KR20200043639A - 승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치 - Google Patents

승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200043639A
KR20200043639A KR1020180124216A KR20180124216A KR20200043639A KR 20200043639 A KR20200043639 A KR 20200043639A KR 1020180124216 A KR1020180124216 A KR 1020180124216A KR 20180124216 A KR20180124216 A KR 20180124216A KR 20200043639 A KR20200043639 A KR 20200043639A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processed
area
planar
cleaning
guide
Prior art date
Application number
KR1020180124216A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102146504B1 (ko
Inventor
이근행
신준승
최영준
오성호
Original Assignee
주식회사 이오테크닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이오테크닉스 filed Critical 주식회사 이오테크닉스
Priority to KR1020180124216A priority Critical patent/KR102146504B1/ko
Publication of KR20200043639A publication Critical patent/KR20200043639A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102146504B1 publication Critical patent/KR102146504B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B17/00Methods preventing fouling
    • B08B17/02Preventing deposition of fouling or of dust
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/60Preliminary treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치가 개시된다. 개시된 세정 장치의 승강 구조물은 가공 대상물을 척 테이블에 위치시키거나 상기 가공 대상물을 세정 챔버의 외부에 위치시키도록, 상기 가공 대상물을 상하 방향으로 이동시키는 것으로서, 상기 가공 대상물의 하부면에 접촉하며, 상기 가공 대상물을 지지하는 복수의 핀 구조물을 포함하되, 상기 핀 구조물은, 가공 대상물의 하부면에 접촉하는 평면을 가지는 평면 영역과, 상기 평면 영역의 평면 방향과 다른 방향으로 상기 평면 영역으로부터 연장되며, 상기 평면 영역으로부터 멀어질수록 높이가 낮아지는 경사 영역과, 상기 가공 대상물이 상기 상하 방향과 수직인 수평 방향으로 이탈되지 않도록, 상기 평면 영역의 외곽에 배치되며 상기 평면 영역의 높이보다 높은 가이드 영역을 포함한다.

Description

승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치{lifting structure for workpiece, cleaning apparatus and laser processing apparatus including the same}
본 발명은 승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치에 관한 것으로, 상세하게는 가공 대상물을 세정하는 단계에서 발생하는 오염물에 의한 영향을 최소화하기 위한 승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치에 관한 것이다.
일반적으로 레이저 가공 장치란 집광렌즈를 이용하여 레이저 빔을 하나의 초점 형태로 집광시키고 그 초점을 가공 대상물의 표면 또는 내부에 조사하여 가공하는 장치를 말한다.
이러한 레이저 가공 장치는, 가공 대상물에 레이저 가공을 실시하기 이전 또는 이후에, 가공 대상물을 세정하는 세정 장치를 포함할 수 있다. 일 예로서, 레이저 가공을 실시하기 이전에 가공 대상물의 상부면에 소정의 코팅층이 형성된 경우, 레이저 가공을 실시한 이후에 상기 코팅층을 제거하기 위한 세정 장치가 레이저 가공 장치에 포함될 수 있다.
세정 장치는, 소정의 세정액을 분사하여 가공 대상물의 상부면에 코팅된 코팅층을 제거할 수 있다. 세정 장치는 분사된 세정액이 주변 장비에 영향을 미치지 않도록 하기 위하여, 세정 작업을 진행하기 위한 공간을 제공하는 세정 챔버와, 상기 세정 챔버로 가공 대상물을 삽입시키고 세정이 완료된 가공 대상물을 세정 챔버의 외부로 배출시키도록 가공 대상물을 상하 방향으로 이동시키는 승강 구조물을 포함한다.
승강 구조물은, 가공 대상물의 하부면에 접촉 및 지지하여 가공 대상물을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 이를 위해, 가공 대상물에 세정액이 분사되는 동안, 승강 구조물은 가공 대상물의 하부에 위치할 수 있다.
가공 대상물의 하부에 위치한 승강 구조물 상에는, 세정액 또는 이를 포함하는 오염물이 묻거나 쌓일 수 있다. 이와 같이, 오염물이 쌓인 승강 구조물이 가공 대상물의 하부면에 접촉할 경우, 의도치 않게 가공 대상물의 하부면에 오염물이 묻어날 수 있다.
가공 대상물의 하부면에 묻은 오염물은, 가공 대상물의 품질에 영향을 미칠 뿐만 아니라, 다른 공정에 사용되는 장비들을 오염시킬 수 있다.
본 발명은 가공 대상물의 하부면의 오염을 방지할 수 있는 가공 대상물 승강구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 세정 장치는,
가공 대상물이 통과하는 개구를 포함하는 세정 챔버;
상기 세정 챔버의 내부에 배치되며, 가공 대상물을 지지하도록 구성된 척 테이블;
상기 가공 대상물에 세정액을 분사하는 세정액 분사부; 및
상기 가공 대상물을 상기 척 테이블에 위치시키거나 상기 가공 대상물을 상기 세정 챔버의 외부에 위치시키도록, 상기 가공 대상물을 상하 방향으로 이동시키는 승강 구조물;을 포함하며,
상기 승강 구조물은,
상기 가공 대상물의 하부면에 접촉하며, 상기 가공 대상물을 지지하는 복수의 핀 구조물;
상기 복수의 핀 구조물을 소정의 간격으로 이격되도록 상기 복수의 핀 구조물을 지지하는 지지 플레이트;
상기 지지 플레이트를 상하 방향으로 이동시키는 승강 이동부;을 포함하며,
상기 복수의 핀 구조물의 적어도 일부 핀 구조물은,
상기 가공 대상물의 하부면에 접촉하는 평면을 가지는 평면 영역과,
상기 평면 영역의 평면 방향과 다른 방향으로 상기 평면 영역으로부터 연장되며, 상기 평면 영역으로부터 멀어질수록 높이가 낮아지는 경사 영역과,
상기 가공 대상물이 상기 상하 방향과 수직인 수평 방향으로 이탈되지 않도록, 상기 평면 영역의 외곽에 배치되며 상기 평면 영역의 높이보다 높은 가이드 영역을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 세정액이 상기 가공 대상물에 분사되는 과정에서, 상기 세정 챔버의내부에서 상기 세정액이 포함된 오염물이 발생하며, 상기 오염물이 상기 평면 영역에 묻는 것을 최소화하도록, 상기 평면 영역의 면적은 소정 크기 이하로 설계될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 평면 영역은 상기 가공 대상물의 하부면과 면 접촉을 통해 상기 가공 대상물에 소정의 마찰력을 제공하며, 상기 지지 플레이트가 상하 방향으로 이동되는 과정에서 상기 평면 영역에 접촉하는 상기 가공 대상물이 흔들리지 않도록, 상기 평면 영역의 면적은 상기 가공 대상물에 제공하는 마찰력을 고려하여 결정될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 평면 영역의 면적은, 1 mm2 ~ 20 mm2일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 가이드 영역에는, 상기 평면 영역을 향해 공기를 분사하는 에어 블로우가 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 에어 블로우의 폭은, 상기 평면 영역의 폭보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 가이드 영역의 상면은, 상기 가공 대상물로부터 멀어질수록 높이가 낮아지는 제1 경사면을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 가이드 영역은 복수 개이며, 상기 복수 개의 가이드 영역은 테두리 방향을 따라 이격 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 가이드 영역의 상면과 상기 에어 블로우 사이에는, 상기 가공 대상물을 향해 높이가 낮아지는 제2 경사면이 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 승강 구조물은,
가공 대상물의 하부면에 접촉하며, 상기 가공 대상물을 지지하는 복수의 핀 구조물;
상기 복수의 핀 구조물을 소정의 간격으로 이격되도록 상기 복수의 핀 구조물을 지지하는 지지 플레이트;
상기 지지 플레이트를 상하 방향으로 이동시키는 승강 이동부;을 포함하며,
상기 복수의 핀 구조물의 적어도 일부 핀 구조물은,
상기 가공 대상물의 하부면에 접촉하는 평면을 가지는 평면 영역과,
상기 평면 영역의 평면 방향과 다른 방향으로 상기 평면 영역으로부터 연장되며, 상기 평면 영역으로부터 멀어질수록 높이가 낮아지는 경사 영역과,
상기 가공 대상물이 상기 상하 방향과 수직인 수평 방향으로 이탈되지 않도록, 상기 평면 영역의 외곽에 배치되며 상기 평면 영역의 높이보다 높은 가이드 영역을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 평면 영역은 상기 가공 대상물의 하부면과 면 접촉을 통해 상기 가공 대상물에 소정의 마찰력을 제공하며, 상기 지지 플레이트가 상하 방향으로 이동되는 과정에서 상기 평면 영역에 접촉하는 상기 가공 대상물이 흔들리지 않도록, 상기 평면 영역의 면적은 상기 가공 대상물에 제공하는 마찰력을 고려하여 결정될 수 있다.
상기 평면 영역의 면적은, 1 mm2 ~ 20 mm2일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 가이드 영역에는, 상기 평면 영역을 향해 공기를 분사하는 에어 블로우가 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 에어 블로우의 폭은, 상기 평면 영역의 폭보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 가이드 영역의 상면은, 상기 가공 대상물로부터 멀어질수록 높이가 낮아지는 제1 경사면을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 가이드 영역은 복수 개이며, 상기 복수 개의 가이드 영역은 테두리 방향을 따라 이격 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 가이드 영역의 상면과 상기 에어 블로우 사이에는, 상기 가공 대상물을 향해 높이가 낮아지는 제2 경사면이 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 레이저 가공 장치는,
가공 대상물에 레이저 빔을 조사하여, 상기 가공 대상물을 가공하는 레이저 가공부;
상기 가공 대상물에 세정액을 분사하여, 상기 가공 대상물을 세정하는 것으로서, 상술한 세정 장치;
상기 세정된 가공 대상물을 보관하도록 구성된 카세트; 및
상기 세정된 가공 대상물을 상기 카세트로 이동시키는 이동 아암;을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치는, 승강 구조물에 오염물이 묻거나 쌓이는 것을 방지하는 구조를 제공함으로써, 가공 대상물의 하부면의 오염을 방지할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 레이저 가공 장치를 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 세정 장치를 나타낸 사시도이며,
도 3은 도 2의 세정 장치의 평면도이며,
도 4는 도 2의 세정 장치의 일부를 절개한 사시도이다.
도 5는 도 4의 세정 장치에서 승강 구조물의 작동을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 실시예에 따른 승강 구조물을 나타낸 사시도이며,
도 7은 도 6의 핀 구조물을 나타낸 사시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
“제1”, “제2” 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. “및/또는” 이라는 용어는 복수의 관련된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 항목들 중의 어느 하나의 항목을 포함한다.
도 1은 실시예에 따른 레이저 가공 장치(1)를 개념적으로 나타낸 도면이다. 도 2는 실시예에 따른 세정 장치(10)를 나타낸 사시도이며, 도 3은 도 2의 세정 장치(10)의 평면도이며, 도 4는 도 2의 세정 장치(10)의 일부를 절개한 사시도이다. 도 5는 도 4의 세정 장치(10)에서 승강 구조물(20)의 작동을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 레이저 가공 장치(1)는, 레이저 가공부(2), 세정 장치(10), 이동 아암(5) 및 카세트(4)를 포함할 수 있다.
레이저 가공부(2)는 가공 대상물(T)의 표면 또는 내부에 레이저 빔의 초점을 맞추어 조사하여 가공 대상물(T)을 가공할 수 있다.
예를 들어, 가공 대상물(T)은 웨이퍼(T1), 상기 웨이퍼(T1)의 하면에 부착되며 확장 가능한 테이프(T2)와, 상기 테이프(T2)의 테두리를 지지하는 링 프레임(T3)을 포함할 수 있다.
레이저 가공부(2)는 레이저 빔을 웨이퍼(T1)에 조사하여, 웨이퍼(T1)를 절단할 수 있다.
상기 웨이퍼(T1)의 상면에는 소정의 코팅층(미도시)이 형성된 상태일 수 있다. 이 경우, 레이저 가공부(2)는 레이저 빔을 웨이퍼(T1) 및 코팅층에 조사할 수 있다.
세정 장치(10)는 가공 대상물(T)에 세정액을 분사하여 가공 대상물(T)을 세정할 수 있다. 예를 들어, 세정액은 가공 대상물(T)의 코팅층에 분사되며, 분사된 세정액에 의해 코팅층이 제거될 수 있다.
세정액은 순수한 물과 소정의 알카리성 물질을 포함할 수 있다. 다만, 세정액은 이에 한정되지 아니하며, 가공 대상물(T)을 세정하기 위한 물질이라면, 다양하게 변형될 수 있다.
카세트(4)는 세정 장치(10)에 의해 세정된 가공 대상물(T)을 보관한다. 카세트(4)에는 복수의 가공 대상물(T)이 보관될 수 있다.
적어도 하나의 이동 아암(5)에 의해, 가공 대상물(T)은 레이저 가공부(2), 세정 장치(10) 및 카세트(4) 사이로 이송될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 세정 장치(10)는 세정 챔버(11), 척 테이블(13), 세정액 분사부(14) 및 승강 구조물(20)을 포함한다.
세정 챔버(11)는 가공 대상물(T)이 통과할 수 있는 개구(12)를 포함한다. 개구(12)는 가공 대상물(T)의 테두리 형상에 대응하는 형상을 가지며, 가공 대상물(T)이 통과하도록 가공 대상물(T)의 크기보다 약간 클 수 있다.
세정 챔버(11)는 분사된 세정액이 세정 장치(10)의 주변에 위치한 장비들에 영향을 미치지 않도록 개구(12)를 제외한 나머지 영역이 폐쇄된 구조일 수 있다.
척 테이블(13)은 세정 챔버(11)의 내부에 배치되며, 세정 공정이 진행되는 동안 가공 대상물(T)을 지지한다.
세정액 분사부(14)는 척 테이블(13)에 의해 지지된 가공 대상물(T)에 세정액을 분사할 수 있다.
세정액 분사부(14)는 소정의 회동축(A)을 중심으로 회전할 수 있다. 세정액 분사부(14)는, 가공 대상물(T)의 상부에서 세정액을 분사하는 분사 위치와, 가공 대상물(T)의 상하 방향으로 이동시 가공 대상물(T)에 접촉하지 않는 대기 위치 사이로 이동할 수 있다.
세정액이 가공 대상물(T)에 분사되는 과정에서, 가공 대상물(T)이 세정될 수 있다. 예를 들어, 세정액이 가공 대상물(T)에 분사되는 과정에서, 세정액이 가공 대상물(T)의 코팅층에 분사되며, 코팅층과 세정액이 반응하여 가공 대상물(T)로부터 코팅층이 제거될 수 있다.
이와 같이, 세정액이 가공 대상물(T)에 분사되는 과정에서, 세정 챔버(11)의 내부에서 세정액이 포함된 오염물이 발생할 수 있다.
세정 과정에서 발생한 오염물은 복수의 배출 구멍(15)을 통해 배출될 수 있다. 여기서, 오염물은 세정액과 코팅층이 반응하여 생성된 물질은 물론, 세정에 사용되지 않은 세정액 등이 포함될 수 있다.
승강 구조물(20)은 세정이 진행된 가공 대상물(T)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 5를 참조하면, 세정이 진행된 가공 대상물(T)은 승강 구조물(20)에 의해 세정 챔버(11)의 외부로 이송될 수 있다.
승강 구조물(20)은 가공 대상물(T)의 하부면을 접촉 및 지지하며, 상기 가공 대상물(T)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 척 테이블(13)에 의해 지지된 가공 대상물(T)은, 승강 구조물(20)에 의해 상승 이동되며, 개구(12)를 통과하여 세정 챔버(11)의 외부로 위치된다.
세정 챔버(11)의 외부에 위치한 가공 대상물(T)은, 이동 아암(5)에 의해 카세트(4)로 이송된다.
더불어, 승강 구조물(20)은 세정되기 전 상태의 가공 대상물(T)을 상하 방향으로 이송시킬 수 있다. 예를 들어, 승강 구조물(20)은 세정되기 전 상태의 가공 대상물(T)의 하부면을 지지하며, 가공 대상물(T)을 개구(12)를 통과하여 하강 이동시킬 수 있다. 승강 구조물(20)은 세정되기 전 상태의 가공 대상물(T)을 척 테이블(13)에 탑재시킬 수 있다. 승강 구조물(20)은 척 테이블(13)에 가공 대상물(T)을 탑재한 후, 가공 대상물(T)의 하부면과 접촉하지 않도록 더 하강할 수 있다.
도 6은 실시예에 따른 승강 구조물(20)을 나타낸 사시도이며, 도 7은 도 6의 핀 구조물(100)을 나타낸 사시도이다.
도 6을 참조하면, 승강 구조물(20)은 가공 대상물(T)의 하부면에 접촉하는 복수의 핀 구조물(100)과, 상기 복수의 핀 구조물(100)을 소정의 간격으로 이격시키도록 복수의 핀 구조물(100)을 지지하는 지지 플레이트(200)와, 상기 지지 플레이트(200)에 연결되며 상기 지지 플레이트(200)를 상하 방향으로 이동시키는 승강 이동부(300)를 포함한다.
복수의 핀 구조물(100)은 가공 대상물(T)의 하부면에서 복수의 영역에 접촉하며, 가공 대상물(T)을 지지한다. 복수의 핀 구조물(100)은 4개일 수 있으나, 이에 한정되지 아니하며, 3개 또는 5개 이상일 수도 있다.
지지 플레이트(200)는 일측이 개방된 개방부를 포함할 수 있다. 개방부를 통해 이동 아암(5)이 접근하여, 가공 대상물(T)을 이송할 수 있다.
도 7을 참조하면, 복수의 핀 구조물(100) 각각은, 평면을 가지는 평면 영역(110)과, 평면 영역(110)의 주변에 위치한 경사 영역(120)을 포함한다.
평면 영역(110)은 평면을 가짐으로써, 가공 대상물(T)의 하부면에 면 접촉한다. 면 접촉을 통해, 평면 영역(110)은 가공 대상물(T)에 소정의 마찰력을 제공할 수 있다.
다만, 평면 영역(110)의 면적이 커질수록, 가공 대상물(T)에 제공하는 마찰력의 크기는 증가하지만, 그로 인해 가공 대상물(T)이 오염되는 의도치 않은 결과가 나타날 수 있다.
예를 들어, 척 테이블(13)에 의해 지지된 가공 대상물(T)에 세정액이 분사되는 동안, 복수의 핀 구조물(100)은 가공 대상물(T)의 테두리 아래에 위치할 수 있다. 이러한 상태에서, 가공 대상물(T)에 대한 세정이 진행될 경우, 오염물이 복수의 핀 구조물(100)의 평면 영역(110)에 묻을 수 있다.
평면 영역(110)에 존재하는 오염물은 세정이 완료된 가공 대상물(T)을 이송시키는 과정에서 가공 대상물(T)의 하부면에 묻을 수 있다. 또한, 가공 대상물(T)의 하부면에 묻은 오염물은 해당 가공 대상물(T)의 품질에 영향을 미칠 뿐만 아니라, 카세트(4)에 적재된 다른 가공 대상물(T)을 오염시키는 원인이 될 수 있다.
이러한 점을 고려하여, 오염물이 평면 영역(110)에 묻는 것을 최소화하도록 평면 영역(110)의 면적은 소정 크기 이하로 설계될 수 있다. 예를 들어, 평면 영역(110)의 면적은 20 mm2 이하일 수 있다.
평면 영역(110)의 면적은, 가공 대상물(T)의 면적의 소정 비율 이하일 수 있다. 예를 들어, 평면 영역(110)의 면적은 웨이퍼(T1)의 면적의 0.07% 이하일 수 있다.
한편, 평면 영역(110)에 오염물이 묻지 않도록 하기 위하여, 핀 구조물(100)에서 가공 대상물(T)의 하부면에 점 접촉하는 구조를 고려할 수 있다. 그러나, 이와 같이, 가공 대상물(T)과 점 접촉하는 구조를 선택할 경우, 핀 구조물(100)에 의해 지지되는 가공 대상물(T)이 상하 방향으로 이동하는 과정에서 작은 진동이나 작은 충격에도, 가공 대상물(T)이 흔들릴 수 있다. 그에 따라, 가공 대상물(T)의 자세가 틀어지거나, 심할 경우 가공 대상물(T)이 떨어질 수 있다.
실시예에 따른 핀 구조물(100)에서는, 상기와 같은 핀 구조물(100)과 가공 대상물(T)의 접촉이 점 접촉에 가까울 정도로 평면 영역(110)의 면적이 매우 작은 경우에 발생하는 문제를 고려하여, 평면 영역(110)의 면적을 설계할 수 있다. 예를 들어, 지지 플레이트(200)가 상하 방향으로 이동하는 과정에서 평면 영역(110)에 접촉하는 가공 대상물(T)이 흔들리지 않도록, 상기 평면 영역(110)의 면적은 상기 가공 대상물(T)에 제공하는 마찰력을 고려하여 결정될 수 있다. 평면 영역(110)의 면적은 1 mm2 이상일 수 있다. 평면 영역(110)의 면적은 웨이퍼(T1)의 면적의 0.004 % 이상일 수 있다.
상기와 같이, 평면 영역(110)을 설계함으로써, 가공 대상물(T)이 상하 방향으로 이동할 때 가공 대상물(T)이 작은 진동이나 작은 충격에 의해 흔들리지 않으면서도, 평면 영역(110)의 상부에 오염물이 묻는 것을 최소화할 수 있다.
경사 영역(120)은 평면 영역(110)으로부터 연장되며 평면 영역(110)으로부터 멀어질수록 높이가 낮아진다. 경사 영역(120)은 평면 영역(110)의 평면 방향과 다른 방향으로 연장됨으로써, 평면 영역(110) 및 그 주변에 묻은 오염물이 아래로 흘러내리도록 유도한다. 경사 영역(120)은 곡면 형태를 가질 수 있다. 다만, 경사 영역(120)의 형상은 이에 한정되지 아니하며, 오염물이 아래로 흘러내리도록 유도하기 위한 형상이라면 다양하게 변형될 수 있다.
복수의 핀 구조물(100) 각각은 평면 영역(110)의 외곽에 배치되며 평면 영역(110)의 높이보다 높은 가이드 영역(130)을 더 포함한다.
가이드 영역(130)은 평면 영역(110)에 의해 지지되는 가공 대상물(T)의 외곽에 위치하며, 가공 대상물(T)의 수평 방향으로 이동을 제한한다.
이러한 가이드 영역(130)에는, 평면 영역(110)을 향해 공기를 분사하는 에어 블로우(131)가 배치될 수 있다. 핀 구조물(100)의 공기 주입구(140)를 통해 주입된 공기는 에어 블로우(131)에 의해 평면 영역(110)으로 분사될 수 있다.
에어 블로우(131)에 의해 분사된 공기는, 평면 영역(110)에 묻은 오염물을 제거할 수 있으며, 평면 영역(110)에 오염물이 쌓이는 것을 방지할 수 있다.
에어 블로우(131)의 폭(W1)은, 평면 영역(110)의 폭(W2)보다 클 수 있다. 이를 통해, 에어 블로우(131)에서 공기의 분사 방향이 난류 등 다양한 요인들에 의해 달라지더라도, 에어 블로우(131)는 평면 영역(110)을 향해 안정적으로 공기를 분사할 수 있다.
가이드 영역(130)의 상면은 외곽을 향해 높이가 낮아지는 제1 경사면(132)을 가질 수 있다. 제1 경사면(132)은 평면 영역(110)에 의해 지지된 가공 대상물(T)로부터 멀어질수록 높이가 낮아질 수 있다.
이를 통해, 가이드 영역(130)의 상면에 오염물이 묻더라도, 이러한 오염물이 평면 영역(110)에 의해 지지되는 가공 대상물(T)의 상면으로 이동하는 것을 방지할 수 있다.
이러한 가이드 영역(130)은 복수 개로서, 가공 대상물(T)의 테두리 방향을 따라 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 이와 같이, 복수의 가이드 영역(130)을 이격 배치함으로써, 가이드 영역(130)의 전체 면적을 줄일 수 있다. 가이드 영역(130)의 전체 면적을 줄임으로써, 가이드 영역(130)에 묻는 오염물을 줄일 수 있으며, 그에 따라 가이드 영역(130)에 묻은 오염물로 인해 가공 대상물(T)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
가이드 영역(130)의 상면과 에어 블로우(131) 사이에는 제2 경사면(133)이 배치될 수 있다. 제2 경사면(133)은 내측을 향해 높이가 낮아질 수 있다. 제2 경사면(133)은 평면 영역(110)에 의해 지지된 가공 대상물(T)을 향해 높이가 낮아질 수 있다.
그에 따라, 가공 대상물(T)이 평면 영역(110)이 아닌 가이드 영역(130)에 잘못 탑재되더라도, 제2 경사면(133)을 통해 가공 대상물(T)이 평면 영역(110)으로 이동하도록 유도할 수 있다. 제2 경사면(133)의 면적은 제1 경사면(132)의 면적보다 작을 수 있다. 제2 경사면(133)의 경사는 제1 경사면(132)의 경사보다 클 수 있다.
상술한 실시예들에서는, 복수의 핀 구조물(100) 모두가 상기 평면 영역(110), 상기 경사 영역(120) 및 상기 가이드 영역(130)을 포함한 예들을 중심으로 설명하였으나, 반드시 이에 한정되지는 아니한다. 예를 들어, 도면상 도시하지 않았으나, 복수의 핀 구조물(100)의 일부 핀 구조물(100)은 상기 평면 영역(110), 상기 경사 영역(120) 및 상기 가이드 영역(130)을 포함하지만, 복수의 핀 구조물(100)의 나머지 핀 구조물(100)은 상기 평면 영역(110), 상기 경사 영역(120) 및 상기 가이드 영역(130) 중 적어도 하나를 포함하지 않을 수도 있다.
이상에서 본 발명의 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
1 : 레이저 가공 장치 2 : 레이저 가공부
4 : 카세트 5 : 이동 아암
10 : 세정 장치 11 : 세정 챔버
12 : 개구 13: 척 테이블
14 : 세정액 분사부 15 : 배출 구멍
20 : 승강 구조물 100 : 핀 구조물
110 : 평면 영역 120 : 경사 영역
130 : 가이드 영역 131 : 에어 블로우
132 : 제1 경사면 133 : 제2 경사면
140 : 공기 주입구 200 : 지지 플레이트
300 : 승강 이동부

Claims (18)

  1. 가공 대상물이 통과하는 개구를 포함하는 세정 챔버;
    상기 세정 챔버의 내부에 배치되며, 가공 대상물을 지지하도록 구성된 척 테이블;
    상기 가공 대상물에 세정액을 분사하는 세정액 분사부; 및
    상기 가공 대상물을 상기 척 테이블에 위치시키거나 상기 가공 대상물을 상기 세정 챔버의 외부에 위치시키도록, 상기 가공 대상물을 상하 방향으로 이동시키는 승강 구조물;을 포함하며,
    상기 승강 구조물은,
    상기 가공 대상물의 하부면에 접촉하며, 상기 가공 대상물을 지지하는 복수의 핀 구조물;
    상기 복수의 핀 구조물을 소정의 간격으로 이격되도록 상기 복수의 핀 구조물을 지지하는 지지 플레이트;
    상기 지지 플레이트를 상하 방향으로 이동시키는 승강 이동부;을 포함하며,
    상기 복수의 핀 구조물의 적어도 일부 핀 구조물은,
    상기 가공 대상물의 하부면에 접촉하는 평면을 가지는 평면 영역과,
    상기 평면 영역의 평면 방향과 다른 방향으로 상기 평면 영역으로부터 연장되며, 상기 평면 영역으로부터 멀어질수록 높이가 낮아지는 경사 영역과,
    상기 가공 대상물이 상기 상하 방향과 수직인 수평 방향으로 이탈되지 않도록, 상기 평면 영역의 외곽에 배치되며 상기 평면 영역의 높이보다 높은 가이드 영역을 포함하는, 세정 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세정액이 상기 가공 대상물에 분사되는 과정에서, 상기 세정 챔버의내부에서 상기 세정액이 포함된 오염물이 발생하며,
    상기 오염물이 상기 평면 영역에 묻는 것을 최소화하도록, 상기 평면 영역의 면적은 소정 크기 이하로 설계되는, 세정 챔버.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 평면 영역은 상기 가공 대상물의 하부면과 면 접촉을 통해 상기 가공 대상물에 소정의 마찰력을 제공하며,
    상기 지지 플레이트가 상하 방향으로 이동되는 과정에서 상기 평면 영역에 접촉하는 상기 가공 대상물이 흔들리지 않도록, 상기 평면 영역의 면적은 상기 가공 대상물에 제공하는 마찰력을 고려하여 결정되는, 세정 챔버.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 평면 영역의 면적은, 1 mm2 ~ 20 mm2인, 세정 챔버.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가이드 영역에는, 상기 평면 영역을 향해 공기를 분사하는 에어 블로우가 배치된, 세정 챔버.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 에어 블로우의 폭은, 상기 평면 영역의 폭보다 큰, 세정 챔버.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 가이드 영역의 상면은, 상기 가공 대상물로부터 멀어질수록 높이가 낮아지는 제1 경사면을 가지는, 세정 챔버.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 가이드 영역은 복수 개이며,
    상기 복수 개의 가이드 영역은 테두리 방향을 따라 이격 배치된, 세정 챔버.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 가이드 영역의 상면과 상기 에어 블로우 사이에는, 상기 가공 대상물을 향해 높이가 낮아지는 제2 경사면이 배치된, 세정 챔버.
  10. 가공 대상물의 하부면에 접촉하며, 상기 가공 대상물을 지지하는 복수의 핀 구조물;
    상기 복수의 핀 구조물을 소정의 간격으로 이격되도록 상기 복수의 핀 구조물을 지지하는 지지 플레이트;
    상기 지지 플레이트를 상하 방향으로 이동시키는 승강 이동부;을 포함하며,
    상기 복수의 핀 구조물의 적어도 일부 핀 구조물은,
    상기 가공 대상물의 하부면에 접촉하는 평면을 가지는 평면 영역과,
    상기 평면 영역의 평면 방향과 다른 방향으로 상기 평면 영역으로부터 연장되며, 상기 평면 영역으로부터 멀어질수록 높이가 낮아지는 경사 영역과,
    상기 가공 대상물이 상기 상하 방향과 수직인 수평 방향으로 이탈되지 않도록, 상기 평면 영역의 외곽에 배치되며 상기 평면 영역의 높이보다 높은 가이드 영역을 포함하는, 승강 구조물.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 평면 영역은 상기 가공 대상물의 하부면과 면 접촉을 통해 상기 가공 대상물에 소정의 마찰력을 제공하며,
    상기 지지 플레이트가 상하 방향으로 이동되는 과정에서 상기 평면 영역에 접촉하는 상기 가공 대상물이 흔들리지 않도록, 상기 평면 영역의 면적은 상기 가공 대상물에 제공하는 마찰력을 고려하여 결정되는, 승강 구조물.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 평면 영역의 면적은, 1 mm2 ~ 20 mm2인, 승강 구조물.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 가이드 영역에는, 상기 평면 영역을 향해 공기를 분사하는 에어 블로우가 배치된, 승강 구조물.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 에어 블로우의 폭은, 상기 평면 영역의 폭보다 큰, 승강 구조물.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 가이드 영역의 상면은, 상기 가공 대상물로부터 멀어질수록 높이가 낮아지는 제1 경사면을 가지는, 승강 구조물.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 가이드 영역은 복수 개이며,
    상기 복수 개의 가이드 영역은 테두리 방향을 따라 이격 배치된, 승강 구조물.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 가이드 영역의 상면과 상기 에어 블로우 사이에는, 상기 가공 대상물을 향해 높이가 낮아지는 제2 경사면이 배치된, 승강 구조물.
  18. 가공 대상물에 레이저 빔을 조사하여, 상기 가공 대상물을 가공하는 레이저 가공부;
    상기 가공 대상물에 세정액을 분사하여, 상기 가공 대상물을 세정하는 것으로서, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 세정 장치;
    상기 세정된 가공 대상물을 보관하도록 구성된 카세트; 및
    상기 세정된 가공 대상물을 상기 카세트로 이동시키는 이동 아암;을 포함하는, 레이저 가공 장치.
KR1020180124216A 2018-10-18 2018-10-18 승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치 KR102146504B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180124216A KR102146504B1 (ko) 2018-10-18 2018-10-18 승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180124216A KR102146504B1 (ko) 2018-10-18 2018-10-18 승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200043639A true KR20200043639A (ko) 2020-04-28
KR102146504B1 KR102146504B1 (ko) 2020-08-21

Family

ID=70456102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180124216A KR102146504B1 (ko) 2018-10-18 2018-10-18 승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102146504B1 (ko)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07115081A (ja) * 1993-10-14 1995-05-02 Sony Corp 処理装置
JP2000100768A (ja) * 1998-09-28 2000-04-07 Tokyo Electron Ltd 回転処理装置
JP2003103225A (ja) * 2001-09-28 2003-04-08 Ebara Corp 四辺形基板洗浄装置、および四辺形基板の洗浄方法
KR20030062679A (ko) * 2002-01-18 2003-07-28 (주)케이.씨.텍 회전척
KR20090047313A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 주식회사 에스에프에이 레이저 가공 시스템
KR20090127086A (ko) * 2008-06-04 2009-12-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치, 기판처리방법, 기판 파지기구, 및 기판 파지방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07115081A (ja) * 1993-10-14 1995-05-02 Sony Corp 処理装置
JP2000100768A (ja) * 1998-09-28 2000-04-07 Tokyo Electron Ltd 回転処理装置
JP2003103225A (ja) * 2001-09-28 2003-04-08 Ebara Corp 四辺形基板洗浄装置、および四辺形基板の洗浄方法
KR20030062679A (ko) * 2002-01-18 2003-07-28 (주)케이.씨.텍 회전척
KR20090047313A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 주식회사 에스에프에이 레이저 가공 시스템
KR20090127086A (ko) * 2008-06-04 2009-12-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치, 기판처리방법, 기판 파지기구, 및 기판 파지방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102146504B1 (ko) 2020-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3265238B2 (ja) 液膜形成装置及びその方法
KR102345187B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
US20120312333A1 (en) Substrate Treating Apparatus And Substrate Treating Method
JP6934732B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102041058B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20180034438A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JPWO2007083358A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4619144B2 (ja) 基板処理装置
JP5726686B2 (ja) 液処理装置、及び液処理装置の制御方法
US20220102169A1 (en) Treating vessel and liquid processing apparatus
CN117855096A (zh) 基片处理装置和基片处理方法
CN109494174B (zh) 基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质
US20060096622A1 (en) Dry cleaning apparatus used to manufacture semiconductor devices
US20070193607A1 (en) Methods and apparatus for cleaning edges of a substrate
KR20230026463A (ko) 기판 액 처리 장치 및 기판 액 처리 방법
KR100629746B1 (ko) 현상장치 및 그 방법
KR102508316B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP5994804B2 (ja) 基板洗浄方法
JP5390824B2 (ja) 基板処理装置
JP6961362B2 (ja) 基板処理装置
KR20200043639A (ko) 승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치
JP6489524B2 (ja) 基板処理装置
TW202025272A (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JP6236328B2 (ja) 基板処理装置
KR101914482B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)