KR20200027969A - Laminated structure, dry film and flexible printed wiring board - Google Patents

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Abstract

지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성을 갖는 적층 구조체, 드라이 필름, 및 그의 경화물을 보호막으로서 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 제공한다. 수지층 (A)와, 수지층 (A)를 통해 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 수지층 (B)를 갖는 적층 구조체이다. 수지층 (B)가, 알칼리 용해성 수지, 광중합 개시제, 열반응성 화합물 및 블록 공중합체를 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어지고, 또한 수지층 (A)가, 알칼리 용해성 수지 및 열반응성 화합물을 포함하는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어진다.A flexible printed wiring board having, as a protective film, a laminated structure, a dry film, and a cured product thereof, which have so far exhibited high flexibility and particularly excellent crack resistance against excessive seam folding. It is a laminated structure which has the resin layer (A) and the resin layer (B) laminated | stacked on a flexible printed wiring board through the resin layer (A). The resin layer (B) consists of a photosensitive thermosetting resin composition comprising an alkali-soluble resin, a photopolymerization initiator, a heat-reactive compound and a block copolymer, and the resin layer (A) comprises an alkali-soluble resin and a heat-reactive compound. It consists of an alkali developing resin composition.

Description

적층 구조체, 드라이 필름 및 플렉시블 프린트 배선판Laminated structure, dry film and flexible printed wiring board

본 발명은, 플렉시블 프린트 배선판의 절연막으로서 유용한 적층 구조체, 드라이 필름 및 플렉시블 프린트 배선판(이하, 단순히 「배선판」이라고도 칭함)에 관한 것이다.The present invention relates to a laminate structure, a dry film, and a flexible printed wiring board (hereinafter also simply referred to as a "wiring board") useful as an insulating film for a flexible printed wiring board.

근년, 스마트폰이나 태블릿 단말기의 보급에 의한 전자 기기의 소형 박형화에 의해, 회로 기판의 소 스페이스화가 필요해지고 있다. 그 때문에, 절곡하여 수납할 수 있는 플렉시블 프린트 배선판의 용도가 확대되고, 플렉시블 프린트 배선판에 대해서도, 지금까지 이상으로 높은 신뢰성을 갖을 것이 요구되고 있다.In recent years, with the spread of smartphones and tablet terminals, the miniaturization of electronic devices has reduced the size of circuit boards. For this reason, the use of flexible printed wiring boards that can be bent and stored is expanded, and the flexible printed wiring boards are also required to have higher reliability than ever.

이에 대해 현재, 플렉시블 프린트 배선판의 절연 신뢰성을 확보하기 위한 절연막으로서, 절곡부(굴곡부)에는, 내열성 및 굴곡성 등의 기계적 특성이 우수한 폴리이미드를 베이스로 한 커버레이를 사용하고(예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조), 실장부(비굴곡부)에는, 전기 절연성이나 땜납 내열성 등이 우수하며 미세 가공이 가능한 감광성 수지 조성물을 사용한 혼재 프로세스가 널리 채용되고 있다.On the other hand, currently, as an insulating film for securing insulation reliability of a flexible printed wiring board, a polyimide-based coverlay having excellent mechanical properties such as heat resistance and flexibility is used as a bent portion (bending portion) (for example, a patent) Literatures 1 and 2), and a mixing process using a photosensitive resin composition that is excellent in electrical insulation, solder heat resistance, and the like, and that can be finely processed, is widely adopted for the mounting portion (non-bending portion).

즉, 폴리이미드를 베이스로 한 커버레이는, 금형 펀칭에 의한 가공을 필요로 하기 때문에, 미세 배선에는 부적합하다. 그 때문에, 미세 배선이 필요한 칩 실장부에는, 포토리소그래피에 의한 가공을 할 수 있는 알칼리 현상형의 감광성 수지 조성물(솔더 레지스트)을 부분적으로 병용할 필요가 있었다.That is, a polyimide-based coverlay is not suitable for fine wiring because processing by mold punching is required. Therefore, it was necessary to partially use an alkali developing type photosensitive resin composition (solder resist) capable of processing by photolithography in a chip mounting portion requiring fine wiring.

일본 특허 공개 소62-263692호 공보Japanese Patent Publication No. 62-263692 일본 특허 공개 소63-110224호 공보Japanese Patent Publication No. 63-110224

이와 같이, 종래의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 공정에서는, 커버레이를 맞대는 공정과 솔더 레지스트를 형성하는 공정의 혼재 프로세스를 채용하지 않을 수 없어, 비용성과 작업성이 떨어진다는 문제가 있었다.As described above, in the manufacturing process of the conventional flexible printed wiring board, the mixing process of the process of butting the coverlay and the process of forming the solder resist is compelled, and there is a problem in that cost and workability are poor.

이에 대해, 지금까지, 솔더 레지스트로서의 절연막 또는 커버레이로서의 절연막을, 플렉시블 프린트 배선판의 솔더 레지스트 및 커버레이로서 적용하는 것이 검토되고 있지만, 회로 기판의 소 스페이스화의 요구에 대하여, 솔더 레지스트 및 커버레이 양쪽의 요구 성능을 충분히 만족할 수 있는 재료는, 아직 실용화에는 이르지 못하였다.On the other hand, until now, it has been considered to apply an insulating film as a solder resist or an insulating film as a coverlay as a solder resist and a coverlay of a flexible printed wiring board. However, in response to the demand for small space of the circuit board, the solder resist and a coverlay A material capable of satisfactorily satisfying both required performances has not yet been put to practical use.

구체적으로는, 회로 기판의 소 스페이스화의 요구에 대하여, 기기 내에 플렉시블 프린트 배선판을 수납할 때에는, 부품이 실장된 플렉시블 프린트 배선판을 심 폴딩(seam folding)한 상태로 절곡하여 수납된다. 그 때문에, 플렉시블 프린트 배선판 및 그의 절연막에 대하여, 심 폴딩한 상태에서 하중이 가해지게 되지만, 이 점에 있어서, 여전히 솔더 레지스트 및 커버레이 양쪽의 요구 성능을 충분히 만족할 수 있는 재료는 개발되지 못한 것이 실정이었다. 여기서, 심 폴딩이란, 플렉시블 프린트 배선판의 상면측을 180° 절곡하는 것을 의미한다. 그 때문에, 플렉시블 프린트 배선판에는, 지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도하게 심 폴딩하여도 우수한 크랙 내성을 갖는 솔더 레지스트 및 커버레이에 적합한 절연막이 요구되고 있다.Specifically, when a flexible printed wiring board is accommodated in a device in response to the demand for a small space of the circuit board, the flexible printed wiring board on which the components are mounted is bent in a state of seam folding to be accommodated. For this reason, a load is applied to the flexible printed wiring board and its insulating film in a seam-folded state, but in this regard, it has not been developed a material that can still sufficiently satisfy the required performance of both the solder resist and the coverlay. Was. Here, shim folding means bending the upper surface side of the flexible printed wiring board by 180 °. For this reason, flexible printed wiring boards have been required to have an insulating film suitable for a solder resist and a coverlay having a high bending property, and particularly excellent crack resistance even if excessively seam folding is performed.

그래서 본 발명의 주된 목적은, 솔더 레지스트 및 커버레이 양쪽의 요구 성능을 만족하고, 지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도하게 심 폴딩하여도 우수한 크랙 내성을 갖는 적층 구조체를 제공하는 데 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 플렉시블 프린트 배선판의 절연막, 특히 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)의 일괄 형성 프로세스에 적합한 적층 구조체, 드라이 필름, 및 그의 경화물을 보호막, 예를 들어 커버레이 또는 솔더 레지스트로서 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 제공하는 데 있다.Therefore, the main object of the present invention is to provide a laminated structure that satisfies the required performance of both the solder resist and the coverlay, and has excellent flexural properties, particularly excellent seam resistance even when excessively seam folding. In addition, another object of the present invention is a protective film, for example, an insulating film of a flexible printed wiring board, particularly a laminated structure, a dry film, and a cured product suitable for the batch forming process of a bent part (bent part) and a mounting part (non-bent part), for example It is to provide a flexible printed wiring board having as a coverlay or solder resist.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The present inventors have studied earnestly to solve the above problems, and have come to complete the present invention.

즉, 본 발명의 적층 구조체는, 수지층 (A)와, 해당 수지층 (A)를 통해 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 수지층 (B)를 갖는 적층 구조체로서,That is, the laminated structure of the present invention is a laminated structure having a resin layer (A) and a resin layer (B) laminated on a flexible printed wiring board through the resin layer (A),

상기 수지층 (B)가, 알칼리 용해성 수지, 광중합 개시제, 열반응성 화합물 및 블록 공중합체를 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어지고, 또한 상기 수지층 (A)가, 알칼리 용해성 수지 및 열반응성 화합물을 포함하는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.The resin layer (B) is composed of a photosensitive thermosetting resin composition comprising an alkali-soluble resin, a photopolymerization initiator, a heat-reactive compound and a block copolymer, and the resin layer (A) is an alkali-soluble resin and a heat-reactive compound. It is characterized by comprising an alkali developing type resin composition.

본 발명의 적층 구조체에 있어서는, 상기 블록 공중합체가 하기 식 (I)로 표시되는 구조를 갖는 것이 바람직하고, 상기 블록 공중합체의 질량 평균 분자량(Mw)은 적합하게는 20,000 내지 400,000이다.In the laminated structure of the present invention, it is preferable that the block copolymer has a structure represented by the following formula (I), and the mass average molecular weight (Mw) of the block copolymer is suitably 20,000 to 400,000.

X-Y-X (I)X-Y-X (I)

(식 (I) 중, X는 유리 전이점 Tg가 0℃ 이상인 폴리머 단위이며, 각각 동일해도 상이해도 되고, Y는 유리 전이점 Tg가 0℃ 미만인 폴리머 단위이다.)(In formula (I), X is a polymer unit with a glass transition point Tg of 0 ° C or higher, and may be the same or different, and Y is a polymer unit with a glass transition point Tg of less than 0 ° C.)

또한, 본 발명의 적층 구조체에 있어서는, 상기 수지층 (B)의 광중합 개시제로서, 광 염기 발생제를 포함하는 것이 바람직하다. 추가로, 본 발명의 적층 구조체에 있어서는, 상기 수지층 (A)가 광중합 개시제를 포함하지 않는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.Moreover, in the laminated structure of this invention, it is preferable to contain a photobase generator as a photoinitiator of the said resin layer (B). Further, in the laminated structure of the present invention, it is preferable that the resin layer (A) is made of an alkali-developing resin composition that does not contain a photopolymerization initiator.

본 발명의 적층 구조체는, 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 사용할 수 있고, 또한 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이, 솔더 레지스트 및 층간 절연 재료 중 적어도 어느 하나의 용도에 사용할 수 있다.The laminated structure of the present invention can be used for at least one of a bent portion and a non-flexed portion of a flexible printed wiring board, and can also be used for at least one of a coverlay, a solder resist, and an interlayer insulating material of the flexible printed wiring board.

또한, 본 발명의 드라이 필름은, 상기 본 발명의 적층 구조체의 적어도 편면이, 필름으로 지지 또는 보호되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.In addition, the dry film of the present invention is characterized in that at least one side of the laminated structure of the present invention is supported or protected by a film.

추가로, 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판은, 상기 본 발명의 적층 구조체를 사용한 절연막을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.Further, the flexible printed wiring board of the present invention is characterized by having an insulating film using the laminated structure of the present invention.

여기서, 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판은, 플렉시블 프린트 배선판 상에 상기 본 발명의 적층 구조체의 층을 형성하고, 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상액으로 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 절연막을 갖는 것이어도 된다. 또한, 본 발명에 따른 적층 구조체를 사용하지 않고, 플렉시블 프린트 배선판 상에 수지층 (A)와 수지층 (B)를 순차 형성하고, 그 후에 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상액으로 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 절연막을 갖는 것이어도 된다. 또한, 본 발명에 있어서 「패턴」이란 패턴상의 경화물, 즉, 절연막을 의미한다.Here, the flexible printed wiring board of the present invention may have an insulating film formed by forming a layer of the laminate structure of the present invention on the flexible printed wiring board, patterning it by light irradiation, and collectively forming a pattern with a developer. Further, without using the laminated structure according to the present invention, the resin layer (A) and the resin layer (B) are sequentially formed on a flexible printed wiring board, and then patterned by light irradiation, and the pattern is collectively formed with a developer. It may have an insulating film formed. In addition, in the present invention, "pattern" means a patterned cured product, that is, an insulating film.

본 발명에 따르면, 솔더 레지스트 및 커버레이 양쪽의 요구 성능을 만족하고, 지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도하게 심 폴딩하여도 우수한 크랙 내성을 갖는, 적층 구조체를 제공할 수 있다. 덧붙여, 플렉시블 프린트 배선판의 절연막, 특히 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)의 일괄 형성 프로세스에 적합한 적층 구조체, 드라이 필름, 및 그의 경화물을 보호막, 예를 들어 커버레이 또는 솔더 레지스트로서 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 실현하는 것이 가능하게 되었다.According to the present invention, it is possible to provide a laminate structure that satisfies the required performances of both the solder resist and the coverlay, and has higher flexural properties than above, particularly excellent crack resistance even when excessive seam folding is performed. In addition, an insulating film of a flexible printed wiring board, in particular, a laminate structure, a dry film, and a cured product suitable for the batch forming process of a bent portion (bending portion) and a mounting portion (non-bending portion) having a protective film, such as a coverlay or a solder resist It became possible to realize a flexible printed wiring board.

도 1은 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 2는 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 예를 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 3은 실시예에 있어서의 MIT 시험을 나타내는 개략 설명도이다.
도 4는 실시예에 있어서의 심 폴딩 시험을 나타내는 개략 설명도이다.
1 is a process diagram schematically showing an example of a method for manufacturing a flexible printed wiring board of the present invention.
2 is a process diagram schematically showing another example of the method for manufacturing a flexible printed wiring board of the present invention.
3 is a schematic explanatory diagram showing an MIT test in an example.
4 is a schematic explanatory diagram showing a seam folding test in Examples.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail.

(적층 구조체)(Laminated structure)

본 발명의 적층 구조체는, 수지층 (A)와, 수지층 (A)를 통해 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 수지층 (B)를 갖는 것이다. 여기서, 본 발명의 적층 구조체에 있어서, 수지층 (A) 및 수지층 (B)는 각각 실질적으로 접착층 및 보호층으로서 기능한다. 본 발명의 적층 구조체는, 수지층 (B)가 알칼리 용해성 수지, 광중합 개시제, 열반응성 화합물 및 블록 공중합체(block copolymer, 「BCP」라고도 칭함)를 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어짐과 함께, 수지층 (A)가, 알칼리 용해성 수지 및 열반응성 화합물을 포함하는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어지는 점에 특징을 갖는다.The laminated structure of the present invention has a resin layer (A) and a resin layer (B) laminated on a flexible printed wiring board through the resin layer (A). Here, in the laminated structure of the present invention, the resin layer (A) and the resin layer (B) function substantially as adhesive layers and protective layers, respectively. The layered structure of the present invention, while the resin layer (B) is made of a photosensitive thermosetting resin composition comprising an alkali-soluble resin, a photopolymerization initiator, a heat-reactive compound and a block copolymer (also referred to as "block copolymer" (BCP)), can be The base layer (A) is characterized by comprising an alkali developing resin composition containing an alkali-soluble resin and a heat-reactive compound.

본 발명에 있어서는, 2층의 수지층이 적층되어 이루어지는 적층 구조체 중 상층측의 수지층 (B)에 블록 공중합체를 함유시킴으로써, 지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성 및 우수한 내열성을 양호한 밸런스로 실현하는 것이 가능하게 되었다.In the present invention, by containing a block copolymer in the resin layer (B) on the upper layer side of the laminated structure formed by laminating two layers of resin layers, the above-mentioned high bending property, particularly excellent crack resistance against excessive seam folding, and It became possible to realize excellent heat resistance with a good balance.

부언하면, 이러한 본 발명의 적층 구조체는, 플렉시블 기판에 구리 회로가 형성된 플렉시블 프린트 배선판 상에, 수지층 (A)와 수지층 (B)를 차례로 갖고, 상층측의 수지층 (B)가 광 조사에 의해 패터닝 가능한 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 것이며, 하층측의 수지층 (A)가 광중합 개시제를 포함하지 않아도, 수지층 (B)와 수지층 (A)가 현상에 의해 패턴을 일괄 형성하는 것이 가능해지는 것이다.In other words, such a laminated structure of the present invention has a resin layer (A) and a resin layer (B) on a flexible printed wiring board in which a copper circuit is formed on a flexible substrate, and the resin layer (B) on the upper layer side is irradiated with light. It consists of a photosensitive thermosetting resin composition which can be patterned by, and even if the resin layer (A) of the lower layer side does not contain a photopolymerization initiator, it is possible to form a pattern by the resin layer (B) and the resin layer (A) collectively by development. It becomes.

그 이유는, 프린트 배선판측의 수지층 (A)가 광중합 개시제를 포함하지 않는 경우, 일반적으로, 이 수지층 (A)는 단층으로는 패터닝이 불가능하지만, 본 발명의 적층 구조체에 있어서는, 노광 시에는, 그의 상층의 수지층 (B)에 포함되는 광중합 개시제로부터 발생한 라디칼 등의 활성종이 바로 아래의 수지층 (A)로 확산됨으로써, 양층은 동시에 패터닝하는 것이 가능해지기 때문이다.The reason is that, when the resin layer (A) on the printed wiring board side does not contain a photopolymerization initiator, in general, this resin layer (A) cannot be patterned as a single layer, but in the laminated structure of the present invention, during exposure This is because active species such as radicals generated from the photopolymerization initiator contained in the resin layer (B) of the upper layer diffuse into the resin layer (A) immediately below, so that both layers can be patterned simultaneously.

[수지층 (A)][Resin layer (A)]

(알칼리 현상형 수지 조성물)(Alkali development type resin composition)

수지층 (A)를 구성하는 알칼리 현상형 수지 조성물로서는, 페놀성 수산기, 카르복실기 중 1종 이상의 관능기를 함유하고, 알칼리 용액으로 현상 가능한 알칼리 용해성 수지와, 열반응성 화합물을 포함하는 조성물이면 된다. 바람직하게는 페놀성 수산기를 갖는 화합물, 카르복실기를 갖는 화합물, 페놀성 수산기 및 카르복실기를 갖는 화합물을 포함하는 수지 조성물을 들 수 있고, 공지 관용의 것이 사용된다.The alkali developing type resin composition constituting the resin layer (A) may be a composition containing an alkali-soluble resin developable with an alkali solution and a heat-reactive compound, containing at least one functional group among phenolic hydroxyl groups and carboxyl groups. Preferably, a resin composition containing a compound having a phenolic hydroxyl group, a compound having a carboxyl group, a compound having a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group is used, and a known conventional one is used.

예를 들어, 종래부터 솔더 레지스트 조성물로서 사용되고 있는, 카르복실기 함유 수지 또는 카르복실기 함유 감광성 수지와, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과, 열반응성 화합물을 포함하는 수지 조성물을 들 수 있다.For example, a resin composition containing a carboxyl group-containing resin or a carboxyl group-containing photosensitive resin, a compound having an ethylenically unsaturated bond, and a heat-reactive compound, which has been conventionally used as a solder resist composition.

여기서, 카르복실기 함유 수지 또는 카르복실기 함유 감광성 수지, 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물로서는, 공지 관용의 화합물이 사용되고,Here, as a compound having a carboxyl group-containing resin or a carboxyl group-containing photosensitive resin, and an ethylenically unsaturated bond, a known conventional compound is used,

또한, 열반응성 화합물로서는, 수지층 (B)에 있어서 사용하는 열반응성 화합물과 동일한 환상 (티오)에테르기 등의 열에 의한 경화 반응이 가능한 관능기를 갖는 공지 관용의 화합물이 사용된다.Moreover, as a heat-reactive compound, the well-known conventional compound which has the functional group capable of hardening reaction by heat, such as a cyclic (thio) ether group, the same as the heat-reactive compound used in the resin layer (B) is used.

이러한 수지층 (A)는 광중합 개시제를 포함하고 있어도 포함하고 있지 않아도 되지만, 광중합 개시제를 포함하는 경우에 사용하는 광중합 개시제로서는, 수지층 (B)에 있어서 사용하는 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다.Although such resin layer (A) may or may not contain a photoinitiator, the same photopolymerization initiator used in the resin layer (B) is used as the photopolymerization initiator used when the photopolymerization initiator is included.

또한, 본 발명에 있어서는 수지층 (B)에 블록 공중합체를 함유시킬 필요가 있지만, 수지층 (A)에도, 본원 발명의 효과, 즉, 솔더 레지스트 및 커버레이 양쪽의 요구 성능에 영향을 미치지 않을 정도로 블록 공중합체를 함유시켜도 된다. 이 경우의 블록 공중합체로서는, 수지층 (B)에 있어서 사용하는 블록 공중합체와 동일한 것을 사용할 수 있다. 수지층 (A)에 있어서의 블록 공중합체의 배합량은, 바람직하게는 알칼리 용해성 수지 100질량부에 대하여 15질량부 이하이고, 보다 바람직하게는 3질량부 이하이고, 특히 바람직하게는, 수지층 (A)에는 블록 공중합체를 함유시키지 않고, 수지층 (B)에만 함유시킨다. 블록 공중합체의 배합량이 15질량부 이하이면, 현상성, 굴곡성, 크랙 내성 및 내열성에 영향을 미치지 않는다.Further, in the present invention, it is necessary to contain the block copolymer in the resin layer (B), but the resin layer (A) also does not affect the effects of the present invention, that is, the required performance of both the solder resist and the coverlay. You may contain a block copolymer to an extent. As a block copolymer in this case, the same thing as the block copolymer used in the resin layer (B) can be used. The blending amount of the block copolymer in the resin layer (A) is preferably 15 parts by mass or less, more preferably 3 parts by mass or less, and particularly preferably, the resin layer ( The block copolymer is not contained in A), but only in the resin layer (B). When the blending amount of the block copolymer is 15 parts by mass or less, the developability, flexibility, crack resistance and heat resistance are not affected.

[수지층 (B)][Resin layer (B)]

(감광성 열경화성 수지 조성물)(Photosensitive thermosetting resin composition)

수지층 (B)를 구성하는 감광성 열경화성 수지 조성물은, 알칼리 용해성 수지와, 광중합 개시제와, 열반응성 화합물과, 블록 공중합체를 포함하는 것이다.The photosensitive thermosetting resin composition constituting the resin layer (B) includes an alkali-soluble resin, a photopolymerization initiator, a heat-reactive compound, and a block copolymer.

(알칼리 용해성 수지)(Alkali soluble resin)

알칼리 용해성 수지로서는, 상기 수지층 (A)와 동일한 공지 관용의 것을 사용할 수 있지만, 내굴곡성, 내열성 등의 특성이 보다 우수한, 이미드 구조 및 아미드 구조 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 카르복실기 함유 수지를 적합하게 사용할 수 있다.As the alkali-soluble resin, the same conventionally used one as the resin layer (A) can be used, but a carboxyl group-containing resin having at least one of an imide structure and an amide structure, which is more excellent in properties such as bending resistance and heat resistance, is suitably used. Can be used.

이 이미드 구조 및 아미드 구조 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 카르복실기 함유 수지로서는, (1) 이미드 구조 및 아미드 구조를 갖는 카르복실기 함유 수지와, (2) 이미드 구조를 갖고 아미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지와, (3) 아미드 구조를 갖고 이미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지를 들 수 있고, 이들 수지는 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 이미드 구조 및 아미드 구조 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 카르복실기 함유 수지 중에서도, 이미드 구조 및 아미드 구조를 갖는 카르복실기 함유 수지를 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the carboxyl group-containing resin having at least one of the imide structure and the amide structure include (1) a carboxyl group-containing resin having an imide structure and an amide structure, and (2) a carboxyl group-containing resin having an imide structure and not having an amide structure. And (3) carboxyl group-containing resins having an amide structure and no imide structure, and these resins can be used alone or as a mixture of two or more. In the present invention, it is preferable to use a carboxyl group-containing resin having an imide structure and an amide structure among carboxyl group-containing resins having at least one of an imide structure and an amide structure.

또한, 이미드 구조 및 아미드 구조 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 카르복실기 함유 수지는, 추가로 페놀성 수산기를 갖고 있어도 된다.Moreover, the carboxyl group-containing resin having at least either of an imide structure and an amide structure may further have a phenolic hydroxyl group.

(1) 이미드 구조 및 아미드 구조를 갖는 카르복실기 함유 수지(1) A carboxyl group-containing resin having an imide structure and an amide structure

이미드 구조 및 아미드 구조를 갖는 카르복실기 함유 수지는, 폴리아미드이미드 수지인 것이 바람직하고, 예를 들어 적어도 카르복실기 함유 디아민을 포함하는 디아민과, 적어도 3개의 카르복실기를 갖고 그들 중 2개가 무수화되어 있는 산 무수물을 포함하는 산 무수물 (a1)을 반응시켜 이미드화물을 얻은 후, 얻어진 이미드화물과 디이소시아네이트 화합물을 포함하는 반응 원료를 반응시켜 얻을 수 있다. 상기 반응 원료에는, 후술하는 바와 같이, 상기 이미드화물 및 디이소시아네이트 화합물에 더하여 추가로, 적어도 3개의 카르복실기를 가지며 그들 중 2개가 무수화되어 있는 산 무수물 (a2)를 함유시키는 것이 바람직하다.The carboxyl group-containing resin having an imide structure and an amide structure is preferably a polyamideimide resin, for example, diamine containing at least carboxyl group-containing diamine and at least three carboxyl groups, and an acid in which two of them are anhydrous It can be obtained by reacting an acid anhydride containing anhydride (a1) to obtain an imide, and then reacting the obtained imide with a reaction raw material containing a diisocyanate compound. As described later, it is preferable that the reaction raw material further contains an acid anhydride (a2) having at least three carboxyl groups and two of them anhydrous in addition to the imide and diisocyanate compounds.

여기서, 상기 폴리아미드이미드 수지의 합성에 사용되는 디아민으로서는, 적어도 카르복실기 함유 디아민을 포함하지만, 에테르 결합을 갖는 디아민을 병용하는 것이 바람직하다.Here, as the diamine used in the synthesis of the polyamideimide resin, at least a carboxyl group-containing diamine is included, but it is preferable to use a diamine having an ether bond in combination.

카르복실기 함유 디아민으로서는, 예를 들어 3,5-디아미노벤조산, 2,5-디아미노벤조산, 3,4-디아미노벤조산 등의 디아미노벤조산류, 3,5-비스(3-아미노페녹시)벤조산, 3,5-비스(4-아미노페녹시)벤조산 등의 아미노페녹시벤조산류, 3,3'-메틸렌비스(6-아미노벤조산), 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시비페닐 등의 카르복시비페닐 화합물류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄 등의 카르복시디페닐알칸류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐에테르 등의 카르복시디페닐에테르 화합물 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로 또는 적절히 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the carboxyl group-containing diamine include diaminobenzoic acids such as 3,5-diaminobenzoic acid, 2,5-diaminobenzoic acid, and 3,4-diaminobenzoic acid, 3,5-bis (3-aminophenoxy) Aminophenoxybenzoic acids such as benzoic acid and 3,5-bis (4-aminophenoxy) benzoic acid, 3,3'-methylenebis (6-aminobenzoic acid), 3,3'-diamino-4,4'- Carboxybiphenyl compounds such as dicarboxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxydiphenylmethane, 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, etc. And carboxydiphenyl ether compounds such as carboxydiphenyl alkanes and 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxydiphenyl ether. These may be used alone or in combination as appropriate.

또한, 에테르 결합을 갖는 디아민으로서는, 폴리옥시에틸렌디아민이나, 폴리옥시프로필렌디아민, 그 밖에도 탄소쇄수가 다른 옥시알킬렌기를 포함하는 폴리옥시알킬렌디아민 등을 들 수 있다.Further, examples of the diamine having an ether bond include polyoxyethylenediamine, polyoxypropylenediamine, and polyoxyalkylenediamines containing oxyalkylene groups having different carbon chain numbers.

에테르 결합을 갖는 디아민의 분자량은, 200 내지 3,000인 것이 바람직하고, 400 내지 2,000인 것이 보다 바람직하다.The molecular weight of the diamine having an ether bond is preferably 200 to 3,000, and more preferably 400 to 2,000.

폴리옥시알킬렌디아민류로서는, 미국 헌츠만사제의 제파민 ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148, HK-511 등의 폴리옥시에틸렌디아민이나, 제파민 D-230, D-400, D-2000, D-4000 등의 폴리옥시프로필렌디아민이나, 제파민 XTJ-542, XTJ533, XTJ536 등의 폴리테트라메틸렌에틸렌기를 갖는 것 등을 들 수 있다. 또한, 에테르 결합을 갖는 디아민으로서, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판을 사용해도 된다.Examples of polyoxyalkylene diamines include polyoxyethylene diamines such as Jeffamine ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148, HK-511 manufactured by Huntsman, USA, and Jeffamine D-230, D-. And polyoxymethylene ethylene groups such as polyoxypropylene diamines such as 400, D-2000, and D-4000, and Jeffamine XTJ-542, XTJ533, and XTJ536. In addition, 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane may be used as the diamine having an ether bond.

이러한 디아민으로서는, 추가로 그 이외의 디아민을 병용해도 된다. 병용 가능한 다른 디아민으로서는, 범용의 지방족 디아민이나 방향족 디아민 등을 단독으로 또는 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 구체적으로는, 다른 디아민으로서는 예를 들어 p-페닐렌디아민(PPD), 1,3-디아미노벤젠, 2,4-톨루엔디아민, 벤젠핵 1개의 디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르 등의 디아미노디페닐에테르류, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(3-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 3,3'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐술폰 등의 방향족 디아민, 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄 등의 지방족 디아민을 들 수 있다.As such a diamine, other diamines may be used in combination. As other diamines which can be used in combination, general-purpose aliphatic diamines, aromatic diamines, or the like can be used alone or in appropriate combinations. Specifically, as other diamines, for example, p-phenylenediamine (PPD), 1,3-diaminobenzene, 2,4-toluenediamine, one diamine of benzene nucleus, 4,4'-diaminodiphenyl ether , Diaminodiphenyl ethers such as 3,3'-diaminodiphenyl ether and 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyl-4 , 4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 1,3-bis (3-aminophenyl) benzene, 1,3-bis (4-aminophenyl) Benzene, 1,3-bis [2- (4-aminophenyl) isopropyl] benzene, 1,4-bis [2- (3-aminophenyl) isopropyl] benzene, 3,3'-bis (3-amino Phenoxy) biphenyl, 3,3'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-aminophenoxy ) Biphenyl, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, 3 , 3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenylsulfide Aromatic diamines, 1,2-diaminoethane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-dia And aliphatic diamines such as minoheptane and 1,8-diaminooctane.

상기 폴리아미드이미드 수지의 합성에 사용되는 산 무수물 (a1)로서는, 적어도 3개의 카르복실기를 갖고, 그들 중 2개가 무수화되어 있는 산 무수물을 포함한다. 이러한 산 무수물로서는, 방향족환 및 지방족환 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 것을 들 수 있고, 방향족환을 갖는 것으로서 무수 트리멜리트산(트리멜리트산 무수물)(벤젠-1,2,4-트리카르복실산1,2-무수물, TMA), 4,4'-옥시디프탈산 무수물 등, 지방족환을 갖는 것으로서 수소 첨가 트리멜리트산 무수물(시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산-1,2-무수물, H-TMA) 등을 적합하게 들 수 있다. 이들 산 무수물은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The acid anhydride (a1) used for the synthesis of the polyamideimide resin includes an acid anhydride having at least three carboxyl groups and two of them being anhydrous. Examples of such an acid anhydride include those having at least one of an aromatic ring and an aliphatic ring, and having an aromatic ring as trimellitic anhydride (trimellitic anhydride) (benzene-1,2,4-tricarboxylic acid 1) Hydrogenated trimellitic anhydride (cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid-1,2-anhydride) as having an aliphatic ring such as, 2-anhydride, TMA), 4,4'-oxydiphthalic anhydride , H-TMA) and the like. These acid anhydrides may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

또한, 카르복실산 이무수물을 병용해도 된다. 카르복실산 이무수물로서는, 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물 등의 테트라카르복실산 무수물 등을 들 수 있다.Moreover, you may use together carboxylic dianhydride. Examples of the carboxylic dianhydride include tetracarboxylic anhydride such as pyromellitic dianhydride and 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride.

상기 폴리아미드이미드 수지의 합성에 사용되는 디이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체나 다량체, 지방족 디이소시아네이트류, 지환식 디이소시아네이트류 및 그의 이성체 등의 디이소시아네이트나, 기타 범용의 디이소시아네이트류를 사용할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 디이소시아네이트 화합물은 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.As the diisocyanate compound used for the synthesis of the polyamideimide resin, diisocyanates such as aromatic diisocyanates and isomers and multimers thereof, aliphatic diisocyanates, alicyclic diisocyanates and isomers thereof, and other general-purpose diisocyanates Can be used, but is not limited to these. Moreover, you may use these diisocyanate compounds individually or in combination.

상술한 바와 같이, 폴리아미드이미드 수지는, 이미드화물과 디이소시아네이트 화합물을 포함하는 반응 원료를 반응시켜 얻을 수 있지만, 추가로, 이미드화물을 얻을 때에 사용한 것과 동일한 산 무수물 (a2)를 함유시켜도 된다. 이 산 무수물 (a2)로서는, 상술한 산 무수물 (a1)과 동일한 것을 사용해도 되고, 상이한 것을 사용해도 된다. 이 경우의 반응 원료 중의 산 무수물 (a2)의 함유량에 대하여는, 특별히 한정되지 않는다.As described above, the polyamideimide resin can be obtained by reacting a reaction raw material containing an imide product and a diisocyanate compound, but in addition, even if it contains the same acid anhydride (a2) used when obtaining an imide product. do. As this acid anhydride (a2), the same thing as the above-mentioned acid anhydride (a1) may be used, or a different one may be used. The content of the acid anhydride (a2) in the reaction raw material in this case is not particularly limited.

이상 설명한 바와 같은 폴리아미드이미드 수지는, 특히 카르복실기 함유 디아민 및 에테르 결합을 갖는 디아민과, 지환식의 트리멜리트산인 H-TMA를 사용하는 것이, 알칼리 용해성이 높아지고, 현상성이 향상되는 점에서 보다 바람직하다. 또한, 동일한 이유로부터, 이러한 폴리아미드이미드 수지는, 2단계째의 반응에 있어서 지방족의 디이소시아네이트 화합물을 사용하는 것도 바람직하다. 이에 의해, 지방쇄나 지환 구조를 유효하게 구조 내에 도입함으로써, 특성을 크게 저하시키지 않고 알칼리 용해성을 높이는 것이 가능해진다.As for the polyamideimide resin as described above, in particular, the use of diamine having a carboxyl group-containing diamine and an ether bond and H-TMA, an alicyclic trimellitic acid, improves alkali solubility and improves developability. desirable. Moreover, for the same reason, it is also preferable to use an aliphatic diisocyanate compound in the reaction in the second step. Thereby, it is possible to effectively increase the alkali solubility without significantly lowering the properties by effectively introducing the fatty chain or alicyclic structure into the structure.

또한, 이미드 구조 및 아미드 구조를 갖는 카르복실기 함유 수지로서는, 하기 일반식 (1)로 나타나는 구조 및 하기 일반식 (2)로 나타나는 구조를 갖는 폴리아미드이미드 수지를 사용할 수 있다.Moreover, as the carboxyl group-containing resin having an imide structure and an amide structure, a polyamideimide resin having a structure represented by the following general formula (1) and a structure represented by the following general formula (2) can be used.

Figure pct00001
Figure pct00001

여기서, X1은 탄소수가 24 내지 48인 다이머산 유래의 지방족 디아민 (a)의 잔기이다. X2는 카르복실기를 갖는 방향족 디아민 (b)의 잔기이다. Y는 각각 독립적으로 시클로헥산환 또는 방향환이다.Here, X 1 is a residue of an aliphatic diamine (a) derived from dimer acid having 24 to 48 carbon atoms. X 2 is a residue of an aromatic diamine (b) having a carboxyl group. Y is each independently a cyclohexane ring or an aromatic ring.

구체적으로는, 이러한 구조를 갖는 폴리아미드이미드 수지로서는, 하기 일반식 (3)으로 나타나는 것을 들 수 있다.Specifically, examples of the polyamideimide resin having such a structure include those represented by the following general formula (3).

Figure pct00002
Figure pct00002

상기 일반식 (3) 중, X는 각각 독립적으로 디아민 잔기, Y는 각각 독립적으로 방향환 또는 시클로헥산환, Z는 디이소시아네이트 화합물의 잔기이다. n은 자연수이다.In the general formula (3), X is independently a diamine residue, Y is each independently an aromatic ring or a cyclohexane ring, and Z is a residue of a diisocyanate compound. n is a natural number.

(2) 이미드 구조를 갖고 아미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지(2) A carboxyl group-containing resin having an imide structure and no amide structure

이미드 구조를 갖고 아미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지는, 카르복실기와 이미드환을 갖는 수지라면 특별히 한정되지 않는다. 이미드 구조를 갖고 아미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지의 합성에는, 카르복실기 함유 수지에 이미드환을 도입하는 공지 관용의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 카르복실산 무수물 성분과 아민 성분 및/또는 이소시아네이트 성분을 반응시켜 얻어지는 수지를 들 수 있다. 이미드화는 열 이미드화로 행해도, 화학 이미드화로 행해도 되고, 또한 이들을 병용하여 제조할 수 있다.The carboxyl group-containing resin having an imide structure and no amide structure is not particularly limited as long as it is a resin having a carboxyl group and an imide ring. For synthesis of a carboxyl group-containing resin having an imide structure and no amide structure, a known conventional method of introducing an imide ring into a carboxyl group-containing resin can be used. For example, a resin obtained by reacting a carboxylic acid anhydride component with an amine component and / or an isocyanate component is mentioned. The imidization may be carried out by thermal imidization or chemical imidization, or may be used in combination.

여기서, 카르복실산 무수물 성분으로서는, 테트라카르복실산 무수물이나 트리카르복실산 무수물 등을 들 수 있지만, 이들 산 무수물에 한정되는 것은 아니며, 아미노기나 이소시아네이트기와 반응하는 산 무수물기 및 카르복실기를 갖는 화합물이면, 그의 유도체를 포함하여 사용할 수 있다. 또한, 이들 카르복실산 무수물 성분은 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.Here, examples of the carboxylic acid anhydride component include tetracarboxylic anhydride, tricarboxylic anhydride, and the like, but are not limited to these acid anhydrides, and are compounds having an acid anhydride group and a carboxyl group reacting with an amino group or an isocyanate group. , And derivatives thereof. Moreover, you may use these carboxylic acid anhydride components individually or in combination.

테트라카르복실산 무수물로서는, 예를 들어 피로멜리트산 이무수물, 3-플루오로피로멜리트산 이무수물, 3,6-디플루오로피로멜리트산 이무수물, 3,6-비스(트리플루오로메틸)피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 4,4'-옥시디프탈산 이무수물, 2,2'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 6,6'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물 및 2,2',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 이무수물, 3,3",4,4"-터페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3'",4,4'"-쿼터페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3"",4,4""-퀸크페닐테트라카르복실산 이무수물, 메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1-에티닐리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 디플루오로메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2-테트라플루오로-1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3,4,4-옥타플루오로-1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-데카플루오로-1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 티오-4,4'-디프탈산 이무수물, 술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸실록산 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 이무수물, 1,3-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 이무수물, 1,4-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 이무수물, 비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 이무수물, 비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 이무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페녹시)디메틸실란 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 이무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 시클로헥산-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비시클로헥실테트라카르복실산 이무수물, 카르보닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 메틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,1-에티닐리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-프로필리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 옥시-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 티오-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 술포닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 3,3'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 9-페닐-9-(트리플루오로메틸)크산텐-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 9,9-비스(트리플루오로메틸)크산텐-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 비시클로[2,2,2]옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 9,9-비스[4-(3,4-디카르복시)페닐]플루오렌 이무수물, 9,9-비스[4-(2,3-디카르복시)페닐]플루오렌 이무수물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트 이무수물, 1,2-(에틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,3-(트리메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,4-(테트라메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,5-(펜타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,6-(헥사메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,7-(헵타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,8-(옥타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,9-(노나메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,10-(데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,12-(도데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,16-(헥사데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,18-(옥타데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물) 등을 들 수 있다. 트리카르복실산 무수물로서는, 예를 들어 트리멜리트산 무수물이나 핵수첨 트리멜리트산 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the tetracarboxylic acid anhydride include pyromellitic dianhydride, 3-fluoropyromellitic dianhydride, 3,6-difluoropyromellitic dianhydride, and 3,6-bis (trifluoromethyl). Pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4,4'-ox Cydiphthalic dianhydride, 2,2'-difluoro-3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5,5'-difluoro-3,3', 4,4 '-Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 6,6'-difluoro-3,3', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 5,5', 6 , 6'-hexafluoro-3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -3,3', 4,4'- Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5,5'-bis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 6,6'-bis (trifluoro Romethyl) -3,3 ', 4,4'-biphenylte Lacarboxylic dianhydride, 2,2 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5,5', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) ) -3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 2,2', 5,5 ', 6,6'-hexakis (trifluoromethyl) -3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ", 4,4" -terphenyltetracarboxylic dianhydride, 3 , 3 '", 4,4'"-quaterphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 "", 4,4 ""-quinquephenyltetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic acid Dianhydride, 1,1-ethynidene-4,4'-diphthalic acid dianhydride, 2,2-propylidene-4,4'-diphthalic acid dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-di Phthalic dianhydride, 1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,4-tetramethylene-4,4'-diphthalic acid Dihydrate, 1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoro Propane dianhydride, difluoromethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1,2,2-tetrafluoro-1,2-ethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1 , 2,2,3,3-hexafluoro-1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoro- 1,4-tetramethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-decafluoro-1,5-pentamethylene-4, 4'-diphthalic dianhydride, thio-4,4'-diphthalic dianhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1, 1,3,3-tetramethylsiloxane dianhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) benzene dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxyphenyl) benzene dianhydride, 1, 3-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) benzene dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) benzene dianhydride, 1,3-bis [2- (3,4-di Carboxyphenyl) -2-propyl] benzene dianhydride, 1,4-bis [2- (3,4-dicarboxyphenyl) -2-propyl] benzene dianhydride, bis [3- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl ] Methane dianhydride, bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] methane dianhydride, 2,2-bis [3- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, 2 , 2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, 2,2-bis [3- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] -1,1,1, 3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenoxy) dimethylsilane Dianhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1 , 2,7,8-phenanthrene tetracarbox Acid dianhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1 , 2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-bicyclohexyltetracarboxylic dianhydride Water, carbonyl-4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, methylene-4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride , 1,2-ethylene-4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 1,1-ethynidene-4,4'-bis (cyclohexane-1,2 -Dicarboxylic acid) dianhydride, 2,2-propylidene-4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 1,1,1,3,3,3- Hexafluoro-2,2-propylidene-4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, oxy-4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dica Leic acid) dianhydride, thio-4,4'-bis Clohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, sulfonyl-4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 3,3'-difluorooxy- 4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5'-difluorooxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 6,6'-difluorooxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3 ', 5,5', 6,6'-hexafluorooxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-bis (trifluoromethyl) oxy-4,4'-di Phthalic dianhydride, 5,5'-bis (trifluoromethyl) oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 6,6'-bis (trifluoromethyl) oxy-4,4'-diphthalic dianhydride Water, 3,3 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) Oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3', 5,5 ', 6,6'-hexakis (trifluoromethyl) oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-difluorosulfonyl-4,4' -Diphthalic acid dianhydride, 5,5'-difluorosulfonyl-4,4'-diphthalic acid dianhydride, 6,6'-difluorosulfonyl-4,4'-diphthalic acid dianhydride, 3, 3 ', 5,5', 6,6'-hexafluorosulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-bis (trifluoromethyl) sulfonyl-4,4'-di Phthalic dianhydride, 5,5'-bis (trifluoromethyl) sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 6,6'-bis (trifluoromethyl) sulfonyl-4,4'-di Phthalic dianhydride, 3,3 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3', 6,6'-tetrakis (trifluor Romethyl) sulfonyl-4,4'-diphthalic acid dianhydride, 5,5 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) sulfonyl-4,4'-diphthalic acid dianhydride, 3,3 ', 5,5', 6,6'-hexakis (trifluoromethyl) sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-difluoro-2,2-perfluoropropyl Liden-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5'-difluoro-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic acid Dianhydride, 6,6'-difluoro-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3 ', 5,5', 6,6'-hexafluoro -2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4'-di Phthalic dianhydride, 5,5'-bis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 6,6'-difluoro-2,2- Perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4'- Diphthalic dianhydride, 3,3 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5', 6 , 6'-tetrakis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3 ', 5,5', 6,6'-hexakis (Trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 9-phenyl-9- (triple Luoromethyl) xanthene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis (trifluoromethyl) xanthene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride , Bicyclo [2,2,2] oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis [4- (3,4-dicarboxy) phenyl] flu Oren dianhydride, 9,9-bis [4- (2,3-dicarboxy) phenyl] fluorene dianhydride, ethylene glycol bistrimellitate dianhydride, 1,2- (ethylene) bis (trimellitate anhydride) , 1,3- (trimethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,4- (tetramethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,5- (pentamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1 , 6- (hexamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,7- (heptamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,8- (octamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,9 -(Nonmethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,10- (decamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,1 2- (dodecamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,16- (hexadecamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,18- (octadecamethylene) bis (trimellitate anhydride), etc. Can be lifted. Examples of the tricarboxylic anhydride include trimellitic anhydride, nuclear hydrogenated trimellitic anhydride, and the like.

아민 성분으로서는, 지방족 디아민이나 방향족 디아민 등의 디아민, 지방족 폴리에테르아민 등의 다가 아민, 카르복실산을 갖는 디아민, 페놀성 수산기를 갖는 디아민 등을 사용할 수 있지만, 이들 아민에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 아민 성분은 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.As the amine component, diamines such as aliphatic diamines and aromatic diamines, polyamines such as aliphatic polyetheramines, diamines having carboxylic acids, diamines having phenolic hydroxyl groups, and the like can be used, but are not limited to these amines. Moreover, you may use these amine components individually or in combination.

디아민으로서는, 예를 들어 p-페닐렌디아민(PPD), 1,3-디아미노벤젠, 2,4-톨루엔디아민, 2,5-톨루엔디아민, 2,6-톨루엔디아민 등의 벤젠핵 1개의 디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르 등의 디아미노디페닐에테르류, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 비스(4-아미노페닐)술피드, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 3,3'-디클로로벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘(o-톨리딘), 2,2'-디메틸벤지딘(m-톨리딘), 3,3'-디메톡시벤지딘, 2,2'-디메톡시벤지딘, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술피드, 3,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디메톡시벤조페논, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 3,3'-디아미노디페닐술폭시드, 3,4'-디아미노디페닐술폭시드, 4,4'-디아미노디페닐술폭시드, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄 등의 벤젠핵 2개의 디아민, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)-4-트리플루오로메틸벤젠, 3,3'-디아미노-4-(4-페닐)페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디(4-페닐페녹시)벤조페논, 1,3-비스(3-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(3-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠 등의 벤젠핵 3개의 디아민, 3,3'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 등의 벤젠핵 4개의 디아민 등의 방향족 디아민, 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸, 1,11-디아미노운데칸, 1,12-디아미노도데칸, 1,2-디아미노시클로헥산 등의 지방족 디아민을 들 수 있고, 지방족 폴리에테르아민으로서는, 에틸렌글리콜 및/또는 프로필렌글리콜계의 다가 아민 등을 들 수 있다.As the diamine, for example, diamine of one benzene nucleus such as p-phenylenediamine (PPD), 1,3-diaminobenzene, 2,4-toluenediamine, 2,5-toluenediamine, and 2,6-toluenediamine , Diaminodiphenyl ethers such as 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, and 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodi Phenylmethane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-bis (trifluoromethyl)- 4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenyl Methane, bis (4-aminophenyl) sulfide, 4,4'-diaminobenzanilide, 3,3'-dichlorobenzidine, 3,3'-dimethylbenzidine (o-tolidine), 2,2'-dimethyl Benzidine (m-tolidine), 3,3'-dimethoxybenzidine, 2,2'-dimethoxybenzidine, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4, 4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diami Nodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone , 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminobenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-dichlorobenzophenone, 3,3'-diamino-4,4 '-Dimethoxybenzophenone, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (3-aminophenyl ) Propane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (4-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 3,3'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfoxide, 4, 2 diamines, 1,3-bis (3-aminophenyl) benzene, such as 4'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, 1 , 3-bis (4-aminophenyl) benzene, 1,4-bis (3-aminophenyl) benzene, 1,4-bis (4-aminophene) ) Benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) -4-trifluoromethylbenzene, 3,3'-diamino-4- (4-phenyl) phenoxybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-di (4-phenylphenoxy) benzophenone, 1,3-bis (3-aminophenylsulfide) benzene, 1,3-bis (4-aminophenylsulfide) benzene, 1,4-bis (4-aminophenyl) Sulfide) benzene, 1,3-bis (3-aminophenylsulfone) benzene, 1,3-bis (4-aminophenylsulfone) benzene, 1,4-bis (4-aminophenylsulfone) benzene, 1,3 -Bis [2- (4-aminophenyl) isopropyl] benzene, 1,4-bis [2- (3-aminophenyl) isopropyl] benzene, 1,4-bis [2- (4-aminophenyl) iso Propyl] 3 diamines such as benzene, 3,3'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 3,3'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis ( 3-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] eth , Bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (4-aminophenoxy Si) phenyl] ketone, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl ] Sulfide, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3- ( 4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, 2,2-bis [3- (3 -Aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] prop Plate, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3- (3 -Aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3 , 3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] aromatic diamines, such as four diamines of four benzene nuclei, such as 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,2-diaminoethane, 1 , 3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminooctane, 1,9 And aliphatic diamines such as diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12-diaminododecane and 1,2-diaminocyclohexane, and aliphatic. Examples of the polyetheramine include ethylene glycol and / or propylene glycol polyhydric amines. .

카르복실기를 갖는 아민으로서는, 3,5-디아미노벤조산, 2,5-디아미노벤조산, 3,4-디아미노벤조산 등의 디아미노벤조산류, 3,5-비스(3-아미노페녹시)벤조산, 3,5-비스(4-아미노페녹시)벤조산 등의 아미노페녹시벤조산류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디카르복시비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-디카르복시비페닐, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시비페닐 등의 카르복시비페닐 화합물류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스[3-아미노-4-카르복시페닐]프로판, 2,2-비스[4-아미노-3-카르복시페닐]프로판, 2,2-비스[3-아미노-4-카르복시페닐]헥사플루오로프로판, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시디페닐메탄 등의 카르복시디페닐메탄 등의 카르복시디페닐알칸류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-3,3'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-2,2'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시디페닐에테르 등의 카르복시디페닐에테르 화합물, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-3,3'-디카르복시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-2,2'-디카르복시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시디페닐술폰 등의 디페닐술폰 화합물, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-카르복시페녹시)페닐]프로판 등의 비스[(카르복시페닐)페닐]알칸 화합물류, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-카르복시페녹시)페닐]술폰 등의 비스[(카르복시페녹시)페닐]술폰 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the amine having a carboxyl group include diaminobenzoic acids such as 3,5-diaminobenzoic acid, 2,5-diaminobenzoic acid and 3,4-diaminobenzoic acid, 3,5-bis (3-aminophenoxy) benzoic acid, Aminophenoxybenzoic acids such as 3,5-bis (4-aminophenoxy) benzoic acid, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3 Carboxy, such as '-dicarboxybiphenyl, 4,4'-diamino-2,2'-dicarboxybiphenyl, 4,4'-diamino-2,2', 5,5'-tetracarboxybiphenyl Biphenyl compounds, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxydiphenylmethane, 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis [3 -Amino-4-carboxyphenyl] propane, 2,2-bis [4-amino-3-carboxyphenyl] propane, 2,2-bis [3-amino-4-carboxyphenyl] hexafluoropropane, 4,4 Carboxydiphenyl alkanes, such as carboxydiphenylmethane, such as '-diamino-2,2', 5,5'-tetracarboxydiphenylmethane, 3,3'-diamino-4,4'-dicarbox Diphenyl ether, 4,4'-diamino-3,3'-dicarboxydiphenyl ether, 4,4'-diamino-2,2'-dicarboxydiphenyl ether, 4,4'-diamino- Carboxydiphenyl ether compounds such as 2,2 ', 5,5'-tetracarboxydiphenyl ether, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxydiphenylsulfone, 4,4'-diamino- 3,3'-dicarboxydiphenylsulfone, 4,4'-diamino-2,2'-dicarboxydiphenylsulfone, 4,4'-diamino-2,2 ', 5,5'-tetracarboxy Diphenylsulfone compounds such as diphenylsulfone, bis [(carboxyphenyl) phenyl] alkane compounds such as 2,2-bis [4- (4-amino-3-carboxyphenoxy) phenyl] propane, 2,2- And bis [(carboxyphenoxy) phenyl] sulfone compounds such as bis [4- (4-amino-3-carboxyphenoxy) phenyl] sulfone.

이소시아네이트 성분으로서는, 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체나 다량체, 지방족 디이소시아네이트류, 지환식 디이소시아네이트류 및 그의 이성체 등의 디이소시아네이트나 기타 범용의 디이소시아네이트류를 사용할 수 있지만, 이들 이소시아네이트에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 이소시아네이트 성분은 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.As the isocyanate component, diisocyanates such as aromatic diisocyanates and isomers and multimers thereof, aliphatic diisocyanates, alicyclic diisocyanates and isomers thereof, and other general-purpose diisocyanates can be used, but are not limited to these isocyanates. . Moreover, you may use these isocyanate components individually or in combination.

디이소시아네이트로서는, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 비페닐디이소시아네이트, 디페닐술폰디이소시아네이트, 디페닐에테르디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체, 다량체, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트류, 혹은 상기 방향족 디이소시아네이트를 수소 첨가한 지환식 디이소시아네이트류 및 이성체, 혹은 기타 범용의 디이소시아네이트류를 들 수 있다.Examples of the diisocyanate include aromatics such as 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, naphthalene diisocyanate, xylylene diisocyanate, biphenyl diisocyanate, diphenyl sulfone diisocyanate, and diphenyl ether diisocyanate. Aliphatic diisocyanates such as diisocyanate and isomers, multimers, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane diisocyanate, or alicyclic diisocyanates and isomers obtained by hydrogenating the aromatic diisocyanate, or And other general-purpose diisocyanates.

(3) 아미드 구조를 갖고 이미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지(3) A carboxyl group-containing resin having an amide structure and no imide structure

아미드 구조를 갖고 이미드 구조를 갖지 않는 카르복실기 함유 수지는, 카르복실기와 아미드 결합을 갖는 수지라면, 특별히 한정되지 않는다.The carboxyl group-containing resin having an amide structure and no imide structure is not particularly limited as long as it is a resin having a carboxyl group and an amide bond.

이상 설명한 바와 같은 본 발명의 알칼리 용해성 수지로서 적합하게 사용되는 카르복실기 함유 수지는, 포토리소그래피 공정에 대응하기 위해서, 그의 산가가 20 내지 200mgKOH/g인 것이 바람직하고, 60 내지 150mgKOH/g인 것이 보다 바람직하다. 이 산가가 20mgKOH/g 이상이면, 알칼리에 대한 용해성이 증가하고, 현상성이 양호해지며, 나아가 광 조사 후의 열경화 성분과의 가교도가 높아지기 때문에, 충분한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다. 한편, 이 산가가 200mgKOH/g 이하이면, 정확한 패턴 묘화가 용이해지고, 특히 후술하는 광 조사 후의 PEB(POST EXPOSURE BAKE) 공정에서의 소위 열 흐려짐을 억제할 수 있고, 프로세스 마진이 커진다.The carboxyl group-containing resin suitably used as the alkali-soluble resin of the present invention as described above, preferably has an acid value of 20 to 200 mgKOH / g, more preferably 60 to 150 mgKOH / g, in order to cope with the photolithography process. Do. When the acid value is 20 mgKOH / g or more, the solubility in alkali increases, developability becomes good, and further, since the degree of crosslinking with the thermosetting component after light irradiation increases, sufficient development contrast can be obtained. On the other hand, if this acid value is 200 mgKOH / g or less, accurate pattern drawing is facilitated, and in particular, so-called heat blurring in the PEB (POST EXPOSURE BAKE) process after light irradiation described later can be suppressed, and the process margin becomes large.

또한, 이러한 카르복실기 함유 수지의 분자량은, 현상성과 경화 도막 특성을 고려하면, 질량 평균 분자량 Mw가 100,000 이하인 것이 바람직하고, 1,000 내지 100,000이 보다 바람직하고, 2,000 내지 50,000이 더욱 바람직하다. 이 분자량이 100,000 이하이면, 미노광부의 알칼리 용해성이 증가하고, 현상성이 향상된다. 한편, 분자량이 1,000 이상이면, 노광·PEB 후에, 노광부에 있어서 충분한 내현상성과 경화물성을 얻을 수 있다.In addition, the molecular weight of such a carboxyl group-containing resin, in view of developability and cured coating film properties, is preferably a mass average molecular weight Mw of 100,000 or less, more preferably 1,000 to 100,000, and even more preferably 2,000 to 50,000. When this molecular weight is 100,000 or less, alkali solubility of the unexposed portion increases, and developability is improved. On the other hand, if the molecular weight is 1,000 or more, after exposure and PEB, sufficient developing resistance and cured property can be obtained in the exposed portion.

(광중합 개시제)(Photopolymerization initiator)

수지층 (B)에 있어서 사용하는 광중합 개시제로서는, 공지 관용의 것을 사용할 수 있고, 특히 후술하는 광 조사 후의 PEB 공정에 사용하는 경우에는, 광 염기 발생제로서의 기능도 갖는 광중합 개시제가 적합하다. 또한, 이 PEB 공정에서는, 광중합 개시제와 광 염기 발생제를 병용해도 된다.As the photopolymerization initiator used in the resin layer (B), a conventionally known one can be used, and in particular, when used in a PEB process after light irradiation described later, a photopolymerization initiator that also has a function as a photobase generator is suitable. Moreover, in this PEB process, you may use together a photoinitiator and a photobase generator.

광 염기 발생제로서의 기능도 갖는 광중합 개시제는, 자외선이나 가시광 등의 광 조사에 의해 분자 구조가 변화되거나, 또는 분자가 개열됨으로써, 후술하는 열반응성 화합물의 중합 반응의 촉매로서 기능할 수 있는 1종 이상의 염기성 물질을 생성하는 화합물이다. 염기성 물질로서, 예를 들어 2급 아민, 3급 아민을 들 수 있다.A photopolymerization initiator that also has a function as a photobase generator is one that can function as a catalyst for the polymerization reaction of a thermally reactive compound described later by changing the molecular structure or cleaving the molecule by light irradiation such as ultraviolet light or visible light. It is a compound that produces the above basic substance. As a basic substance, secondary amine and tertiary amine are mentioned, for example.

이러한 광 염기 발생제로서의 기능도 갖는 광중합 개시제로서는, 예를 들어α-아미노아세토페논 화합물, 옥심에스테르 화합물이나, 아실옥시이미노기, N-포르밀화 방향족 아미노기, N-아실화 방향족 아미노기, 니트로벤질카르바메이트기, 알콕시벤질카르바메이트기 등의 치환기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도 옥심에스테르 화합물, α-아미노아세토페논 화합물이 바람직하고, 옥심에스테르 화합물이 보다 바람직하다. α-아미노아세토페논 화합물로서는, 특히 2개 이상의 질소 원자를 갖는 것이 바람직하다.As a photopolymerization initiator which also has a function as such a photobase generator, for example, α-aminoacetophenone compound, oxime ester compound, acyloxyimino group, N-formylated aromatic amino group, N-acylated aromatic amino group, nitrobenzylcar And compounds having substituents such as barmate groups and alkoxybenzyl carbamate groups. Especially, an oxime ester compound and an alpha-amino acetophenone compound are preferable, and an oxime ester compound is more preferable. As the α-aminoacetophenone compound, it is particularly preferable to have two or more nitrogen atoms.

α-아미노아세토페논 화합물은 분자 중에 벤조인에테르 결합을 갖고, 광 조사를 받으면 분자 내에서 개열이 일어나고, 경화 촉매 작용을 발휘하는 염기성 물질(아민)이 생성되는 것이면 된다.The α-aminoacetophenone compound has a benzoin ether bond in the molecule, and when irradiated with light, cleavage occurs in the molecule, and a basic substance (amine) exerting a curing catalytic action is produced.

옥심에스테르 화합물로서는, 광 조사에 의해 염기성 물질을 생성하는 화합물이면 어느 것도 사용할 수 있다.Any oxime ester compound may be used as long as it is a compound that generates a basic substance by light irradiation.

이러한 광중합 개시제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 수지 조성물 중의 광중합 개시제의 배합량은, 바람직하게는 알칼리 용해성 수지 100질량부에 대하여 0.1 내지 40질량부이며, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 15질량부이다. 0.1질량부 이상의 경우, 광 조사부/미조사부의 내현상성의 콘트라스트를 양호하게 얻을 수 있다. 또한, 40질량부 이하의 경우, 경화물 특성이 향상된다.These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more. The blending amount of the photopolymerization initiator in the resin composition is preferably 0.1 to 40 parts by mass, more preferably 0.3 to 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin. In the case of 0.1 part by mass or more, the contrast of the developing resistance of the light irradiated / unradiated portion can be satisfactorily obtained. Further, in the case of 40 parts by mass or less, the properties of the cured product are improved.

(열반응성 화합물)(Thermoreactive compound)

열반응성 화합물로서는, 환상 (티오)에테르기 등의 열에 의한 경화 반응이 가능한 관능기를 갖는 공지 관용의 화합물, 예를 들어 에폭시 화합물 등이 사용된다.As the heat-reactive compound, a known conventional compound having a functional group capable of curing reaction by heat such as a cyclic (thio) ether group, for example, an epoxy compound or the like is used.

상기 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 트리히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 비크실레놀형 혹은 비페놀형 에폭시 수지 또는 그들의 혼합물; 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 나프탈렌기 함유 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 수지, 글리시딜메타크릴레이트 공중합계 에폭시 수지, 시클로헥실말레이미드와 글리시딜메타크릴레이트의 공중합 에폭시 수지, CTBN 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound include bisphenol A type epoxy resin, brominated epoxy resin, novolac type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, hydantoin type epoxy resin, and alicyclic Formula epoxy resins, trihydroxyphenylmethane type epoxy resins, bixylenol type or nonphenol type epoxy resins, or mixtures thereof; Bisphenol S-type epoxy resin, bisphenol A novolak-type epoxy resin, tetraphenylolethane-type epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, diglycidyl phthalate resin, tetraglycidyl xylenoethane resin, naphthalene group-containing epoxy resin, dish And an epoxy resin having a clopentadiene skeleton, a glycidyl methacrylate copolymer-based epoxy resin, a copolymer epoxy resin of cyclohexyl maleimide and glycidyl methacrylate, and a CTBN-modified epoxy resin.

상기 열반응성 화합물의 배합량으로서는, 알칼리 용해성 수지와의 당량비(카르복실기 등의 알칼리 용해성기:에폭시기 등의 열반응성기)가 1:0.1 내지 1:10인 것이 바람직하다. 이러한 배합비의 범위로 함으로써, 현상이 양호해지고, 미세 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 것이 된다. 상기 당량비는 1:0.2 내지 1:5인 것이 보다 바람직하다.As the compounding quantity of the said heat-reactive compound, it is preferable that the equivalent ratio with alkali-soluble resin (alkali-soluble group, such as a carboxyl group: heat-reactive group, such as an epoxy group) is 1: 0.1-1: 10. By setting it as the range of such a compounding ratio, image development becomes favorable and it becomes what can form a fine pattern easily. The equivalent ratio is more preferably 1: 0.2 to 1: 5.

(블록 공중합체)(Block copolymer)

블록 공중합체는, 지금까지 이상으로 높은 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성, 및 우수한 내열성을 양호한 밸런스로 실현하기 위해서, 본 발명의 적층 구조체를 구성하는 수지층 (B)에 있어서 가장 특징적인 성분이다.The block copolymer is the most characteristic in the resin layer (B) constituting the laminated structure of the present invention, in order to realize a high balance of unprecedented high flexibility, particularly excellent crack resistance against excessive seam folding, and excellent heat resistance. Ingredients.

이 블록 공중합체로서는, 일반적으로 성질이 다른 2종류 이상의 폴리머 단위가, 공유 결합으로 연결되어 긴 연쇄가 된 분자 구조의 공중합체를 의미한다. 본 발명에 있어서, 블록 공중합체로서는 공지 관용의 것을 사용할 수 있고, X-Y형 또는 X-Y-X형의 블록 공중합체가 바람직하고, X-Y-X형 블록 공중합체가 보다 바람직하다. X-Y-X형 블록 공중합체에 있어서의 X는 각각 동일해도 상이해도 된다.As the block copolymer, a polymer having a molecular structure in which two or more types of polymer units having different properties are connected by covalent bonds to form a long chain is generally used. In the present invention, as the block copolymer, a known conventional one can be used, an X-Y type or X-Y-X type block copolymer is preferred, and an X-Y-X type block copolymer is more preferred. X in the X-Y-X type block copolymer may be the same or different, respectively.

또한, X-Y형 또는 X-Y-X형 블록 공중합체 중, X가 유리 전이점 Tg가 0℃ 이상인 폴리머 단위인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, X가 유리 전이점 Tg가 50℃ 이상인 폴리머 단위이다. 또한, Y는 유리 전이점 Tg가 0℃ 미만인 폴리머 단위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 유리 전이점 Tg이 -20℃ 이하인 폴리머 단위이다. 유리 전이점 Tg는 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 측정된다.Moreover, it is preferable that X is a polymer unit in which a glass transition point Tg is 0 degreeC or more among X-Y type or X-Y-X type block copolymer. More preferably, X is a polymer unit having a glass transition point Tg of 50 ° C or higher. Moreover, it is preferable that Y is a polymer unit whose glass transition point Tg is less than 0 degreeC, More preferably, it is a polymer unit whose glass transition point Tg is -20 degreeC or less. The glass transition point Tg is measured by differential scanning calorimetry (DSC).

블록 공중합체는 20 내지 30℃에서 고체인 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 이 범위 내에 있어서 고체이면 되고, 이 범위 밖의 온도에 있어서도 고체여도 된다. 상기 온도 범위에 있어서 고체임으로써, 드라이 필름화하였을 때나 기판에 도포하여 가건조시켰을 때의 태크성이 우수한 것이 된다.It is more preferable that the block copolymer is a solid at 20 to 30 ° C. In this case, it may just be a solid within this range, and may be solid even at a temperature outside this range. By being solid in the above-mentioned temperature range, it becomes excellent in tackiness when dry-filmed or when it is applied to a substrate and temporarily dried.

또한, X-Y-X형 블록 공중합체 중에서도, X가 열반응성 화합물과의 상용성이 높은 것이 바람직하고, Y가 열반응성 화합물과의 상용성이 낮은 것이 바람직하다. 이와 같이, 양단의 블록이 매트릭스에 상용이며, 중앙의 블록이 매트릭스에 불상용인 블록 공중합체로 함으로써, 매트릭스 중에 있어서 특이적인 구조를 나타내기 쉬워진다고 생각된다.Moreover, among the X-Y-X type block copolymers, it is preferable that X has high compatibility with a heat-reactive compound, and it is preferable that Y has low compatibility with a heat-reactive compound. In this way, it is considered that the blocks at both ends are compatible with the matrix and the central block is a block copolymer that is incompatible with the matrix, so that it is easy to exhibit a specific structure in the matrix.

폴리머 단위 X로서는, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스티렌(PS) 등이 바람직하고, 폴리머 단위 Y로서는, 폴리n-부틸(메타)아크릴레이트(PBA), 폴리부타디엔(PB) 등이 바람직하다. 또한, 폴리머 단위 X의 일부에 스티렌 유닛, 수산기 함유 유닛, 카르복실기 함유 유닛, 에폭시기 함유 유닛, N 치환 아크릴아미드 유닛 등으로 대표되는 알칼리 용해성 수지와의 상용성이 우수한 친수성 유닛을 도입하면, 상용성을 더욱 향상시키는 것이 가능해진다. 폴리머 단위 X의 일부에 에폭시기 함유 유닛을 도입하는 것이 특히 바람직하다. 상기한 것 중에서도 폴리머 단위 X는 폴리스티렌, 폴리글리시딜메타크릴레이트, 혹은 N 치환 폴리아크릴아미드, 폴리메틸(메타)아크릴레이트 또는 그의 카르복실산 변성물 혹은 친수기 변성물인 것이 바람직하다. 또한, Y는 폴리n-부틸(메타)아크릴레이트 또는 폴리부타디엔 등인 것이 바람직하다. X 및 Y는 각각 1종류의 폴리머 단위로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상의 성분에 의한 폴리머 단위로 구성되어 있어도 된다.As the polymer unit X, polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), and the like are preferable, and as the polymer unit Y, polyn-butyl (meth) acrylate (PBA), polybutadiene (PB), and the like are preferable. . In addition, when a hydrophilic unit having excellent compatibility with an alkali-soluble resin represented by a styrene unit, a hydroxyl group-containing unit, a carboxyl group-containing unit, an epoxy group-containing unit, or an N-substituted acrylamide unit is introduced into a part of the polymer unit X, compatibility is achieved. It becomes possible to further improve. It is particularly preferable to introduce an epoxy group-containing unit to a part of the polymer unit X. Among the above, it is preferable that the polymer unit X is polystyrene, polyglycidyl methacrylate, or N-substituted polyacrylamide, polymethyl (meth) acrylate, or a carboxylic acid modified product or a hydrophilic product modified product thereof. Moreover, it is preferable that Y is polyn-butyl (meth) acrylate or polybutadiene. X and Y may be respectively composed of one type of polymer unit, or may be composed of polymer units of two or more components.

블록 공중합체의 제조 방법으로서는, 예를 들어 일본 특허 공표 제2005-515281호, 일본 특허 공표 제2007-516326호에 기재된 방법을 들 수 있다.As a manufacturing method of a block copolymer, the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-515281 and Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-516326 is mentioned, for example.

X-Y-X형 블록 공중합체의 시판품으로서는, 아르끄마사제의 리빙 중합을 사용하여 제조되는 아크릴계 트리블록 코폴리머를 들 수 있다. 이의 구체예로서는, 폴리메틸메타크릴레이트-폴리부틸아크릴레이트-폴리메틸메타크릴레이트로 대표되는 X-Y-X형 블록 공중합체(예를 들어, M51, M52, M53, M22 등), 추가로 카르복실산 변성된 X-Y-X형 블록 공중합체(예를 들어, SM4032XM10 등)나, 친수기 변성 처리된 X-Y-X형 블록 공중합체(예를 들어, M52N, M22N, M65N 등)를 들 수 있다.As a commercial item of a X-Y-X type block copolymer, the acrylic triblock copolymer manufactured using living polymerization by Arkma Corporation is mentioned. As a specific example thereof, an XYX type block copolymer represented by polymethyl methacrylate-polybutyl acrylate-polymethyl methacrylate (for example, M51, M52, M53, M22, etc.), further modified with carboxylic acid XYX type block copolymers (for example, SM4032XM10, etc.) and hydrophilic modification-treated XYX type block copolymers (for example, M52N, M22N, M65N, etc.) are mentioned.

또한, 블록 공중합체의 질량 평균 분자량(Mw)은 통상 20,000 내지 400,000이며, 30,000 내지 300,000의 범위에 있는 것이 바람직하다. 분자량 분포(Mw/Mn)가 3 이하인 것이 바람직하다.In addition, the mass average molecular weight (Mw) of the block copolymer is usually 20,000 to 400,000, and preferably in the range of 30,000 to 300,000. It is preferable that the molecular weight distribution (Mw / Mn) is 3 or less.

질량 평균 분자량이 20,000 이상이면, 조성물의 유연성이나 탄성 등의 기계적 성질을 구비하면서, 점착성이 지나치게 높아지지 않고, 굴곡성이나 크랙 내성의 향상 효과가 양호해지며, 점착성도 양호해진다. 한편, 질량 평균 분자량이 400,000 이하이면, 조성물의 점도가 지나치게 높아지지 않고, 인쇄성, 현상성이 저하되기 어렵다.When the mass average molecular weight is 20,000 or more, while having mechanical properties such as flexibility and elasticity of the composition, the tackiness is not excessively high, and the effect of improving the flexibility and crack resistance is improved, and the tackiness is also improved. On the other hand, if the mass average molecular weight is 400,000 or less, the viscosity of the composition is not excessively high, and printability and developability are unlikely to decrease.

블록 공중합체는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 블록 공중합체의 배합량은, 바람직하게는 알칼리 용해성 수지 100질량부에 대하여 1 내지 60질량부, 보다 바람직하게는 2 내지 50질량부, 특히 바람직하게는 3 내지 40질량부이다. 블록 공중합체의 배합량이 1질량부 이상이면, 굴곡성 및 내열성이 향상되고, 60질량부 이하이면, 굴곡성 및 내열성의 밸런스가 양호해진다.As the block copolymer, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination. The blending amount of the block copolymer is preferably 1 to 60 parts by mass, more preferably 2 to 50 parts by mass, and particularly preferably 3 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin. When the blending amount of the block copolymer is 1 part by mass or more, the bendability and heat resistance are improved, and when it is 60 parts by mass or less, the balance between bendability and heat resistance is improved.

이상 설명한 바와 같은 수지층 (A) 및 수지층 (B)에 있어서 사용하는 수지 조성물에는, 필요에 따라서 이하의 성분을 배합할 수 있다.The following components can be mix | blended with the resin composition used for resin layer (A) and resin layer (B) as mentioned above as needed.

(고분자 수지)(Polymer resin)

고분자 수지는, 얻어지는 경화물의 가요성, 지촉 건조성의 향상을 목적으로, 상술한 블록 공중합체를 제외하고, 공지 관용의 것을 배합할 수 있다. 이러한 고분자 수지로서는, 셀룰로오스계, 폴리에스테르계, 페녹시 수지계 폴리머, 폴리비닐아세탈계, 폴리비닐부티랄계, 폴리아미드계, 폴리아미드이미드계 바인더 폴리머, 엘라스토머 등을 들 수 있다. 이 고분자 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.For the purpose of improving the flexibility and the dryness of touch of the resulting cured product, a known resin can be blended, except for the above-mentioned block copolymer. Examples of such polymer resins include cellulose-based, polyester-based, phenoxy-resin-based polymers, polyvinyl acetal-based, polyvinyl butyral-based, polyamide-based, polyamide-imide-based binder polymers, and elastomers. One type of this polymer resin may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(무기 충전제)(Weapon filler)

무기 충전재는 경화물의 경화 수축을 억제하고, 밀착성, 경도 등의 특성을 향상시키기 위해 배합할 수 있다. 이러한 무기 충전제로서는, 예를 들어 황산바륨, 무정형 실리카, 용융 실리카, 구상 실리카, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 질화붕소, 노이부르그 규조토 등을 들 수 있다.The inorganic filler can be blended to suppress curing shrinkage of the cured product and to improve properties such as adhesion and hardness. Examples of such inorganic fillers include barium sulfate, amorphous silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, and Neuburg diatomaceous earth. You can.

(착색제)(coloring agent)

착색제로서는, 적색, 청색, 녹색, 황색, 백색, 흑색 등의 공지 관용의 착색제를 배합할 수 있고, 안료, 염료, 색소 중 어느 것이어도 된다.As the colorant, known conventional colorants such as red, blue, green, yellow, white, and black can be blended, and any of pigments, dyes, and pigments may be used.

(유기 용제)(Organic solvent)

유기 용제는, 수지 조성물의 조제를 위해서나, 기재나 캐리어 필름에 도포하기 위한 점도 조정을 위해서 배합할 수 있다. 이러한 유기 용제로서는, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 글리콜에테르류, 글리콜에테르아세테이트류, 에스테르류, 알코올류, 지방족 탄화수소, 석유계 용제 등을 들 수 있다. 이러한 유기 용제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상의 혼합물로서 사용해도 된다.The organic solvent can be blended for the preparation of the resin composition or for the adjustment of viscosity for application to the substrate or carrier film. Examples of such organic solvents include ketones, aromatic hydrocarbons, glycol ethers, glycol ether acetates, esters, alcohols, aliphatic hydrocarbons, and petroleum-based solvents. These organic solvents may be used alone or as a mixture of two or more.

(기타 성분)(Other ingredients)

필요에 따라서 추가로, 머캅토 화합물, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등의 성분을 배합할 수 있다. 이들은 공지 관용의 것을 사용할 수 있다. 또한, 미분 실리카, 하이드로탈사이트, 유기 벤토나이트, 몬모릴로나이트 등의 공지 관용의 증점제, 실리콘계, 불소계, 고분자계 등의 소포제 및/또는 레벨링제, 실란 커플링제, 방청제 등과 같은 공지 관용의 첨가제류를 배합할 수 있다.If necessary, components such as mercapto compounds, adhesion promoters, antioxidants, and ultraviolet absorbers can be blended. These can use well-known conventional ones. In addition, known conventional thickeners such as fine silica, hydrotalcite, organic bentonite, montmorillonite, antifoaming agents such as silicone-based, fluorine-based, and polymeric-based and / or leveling agents, silane coupling agents, rust inhibitors, etc. You can.

본 발명의 적층 구조체는, 굴곡성이 우수한 점에서, 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 사용할 수 있고, 또한 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이, 솔더 레지스트 및 층간 절연 재료 중 적어도 어느 하나의 용도로서 사용할 수 있다.Since the laminated structure of the present invention is excellent in flexibility, it can be used in at least one of a bent portion and a non-flexed portion of a flexible printed wiring board, and also at least one of a coverlay, a solder resist, and an interlayer insulating material of the flexible printed wiring board. Can be used as

이상 설명한 바와 같은 구성에 관한 본 발명의 적층 구조체는, 그의 적어도 편면이 필름으로 지지 또는 보호되어 있는 드라이 필름으로서 사용하는 것이 바람직하다.It is preferable to use the laminated structure of this invention which concerns on the structure as mentioned above as a dry film whose at least one side is supported or protected by the film.

(드라이 필름)(Dry film)

본 발명의 드라이 필름은, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 즉, 먼저 캐리어 필름(지지 필름) 상에, 상기 수지층 (B)를 구성하는 조성물 및 수지층 (A)를 구성하는 조성물을, 각각 유기 용제로 희석하여 적절한 점도로 조정하고, 통상법에 따라서 콤마 코터 등의 공지된 방법으로 순차 도포한다. 그 후, 통상 50 내지 130℃의 온도에서 1 내지 30분간 건조시킴으로써, 캐리어 필름 상에 수지층 (B) 및 수지층 (A)로 이루어지는 드라이 필름을 형성할 수 있다. 이 드라이 필름 상에는, 막의 표면에 티끌이 부착되는 것을 방지하거나 할 목적으로, 추가로, 박리 가능한 커버 필름(보호 필름)을 적층할 수 있다. 캐리어 필름 및 커버 필름으로서는, 종래 공지된 플라스틱 필름을 적절히 사용할 수 있고, 커버 필름에 대하여는, 커버 필름을 박리할 때, 수지층과 캐리어 필름의 접착력보다도 작은 것이면 바람직하다. 캐리어 필름 및 커버 필름의 두께에 대하여는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 10 내지 150㎛의 범위에서 적절히 선택된다.The dry film of this invention can be manufactured as follows, for example. That is, first, on the carrier film (supporting film), the composition constituting the resin layer (B) and the composition constituting the resin layer (A) are each diluted with an organic solvent, adjusted to an appropriate viscosity, and comma according to a conventional method. Apply sequentially by a known method such as a coater. Thereafter, a dry film composed of a resin layer (B) and a resin layer (A) can be formed on the carrier film by drying at a temperature of usually 50 to 130 ° C for 1 to 30 minutes. On this dry film, a cover film (protective film) that can be peeled can be additionally laminated for the purpose of preventing dust from adhering to the surface of the film. As the carrier film and the cover film, a conventionally known plastic film can be appropriately used, and when the cover film is peeled off, the cover film is preferably one that is smaller than the adhesion between the resin layer and the carrier film. The thickness of the carrier film and the cover film is not particularly limited, but is generally appropriately selected in the range of 10 to 150 μm.

(플렉시블 프린트 배선 기판)(Flexible printed wiring board)

본 발명의 플렉시블 프린트 배선 기판은, 플렉시블 프린트 배선 기재 상에 본 발명의 적층 구조체의 층을 형성하고, 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상액으로 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 절연막을 갖는 것이다.The flexible printed wiring board of the present invention has an insulating film formed by forming a layer of the laminated structure of the present invention on a flexible printed wiring board, patterning it by light irradiation, and collectively forming a pattern with a developer.

(배선 기판의 제조 방법)(Method of manufacturing a wiring board)

본 발명의 적층 구조체를 사용한 플렉시블 프린트 배선 기판의 제조는, 도 1의 공정도에 나타내는 수순에 따라서 행할 수 있다. 즉, 도체 회로를 형성한 플렉시블 배선 기재 상에 본 발명의 적층 구조체의 층을 형성하는 공정(적층 공정), 이 적층 구조체의 층에 활성 에너지선을 패턴상으로 조사하는 공정(노광 공정), 및 이 적층 구조체의 층을 알칼리 현상하여, 패턴화된 적층 구조체의 층을 일괄 형성하는 공정(현상 공정)을 포함하는 제조 방법이다. 또한, 필요에 따라서, 알칼리 현상 후, 더 한층의 광경화나 열경화(후경화 공정)를 행하고, 적층 구조체의 층을 완전히 경화시켜, 신뢰성이 높은 플렉시블 프린트 배선 기판을 얻을 수 있다.The flexible printed wiring board using the laminated structure of the present invention can be produced in accordance with the procedure shown in the process diagram of FIG. 1. That is, the step of forming a layer of the laminated structure of the present invention on a flexible wiring substrate on which a conductor circuit is formed (lamination process), a step of irradiating the layer of the laminated structure with active energy rays in a pattern (exposure process), and It is a manufacturing method including the process (developing process) of collectively forming the layer of a patterned laminated structure by alkali-developing the layer of this laminated structure. Further, if necessary, after alkali development, further photocuring or thermal curing (postcuring step) is performed, and the layer of the laminated structure is completely cured, so that a highly reliable flexible printed wiring board can be obtained.

또한, 본 발명의 적층 구조체를 사용한 플렉시블 프린트 배선 기판의 제조는, 도 2의 공정도에 나타내는 수순에 따라서 행할 수도 있다. 즉, 도체 회로를 형성한 플렉시블 배선 기재 상에 본 발명의 적층 구조체의 층을 형성하는 공정(적층 공정), 이 적층 구조체의 층에 활성 에너지선을 패턴상으로 조사하는 공정(노광 공정), 이 적층 구조체의 층을 가열하는 공정(가열(PEB) 공정), 및 적층 구조체의 층을 알칼리 현상하여, 패턴화된 적층 구조체의 층을 형성하는 공정(현상 공정)을 포함하는 제조 방법이다. 또한, 필요에 따라서, 알칼리 현상 후, 더 한층의 광경화나 열경화(후경화 공정)를 행하고, 적층 구조체의 층을 완전히 경화시켜, 신뢰성이 높은 플렉시블 프린트 배선 기판을 얻을 수 있다. 특히 수지층 (B)에 있어서, 이미드 구조 및 아미드 구조 중 적어도 어느 한쪽을 갖는 카르복실기 함유 수지를 사용한 경우에는, 이 도 2의 공정도에 나타내는 수순을 사용하는 것이 바람직하다.Moreover, the manufacturing of the flexible printed wiring board using the laminated structure of this invention can also be performed according to the procedure shown in the process drawing of FIG. That is, a step of forming a layer of the laminated structure of the present invention on a flexible wiring substrate having a conductor circuit (lamination process), a step of irradiating active energy rays in a pattern of the layer of the laminated structure in a pattern (exposure process), It is a manufacturing method including the process of heating the layer of a laminated structure (heating (PEB) process) and the process of alkali-developing the layer of a laminated structure to form a layer of a patterned laminated structure (development process). Further, if necessary, after alkali development, further photocuring or thermal curing (postcuring step) is performed, and the layer of the laminated structure is completely cured, so that a highly reliable flexible printed wiring board can be obtained. In particular, in the case of using the carboxyl group-containing resin having at least one of an imide structure and an amide structure in the resin layer (B), it is preferable to use the procedure shown in the process chart of FIG. 2.

이하, 도 1 또는 도 2에 나타내는 각 공정에 대하여, 상세하게 설명한다.Hereinafter, each process shown in FIG. 1 or FIG. 2 will be described in detail.

[적층 공정][Lamination process]

이 공정에서는, 도체 회로(2)가 형성된 플렉시블 프린트 배선 기재(1)에, 알칼리 용해성 수지 등을 포함하는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어지는 수지층(3)(수지층 (A))과, 수지층(3) 상의, 알칼리 용해성 수지 등을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 수지층(4)(수지층 (B))으로 이루어지는 적층 구조체를 형성한다. 여기서, 적층 구조체를 구성하는 각 수지층은, 예를 들어 수지층(3, 4)을 구성하는 수지 조성물을, 순차로 배선 기재(1)에 도포 및 건조시킴으로써 수지층(3, 4)을 형성하거나, 혹은 수지층(3, 4)을 구성하는 수지 조성물을 2층 구조의 드라이 필름 형태로 한 것을, 배선 기재(1)에 라미네이트하는 방법에 의해 형성해도 된다.In this step, the resin layer 3 (resin layer (A)) and the resin layer made of an alkali developing type resin composition containing an alkali-soluble resin and the like on the flexible printed wiring base material 1 on which the conductor circuit 2 is formed. (3) A laminated structure composed of a resin layer 4 (resin layer (B)) made of a photosensitive thermosetting resin composition containing an alkali soluble resin or the like is formed. Here, each resin layer constituting the laminated structure forms resin layers 3 and 4 by, for example, sequentially applying and drying the resin composition constituting the resin layers 3 and 4 on the wiring substrate 1. Alternatively, the resin composition constituting the resin layers 3 and 4 may be formed in a dry film form having a two-layer structure by a method of laminating the wiring substrate 1.

수지 조성물의 배선 기재로의 도포 방법은, 블레이드 코터, 립 코터, 콤마 코터, 필름 코터 등의 공지된 방법이면 된다. 또한, 건조 방법은 열풍 순환식 건조로, IR로, 핫 플레이트, 컨벡션 오븐 등, 증기에 의한 가열 방식의 열원을 구비한 것을 사용하고, 건조기 내의 열풍을 향류 접촉시키는 방법, 및 노즐로부터 지지체에 분사하는 방법 등, 공지된 방법이면 된다.The coating method of the resin composition to the wiring substrate may be any known method such as a blade coater, a lip coater, a comma coater, or a film coater. In addition, the drying method uses a hot air circulation type drying furnace, an IR furnace, a hot plate, a convection oven, or the like equipped with a heat source of a heating method by steam, a method of countercurrently contacting hot air in a dryer, and spraying from a nozzle to a support A known method such as a method to be used may be sufficient.

수지 조성물을 배선 기재에 라미네이트하는 방법으로서는, 진공 라미네이터 등을 사용하여, 가압 및 가열 하에서 접합하는 것이 바람직하다. 이러한 진공 라미네이터를 사용함으로써, 배선 기재 표면에 요철이 있어도, 드라이 필름이 배선 기재에 밀착하기 때문에, 기포의 혼입이 없고, 또한 배선 기재 표면의 오목부의 구멍 매립성도 향상된다. 가압 조건은 0.1 내지 2.0MPa 정도인 것이 바람직하고, 또한 가열 조건은 40 내지 120℃인 것이 바람직하다.As a method of laminating a resin composition to a wiring base material, it is preferable to bond under pressure and heating using a vacuum laminator or the like. By using such a vacuum laminator, even if there are irregularities on the surface of the wiring substrate, since the dry film is in close contact with the wiring substrate, there is no mixing of air bubbles, and the hole filling property of the concave portion of the surface of the wiring substrate is also improved. The pressurization condition is preferably about 0.1 to 2.0 MPa, and the heating condition is preferably 40 to 120 ° C.

[노광 공정][Exposure process]

이 공정에서는, 활성 에너지선의 조사에 의해, 수지층(4)에 포함되는 광중합 개시제를 네가티브형의 패턴상으로 활성화시켜, 노광부를 경화한다. 후술하는 PEB 공정을 사용하는 조성물의 경우에는, 광 염기 발생제로서의 기능을 갖는 광중합 개시제 또는 광 염기 발생제를, 네가티브형의 패턴상으로 활성화시켜 염기를 발생시킨다.In this step, the photopolymerization initiator contained in the resin layer 4 is activated in a negative pattern by irradiation of active energy rays to cure the exposed portion. In the case of a composition using the PEB process described later, a photopolymerization initiator or photobase generator having a function as a photobase generator is activated in a negative pattern to generate a base.

이 공정에서 사용되는 노광기로서는, 직접 묘화 장치, 메탈 할라이드 램프를 탑재한 노광기 등을 사용할 수 있다. 패턴상의 노광용 마스크는 네가티브형 마스크이다.As an exposure machine used in this step, a direct drawing device, an exposure machine equipped with a metal halide lamp, or the like can be used. The patterned exposure mask is a negative mask.

노광에 사용하는 활성 에너지선으로서는, 최대 파장이 350 내지 450nm의 범위에 있는 레이저광 또는 산란광을 사용하는 것이 바람직하다. 최대 파장을 이 범위로 함으로써, 효율적으로 광중합 개시제를 활성화시킬 수 있다. 또한, 그 노광량은 막 두께 등에 따라서 상이하지만, 통상은 100 내지 1500mJ/cm2로 할 수 있다.As the active energy ray used for exposure, it is preferable to use laser light or scattered light having a maximum wavelength in the range of 350 to 450 nm. By setting the maximum wavelength in this range, the photopolymerization initiator can be effectively activated. In addition, although the exposure amount differs depending on the film thickness or the like, it can usually be set to 100 to 1500 mJ / cm 2 .

[PEB 공정][PEB process]

이 공정에서는, 노광 후, 수지층을 가열함으로써, 노광부를 경화한다. 이 공정에 의해, 광 염기 발생제로서의 기능을 갖는 광중합 개시제를 사용하거나, 광중합 개시제와 광 염기 발생제를 병용한 조성물로 이루어지는 수지층 (B)의 노광 공정에서 발생한 염기에 의해, 수지층 (B)를 심부까지 경화할 수 있다. 가열 온도는, 예를 들어 80 내지 140℃이다. 가열 시간은, 예를 들어 10 내지 100분이다. 본 발명에 있어서의 수지 조성물의 경화는, 예를 들어 열반응에 의한 에폭시 수지의 개환 반응이기 때문에, 광라디칼 반응에서 경화가 진행되는 경우와 비교하여 변형이나 경화 수축을 억제할 수 있다.In this step, the exposed portion is cured by heating the resin layer after exposure. In this step, the resin layer (B) is formed by the base generated in the exposure step of the resin layer (B) comprising a photopolymerization initiator having a function as a photobase generator or a composition using a photopolymerization initiator and a photobase generator in combination. ) To the core. The heating temperature is, for example, 80 to 140 ° C. The heating time is, for example, 10 to 100 minutes. Since curing of the resin composition in the present invention is, for example, a ring-opening reaction of an epoxy resin by thermal reaction, it is possible to suppress deformation or curing shrinkage as compared with a case where curing proceeds in a photoradical reaction.

[현상 공정][Development process]

이 공정에서는, 알칼리 현상에 의해 미노광부를 제거하여, 네가티브형의 패턴상의 절연막, 특히 커버레이 및 솔더 레지스트를 형성한다. 현상 방법으로서는, 디핑 등의 공지된 방법에 의할 수 있다. 또한, 현상액으로서는, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 수산화칼륨, 아민류, 2-메틸이미다졸 등의 이미다졸류, 수산화테트라메틸암모늄 수용액(TMAH) 등의 알칼리 수용액, 또는 이들의 혼합액을 사용할 수 있다.In this step, the unexposed portion is removed by alkali development to form a negative patterned insulating film, particularly a coverlay and solder resist. As a developing method, it can be based on well-known methods, such as dipping. Further, as the developing solution, an imidazole such as sodium carbonate, potassium carbonate, potassium hydroxide, amines, 2-methylimidazole, an alkaline aqueous solution such as tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (TMAH), or a mixture thereof can be used.

[후경화 공정][Post curing process]

이 공정은, 현상 공정 후에, 절연막을 완전히 열경화시켜 신뢰성이 높은 도막을 얻는 것이다. 가열 온도는, 예를 들어 120℃ 내지 180℃이다. 가열 시간은, 예를 들어 5분 내지 120분이다. 부언하면, 후경화 전 또는 후에, 추가로 절연막에 광 조사해도 된다.In this step, after the developing step, the insulating film is completely thermally cured to obtain a highly reliable coating film. The heating temperature is, for example, 120 ° C to 180 ° C. The heating time is, for example, 5 minutes to 120 minutes. In other words, before or after post-curing, the insulating film may be further irradiated with light.

실시예Example

이하, 실시예, 비교예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예, 비교예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited by these Examples and Comparative Examples.

<합성예 1: 폴리이미드 수지 용액의 합성예><Synthesis example 1: Synthesis example of polyimide resin solution>

교반기, 질소 도입관, 분류환, 냉각환을 설치한 세퍼러블 3구 플라스크에, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐술폰 22.4g, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판을 8.2g, NMP를 30g, γ-부티로락톤을 30g, 4,4'-옥시디프탈산 무수물을 27.9g, 트리멜리트산 무수물을 3.8g 첨가하고, 질소 분위기 하에 실온에서 100rpm으로 4시간 교반하였다. 이어서 톨루엔을 20g 첨가하고, 실리콘 욕 온도 180℃, 150rpm으로 톨루엔 및 물을 증류 제거하면서 4시간 교반하여, 페놀성 수산기 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지 용액 (PI-1)을 얻었다.3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenylsulfone 22.4g, 2,2'-bis [in a separable three-necked flask equipped with a stirrer, nitrogen introduction tube, fractionation ring, and cooling ring [ 4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane 8.2g, NMP 30g, γ-butyrolactone 30g, 4,4'-oxydiphthalic anhydride 27.9g, trimellitic anhydride 3.8g , Stirred at room temperature under nitrogen atmosphere at 100 rpm for 4 hours. Subsequently, 20 g of toluene was added, and the mixture was stirred for 4 hours while distilling and removing toluene and water at a silicone bath temperature of 180 ° C. and 150 rpm to obtain a polyimide resin solution (PI-1) having a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group.

얻어진 수지(고형분)의 산가는 18mgKOH, Mw는 10,000, 수산기 당량은 390이었다.The acid value of the obtained resin (solid content) was 18 mgKOH, Mw was 10,000, and the hydroxyl group equivalent was 390.

(실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4)(Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4)

표 1 및 표 2에 기재된 성분 조성에 따라서, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에 기재된 재료를 각각 배합, 교반기에서 예비 혼합한 후, 3개 롤 밀에서 혼련하고, 각 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물을 조제하였다. 표 중의 값은 특별히 언급이 없는 한, 고형분의 질량부이다.According to the component composition shown in Table 1 and Table 2, the materials described in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were respectively blended and premixed in a stirrer, then kneaded in three roll mills to form each resin layer. A resin composition for the following was prepared. The values in the table are parts by mass of solids, unless otherwise specified.

<수지층 (A)의 형성><Formation of resin layer (A)>

구리 두께 18㎛의 회로가 형성되어 있는 플렉시블 프린트 배선 기재를 준비하고, 맥크사 CZ-8100을 사용하여, 전처리를 행하였다. 그 후, 전처리를 행한 플렉시블 프린트 배선 기재에, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에서 얻어진 각 수지층 (A)를 구성하는 수지 조성물을 각각 건조 후의 막 두께가 25㎛로 되도록 도포하였다. 그 후, 열풍 순환식 건조로에서 90℃/30분으로 건조시켜, 수지층 (A)를 형성하였다.A flexible printed wiring substrate on which a circuit with a copper thickness of 18 µm was formed was prepared, and pretreatment was performed using McCarse CZ-8100. Thereafter, the resin compositions constituting each resin layer (A) obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were applied to the flexible printed wiring base material subjected to pretreatment so that the film thickness after drying was 25 µm, respectively. Thereafter, the resin layer (A) was formed by drying at 90 ° C / 30 minutes in a hot air circulation type drying furnace.

<수지층 (B)의 형성><Formation of resin layer (B)>

상기에서 형성된 수지층 (A) 상에, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에서 얻어진 각 수지층 (B)를 구성하는 수지 조성물을 각각 건조 후의 막 두께가 10㎛로 되도록 도포하였다. 그 후, 열풍 순환식 건조로에서 90℃/30분으로 건조시켜, 수지층 (B)를 형성하였다.On the resin layer (A) formed above, the resin compositions constituting each of the resin layers (B) obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were respectively coated so that the film thickness after drying became 10 µm. Then, it dried at 90 degreeC / 30 minutes in the hot-air circulation type drying furnace, and formed the resin layer (B).

이와 같이 하여 플렉시블 프린트 배선 기재 상에 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에 기재된 수지층 (A)와 수지층 (B)로 이루어지는 미경화 적층 구조체를 형성하였다.Thus, an uncured laminate structure composed of the resin layers (A) and resin layers (B) described in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 was formed on the flexible printed wiring substrate.

<굴곡성><Flexibility>

(시험편의 제작)(Production of test piece)

상술한 바와 같이 하여 적층 구조체를 형성한 각 플렉시블 프린트 배선 기재 상의 미경화의 적층 구조체에 대하여, 먼저 메탈 할라이드 램프 탑재의 노광 장치(HMW-680-GW20)를 사용하여, 네가티브 마스크를 통해 500mJ/cm2로 전체면 노광하였다. 그 후, 90℃에서 30분간 PEB 공정을 행하고 나서, 현상(30℃, 0.2MPa, 1질량% Na2CO3 수용액)을 60초 행하고, 150℃×60분으로 열경화함으로써, 경화한 적층 구조체를 형성한 플렉시블 프린트 배선 기판을 제작하였다.For the uncured laminated structure on each flexible printed wiring substrate on which the laminated structure was formed as described above, first, 500 mJ / cm through a negative mask using an exposure apparatus (HMW-680-GW20) equipped with a metal halide lamp. The entire surface was exposed with 2 . Thereafter, the PEB process was performed at 90 ° C for 30 minutes, followed by development (30 ° C, 0.2 MPa, 1% by mass Na 2 CO 3 aqueous solution) for 60 seconds, followed by thermal curing at 150 ° C x 60 minutes to cure the laminated structure. A flexible printed wiring board having been formed was produced.

그리고, 이 플렉시블 프린트 배선 기판을 약 15mm×약 110mm로 절단하여 시험편을 제작하였다.Then, the flexible printed wiring board was cut to about 15 mm x about 110 mm to prepare a test piece.

(MIT 시험)(MIT test)

얻어진 각 시험편에 대하여, MIT 내절 피로 시험기 D형(도요 세끼 세이사꾸쇼제)을 사용하고, JIS P8115에 준거하여 MIT 시험을 행하고, 굴곡성을 평가하였다. 구체적으로는, 도 3에 도시한 바와 같이, 시험편(10)을 장치에 장착하고, 하중 F(0.5kgf)를 부하한 상태에서, 클램프(11)에 시험편(10)을 수직으로 설치하여, 절곡 각도 α가 135도, 속도가 175cpm으로 절곡을 행하고, 파단될 때까지의 왕복 절곡 횟수(회)를 측정하였다. 또한, 시험 환경은 25℃였다.For each of the obtained test pieces, an MIT fracture fatigue testing machine D type (manufactured by Toyo Seki Seisakusho) was used, an MIT test was performed in conformity with JIS P8115, and the flexibility was evaluated. Specifically, as shown in FIG. 3, the test piece 10 is mounted on the device, and the load piece F (0.5 kgf) is loaded, and the test piece 10 is vertically installed on the clamp 11 to bend. Bending was performed at an angle α of 135 degrees and a speed of 175 cpm, and the number of reciprocating bending times (times) until fracture was measured. Further, the test environment was 25 ° C.

평가 기준은 하기와 같다.The evaluation criteria are as follows.

◎: 200회 이상 절곡되고, 절곡 개소의 경화 도막에 크랙이 생기지 않았다.(Circle): It bend | folded 200 times or more, and the crack did not arise in the cured coating film of the bending point.

○: 170 내지 199회 절곡되고, 동일하게 크랙이 생기지 않았다.(Circle): It bent 170-199 times, and the crack did not arise similarly.

△: 150 내지 169회 절곡되고, 동일하게 크랙이 생기지 않았다.(Triangle | delta): It bend | folded 150-169 times, and the crack did not arise similarly.

×: 절곡 횟수가 149회 이하에서 크랙이 생겼다.×: Cracks occurred when the number of bendings was 149 or less.

(심 폴딩 시험)(Sim folding test)

또한, 얻어진 각 시험편에 대하여, 이하에 나타내는 과도한 조건에서의 심 폴딩 시험을 행한 경우의, 굴곡성을 평가하였다. 구체적으로는, 도 4에 도시한 바와 같이, 시험편(10)을, 도체 회로 및 경화 도막의 형성면(X)이 외측이 되도록 180°로 절곡한 상태에서, 2매의 평판(12) 사이에 끼워 하중 G(1kg의 표준 분동)를 10초간 부하하여 심 폴딩한 후, 광학 현미경을 사용하여 절곡 개소의 경화 도막부(20)에 크랙이 발생하지 않았는지를 확인하는 동작을 1 사이클로 하여, 크랙이 발생하는 앞의 횟수를 기록하였다. 시험 환경은 25℃였다.Moreover, the bending property in the case where the seam folding test was performed under the excessive conditions shown below was evaluated for each obtained test piece. Specifically, as shown in FIG. 4, the test piece 10 is bent between 180 plates so that the conductor circuit and the formation surface X of the cured coating film are bent at 180 ° to the outside. After inserting the load G (standard weight of 1 kg) for 10 seconds and folding the shim, using an optical microscope, the operation of checking whether cracks have not occurred in the cured coating portion 20 of the bending site is performed as one cycle, and the crack is generated. The number of previous occurrences was recorded. The test environment was 25 ° C.

평가 기준은 하기와 같다.The evaluation criteria are as follows.

◎: 10회 이상 절곡되고, 절곡 개소의 경화 도막에 크랙이 발생하지 않았다.(Circle): It bend | folded 10 times or more, and the crack did not generate | occur | produce in the cured coating film of the bending part.

○: 6 내지 9회 절곡되고, 동일하게 크랙이 발생하지 않았다.(Circle): It bend | folded 6-9 times, and the crack did not generate | occur | produce similarly.

△: 3 내지 5회 절곡되고, 동일하게 크랙이 발생하지 않았다.(Triangle | delta): It bend | folded 3 to 5 times, and a crack did not generate | occur | produce similarly.

×: 절곡 횟수가 2회 이하에서 크랙이 발생하였다.×: Cracks occurred when the number of bendings was 2 or less.

이들 평가 결과를, 표 1 및 표 2에 함께 나타낸다.Table 1 and Table 2 show the evaluation results.

<내열성><Heat resistance>

상술한 바와 같이 하여 적층 구조체를 형성한 각 플렉시블 프린트 배선 기재 상의 미경화의 적층 구조체에 대하여, 먼저 메탈 할라이드 램프 탑재의 노광 장치(HMW-680-GW20)를 사용하여, 구리 상에 직경 약 2mm 내지 5mm의 개구가 형성되는 네가티브형 마스크를 통해 500mJ/cm2로 노광하였다. 그 후, 90℃에서 30분간 PEB 공정을 행하고 나서, 현상(30℃, 0.2MPa, 1질량% Na2CO3 수용액)을 60초 행하고, 150℃×60분으로 열경화함으로써, 경화한 적층 구조체를 형성한 플렉시블 프린트 배선 기판(시험 기판)을 제작하였다.About the uncured laminated structure on each flexible printed wiring base material in which the laminated structure was formed as described above, first, using a metal halide lamp-mounted exposure apparatus (HMW-680-GW20), a diameter of about 2 mm to about copper was used. The exposure was performed at 500 mJ / cm 2 through a negative mask having an opening of 5 mm. Thereafter, the PEB process was performed at 90 ° C for 30 minutes, followed by development (30 ° C, 0.2 MPa, 1% by mass Na 2 CO 3 aqueous solution) for 60 seconds, followed by thermal curing at 150 ° C x 60 minutes to cure the laminated structure. A flexible printed wiring board (test substrate) was formed.

이 시험 기판에 로진계 플럭스를 도포하고, 미리 260℃ 및 280℃로 설정한 땜납조에 10초 침지하여, 경화 도막의 들뜸, 팽창, 박리의 발생에 대하여 평가하였다.A rosin-based flux was applied to the test substrate, and immersed in a solder bath set at 260 ° C and 280 ° C for 10 seconds in advance to evaluate the occurrence of excitation, expansion, and peeling of the cured coating film.

평가 기준은 하기와 같다.The evaluation criteria are as follows.

◎: 260℃ 및 280℃ 중 어느 침지에도 들뜸, 팽창, 박리의 발생이 없었다.◎: There was no occurrence of excitation, expansion, or peeling at any dipping of 260 ° C and 280 ° C.

○: 260℃의 침지에서는 들뜸, 팽창, 박리의 발생이 없지만, 280℃의 침지에서 들뜸, 팽창, 박리가 발생하였다.(Circle): There is no excitation, expansion, and peeling at 260 ° C immersion, but excitation, expansion, and peeling occurs at 280 ° C immersion.

×: 260℃ 및 280℃ 중 어느 침지에도 들뜸, 박리가 발생하였다.X: Lifting and peeling occurred at any dipping of 260 ° C and 280 ° C.

그 평가 결과는, 표 1 및 표 2에 함께 나타낸다.Table 1 and Table 2 show the evaluation results.

<해상성><Resolution>

상술한 바와 같이 하여 적층 구조체를 형성한 각 플렉시블 프린트 배선 기재 상의 미경화의 적층 구조체에 대하여, 먼저 메탈 할라이드 램프 탑재의 노광 장치(HMW-680-GW20)를 사용하고, 네가티브 마스크를 통해 500mJ/cm2로 직경 200㎛의 개구를 형성하도록 패턴 노광하였다. 그 후, 90℃에서 30분간 PEB 공정을 행하고 나서, 현상(30℃, 0.2MPa, 1질량% Na2CO3 수용액)을 60초로 행하여 패턴을 그리고, 150℃×60분으로 열경화함으로써, 개구를 갖는 경화한 적층 구조체를 형성한 플렉시블 프린트 배선 기판을 제작하였다. 얻어진 플렉시블 프린트 배선 기판의 적층 구조체에 형성한 개구를 100배로 조정한 광학 현미경을 사용하여 관찰하고, 해상성을 평가하였다.For the uncured layered structure on each flexible printed wiring substrate on which the layered structure was formed as described above, an exposure apparatus (HMW-680-GW20) equipped with a metal halide lamp was first used, and 500 mJ / cm through a negative mask. 2 was pattern-exposed to form an opening having a diameter of 200 µm. Then, after performing PEB process at 90 ° C for 30 minutes, developing (30 ° C, 0.2MPa, 1% by mass Na 2 CO 3 aqueous solution) was performed for 60 seconds to draw a pattern, and heat-cured at 150 ° C x 60 minutes to open. A flexible printed wiring board having a cured laminated structure having a structure was produced. The opening formed in the laminated structure of the obtained flexible printed wiring board was observed using an optical microscope adjusted to 100 times, and the resolution was evaluated.

평가 기준은 하기와 같다.The evaluation criteria are as follows.

○: 개구가 완전히 형성되어 있는 것.○: An opening is completely formed.

×: 개구가 형성되지 않은 것.×: No opening was formed.

그의 평가 결과는 표 1 및 표 2에 함께 나타낸다.The evaluation results are shown in Table 1 and Table 2 together.

Figure pct00003
Figure pct00003

*1) 알칼리 용해성 수지 1: ZAR-1035: 산 변성 비스페놀 A형 에폭시아크릴레이트, 산가 98mgKOH/g(닛폰 가야쿠(주)제)* 1) Alkali soluble resin 1: ZAR-1035: acid-modified bisphenol A-type epoxy acrylate, acid value 98 mgKOH / g (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

*2) 폴리이미드 수지: PI-1: 합성예 1* 2) Polyimide resin: PI-1: Synthesis Example 1

*3) 광경화성 모노머: BPE-500: 에톡시화 비스페놀 A 디메타크릴레이트(신나카무라 가가쿠(주)제)* 3) Photocurable monomer: BPE-500: ethoxylated bisphenol A dimethacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)

*4) 에폭시 수지: E828: 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량 190, 질량 평균 분자량 380(미쯔비시 가가꾸(주)제)* 4) Epoxy resin: E828: bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent 190, mass average molecular weight 380 (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.)

*5) 광중합 개시제: IRGACURE OXE02: 옥심계 광중합 개시제(BASF사제)* 5) Photopolymerization initiator: IRGACURE OXE02: Oxime-based photopolymerization initiator (manufactured by BASF)

*6) 블록 공중합체 1: M52N: X-Y-X형 블록 공중합체 질량 평균 분자량(Mw) 약 100,000, 아르끄마사제, NANOSTRENGTH(등록 상표)* 6) Block copolymer 1: M52N: X-Y-X type block copolymer mass average molecular weight (Mw) about 100,000, manufactured by Arkma, NANOSTRENGTH (registered trademark)

*7) 블록 공중합체 2: M65N: X-Y-X형 블록 공중합체 질량 평균 분자량(Mw) 약 100,000 내지 300,000, 아르끄마사제, NANOSTRENGTH(등록 상표)* 7) Block copolymer 2: M65N: X-Y-X type block copolymer mass average molecular weight (Mw) about 100,000 to 300,000, manufactured by Arkma, NANOSTRENGTH (registered trademark)

*8) 알칼리 용해성 수지 2: P7-532: 폴리우레탄아크릴레이트, 산가 47mgKOH/g(교에샤 가가꾸(주)제)* 8) Alkali soluble resin 2: P7-532: Polyurethane acrylate, acid value 47 mgKOH / g (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)

Figure pct00004
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상기 표 중에 나타내는 평가 결과로부터 명백해진 바와 같이, 각 실시예의 적층 구조체에 있어서는, 상층측의 수지층 (B)에 블록 공중합체를 함유시킴으로써, 굴곡성, 내열성 및 해상성 중 어느 것에 대해서도 우수한 성능이 얻어지고 있음을 알 수 있다. 이에 비해, 단층 구조인 비교예 1 및 비교예 2에서는, 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성이 불충분하고, 적층 구조체라도 블록 공중합체를 함유하지 않은 비교예 3에서는, 내열성에 대하여는 양호한 결과가 얻어졌지만, 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성이 불충분해졌다. 또한, 적층 구조체의 하층측의 수지층 (A)에만 블록 공중합체를 함유시킨 비교예 4에서는, 내열성에 대하여는 양호한 결과가 얻어졌지만, 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성과 해상성이 불충분해졌다.As is evident from the evaluation results shown in the above table, in the laminated structure of each example, by containing a block copolymer in the resin layer (B) on the upper layer side, excellent performance was obtained in any of the flexibility, heat resistance, and resolution. You can see that you are losing. On the other hand, in Comparative Example 1 and Comparative Example 2, which are single-layer structures, the flexural properties, in particular, excellent crack resistance against excessive seam folding are insufficient, and in Comparative Example 3, which does not contain a block copolymer even in a laminated structure, good results for heat resistance Was obtained, but the flexibility, particularly good crack resistance against excessive seam folding, was insufficient. Further, in Comparative Example 4 in which the block copolymer was contained only in the resin layer (A) on the lower layer side of the laminated structure, good results were obtained with respect to heat resistance, but excellent crack resistance and resolution against bending resistance, particularly excessive seam folding, were insufficient. Got done

이상으로부터, 2층의 수지층이 적층되어 이루어지는 적층 구조체 중, 상층측의 수지층 (B)에 블록 공중합체를 함유시킴으로써, 해상성 등의 감광성 수지 조성물 본래의 특성을 유지하면서, 굴곡성, 특히 과도한 심 폴딩에 대한 우수한 크랙 내성 및 내열성을 양호한 밸런스로 향상시키는 것이 가능해졌다.From the above, in the laminated structure in which two layers of resin layers are laminated, by containing the block copolymer in the resin layer (B) on the upper layer side, the flexibility, particularly excessive, is maintained while maintaining the original properties of the photosensitive resin composition such as resolution. It became possible to improve the excellent crack resistance and heat resistance against shim folding with a good balance.

1 플렉시블 프린트 배선 기재
2 도체 회로
3 수지층
4 수지층
5 마스크
10 시험편
11 클램프
12 평판
20 경화 도막부
X 도체 회로 및 경화 도막의 형성면
1 Flexible printed wiring equipment
2 conductor circuit
3 Resin layer
4 Resin layer
5 mask
10 test pieces
11 Clamp
12 reputation
20 cured coating part
X conductor circuit and formation surface of cured coating film

Claims (9)

수지층 (A)와, 해당 수지층 (A)를 통해 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 수지층 (B)를 갖는 적층 구조체로서,
상기 수지층 (B)가, 알칼리 용해성 수지, 광중합 개시제, 열반응성 화합물 및 블록 공중합체를 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어지고, 또한 상기 수지층 (A)가, 알칼리 용해성 수지 및 열반응성 화합물을 포함하는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층 구조체.
A laminated structure having a resin layer (A) and a resin layer (B) laminated on a flexible printed wiring board through the resin layer (A),
The resin layer (B) is composed of a photosensitive thermosetting resin composition comprising an alkali-soluble resin, a photopolymerization initiator, a heat-reactive compound and a block copolymer, and the resin layer (A) is an alkali-soluble resin and a heat-reactive compound. A laminate structure comprising an alkali-developing resin composition.
제1항에 있어서, 상기 블록 공중합체가 하기 식 (I)로 표시되는 구조를 갖는 적층 구조체.
X-Y-X (I)
(식 (I) 중, X는 유리 전이점 Tg가 0℃ 이상인 폴리머 단위이며, 각각 동일해도 상이해도 되고, Y는 유리 전이점 Tg가 0℃ 미만인 폴리머 단위이다.)
The layered structure according to claim 1, wherein the block copolymer has a structure represented by the following formula (I).
XYX (I)
(In Formula (I), X is a polymer unit having a glass transition point Tg of 0 ° C or higher, and may be the same or different, and Y is a polymer unit having a glass transition point Tg of less than 0 ° C.)
제1항에 있어서, 상기 블록 공중합체의 질량 평균 분자량(Mw)이 20,000 내지 400,000인 적층 구조체.The layered structure according to claim 1, wherein the block copolymer has a mass average molecular weight (Mw) of 20,000 to 400,000. 제1항에 있어서, 상기 수지층 (B)의 광중합 개시제로서, 광 염기 발생제를 포함하는 적층 구조체.The layered structure according to claim 1, comprising a photobase generator as a photopolymerization initiator of the resin layer (B). 제1항에 있어서, 상기 수지층 (A)가 광중합 개시제를 포함하지 않는 알칼리 현상형 수지 조성물로 이루어지는 적층 구조체.The laminated structure according to claim 1, wherein the resin layer (A) is made of an alkali developing type resin composition that does not contain a photopolymerization initiator. 제1항에 있어서, 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 사용되는 적층 구조체.The laminated structure according to claim 1, which is used for at least one of a bent portion and a non-bended portion of a flexible printed wiring board. 제1항에 있어서, 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이, 솔더 레지스트 및 층간 절연 재료 중 적어도 어느 하나의 용도에 사용되는 적층 구조체.The laminate structure according to claim 1, which is used for at least one of a coverlay, a solder resist, and an interlayer insulating material of a flexible printed wiring board. 제1항에 기재된 적층 구조체의 적어도 편면이, 필름으로 지지 또는 보호되어 있는 것을 특징으로 하는 드라이 필름.A dry film, characterized in that at least one side of the layered structure according to claim 1 is supported or protected by a film. 제1항에 기재된 적층 구조체를 사용한 절연막을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉시블 프린트 배선판.A flexible printed wiring board comprising the insulating film using the layered structure according to claim 1.
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