KR20200023343A - Method and Apparatus for treating substrate - Google Patents

Method and Apparatus for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20200023343A
KR20200023343A KR1020200022816A KR20200022816A KR20200023343A KR 20200023343 A KR20200023343 A KR 20200023343A KR 1020200022816 A KR1020200022816 A KR 1020200022816A KR 20200022816 A KR20200022816 A KR 20200022816A KR 20200023343 A KR20200023343 A KR 20200023343A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chamber
cooling
module
buffer
Prior art date
Application number
KR1020200022816A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102298083B1 (en
Inventor
서종석
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020170132275A external-priority patent/KR20190041160A/en
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020200022816A priority Critical patent/KR102298083B1/en
Publication of KR20200023343A publication Critical patent/KR20200023343A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102298083B1 publication Critical patent/KR102298083B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

An embodiment of the present invention provides a method and an apparatus for processing a substrate. The method, which applies a liquid film onto the substrate, sequentially proceeds with: a heating process of heating the substrate; a cooling process of cooling the substrate after the heating process; and an applying process of supplying the liquid film to the substrate after the cooling process. The heating process is performed in a bake chamber, and the cooling process and the applying process are performed in an applying chamber. The applying process and the cooling process of the substrate proceed in one chamber so that the process in which the substrate passes through the cooling unit for performing the cooling process is omitted and the time required for substrate processing can be shortened.

Description

기판 처리 방법 및 장치{Method and Apparatus for treating substrate}Substrate processing method and apparatus {Method and Apparatus for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for processing a substrate.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. Various processes such as photographing, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed to manufacture semiconductor devices and flat panel displays. Among these processes, a photographic process sequentially performs application, exposure, and development steps. The application step is a step of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. An exposure process is a process of exposing a circuit pattern on the board | substrate with which the photosensitive film was formed. The developing step is a step of selectively developing an exposed region of the substrate.

일반적으로, 도포 공정 및 현상 공정은 기판을 액 처리하는 공정으로, 그 전후 각각에는 기판을 열 처리하는 베이크 공정이 수행된다. 베이크 공정은 기판을 가열 처리하는 가열 공정을 수행하고, 그 이후에 기판을 상온 또는 이와 인접한 온도로 냉각시키는 냉각 공정을 수행한다.In general, the coating step and the developing step are liquid processing of the substrate, and a baking process of thermally treating the substrate is performed before and after each. The baking process performs a heating process of heat treating the substrate, and then performs a cooling process of cooling the substrate to room temperature or a temperature adjacent thereto.

따라서 도 1과 같이, 기판(W)은 베이크 챔버 내에 위치된 가열 유닛(2)에서 냉각 유닛(4)으로 반송되고, 냉각 유닛(4)에서 베이크 챔버와 상이한 도포 챔버(6)로 반송된다. 기판(W)은 어느 하나의 유닛 또는 챔버를 거치는 과정에서 수 초 내지 수십 초가 소요된다. 따라서 기판(W)을 처리하는 단계에 있어서 보다 신속함을 요한다.Therefore, as shown in FIG. 1, the substrate W is conveyed from the heating unit 2 located in the bake chamber to the cooling unit 4, and from the cooling unit 4 to the coating chamber 6 which is different from the bake chamber. The substrate W takes several seconds to several tens of seconds while passing through any one unit or chamber. Therefore, it requires faster in the step of processing the substrate (W).

한국 공개 특허 번호 2010-0053139Korean Unexamined Patent Number 2010-0053139

본 발명을 복수 개의 공정을 수행하는 과정에서 기판을 신속하게 처리할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 요지로 한다.SUMMARY It is an object of the present invention to provide a method and apparatus capable of quickly processing a substrate in a process of performing a plurality of processes.

또한 본 발명은 기판이 복수 개의 유닛 또는 챔버를 거치면서 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 요지로 한다.It is another object of the present invention to provide a method and an apparatus capable of shortening the time required for a substrate to pass through a plurality of units or chambers.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 방법 및 장치를 제공한다. 기판 상에 액막을 도포하는 방법으로는 상기 기판을 가열하는 가열 공정, 상가 가열 공정 이후에 상기 기판을 냉각하는 냉각 공정, 그리고 상기 냉각 공정 이후에 상기 기판에 액막을 공급하는 도포 공정을 순차적으로 진행하되, 상기 가열 공정은 베이크 챔버에서 수행되고, 상기 냉각 공정과 상기 도포 공정은 도포 챔버에서 수행된다. Embodiments of the present invention provide a method and apparatus for processing a substrate. As a method of coating a liquid film on a substrate, a heating step of heating the substrate, a cooling step of cooling the substrate after a mall heating step, and a coating step of supplying the liquid film to the substrate after the cooling step are sequentially performed. The heating process is performed in a baking chamber, and the cooling process and the coating process are performed in an application chamber.

상기 냉각 공정은 상기 기판이 상기 도포 챔버 내의 기판 지지 유닛에 안착된 상태에서 상기 기판의 상면으로 냉각용 유체를 공급하여 이루어질 수 있다. 상기 냉각용 유체는 액체일 수 있다. 상기 냉각 공정은 회전되는 기판의 중앙 영역으로 상기 냉각용 유체를 공급하여 이루어질수 있다. The cooling process may be performed by supplying a cooling fluid to the upper surface of the substrate while the substrate is seated on the substrate support unit in the application chamber. The cooling fluid may be a liquid. The cooling process may be performed by supplying the cooling fluid to the central region of the substrate to be rotated.

상기 도포 공정은 상기 기판이 상기 기판 지지 유닛에 안착된 상태에서 상기 기판 상으로 액을 공급하여 이루어지되, 상기 냉각 공정 중 기판의 회전 속도는 상기 도포 공정 중 기판의 회전속도보다 빠르게 제공될 수 있다. 상기 처리액은 감광액을 포함할 수 있다. The coating process may be performed by supplying a liquid onto the substrate while the substrate is seated on the substrate supporting unit, and the rotation speed of the substrate during the cooling process may be provided faster than the rotation speed of the substrate during the coating process. . The treatment liquid may include a photosensitive liquid.

또한 기판을 처리하는 장치는 기판을 가열 처리하는 베이크 챔버, 기판 상에 액막을 형성하는 도포 챔버, 상기 베이크 챔버와 상기 도포 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 유닛, 상기 베이크 챔버, 상기 도포 챔버, 그리고 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 도포 챔버는 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 냉각 유체를 공급하는 유체 공급 유닛 , 그리고 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액막이 형성되도록 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 제어기는 상기 베이크 챔버에서 공정이 완료된 기판을 상기 도포 챔버로 반송하고, 상기 도포 챔버에서 상기 냉각 유체에 의해 상기 기판이 냉각된 이후에 처리액을 공급하도록 상기 베이크 챔버, 상기 반송 유닛, 그리고 상기 도포 챔버를 제어한다. The apparatus for processing a substrate further includes a baking chamber for heating the substrate, a coating chamber for forming a liquid film on the substrate, a conveying unit for transferring the substrate between the baking chamber and the coating chamber, the baking chamber, the coating chamber, and the A controller for controlling a conveying unit, wherein the application chamber includes a substrate support unit for supporting and rotating a substrate, a fluid supply unit for supplying a cooling fluid on a substrate supported by the substrate support unit, and a support for the substrate support unit. And a liquid supply unit for supplying a processing liquid so that a liquid film is formed on the substrate, wherein the controller conveys the substrate, which has been processed in the baking chamber, to the application chamber, and wherein the substrate is supplied by the cooling fluid in the application chamber. The bake chamber, the conveying unit, and the bed to supply the processing liquid after cooling It controls the coating chamber.

상기 제어기는 상기 도포 챔버에서 기판 상에 냉각 유체를 공급 시 기판을 제1속도로 회전시키고, 기판 상에 처리액을 공급 시 기판이 제2속도로 회전되도록 상기 기판 지지 유닛을 제어하되, 상기 제1속도는 상기 제2속도에 비해 빠른 속도로 제공될 수 있다. The controller controls the substrate support unit to rotate the substrate at a first speed when supplying cooling fluid onto the substrate in the application chamber and to rotate the substrate at a second speed when supplying the processing liquid onto the substrate. One speed may be provided at a faster speed than the second speed.

상기 제어기는 냉각 유체에 의해 기판을 냉각 처리하는 냉각 공정 직후에, 처리액에 의한 액막을 형성하는 도포 공정을 수행하도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 유체 공급 유닛을 제어할 수 있다. The controller can control the liquid supply unit and the fluid supply unit to perform an application step of forming a liquid film by the processing liquid immediately after the cooling process of cooling the substrate by the cooling fluid.

본 발명의 실시예에 의하면, 도포 챔버에는 기판 상에 냉각용 유체를 공급하여 기판을 냉각 처리한다. 이로 인해 도포 챔버에서 냉각 공정 및 도포 공정을 각각 수행할 수 있다,According to an embodiment of the present invention, the substrate is cooled by supplying a cooling fluid to the application chamber. This allows the cooling process and the application process to be performed in the application chamber, respectively.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 도포 공정 및 냉각 공정은 하나의 챔버 내에서 진행되므로, 기판이 냉각 공정을 수행하기 위해 냉각 유닛을 거치는 과정이 생략되며, 기판 처리에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, since the application process and the cooling process of the substrate proceeds in one chamber, the process of passing the substrate through the cooling unit to perform the cooling process is omitted, and the time required for processing the substrate is shortened. You can.

도 1은 일반적인 기판 상에 액막이 형성되는 과정을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 도포 챔버을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 2의 도포 모듈에서 기판이 처리되는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 8 내지 도 10은 도 7의 과정을 보여주는 도면들이다.1 illustrates a process of forming a liquid film on a general substrate.
2 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the installation of FIG. 2 as viewed from the AA direction.
4 is a cross-sectional view of the equipment of FIG. 2 viewed in the BB direction.
5 is a cross-sectional view of the equipment of FIG. 2 as viewed from the CC direction.
6 is a cross-sectional view showing the application chamber of FIG. 2.
FIG. 7 is a flowchart illustrating a process of processing a substrate in the application module of FIG. 2.
8 to 10 are views showing the process of FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings an embodiment of the present invention will be described in more detail. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of elements in the figures has been exaggerated to emphasize clearer explanations.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of the present embodiment can be connected to an exposure apparatus and used to perform an application process and a development process on a substrate. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described.

이하 도 2 내지 도 9를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, the substrate processing equipment of the present invention will be described with reference to FIGS.

도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 2 is a view of the substrate processing equipment from the top, FIG. 3 is a view of the equipment of FIG. 2 from the AA direction, FIG. 4 is a view of the equipment of FIG. 2 from the BB direction, and FIG. 5 is a facility of FIG. Is a view from the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, and a second buffer module 500. ), Pre-exposure processing module 600, and interface module 700. Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 Are sequentially arranged in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( The direction in which 700 is disposed is called a first direction 12, and when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction 12 is called a second direction 14, and the first direction 12 and the second direction. A direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in the state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door in front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 containing the substrates W is placed. The mounting table 120 is provided in plurality, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 2 four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a height lower than that of the frame 310 of the first buffer module 300, which will be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210. The index robot 220 drives four axes so that the hand 221 which directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. This has a possible structure. The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. Arm 222 is provided in a stretchable and rotatable structure. The support 223 is disposed in the longitudinal direction along the third direction 16. Arm 222 is coupled to support 223 to be movable along support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 to be linearly movable along the guide rail 230. In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located in the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is located at a height corresponding to the application module 401 of the application and development module 400, which will be described later. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 may be described below. It is located at a height corresponding to the developing module 402 of 400. The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 in a second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed in the housing 331 and are spaced apart from each other along the third direction 16. One support W is placed on each support 332. In the housing 331, the index robot 220, the first buffer robot 360, and the developing unit robot 482 of the developing module 402 described later attach the substrate W to the support 332 in the housing 331. It has openings (not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and the direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be able to carry in or take out. The first buffer 320 has a structure generally similar to that of the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure, allowing the hand 361 to move along the second direction 14. Arm 362 is coupled to support 363 so as to be linearly movable in third direction 16 along support 363. The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the up or down direction than this. The first buffer robot 360 may simply be provided such that the hand 361 is only biaxially driven along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chambers 350 respectively cool the substrate (W). The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As shown in FIG. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) that positions the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 has the index robot 220 so that the developing robot 482 provided to the index robot 220 and the developing module 402 described later can carry or unload the substrate W to the cooling plate 352. The provided direction and developing unit robot 482 has an opening (not shown) in the provided direction. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 has an application module 401 and a development module 402. The application module 401 and the developing module 402 are arranged to partition into each other in layers. In one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 반송 챔버(430), 그리고 제어기(1500)를 가진다. 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has an application chamber 410, a bake chamber 420, a transfer chamber 430, and a controller 1500. The application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the application chamber 410 and the baking chamber 420 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of application chambers 410 may be provided, and a plurality of application chambers 410 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, an example in which six application chambers 410 are provided is shown. A plurality of baking chambers 420 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in larger numbers.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)은 각 챔버에 기판을 반송하는 반송 유닛(432)으로 제공된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 도포 챔버들(410), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned side by side in the first direction 12 with the first buffer 320 of the first buffer module 300. An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430. The application part robot 432 and the guide rail 433 are provided to the conveyance unit 432 which conveys a board | substrate to each chamber. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 cools the baking chambers 420, the application chambers 410, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500 described later. The substrate W is transferred between the chambers 520. The guide rail 433 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. Arm 435 is provided in a flexible structure to allow hand 434 to move in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. Arm 435 is coupled to support 436 so as to be linearly movable in third direction 16 along support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437, and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 도 6은 도 2의 도포 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 도포 챔버(410)는 하우징(810), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(840), 그리고 유체 공급 유닛(1000)을 포함한다. The application chambers 410 all have the same structure. However, the kind of photoresist used in each coating chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. 6 is a cross-sectional view showing the application unit of FIG. 2. Referring to FIG. 6, the application chamber 410 includes a housing 810, a substrate support unit 830, a processing container 850, a lifting unit 890, a liquid supply unit 840, and a fluid supply unit 1000. It includes.

하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 바닥면에는 배기구(814)가 형성되고, 천장면에는 팬 필터 유닛이 설치된다. 하우징(810) 내에는 팬 필터 유닛을 통해 하강 기류가 형성되고, 형성된 기류는 배기구(814)를 통해 외부로 배기된다. 팬 필터 유닛은 공간(812)에 청정 에어를 공급한다. 배기구(814)에는 배기 부재가 연결되며, 배기 부재는 배기구(814)를 감압할 수 있다. The housing 810 is provided in a rectangular cylindrical shape having a space 812 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 810. The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. The opening is provided with a door, and the door opens and closes the opening. When the substrate is processed, the door closes the opening to seal the interior space 812 of the housing 810. An exhaust port 814 is formed on the bottom surface of the housing 810, and a fan filter unit is installed on the ceiling surface. The downdraft is formed in the housing 810 through the fan filter unit, and the formed airflow is exhausted to the outside through the exhaust port 814. The fan filter unit supplies clean air to the space 812. An exhaust member is connected to the exhaust port 814, and the exhaust member may reduce the exhaust port 814.

기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. The substrate support unit 830 supports the substrate W in an inner space of the housing 810. The substrate support unit 830 rotates the substrate W. As shown in FIG. The substrate support unit 830 includes a spin chuck 832, a rotation shaft 834, and a driver 836. Spin chuck 832 is provided to a substrate support member 832 for supporting a substrate. Spin chuck 832 is provided to have a circular plate shape. The substrate W is in contact with the upper surface of the spin chuck 832. The spin chuck 832 is provided to have a diameter smaller than that of the substrate W. As shown in FIG. According to an example, the spin chuck 832 may vacuum the substrate W to chuck the substrate W. Optionally, the spin chuck 832 may be provided as an electrostatic chuck that chucks the substrate W using static electricity. In addition, the spin chuck 832 may chuck the substrate W with a physical force.

회전축(834) 및 구동기(836)는 스핀척(832)을 회전시키는 회전 구동 부재(834,836)로 제공된다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The rotation shaft 834 and the driver 836 are provided to the rotation driving members 834 and 836 to rotate the spin chuck 832. The axis of rotation 834 supports the spin chuck 832 below the spin chuck 832. The rotating shaft 834 is provided such that its longitudinal direction is directed upward and downward. The rotating shaft 834 is provided to be rotatable about its central axis. The driver 836 provides a driving force for the rotation shaft 834 to rotate. For example, the driver 836 may be a motor capable of varying the rotational speed of the rotating shaft.

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 기판 지지 유닛(830)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 즉, 기판 지지 유닛(830)은 처리 공간에 위치된다. 처리 용기(850)는 외측컵(862) 및 내측컵(852)을 포함한다. 외측컵(862)은 기판 지지 유닛(830)의 둘레를 감싸도록 제공되고, 내측컵(852)은 외측컵(862)의 내측에 위치된다. 외측컵(862) 및 내측컵(852) 각각은 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측컵(862)과 내측컵(852)의 사이 공간은 액이 회수되는 회수 경로(851)로 기능한다. The processing vessel 850 is located in the interior space 812 of the housing 810. The processing container 850 is provided to have a cup shape with an open top. The processing container 850 provides a processing space therein. The processing container 850 is provided to surround the substrate support unit 830. That is, the substrate support unit 830 is located in the processing space. The processing vessel 850 includes an outer cup 862 and an inner cup 852. The outer cup 862 is provided to surround the substrate support unit 830, and the inner cup 852 is located inside the outer cup 862. Each of the outer cup 862 and the inner cup 852 is provided in an annular ring shape. The space between the outer cup 862 and the inner cup 852 functions as a recovery path 851 in which the liquid is recovered.

내측컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측컵(852)은 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 내측컵은 내측부 및 외측부를 가진다. 내측부와 외측부 각각의 상면은 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측부는 스핀척과 중첩되게 위치된다. 내측부는 회전축(836)과 마주하게 위치된다. 내측부는 회전축(836)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하고, 외측부는 내측부로부터 외측 방향으로 연장된다. 외측부는 회전축(836)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향한다. 내측부의 상단은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 일치될 수 있다. 일 예에 의하면, 외측부와 내측부가 만나는 지점은 내측부의 상단보다 낮은 위치일 수 있다. 내측부와 외측부가 서로 만나는 지점은 라운드지도록 제공될 수 있다. 외측부는 외측컵(862)과 조합되어 처리액이 회수되는 회수 경로(851)를 형성할 수 있다. The inner cup 852 is provided in a circular plate shape surrounding the rotation shaft 834. When viewed from the top, the inner cup 852 is positioned to overlap the exhaust vent 814. The inner cup has an inner side and an outer side. The upper surface of each of the inner side and the outer side is provided to be inclined at different angles from each other. As viewed from the top, the inner part is positioned to overlap with the spin chuck. The inner portion is positioned facing the axis of rotation 836. The inner portion faces upwardly inclined direction away from the rotation shaft 836, and the outer portion extends outward from the inner portion. The outer portion faces a downwardly inclined direction as it moves away from the rotation axis 836. The upper end of the inner part may coincide with the side end of the substrate W in the vertical direction. According to an example, the point where the outer side and the inner side meet may be a position lower than the upper end of the inner side. The point where the inner and outer portions meet each other may be provided to be rounded. The outer portion may be combined with the outer cup 862 to form a recovery path 851 through which the treatment liquid is recovered.

외측컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측컵(862)은 바닥부(864), 측부(866), 그리고 경사부(870)을 가진다. 바닥부(864)는 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥부(864)에는 회수 라인(865)이 연결된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측부(866)는 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 측부(866)는 바닥부(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측부(866)는 바닥부(864)으로부터 위로 연장된다. The outer cup 862 is provided to have a cup shape surrounding the substrate support unit 830 and the inner cup 852. The outer cup 862 has a bottom 864, a side 866, and an inclined portion 870. Bottom portion 864 is provided to have a circular plate shape having a hollow. The recovery line 865 is connected to the bottom 864. The recovery line 865 recovers the processing liquid supplied on the substrate W. As shown in FIG. The treatment liquid recovered by the recovery line 865 can be reused by an external liquid regeneration system. The side portion 866 is provided to have an annular ring shape surrounding the substrate support unit 830. Side 866 extends in a direction perpendicular to the side end of bottom 864. Side 866 extends up from bottom 864.

경사부(870)는 측부(866)의 상단으로부터 외측컵(862)의 중심축을 향하는 방향으로 연장된다. 경사부(870)의 내측면(870a)은 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 상향 경사지게 제공된다. 경사부(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 기판의 액 처리 공정 중에는 경사부(870)의 상단이 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.The inclined portion 870 extends from the top of the side portion 866 toward the central axis of the outer cup 862. The inner side surface 870a of the inclined portion 870 is provided to be inclined upward to approach the substrate support unit 830. The inclined portion 870 is provided to have a ring shape. During the liquid treatment process of the substrate, the upper end of the inclined portion 870 is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 830.

승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다. The lifting unit 890 lifts and moves the inner cup 852 and the outer cup 862, respectively. The elevating unit 890 includes an inner movable member 892 and an outer movable member 894. The inner moving member 892 moves up and down the inner cup 852, and the outer moving member 894 moves up and down the outer cup 862.

액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액 및 프리 웨트액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 제1이동 부재(846), 제1아암(848), 프리 웨트 노즐(842) 및 도포 노즐(844)을 포함한다. 제1이동 부재(846)는 제1아암(848)을 수평 방향으로 이동시키는 제1이동 레일(846)을 포함한다. 제1이동 레일(846)은 처리 용기(850)의 일측에 위치된다. 제1이동 레일(846)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 제1이동 레일(846)의 길이 방향을 제1방향과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 제1이동 레일(846)에는 제1아암(848)이 설치된다. 제1아암(848)은 제1이동 레일(846)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 제1아암(848)은 상부에서 바라볼 때 제1이동 레일(846)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 제1아암(848)의 일단은 제1이동 레일(846)에 장착된다. 제1아암(848)의 타단 저면에는 프리 웨트 노즐(842) 및 도포 노즐(844)이 각각 설치된다. 상부에서 바라볼 때 프리 웨트 노즐(842) 및 도포 노즐(844)은 제1이동 레일(846)의 길이 방향과 평행한 방향으로 배열된다. 선택적으로 제1아암(848)은 길이 방향이 제3방향을 향하는 회전축에 결합되어 회전될 수 있다.The liquid supply unit 840 supplies the processing liquid and the prewet liquid on the substrate W. As shown in FIG. The liquid supply unit 840 includes a first moving member 846, a first arm 848, a free wet nozzle 842, and an application nozzle 844. The first moving member 846 includes a first moving rail 846 for moving the first arm 848 in the horizontal direction. The first moving rail 846 is located at one side of the processing container 850. The first moving rail 846 is provided such that its longitudinal direction is in the horizontal direction. According to an example, the longitudinal direction of the first moving rail 846 may be provided to face in a direction parallel to the first direction. The first arm 848 is installed on the first moving rail 846. The first arm 848 may be moved by a linear motor provided inside the first moving rail 846. The first arm 848 is provided to face in a longitudinal direction perpendicular to the first moving rail 846 when viewed from the top. One end of the first arm 848 is mounted to the first moving rail 846. On the other end bottom of the 1st arm 848, the prewet nozzle 842 and the application | coating nozzle 844 are provided, respectively. As viewed from the top, the pre-wet nozzle 842 and the application nozzle 844 are arranged in a direction parallel to the longitudinal direction of the first moving rail 846. Optionally, the first arm 848 may be rotated by being coupled to a rotation axis of which the longitudinal direction is directed in the third direction.

프리 웨트 노즐(842)은 기판(W) 상에 프리 웨트액을 공급하고, 도포 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 프리 웨트액은 기판(W)의 표면 성질을 변화시킬 수 있는 액일 수 있다. 프리 웨트액은 기판(W)의 표면을 소수성 성질로 변화시킬 수 있다. 프리 웨트액은 신나(Thinner)이고, 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다.  The pre-wet nozzle 842 supplies the pre-wet liquid on the substrate W, and the coating nozzle 844 supplies the process liquid on the substrate W. As shown in FIG. For example, the pre-wet liquid may be a liquid capable of changing the surface properties of the substrate (W). The prewet liquid can change the surface of the substrate W to have a hydrophobic property. The prewet liquid is thinner, and the treatment liquid may be a photoresist such as a photoresist.

유체 공급 유닛(1000)은 기판(W) 상에 냉각용 유체를 공급한다. 유체 공급 유닛은 제2이동 부재, 제2아암(1100), 그리고 냉각 노즐(1200)을 포함한다. 제2아암(1100)은 냉각 노즐(1200)을 지지하며, 제2이동 부재에 결합된다. 냉각 노즐(1200)은 제2이동 부재에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 제2이동 부재는 제1이동 부재와 동일한 형상을 가지고, 제2아암(1200)은 제1아암(848)과 동일한 형상을 가지므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. 다만, 제1아암(848)과 제2아암(1200)은 서로 간에 간섭되지 않도록 위치된다. 또한 냉각 노즐(1300), 도포 노즐(844), 그리고 프리 웨트 노즐(842)은 서로 간에 간섭되지 않는 범위 내에 위치된다. 예컨대, 냉각용 유체는 냉각 처리된 순수 또는 비활성 가스일 수 있다.The fluid supply unit 1000 supplies a cooling fluid on the substrate W. The fluid supply unit includes a second moving member, a second arm 1100, and a cooling nozzle 1200. The second arm 1100 supports the cooling nozzle 1200 and is coupled to the second moving member. The cooling nozzle 1200 is moved to the process position and the standby position by the second moving member. Since the second moving member has the same shape as the first moving member, and the second arm 1200 has the same shape as the first arm 848, a detailed description thereof will be omitted. However, the first arm 848 and the second arm 1200 are positioned so as not to interfere with each other. In addition, the cooling nozzle 1300, the application nozzle 844, and the free wet nozzle 842 is located within a range that does not interfere with each other. For example, the cooling fluid may be cooled pure water or inert gas.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정 및 포토 레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에는 도포 챔버 내에서 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트 없이 가열 플레이트(422)를 가진다. 따라서 베이크 챔버(420)는 가열 챔버(420)로 제공된다. 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다.The bake chamber 420 heat-treats the substrate (W). For example, the bake chambers 420 may include a prebake process and a photoresist that heat the substrate W to a predetermined temperature to remove organic matter or moisture on the surface of the substrate W before applying the photoresist. A soft bake process or the like performed after coating on W) is performed, and after each heating step, a cooling process for cooling the substrate W in the coating chamber is performed. The bake chamber 420 has a heating plate 422 without a cooling plate. Thus, the bake chamber 420 is provided to the heating chamber 420. The heating plate 422 is provided with heating means 424 such as hot wires or thermoelectric elements.

다음은 상술한 도포 모듈(401)에서 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 도 7은 도 2의 도포 모듈(401)에서 기판이 처리되는 과정을 보여주는 플로우 차트이고, 도 8 내지 도 10은 도 7의 과정을 보여주는 도면들이다. 도 7 내지 도 10을 참조하면, 기판(W)을 처리하는 방법은 가열 공정, 냉각 공정, 그리고 도포 공정이 순차적으로 진행된다. 가열 공정은 베이크 챔버(420)에서 수행되고, 냉각 공정 및 도포 공정은 각각 도포 챔버(410)에서 수행된다. Next, a process of processing the substrate W in the coating module 401 will be described. FIG. 7 is a flowchart illustrating a process of processing a substrate in the application module 401 of FIG. 2, and FIGS. 8 to 10 are views illustrating the process of FIG. 7. 7 to 10, in the method of treating the substrate W, a heating process, a cooling process, and an application process are sequentially performed. The heating process is performed in the baking chamber 420, and the cooling process and the application process are performed in the application chamber 410, respectively.

가열 공정은 반송 유닛(432)에 의해 기판(W)이 가열 플레이트(422)로 반송되어 진행된다. 가열 플레이트(422)는 기판(W)을 가열 처리하여 기판(W) 표면의 유기물 또는 수분을 제거시킨다. 가열 공정이 완료되면, 냉각 공정이 수행된다. 반송 유닛(432)은 기판(W)이 도포 챔버(410)의 스핀척(832)에 놓여지도록 기판(W)을 도포 챔버(410)로 반송한다.As for a heating process, the board | substrate W is conveyed to the heating plate 422 by the conveyance unit 432, and it advances. The heating plate 422 heats the substrate W to remove organic matter or moisture from the surface of the substrate W. When the heating process is completed, the cooling process is performed. The conveying unit 432 conveys the substrate W to the coating chamber 410 so that the substrate W is placed on the spin chuck 832 of the coating chamber 410.

냉각 공정이 진행되면, 기판(W)은 스핀척(832)에 의해 제1속도(V1)로 회전된다. 냉각 노즐(1200)은 공정 위치로 이동되어 제1속도(V1)로 회전되는 기판(W) 상에 냉각용 유체를 공급한다. 기판(W)은 냉각용 유체에 의해 상온 또는 이와 인접한 온도로 냉각 처리된다. 냉각 공정이 완료되면, 냉각 노즐(1200)은 대기 위치로 이동되고, 가열 공정이 수행된다. As the cooling process proceeds, the substrate W is rotated at the first speed V1 by the spin chuck 832. The cooling nozzle 1200 moves to a process position and supplies a cooling fluid to the substrate W that is rotated at a first speed V1. The substrate W is cooled to a temperature at or near the room temperature by the cooling fluid. When the cooling process is completed, the cooling nozzle 1200 is moved to the standby position, the heating process is performed.

가열 공정이 진행되면, 기판(W)은 스핀척(832)에 의해 제1속도(V1)보다 낮은 제2속도(V2)로 회전된다. 프리 웨트 노즐(842) 및 도포 노즐(844)은 공정 위치로 이동된다. 프리 웨트 노즐(842)은 기판(W) 상에 프리 웨트액을 공급하여 기판(W)의 표면을 젖음 상태로 변환시킨다. 프리 웨트액은 처리액과 기판(W)의 표면 간에 접촉성을 향상시킨다. 프리 웨트액의 공급이 완료되면, 도포 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 처리액은 기판(W) 상에 도포되어 액막을 형성된다. 액막 형성이 완료되면, 도포 공정을 종료하고 기판(W)을 베이크 챔버(420)로 반송하여 가열 공정을 수행한다. 도포 공정 전의 가열 공정과 도포 공정 후의 가열 공정은 기판(W)을 서로 다른 온도로 가열 처리할 수 있다. When the heating process is performed, the substrate W is rotated at a second speed V2 lower than the first speed V1 by the spin chuck 832. The pre-wet nozzle 842 and the application nozzle 844 are moved to the process position. The pre-wet nozzle 842 supplies the pre-wet liquid onto the substrate W to convert the surface of the substrate W into a wet state. The prewet liquid improves the contact between the treatment liquid and the surface of the substrate W. FIG. When the supply of the prewet liquid is completed, the coating nozzle 844 supplies the processing liquid onto the substrate W. FIG. The processing liquid is applied onto the substrate W to form a liquid film. When the liquid film formation is completed, the coating process is terminated and the substrate W is returned to the baking chamber 420 to perform a heating process. The heating step before the coating step and the heating step after the coating step can heat-process the substrate W at different temperatures.

상술한 실시예에는 도포 챔버(410)에서 기판(W)의 냉각 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 도포 처리 전의 기판(W)은 도포 챔버(410) 내에서 냉각 공정이 수행되고, 도포 처리 후의 기판(W)은 베이크 챔버(420) 내에서 냉각 공정이 수행될 수 있다.In the above-described embodiment, the cooling process of the substrate W in the coating chamber 410 has been described. However, the cooling process may be performed in the coating chamber 410 before the substrate W and the cooling process may be performed in the baking chamber 420.

베이크 챔버들(420) 중 일부는 프리 베이크 공정을 수행하고, 다른 일부는 소프트 베이크 공정을 수행할 수 있다. 본 실시예에는 설명의 편의상 프리 베이크 공정을 수행하는 챔버를 프리 베이크 챔버(420)로 정의하고, 소프트 베이크 공정을 수행하는 챔버를 소프트 베이크 챔버(420)로 정의한다. Some of the bake chambers 420 may perform a pre-baking process, and others may perform a soft bake process. In the present embodiment, for convenience of description, a chamber for performing the prebaking process is defined as a prebaking chamber 420, and a chamber for performing the softbaking process is defined as a soft bake chamber 420.

프리 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트 없이 가열 플레이트(422)를 가질 수 있다. 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공될 수 있다. The prebak chamber 420 can have a heating plate 422 without a cooling plate. The heating plate 422 may be provided with heating means 424, such as a hot wire or a thermoelectric element.

소프트 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 및 가열 플레이트(422)를 가질 수 있다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공될 수 있다. 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. The soft bake chamber 420 may have a cooling plate 421 and a heating plate 422. The cooling plate 421 may be provided with cooling means 423 such as cooling water or thermoelectric elements. The heating plate 422 may be provided with heating means 424, such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420, respectively.

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.2 to 5 again, the developing module 402 supplies a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, and a developing process to the substrate W before and after the developing process. Heat treatment processes such as heating and cooling performed on the substrate. The developing module 402 has a developing chamber 460, a baking chamber 470, and a conveying chamber 480. The developing chamber 460, the baking chamber 470, and the conveying chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the developing chamber 460 and the baking chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 may be provided, and a plurality of developing chambers 460 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, an example in which six developing chambers 460 are provided is shown. A plurality of baking chambers 470 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. Alternatively, however, the bake chamber 470 may be provided in larger numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned side by side in the first direction 12 with the second buffer 330 of the first buffer module 300. The developer robot 482 and the guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480. The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the bake chambers 470, the developing chambers 460, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500. The substrate W is transferred between the second cooling chambers 540. The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing unit robot 482 has a hand 484, an arm 485, a support 486, and a base 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. Arm 485 is provided in a flexible structure to allow hand 484 to move in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. Arm 485 is coupled to support 486 such that it is linearly movable in third direction 16 along support 486. The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing chambers 460 all have the same structure. However, the types of the developer used in each of the developing chambers 460 may be different from each other. The developing chamber 460 removes the light irradiated region of the photoresist on the substrate W. At this time, the area irradiated with light in the protective film is also removed. Depending on the kind of photoresist that is optionally used, only the regions of the photoresist and the protective film where the light is not irradiated may be removed.

현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing chamber 460 has a container 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The container 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the container 461 and supports the substrate W. As shown in FIG. The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tubular shape and can supply the developer to the center of the substrate W. FIG. Optionally, the nozzle 463 has a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developing solution is supplied.

베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 heat-treats the substrate (W). For example, the bake chambers 470 are heated after each baking process and a hard bake process for heating the substrate W after the developing process is performed and a post bake process for heating the substrate W before the developing process is performed. A cooling process for cooling the finished substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with cooling means 473, such as cooling water or thermoelectric elements. Alternatively, the heating plate 472 is provided with heating means 474 such as hot wires or thermoelectric elements. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may each be provided in one bake chamber 470. Optionally, some of the baking chambers 470 may have only a cooling plate 471 and others may have only a heating plate 472.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the developing module 402 may have the same chamber arrangement when viewed from the top.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the application and development module 400 and the pre-exposure processing module 600. In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W, such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 controls the frame 510, the buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560. Have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located in the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged along the third direction 16. When viewed from the top, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 and the first direction 12 of the application module 401. The edge exposure chamber 550 is disposed spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 in a second distance 14.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transfers the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. The second buffer robot 560 is located between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W on which the process is performed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which the process is performed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes an edge of the substrates W on which the cooling process is performed in the first cooling chamber 530. The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W having been processed in the edge exposure chamber 550 are transferred to the pretreatment module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the substrates W, which have been processed in the post-processing module 602, described later, are transferred to the developing module 402. The second buffer module 500 may further have a buffer added to a height corresponding to the developing module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process, the exposure before and after processing module 600 may process a process of applying a protective film that protects the photoresist film applied to the substrate W during the liquid immersion exposure. In addition, the pre and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after the exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre-exposure treatment module 600 may process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 includes a pretreatment module 601 and a post-processing module 602. The pretreatment module 601 performs a process of processing the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pretreatment module 601 and the aftertreatment module 602 are arranged to partition into one another. In one example, the pretreatment module 601 is located on top of the aftertreatment module 602. The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film applying chamber 610, a baking chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film applying chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the protective film applying chamber 610 and the baking chamber 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of protective film applying chambers 610 may be provided and disposed along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of protective film applying chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of baking chambers 620 may be provided and disposed along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of baking chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned side by side in the first direction 12 with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500. The pretreatment robot 632 is located in the transfer chamber 630. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pretreatment robot 632 is provided between the protective film applying chambers 610, the baking chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700 described later. The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. Arm 634 is provided in a flexible structure and a rotatable structure. Arm 634 is coupled to support 635 to be linearly movable in a third direction 16 along support 635.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중앙 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film on the substrate W to protect the resist film during the liquid immersion exposure. The protective coating chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. As shown in FIG. The support plate 612 is provided to be rotatable. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the support plate 612. The nozzle 613 has a circular tubular shape and can supply a protective liquid to the center of the substrate W. As shown in FIG. Optionally, the nozzle 613 has a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. As the protective liquid, a material having a low affinity with the photoresist and water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film applying chamber 610 rotates the substrate W placed on the support plate 612 to supply the protective liquid to the central region of the substrate W. FIG.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The baking chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with cooling means 623, such as cooling water or thermoelectric elements. Alternatively, the heating plate 622 is provided with heating means 624 such as hot wire or thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may each be provided in one bake chamber 620. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only a heating plate 622 and others may have only a cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The aftertreatment module 602 has a cleaning chamber 660, a post exposure bake chamber 670, and a transfer chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. The cleaning chamber 660 may be provided in plural and may be disposed along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 670 may be provided after the exposure, and may be disposed along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned side by side in the first direction 12 with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 when viewed from the top. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. The post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 includes cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, a second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and a second of the interface module 700 described below. The substrate W is transported between the buffers 730. The post-processing robot 682 provided to the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided to the pre-processing module 601.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중앙 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중앙 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. As shown in FIG. The support plate 662 is provided to be rotatable. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the center region to the edge region of the substrate W. As shown in FIG.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process is performed using ultraviolet rays. The post-exposure bake process heats the substrate W to amplify an acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with heating means 674, such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673, such as cooling water or thermoelectric elements. In addition, a bake chamber may optionally be provided with only the cooling plate 671.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pretreatment module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other in the pre- and post-exposure processing module 600. In addition, the transfer chamber 630 of the pretreatment module 601 and the transfer chamber 680 of the post-treatment module 602 may be provided in the same size so as to completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the protective film applying chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided in the same size to each other when completely overlapping each other when viewed from the top. In addition, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may be provided in the same size, so as to completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the pre- and post-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located in the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and disposed to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is located at a height corresponding to the preprocessing module 601, and the second buffer 730 is disposed at a height corresponding to the post processing module 602. As viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line along the conveyance chamber 630 and the first direction 12 of the pretreatment module 601, and the second buffer 730 is the post-processing module 602. Are positioned to be arranged in a line along the conveyance chamber 630 and the first direction 12.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 transports the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure generally similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the pretreatment module 601 before they are moved to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the substrates W processed in the exposure apparatus 900 before moving to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed in the housing 721 and are provided spaced apart from each other along the third direction 16. One support W is placed on each support 722. The housing 721 is a direction and pretreatment robot provided with the interface robot 740 so that the interface robot 740 and the pretreatment robot 632 can carry or unload the substrate W into the support 722 into the housing 721. 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure generally similar to the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has openings (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only the buffers and the robot may be provided in the interface module without providing a chamber that performs a predetermined process on the substrate W.

410: 도포 챔버 420: 베이크 챔버
422: 가열 플레이트 430: 반송 챔버
432: 반송 유닛 1200: 냉각 노즐
1500: 제어기410: application chamber 420: bake chamber
422: heating plate 430: conveyance chamber
432: conveying unit 1200: cooling nozzle
1500: controller

Claims (9)

기판 상에 액막을 도포하는 방법에 있어서,
상기 기판을 가열하는 가열 공정, 상가 가열 공정 이후에 상기 기판을 냉각하는 냉각 공정, 그리고 상기 냉각 공정 이후에 상기 기판에 액막을 공급하는 도포 공정을 순차적으로 진행하되,
상기 가열 공정은 베이크 챔버에서 수행되고, 상기 베이크 챔버에서 가열 공정이 완료된 기판은 도포 챔버로 반송되며, 상기 냉각 공정과 상기 도포 공정은 상기 도포 챔버에서 진행하고,
상기 냉각 공정은 상기 기판이 상기 도포 챔버 내의 기판 지지 유닛에 안착된 상태에서 상기 기판의 상면 전체 영역으로 냉각용 유체를 공급하여 이루어지고,
상기 도포 공정은 상기 기판이 상기 기판 지지 유닛에 안착된 상태에서 상기 기판 상으로 상기 처리액을 공급하여 이루어지는 기판 처리 방법.In the method of apply | coating a liquid film on a board | substrate,
A heating step of heating the substrate, a cooling step of cooling the substrate after a mall heating step, and a coating step of supplying a liquid film to the substrate after the cooling step are sequentially performed,
The heating process is performed in a bake chamber, the substrate on which the heating process is completed in the bake chamber is conveyed to an application chamber, the cooling process and the application process proceed in the application chamber,
The cooling step is performed by supplying a cooling fluid to the entire area of the upper surface of the substrate in the state that the substrate is seated on the substrate support unit in the coating chamber,
And said coating step is performed by supplying said processing liquid onto said substrate while said substrate is seated on said substrate support unit. 제1항에 있어서,
상기 냉각 공정 중 기판의 회전 속도는 상기 도포 공정 중 기판의 회전속도보다 빠르게 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
And a rotational speed of the substrate during the cooling process is provided faster than a rotational speed of the substrate during the coating process. 제2항에 있어서,
상기 냉각용 유체는 액체인 기판 처리 방법.The method of claim 2,
And said cooling fluid is a liquid. 제3항에 있어서,
상기 냉각 공정은 회전되는 기판의 중앙 영역으로 상기 냉각용 유체를 공급하여 이루어지는 기판 처리 방법.The method of claim 3,
The cooling process is a substrate processing method by supplying the cooling fluid to the central region of the substrate to be rotated. 제5항에 있어서,
상기 처리액은 감광액을 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 5,
The processing liquid comprises a photosensitive liquid. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 가열 처리하는 베이크 챔버와;
기판 상에 액막을 형성하는 도포 챔버와;
상기 베이크 챔버와 상기 도포 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 유닛과;
상기 베이크 챔버, 상기 도포 챔버, 그리고 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 도포 챔버는,
기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 냉각 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액막이 형성되도록 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 제어기는 상기 베이크 챔버에서 공정이 완료된 기판을 상기 도포 챔버로 반송하고, 상기 도포 챔버에서 상기 냉각 유체에 의해 상기 기판이 냉각된 이후에 처리액을 공급하도록 상기 베이크 챔버, 상기 반송 유닛, 그리고 상기 도포 챔버를 제어하고,
상기 제어기는 상기 도포 챔버에서 기판 상면 전체 영역에 냉각 유체를 공급 시 기판을 회전시키고, 기판 상에 처리액을 공급 시 기판이 회전되도록 상기 기판 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A bake chamber for heating the substrate;
An application chamber for forming a liquid film on the substrate;
A conveying unit for conveying a substrate between the baking chamber and the application chamber;
A controller for controlling the bake chamber, the application chamber, and the conveying unit,
The application chamber,
A substrate support unit for supporting and rotating the substrate;
A fluid supply unit supplying cooling fluid onto a substrate supported by the substrate support unit;
A liquid supply unit supplying a processing liquid so that a liquid film is formed on a substrate supported by the substrate support unit,
The controller transfers the completed substrate in the baking chamber to the coating chamber, and supplies the processing liquid after the substrate is cooled by the cooling fluid in the coating chamber, the conveying unit, and the To control the application chamber,
And the controller controls the substrate support unit to rotate the substrate when the cooling fluid is supplied to the entire area of the upper surface of the substrate in the coating chamber and to rotate the substrate when the processing liquid is supplied onto the substrate. 제6항에 있어서,
상기 도포 챔버에서 기판 상면 전체 영역에 냉각 유체를 공급 시 기판을 제1속도로 회전시키고, 기판 상에 처리액을 공급 시 기판이 제2속도로 회전되도록 상기 기판 지지 유닛을 제어하되,
상기 제1속도는 상기 제2속도에 비해 빠른 속도로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The substrate support unit is controlled such that the substrate is rotated at a first speed when the cooling fluid is supplied to the entire area of the upper surface of the substrate in the coating chamber, and the substrate is rotated at the second speed when the processing liquid is supplied onto the substrate.
And the first speed is provided at a higher speed than the second speed. 제7항에 있어서,
상기 제어기는 냉각 유체에 의해 기판을 냉각 처리하는 냉각 공정 직후에, 처리액에 의한 액막을 형성하는 도포 공정을 수행하도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 유체 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치. The method of claim 7, wherein
And the controller controls the liquid supply unit and the fluid supply unit to perform an application step of forming a liquid film by a processing liquid immediately after a cooling process of cooling the substrate by a cooling fluid. 제8항에 있어서,
상기 제어기는
상기 냉각 유체가 기판 중앙 영역으로 공급되도록 상기 유체 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
The method of claim 8,
The controller
And control the fluid supply unit such that the cooling fluid is supplied to a substrate central region.
KR1020200022816A 2017-10-12 2020-02-25 Method and Apparatus for treating substrate KR102298083B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200022816A KR102298083B1 (en) 2017-10-12 2020-02-25 Method and Apparatus for treating substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170132275A KR20190041160A (en) 2017-10-12 2017-10-12 Method and Apparatus for treating substrate
KR1020200022816A KR102298083B1 (en) 2017-10-12 2020-02-25 Method and Apparatus for treating substrate

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170132275A Division KR20190041160A (en) 2017-10-12 2017-10-12 Method and Apparatus for treating substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200023343A true KR20200023343A (en) 2020-03-04
KR102298083B1 KR102298083B1 (en) 2021-09-03

Family

ID=69783239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200022816A KR102298083B1 (en) 2017-10-12 2020-02-25 Method and Apparatus for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102298083B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021736A (en) * 1998-07-07 2000-01-21 Toshiba Corp Coating method of resist
KR20100053139A (en) 2008-11-12 2010-05-20 세메스 주식회사 Bake apparatus and substrate treatment apparatus with it
KR20100088506A (en) * 2009-01-30 2010-08-09 세메스 주식회사 Facility and method for treating substrates
JP2011086676A (en) * 2009-10-13 2011-04-28 Tokyo Electron Ltd Heat treatment apparatus, heat treatment method, and storage medium

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021736A (en) * 1998-07-07 2000-01-21 Toshiba Corp Coating method of resist
KR20100053139A (en) 2008-11-12 2010-05-20 세메스 주식회사 Bake apparatus and substrate treatment apparatus with it
KR20100088506A (en) * 2009-01-30 2010-08-09 세메스 주식회사 Facility and method for treating substrates
JP2011086676A (en) * 2009-10-13 2011-04-28 Tokyo Electron Ltd Heat treatment apparatus, heat treatment method, and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
KR102298083B1 (en) 2021-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101605721B1 (en) Bake apparatus and Apparatus for treating substrate
KR101977752B1 (en) Apparatus and Method for treating a substrate
KR102359530B1 (en) Method and Apparatus for treating substrate, and Method for cleaning cup
KR102315667B1 (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR20160117835A (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR20160108653A (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR102397846B1 (en) Apparatus for treating a substrate
KR102315662B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR20180004362A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102533056B1 (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR102415320B1 (en) Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate
KR102175075B1 (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR101769440B1 (en) Method for treating substrate
KR102046872B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20160072545A (en) Apparatus for treating substrate
KR102000023B1 (en) Substrate treating apparatus
KR102010261B1 (en) Apparatus and Method for treating a substrate
KR20150078629A (en) Apparatus for treating substrate
KR102119683B1 (en) Home port, Apparatus and Method for treating substrate with the home port
KR102298083B1 (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR102351669B1 (en) Apparatus for treating a substrate
KR101768518B1 (en) Transfer chamber, Apparatus for treating substrate, and method for trasnferring substrate
KR102315661B1 (en) method and Apparatus for treating substrate
KR20180122518A (en) Apparatus for treating a substrate
KR101910800B1 (en) Apparatus for treating a substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2020101003035; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20201214

Effective date: 20210728

GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant