KR20200029191A - 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

자발광인 무기 발광 소자를 기판 상에 직접 실장한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 개시한다. 디스플레이 장치의 제조 방법은, 기판 상에 복수의 무기 발광 소자를 실장하고, 디스플레이 장치의 전방을 향하는 전방 발광면이 노출되도록 상기 복수의 무기 발광 소자를 감싸고, 저굴절률을 가지는 블랙 몰딩층을 형성하고, 각각 상기 기판과, 상기 복수의 무기 발광 소자와, 상기 블랙 몰딩층을 포함하는 복수의 단위 모듈을 서로 인접하게 조립하는 것을 포함할 수 있다.

Description

디스플레이 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 자발광인 무기 발광 소자를 기판 상에 직접 실장한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
디스플레이 장치는 문자, 도형 등의 데이터 정보 및 영상 등을 시각적으로 표시하는 출력 장치의 일종으로서, 디스플레이 장치의 고휘도, 고해상도, 대형화, 고효율, 저전력 등의 요구는 지속적으로 커지고 있다. 이에 따라, LCD(Liquid Crystal Display) 패널을 대체할 새로운 디스플레이 장치로서 OLED(Organic Light Emitting Diode) 패널이 각광받고 있으나, 낮은 양산 수율에 따른 높은 가격과, 대형화에 따른 신뢰성 확보, 수분 등의 외부 환경에 따른 내구성 확보 등의 해결해야 할 과제가 남아 있다.
이러한 LCD 패널 및 OLED 패널을 대체 또는 보완할 새로운 제품으로서 R(red), G(green), B(blue)의 색을 발광하는 무기 발광 소자를 기판 상에 직접 실장하여 패널로 만드는 기술에 대한 연구가 시도되고 있다. 이와 같은 기술은 웨이퍼(wafer)에서 가져온 수 ㎛ ~ 수백 ㎛ 크기의 무기 발광 소자를 기판에 전사하는 과정에서 많은 난제를 가지고 있다. 또한, 무기 발광 소자를 기판에 실장한 후에도 무기 발광 소자를 광학적 왜곡이나 손실 없이 물리적으로 보호하는 기술도 큰 난제를 가지고 있다. 또한, 무기 발광 소자를 단순히 보호하는 기술 외에 디스플레이 장치의 화질을 향상시킬 수 있는 기술 역시 필요하다.
본 발명의 일 측면은 무기 발광 소자들의 접합 신뢰성을 향상시키고, 기판 상에 틸팅된 상태로 실장된 무기 발광 소자들에 의해 초래될 수 있는 스페클 잡영(speckle noise)을 완화할 수 있도록 개선된 구조를 가지는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 일 측면은 좌우 시야각을 줄이고, 인접하는 단위 모듈 간의 경계선(seam)이 보이는 것을 방지할 수 있도록 개선된 구조를 가지는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 사상에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 기판 상에 복수의 무기 발광 소자를 실장하고, 디스플레이 장치의 전방을 향하는 전방 발광면이 노출되도록 상기 복수의 무기 발광 소자를 감싸고, 저굴절률을 가지는 블랙 몰딩층을 형성하고, 각각 상기 기판과, 상기 복수의 무기 발광 소자와, 상기 블랙 몰딩층을 포함하는 복수의 단위 모듈을 서로 인접하게 조립하는 것을 포함할 수 있다.
상기 복수의 무기 발광 소자의 측면은 상기 블랙 몰딩층에 의해 감싸질 수 있다.
상기 블랙 몰딩층은 1.40 이상 1.58 이하의 굴절률을 가질 수 있다.
상기 블랙 몰딩층은, 열경화성 재료 및 감광성 재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 열경화성 재료는, 실리콘, 에폭시, EVA, PVB 및 우레탄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 복수의 무기 발광 소자의 가로 길이 및 세로 길이는 각각 수 ㎛ 이상 수백 ㎛이하일 수 있다.
상기 복수의 무기 발광 소자의 제 1컨택 전극과 제 2컨택 전극은 솔더링을 통해 상기 기판의 전극들에 연결될 수 있다.
본 발명의 사상에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 상기 기판에 블랙 몰딩액을 공급하여 상기 블랙 몰딩층을 형성하고, 상기 블랙 몰딩층을 경화시키는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 사상에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 상기 복수의 무기 발광 소자를 덮도록 상기 기판 상에 블랙 필름을 배치하여 상기 블랙 몰딩층을 형성하고, 상기 복수의 무기 발광 소자의 전방 발광면이 노출되도록 상기 블랙 몰딩층을 노광하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 사상에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 상기 복수의 무기 발광 소자를 보호하도록 상기 블랙 몰딩층 상에 투명 몰딩층을 배치하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 사상에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 상기 복수의 무기 발광 소자의 광학 특성을 향상시키도록 상기 투명 몰딩층 상에 블랙 광학 필름을 배치하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 사상에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 상기 기판을 덮도록 상기 블랙 몰딩층을 형성하고, 상기 기판을 벗어난 상기 블랙 몰딩층의 여유부분을 커팅하여 상기 복수의 단위 모듈의 조립면을 형성하고, 각각의 조립면이 서로 마주하도록 상기 복수의 단위 모듈을 조립하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 사상에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 상기 기판에 인접하도록 댐(dam)을 배치하고, 상기 기판과 상기 댐에 의해 정의되는 공간에 상기 블랙 몰딩층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 사상에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 상기 블랙 몰딩층을 경화시키고, 상기 댐을 제거하고, 상기 댐에 의해 형성된 상기 복수의 단위 모듈의 조립면이 서로 마주하도록 상기 복수의 단위 모듈을 조립하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 단위 모듈을 서로 인접하게 조립하는 것은 상기 복수의 단위 모듈을 매트릭스 형태로 배열하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 사상에 따른 디스플레이 장치는, 복수의 단위 모듈 및 상기 복수의 단위 모듈을 지지하도록 마련되는 프레임을 포함하고, 각각의 상기 복수의 단위 모듈은, 기판, 상기 기판 상에 실장되는 복수의 무기 발광 소자 및 상기 복수의 무기 발광 소자로부터 발생한 광이 상기 디스플레이 장치의 전방을 향하는 전방 발광면을 통해 발산되도록 상기 복수의 무기 발광 소자의 측면을 감싸고, 저굴절률을 가지는 블랙 몰딩층을 포함할 수 있다.
상기 블랙 몰딩층은 1.40 이상 1.58 이하의 굴절률을 가질 수 있다.
상기 블랙 몰딩층은, 열경화성 재료 및 감광성 재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 복수의 무기 발광 소자의 가로 길이 및 세로 길이는 각각 수 ㎛ 이상 수백 ㎛이하일 수 있다.
상기 복수의 단위 모듈은 서로 조립되어 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
무기 발광 소자를 감싸도록 저굴절률을 가지는 블랙 몰딩층을 기판 상에 배치함으로써 무기 발광 소자의 접합 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 스페클 잡영의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
무기 발광 소자의 측면을 감싸도록 블랙 몰딩층을 형성할 경우, 무기 발광 소자로부터 발생한 광은 블랙 몰딩층에 의해 차단되어 무기 발광 소자의 측면을 통해 디스플레이 장치의 외부로 발산되기 어렵다. 따라서, 디스플레이 장치의 좌우 시야각이 줄어드는 효과를 기대할 수 있고, 인접하는 단위 모듈 간의 경계선이 보이는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 사시도
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 단위 모듈이 매트릭스 형태로 배열된 상태를 도시한 정면도
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하나의 단위 모듈을 도시한 정면도
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제 1제조 방법을 보여주는 흐름도
도 5a 내지 도 5e는 도 4의 제 1제조 방법에 따른 제조 공정을 도시한 도면
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제 2제조 방법을 보여주는 흐름도
도 7a 내지 도 7e는 도 6의 제 2제조 방법에 따른 제조 공정을 도시한 도면
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제 3제조 방법을 보여주는 흐름도
도 9a 내지 도 9d는 도 8의 제 3제조 방법에 따른 제조 공정을 도시한 도면
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제 4제조 방법을 보여주는 흐름도
도 11a 내지 도 11d는 도 10의 제 4제조 방법에 따른 제조 공정을 도시한 도면
이하에서는 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 한편, 하기의 설명에서 사용된 용어 "선단", "후단", "상부", "하부", "상단" 및 "하단" 등은 도면을 기준으로 정의한 것이며, 이 용어에 의하여 각 구성요소의 형상 및 위치가 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 사시도이다. 참고로, 도 1에서, "X"는 전후방향을, "Y"는 좌우방향을, "Z"는 상하방향을 지칭한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)는 정보, 자료, 데이터 등을 문자, 도형, 그래프, 영상 등으로 표시하여 주는 장치로서, TV, PC, 모바일, 디지털 사이니지(signage) 등이 디스플레이 장치(1)로 구현될 수 있다. 디스플레이 장치(1)는 스탠드(미도시)에 의해 그라운드에 설치되거나, 벽에 설치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 디스플레이 장치(1)는 캐비닛(10)과, 캐비닛(10)에 설치되는 복수의 단위 모듈(30A-30L)과, 캐비닛(10)과 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 매개하는 프레임(21,22)을 포함할 수 있다. 캐비닛(10)은 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 지지하고, 디스플레이 장치(1)의 외관 일부를 형성할 수 있다. 캐비닛(10)에는 이동을 위한 손잡이(12)가 형성될 수 있다.
복수의 단위 모듈(30A-30L)은 서로 인접하도록 상하 좌우로 M * N 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 본 실시예에서 복수의 단위 모듈(30A-30L)은 12개가 3 * 4 매트릭스 형태로 캐비닛(10)에 결합되고 있으나, 복수의 단위 모듈의 개수나 배열 방식에 한정은 없으며 다양하게 정해질 수 있다. 프레임(21,22)의 개수에도 한정은 없다. 복수의 단위 모듈(30A-30L) 중 일부(30A-30F)는 프레임(21)을 매개로 하여 캐비닛(10)에 설치되고, 나머지 일부(30G-30L)는 다른 프레임(22)을 매개로 하여 캐비닛(10)에 설치될 수 있다.
캐비닛(10)과 프레임(21,22)에는 각각 단위 모듈(30A-30L)을 캐비닛(10)에 설치할 수 있도록 캐비닛 결합부(11)와 프레임 결합부(23)가 형성될 수 있다. 캐비닛 결합부(11)와 프레임 결합부(23)는 마그넷을 이용한 자력이나, 기계적인 끼움 구조 등 공지된 다양한 방법을 통해 서로 결합될 수 있다.
디스플레이 장치(1)는 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 구동하는 제어 보드(미도시)와, 복수의 단위 모듈(30A-30L)에 전원을 공급하는 전원 공급 장치(미도시)를 더 포함할 수 있다.
복수의 단위 모듈(30A-30L)은 평면 형태이거나 또는 커브드(curved)한 형태일 수 있다. 나아가 곡률이 가변되도록 마련될 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 단위 모듈이 매트릭스 형태로 배열된 상태를 도시한 정면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하나의 단위 모듈을 도시한 정면도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 각각의 단위 모듈(30A-30L)은 기판(40)과, 기판(40)의 실장면(41)(도 5a참고) 위에 실장된 복수의 무기 발광 소자(50)를 포함할 수 있다. 각각의 복수의 무기 발광 소자(50)는 p-n 다이오드, 제 1컨택 전극(58)(도 5a참고) 및 제 2컨택 전극(59)(도 5a참고)을 포함할 수 있다.
기판(40)은 PI(polyimide), FR4, 유리(glass) 등의 재질로 형성될 수 있으며, 기판(40)의 실장면(41)에는 구동 회로를 형성하는 패턴과, 전극들(42)(도 5a참고)이 형성될 수 있다. 복수의 무기 발광 소자(50)의 제 1컨택 전극(58)과 제 2컨택 전극(59)은 각각 기판(40)에 형성된 전극들(42)에 솔더링될 수 있다.
무기 발광 소자(50)는 무기물 소재로 제조될 수 있다. 따라서, 유기물 기반인 유기 발광 소자(OLED)에 비해 내구성이 높아 수명이 길고, 전력 효율도 유기 발광 소자 대비 수 배 이상 높을 수 있다. 바람직하게는, 무기 발광 소자(50)는 발광 다이오드(Light-Emitting Diode, LED)를 포함할 수 있다.
복수의 무기 발광 소자(50)는 적색(Red) 무기 발광 소자(51)와, 녹색(Green) 무기 발광 소자(52)와, 청색(Blue) 무기 발광 소자(53)를 포함할 수 있다. 복수의 무기 발광 소자(50)는 일련의 적색 무기 발광 소자(51)와, 녹색 무기 발광 소자(52)와, 청색 무기 발광 소자(53)를 하나의 단위로 하여 기판(40) 상에 실장될 수 있다. 일련의 적색 무기 발광 소자(51)와, 녹색 무기 발광 소자(52)와, 청색 무기 발광 소자(53)는 하나의 픽셀(pixel)을 형성할 수 있다.
적색 무기 발광 소자(51)와, 녹색 무기 발광 소자(52)와, 청색 무기 발광 소자(53)는 도시된 바와 같이 일렬로 소정 간격 이격되게 배치될 수 있고, 이와 다른 형태로 배치될 수도 있다.
복수의 무기 발광 소자(50)는 웨이퍼(wafer)에서 픽업되어 기판(40) 상에 직접 전사될 수 있다. 복수의 무기 발광 소자(50)는 정전 헤드(Electrostatic Head)를 사용하는 정전기 방식 또는 PDMS나 실리콘 등의 탄성이 있는 고분자 물질을 헤드로 사용하는 접착 방식 등을 통해 픽업 및 이송될 수 있다. 복수의 무기 발광 소자(50)의 가로, 세로 및 높이는 각각 수 ㎛ ~ 수백 ㎛의 크기일 수 있다.
복수의 무기 발광 소자(50)는 제 1컨택 전극(58) 및 제 2컨택 전극(59)이 같은 방향을 향해 배치되는 플립 칩(Flip Chip) 형태일 수 있다. 복수의 무기 발광 소자(50)의 제 1컨택 전극(58)과 제 2컨택 전극(59)은 솔더링을 통해 기판(40)의 전극들(42)에 연결될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제 1제조 방법을 보여주는 흐름도이다. 이하, 미도시된 도면 번호는 도 5a를 참고한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 기판(40) 상에 복수의 무기 발광 소자(50)를 실장하는 것(S1)을 포함할 수 있다. 이 경우, 복수의 무기 발광 소자(50)의 제 1컨택 전극(58)과 제 2컨택 전극(59)은 솔더링을 통해 기판(40)의 전극들(42)에 연결될 수 있다.
디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)을 감싸도록 기판(40) 상에 블랙 몰딩액(120)을 공급하여 블랙 몰딩층(100)을 형성하는 것(S2)을 더 포함할 수 있다.
디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 블랙 몰딩층(100)을 경화시키는 것(S3)을 더 포함할 수 있다.
디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 블랙 몰딩층(100) 상에 투명 몰딩층(200)을 배치하는 것(S4)을 더 포함할 수 있다.
디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 투명 몰딩층(200) 상에 블랙 광학 필름(300)을 배치하는 것(S5)을 더 포함할 수 있다.
디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 기판(40)과, 복수의 무기 발광 소자(50)와, 블랙 몰딩층(100)과, 투명 몰딩층(200)과, 블랙 광학 필름(300)을 포함하는 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 서로 조립하는 것(S6)을 더 포함할 수 있다.
이하, 디스플레이 장치(1)의 제 1제조 방법에 대해 자세히 설명한다.
도 5a 내지 도 5e는 도 4의 제 1제조 방법에 따른 제조 공정을 도시한 도면이다. 이하, 설명의 편의를 위해, 적색 무기 발광 소자(51)와, 녹색 무기 발광 소자(52)와, 청색 무기 발광 소자(53)가 기판(40) 상에 실장된 경우를 중심으로 설명한다. 이하, 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 서로 조립하는 것을 보여주는 도면은 생략한다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 복수의 무기 발광 소자(50)는 기판(40) 상에 실장될 수 있다. 구체적으로, 복수의 무기 발광 소자(50)는 소정 간격 서로 이격되도록 기판(40)의 실장면(41) 상에 실장될 수 있다. 복수의 무기 발광 소자(50)의 제 1컨택 전극(58) 및 제 2컨택 전극(59)은 솔더(solder)(60)에 의해 각각 기판(40)에 형성된 전극들(42)에 연결될 수 있다.
도 5b 및 도 5c에 도시된 바와 같이, 기판(40) 상에는 복수의 무기 발광 소자(50)를 감싸도록 블랙 몰딩층(100)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 블랙 몰딩층(100)은 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)을 감싸도록 기판(40) 상에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 블랙 몰딩층(100)은 디스플레이 장치(1)의 전방을 향하는 복수의 무기 발광 소자(50)의 전방 발광면(50a)이 노출되도록 기판(40) 상에 형성될 수 있다. 즉, 블랙 몰딩층(100)은 복수의 무기 발광 소자(50)의 전방 발광면(50a)을 제외한 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)을 감싸도록 형성될 수 있다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 블랙 몰딩액(120)은 블랙 몰딩층(100)을 형성하기 위해 기판(40)에 공급될 수 있다. 블랙 몰딩액(120)은 몰딩액 공급장치(130)에 의해 기판(40) 상에 도포되거나 코팅되거나 제팅(jetting)될 수 있다. 블랙 몰딩액(120)이 몰딩액 공급장치(130)에 의해 기판(40) 상에 인쇄되는 것도 가능하다. 블랙 몰딩액(120)이 기판(40)에 공급되는 방식은 상기 예에 한정하지 않고 다양하게 변경 가능하다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 블랙 몰딩층(100)은, 복수의 무기 발광 소자(50)의 전방 발광면(50a)을 제외한 복수의 무기 발광 소자(50)의 나머지 면을 감싸도록 기판(40) 상에 형성되어 경화될 수 있다. 일 예로서, 블랙 몰딩층(100)은 열 경화 및 UV 경화 중 적어도 하나에 의해 경화될 수 있다.
도 5d에 도시된 바와 같이, 투명 몰딩층(200)은 복수의 무기 발광 소자(50)를 보호하도록 블랙 몰딩층(100) 상에 배치될 수 있다. 투명 몰딩층(200)은 복수의 무기 발광 소자(50)를 광학적인 왜곡 없이 물리적으로 보호하도록 블랙 몰딩층(100) 상에 배치될 수 있다. 일 예로서, 투명 몰딩층(200)은 에폭시(epoxy) 또는 실리콘(silicone) 등과 같은 투명한 재료로 형성될 수 있다.
도 5e에 도시된 바와 같이, 블랙 광학 필름(300)은 복수의 무기 발광 소자(50)의 광학 특성을 향상시키도록 투명 몰딩층(200) 상에 배치될 수 있다. 블랙 광학 필름(300)은 디스플레이 장치(1)가 오프(off)되었을 때 블랙감을 유지하고, 반사율을 낮추기 위해 배치될 수 있다. 일 예로서, 블랙 광학 필름(300)은 ND 필름(neutral density film), 원편광 필름, 액상코팅을 활용하여 블랙감을 나타낼 수 있는 필름 등을 포함할 수 있다.
블랙 몰딩층(100)은 저굴절률을 가질 수 있다. 바람직하게는, 블랙 몰딩층(100)은 1.40 이상 1.58 이하의 굴절률을 가질 수 있다. 일 예로서, 블랙 몰딩층(100)이 에폭시 재질로 형성되는 경우, 블랙 몰딩층(100)은 1.50 이상 1.58 이하의 굴절률을 가질 수 있다. 바람직하게는, 블랙 몰딩층(100)이 에폭시 재질로 형성되는 경우, 블랙 몰딩층(100)은 1.50 이상 1.51 이하의 굴절률을 가질 수 있다. 다른 일 예로서, 블랙 몰딩층(100)이 실리콘 재질로 형성되는 경우, 블랙 몰딩층(100)은 1.40 이상 1.58 이하의 굴절률을 가질 수 있다. 바람직하게는, 블랙 몰딩층(100)이 실리콘 재질로 형성되는 경우, 블랙 몰딩층(100)은 1.40 이상 1.51 이하의 굴절률을 가질 수 있다.
블랙 몰딩층(100)은 베이스 재료 및 블랙 색소를 포함할 수 있다. 베이스 재료는 열경화성 재료 및 감광성 재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 예로서, 열경화성 재료는, 실리콘, 에폭시, EVA(ethylene-vinyl acetate copolymer), PVB(polyvinyl butyral) 및 우레탄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 예로서, 감광성 재료는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 활용할 수 있는 감광성 재료를 포함할 수 있다.
블랙 몰딩층(100)은 액상 또는 고상의 재료에 의해 구현될 수 있다. 도 5a 내지 도 5e에서 설명한 블랙 몰딩액(120)은, 블랙 몰딩층(100)을 형성하는 액상 재료의 일 예를 보여준다. 또한, 블랙 몰딩층(100)은 필름 형태의 재료에 의해 구현될 수도 있다. 일 예로서, 후술할 블랙 필름(140)은 블랙 몰딩층(100)을 형성하는 필름 형태의 재료의 일 예를 보여준다. 다만, 블랙 몰딩층(100)의 재료는 다양하게 변경 가능하며 상기 예에 한정하지 않는다.
이와 같이, 저굴절률을 가지는 블랙 몰딩층(100)으로 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)을 감쌀 경우, 복수의 무기 발광 소자(50)의 팅팅(tilting)에 의해 발생할 수 있는 스페클 잡영(speckle noise)을 효과적으로 완화시킬 수 있다. 여기서, 스페클 잡영은 각도에 따라 디스플레이 장치의 화면이 반짝거리게 보이는 현상을 말한다. 일 예로서, 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)이 1.48의 굴절률을 가지는 블랙 몰딩층으로 둘러싸일 경우, 복수의 무기 발광 소자(50)가 틸팅되었을 때 광이 디스플레이 장치의 외부로 발산되어 스페클 잡영이 발생할 수 있다. 반면, 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)이 1.58의 굴절률을 가지는 블랙 몰딩층으로 둘러싸일 경우, 복수의 무기 발광 소자(50)가 틸팅되더라도 광이 디스플레이 장치의 외부로 발산되지 않기 때문에 스페클 잡영이 발생하지 않을 수 있다.
또한, 블랙 몰딩층(100)으로 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)을 감쌀 경우, 복수의 무기 발광 소자(50)의 발광영역은 복수의 무기 발광 소자(50)의 후단부에서 복수의 무기 발광 소자(50)의 전단부로 이동할 수 있다. 즉, 블랙 몰딩층(100)으로 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)을 감쌀 경우, 복수의 무기 발광 소자(50)에서 발생된 광은 블랙 몰딩층(100)에 의해 차단되어 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)으로 발산될 수 없고, 복수의 무기 발광 소자(50)의 전방 발광면(50a)을 통해 디스플레이 장치(1)의 외부로 발산될 수 있다. 따라서, 좌우 시야각은 줄어들고, 인접하는 단위 모듈 간의 경계선(seam)이 보이는 것은 방지될 수 있다.
솔더(60) 역시 블랙 몰딩층(100)과 동일하게 블랙 색상을 가지도록 구현할 경우, 디스플레이 장치(1)의 오프(off) 상태에서는 블랙감을 유지할 수 있고, 디스플레이 장치(1)의 온(on) 상태에서는 화질 명암비 개선 효과를 기대할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제 2제조 방법을 보여주는 흐름도이다. 이하, 미도시된 도면 번호는 도 7a를 참고한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 기판(40) 상에 복수의 무기 발광 소자(50)를 실장하는 것(P1)을 포함할 수 있다. 이 경우, 복수의 무기 발광 소자(50)의 제 1컨택 전극(58)과 제 2컨택 전극(59)은 솔더링을 통해 기판(40)의 전극들(42)에 연결될 수 있다.
디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 복수의 무기 발광 소자(50)를 덮도록 기판(40) 상에 블랙 필름(140)을 배치하여 블랙 몰딩층(100)을 형성하는 것(P2)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 블랙 필름(140)은 복수의 무기 발광 소자(50)의 전방 발광면(50a) 및 측면(50b)을 모두 덮도록 기판(40) 상에 적층될 수 있다.
디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 복수의 무기 발광 소자(50)의 전방 발광면(50a)이 노출되도록 블랙 몰딩층(100)을 노광하는 것(P3)을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 복수의 무기 발광 소자(50)의 전방 발광면(50a)이 노출되도록 블랙 몰딩층(100)을 노광 및 현상하는 것을 더 포함할 수 있다.
디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 블랙 몰딩층(100) 상에 투명 몰딩층(200)을 배치하는 것(P4)을 더 포함할 수 있다.
디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 투명 몰딩층(200) 상에 블랙 광학 필름(300)을 배치하는 것(P5)을 더 포함할 수 있다.
디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 기판(40)과, 복수의 무기 발광 소자(50)와, 블랙 몰딩층(100)과, 투명 몰딩층(200)과, 블랙 광학 필름(300)을 포함하는 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 서로 조립하는 것(P6)을 더 포함할 수 있다.
이하, 디스플레이 장치(1)의 제 2제조 방법에 대해 자세히 설명한다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6의 제 2제조 방법에 따른 제조 공정을 도시한 도면이다. 이하, 디스플레이 장치(1)의 제 1제조 방법에 대한 설명과 중복되는 설명은 생략한다. 이하, 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 서로 조립하는 것을 보여주는 도면은 생략한다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 복수의 무기 발광 소자(50)는 기판(40) 상에 실장될 수 있다. 이에 대한 설명은 도 5a에서 설명한 것과 동일한 바 생략한다.
도 7b 및 도 7c에 도시된 바와 같이, 기판(40) 상에는 복수의 무기 발광 소자(50)를 덮도록 블랙 몰딩층(100)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 블랙 몰딩층(100)은 복수의 무기 발광 소자(50)를 완전히 덮도록, 즉, 복수의 무기 발광 소자(50)의 전방 발광면(50a) 및 측면(50b)을 모두 감싸도록 기판(40) 상에 형성될 수 있다.
도 7b에 도시된 바와 같이, 블랙 몰딩층(100)은 블랙 필름(140)의 형태로 구현될 수 있다. 블랙 필름(140)은 복수의 무기 발광 소자(50)를 덮도록 기판(40) 상에 배치될 수 있다. 이 때, 복수의 무기 발광 소자(50)로부터 발생한 광은 복수의 무기 발광 소자(50)의 사방을 감싸는 블랙 필름(140)에 의해 차단되어 디스플레이 장치(1)의 외부로 발산되지 않는다.
도 7c에 도시된 바와 같이, 블랙 필름(140)은 복수의 무기 발광 소자(50)의 전방 발광면(50a)이 노출되도록 노광될 수 있고, 노광 단계 및 현상 단계를 거쳐 블랙 몰딩층(100)이 형성될 수 있다. 이 때, 복수의 무기 발광 소자(50)로부터 발생한 광은 복수의 무기 발광 소자(50)의 전방 발광면(50a)을 통해 디스플레이 장치(1)의 외부로 발산될 수 있다.
도 7d에 도시된 바와 같이, 투명 몰딩층(200)은 복수의 무기 발광 소자(50)를 보호하도록 블랙 몰딩층(100) 상에 배치될 수 있다. 투명 몰딩층(200)에 대한 설명은 도 5d에서 설명한 것과 동일한 바 생략한다.
도 7e에 도시된 바와 같이, 블랙 광학 필름(300)은 복수의 무기 발광 소자(50)의 광학 특성을 향상시키도록 투명 몰딩층(200) 상에 배치될 수 있다. 블랙 광학 필름(300)에 대한 설명은 도 5e에서 설명한 것과 동일한 바 생략한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제 3제조 방법을 보여주는 흐름도이고, 도 9a 내지 도 9d는 도 8의 제 3제조 방법에 따른 제조 공정을 도시한 도면이다. 디스플레이 장치(1)의 제 3제조 방법은, 디스플레이 장치(1)의 제 1제조 방법에 의해 제조된 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 서로 조립하여 디스플레이 장치(1)를 제조하는 구체적인 방법에 관한 것이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 디스플레이 장치(1)의 제 1제조 방법에 의해 제조된 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 중심으로 설명하나, 복수의 단위 모듈(30A-30L)은 디스플레이 장치(1)의 제 2제조 방법에 의해 제조된 것일 수도 있다. 이하, 미도시된 도면 번호는 도 1 내지 도 5e를 참고한다. 이하, 단위 모듈(30A) 및 단위 모듈(30D)가 조립되는 경우를 일 예로서 설명한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 기판(40) 상에 복수의 무기 발광 소자(50)를 실장하는 것(K1)을 포함할 수 있다. 이 경우, 복수의 무기 발광 소자(50)의 제 1컨택 전극(58)과 제 2컨택 전극(59)은 솔더링을 통해 기판(40)의 전극들(42)에 연결될 수 있다.
도 8 및 도 9a에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)을 감싸고 기판(40)을 덮도록 기판(40) 상에 블랙 몰딩액(120)을 공급하여 블랙 몰딩층(100)을 형성하는 것(K2)을 더 포함할 수 있다. 블랙 몰딩액(120)은 넘치도록 기판(40) 상에 공급될 수 있다. 즉, 블랙 몰딩액(120)은 기판(40)으로부터 흘러 넘칠 만큼 충분히 기판(40) 상에 공급될 수 있다.
디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 블랙 몰딩층(100)을 경화시키는 것(K3)을 더 포함할 수 있다.
도 8 및 도 9b에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 기판(40)을 벗어난 블랙 몰딩층(100)의 여유부분(102)을 커팅하여 복수의 단위 모듈(30A-30L)의 조립면(110)을 형성하는 것(K4)을 더 포함할 수 있다. 바람직하게는, 복수의 단위 모듈(30A-30L)의 조립면(110)은 평평할 수 있다.
도 8 및 도 9c에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 블랙 몰딩층(100) 상에 투명 몰딩층(200)을 배치하는 것(K5)을 더 포함할 수 있다.
도 8 및 도 9c에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 투명 몰딩층(200) 상에 블랙 광학 필름(300)을 배치하는 것(K6)을 더 포함할 수 있다.
도 8 및 도 9d에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 각각의 조립면(110)이 서로 마주하도록 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 조립하는 것(K7)을 더 포함할 수 있다. 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 서로 인접하게 조립하는 것은 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 매트릭스 형태로 배열하는 것을 포함할 수 있다. 서로 조립된 복수의 단위 모듈(30A-30L) 사이에는 경계선(G)이 형성될 수 있으나, 복수의 무기 발광 소자(50)에서 발생한 광은 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)을 감싸는 블랙 몰딩층(100)에 의해 차단되므로, 경계선(G)은 디스플레이 장치(1)의 외부에서 보이지 않을 수 있다. 즉, 복수의 단위 모듈(30A-30L) 사이의 경계선(G)을 제거하기 위한 별도의 공정을 거치지 않더라도 경계선(G)이 사용자의 눈에 띄는 것을 방지할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제 4제조 방법을 보여주는 흐름도이고, 도 11a 내지 도 11d는 도 10의 제 4제조 방법에 따른 제조 공정을 도시한 도면이다. 디스플레이 장치(1)의 제 4제조 방법은, 디스플레이 장치(1)의 제 1제조 방법에 의해 제조된 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 서로 조립하여 디스플레이 장치(1)를 제조하는 구체적인 방법에 관한 것이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 디스플레이 장치(1)의 제 1제조 방법에 의해 제조된 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 중심으로 설명하나, 복수의 단위 모듈(30A-30L)은 디스플레이 장치(1)의 제 2제조 방법에 의해 제조된 것일 수도 있다. 이하, 미도시된 도면 번호는 도 1 내지 도 5e를 참고한다. 이하, 단위 모듈(30A) 및 단위 모듈(30D)가 조립되는 경우를 일 예로서 설명한다.
도 10에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 기판(40) 상에 복수의 무기 발광 소자(50)를 실장하는 것(M1)을 포함할 수 있다. 이 경우, 복수의 무기 발광 소자(50)의 제 1컨택 전극(58)과 제 2컨택 전극(59)은 솔더링을 통해 기판(40)의 전극들(42)에 연결될 수 있다.
도 10 및 도 11a에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 기판(40)에 인접하도록 댐(dam)(400)을 배치하는 것(M2)을 더 포함할 수 있다. 바람직하게는, 댐(400)은 기판(40)의 양 단부에 밀착되도록 배치될 수 있다.
도 10 및 도 11a에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 기판(40)과 댐(400)에 의해 정의되는 공간에 블랙 몰딩액(120)을 공급하여 블랙 몰딩층(100)을 형성하는 것(M3)을 더 포함할 수 있다. 블랙 몰딩액(120)은 복수의 무기 발광 소자(50)의 측면(50b)은 감싸고, 전방 발광면(50a)은 노출되도록 기판(40) 상에 공급될 수 있다.
도 10 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 블랙 몰딩층(100)을 경화시키고, 댐(400)을 제거하는 것(M4)을 더 포함할 수 있다. 복수의 단위 모듈(30A-30L)의 조립면(110)은 댐(400)에 접촉한 상태로 경화된 블랙 몰딩층(100)의 일 면으로 정의될 수 있다. 따라서, 복수의 단위 모듈(30A-30L)의 조립면(110)은 댐(400)에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 바람직하게는, 복수의 단위 모듈(30A-30L)의 조립면(110)은 평평한 형상을 가질 수 있다.
도 10 및 도 11c에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 블랙 몰딩층(100) 상에 투명 몰딩층(200)을 배치하는 것(M5)을 더 포함할 수 있다.
도 10 및 도 11c에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 투명 몰딩층(200) 상에 블랙 광학 필름(300)을 배치하는 것(M6)을 더 포함할 수 있다.
도 10 및 도 11d에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)의 제조 방법은, 각각의 조립면(110)이 서로 마주하도록 복수의 단위 모듈(30A-30L)을 조립하는 것(M7)을 더 포함할 수 있다. 이에 대한 설명은, 도 9d에서 설명한 것과 동일한 바 생략한다.
이상에서는 특정의 실시예에 대하여 도시하고 설명하였다. 그러나, 상기한 실시예에만 한정되지 않으며, 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상의 요지를 벗어남이 없이 얼마든지 다양하게 변경 실시할 수 있을 것이다.
1: 디스플레이 장치 10: 캐비닛
11: 캐비닛 결합부 12: 손잡이
21,22: 프레임 23: 프레임 결합부
30A-30L: 단위 모듈 40: 기판
41: 실장면 42: 전극
50: 무기 발광 소자 50a: 전방 발광면
50b: 측면 51: 적색 무기 발광 소자
52: 녹색 무기 발광 소자 53: 청색 무기 발광 소자
58: 제 1컨택 전극 59: 제 2컨택 전극
100: 블랙 몰딩층 102: 여유부분
110: 조립면 120: 블랙 몰딩액
130: 몰딩액 공급장치 140: 블랙 필름
200: 투명 몰딩층 300: 블랙 광학 필름
400: 댐 60: 솔더

Claims (20)

  1. 기판 상에 복수의 무기 발광 소자를 실장하고,
    디스플레이 장치의 전방을 향하는 전방 발광면이 노출되도록 상기 복수의 무기 발광 소자를 감싸고, 저굴절률을 가지는 블랙 몰딩층을 형성하고,
    각각 상기 기판과, 상기 복수의 무기 발광 소자와, 상기 블랙 몰딩층을 포함하는 복수의 단위 모듈을 서로 인접하게 조립하는 것을 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 무기 발광 소자의 측면은 상기 블랙 몰딩층에 의해 감싸지는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 블랙 몰딩층은 1.40 이상 1.58 이하의 굴절률을 가지는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 블랙 몰딩층은, 열경화성 재료 및 감광성 재료 중 적어도 하나를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 열경화성 재료는, 실리콘, 에폭시, EVA, PVB 및 우레탄 중 적어도 하나를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 무기 발광 소자의 가로 길이 및 세로 길이는 각각 수 ㎛ 이상 수백 ㎛이하인 디스플레이 장치의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 무기 발광 소자의 제 1컨택 전극과 제 2컨택 전극은 솔더링을 통해 상기 기판의 전극들에 연결되는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 블랙 몰딩액을 공급하여 상기 블랙 몰딩층을 형성하고,
    상기 블랙 몰딩층을 경화시키는 것을 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 무기 발광 소자를 덮도록 상기 기판 상에 블랙 필름을 배치하여 상기 블랙 몰딩층을 형성하고,
    상기 복수의 무기 발광 소자의 전방 발광면이 노출되도록 상기 블랙 몰딩층을 노광하는 것을 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 무기 발광 소자를 보호하도록 상기 블랙 몰딩층 상에 투명 몰딩층을 배치하는 것을 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수의 무기 발광 소자의 광학 특성을 향상시키도록 상기 투명 몰딩층 상에 블랙 광학 필름을 배치하는 것을 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 덮도록 상기 블랙 몰딩층을 형성하고,
    상기 기판을 벗어난 상기 블랙 몰딩층의 여유부분을 커팅하여 상기 복수의 단위 모듈의 조립면을 형성하고,
    각각의 조립면이 서로 마주하도록 상기 복수의 단위 모듈을 조립하는 것을 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 인접하도록 댐(dam)을 배치하고,
    상기 기판과 상기 댐에 의해 정의되는 공간에 상기 블랙 몰딩층을 형성하는 것을 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 블랙 몰딩층을 경화시키고,
    상기 댐을 제거하고,
    상기 댐에 의해 형성된 상기 복수의 단위 모듈의 조립면이 서로 마주하도록 상기 복수의 단위 모듈을 조립하는 것을 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 단위 모듈을 서로 인접하게 조립하는 것은 상기 복수의 단위 모듈을 매트릭스 형태로 배열하는 것을 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  16. 복수의 단위 모듈; 및
    상기 복수의 단위 모듈을 지지하도록 마련되는 프레임;을 포함하고,
    각각의 상기 복수의 단위 모듈은,
    기판;
    상기 기판 상에 실장되는 복수의 무기 발광 소자; 및
    상기 복수의 무기 발광 소자로부터 발생한 광이 상기 디스플레이 장치의 전방을 향하는 전방 발광면을 통해 발산되도록 상기 복수의 무기 발광 소자의 측면을 감싸고, 저굴절률을 가지는 블랙 몰딩층;을 포함하는 디스플레이 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 블랙 몰딩층은 1.40 이상 1.58 이하의 굴절률을 가지는 디스플레이 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 블랙 몰딩층은, 열경화성 재료 및 감광성 재료 중 적어도 하나를 포함하는 디스플레이 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 복수의 무기 발광 소자의 가로 길이 및 세로 길이는 각각 수 ㎛ 이상 수백 ㎛이하인 디스플레이 장치.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 복수의 단위 모듈은 서로 조립되어 매트릭스 형태로 배열되는 디스플레이 장치.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022092564A1 (ko) * 2020-10-27 2022-05-05 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법
WO2022103200A1 (ko) * 2020-11-12 2022-05-19 서울반도체 주식회사 발광 모듈, 이를 제조하는 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2022139393A1 (ko) * 2020-12-23 2022-06-30 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2022145567A1 (ko) * 2020-12-28 2022-07-07 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2022197053A1 (ko) * 2021-03-15 2022-09-22 서울바이오시스주식회사 발광 모듈, 그것을 제조하는 방법 및 그것을 갖는 디스플레이 장치
WO2022255504A1 (ko) * 2021-06-01 2022-12-08 엘지전자 주식회사 디스플레이 디바이스
WO2023234540A1 (ko) * 2022-05-31 2023-12-07 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022092564A1 (ko) * 2020-10-27 2022-05-05 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법
WO2022103200A1 (ko) * 2020-11-12 2022-05-19 서울반도체 주식회사 발광 모듈, 이를 제조하는 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2022139393A1 (ko) * 2020-12-23 2022-06-30 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2022145567A1 (ko) * 2020-12-28 2022-07-07 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2022197053A1 (ko) * 2021-03-15 2022-09-22 서울바이오시스주식회사 발광 모듈, 그것을 제조하는 방법 및 그것을 갖는 디스플레이 장치
WO2022255504A1 (ko) * 2021-06-01 2022-12-08 엘지전자 주식회사 디스플레이 디바이스
WO2023234540A1 (ko) * 2022-05-31 2023-12-07 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

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