KR20200064399A - 투명 led 패널 - Google Patents
투명 led 패널 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200064399A KR20200064399A KR1020180150494A KR20180150494A KR20200064399A KR 20200064399 A KR20200064399 A KR 20200064399A KR 1020180150494 A KR1020180150494 A KR 1020180150494A KR 20180150494 A KR20180150494 A KR 20180150494A KR 20200064399 A KR20200064399 A KR 20200064399A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- led
- transparent
- led chip
- pad
- electrode
- Prior art date
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 154
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
투명 LED 패널이 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 LED 패널은, 투명 기판; 상기 투명 기판의 일면 또는 양면에 그물 형태로 형성되고, 복수개의 LED 사이트 및 상기 LED 사이트를 둘러싸는 주변부로 구성된 전극 회로; 상기 전극 회로의 일면에서 적어도 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 복수개의 납땜 패드; 및 상기 LED 사이트마다 마련되고, 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩 및 청색 LED 칩으로 구성된 복수개의 LED 패키지를 포함하며, 상기 전극 회로는 상기 LED 패키지 단위마다 서로 전기적으로 절연(electrically isolated)된 A 전극 패턴, B 전극 패턴, C 전극 패턴 및 D 전극 패턴을 구성하고, 인접한 D 전극 패턴 간에는 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)될 수 있다.
Description
본 발명은 투명 LED 패널에 관한 것으로, 보다 구체적으로 투명 기판에 LED가 장착되어 광고를 위한 화상정보를 표시할 수 있는 투명 LED 패널에 관한 것이다.
LED(light emitting diode)는, 반도체의 p-n 접합구조를 이용해 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의해 발광시킨 반도체 소자의 하나이다. LED는, 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 특정 파장 대역을 갖는 빛으로 변환해 신호로 출력하는 발광장치이다.
이러한 LED는, 발광효율은 높으면서 점유공간을 최소화할 수 있어 조명, 광고판, 표지판 등의 다양한 분야에서 사용되고 있다. 그 중 투명 LED 패널은, 다수의 LED를 하나로 집약하여 다양한 규격과 형태, 색상으로 화상정보와 배경을 동시에 보여주는 면광원의 표시장치로, 불특정 다수를 대상으로 의사소통수단으로 활용되고 있다.
투명 LED 패널은, 투명 기판상에 투명배선을 형성하고 수백 내지 수만 개의 LED가 장착되어 하나의 화면을 구성한다.
투명 LED 패널은, 화상정보를 출력하는 발광부와 뒷배경을 투과하는 투과부를 포함한다. 이때 뒷배경을 그대로 투과하면서도 원하는 화상정보를 출력할 수 있다. 이러한 투명 LED 패널의 경우, 화상정보의 높은 시인성은 물론, 배면 공간인 외부 환경의 높은 시인성과 투명성 또한 요구된다.
투명 LED 패널이 대형화되면서 수백 내지 수만 개의 LED가 장착되고, 박형화됨에 따라 접착층도 얇아져 신뢰성 있는 부착율을 달성하기 어렵고, 전극 회로에 LED 소자를 부착할 경우 접촉면적이 적고 LED 소자 동작 중 발생하는 열이나 외부에서 가해지는 진동 또는 충격 등으로 사용 중 LED가 손쉽게 탈락되어 투명 LED 패널의 성능을 저하시키는 문제점이 있었다.
적색 LED 칩은, 적색 광을 방출하는 갈륨비소(GaAs) 기판(wafer) 상에 고온에서 유기금속으로 이루어진 화합물(metal organic compound materials)인 알루미늄 갈륨비소(AlGaAs)를 분사해 반도체 결정을 성장시킨다. 이와 달리 녹색 LED 칩과 청색 LED 칩의 경우, 고온의 환경에서 사파이어(α-Al2O3) 기판에 유기금속 화합물인 인듈갈륨나이트라이드(InGaN)를 주성분으로 하는 가스(gas)를 분사해 반도체 결정을 성장시킨다. LED 칩에 사용되는 화합물 반도체는 LED 칩이 가지는 물성적 한계인 미분양자 효율에 의해 주입 전류 모두를 광(light)으로 변환시키지 못하는데, 현재 주입된 에너지의 50%를 주울 열로 발생시키는 문제점을 가지고 있다. 원활한 방열이 투명 LED 패널의 내구성에 큰 영향을 미친다.
또한 갈륨비소와 알루미늄 갈륨비소, 사파이어와 인듐갈륨나이트라이드 간 격자 정수(lattice constant)가 서로 달라 소자 구동시 결정 결함으로 인해 누설전류(leakage current)가 발생하고 역방향 바이어스(reverse bias)에 대해 절연 내구성이 취약한 문제점을 가지고 있다.
더 나아가 LED 패키지 등의 소자 동작시 발생하는 열이 원활하게 방출하지 못할 경우 누설전류가 원인이 되어 소자 파괴로 인한 단위 화소 또는 전체 투명 LED 패널의 불량이 유발되는 문제점을 가지고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 일정 수준의 광투과성을 확보할 수 있는 투명 LED 패널을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 접착력은 높이고 단선 불량은 최소화할 수 있는 투명 LED 패널을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 방열 효율을 높인 투명 LED 패널을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 투명 LED 패널을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 LED 패널은, 투명 기판; 상기 투명 기판의 일면 또는 양면에 그물 형태로 형성되고, 복수개의 LED 사이트 및 상기 LED 사이트를 둘러싸는 주변부로 구성된 전극 회로; 상기 전극 회로의 일면에서 적어도 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 복수개의 납땜 패드; 및 상기 LED 사이트마다 마련되고, 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩 및 청색 LED 칩으로 구성된 복수개의 LED 패키지를 포함하며, 상기 전극 회로는 상기 LED 패키지 단위마다 서로 전기적으로 절연(electrically isolated)된 A 전극 패턴, B 전극 패턴, C 전극 패턴 및 D 전극 패턴을 구성하고, 인접한 D 전극 패턴 간에는 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 LED 사이트 내에서 상기 A 전극 패턴, 상기 B 전극 패턴, 상기 C 전극 패턴 및 상기 D 전극 패턴은 서로 다른 방향으로 돌출 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 +단자는 각각 상기 A 전극 패턴, 상기 B 전극 패턴 및 상기 C 전극 패턴에 전기적으로 연결되고, 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 -단자는 상기 D 전극 패턴에 전기적으로 공통 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 -단자는 각각 상기 A 전극 패턴, 상기 B 전극 패턴 및 상기 C 전극 패턴에 전기적으로 연결되고, 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 +단자는 상기 D 전극 패턴에 전기적으로 공통 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 LED 사이트는 상기 주변부보다 상대적으로 고밀도로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 전극 회로에는 상기 LED 사이트마다 비틀림 방지영역이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 투명 기판에는 상기 전극 회로에 대응하는 영역마다 복수개의 관통 구멍이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 투명 기판의 일면 상에서 상기 LED 패키지를 덮도록 마련되어, 상기 LED 패키지를 수용하는 LED 패키지 수용부가 형성된 투명 커버를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 투명 커버는, 상기 LED 패키지를 개별 수용할 수 있도록 상기 LED 패키지 수용부가 서로 구획된 제1 커버; 및 상기 제1 커버의 일면에 부착되어 LED 패키지 수용부를 밀폐시키는 제2 커버를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널은, 복수개의 LED 패키지를 포함하는 투명 LED 패널에 있어서, 투명 기판; 상기 투명 기판의 일면 또는 양면에 그물 형태로 형성되고, 제1 LED 사이트와 제2 LED 사이트를 가지는 복수개의 LED 사이트 및 상기 LED 사이트를 둘러싸는 주변부로 구성된 전극 회로; 상기 전극 회로의 일면에서 상기 제1 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 제1 납땜 패드, 제2 납땜 패드, 제3 납땜 패드 및 제4 납땜 패드; 상기 제1 LED 사이트에 마련된 제1 LED 패키지; 상기 전극 회로의 일면에서 상기 제2 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 제1' 납땜 패드, 제2' 납땜 패드, 제3' 납땜 패드 및 제4' 납땜 패드; 및 상기 제2 LED 사이트에 마련된 제2 LED 패키지를 포함하고, 상기 제1 납땜 패드, 상기 제2 납땜 패드, 상기 제3 납땜 패드, 상기 제1' 납땜 패드, 상기 제2' 납땜 패드 및 상기 제3' 납땜 패드는 전기적으로 절연(electrically isolated)되고, 서로 인접한 상기 제4 납땜 패드와 상기 제4' 납땜 패드는 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 LED 패키지를 구성하는 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩 및 청색 LED 칩의 +단자는 상기 제1 납땜 패드, 상기 제2 납땜 패드, 상기 제3 납땜 패드에 각각 연결되고, 상기 제2 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 +단자는 상기 제1' 납땜 패드, 상기 제2' 납땜 패드, 상기 제3' 납땜 패드에 각각 연결되며, 상기 제1 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 -단자와 상기 제2 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 -단자는 상기 제4 납땜 패드와 상기 제4' 납땜 패드에 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 LED 패키지를 구성하는 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩 및 청색 LED 칩의 -단자는 상기 제1 납땜 패드, 상기 제2 납땜 패드, 상기 제3 납땜 패드에 각각 연결되고, 상기 제2 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 -단자는 상기 제1' 납땜 패드, 상기 제2' 납땜 패드, 상기 제3' 납땜 패드에 각각 연결되며, 상기 제1 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 +단자와 상기 제2 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 +단자는 상기 제4 납땜 패드와 상기 제4' 납땜 패드에 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 LED 사이트는 상기 주변부보다 상대적으로 고밀도로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널은, 투명 기판; 상기 투명 기판의 일면 또는 양면에 그물 형태로 형성되고, 복수개의 LED 사이트 및 상기 LED 사이트를 둘러싸는 주변부로 구성된 전극 회로; 상기 전극 회로의 일면에서 적어도 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 복수개의 납땜 패드; 및 상기 LED 사이트마다 마련되고, 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩 및 청색 LED 칩으로 구성된 복수개의 LED 패키지를 포함하며, 상기 전극 회로는 A 전극 패턴, B 전극 패턴, C 전극 패턴 및 D 전극 패턴으로 구성되고, 인접한 상기 LED 패키지마다 각각의 상기 A 전극 패턴, 상기 B 전극 패턴, 상기 C 전극 패턴 및 D 전극 패턴 중에서 적어도 어느 하나를 서로 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 LED 패키지 단위로 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 구동을 제어하는 드라이버 IC를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 LED 패키지는 +단자, -단자, 신호 IN 단자, 신호 OUT 단자를 포함하며, 상기 +단자는 상기 A 전극 패턴에 연결되고, 상기 -단자는 상기 D 전극 패턴에 연결되고, 상기 신호 IN 단자는 상기 B 전극 패턴에 연결되며, 상기 신호 OUT 단자는 상기 C 전극 패턴에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널은, 복수개의 LED 패키지를 포함하는 투명 LED 패널에 있어서, 투명 기판; 상기 투명 기판의 일면 또는 양면에 그물 형태로 형성되고, 제1 LED와 제2 LED 사이트, 제3 사이트를 가지는 복수개의 LED 사이트 및 상기 LED 사이트를 둘러싸는 주변부로 구성된 전극 회로; 상기 전극 회로의 일면에서 상기 제1 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 제1 납땜 패드, 제2 납땜 패드, 제3 납땜 패드 및 제4 납땜 패드; 상기 제1 LED 사이트에 마련된 제1 LED 패키지; 상기 전극 회로의 일면에서 상기 제2 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 제1' 납땜 패드, 제2' 납땜 패드, 제3' 납땜 패드 및 제4' 납땜 패드; 상기 제2 LED 사이트에 마련된 제2 LED 패키지; 상기 전극 회로의 일면에서 상기 제3 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 제1'' 납땜 패드, 제2'' 납땜 패드, 제3'' 납땜 패드, 제4'' 납땜 패드; 및 상기 제3 LED 사이트에 마련된 제3 LED 패키지를 포함하고, 상기 제1' 납땜 패드는 상기 제1 납땜 패드 및 제1'' 납땜 패드와 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)되고, 상기 제2' 납땜 패드는 상기 제3 납땜 패드와 전기적으로 공통 연결(Electrically connected in common)되고, 상기 제3' 납땜 패드는 상기 제2'' 납땜 패드와 전기적으로 공통 연결(Electrically connected in common)되며, 상기 제4' 납땜 패드는 상기 제4 납땜 패드 및 제4'' 납땜 패드와 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 전극 회로는 상기 제4 납땜 패드와 상기 제4' 납땜 패드, 상기 제4'' 납땜 패드를 포함하여 행 방향으로 서로 전기적으로 공통 연결(Electrically connected in common)될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 LED 사이트는 상기 주변부보다 상대적으로 고밀도로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면 LED 사이트 내에서 각각 분절된 A 전극 패턴, B 전극 패턴, C 전극 패턴 및 D 전극 패턴이 서로 다른 방향으로 돌출 형성되고 전극 패턴이 동일 패턴이 반복되도록 함으로써, LED 패키지 각각의 R/G/B LED 칩마다 결합 거리를 일정하게 마련하여 배치 구조를 안정화하고 단선불량을 최소화할 수 있고, 전극 회로 패턴 형성의 가공 용이성과 신뢰성을 높일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 전극회로가 그물 형태를 가지고, 전극 패턴 단위로 분절됨으로써, 투과성, 투명성 및 시인성을 높일 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 고밀도의 LED 사이트를 가짐으로써, 납땜 패드와의 실접촉면적이 늘어나 LED 패키지의 이탈을 최소화할 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 고밀도의 LED 사이트를 가짐으로써, 납땜 패드와의 실접촉면적이 늘어나 LED 패키지로부터 열을 넓은 면적에서 빠르게 빼앗아 투명 LED 패널의 방열성을 높일 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 저밀도의 주변부를 가짐으로써, 뒷배경의 투과성을 높이고 재료 절감에 따라 생산 원가를 낮출 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, LED 사이트와 주변부에 따라 상대적으로 밀도를 달리하도록 제조하여, 제조공정을 단순화시키면서도 생산효율을 향상시킨 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 개략적으로 도시한 정면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전극 회로와 납땜 패드, LED 패키지의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에서 제1 LED 사이트와 제2 LED 사이트 부분의 확대도이다.
도 4(a)와 도 4(b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 단위 화소를 이루는 LED 패키지의 동작 회로 구성도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전극 회로와 납땜 패드, LED 패키지의 구조를 보인 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 도 5에서 제1 LED 사이트와 제2 LED 사이트, 제3 LED 사이트 부분의 확대도이다.
도 7은 도 6에서 LED 패키지의 확대도이다.
도 8(a)와 도 8(b)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 단위 화소를 이루는 LED 패키지의 동작 회로 구성도이다.
도 9(a)와 도 9(b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전극 회로와 납땜 패드, LED 패키지의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에서 제1 LED 사이트와 제2 LED 사이트 부분의 확대도이다.
도 4(a)와 도 4(b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 단위 화소를 이루는 LED 패키지의 동작 회로 구성도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전극 회로와 납땜 패드, LED 패키지의 구조를 보인 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 도 5에서 제1 LED 사이트와 제2 LED 사이트, 제3 LED 사이트 부분의 확대도이다.
도 7은 도 6에서 LED 패키지의 확대도이다.
도 8(a)와 도 8(b)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 단위 화소를 이루는 LED 패키지의 동작 회로 구성도이다.
도 9(a)와 도 9(b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 크기는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 LED 패널(1)을 개략적으로 도시한 정면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전극 회로(20)와 납땜 패드(30), LED 패키지(40)의 구조를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 3은 도 2에서 제1 LED 사이트(Sa)와 제2 LED 사이트(Sb) 부분의 확대도이며, 도 4(a)와 도 4(b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 단위 화소를 이루는 LED 패키지(40)의 동작 회로 구성도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 LED 패널(panel, 1)은, 불특정 다수에게 화상정보를 출력하는 미디어 파사드(media facade), 전광판, 신호 처리/전달 또는 표시용 보드(board) 등에 사용될 수 있다. 투명 LED 패널(1)은, 후술할 LED 패키지(40) 단위로 각각의 단위 화소마다 RGB 조합 색상 신호를 출력하여 원하는 그림 또는 문자 등을 표시할 수 있다.
이러한 투명 LED 패널(1)은, 투명 기판(10), 전극 회로(20), 납땜 패드(30) 및 LED 패키지(40)를 포함할 수 있다. 나아가 방열 전극(50), 방열 절연 박막(60)과 투명 커버(70)를 더 포함할 수 있다.
투명 기판(10)
다시 도 1과 도 2를 참조하면 투명 기판(10)은, 지지 기판의 역할을 한다. 이러한 투명 기판(10)은, 투명하고 유연한(flexible) 필름 소재로, 특히 플라스틱, 세라믹 또는 유리 등으로 이루어진 절연성 재질로 이루어질 수 있다. 투명 기판(10)이 플라스틱 소재로 이루어질 경우, 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에틸렌(poly ethylene, PE), 폴리에틸렌나프탈렌(poly ethylene naphthalene, PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly ethylene terephthalate, PET) 또는 아크릴(acrylic) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널(1)을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
또한 도 11을 참조하면 투명 기판(10)에는, 후술할 전극 회로(20)에 대응되는 영역마다 복수개의 관통 구멍(110)이 형성될 수 있다. 관통 구멍(110)은, 적색/녹색/청색 LED 칩(410, 420, 430)과 같은 LED 패키지(40)가 가지는 물성적 한계로 인한 소자 동작 중에 발생하는 주울 열을 외부로 방출시키는 통로역할을 함으로써 투명 LED 패널(1)의 방열 성능을 향상시킬 수 있다.
전극 회로(20)
다시 도 1 내지 도 4를 참조하면 전극 회로(20)는, 전기 선로이자 부착된 LED 패키지(40)를 지지하고, 소자의 동작에 따라 발생된 열을 외부로 배출시키는 전도성 방열 지지부 역할을 한다. 이러한 전극 회로(20)는, 투명 기판(10)의 일면 또는 양면 상에 전면적으로 형성될 수 있다. 전극 회로(20)는, 각각의 선들로 이루어질 수 있다. 각각의 선들은, 격자형, 벌집형 등의 패턴이 형성된 그물 형태를 이룰 수 있다. 그물 형태인 전극 회로(20)가 후술할 LED 패키지(40)를 사방에서 지지해줌으로써, 과도한 식각에 의한 단선은 물론 측면 전단 응력에 따른 LED 패키지(40)의 이탈을 방지할 수 있다.
도 9(a)와 도 9(b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 LED 패널(1)을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9(a)와 도 9(b)를 참조하면 전극 회로(20)는, 카본 그래파이트(carbon graphite, 260)와 전극 회로 금속층(270)으로 이루어져, 층상 구조를 이룰 수 있다. 전극 회로(20)를 이루는 각각의 선은, 광 투과도를 향상시키기 위해 일정한 선폭과 두께를 가질 수 있다. 전극 회로(20)는, 전도성 소재인 금속 재질일 수 있다. 구체적으로 전극 회로(20)는, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들을 주성분으로 하는 합금으로 이루어질 수 있다.
도 3에 도시된 대로 전극 회로(20)에는, LED 사이트(S)마다 비틀림 방지영역(251)이 형성될 수 있다. 전극 회로(20)는, 투명 기판(10)과 재질이 달라, 가열 공정상에서 열팽창 계수(thermal expansion coefficient) 차이에 의해 팽창과 수축 변화율이 상이해 필연적으로 비틀림 현상이 발생할 수 있다.
비틀림 방지영역(251)은, 비틀림 현상을 사전에 예방하기 위해 단위 화소별로 형성될 수 있다. 이러한 비틀림 방지영역(251)은, LED 사이트(S)의 중앙구역마다 복수개가 형성될 수 있다. 비틀림 방지영역(251)은, 원형 또는 사각형 등으로 다양한 형상을 가질 수 있다. 도 3의 경우, 비틀림 방지영역(251)은, 돌출 형성된 각각의 전극 패턴(210a 내지 240a)의 중앙부에 사각형 형상으로 마련된 것을 예시로 하고 있다.
다시 도 2를 참조하면 전극 회로(20)는, 복수개의 LED 사이트(S)와 주변부(P)로 구성될 수 있다.
LED 사이트(S)는, 전극 회로(20)의 일부 영역으로, LED 패키지(40)가 부착되는 위치일 수 있다. 이러한 LED 사이트(S)는, 복수개가 임의 간격으로 행과 열을 이루며 마련될 수 있다. LED 사이트(S)의 상부에는 후술할 납땜 패드(30)와 LED 패키지(40)가 결합될 수 있다.
주변부(P)는, 각각의 LED 사이트(S)를 둘러싸는 주변 영역일 수 있다. 즉 주변부(P)는, LED 패키지(40)가 설치되지 않고 뒷배경이 투과되는 영역이다.
LED 사이트(S)는, 주변부(P)보다 상대적으로 고밀도로 이루어질 수 있다. 즉 LED 사이트(S)는, 조밀한 구조로 이루어져, 주변부(P)보다 단위면적당 표면적이 상대적으로 넓을 수 있다.
이러한 고밀도로 이루어진 LED 사이트(S)는, LED 패키지(40)와 넓은 영역에서 접촉함으로써 물리적 접합력을 높일 수 있다. 또한 LED 패키지(40) 동작 중 발생하는 열이 하부에 위치한 고밀도의 전도성 높은 LED 사이트(S)를 거쳐 방사됨으로써, 전극 회로(20)의 방열성능을 높일 수 있다. 나아가 고밀도의 LED 사이트(S)는, 전도성 접촉면적의 증대로 단선 불량을 최소화할 수 있다.
주변부(P)는, LED 사이트(S)보다 상대적으로 저밀도로 이루어질 수 있다. 이러한 주변부(P)는, 투명 LED 패널(1)의 전반적인 영역에서의 광 투과성을 향상시킬 수 있다.
도 3에 도시된 대로 전극 회로(20)는, 단위 화소마다 A 전극 패턴(210a, 210b), B 전극 패턴(220a, 220b), C 전극 패턴(230a, 230b) 및 D 전극 패턴(240a, 240b)으로 이루어질 수 있다. 전극 회로(20)는, LED 패키지(40)를 이루는 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430) 단위별, +단자와 -단자의 역할을 할 수 있다.
A 전극 패턴(210a, 210b), B 전극 패턴(220a, 220b), C 전극 패턴(230a, 230b) 및 D 전극 패턴(240a, 240b)은, 투명 기판(10) 상에서 절연선(250)을 사이에 두고 소정의 간격만큼 이격될 수 있다. 이때 인접한 LED 패지지(40)에서 D 전극 패턴(240a, 240b) 간에는 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)될 수 있다. 즉, D 전극 패턴(240a, 240b)은 행 단위의 복수개의 LED 패키지(40)마다 서로 연결되어 공통 전극을 형성할 수 있다.
절연선(250)을 사이에 두고 A 전극 패턴 내지 D 전극 패턴(210a, 210b, 220a, 220b, 230a, 230b, 240a, 240b)은, 서로 전기적으로 절연(electrically isolated)될 수 있다. 이 경우 절연선(250)은, 일정한 두께의 선폭을 가짐으로써 단위면적당 화소 수를 증가시켜 해상도를 높일 수 있다. 30V의 직류(DC) 전압이 외부 전원(미도시)으로 인가될 경우, 절연선(250)의 선폭은, 최소 10㎛ 이상이 바람직하다.
또한 LED 사이트(S) 내에서 A 전극 패턴(210a, 210b), B 전극 패턴(220a, 220b), C 전극 패턴(230a, 230b) 및 D 전극 패턴(240a, 240b)은, 서로 다른 방향으로 돌출 형성될 수 있다. 전극 패턴(210a 내지 240b)을 동일 패턴이 반복되도록 마련함으로써, LED 패키지(40) 각각의 적색, 녹색 및 청색 LED 칩(410, 420, 430)마다 결합 거리를 일정하게 마련하여 배치 구조를 안정화할 수 있다. 또한 동일 패턴이 반복되도록 마련함으로써, 전극 회로(20)의 패턴 형성의 가공 용이성과 신뢰성을 높일 수 있다.
전극 회로(20)는, 단위 화소마다 납땜 패드(30)를 통해 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉 각각의 A 전극 패턴 내지 D 전극 패턴(210a 내지 240b)은, 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420)과 청색 LED 칩(430)과 전기적 연결될 수 있다. 이 경우 A 전극 패턴(210a, 210b), B 전극 패턴(220a, 220b), C 전극 패턴(230a, 230b) 및 D 전극 패턴(240a, 240b)은, LED 패키지(40)에 전원을 공급하는 전극선 역할을 하거나, RGB 조합 색상 신호를 전송하는 등 LED 패키지(40)를 구동 제어하는 데 필요한 데이터를 제공하는 데이터 라인의 역할을 할 수 있다.
일 실시 예에 따르면 도 3과 도 4(a)와 같이, A 전극 패턴 내지 C 전극 패턴(210a 내지 230b)은 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 +단자에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우 D 전극 패턴(240a, 240b)은 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 -단자에 공통적으로 연결될 수 있다.
다른 실시 예에 따르면 도 4(b)와 같이, A 전극 패턴 내지 C 전극 패턴(210a 내지 230b)은 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 -단자에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우 D 전극 패턴(240a, 240b)은 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 +단자에 공통적으로 연결될 수 있다.
A 전극 패턴(210a, 210b)은, 그 영역에 따라 LED 사이트(Sa, Sb)와 주변부(P)로 구획될 수 있다. B 전극 패턴 내지 D 전극 패턴(220a 내지 240b) 또한 이와 같다.
절연 박막(미도시)은, 전극 패턴(210a 내지 240b) 사이 영역에 절연선(250)을 따라 투명 기판(10)의 상면에 형성될 수 있다. 절연 박막(미도시)은, 투명한 재질로 이루어질 수 있다. 또한 절연 박막(미도시)은, DC 30(V)/10(㎛) 이상의 절연 내력을 유지할 수 있는 재질로 이루어질 수 있는데, 실리콘 바니쉬(silicone varnish), 우레탄(urethane) 또는 아크릴(acrylic) 등의 수지나 포토 솔더 레지스트(photo solder resist, PSR), 광학용 투명 접착제(optical clear adhesive, OCA) 등이 이에 해당될 수 있다. 절연 박막(280)은, 스프레이 코팅 방식으로 도포하거나 개구부가 형성된 마스킹 테이프를 이용해 형성될 수 있다.
납땜 패드(30)
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면 납땜 패드(30)는, LED 패키지(40)를 부착시키기 위한 영역을 제공한다. 이러한 납땜 패드(30)는, 전극 회로(20)의 일면에 마련되는데, 그 중에서도 LED 사이트(S)의 일부 영역을 덮도록 마련될 수 있다. 또한 납땜 패드(30)는, LED 사이트(S) 내 A 전극 패턴 내지 D 전극 패턴(210a 내지 240b) 각각의 돌출 영역에 마련될 수 있다. 각각의 납땜 패드(311a 내지 314b)는, A 전극 패턴 내지 D전극 패턴(210a 내지 240b)과 상응하도록 각각의 LED 패키지(410, 420, 430)의 +단자와 -단자에 연결될 수 있다.
납땜 패드(30)는, LED 패키지(40)마다 제1 납땜 패드(311a, 311b), 제2 납땜 패드(312a, 312b), 제3 납땜 패드(313a, 313b) 및 제4 납땜 패드(314a, 314b)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면 도 3과 같이, 제1 납땜 패드(311a, 311b)는 LED 사이트(S) 내 A 전극 패턴(210a, 210b)의 돌출 영역에 마련될 수 있다. 제2 납땜 패드(312a, 312b)는 LED 사이트(S) 내 B 전극 패턴(220a, 220b)의 돌출 영역에 마련될 수 있다. 제3 납땜 패드(313a, 313b)는 LED 사이트(S) 내 C 전극 패턴(220a, 220b)의 돌출 영역에 마련될 수 있다. 제4 납땜 패드(314a, 314b)는 LED 사이트(S) 내 D 전극 패턴(240a, 240b)의 돌출 영역에 마련될 수 있다.
즉, 각각의 납땜 패드(311a 내지 314b)는 각각의 전극 패턴(210a 내지 240b)마다 일 대 일 관계로 마련되나, 그 위치는 위의 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다.
다시 도 9(a)와 도 9(b)를 참조하면 납땜 패드(30)는, 버퍼 금속층(320)과 납땜 금속층(330)으로 이루어져, 층상 구조를 이룰 수 있다.
버퍼 금속층(320)은, 납땜에 의한 주석(Sn)의 확산(diffusion)을 막기 용이하고, 베리어 금속(barrier metal)으로 작용 가능한 재질로 이루어질 수 있다.
납땜 금속층(330)은, 납땜 또는 은 페이스트(paste)가 가능하며 전기전도도가 우수한 재질로 이루어질 수 있다. 구체적으로 납땜 금속층(330)은, 구리(Cu), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 플라타늄(Pt) 또는 금(Au)으로 이루어진 단일 성분이거나 하나 이상의 합금으로 이루어질 수 있다.
LED 패키지(40)
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면 복수개의 LED 패키지(40)는, LED 사이트(S)마다 마련될 수 있다. 이러한 LED 패키지(40)는, 3개의 R/G/B LED로 이루어진 RGB LED일 수 있다. LED 패키지(40)는, 각각 하나의 적색 LED 칩(410), 하나의 녹색 LED(420) 칩 및 하나의 청색 LED 칩(430)을 포함할 수 있다.
LED 패키지(40)는, 복수개가 전극 회로(20) 상에 일정 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. LED 패키지(40)는, 각각의 단위 화소별로 마련될 수 있다. LED 패키지(40)는, 단위 면적당 구성되는 픽셀(pixel) 차이에 따라 개수를 달리하여 마련되는데, 수백 내지 수만 개일 수 있다.
아래에서는 다시 도 3과 도 4(a)에 도시된 대로 제1 LED 패키지(40a)를 기준으로, 전극 패턴(210a 내지 240b)과 납땜 패드(311a 내지 314b), 적색/녹색/청색 LED 칩(410, 420, 430) 간의 전원 공급 방식을 설명하기로 한다.
이 경우 각각의 전극 패턴(210a 내지 230b)은 외부 전원(미도시)과 케이블(미도시)로 연결되어, 투명 LED 패널(1)을 구동하기 위한 전원을 공급받는다. 외부 전원(미도시)에서 A 전극 패턴(210a)과 납땜 패드(311a)를 거쳐 적색 LED 칩(410)의 +단자에 전원을 공급한다. 제1 LED 패키지(40a)를 이루는 녹색/청색 LED 칩(420, 430)의 +단자들을 비롯한 각각의 LED 패키지(40) 모두 이와 마찬가지 방식으로 전원을 공급받는다.
적색/녹색/청색 LED 칩(410, 420, 430)의 -단자는, 공통 연결된 납땜 패드(314a), D 전극 패턴(240a)과 공통 연결되는데, D 전극 패턴(240a)의 일 단부에 마련된 커넥터(미도시)를 통해 외부 전원(미도시)과 연결되어 전원을 공급받는다.
아래에서는 설명의 편의를 위해, 서로 인접한 제1 LED 패키지(40a)와 제2 LED 패키지(40b)를 기준으로 투명 LED 패널(1)의 연결 관계를 설명하기로 한다. 이 경우 투명 LED 패널(1)에 제1 LED 패키지(40a)와 제2 LED 패키지(40b)가 포함되는 것으로 예시하고 있으나, 투명 LED 패널(1)은 복수개의 LED 패키지(40)가 마련될 수 있다.
도 2와 도 3을 참조하면 전기 회로(20)는, 제1 LED 사이트(Sa)와 제2 LED 사이트(Sb)를 비롯하여 복수 개의 LED 사이트(S)를 포함할 수 있다.
제1 납땜 패드(311a), 제2 납땜 패드(312a), 제3 납땜 패드(313a) 및 제4 납땜 패드(314a)는, 전극 회로(20)의 일면 중에서도 제1 LED 사이트(Sa)의 일부 영역을 덮도록 마련될 수 있다.
이에 상응하여 제1' 납땜 패드(311b), 제2' 납땜 패드(312b), 제3' 납땜 패드(313b) 및 제4' 납땜 패드(314b)는, 전극 회로의 일면 중에서도 제2 LED 사이트(Sb)의 일부 영역을 덮도록 마련될 수 있다.
제1 납땜 패드(311a), 제2 납땜 패드(312a), 제3 납땜 패드(313a), 제1' 납땜 패드(311b), 제2' 납땜 패드(312b), 제3' 납땜 패드(313b)는 전기적으로 절연(electrically isolated)될 수 있고, 제4 납땜 패드(314a)와 제4' 납땜 패드(314b)는 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)될 수 있다.
제1 LED 패키지(40a)는, 제1 LED 사이트(Sa)에 마련될 수 있다.
제2 LED 패키지(40b)는, 제2 LED 사이트(Sb)에 마련될 수 있다.
적색/녹색/청색 LED 칩(410, 420, 430)의 +/-단자와 각 납땜 패드(311a 내지 314b)의 연결 관계는 다음과 같다.
일 실시 예에 따르면 도 3과 도 4a와 같이 제1 LED 패키지(40a)를 구성하는 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 +단자는, 제1 납땜 패드(311a), 제2 납땜 패드(312a), 제3 납땜 패드(313a)에 각각 연결될 수 있다.
제2 LED 패키지(40b)를 구성하는 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 +단자는, 제1' 납땜 패드(311b), 제2' 납땜 패드(312b), 제3' 납땜 패드(313b)에 각각 연결될 수 있다.
제1 LED 패키지(40a)를 구성하는 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 -단자와 제2 LED 패키지(40b)를 구성하는 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 -단자는 제4 납땜 패드(314a)와 제4' 납땜 패드(314b)에 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)될 수 있다.
다른 실시 예에 따르면 도 3과 도 4b와 같이 제1 LED 패키지(40a)를 구성하는 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 -단자는 제1 납땜 패드(311a), 제2 납땜 패드(312a), 제3 납땜 패드(313a)에 각각 연결될 수 있다.
제2 LED 패키지(40b)를 구성하는 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 -단자는, 제1' 납땜 패드(311b), 제2' 납땜 패드(312b), 제3' 납땜 패드(313b)에 각각 연결될 수 있다.
제1 LED 패키지(40a)를 구성하는 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 +단자와 제2 LED 패키지(40b)를 구성하는 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)의 +단자는 제4 납땜 패드(314a)와 제4' 납땜 패드(314b)에 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)될 수 있다.
방열 전극(50)
다시 도 1을 참조하면 방열 전극(50)은, 전극 회로(20)와 투명 기판(10)을 거쳐 투명 기판(10)의 배면으로 전달될 열을 외부로 배출시키는 역할을 한다. 이러한 방열 전극(50)은, 투명 기판(10)의 배면에 형성될 수 있다. 방열 전극(50)은, 투명 기판(10)을 기준으로 전극 회로(20)와 마주보는 위치에 마련될 수 있다. 방열 전극(50)은, 광투과성과 열방출 성능을 가지는 투명한 금속 재질로 이루어질 수 있다.
방열 절연 박막(60)
다시 도 1을 참조하면 방열 절연 박막(60)은, 방열 전극(50)에서 전달된 열을 외부로 배출시키는 역할을 한다. 방열 절연 박막(60)은, 투명 기판(10)의 배면에 형성될 수 있다. 방열 절연 박막(60)은, 방열 전극(50) 사이마다 방열 전극(50)과 이웃하여, 하나의 층을 형성할 수 있다. 방열 절연 박막(60)은, 산화구리(Cu2O, CuO), 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(Al2O3) 또는 이산화티타늄(TiO2) 등의 열전도도가 우수한 절연체로 이루어질 수 있다. 방열 절연 박막(60)의 두께는 300~1,500Å의 두께가 바람직하나, 반드시 이에 한정하지 않는다.
투명 커버(70)
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널(1)을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 13을 참조하면 투명 커버(70)는, 습기나 먼지가 많은 실외 환경에서 노출에 따른 장치의 오동작을 막기 위해, 외체를 형성하여 그 내부를 밀폐하는 역할을 한다. 이러한 투명 커버(70)는, 투명 기판(10)의 일면 상에서 LED 패키지(40)를 덮도록 마련될 수 있다. 투명 커버(70)는, 제1 커버(710)와 제2 커버(720)를 포함할 수 있다.
제1 커버(710)는, LED 패키지(40)를 수용하도록, 전극 회로(20)와 납땜 패드(30), LED 패키지(40)의 높이에 대응되는 두께를 가질 수 있다. 이를 위해 제1 커버(710)에는 복수개의 LED 패키지 수용부(711)가 형성될 수 있다.
제1 커버(710)는, 폴리비닐부티랄(poly vinyl butyral, PVB) 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly ethylene terephthalate, PET)로 이루어질 수 있다. 제1 커버(710)와 투명 기판(10) 사이에 후술할 투명 접착 필름(미도시)이 마련될 수 있다.
LED 패키지 수용부(711)는, LED 패키지(40)를 수용할 수 있다. LED 패키지 수용부(711)는, LED 패키지(40)의 크기에 상응하는 형상일 수 있다. 따라서 LED 패키지 수용부(711)는, LED 패키지(40)의 크기에 대응되는 너비를 가질 수 있다.
제2 커버(720)는, 제1 커버(710)의 일면에 면 접촉하여 부착될 수 있다. 제2 커버(720)는, 수직방향에서 외부와 LED 패키지(40)를 분리하기 위해, LED 패키지 수용부(711)를 밀폐시킬 수 있다. 제2 커버(720)는, 일정 두께를 가지는 기판일 수 있다. 이러한 제2 커버(720)는, UV 차단 필름으로 이루어질 수 있다.
투명 접착 필름(730)은, 투명 기판(10)과 제1 커버(710), 제1 커버(710)와 제2 커버(720)의 접착력을 높일 수 있다. 이러한 투명 접착 필름(730)은, 투명 기판(10)과 제1 커버(710) 사이에 마련될 수 있고, 제1 커버(710)와 제2 커버(720) 사이에 마련될 수 있다. 투명 접착 필름(730)은, 광학용 투명 접착제(optical clear adhesive, OCA) 또는 광학용 투명 레진(optical clear resin, OCR)로 이루어질 수 있다.
제어보드/제어회로(미도시)
제어보드/제어회로(main control board, MCU, 미도시)는, 단위 화소별로 원하는 정보를 출력하도록 적색/녹색/청색 LED 칩(410, 420, 430)의 밝기, 색온도 제어에 관한 내용을 펄스폭 변조(PWM) 방식으로 조절하는 디밍(dimming) 제어를 할 수 있다.
제어보드/제어회로(미도시)는, 컴퓨터와 케이블을 통해 연결되거나, LED 패키지 제어용 앱(application)이 설치된 스마트폰과 무선통신부를 통해 연결될 수 있다. 또한 제어보드/제어회로(미도시)는, 옥외 환경에서 사용을 고려해 방수 처리되어 구동될 수 있다.
컴퓨터 또는 스마트폰(미도시)은, 제어보드/제어회로(미도시)로 LED 조명 제어신호를 전송해 출력 정보를 출력하도록 투명 LED 패널(1)을 동작시킬 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널(1)을 설명하기로 한다. 위 일 실시 예에 따른 투명 LED 패널(1)과 다른 부분에 한하여 설명하기로 하고, 동일한 부분은 동일한 부호를 병기하며 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전극 회로(20)와 납땜 패드(30), LED 패키지(40)의 구조를 보인 개략적으로 도시한 도면이고, 도 6은 도 5에서 제1 LED 사이트(Sa)와 제2 LED 사이트(Sb), 제3 LED 사이트(Sc) 부분의 확대도이며, 도 7은 도 6에서 LED 패키지의 확대도이고, 도 8(a)와 도 8(b)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 단위 화소를 이루는 LED 패키지(40)의 동작 회로 구성도이다.
도 5 내지 도 8(b)에 따른 투명 LED 패널(1)은, 도 1 내지 도 4(b)의 투명 LED 패널(1)과 달리, LED 패키지(40)는 LED 패키지(40)마다 개별 마련된 드라이버 IC(440)에 의해 구동될 수 있다.
도 6과 같이 전극 회로(20)를 이루는 각각의 전극 패턴(210a 내지 240c)은, 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)이 내장된 LED 패키지(40) 각각의 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 나아가 드라이버 IC(440)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5, 도 6과 같이 인접한 LED 패키지(40a, 40b, 40c)는 각각 A 전극 패턴(210a, 210b, 210c), B 전극 패턴(220a, 220b, 220c), C 전극 패턴(230a, 230b, 230c) 및 D 전극 패턴(240a, 240b, 240c)으로 구분될 수 있다. 각각의 A 전극은 A 전극(210a, 210b 및 210c)끼리, 각각의 D 전극은 D 전극(240a, 240b 및 240c)끼리 전기적으로 공통 연결(Electrically connected in common)될 수 있다. B 전극과 C 전극(230a와 220b, 230b와 220c)은 서로 간의 신호 처리를 위하여 연계하여 공통 연결(Electrically connected in common)될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, A 전극 패턴(210a), B 전극 패턴(220a), C 전극 패턴(230a) 및 D 전극 패턴(240a)은, 제1 LED 사이트(Sa)를 이룰 수 있다. 또한 A' 전극 패턴(210b), B' 전극 패턴(220b), C' 전극 패턴(230b) 및 D' 전극 패턴(240b)은, 제2 LED 사이트(Sb)를 이룰 수 있다. 나아가 A'' 전극 패턴(210c), B'' 전극 패턴(220c), C'' 전극 패턴(230c) 및 D'' 전극 패턴(240c)은, 제3 LED 사이트(Sc)를 이룰 수 있다. 이때 제1 LED 사이트(Sa)와 그에 인접한 제2 LED 사이트(Sb), 제3 LED 사이트(Sc)는 일부 전극끼리 서로 전기적으로 공통 연결(Electrically connected in common)될 수 있다.
즉 A 전극 패턴(210a)과 A' 전극 패턴(210b), A'' 전극 패턴(210c)끼리, C 전극 패턴(230a)과 B' 전극 패턴(220b)끼리, C' 전극 패턴(230b)과 B'' 전극 패턴(220c)끼리, D 전극 패턴(240a)과 D' 전극 패턴(240b), D'' 전극 패턴(240c)끼리 서로 전기적으로 공통 연결(Electrically connected in common)될 수 있다.
다시 도 6을 참조하면 제1 납땜 패드(311a), 제2 납땜 패드(312a), 제3 납땜 패드(313a) 및 제4 납땜 패드(314a)는, 제1 LED 사이트(Sa)의 일부 영역을 덮도록 마련될 수 있다. 또한 제1' 납땜 패드(311b), 제2' 납땜 패드(312b), 제3' 납땜 패드(313b) 및 제4' 납땜 패드(314b)는, 제2 LED 사이트(Sb)의 일부 영역을 덮도록 마련될 수 있다. 나아가 제1'' 납땜 패드(311c), 제2'' 납땜 패드(312c), 제3'' 납땜 패드(313c) 및 제4'' 납땜 패드(314c)는, 제3 LED 사이트(Sc)의 일부 영역을 덮도록 마련될 수 있다.
제1 납땜 패드(311a)는, 제1' 납땜 패드(311b) 및 제1'' 납땜 패드(311c)와 전기적으로 공통 연결(Electrically connected in common)될 수 있다. 또한 제3 납땜 패드(313a)는 제2' 납땜 패드(312b)와, 제3' 납땜 패드(313b)는 제2'' 납땜 패드(312c)와, 제4 납땜 패드(314a)는 제4' 납땜 패드(314b) 및 제4'' 납땜 패드(314c)를 포함해 행 방향에서 전기적으로 공통 연결(Electrically connected in common)될 수 있다.
도 7과 도 8(a), 도 8(b)를 참조하면 LED 패키지(40)는, 각각 하나의 적색 LED 칩(410), 하나의 녹색 LED 칩(420), 하나의 청색 LED 칩(430)과 드라이버 IC(440)를 포함할 수 있다. 즉 단위 화소를 이루는 LED 패키지(40) 별로 드라이버 IC(440)가 마련될 수 있다. 또한 LED 패키지(40)는, 4개의 +단자(451), -단자(452), 신호 IN 단자(453) 및 신호 OUT 단자(454)를 포함할 수 있다. 나아가 동기화 신호(미도시)를 더 포함하여 5개 이상의 단자로 구성될 수 있다.
드라이버 IC(440)는, LED 패키지(40) 단위로 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420)과 청색 LED 칩(430)의 구동을 제어할 수 있다. 보다 구체적으로 드라이버 IC(440)는, 제어보드/제어회로(미도시)로부터 RGB 조합 색상 신호를 데이터 전송받아 각각의 LED 패키지(40)를 개별적으로 구동시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면 다시 도 6과 도 7, 도 8(a)와 같이 제1 LED 패키지(40a)와 같은 단위 LED 패키지(40)에서 +단자(451), -단자(452), 신호 IN 단자(453) 및 신호 OUT 단자(454)는, 납땜 패드(311a 내지 314a)를 통해 전극 패턴(210a 내지 240a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로 +단자(451)는, 제1 납땜 패드(311a)를 통해 A 전극 패턴(210a)에 연결될 수 있다. -단자(452)는, 제4 납땜 패드(314a)를 통해 D 전극 패턴(240a)에 연결될 수 있다. 신호 IN 단자(453)는, 제2 납땜 패드(312a)를 통해 B 전극 패턴(220a)에 연결될 수 있다. 나아가 신호 OUT 단자(454)는, 제3 납땜 패드(313a)를 통해 C 전극 패턴(230a)에 연결될 수 있다.
전극 패턴(210a 내지 240b)과 납땜 패드(311a 내지 314b), 적색/녹색/청색 LED 칩(410, 420, 430) 간의 전원 공급 방식은 다음과 같다.
이 경우 투명 LED 패널(1)을 구동하기 위한 전원을 전극 회로(20)의 일 단부에 연결된 커넥터(미도시)를 통해 공급받을 수 있다. 커넥터(미도시)는, 전극 회로(20)의 일 단부와 외부 전원(미도시)를 연결할 수 있다.
투명 LED 패널(1)의 구동 신호는, 커넥터(미도시)를 거쳐 제1 LED 사이트(Sa)에서 인접한 제2 사이트(Sb), 제3 사이트(Sc) 순서로 유입될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 LED 사이트(Sa)를 거쳐 투명 LED 패널(1)의 구동 신호가 유입되는데, 이때 제1 LED 패키지(40a)의 동작에 필요한 신호를 제외한 나머지 전원이 인접한 제2 LED 사이트(Sb)로 유입되어 제2 LED 패키지(40b)에 전달될 수 있다. 다시 제2 LED 패키지(40b)의 동작에 필요한 신호를 제외한 나머지 신호도 제3 LED 사이트(Sc)로 유입되어 제3 LED 패키지(40c)에 전달될 수 있다.
제2 LED 패키지(40b)를 예로 들 경우, 투명 LED 패널(1)의 동작에 관한 정보 유출입 경로를 설명하면 아래와 같다.
공급된 전원은, 제2 LED 사이트(Sb) 내의 A 전극 패턴(210b), 제1 납땜 패드(311b), 제2 LED 패키지(40b)의 +단자(451), 제1 LED 패키지(40b)의 -단자(452), 제4 납땜 패드(314b) 및 D 전극 패턴(240b)에 동시에 인가될 수 있다.
동작 정보의 유입, 유출의 경우, 제2 LED 패키지(40b)의 동작 정보가 B 전극 패턴(220b)과 제2 납땜 패드(312b)를 거쳐 신호 IN 단자(453)로 유입될 수 있다. 드라이버 IC(440)에 의해 제2 LED 패키지(40b)의 동작을 제어한 후, 신호 OUT 단자(454)와 제3 납땜 패드(313b), C 전극 패턴(230b)을 거쳐 유출될 수 있다.
이하에서는, 일 실시 예에 따른 투명 LED 패널(1)의 제조 방법을 설명하기로 한다.
도 9(a)와 도 9(b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 12는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이며, 도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 투명 LED 패널을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9(a)와 도 9(b)를 참조하면 투명 LED 패널(1)의 제조 방법은, PI 필름과 같은 투명 기판을 마련하는 단계,(S00) 투명 기판의 일면 또는 양면에 전극 회로를 형성하는 단계,(S10) 전극 회로에 납땜 패드를 형성하는 단계,(S20) 및 LED 패키지를 납땜 패드에 접착시키는 단계(S30)를 포함할 수 있다. 나아가 투명 기판의 배면에 방열 전극을 형성하는 단계(S40)와 투명 기판의 배면에 방열 절연 박막을 형성하는 단계(S50), 투명 기판에 투명 커버를 접착시키는 단계(S60)를 더 포함할 수 있다.
다시 도 9(a)와 도 9(b)를 참조하면 일 실시 예에 따른 투명 기판의 일면 또는 양면에 전극 회로를 형성하는 단계(S10)는 아래와 같다.
전극 회로 패턴 영역을 형성한다.(S110)
보다 구체적으로, 전극 회로 패턴 영역을 형성하는 단계(S110)는 아래와 같다.
투명 기판의 전면에 감광물질(PR)을 도포 후 경화시킨다.(S111) 스핀 코팅(spin coating), 닥터 블레이드(doctor blade) 또는 스프레이(spray)를 이용하여 감광물질(PR)을 수 ㎛ 두께로 도포한다. 도포한 감광물질(PR)의 경화온도는 50 내지 80 ℃이고, 경화시간은 약 10 내지 20분이 바람직하다.
마스크(mask)를 밀착시키고 UV(ultra violet) 광을 조사해 UV 광이 노출된 부분을 감광시킨다.(S112) 마스크는, UV 광을 차단하는 크롬(Cr) 재질이 바람직하며, 전극 회로(20)의 그물 형태에 대응되는 패턴이 형성될 수 있다. 이때 UV 광은 수 내지 수십 초로 조사하는 것이 바람직하다.
UV 제거제로 감광된 부위를 제거하여 전극 회로 패턴 영역을 형성한다.(S113)
전극 회로 패턴 영역에 전극 회로를 형성하는 단계(S120)는 아래와 같다.
전극 회로 패턴 영역 안에 카본 그래파이트(260)를 형성한다.(S121) 카본 그래파이트(260)의 형성은 스퍼터링 공정에 의한다. 이때 카본 그래파이트(260)의 두께는 100 내지 1,500Å이 바람직하다. 열전도성이 우수한 카본 그래파이트(260)를 형성함으로써, 소자의 동작 중 발생하는 주울 열을 외부로 방출하기 위한 바이패스(by pass) 구조를 마련하고, 납땜(soldering)에 의해 주석(Sn)이 확산될 때 투명 기판(10)과의 접촉을 근본적으로 막을 수 있다.
카본 그래파이트(260)의 상면에 전극 회로 금속층(270)을 도포한다.(S122) 전극 회로 금속층(270)의 도포는, 전자선 증착(electron beam evaporation) 또는 스퍼터링 공정에 의한다. 이때 전극 회로 금속층(270)은, 부착력과 밀착력이 우수한 금속 재질로, 특히 구리(Cu), 크롬(Cr), 니크롬(NiCr), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 등 어느 하나 또는 하나 이상의 합금으로 이루어질 수 있다. 예를 들어 염화팔라듐(PdCl2)을 카본 그래파이트(260)의 상면에 도포 후 건조시키는 방식으로 전극 회로 금속층(270)을 형성할 수 있다. 전극 회로 금속층(270)의 두께는 300 내지 2,000Å이 바람직하다.
리프트 오프(lift off)하여 전극 회로 패턴 영역과 전극 회로(20) 이외 영역을 제거하여, 전극 회로(20)를 형성한다.(S123) PR 제거제, 아세톤(acetone) 또는 메탄올(methanol) 용액을 침적시키고 초음파(ultrasonic wave)를 인가해 리프트 오프시킨다. 이러한 리프트 오프를 함으로써 제조 공정 중에서도 마스크 정렬(mask alignment) 공정 또는 식각 공정에서 발생하는 과도한 식각으로 인한 전극 회로(20)의 단선 불량을 사전에 예방할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 각각의 선들이 그물 형태를 이루는 전극 회로(20)에서, 주변부(P)를 이루는 선들보다 LED 사이트(S)를 이루는 선들의 피치를 조밀하게 하게 함으로써, LED 사이트(S)와 주변부(P)가 밀도차를 가지도록 전극 회로(20)를 형성할 수 있다.
다른 실시 예에 따르면, 도 9(a)와 도 9(b)와 같이 전극 회로(20)를 형성하기에 앞서 도 11처럼 전극 회로(20)가 형성되는 위치마다 투명 기판(10)에 관통 구멍(110)을 형성하는 단계(S130)를 더 포함할 수 있다.(S130)
투명 기판(10)에 관통 구멍(110)을 형성하고, 관통 구멍(110)과 투명 기판(10)의 일면에 전극 회로(20)를 형성하는 단계(S130)는 아래와 같다.
투명 기판(10) 중에서도 LED 사이트(S)에 대응되는 영역마다 관통 구멍(110)을 형성한다.(S131) 관통 구멍(110)은, 레이저 또는 타공용 핀(pin)을 이용하여 등 간격으로 타공하여 형성한다. 이때 관통 구멍(110)의 직경은, 0.1 내지 0.3mm의 크기가 바람직하다.
관통 구멍(110) 영역과 투명 기판(10)의 상면에 카본 그래파이트(260)와 전극 회로 금속층(270)을 순차적으로 형성한다.(S132)
리프트 오프하여 전극 회로 패턴 영역과 전극 회로(20) 이외 영역을 제거하여, 전극 회로(20)를 형성한다.(S133)
도 10을 참조하면 전극 회로(20)가 형성된 투명 기판(10)의 배면에 투명한 방열 전극(50)과 투명한 방열 절연 박막(60)을 형성하는 단계(S20)는 아래와 같다.
투명 기판(10)의 배면에 방열 전극 패턴 영역을 형성한다.(S210)
방열 전극 패턴 영역을 형성하는 단계(S210)는 아래와 같다. 투명 기판(10)의 배면에 감광물질(PR)을 도포 후, 감광물질(PR)을 경화시킨다. 마스크(mask)를 밀착시키고 UV 광을 조사해 UV 광이 노출된 부분을 감광시킨다. UV 제거제로 감광된 부위를 제거하여 방열 전극 패턴 영역을 형성한다.
방열 전극 패턴 영역 안에 카본 그래파이트(510)와 하지 금속(520)을 순차적으로 형성한다.(S220)
리프트 오프하여 방열 전극(50)을 형성한다.(S230)
투명 기판(10)의 배면 중 방열 전극(50) 이외의 영역에 스퍼터링 방법에 의하여 방열 절연 박막(60)을 형성한다.(S240) 이때 방열 절연 박막(60)은, 하나 또는 하나 이상을 적층하여 마련될 수 있다.
다시 도 9(a)와 도 9(b)를 참조하면 전극 회로에 납땜 패드를 형성하는 단계(S30)는 아래와 같다.
전극 회로(20)의 일면에 납땜 패드(30)가 형성될 부분이 개구된 마스크(mask)를 부착한다.(S310) 마스크(mask)를 이용하는 방법 이외에도 전극 회로 패턴 영역을 형성하는 단계(S110)와 같이 감광물질(PR)을 이용하여 납땜 패드(30)를 형성할 수 있다.
마스크(mask)의 개구 영역 안에 도금하거나 증착, 스퍼터링으로 납땜 패드(30)를 형성한다.(S320) 도금의 경우, 전해 도금(electro plating) 또는 무전해 도금(electro-less plating)에 의할 수 있다. 이 경우 2개의 층으로 이루어진 납땜 패드(30)는, 버퍼 금속층(320)을 형성하고, 그 상부에 전극 금속층(330)을 적층하는 방식으로 형성될 수 있다. 버퍼 금속층(320)의 경우, 전극 금속층(330)의 박리를 막기 위해 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 니크롬(NiCr), 로듐(Rh), 니켈(Ni) 또는 플라타늄(Pt) 중 어느 하나를 투명 기판(10)에 도포 후 건조하여 형성할 수 있다.
마스크를 제거하여, 납땜 패드(30)를 형성한다.(S330)
다시 도 9(a)와 도 9(b)를 참조하면 LED 패키지를 납땜 패드에 접착시키는 단계(S40)는 아래와 같다.
납땜 패드(30)에 저융점 크림 솔더(cream solder) 또는 은 페이스트(Ag paste)를 주입하여 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)을 접착시킨다.(S410) 저융점 크림 솔더 또는 은 페이스트는, 스크린 프린팅 또는 디스펜싱의 방법으로 주입할 수 있고, 이에 한정하는 것은 아니다. 이외에도 납땜 패드(30)와 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420) 및 청색 LED 칩(430)을 납땜(soldering)하여 장착시킬 수 있다.
도 12와 같이 실리콘 계열의 접착제(silicon)로 보강 접착한다.(S420) 보강 접착제(silicon)를 투명 기판(10)과 적색/녹색/청색 LED 칩(410, 420, 430) 사이 영역에 마련함으로써, LED 패키지(40)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
다른 실시 예에 따른, 드라이버 IC(440)를 일 구성으로 하는 투명 LED 패드(1)의 경우, 적색 LED 칩(410), 녹색 LED 칩(420), 청색 LED 칩(430) 및 드라이버 IC(440)을 포함하는 LED 패키지(40)를 납땜 패드(30)에 각각 납땜하여 장착시킬 수 있다.(S410)
도 13을 참조하면 투명 기판에 투명 커버를 접착시키는 단계(S50)는 아래와 같다.
투명 기판(10)의 상면에 투명 접착 필름(730)을 형성하고 투명 접착 필름(730)의 상면에 제1 커버(710)를 접착시킨다.(S510) 광학용 투명 접착제(OCA) 또는 광학용 투명 레진(OCR)은, 닥터 블레이드 또는 스프레이에 의해 도포할 수 있다. 이때 제1 커버(710)에 형성된 LED 패키지 수용부(711) 내부에 LED 패키지(40)가 들어가도록 배치한다.
제1 커버(710)의 상면에 투명 접착 필름(730)을 형성하고 투명 접착 필름(730)의 상면에 제2 커버(720)를 접착시킨다.(S520)
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
1 : 투명 LED 패널
10 : 투명 기판 110 : 관통 구멍
20 : 전극 회로 210a, 210b : A 전극 패턴
220a, 220b : B 전극 패턴 230a, 230b : C 전극 패턴
240a, 240b : D 전극 패턴 250 : 절연선
251 : 비틀림 방지영역
30 : 납땜 패드 311a : 제1 납땜 패드
311b : 제1' 납땜 패드 311c : 제1'' 납땜 패드
312a : 제2 납땜 패드 312b : 제2' 납땜 패드
312c : 제2'' 납땜 패드 313a : 제3 납땜 패드
313b : 제3' 납땜 패드 313c : 제3'' 납땜 패드
314a : 제4 납땜 패드 314b : 제4' 납땜 패드
314c : 제4'' 납땜 패드
40 : LED 패키지 40a : 제1 LED 패키지
40b : 제2 LED 패키지 40c : 제3 LED 패키지
410 : 적색 LED 칩 420 : 녹색 LED 칩
430 : 청색 LED 칩
440 : 드라이버 IC
451 : +단자 452 : -단자
453 : 신호 IN 단자 454 : 신호 OUT 단자
50 : 방열 전극 60 : 방열 절연 박막
70 : 투명 커버 710 : 제1 커버
711 : LED 패키지 수용부 720 : 제2 커버
730 : 투명 접착 필름
Sa : 제1 LED 사이트 Sb : 제2 LED 사이트
Sc : 제3 LED 사이트
P : 주변부
10 : 투명 기판 110 : 관통 구멍
20 : 전극 회로 210a, 210b : A 전극 패턴
220a, 220b : B 전극 패턴 230a, 230b : C 전극 패턴
240a, 240b : D 전극 패턴 250 : 절연선
251 : 비틀림 방지영역
30 : 납땜 패드 311a : 제1 납땜 패드
311b : 제1' 납땜 패드 311c : 제1'' 납땜 패드
312a : 제2 납땜 패드 312b : 제2' 납땜 패드
312c : 제2'' 납땜 패드 313a : 제3 납땜 패드
313b : 제3' 납땜 패드 313c : 제3'' 납땜 패드
314a : 제4 납땜 패드 314b : 제4' 납땜 패드
314c : 제4'' 납땜 패드
40 : LED 패키지 40a : 제1 LED 패키지
40b : 제2 LED 패키지 40c : 제3 LED 패키지
410 : 적색 LED 칩 420 : 녹색 LED 칩
430 : 청색 LED 칩
440 : 드라이버 IC
451 : +단자 452 : -단자
453 : 신호 IN 단자 454 : 신호 OUT 단자
50 : 방열 전극 60 : 방열 절연 박막
70 : 투명 커버 710 : 제1 커버
711 : LED 패키지 수용부 720 : 제2 커버
730 : 투명 접착 필름
Sa : 제1 LED 사이트 Sb : 제2 LED 사이트
Sc : 제3 LED 사이트
P : 주변부
Claims (19)
- 투명 기판;
상기 투명 기판의 일면 또는 양면에 그물 형태로 형성되고, 복수개의 LED 사이트 및 상기 LED 사이트를 둘러싸는 주변부로 구성된 전극 회로;
상기 전극 회로의 일면에서 적어도 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 복수개의 납땜 패드; 및
상기 LED 사이트마다 마련되고, 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩 및 청색 LED 칩으로 구성된 복수개의 LED 패키지를 포함하며,
상기 전극 회로는 상기 LED 패키지 단위마다 서로 전기적으로 절연(electrically isolated)된 A 전극 패턴, B 전극 패턴, C 전극 패턴 및 D 전극 패턴을 구성하고, 인접한 D 전극 패턴 간에는 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)된, 투명 LED 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 LED 사이트 내에서 상기 A 전극 패턴, 상기 B 전극 패턴, 상기 C 전극 패턴 및 상기 D 전극 패턴은 서로 다른 방향으로 돌출 형성된, 투명 LED 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 +단자는 각각 상기 A 전극 패턴, 상기 B 전극 패턴 및 상기 C 전극 패턴에 전기적으로 연결되고, 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 -단자는 상기 D 전극 패턴에 전기적으로 공통 연결된, 투명 LED 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 -단자는 각각 상기 A 전극 패턴, 상기 B 전극 패턴 및 상기 C 전극 패턴에 전기적으로 연결되고, 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 +단자는 상기 D 전극 패턴에 전기적으로 공통 연결된, 투명 LED 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 LED 사이트는 상기 주변부보다 상대적으로 고밀도로 이루어진, 투명 LED 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 전극 회로에는 상기 LED 사이트마다 비틀림 방지영역이 형성된, LED 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 투명 기판에는 상기 전극 회로에 대응하는 영역마다 복수개의 관통 구멍이 형성된, 투명 LED 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 투명 기판의 일면 상에서 상기 LED 패키지를 덮도록 마련되어, 상기 LED 패키지를 수용하는 LED 패키지 수용부가 형성된 투명 커버를 더 포함하는, 투명 LED 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 투명 커버는,
상기 LED 패키지를 개별 수용할 수 있도록 상기 LED 패키지 수용부가 서로 구획된 제1 커버; 및
상기 제1 커버의 일면에 부착되어 LED 패키지 수용부를 밀폐시키는 제2 커버를 포함하는, 투명 LED 패널.
- 복수개의 LED 패키지를 포함하는 투명 LED 패널에 있어서,
투명 기판;
상기 투명 기판의 일면 또는 양면에 그물 형태로 형성되고, 제1 LED 사이트와 제2 LED 사이트를 가지는 복수개의 LED 사이트 및 상기 LED 사이트를 둘러싸는 주변부로 구성된 전극 회로;
상기 전극 회로의 일면에서 상기 제1 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 제1 납땜 패드, 제2 납땜 패드, 제3 납땜 패드 및 제4 납땜 패드;
상기 제1 LED 사이트에 마련된 제1 LED 패키지;
상기 전극 회로의 일면에서 상기 제2 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 제1' 납땜 패드, 제2' 납땜 패드, 제3' 납땜 패드 및 제4' 납땜 패드; 및
상기 제2 LED 사이트에 마련된 제2 LED 패키지를 포함하고,
상기 제1 납땜 패드, 상기 제2 납땜 패드, 상기 제3 납땜 패드, 상기 제1' 납땜 패드, 상기 제2' 납땜 패드 및 상기 제3' 납땜 패드는 전기적으로 절연(electrically isolated)되고, 서로 인접한 상기 제4 납땜 패드와 상기 제4' 납땜 패드는 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)된, 투명 LED 패널.
- 제 10 항에 있어서,
상기 제1 LED 패키지를 구성하는 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩 및 청색 LED 칩의 +단자는 상기 제1 납땜 패드, 상기 제2 납땜 패드, 상기 제3 납땜 패드에 각각 연결되고,
상기 제2 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 +단자는 상기 제1' 납땜 패드, 상기 제2' 납땜 패드, 상기 제3' 납땜 패드에 각각 연결되며,
상기 제1 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 -단자와 상기 제2 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 -단자는 상기 제4 납땜 패드와 상기 제4' 납땜 패드에 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)된, 투명 LED 패널.
- 제 10 항에 있어서,
상기 제1 LED 패키지를 구성하는 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩 및 청색 LED 칩의 -단자는 상기 제1 납땜 패드, 상기 제2 납땜 패드, 상기 제3 납땜 패드에 각각 연결되고,
상기 제2 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 -단자는 상기 제1' 납땜 패드, 상기 제2' 납땜 패드, 상기 제3' 납땜 패드에 각각 연결되며,
상기 제1 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 +단자와 상기 제2 LED 패키지를 구성하는 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 +단자는 상기 제4 납땜 패드와 상기 제4' 납땜 패드에 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)된, 투명 LED 패널.
- 제 10 항에 있어서,
상기 LED 사이트는 상기 주변부보다 상대적으로 고밀도로 이루어진, 투명 LED 패널.
- 투명 기판;
상기 투명 기판의 일면 또는 양면에 그물 형태로 형성되고, 복수개의 LED 사이트 및 상기 LED 사이트를 둘러싸는 주변부로 구성된 전극 회로;
상기 전극 회로의 일면에서 적어도 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 복수개의 납땜 패드; 및
상기 LED 사이트마다 마련되고, 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩 및 청색 LED 칩으로 구성된 복수개의 LED 패키지를 포함하며,
상기 전극 회로는 A 전극 패턴, B 전극 패턴, C 전극 패턴 및 D 전극 패턴으로 구성되고, 인접한 상기 LED 패키지마다 각각의 상기 A 전극 패턴, 상기 B 전극 패턴, 상기 C 전극 패턴 및 D 전극 패턴 중에서 적어도 어느 하나를 서로 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)된, 투명 LED 패널.
- 제 14 항에 있어서,
상기 LED 패키지 단위로 상기 적색 LED 칩, 상기 녹색 LED 칩 및 상기 청색 LED 칩의 구동을 제어하는 드라이버 IC를 포함하는, 투명 LED 패널.
- 제 15 항에 있어서,
상기 LED 패키지는 +단자, -단자, 신호 IN 단자 및 신호 OUT 단자를 포함하며,
상기 +단자는 상기 A 전극 패턴에 연결되고, 상기 -단자는 상기 D 전극 패턴에 연결되고, 상기 신호 IN 단자는 상기 B 전극 패턴에 연결되며, 상기 신호 OUT 단자는 상기 C 전극 패턴에 연결된, 투명 LED 패널.
- 복수개의 LED 패키지를 포함하는 투명 LED 패널에 있어서,
투명 기판;
상기 투명 기판의 일면 또는 양면에 그물 형태로 형성되고, 제1 LED와 제2 LED 사이트, 제3 사이트를 가지는 복수개의 LED 사이트 및 상기 LED 사이트를 둘러싸는 주변부로 구성된 전극 회로;
상기 전극 회로의 일면에서 상기 제1 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 제1 땜 패드, 제2 납땜 패드, 제3 납땜 패드 및 제4 납땜 패드;
상기 제1 LED 사이트에 마련된 제1 LED 패키지;
상기 전극 회로의 일면에서 상기 제2 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 제1' 납땜 패드, 제2' 납땜 패드, 제3' 납땜 패드 및 제4' 납땜 패드;
상기 제2 LED 사이트에 마련된 제2 LED 패키지;
상기 전극 회로의 일면에서 상기 제3 LED 사이트의 일부 영역을 덮도록 마련된 제1'' 납땜 패드, 제2'' 납땜 패드, 제3'' 납땜 패드, 제4'' 납땜 패드; 및
상기 제3 LED 사이트에 마련된 제3 LED 패키지를 포함하고,
상기 제1' 납땜 패드는 상기 제1 납땜 패드 및 제1'' 납? 패드와 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)되고, 상기 제2' 납땜 패드는 상기 제3 납땜 패드와 전기적으로 공통 연결(Electrically connected in common)되고, 상기 제3' 납땜 패드는 상기 제2'' 납땜 패드와 전기적으로 공통 연결(Electrically connected in common)되며, 상기 제4' 납땜 패드는 상기 제4 납땜 패드 및 제4'' 납땜 패드와 전기적으로 공통 연결(electrically connected in common)된, 투명 LED 패널.
- 제 17 항에 있어서,
상기 전극 회로는 상기 제4 납땜 패드와 상기 제4' 납땜 패드, 상기 제4'' 납땜 패드를 포함하여 행 방향으로 서로 전기적으로 공통 연결(Electrically connected in common)된, 투명 LED 패널.
- 제 17 항에 있어서,
상기 LED 사이트는 상기 주변부보다 상대적으로 고밀도로 이루어진, 투명 LED 패널.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180150494A KR20200064399A (ko) | 2018-11-29 | 2018-11-29 | 투명 led 패널 |
| CN201910041414.1A CN111244076A (zh) | 2018-11-29 | 2019-01-16 | 透明发光二极管面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180150494A KR20200064399A (ko) | 2018-11-29 | 2018-11-29 | 투명 led 패널 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200064399A true KR20200064399A (ko) | 2020-06-08 |
Family
ID=70863970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180150494A KR20200064399A (ko) | 2018-11-29 | 2018-11-29 | 투명 led 패널 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20200064399A (ko) |
| CN (1) | CN111244076A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115172403A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-10-11 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种Micro LED的封装方法 |
| US11652073B2 (en) | 2020-12-15 | 2023-05-16 | Lg Display Co., Ltd. | Light source unit and display device including the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023175508A1 (en) * | 2022-03-15 | 2023-09-21 | King Abdullah University Of Science And Technology | Light emitting device in red spectral range |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100949338B1 (ko) | 2008-03-17 | 2010-03-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980069992A (ko) * | 1997-01-20 | 1998-10-26 | 사와무라시코우 | 광 반도체 장치와 지지기판의 복합 유니트 및 광 반도체 장치를지지기판 상에 실장하기 위한 방법 |
| JP2001156095A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Sony Corp | 電極、半導体装置および製造方法 |
| JP4628876B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2011-02-09 | 株式会社フジクラ | 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 |
| KR100715457B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-05-07 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 실장용 인쇄회로기판 제조방법 및 발광다이오드 패키지 |
| WO2011034139A1 (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | ローム株式会社 | Ｌｅｄユニット、ｌｅｄ照明装置、ｌｅｄ照明システム、および照明装置 |
| KR101144351B1 (ko) * | 2010-09-30 | 2012-05-11 | 서울옵토디바이스주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101775428B1 (ko) * | 2010-12-28 | 2017-09-06 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| US8773006B2 (en) * | 2011-08-22 | 2014-07-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package, light source module, and lighting system including the same |
| TWM460374U (zh) * | 2013-03-08 | 2013-08-21 | E Ink Holdings Inc | 顯示裝置 |
| JP2016181689A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-13 | 新世紀光電股▲ふん▼有限公司Ｇｅｎｅｓｉｓ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| KR102318283B1 (ko) * | 2017-03-16 | 2021-10-28 | 주식회사 루멘스 | Led 디스플레이 장치 |
-
2018
- 2018-11-29 KR KR1020180150494A patent/KR20200064399A/ko not_active Application Discontinuation
-
2019
- 2019-01-16 CN CN201910041414.1A patent/CN111244076A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100949338B1 (ko) | 2008-03-17 | 2010-03-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11652073B2 (en) | 2020-12-15 | 2023-05-16 | Lg Display Co., Ltd. | Light source unit and display device including the same |
| CN115172403A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-10-11 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种Micro LED的封装方法 |
| CN115172403B (zh) * | 2022-08-02 | 2024-05-17 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种Micro LED的封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111244076A (zh) | 2020-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3680932B1 (en) | Display device and method for manufacturing same | |
| KR101789145B1 (ko) | 투명한 디스플레이용 ｌｅｄ 전광 판넬 및 그 제작 방법 | |
| US11791370B2 (en) | Light-emitting device | |
| TWI745206B (zh) | 發光顯示單元及顯示裝置 | |
| CN109215516B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| US7683539B2 (en) | Light emitting device package and method for manufacturing the same | |
| CN108022940A (zh) | 显示装置 | |
| CN108267891A (zh) | 液晶显示装置 | |
| CN102104100A (zh) | 发光器件 | |
| CN102237460A (zh) | 发光器件 | |
| KR20200064399A (ko) | 투명 led 패널 | |
| JPH11161197A (ja) | 画像表示装置 | |
| CN114556203B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板和背光模组 | |
| KR20190003198A (ko) | 발광 표시 장치 | |
| JPH11340515A (ja) | 発光装置及びそれを用いた表示装置 | |
| CN106133930B (zh) | 半导体单元、半导体器件、发光装置、显示装置和半导体器件制造方法 | |
| CN212011026U (zh) | 具有悬臂电极的发光元件、具有其的显示面板及显示装置 | |
| US11075330B2 (en) | Package structure and electronic device | |
| CN221596478U (zh) | 一种薄膜芯片转接板 | |
| CN112002791B (zh) | Micro-LED芯片及其制作方法、显示面板 | |
| KR102328078B1 (ko) | 디스플레이 패널, 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| CN117393688B (zh) | 一种显示模组及制备方法、显示装置 | |
| CN219959038U (zh) | 一种发光芯片封装结构和发光装置 | |
| KR20240041868A (ko) | 발광 기판 및 그 제조 방법, 백라이트, 디스플레이 장치 | |
| KR20210107186A (ko) | 반도체 발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E601 | Decision to refuse application |