KR101959648B1 - Laminate structure - Google Patents

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다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤
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Abstract

플렉시블 프린트 배선판의 절연막으로서의 요구 성능을 만족시키고, 절곡부와 실장부의 일괄 형성 프로세스에도 적합한 구조체를 제공한다. 또한, 그의 경화물을 보호막, 예를 들어 커버레이 또는 솔더 레지스트로서 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 제공한다. 알칼리 현상성 수지 조성물을 포함하는 접착층 (A)와, 접착층 (A) 위에 형성되는 감광성 수지 조성물을 포함하는 보호층 (B)를 갖고, 접착층 (A)와 보호층 (B)의 막 두께의 비율이 A/B=0.5 내지 50이 되고, 접착층 (A)의 현상 속도 (a)와 보호층 (B)의 현상 속도 (b)의 비율이 a/b=1.1 내지 100인 적층 구조체, 그것을 사용한 드라이 필름 및 플렉시블 프린트 배선판이다.Provided is a structure that satisfies required performance as an insulating film of a flexible printed wiring board and is suitable for a process of forming a bending part and a mounting part in a batch. Further, there is provided a flexible printed wiring board having a cured product thereof as a protective film, for example, a coverlay or a solder resist. (A) comprising an alkali developable resin composition and a protective layer (B) comprising a photosensitive resin composition formed on the adhesive layer (A), wherein the ratio of the film thickness of the adhesive layer (A) Wherein the ratio A / B is 0.5 to 50 and the ratio of the developing speed (a) of the adhesive layer (A) to the developing speed (b) of the protective layer (B) is a / b = 1.1 to 100, Film and a flexible printed wiring board.

Description

적층 구조체 {LAMINATE STRUCTURE}[0002] LAMINATE STRUCTURE [0003]

본 발명은 적층 구조체에 관한 것으로, 특히 플렉시블 프린트 배선판의 절연막으로서 유용한 적층 구조체, 그것을 사용한 드라이 필름 및 플렉시블 프린트 배선판에 관한 것이다.The present invention relates to a laminated structure, and more particularly to a laminated structure useful as an insulating film of a flexible printed wiring board, a dry film using the same, and a flexible printed wiring board.

근년, 스마트폰이나 태블릿 단말기의 보급에 의한 전자 기기의 소형 박형화에 의해, 회로 기판의 작은 스페이스화가 필요해지고 있다. 그로 인해, 절곡하여 수납할 수 있는 플렉시블 프린트 배선판의 용도가 확대되어, 이러한 플렉시블 프린트 배선판에 대해서도, 지금까지 이상으로 높은 신뢰성을 갖는 것이 요구되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, small-sized circuit boards have become necessary due to the miniaturization of electronic devices due to the spread of smart phones and tablet terminals. As a result, the use of a flexible printed wiring board which can be folded and housed has been expanded, and such a flexible printed wiring board is required to have higher reliability than ever.

이에 대해 현재, 플렉시블 프린트 배선판의 절연 신뢰성을 확보하기 위한 절연막으로서, 절곡부(굴곡부)에는, 내열성 및 굴곡성 등의 기계적 특성이 우수한 폴리이미드를 베이스로 한 커버레이를 사용하고(예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조), 실장부(비굴곡부)에는, 전기 절연성 등이 우수하고 미세 가공이 가능한 감광성 수지 조성물을 사용한 혼재 프로세스가 널리 채용되어 있다.On the other hand, a coverlay based on polyimide excellent in mechanical properties such as heat resistance and bending property is used as the insulating film for securing the insulation reliability of the flexible printed wiring board at the bent portion (bent portion) (Refer to documents 1 and 2), and a mixed process using a photosensitive resin composition which is excellent in electric insulation and can be micro-machined is widely adopted in a mounting portion (non-bent portion).

즉, 내열성 및 굴곡성 등의 기계적 특성이 우수한 폴리이미드를 베이스로 한 커버레이는 금형 펀칭에 의한 가공을 필요로 하기 때문에, 미세 배선에는 부적합하다. 그로 인해, 미세 배선이 필요해지는 칩 실장부에는, 포토리소그래피에 의한 가공을 할 수 있는 알칼리 현상형의 감광성 수지 조성물(솔더 레지스트)을 부분적으로 병용할 필요가 있었다.That is, a coverlay based on polyimide excellent in mechanical properties such as heat resistance and bendability is not suitable for fine wiring because it requires machining by die punching. As a result, it has been necessary to partially use an alkali development type photosensitive resin composition (solder resist) capable of being processed by photolithography in a chip mounting portion where fine wiring is required.

일본 특허 공개 소62-263692호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-263692 일본 특허 공개 소63-110224호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-110224

이와 같이, 플렉시블 프린트 배선판의 제조 공정에서는 커버레이를 맞대는 공정과 솔더 레지스트를 형성하는 공정의 혼재 프로세스를 채용할 수밖에 없어, 비용성과 작업성이 떨어진다는 문제가 있었다.As described above, in the manufacturing process of the flexible printed wiring board, there is a problem in that cost and operability are inferior because the process of combining the coverlay and the solder resist is inevitable.

이에 대해, 솔더 레지스트로서의 절연막 또는 커버레이로서의 절연막을, 플렉시블 프린트 배선판의 솔더 레지스트 및 커버레이의 양쪽에 적용하는 것이 검토되고 있지만, 양쪽의 요구 성능을 충분히 만족시킬 수 있는 재료는, 아직 실용화에는 이르지 못했다. 특히, 플렉시블 프린트 배선판에 대해, 솔더 레지스트로서의 절연막에 요구되는 알칼리 현상성과, 커버레이로서의 절연막에 요구되는 내열성 및 굴곡성 등의 기계적 특성의 양쪽을 겸비한 소재의 실현이 요구되었다.On the contrary, it has been studied to apply an insulating film as a solder resist or an insulating film as a coverlay to both of a solder resist and a coverlay of a flexible printed wiring board. However, materials that can sufficiently satisfy both required performances have not yet been put to practical use I did not. Particularly, for a flexible printed wiring board, it has been required to realize a material having both alkali development required for an insulating film as a solder resist and mechanical properties such as heat resistance and flexibility required for an insulating film as a coverlay.

그래서 본 발명의 목적은 플렉시블 프린트 배선판의 절연막으로서의 요구 성능을 만족시키고, 절곡부와 실장부의 일괄 형성 프로세스에도 적합한 구조체를 제공하는 데 있고, 또한 그의 경화물을 보호막, 예를 들어 커버레이 또는 솔더 레지스트로서 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a structure that satisfies required performance as an insulating film of a flexible printed wiring board and is suitable for a process of forming a bending portion and a mounting portion in a batch, And a flexible printed wiring board.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 알칼리 현상성 수지 조성물을 포함하는 접착층 (A)와, 해당 접착층 (A) 위에 형성되는 감광성 수지 조성물을 포함하는 보호층 (B)를 갖고, 상기 접착층 (A)와 상기 보호층 (B)의 막 두께의 비율이 A/B=0.5 내지 50이 되고, 상기 접착층 (A)의 현상 속도 (a)와 상기 보호층 (B)의 현상 속도 (b)의 비율이 a/b=1.1 내지 100인 것을 특징으로 하는 것이다.In order to solve the above-described problems, the present invention provides a laminated sheet comprising an adhesive layer (A) comprising an alkali developable resin composition and a protective layer (B) comprising a photosensitive resin composition formed on the adhesive layer (A) (A) of the adhesive layer (A) and the developing speed (b) of the protective layer (B) is A / B = And a ratio of a / b = 1.1 to 100.

본 발명의 적층 구조체에 있어서는, 상기 접착층 (A)와 상기 보호층 (B)가, 모두 광조사에 의해 패터닝 가능한 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 적층 구조체는 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 적합하게 사용할 수 있고, 구체적으로는 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이, 솔더 레지스트 및 층간 절연 재료 중 적어도 어느 하나의 용도에 사용하는 것이 유용하다.In the laminated structure of the present invention, it is preferable that both the adhesive layer (A) and the protective layer (B) can be patterned by light irradiation. The laminated structure of the present invention can be suitably used for at least one of the bent portion and the non-bent portion of the flexible printed wiring board. Specifically, the laminated structure can be used for at least one of the coverlay, the solder resist and the interlayer insulating material of the flexible printed wiring board It is useful to use.

또한, 본 발명의 드라이 필름은, 상기 본 발명의 적층 구조체의 적어도 편면이, 필름으로 지지 또는 보호되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.Further, the dry film of the present invention is characterized in that at least one side of the laminated structure of the present invention is supported or protected by a film.

또한, 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판은, 플렉시블 프린트 배선 기판 위에, 상기 본 발명의 적층 구조체의 층을 직접 형성하거나, 또는 상기 본 발명의 드라이 필름으로 적층 구조체의 층을 형성하고, 광조사에 의해 패터닝하고, 현상액에 의해 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.The flexible printed wiring board of the present invention can be formed by directly forming the layer of the laminated structure of the present invention on the flexible printed wiring board or by forming the layer of the laminated structure with the dry film of the present invention, And an insulating film formed by collectively forming patterns by a developing solution.

또한, 본 발명에 있어서 「패턴」이란, 패턴상의 경화물, 즉 절연막을 의미한다.In the present invention, the term " pattern " means a patterned cured product, that is, an insulating film.

본 발명에 따르면, 플렉시블 프린트 배선판의 절연막으로서의 요구 성능을 만족시키고, 절곡부와 실장부의 일괄 형성 프로세스에도 적합한 적층 구조체, 그것을 사용한 드라이 필름 및 플렉시블 프린트 배선판을 실현하는 것이 가능해졌다.According to the present invention, it is made possible to realize a laminated structure that satisfies the required performance as an insulating film of a flexible printed wiring board, and is suitable for a batch forming process of a bent portion and a mounting portion, a dry film using the same, and a flexible printed wiring board.

도 1은 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 공정도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a process diagram schematically showing an example of a manufacturing method of a flexible printed wiring board according to the present invention.

이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(적층 구조체)(Laminated structure)

본 발명의 적층 구조체는, 알칼리 현상성 수지 조성물을 포함하는 접착층 (A)와, 해당 접착층 (A) 위에 형성되는 감광성 수지 조성물을 포함하는 보호층 (B)를 갖고, 상기 접착층 (A)와 상기 보호층 (B)의 막 두께의 비율이 A/B=0.5 내지 50이 되고, 상기 접착층 (A)의 현상 속도 (a)와 상기 보호층 (B)의 현상 속도 (b)의 비율이 a/b=1.1 내지 100이다.The laminated structure of the present invention comprises an adhesive layer (A) comprising an alkali developable resin composition and a protective layer (B) comprising a photosensitive resin composition formed on the adhesive layer (A) The ratio of the film thickness of the protective layer B is 0.5 to 50 and the ratio of the developing rate a of the adhesive layer A to the developing rate b of the protective layer B is a / b = 1.1 to 100.

알칼리 현상액을 사용하여 패터닝하기 위해서는 수지 조성물이 알칼리 용해성을 갖는 것이 필요하다. 적층 구조체의 경우에 보호층에 내열성이 우수한 수지 조성물을 사용하면, 이러한 내열성이 우수한 수지 조성물에 용해성을 부여하는 것이 곤란한 점에서, 현상 속도가 느려지고, 그 결과, 패터닝이 곤란해진다는 문제가 있었다.In order to pattern using an alkali developing solution, it is necessary that the resin composition has alkali solubility. Use of a resin composition having excellent heat resistance in a protective layer in the case of a laminated structure has a problem in that it is difficult to impart solubility to a resin composition having excellent heat resistance and therefore the development speed is slow and as a result, patterning becomes difficult.

본 발명자들은 이 과제를 해결하기 위해, 보호층과 접착층의 막 두께 및 현상 속도에 착안하여 예의 검토한 결과, 보호층과 접착층의 막 두께의 비율, 및 보호층과 접착층의 현상 속도의 비율을 각각 상기 범위 내로 함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하는 데 이르렀다.In order to solve this problem, the present inventors have extensively studied the film thickness and development speed of the protective layer and the adhesive layer, and found that the ratio of the thickness of the protective layer to the thickness of the adhesive layer and the developing rate of the protective layer and the adhesive layer are And that the above-described problems can be solved by making the thickness within the above-mentioned range, thereby accomplishing the present invention.

즉, 현상 속도가 느린 수지 조성물을 사용하는 보호층을, 당해 보호층의 수지 조성물보다도 현상 속도가 빠른 수지 조성물을 사용하는 접착층 위에 적층하고, 양자의 막 두께의 비율과 현상 속도의 비율을 각각 상기 범위 내로 하면, 보호층의 현상 속도가 느려 알칼리 현상에 의한 패터닝이 곤란했거나, 또한 잔사가 있었다고 해도 접착층의 현상 속도가 빠른 결과, 양자를 완전히 씻어내는 것이 가능해져, 적층 구조 전체적으로 현상 속도를 현실적인 범위 내로 할 수 있음을 알아낸 것이다.That is, a protective layer using a resin composition with a slow developing speed is laminated on an adhesive layer using a resin composition having a developing speed higher than that of the resin composition of the protective layer, and the ratio of the ratio of the film thickness to the developing speed The development speed of the protective layer is so slow that the patterning due to the alkali development is difficult or even if there are residues, the development speed of the adhesive layer is fast and both of them can be completely washed out. As a result, It can be done within.

알칼리 현상성과, 내열성 및 굴곡성 등의 기계적 특성을 보다 양호하게 양립시키기 위해, 상기 막 두께의 비율은 A/B=0.5 내지 50, 바람직하게는 A/B=1.0 내지 30, 보다 바람직하게는 A/B=2.0 내지 10이고, 또한 상기 현상 속도의 비율은 a/b=1.1 내지 100, 바람직하게는 a/b=2.0 내지 50, 보다 바람직하게는 a/b=3.0 내지 30이다.A / B = 0.5 to 50, preferably A / B = 1.0 to 30, more preferably A / B = 1.0 to 30, more preferably A / B = 2.0 to 10, and the developing rate is a / b = 1.1 to 100, preferably a / b = 2.0 to 50, more preferably a / b = 3.0 to 30.

막 두께의 비율이 A/B=50 이하인 경우는, 적층 구조체의 층 두께에서 차지하는 내열성을 갖는 보호층 (B)의 비율이 크기 때문에, 현상성이 양호하고, 또한 충분한 내열성도 얻어진다. 또한, A/B=0.5 이상인 경우는, 현상성이 양호한 접착층 (A)의 비율이 크기 때문에, 내열성이 양호하고, 또한 알칼리 현상에 의한 패터닝이 가능해진다.When the ratio of the film thickness is A / B = 50 or less, since the ratio of the protective layer (B) having heat resistance to the layer thickness of the laminated structure is large, the developability is good and sufficient heat resistance is also obtained. When A / B is 0.5 or more, since the ratio of the adhesive layer A having a good developing property is large, heat resistance is good, and patterning by alkali development becomes possible.

현상 속도의 비율 a/b=1.1 이상인 경우는, 현상이 곤란한 보호층 (B)에 대해 접착층 (A)의 현상 속도가 상대적으로 빨라지기 때문에, 알칼리 현상에 의한 패터닝이 가능해진다. 또한, a/b=100 이하인 경우는, 접착층 (A)의 알칼리 수용액에 대한 용해성이 적당하고, 패턴 형상이 안정되기 때문에, 도금 내성 등의 여러 특성도 양호해진다.When the development rate a / b is 1.1 or more, the development speed of the adhesive layer A is relatively higher than that of the protective layer B, which is difficult to develop, so that patterning by alkali development becomes possible. When the ratio a / b is 100 or less, the solubility of the adhesive layer (A) in an aqueous alkali solution is adequate, and the pattern shape is stable, so that various characteristics such as plating resistance are improved.

현상 속도는 적층 구조체를 현상할 때에 보호층 및 접착층의 각 층이 알칼리 수용액에 용해되기 위해 필요로 하는 시간을 현상 시간[초], 각 층의 막 두께를 막 두께[㎛]로 한 경우에 하기 식으로 표현된다.The developing speed is set so that when the time required for each layer of the protective layer and the adhesive layer to dissolve in the alkali aqueous solution when developing the laminated structure is defined as the developing time [sec] and the film thickness of each layer is the film thickness [占 퐉] .

현상 속도[㎛/초]=막 두께[㎛]/현상 시간[초]Developing speed [占 퐉 / sec] = film thickness 占 퐉 / developing time [sec]

(보호층 (B))(Protective layer (B))

보호층 (B)의 감광성 수지 조성물의 조성은 특별히 제한되어야 하는 것은 아니고, 예를 들어 종래부터 솔더 레지스트 조성물로서 사용되는, 카르복실기 함유 수지 또는 카르복실기 함유 감광성 수지, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물, 광중합 개시제 및 열반응성 화합물을 포함하는 광경화성 열경화성 수지 조성물이나, 카르복실기 함유 수지, 광 염기 발생제 및 열반응성 화합물을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물을 사용할 수 있다.The composition of the photosensitive resin composition of the protective layer (B) is not particularly limited. For example, a composition containing a carboxyl group-containing resin or a carboxyl group-containing photosensitive resin conventionally used as a solder resist composition, a compound having an ethylenically unsaturated bond, And a thermosetting resin composition comprising a thermosetting compound and a thermosetting resin composition containing a carboxyl group-containing resin, a photo-base generator and a thermoreactive compound can be used.

그 중에서도, 보호층 (B)는, 내열성, 강인성이 우수한 이미드환 또는 이미드 전구체 골격을 갖는 알칼리 용해성 수지를 포함하는 수지 조성물을 포함하는 것으로 하는 것이 바람직하다.Among them, the protective layer (B) preferably comprises a resin composition comprising an imide ring or an alkali-soluble resin having an imide precursor skeleton excellent in heat resistance and toughness.

본 발명에 있어서, 이미드환 또는 이미드 전구체 골격을 갖는 알칼리 용해성 수지란, 카르복실기나 산 무수물기 등의 알칼리 용해성기와, 이미드환 또는 이미드 전구체 골격을 갖는 것이다. 이 알칼리 용해성 수지에 대한 이미드환 또는 이미드 전구체 골격의 도입에는 공지 관용의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 카르복실산 무수물 성분과, 아민 성분 및 이소시아네이트 성분 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 반응시켜 얻어지는 수지를 들 수 있다. 이미드화는 열 이미드화로 행해도 되고, 화학 이미드화로 행해도 되고, 또한 이들을 병용하여 제조할 수도 있다.In the present invention, an alkali soluble resin having an imide ring or imide precursor skeleton is one having an alkali soluble group such as a carboxyl group or an acid anhydride group, and an imide ring or an imide precursor skeleton. For introduction of the imide ring or imide precursor skeleton to the alkali soluble resin, a publicly known method can be used. For example, a resin obtained by reacting a carboxylic acid anhydride component with either or both of an amine component and an isocyanate component can be given. The imidization may be performed by thermal imidization, chemical imidization, or both.

여기서, 카르복실산 무수물 성분으로서는, 테트라카르복실산 무수물이나 트리카르복실산 무수물 등을 들 수 있지만, 이들 산 무수물로 한정되는 것은 아니고, 아미노기나 이소시아네이트기와 반응하는 산 무수물기 및 카르복실기를 갖는 화합물이라면, 그의 유도체를 포함하여 사용할 수 있다. 또한, 이들 카르복실산 무수물 성분은 단독으로, 또는 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the carboxylic acid anhydride component include tetracarboxylic acid anhydride and tricarboxylic acid anhydride. However, the acid anhydride is not limited to these acid anhydrides, and if it is a compound having an acid anhydride group and a carboxyl group which react with an amino group or an isocyanate group , And derivatives thereof. These carboxylic acid anhydride components may be used alone or in combination.

테트라카르복실산 무수물로서는, 예를 들어 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 4,4'-옥시디프탈산 이무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 이무수물, 3,3",4,4"-테르페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3'",4,4'"-쿼터페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3"",4,4""-퀸퀘페닐테트라카르복실산 이무수물, 메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1-에티닐리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 티오-4,4'-디프탈산 이무수물, 술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸실록산 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 이무수물, 1,3-비스〔2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필〕벤젠 이무수물, 1,4-비스〔2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필〕벤젠 이무수물, 비스〔3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐〕메탄 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 이무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 시클로헥산-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비시클로헥실테트라카르복실산 이무수물, 카르보닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 메틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,1-에티닐리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트 이무수물, 1,2-(에틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,3-(트리메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,4-(테트라메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,5-(펜타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,6-(헥사메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,7-(헵타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,8-(옥타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,9-(노나메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,10-(데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,12-(도데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,16-(헥사데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,18-(옥타데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물) 등을 들 수 있다.Examples of the tetracarboxylic acid anhydride include pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid Acid dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid dianhydride, 3,3 ", 4,4" -terphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 3,3 "', 4,4"' - quinquephenyl tetracarboxylic acid dianhydride, methylene-4,4'-di Phthalic dianhydride, 1,1-ethynylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 2,2-propylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,2- Diphthalic acid dianhydride, 1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,4-tetramethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,5-pentamethylene- -Diphthalic acid dianhydride, thio-4,4'-diphthalic acid dianhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) 3,3-tetramethylsiloxane imine Water, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) benzene dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxyphenyl) benzene dianhydride, 1,3- Benzene dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) benzene dianhydride, 1,3-bis [2- (3,4-dicarboxyphenyl) Water, 1,4-bis [2- (3,4-dicarboxyphenyl) -2-propyl] benzene dianhydride, bis [3- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] methane dianhydride, 3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid dianhydride, 2,3 , 6,7-anthracene tetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrene tetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2, 3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic acid dianhydride, cyclohexane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid dianhydride, Tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-bicyclohexyltetracarboxylic dianhydride, carbonyl-4,4'-bis (cyclohexane 1,2-dicarboxylic acid dianhydride, methylene-4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-bis 1,2-dicarboxylic acid dianhydride, 1,1-ethynylidene-4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 2,2- Diethylene glycol bis (trimellitate anhydride), 1, 2, 3, 4, 5, 6, (Tetramethylene anhydride), 1,5- (pentamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,6- (tetramethylene anhydride) (Hexamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,7- (heptamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,8- (octamethylene) bis (Trimellitate anhydride), 1,10- (decamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,12- (dodecamethylene) bis (trimellitate anhydride) Anhydride), 1,16- (hexadecamethylene) bis (trimellitate anhydride), and 1,18- (octadecamethylene) bis (trimellitate anhydride).

트리카르복실산 무수물로서는, 예를 들어 트리멜리트산 무수물이나 핵수첨 트리멜리트산 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the tricarboxylic acid anhydride include trimellitic acid anhydride and nuclear hydrogenated trimellitic acid anhydride.

아민 성분으로서는, 지방족 디아민이나 방향족 디아민 등의 디아민, 지방족 폴리에테르 아민 등의 다가 아민을 사용할 수 있지만, 이들 아민으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 아민 성분은 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.As amine components, polyamines such as aliphatic diamines and diamines such as aromatic diamines and aliphatic polyether amines can be used, but the amines are not limited to these amines. These amine components may be used alone or in combination.

디아민으로서는, 예를 들어 p-페닐렌디아민(PPD), 1,3-디아미노벤젠, 2,4-톨루엔디아민, 2,5-톨루엔디아민, 2,6-톨루엔디아민 등의 벤젠 핵 1개의 디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르 등의 디아미노디페닐에테르류, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술피드, 3,4'-디아미노디페닐술피드 등의 벤젠 핵 2개의 디아민, 1,3-비스(3-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠 등의 벤젠 핵 3개의 디아민, 3,3'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 2,2-비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕프로판 등의 벤젠 핵 4개의 디아민 등의 방향족 디아민, 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산 등의 지방족 디아민을 들 수 있고, 지방족 폴리에테르 아민으로서는, 에틸렌글리콜 및/또는 프로필렌글리콜계의 다가 아민 등을 들 수 있다. 또한, 하기와 같이, 카르복실기를 갖는 아민을 사용할 수도 있다.Examples of the diamine include benzene nucleus such as p-phenylenediamine (PPD), 1,3-diaminobenzene, 2,4-toluenediamine, 2,5-toluenediamine, 2,6- , Diaminodiphenyl ethers such as 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether and 3,4'-diaminodiphenyl ether, and diaminodiphenyl ethers such as 4,4'-diaminodi 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminodiphenyl ether, Benzene nucleus such as 4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, etc. Two diamines , Benzene nuclei 3 such as 1,3-bis (3-aminophenylsulfide) benzene, 1,3-bis (4-aminophenylsulfide) benzene and 1,4- Biphenyl, 3,3'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl , 2,2- Propane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, Aromatic diamine such as benzene nucleus 4 diamine such as propane and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,2-diaminoethane, 1,3-diaminopropane, , 4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, and 1,6-diaminohexane. Examples of aliphatic polyether amines include ethylene glycol and / or propylene glycol-based polyamines. . In addition, an amine having a carboxyl group may be used as described below.

카르복실기를 갖는 아민으로서는, 3,5-디아미노벤조산, 2,5-디아미노벤조산, 3,4-디아미노벤조산 등의 디아미노벤조산류, 3,5-비스(3-아미노페녹시)벤조산, 3,5-비스(4-아미노페녹시)벤조산 등의 아미노페녹시벤조산류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시비페닐 등의 카르복시비페닐 화합물류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스[4-아미노-3-카르복시페닐]프로판 등의 카르복시디페닐알칸류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-3,3'-디카르복시디페닐에테르 등의 카르복시디페닐에테르 화합물, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-3,3'-디카르복시디페닐술폰 등의 디페닐술폰 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the amine having a carboxyl group include diaminobenzoic acids such as 3,5-diaminobenzoic acid, 2,5-diaminobenzoic acid and 3,4-diaminobenzoic acid, 3,5-bis (3-aminophenoxy) Aminophenoxybenzoic acids such as 3,5-bis (4-aminophenoxy) benzoic acid, carboxybiphenyl compounds such as 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxybiphenyl, Diamino-4,4'-dicarboxy diphenylmethane, 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis [ , Carboxy diphenyl alcohols such as 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxy diphenyl ether and 4,4'-diamino-3,3'-dicarboxy diphenyl ether Ether compounds, diphenyl sulfone compounds such as 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxy diphenyl sulfone and 4,4'-diamino-3,3'-dicarboxy diphenyl sulfone have.

이소시아네이트 성분으로서는, 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체나 다량체, 지방족 디이소시아네이트류, 지환식 디이소시아네이트류 및 그의 이성체 등의 디이소시아네이트나 그 밖의 범용의 디이소시아네이트류를 사용할 수 있지만, 이들 이소시아네이트로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 이소시아네이트 성분은 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.Examples of the isocyanate component include diisocyanates such as aromatic diisocyanates, isomers and isomers thereof, aliphatic diisocyanates, alicyclic diisocyanates and isomers thereof, and other general diisocyanates. However, the diisocyanates are not limited to these isocyanates no. These isocyanate components may be used alone or in combination.

디이소시아네이트로서는, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 비페닐디이소시아네이트, 디페닐술폰디이소시아네이트, 디페닐에테르디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체, 다량체, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트류, 혹은 방향족 디이소시아네이트를 수소 첨가한 지환식 디이소시아네이트류 및 이성체, 혹은 그 밖의 범용의 디이소시아네이트류를 들 수 있다.Examples of the diisocyanate include aromatic diisocyanates such as 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, naphthalene diisocyanate, xylylene diisocyanate, biphenyl diisocyanate, diphenylsulfone diisocyanate and diphenyl ether diisocyanate. Aliphatic diisocyanates such as diisocyanate and its isomers, oligomers, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate and dicyclohexylmethane diisocyanate, alicyclic diisocyanates obtained by hydrogenating aromatic diisocyanates and isomers thereof, And general diisocyanates out of these.

이상 설명한 바와 같은 이미드환 또는 이미드 전구체 골격을 갖는 알칼리 용해성 수지는 아미드 결합을 갖고 있어도 된다. 이것은, 이소시아네이트와 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 아미드 결합이어도 되고, 그 이외의 반응에 의한 것이어도 된다. 또한, 그 밖의 부가 및 축합을 포함하는 결합을 갖고 있어도 된다.The alkali-soluble resin having an imide ring or imide precursor skeleton as described above may have an amide bond. This may be an amide bond obtained by reacting an isocyanate and a carboxylic acid, or may be obtained by other reactions. Further, it may have a bond including addition and condensation.

또한, 이 알칼리 용해성 수지에 대한 이미드환 또는 이미드 전구체 골격의 도입에는 공지 관용의, 카르복실기 및 산 무수물기 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 갖는 알칼리 용해성 중합체, 올리고머, 단량체를 사용해도 되고, 예를 들어 이들 공지 관용의 알칼리 용해성 수지류를, 단독으로, 혹은 상기의 카르복실산 무수물 성분과 조합하고, 상기의 아민/이소시아네이트류와 반응시켜 얻어지는 수지여도 된다.The introduction of the imide ring or imide precursor skeleton to the alkali-soluble resin may be carried out using an alkali-soluble polymer, oligomer or monomer having either or both of a carboxyl group and an acid anhydride group for known purpose, The resin may be a resin obtained by reacting a known alkali-soluble resin stream with the above amine / isocyanate, alone or in combination with the above carboxylic acid anhydride component.

이와 같은 알칼리 용해성기와 이미드환 또는 이미드 전구체 골격을 갖는 알칼리 용해성 수지의 합성에 있어서는, 공지 관용의 유기 용제를 사용할 수 있다. 이러한 유기 용매로서는, 원료인 카르복실산 무수물류, 아민류, 이소시아네이트류와 반응하지 않고, 또한 이들 원료가 용해되는 용매라면 문제는 없고, 그의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 그 중에서도, 원료의 용해성이 높은 점에서, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤 등의 비프로톤성 용매가 바람직하다.In the synthesis of such an alkali-soluble group and an alkali-soluble resin having an imide ring or imide precursor skeleton, an organic solvent for publicly known generations can be used. Such an organic solvent is not particularly limited as long as it is a solvent which does not react with carboxylic acid anhydrides, amines and isocyanates as raw materials, and dissolves these raw materials, and the structure thereof is not particularly limited. Among them, non-proton such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, Sex solvents are preferred.

이상 설명한 바와 같은 카르복실기 또는 산 무수물기 등의 알칼리 용해성기와 이미드환 또는 이미드 전구체 골격을 갖는 알칼리 용해성 수지는 포토리소그래피 공정에 대응하기 위해, 그의 산가가 20 내지 200㎎KOH/g인 것이 바람직하고, 60 내지 150㎎KOH/g인 것이 보다 바람직하다. 이 산가가 20㎎KOH/g 이상인 경우, 알칼리에 대한 용해성이 증가하여, 현상성이 양호해지고, 나아가, 광조사 후의 열경화 성분과의 가교도가 높아지기 때문에, 충분한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다. 또한, 이 산가가 200㎎KOH/g 이하인 경우에는, 후술하는 광조사 후의 PEB(POST EXPOSURE BAKE) 공정에서의 소위 열 흐려짐을 억제할 수 있어, 프로세스 마진이 커진다.The alkali soluble resin having an alkali soluble group such as a carboxyl group or an acid anhydride group and an alkali soluble resin having an imide ring or imide precursor skeleton as described above preferably has an acid value of 20 to 200 mgKOH / g in order to cope with the photolithography step, And more preferably 60 to 150 mgKOH / g. When the acid value is not less than 20 mgKOH / g, the solubility in alkali is increased, the developability is improved, and further the degree of crosslinking with the thermosetting component after irradiation is increased, so that sufficient development contrast can be obtained. When the acid value is 200 mgKOH / g or less, so-called thermal blur in the post-exposure bake (PEB) process after light irradiation described later can be suppressed, and the process margin is increased.

또한, 이 알칼리 용해성 수지의 분자량은 현상성 및 경화 도막 특성을 고려하면, 질량 평균 분자량 1,000 내지 100,000이 바람직하고, 2,000 내지 50,00이 보다 바람직하다. 이 분자량이 1,000 이상인 경우, 노광ㆍPEB 후에 충분한 내현상성 및 경화물성을 얻을 수 있다. 또한, 분자량이 100,000 이하인 경우, 알칼리 용해성이 증가하여, 현상성이 향상된다.The molecular weight of the alkali-soluble resin is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 50,000, in view of developability and cured coating film characteristics. When the molecular weight is 1,000 or more, sufficient developing resistance and physical properties can be obtained after exposure and PEB. When the molecular weight is 100,000 or less, the alkali solubility is increased and the developability is improved.

이미드환 또는 이미드 전구체 골격을 갖는 알칼리 용해성 수지를 포함하는 수지 조성물은 광 염기 발생제를 사용하는 경우는, 통상, 알칼리 용해성 수지에 더하여, 광 염기 발생제 및 열반응성 화합물을 함유하고, 광중합 개시제를 사용하는 경우는, 알칼리 가용성 수지에 더하여, 광중합 개시제 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물을 함유한다. 또한, 수지 성분으로서, 카르복실기 함유 우레탄 수지, 카르복실기 함유 노볼락 수지 등을 병용해도 된다.The resin composition comprising an alkali-soluble resin having an imide ring or an imide precursor skeleton contains a photo-base generator and a thermoreactive compound in addition to an alkali-soluble resin in the case of using a photo-base generator, Is used, it contains a photopolymerization initiator and a compound having an ethylenically unsaturated bond in addition to the alkali-soluble resin. As the resin component, a carboxyl group-containing urethane resin, a carboxyl group-containing novolak resin, or the like may be used in combination.

광 염기 발생제는 자외선이나 가시광 등의 광조사에 의해 분자 구조가 변화되거나, 또는 분자가 개열함으로써, 후술하는 열반응성 화합물의 중합 반응의 촉매로서 기능할 수 있는 1종 이상의 염기성 물질을 생성하는 화합물이다. 염기성 물질로서는, 예를 들어 2급 아민, 3급 아민을 들 수 있다.The photobase generator is a compound capable of generating at least one basic substance capable of functioning as a catalyst for the polymerization reaction of the heat-reactive compound described later, when the molecule structure is changed by light irradiation such as ultraviolet rays or visible light, to be. Examples of the basic substance include a secondary amine and a tertiary amine.

광 염기 발생제로서는, 예를 들어 α-아미노아세토페논 화합물, 옥심에스테르 화합물이나, 아실옥시이미노기, N-포르밀화 방향족 아미노기, N-아실화 방향족 아미노기, 니트로벤질카르바메이트기, 알콕시벤질카르바메이트기 등의 치환기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 옥심에스테르 화합물, α-아미노아세토페논 화합물이 바람직하다. α-아미노아세토페논 화합물로서는, 특히 2개 이상의 질소 원자를 갖는 것이 바람직하다.Examples of the photobase generator include an? -Amino acetophenone compound, an oxime ester compound, an acyloxyimino group, an N-formylated aromatic amino group, a N-acylated aromatic amino group, a nitrobenzyl carbamate group, And a compound having a substituent such as a carboxylate group and a carboxylate group. Of these, oxime ester compounds and? -Aminoacetophenone compounds are preferable. As the? -amino acetophenone compound, those having at least two nitrogen atoms are particularly preferred.

α-아미노아세토페논 화합물은 분자 중에 벤조인에테르 결합을 갖고, 광조사를 받으면 분자 내에서 개열이 일어나, 경화 촉매 작용을 발휘하는 염기성 물질(아민)이 생성된다. α-아미노아세토페논 화합물의 구체예로서는, (4-모르폴리노벤조일)-1-벤질-1-디메틸아미노프로판(이르가큐어 369, 상품명, BASF 재팬사제)이나 4-(메틸티오벤조일)-1-메틸-1-모르폴리노에탄(이르가큐어 907, 상품명, BASF 재팬사제), 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논(이르가큐어 379, 상품명, BASF 재팬사제) 등의 시판되는 화합물 또는 그의 용액을 사용할 수 있다.The? -aminoacetophenone compound has a benzoin ether bond in its molecule, and when subjected to light irradiation, cleavage occurs in the molecule, and a basic substance (amine) is produced which exhibits a curing catalytic action. Specific examples of the? -amino acetophenone compound include 4- (methylthiobenzoyl) -1-benzyl-1-dimethylaminopropane (Irgacure 369, trade name, Methyl-1-morpholinoethane (Irgacure 907, trade name, manufactured by BASF Japan) and 2- (dimethylamino) -2 - [(4- methylphenyl) methyl] -1- [4- Phenyl] -1-butanone (Irgacure 379, trade name, manufactured by BASF Japan), or a solution thereof can be used.

옥심에스테르 화합물로서는, 광조사에 의해 염기성 물질을 생성하는 화합물이라면 어느 것이든 사용할 수 있다. 이러한 옥심에스테르 화합물로서는, 시판품으로서, BASF 재팬사제의 CGI-325, 이르가큐어-OXE01, 이르가큐어-OXE02, 아데카사제 N-1919, NCI-831 등을 들 수 있다. 또한, 일본 특허 제4344400호 공보에 기재된, 분자 내에 2개의 옥심에스테르기를 갖는 화합물도 적합하게 사용할 수 있다.As the oxime ester compound, any compound capable of generating a basic substance by light irradiation can be used. Examples of such oxime ester compounds include CGI-325, Irgacure-OXE01, Irgacure-OXE02 manufactured by BASF Japan, N-1919 and NCI-831 manufactured by Adeka Corporation. Compounds having two oxime ester groups in the molecule described in Japanese Patent No. 4344400 can also be suitably used.

이와 같은 광 염기 발생제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 수지 조성물 중의 광 염기 발생제의 배합량은 바람직하게는 열반응성 화합물 100질량부에 대해 0.1 내지 40질량부이고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 30질량부이다. 0.1질량부 이상인 경우, 광조사부/미조사부의 내현상성의 콘트라스트를 양호하게 얻을 수 있다. 또한, 40질량부 이하인 경우, 경화물 특성이 향상된다.These photobase generators may be used singly or in combination of two or more. The blending amount of the photo-base generator in the resin composition is preferably 0.1 to 40 parts by mass, more preferably 0.1 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermally reactive compound. When the amount is not less than 0.1 part by mass, the contrast of the developability of the light irradiation portion / the non-irradiation portion can be satisfactorily obtained. When the amount is 40 parts by mass or less, the properties of the cured product are improved.

열반응성 화합물은 열에 의한 경화 반응이 가능한 관능기를 갖는 수지이고, 에폭시 수지, 다관능 옥세탄 화합물 등을 들 수 있다.The heat-reactive compound is a resin having a functional group capable of a curing reaction by heat, and examples thereof include an epoxy resin and a polyfunctional oxetane compound.

상기 에폭시 수지는 에폭시기를 갖는 수지이고, 공지의 것을 모두 사용할 수 있다. 구체적으로는, 분자 중에 에폭시기를 2개 갖는 2관능성 에폭시 수지 및 분자 중에 에폭시기를 다수 갖는 다관능 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 수소 첨가된 2관능 에폭시 화합물이어도 된다.The epoxy resin is a resin having an epoxy group, and any known epoxy resin can be used. Specifically, there may be mentioned a bifunctional epoxy resin having two epoxy groups in the molecule and a polyfunctional epoxy resin having a large number of epoxy groups in the molecule. Further, it may be a hydrogenated bifunctional epoxy compound.

상기 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 트리히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 비크실레놀형 혹은 비페놀형 에폭시 수지 또는 그들의 혼합물; 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 나프탈렌기 함유 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 수지, 글리시딜메타크릴레이트 공중합계 에폭시 수지, 시클로헥실말레이미드와 글리시딜메타크릴레이트의 공중합 에폭시 수지, CTBN 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, brominated epoxy resin, novolak epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, hydrogenated bisphenol A epoxy resin, glycidylamine epoxy resin, Hidantoin epoxy resin, Type epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, beccylenol type or biphenol type epoxy resin or a mixture thereof; A bisphenol S type epoxy resin, a bisphenol A novolak type epoxy resin, a tetraphenylol ethane type epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, a diglycidyl phthalate resin, a tetraglycidylsilaneoyl ethane resin, a naphthalene group containing epoxy resin, An epoxy resin having a chloropentadiene skeleton, a glycidyl methacrylate copolymer-based epoxy resin, a copolymerized epoxy resin of cyclohexylmaleimide and glycidyl methacrylate, and a CTBN-modified epoxy resin.

이들 에폭시 수지는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.These epoxy resins may be used singly or in combination of two or more.

상기 열반응성 화합물의 배합량으로서는, 알칼리 용해성 수지와의 당량비(카르복실기 등의 알칼리 용해성기:에폭시기 등의 열반응성기)가 1:0.1 내지 1:10인 것이 바람직하다. 이와 같은 배합비의 범위로 함으로써, 현상이 양호해져, 미세 패턴을 용이하게 형성할 수 있게 된다. 상기 당량비는 1:0.2 내지 1:5인 것이 보다 바람직하다.The compounding amount of the heat-reactive compound is preferably 1: 0.1 to 1:10 in terms of an equivalence ratio (alkali soluble group such as carboxyl group: thermal reactive group such as epoxy group) to alkaline soluble resin. By setting the mixing ratio to such a range, the development becomes favorable, and a fine pattern can be easily formed. The above-mentioned equivalent ratio is more preferably 1: 0.2 to 1: 5.

광중합 개시제로서는, 공지의 광중합 개시제를 사용할 수 있고, 예를 들어 α-아미노아세토페논계 광중합 개시제, 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 안트라퀴논 화합물, 티옥산톤 화합물, 케탈 화합물, 벤조페논 화합물, 3급 아민 화합물 및 크산톤 화합물 등을 들 수 있다.As the photopolymerization initiator, known photopolymerization initiators can be used, and examples thereof include an? -Aminoacetophenone photopolymerization initiator, an acylphosphine oxide photopolymerization initiator, a benzoin compound, an acetophenone compound, an anthraquinone compound, Ketone compounds, benzophenone compounds, tertiary amine compounds and xanthone compounds.

또한, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물로서는, 공지의 것을 사용할 수 있고, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트 등의 히드록시알킬아크릴레이트류; 에틸렌글리콜, 메톡시테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜의 모노 또는 디아크릴레이트류; 헥산디올, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리스-히드록시에틸이소시아누레이트 등의 다가 알코올 또는 이들의 에틸렌옥사이드 부가물 혹은 프로필렌옥사이드 부가물 등의 다가 아크릴레이트류; 페녹시아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 및 이들 페놀류의 에틸렌옥사이드 부가물 혹은 프로필렌옥사이드 부가물 등의 아크릴레이트류 등이 있다.As the compound having an ethylenic unsaturated bond, known compounds can be used, and hydroxyalkyl acrylates such as 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxypropyl acrylate; Mono or diacrylates of glycols such as ethylene glycol, methoxytetraethylene glycol, polyethylene glycol and propylene glycol; Polyhydric alcohols such as hexanediol, trimethylol propane, pentaerythritol, dipentaerythritol, and tris-hydroxyethylisocyanurate, or polyhydric acrylates such as ethylene oxide adducts or propylene oxide adducts thereof; Phenoxy acrylate, bisphenol A diacrylate, and acrylates such as ethylene oxide adducts or propylene oxide adducts of these phenols.

(접착층 (A))(Adhesive layer (A))

접착층 (A)를 구성하는 알칼리 현상성 수지 조성물로서는, 페놀성 수산기, 티올기 및 카르복실기 중 1종 이상의 관능기를 함유하고, 알칼리 용액으로 현상 가능한 수지를 포함하는 조성물이면 되고, 광경화성 수지 조성물로도 열경화성 수지 조성물로도 사용할 수 있다. 바람직하게는, 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 화합물, 카르복실기 함유 수지, 페놀성 수산기 및 카르복실기를 갖는 화합물, 티올기를 2개 이상 갖는 화합물을 포함하는 수지 조성물을 들 수 있고, 공지 관용의 것이 사용된다.The alkali developable resin composition constituting the adhesive layer (A) may be any composition containing a resin that contains at least one functional group selected from the group consisting of a phenolic hydroxyl group, a thiol group and a carboxyl group and can be developed with an alkali solution, It can also be used as a thermosetting resin composition. Preferably, a resin composition comprising a compound having two or more phenolic hydroxyl groups, a carboxyl group-containing resin, a compound having a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group, and a compound having two or more thiol groups can be used and a known one is used .

구체적으로는 예를 들어, 종래부터 솔더 레지스트 조성물로서 사용되고 있는, 카르복실기 함유 수지 또는 카르복실기 함유 감광성 수지와, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과, 광중합 개시제와, 열반응성 화합물을 포함하는 광경화성 열경화성 수지 조성물을 들 수 있다. 또한, 카르복실기 함유 우레탄 수지, 카르복실기를 갖는 수지, 광 염기 발생제 및 열경화 성분을 포함하는 수지 조성물을 사용할 수도 있다. 이러한 수지 조성물은 광 염기 발생제로부터 발생하는 염기를 촉매로 하여, 카르복실기를 갖는 우레탄 수지와 열경화 성분을 노광 후의 가열에 의해 부가 반응시키고, 미노광 부분을 알칼리 용액에 의해 제거함으로써 현상이 가능해지는 것이다.Specifically, for example, a photocurable thermosetting resin composition comprising a carboxyl group-containing resin or a carboxyl group-containing photosensitive resin, a compound having an ethylenically unsaturated bond, a photopolymerization initiator, and a thermoreactive compound, which has been conventionally used as a solder resist composition . Further, a resin composition containing a carboxyl group-containing urethane resin, a carboxyl group-containing resin, a photo-base generator and a thermosetting component may also be used. Such a resin composition is obtained by subjecting a urethane resin having a carboxyl group and a thermosetting component to an addition reaction by heating after exposure using a base generated from a photo-base generating agent as a catalyst and removing the unexposed portion with an alkali solution, will be.

접착층 (A)에 사용하는 수지 조성물을 구성하는 각 재료로서는, 공지 관용의 것이 사용되는 것 외에, 상기 보호층 (B)에 있어서 사용되는 것도, 마찬가지로 사용할 수 있다.As the materials constituting the resin composition used for the adhesive layer (A), those used in the protective layer (B) may be used as well as the known materials.

상기 접착층 (A) 및 보호층 (B)에 있어서 사용하는 수지 조성물에는, 얻어지는 경화물의 가요성이나 지촉 건조성의 향상을 목적으로, 공지 관용의 고분자 수지를 배합할 수 있다. 이와 같은 고분자 수지로서는, 셀룰로오스계, 폴리에스테르계, 페녹시 수지계 중합체, 폴리비닐아세탈계, 폴리비닐부티랄계, 폴리아미드계, 폴리아미드이미드계 바인더 중합체, 블록 공중합체, 엘라스토머 등을 들 수 있다. 이 고분자 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.The resin composition used in the adhesive layer (A) and the protective layer (B) may be blended with a publicly known polymer resin for the purpose of improving the flexibility and tackiness of the resulting cured product. Examples of such a polymer resin include cellulose type, polyester type, phenoxy resin type, polyvinyl acetal type, polyvinyl butyral type, polyamide type, polyamideimide type binder polymer, block copolymer and elastomer. One kind of the polymer resin may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

또한, 접착층 (A) 및 보호층 (B)에 있어서 사용하는 수지 조성물에는 경화물의 경화 수축을 억제하고, 밀착성, 경도 등의 특성을 향상시키기 위해, 무기 충전제를 배합할 수 있다. 이와 같은 무기 충전제로서는, 예를 들어 황산바륨, 무정형 실리카, 용융 실리카, 구상 실리카, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화 알루미늄, 수산화알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 질화붕소, 노이부르크 규조토 등을 들 수 있다.An inorganic filler may be added to the resin composition for use in the adhesive layer (A) and the protective layer (B) in order to suppress curing shrinkage of the cured product and improve properties such as adhesion and hardness. Examples of such inorganic fillers include barium sulfate, amorphous silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, .

접착층 (A) 및 보호층 (B)에 있어서 사용하는 수지 조성물에는, 수지 조성물의 제조를 위해서나, 기재나 캐리어 필름에 도포하기 위한 점도 조정을 위해, 유기 용제를 사용할 수 있다. 이와 같은 유기 용제로서는, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 글리콜에테르류, 글리콜에테르아세테이트류, 에스테르류, 알코올류, 지방족 탄화수소, 석유계 용제 등을 들 수 있다. 이와 같은 유기 용제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상의 혼합물로서 사용해도 된다.The resin composition used in the adhesive layer (A) and the protective layer (B) may be an organic solvent for the production of a resin composition or for viscosity adjustment for application to a substrate or a carrier film. Examples of such organic solvents include ketones, aromatic hydrocarbons, glycol ethers, glycol ether acetates, esters, alcohols, aliphatic hydrocarbons and petroleum solvents. These organic solvents may be used singly or as a mixture of two or more kinds.

접착층 (A) 및 보호층 (B)에 있어서 사용하는 수지 조성물에는 필요에 따라, 착색제, 머캅토 화합물, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등의 성분을 더 배합할 수 있다. 이들은, 전자 재료의 분야에 있어서 공지 관용의 것을 사용할 수 있다. 또한, 미분 실리카, 하이드로탈사이트, 유기 벤토나이트, 몬모릴로나이트 등의 공지 관용의 증점제, 실리콘계, 불소계, 고분자계 등의 소포제나 레벨링제, 실란 커플링제, 방청제 등과 같은 공지 관용의 첨가제류를 적절히 배합할 수 있다.If necessary, components such as a colorant, a mercapto compound, an adhesion promoter, an antioxidant, and an ultraviolet absorber may be further added to the resin composition used in the adhesive layer (A) and the protective layer (B). These can be used in the field of electronic materials. It is also possible to appropriately blend known additives such as thickening agents for known additives such as fine silica, hydrotalcite, organic bentonite and montmorillonite, defoaming agents and leveling agents such as silicones, fluorides and polymers, silane coupling agents and rust preventives have.

본 발명의 적층 구조체에 있어서, 접착층 (A)는 구리 회로에 대한 추종성의 관점에서, 보호층 (B)보다도 두꺼운 쪽이 바람직하다.In the laminated structure of the present invention, it is preferable that the adhesive layer (A) is thicker than the protective layer (B) in view of the followability to the copper circuit.

본 발명의 적층 구조체는 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽, 적합하게는 양쪽에 사용할 수 있고, 이에 의해, 절곡에 대한 충분한 내구성을 구비하는 플렉시블 프린트 배선판을, 비용성 및 작업성을 향상시키면서 얻을 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 적층 구조체는 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이, 솔더 레지스트 및 층간 절연 재료 중 적어도 어느 하나의 용도에 사용할 수 있다.The laminated structure of the present invention can be used for at least one of the bent portion and the non-bent portion of the flexible printed wiring board, and preferably both, so that the flexible printed wiring board having sufficient durability against bending can be used as the flexible printed wiring board, Can be obtained while improving. Specifically, the laminated structure of the present invention can be used for at least one of the coverlay, the solder resist, and the interlayer insulating material of the flexible printed wiring board.

(플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법)(Manufacturing Method of Flexible Printed Circuit Board)

본 발명에 있어서는, 플렉시블 프린트 배선 기재 위에, 상기 적층 구조체의 층을 직접 또는 드라이 필름을 통해 형성하고, 광조사에 의해 패터닝하고, 현상액에 의해 패턴을 일괄하여 형성하여 절연막을 형성함으로써, 플렉시블 프린트 배선판을 얻을 수 있다. 종래의 솔더 레지스트층의 단층에서는 굴곡성 등의 특성이 나빴지만, 본 발명에 따르면, 접착층 (A)와 보호층 (B)를 포함하는 적층 구조체로 하고, 보호층과 접착층의 막 두께의 비율, 및 보호층과 접착층의 현상 속도의 비율을 각각 상기 범위 내로 함으로써, 알칼리 현상성과, 내열성 및 굴곡성 등의 기계적 특성을 양호하게 양립시키는 것이 가능하게 되었다.In the present invention, the layer of the laminated structure is formed directly on the flexible printed wiring substrate or through a dry film, patterned by light irradiation, and patterns are collectively formed by the developer to form an insulating film, Can be obtained. The single layer of the conventional solder resist layer has poor properties such as flexibility. However, according to the present invention, the laminated structure including the adhesive layer (A) and the protective layer (B), the ratio of the thickness of the protective layer and the adhesive layer, By making the ratios of the development rates of the protective layer and the adhesive layer within the above ranges, it becomes possible to favorably balance the alkali developability, mechanical properties such as heat resistance and bendability.

이하에, 본 발명의 적층 구조체로부터 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판을 제조하는 방법의 일례에 대해, 접착층 (A) 및 보호층 (B)의 양쪽에 대해, 광 염기 발생제 및 열반응성 화합물을 함유하는 수지 조성물을 사용한 경우에 관하여, 도 1에 나타내는 공정도에 기초하여 설명한다. 또한, 종래부터 솔더 레지스트 조성물로서 사용되고 있는, 카르복실기 함유 수지 또는 카르복실기 함유 감광성 수지와, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과, 광중합 개시제와, 열반응성 화합물을 포함하는 광경화성 열경화성 수지 조성물을 사용하는 경우에는, 솔더 레지스트와 동일한 공정을 취할 수 있다.An example of a method for producing the flexible printed wiring board of the present invention from the laminated structure of the present invention will be described below with reference to the examples of the adhesive layer (A) and the protective layer (B) The case of using the resin composition will be described based on the process chart shown in Fig. When a photo-curable thermosetting resin composition containing a carboxyl group-containing resin or a carboxyl group-containing photosensitive resin, a compound having an ethylenically unsaturated bond, a photopolymerization initiator and a thermoreactive compound, which has been conventionally used as a solder resist composition, is used , The same process as that of the solder resist can be performed.

[적층 공정][Lamination step]

적층 공정은 기재 위에, 본 발명의 적층 구조체를 형성하는 공정이다. 도 1 중의 적층 공정은 구리 회로(2)가 형성된 플렉시블 프린트 배선 기재(1) 위에, 알칼리 현상형 수지 조성물을 포함하는 접착층(3)과, 보호층(4)을 포함하는 적층 구조체가 형성되어 있는 상태를 나타낸다.The lamination step is a step of forming the laminated structure of the present invention on a substrate. 1, a lamination structure including an adhesive layer 3 including an alkali developing resin composition and a protective layer 4 is formed on a flexible printed wiring board 1 on which a copper circuit 2 is formed State.

여기서, 적층 구조체를 구성하는 각 층은, 예를 들어 접착층(3) 및 보호층(4)을 구성하는 수지 조성물을, 순차, 기재 위에 도포, 건조함으로써, 접착층(3) 및 보호층(4)을 직접 형성하거나, 또는 접착층(3) 및 보호층(4)을 구성하는 수지 조성물을 각각 드라이 필름의 형태로 한 것을 기재에 순차적으로 라미네이트하는 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 2층 구조의 드라이 필름 형태로 한 적층 구조체를, 기재에 라미네이트하는 방법에 의해 형성해도 된다. 이 경우, 적층 구조체의 적어도 편면을, 필름으로 지지 또는 보호할 수도 있다. 사용하는 필름으로서는, 적층 구조체로부터 박리 가능한 플라스틱 필름을 사용할 수 있다. 필름의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 10 내지 150㎛의 범위에서 적절히 선택된다. 도막 강도의 관점에서, 각 층간의 계면은 친화되어 있어도 된다.Here, the respective layers constituting the laminated structure can be obtained by, for example, applying the resin composition constituting the adhesive layer 3 and the protective layer 4 on the substrate in order and drying the adhesive layer 3 and the protective layer 4, Or by sequentially laminating a resin composition constituting the adhesive layer 3 and the protective layer 4 in the form of a dry film on a substrate in a sequential manner. Alternatively, the laminated structure may be formed by laminating a laminated structure in the form of a dry film having a two-layer structure on a substrate. In this case, at least one side of the laminated structure may be supported or protected by a film. As the film to be used, a peelable plastic film can be used from the laminated structure. The thickness of the film is not particularly limited, but is generally appropriately selected in the range of 10 to 150 mu m. From the viewpoint of coating film strength, the interface between the respective layers may be affinity.

수지 조성물의 기재에 대한 도포 방법은 블레이드 코터, 립 코터, 콤마 코터, 필름 코터 등의 공지의 방법으로 좋다. 또한, 건조 방법은 열풍 순환식 건조로, IR로, 핫 플레이트, 컨벡션 오븐 등, 증기에 의한 가열 방식의 열원을 구비한 것을 사용하고, 건조기 내의 열풍을 향류 접촉시키는 방법, 및 노즐로부터 지지체에 분사하는 방법 등, 공지의 방법으로 좋다.The method of applying the resin composition to the substrate is preferably a known method such as a blade coater, a lip coater, a comma coater, and a film coater. The drying method includes a method in which hot air circulation type drying furnace, IR, hot plate, convection oven, or the like, which is provided with a heat source of steam heating method, is used to countercurrent hot air in the dryer, And a method of performing the above method.

여기서, 기재로서는, 미리 회로 형성된 플렉시블 프린트 배선 기재이다. 또한, 접착층(3)과 보호층(4) 사이에, 소기의 효과에 더하여, 또 다른 효과를 얻기 위해, 추가의 층을 설치해도 된다.Here, the substrate is a flexible printed wiring substrate formed in advance. Further, an additional layer may be provided between the adhesive layer 3 and the protective layer 4 in order to obtain another effect in addition to the desired effect.

[광조사 공정][Light irradiation step]

광조사 공정은 네거티브형의 패턴상으로, 광조사에 의해 수지 조성물 중에 포함되는 광 염기 발생제를 활성화하여, 광조사부를 경화하는 공정이다. 이 광조사 공정에서는 보호층(4) 위에 마스크(5)를 배치하고, 네거티브형의 패턴상으로 광 조사함으로써, 수지 조성물에 포함되는 광 염기 발생제를 활성화하여, 광조사부를 경화한다.The light irradiation step is a step of activating the photo base generating agent contained in the resin composition in the form of a negative pattern and curing the light irradiation part by light irradiation. In this light irradiation step, the mask 5 is disposed on the protective layer 4, and light irradiation is performed on the pattern of a negative pattern to activate the photo base generating agent contained in the resin composition to cure the light irradiation portion.

이 공정에서는 광조사부에서 발생한 염기에 의해, 광 염기 발생제가 불안정화되어, 광 염기 발생제로부터 염기성 물질(이하, 「염기」라고 약기하는 경우가 있음)이 발생하고, 이 발생한 염기에 의해 광 염기 발생제가 불안정화되어, 더 염기가 발생한다. 이와 같이 하여 염기가 발생하여 각 층의 심부까지 화학적으로 증식함으로써, 각 층의 심부까지 충분히 경화할 수 있다고 생각된다. 그 후의 열경화 시에는, 이 염기가 알칼리 현상성 수지와 열반응성 화합물과의 부가 반응의 촉매로서 작용하면서, 부가 반응이 진행되기 때문에, 광조사부에서는 각 층의 심부까지 충분히 열경화된다. 이 경우의 수지 조성물의 경화는, 예를 들어 열반응에 의한 에폭시의 개환 반응이기 때문에, 광반응으로 진행되는 경우에 비해 변형이나 경화 수축을 억제할 수 있다.In this step, the base generated in the light irradiating unit destabilizes the photochemical base, so that a basic substance (hereinafter sometimes abbreviated as "base") is generated from the photochemical base, and the photocatalytic activity I am destabilized, and more bases occur. It is considered that bases are generated in this manner and chemically propagated to the core of each layer, so that the core of each layer can be sufficiently cured. In the subsequent thermal curing, the base acts as a catalyst for the addition reaction between the alkali developable resin and the heat-reactive compound, and the addition reaction proceeds, so that the light-irradiated portion is sufficiently thermally cured to the core of each layer. The curing of the resin composition in this case is a ring-opening reaction of epoxy by, for example, a thermal reaction, so that deformation and curing shrinkage can be suppressed as compared with the case where the resin composition proceeds through a photoreaction.

광조사에 사용되는 광조사기로서는, 직접 묘화 장치(예를 들어, 컴퓨터로부터의 CAD 데이터에 의해 직접 레이저로 화상을 그리는 레이저 다이렉트 이미징 장치), 메탈 할라이드 램프를 탑재한 광조사기, (초)고압 수은 램프를 탑재한 광조사기, 수은 쇼트 아크 램프를 탑재한 광조사기, 또는 (초)고압 수은 램프 등의 자외선 램프를 사용한 직접 묘화 장치를 사용할 수 있다. 패턴상의 광조사용의 마스크는 네거티브형의 마스크이다.Examples of the light irradiator used for the light irradiation include a direct drawing apparatus (for example, a laser direct imaging apparatus for directly drawing an image with a laser by CAD data from a computer), an optical irradiator equipped with a metal halide lamp, A light irradiator equipped with a lamp, a light irradiator equipped with a mercury short arc lamp, or a direct drawing apparatus using an ultraviolet lamp such as a (second) high pressure mercury lamp can be used. The mask for light use on the pattern is a negative type mask.

활성 에너지선으로서는, 최대 파장이 350 내지 410㎚의 범위에 있는 레이저광 또는 산란광을 사용하는 것이 바람직하다. 최대 파장을 이 범위로 함으로써, 효율적으로 광 염기 발생제를 활성화시킬 수 있다. 이 범위의 레이저광을 사용하는 것이라면, 레이저의 종류는 가스 레이저 및 고체 레이저의 어느 것이어도 된다. 또한, 그 광조사량은 막 두께 등에 따라 다르지만, 일반적으로는 100 내지 1500mJ/㎠, 바람직하게는 300 내지 1500mJ/㎠의 범위 내로 할 수 있다.As the active energy ray, it is preferable to use laser light or scattered light having a maximum wavelength in the range of 350 to 410 nm. By setting the maximum wavelength within this range, the photobase generator can be efficiently activated. If the laser light in this range is used, the kind of the laser may be either a gas laser or a solid laser. In addition, although the amount of light to be irradiated varies depending on the film thickness and the like, it is generally within the range of 100 to 1500 mJ / cm 2, preferably 300 to 1500 mJ / cm 2.

[가열 공정][Heating process]

가열 공정은 가열에 의해 광조사부를 경화하는 것이고, 광조사 공정에서 발생한 염기에 의해, 심부까지 경화시킬 수 있다. 이 가열 공정은 광조사 공정 후, 접착층(3) 및 보호층(4)을 가열함으로써, 광조사부를 경화하는 공정이고, 소위 PEB(POST EXPOSURE BAKE) 공정이라고 하는 공정이다. 이에 의해, 광조사 공정에서 발생한 염기로 각 층을 심부까지 충분히 경화하여, 경화 특성이 우수한 패턴층을 얻을 수 있다.The heating process cures the light irradiated portion by heating, and can be hardened to the deep portion by the base generated in the light irradiation process. This heating step is a step of curing the light irradiated portion by heating the adhesive layer 3 and the protective layer 4 after the light irradiation step and is a process called a so-called PEB EXPOSURE BAKE (PEB) process. As a result, it is possible to sufficiently cure each layer to the deep portion with a base generated in the light irradiation step, and to obtain a pattern layer having excellent curing characteristics.

예를 들어, 가열 공정은, 미조사의 수지 조성물의 발열 개시 온도 또는 발열 피크 온도보다도 낮고, 또한 광조사한 수지 조성물의 발열 개시 온도 또는 발열 피크 온도보다도 높은 온도에서 가열하는 것이 바람직하다. 이와 같이 가열함으로써, 광조사부만을 선택적으로 경화할 수 있다.For example, the heating step is preferably performed at a temperature lower than the heat generation starting temperature or the exothermic peak temperature of the resin composition not irradiated and higher than the heat generation initiation temperature or exothermic peak temperature of the irradiated resin composition. By heating in this manner, only the irradiated portion can be selectively cured.

여기서, 이때의 가열 온도는, 수지 조성물 중 광조사부는 열경화되지만, 미조사부는 열경화되지 않는 온도인 것이 바람직하다. 가열 온도는, 예를 들어 80 내지 140℃이다. 가열 온도를 80℃ 이상으로 함으로써, 광조사부를 충분히 경화할 수 있다. 한편, 가열 온도를 140℃ 이하로 함으로써, 광조사부만을 선택적으로 경화할 수 있다. 가열 시간은, 예를 들어 10 내지 100분이다. 가열 방법은 상기 건조 방법과 마찬가지이다. 또한, 미조사부에서는, 광 염기 발생제로부터 염기가 발생하지 않으므로, 열경화가 억제된다.Here, it is preferable that the heating temperature at this time be a temperature at which the irradiated portion of the resin composition is thermally cured, but the non-irradiated portion is not thermally cured. The heating temperature is, for example, 80 to 140 占 폚. By setting the heating temperature at 80 占 폚 or higher, the irradiated portion can be sufficiently cured. On the other hand, by setting the heating temperature at 140 占 폚 or lower, only the irradiated portion can be selectively cured. The heating time is, for example, 10 to 100 minutes. The heating method is the same as the above-mentioned drying method. In the non-irradiated portion, since no base is generated from the photo-base generating agent, thermal curing is suppressed.

[현상 공정][Development process]

현상 공정은 알칼리 현상에 의해 미조사부를 제거하여, 네거티브형의 패턴층을 형성하는 것이다. 도 1 중의 현상 공정은 접착층(3) 및 보호층(4)을 알칼리성 수용액에 의해 현상함으로써, 미조사부가 제거되어, 네거티브형의 패턴층을 형성하는 공정을 나타낸다. 현상 방법으로서는, 디핑법, 샤워법, 스프레이법, 브러시법 등 공지의 방법에 의할 수 있다. 또한, 현상액으로서는, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 에탄올아민 등의 아민류, 수산화테트라메틸암모늄 수용액(TMAH) 등의 알칼리 수용액 또는 이들의 혼합액을 사용할 수 있다.In the developing step, the unexposed portion is removed by alkali development to form a negative pattern layer. The developing process shown in Fig. 1 shows a step of developing the adhesive layer 3 and the protective layer 4 with an alkaline aqueous solution to remove the unexposed portions to form a negative pattern layer. As the developing method, a known method such as a dipping method, a shower method, a spray method, and a brush method can be used. As the developer, an aqueous solution of an alkali such as an aqueous solution of potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, ammonia or ethanolamine, aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) .

[제2 광조사 공정][Second light irradiation step]

현상 공정 후에는 제2 광조사 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 이 제2 광조사 공정은, 광조사 공정의 패턴층 내에서 활성화되지 않고 남은 광 염기 발생제를 활성화하여, 염기를 발생시키기 위해, 목적에 따라 자외선을 조사하는 공정이다. 제2 광조사 공정에 있어서의 자외선의 파장 및 광조사량(노광량)은 상기 광조사 공정과 동일해도 되고, 달라도 된다. 광조사량(노광량)은, 예를 들어 150 내지 2000mJ/㎠이다.After the development step, it is preferable to include a second light irradiation step. This second light irradiation step is a step of irradiating ultraviolet rays according to the purpose in order to activate the remaining photoacid generators that are not activated in the pattern layer of the light irradiation step and generate bases. The wavelength of the ultraviolet light and the light irradiation amount (exposure amount) in the second light irradiation step may be the same as or different from the above light irradiation step. The light irradiation amount (exposure amount) is, for example, 150 to 2000 mJ / cm 2.

[열경화 공정][Thermal curing process]

현상 공정 후에는, 추가로, 열경화(후경화) 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 이 열경화 공정은 패턴층을 충분히 열경화시키기 위해, 필요에 따라 열경화(후경화)를 행하는 공정이다. 현상 공정 후에, 제2 광조사 공정과 열경화 공정을 모두 행하는 경우, 열경화 공정은 제2 광조사 공정 후에 행하는 것이 바람직하다.After the development step, it is preferable to further include a heat curing (post curing) step. This thermal curing step is a step of thermally curing (postcuring) as necessary in order to sufficiently thermally cure the pattern layer. In the case of performing both the second light irradiation step and the heat curing step after the development step, the heat curing step is preferably performed after the second light irradiation step.

이 열경화 공정은, 광조사 공정, 또는 광조사 공정 및 제2 광조사 공정에 의해 광 염기 발생제로부터 발생한 염기에 의해, 패턴층을 충분히 열경화시킨다. 열경화 공정의 시점에서는 미조사부를 이미 제거하고 있기 때문에, 열경화 공정은 미조사의 수지 조성물의 경화 반응 개시 온도 이상의 온도에서 행할 수 있다. 이에 의해, 패턴층을 충분히 열경화시킬 수 있다. 가열 온도는, 예를 들어 150℃ 이상이다.The thermal curing process sufficiently thermally cures the pattern layer by a light irradiation step or a base generated from a photo base generating agent by a light irradiation step and a second light irradiation step. Since the non-irradiated portion is already removed at the time of the thermosetting step, the thermosetting step can be carried out at a temperature not lower than the curing reaction initiation temperature of the uncured resin composition. Thereby, the pattern layer can be sufficiently thermally cured. The heating temperature is, for example, 150 DEG C or more.

실시예Example

이하, 본 발명을, 실시예를 사용하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.

(합성예 1)(Synthesis Example 1)

<이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지의 합성>&Lt; Synthesis of alkali soluble resin having imide ring >

교반기, 질소 도입관, 분류환 및 냉각환을 설치한 세퍼러블 3구 플라스크에, 3,5-디아미노벤조산을 12.5g, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판을 8.2g, NMP를 30g, γ-부티로락톤을 30g, 4,4'-옥시디프탈산 무수물을 27.9g, 트리멜리트산 무수물을 3.8g 가하고, 질소 분위기 하에서 실온, 100rpm으로 4시간 교반했다. 계속해서, 톨루엔을 20g 가하고, 실리콘욕 온도 180℃, 150rpm으로 톨루엔 및 물을 증류 제거하면서 4시간 교반하여, 이미드환 함유 알칼리 용해성 수지 용액을 얻었다. 그 후, 고형분이 30질량%가 되도록 γ-부티로락톤을 첨가했다. 얻어진 수지 용액은 고형분 산가 86㎎KOH/g, Mw 10000이었다.Diaminobenzoic acid and 12.5 g of 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] benzene were placed in a separable three-necked flask equipped with a stirrer, 8.2 g of propane, 30 g of NMP, 30 g of? -Butyrolactone, 27.9 g of 4,4'-oxydiphthalic anhydride and 3.8 g of trimellitic anhydride were added and the mixture was stirred at 100 rpm for 4 hours at room temperature under a nitrogen atmosphere . Subsequently, 20 g of toluene was added, and the mixture was stirred for 4 hours while distilling toluene and water at a silicon bath temperature of 180 캜 at 150 rpm to obtain an imide ring-containing alkali-soluble resin solution. Thereafter,? -Butyrolactone was added so that the solid content was 30 mass%. The obtained resin solution had a solid acid value of 86 mgKOH / g and a Mw of 10,000.

(합성예 2)(Synthesis Example 2)

<카르복실기 함유 우레탄 수지의 합성><Synthesis of carboxyl group-containing urethane resin>

교반 장치, 온도계 및 콘덴서를 구비한 반응 용기에, 1,5-펜탄디올과 1,6-헥산디올로부터 유도되는 폴리카보네이트디올(아사히 가세이 케미컬즈(주)제, T5650J, 수 평균 분자량 800)을 2400g(3몰), 디메틸올프로피온산을 603g(4.5몰) 및 모노히드록실 화합물로서 2-히드록시에틸아크릴레이트를 238g(2.6몰) 투입했다. 계속해서, 폴리이소시아네이트로서 이소포론디이소시아네이트 1887g(8.5몰)을 투입하고, 교반하면서 60℃까지 가열하여 정지하고, 반응 용기 내의 온도가 저하되기 시작한 시점에서 다시 가열하여 80℃에서 교반을 계속하고, 적외선 흡수 스펙트럼에서 이소시아네이트기의 흡수 스펙트럼(2280㎝-1)이 소실된 것을 확인하고, 반응을 종료했다. 그 후, 고형분이 50질량%가 되도록 카르비톨아세테이트를 첨가했다. 얻어진 카르복실기 함유 우레탄 수지의 고형분의 산가는 50mgKOH/g이었다.A polycarbonate diol (T5650J, number average molecular weight 800, manufactured by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.) derived from 1,5-pentanediol and 1,6-hexanediol was added to a reaction vessel equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser (4.5 moles) of dimethylol propionic acid and 238 g (2.6 moles) of 2-hydroxyethyl acrylate as a monohydroxyl compound. Subsequently, 1887 g (8.5 mol) of isophorone diisocyanate as a polyisocyanate was added, and the mixture was heated to 60 캜 with stirring and stopped. When the temperature in the reaction vessel started to decrease, stirring was continued at 80 캜, The absorption spectrum (2280 cm -1 ) of the isocyanate group in the infrared absorption spectrum was confirmed to be lost, and the reaction was terminated. Thereafter, carbitol acetate was added so that the solid content was 50 mass%. The acid value of the solid content of the obtained carboxyl group-containing urethane resin was 50 mgKOH / g.

<각 층을 구성하는 수지 조성물의 제조>&Lt; Production of Resin Composition Constituting Each Layer >

하기 표 1 및 표 2에 기재된 배합에 따라, 실시예 및 비교예에 기재된 재료를 각각 배합하고, 교반기로 예비 혼합한 후, 3개 롤 밀로 혼련하여, 접착층 및 보호층을 구성하는 수지 조성물을 제조했다. 표 중의 값은 특별히 언급이 없는 한, 질량부이다.The materials described in the examples and the comparative examples were each compounded in accordance with the formulations described in Tables 1 and 2, preliminarily mixed with a stirrer, and then kneaded with a three roll mill to prepare a resin composition constituting the adhesive layer and the protective layer did. The values in the table are parts by mass unless otherwise specified.

<접착층 (A)의 형성>&Lt; Formation of adhesive layer (A)

구리 두께 18㎛의 회로가 형성된 플렉시블 프린트 배선 기재를 준비하고, 맥크사제의 CB-801Y를 사용하여, 전처리를 행하였다. 그 후, 전처리를 행한 플렉시블 프린트 배선 기재에, 각 접착층용의 수지 조성물을, 건조 후의 막 두께가 하기 표 1 및 표 2에 나타내는 막 두께가 되도록 도포했다. 그 후, 열풍 순환식 건조로에서 80℃/30분으로 건조하여, 수지 조성물을 포함하는 접착층 (A)를 형성했다. 또한, 비교예 1에 대해서는 접착층을 형성하지 않았다.A flexible printed wiring board on which a circuit with a copper thickness of 18 mu m was formed was prepared and subjected to pre-treatment using CB-801Y manufactured by Mack Co. Thereafter, the resin composition for each adhesive layer was applied to the preprinted flexible printed wiring board so that the film thickness after drying was as shown in Tables 1 and 2 below. Thereafter, the resultant was dried in a hot air circulating type drying oven at 80 DEG C for 30 minutes to form an adhesive layer (A) containing the resin composition. Further, in Comparative Example 1, no adhesive layer was formed.

<보호층 (B)의 형성>&Lt; Formation of protective layer (B) >

상기 접착층 (A) 위에, 각 보호층용의 수지 조성물을, 건조 후의 막 두께가 하기 표 1 및 표 2에 나타내는 막 두께가 되도록 도포했다. 그 후, 열풍 순환식 건조로에서 80℃/30분으로 건조하여, 수지 조성물을 포함하는 보호층 (B)를 형성했다.The resin composition for each protective layer was coated on the adhesive layer (A) so as to have a film thickness after drying as shown in Tables 1 and 2 below. Thereafter, the resultant was dried in a hot-air circulating type drying oven at 80 DEG C for 30 minutes to form a protective layer (B) containing the resin composition.

접착층 (A) 및 보호층 (B)의 막 두께의 합계는 모두 20㎛로 했다.The total thickness of the adhesive layer (A) and the protective layer (B) was 20 mu m.

<막 두께의 측정>&Lt; Measurement of film thickness &

막 두께는 미츠토요사제 마이크로미터 MDC-25MX를 사용하여 측정했다.The film thickness was measured using a Micrometer MDC-25MX manufactured by Mitsutoyo Corporation.

<현상 속도의 측정>&Lt; Measurement of development speed &

구리 두께 18㎛의 회로가 형성된 플렉시블 프린트 배선 기재 위에 각 수지 조성물을 도포하고, 열풍 순환식 건조로에서 80℃/30분 건조했다. 그 후, 30℃ㆍ1질량%의 탄산나트륨 수용액 중에 기재를 침지하고, 도막이 용해될 때까지의 시간을 측정했다. 현상 속도는 도막이 용해될 때까지의 시간을 현상 시간[초], 막 두께를 막 두께[㎛]로 한 경우, 하기 식으로 표현된다.Each resin composition was coated on a flexible printed wiring board on which a circuit having a copper thickness of 18 mu m was formed and dried in a hot air circulation type drying oven at 80 DEG C for 30 minutes. Thereafter, the substrate was immersed in an aqueous sodium carbonate solution at 30 占 폚 占 1 mass%, and the time until the coating film was dissolved was measured. The developing speed is represented by the following formula when the time until the coating film is dissolved is the developing time [sec] and the film thickness is the film thickness [mu m].

현상 속도[㎛/초]=막 두께[㎛]/현상 시간[초]Developing speed [占 퐉 / sec] = film thickness 占 퐉 / developing time [sec]

<알칼리 현상성, 땜납 내열성 및 금 도금 내성><Alkali developing property, solder heat resistance and gold plating resistance>

상기에서 얻어진 적층 구조체를 구비하는 기재에 대해, ORC사제의 HMW680GW(메탈 할라이드 램프, 산란광)로, 노광량 500mJ/㎠로, 네거티브형의 패턴상으로 광조사했다. 계속해서, 90℃에서 60분간 가열 처리를 행하였다. 그 후, 30℃ㆍ1질량%의 탄산나트륨 수용액 중에 기재를 침지하여 3분간 현상을 행하고, 알칼리 현상성의 가부를 평가했다. 평가는 눈으로 행하고, 이하의 기준으로 평가했다.The base material provided with the laminated structure obtained above was irradiated with HMW680GW (metal halide lamp, scattered light) manufactured by ORC Co., Ltd. in a pattern pattern of negative type at an exposure amount of 500 mJ / cm 2. Subsequently, heat treatment was performed at 90 占 폚 for 60 minutes. Subsequently, the substrate was immersed in an aqueous sodium carbonate solution at 30 占 폚 占 1 mass% and development was carried out for 3 minutes to evaluate the alkali developability. The evaluation was carried out by eyes, and evaluated according to the following criteria.

○: 잔사 없이 현상 가능○: Possible to develop without residue

×: 현상 잔사 있음X: With development residue

계속해서, 열풍 순환식 건조로를 사용하여 150℃/60분간 열처리를 행하여, 패턴상의 경화 도막을 얻었다. 얻어진 경화 도막에 대해, 이 평가 기재에, 로진계 플럭스를 도포하고, 미리 260℃로 설정한 땜납조에 20초간(10초×2회) 침지하고, 이소프로필알코올로 플럭스를 세정한 후, 셀로판 점착 테이프에 의한 박리 테스트를 행하고, 레지스트층의 팽창ㆍ박리ㆍ변색에 대해, 이하의 기준으로 평가했다.Subsequently, heat treatment was performed at 150 占 폚 for 60 minutes using a hot air circulation type drying furnace to obtain a patterned cured coating film. A rosin-based flux was applied to the obtained cured coating film and immersed in a solder bath set at 260 占 폚 for 20 seconds (10 seconds × 2 times), the flux was washed with isopropyl alcohol, A peeling test using a tape was conducted, and the expansion, peeling, and discoloration of the resist layer were evaluated according to the following criteria.

○: 전혀 변화가 인정되지 않는 것○: No change is recognized at all

×: 팽창, 박리가 있는 것X: With swelling and peeling

또한, 얻어진 경화 도막에 대해 시판품의 무전해 니켈 도금욕 및 무전해 금 도금욕을 사용하여, 80 내지 90℃에서 니켈 5㎛, 금 0.05㎛의 조건에서 도금을 행하였다. 도금된 평가 기재에 있어서, 눈으로 도금의 스며듦의 유무를 평가했다. Further, for the obtained cured coating film, a commercially available electroless nickel plating bath and an electroless gold plating bath were used and plating was performed at 80 to 90 DEG C under conditions of nickel of 5 mu m and gold of 0.05 mu m. In the plated evaluation substrate, the presence or absence of penetration of plating was evaluated by eyes.

○: 스며듦이 없는 것○: Non infiltrated

×: 기재와 도막 사이에 스며듦이 확인되는 것X: Seepage between the substrate and the coating film is confirmed

얻어진 결과를, 하기의 표 1 및 표 2 중에 나타낸다.The obtained results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 112017044727680-pct00001
Figure 112017044727680-pct00001

※1: 합성예 1의 수지* 1: The resin of Synthesis Example 1

※2: 합성예 2의 수지* 2: The resin of Synthesis Example 2

※3: 카르복실기 함유 노볼락 수지(산가 104㎎KOH/g, BisA/페놀노볼락 수지)* 3: Novolac resin containing carboxyl group (acid value: 104 mg KOH / g, BisA / phenol novolak resin)

※4: 에톡시화 비스페놀 A 디메타크릴레이트(신나카무라 가가쿠 고교(주)제)* 4: Ethoxylated bisphenol A dimethacrylate (manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd.)

※5: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC(주)제)* 5: Dicyclopentadiene type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation)

※6: 비스페놀 A형 에폭시 수지(분자량 400)(미쯔비시 가가쿠(주)제)* 6: Bisphenol A type epoxy resin (molecular weight: 400) (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

※7: 옥심형 광 염기 발생제(BASF 재팬사제)* 7: Oxime type photobase generator (manufactured by BASF Japan)

※8: 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논(BASF 재팬사제)* 8: 2- (Dimethylamino) -2 - [(4-methylphenyl) methyl] -1- [4- (4-morpholinyl) phenyl] -1-

※9: 비스페놀 F형 산 변성 에폭시아크릴레이트(닛폰 가야쿠(주)제)* 9: Bisphenol F type acid-modified epoxy acrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

※10: 황산바륨(사카이 가가쿠(주)제)* 10: Barium sulfate (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.)

Figure 112017044727680-pct00002
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상기 표 1 및 표 2에 나타내는 평가 결과로부터 명백해진 바와 같이, 실시예의 플렉시블 프린트 배선판은 양호한 현상성과 내열성을 나타내는 것이 확인되었다. 이에 비해, 비교예 1은 이미드환을 갖는 수지 조성물의 보호층만으로 구성되어 있기 때문에, 내열성은 양호하지만, 현상성이 떨어져, 통상의 탄산소다를 사용한 현상은 불가능한 것을 알 수 있었다. 또한, 비교예 2에서는 접착층이 얇고, 접착층과 보호층의 막 두께의 비율이 본 발명의 범위로부터 어긋나 있기 때문에, 내열성은 양호하지만, 역시 현상성이 떨어지는 결과가 되었다. 또한, 비교예 3에서는 마찬가지로 접착층과 보호층의 막 두께의 비율이 본 발명의 범위로부터 어긋나 있기 때문에, 현상성은 양호하지만, 내열성이 떨어지는 결과가 되었다. 비교예 4에서는 막 두께의 비율에 관해서는 본 발명의 범위 내이기는 하나, 접착층과 보호층의 현상 속도가 동일하고, 양자의 현상 속도의 비율이 본 발명의 범위로부터 어긋나 있기 때문에, 마찬가지로 현상성이 떨어지는 결과가 되었다. 비교예 5에서는 현상 속도의 비율이 본 발명의 범위로부터 어긋나 있기 때문에, 현상성은 양호하지만, 내열성이 떨어지는 결과가 되었다.As evident from the evaluation results shown in Tables 1 and 2, it was confirmed that the flexible printed wiring boards of the examples exhibited good developing properties and heat resistance. On the other hand, since Comparative Example 1 is composed of only the protective layer of the resin composition having an imide ring, the heat resistance is good, but the developability is poor and it is impossible to develop using normal sodium carbonate. Further, in Comparative Example 2, since the adhesive layer is thin and the ratio of the thicknesses of the adhesive layer and the protective layer is out of the range of the present invention, the heat resistance is good, but the developability is also deteriorated. Further, in Comparative Example 3, since the ratio of the film thickness of the adhesive layer to that of the protective layer was out of the range of the present invention, the developability was good, but the heat resistance was poor. In Comparative Example 4, although the ratio of the film thickness is within the range of the present invention, since the developing speed of the adhesive layer and the protective layer are the same and the ratio of the developing speed of both is out of the range of the present invention, The result was falling. In Comparative Example 5, since the ratio of the developing speed deviated from the range of the present invention, the developability was good, but the heat resistance was poor.

1 : 플렉시블 프린트 배선 기재
2 : 구리 회로
3 : 접착층
4 : 보호층
5 : 마스크
1: Flexible printed wiring board
2: copper circuit
3: Adhesive layer
4: Protective layer
5: Mask

Claims (6)

알칼리 현상성 수지 조성물을 포함하는 접착층 (A)와, 해당 접착층 (A) 위에 형성되는 감광성 수지 조성물을 포함하는 보호층 (B)를 갖는 적층 구조체로서,
상기 보호층 (B)가, 카르복실기와 이미드환 또는 이미드 전구체 골격을 갖는 알칼리 용해성 수지, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물, 광중합 개시제 및 열반응성 화합물을 포함하는 광경화성 열경화성 수지 조성물, 또는 카르복실기와 이미드환 또는 이미드 전구체 골격을 갖는 알칼리 용해성 수지, 광 염기 발생제 및 열반응성 화합물을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 이루어지고,
상기 접착층 (A)와 상기 보호층 (B)의 막 두께의 비율이 A/B=1.0 내지 30이 되고, 상기 접착층 (A)의 현상 속도 (a)와 상기 보호층 (B)의 현상 속도 (b)의 비율이 a/b=1.1 내지 30인 것을 특징으로 하는 적층 구조체.
A laminated structure having an adhesive layer (A) comprising an alkali developable resin composition and a protective layer (B) comprising a photosensitive resin composition formed on the adhesive layer (A)
Wherein the protective layer (B) is a photocurable thermosetting resin composition comprising an alkali soluble resin having a carboxyl group and an imide ring or imide precursor skeleton, a compound having an ethylenically unsaturated bond, a photopolymerization initiator and a thermoreactive compound, A photosensitive thermosetting resin composition comprising an alkali soluble resin having a ring structure or an imide precursor skeleton, a photo base generating agent and a thermoreactive compound,
The ratio of the thickness of the adhesive layer A to the thickness of the protective layer B becomes A / B = 1.0 to 30 and the developing speed a of the adhesive layer A and the developing speed of the protective layer B b) is in the range of a / b = 1.1 to 30.
제1항에 있어서, 상기 접착층 (A)와 상기 보호층 (B)가, 모두 광조사에 의해 패터닝 가능한 적층 구조체.The laminated structure according to claim 1, wherein both the adhesive layer (A) and the protective layer (B) can be patterned by light irradiation. 제1항에 있어서, 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 사용되는 적층 구조체.The laminated structure according to claim 1, which is used for at least one of a bent portion and a non-bent portion of a flexible printed wiring board. 제1항에 있어서, 플렉시블 프린트 배선판의 커버 레이, 솔더 레지스트 및 층간 절연 재료 중 적어도 어느 하나의 용도에 사용되는 적층 구조체.The laminated structure according to claim 1, wherein the laminated structure is used for the use of at least one of a coverlay, a solder resist and an interlayer insulating material of a flexible printed wiring board. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 적층 구조체의 적어도 편면이, 필름으로 지지 또는 보호되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 드라이 필름.A dry film, characterized in that at least one side of the laminated structure according to any one of claims 1 to 4 is supported or protected by a film. 플렉시블 프린트 배선 기판 위에, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 적층 구조체의 층을 직접 형성하거나, 또는 상기 적층 구조체의 적어도 편면이 필름으로 지지 또는 보호되어 이루어지는 드라이 필름으로 적층 구조체의 층을 형성하고, 광조사에 의해 패터닝하고, 현상액에 의해 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 프린트 배선판.A layer of the laminated structure described in any one of claims 1 to 4 is directly formed on a flexible printed wiring board or a layer of the laminated structure is formed by a dry film in which at least one side of the laminated structure is supported or protected by a film And an insulating film formed by patterning by light irradiation and forming patterns collectively by a developing solution.
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