KR20210097131A - Photosensitive thermosetting resin composition, dry film and printed wiring board - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 62
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 119
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 119
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims abstract description 64
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims abstract description 64
- -1 aliphatic diamine Chemical class 0.000 claims abstract description 62
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 38
- 239000000539 dimer Substances 0.000 claims abstract description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 24
- 150000004292 cyclic ethers Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims abstract description 11
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 10
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 24
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract description 16
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000003999 initiator Substances 0.000 abstract description 11
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 7
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 57
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 description 40
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 37
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 31
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000011161 development Methods 0.000 description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 16
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A Natural products C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 13
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- FWHUTKPMCKSUCV-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxo-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-5-carboxylic acid Chemical compound C1C(C(=O)O)CCC2C(=O)OC(=O)C12 FWHUTKPMCKSUCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UENRXLSRMCSUSN-UHFFFAOYSA-N 3,5-diaminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC(N)=CC(C(O)=O)=C1 UENRXLSRMCSUSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 5
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- VZXPHDGHQXLXJC-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-5,6-dimethylheptane Chemical compound O=C=NC(C)(C)C(C)CCCCN=C=O VZXPHDGHQXLXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KXBFLNPZHXDQLV-UHFFFAOYSA-N [cyclohexyl(diisocyanato)methyl]cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1C(N=C=O)(N=C=O)C1CCCCC1 KXBFLNPZHXDQLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- WTNDADANUZETTI-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)C(C(O)=O)C1 WTNDADANUZETTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000006358 imidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 150000003553 thiiranes Chemical class 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- HEQOJEGTZCTHCF-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-phenylethanone Chemical class NCC(=O)C1=CC=CC=C1 HEQOJEGTZCTHCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QRUWUSOUUMPANJ-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-[(4-amino-3-carboxyphenyl)methyl]benzoic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(C(O)=O)=C1 QRUWUSOUUMPANJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100024078 Plasma serine protease inhibitor Human genes 0.000 description 2
- 108010022233 Plasminogen Activator Inhibitor 1 Proteins 0.000 description 2
- 102100039418 Plasminogen activator inhibitor 1 Human genes 0.000 description 2
- 108010001953 Protein C Inhibitor Proteins 0.000 description 2
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical group 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- RSHKWPIEJYAPCL-UHFFFAOYSA-N (3-ethyloxetan-3-yl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1(CC)COC1 RSHKWPIEJYAPCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYEYLPDXIYOCJK-UHFFFAOYSA-N (3-ethyloxetan-3-yl)methyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1(CC)COC1 PYEYLPDXIYOCJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGILRHVKKLYKNE-UHFFFAOYSA-N (3-methyloxetan-3-yl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1(C)COC1 CGILRHVKKLYKNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQANLNZCIDSHKI-UHFFFAOYSA-N (3-methyloxetan-3-yl)methyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1(C)COC1 LQANLNZCIDSHKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(CC)C(CC)=CC=C3SC2=C1 GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTTZISZSHSCFRH-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical class O=C=NCC1=CC=CC(CN=C=O)=C1 RTTZISZSHSCFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 1,5-Naphthalene diisocyanate Chemical compound C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=CC2=C1N=C=O SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical group C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-Bis(hydroxymethyl)propionic acid Chemical group OCC(C)(CO)C(O)=O PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)butanoic acid Chemical compound CCC(CO)(CO)C(O)=O JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVIDDMGBRCPGLJ-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(oxiran-2-ylmethoxy)propan-1-ol Chemical compound C1OC1COC(CO)COCC1CO1 IVIDDMGBRCPGLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYEWHONLFGZGLK-UHFFFAOYSA-N 2-[1,3-bis(oxiran-2-ylmethoxy)propan-2-yloxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCC(OCC1OC1)COCC1CO1 SYEWHONLFGZGLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIQLVLWFQUUZII-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-carboxyphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(C(O)=O)=C1 IIQLVLWFQUUZII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(O)=C1 ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEMGYNNCNNODNX-UHFFFAOYSA-N 3,4-diaminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1N HEMGYNNCNNODNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYPFICORERPGJY-UHFFFAOYSA-N 3,4-diisocyanatobicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1CC2(N=C=O)C(N=C=O)=CC1C2 BYPFICORERPGJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(=CC=2)S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)=C1 WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYJPQQUZBUUKAH-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxymethoxymethoxymethyl]oxetane Chemical compound C1OCC1(CC)COCOCOCC1(CC)COC1 DYJPQQUZBUUKAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMIOYAVXLAOXJI-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-[[4-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxymethyl]phenyl]methoxymethyl]oxetane Chemical compound C=1C=C(COCC2(CC)COC2)C=CC=1COCC1(CC)COC1 LMIOYAVXLAOXJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOXLOPQXIGICOF-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-3-[(3-methyloxetan-3-yl)methoxymethoxymethoxymethyl]oxetane Chemical compound C1OCC1(C)COCOCOCC1(C)COC1 AOXLOPQXIGICOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVJGOUQARONWII-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-3-[[4-[(3-methyloxetan-3-yl)methoxymethyl]phenyl]methoxymethyl]oxetane Chemical compound C=1C=C(COCC2(C)COC2)C=CC=1COCC1(C)COC1 UVJGOUQARONWII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-amino-2-methylphenyl)-3-methylaniline Chemical compound CC1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminocyclohexyl)methyl]cyclohexan-1-amine Chemical compound C1CC(N)CCC1CC1CCC(N)CC1 DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(N)=CC=2)=C1 WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1 HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]phenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJCCVNKHRXIAHZ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[[4-(4-aminophenoxy)phenyl]methyl]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 PJCCVNKHRXIAHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenyl]-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C(F)(F)F NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 CNC(*(C(N1*N(C(*2C(O)=O)O)C2=O)=O)C1=O)=O Chemical compound CNC(*(C(N1*N(C(*2C(O)=O)O)C2=O)=O)C1=O)=O 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical group NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000004179 Plasminogen Activator Inhibitor 2 Human genes 0.000 description 1
- 108090000614 Plasminogen Activator Inhibitor 2 Proteins 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- FHLPGTXWCFQMIU-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-prop-2-enoyloxyphenyl)propan-2-yl]phenyl] prop-2-enoate Chemical compound C=1C=C(OC(=O)C=C)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC(=O)C=C)C=C1 FHLPGTXWCFQMIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000006307 alkoxy benzyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000009435 amidation Effects 0.000 description 1
- 238000007112 amidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 1
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 1
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- TUQQUUXMCKXGDI-UHFFFAOYSA-N bis(3-aminophenyl)methanone Chemical compound NC1=CC=CC(C(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 TUQQUUXMCKXGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSDYQEILXDCDTR-UHFFFAOYSA-N bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C(=O)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 LSDYQEILXDCDTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTJUKNSKBAOEHE-UHFFFAOYSA-N calixarene Chemical compound COC(=O)COC1=C(CC=2C(=C(CC=3C(=C(C4)C=C(C=3)C(C)(C)C)OCC(=O)OC)C=C(C=2)C(C)(C)C)OCC(=O)OC)C=C(C(C)(C)C)C=C1CC1=C(OCC(=O)OC)C4=CC(C(C)(C)C)=C1 VTJUKNSKBAOEHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004294 cyclic thioethers Chemical group 0.000 description 1
- VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diamine Chemical compound NC1CCC(N)CC1 VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCN YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011928 denatured alcohol Substances 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- 125000004427 diamine group Chemical group 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- QFTYSVGGYOXFRQ-UHFFFAOYSA-N dodecane-1,12-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCCCN QFTYSVGGYOXFRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEIPQQODRKXDSB-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-(6-hydroxynaphthalen-2-yl)-1H-indazole-5-carboximidate dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.C1=C(O)C=CC2=CC(C3=NNC4=CC=C(C=C43)C(=N)OCC)=CC=C21 CEIPQQODRKXDSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N hydantoin Chemical compound O=C1CNC(=O)N1 WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091173 hydantoin Drugs 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- WZESLRDFSNLECD-UHFFFAOYSA-N phenyl prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOC1=CC=CC=C1 WZESLRDFSNLECD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCDXIADKBDSBJU-UHFFFAOYSA-N phenylmethanetriol Chemical compound OC(O)(O)C1=CC=CC=C1 CCDXIADKBDSBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006268 reductive amination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical class [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical group S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000004670 unsaturated fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical class O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
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Abstract
약알칼리성의 탄산나트륨 수용액에 의한 현상이 가능하며, 감광성이 우수하고, 내열성이나 굴곡성 등의 기계 특성이 우수한 감광성 열경화성 수지 조성물, 드라이 필름 및 프린트 배선판을 제공한다. (A) 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지, (B) 불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 수지, (C) 열경화성 환상 에테르기 함유 화합물, 및 (D) 광중합 개시제를 포함하고, 상기 (A) 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지가, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 하기 일반식 (2)로 표시되는 구조를 갖는 폴리아미드이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 감광성 열경화성 수지 조성물.
(X1은 탄소수가 24 내지 48인 이량체산 유래의 지방족 디아민 (a)의 잔기, X2는 카르복실기를 갖는 방향족 디아민 (b)의 잔기, Y는 각각 독립적으로 시클로헥산환 또는 방향환이다.)Provided are a photosensitive thermosetting resin composition, a dry film, and a printed wiring board that can be developed with a slightly alkaline aqueous solution of sodium carbonate, have excellent photosensitivity, and have excellent mechanical properties such as heat resistance and flexibility. (A) an alkali-soluble polyamideimide resin, (B) a resin having an unsaturated double bond and a carboxyl group, (C) a thermosetting cyclic ether group-containing compound, and (D) a photopolymerization initiator; The photosensitive thermosetting resin composition characterized in that the polyamideimide resin is a polyamideimide resin having a structure represented by the following general formula (1) and a structure represented by the following general formula (2).
(X 1 is a residue of an aliphatic diamine (a) derived from a dimer acid having 24 to 48 carbon atoms, X 2 is a residue of an aromatic diamine (b) having a carboxyl group, and Y is each independently a cyclohexane ring or an aromatic ring.)
Description
본 발명은 알칼리 수용액 현상이 가능하며, 경화막의 물성도 우수한 감광성 열경화성 수지 조성물(이하, 단순히 「수지 조성물」이라고도 칭한다), 드라이 필름 및 프린트 배선판에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive thermosetting resin composition (hereinafter, simply referred to as a "resin composition"), a dry film, and a printed wiring board which can develop aqueous alkali solution and is excellent also in the physical properties of a cured film.
근년, 전자 기기의 소형 경량화에 수반하여, 프린트 배선판 기술도 놀라운 진화를 달성하고, 사용되는 솔더 레지스트에 대한 요구도 날마다 높아지고 있다.In recent years, with the reduction in size and weight of an electronic device, the printed wiring board technology also achieves surprising evolution, and the request|requirement with respect to the soldering resist used is also increasing day by day.
한편, 솔더 레지스트는 미세화의 흐름을 받아서 알칼리 수용액에 의해 현상이 가능한 알칼리 현상형의 감광성 수지 조성물이 주류로 되어 있고, 각 용도에 따라 내열성이나 플렉시블성, 저유전 특성 등의 특성 부가를 행하고 있다.On the other hand, in the solder resist, an alkali developing type photosensitive resin composition that can be developed with an aqueous alkali solution under the flow of miniaturization is mainstream, and properties such as heat resistance, flexibility, and low dielectric properties are added according to each use.
이러한 알칼리 현상형의 감광성 수지 조성물을 사용하는 솔더 레지스트의 형성 방법으로서는, 기재에 감광성 수지 조성물을 도포, 건조해서 수지층을 형성하고, 그 수지층에 대하여 패턴상으로 광조사한 후, 알칼리 현상액으로 현상함으로써 형성하는 방법이 일반적이다.As a method of forming a solder resist using such an alkali developing type photosensitive resin composition, the photosensitive resin composition is applied to a base material, dried to form a resin layer, and then light-irradiated in a pattern shape with respect to the resin layer, and then developed with an alkali developer. The method of forming by doing is common.
이러한 솔더 레지스트의 형성 방법에 있어서, 알칼리 현상액으로서는, 탄산나트륨(Na2CO3) 수용액이나 탄산칼륨 수용액(K2CO3), 수산화나트륨(NaOH) 수용액, 테트라메틸암모늄하이드라이드(TMAH) 용액 등의 알칼리 수용액을 들 수 있다. 이들 알칼리 수용액 중에서도, 프린트 배선판의 제조에 있어서는 기판의 신뢰성의 면이나 작업 환경의 면에서, 통상 약알칼리성의 탄산나트륨 또는 탄산칼륨의 수용액이 사용되고 있다. 그 때문에, 프린트 배선판용의 감광성 수지 조성물에 있어서는, 약알칼리성의 탄산나트륨 수용액 등으로 현상 가능한 것은 매우 중요한 것이 된다.In such a method of forming a solder resist, examples of the alkali developer include sodium carbonate (Na 2 CO 3 ) aqueous solution, potassium carbonate aqueous solution (K 2 CO 3 ), sodium hydroxide (NaOH) aqueous solution, tetramethylammonium hydride (TMAH) solution, and the like. Alkali aqueous solution is mentioned. Among these aqueous alkali solutions, in manufacture of a printed wiring board, the surface of the reliability of a board|substrate, or the surface of a work environment, the aqueous solution of weakly alkaline sodium carbonate or potassium carbonate is used normally. Therefore, in the photosensitive resin composition for printed wiring boards, it becomes very important that it can develop with weakly alkaline aqueous sodium carbonate solution etc.
종래, 다양한 요구를 충족시킨 도막 특성을 발현시키기 위해서, 감광성 수지 조성물에 사용하는 수지의 종류를 적절히 선택하는 것이 행해지고 있다. 특히 알칼리 수용액에 대한 현상성과 경화 물성의 양립은 어렵고, 특성 부여를 겨냥해도 수지의 종류에 따라서는 약알칼리성의 탄산나트륨 수용액 등에 의한 현상을 할 수 없는 경우도 있을 수 있다. 예를 들어 내열성 향상을 목적으로 하여, 이미드환을 포함하는 폴리이미드 수지나 폴리아미드이미드 수지를 적용하는 경우, 구조에서 유래해서 기계 특성이나 내열성이 우수하지만, 그의 조성물을 탄산나트륨 수용액에 의한 현상에 적용하는 것은 곤란해지는 경우가 많다. 이 점은, 폴리이미드 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물에 관한 발명을 개시한 특허문헌 1의 실시예에 있어서, 강알칼리성의 수산화나트륨 수용액에 의해 현상을 행하고 있는 점으로부터도 알 수 있다.Conventionally, in order to express the coating-film characteristic which satisfy|filled various requests|requirements, selecting appropriately the kind of resin used for the photosensitive resin composition is performed. In particular, it is difficult to achieve both developability and hardening properties in aqueous alkali solution, and development with a slightly alkaline aqueous solution of sodium carbonate or the like may not be possible depending on the type of resin, even if it is aimed at imparting properties. For example, when applying a polyimide resin or polyamide-imide resin containing an imide ring for the purpose of improving heat resistance, mechanical properties and heat resistance are excellent due to the structure, but the composition is applied to development with an aqueous sodium carbonate solution It is often difficult to do. In the Example of patent document 1 which disclosed the invention regarding the photosensitive resin composition containing polyimide resin, this point WHEREIN: It can also be understood from the point which is developing with strongly alkaline aqueous sodium hydroxide solution.
종래, 이들 폴리이미드 수지나 폴리아미드이미드 수지에 현상성을 부여하는 것도 검토되어 왔지만, 현상성을 부여하기 위해서는 이미드 특유의 기계 특성을 대폭으로 희생시킴으로써 대응해야 한다.Conventionally, imparting developability to these polyimide resins and polyamideimide resins has been studied. However, in order to impart developability, it is necessary to respond by significantly sacrificing mechanical properties peculiar to imides.
또한, 디바이스의 고기능화에 의해, 프린트 배선판의 회로 설계도 보다 복잡화되고 있다. 예를 들어 현재, 차량 탑재용 기판이나 각종 디바이스의 전원용 기판 등에서는 회로 두께가 높은 기판이 사용되고, 이에 더하여 배선 피치가 작아지고 있는 배경이 있다. 그 때문에, 회로간의 매립성도 물론이거니와, 회로 상과 회로간에서 솔더 레지스트의 두께가 크게 바뀌기 때문에, 알칼리 현상에 의한 패터닝의 제어가 어려워지고 있다. 즉, 회로 상에서는 솔더 레지스트가 얇고, 회로간에서는 솔더 레지스트가 두꺼워지기 때문에, 박막부로 광경화 조건을 설정하면, 후막부에 심부 경화 불량이 일어나고, 반대로 후막부로 광경화 조건을 설정하면, 박막부가 할레이션을 일으켜서 개구될 수 없는 문제가 발생하고 있다.Moreover, the circuit design of a printed wiring board is also becoming more complicated with high functionalization of a device. For example, a board|substrate with a high circuit thickness is currently used in vehicle-mounted board|substrates, board|substrates for power supply of various devices, etc., and there exists a background that wiring pitch is becoming small in addition to this. Therefore, let alone embedding between circuits, since the thickness of a soldering resist changes greatly between a circuit top and a circuit, control of the patterning by alkali development is becoming difficult. That is, since the solder resist is thin on the circuit and the solder resist becomes thick between circuits, if the photocuring condition is set in the thin film part, deep curing failure occurs in the thick film part. There is a problem in that it cannot be opened due to halation.
나아가 또한, 종래의 솔더 레지스트는 착색 안료에 의해 도막의 은폐성을 발현시키고 있고, 그 도막 내의 착색 안료의 함유 농도에서 은폐성이 다른 점에서, 상술한 바와 같은 회로 두께가 높은 회로 설계의 경우, 동일 기판 내에서 농담이 생기는 문제가 발생하고 있다. 즉, 후막부는 높은 은폐성을 나타내는 반면에, 회로 상 등의 박막부는 은폐성이 낮기 때문에, 특히 회로 에지부가 비쳐버리는 현상이 자주 보인다. 이러한 면 내에서의 농담을 해결하기 위해서, 통상, 조성물 중의 안료 농도를 조정하는 것이 일반적이지만, 감광성을 저해하는 경우가 있어, 알칼리 현상형의 감광성 수지 조성물에 적응하기 위해서는 한계가 있는 것이 실정이다.Furthermore, in the case of a circuit design with a high circuit thickness as described above, since the conventional solder resist expresses the hiding property of the coating film by the colored pigment, and the hiding property is different depending on the concentration of the coloring pigment in the coating film, There is a problem that light and shade are generated within the same substrate. That is, since the thick part exhibits high hiding property, whereas the thin film part on a circuit etc. has low concealability, the phenomenon that a circuit edge part shows-through is often seen especially. In order to solve the shading within such a surface, it is common to adjust the pigment concentration in a composition normally, but photosensitivity may be impaired, and it is a situation that there is a limit in order to adapt to the photosensitive resin composition of an alkali developing type.
그래서, 본 발명의 목적은 상술한 다양한 문제를 해결하는 것에 있으며, 감광성, 알칼리 현상성이 우수하고, 또한 내열성 등의 기계 특성이 우수한 경화물을 얻는 것, 동시에 도막의 은폐성이 회로 설계에 의한 막 두께 차에 의존하지 않는 감광성 열경화성 수지 조성물, 드라이 필름 및 그들을 사용한 프린트 배선판을 제공하는 데 있다.Therefore, an object of the present invention is to solve the various problems described above, to obtain a cured product excellent in photosensitivity and alkali developability, and excellent in mechanical properties such as heat resistance, and at the same time, the hiding property of the coating film can be achieved by circuit design. It is to provide the photosensitive thermosetting resin composition which does not depend on the film thickness difference, a dry film, and the printed wiring board using them.
본 발명자들은 상기 목적 실현을 위해 예의 검토했다. 그 결과, 경화 도막에 대한 은폐성의 부여를 착색 안료에만 의존하지 않고, 경화 시의 굴절률 변화를 이용함으로써 상기 해제를 해결하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors earnestly examined for the said objective realization. As a result, it came to solve the said cancellation|release by using the refractive index change at the time of hardening, without relying only on the coloring pigment for providing the hiding property with respect to a cured coating film.
즉, 감광성 수지 조성물의 도막에 대하여, 광경화성이 영향을 미치는 노광 시에는 심부까지 광경화할 수 있는 안료 농도와 투명성을 유지하고, 현상 후의 열경화 시에는 도막의 굴절률을 변화시킴으로써, 경화 도막에 있어서 면 내 편차가 없는 균일한 은폐성이 발현하는 것을 발견했다.That is, with respect to the coating film of the photosensitive resin composition, by maintaining the pigment concentration and transparency that can be photocured to the deep part during exposure to which the photocurability is affected, and by changing the refractive index of the coating film during thermal curing after development, in the cured coating film It was found that a uniform hiding property without in-plane variation was expressed.
보다 구체적으로는, 특정한 구조를 갖는 폴리아미드이미드 수지를 사용한 감광성 열경화성 수지 조성물에 의해, 전술한 기계 특성과 현상성의 과제를 해결하고, 또한 이러한 폴리아미드이미드 수지와, 열경화성 환상 에테르기 함유 화합물, 불포화 이중 결합 및 카르복시기를 갖는 수지, 광중합 개시제를 포함하는 조성물에 의하면, 광경화성, 열경화한 경화 도막의 은폐성이 향상되고, 경화 도막에 있어서 면 내 편차가 없는 균일한 은폐성이 얻어지는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.More specifically, a photosensitive thermosetting resin composition using a polyamideimide resin having a specific structure solves the problems of mechanical properties and developability described above, and furthermore, such a polyamideimide resin and a thermosetting cyclic ether group-containing compound, unsaturated According to the composition comprising a resin having a double bond and a carboxyl group, and a photopolymerization initiator, the photocurability and hiding properties of the thermosetting cured coating film are improved, and uniform hiding properties without in-plane variation in the cured coating film are obtained. , came to complete the present invention.
즉, 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은,That is, the photosensitive thermosetting resin composition of the present invention,
(A) 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지,(A) alkali-soluble polyamideimide resin;
(B) 불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 수지,(B) a resin having an unsaturated double bond and a carboxyl group,
(C) 열경화성 환상 에테르기 함유 화합물, 및(C) a thermosetting cyclic ether group-containing compound, and
(D) 광중합 개시제,(D) a photopolymerization initiator;
상기 (A) 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지가, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 하기 일반식 (2)로 표시되는 구조를 갖는 폴리아미드이미드 수지The polyamideimide resin (A) wherein the alkali-soluble polyamideimide resin has a structure represented by the following general formula (1) and a structure represented by the following general formula (2)
(X1은 탄소수가 24 내지 48인 이량체산 유래의 지방족 디아민 (a)의 잔기, X2는 카르복실기를 갖는 방향족 디아민 (b)의 잔기, Y는 각각 독립적으로 시클로헥산환 또는 방향환이다.)(X 1 is a residue of an aliphatic diamine (a) derived from a dimer acid having 24 to 48 carbon atoms, X 2 is a residue of an aromatic diamine (b) having a carboxyl group, and Y is each independently a cyclohexane ring or an aromatic ring.)
를 함유하는 것을 특징으로 하는 것이다.It is characterized in that it contains.
본 발명의 광경화 열경화성 수지 조성물에 있어서는 상기 폴리아미드이미드 수지 (A)의 질량 평균 분자량 Mw가 20,000 이하인 것이 바람직하다. 나아가 또한, 상기 광중합 개시제 (D)가, 광 염기 발생제로서도 기능하는 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다.In the photocurable thermosetting resin composition of this invention, it is preferable that the mass average molecular weight Mw of the said polyamideimide resin (A) is 20,000 or less. Furthermore, it is preferable that the said photoinitiator (D) contains the photoinitiator which functions also as a photobase generator.
또한, 본 발명의 드라이 필름은 상기 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.Moreover, the dry film of this invention has a resin layer containing the said photosensitive thermosetting resin composition of this invention, It is characterized by the above-mentioned.
또한, 본 발명의 프린트 배선판은 상기 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물, 또는 상기 본 발명의 드라이 필름을 사용해서 형성되는 경화물을 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.Moreover, the printed wiring board of this invention is equipped with the hardened|cured material formed using the said photosensitive thermosetting resin composition of this invention, or the said dry film of this invention, It is characterized by the above-mentioned.
본 발명에 따르면, 감광성, 알칼리 현상성(약알칼리 수용액에 의한 현상성)이 우수하고, 또한 내열성 등의 기계 특성이 우수한 경화물을 얻는 것, 동시에 도막의 은폐성이 회로 설계에 의한 막 두께 차에 의존하지 않는 감광성 열경화성 수지 조성물, 드라이 필름 및 프린트 배선판을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is excellent in photosensitivity and alkali developability (developability by weak alkali aqueous solution), and obtains the hardened|cured material excellent in mechanical properties, such as heat resistance, and at the same time, the hiding property of a coating film is film thickness difference by circuit design. It is possible to provide a photosensitive thermosetting resin composition, a dry film, and a printed wiring board that do not depend on
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail.
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은, (A) 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지, (B) 불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 수지, (C) 열경화성 환상 에테르기 함유 화합물 및 (D) 광중합 개시제를 함유하고,The photosensitive thermosetting resin composition of the present invention contains (A) an alkali-soluble polyamideimide resin, (B) a resin having an unsaturated double bond and a carboxyl group, (C) a thermosetting cyclic ether group-containing compound, and (D) a photopolymerization initiator, ,
상기 (A) 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지가, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 하기 일반식 (2)로 표시되는 구조를 갖는 폴리아미드이미드 수지The polyamideimide resin in which the alkali-soluble polyamideimide resin (A) has a structure represented by the following general formula (1) and a structure represented by the following general formula (2)
(X1은 탄소수가 24 내지 48인 이량체산 유래의 지방족 디아민 (a)의 잔기, X2는 카르복실기를 갖는 방향족 디아민 (b)의 잔기, Y는 각각 독립적으로 시클로헥산환 또는 방향환이다.)인 것을 특징으로 한다.(X 1 is a residue of an aliphatic diamine (a) derived from a dimer acid having 24 to 48 carbon atoms, X 2 is a residue of an aromatic diamine (b) having a carboxyl group, and Y is each independently a cyclohexane ring or an aromatic ring.) characterized by being.
전술한 바와 같이, 종래의 솔더 레지스트는 착색 안료에 의해 도막의 은폐성을 발현시키고 있고, 그 도막 내의 착색 안료의 함유 농도에서 은폐성이 다른 점에서, 높은 회로 두께를 갖는 회로 기판에 있어서 기재부(회로간)인 후막부는 높은 은폐성을 나타내는 반면에, 회로 상 등의 박막부는 은폐성이 낮기 때문에, 특히 회로 에지부가 비쳐버리는 현상이 발생하였다.As described above, the conventional solder resist expresses the hiding property of the coating film by the colored pigment, and the hiding property is different in the concentration of the colored pigment in the coating film. In the circuit board having a high circuit thickness, Since the thick film portion (inter-circuit) exhibits high hiding properties, while the thin film portions such as on circuits have low hiding properties, a phenomenon in which the circuit edge portion is particularly transparent occurred.
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은, 이량체산 유래의 지방족 유닛 및 카르복실기를 포함하는 특정한 (A) 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지와 함께, (B) 불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 수지, (C) 열경화성 환상 에테르기 함유 화합물을 사용한 구성에 최대의 특징이 있다. 이러한 구성으로 한 것에 의해, 광경화성에 영향을 미치는 노광 시에는 심부까지 경화할 수 있는 안료 농도와 투명성을 유지하고, 현상 후의 열경화 시에는 도막의 굴절률을 변화시킴으로써, 경화 도막에 있어서 면 내 편차가 없는 균일한 은폐성을 발현하는 효과를 얻을 수 있다. 즉, 양호한 해상성을 가지며, 또한 도막의 은폐성이 회로 설계에 의한 막 두께 차에 의존하지 않고, 감광성, 알칼리 현상성이 우수하고, 또한 내열성 등의 기계 특성이 우수한 감광성 열경화성 수지 조성물을 얻는 것이 가능하게 되었다.The photosensitive thermosetting resin composition of the present invention comprises a specific (A) alkali-soluble polyamideimide resin containing an aliphatic unit and a carboxyl group derived from a dimer acid, (B) a resin having an unsaturated double bond and a carboxyl group, (C) thermosetting The structure using a cyclic ether group containing compound has the greatest characteristic. With such a configuration, the pigment concentration and transparency that can be cured to the deep part are maintained during exposure that affects the photocurability, and the refractive index of the coating film is changed during thermal curing after development, so that in-plane variation in the cured coating film It is possible to obtain the effect of expressing a uniform hiding property without That is, to obtain a photosensitive thermosetting resin composition which has good resolution, and the hiding property of the coating film does not depend on the film thickness difference due to circuit design, is excellent in photosensitivity and alkali developability, and is excellent in mechanical properties such as heat resistance. It became possible.
이하, 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물을 구성하는 각 성분에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, each component which comprises the photosensitive thermosetting resin composition of this invention is demonstrated in detail.
[(A) 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지] [(A) Alkali-soluble polyamideimide resin]
본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서, 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지는, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 하기 일반식 (2)로 표시되는 구조를 갖는 폴리아미드이미드 수지를 사용한다. 이에 의해, 현상성을 더욱 향상시킬 수 있다.Curable resin composition of this invention WHEREIN: As alkali-soluble polyamide-imide resin, the polyamide-imide resin which has a structure represented by the following general formula (1) and a structure represented by the following general formula (2) is used. Thereby, developability can further be improved.
여기서, X1은 탄소수가 24 내지 48인 이량체산 유래의 지방족 디아민 (a)(본 명세서에 있어서 「이량체 디아민 (a)」라고도 한다.)의 잔기이다. X2는 카르복실기를 갖는 방향족 디아민 (b)(본 명세서에 있어서 「카르복실기 함유 디아민 (b)」라고도 한다.)의 잔기이다. Y는 각각 독립적으로 시클로헥산환 또는 방향환이다.Here, X 1 is a residue of an aliphatic diamine (a) derived from a dimer acid having 24-48 carbon atoms (also referred to as “dimer diamine (a)” in this specification). X 2 is a residue of an aromatic diamine (b) having a carboxyl group (also referred to as “a carboxyl group-containing diamine (b)” in this specification.). Y is each independently a cyclohexane ring or an aromatic ring.
상기 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 상기 일반식 (2)로 표시되는 구조를 포함함으로써, 1.0질량%의 탄산나트륨 수용액과 같은 마일드한 알칼리 용액이 사용된 경우에도 용해될 수 있는 알칼리 용해성이 우수한 폴리아미드이미드 수지로 할 수 있다. 또한, 이러한 폴리아미드이미드 수지를 포함하는 수지 조성물의 경화물은 우수한 유전 특성을 가질 수 있다.By including the structure represented by the general formula (1) and the structure represented by the general formula (2), it has excellent alkali solubility that can be dissolved even when a mild alkali solution such as an aqueous solution of 1.0 mass % sodium carbonate is used. It can be set as polyamideimide resin. In addition, a cured product of the resin composition including the polyamideimide resin may have excellent dielectric properties.
이량체 디아민 (a)는 탄소수 12 내지 24의 지방족 불포화 카르복실산의 이량체에 있어서의 카르복실기를 환원적 아미노화함으로써 얻을 수 있다. 즉, 이량체산 유래의 지방족 디아민인 이량체 디아민 (a)는, 예를 들어 올레산, 리놀레산 등의 불포화 지방산을 중합시켜서 이량체산으로 하고, 이것을 환원한 후, 아미노화함으로써 얻어진다. 이러한 지방족 디아민으로서, 예를 들어 탄소수 36의 골격을 갖는 디아민인 PRIAMINE 1073, 1074, 1075(크로다 재팬사 제조, 상품명) 등의 시판품을 사용할 수 있다. 이량체 디아민 (a)는 탄소수가 28 내지 44인 이량체산 유래인 것이 바람직한 경우가 있고, 탄소수가 32 내지 40인 이량체산 유래인 것이 보다 바람직한 경우가 있다.The dimer diamine (a) can be obtained by reductive amination of the carboxyl group in the dimer of a C12-C24 aliphatic unsaturated carboxylic acid. That is, the dimer diamine (a) which is an aliphatic diamine derived from a dimer acid is obtained by, for example, polymerizing unsaturated fatty acids, such as oleic acid and linoleic acid, to set it as a dimer acid, reducing this and then aminating. As such an aliphatic diamine, commercial items, such as PRIAMINE 1073, 1074, 1075 (the Croda Japan company make, brand name) which are diamine which have a C36 frame|skeleton, can be used, for example. It may be preferable that the dimer diamine (a) is derived from a dimer acid having 28 to 44 carbon atoms, and it may be more preferable that the dimer diamine (a) is derived from a dimer acid having 32 to 40 carbon atoms.
카르복실기 함유 디아민 (b)의 구체예로서는, 3,5-디아미노벤조산, 3,4-디아미노벤조산, 5,5'-메틸렌비스(안트라닐산), 벤지딘-3,3'-디카르복실산 등을 들 수 있다. 카르복실기 함유 디아민 (b)는 1종류의 화합물로 구성되어 있어도 되고, 복수 종류의 화합물로 구성되어 있어도 된다. 원료 입수성의 관점에서, 카르복실기 함유 디아민 (b)는 3,5-디아미노벤조산, 5,5'-메틸렌비스(안트라닐산)을 함유하는 것이 바람직하다.Specific examples of the carboxyl group-containing diamine (b) include 3,5-diaminobenzoic acid, 3,4-diaminobenzoic acid, 5,5'-methylenebis(anthranilic acid), benzidine-3,3'-dicarboxylic acid, etc. can be heard The carboxyl group-containing diamine (b) may be comprised from one type of compound, and may be comprised from multiple types of compounds. From the viewpoint of raw material availability, the carboxyl group-containing diamine (b) preferably contains 3,5-diaminobenzoic acid and 5,5'-methylenebis(anthranilic acid).
상기 폴리아미드이미드 수지에 있어서의, 상기 일반식 (1)로 표시되는 구조의 함유량과 상기 일반식 (2)로 표시되는 구조의 함유량의 관계는 한정되지 않는다. 폴리아미드이미드 수지의 알칼리 용해성과, 폴리아미드이미드 수지를 포함하는 수지 조성물의 경화물의 기계 특성 등 다른 특성과의 밸런스를 양호하게 하는 관점에서, 이량체 디아민 (a)의 함유량(단위: 질량%)은 20 내지 60질량%가 바람직하고, 30 내지 50질량%가 보다 바람직하다. 본 명세서에 있어서 「이량체 디아민 (a)의 함유량」이란, 폴리아미드이미드 수지를 제조할 때의 원료 중 하나로서 자리매김할 수 있는 이량체 디아민 (a)의 투입량의, 제조된 폴리아미드이미드 수지의 질량에 대한 비율을 의미한다. 여기서 「제조된 폴리아미드이미드 수지의 질량」은, 폴리아미드이미드 수지를 제조하기 위한 모든 원료의 투입량으로부터, 이미드화로 인해 발생하는 물(H2O) 및 아미드화로 인해 발생하는 탄산 가스(CO2)의 이론량을 차감한 값이다.The relationship between the content of the structure represented by the general formula (1) and the content of the structure represented by the general formula (2) in the polyamideimide resin is not limited. Content (unit: mass %) of dimer diamine (a) from the viewpoint of improving the balance between alkali solubility of polyamideimide resin and other properties such as mechanical properties of a cured product of a resin composition containing polyamideimide resin 20-60 mass % of silver is preferable, and 30-50 mass % is more preferable. In the present specification, "content of dimer diamine (a)" refers to the amount of the dimer diamine (a) that can be positioned as one of the raw materials at the time of manufacturing polyamideimide resin, produced polyamideimide resin means the ratio to the mass of Here, "the mass of the polyamide-imide resin produced" is, from the input amount of all raw materials for producing the polyamide-imide resin, water (H 2 O) generated by imidization and carbon dioxide gas (CO 2) generated by amidation. ) minus the theoretical quantity.
폴리아미드이미드 수지의 알칼리 용해성을 높이는 관점에서, 상기 일반식 (1) 및 상기 일반식 (2)에 있어서 Y로 나타나는 부분은 시클로헥산환을 갖는 것이 바람직하다. 폴리아미드이미드 수지의 알칼리 용해성과, 폴리아미드이미드 수지를 포함하는 수지 조성물의 경화물의 기계 특성 등 다른 특성과의 밸런스를 양호하게 하는 관점에서, 상기의 Y로 나타나는 부분에 있어서의 방향환과 시클로헥산환의 양적 관계는, 시클로헥산환의 함유량의 방향환의 함유량에 대한 몰비가 85/15 내지 100/0인 것이 바람직하고, 90/10 내지 99/1인 것이 보다 바람직하고, 90/10 내지 98/2인 것이 더욱 바람직하다.From a viewpoint of improving the alkali solubility of polyamideimide resin, it is preferable that the part represented by Y in the said General formula (1) and said General formula (2) has a cyclohexane ring. From the viewpoint of improving the balance between the alkali solubility of the polyamideimide resin and other properties such as mechanical properties of a cured product of a resin composition containing the polyamideimide resin, the aromatic ring and the cyclohexane ring in the portion represented by Y As for the quantitative relationship, it is preferable that the molar ratio with respect to content of the aromatic ring of content of a cyclohexane ring is 85/15-100/0, It is more preferable that it is 90/10-99/1, It is 90/10-98/2 more preferably.
상기 폴리아미드이미드 수지는 하기 일반식 (i)로 나타나는 부분 구조를 더 갖고 있어도 된다.The polyamideimide resin may further have a partial structure represented by the following general formula (i).
여기서, X3은 이량체 디아민 (a) 및 카르복실기 함유 디아민 (b) 이외의 디아민 (f)(본 명세서에 있어서, 「다른 디아민 (f)」라고도 한다.)의 잔기이며, Y는 상기 일반식 (1) 및 상기 일반식 (2)와 마찬가지로, 각각 독립적으로 방향환 또는 시클로헥산환이다. 다른 디아민 (f)는 1종류의 화합물로 구성되어 있어도 되고, 복수 종류의 화합물로 구성되어 있어도 된다.Here, X 3 is a residue of a diamine (f) other than the dimer diamine (a) and the carboxyl group-containing diamine (b) (also referred to as “another diamine (f)” in this specification), and Y is the above general formula Like (1) and the said General formula (2), it is an aromatic ring or a cyclohexane ring each independently. The other diamine (f) may be comprised from one type of compound, and may be comprised from multiple types of compounds.
다른 디아민 (f)의 구체예로서는, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 2,2'-디메틸비페닐-4,4'-디아민, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐-4,4'-디아민, 2,6,2',6'-테트라메틸-4,4'-디아민, 5,5'-디메틸-2,2'-술포닐-비페닐-4,4'-디아민, 3,3'-디히드록시비페닐-4,4'-디아민, (4,4'-디아미노)디페닐에테르, (4,4'-디아미노)디페닐술폰, (4,4'-디아미노)벤조페논, (3,3'-디아미노)벤조페논, (4,4'-디아미노)디페닐메탄, (4,4'-디아미노)디페닐에테르, (3,3'-디아미노)디페닐에테르 등의 방향족 디아민을 들 수 있고, 헥사메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 도데카메틸렌디아민, 옥타데카메틸렌디아민, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥실아민), 이소포론디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 노르보르넨디아민 등 지방족 디아민을 들 수 있다.Specific examples of the other diamine (f) include 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, and bis[4-(4- Aminophenoxy)phenyl]sulfone, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]methane, 4,4'- Bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ketone, 1,3-bis(4-amino Phenoxy)benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 2,2'-dimethylbiphenyl-4,4'-diamine, 2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl- 4,4'-diamine, 2,6,2',6'-tetramethyl-4,4'-diamine, 5,5'-dimethyl-2,2'-sulfonyl-biphenyl-4,4'- Diamine, 3,3'-dihydroxybiphenyl-4,4'-diamine, (4,4'-diamino)diphenyl ether, (4,4'-diamino)diphenylsulfone, (4,4 '-diamino)benzophenone, (3,3'-diamino)benzophenone, (4,4'-diamino)diphenylmethane, (4,4'-diamino)diphenylether, (3,3 and aromatic diamines such as '-diamino)diphenyl ether, and hexamethylenediamine, octamethylenediamine, decamethylenediamine, dodecamethylenediamine, octadecamethylenediamine, and 4,4'-methylenebis(cyclohexylamine). ), isophorone diamine, 1,4-cyclohexanediamine, and aliphatic diamines such as norbornene diamine.
상기 폴리아미드이미드 수지는 하기 일반식 (ii)에 나타나는 구조를 갖고 있어도 된다.The polyamideimide resin may have a structure represented by the following general formula (ii).
여기서, Z는 지방족기여도 되고, 방향족을 포함하는 기여도 된다. 지방족기인 경우에는, 시클로헥산환 등 지환기를 포함하고 있어도 된다. 후술하는 제조 방법에 의하면, Z는 디이소시아네이트 화합물 (e)의 잔기가 된다.Here, Z may be an aliphatic group, and may also be contribution containing an aromatic. In the case of an aliphatic group, an alicyclic group such as a cyclohexane ring may be included. According to the manufacturing method mentioned later, Z becomes a residue of a diisocyanate compound (e).
상기 폴리아미드이미드 수지의 제조 방법은 한정되지 않고, 공지 관용의 방법을 사용해서 이미드화 공정 및 아미드이미드화 공정을 거쳐서 제조할 수 있다.The manufacturing method of the said polyamide-imide resin is not limited, A well-known and usual method can be used and it can manufacture through an imidation process and an amidimidization process.
이미드화 공정에서는, 이량체 디아민 (a), 카르복실기 함유 디아민 (b) 및 시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산-1,2-무수물 (c)와 무수 트리멜리트산 (d)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종을 반응시켜서 이미드화물을 얻는다.In the imidation step, dimer diamine (a), carboxyl group-containing diamine (b) and cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid-1,2-anhydride (c) and trimellitic anhydride (d) are used. 1 type or 2 types selected from the group which consists of are made to react, and an imidide is obtained.
이량체 디아민 (a)의 투입량은, 이량체 디아민 (a)의 함유량이 20 내지 60질량%가 되는 양이 바람직하고, 이량체 디아민 (a)의 함유량이 30 내지 50질량%가 되는 양이 보다 바람직하다. 이량체 디아민 (a)의 함유량의 정의는 상술한 바와 같다.The amount of the dimer diamine (a) to be charged is preferably an amount in which the content of the dimer diamine (a) is 20 to 60 mass%, and the amount in which the content of the dimer diamine (a) is 30 to 50 mass% is more desirable. The definition of content of dimer diamine (a) is as above-mentioned.
필요에 따라, 이량체 디아민 (a) 및 카르복실기 함유 디아민 (b)와 함께, 다른 디아민 (f)를 사용해도 된다.As needed, you may use another diamine (f) with dimer diamine (a) and carboxyl group-containing diamine (b).
폴리아미드이미드 수지의 알칼리 용해성을 높이는 관점에서, 이미드화 공정에 있어서 시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산-1,2-무수물 (c)를 사용하는 것이 바람직하다. 시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산-1,2-무수물 (c)의 사용량의, 무수 트리멜리트산 (d)의 사용량에 대한 몰비는 85/15 내지 100/0인 것이 바람직하고, 90/10 내지 99/1인 것이 보다 바람직하고, 90/10 내지 98/2인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable to use cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid-1,2-anhydride (c) in the imidation process from a viewpoint of improving the alkali solubility of polyamideimide resin. It is preferable that the molar ratio of the usage-amount of cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid-1,2-anhydride (c) to the usage-amount of trimellitic anhydride (d) is 85/15 to 100/0, , more preferably 90/10 to 99/1, and still more preferably 90/10 to 98/2.
이미드화물을 얻기 위해서 사용되는 디아민 화합물(구체적으로는, 이량체 디아민 (a) 및 카르복실기 함유 디아민 (b) 그리고 필요에 따라 사용되는 다른 디아민 (f)를 의미한다.)의 양과 산 무수물(구체적으로는, 시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산-1,2-무수물 (c)와 무수 트리멜리트산 (d)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종을 의미한다.)의 양의 관계는 한정되지 않는다. 산 무수물의 사용량은 디아민 화합물의 사용량에 대한 몰 비율이 2.0 이상 2.4 이하가 되는 양인 것이 바람직하고, 당해 몰 비율이 2.0 이상 2.2 이하가 되는 양인 것이 보다 바람직하다.The amount of the diamine compound (specifically, dimer diamine (a) and carboxyl group-containing diamine (b) and other diamines (f) used as necessary) used to obtain the imidide and acid anhydride (specifically , means one or two selected from the group consisting of cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid-1,2-anhydride (c) and trimellitic anhydride (d).) The positive relationship is not limited. It is preferable that the molar ratio with respect to the usage-amount of a diamine compound is the quantity used as 2.0 or more and 2.4 or less, and, as for the usage-amount of an acid anhydride, it is more preferable that it is the quantity used as the said molar ratio 2.0 or more and 2.2 or less.
아미드이미드화 공정에서는, 상기의 이미드화 공정에 의해 얻어진 이미드화물에 디이소시아네이트 화합물 (e)를 반응시켜서 하기 일반식 (3)으로 표시되는 구조를 갖는 물질을 포함하는 폴리아미드이미드 수지를 얻는다.In the amidimidization step, a polyamideimide resin containing a substance having a structure represented by the following general formula (3) is obtained by reacting the diisocyanate compound (e) with the imidized product obtained in the above imidization step.
디이소시아네이트 화합물 (e)의 구체적인 종류는 한정되지 않는다. 디이소시아네이트 화합물 (e)는 1종류의 화합물로 구성되어 있어도 되고, 복수 종류의 화합물로 구성되어 있어도 된다.The specific kind of diisocyanate compound (e) is not limited. The diisocyanate compound (e) may be comprised from one type of compound, and may be comprised from multiple types of compounds.
디이소시아네이트 화합물 (e)의 구체예로서는, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트, o-크실릴렌디이소시아네이트, m-크실릴렌디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌 이량체 등의 방향족 디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 노르보르넨디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트 등을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 알칼리 용해성 및 폴리아미드이미드 수지의 투명성을 모두 양호하게 하는 관점에서, 디이소시아네이트 화합물 (e)는 지방족 이소시아네이트를 함유하는 것이 바람직하고, 디이소시아네이트 화합물 (e)는 지방족 이소시아네이트인 것이 보다 바람직하다.Specific examples of the diisocyanate compound (e) include 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, naphthalene-1,5-diisocyanate, o-xylyl aromatic diisocyanates such as rendiisocyanate, m-xylylenediisocyanate, and 2,4-tolylene dimer; Aliphatic diisocyanate, such as hexamethylene diisocyanate, trimethyl hexamethylene diisocyanate, dicyclohexyl methane diisocyanate, isophorone diisocyanate, norbornene diisocyanate, etc. are mentioned. From the viewpoint of improving both the alkali solubility of the polyamideimide resin and the transparency of the polyamideimide resin, the diisocyanate compound (e) preferably contains an aliphatic isocyanate, and the diisocyanate compound (e) is more preferably an aliphatic isocyanate. desirable.
아미드이미드화 공정에서의 디이소시아네이트 화합물 (e)의 사용량은 한정되지 않는다. 폴리아미드이미드 수지에 적당한 알칼리 용해성을 부여하는 관점에서, 디이소시아네이트 화합물 (e)의 사용량은, 이미드 화합물을 얻기 위해서 사용한 디아민 화합물의 양에 대한 몰 비율로서 0.3 이상 1.0 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.4 이상 0.95 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 0.50 이상 0.90 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.The usage-amount of the diisocyanate compound (e) in the amidimidization process is not limited. From the viewpoint of imparting appropriate alkali solubility to the polyamideimide resin, the amount of the diisocyanate compound (e) to be used is preferably 0.3 or more and 1.0 or less as a molar ratio to the amount of the diamine compound used to obtain the imide compound, It is more preferable to set it as 0.4 or more and 0.95 or less, and it is especially preferable to set it as 0.50 or more and 0.90 or less.
이와 같이 해서 제조되는 폴리아미드이미드 수지는 하기 일반식 (3)으로 표시되는 구조를 갖는 물질을 포함한다.The polyamideimide resin produced in this way contains a substance having a structure represented by the following general formula (3).
상기 일반식 (3) 중, X는 각각 독립적으로 디아민 잔기(디아민 화합물의 잔기), Y는 각각 독립적으로 방향환 또는 시클로헥산환, Z는 디이소시아네이트 화합물의 잔기이다. n은 자연수이다.In said general formula (3), each independently X is a diamine residue (residue of a diamine compound), Y is each independently an aromatic ring or a cyclohexane ring, and Z is a residue of a diisocyanate compound. n is a natural number.
이상 설명한 바와 같은 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지는, 폴리아미드이미드 수지의 알칼리 용해성(현상성)과, 폴리아미드이미드 수지를 포함하는 수지 조성물의 경화물의 기계 특성 등 다른 특성과의 밸런스를 양호하게 하는 관점에서, 그의 산가가 50㎎KOH/g 이상인 것이 바람직하고, 50 내지 200㎎KOH/g인 것이 보다 바람직하고, 70 내지 130㎎KOH/g인 것이 더욱 바람직하다. 산가가 50㎎KOH/g 이상이면, 알칼리에 대한 용해성이 증대하여 현상성이 양호해지고, 나아가 광조사 후의 열경화 성분과의 가교도가 높아지기 때문에, 충분한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다. 한편, 산가가 200㎎KOH/g 이하이면, 정확한 패턴의 묘화가 용이해진다.The alkali-soluble polyamide-imide resin as described above has a good balance between the alkali solubility (developability) of the polyamide-imide resin and other properties such as mechanical properties of a cured product of a resin composition containing the polyamide-imide resin. From a viewpoint, it is preferable that the acid value is 50 mgKOH/g or more, It is more preferable that it is 50-200 mgKOH/g, It is still more preferable that it is 70-130 mgKOH/g. When the acid value is 50 mgKOH/g or more, solubility in alkali increases, developability becomes good, and furthermore, since the degree of crosslinking with the thermosetting component after light irradiation increases, sufficient development contrast can be obtained. On the other hand, if the acid value is 200 mgKOH/g or less, accurate pattern drawing becomes easy.
또한, 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지의 분자량은 현상성과 경화 도막 특성을 고려하면, 질량 평균 분자량은 20,000 이하인 것이 바람직하고, 1,000 내지 15,000이 보다 바람직하고, 2,000 내지 10,000이 더욱 바람직하다. 분자량이 20,000 이하이면, 미노광부의 알칼리 용해성이 증가하여 현상성이 향상된다. 한편, 분자량이 1,000 이상이면 노광부에 있어서 충분한 내현상성과 경화 물성을 얻을 수 있다.Further, in consideration of developability and cured coating film properties, the molecular weight of the alkali-soluble polyamideimide resin is preferably 20,000 or less, more preferably 1,000 to 15,000, and still more preferably 2,000 to 10,000. When molecular weight is 20,000 or less, alkali solubility of an unexposed part increases and developability improves. On the other hand, when the molecular weight is 1,000 or more, sufficient develop resistance and curing properties can be obtained in the exposed portion.
[(B) 불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 수지][(B) Resin having an unsaturated double bond and a carboxyl group]
불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 수지로서는, 이하에 열거하는 화합물(올리고머 및 폴리머 중 어느 것이든 무방하다)을 들 수 있다.As resin which has an unsaturated double bond and a carboxyl group, the compound (any of an oligomer and a polymer may be sufficient) listed below is mentioned.
(1) 지방족 디이소시아네이트, 분지 지방족 디이소시아네이트, 지환식 디이소시아네이트, 방향족 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트와, 디메틸올프로피온산, 디메틸올부탄산 등의 카르복실기를 함유하는, 디알코올 화합물, 폴리카보네이트계 폴리올, 폴리에테르계 폴리올, 폴리에스테르계 폴리올, 폴리올레핀계 폴리올, 아크릴계 폴리올, 비스페놀 A계 알킬렌옥사이드 부가체 디올, 페놀성 히드록실기 및 알코올성 히드록실기를 갖는 화합물 등의 디올 화합물의 중부가 반응에 의한 카르복실기 함유 감광성 우레탄 수지.(1) Dial alcohol compounds containing diisocyanates such as aliphatic diisocyanate, branched aliphatic diisocyanate, alicyclic diisocyanate, and aromatic diisocyanate and carboxyl groups such as dimethylolpropionic acid and dimethylolbutanoic acid, polycarbonate-based polyols, polyols Carboxyl groups by polyaddition reaction of diol compounds such as ether polyols, polyester polyols, polyolefin polyols, acrylic polyols, bisphenol A alkylene oxide adduct diols, compounds having phenolic hydroxyl groups and alcoholic hydroxyl groups Contains photosensitive urethane resin.
(2) 디이소시아네이트와, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지 등의 2관능 에폭시 수지의 (메타)아크릴레이트 혹은 그의 부분 산 무수물 변성물과, 카르복실기 함유 디알코올 화합물의 중부가 반응에 의한 카르복실기 함유 감광성 우레탄 수지.(2) Diisocyanate and bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, and biphenol type epoxy resin of (meth)acrylate or its partial acid anhydride-modified product, and a carboxyl group-containing photosensitive urethane resin by polyaddition reaction of a carboxyl group-containing dialcohol compound.
(3) 2관능 또는 그 이상의 다관능 (고형) 에폭시 수지에 (메타)아크릴산을 반응시키고, 측쇄에 존재하는 수산기에 2염기산 무수물을 부가시킨 카르복실기 함유 감광성 수지.(3) A carboxyl group-containing photosensitive resin in which (meth)acrylic acid is reacted with a bifunctional or higher polyfunctional (solid) epoxy resin, and dibasic acid anhydride is added to a hydroxyl group present in a side chain.
(4) 2관능 (고형) 에폭시 수지의 수산기를 추가로 에피클로로히드린으로 에폭시화한 다관능 에폭시 수지에 (메타)아크릴산을 반응시키고, 발생한 수산기에 2염기산 무수물을 부가시킨 카르복실기 함유 감광성 수지.(4) A carboxyl group-containing photosensitive resin in which (meth)acrylic acid is reacted with a polyfunctional epoxy resin obtained by further epoxidizing the hydroxyl group of a bifunctional (solid) epoxy resin with epichlorohydrin, and dibasic acid anhydride is added to the generated hydroxyl group .
(5) 1분자 중에 복수의 페놀성 수산기를 갖는 화합물에, 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드 등의 알킬렌옥사이드 또는 환상 카보네이트 화합물을 반응시켜서 얻어지는 반응 생성물에, 불포화기 함유 모노카르복실산을 반응시키고, 얻어지는 반응 생성물에, 추가로 다염기산 무수물을 반응시켜서 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.(5) An unsaturated group-containing monocarboxylic acid is reacted with a reaction product obtained by reacting a compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups in one molecule with an alkylene oxide such as ethylene oxide or propylene oxide or a cyclic carbonate compound, A carboxyl group-containing photosensitive resin obtained by further reacting the reaction product with a polybasic acid anhydride.
(6) (메타)아크릴산 등의 불포화 카르복실산과, 그 이외의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 1종류 이상의 공중합체에, 에폭시기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물이나 (메타)아크릴산클로라이드 등에 의해, 에틸렌성 불포화기를 펜던트로서 부가시킴으로써 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.(6) In one or more copolymers of an unsaturated carboxylic acid such as (meth)acrylic acid and a compound having an unsaturated double bond other than that, a compound having an epoxy group and an unsaturated double bond, (meth)acrylic acid chloride, etc. A carboxyl group-containing photosensitive resin obtained by adding an unsaturated group as a pendant.
(7) 상술한 (1) 내지 (6)의 수지에, 추가로 1분자 내에 1개의 에폭시기와 1개 이상의 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물을 부가해서 이루어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.(7) Carboxyl group-containing photosensitive resin formed by adding a compound having one epoxy group and one or more (meth)acryloyl group to the resin of (1) to (6) above in one molecule.
이들 (B) 성분은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.These (B) components may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물 중 (B) 성분의 배합량은, (A) 폴리아미드이미드 수지 100질량부에 대하여 바람직하게는 5 내지 150질량부이며, 보다 바람직하게는 10 내지 80질량부이다. (B) 성분의 배합량을 상기 범위로 함으로써, 노광부에 있어서의 내현상성의 향상과, 미노광부에 있어서의 현상성의 확보를 양호하게 양립시킬 수 있는 것이 된다.Preferably the compounding quantity of (B) component in the photosensitive thermosetting resin composition of this invention is 5-150 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) polyamideimide resin, More preferably, it is 10-80 mass parts. (B) By making the compounding quantity of a component into the said range, the improvement of the developability in an exposed part and securing of the developability in an unexposed part become compatible favorably.
[(C) 열경화성 환상 에테르기 함유 화합물][(C) Thermosetting Cyclic Ether Group-Containing Compound]
열경화성 환상 (티오)에테르기 함유 화합물은, 분자 중에 3,4 또는 5원환의 환상 에테르기, 또는 환상 티오에테르기 중 어느 한쪽 또는 2종류의 기를 복수 갖는 화합물이며, 예를 들어 에폭시 수지, 옥세탄 화합물, 에피술피드 수지 등을 들 수 있다.A thermosetting cyclic (thio) ether group-containing compound is a compound which has a 3, 4 or 5-membered cyclic ether group, or any one or two types of cyclic thioether group in a molecule|numerator, For example, an epoxy resin, oxetane A compound, episulfide resin, etc. are mentioned.
에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 트리 히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 비크실레놀형 혹은 비페놀형 에폭시 수지 또는 그들의 혼합물; 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 비페닐노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌기 함유 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, brominated epoxy resin, novolak type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, hydantoin type epoxy resin, alicyclic an epoxy resin, a trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, a bixylenol type or a biphenol type epoxy resin, or a mixture thereof; A bisphenol S-type epoxy resin, a bisphenol A novolak-type epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, a biphenyl novolak-type epoxy resin, a naphthalene group containing epoxy resin, the epoxy resin etc. which have a dicyclopentadiene skeleton are mentioned.
옥세탄 화합물로서는, 비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 1,4-비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트나 그들의 올리고머 또는 공중합체 등의 다관능 옥세탄류 외에, 옥세탄알코올과 노볼락 수지, 폴리(p-히드록시스티렌), 카르도형 비스페놀류, 칼릭사렌류, 칼릭스레조르신아렌류, 또는 실세스퀴옥산 등의 수산기를 갖는 수지와의 에테르화물 등을 들 수 있다. 그 외에, 옥세탄환을 갖는 불포화 모노머와 알킬(메타)아크릴레이트의 공중합체 등도 들 수 있다.Examples of the oxetane compound include bis[(3-methyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]ether, bis[(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]ether, and 1,4-bis[(3- methyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]benzene, 1,4-bis[(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]benzene, (3-methyl-3-oxetanyl)methylacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl)methyl acrylate, (3-methyl-3-oxetanyl)methyl methacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl)methyl methacrylate or an oligomer thereof; or In addition to polyfunctional oxetanes such as copolymers, oxetane alcohol, novolak resin, poly(p-hydroxystyrene), cardo-type bisphenol, calixarene, calixresorcinarene, or silsesquioxane, etc. an etherified product with a resin having a hydroxyl group of In addition, the copolymer etc. of the unsaturated monomer which have an oxetane ring, and alkyl (meth)acrylate are mentioned.
에피술피드 수지로서는, 예를 들어 미쯔비시 가가꾸 가부시키가이샤제의 YL7000(비스페놀 A형 에피술피드 수지) 등을 들 수 있다. 또한, 마찬가지의 합성 방법을 사용하여, 노볼락형 에폭시 수지의 에폭시기의 산소 원자를 황 원자로 치환한 에피술피드 수지 등도 사용할 수 있다.Examples of the episulfide resin include YL7000 (bisphenol A episulfide resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. Moreover, the episulfide resin etc. which substituted the oxygen atom of the epoxy group of the novolak-type epoxy resin with the sulfur atom using the same synthetic|combination method can also be used.
이들 (C) 열경화성 환상 에테르기 함유 화합물은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.These (C) thermosetting cyclic ether group containing compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물 중 (C) 열경화성 환상 에테르기 함유 화합물의 배합량은, (A) 성분과 (B) 성분의 합계의 카르복실산 당량에 대한 열경화성 환상 에테르기 당량의 비율이 바람직하게는 0.2 내지 3.0, 보다 바람직하게는 0.5 내지 2.0의 범위가 되는 양이다.In the photosensitive thermosetting resin composition of the present invention, the compounding amount of the thermosetting cyclic ether group-containing compound (C) is preferably a ratio of the thermosetting cyclic ether group equivalent to the carboxylic acid equivalent of the total of the (A) component and the (B) component. The amount is in the range of 0.2 to 3.0, more preferably 0.5 to 2.0.
[(D) 광중합 개시제][(D) Photoinitiator]
본 발명에 사용하는 광중합 개시제 (D)로서는 공지 관용의 것을 사용할 수 있고, 특히 후술하는 광조사 후의 가열(PEB) 공정에 사용하는 경우에는, 광 염기 발생제로서의 기능도 갖는 광중합 개시제가 적합하다. 또한, 노광 후 가열 공정을 행하는 경우에는, 광중합 개시제와 광 염기 발생제를 병용해도 된다.As the photopolymerization initiator (D) used in the present invention, a well-known and usual thing can be used, and especially when using it for the heating (PEB) process after light irradiation mentioned later, the photoinitiator which also has a function as a photobase generator is suitable. In addition, when performing a heating process after exposure, you may use a photoinitiator and a photobase generator together.
광 염기 발생제로서의 기능도 갖는 광중합 개시제는 자외선이나 가시광 등의 광조사에 의해 분자 구조가 변화하거나, 또는 분자가 개열함으로써, 열반응성 화합물로서의 (C) 열경화성 환상 에테르기 함유 화합물의 중합 반응의 촉매로서 기능할 수 있는 1종 이상의 염기성 물질을 생성하는 화합물이다. 염기성 물질로서는, 예를 들어 2급 아민, 3급 아민을 들 수 있다.The photopolymerization initiator, which also functions as a photobase generator, is a catalyst for polymerization of (C) a thermosetting cyclic ether group-containing compound as a heat-reactive compound by changing the molecular structure or cleaving the molecule by irradiation with light such as ultraviolet light or visible light. A compound that produces one or more basic substances that can function as As a basic substance, a secondary amine and a tertiary amine are mentioned, for example.
이러한 광 염기 발생제로서의 기능도 갖는 광중합 개시제로서는, 예를 들어α-아미노아세토페논 화합물, 옥심에스테르 화합물이나, 아실옥시이미노기, N-포르밀화 방향족 아미노기, N-아실화 방향족 아미노기, 니트로벤질카르바메이트기, 알콕시벤질카르바메이트기 등의 치환기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 옥심에스테르 화합물, α-아미노아세토페논 화합물이 바람직하고, 옥심에스테르 화합물이 보다 바람직하다. α-아미노아세토페논 화합물로서는, 특히 2개 이상의 질소 원자를 갖는 것이 바람직하다.Examples of the photopolymerization initiator also having a function as such a photobase generator include α-aminoacetophenone compounds, oxime ester compounds, acyloxyimino groups, N-formylated aromatic amino groups, N-acylated aromatic amino groups, and nitrobenzylcarps. The compound etc. which have substituents, such as a barmate group and an alkoxybenzyl carbamate group, are mentioned. Especially, an oxime ester compound and (alpha)-aminoacetophenone compound are preferable, and an oxime ester compound is more preferable. As the α-aminoacetophenone compound, it is particularly preferable to have two or more nitrogen atoms.
α-아미노아세토페논계 화합물은 분자 중에 벤조인에테르 결합을 갖고, 광조사를 받으면 분자 내에서 개열이 일어나고, 경화 촉매 작용을 발휘하는 염기성 물질(아민)이 생성되는 것이면 된다. α-아미노아세토페논계 화합물로서는, 시판품으로서 BASF 재팬사제의 이르가큐어 907, 이르가큐어 369, 이르가큐어 379 등을 들 수 있다.The α-aminoacetophenone-based compound may have a benzoin ether bond in the molecule, cleavage occurs within the molecule when irradiated with light, and a basic substance (amine) that exhibits a curing catalytic action is produced. Irgacure 907, Irgacure 369, Irgacure 379 by BASF Japan, etc. are mentioned as (alpha)-aminoacetophenone type compound as a commercial item.
옥심에스테르계 화합물로서는, 광조사에 의해 염기성 물질을 생성하는 화합물이면 어느 것이든 사용할 수 있다. 이러한 옥심에스테르계 화합물로서는, 시판품으로서 BASF 재팬사제의 CGI-325, 이르가큐어 OXE01, 이르가큐어 OXE02, (주)ADEKA제의 N-1919, NCI-831 등을 들 수 있다. 또한, 분자 내에 2개의 옥심에스테르기를 갖는 광중합 개시제도 적합하게 사용할 수 있다.As the oxime ester-based compound, any compound that generates a basic substance upon irradiation with light can be used. As such an oxime ester compound, CGI-325 by BASF Japan, Irgacure OXE01, Irgacure OXE02, N-1919 by ADEKA Corporation, NCI-831 etc. are mentioned as a commercial item. Moreover, the photoinitiator which has two oxime ester groups in a molecule|numerator can also be used suitably.
이러한 광중합 개시제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다. 수지 조성물 중의 광중합 개시제의 배합량은, 바람직하게는 (A) 폴리아미드이미드 수지 100질량부에 대하여 0.1 내지 40질량부이며, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 20질량부이다. 0.1질량부 이상인 경우, 광조사부와 미조사부의 내현상성의 콘트라스트를 양호하게 얻을 수 있다. 또한, 40질량부 이하인 경우, 경화물 특성이 향상된다.These photoinitiators may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. The compounding quantity of the photoinitiator in a resin composition becomes like this. Preferably it is 0.1-40 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) polyamideimide resin, More preferably, it is 0.3-20 mass parts. When it is 0.1 mass part or more, the contrast of developability of a light irradiated part and an unirradiated part can be obtained favorably. Moreover, when it is 40 mass parts or less, hardened|cured material property improves.
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물에는 필요에 따라 이하의 성분을 배합할 수 있다.The following components can be mix|blended with the photosensitive thermosetting resin composition of this invention as needed.
(불포화 이중 결합을 갖는 모노머)(monomers with unsaturated double bonds)
본 발명의 수지 조성물에는, 광반응성의 향상을 목적으로 해서 공지의 불포화 이중 결합을 갖는 모노머를 배합할 수 있다. 이러한 불포화 이중 결합을 갖는 모노머로서는, 관용 공지된 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 폴리에테르(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트, 카보네이트(메타)아크릴레이트, 에폭시(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트 등의 히드록시알킬아크릴레이트류; 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜의 디아크릴레이트류; 헥산디올, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리스-히드록시에틸이소시아누레이트 등의 다가 알코올 또는 이들의 에틸렌옥사이드 부가물, 프로필렌옥사이드 부가물, 혹은 ε-카프로락톤 부가물 등의 다가 아크릴레이트류; 페녹시아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트, 및 이들의 페놀류의 에틸렌옥사이드 부가물 혹은 프로필렌옥사이드 부가물 등의 다가 아크릴레이트류; 글리세린디글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 글리시딜에테르의 다가 아크릴레이트류; 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류의 적어도 어느 1종 등을 들 수 있다.The monomer which has a well-known unsaturated double bond for the purpose of the improvement of photoreactivity can be mix|blended with the resin composition of this invention. As a monomer having such an unsaturated double bond, commonly known polyester (meth) acrylate, polyether (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, carbonate (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, etc. can be heard Specifically, hydroxyalkyl acrylates, such as 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxypropyl acrylate; diacrylates of glycols such as ethylene glycol, polyethylene glycol and propylene glycol; Polyhydric alcohols such as hexanediol, trimethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol, and tris-hydroxyethyl isocyanurate, ethylene oxide adducts, propylene oxide adducts, ε-caprolactone adducts, etc. of polyvalent acrylates; polyvalent acrylates such as phenoxyacrylate, bisphenol A diacrylate, and ethylene oxide adducts or propylene oxide adducts of these phenols; polyvalent acrylates of glycidyl ethers such as glycerin diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, and triglycidyl isocyanurate; and at least any one kind of each methacrylate corresponding to the acrylate.
(고분자 수지)(polymer resin)
본 발명의 수지 조성물에는, 얻어지는 경화물의 가요성, 지촉 건조성의 향상을 목적으로, 공지 관용의 고분자 수지를 배합할 수 있다. 이러한 고분자 수지로서는, 셀룰로오스계, 폴리에스테르계, 페녹시 수지계 폴리머, 폴리비닐아세탈계, 폴리비닐부티랄계, 블록 공중합체, 엘라스토머 등을 들 수 있다. 이 고분자 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.A well-known and usual polymer resin can be mix|blended with the resin composition of this invention for the purpose of the improvement of the flexibility of the hardened|cured material obtained, and dry to touch property. Examples of such polymer resins include cellulose-based, polyester-based, phenoxy resin-based polymers, polyvinyl acetal-based, polyvinyl butyral-based, block copolymers, and elastomers. This polymeric resin may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
(무기 충전제)(inorganic filler)
본 발명의 수지 조성물에는, 경화물의 경화 수축을 억제하고, 밀착성, 경도 등의 특성을 향상시키기 위해서 무기 충전제를 배합할 수 있다. 이러한 무기 충전제로서는, 예를 들어 황산바륨, 무정형 실리카, 용융 실리카, 구상 실리카, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 질화붕소, 노이부르그 실리셔스 어스 등을 들 수 있다.An inorganic filler can be mix|blended with the resin composition of this invention in order to suppress cure shrinkage of hardened|cured material, and to improve characteristics, such as adhesiveness and hardness. Examples of such inorganic fillers include barium sulfate, amorphous silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, Neuburg Silicious Earth. and the like.
(착색제)(coloring agent)
본 발명의 수지 조성물에는 공지 관용의 착색제를 배합할 수 있다. 착색제로서는, 적색, 청색, 녹색, 황색, 백색, 흑색 등의 관용 공지된 착색제를 사용할 수 있고, 안료, 염료, 색소 중 어느 것이든 무방하다.A well-known and usual coloring agent can be mix|blended with the resin composition of this invention. As the colorant, commonly known colorants such as red, blue, green, yellow, white, and black can be used, and any of pigments, dyes and dyes may be used.
(유기 용제)(organic solvent)
본 발명의 수지 조성물에는, 수지 조성물의 제조를 위해서나 기재나 캐리어 필름에 도포하기 위한 점도 조정을 위해서, 유기 용제를 사용할 수 있다. 이러한 유기 용제로서는, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 글리콜에테르류, 글리콜에테르아세테이트류, 에스테르류, 알코올류, 지방족 탄화수소, 석유계 용제 등을 들 수 있다. 이러한 유기 용제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상의 혼합물로서 사용해도 된다.An organic solvent can be used for the resin composition of this invention for the purpose of manufacture of a resin composition, or for viscosity adjustment for apply|coating to a base material or a carrier film. Examples of such organic solvents include ketones, aromatic hydrocarbons, glycol ethers, glycol ether acetates, esters, alcohols, aliphatic hydrocarbons, petroleum solvents, and the like. These organic solvents may be used individually by 1 type, and may be used as 2 or more types of mixture.
(기타 임의 성분)(Other optional ingredients)
본 발명의 수지 조성물에는, 필요에 따라서 추가로 머캅토 화합물, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등의 성분을 배합할 수 있다. 이들은 전자 재료의 분야에 있어서 공지 관용의 것을 사용할 수 있다. 또한, 미분 실리카, 하이드로탈사이트, 유기 벤토나이트, 몬모릴로나이트 등의 공지 관용의 증점제, 실리콘계, 불소계, 고분자계 등의 소포제 및/또는 레벨링제, 실란 커플링제, 방청제 등과 같은 공지 관용의 첨가제류를 배합할 수 있다.Components, such as a mercapto compound, an adhesion promoter, antioxidant, and a ultraviolet absorber, can be mix|blended with the resin composition of this invention further as needed. These can use a well-known and customary thing in the field|area of an electronic material. In addition, well-known and usual thickeners such as finely divided silica, hydrotalcite, organic bentonite, and montmorillonite, defoaming agents such as silicone, fluorine, and polymer, and/or leveling agents, silane coupling agents, rust inhibitors, etc. can
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은 감광성, 알칼리 현상성이 우수하고, 또한 내열성 등의 기계 특성이 우수한, 회로의 고저차에 의한 막 두께 차에 의존하지 않는 우수한 도막의 은폐성을 얻는 것이 가능하기 때문에, 프린트 배선판의 분야에 있어서 널리 사용할 수 있으며, 예를 들어 패키지용, 차량 탑재용, 마더보드용, 플렉시블용 등의 프린트 배선판의 솔더 레지스트 등의 용도로서 사용할 수 있다.The photosensitive thermosetting resin composition of the present invention is excellent in photosensitivity and alkali developability, and excellent in mechanical properties such as heat resistance. It can use widely in the field|area of a printed wiring board, For example, it can use as uses, such as the soldering resist of the object for packages, the object for vehicle mounting, the object for motherboards, and printed wiring boards for flexible objects.
(드라이 필름)(dry film)
본 발명의 드라이 필름은 이하와 같이 해서 제조할 수 있다.The dry film of this invention can be manufactured as follows.
즉, 먼저 캐리어 필름(지지체) 상에, 상기 본 발명의 수지 조성물을 유기 용제로 희석해서 적절한 점도로 조정하고, 통상법에 따라서 콤마 코터 등의 공지된 방법으로 순차 도포한다. 그 후, 통상 50 내지 130℃의 온도에서 1 내지 30분간 건조함으로써, 캐리어 필름 상에 형성된 수지층을 갖는 드라이 필름을 얻을 수 있다. 또한 목적에 따라, 이 외의 감광성 수지 조성물을 적층해서 다층 구조로 해도 된다. 이와 같이 해서 형성한 드라이 필름 상에는, 막의 표면에 티끌이 부착되는 것을 방지하는 등의 목적으로, 추가로 박리 가능한 커버 필름을 적층할 수 있다. 캐리어 필름 및 커버 필름으로서는 종래 공지된 플라스틱 필름을 적절히 사용할 수 있고, 커버 필름에 대해서는, 커버 필름을 박리할 때 수지층과 캐리어 필름의 접착력보다 작은 것임이 바람직하다. 캐리어 필름 및 커버 필름의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 10 내지 150㎛의 범위에서 적절히 선택된다.That is, first, on a carrier film (support), the resin composition of the present invention is diluted with an organic solvent, adjusted to an appropriate viscosity, and sequentially applied by a known method such as a comma coater according to a conventional method. Then, the dry film which has the resin layer formed on the carrier film can be obtained by drying at the temperature of 50-130 degreeC for 1 to 30 minutes normally. Moreover, according to the objective, it is good also as a multilayer structure by laminating|stacking other photosensitive resin compositions. On the dry film thus formed, a further peelable cover film can be laminated for the purpose of preventing dust from adhering to the surface of the film. A conventionally well-known plastic film can be used suitably as a carrier film and a cover film, About a cover film, when peeling a cover film, it is preferable that it is a thing smaller than the adhesive force of a resin layer and a carrier film. Although there is no restriction|limiting in particular about the thickness of a carrier film and a cover film, Generally, it selects suitably in the range of 10-150 micrometers.
(프린트 배선판 및 그의 제조 방법)(Printed wiring board and its manufacturing method)
본 발명의 프린트 배선판은, 상기 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물, 또는 상기 본 발명의 드라이 필름을 사용해서 형성되는 경화물을 구비하는 점에 특징을 갖는다. 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은 우수한 감광성, 알칼리 현상성, 내열성, 기계 특성을 갖고, 회로의 고저차에 의존하지 않는 우수한 도막의 은폐성의 이점을 갖는 것이다.The printed wiring board of this invention is characterized by the point provided with the hardened|cured material formed using the photosensitive thermosetting resin composition of the said this invention, or the dry film of the said this invention. The photosensitive thermosetting resin composition of the present invention has excellent photosensitivity, alkali developability, heat resistance, and mechanical properties, and has the advantage of excellent hiding properties of a coating film that does not depend on a difference in height of a circuit.
본 발명의 프린트 배선판의 제조는, 도체 회로를 형성한 프린트 배선 기판 상에 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 수지층을 형성하는 공정(수지층 형성 공정), 이 수지층에 활성 에너지선을 패턴상으로 조사하는 공정(노광 공정), 이 수지층을 알칼리 현상하여, 패턴화된 수지층을 일괄 형성하는 공정(현상 공정)을 포함하는 제조 방법이다. 필요에 따라 알칼리 현상 후, 가일층의 광경화나 열경화(후경화 공정)를 행하여, 수지층을 완전히 경화시켜서 신뢰성이 높은 프린트 배선판을 얻을 수 있다.The production of the printed wiring board of the present invention is a step of forming a resin layer containing the photosensitive thermosetting resin composition of the present invention on a printed wiring board on which a conductor circuit is formed (resin layer formation step), and applying an active energy ray to the resin layer. It is a manufacturing method including the process (exposure process) of irradiating in pattern shape, the process of alkali-developing this resin layer, and forming the patterned resin layer collectively (development process). If necessary, after alkali development, further photocuring or thermosetting (post-curing process) is performed, the resin layer can be completely cured, and a highly reliable printed wiring board can be obtained.
또한, 본 발명의 프린트 배선판의 제조는 이하의 수순에 따라 행할 수도 있다. 즉, 도체 회로를 형성한 프린트 배선 기판 상에 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 수지층을 형성하는 공정(수지층 형성 공정), 이 수지층에 활성 에너지선을 패턴상으로 조사하는 공정(노광 공정), 필요에 따라서 이 수지층을 가열하는 공정(가열(PEB) 공정), 및 수지층을 알칼리 현상하여, 패턴화된 수지 절연층을 형성하는 공정(현상 공정)을 포함하는 제조 방법이다. 알칼리 현상 후, 가일층의 광경화나 열경화(후경화 공정)를 행하여, 수지층을 완전히 경화시켜서 신뢰성이 높은 프린트 배선판을 얻을 수 있다. 특히, 본 발명에 있어서는 이 수순을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, manufacture of the printed wiring board of this invention can also be performed according to the following procedure. That is, a step of forming a resin layer containing the photosensitive thermosetting resin composition of the present invention on a printed wiring board on which a conductor circuit is formed (resin layer formation step), a step of irradiating the resin layer with an active energy ray in a pattern ( exposure step), a step of heating the resin layer as necessary (heating (PEB) step), and alkali development of the resin layer to form a patterned resin insulating layer (development step). . After alkali development, further photocuring and thermosetting (post-curing process) are performed, the resin layer can be completely hardened, and a highly reliable printed wiring board can be obtained. In particular, in the present invention, it is preferable to use this procedure.
이하, 각 공정에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, each process is demonstrated in detail.
[수지층 형성 공정][resin layer forming process]
이 공정에서는, 프린트 배선판 상에 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 수지층을 적어도 1층 형성한다.At this process, at least one resin layer containing the photosensitive thermosetting resin composition of this invention is formed on a printed wiring board.
수지층의 형성 방법으로서는, 도포법과 라미네이트법을 들 수 있다. 도포법의 경우, 스크린 인쇄 등의 방법에 의해 본 발명의 수지 조성물을 프린트 배선판 상에 도포하고, 건조함으로써 수지층을 형성한다. 라미네이트법의 경우, 우선은 본 발명의 수지 조성물을 유기 용제로 희석해서 적절한 점도로 조정하고, 캐리어 필름 상에 도포, 건조해서 수지층을 갖는 드라이 필름을 제작한다. 이어서, 라미네이터 등에 의해 수지층이 프린트 배선판과 접촉하도록 접합하여, 수지층을 형성한다. 캐리어 필름은 현상 공정 전에 박리한다.As a formation method of a resin layer, the application|coating method and the lamination method are mentioned. In the case of the coating method, the resin composition of this invention is apply|coated on a printed wiring board by methods, such as screen printing, and a resin layer is formed by drying. In the case of the lamination method, first, the resin composition of this invention is diluted with the organic solvent, and it adjusts to an appropriate viscosity, It apply|coats and dries on a carrier film, and produces the dry film which has a resin layer. Next, it joins so that a resin layer may contact with a printed wiring board with a laminator etc., and a resin layer is formed. The carrier film is peeled off before the developing process.
또한, 본 발명의 감광성 열경화성 수지층과 프린트 배선판 사이에는, 혹은 다른 층을 개재시킬 수 있다. 다른 층은 알칼리 현상형 감광성 수지 조성물을 포함하는 것이 바람직하다. 알칼리 현상형 감광성 수지 조성물로서는 공지된 조성물을 사용할 수 있으며, 예를 들어 솔더 레지스트용의 공지된 조성물을 사용할 수 있다. 이와 같이 다른 층을 포함한 적층 구조로 함으로써, 추가로 내충격성과 굴곡 성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.Moreover, another layer can be interposed between the photosensitive thermosetting resin layer of this invention and a printed wiring board. It is preferable that the other layer contains an alkali developing type photosensitive resin composition. As an alkali developing type photosensitive resin composition, a well-known composition can be used, For example, the well-known composition for soldering resists can be used. Thus, by setting it as the laminated structure including other layers, the hardened|cured material excellent in impact resistance and flexibility can be obtained.
[노광 공정][Exposure process]
이 공정은 네가티브형의 패턴상으로 광조사 하여 수지층에 포함되는 광중합 개시제를 활성화해서 광조사부를 경화한다. 이 공정에서는, 광조사부에서 발생한 라디칼에 의해 수지 조성물에 포함되는 감광성 수지 성분이 중합되고, 현상액에 불용이 된다. 또한, 광 염기 발생제나, 광 염기 발생제로서도 기능하는 광중합 개시제를 포함하는 조성물인 경우에는, 이 공정에 있어서 광조사부에 염기가 발생한다.In this step, light is irradiated in a negative pattern to activate the photopolymerization initiator contained in the resin layer to cure the light-irradiated portion. In this process, the photosensitive resin component contained in the resin composition is superposed|polymerized by the radical which generate|occur|produced in the light irradiation part, and it becomes insoluble in a developing solution. Moreover, in the case of a photobase generator and the composition containing the photoinitiator functioning also as a photobase generator, a base generate|occur|produces in a light irradiation part in this process.
광조사기로서는, 직접 묘화 장치, 메탈 할라이드 램프를 탑재한 광조사기 등을 사용할 수 있다. 패턴상의 광조사용 마스크는 네가티브형의 마스크이다.As the light irradiator, a direct drawing device, a light irradiator equipped with a metal halide lamp, or the like can be used. The mask for light irradiation on the pattern is a negative type mask.
광조사에 사용하는 활성 에너지선으로서는, 최대 파장이 350 내지 450㎚의 범위에 있는 레이저광 또는 산란광을 사용하는 것이 바람직하다. 최대 파장을 이 범위로 함으로써, 효율적으로 광중합 개시제를 활성화시킬 수 있다. 이 범위의 레이저광을 사용하고 있으면 가스 레이저, 고체 레이저 중 어느 것이어도 된다. 또한, 그의 광조사량은 막 두께 등에 따라 다르지만, 일반적으로는 100 내지 1500mJ/㎠로 할 수 있다.As an active energy ray used for light irradiation, it is preferable to use the laser beam or scattered light whose maximum wavelength is in the range of 350-450 nm. By making a maximum wavelength into this range, a photoinitiator can be activated efficiently. Any of a gas laser and a solid-state laser may be sufficient as long as the laser beam of this range is used. In addition, although the amount of light irradiation varies with the film thickness etc., it can be generally 100-1500 mJ/cm<2>.
[가열(PEB) 공정][Heating (PEB) process]
필요에 따라 가열(PEB) 공정을 넣을 수 있다. 이 공정에서는, 광 염기 발생제나, 광 염기 발생제로서도 기능하는 광중합 개시제를 포함하는 조성물에 있어서, 광조사 공정에서 광조사부에 발생한 염기에 의해 열반응성 화합물이 반응하여, 조사부의 알칼리 현상 내성이 향상된다. 가열 온도는 예를 들어 80 내지 140℃이다. 가열 시간은 예를 들어 1 내지 100분이다.If necessary, a heating (PEB) process may be added. In this step, in a composition containing a photobase generator and a photopolymerization initiator functioning also as a photobase generator, the thermally reactive compound reacts with the base generated in the light irradiation part in the light irradiation step, and the alkali development resistance of the irradiation part is improved do. The heating temperature is, for example, 80 to 140°C. The heating time is, for example, from 1 to 100 minutes.
본 공정에 있어서의 수지 조성물의 반응은, 예를 들어 열반응에 의한 열경화성 환상 에테르기 함유 화합물의 개환 반응이기 때문에, 광 라디칼 반응으로 경화가 진행되는 경우와 비교해서 변형이나 경화 수축을 억제할 수 있다. 또한 수지 조성물의 카르복실기가 반응하여 줄어드는 것에 의해, 광조사부의 알칼리 현상 내성이 크게 향상된다.Since the reaction of the resin composition in this step is, for example, a ring-opening reaction of a thermosetting cyclic ether group-containing compound by a thermal reaction, deformation and curing shrinkage can be suppressed compared to the case where curing proceeds by a photoradical reaction. there is. Moreover, the alkali development tolerance of a light irradiation part improves significantly by the carboxyl group of a resin composition reacting and reducing.
[현상 공정][Development process]
현상 공정은 알칼리 현상에 의해 미조사부를 제거하여, 네가티브형 패턴상의 절연막, 특히 솔더 레지스트 패턴을 형성한다.The developing step removes the unirradiated portion by alkali development to form an insulating film on a negative pattern, particularly a solder resist pattern.
현상 방법으로서는 디핑 등의 공지된 방법에 의할 수 있다. 또한, 현상액으로서는 탄산나트륨, 탄산칼륨, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 아민류, 수산화테트라메틸암모늄 수용액(TMAH) 등의 알칼리 수용액 또는 이들의 혼합액을 사용할 수 있다. 여기서, 본 발명에 있어서는 전술한 바와 같은 특정한 폴리아미드이미드 수지를 사용함으로써, 예를 들어 0.3 내지 3질량%의 약알칼리성의 현상액에 의해 현상 가능한 점에 장점이 있다.As a developing method, it can depend on well-known methods, such as dipping. Moreover, as a developing solution, aqueous alkali solutions, such as sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydroxide, potassium hydroxide, amines, tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (TMAH), or these mixtures can be used. Here, by using the specific polyamideimide resin as described above in the present invention, there is an advantage in that it can be developed with, for example, 0.3 to 3% by mass of a weakly alkaline developer.
[후경화 공정][Post-curing process]
이 공정은, 현상 공정 후에, 수지층을 완전히 열경화시켜서 신뢰성이 높은 도막을 얻는 것이다. 가열 온도는 예를 들어 140℃ 내지 180℃이다. 또한, 후경화의 전 또는 후에 광조사해도 된다.This process thermosets the resin layer completely after the image development process, and obtains a highly reliable coating film. The heating temperature is, for example, 140°C to 180°C. Moreover, you may light-irradiate before or after post-curing.
실시예Example
이하, 실시예, 비교예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예, 비교예에 의해 제한되는 것이 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited by these Examples and Comparative Examples.
(합성예 1)(Synthesis Example 1)
질소 가스 도입관, 온도계, 교반기를 구비한 4구의 300mL 플라스크에, 이량체 디아민 (a)로서의 탄소수 36의 이량체산에서 유래하는 지방족 디아민(크로다 재팬사 제조, 제품명 PRIAMINE 1075) 28.61g(0.052mol), 카르복실기 함유 디아민 (b)로서의 3,5-디아미노벤조산 4.26g(0.028mol), γ-부티로락톤 85.8g을 실온에서 투입해 용해했다.28.61 g (0.052 mol) of an aliphatic diamine derived from a dimer acid having 36 carbon atoms as the dimer diamine (a) (product name PRIAMINE 1075, manufactured by Croda Japan) in a 4-neck 300 mL flask equipped with a nitrogen gas introduction tube, a thermometer, and a stirrer. ), 4.26 g (0.028 mol) of 3,5-diaminobenzoic acid as the carboxyl group-containing diamine (b), and 85.8 g of γ-butyrolactone were introduced and dissolved at room temperature.
이어서, 시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산 무수물 (c) 30.12g(0.152mol), 무수 트리멜리트산 (d) 3.07g(0.016mol)을 투입하고, 실온에서 30분 유지했다. 추가로 톨루엔 30g을 투입하고, 160℃까지 승온하여, 톨루엔과 함께 생성되는 물을 제거한 후, 3시간 유지하고, 실온까지 냉각함으로써 이미드화물을 함유하는 용액을 얻었다.Subsequently, 30.12 g (0.152 mol) of cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid anhydride (c) and 3.07 g (0.016 mol) of trimellitic anhydride (d) were added, and it maintained at room temperature for 30 minutes. Furthermore, 30 g of toluene was thrown in, it heated up to 160 degreeC, and after removing the water produced|generated with toluene, it hold|maintained for 3 hours, and obtained the solution containing an imidide by cooling to room temperature.
얻어진 이미드화물을 함유하는 용액에, 디이소시아네이트 화합물 (e)로서의 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 14.30g(0.068mol)을 투입하고, 160℃의 온도에서 32시간 유지하고, 시클로헥사논 21.4g으로 희석함으로써 폴리아미드이미드 수지를 함유하는 용액 (A-1)을 얻었다. 얻어진 폴리아미드이미드 수지의 질량 평균 분자량 Mw는 5250, 고형분은 41.5질량%, 산가는 63㎎KOH/g, 이량체 디아민 (a)의 함유량은 40.0질량%였다.14.30 g (0.068 mol) of trimethylhexamethylene diisocyanate as a diisocyanate compound (e) is added to the solution containing the obtained imidide, hold|maintained at the temperature of 160 degreeC for 32 hours, and diluting with 21.4 g of cyclohexanone A solution (A-1) containing polyamideimide resin was obtained. The mass average molecular weight Mw of the obtained polyamideimide resin was 5250, solid content was 41.5 mass %, acid value was 63 mgKOH/g, and content of dimer diamine (a) was 40.0 mass %.
(합성예 2)(Synthesis Example 2)
질소 가스 도입관, 온도계, 교반기를 구비한 4구의 300mL 플라스크에, 이량체 디아민 (a)로서의 탄소수 36의 이량체산에서 유래하는 지방족 디아민(크로다 재팬사 제조, 제품명 PRIAMINE 1075) 29.49g(0.054mol), 카르복실기 함유 디아민 (b)로서의 3,5-디아미노벤조산 4.02g(0.026mol), γ-부티로락톤 73.5g을 실온에서 투입하여 용해했다.29.49 g (0.054 mol) of an aliphatic diamine derived from a dimer acid having 36 carbon atoms as the dimer diamine (a) (product name PRIAMINE 1075, manufactured by Croda Japan) in a 4-necked 300 mL flask equipped with a nitrogen gas inlet tube, a thermometer, and a stirrer. ), 4.02 g (0.026 mol) of 3,5-diaminobenzoic acid as the carboxyl group-containing diamine (b), and 73.5 g of γ-butyrolactone were charged and dissolved at room temperature.
이어서, 시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산 무수물 (c) 31.71g(0.160mol), 무수 트리멜리트산 (d) 1.54g(0.008mol)을 투입하고, 실온에서 30분 유지했다. 추가로 톨루엔 30g을 투입하고, 160℃까지 승온하여, 톨루엔과 함께 생성되는 물을 제거한 후, 3시간 유지하고, 실온까지 냉각함으로써 이미드화물을 함유하는 용액을 얻었다.Then, 31.71 g (0.160 mol) of cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid anhydride (c) and 1.54 g (0.008 mol) of trimellitic anhydride (d) were thrown in, and it hold|maintained at room temperature for 30 minutes. Furthermore, 30 g of toluene was thrown in, it heated up to 160 degreeC, and after removing the water produced|generated with toluene, it hold|maintained for 3 hours, and obtained the solution containing an imidide by cooling to room temperature.
얻어진 이미드화물을 함유하는 용액에, 디이소시아네이트 화합물 (e)로서의 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 6.90g(0.033mol) 및 디시클로헥실메탄디이소시아네이트 8.61g(0.033mol)을 투입하고, 160℃의 온도에서 32시간 유지하고, 시클로헥사논 36.8g으로 희석함으로써 폴리아미드이미드 수지를 함유하는 용액 (A-2)를 얻었다. 얻어진 폴리아미드이미드 수지의 질량 평균 분자량 Mw는 5840, 고형분은 40.4질량%, 산가는 62㎎KOH/g, 이량체 디아민 (a)의 함유량은 40.1질량%였다.6.90 g (0.033 mol) of trimethylhexamethylene diisocyanate as a diisocyanate compound (e) and 8.61 g (0.033 mol) of dicyclohexylmethane diisocyanate are thrown into the solution containing the obtained imidate, and the temperature of 160 degreeC The solution (A-2) containing polyamideimide resin was obtained by hold|maintaining for 32 hours and diluting with 36.8 g of cyclohexanone. The mass average molecular weight Mw of the obtained polyamideimide resin was 5840, solid content was 40.4 mass %, acid value was 62 mgKOH/g, and content of dimer diamine (a) was 40.1 mass %.
(합성예 3)(Synthesis Example 3)
질소 가스 도입관, 온도계, 교반기를 구비한 4구의 300mL 플라스크에, 이량체 디아민 (a)로서의 탄소수 36의 이량체산에서 유래하는 지방족 디아민(크로다 재팬사 제조, 제품명 PRIAMINE 1075) 29.49g(0.054mol), 카르복실기 함유 디아민 (b)로서의 3,5-디아미노벤조산 4.02g(0.026mol), γ-부티로락톤 75.0g을 실온에서 투입하여 용해했다.29.49 g (0.054 mol) of an aliphatic diamine derived from a dimer acid having 36 carbon atoms as the dimer diamine (a) (product name PRIAMINE 1075, manufactured by Croda Japan) in a 4-necked 300 mL flask equipped with a nitrogen gas introduction tube, a thermometer, and a stirrer. ), 4.02 g (0.026 mol) of 3,5-diaminobenzoic acid as the carboxyl group-containing diamine (b), and 75.0 g of γ-butyrolactone were charged and dissolved at room temperature.
이어서, 시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산 무수물 (c) 33.29g(0.168mol)을 투입하고, 실온에서 30분 유지했다. 추가로 톨루엔 30g을 투입하고, 160℃까지 승온하여, 톨루엔과 함께 생성되는 물을 제거한 후, 3시간 유지하고, 실온까지 냉각함으로써 이미드화물을 함유하는 용액을 얻었다.Next, 33.29 g (0.168 mol) of cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid anhydride (c) was charged, and the mixture was maintained at room temperature for 30 minutes. Furthermore, 30 g of toluene was thrown in, it heated up to 160 degreeC, and after removing the water produced|generated with toluene, it hold|maintained for 3 hours, and obtained the solution containing an imidide by cooling to room temperature.
얻어진 이미드화물을 함유하는 용액에, 디이소시아네이트 화합물 (e)로서의 디시클로헥실메탄디이소시아네이트 16.79g(0.064mol)을 투입하고, 160℃의 온도에서 32시간 유지하고, 시클로헥사논 37.5g으로 희석함으로써 폴리아미드이미드 수지를 함유하는 용액 (A-3)을 얻었다. 얻어진 폴리아미드이미드 수지의 중량 평균 분자량 Mw는 6430, 고형분은 41.2질량%, 산가는 63㎎KOH/g, 이량체 디아민 (a)의 함유량은 39.3중량%였다.To the solution containing the obtained imidide, 16.79 g (0.064 mol) of dicyclohexylmethane diisocyanate as the diisocyanate compound (e) was added, maintained at a temperature of 160° C. for 32 hours, and diluted with 37.5 g of cyclohexanone. Thus, a solution (A-3) containing polyamideimide resin was obtained. The weight average molecular weight Mw of the obtained polyamideimide resin was 6430, solid content was 41.2 mass %, acid value was 63 mgKOH/g, and content of dimer diamine (a) was 39.3 weight%.
(비교예 합성예 1)(Comparative Example Synthesis Example 1)
교반 장치, 온도계 및 콘덴서를 부착한 플라스크에, GBL(감마부티로락톤) 848.8g과 MDI(디페닐메탄디이소시아네이트) 57.5g(0.23몰), DMBPDI(4,4'-디이소시아네이트-3,3'-디메틸-1,1'-비페닐) 59.4g(0.225몰)과 TMA(무수 트리멜리트산) 67.2g(0.35몰)과 TMA-H(시클로헥산-1,3,4-트리카르복실산-3,4-무수물) 29.7g(0.15몰)을 투입하고, 교반을 행하면서 발열에 주의하여 80℃로 승온하고, 이 온도에서 1시간에 걸쳐 용해, 반응시키고, 추가로 2시간에 걸쳐 160℃까지 승온한 후, 이 온도에서 5시간 반응시켰다. 반응은 탄산 가스의 발포와 함께 진행하고, 계 내는 갈색의 투명 액체가 되었다. 25℃에서의 점도가 7Pa·s인 수지 고형분 17%이며 용액 산가가 5.3(KOH㎎/g)인 폴리아미드이미드 수지 (A1)의 용액(수지가 γ-부티로락톤에 용해된 수지 조성물)을 얻었다. 또한, 수지의 고형분 산가는 31.2(KOH㎎/g)였다. 또한, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)의 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 34000이었다.In a flask equipped with a stirrer, thermometer and condenser, 848.8 g of GBL (gamma-butyrolactone), 57.5 g (0.23 mol) of MDI (diphenylmethane diisocyanate), DMBPDI (4,4'-diisocyanate-3,3) '-Dimethyl-1,1'-biphenyl) 59.4 g (0.225 mol) and TMA (trimellitic anhydride) 67.2 g (0.35 mol) and TMA-H (cyclohexane-1,3,4-tricarboxylic acid) -3,4-anhydride) 29.7 g (0.15 mol) was added, the temperature was raised to 80° C. with attention to exotherm while stirring, and dissolved and reacted at this temperature over 1 hour, and further 160 over 2 hours After raising the temperature to °C, the reaction was carried out at this temperature for 5 hours. The reaction proceeded with the foaming of carbon dioxide gas, and the inside of the system became a brown transparent liquid. A solution of polyamideimide resin (A1) (resin composition in which the resin is dissolved in γ-butyrolactone) having a viscosity at 25°C of 7 Pa·s, 17% resin solids, and a solution acid value of 5.3 (KOH mg/g) was prepared. got it In addition, the solid content acid value of resin was 31.2 (KOHmg/g). In addition, as a result of the measurement of gel permeation chromatography (GPC), the weight average molecular weight was 34000.
(실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 3)(Examples 1 to 5, Comparative Examples 1 to 3)
하기 표 중에 기재된 배합에 따라, 실시예 및 비교예에 기재된 재료를 각각 배합하고, 교반기로 예비 혼합한 후, 3개 롤밀로 혼련하여, 감광성 열경화성 수지 조성물을 제조했다. 또한, 표 중의 배합량의 값은 특별히 언급이 없는 한, 고형분의 질량부를 나타낸다.According to the formulations described in the table below, the materials described in Examples and Comparative Examples were respectively blended, premixed with a stirrer, and kneaded with a three roll mill to prepare a photosensitive thermosetting resin composition. In addition, unless otherwise indicated, the value of the compounding quantity in a table|surface shows the mass part of solid content.
<최적 노광량><Optimal exposure dose>
구리 두께 70㎛, 폴리이미드 50㎛의 회로 패턴 기판을 황산과수에 의해 마이크로 에칭을 행하고, 수세, 건조한 후, 각 감광성 열경화성 수지 조성물을 스크린 인쇄법에 의해 전체면에 도포하고, 80℃의 열풍 순환식 건조로에서 30분간 건조시켰다. 수은 쇼트 아크 램프 탑재의 노광 장치(EXP-2960)를 사용해서 스텝 태블릿(Kodak No.2)을 통해 노광하고, 현상(30℃, 0.2㎫, 1wt% Na2CO3 수용액)을 60초로 행했을 때 잔존하는 스텝 태블릿의 패턴이 7단일 때를 최적 노광량으로 하였다.A circuit pattern board having a copper thickness of 70 µm and polyimide 50 µm is micro-etched with sulfuric acid and water, washed with water and dried, then each photosensitive thermosetting resin composition is applied to the entire surface by screen printing, followed by hot air at 80 ° C. It was dried in a circulation drying furnace for 30 minutes. Exposure was performed through a step tablet (Kodak No. 2) using an exposure apparatus (EXP-2960) equipped with a mercury short arc lamp, and development (30 ° C, 0.2 MPa, 1 wt% Na 2 CO 3 aqueous solution) was performed in 60 seconds. The optimal exposure amount was set when the pattern of the step tablet remaining at the time was 7 steps.
<회로 은폐성><Circuit Concealment>
구리 회로/스페이스가 300㎛/300㎛, 구리 회로 두께가 70㎛, 폴리이미드 기재 두께가 50㎛인 회로 패턴 기판을 준비하고, 황산과수에 의한 마이크로 에칭 후, 수세, 건조를 행하였다. 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 스크린 인쇄법에 의해 도포하고, 80℃의 열풍 순환식 건조로에서 30분간 건조시킨다. 건조 후, 수은 쇼트 아크 램프 탑재의 노광 장치(EXP-2960)를 사용해서 각 감광성 열경화성 수지 조성물의 최적 노광량으로 전체면 노광을 행하였다. 노광 후, 30℃의 1질량% 탄산나트륨 수용액에 의해 현상을 행하여, 150℃×60분의 열경화를 함으로써 경화 도막을 얻었다.A circuit pattern substrate having a copper circuit/space of 300 µm/300 µm, a copper circuit thickness of 70 µm, and a polyimide substrate thickness of 50 µm was prepared, and after micro-etching with sulfuric acid and water, washing and drying were performed. The photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples were applied by screen printing and dried in a hot air circulation drying furnace at 80° C. for 30 minutes. After drying, using the exposure apparatus (EXP-2960) equipped with a mercury short arc lamp, whole surface exposure was performed with the optimal exposure amount of each photosensitive thermosetting resin composition. After exposure, it developed with 30 degreeC 1 mass % sodium carbonate aqueous solution, and obtained the cured coating film by thermosetting for 150 degreeC x 60 minutes.
얻어진 경화 도막으로 덮인 회로 기판의 외관을 확인하고, 은폐성을 이하의 지표로 평가했다.The appearance of the circuit board covered with the obtained cured coating film was confirmed, and the following index|indexes evaluated concealability.
A: 구리 회로, 에지의 외관이 균일하여 구리의 색이 비쳐 보이지 않는다.A: The appearance of a copper circuit and an edge is uniform, and the color of copper is not seen through.
B: 회로 상의 막 두께 차이에 의한 외관 불균일이 확인된다.B: Appearance unevenness due to the difference in film thickness on the circuit is confirmed.
C: 회로 에지 부분이 비쳐서, 결점처럼 보인다.C: The circuit edge part is transparent, and it looks like a defect.
<해상성><Resolution>
구리 회로/스페이스가 300㎛/300㎛, 구리 회로 두께가 70㎛, 폴리이미드 기재 두께가 50㎛인 회로 패턴 기판을 준비하고, 황산과수에 의한 마이크로 에칭 후, 수세, 건조를 행하였다. 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 스크린 인쇄법에 의해 도포하고, 80℃의 열풍 순환식 건조로에서 30분간 건조시킨다. 건조 후, 수은 쇼트 아크 램프 탑재의 노광 장치(EXP-2960)를 사용해서 노광했다. 노광 패턴은 상기 기판의 스페이스부에 100/120/150/㎛의 라인을 형성할 수 있는 네가티브 마스크를 사용했다. 노광량은 각 감광성 열경화성 수지 조성물의 최적 노광량을 조사했다. 노광 후, 30℃의 1질량% 탄산나트륨 수용액에 의해 현상을 행하여 패턴을 그리고, 150℃×60분의 열경화를 함으로써 경화 도막을 얻었다.A circuit pattern substrate having a copper circuit/space of 300 µm/300 µm, a copper circuit thickness of 70 µm, and a polyimide substrate thickness of 50 µm was prepared, and after micro-etching with sulfuric acid and water, washing and drying were performed. The photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples were applied by screen printing and dried in a hot air circulation drying furnace at 80° C. for 30 minutes. After drying, it exposed using the exposure apparatus (EXP-2960) equipped with a mercury short arc lamp. For the exposure pattern, a negative mask capable of forming a line of 100/120/150/μm in the space portion of the substrate was used. The exposure dose investigated the optimal exposure dose of each photosensitive thermosetting resin composition. After exposure, it developed with 30 degreeC 1 mass % sodium carbonate aqueous solution, a pattern was drawn, and the cured coating film was obtained by thermosetting for 150 degreeC x 60 minutes.
얻어진 솔더 레지스트용 감광성 수지 조성물의 경화 도막의 최소 잔존 라인을 200배로 조정한 광학 현미경을 사용해서 구했다.It calculated|required using the optical microscope which adjusted the minimum residual line of the cured coating film of the obtained photosensitive resin composition for soldering resists to 200 times.
A: 구리 회로간에 100㎛의 솔더 댐이 형성되어 있는 것.A: A solder dam of 100 µm is formed between copper circuits.
B: 구리 회로간에 120㎛의 솔더 댐이 형성되어 있는 것.B: A solder dam of 120 µm is formed between copper circuits.
C: 구리 회로간에 150㎛의 솔더 댐이 형성되어 있는 것.C: A 150 µm solder dam is formed between copper circuits.
<절연 신뢰성><Insulation Reliability>
구리 회로/스페이스가 100㎛/100㎛, 구리 회로 두께가 70㎛, 폴리이미드 기재 두께가 50㎛인 절연 신뢰성 평가용 빗형 회로 패턴 기판을 준비하고, 황산과수에 의한 마이크로 에칭 후, 수세, 건조를 행하였다. 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 스크린 인쇄법에 의해 도포하고, 80℃의 열풍 순환식 건조로에서 30분간 건조시킨다. 건조 후, 수은 쇼트 아크 램프 탑재의 노광 장치(EXP-2960)를 사용해서 각 감광성 열경화성 수지 조성물의 최적 노광량으로 전체면 노광을 행하였다. 노광 후, 30℃의 1질량% 탄산나트륨 수용액에 의해 현상을 행하여, 150℃×60분의 열경화를 함으로써 경화 도막을 얻었다.A comb-type circuit pattern substrate for insulation reliability evaluation having a copper circuit/space of 100 µm/100 µm, a copper circuit thickness of 70 µm, and a polyimide substrate thickness of 50 µm was prepared, micro-etched with sulfuric acid and water, washed with water, and dried was done. The photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples were applied by screen printing and dried in a hot air circulation drying furnace at 80° C. for 30 minutes. After drying, using the exposure apparatus (EXP-2960) equipped with a mercury short arc lamp, whole surface exposure was performed with the optimal exposure amount of each photosensitive thermosetting resin composition. After exposure, it developed with 30 degreeC 1 mass % sodium carbonate aqueous solution, and obtained the cured coating film by thermosetting for 150 degreeC x 60 minutes.
얻어진 절연 신뢰성 평가용 기판을 85℃, 85RH% 환경 하에서 100V의 전압을 가하고, 1000 시간 후의 절연 신뢰성을 이하의 지표로 확인했다.The voltage of 100V was applied to the obtained board|substrate for insulation reliability evaluation under 85 degreeC and 85RH% environment, and the insulation reliability after 1000 hours was confirmed with the following index|index.
A: 1000시간 경과 후에 있어서 마이그레이션, 쇼트의 발생 없음.A: No migration and no short circuit after 1000 hours.
B: 1000시간 경과 후에 쇼트는 없지만, 마이그레이션의 발생 있음.B: There is no short circuit after 1000 hours, but there is occurrence of migration.
C: 1000 시간 후에 쇼트 발생.C: Short circuit occurred after 1000 hours.
<땜납 내열성><Solder heat resistance>
구리 두께 70㎛, 폴리이미드 두께 50㎛의 회로 패턴 기판을 버프 롤 연마한 후, 수세하고, 건조하고 나서, 각 감광성 열경화성 수지 조성물을 스크린 인쇄법에 의해 전체면에 도포하고, 80℃의 열풍 순환식 건조로에서 30분간 건조시켰다. 건조 후, 수은 쇼트 아크 램프 탑재의 노광 장치(EXP-2960)를 사용해서 각 감광성 열경화성 수지 조성물의 최적 노광량으로 패턴 노광을 행하였다. 노광 후, 30℃의 1질량% 탄산나트륨 수용액에 의해 현상을 행하고, 150℃×60분의 열경화를 함으로써 경화 도막을 얻었다.A circuit pattern substrate having a copper thickness of 70 µm and a polyimide thickness of 50 µm is buff roll polished, washed with water and dried, and then each photosensitive thermosetting resin composition is applied to the entire surface by screen printing, and hot air circulation at 80 ° C. It was dried in a type drying furnace for 30 minutes. After drying, pattern exposure was performed with the optimal exposure amount of each photosensitive thermosetting resin composition using the exposure apparatus (EXP-2960) equipped with a mercury short arc lamp. After exposure, it developed with 30 degreeC 1 mass % sodium carbonate aqueous solution, and obtained the cured coating film by thermosetting for 150 degreeC x 60 minutes.
얻어진 평가 기판에 대하여 로진계 플럭스를 도포하고, 미리 260℃로 설정한 땜납 조에 10초간 침지하고, 변성 알코올로 플럭스를 세정한 후, 테이프 필링 시험에 의해 레지스트층의 팽창·박리에 대해서 평가했다. 판정 기준은 이하와 같다.A rosin-based flux was applied to the obtained evaluation substrate, immersed in a solder bath previously set at 260° C. for 10 seconds, the flux was washed with denatured alcohol, and then the expansion and peeling of the resist layer was evaluated by a tape peeling test. The judgment criteria are as follows.
A: 10초간 침지를 2회 반복하고, 셀로판 테이프로 필링 시험을 행해도 박리가 확인되지 않는다.A: Even if it repeats immersion twice for 10 second and performs a peeling test with a cellophane tape, peeling is not recognized.
B: 10초간 침지를 1회 행하고, 셀로판 테이프로 필링 시험을 행해도 박리가 확인되지 않는다.B: Even if immersion is performed once for 10 seconds and a peeling test is performed with a cellophane tape, peeling is not recognized.
C: 10초간 침지를 행하면 레지스트층에 팽창, 박리가 있다.C: When immersion is performed for 10 seconds, the resist layer has swelling and peeling.
<굴곡성 시험(크랙의 유무)><Flexibility test (existence of cracks)>
폴리이미드 두께 25㎛, 구리 두께 18㎛를 포함하는 회로 패턴 기판을 준비하고, 맥크사제의 CZ-8100을 사용하여 전처리를 행하였다. 이 회로 패턴 기판 상에, 각 감광성 열경화성 수지 조성물을 스크린 인쇄법에 의해 전체면에 도포하고, 80℃의 열풍 순환식 건조로에서 30분간 건조시켰다. 그 후, 열풍 순환식 건조로에서 90℃/30분으로 건조하여, 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 피막을 형성했다.The circuit pattern board|substrate which consists of polyimide thickness 25 micrometers and copper thickness 18 micrometers was prepared, and it pre-processed using CZ-8100 by Mack Corporation. On this circuit pattern board, each photosensitive thermosetting resin composition was apply|coated to the whole surface by the screen printing method, and it was made to dry in 80 degreeC hot air circulation type drying furnace for 30 minutes. Then, it dried at 90 degreeC/30 minutes in a hot-air circulation type drying furnace, and the film containing the photosensitive thermosetting resin composition was formed.
상기에서 얻어진 피막을 구비하는 기판에 대하여, 고압 수은등(쇼트 아크 램프) 탑재의 노광 장치를 사용해서 500mJ/㎠로 전체면 노광했다. 그 후, 실시예 1 내지 5 및 비교예 1, 2 및 3에 대해서는 90℃에서 30분간 PEB 공정을 행하고 나서, 30℃의 1질량% Na2CO3 수용액을 사용하여, 스프레이압 2kg/㎠의 조건으로 5분간 현상을 행하였다. 그 후에 열풍 순환식 건조로에서 150℃에서 60분의 경화를 행하여, 감광성 열경화성 수지 조성물의 경화 피막을 구비하는 기판을 제작했다.With respect to the board|substrate provided with the film obtained above, the whole surface was exposed at 500 mJ/cm<2> using the exposure apparatus equipped with a high-pressure mercury-vapor lamp (short arc lamp). Then, for Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1, 2, and 3, after performing the PEB process at 90 ° C. for 30 minutes , using a 1 mass % Na 2 CO 3 aqueous solution at 30 ° C., a spray pressure of 2 kg/cm 2 Development was performed for 5 minutes under the conditions. After that, hardening was performed at 150 degreeC for 60 minutes in the hot-air circulation type drying furnace, and the board|substrate provided with the cured film of the photosensitive thermosetting resin composition was produced.
얻어진 기판을 약 50㎜×약 200㎜로 절단하고, 원통형 맨드럴 시험기(BYK 가드너사, No.5710)를 사용하여 굴곡성 평가를 행하였다. 수지 조성물을 도포한 면을 외측에 배치하고, 직경 2㎜의 심봉을 중심으로 굴곡시켜서 크랙 발생의 유무를 평가했다.The obtained board|substrate was cut|disconnected to about 50 mm x about 200 mm, and flexibility evaluation was performed using the cylindrical mandrel testing machine (BYK Gardner company, No.5710). The surface to which the resin composition was apply|coated was arrange|positioned to the outer side, it was bent centering on the mandrel of diameter 2mm, and the presence or absence of crack generation was evaluated.
그의 평가 결과를 하기의 표 1 중에 합쳐서 나타낸다.The evaluation results are put together in Table 1 below and shown.
상기 표 1에 나타낸 성분에 있어서의 주석 *1 내지 13은 다음의 것을 나타낸다.Comments *1 to 13 in the components shown in Table 1 above indicate the following.
*1) PAI-1: 합성예 1의 폴리아미드이미드 수지*1) PAI-1: Polyamideimide resin of Synthesis Example 1
*2) PAI-2: 합성예 2의 폴리아미드이미드 수지*2) PAI-2: Polyamideimide resin of Synthesis Example 2
*3) PAI-3: 합성예 3의 폴리아미드이미드 수지*3) PAI-3: Polyamideimide resin of Synthesis Example 3
*4) PAI-4: 비교 합성예 1의 폴리아미드이미드 수지*4) PAI-4: Polyamideimide resin of Comparative Synthesis Example 1
*5) PCR-1170H: 카르복실기 함유 변성 페놀노볼락형 에폭시 수지(닛폰 가야쿠(주)제), 산가 64㎎KOH/g, COOH당량 890*5) PCR-1170H: carboxyl group-containing modified phenol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), acid value 64 mgKOH/g, COOH equivalent 890
*6) M-350: 트리메틸올프로판 EO 변성 트리아크릴레이트(도아 고세(주)제)*6) M-350: Trimethylolpropane EO modified triacrylate (manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
*7) 6MX75: 에폭시아크릴레이트(Double bond사제 Doublemer 6MX75)*7) 6MX75: Epoxy acrylate (Double bond, Doublemer 6MX75)
*8) 828: 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량 190(미쯔비시 가가꾸(주)제)*8) 828: bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent 190 (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.)
*9) IRGACURE 907: 알킬페논계 광중합 개시제(BASF사제)*9) IRGACURE 907: Alkylphenone-based photopolymerization initiator (manufactured by BASF)
*10) DETX-S: 디에틸티옥산톤(닛폰 가야쿠제)*10) DETX-S: diethylthioxanthone (manufactured by Nippon Kayaku)
*11) IRGACURE OXE02: 옥심계 광중합 개시제(BASF사제)*11) IRGACURE OXE02: oxime-based photopolymerization initiator (manufactured by BASF)
*12) C.I. Pigment Blue 15:3*12) C.I. Pigment Blue 15:3
*13) C.I. Pigment Yellow 147*13) C.I. Pigment Yellow 147
상기 표 1 중에 나타내는 평가 결과로부터 명확한 바와 같이, 각 실시예의 수지 조성물에 있어서 사용한 (A) 폴리아미드이미드 수지 PAI-1 내지 PAI-3, (B) 내지 (D) 성분을 조합함으로써, 양호한 해상성을 갖고, 경화 후의 굴절률 변화에 수반하여 우수한 회로 은폐성이 얻어지고 있다.As is clear from the evaluation results shown in Table 1 above, good resolution is achieved by combining the components (A) polyamideimide resins PAI-1 to PAI-3 and (B) to (D) used in the resin composition of each Example. , and excellent circuit hiding properties are obtained with a change in refractive index after curing.
한편, 비교예 1로부터, 본 발명의 요건을 충족하지 않는 폴리아미드이미드 수지 PAI-4는 이량체산 유래의 지방족 유닛을 갖지 않는 것이며, 내열성, 절연 신뢰성이 우수한 반면에, 회로 은폐성, 굴곡성이 떨어지는 것을 알 수 있다. 비교예 2, 3으로부터는 특정한 폴리아미드이미드 수지를 사용하지 않은, 카르복실기 함유 에폭시아크릴레이트 수지를 사용한 조성물에서는, 내열성, 절연 신뢰성이 떨어지는 것, 또한 회로 은폐성을 착색제로 발현시킴으로써 해상성과 트레이드오프가 되는 것을 알 수 있다.On the other hand, from Comparative Example 1, the polyamideimide resin PAI-4, which does not satisfy the requirements of the present invention, does not have an aliphatic unit derived from a dimer acid, and is excellent in heat resistance and insulation reliability, but is inferior in circuit hiding property and flexibility it can be seen that According to Comparative Examples 2 and 3, in the composition using a carboxyl group-containing epoxy acrylate resin without using a specific polyamideimide resin, the resolution and trade-off were improved by expressing poor heat resistance and insulation reliability and circuit hiding properties with a colorant. it can be seen that
Claims (5)
(B) 불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 수지,
(C) 열경화성 환상 에테르기 함유 화합물, 및
(D) 광중합 개시제
를 포함하고, 상기 (A) 알칼리 용해성의 폴리아미드이미드 수지가, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 하기 일반식 (2)로 표시되는 구조를 갖는 폴리아미드이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 감광성 열경화성 수지 조성물.
(X1은 탄소수가 24 내지 48인 이량체산 유래의 지방족 디아민 (a)의 잔기, X2는 카르복실기를 갖는 방향족 디아민 (b)의 잔기, Y는 각각 독립적으로 시클로헥산환 또는 방향환이다.)(A) alkali-soluble polyamideimide resin;
(B) a resin having an unsaturated double bond and a carboxyl group,
(C) a thermosetting cyclic ether group-containing compound, and
(D) photoinitiator
wherein said (A) alkali-soluble polyamide-imide resin is a polyamide-imide resin having a structure represented by the following general formula (1) and a structure represented by the following general formula (2), A photosensitive thermosetting resin composition.
(X 1 is a residue of an aliphatic diamine (a) derived from a dimer acid having 24 to 48 carbon atoms, X 2 is a residue of an aromatic diamine (b) having a carboxyl group, and Y is each independently a cyclohexane ring or an aromatic ring.)
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018225282A JP2020086387A (en) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | Photosensitive thermosetting resin composition, dry film and printed wiring board |
JPJP-P-2018-225282 | 2018-11-30 | ||
PCT/JP2019/043984 WO2020110671A1 (en) | 2018-11-30 | 2019-11-08 | Photosensitive thermosetting resin composition, dry film, and printed wiring board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210097131A true KR20210097131A (en) | 2021-08-06 |
Family
ID=70853730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217016923A KR20210097131A (en) | 2018-11-30 | 2019-11-08 | Photosensitive thermosetting resin composition, dry film and printed wiring board |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020086387A (en) |
KR (1) | KR20210097131A (en) |
CN (1) | CN113166410A (en) |
TW (1) | TW202032271A (en) |
WO (1) | WO2020110671A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230120393A (en) | 2022-02-09 | 2023-08-17 | 주식회사 엘지화학 | Method for manufacturing (meth)acrylate-based resin, (meth)acrylate resin manufactured thereby and dry film solder resist comprsing the same |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102635354B1 (en) * | 2019-04-02 | 2024-02-07 | 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 | Bismaleimide compound and method for producing the same, photosensitive resin composition using the same, cured product thereof, and semiconductor device |
WO2022210415A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 太陽インキ製造株式会社 | Multilayer body, cured product of same, and electronic component comprising said cured product |
JP2023177415A (en) * | 2022-06-02 | 2023-12-14 | 株式会社レゾナック | Polyamide-imide and polyamide-imide film |
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CN105278241B (en) * | 2014-07-04 | 2020-08-11 | 太阳油墨制造株式会社 | Photosensitive thermosetting resin composition, dry film and printed wiring board |
JP6568712B2 (en) * | 2015-05-08 | 2019-08-28 | 太陽インキ製造株式会社 | Photosensitive thermosetting resin composition, dry film and printed wiring board |
JP5934419B1 (en) * | 2015-08-12 | 2016-06-15 | エア・ウォーター株式会社 | Polyamideimide resin, thermosetting resin composition, cured product of the thermosetting resin composition, and method for producing polyamideimide resin |
JP6869078B2 (en) * | 2017-03-31 | 2021-05-12 | 太陽インキ製造株式会社 | Curable resin compositions, laminated structures, cured products thereof, and electronic components |
CN108693702A (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-23 | 太阳油墨制造株式会社 | Hardening resin composition, laminate structure, its solidfied material and electronic unit |
-
2018
- 2018-11-30 JP JP2018225282A patent/JP2020086387A/en active Pending
-
2019
- 2019-11-08 CN CN201980077434.2A patent/CN113166410A/en active Pending
- 2019-11-08 KR KR1020217016923A patent/KR20210097131A/en not_active Application Discontinuation
- 2019-11-08 WO PCT/JP2019/043984 patent/WO2020110671A1/en active Application Filing
- 2019-11-20 TW TW108142090A patent/TW202032271A/en unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202032271A (en) | 2020-09-01 |
WO2020110671A1 (en) | 2020-06-04 |
JP2020086387A (en) | 2020-06-04 |
CN113166410A (en) | 2021-07-23 |
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