KR20200046125A - 워크 분리 장치 및 워크 분리 방법 - Google Patents

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Abstract

적층체의 분리층에 대하여 펄스 레이저광을 균일하게 조사한다.
회로 기판을 포함하는 워크와, 레이저광을 투과하는 지지체가, 레이저광의 흡수로 박리 가능하게 변질되는 분리층을 개재시켜 적층되는 적층체에 있어서, 워크를 착탈 가능하게 지지하는 지지 부재와, 지지 부재로 지지된 적층체의 지지체를 투과하여 분리층을 향하여 레이저광으로서 펄스 발진되는 가우시안 빔을 조사하는 레이저 조사부와, 레이저 조사부를 작동 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는, 레이저 조사부로부터 펄스 발진되는 레이저광에 있어서, 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 간격이, 가우시안 빔의 빔 프로파일에 있어서의 빔 직경과 조사 강도의 관계를 정규 분포로 간주했을 때에 표준 편차의 3배 미만으로 억제되는 것을 특징으로 하는 워크 분리 장치.

Description

워크 분리 장치 및 워크 분리 방법
본 발명은, WLP(wafer level packaging)나 PLP(panel level packaging), 또는 두께가 매우 얇은(극박) 반도체 웨이퍼의 처리 공정 등과 같은, 제품이 되는 워크의 제조 과정에 있어서, 지지체에 가고정 지지된 워크를 지지체로부터 박리하기 위하여 이용되는 워크 분리 장치, 및 워크 분리 장치를 이용한 워크 분리 방법에 관한 것이다.
종래, 이 종류의 워크 분리 장치 및 워크 분리 방법으로서, 기판과, 광을 투과하는 지지체를, 광을 흡수함으로써 변질되는 분리층을 개재시켜 적층하여 이루어지는 적층체로부터, 지지체를 분리하는 지지체 분리 방법, 및 지지체 분리 방법을 실행하기 위한 지지체 분리 장치가 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
지지체 분리 방법은, 적층체를 흡인 지지하면서 지지체를 개재시켜 분리층에 광을 조사하는 광조사 공정과, 광조사 공정 후의 적층체로부터 지지체를 분리하는 분리 공정과, 지지체가 분리된 후의 기판을 지지체 분리 장치로부터 반출하는 반송 공정을 포함하고 있다.
지지체 분리 장치는, 적층체를 지지하기 위한 지지대와, 광조사부로서의 레이저 조사부를 구비하고 있으며, 지지대가 적층체를 흡착하기 위한 흡착부를 구비한 지지면과, 지지대를 향하여 적층체를 압압하는 압압부(押壓部)를 갖고 있다. 레이저 조사부가 분리층에 조사하는 광으로서는, 분리층이 흡수 가능한 파장에 따른 레이저광을 이용하며, 그 레이저 출력, 펄스 주파수가 분리층의 종류, 두께 및 기판의 종류 등의 조건에 따라 조정된다.
또한 지지체 분리 방법에 의하여 적층체로부터 분리한 기판을 처리하는 기판 처리 방법은, 적층체로부터 분리한 기판을 흡인 지지하면서 기판에 잔류하고 있는 접착제가 포함되는 분리층의 잔사를 세정액으로 제거하는 세정 공정과, 세정 공정 후의 단리된 기판을 흡인 지지하면서 다이싱하는 다이싱 공정을 포함하고 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2018-006487호
그런데, 적층체의 분리층에 대하여 레이저광의 조사 강도를 균일화하는 것이 용이하지 않아, 분리층에 대하여 레이저광을 균일하게 조사하여 분리(박리)시키는 것이 매우 곤란하였다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 것에는, 적층체에 대한 레이저광의 조사에 대하여 자세한 제어 방법이 기재되어 있지 않다.
이 때문에, 레이저 조사부로부터 분리층을 향하여 조사되는 펄스 레이저광의 에너지가 분리층을 분리시키는 데에 필요한 양보다 과잉인 상태로 주사(소인(掃引))하면, 분리층의 일부에 대하여 과조사가 되어, 그 조사열에 의하여 부분적으로 온도가 상승하여 발열할 우려가 있다.
이로써, 분리층에 있어서 레이저 에너지가 너무 강한 부위는, 타서 그을음이 발생함과 함께, 기판에 탑재된 칩의 회로 기판에 형성되어 있는 디바이스에 대미지를 발생시키는 등의 문제가 있었다.
이와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 관한 워크 분리 장치는, 회로 기판을 포함하는 워크와, 레이저광을 투과하는 지지체가, 상기 레이저광의 흡수로 박리 가능하게 변질되는 분리층을 개재시켜 적층되는 적층체에 있어서, 상기 워크를 착탈 가능하게 지지하는 지지 부재와, 상기 지지 부재로 지지된 상기 적층체의 상기 지지체를 투과하여 상기 분리층을 향하여, 상기 레이저광으로서 펄스 발진되는 가우시안 빔을 조사하는 레이저 조사부와, 상기 레이저 조사부를 작동 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 레이저 조사부로부터 펄스 발진되는 상기 레이저광에 있어서, 인접하는 상기 가우시안 빔의 중심끼리의 간격이, 상기 가우시안 빔의 빔 프로파일에 있어서의 빔 직경과 조사 강도의 관계를 정규 분포로 간주했을 때에 표준 편차의 3배 미만으로 억제되는 것을 특징으로 한다.
또, 이와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 관한 워크 분리 방법은, 회로 기판을 포함하는 워크와, 레이저광을 투과하는 지지체가, 상기 레이저광의 흡수로 박리 가능하게 변질되는 분리층을 개재시켜 적층되는 적층체에 있어서, 상기 워크를 지지 부재에 착탈 가능하게 지지하는 지지 공정과, 상기 지지 부재로 지지된 상기 적층체의 상기 지지체를 투과하여 상기 분리층을 향하여 레이저 조사부로부터 상기 레이저광을 조사하는 레이저 조사 공정을 포함하고, 상기 레이저 조사 공정에서는, 상기 레이저 조사부로부터 상기 레이저광으로서 펄스 발진되는 가우시안 빔을 조사하여, 인접하는 상기 가우시안 빔의 중심끼리의 간격이, 상기 가우시안 빔의 빔 프로파일에 있어서의 빔 직경과 조사 강도의 관계를 정규 분포로 간주했을 때에 표준 편차의 3배 미만으로 설정하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 워크 분리 장치의 전체 구성을 나타내는 설명도이며, (a)가 정면도, (b)가 동(同)횡단 평면도이다.
도 2는 워크 분리 방법을 나타내는 설명도이며, (a)~(d)가 레이저 조사부로부터의 광조사 과정을 나타내는 일부 절결 사시도이다.
도 3은 적층체의 변형예를 나타내는 설명도이며, (a)~(d)가 레이저 조사부로부터의 광조사 과정을 나타내는 일부 절결 사시도이다.
도 4는 펄스 레이저광의 빔 프로파일이며, (a)가 레이저광으로서 가우시안 빔을 펄스 발진한 경우의 빔 프로파일, (b)가 가우시안 빔을 유사 톱 해트로 변경한 경우의 빔 프로파일이다.
도 5는 펄스 레이저광의 빔 프로파일이며, (a)가 표준 편차의 2배의 빔 프로파일, (b)가 표준 편차의 2.5배의 빔 프로파일, (c)가 표준 편차의 3배의 빔 프로파일이다.
도 6은 펄스 레이저광의 조사점 배치를 나타내는 설명도(하단이 빔 프로파일, 상단이 평면도)이며, (a)가 조사 1회째의 설명도, (b)가 조사 2회째의 설명도, (c)가 조사 3회째의 설명도, (d)가 조사 4회째의 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 근거하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 실시형태에 관한 워크 분리 장치(A) 및 워크 분리 방법은, 도 1~도 6에 나타내는 바와 같이, 회로 기판(도시하지 않음)을 포함하는 워크(1)와, 레이저광(L)을 투과하는 지지체(2)가, 레이저광(L)의 흡수로 박리 가능하게 변질되는 분리층(3)을 개재시켜 적층되어 이루어지는 적층체(S)에 대하여, 지지체(2)를 투과한 분리층(3)에 대한 레이저광(L)의 조사에 의하여 워크(1)로부터 지지체(2)를 박리시키는 장치와 방법이다. WLP(wafer level packaging)나 PLP(panel level packaging)와 같은 반도체 패키지 등을 제조하는 것이나, 두께가 매우 얇은 반도체 웨이퍼(이하 "극박 웨이퍼"라고 함)의 처리 공정을 위하여 이용된다.
상세하게 설명하면, 본 발명의 실시형태에 관한 워크 분리 장치(A)는, 적층체(S)의 워크(1)를 착탈 가능하게 지지하도록 마련되는 지지 부재(10)와, 지지체(2)를 투과하여 분리층(3)을 향하여 레이저 광원(21)으로부터의 레이저광(L)을 조사하도록 마련되는 광학계(20)의 레이저 조사부(22)를 주요한 구성 요소로서 구비하고 있다. 또한, 지지체(2) 및 분리층(3)에 대한 레이저 조사부(22)로부터의 레이저 조사 위치(P)를 적어도 레이저 조사부(22)로부터의 광조사 방향과 교차하는 2방향으로 상대적으로 이동시키도록 마련되는 구동부(30)와, 레이저 조사부(22)부터 지지체(2) 및 분리층(3)의 조사면까지의 간격을 측정하도록 마련되는 측장부(40)와, 레이저 조사부(22) 및 구동부(30)나 측장부(40) 등을 작동 제어하도록 마련되는 제어부(50)를 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 도 1~도 6에 나타내는 바와 같이, 지지 부재(10)에 대하여 적층체(S)는 통상, 상하 방향으로 재치되고, 지지 부재(10) 상의 적층체(S)를 향하여 레이저 조사부(22)로부터 레이저광(L)이 아래쪽 방향으로 조사된다. 지지 부재(10)에 대한 적층체(S)의 지지 방향이나, 레이저 조사부(22)로부터 적층체(S)를 향하는 레이저광(L)의 조사 방향을 이하 "Z 방향"이라고 한다. 구동부(30)에 의한 상대적인 이동 방향인 레이저광(L)의 조사 방향(Z 방향)과 교차하는 두 방향을 이하 "XY 방향"이라고 한다.
워크(1)는, 후술하는 지지체(2)에 첩합된 적층 상태로, 회로 형성 처리나 박화 처리 등의 반도체 프로세스가 제공된 회로 기판을 포함함과 함께 반송되는 직사각형(패널 형상)의 기판이나 원형의 웨이퍼 등이며, 실리콘 등의 재료로 박판상으로 형성된다. 워크(1)의 구체예로서는, 예를 들면 15~3,000μm의 두께로 박화된 기판이나 웨이퍼가 이용된다. 특히 극박 웨이퍼 등과 같이 워크(1)의 두께가 수십 μm 정도인 경우에는, 다이싱 테이프 등과 같은 테이프상의 지지용 점착 시트에 워크(1)의 전체면을 첩부하여 서포트하는 것이나, 다이싱 프레임 등과 같은 링상의 지지 프레임으로 외주부가 보강된 테이프상의 지지용 점착 시트에 대하여 워크(1)를 첩부함으로써 서포트하는 것도 가능하다.
지지체(2)는, 워크(1)의 박화 공정이나 반송 공정 등에서 워크(1)를 지지함으로써, 워크(1)의 파손이나 변형 등이 방지되도록 필요한 강도를 갖는 서포트 기판이나 캐리어 기판으로 불리는 것이다. 지지체(2)는, 특정 파장의 레이저광(L)이 투과하는 유리나 합성 수지 등의 투명 또는 반투명한 강성 재료로 형성된다. 지지체(2)의 구체예로서는, 두께가 예를 들면 300~3,000μm인 투명 또는 반투명한 유리판이나 세라믹판이나 아크릴계 수지제의 판 등이 이용된다.
분리층(3)은, 지지체(2)를 개재시켜 조사된 레이저광(L)을 흡수함으로써, 접착력을 저하시키도록 변질되어, 약간의 외력을 받으면 접착성을 잃어 박리하거나, 또는 파괴될 수 있도록 변질되는 층이다.
분리층(3)의 재료로서는, 예를 들면 폴리이미드 수지 등과 같은 접착성을 갖고 있으며, 워크(1)와 지지체(2)가 접착제로 이루어지는 접착층을 개장(介裝)하지 않고 첩합 가능한 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 또한 워크(1)와 지지체(2)의 박리 후에 있어서, 용이하게 세정 제거할 수 있는 다른 층을 적층하는 것도 가능하다. 또 분리층(3)이 접착성을 갖고 있지 않은 재료로 이루어지는 경우에는, 분리층(3)과 지지체(2)의 사이에 접착제로 이루어지는 접착층(도시하지 않음)을 마련하여, 접착층에 의하여 분리층(3)과 지지체(2)를 접착시킬 필요가 있다.
적층체(S)는, XY 방향의 사이즈가 대형이지만 Z 방향의 두께가 얇은 직사각형(장방형 및 정사각형을 포함하는 각이 직각인 사변형)의 패널 형상이나 원형상으로 형성된다.
도 1의 (a), (b) 및 도 2에 나타내는 예에서는, 워크(1)로서 직사각형의 기판과, 지지체(2)로서 직사각형의 서포트 기판(캐리어 기판)을 분리층(3)으로 첩합한 패널 형상의 적층체(S)의 경우를 나타내고 있다.
도 3에 나타내는 예에서는, 워크(1)로서 원형의 웨이퍼와, 지지체(2)로서 원형의 서포트 기판(캐리어 기판)을 분리층(3)으로 첩합한 원형상의 적층체(S)의 경우를 나타내고 있다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않으나, 특히 극박 웨이퍼 등과 같이 워크(1)의 두께가 수십 μm 정도인 경우에는, 링상의 지지 프레임(다이싱 테이프)으로 외주부를 보강한 테이프상의 지지용 점착 시트(다이싱 테이프)에 대하여 워크(1)가 첩부된 형태로 된 적층체(S)도 포함된다.
적층체(S)의 구체예로서는, 도시하지 않으나 팬아웃형 PLP 기술로 제조되는, 워크(1)에 복수의 반도체 소자가 탑재되고 수지 등의 밀봉재로 밀봉한 밀봉체와, 패널 형상의 지지체(2)가 분리층(3)을 개재시켜 적층되는 패널형 적층체 등이 포함된다. 복수의 반도체 소자를 구비한 밀봉체는, 최종적으로 다이싱 등으로 XY 방향으로 절단한 후에, 재배선층 등을 개재시켜 전극 취출부를 부착하는 등의 최종 공정을 거침으로써, 최종 제품인 복수의 전자 부품이 제조된다.
지지 부재(10)는, 금속 등의 강체로 왜곡(휨) 변형하지 않는 두께의 정반(定盤) 등으로 이루어지고, 적층체(S)의 외형 치수보다 크고 두꺼운 대략 직사각형 또는 원형 등의 평판상으로 형성되며, 적층체(S)와 Z 방향으로 대향하는 지지면에는, 워크(1)의 지지 척(11)이 마련된다.
지지 척(11)은, 워크(1)의 접촉에 의하여 워크(1)를 이동 불가능하게 또한 착탈 가능하게 지지하는 것이며, 적층체(S)와 Z 방향으로 대향하는 지지면의 전체 또는 일부에 형성된다.
지지 척(11)의 구체예로서는, 흡인에 의한 차압으로 워크(1)가 흡착 지지되는 흡착 척을 이용하는 것이 바람직하다. 특히 흡착 척 중에서도, 다공질재로 이루어지는 흡착면에 의하여 워크(1)가 차압 흡착되는 포러스 척을 이용하는 것이 바람직하다. 포러스 척의 경우에는, 워크(1)의 전체가 부분적으로 휘지 않고 차압 흡착 가능해지기 때문에, 균일한 지지 상태를 지지할 수 있다.
또, 지지 척(11)의 다른 예로는, 흡착 척 대신에 점착 척이나 정전 척을 이용하는 것이나, 흡착 척, 점착 척, 정전 척 중에서 복수를 조합하여 이용하는 것도 가능하다.
또한, 지지 부재(10)의 다른 예로서 도시하지 않으나, 평판상의 지지면 대신에 복수의 지지핀에 의하여 워크(1)를 개재시켜 적층체(S)의 전체가 고정(이동 불가능하게 또한 착탈 가능하게 지지)되는 구조도 포함된다. 이 경우에는, 복수의 지지핀의 일부 또는 전부의 선단에서 워크(1)를 흡착 고정 가능하게 구성하는 것이 바람직하다.
레이저 조사부(22)는, 레이저 광원(21)으로부터 레이저광(L)을 목표가 되는 레이저 조사 위치(P)를 향하여 유도하는 광학계(20)의 일부로서 마련되고, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)와 Z 방향으로 대향하도록 레이저 조사부(22)를 배치하여, 적층체(S)의 위를 주사(소인)함으로써, 광학계(20)에서 유도된 레이저광(L)이 적층체(S)의 지지체(2)를 투과하여 분리층(3)의 전체면에 조사된다.
레이저 조사부(22)로부터 적층체(S)를 향하여 조사하는 레이저광(L)으로서는, 지지체(2)를 투과하며 또한 분리층(3)이 흡수 가능한 파장이고, 또한 펄스 발진되는 펄스 레이저광이 이용된다. 펄스 레이저광(L) 중에서도, 투영 형상이 라인(슬릿)상인 레이저광보다는, 고출력인 레이저광이 용이하게 얻어지는 스포트(점)상의 레이저광이 바람직하다.
이에 대하여, 연속 발진되는 레이저광(연속파 레이저)은, 분리층(3) 내에 흡수된 레이저 에너지에 의한 열의 영향을 받기 쉽기 때문에 바람직하지 않다.
이에 더하여, 레이저 조사부(22)로부터 조사하는 레이저광(펄스 레이저광)(L)으로서는, 도 4의 (a)나 도 5의 (a)~(c)에 나타내는 빔 프로파일과 같이, 가우시안 빔을 펄스 발진하여, 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 간격 D를, 후술하는 제어부(50)에 의하여 원하는 발진 타이밍으로 설정 가능하게 하고 있다. 또한, 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a)~(c)에 나타내는 빔 프로파일에 있어서, 세로축은 레이저광(펄스 레이저광)(L)의 조사 강도(빔 강도)(W)를 나타내며, 가로축은 펄스 발진되는 가우시안 빔의 분리층(3)에 조사한 위치(레이저 조사 위치(P))의 간격(거리)을 나타내고 있다.
가우시안 빔은, 빔 프로파일러 등의 광학적인 변환을 행할 필요가 없고, 그대로 이용하여 조사 가능한 종래부터 일반적으로 이용되는 전자파이다.
또 그 외에는, 도 4의 (b)에 나타내는 빔 프로파일과 같이, 회절 광학 소자(DOE)의 사용에 의한 레이저 빔의 형상 변경으로, 가우시안 빔의 빔 프로파일을 대략 사각형의 유사 톱 해트로 변경함으로써, 대략 균일한 조사 강도의 빔을 조사시키는 방법이 있다.
이들 가우시안 빔의 빔 프로파일과, 유사 톱 해트의 빔 프로파일을 비교하면, 도 4의 (a)의 가우시안 빔은, 빔 조사의 발진 타이밍에 약간의 어긋남이 발생하여, 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 간격 D가 어긋나게 되어도, 인접하는 가우시안 빔이 중첩된 부분에 있어서 조사 강도(펄스 파워)가 크게 달라지지 않고, 어느 레이저 조사 위치(P)에서도 대략 균일한 상태로 조사된다.
이에 대하여 도 4의 (b)의 유사 톱 해트는, 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 간격 D가 약간이라도 어긋나면, 인접하는 유사 톱 해트 빔이 중첩된 부분에서는 극단적으로 큰 조사 강도(펄스 파워)가 발생하여, 이 중첩된 부분에 해당하는 레이저 조사 위치(P)에서는 부분적으로 온도가 상승하여 발열할 우려가 있다.
광학계(20) 및 레이저 조사부(22)의 구체예로서 도 1의 (a)에 나타내는 경우에는, 레이저광(L)의 레이저 광원(21)이 되는 레이저 발진기에서 발생된 레이저광(L)을, 빔 익스펜더(23)에 통과시켜 빔 직경이 조정되고, 스티어링 미러 등의 반사경(24, 25)으로 레이저광(L)의 방향을 바꾸어, 레이저 조사부(22)가 되는 레이저 스캐너에 유도되어 초단(超短) 펄스의 레이저광(L)이 되어, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)의 목표 위치를 향하여 조사하고 있다.
레이저 조사부(레이저 스캐너)(22)는, 도 1의 (a) 등에 나타내는 바와 같이, 회전 가능하게 마련되는 폴리곤 스캐너(22a)와, fθ렌즈 등으로 이루어지는 렌즈(22b)를 갖는다. 폴리곤 스캐너(22a)는, 회전 구동하는 개체의 주위에 정N각형으로 배치된 미러부를 갖고, 입사한 레이저광(L)이 회전 구동하는 미러부에 닿아 반사하며, 렌즈(22b)로 적층체(S)에 대하여 대략 수직인 광로로 변환함으로써, 적층체(S)에 대하여 주사(소인)하도록 구성되어 있다. 폴리곤 스캐너(22a)의 회전 구동에 의한 주사는, 정N각형의 미러부에 대한 레이저 입사 방향(X 방향)과 평행한 직선 방향으로 소정 폭만큼 레이저광(L)을 이동시키고 있다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않으나, 폴리곤 스캐너(22a)와 갈바노 스캐너 등을 조합하는 것이나, 레이저 조사부(22)로서 폴리곤 스캐너(22a) 대신에, 갈바노 스캐너에 의하여 반사경(갈바노 미러)을 움직이게 하여, X 방향과 Y 방향으로 각각 소정 폭만큼 이동시키는 등의 변경이 가능하다.
지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)의 지지체(2) 및 분리층(3)을 향하여 레이저 조사부(22)로부터 조사되는 레이저광(L)의 조사점 배치나 영역이나 순서 등은, 후술하는 제어부(50)에 의하여 제어된다.
제어부(50)에 의한 레이저광(L)의 조사점 배치는, 도 6의 (a)~(d)에 나타내는 바와 같이, 레이저 조사부(22)로부터 펄스 발진되는 레이저광(L)을, 분리층(3)의 조사면을 따른 직선 방향으로 소정 간격으로 간헐적으로 복수 회 조사하고, 이들 복수의 레이저 조사 위치(P)에 조사된 펄스 레이저광(L)끼리를 부분적으로 중첩하여 연속시키는 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 "직선 방향"이란, 레이저 조사부(레이저 스캐너)(22)의 주사 방향, 도시예에서는 폴리곤 스캐너(22a)의 회전 구동에 의한 주사 방향(X 방향)이며, 주사 방향(X 방향)으로 소정 간격을 두고 간헐적으로 조사된 펄스 레이저광(L)의 일부끼리가 중첩되어 직선상으로 연속시키는 것이 바람직하다.
제어부(50)에 의한 레이저광(L)의 조사 영역은, 도 1의 (b)나 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 지지체(2) 및 분리층(3)의 조사면 전체를 복수의 조사 영역(R)으로 분할하고, 복수의 조사 영역(R)에 대하여 레이저 조사부(22)로부터 레이저광(L)을 각 조사 영역(R)마다(단위 조사 영역마다)에 조사하는 것이 바람직하다.
상세하게 설명하면, 복수의 조사 영역(R)은, 지지체(2) 및 분리층(3)의 전체 면적보다 작은 면적이 되도록 분할되고, 분할된 각 조사 영역(R)의 형상을 정사각형 등의 직사각형 형상(사각형상)으로 하는 것이 바람직하다. 복수의 조사 영역(R)의 분할 방향(배열 방향)은, 후술하는 구동부(30)에 의한 상대적인 이동 방향과 동일한 X 방향 및 Y 방향으로 배열하고, 복수의 조사 영역(R)의 사이즈는, 후술하는 제어부(50)에 의하여 조정 가능하게 설정하는 것이 바람직하다.
복수의 조사 영역(R)에 대하여 레이저 조사부(22)로부터 레이저광(L)을 조사하는 순서는, 임의로 설정된 순서로 레이저 조사부(22)로부터 레이저광(L)을 각 조사 영역(R)의 전체면에 각각 조사하는 것이 바람직하다.
또한, 레이저 조사부(22)로부터 적층체(S)를 향하여 조사되는 레이저광(L)의 조사 각도는, 도 1의 (a)나 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)의 지지체(2)나 분리층(3)에 대하여 대략 수직으로 설정하는 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 "대략 수직"이란, 지지체(2)나 분리층(3)의 표면에 대하여 90도에만 한정하지 않고, 이에 더하여, 90도에서 몇 도 증감시키는 것도 포함된다.
구동부(30)는, 지지 부재(10) 또는 레이저 조사부(22) 중 어느 한 쪽이거나 혹은 지지 부재(10) 및 레이저 조사부(22)의 양쪽을 이동함으로써, 레이저 조사부(22)로부터 조사한 레이저광(L)이, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)의 지지체(2) 및 분리층(3)에 대하여 XY 방향이나 Z 방향으로 상대적으로 이동하도록 구성한 광축 상대 이동 기구이다.
구동부(30)가 되는 광축 상대 이동 기구에는, 주로 적층체(S)를 움직이게 하는 워크 측 이동 타입과, 레이저 조사부(22)를 움직이게 하는 광축 측 이동 타입이 있다.
워크 측 이동 타입의 경우는, 도 1의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 지지 부재(10)에 구동부(30)가 마련되고, 구동부(30)에서 지지 부재(10)를 X 방향 및 Y 방향이나 Z 방향으로 움직이게 함으로써, 레이저 조사부(22)로부터의 레이저 조사 위치(P)를 XY 방향이나 Z 방향으로 이동시킨다. 이 경우의 구동부(30)로서는, XY 스테이지나 XY 테이블 등이 이용되고, 모터축 등으로 이루어지는 Y축 이동 기구(31) 및 X축 이동 기구(32)를 갖고 있다. 또한 필요에 따라 지지 부재(10)를 Z 방향으로 움직이게 하는 Z축 이동 기구(33)를 마련하는 것이 바람직하다.
구동부(30)의 구체예로서 도 1~도 6에 나타내는 경우에는, 폴리곤 스캐너(22a)의 회전 구동에 의한 레이저광(L)의 X 방향으로의 주사에 더하여, 지지 부재(10)를 XY 방향이나 Z 방향으로 움직이게 하고 있다.
또 광축 측 이동 타입의 경우는, 도시하지 않으나 광학계(20)의 일부에만 구동부(30)를 마련하여, 지지 부재(10)가 움직이지 않고 레이저 조사부(22)로부터의 레이저 조사 위치(P)를 XY 방향이나 Z 방향으로 이동시키도록 구성된다. 이 경우에 있어서 Z 방향으로 상대 이동시키는 경우에는, 지지 부재(10)에 Z축 이동 기구(33)를 마련하거나, 혹은 레이저 조사부(레이저 스캐너)(22)를 구동부(30)에 의하여 Z 방향으로 움직이게 한다.
측장부(40)는, 레이저 조사부(22)부터 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)의 지지체(2)나 분리층(3)의 조사면까지의 조사 거리를 측정하는 비접촉식의 변위계나 변위 센서 등으로 이루어지고, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)와 Z 방향으로 대향하도록 배치된다.
측장부(40)의 구체예로서 도 1의 (a)에 나타내는 경우에는, 레이저 조사부(레이저 스캐너)(22)에 측장부(40)가 되는 레이저 변위계를 마련하고, 레이저 조사부(레이저 스캐너)(22)부터 분리층(3)의 조사면까지 Z 방향으로의 길이를 측정하여, 이 측정값을 후술하는 제어부(50)로 출력하는 것이 바람직하다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않으나, 측장부(40)로서 레이저 변위계 이외의 변위계나 변위 센서를 이용하는 것도 가능하다.
제어부(50)는, 지지 부재(10)의 지지 척(11)의 구동원과, 광학계(20), 레이저광(L)의 레이저 광원(21) 및 레이저 조사부(22)와, 구동부(30)가 되는 광축 이동 기구와, 측장부(40)에 각각 전기적으로 접속하는 컨트롤러이다.
또한 제어부(50)는, 그 이외에도 분리 전의 적층체(S)를 지지 부재(10)를 향하여 반송하기 위한 반입 기구(도시하지 않음), 광조사 후의 적층체(S)로부터 지지체(2)만을 지지하여 떼어 분리하는 박리 기구(도시하지 않음), 박리 후의 적층체(S)(워크(1))를 지지 부재(10)로부터 반송하기 위한 반출 기구(도시하지 않음) 등에도 전기적으로 접속하는 컨트롤러이기도 하다.
제어부(50)가 되는 컨트롤러는, 그 제어 회로(도시하지 않음)에 미리 설정된 프로그램에 따라, 미리 설정된 타이밍으로 순차적으로 각각 작동 제어하고 있다. 즉 제어부(50)는, 레이저 광원(21)으로부터 레이저 조사 위치(P)에 조사되는 레이저광(L)의 ON/OFF 제어를 비롯한 워크 분리 장치(A)의 전체적인 작동 제어를 행할 뿐만 아니라, 이에 더하여 레이저광(L)의 각종 파라미터의 설정 등의 각종 설정도 행하고 있다.
제어부(50)에 의하여 광학계(20)의 레이저 조사부(22)나 구동부(30)는, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)의 지지체(2) 및 분리층(3)을 분할한 복수의 조사 영역(R)에 대하여, 레이저 조사부(22)로부터의 레이저광(L)의 조사를 각 조사 영역(R)마다 행하고, 또한 레이저광(L)의 조사 각도가 지지체(2)나 분리층(3)의 표면과 대략 수직이 되도록 제어하고 있다.
이에 더하여 제어부(50)가 되는 컨트롤러는, 터치 패널 등의 입력 수단(51)이나 표시부(도시하지 않음) 등을 갖고, 입력 수단(51)의 조작에 의하여 레이저 조사부(22)의 주사 거리나, 복수의 조사 영역(R)의 사이즈나, 복수의 조사 영역(R)에 대한 레이저 조사부(22)로부터의 레이저광(L)의 조사 순서 등이 설정 가능하게 구성되어 있다.
제어부(50)에 의하여 설정되는 레이저 조사부(22)로부터 펄스 발진되는 레이저광(가우시안 빔)(L)의 간격, 즉 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 간격 D는, 후술하는 실험에 의하여, 가우시안 빔의 빔 프로파일에 있어서의 빔 직경과 조사 강도의 관계를 정규 분포로 간주했을 때에 표준 편차 σ의 3배 미만으로 설정하고 있다.
광학계(20)의 레이저 조사부(22)에 의하여 주사되는 X 방향과 수직인 Y 방향에 대하여 도시예의 경우에는, 레이저 광원(21)의 펄스 제어와, 폴리곤 스캐너(22a)의 회전 제어에 의하여 X 방향으로 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 간격 D1이 결정된다. Y 방향으로 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 간격 D2는, 레이저 광원(21)의 펄스 제어와, 구동부(30)에 의한 지지 부재(10)의 상대적인 이동 제어로 결정된다.
X 방향으로 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 간격 D1으로서 도 5의 (a)에 나타내는 경우에는, 가우시안 빔의 빔 프로파일에 있어서의 빔 직경과 조사 강도의 관계를 정규 분포로 간주했을 때에 표준 편차 σ의 2배로 설정하고 있다. 이 때문에, 레이저 조사부(22)로부터 펄스 발진되는 펄스 레이저광(가우시안 빔)(L)의 레이저 조사 위치(P)가, 표준 편차 σ의 2.5배의 거리로 동일한 주사 방향(X 방향)으로 위치가 어긋난다. 이로써, 인접하는 가우시안 빔으로 합성된 조사 강도(빔 강도)의 요란(擾亂)이 거의 없어진다.
도 5의 (b)에 나타내는 경우에는, X 방향으로 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 간격 D1을 표준 편차 σ의 2.5배로 설정하고 있다. 이로써, 인접하는 가우시안 빔으로 합성된 조사 강도(빔 강도)의 요란이, 조사 강도의 약 90퍼센트 이내로 억제된다.
이에 대하여, 도 5의 (c)에 나타나는 경우에는, X 방향으로 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 간격 D1을 표준 편차 σ의 3배로 설정하고 있다. 이로써, 인접하는 가우시안 빔으로 합성된 조사 강도에 격렬하게 요란이 발생한다. 이 때문에, 조사된 펄스 레이저광(L)의 적산 에너지가, 분리층(3)의 면내에서 불균일해져, 부분적으로 과조사가 된 부위에서는, 온도가 상승하여 타서, 그을음이 발생할 우려가 있다. 한편, 조사 부족이 된 부위에서는, 그 후의 후술하는 분리 공정에 있어서, 적층체(S)의 워크(1)로부터 지지체(2)를 박리할 수 없을 우려가 있다.
상기의 실험 결과에 의하여, 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 바람직한 간격 D1은, 표준 편차 σ의 3배 미만, 자세하게는 약 2.5배 이내인 것이 판명되었다.
여기에서 말하는 "약 2.5배 이내"란, 2.5배 이내로만 한정하지 않고, 이에 더하여, 2.5배보다 약간 증가하는 것도 포함된다.
또, Y 방향의 인접하는 가우시안 빔끼리의 간격 D2에 있어서도, X 방향의 인접하는 가우시안 빔끼리의 간격 D1과 동일하게, 가우시안 빔의 빔 프로파일에 있어서의 빔 직경과 조사 강도의 관계를 정규 분포로 간주했을 때에 표준 편차 σ의 3배 미만으로 설정하고 있다.
이 경우도, 실험 결과에 의하여, 인접하는 가우시안 빔의 중심끼리의 바람직한 간격 D2는, 표준 편차 σ의 3배 미만, 자세하게는 약 2.5배 이내인 것이 판명되었다.
여기에서 말하는 "약 2.5배 이내"도, 2.5배 이내로만 한정하지 않고, 이에 더하여, 2.5배보다 약간 증가하는 것도 포함된다.
또한, Y 방향의 인접하는 가우시안 빔끼리의 간격 D2는, X 방향의 인접하는 가우시안 빔끼리의 간격 D1과 동일한 것이 바람직하다.
또한 제어부(50)에 의하여 설정되는 레이저 조사부(22)로부터 복수 회의 간헐 조사되는 펄스 레이저광(L)(가우시안 빔)의 조사점 배치, 즉 폴리곤 스캐너(22a)의 회전 구동에 의한 주사 방향(X 방향)에 대한 주사 간격과 주사 횟수는, 도 6의 (a)~(d)에 나타내는 바와 같이, 폴리곤 스캐너(22a)의 회전 구동에 의한 펄스 레이저광(L)의 조사점을 주사 방향(X 방향)으로 약간 어긋나게 하면서 복수 회의 주사가 행해져, 각 펄스 레이저광(L)의 일부끼리를 중첩하여 직선상으로 연결되도록 설정하고 있다.
상세하게 설명하면, 각 펄스 레이저광(L)(가우시안 빔)에 있어서, 조사 강도(빔 강도)가 낮은 외주부(L1)끼리는 중첩하지만, 조사 강도가 높은 중심부(L2)끼리는 이격하여, 그 사이의 중간부(L3)끼리를 접촉시킴으로써, 복수의 펄스 레이저광(L)이 직선상으로 연속하도록 제어하고 있다.
조사점 배치의 구체예로서 도 6의 (a)~(d)에 나타내는 경우에는, 동일한 빔 직경을 갖는 복수(4개)의 펄스 레이저광(L)을, 그 외주부(L1)만이 중첩하도록 주사 방향(X 방향)으로 복수(4개) 나열함으로써, 중간부(L3)끼리가 접촉하도록 연속시키고 있다.
또, 그 외의 예로서 도시하지 않으나, 주사 간격과 주사 횟수를 도시예 이외의 설정으로 변경하는 것도 가능하다.
그리고, 제어부(50)의 제어 회로에 설정된 프로그램을, 워크 분리 장치(A)에 의한 워크 분리 방법으로서 설명한다.
본 발명의 실시형태에 관한 워크 분리 장치(A)를 이용한 워크 분리 방법은, 지지 부재(10)에 적층체(S)의 워크(1)를 착탈 가능하게 지지하는 지지 공정과, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)의 지지체(2)를 투과하여 분리층(3)을 향하여 레이저 조사부(22)로부터 레이저광(L)을 조사하는 레이저 조사 공정과, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)의 지지체(2) 및 분리층(3)에 대한 레이저 조사부(22)로부터의 레이저 조사 위치(P)를, 구동부(30)나 레이저 조사부(레이저 스캐너)(22)에 의하여 상대적으로 이동시키는 상대 이동 공정과, 적층체(S)의 워크(1)로부터 지지체(2)를 박리하는 분리 공정을 주요한 공정으로서 포함하고 있다.
또한, 분리 공정의 후속 공정으로서, 분리층(3)으로부터 분리한 워크(1)에 잔류하고 있는 분리층(3)의 잔사를 세정액으로 제거하는 세정 공정과, 세정 공정 후의 워크(1)를 지지 부재(10)로 지지하면서 다이싱 등으로 절단하는 절단 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
분리층(3)의 잔사에는, 워크(1)와 지지체(2)를 접착하는 접착제 등도 포함된다.
지지 공정에서는, 반송 로봇 등으로 이루어지는 반입 기구(도시하지 않음)의 작동에 의하여, 분리 전의 적층체(S)를 지지 부재(10)를 향하여 반입하고, 지지 부재(10)의 지지면에 있어서 소정 위치에 분리 전의 적층체(S)가 지지 척(11)으로 이동 불가능하게 지지된다.
레이저 조사 공정에서는, 광학계(20) 및 레이저 조사부(22)의 작동에 의하여, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)를 향하고 지지체(2)를 투과하여 분리층(3)을 향하여, 레이저광(L)으로서 펄스 발진된 가우시안 빔을 조사한다.
상대 이동 공정에서는, 도 1~도 4에 나타내는 바와 같이, 구동부(30)의 작동에 의하여, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)와 레이저 조사부(22)를 XY 방향으로 상대적으로 이동한다.
그 때에 있어서 바람직하게는, 지지체(2) 및 분리층(3)의 조사면 전체보다 작게 분할된 복수의 조사 영역(R)에 대하여, 레이저 조사부(22)로부터 레이저광(L)을 각 조사 영역(R)마다 조사하고 있다. 이와 동시에, 레이저 조사부(22)로부터 각 조사 영역(R)마다 조사되는 레이저광(L)의 조사 각도는 대략 수직이 되도록 지지되고 있다. 최종적으로는 복수의 조사 영역(R)의 전부에 레이저광(L)이 조사된다.
이로써, 레이저광(L)이 단위 조사 영역(R)마다 전체적으로 균등하게 조사된다. 이 때문에, 최종적으로는 분리층(3)의 전체면에 걸쳐 레이저광(L)이 조사 불균일이 발생하지 않고 조사되어, 분리층(3)의 전체면이 워크(1)와 지지체(2)를 박리 가능하게 변질된다.
분리 공정에서는, 광조사 후의 적층체(S)에 대하여 지지체(2)를 지지하여 떼어내는 박리 기구(도시하지 않음)의 작동에 의하여, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)의 워크(1)로부터 지지체(2)를 박리하여 분리된다.
분리 공정의 후는, 반송 로봇 등으로 이루어지는 반입 기구(도시하지 않음)의 작동에 의하여, 분리 후의 워크(1)가 지지 부재(10)의 지지면으로부터 분리되어 반출된다.
그 이후는 상술한 공정이 반복된다.
이와 같은 본 발명의 실시형태에 관한 워크 분리 장치(A) 및 워크 분리 방법에 의하면, 지지 부재(10)로 지지한 적층체(S)를 향하여, 레이저 조사부(22)로부터 펄스 발진되는 레이저광(L)으로 인접하는 가우시안 빔끼리의 간격 D를, 표준 편차 σ의 3배 미만으로 어긋나게 하여 조사한다.
이로써, 인접하는 가우시안 빔으로 합성된 조사 강도(빔 강도)의 요란이, 도 5의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 조사 강도의 약 90퍼센트 이내로 억제된다. 이 때문에, 조사된 펄스 레이저광(L)의 적산 에너지가, 분리층(3)의 면내에서 대략 균일해진다.
따라서, 적층체(S)의 분리층(3)에 대하여 펄스 레이저광(L)을 균일하게 조사할 수 있다.
그 결과, 펄스 레이저광의 에너지가 분리층을 분리시키는 데에 필요한 양보다 과잉인 상태로 주사하면 부분적으로 타서 그을음이 발생하기 쉬운 종래의 것에 비하여, 분리층(3)에 조사 에너지를 과대하게 부여하지 않아, 레이저 조사에 따르는 발열이 최소한으로 억제되기 때문에, 레이저광(L)의 과조사에 의해 타는 것이나 그을음의 발생을 방지할 수 있어, 깨끗한 환경에서 고정밀도의 레이저 박리를 실현할 수 있다.
이로써, 워크(1)의 회로 기판에 형성되어 있는 디바이스에 대미지를 부여하는 것을 방지할 수 있으며, 고품질인 제품을 제조할 수 있어 제품 수율의 향상이 도모된다.
또한, 빔 프로파일러 등의 광학적인 변환을 행하지 않고, 종래부터 일반적으로 이용되는 가우시안 빔을 그대로 이용하여 균일하게 조사할 수 있기 때문에, 광학계(20)의 수명이 짧아지지 않고, 심플한 광학계(20)를 형성할 수 있어, 장치 전체의 구조의 간소화가 도모된다.
또, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같은 회절 광학 소자(DOE)의 사용에 의하여 가우시안 빔의 빔 프로파일을 유사 톱 해트로 변경한 종래의 것에 비하여, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이 레이저 조사 위치(P)가 약간 어긋나도, 극단적인 펄스 파워가 발생하지 않기 때문에, 어느 레이저 조사 위치(P)에서도 대략 균일한 상태로 조사할 수 있어, 레이저광(L)의 과조사에 의해 타는 것이나 그을음 발생 등의 문제를 저감화시킬 수 있다.
특히, 도 6의 (a)~(d)에 나타내는 바와 같이, 제어부(50)에 의하여 레이저 조사부(22)로부터 펄스 발진되는 레이저광(L)을, 지지 부재(10)로 지지된 적층체(S)의 분리층(3)에 대하여, 분리층(3)의 조사면을 따른 직선 방향(X 방향)으로 소정 간격으로 간헐적으로 복수 회 조사하여, 이들 복수의 레이저 조사 위치(P)에 조사된 레이저광(L)끼리를 직선 방향(X 방향)으로 서로 부분적으로 중첩하여 연속시키도록 제어하는 것이 바람직하다.
이 경우에는, 레이저 조사부(레이저 스캐너)(22)에 의한 펄스 레이저광(L)의 조사점을, 레이저 조사부(레이저 스캐너)(22)의 주사 방향(X 방향)으로 약간 어긋나게 하면서 복수 회의 주사를 행함으로써, 각 펄스 레이저광(L)의 일부끼리가 중첩하여 직선상으로 연결되도록 설정 가능해진다.
따라서, 분리층(3)의 동일 라인상을 따라 국부적인 발열을 억제할 수 있다.
그 결과, 레이저광(L)의 과조사에 의해 타는 것이나 그을음의 발생을 확실히 방지하여, 보다 깨끗한 환경에서 고정밀도의 레이저 박리를 실현할 수 있다.
이 때문에, 보다 고품질인 제품을 제조할 수 있어 추가적인 제품 수율의 향상이 도모된다.
또한, 레이저 조사 공정의 후속 공정으로서, 레이저 조사 공정 후의 적층체(S)로부터 지지체(2)를 분리하는 분리 공정과, 적층체(S)로부터 분리한 워크(1)에 잔류한 분리층(3)의 잔사를 세정액으로 제거하는 세정 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
이 경우에는, 레이저 박리 후에 행해지는 세정 공정에 있어서, 워크(1)에 잔류한 분리층(3)의 잔사를 세정액으로 제거해도, 그을음과 같은 이물이 세정액에 혼입되지 않는다.
따라서, 그을음과 같은 이물의 혼입에 의한 세정액의 오염을 완전하게 방지할 수 있다.
그 결과, 세정액의 사용 수명이 늘어나고, 또한 세정액으로부터의 찌꺼기가 워크(1)에 재부착되는 것도 방지할 수 있어, 보다 고품질인 제품을 제조할 수 있어 추가적인 제품 수율의 향상이 도모된다.
또한, 상기의 실시형태에서는, 워크(1)와 지지체(2)가 접착성을 갖는 재료로 이루어지는 분리층(3)으로 첩합하고 있으나, 이에 한정되지 않고, 접착성을 갖고 있지 않은 재료로 이루어지는 분리층(3)을 이용한 경우에는, 일본 공개특허공보 2018-006487호에 개시되는 바와 같이, 분리층(3)과 지지체(2)의 사이에 접착제로 이루어지는 접착층(도시하지 않음)을 마련하여, 접착층에 의하여 분리층(3)과 지지체(2)를 접착해도 된다.
또한 도시예에서는, 구동부(30)가 되는 광축 상대 이동 기구에 의하여 주로 적층체(S) 측을 이동시키는 워크 측 이동 타입을 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 광학계(20)의 일부에만 마련한 구동부(30)에 의하여 레이저 조사부(22)가 움직이는 광축 측 이동 타입을 채용해도 된다.
이 경우에는, 레이저 조사부(22)로서 폴리곤 스캐너(22a) 대신에 반사경(갈바노 미러)을 움직이게 하는 갈바노 스캐너가, 광(레이저광)(L)의 주사(소인) 수단으로서 마련된다. 구동부(30)가 되는 갈바노 스캐너의 작동으로, 지지 부재(10)가 움직이지 않고 레이저 조사부(22)가 되는 반사경(갈바노 미러)을 폴리곤 스캐너(22a) 대신에 움직이게 하여, 레이저 조사부(22)로부터의 레이저 조사 위치(P)를 XY 방향으로 이동시키는 것이 가능해진다.
A 워크 분리 장치 S 적층체
1 워크 2 지지체
3 분리층 10 지지 부재
20 광학계 22 레이저 조사부
50 제어부 L 레이저광
P 레이저 조사 위치 D 간격
σ 표준 편차

Claims (4)

  1. 회로 기판을 포함하는 워크와, 레이저광을 투과하는 지지체가, 상기 레이저광의 흡수로 박리 가능하게 변질되는 분리층을 개재시켜 적층되는 적층체에 있어서, 상기 워크를 착탈 가능하게 지지하는 지지 부재와,
    상기 지지 부재로 지지된 상기 적층체의 상기 지지체를 투과하여 상기 분리층을 향하여, 상기 레이저광으로서 펄스 발진되는 가우시안 빔을 조사하는 레이저 조사부와,
    상기 레이저 조사부를 작동 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 레이저 조사부로부터 펄스 발진되는 상기 레이저광에 있어서, 인접하는 상기 가우시안 빔의 중심끼리의 간격이, 상기 가우시안 빔의 빔 프로파일에 있어서의 빔 직경과 조사 강도의 관계를 정규 분포로 간주했을 때에 표준 편차의 3배 미만으로 억제되는 것을 특징으로 하는 워크 분리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어부에 의하여 상기 레이저 조사부로부터 펄스 발진되는 상기 레이저광을, 상기 지지 부재로 지지된 상기 적층체의 상기 분리층에 대하여, 상기 분리층
    Figure pct00001
    의 조사면을 따른 직선 방향으로 소정 간격으로 간헐적으로 복수 회 조사하여, 이들 복수의 레이저 조사 위치에 조사된 상기 레이저광끼리가 상기 직선 방향으로 서로 부분적으로 중첩하여 연속하도록 제어되는 것을 특징으로 하는 워크 분리 장치.
  3. 회로 기판을 포함하는 워크와, 레이저광을 투과하는 지지체가, 상기 레이저광의 흡수로 박리 가능하게 변질되는 분리층을 개재시켜 적층되는 적층체에 있어서, 상기 워크를 지지 부재에 착탈 가능하게 지지하는 지지 공정과,
    상기 지지 부재로 지지된 상기 적층체의 상기 지지체를 투과하여 상기 분리층을 향하여 레이저 조사부로부터 상기 레이저광을 조사하는 레이저 조사 공정을 포함하고,
    상기 레이저 조사 공정에서는, 상기 레이저 조사부로부터 상기 레이저광으로서 펄스 발진되는 가우시안 빔을 조사하여, 인접하는 상기 가우시안 빔의 중심끼리의 간격이, 상기 가우시안 빔의 빔 프로파일에 있어서의 빔 직경과 조사 강도의 관계를 정규 분포로 간주했을 때에 표준 편차의 3배 미만으로 설정하는 것을 특징으로 하는 워크 분리 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 레이저 조사 공정의 후속 공정으로서, 레이저 조사 공정 후의 상기 적층체로부터 상기 지지체를 분리하는 분리 공정과, 상기 적층체로부터 분리한 상기 워크에 잔류하고 있는 상기 분리층의 잔사를 세정액으로 제거하는 세정 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 워크 분리 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6795811B2 (ja) * 2017-02-16 2020-12-02 国立大学法人埼玉大学 剥離基板製造方法
JP6900540B1 (ja) * 2020-04-08 2021-07-07 信越エンジニアリング株式会社 ワーク分離装置及びワーク分離方法
JP6836003B1 (ja) * 2020-08-27 2021-02-24 信越エンジニアリング株式会社 ワーク分離装置及びワーク分離方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017110121A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ラインビーム光源およびラインビーム照射装置ならびにレーザリフトオフ方法
JP2018006487A (ja) 2016-06-29 2018-01-11 東京応化工業株式会社 支持体分離方法、および基板処理方法
JP2018093021A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 Jsr株式会社 対象物の処理方法、および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101247727B1 (ko) * 2003-01-31 2013-03-26 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 반도체 소자 제조 방법
JP4948629B2 (ja) * 2010-07-20 2012-06-06 ウシオ電機株式会社 レーザリフトオフ方法
RU2459691C2 (ru) * 2010-11-29 2012-08-27 Юрий Георгиевич Шретер Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты)
JP5712700B2 (ja) * 2011-03-14 2015-05-07 ウシオ電機株式会社 レーザリフトオフ装置
JP2013239650A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 支持体分離方法および支持体分離装置
US9610653B2 (en) * 2012-09-21 2017-04-04 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby
US20150059411A1 (en) * 2013-08-29 2015-03-05 Corning Incorporated Method of separating a glass sheet from a carrier
KR20170041378A (ko) * 2015-10-07 2017-04-17 삼성전자주식회사 기판 측정 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
DE102016224978B4 (de) * 2016-12-14 2022-12-29 Disco Corporation Substratbearbeitungsverfahren
JP6795811B2 (ja) * 2017-02-16 2020-12-02 国立大学法人埼玉大学 剥離基板製造方法
NL2018518B1 (en) * 2017-03-15 2018-09-24 P Laser N V Pulsed laser device for cleaning or treating a surface
CN112888526B (zh) * 2018-08-09 2023-07-04 康宁股份有限公司 用于激光束的机器内分布的系统、方法和装置
US10622272B1 (en) * 2018-10-24 2020-04-14 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor chip structure and semiconductor package

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017110121A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ラインビーム光源およびラインビーム照射装置ならびにレーザリフトオフ方法
JP2018006487A (ja) 2016-06-29 2018-01-11 東京応化工業株式会社 支持体分離方法、および基板処理方法
JP2018093021A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 Jsr株式会社 対象物の処理方法、および半導体装置の製造方法

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