KR20200085689A - 세륨계 연마입자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 세륨계 연마입자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 입자의 형상 및 크기를 제어할 수 있고, CMP 연마 시 디싱 감소에 유리하며, 결함 및 스크래치를 줄일 수 있으므로 반도체 디바이스 제조 시 생산성 향상을 기대할 수 있다.

Description

세륨계 연마입자 및 그 제조방법 {CERIUM BASED POLISHING PARTICLE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 세륨계 연마입자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
통상 반도체 박막의 연마에는 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing; CMP)가 이용되는데, 기계적 연마를 위한 금속산화물 연마입자(abrasive)와, 연마되는 반도체 기판과의 화학적 반응을 위한 분산제 및 첨가제(additive)를 탈이온수에 분산 및 혼합시켜 제조한 연마 슬러리가 사용되는데, 이 연마 슬러리는 분산성이 양호하고, 우수한 연마속도를 가지며, 연마 후 반도체 기판 표면에 스크래치 등과 같은 결함을 적게 발생시키는 것이 요구된다.
산화세륨 슬러리는 질화규소에 비하여 산화규소를 선택적으로 연마하는 특성이 있어 얕은 트렌치 소자분리(shallow trench isolation; STI) 공정에 적합하며, 비-프레스토니안(non-Prestonian) 거동을 나타내는 특성으로 인해 높은 평탄도가 요구되는 층간절연막(interlevel dielectric; ILD) 공정에도 고평탄 슬러리로서 유용하게 사용된다.
STI CMP에 있어서, 트렌치를 채우는 프로파일(STI Fill Profile)과 트렌치 상부 주변 영역에 형성된 산화막 및 폴리막과의 식각선택비에 의해 필드 영역, 특히 상대적으로 넓은 필드 영역에서는 STI Fill 산화막이 움푹 들어가는 형태의 디싱(dishing) 현상이 발생한다. 종래 세륨계 연마입자는, 분쇄 과정에서 발생하는 미세 입자의 발생과 함께 거대 입자를 포함할 가능성이 높다. 이는 연마입자의 불균일과 각진 형상을 통해 패턴 밀도에 따른 연마에 영향을 미치기 때문에 디싱에 큰 영향을 받는다. 최근 반도체 공정의 배선이 점차 미세화되고 칩간의 간격이 감소됨에 따라 디싱 현상, 스크래치의 발생 빈도 및 그 크기를 감소시키는 특성이 요구되고 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 세륨계 연마입자의 형상 제어 및 슬러리 제조시의 거대 입자나 미세분말의 발생을 억제하여 패턴 밀도에 따른 디싱을 감소시키고, 결함 및 스크래치를 감소시킬 수 있는 세륨계 연마입자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 제1 측면은, 세륨 전구체 물질, 염기성 물질, 유기용매 및 물을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 및 상기 혼합물을 하소하여 금속 산화물을 얻는 단계;를 포함하는, 세륨계 연마입자의 제조방법으로서, 상기 염기성 물질은, 상기 세륨계 연마입자의 형상을 각형 또는 구형으로 제어하고, 상기 세륨계 연마입자는, 입경 50 nm 내지 100 nm인 1차 입자 및 입경 50 nm 내지 200 nm인 2차 입자를 포함하고, 상기 세륨계 연마입자를 포함하는 연마용 슬러리 조성물을 이용하여 웨이퍼 연마 시 1차 입자의 입경이 클수록 2차 입자의 입경이 작을수록 디싱값이 감소하는 것인, 세륨계 연마입자의 제조방법을 제공한다.
상기 세륨 전구체 물질은, 탄산세륨, 질산세륨, 초산세륨, 황산세륨, 질산암모늄세륨, 산화세륨, 수산화세륨 및 이들의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 염기성 물질은, KNO3, CH3COOK, K2SO4, KCl, KOH, KF, NaOH, NaF, Na2O, CH3COONa, Na2SO4, C5H5N, NaOCl, K2C2O4 , 프로필아민, 부틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디부틸아민, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-디메틸아미노-2-프로판올, 3-디메틸아미노-1-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 2-디메틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-에탄올, 2-에틸아미노-1-에탄올, 1-(디메틸아미노)2-프로판올, N-메틸디에탄올아민, N-프로필디에탄올아민, N-이소프로필디에탄올아민, N-(2-메틸프로필)디에탄올아민, N-n-부틸디에탄올아민, N-t-부틸에탄올아민, N-시아클로헥실디에탄올아민, 2-(디메틸아미노)에탄올,2-디에틸아미노에탄올, 2-디프로필아미노에탄올, 2-브틸아미노에틴올, 2-t-부틸아미노에탄올, 2-사이클로아미노에탄올, 2-아미노-2-펜타놀, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-메틸-1-프로판올, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-프로판올, N,N-비스(2-하이드록시프로필)에탄올아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 트리스(하이드록시메틸)아미노메탄 및 트리아이소프로판올아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 유기용매는, 에틸렌 글리콜(EG), 폴리 에틸렌 글리콜(PEG), 메틸알코올, 이소프로필알콜, 메톡시에탄올, 아세톤, 글리세린, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 에틸아세테이트, 사이클로헥산, 부틸락테이트 및 부틸카비톨 아세테이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 하소는 상온 내지 1000℃에서 수행되는 것일 수 있다.
본 발명에 의한 세륨계 연마입자 및 그 제조방법은 입자의 형상 및 크기를 제어할 수 있고, CMP 연마 시 디싱 감소에 유리하며, 결함 및 스크래치를 줄일 수 있으므로 반도체 디바이스 제조 시 생산성 향상을 기대할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세륨계 연마입자의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화세륨 연마입자의 SEM 이미지이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(mask)를 이용해서 제작된 패턴 웨이퍼의 단면 구조이고, 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 웨이퍼의 밀도 분포도를 나타낸 도면이다.
도 4a는 본 발명의 실시예 1의 슬러리 조성물로 연마 후 1차 입자에 따른 연마 속도를 나타낸 그래프이고, 도 4b는 실시예 1의 슬러리 조성물로 연마 후 1차 입자에 따른 디싱 결과를 나타낸 그래프다.
도 5a는 본 발명의 실시예 2의 슬러리 조성물로 연마 후 2차 입자에 따른 연마 속도를 나타낸 그래프이고, 도 5b는 실시예 2의 슬러리 조성물로 연마 후 2차 입자에 따른 디싱 결과를 나타낸 그래프이다.
도 6a는 본 발명의 실시예 3의 슬러리 조성물로 연마 후 입자 형상에 따른 연마 속도를 나타낸 그래프이고, 도 6b는 실시예 3의 슬러리 조성물로 연마 후 입자 형상에 따른 디싱 결과를 나타낸 그래프다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 본 발명의 세륨계 연마입자 및 그 제조방법에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예 및 도면에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 측면은, 세륨 전구체 물질, 염기성 물질, 유기용매 및 물을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 및 상기 혼합물을 하소하여 금속 산화물을 얻는 단계;를 포함하는, 세륨계 연마입자의 제조방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세륨계 연마입자의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
먼저, 세륨 전구체 물질, 염기성 물질, 유기용매 및 물을 혼합하여 혼합물을 제조한다 (110).
상기 세륨 전구체 물질은, 탄산세륨, 질산세륨, 초산세륨, 황산세륨, 질산암모늄세륨, 산화세륨, 수산화세륨 및 이들의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 염기성 물질은, KNO3, CH3COOK, K2SO4, KCl, KOH, KF, NaOH, NaF, Na2O, CH3COONa, Na2SO4, C5H5N, NaOCl, K2C2O4 , 프로필아민, 부틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디부틸아민, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-디메틸아미노-2-프로판올, 3-디메틸아미노-1-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 2-디메틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-에탄올, 2-에틸아미노-1-에탄올, 1-(디메틸아미노)2-프로판올, N-메틸디에탄올아민, N-프로필디에탄올아민, N-이소프로필디에탄올아민, N-(2-메틸프로필)디에탄올아민, N-n-부틸디에탄올아민, N-t-부틸에탄올아민, N-시아클로헥실디에탄올아민, 2-(디메틸아미노)에탄올,2-디에틸아미노에탄올, 2-디프로필아미노에탄올, 2-브틸아미노에틴올, 2-t-부틸아미노에탄올, 2-사이클로아미노에탄올, 2-아미노-2-펜타놀, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-메틸-1-프로판올, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-프로판올, N,N-비스(2-하이드록시프로필)에탄올아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 트리스(하이드록시메틸)아미노메탄 및 트리아이소프로판올아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. 상기 염기성 물질은 연마입자 표면을 깎아내어 각진 형상을 구형 형상으로 만들 수 있다.
상기 염기성 물질의 산해리상수 pKa가 탄산의 산해리상수 pKa보다 작은 것일 수 있으며, 상기 염기성 물질의 산해리상수 pKa가 7 이상일 수 있다.
상기 세륨 전구체 물질이 탄산세륨, 상기 염기성 물질이 KNO3이면, 상기 탄산세륨과 상기 KNO3의 혼합비가 탄산세륨 1 몰에 대하여 KNO3가 0.1 내지 2 몰인 것일 수 있다.
상기 유기용매는, 에틸렌 글리콜(EG), 폴리 에틸렌 글리콜(PEG), 메틸알코올, 이소프로필알콜, 메톡시에탄올, 아세톤, 글리세린, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 에틸아세테이트, 사이클로헥산, 부틸락테이트 및 부틸카비톨 아세테이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. 상기 유기용매를 첨가함으로써 연마입자를 코팅하고 분산성을 향상시키는 효과가 있다.
상기 혼합물의 나머지 성분은 물로서, 바람직하게는 초순수를 사용할 수 있다.
다음으로, 제조된 혼합물을 건조시키는 공정을 하소 공정 이전에 추가적으로 더 진행할 수 있다. 건조는 자연건조, 열풍건조, 열 건조 등의 방법을 이용하여 50 내지 100℃의 온도로 진행할 수 있으며, 바람직하게는 열풍건조기를 이용하여 건조시키는 것이 좋다.
이어서, 상기 혼합물을 하소하여 금속 산화물을 얻는다 (120).
상기 하소는 상온 내지 1000℃에서 수행되는 것일 수 있다. 상기 하소는 공기가 충분히 공급되는 산화 분위기를 유지하고, 예를 들어, 0.1 내지 10 시간 동안 목적온도에서 유지할 수 있다. 경우에 따라서 산소의 분압을 조정하여 하소 공정을 수행할 수도 있다. 바람직하게는, 600 내지 900℃의 온도에서 약 1 시간 동안 하소 공정을 수행할 수 있다. 하소 공정을 거치면서 탄산세륨이 산화세륨으로 형성될 수 있다. 상기 하소 공정에서의 온도 조절을 통해 원하는 입자의 크기 및 모양을 제어할 수 있다. 예를 들어, 하소 온도 500℃ 이하, 하소 시간 1 시간 이하일 때 각형의 연마입자를 제조할 수 있고, 하소 온도 500℃ 초과, 하소 시간 1시간 초과일 때 구형의 연마입자를 제조할 수 있다. 각형의 연마입자 또한 크기 조절에 따라 디싱이 감소할 수 있지만 구형의 연마입자일 경우 디싱 뿐만 아니라 결함 및 스크래치가 더 크게 감소할 수 있다.
본 발명의 제2 측면은, 상기 본 발명의 제1 측면에 따라 제조된 세륨계 연마입자를 제공한다.
본 발명의 제3 측면은, 입경 50 nm 내지 100 nm인 1차 입자 및 입경 50 nm 내지 200 nm인 2차 입자를 포함하는 세륨계 연마입자를 제공한다.
상기 세륨계 연마입자를 포함하는 연마용 슬러리 조성물의 패턴 웨이퍼 연마 시 디싱값이 150 Å 이하인 것일 수 있다.
상기 세륨계 연마입자는 각형 또는 구형 형상인 것일 수 있다. 상기 세륨계 연마입자에 포함된 염기성 물질이 연마입자 표면을 깎아내어 각진 형상을 구형 형상으로 만들어 세륨계 연마입자를 각형 또는 구형 형상으로 제어할 수 있다. 도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화세륨 연마입자의 SEM 이미지이다. 도 2a에서 도 2c로 갈수록 산화세륨 연마입자가 각형에서 구형이 되는 것을 확인할 수 있다. 상기에 기재된 바와 같이, 하소 공정에서의 온도 조절을 통해 원하는 입자의 크기 및 모양을 제어할 수 있다.
상기 세륨계 연마입자가 구형일수록 디싱이 감소하는 것일 수 있다. 상기 세륨계 연마입자가 각형일 경우도 세륨계 연마입자의 크기 조절에 따라 디싱이 감소가 가능하다. 상기 세륨계 연마입자가 구형일수록 디싱이 더 적고 결함 및 스크래치 수가 더 적다. 상기 세륨계 연마입자의 구형 정도는 XRD (GS/Air), TEM (입자 형성 및 입자 크기 확인) 및 FE-SEM (입자 형성 및 입자 크기 확인)으로 측정할 수 있다.
본 발명의 제4 측면은, 상기 본 발명의 제3 측면의 세륨계 연마입자를 포함하는 슬러리 조성물을 이용하여 기판을 연마하는 방법을 제공한다.
상기 세륨계 연마입자는 1차 입자 및 2차 입자를 포함하고, 상기 1차 입자의 입경은 50 nm 이상이고, 상기 2차 입자의 입경은 200 nm 이하이고, 상기 세륨계 연마입자를 포함하는 슬러리 조성물의 패턴 웨이퍼의 연마 시 디싱값이 150 Å 이하인 것일 수 있다. 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(mask)를 이용해서 제작된 패턴 웨이퍼의 단면 구조이다. Si 기판 위에 열 산화막 증착/질화막 증착(Thermal Oxide Deposition/Nitride Deposition) 한 다음 마스크를 이용하여 에칭하고 HDP 막질을 증착하여 제작된 것이다. 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 웨이퍼의 밀도 분포도를 나타낸 도면이다. 이는 패터닝(Patterning)을 하기 위해 제작된 마스크의 구조와 동일하다. 패턴밀도는 라인(Line)과 스페이스(Space)의 밀도를 %로 나타낸 것이다. 1차 입자의 입경이 클수록 2차 입자의 입경이 작을수록 디싱값이 감소하는 것을 알 수 있다.
비-패턴 웨이퍼(non pattern wafer)인 경우 디싱값을 확인하기가 어렵고, 패턴 밀도는 라인/스페이스(line/space)을 나타내는 것으로서, 패턴 밀도에 따른 라이/스페이스의 차이를 보고 디싱값을 알 수 있다. 구체적으로, 라인의 산화막이 연마되고 질화막이 드러났을 때 스페이스 부분의 산화막의 두께 차이를 보고 디싱값을 알 수 있다.
상기 세륨계 연마입자는 1차 입자 및 2차 입자를 포함하고, 상기 1차 입자의 입경은 50 nm 이하이고, 상기 2차 입자의 입경은 200 nm 이상이고, 상기 세륨계 연마입자를 포함하는 슬러리 조성물의 패턴 웨이퍼의 연마 시 디싱값이 150 Å 이상인 것일 수 있다. 1차 입자의 입경이 작을수록 2차 입자의 입경이 클수록 디싱값이 증가하는 것을 알 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
[실시예]
슬러리 제조 후 입도 측정은 Malvern Zeta-Sizer(말번 인스트루먼트사 제조)를 이용하여 측정하였으며, 분산 안정성은 말번사의 블루웨이브(Blue Wave)라는 계측기를 사용하여 측정하였다. 분산 안정성은 동일 시료를 3회 반복 측정하여 안정된 피크가 나오는 것으로 확인하였다.
[실시예 1]
세륨 전구체 물질로서 탄산세륨 1000 g과 염기성 물질로서 KNO3 10 g, 유기용매로서 폴리에틸렌글리콜 400 g, 물 600 g을 유리 비이커에 넣고, 200 RPM으로 교반 회전시켜 혼합물을 얻었으며, 상기 혼합물을 박스형 전기로에서 600℃ 내지 900 ℃의 온도 조절을 통하여, 5 시간 동안 대기압 상태에서 하소함으로써 원하는 입자 크기에 따른 산화세륨 입자를 얻었다. 1차 입자가 다른 산화세륨 입자에 분산제를 넣고 수평밀을 이용하여 2차 입자가 150 nm로 동일한 슬러리를 제조하였다.
[CMP 평가]
하기와 같은 조건으로 디싱 분석용 CMP 평가를 진행하였다.
1. 연마기: UNIPLA 231 (Doosan Mechatech 社)
2. 패드: K-7 (Rohm&Hass 社)
3. 연마 시간: 60 s(블랭킷 웨이퍼(blanket wafer))
4. 플레이튼 RPM (Platen RPM): 24
5. 헤드 RPM (Head RPM): 60
6. 유량 (Flow rate): 200 ml/min
7. 사용된 웨이퍼: 8인치 SiO2 블랭킷 웨이퍼 (PE-TEOS,Poly)
8. 압력: 5.0 psi
도 4a는 본 발명의 실시예 1의 슬러리 조성물로 연마 후 1차 입자에 따른 연마 속도를 나타낸 그래프이고, 도 4b는 실시예 1의 슬러리 조성물로 연마 후 1차 입자에 따른 디싱 결과를 나타낸 그래프다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 연마속도가 동등할 때 1차 입자가 클수록 디싱이 감소하는 것을 확인할 수 있다.
[실시예 2]
실시예 1에서 실시한 것과 동일한 공정을 반복하여 원하는 입자 크기에 따른 산화세륨 입자를 제조하였다. 그 중 1차 입자가 75 nm로 동일한 산화세륨 입자에 분산제를 넣고 수평밀을 이용하여 2차 입자가 다른 슬러리를 제조하였다.
실시예 1의 CMP 평가에 사용한 조건과 동일하게 디싱 분석용 CMP 평가를 진행하였다. 도 5a는 본 발명의 실시예 2의 슬러리 조성물로 연마 후 2차 입자에 따른 연마 속도를 나타낸 그래프이고, 도 5b는 실시예 2의 슬러리 조성물로 연마 후 2차 입자에 따른 디싱 결과를 나타낸 그래프이다. 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 연마속도가 동등할 때 2차 입자가 작을수록 디싱이 감소하는 것을 확인할 수 있다.
[실시예 3]
실시예 1에서 실시한 것과 동일한 공정을 반복하여 산화세륨 입자를 제조하였다. 제조된 구형의 산화세륨 입자에 분산제를 넣고 수평밀을 이용하여 슬러리를 제조하였다.
[비교예 1]
탄산세륨을 건조, 하소, 분쇄 공정을 통해 산화세륨 입자를 제조하였다. 제조된 각형의 산화세륨 입자로 슬러리를 제조하였다.
실시예 1의 CMP 평가에 사용한 조건과 동일하게 실시예 3 및 비교예 1의 디싱 분석용 CMP 평가를 진행하였다. 도 6a는 본 발명의 실시예 3의 슬러리 조성물로 연마 후 입자 형상에 따른 연마 속도를 나타낸 그래프이고, 도 6b는 실시예 3의 슬러리 조성물로 연마 후 입자 형상에 따른 디싱 결과를 나타낸 그래프이다. 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 연마속도가 동등할 때 입자 형상이 구형일수록 디싱이 감소하는 것을 확인할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (5)

  1. 세륨 전구체 물질, 염기성 물질, 유기용매 및 물을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 및
    상기 혼합물을 하소하여 금속 산화물을 얻는 단계;
    를 포함하는, 세륨계 연마입자의 제조방법으로서,
    상기 염기성 물질은, 상기 세륨계 연마입자의 형상을 각형 또는 구형으로 제어하고,
    상기 세륨계 연마입자는, 입경 50 nm 내지 100 nm인 1차 입자 및 입경 50 nm 내지 200 nm인 2차 입자를 포함하고,
    상기 세륨계 연마입자를 포함하는 연마용 슬러리 조성물을 이용하여 웨이퍼 연마 시 1차 입자의 입경이 클수록 2차 입자의 입경이 작을수록 디싱값이 감소하는 것인,
    세륨계 연마입자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세륨 전구체 물질은, 탄산세륨, 질산세륨, 초산세륨, 황산세륨, 질산암모늄세륨, 산화세륨, 수산화세륨 및 이들의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 세륨계 연마입자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 염기성 물질은, KNO3, CH3COOK, K2SO4, KCl, KOH, KF, NaOH, NaF, Na2O, CH3COONa, Na2SO4, C5H5N, NaOCl, K2C2O4 , 프로필아민, 부틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디부틸아민, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-디메틸아미노-2-프로판올, 3-디메틸아미노-1-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 2-디메틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-에탄올, 2-에틸아미노-1-에탄올, 1-(디메틸아미노)2-프로판올, N-메틸디에탄올아민, N-프로필디에탄올아민, N-이소프로필디에탄올아민, N-(2-메틸프로필)디에탄올아민, N-n-부틸디에탄올아민, N-t-부틸에탄올아민, N-시아클로헥실디에탄올아민, 2-(디메틸아미노)에탄올,2-디에틸아미노에탄올, 2-디프로필아미노에탄올, 2-브틸아미노에틴올, 2-t-부틸아미노에탄올, 2-사이클로아미노에탄올, 2-아미노-2-펜타놀, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-메틸-1-프로판올, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-프로판올, N,N-비스(2-하이드록시프로필)에탄올아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 트리스(하이드록시메틸)아미노메탄 및 트리아이소프로판올아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 세륨계 연마입자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유기용매는, 에틸렌 글리콜(EG), 폴리 에틸렌 글리콜(PEG), 메틸알코올, 이소프로필알콜, 메톡시에탄올, 아세톤, 글리세린, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 에틸아세테이트, 사이클로헥산, 부틸락테이트 및 부틸카비톨 아세테이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 세륨계 연마입자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하소는 상온 내지 1000℃에서 수행되는 것인, 세륨계 연마입자의 제조방법.
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