KR20200068257A - 차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법.
본 발명은 일종의 차단벽의 가공 정확도를 향상시키고 가공 비용을 낮출 수 있는 광전소자의 제조 방법을 제공한다. 상기 방법은 기판, 차단벽 필름을 그 기판에 적층하는 작업면을 포함하며, 그 차단벽 필름은 그 작업면을 노출시키는 적어도 하나의 개구창을 갖고, 및 그 적어도 하나의 개구창 내에 적어도 하나의 광전 유닛을 설치하며, 그 광전 유닛은 발광 유닛 및 감광성 유닛 중의 하나이고, 그 차단벽 필름은 그 광전 유닛보다 높다.
본 발명은 일종의 차단벽의 가공 정확도를 향상시키고 가공 비용을 낮출 수 있는 광전소자의 제조 방법을 제공한다. 상기 방법은 기판, 차단벽 필름을 그 기판에 적층하는 작업면을 포함하며, 그 차단벽 필름은 그 작업면을 노출시키는 적어도 하나의 개구창을 갖고, 및 그 적어도 하나의 개구창 내에 적어도 하나의 광전 유닛을 설치하며, 그 광전 유닛은 발광 유닛 및 감광성 유닛 중의 하나이고, 그 차단벽 필름은 그 광전 유닛보다 높다.
Description
본 발명은 일종의 광전소자의 제조 방법에 관한 것이며, 특히 일종의 광전소자에 차단벽을 형성하는 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 광센서는 발광 유닛 및 감광성 유닛을 포함하며, 발광 유닛이 발산한 광이 검출물에 반사되면, 감광성 유닛이 감지 신호를 수신해서 출력할 수 있다. 발광 유닛이 발산한 광이 직접 감광성 유닛으로 전달되는 것을 방지하기 위해, 종래의 광센서는 발광 유닛과 감광성 유닛 사이에 차단벽을 설치해서 발광 유닛이 일정한 방향으로만 광을 발산하고, 감광성 유닛이 일정한 방향에서의 광만 감지하도록 함으로써, 광센서의 신뢰도를 향상시킨다.
종래의 광센서 차단벽은 대부분 사출 성형(injection molding) 등의 몰딩 방식으로 형성되지만, 그 제조 과정은 (1)오버플로우 문제로 인한 수율 감소, (2)몰드 변형(mold shift)에 의한 정확도 영향 및 소형화 불리, (3) 서로 다른 차단벽 모양에 따른 별도의 몰드 제작으로 인해 비용 상승 등의 단점을 갖는다.
이러한 관점에서, 본 발명의 주요 목적은 일종의 정확도를 향상시키고 비용을 낮추는 광전소자의 제조 공정을 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 일종의 차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법을 제공한다. 상기 방법은 기판, 차단벽 필름을 그 기판에 적층하는 작업면을 포함하며, 그 차단벽 필름은 그 작업면을 노출시키는 적어도 하나의 개구창을 갖고, 및 그 작업면에는 적어도 하나의 광전 유닛이 설치되며, 그 적어도 하나의 광전 유닛은 그 적어도 하나의 개구창 내에 위치하고, 그 광전 유닛은 발광 유닛 및 감광성 유닛 중의 하나이며, 그 차단벽 필름은 그 광전 유닛보다 높다.
상기 방법에 따라 형성된 차단벽은 정확도가 높고 가공 비용이 감소되며, 광전소자의 회로 설계 자유도가 향상되고, 비록 개구창의 위치나 모양이 변경되더라도, 종래 기술처럼 몰드를 다시 제작하거나 수정할 필요가 없다.
도 1에서 5는 본 발명의 제 1 실시예의 제조 방법 결선도,
도 6에서 9는 본 발명의 제 2 실시예의 제조 방법 결선도,
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에서 제조된 광전소자의 조감도이다.
도 6에서 9는 본 발명의 제 2 실시예의 제조 방법 결선도,
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에서 제조된 광전소자의 조감도이다.
본 발명은 일종의 차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법이며, 상기 광전소자는 종래 기술에서 설명한 광센서와 같은 발광 장치, 감광성 장치 또는 발광 및 감광성 기능을 동시에 갖는 장치일 수 있고, 상기 광센서는 원격제어기, 거리측정기에 활용될 수 있지만 이에 국한되지 않는다.
도 1, 2, 3을 참조하면, 본 발명 중의 실시예에서, 상기 제조 방법은 다음을 포함한다. 기판 10, 상기 기판 10은 미리 제작된 회로의 회로기판이나 LED용 리드 프레임일 수 있고, 예를들어, 기판 10은 절연 소지 및 절연 소지에 형성되는 회로 구조와 전기 접점을 가지며, 상기 절연 소지는 예를 들면 에폭시, 유리섬유(woven glass), 폴리에스터 또는 기타 회로기판 소지 제작에 일반적으로 사용되는 재질이다. 이어서, 차단벽 필름 20을 기판 10에 적층하는 작업면 11, 그 차단벽 필름 20은 적어도 하나의 개구창 21을 가지며 (본 실시예의 개구창은 두 개이다), 개구창 21은 차단벽 필름 20이 기판 10에 적층된 후, 레이저 절삭 방식으로 형성되고, 작업면 11은 개구창 21을 통해 노출되며, 개구창 21 내에 상기 회로 구조 또는 전기 접점을 포함할 수 있다. 가능한 실시방식 중에서, 차단벽 필름 20의 주요 성분은 에폭시이며, 차단벽 필름 20이 기판 10에 적층되기 전에 전체는 일부 경화 상태이고(partial curing stage), 즉, 차단벽 필름 20 중의 고분자 일부는 아직 교차 결합되지 않았으며, 차단벽 필름 20이 기판 10에 적층된 후에야 열 경화, 광 경화를 통해 차단벽 필름 20을 완전 경화 상태(full curing stage)로 변환시켜서, 차단벽 필름 20의 내의 고분자가 실질적으로 완전 교차 결합되며, 완전 경화 상태인 차단벽 필름은 앞에 설명된 광센서의 차단벽과 유사한 광 차단 기능을 갖는다. 가능한 실시방식 중에서, 일부 경화 상태인 차단벽 필름 20은 기판 10에 적층되기 전에 캐리어 필름에 형성되고, 캐리어 필름은 차단벽 필름 20이 기판 10에 적층된 후 제거되며, 상기 캐리어 필름은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 기타 폴리에스터 필름, 폴리이미드 필름, 폴리아미드이미드 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리스타이렌 필름일 수 있다. 가능한 실시방식 중에서, 차단벽 필름 20은 검은색이며 대부분의 광을 흡수할 수 있다.
이어서, 도 4를 참조하면, 각 개구창 21 내에는 광전 유닛 30이 있고, 광전 유닛 30은 발광 유닛 및 감광성 유닛 중의 하나이며, 본 실시예 중에서, 도 4의 우측에 있는 광전 유닛은 발광 유닛이고, 도 4의 좌측에 있는 광전 유닛은 감광성 유닛이며, 차단벽 필름 20은 광전 유닛보다 높아서 광을 차단하고, 필요한 경우 광전 유닛 30은 기판 10의 회로 구조 또는 전기 접점과 전기적 연결되며, 상기 전기적 연결은 예를 들면 와이어 본딩(wire bonding)을 통해 구현된다. 광전 유닛은 플립 칩 LED 또는 기타 적절한 상황에서 와이어 본딩 단계를 생략할 수 있다. 발광 유닛은 예를 들면 LED이고, 감광성 유닛은 예를 들면 CCD 또는 CMOS이며, 발광 유닛은 광을 발산하고, 감광성 유닛은 광을 감지하며, 상기 광은 적외선 같은 가시광 또는 비가시광일 수 있다.
이어서, 도 5를 참조하면, 개구창 내에 접착제를 도포하고, 도포된 콜로이드 40은 투명 접착제 또는 형광 접착제와 같은 광투과성 콜로이드로서, 상기 광전 유닛의 보호 및/또는 미리 선택된 파장의 광을 방출하는 데에 사용된다. 즉, 제조된 광전소자는 기판 10, 적어도 하나의 개구창 21을 갖는 차단벽 필름 20이 기판 10에 적층되는 작업면 11, 작업면 11에 적어도 하나가 형성되어 개구창 21 내에 있는 광전 유닛 30, 및 개구창 21 내에 형성되는 콜로이드 40을 포함한다.
도 6에서 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예 중에서, 상기 제조 방법과 다른 점은 다음과 같다. 차단벽 필름 20이 기판 10에 적층되기 전에 완전 경화 상태인 일부 22와 일부 경화 상태인 일부 23을 가지며, 완전 경화 상태인 일부 22는 이어서 작업면 11에 접촉되지 않고, 일부 경화 상태인 일부 23은 적층된 후 작업면 11에 접촉한다. 또한, 본 실시예의 차단벽 필름 20이 기판 10에 적층되기 전에, 드릴링이나 기타 방식을 이용해 상기 개구창 21을 형성하고, 개구창 21은 완전 경화 상태인 일부 22 및 일부 경화 상태인 일부 23을 관통한다. 차단벽 필름 20이 기판 10에 적층된 후에만 열 경화, 광 경화를 통해 일부 경화 상태인 23을 완전 경화 상태(full curing stage)로 변환시킨다. 본 실시예 중에서, 일부 경화 상태인 일부는 접착제와 같은 기능을 가져서 열 경화, 광 경화 과정 중 차단벽 필름 20을 기판 10에 고정시킨다. 가능한 실시방식 중에서, 완전 경화 상태인 일부 22, 일부 경화 상태인 일부 23 및 기판 10의 절연 소지는 동일한 재질로 만들어짐에 따라, 기판 10과 차단벽 필름 20이 동일한 열팽창계수를 가져서, 후속 열처리 시에 발생하는 크래킹(cracking)을 유익하게 방지하고, 제조 과정의 신뢰성을 향상시킨다.
기판 10
작업면 11
차단벽 필름 20 개구창 21
완전 경화 상태의 일부 22 일부 경화 상태의 일부 23
광전 유닛 30 콜로이드 40
차단벽 필름 20 개구창 21
완전 경화 상태의 일부 22 일부 경화 상태의 일부 23
광전 유닛 30 콜로이드 40
Claims (6)
-
기판,
차단벽 필름을 상기 기판에 적층하는 작업면, 상기 차단벽 필름은 상기 작업면을 노출시키는 적어도 하나의 개구창을 가지며,
상기 작업면에 설치되는 적어도 하나의 광전 유닛, 상기 적어도 하나의 광전 유닛은 상기 적어도 하나의 개구창 내에 위치하며, 상기 광전 유닛은 발광 유닛 및 감광성 유닛 중의 하나이고, 상기 차단벽 필름은 상기 광전 유닛보다 높은 ,
차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,
상기 차단벽 필름이 상기 작업면에 적층될 때, 상기 차단벽 필름의 적어도 일부분은 일부 경화 상태이고. 상기 차단벽 필름의 일부 경화 상태인 일부가 상기 작업면을 접촉하는 것을 특징으로 하는 차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법.
- 제 2항에 있어서,
그 중 상기 차단벽 필름이 상기 작업면에 적층될 때, 상기 차단벽 필름의 일부분은 완전 경화 상태이고, 상기 차단벽 필름의 완전 경화 상태인 일부가 상기 작업면에 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
그 중 상기 적어도 하나의 개구창은 상기 차단벽 필름이 상기 작업면에 적층되기 전에 형성되는 것을 특징으로 하는 차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
그 중 상기 적어도 하나의 개구창은 상기 차단벽 필름이 상기 작업면에 적층된 후에 형성되는 것을 특징으로 하는 차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
그 중 상기 적어도 하나의 개구창 내에 상기 광전 유닛이 설치되면, 또 상기 적어도 하나의 개구창 내에 접착제를 도포하는 것을 특징으로 하는 차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법.
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110729203B (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-09 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 一种敞开式心电图感应器封装工艺 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166462A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
KR20100089115A (ko) * | 2009-01-23 | 2010-08-12 | 주식회사 두성에이텍 | 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛 |
KR20130096094A (ko) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법 및 이를 구비한 조명 시스템 |
KR20180004421A (ko) * | 2016-07-04 | 2018-01-12 | 대덕지디에스 주식회사 | 캐비티기판 제조방법 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH089745Y2 (ja) * | 1990-05-31 | 1996-03-21 | タキロン株式会社 | ドットマトリクス発光表示体 |
JPH0654081U (ja) * | 1992-12-21 | 1994-07-22 | タキロン株式会社 | 発光表示体 |
JP2001085748A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
TWI290763B (en) * | 2006-01-18 | 2007-12-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor devices and fabrication method thereof |
TWI305036B (en) * | 2006-09-28 | 2009-01-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Sensor-type package structure and fabrication method thereof |
JP2010199706A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Sharp Corp | 照度検知機能付き近接センサおよび電子機器 |
WO2017080461A1 (zh) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管装置与其制作方法 |
TWM548360U (zh) * | 2017-01-13 | 2017-09-01 | 李玟慧 | 高導熱發光二極體封裝結構 |
TWI733289B (zh) * | 2017-04-20 | 2021-07-11 | 億光電子工業股份有限公司 | 感測模組及其製造方法 |
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2018
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166462A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
KR20100089115A (ko) * | 2009-01-23 | 2010-08-12 | 주식회사 두성에이텍 | 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛 |
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