置在第一绝缘层上；以及连接电极，设置在发光元件上并且电连接发光元件和电路层，其中，第一绝缘层的形状与发光元件的形状对应。

Description

电子设备以及将发光元件附接至衬底的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年2月28日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0023758号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及具有改善的可靠性和制造良率的电子设备、电子设备的制造方法和用于转移发光元件的方法。
背景技术
电子设备可以包括发光元件。发光元件可以电连接到电极，并且根据施加到电极的电压发光。发光元件可以直接形成在电极上，或者与电极分开形成的发光元件可以连接到电极。当发光元件单独地形成且然后连接到电极时，需要一个工艺来在电极上对准发光元件。当未在电极上恰当地对准时，发光元件可能不发光。
发明内容
本公开提供了一种具有改善的可靠性和制造良率的电子设备、电子设备的制造方法以及用于转移发光元件的方法。
实施方式可以包括电子设备的制造方法，该方法包括：在基底层上形成电路层；在电路层之上设置用于附接的发光元件；在发光元件与电路层之间设置绝缘层；对绝缘层进行干燥，以使发光元件与绝缘层和电路层附接。
在实施方式中，设置绝缘层可以包括在电路层上涂覆绝缘层，并且设置发光元件可以包括使发光元件与绝缘层附接。
在实施方式中，设置发光元件可以包括使发光元件与转移层分离。
在实施方式中，转移层可以是可紫外线固化的带，并且分离发光元件可以包括用紫外线照射转移层。
在实施方式中，设置发光元件可以包括将发光元件附接在转移层上，并且设置绝缘层可以包括在转移层和发光元件上涂覆绝缘层。
在实施方式中，设置发光元件可以包括将发光元件和绝缘层的涂覆在发光元件上的一部分与转移层和绝缘层的涂覆在转移层上的另一部分分离。
在实施方式中，绝缘层可以包括聚酰亚胺基树脂。
在实施方式中，制造方法还可以包括形成电连接发光元件和电路层的连接电极。
在实施方式中，制造方法还可以包括通过使用发光元件作为掩模来图案化绝缘层。
在实施方式中，相比于干燥之前，绝缘层的粘附性程度在干燥之后可以更高。
在实施方式中，绝缘层可以具有比发光元件的厚度薄的厚度。
在实施方式中，附接可以包括加热绝缘层。
在实施方式中，形成基底层可以包括形成岛状部分和连接岛状部分的桥接部分。
在实施方式中，电子设备可以包括：基底层；电路层，设置在基底层上；第一绝缘层，设置在电路层上；发光元件，设置在第一绝缘层上；以及连接电极，设置在发光元件上并且电连接发光元件和电路层，其中，第一绝缘层的形状可以与发光元件的形状对应。
在实施方式中，电子设备还可以包括设置在电路层上并且围绕发光元件的第二绝缘层。
在实施方式中，第一绝缘层的厚度可以比第二绝缘层的厚度薄。
在实施方式中，第一绝缘层可以包括聚酰亚胺基树脂。
在实施方式中，电子设备还可以包括设置在电路层与第一绝缘层之间的散热层。
在实施方式中，第一绝缘层的厚度可以是约1微米至约4微米，并且第二绝缘层的厚度可以是约3微米至约7微米。
在实施方式中，电子设备还可以包括：第一中间电极，设置在第二绝缘层上，并且电连接到电路层；以及第三绝缘层，设置在第二绝缘层上，并覆盖第一中间电极和发光元件，其中，连接电极设置在第三绝缘层上以电连接到第一中间电极和发光元件。
在实施方式中，电子设备还可以包括：第二中间电极，设置在第三绝缘层上，并且电连接到第一中间电极；以及第四绝缘层，设置在第三绝缘层上，并覆盖第二中间电极，其中，连接电极设置在第四绝缘层上以电连接到第二中间电极和发光元件。
在实施方式中，基底层可以包括彼此分离的岛状部分以及连接岛状部分的桥接部分。
在实施方式中，电路层可以包括薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的信号线，其中，薄膜晶体管设置在岛状部分上，并且信号线设置在桥接部分上。
在实施方式中，电子设备可以包括多个发光元件，并且发光元件中的至少一个可以设置在岛状部分中的相应一个上。
在实施方式中，用于将发光元件附接到衬底的方法包括：在转移层上设置发光元件；在转移层上的发光元件与衬底之间设置绝缘层；将转移层移动到位于衬底上方的位置；对绝缘层进行干燥以使发光元件与衬底附接；以及将转移层与发光元件分离。
在实施方式中，设置绝缘层可以包括在电路衬底上涂覆绝缘层。
在实施方式中，设置绝缘层可以包括在转移层和发光元件上涂覆绝缘层。
在实施方式中，转移层可以是可紫外线固化的带，并且分离操作可以包括用紫外线照射可紫外线固化的带。
附图说明
附图被包括以在根据说明书阅读时提供对本公开的额外的理解。附图示出了本公开的实施方式，在附图中：
图1是根据实施方式的电子设备的立体图；
图2是根据实施方式的电子设备的示意性剖视图；
图3是根据实施方式的像素的等效电路图；
图4A是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性剖视图；
图4B是根据实施方式的发光元件的示意性剖视图；
图5是根据本发明构思的实施方式的电子设备的一部分的剖视图；
图6是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性剖视图；
图7A至图7F是示出根据实施方式的电子设备的制造方法的示意性剖视图；
图8A至图8C是示出根据实施方式的电子设备的制造方法的示意性剖视图；
图9A至图9E是示出根据实施方式的电子设备的制造方法的示意性剖视图；
图10是根据实施方式的电子设备的立体图；
图11示出了根据实施方式的可以使用电子设备的环境；
图12A是根据实施方式的电子设备的示意性平面图；
图12B是根据实施方式的电子设备的示意性平面图；以及
图13是根据实施方式的显示设备的分解立体图。
具体实施方式
应当理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件上、直接连接到或直接联接到另一元件，或者可以存在介于中间的第三元件。
附图中相同的附图标记表示相同的元件。此外，在附图中，为了有效地描述技术内容，可以夸大元件的厚度、比例和尺寸。
术语“和/或”包括相关项目中的一个或多个的任何和所有组合。
诸如第一、第二等的术语可用于描述各种组件，但这些组件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开的目的。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，或者类似地，第二组件可以被称为第一组件。单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
此外，诸如“之下”、“下部”、“上”和“上部”的术语用于解释附图中所示的项的关联。应当理解，除了图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在包括设备在使用或操作中的不同取向。
短语“在平面图中”是指当从上方观察对象部分时的情况，并且短语“在示意性剖视图中”是指当从侧面观察通过竖直切割对象部分而取得的截面时的情况。另外，术语“重叠”或“重叠的”意味着第一对象可以位于第二对象的上方或下方，或者位于第二对象的一侧，或者第二对象可以位于第一对象的上方或下方，或者位于第一对象的一侧。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例性实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，术语，例如在常用词典中定义的那些，应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的含义进行解释，除非在本文中明确地如此定义。
将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或添加。
在下文中，参考附图描述本公开的实施方式。
图1是根据实施方式的电子设备ED的立体图。
参照图1，电子设备ED可以是显示图像的显示设备。电子设备ED可以用在诸如电视、监视器或外部广告牌的大型电子设备中，并且还可以用在诸如个人电脑、笔记本电脑、个人数字终端、汽车导航单元、游戏机、便携式电子设备或相机的小型和中型电子设备中。电子设备ED还可以用在其他电子设备中。
显示区域DA和非显示区域NDA可以限定在电子设备ED中。
在其上显示图像IM的显示区域DA平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面。显示区域DA的法线方向(即，电子设备ED的厚度方向)由第三方向DR3表示。每个构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)由第三方向DR3区分。然而，由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向是相对的，并且可以改变到其他方向。在下文中，第一方向至第三方向是分别由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3表示的方向。
非显示区域NDA可以是与显示区域DA相邻的区域，并且不在其上显示图像IM。电子设备ED的边框区域可以由非显示区域NDA限定。
非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的周边或在显示区域DA的周边周围。可以相对地设计显示区域DA的形状和非显示区域NDA的形状，并且进一步地，可以省略非显示区域NDA。
图2是根据实施方式的电子设备ED的示意性剖视图。
关于图2，电子设备ED可以包括显示面板DP和感测单元SU。
显示面板DP可以是包括微小型发光元件的微小型发光元件显示面板DP。例如，显示面板DP可以是微型发光元件显示面板。
显示面板DP可以包括基底层BL、电路层ML、发光元件层EL和薄膜封装层TFE。
基底层BL可以包括柔性材料。例如，基底层BL可以是塑料衬底。塑料衬底可包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺树脂和二奈嵌苯基树脂中的至少一种。例如，基底层BL可以包括单层的聚酰亚胺基树脂。然而，基底层BL可以是包括多个绝缘层的层叠结构。在另一实施方式中，基底层BL可以包括刚性材料，并且例如可以是玻璃衬底。
电路层ML可以设置在基底层BL上。电路层ML可以包括绝缘层、导电层和半导体层。
发光元件层EL可以设置在电路层ML上。发光元件层EL包括显示元件，例如微型发光元件。微型发光元件可以是发光二极管(LED)。
薄膜封装层TFE可以封装发光元件层EL。薄膜封装层TFE可包括多个无机层和设置在其间的至少一个有机层。此外，薄膜封装层TFE还可以包括缓冲层。缓冲层可以是最邻近感测单元SU的层。缓冲层可以是无机层或有机层。
感测单元SU可以包括用于感测触摸的电路。感测单元SU的触摸感测类型可以是电阻膜类型、光学类型、静态电容类型、超声类型等，并且不限于此。其中，静态电容类型的感测单元SU可以使用当触摸产生手段接触电子设备ED的屏幕时改变的静态电容来检测是否产生触摸。静态电容类型可以分为互静态电容类型和自静态电容类型。
感测单元SU可以直接设置在显示面板DP上。短语“直接设置”排除了“利用单独的粘合构件附接”，并且意味着“通过连续工艺设置”，使得感测单元SU和显示面板DP可以形成为单一的、一体结构。然而，显示面板DP和感测单元SU可以利用粘合材料(未示出)彼此结合，或者可以省略感测单元SU。
图3是根据实施方式的像素PX的等效电路的示意图。
参照图3，像素PX设置在显示区域DA(参见图1)中，并且可以实现图像。
像素PX可以与信号线电连接。在图3的信号线中，作为示例示出了扫描线SLi和SLi-1、数据线DL、第一电力线PL1、第二电力线PL2、初始化电力线VIL和发射控制线ECLi。然而，像素PX可额外地连接到多种信号线，且可省略所示信号线的一部分。
像素PX可以包括发光元件LED和像素电路CC。发光元件LED可以是包括在图2中的发光元件层EL中的组件，并且像素电路CC可以是包括在图2中的电路层ML中的组件。
像素电路CC可以包括晶体管T1至T7以及电容器CP。像素电路CC可以根据数据信号控制流过发光元件LED的电流量。
发光元件LED可以以与从像素电路CC提供的电流量对应的指定亮度发光。为此，第一电源电压ELVDD的电平可以设置为高于第二电源电压ELVSS的电平。
晶体管T1至T7中的每一个可以包括输入电极(或源电极)、输出电极(或漏电极)和控制电极(或栅电极)。输入电极和输出电极中的任何一个可以被称为第一电极，并且另一个可以被称为第二电极。
第一晶体管T1的第一电极可以经由第五晶体管T5连接到第一电力线PL1。第一电力线PL1可以是通过其提供第一电源电压ELVDD的线。第一晶体管T1的第二电极可以经由第六晶体管T6连接到发光元件LED的阳电极。在本说明书中，第一晶体管T1可以被称为驱动晶体管。
第一晶体管T1可以与施加到第一晶体管T1的控制电极的电压对应地来控制流过发光元件LED的电流量。
第二晶体管T2可以连接在数据线DL与第一晶体管T1的第一电极之间。此外，第二晶体管T2的控制电极可以连接到第i扫描线SLi。当第i扫描信号被提供给第i扫描线SLi时，第二晶体管T2导通以将数据线DL与第一晶体管T1的第一电极电连接。
第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1的第二电极与第一晶体管T1的控制电极之间。第三晶体管T3的控制电极可以连接到第i扫描线SLi。当第i扫描信号被提供给第i扫描线SLi时，第三晶体管T3导通以电连接第一晶体管T1的第二电极和第一晶体管T1的控制电极。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1是二极管连接。
第四晶体管T4可以连接在节点ND与初始化电力线VIL之间。此外，第四晶体管T4的控制电极可以连接到第(i-1)扫描线SLi-1。节点ND可以是第四晶体管T4和第一晶体管T1的控制电极连接处的节点。当第(i-1)扫描信号被提供给第(i-1)扫描线SLi-1时，第四晶体管T4导通以向节点ND提供初始化电压Vint。
第五晶体管T5可以连接在第一电力线PL1与第一晶体管T1的第一电极之间。第六晶体管T6可以连接在第一晶体管T1的第二电极与发光元件LED的阳电极之间。第五晶体管T5的控制电极和第六晶体管T6的控制电极可以连接到第i发射控制线ECLi。
第七晶体管T7可以连接在初始化电力线VIL与发光元件LED的阳电极之间。此外，第七晶体管T7的控制电极可以连接到第i扫描线SLi。当第i扫描信号被提供给第i扫描线SLi时，第七晶体管T7导通以向发光元件LED的阳电极提供初始化电压Vint。
第七晶体管T7可以改善像素PX的黑色水平表现能力。具体地，当第七晶体管T7导通时，发光元件LED的寄生电容(未示出)可以放电。在实现黑色亮度时，发光元件LED不会由于来自第一晶体管T1的泄漏电流而发光，并且从而可以改善黑色表现能力。
另外，图3示出了第七晶体管T7的控制电极可连接到第i扫描线SLi。在另一实施方式中，第七晶体管T7的控制电极可以连接到第(i-1)扫描线SLi-1或第(i+1)扫描线(未示出)。
虽然图3是以PMOS为基础示出的，但是像素电路CC也可以设置有NMOS。在另一实施方式中，像素电路CC可以设置有NMOS和PMOS的组合。
电容器CP可以设置在第一电力线PL1与节点ND之间。电容器CP可存储对应于数据信号的电压。当第五晶体管T5和第六晶体管T6导通时，可以根据存储在电容器CP中的电荷量确定流过第一晶体管T1的电流量。
发光元件LED可以电连接到第六晶体管T6和第二电力线PL2。发光元件LED可以通过第二电力线PL2接收第二电源电压ELVSS。
发光元件LED可以以与通过第六晶体管T6传递的信号和通过第二电力线PL2接收的第二电源电压ELVSS之间的差对应的电压发射光。
发光元件LED可以是微型发光元件。在图3中，示出了一个发光元件LED可以连接在第六晶体管T6与第二电力线PL2之间。然而，可以设置多个发光元件LED并且多个发光元件LED可以并联连接。
像素PX的结构不限于图3中所示的结构。在另一实施方式中，像素PX可以另外地实现和构造成使发光元件LED发光。
图4A是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性剖视图。图4B是根据实施方式的发光元件的示意性剖视图。
参照图4A，第一绝缘层10可以设置在基底层BL上。第一绝缘层10被示出为包括单层，但是第一绝缘层10可以包括多个层。例如，第一绝缘层10可以包括阻挡层和缓冲层。
阻挡层可以包括无机材料。阻挡层可以防止通过基底层BL流入的氧气或湿气渗入到像素PX(参见图3)中。缓冲层可以包括无机材料。缓冲层可以为像素PX提供比基底层BL的表面能低的表面能，使得像素PX稳定地形成在基底层BL上。第一绝缘层10可以包括一个阻挡层和一个缓冲层。然而，根据实施方式的第一绝缘层10可以包括在其配置中交替堆叠的多个阻挡层和缓冲层。作为一个示例，阻挡层和缓冲层中的至少任何一个可以设置为多个或者可以被另行省略。
像素PX可以包括像素电路CC(见图3)和发光元件LED。像素电路CC可以包括晶体管T1至T7(参见图3)和电容器CP(参见图3)。图4A仅示出了像素电路CC的组件中的此类晶体管TR中的一个。晶体管TR可以是第一晶体管T1(参见图3)。
晶体管TR可以设置在第一绝缘层10上。晶体管TR可以包括半导体图案SP、控制电极CE、输入电极IE和输出电极OE。
半导体图案SP可以设置在第一绝缘层10上。半导体图案SP可以包括半导体材料。例如，半导体图案SP可以包括多晶硅或非晶硅。半导体图案SP可以包括金属氧化物。半导体图案SP可包括用作电子或空穴移动通过的通道的沟道区域以及其间设置有沟道区域的第一离子掺杂区域和第二离子掺杂区域。
第二绝缘层20可以设置在半导体图案SP上以覆盖半导体图案SP或与半导体图案SP重叠。第二绝缘层20可以包括无机材料。无机材料可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少任何一种。
控制电极CE可以设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以设置在控制电极CE上以覆盖控制电极CE。第三绝缘层30可以包括无机材料。
输入电极IE和输出电极OE可以设置在第三绝缘层30上。输入电极IE和输出电极OE可以通过穿过第二绝缘层20和第三绝缘层30的通孔连接到半导体图案SP。
第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上，以覆盖输入电极IE和输出电极OE或与输入电极IE和输出电极OE重叠。第四绝缘层40可以包括无机材料。无机材料可以是氧化硅。
电路层ML可以包括绝缘层10、20、30和40以及晶体管TR。基底层BL和电路层ML可以被称为电路衬底。
第一绝缘层IL1可以设置在第四绝缘层40上。换句话说，第一绝缘层IL1可以设置在电路层ML上。
第一绝缘层IL1可以包括有机材料。有机材料可以是聚合物有机材料。有机材料可以包括聚酰亚胺基树脂、丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺树脂和聚碳酸酯基树脂、酚醛基树脂和二萘嵌苯基树脂中的至少一种，但不限于此。聚碳酸酯基树脂的粘附性可以根据所施加的加热水平根据其温度而改变。第一绝缘层IL1可以包括这样的材料，该材料的粘附性水平或程度根据由于施加热量而残留在第一绝缘层IL1中的溶剂的量或含量(level)而改变。在下文中，施加热量可以包括干燥过程。因此，干燥过程的实施可以使溶剂挥发并减少溶剂的含量，以增加粘附水平。
发光元件LED可以设置在第一绝缘层IL1上。在平面图中，第一绝缘层IL1的形状可以对应于发光元件LED的形状。例如，在平面图中，第一绝缘层IL1的面积可以对应于发光元件LED的面积，以在尺寸上相同或基本上相同。
可以基于第一绝缘层IL1的粘附性将发光元件LED转移到电路层ML上。第一绝缘层IL1的粘附性可以根据溶剂的量而改变，所述溶剂的量通过例如干燥第一绝缘层IL1和其中的溶剂的程度来实现。为了将发光元件LED从转移层(下面讨论)转移并将其附接到电路层ML上，第一绝缘层IL1可以被干燥至少一次。例如，第一绝缘层IL1可以被软烘烤。软烘烤的第一绝缘层IL1的粘附性可以高于软烘烤之前的第一绝缘层IL1的粘附性。发光元件LED可以通过软烘烤的第一绝缘层IL1转移到电路层ML上。换句话说，软烘烤的第一绝缘层IL1可以包含比非软烘烤的第一绝缘层IL1更少量的溶剂，使得较少量的溶剂可以导致软烘烤的第一绝缘层IL1具有比非软烘烤的第一绝缘层IL1更高的粘附水平。
参照图4B，发光元件LED可以是具有几纳米至几百微米的宽度WT的微型发光元件。然而，发光元件LED的宽度WT仅仅是示例性的，可以不限于上述数值范围。
发光元件LED可以包括第一电极E1、第二电极E2、第一半导体层SC1、第二半导体层SC2和有源层AL。有源层AL可以设置在第一半导体层SC1与第二半导体层SC2之间。第一电极E1可以电连接到第一半导体层SC1，并且第二电极E2可以电连接到第二半导体层SC2。
第一半导体层SC1可以是p型半导体层，并且第二半导体层SC2可以是n型半导体层。例如，第一半导体层SC1可以向有源层AL提供空穴，并且第二半导体层SC2可以向有源层AL提供电子。
第一半导体层SC1可以设置有掺杂有p型掺杂剂的半导体层，并且第二半导体层SC2可以设置有掺杂有n型掺杂剂的半导体层。半导体层可以包括半导体材料，并且半导体材料可以是例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN或其组合。n型掺杂剂可以是例如硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硒(Se)、碲(Te)或其组合，但不限于此。p型掺杂剂可以是镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)或其组合。
有源层AL可以以单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构或量子点结构中的任何一种形成。有源层AL可以是其中通过第二半导体层SC2注入的电子和通过第一半导体层SC1注入的空穴重新组合的区域。有源层AL是从其发射具有由材料的本征能带确定的能量的光的层。有源层AL的位置可以根据二极管的种类以各种方式改变。
再次参考图4A，第一绝缘层IL1可以直接接触发光元件LED的一个表面。所述一个表面可以是发光元件LED的其上未设置第一电极E1和第二电极E2的底表面。
第二绝缘层IL2可以设置在第四绝缘层40上。第二绝缘层IL2可以设置在电路层ML上。第二绝缘层IL2可以设置在发光元件LED周围。例如，在平面图中，第二绝缘层IL2可以不与发光元件LED重叠。
第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2可以通过单独的工艺形成。例如，可以首先形成第一绝缘层IL1，且然后可以随后形成第二绝缘层IL2。第二绝缘层IL2可以包括与第一绝缘层IL1相同的材料。例如，第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2可以包括聚酰亚胺基树脂。
在常规工艺中，当采用单独的粘合剂或树胶(gum)时，可能在随后的工艺中从粘合剂或树胶产生气泡，这会降低封装性能。这可降低电子设备的性能。然而，根据本文中的实施方式，可使用电子设备ED的绝缘层(例如，包括与第二绝缘层IL2相同的材料的第一绝缘层IL1)将发光元件LED转移到电路层ML上。换句话说，根据实施方式，可以使用用作电子设备ED的现有层的材料的粘附性水平的变化将发光元件LED转移到电路层ML上。换句话说，不需要用于将发光元件LED转移到电路层ML上的常规工艺中的附加的、单独的粘合剂或树胶。
第一绝缘层IL1的第一厚度TK1可以小于第二绝缘层IL2的第二厚度TK2。例如，第一厚度TK1可以是约1微米至约4微米，并且第二厚度TK2可以是约3微米至约7微米。
第一厚度TK1和第二厚度TK2中的每一个可以小于发光元件LED的厚度TKM。例如，当发光元件LED的厚度为约7微米至约8微米时，第一厚度TK1和第二厚度TK2中的每一个可以为约7微米或更小。例如，它可以是约5微米。然而，第一厚度TK1、第二厚度TK2和厚度TKM不限于以上内容。
第一中间电极MCN1可以设置在第二绝缘层IL2上。第一中间电极MCN1可以穿过第二绝缘层IL2和第四绝缘层40以电连接到输出电极OE。
第三绝缘层IL3可以设置在第二绝缘层IL2上。第三绝缘层IL3可以覆盖第一中间电极MCN1和发光元件LED或与第一中间电极MCN1和发光元件LED重叠。第三绝缘层IL3可以包括与第一绝缘层IL1相同的材料。例如，第三绝缘层IL3可以包括聚酰亚胺基树脂等。
第二中间电极MCN2可以设置在第三绝缘层IL3上。第二中间电极MCN2可以穿透第三绝缘层IL3以电连接到第一中间电极MCN1。
第四绝缘层IL4可以设置在第三绝缘层IL3上。第四绝缘层IL4可以覆盖第二中间电极MCN2或与第二中间电极MCN2重叠。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以设置在第四绝缘层IL4上。
第一连接电极CNE1可以穿过第四绝缘层IL4以连接到第二中间电极MCN2，并且穿过第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4以连接到第一电极E1。换句话说，发光元件LED的第一电极E1可以通过第一连接电极CNE1、第一中间电极MCN1和第二中间电极MCN2电连接到晶体管TR的输出电极OE。
第二连接电极CNE2可以穿过第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4以连接到发光元件LED的第二电极E2。此外，虽然未示出，但是第二连接电极CNE2可以连接到第二电力线PL2(参见图3)。因此，第二电源电压ELVSS(见图3)可以被提供给第二电极E2。
第五绝缘层IL5可以设置在第四绝缘层IL4上。第五绝缘层IL5可以覆盖第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2或与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2重叠。
在图4A中，示出了第三绝缘层IL3、第四绝缘层IL4、第一中间电极MCN1和第二中间电极MCN2可以设置在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2上，但是该实施方式不限于此。根据发光元件LED的厚度，设置在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2上的绝缘层和中间电极的数目可以更小或更大。
图5是根据实施方式的电子设备的示意性剖视图。
参照图5，第一绝缘层IL1a可以设置在第四绝缘层40上。第一绝缘层IL1a可以包括位于发光元件LED之下的第一绝缘区域ILa和设置在发光元件LED周围的第二绝缘区域ILb。第一绝缘区域ILa和第二绝缘区域ILb可以是通过相同的形成工艺基本上同时提供的层。
为了将发光元件LED转移到电路层ML上，第一绝缘层IL1a可以被干燥至少一次，例如，第一绝缘层IL1a可以被软烘烤。发光元件LED可以通过软烘烤的第一绝缘层IL1a转移到电路层ML上。当发光元件LED被转移时，压力可以施加到第一绝缘层IL1a的第一绝缘区域ILa。因此，第一绝缘区域ILa的厚度TK1a可以小于第二绝缘区域ILb的厚度TK2a。因此，发光元件LED的厚度方向上(例如，第三方向DR3上)的至少一部分可以由第一绝缘层IL1a围绕。
图6是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性剖视图。
参照图6，直接邻接发光元件LED的第一绝缘层IL1a可以包括高耐热性材料。例如，第一绝缘层IL1a可以包括聚酰亚胺基树脂。此外，还可以在电路层ML与第一绝缘层IL1a之间设置散热层HTS。散热层HTS可以设置在发光元件LED下方。散热层HTS可以扩散在发光元件LED中产生的热量，以防止发光元件LED的特定局部中的温度升高。
散热层HTS可以包括具有优异导热性的材料。例如，散热层HTS可以是具有金属颗粒作为填充物的聚合物复合材料。金属颗粒可包括铝、银、铜和镍中的至少任何一种。散热层HTS可以是包括陶瓷粉末的聚合物复合材料。陶瓷粉末可以包括氮化铝、氧化铝、氮化硼、碳化硅和氧化铍中的至少任何一种。散热层HTS可以包括碳复合材料。碳复合材料可包括石墨、碳纳米管、碳纤维和石墨烯中的至少一种。散热层HTS可以是具有优异导热性和光反射率的金属薄膜层。金属薄膜层可以包括铝、金、银、铜、镍和钼中的至少任何一种。
图7A至图7F是示出电子设备的制造方法的示意性剖视图。
参考图7A，形成基底层BL。基底层BL可以形成在载体衬底(未示出)上。载体衬底可以是例如玻璃衬底。可以在基底层BL上形成电路层ML。
参考图7B，在电路层ML上设置绝缘层PIL。绝缘层PIL可以涂覆在电路层ML上。例如，可以在形成绝缘层PIL时采用旋涂工艺。
参考图7B和图7C，可以例如在绝缘层PIL上顺序地设置发光元件LED和转移层TRL。换句话说，在示意性剖视图中，顺序设置可以包括位于电路层ML上的绝缘层PIL、位于绝缘层PIL上的发光元件LED以及位于发光元件LED上的转移层TRL。
对绝缘层PIL进行干燥以形成干燥绝缘层PIL-1。干燥绝缘层PIL-1的溶剂的量可以小于绝缘层PIL的溶剂的量。干燥绝缘层PIL-1可以是指经软烘烤的绝缘层PIL。例如，干燥绝缘层PIL-1可以通过根据规定的温度范围对绝缘层PIL加热规定的时间来形成。规定的时间可以是例如约10秒至约3分钟，并且规定的温度范围可以是约50度至约200摄氏度。可以不同地选择规定的时间和规定的温度范围，以使干燥绝缘层PIL-1的粘附性高于绝缘层PIL的粘附性。
发光元件LED可以与干燥绝缘层PIL-1接触。干燥绝缘层PIL-1与发光元件LED之间的粘附性可以大于转移层TRL与发光元件LED之间的粘附性。在实施方式中，发光元件LED可以与绝缘层PIL接触，且然后可以对绝缘层PIL进行软烘烤以提供干燥绝缘层PIL-1。
参考图7D，在发光元件LED与干燥绝缘层PIL-1接触之后，转移层TRL与发光元件LED分离。转移层TRL可以是可紫外线固化的带。例如，当用紫外线照射转移层TRL时，可以降低转移层TRL的粘附性。
可以在发光元件LED和转移层TRL布置在绝缘层PIL上之前或者在发光元件LED与干燥绝缘层PIL-1接触之后，用紫外线照射转移层TRL。
参考图7E，可以使用作为掩模的发光元件LED图案化干燥绝缘层PIL-1。因此，可以形成第一绝缘层IL1。
参考图7F，可以形成第二绝缘层IL2。第二绝缘层IL2可以包括与第一绝缘层IL1相同的材料。例如，第二绝缘层IL2可以包括聚酰亚胺基树脂。可以通过旋涂工艺设置第二绝缘层IL2。
当转移发光元件LED时，第一绝缘层IL1的厚度可减小。因此，第一绝缘层IL1的厚度可以比第二绝缘层IL2的厚度薄。
此后，可以顺序地形成第一中间电极MCN1、第三绝缘层IL3、第二中间电极MCN2和第四绝缘层IL4。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以形成为将发光元件LED电连接到电路层ML。
结合发光元件LED与电路层ML的第一绝缘层IL1可以包括与包括在显示面板DP(参见图2)中的绝缘层相同的材料中的一种。换句话说，由于发光元件LED利用根据绝缘层的溶剂量的粘附性变化而转移，因此可以省略根据常规工艺的用于转移发光元件LED的单独的粘附层。在传统的粘附层中，可能在整个转移过程中产生气泡，且因此可能导致显示面板性能的降低。然而，在本文中的实施方式中，可以使用显示面板DP的组成绝缘层的粘合能力来转移发光元件LED。
此外，在常规工艺中，当首先形成连接电极且然后转移发光元件LED时，压力可在转移发光元件LED的同时施加至连接电极，这可能损坏连接电极。然而，根据本文中的实施方式，由于可以在转移发光元件LED之后形成第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2，所以可以改善发光元件LED与电路层ML之间的电连接的稳定性。
图8A至图8C是示出根据实施方式的电子设备的制造方法的示意性剖视图。
参考图8A，可以将发光元件LED附接到转移层TRL。可以将绝缘层PILa涂覆在发光元件LED和转移层TRL上。绝缘层PILa可以包括设置在发光元件LED上的第一绝缘区域PILx和设置在转移层TRL上的第二绝缘区域PILy。
参照图8B，绝缘层PILa、发光元件LED和转移层TRL可以布置成顺序地设置在电路层ML上。然后，可以对绝缘层PILa进行干燥。该干燥操作可以是软烘烤操作。在实施方式中，可以首先对绝缘层PILa进行干燥，且然后可以将绝缘层PILa、发光元件LED和转移层TRL布置成顺序地设置在电路层ML上。
当绝缘层PILa中包含的溶剂挥发时，绝缘层PILa的粘附性可增加。完成软烘烤操作之后的绝缘层PILa被称为干燥绝缘层PILa-1。干燥绝缘层PILa-1可以包括设置在发光元件LED上的第一干燥绝缘区域PILx-1和设置在转移层TRL上的第二干燥绝缘区域PILy-1。
第一干燥绝缘区域PILx-1可以附接到电路层ML。例如，第一干燥绝缘区域PILx-1可以附接到第四绝缘层40。第一干燥绝缘区域PILx-1与第四绝缘层40之间的粘附性以及第一干燥绝缘区域PILx-1与发光元件LED之间的粘附性可以高于发光元件LED与转移层TRL之间的粘附性，因为如已经所讨论的，转移层TRL可以是可紫外线固化的带，使得发光元件LED可以通过紫外光的照射来与转移层TRL分离。
参照图8C，可以将转移层TRL与发光元件LED分离。发光元件LED可以附接到电路层ML，且第一干燥绝缘区域PILx-1位于发光元件LED与电路层ML之间，并且可以将第二干燥绝缘区域PILy-1和转移层TRL与发光元件LED分离。
图9A至图9E是示出电子设备的制造方法的示意性剖视图。
关于图9A，可以在电路层ML上形成散热层HTS。散热层HTS可以是具有优异导热性和光反射率的金属薄膜层。
关于图9B，可以在电路层ML上形成覆盖散热层HTS或与散热层HTS重叠的绝缘层PIL。绝缘层PIL可以涂覆在电路层ML上。例如，在形成绝缘层PIL时，可以采用旋涂工艺。
关于图9B和图9C，可以在绝缘层PIL上顺序地设置发光元件LED和转移层TRL。换句话说，在示意性剖视图中，可以依次设置位于电路层ML上的散热层HTS、位于散热层HTS上的绝缘层PIL、位于绝缘层PIL上的发光元件LED以及位于发光元件LED上的转移层TRL。
可以对绝缘层PIL进行干燥以设置干燥绝缘层PIL-1。干燥绝缘层PIL-1的溶剂量可以小于绝缘层PIL的溶剂量。发光元件LED可以与干燥绝缘层PIL-1接触。干燥绝缘层PIL-1与发光元件LED之间的粘附性可以大于转移层TRL与发光元件LED之间的粘附性。
参照图9D，在发光元件LED与干燥绝缘层PIL-1接触之后，可以将转移层TRL与发光元件LED分离。当转移发光元件LED时，由于发光元件LED与干燥绝缘层PIL-1的局部区域的设置，干燥绝缘层PIL-1的局部区域的厚度可减小。
参照图9E，可以烘烤干燥绝缘层PIL-1以形成第一绝缘层IL1a。可以在第一绝缘层IL1a上顺序地形成第一中间电极MCN1、第三绝缘层IL3、第二中间电极MCN2和第四绝缘层IL4。可以形成第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以将发光元件LED与电路层ML电连接。
图10是根据实施方式的电子设备ED-1的立体图。
参照图10，电子设备ED-1可以是柔性电子设备ED-1。柔性电子设备ED-1可以根据各种形状形成，这些形状可以能够从原始形状操纵，例如弯曲或弯折。柔性电子设备ED-1可以在显示区域DA-1上提供图像，显示区域DA-1本身可以是柔性的。
柔性电子设备ED-1具有柔性性质，且因此即使在形状被操纵时，也不会在构成柔性电子设备ED-1的组件中出现裂纹。
图11示出了根据实施方式的可以使用电子设备的环境。
参照图11，电子设备ED-2a、ED-2b和ED-2c可以安装在车辆内部。例如，电子设备ED-2a、ED-2b和ED-2c可以包括显示驱动车辆所需的各种信息的第一电子设备ED-2a、操作诸如空调、加热器、音频设备和空气循环器的各种系统的第二电子设备ED-2b以及显示后侧图像的第三电子设备ED-2c。
车辆的其上安装有第一电子设备ED-2a、第二电子设备ED-2b和第三电子设备ED-2c的安装表面可以是弯曲的。根据实施方式，第一电子设备ED-2a、第二电子设备ED-2b和第三电子设备ED-2c可以对应于弯曲安装表面的形状而被拉伸。因此，根据实施方式的可拉伸电子设备可以容易地安装在各种安装表面上。
图12A是根据实施方式的电子设备的示意性平面图。
参照图12A，示出了图11所示的电子设备ED-2a、ED-2b和ED-2c中的每一个的平面图。
可拉伸电子设备ED-2a、ED-2b和ED-2c的基底层BL可以包括岛状部分IS和桥接部分BR。
岛状部分IS可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2布置。桥接部分BR可以连接到岛状部分IS。例如，相邻的岛状部分IS可以通过至少一个桥接部分BR彼此连接。当基底层BL被拉伸时，岛状部分IS之间的间隔可以增大。例如，桥接部分BR的形状或位置可以变形，而岛状部分IS本身的形状不变形。
至少一个像素可以设置在岛状部分IS的每一个中。图12A示出了第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3设置在一个岛状部分IS中。第一像素PX1可以是蓝色像素，第二像素PX2可以是绿色像素，并且第三像素PX3可以是红色像素。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个可以包括像素电路CC(参见图3)和发光元件LED(参见图3)，并且像素电路CC可以包括晶体管T1至T7(参见图3)。换句话说，晶体管T1至T7和发光元件LED(参见图3)可以设置在岛状部分IS上。
图12A所示的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以对应于从其提供光的像素区域。作为参考，图4A中所示的剖视图可以是沿图12A中的线I-I'截取的剖视图。一个像素区域可以对应于通过一个发光元件LED(参见图4A)从其提供光的区域。
电连接到像素电路CC的信号线SLi、SLi-1、ECLi、DLa、DLb、DLc、PL1、PL2和VIL可以设置在桥接部分BR上。例如，第一数据线DLa可电连接到第一像素PX1，第二数据线DLb可电连接到第二像素PX2，且第三数据线DLc可电连接到第三像素PX3。第i扫描线SLi、第(i-1)扫描线SLi-1、发射控制线ECLi、第一电力线PL1、第二电力线PL2和初始化电力线VIL可以电连接到第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个。
图12B是根据实施方式的电子设备的示意性平面图。
参照图12B，至少一个像素可以设置在岛状部分IS的每一个中。在图12B中，第一像素PX1a、第二像素PX2a和第三像素PX3a可以设置在一个岛状部分IS中。
第一像素PX1a、第二像素PX2a和第三像素PX3a中的每一个可以包括像素电路CC(参见图3)以及两个或更多个发光元件LED(参见图3)。图12B示出了分别对应于第一像素PX1a、第二像素PX2a和第三像素PX3a中的每一个的两个发光元件LED的两个像素区域SPX1。根据实施方式，即使当一个发光元件LED异常时，光也可以由另一发光元件LED提供。因此，可以改善发光的可靠性。
图13是根据实施方式的显示设备的分解立体图。
参照图13，显示设备DD可以是液晶显示设备。显示设备DD可以包括显示面板DP-I和电子设备ED-3。
显示面板DP-I可以基于所提供的光来控制每个像素PX的透射率以实现图像。在实施方式中，显示面板DP-I可以是透光显示面板，例如液晶显示面板。
电子设备ED-3可以设置在显示面板DP-I之下。电子设备ED-3可以面对显示面板DP-I并向显示面板DP-I提供光。
电子设备ED-3可以是光源单元，并且可以包括电路板CB和发光元件LED。电路板CB可以设置在显示面板DP-I之下。电路板CB可以具有面对显示面板DP-I的板的形状。尽管未在图中示出，但是电路板CB可以包括基底衬底和安装在基底衬底上的电路线。电路线可以从外部接收电信号以将电信号传递到发光元件LED，或者电路线可以电连接发光元件LED。
发光元件LED中的每个产生光。发光元件LED可以设置在电路板CB上以与电路板CB电连接。发光元件LED可以彼此分开排列。发光元件LED可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2平行地排列。
发光元件LED可以设置在电路板CB与显示面板DP-I之间，以向显示面板DP-I提供光。发光元件LED中的每个可以包括微型发光元件。通过应用图7A至图7F、图8A至图8C、或图9A至图9E中所示的方法，可以将发光元件LED中的每个转移到电路板CB上。
根据本公开的实施方式，可以使用组成绝缘层将发光元件转移到电路层上。绝缘层可以包括可应用于电子设备的材料。因此，可以省略可以另外用于将发光元件转移到电路层上的额外的、单独的粘合层。此外，如所描述的，由于发光元件被转移到电路层上，因此可以因避免了来自单独粘合剂的潜在干扰或单独粘合剂的失灵而增加电子设备的可靠性。
虽然在本文中已经如上所述地描述了实施方式，但是本领域的普通技术人员将清楚，在不脱离如所附权利要求及其等同中限定的本公开的精神和范围的情况下，可以对所描述的实施方式进行各种改变和修改。因此，本公开的范围不应受前述描述的局限或限制，而是可以由所附权利要求的最广泛允许的解释来确定。

Claims (12)

1.电子设备，包括：
基底层；
电路层，设置在所述基底层上；
第一绝缘层，设置在所述电路层上；
发光元件，设置在所述第一绝缘层上；以及
连接电极，设置在所述发光元件上并且电连接所述发光元件和所述电路层，
其中，所述第一绝缘层的形状与所述发光元件的形状对应。
2.根据权利要求1所述的电子设备，还包括设置在所述电路层上且围绕所述发光元件的第二绝缘层。
3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述第一绝缘层的厚度比所述第二绝缘层的厚度薄。
4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一绝缘层包括聚酰亚胺基树脂。
5.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：
散热层，设置在所述电路层与所述第一绝缘层之间。
6.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述第一绝缘层的所述厚度为1微米至4微米，并且所述第二绝缘层的所述厚度为3微米至7微米。
7.根据权利要求2所述的电子设备，还包括：
第一中间电极，设置在所述第二绝缘层上，并且电连接到所述电路层；以及
第三绝缘层，设置在所述第二绝缘层上并覆盖所述第一中间电极和所述发光元件，
其中，所述连接电极设置在所述第三绝缘层上以电连接到所述第一中间电极和所述发光元件。
8.根据权利要求7所述的电子设备，还包括：
第二中间电极，设置在所述第三绝缘层上，并且电连接到所述第一中间电极；以及
第四绝缘层，设置在所述第三绝缘层上并覆盖所述第二中间电极，
其中，所述连接电极设置在所述第四绝缘层上以电连接到所述第二中间电极和所述发光元件。
9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述基底层包括彼此分离的岛状部分以及连接所述岛状部分的桥接部分。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述电路层包括薄膜晶体管和电连接到所述薄膜晶体管的信号线，
其中，所述薄膜晶体管设置在所述岛状部分上，并且所述信号线设置在所述桥接部分上。
11.根据权利要求9所述的电子设备，还包括多个发光元件，其中，所述发光元件中的至少一个设置在所述岛状部分中的相应一个上。
12.将发光元件附接到衬底的方法，包括：
在转移层上设置发光元件；
在所述转移层上的所述发光元件与所述衬底之间设置绝缘层；
将所述转移层移动到位于所述衬底上方的位置；
对所述绝缘层进行干燥以使所述发光元件与所述衬底附接；以及
将所述转移层与所述发光元件分离。
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