KR20200002787A - 무용매 실리콘 감압 접착제 및 이의 제조 및 사용 방법 - Google Patents
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Abstract
무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은 (A) 말단 지방족 불포화체(unsaturation)를 갖는 1가 탄화수소 기를 갖는 폴리다이오르가노실록산, (B) 말단 지방족 불포화체를 갖는 1가 탄화수소 기를 갖는 분지형 폴리오르가노실록산, (C) 폴리오르가노실리케이트 수지, (D) 올레핀계 반응성 희석제, (E) 폴리오르가노하이드로겐실록산, (F) 하이드로실릴화 반응 촉매, 및 (G) 앵커리지 첨가제(anchorage additive)를 포함한다. 이러한 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은 경화되어 감압 접착제를 형성할 수 있다. 배킹 기재(backing substrate) 상에서 경화될 때, 생성되는 접착제 물품은 제조, 운송, 및 사용 동안 전자 장치를 보호하는 데 유용하다.
Description
무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은 하이드로실릴화 반응을 통해 경화 가능하다. 이러한 조성물을 기재(substrate) 상에서 경화시킴으로써 제조되는 감압 접착제 라미네이트 물품은 가공 동안 보호 및/또는 마스킹을 위해 전자 기기 응용에서 유용하다.
보호 필름 및 캐리어 테이프는 전자 기기 제조 산업에서 실리콘 감압 접착제에 대한 2가지 주된 응용이다. 보통, 보호 필름 및 캐리어 테이프에서의 감압 접착제(PSA)의 두께는 전통적인 테이프 응용보다 상대적으로 더 얇다. 이들 응용을 위한 구매가능한 PSA는 주로 용매계(solvent based)이다. 휘발성 유기 화합물에 대한 환경 문제 및 제한으로 인해, 고객은 무용매 PSA를 사용하기를 원한다. 기재 상에 비교적 얇은 PSA 층을 코팅하기 위한 것과 같은 소정 코팅 공정을 위해 비교적 낮은 점도가 바람직하다. 낮은 점도를 달성하기 위하여, 짧은 사슬을 갖는 실리콘 중합체가 무용매 PSA에 사용될 수 있다. 그러나, 낮은 점도를 갖는 무용매 PSA는, 기재 상의 불균일한 접착제 커버리지(coverage) 및 그에 따른 고르지 않은 접착제 코팅 표면을 야기하는, 기재 표면 상의 PSA 조성물의 정전기-유도 또는 표면 장력-유도 유동을 포함하는 다양한 문제를 야기할 수 있다. 기재 상의 불균일한 접착제 커버리지는 보호 필름에 대해 너무 높은 접착력을 갖는 단점이 있을 수 있는데, 이는 보호 필름이 제거될 때 무용매 PSA가 보호되는 기재에 손상을 야기할 수 있다. 더욱이, 고르지 않은 접착 표면은 보호 가공 동안 캐리어 테이프에 대해 불안정한 접착력을 갖는 단점이 있을 수 있는데, 이는 캐리어 테이프가 제거될 때 표면 보호 및/또는 공정 마스킹에 있어서 표면 손상 또는 품질 문제를 야기할 수 있다.
하기 특성들 중 하나 이상을 갖는 무용매 감압 접착제가 전자 기기 제조 산업에서 필요하다: 양호한 가공성, 적합한 박리력, 및 감압 접착제 코팅의 평탄한 표면.
무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은
(A) 말단 지방족 불포화체(unsaturation)를 갖는 말단 규소 결합된 1가 탄화수소 기를 갖는 폴리다이오르가노실록산;
(B) 말단 지방족 불포화체를 갖는 말단 규소 결합된 1가 탄화수소 기를 갖는 분지형 폴리오르가노실록산
(여기서, 시재료 (A) 및 시재료 (B)는 0.2/1 내지 20/1의 시재료 (A)에 대한 시재료 (B)의 중량비(B/A 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재함);
(C) 폴리오르가노실리케이트 수지
(여기서, 시재료 (A), 시재료 (B) 및 시재료 (C)는 0.05/1 내지 1.5/1의 시재료 (A)와 시재료 (B)의 합계량에 대한 시재료 (C)의 양의 중량비(수지/중합체 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재함);
(D) 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 0% 초과 내지 5% 미만의 올레핀계 반응성 희석제;
(E) 폴리오르가노하이드로겐실록산; 및
(F) 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 1 내지 1000 ppm의 백금족 금속을 제공하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 반응 촉매
를 포함하며; 시재료들은, 조성물 내의 모든 시재료의 합계 몰량을 기준으로, 말단 지방족 불포화체를 갖는 1가 탄화수소 기에 대한 규소 결합된 수소 원자의 몰비(SiH/Vi 비)가 0.5/1 : 50/1이 되도록 하는 양으로 존재한다.
무용매 실리콘 감압 접착제는 하기를 포함하는 방법으로 접착제 물품을 제조하는 데 사용될 수 있다:
1) 조성물을 배킹 기재(backing substrate)의 표면 상에 코팅하는 단계, 및
2) 조성물을 경화시켜 배킹 기재의 표면 상에 감압 접착제를 형성하는 단계.
전술한 바와 같이 제조된 접착제 물품은 감압 접착제가 배킹 기재와 전자 장치의 표면 사이에 있도록 전자 장치에 접착될 수 있다. 접착제 물품은 제조, 운송, 및/또는 사용 동안 전자 장치를 보호할 수 있다.
도 1은 접착제 물품(100)의 부분 단면도를 나타낸다. 접착제 물품은 필름 기재(103)의 제1 표면(102) 상에서 본 명세서에 기재된 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 경화시킴으로써 제조되는 감압 접착제(101)를 포함한다. 물품(100)은 필름 기재(103)의 반대편 표면(105)에 장착된 제2 기재(104)를 추가로 포함한다.
본 명세서에 기재된 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은
(A) 하기 화학식 A-1:
[화학식 A-1]
(R1 2R2SiO)-(R1 2SiO)a-(OSiR1 2R2)
(상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 말단 지방족 불포화체가 부재하는 1가 탄화수소 기 및 말단 지방족 불포화체가 부재하는 1가 할로겐화 탄화수소 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 각각의 R2는 말단 지방족 불포화체를 갖는 독립적으로 선택되는 1가 탄화수소 기이고, 하첨자 a는 150 내지 2,000의 평균 값을 가짐)을 포함하는 폴리다이오르가노실록산;
(B) 하기 단위 화학식 B-1:
[화학식 B-1]
(R1 3SiO1/2)g(R1 2R2SiO1/2)h(R1 2SiO2/2)i(SiO4/2)j
(상기 식에서, R1 및 R2는 전술한 바와 같고 하첨자 g, h, i, 및 j는 2 ≥ g ≥ 0, 4 ≥ h ≥ 0, 995 ≥ i ≥ 4, j = 1, (g+h) = 4, 및 (g+h+i+j)가 회전 점도측정에 의해 측정할 때 25℃에서 170 mPa·s 초과의 점도를 분지형 폴리오르가노실록산에 부여하기에 충분한 값을 갖도록 하는 평균 값을 가짐)을 포함하는 분지형 폴리오르가노실록산
(여기서, 시재료 (A) 및 시재료 (B)는 0.2/1 내지 20/1의 시재료 (A)에 대한 시재료 (B)의 중량비(B/A 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재함);
(C) 하기 단위 화학식 C-1:
[화학식 C-1]
(R1 3SiO1/2)m(R1 2R2SiO1/2)n(SiO4/2)o
(상기 식에서, R1 및 R2는 전술한 바와 같고 하첨자 m, 하첨자 n 및 하첨자 o는 m ≥ 0, n ≥ 0, o > 0, 및 (m+n)> 4가 되도록 하는 평균 값을 가짐)을 포함하는 폴리오르가노실리케이트 수지
(여기서, 시재료 (A), 시재료 (B) 및 시재료 (C)는 0.05/1 내지 1.5/1의 시재료 (A)와 시재료 (B)의 합계량에 대한 시재료 (C)의 양의 중량비(수지/중합체 비 또는 C/(A+B) 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재함);
(D) 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 0% 초과 내지 5% 미만의 올레핀계 반응성 희석제;
(E) 하기 단위 화학식 E-1:
[화학식 E-1]
(R1 3SiO1/2)p(R1 2SiO2/2)q(R1SiO3/2)r(SiO4/2)s(R1HSiO2/2)t(R1 2HSiO1/2)u
(상기 식에서, R1은 전술한 바와 같고 하첨자 p, q, r, s, t, 및 u는 p ≥ 0, q ≥ 0, r ≥ 0, s ≥ 0, t ≥ 0, u ≥ 0, (t + u) ≥ 2, 및 수량 (p + q + r + s + t + u)가 5 내지 100의 중합도를 갖는 폴리오르가노하이드로겐실록산을 제공하기에 충분하도록 하는 값을 가짐)의 폴리오르가노하이드로겐실록산; 및
(F) 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 1 내지 1000 ppm의 백금족 금속을 제공하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 반응 촉매
를 포함할 수 있으며; 시재료들은, 조성물 내의 모든 시재료의 합계 몰량을 기준으로, 말단 지방족 불포화 기에 대한 규소 결합된 수소 원자의 몰비(SiH/Vi 비)가 0.5/1 내지 50/1이 되도록 하는 양으로 존재한다. 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은 선택적으로 (G) 앵커리지 첨가제(anchorage additive) 및 (H) 하이드로실릴화 반응 억제제 중 하나 또는 둘 모두를 추가로 포함할 수 있다.
(A) 지방족 불포화체를 갖는 폴리다이오르가노실록산
본 명세서에 기재된 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물 내의 시재료 (A)는 말단 지방족 불포화체를 갖는 1가 탄화수소 기를 갖는 폴리다이오르가노실록산이다. 시재료 (A)는 하기 화학식 A-1을 포함한다:
[화학식 A-1]
(R1 2R2SiO)-(R1 2SiO)a-(OSiR1 2R2).
상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 말단 지방족 불포화체가 부재하는 1가 탄화수소 기 및 말단 지방족 불포화체가 부재하는 1가 할로겐화 탄화수소 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 각각의 R2는 말단 지방족 불포화체를 갖는 독립적으로 선택되는 1가 탄화수소 기이고, 하첨자 a는 150 내지 2,000의 평균 값을 갖는다. R1에 대해 적합한 1가 탄화수소 기 및 1가 할로겐화 탄화수소 기는 하기에 정의된 바와 같다. 대안적으로, 각각의 R1은 알킬 기, 사이클로알킬 기, 아릴 기 또는 아르알킬 기일 수 있다. 대안적으로, 각각의 R1은 알킬 기 또는 아릴 기일 수 있다. 대안적으로, 각각의 R1은 메틸 또는 페닐일 수 있다. 각각의 R2는 하기에 정의된 바와 같은 알케닐 기 또는 알키닐 기일 수 있다. 대안적으로, 각각의 R2는 비닐, 알릴, 및 헥세닐로부터 선택되는 알케닐 기일 수 있다. 대안적으로, 하첨자 a는 150 내지 1,000일 수 있다. 대안적으로, 하첨자 a는 시재료 (A)를 위한 폴리다이오르가노실록산에 400 mPa·s 내지 100,000 mPa·s의 점도를 부여하기에 충분한 값을 가질 수 있다. 점도는 하기에서 본 명세서의 참고예에 기재된 기술에 따라 측정된다. 대안적으로, 하첨자 a는 시재료 (A)에 450 mPa·s 내지 100,000 mPa·s 미만, 그리고 대안적으로 450 mPa·s 내지 70,000 mPa·s의 점도를 부여하기에 충분한 값을 가질 수 있다.
시재료 (A)는 폴리다이오르가노실록산, 예를 들어
A-2) 다이메틸비닐실록시-말단화된 폴리다이메틸실록산,
A-3) 다이메틸비닐실록시-말단화된 폴리(다이메틸실록산/메틸페닐실록산),
A-4) 다이메틸비닐실록시-말단화된 폴리(다이메틸실록산/다이페닐실록산),
A-5) 페닐,메틸,비닐-실록시-말단화된 폴리다이메틸실록산,
A-6) 다이메틸헥세닐실록시-말단화된 폴리다이메틸실록산,
A-7) A-2), A-3), A-4), A-5), 및 A-6) 중 둘 이상의 조합을 포함할 수 있다. 시재료 (A)로서 사용하기에 적합한 폴리다이오르가노실록산을 제조하는 방법, 예를 들어, 상응하는 오르가노할로실란의 가수분해 및 축합, 또는 환형 폴리다이오르가노실록산의 평형화가 당업계에 잘 알려져 있다.
시재료 (A) 및 시재료 (B)는 0.2/1 내지 20/1, 대안적으로 0.25/1 내지 18/1, 대안적으로 0.3/1 내지 17/1의 시재료 (A)에 대한 시재료 (B)의 중량비(B/A 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재한다. 시재료 (A)의 양은 시재료 (B)의 유형 및 양, 시재료 (C)의 유형 및 양, 조성물 내의 시재료들의 지방족 불포화 기 및 규소 결합된 수소 원자의 농도, 및 억제제가 존재하는지의 여부를 포함하는 다양한 요인에 따라 좌우된다. 그러나, 시재료 (A)의 양은 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 4% 내지 30%, 대안적으로 9% 내지 25%, 대안적으로 13% 내지 20%, 그리고 대안적으로 15% 내지 19%일 수 있다.
(B) 분지형 폴리오르가노실록산
본 명세서에 기재된 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물 내의 시재료 (B)는 분지형 폴리오르가노실록산이다. 시재료 (B)는 하기 단위 화학식 B-1의 Q 분지형 폴리오르가노실록산을 포함할 수 있다:
[화학식 B-1]
(R1 3SiO1/2)g(R1 2R2SiO1/2)h(R1 2SiO2/2)i(SiO4/2)j.
상기 식에서, R1 및 R2는 시재료 (A)에 대해 전술한 바와 같고 하첨자 g, h, i, 및 j는 2 ≥ g ≥ 0, 4 ≥ h ≥ 0, 995 ≥ i ≥ 4, j = 1, (g+h) = 4, 및 (g+h+i+j)가 (하기에서 참고예에 기재된 바와 같이) 회전 점도측정에 의해 측정되는 170 mPa·s 초과의 점도를 분지형 폴리오르가노실록산에 부여하기에 충분한 값을 갖도록 하는 평균 값을 갖는다. 대안적으로, 점도는 170 mPa·s 초과 내지 1000 mPa·s, 대안적으로 170 mPa·s 초과 내지 500 mPa·s, 대안적으로 180 mPa·s 내지 450 mPa·s, 그리고 대안적으로 190 mPa·s 내지 420 mPa·s일 수 있다. 시재료 (B-1)에 적합한 분지형 실록산은 미국 특허 제6,806,339호 및 미국 특허 출원 공개 제2007/0289495호에 개시된 것들로 예시된다.
대안적으로, 시재료 (B)는 하기 화학식 B-2를 포함할 수 있다:
[화학식 B-2]
[R2R1Si-(O-SiR1 2)x-O]y-Si-[O-(R1 2SiO)vSiR1 3]w.
이러한 화학식 B-2에서, 각각의 R1은 1 내지 6개의 탄소 원자의 알킬 기, 또는 6 내지 10개의 탄소 원자의 아릴 기이고, 이러한 화학식 B-2에서 각각의 R2는 2 내지 6개의 탄소 원자의 알케닐 기이고; 하첨자 v, w, x, 및 y는 200 ≥ v ≥ 1, 2 ≥ w ≥ 0, 200 ≥ x ≥ 1, 4 ≥ y ≥ 0, 및 수량 (w+y) = 4가 되도록 하는 값을 갖는다. 대안적으로, 이러한 화학식 B-2에서, 각각의 R1은 독립적으로 메틸 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 각각의 R2는 독립적으로 비닐, 알릴, 및 헥세닐로 이루어진 군으로부터 선택된다. 시재료 (B)에 적합한 분지형 폴리오르가노실록산은 폴리오르가노실리케이트 수지와, 환형 폴리다이오르가노실록산 또는 선형 폴리다이오르가노실록산을 포함하는 혼합물을 산 또는 포스파젠 염기와 같은 촉매의 존재 하에서 가열한 후에 촉매를 중화시키는 것과 같은 공지의 방법에 의해 제조될 수 있다.
대안적으로, 시재료 (B)는 하기 단위 화학식 B-3의 T 분지형 폴리오르가노실록산을 포함할 수 있다:
[화학식 B-3]
(R1 3SiO1/2)d(R2R1 2SiO1/2)e(R1 2SiO2/2)m(R1SiO3/2)n.
상기 식에서, R1 및 R2는 전술한 바와 같고 하첨자 d는 0 이상이고, 하첨자 e는 0 초과이고, 하첨자 m은 15 내지 995이고, 하첨자 n은 0 초과이다. 하첨자 d는 0 내지 10일 수 있다. 대안적으로, 하첨자 d에 대해, 12 ≥ d ≥ 0; 대안적으로 10 ≥ d ≥ 0; 대안적으로 7 ≥ d ≥ 0; 대안적으로 5 ≥ d ≥ 0; 그리고 대안적으로 3 ≥ d ≥ 0이다.
대안적으로, 하첨자 e는 1 이상이다. 대안적으로, 하첨자 e는 3 이상이다. 대안적으로, 하첨자 e에 대해, 12 ≥ e > 0; 대안적으로 12 ≥ e ≥ 3; 대안적으로 10 ≥ e > 0; 대안적으로 7 ≥ e > 1; 대안적으로 5 ≥ e ≥ 2; 그리고 대안적으로 7 ≥ e ≥ 3이다. 대안적으로, 하첨자 m에 대해, 800 ≥ m ≥ 15; 대안적으로 400 ≥ m ≥ 15이다. 대안적으로, 하첨자 n은 1 이상이다. 대안적으로, 하첨자 n은 1 내지 10이다. 대안적으로, 하첨자 n에 대해, 10 ≥ h > 0; 대안적으로 5 ≥ n >0; 그리고 대안적으로 n = 1이다. 대안적으로, 하첨자 n은 1 내지 10이고, 대안적으로 하첨자 n은 1 또는 2이다. 대안적으로, 하첨자 n이 1일 때, 하첨자 e는 3일 수 있고 하첨자 d는 0일 수 있다. 하첨자 e에 대한 값은 실세스퀴옥산의 중량을 기준으로 0.1% 내지 1%, 대안적으로 0.2% 내지 0.6%의 알케닐 함량을 갖는 단위 화학식 B-3의 실세스퀴옥산을 제공하기에 충분할 수 있다. 시재료 (B-3)에 적합한 실세스퀴옥산은 미국 특허 제4,374,967호에 개시된 것들로 예시된다.
시재료 (B)의 양은 시재료 (A)의 유형 및 양, 시재료 (C)의 유형 및 양, 조성물 내의 시재료들의 지방족 불포화 기 및 규소 결합된 수소 원자의 농도, 및 억제제가 존재하는지의 여부를 포함하는 다양한 요인에 따라 좌우된다. 그러나, 시재료 (B)의 양은 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 10% 내지 80%, 대안적으로 10% 내지 75%, 대안적으로 15% 내지 70%, 대안적으로 20% 내지 65%, 대안적으로 25% 내지 60%일 수 있다.
(C) 폴리오르가노실리케이트 수지
시재료 (C)로서 유용한 폴리오르가노실리케이트 수지는 화학식 RM 3SiO1/2의 1작용성 단위("M" 단위) 및 화학식 SiO4/2의 4작용성 실리케이트 단위("Q" 단위)를 포함하며, 여기서, 각각의 RM은 독립적으로 선택되는 1가 유기 기이며, 이는 하기에 기재된 바와 같은 1가 탄화수소 기 또는 1가 할로겐화 탄화수소 기일 수 있다. 대안적으로, 폴리오르가노실리케이트 수지에서, 각각의 RM은 독립적으로 본 명세서에 기재된 바와 같은 R1 및 R2로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 대안적으로, 각각의 RM은 알킬, 알케닐 및 아릴로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 대안적으로, 각각의 RM은 메틸, 비닐 및 페닐로부터 선택될 수 있다. 대안적으로, RM 기의 1/3 이상, 대안적으로 2/3 이상은 메틸 기이다. 대안적으로, M 단위는 (Me3SiO1/2), (Me2PhSiO1/2) 및 (Me2ViSiO1/2)로 예시될 수 있다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 및 헵탄과 같은 액체 탄화수소로 예시되는, 전술한 것들과 같은 용매에, 또는 저점도 선형 또는 환형 폴리다이오르가노실록산과 같은 액체 유기규소 화합물에 용해성이다.
제조 시에, 폴리오르가노실리케이트 수지는 전술한 M 단위 및 Q 단위를 포함하고, 폴리오르가노실록산은 규소 결합된 하이드록실 기를 갖는 단위를 추가로 포함하며 화학식 Si(OSiRM 3)4의 네오펜타머(neopentamer)를 포함할 수 있고, 여기서, RM은 전술한 바와 같으며, 예를 들어, 네오펜타머는 테트라키스(트라이메틸실록시)실란일 수 있다. 29Si NMR 분광법을 사용하여 하이드록실 함량과 M 단위 및 Q 단위의 몰비를 측정할 수 있으며, 여기서 상기 비는 네오펜타머로부터의 M 단위 및 Q 단위를 제외한 {M(수지)}/{Q(수지)}로서 표현된다. M:Q 비는 폴리오르가노실리케이트 수지의 수지상(resinous) 부분의 트라이오르가노실록시 기(M 단위)의 총 수 대 수지상 부분의 실리케이트 기(Q 단위)의 총 수의 몰비를 나타낸다. M:Q 비는 0.5:1 내지 1.5:1일 수 있다.
폴리오르가노실리케이트 수지의 Mn은 존재하는 RM에 의해 나타내어지는 탄화수소 기의 유형을 포함하는 다양한 요인에 따라 좌우된다. 폴리오르가노실리케이트 수지의 Mn은, 네오펜타머를 나타내는 피크가 측정으로부터 배제될 때 GPC를 사용하여 측정되는 수 평균 분자량을 지칭한다. 폴리오르가노실리케이트 수지의 Mn은 3,000 Da 초과, 대안적으로 3,000 Da 초과 내지 8,000 Da일 수 있다. 대안적으로, 폴리오르가노실리케이트 수지의 Mn은 3,500 내지 8,000 Da일 수 있다.
미국 특허 제8,580,073호의 칼럼 3의 5행 내지 칼럼 4의 31행 및 미국 특허 출원 공개 제2016/0376482호의 단락 [0023] 내지 단락 [0026]은, 본 명세서에 기재된 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에 사용하기에 적합한 폴리오르가노실리케이트 수지인 MQ 수지를 개시하기 위해 본 명세서에 참고로 포함된다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 임의의 적합한 방법에 의해, 예를 들어 상응하는 실란의 공가수분해에 의해 또는 실리카 하이드로졸 캡핑 방법에 의해 제조될 수 있다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 다우트(Daudt) 등의 미국 특허 제2,676,182호; 리버스-파렐(Rivers-Farrell) 등의 미국 특허 제4,611,042호; 및 버틀러(Butler) 등의 미국 특허 제4,774,310호에 개시된 것들과 같은 실리카 하이드로졸 캡핑 공정에 의해 제조될 수 있다. 전술한 다우트 등의 방법은 산성 조건 하에서 실리카 하이드로졸을 가수분해성 트라이오르가노실란, 예를 들어 트라이메틸클로로실란, 실록산, 예를 들어 헥사메틸다이실록산, 또는 이들의 혼합물과 반응시키는 단계, 및 M 단위 및 Q 단위를 갖는 공중합체를 회수하는 단계를 수반한다. 생성된 공중합체는 일반적으로 2 내지 5 중량%의 하이드록실 기를 함유한다.
폴리오르가노실리케이트 수지를 제조하는 데 사용되는 중간체는 트라이오르가노실란, 및 4개의 가수분해성 치환체 또는 알칼리 금속 실리케이트를 갖는 실란일 수 있다. 트라이오르가노실란은 화학식 RM 3SiX1을 가질 수 있으며, 여기서, RM은 전술한 바와 같고, X1은 X3에 대해 전술한 바와 같은 가수분해성 치환체를 나타낸다. 4개의 가수분해성 치환체를 갖는 실란은 화학식 SiX2 4를 가질 수 있으며, 여기서, 각각의 X2는 할로겐, 알콕시 또는 하이드록실이다. 적합한 알칼리 금속 실리케이트는 소듐 실리케이트를 포함한다.
전술한 바와 같이 제조된 폴리오르가노실리케이트 수지는 전형적으로 규소 결합된 하이드록실 기, 즉 화학식 HOSi3/2 및/또는 화학식 HORM 2SiO1/2의 것을 함유한다. 폴리오르가노실리케이트 수지는 FTIR 분광법에 의해 측정할 때 최대 2%의 규소 결합된 하이드록실 기를 포함할 수 있다. 소정 응용의 경우, 규소 결합된 하이드록실 기의 양은 0.7% 미만, 대안적으로 0.3% 미만, 대안적으로 1% 미만, 그리고 대안적으로 0.3% 내지 0.8%인 것이 바람직할 수 있다. 폴리오르가노실리케이트 수지의 제조 동안 형성된 규소 결합된 하이드록실 기는, 적절한 말단 기를 함유하는 실란, 다이실록산 또는 다이실라잔과 실리콘 수지를 반응시킴으로써 트라이하이드로카본 실록산 기로 또는 상이한 가수분해성 기로 전환될 수 있다. 가수분해성 기를 함유하는 실란은 폴리오르가노실리케이트 수지의 규소 결합된 하이드록실 기와 반응하는 데 필요한 양을 초과하는 양의 몰 과량으로 첨가될 수 있다.
일 실시 형태에서, 폴리오르가노실리케이트 수지는 2% 이하, 대안적으로 0.7% 이하, 그리고 대안적으로 0.3% 이하, 그리고 대안적으로 0.3% 내지 0.8%의 화학식 XSiO3/2 및/또는 화학식 XRM 2SiO1/2로 표시되는 단위들을 추가로 포함할 수 있으며, 여기서, RM은 전술한 바와 같고, X는 X3에 대해 전술한 바와 같은 가수분해성 치환체를 나타낸다. 폴리오르가노실록산에 존재하는 실라놀 기의 농도는 FTIR 분광법을 사용하여 결정될 수 있다.
대안적으로, 폴리오르가노실리케이트 수지는 말단 지방족 불포화 기를 가질 수 있다. 말단 지방족 불포화 기를 갖는 폴리오르가노실리케이트 수지는, 다우트 등의 생성물을, 최종 생성물 중에 3 내지 30 몰%의 불포화 유기 기를 제공하기에 충분한 양으로, 불포화 유기 기-함유 말단 차단제(endblocking agent) 및 지방족 불포화체가 부재하는 말단 차단제와 반응시킴으로써 제조될 수 있다. 말단 차단제의 예에는, 실라잔, 실록산, 및 실란이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 적합한 말단 차단제는 당업계에 공지되어 있으며 미국 특허 제4,584,355호; 제4,591,622호; 및 제4,585,836호에서 예시된다. 단일 말단 차단제 또는 그러한 제제들의 혼합물이 그러한 수지를 제조하는 데 사용될 수 있다.
대안적으로, 시재료 (C)를 위한 폴리오르가노실리케이트 수지는 하기 단위 화학식 C-1을 포함할 수 있다:
[화학식 C-1]
(R1 3SiO1/2)m(R1 2R2SiO1/2)n(SiO4/2)o.
상기 식에서, R1 및 R2는 전술한 바와 같고 하첨자 m, 하첨자 n 및 하첨자 o는 m ≥ 0, n ≥ 0, o > 0, 및 (m+n)> 4가 되도록 하는 평균 값을 갖는다. 대안적으로, 시재료 (C)는 하기 단위 화학식을 포함한다:
(R1 3SiO1/2)z(SiO4/2)o.
상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 메틸 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 하첨자 o는 전술한 바와 같고, 하첨자 z는 4 초과이다.
시재료 (C)의 정확한 양은 시재료 (A)의 유형 및 양, 시재료 (B)의 유형 및 양, 조성물 내의 시재료들의 지방족 불포화 기 및 규소 결합된 수소 원자의 농도, 및 억제제가 존재하는지의 여부를 포함하는 다양한 요인에 따라 좌우된다. 그러나, 시재료 (A), 시재료 (B) 및 시재료 (C)는 0.05/1 내지 1.5/1, 대안적으로 0.1/1 내지 1.0/1 그리고 대안적으로 0.1/1 내지 0.9/1의 시재료 (A)와 시재료 (B)의 합계량에 대한 시재료 (C)의 양의 중량비(수지/중합체 비 또는 C/(A+B) 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재한다. 대안적으로, 시재료 (C)는 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 10% 내지 60%, 대안적으로 12% 내지 51%, 대안적으로 25% 내지 40%의 양으로 존재할 수 있다.
(D) 올레핀계 반응성 희석제
시재료 (D)는 선택적인 올레핀계 반응성 희석제이다. 올레핀계 반응성 희석제는 분자당 8 내지 18개의 탄소 원자 및 적어도 하나의 지방족 불포화체의 탄화수소 화합물을 포함한다. 올레핀계 반응성 희석제는 선형일 수 있다. 반응성 희석제는 선형 또는 분지형일 수 있다. 지방족 불포화체는 펜던트 또는 말단에 있을 수 있다. 시재료 (D)에 적합한 반응성 희석제의 예에는 (D-1) n-도데센; (D-2) n-테트라데센; (D-3) n-헥사데센; (D-4) n-옥타데센; (D-5) (D-1), (D-2), (D-3), 및/또는 (D-4) 중 임의의 것의 임의의 분지형 이성체; 및 (D-6) (D-1), (D-2), (D-3), (D-4), 및/또는 (D-5) 중 둘 이상의 조합이 포함된다. 반응성 희석제는 말단 위치에 이중 결합을 가질 수 있다. 대안적으로, 시재료 (D)는 12 내지 14개의 탄소 원자를 포함할 수 있다. 대안적으로, 시재료 (D)는 n-테트라데센을 포함할 수 있다.
시재료 (D)의 양은 시재료 (A) 및 시재료 (B)의 선택 및 양을 포함하는 다양한 요인에 따라 좌우된다. 그러나, 시재료 (D)의 양은 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 0% 초과 내지 5% 미만, 대안적으로 0.5% 내지 5% 미만, 대안적으로 1% 내지 3%, 대안적으로 1.2% 내지 3%, 대안적으로 1.9% 내지 2.6%, 대안적으로 2% 내지 2.5%일 수 있다.
(E) 폴리오르가노하이드로겐실록산
시재료 (E)는 폴리오르가노하이드로겐실록산이다. 시재료 (E)는 감압 접착제 조성물에서 가교결합제로서 작용한다. 시재료 (E)는 분자당 2개 이상, 대안적으로 3개 이상의 규소 결합된 수소 원자를 가질 수 있다.
시재료 (E)는 하기 단위 화학식 E-1의 폴리오르가노하이드로겐실록산을 포함할 수 있다:
[화학식 E-1]
(R1 3SiO1/2)p(R1 2SiO2/2)q(R1SiO3/2)r(SiO4/2)s(R1HSiO2/2)t(R1 2HSiO1/2)u.
상기 식에서, R1은 전술한 바와 같고 하첨자 p, q, r, s, t, 및 u는 p ≥ 0, q ≥ 0, r ≥ 0, s ≥ 0, t ≥ 0, u ≥ 0, (t + u) ≥ 2, 및 수량 (p + q + r + s + t + u)가 5 내지 100, 대안적으로 10 내지 60의 중합도를 갖는 폴리오르가노하이드로겐실록산을 제공하기에 충분하도록 하는 값을 갖는다.
대안적으로, 시재료 (E)는 하기 단위 화학식 E-2의 폴리오르가노하이드로겐실록산을 포함할 수 있다:
[화학식 E-2]
(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)aa(R1HSiO2/2)bb.
상기 식에서, 각각의 R1은 메틸 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 하첨자 aa는 0 내지 30이고, 하첨자 bb는 5 내지 50임이다.
대안적으로, 시재료 (E)는 하기 화학식 E-3의 폴리오르가노하이드로겐실록산, 하기 화학식 E-4의 폴리오르가노하이드로겐실록산, 또는 화학식 E-3과 화학식 E-4 둘 모두를 포함할 수 있다:
[화학식 E-3]
R1 3SiO(R1 2SiO)g(R1HSiO)hSiR1 3,
[화학식 E-4]
R1 2HSiO(R1 2SiO)i(R1HSiO)jSiR1 2H.
상기 화학식 E-3 및 화학식 E-4에서, R1은 전술한 바와 같다. 하첨자 g는 0 내지 2000의 평균 값을 갖고, 하첨자 h는 2 내지 2000의 평균 값을 갖고, 하첨자 i는 0 내지 2000의 평균 값을 갖고, 하첨자 j는 0 내지 2000의 평균 값을 갖는다.
시재료 (E)를 위한 폴리오르가노하이드로겐실록산은
(E-4-a) 다이메틸하이드로겐실록시-말단화된 폴리다이메틸실록산,
(E-4-b) 다이메틸하이드로겐실록시-말단화된 폴리(다이메틸실록산/메틸하이드로겐실록산),
(E-4-c) 다이메틸하이드로겐실록시-말단화된 폴리메틸하이드로겐실록산,
(E-3-a) 트라이메틸실록시-말단화된 폴리(다이메틸실록산/메틸하이드로겐실록산),
(E-3-b) 트라이메틸실록시-말단화된 폴리메틸하이드로겐실록산, 및
(E5) (E-4-a), (E-4-b), (E-4-c), (E-3-a), 및 (E-3-b) 중 둘 이상의 조합으로 예시된다.
오르가노할로실란의 가수분해 및 축합과 같은, 오르가노하이드로겐폴리실록산의 제조 방법이 당업계에 잘 알려져 있다.
시재료 (E)의 양은 조성물 중 지방족 불포화 1가 탄화수소 기의 농도 및 시재료 (E)의 SiH 함량을 포함하는 다양한 요인에 따라 좌우된다. 그러나, 시재료 (E)의 양은 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 1% 내지 10%, 대안적으로 3% 내지 8%일 수 있다.
(F) 하이드로실릴화 반응 촉매
하이드로실릴화 반응 촉매가 당업계에 공지되어 있으며 구매가능하다. 하이드로실릴화 반응 촉매는 백금족 금속 촉매를 포함한다. 하이드로실릴화 반응 촉매는 백금, 로듐, 루테늄, 팔라듐, 오스뮴, 및 이리듐으로부터 선택되는 금속일 수 있다. 대안적으로, 하이드로실릴화 촉매는 그러한 금속의 화합물, 예를 들어, 클로라이도트리스(트라이페닐포스판)로듐(I)(윌킨슨 촉매(Wilkinson's Catalyst)), 로듐 다이포스핀 킬레이트, 예를 들어 [1,2-비스(다이페닐포스피노)에탄]다이클로로다이로듐 또는 [1,2-비스(다이에틸포스피노)에탄]다이클로로다이로듐, 염화백금산(스파이어 촉매(Speier's Catalyst)), 염화백금산 6수화물, 이염화백금, 및 상기 화합물들과 저분자량 오르가노폴리실록산과의 착물 또는 매트릭스 또는 코어쉘 유형 구조 내에 마이크로캡슐화된 백금 화합물일 수 있다. 백금과 저분자량 오르가노폴리실록산과의 착물은 백금과의 1,3-다이에테닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착물(카르스테트 촉매)을 포함한다. 이러한 착물은 수지 매트릭스 내에 마이크로캡슐화될 수 있다. 대안적으로, 하이드로실릴화 촉매는 백금과의 1,3-다이에테닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착물을 포함할 수 있다. 예시적인 하이드로실릴화 촉매가 미국 특허 제3,159,601호; 제3,220,972호; 제3,296,291호; 제3,419,593호; 제3,516,946호; 제3,814,730호; 제3,989,668호; 제4,784,879호; 제5,036,117호; 및 제5,175,325호와 유럽 특허 EP 0 347 895 B호에 기재되어 있다. 마이크로캡슐화된 하이드로실릴화 촉매 및 그의 제조 방법은 미국 특허 제4,766,176호 및 제5,017,654호에 예시된 바와 같이 당업계에 공지되어 있다.
본 발명에 사용되는 촉매의 양은 시재료 (A), 시재료 (B), 시재료 (C), 및 시재료 (E)의 선택, 및 그들의 규소 결합된 수소 원자 및 말단 지방족 불포화 기 각각의 함량, 및 억제제가 존재하는지의 여부를 포함하는 다양한 요인에 따라 좌우될 것이지만, 촉매의 양은 SiH와 지방족 불포화 기의 하이드로실릴화 반응을 촉매하기에 충분하며, 대안적으로 촉매의 양은 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 1 ppm 내지 1000 ppm, 대안적으로 5 ppm 내지 100 ppm의 백금족 금속을 제공하기에 충분하다.
(G) 앵커리지 첨가제
시재료 (G)는 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에 선택적으로 포함될 수 있는 앵커리지 첨가제이다. 이론에 의해 구애되고자 함이 없이, 앵커리지 첨가제는 본 명세서에 기재된 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 경화시켜 제조되는 감압 접착제에 의한 기재에 대한 접합을 촉진할 것으로 생각된다. 그러나, 앵커리지 첨가제의 존재는 원하는 박리력에 불리하게 영향을 미치지는 않아서, 장치를 손상시키거나 상당한 잔류물을 남기지 않으면서 감압 접착제가 전자 장치로부터 제거되게 할 것이다.
시재료 (G)에 적합한 앵커리지 첨가제는 실란 커플링제, 예를 들어 메틸트라이메톡시실란, 비닐트라이메톡시실란, 알릴트라이메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실란, 3-아미노프로필트라이메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트라이메톡시실란, 비스(트라이메톡시실릴)프로판올, 및 비스(트라이메톡시실릴헥산); 및 상기 실란 커플링제들의 혼합물 또는 반응 혼합물을 포함한다. 대안적으로, 앵커리지 첨가제는 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 다이메틸다이메톡시실란, 메틸페닐다이메톡시실란, 메틸페닐다이에톡시실란, 페닐트라이메톡시실란, 메틸트라이메톡시실란, 메틸트라이에톡시실란, 비닐트라이에톡시실란, 알릴트라이에톡시실란, 3-글리시독시프로필트라이메톡시실란, 3-글리시독시프로필트라이에톡시실란, 또는 3-메타크릴옥시프로필 트라이메톡시실란일 수 있다.
예시적인 앵커리지 첨가제가, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제2012/0328863호의 단락 [0091] 및 미국 특허 출원 공개 제2017/0233612호의 단락 [0041]에서와 같이 당업계에 공지되어 있다. 앵커리지 첨가제는 구매가능하다. 예를 들어, 실 오프(SYL OFF)(등록상표) 297이 미국 미시간주 미들랜드 소재의 다우 실리콘즈 코포레이션(Dow Silicones Corporation)으로부터 입수가능하다. 다른 예시적인 앵커리지 첨가제에는 (G-1) 비닐트라이아세톡시실란, (G-2) 글리시독시프로필트라이메톡시실란, 및 (G-3) (G-1)과 (G-2)의 조합이 포함된다. 이러한 조합 (G-3)은 혼합물 및/또는 반응 생성물일 수 있다.
앵커리지 첨가제의 양은 무용매 실리콘 감압 접착제가 도포될 기재의 유형을 포함하는 다양한 요인에 따라 좌우된다. 그러나, 앵커리지 첨가제의 양은 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 0 내지 5%, 대안적으로 1% 내지 5%, 대안적으로 1% 내지 3%, 그리고 대안적으로 1.9% 내지 2.1%일 수 있다.
(H) 억제제
무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은 선택적으로 (H) 하이드로실릴화 반응 억제제를 추가로 포함할 수 있다. 하이드로실릴화 반응에 대한 억제제는 (H1) 아세틸렌 알코올, 예를 들어, 메틸 부틴올, 에티닐 사이클로헥산올, 다이메틸 헥신올, 및 3,5-다이메틸-1-헥신-3-올, 1-부틴-3-올, 1-프로핀-3-올, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3-페닐-1-부틴-3-올, 4-에틸-1-옥틴-3-올, 3,5-다이메틸-1-헥신-3-올, 및 1-에티닐-1-사이클로헥산올, 및 이들의 둘 이상의 조합; (H2) 사이클로알케닐실록산, 예를 들어, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산, 및 이들의 둘 이상의 조합에 의해 예시되는 메틸비닐사이클로실록산; (H3) 엔-인(ene-yne) 화합물, 예를 들어, 3-메틸-3-펜텐-1-인 및 3,5-다이메틸-3-헥센-1-인, 및 이들의 둘 이상의 조합; (H4) 트라이아졸, 예를 들어, 벤조트라이아졸; (H5) 포스핀; (H6) 메르캅탄; (H7) 하이드라진; (H8) 아민, 예를 들어 테트라메틸 에틸렌다이아민; (H9) 푸마레이트, 예를 들어 다이알킬 푸마레이트, 다이알케닐 푸마레이트, 다이알콕시알킬 푸마레이트, 및 이들의 둘 이상의 조합; (H10) 말레에이트, 예를 들어 다이알릴 말레에이트; (H11) 니트릴; (H12) 에테르; (H13) 일산화탄소; (H14) 알코올, 예를 들어 벤질 알코올; (H15) 실릴화 아세틸렌 화합물; 및 (H1) 내지 (H15) 중 둘 이상의 조합으로 예시된다.
실릴화 아세틸렌 화합물은, 전술한 것들과 같은, 유기 아세틸렌 알코올을 함유하거나 실릴화 아세틸렌 화합물을 함유하지 않는 감압 접착제와 비교하여, 본 명세서에 기재된 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 경화시켜 제조되는 감압 접착제의 착색(예를 들어, 황변)을 감소시키거나 최소화하기 위해 사용될 수 있다. 실릴화 아세틸렌 화합물은 (3-메틸-1-부틴-3-옥시)트라이메틸실란, ((1,1-다이메틸-2-프로피닐)옥시)트라이메틸실란, 비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)다이메틸실란, 비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란메틸비닐실란, 비스((1,1-다이메틸-2-프로피닐)옥시)다이메틸실란, 메틸(트리스(1,1-다이메틸-2-프로피닐옥시))실란, 메틸(트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시))실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)다이메틸페닐실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)다이메틸헥세닐실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)트라이에틸실란, 비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)메틸트라이플루오로프로필실란, (3,5-다이메틸-1-헥신-3-옥시)트라이메틸실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)다이페닐메틸실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)다이메틸페닐실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)다이메틸비닐실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)다이메틸헥세닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)다이메틸헥세닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)다이메틸비닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)다이페닐메틸실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)트라이메틸실란, 및 이들의 조합으로 예시된다. 대안적으로, 억제제는 메틸(트리스(1,1-다이메틸-2-프로피닐옥시))실란, ((1,1-다이메틸-2-프로피닐)옥시)트라이메틸실란, 또는 이들의 조합으로 예시된다. 억제제로서 유용한 실릴화 아세틸렌 화합물은, 전술한 아세틸렌 알코올을 산 수용체의 존재 하에서 클로로실란과 반응시켜 실릴화하는 것과 같은, 당업계에 공지된 방법에 의해 제조될 수 있다.
억제제의 양은 시재료들의 원하는 가사 시간(pot life), 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물의 경화를 위해 선택되는 온도, 사용되는 특정 억제제, 및 사용되는 다른 시재료들의 선택 및 양을 포함하는 다양한 요인에 따라 좌우될 것이다. 그러나, 존재하는 경우, 억제제의 양은 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 0% 내지 5%, 대안적으로 0.05% 내지 1%, 대안적으로 0.01% 내지 0.5%, 그리고 대안적으로 0.0025% 내지 0.025%일 수 있다.
무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에서, 시재료들은, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물 내의 모든 시재료의 합계 몰량을 기준으로, 말단 지방족 불포화 기에 대한 규소 결합된 수소 원자(SiH/Vi)의 몰비가 0.5/1 내지 50/1, 대안적으로 1.5/1 내지 10/1, 대안적으로 3/1 내지 10/1 그리고 대안적으로 8/1 내지 10/1이 되도록 하는 양으로 선택되고 존재한다.
무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에서, 시재료들은, 시재료들의 혼합 시에, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물이 하기 참고예에 기재된 회전 점도측정 방법에 의해 측정할 때 300 mPa·s 내지 5,000 mPa·s의 점도를 갖도록 선택된다. 이론에 의해 구애되고자 함이 없이, 300 mPa·s 미만의 점도는, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물이 경화 전에 도포되는 배킹 기재의 표면 상에서 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물이 유동하게 할 수 있으며, 이는 기재 상의 불균일한 접착제 커버리지, 및 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 경화시켜 제조되는 감압 접착제의 접착 표면(예를 들어, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물이 도포되고 경화되는 배킹 기재 반대편의 표면)의 불량한 평탄성(flatness)을 초래할 수 있는 것으로 생각된다. 이론에 의해 구애되고자 함이 없이, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물의 점도가 5,000 mPa·s를 초과하는 경우, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물이 그라비어(Gravure) 또는 콤마(Comma)와 같은 일부 코팅 기계와 함께 사용하기에 적합하지 않을 수 있는 것으로 생각된다.
무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하는 방법
무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은 주위 온도 또는 승온에서 혼합하는 것과 같은 임의의 편리한 수단에 의해 모든 시재료를 조합하는 것을 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다. 예를 들어, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물이 승온에서 제조될 경우 및/또는 무용매 실리콘 조성물이 1 파트 조성물로서 제조될 경우, (F) 하이드로실릴화 반응 촉매 전에 시재료 (H) 억제제가 첨가될 수 있다.
이 방법은, 조성물 내의 다른 시재료들 중 하나 이상과 조합될 때 용매에 용해될 수 있는, 용매 중의 하나 이상의 시재료(예를 들어, (C) 폴리오르가노실리케이트 수지 및/또는 (F) 하이드로실릴화 반응 촉매)를 전달하는 단계를 추가로 포함할 수 있으며, 그 후에 용매의 전부 또는 실질적으로 전부가 스트리핑 및/또는 증류와 같은 통상적인 수단에 의해, 선택적으로 감압을 사용하여 제거될 수 있다. 당업자는 생성된 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물이 용매를 함유하지 않거나, 시재료의 전달로 인한 미량의 잔류 용매를 함유할 수 있지만, 용매(예를 들어, 비작용성 폴리다이오르가노실록산 또는 톨루엔과 같은 유기 용매)가 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에 의도적으로 첨가되지는 않음을 이해할 것이다.
대안적으로, 예를 들어, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물이 사용 전에 장기간 동안, 예를 들어, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 기재 상에 코팅하기 전에 최대 6시간 동안 저장되는 경우, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은 다중 파트 조성물로서 제조될 수 있다. 다중 파트 조성물에서, 시재료 (F) 하이드로실릴화 반응 촉매는 규소 결합된 수소 원자를 갖는 임의의 시재료, 예를 들어, (E) 폴리오르가노하이드로겐실록산과는 별개의 파트에 저장되며, 파트들은 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물의 사용 직전에 조합된다.
예를 들어, 다중 파트 조성물은 혼합과 같은 임의의 편리한 수단에 의해 (A) 말단 지방족 불포화체를 갖는 1가 탄화수소 기를 갖는 폴리다이오르가노실록산, (E) 폴리오르가노하이드로겐실록산, 및 선택적으로, 전술한 하나 이상의 다른 추가 시재료 중 적어도 일부를 포함하는 시재료들을 조합하여 베이스 파트를 형성함으로써 제조될 수 있다. 경화제는 혼합과 같은 임의의 편리한 수단에 의해 (A) 말단 지방족 불포화체를 갖는 1가 탄화수소 기를 갖는 폴리다이오르가노실록산, (F) 하이드로실릴화 반응 촉매, 및 선택적으로, 전술한 하나 이상의 다른 추가 시재료 중 적어도 일부를 포함하는 시재료들을 조합함으로써 제조될 수 있다 시재료들은 주위 온도 또는 승온에서 조합될 수 있다 시재료 (H) 하이드로실릴화 반응 억제제는 베이스 파트, 경화제 파트, 또는 별개의 추가 파트 중 하나 이상에 포함될 수 있다. 시재료 (G) 앵커리지 첨가제는 베이스 파트에 첨가될 수 있거나, 또는 별개의 추가 파트로서 부가될 수 있다. 시재료 (C) 폴리오르가노실리케이트 수지는 베이스 파트, 경화제 파트, 또는 별개의 추가 파트에 첨가될 수 있다. 시재료 (B) 분지형 폴리오르가노실록산은 베이스 파트에 첨가될 수 있다. 시재료 (D) 반응성 희석제는 베이스 파트에 첨가될 수 있다. 대안적으로, 시재료 (B) 및 시재료 (D)는 별개의 추가 파트에 첨가될 수 있다. 2 파트 조성물이 사용되는 경우, 베이스 파트의 양 대 경화제 파트의 양의 중량비는 1:1 내지 10:1의 범위일 수 있다. 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은 하이드로실릴화 반응을 통해 경화되어 감압 접착제를 형성할 것이다.
전술한 방법은 선택적으로 하나 이상의 추가 단계를 추가로 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이 제조된 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 사용하여 기재 상에 (전술한 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 경화시켜 제조되는) 접착제 물품, 예를 들어 감압 접착제를 형성할 수 있다. 따라서, 본 방법은 감압 접착제 조성물을 기재에 도포하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
감압 접착제 조성물을 기재에 도포하는 것은 임의의 편리한 수단에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 무용매 실리콘 감압 접착제 경화성 조성물은 그라비어 코팅기, 콤마 코팅기, 오프셋(offset) 코팅기, 오프셋-그라비어 코팅기, 롤러 코팅기, 리버스-롤러(reverse-roller) 코팅기, 에어-나이프 코팅기, 또는 커튼 코팅기에 의해 기재 상에 도포될 수 있다.
기재는, 기재 상에 감압 접착제를 형성하기 위해 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 경화시키는 데 사용되는 경화 조건(하기에 기재됨)을 견딜 수 있는 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 120℃ 이상, 대안적으로 150℃ 이상의 온도에서 열처리를 견딜 수 있는 임의의 기재가 적합하다. 그러한 기재에 적합한 재료의 예에는 플라스틱 필름, 예를 들어 폴리이미드(PI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 액정 폴리아릴레이트, 폴리아미드이미드(PAI), 폴리에테르 설파이드(PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌(PE), 또는 폴리프로필렌(PP)이 포함된다. 대안적으로, 기재는 금속 포일, 예를 들어 알루미늄 포일 또는 구리 포일일 수 있다. 기재의 두께는 중요하지 않지만, 두께는 5 마이크로미터 내지 300 마이크로미터일 수 있다.
기재에 대한 감압 접착제의 접합을 개선하기 위하여, 접착제 물품을 형성하는 방법은 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 도포하는 단계 전에 기재를 처리하는 단계를 선택적으로 추가로 포함할 수 있다. 기재의 처리는, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 기재에 도포하는 단계 전에, 프라이머를 도포하는 것, 또는 기재가 코로나-방전 처리, 에칭, 또는 플라즈마 처리를 거치게 하는 것과 같은 임의의 편리한 수단에 의해 수행될 수 있다.
무용매 실리콘 감압 접착제 조성물의 경화는 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 경화시키기에 충분한 시간 동안(예를 들어, 30초 내지 1시간, 대안적으로 1 내지 5분 동안) 80℃ 내지 200℃, 대안적으로 90℃ 내지 180℃, 대안적으로 100℃ 내지 160℃, 그리고 대안적으로 110℃ 내지 150℃의 온도에서 가열함으로써 수행될 수 있다. 경화 속도가 증가될 필요가 있거나 공정 오븐 온도가 낮아질 필요가 있는 경우, 촉매 수준이 증가될 수 있다. 이는 기재 상에 감압 접착제를 형성한다. 경화는 기재를 오븐 내에 넣음으로써 수행될 수 있다. 기재에 도포되는 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물의 양은 특정 응용에 좌우되지만, 이 양은 감압 접착제의 경화 후 두께가 5 마이크로미터 내지 100 마이크로미터이기에 충분할 수 있으며, 보호 필름의 경우, 두께는 6 마이크로미터 내지 50 마이크로미터, 대안적으로 8 마이크로미터 내지 40 마이크로미터, 그리고 대안적으로 10 내지 30 마이크로미터일 수 있다.
본 명세서에 기재된 방법은, 예를 들어, 접착제 물품의 사용 전에 감압 접착제를 보호하기 위하여, 기재 반대편의 감압 접착제에 제거가능한 이형 라이너를 적용하는 단계를 선택적으로 추가로 포함할 수 있다. 이형 라이너는 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 경화 전에, 경화 동안 또는 경화 후에 적용될 수 있으며; 대안적으로 경화 후에 적용될 수 있다.
전술한 바와 같이 제조된 접착제 물품(예를 들어, 보호 필름)은 전자 장치 가공에 사용하기에 적합하다. 예를 들어, 일 실시 형태에서, 접착제 물품은 낮은 접착력, 낮은 박리력의 제거성, 높은 접착 안정성, 및/또는 낮은 이동성(전자 장치로의 감압 접착제의 전사가 없거나 최소임)을 갖는 보호 필름으로서 가요성 OLED 장치 제조 공정과 같은 전자 장치 제조 공정에 사용될 수 있다.
예를 들어, 가요성 OLED 장치로 예시되는 전자 장치의 제조 방법은 기재의 표면 상에 OLED 모듈, 예를 들어 기재 반대편의 OLED 모듈의 표면 상에 패시베이션 층을 형성하는 단계, 및 보호 필름(즉, 본 명세서에 기재된 바와 같이 제조된 감압 접착제를 포함하는 접착제 물품)을 OLED 모듈 반대편의 패시베이션 층의 표면에 적용하는 단계를 포함할 수 있다. 이 방법은 가공 후에 보호 필름을 제거하는 단계를 추가로 포함한다. 보호 필름은 가공 후에 전자 장치를 손상시키지 않고서 제거될 수 있다.
대안적인 실시 형태에서, 전술한 바와 같이 제조된 접착제 물품은 스마트폰 또는 태블릿과 같은 장치의 운송 동안 또는 그러한 장치의 스크린 보호를 위해 최종 사용자에서, 스크린 또는 다른 표면 보호와 같은 전자 장치의 표면 보호를 위해 사용될 수 있다. 스크린 보호 응용을 위해 선택된 감압 접착제 및 기재는 전형적으로 투명하다. 접착제 물품은 운송 후에 전자 장치를 손상시키지 않고서 제거될 수 있다.
실시예
이들 실시예는 본 발명의 일부 실시 형태를 예시하고자 하는 것이며 청구범위에 기재된 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 표 1의 시재료를 본 명세서의 실시예에서 사용하였다.
[표 1]
표 1에서, 'N/A'는 해당 없음을 의미하고, 'NR'은 보고되지 않음을 의미한다.
참고예 ― 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 제조하기 위한 일반적인 절차
표 2, 표 3 및 표 4의 각각의 열에 나타난 바와 같은 시재료를 조합하여 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물의 샘플을 제조하였다. 먼저, (C) 폴리오르가노실리케이트 수지(MQ1)를 66 질량%의 비휘발성 물질로 자일렌에 용해시켰다. 이어서, (A) 비닐 말단화된 폴리다이오르가노실록산(L-1, L-2, L-3, 및/또는 L-4), (B) 분지형 폴리오르가노실록산(QB-1, QB-2, QB-3, QB-4 및/또는 QB-5) 및 용매 함유된 (C)를 조합하고 완전히 블렌딩하였다. 이어서, 생성된 혼합물을 130℃에서 스트리핑하고 1시간 동안 완전 진공을 가하여 휘발성 물질을 제거하였다. 이어서, 혼합물을 100℃로 냉각하고 시재료 (D1) 테트라데센 및 시재료 (E) 폴리오르가노하이드로겐실록산 가교결합제(XL-1 및/또는 Xl-2)를 혼합물 내에 첨가하고 블렌딩하였다. 이어서, 혼합물을 RT로 냉각하고, 시재료 (H) 하이드로실릴화 반응 억제제를 혼합물 내에 완전히 블렌딩하였다. 마지막으로, 시재료 (F1) 카르스테트 촉매를 첨가하고 균질해질 때까지 혼합하였다. 상기 표에 나타낸 앵커리지 첨가제(G3)를 또한 표에 나타낸 양으로 첨가하였다.
생성된 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물 샘플을 50 마이크로미터 두께의 PET 필름 상에 코로나 처리된 면에 코팅하였다. 4면 어플리케이터(이용가능한 간극: 30, 60, 90, 120 마이크로미터; 모든 샘플에 대해 30 마이크로미터 간극을 사용하였음)를 사용하여 샘플을 PET 필름 상에 수동으로 코팅하였다. 코팅한 후에, 시트를 140℃에서 2분 동안 경화시켰다. 경화된 접착제 코팅의 두께는 20 내지 30 마이크로미터이다.
이어서, 생성된 접착제 물품을 참고예 2에서의 기술에 따라 시험하였다. 결과가 하기 표 2, 표 3 및 표 4에 보고되어 있다.
[표 2]
표 2의 실시예 및 비교예는 시재료 (B) 분지형 폴리오르가노실록산의 점도 변화의 효과를 나타낸다.
[표 3]
표 3의 실시예 및 비교예는 시험된 조건 하에서 시재료 (B)가 초기 접착력, 접착 안정성, 및 외관을 개선할 수 있음을 보여준다.
[표 4]
표 4에서, 'N/C'는 계산되지 않음을 의미한다. 표 4는, B/A 비가 너무 낮은 경우, 에이징 후에 접착력이 너무 많이 증가함을 나타낸다(불량한 접착 안정성).
참고예 2 ― 시험 방법
브룩필드(Brookfield) 점도계 DV-II로 회전 점도측정을 사용하여 RT에서 점도를 측정하였다.
경사 조명으로 투과광을 사용하여 광학 현미경에 의해 경화 후 코팅 외관(평탄성)을 측정하였다. 배율은 모든 샘플에 대해 ×8이었다. 시각적으로 상이한 점수를 매겼다. 이미지 내의 고정된 크기(2 cm × 2 cm)의 수축 영역에 기초하여 점수를 매겼다. 점수가 높을수록, 접착제 코팅의 코팅 외관이 더 우수하다(그리고 더 평탄하다). 스코어가 8 이상일 때, 샘플이 허용가능하였다. 점수가 높을수록, 접착제 코팅의 코팅 외관이 더 우수하다(그리고 더 평탄하다).
2 ㎏ 롤러를 (앞뒤로 2회) 사용하여, 전술한 바와 같이 제조된 접착제 물품 샘플을 유리 기재 상에 라미네이팅함으로써 접착력을 측정하였다. 접착력 시험기, 즉, 켐인스트루먼츠(Cheminstruments) 접착력/이형 시험기 모델 AR1500을 사용하여 180°의 각도 및 0.3 m/min의 속도로 유리로부터 접착제 물품을 박리함으로써, 25 mm에 대해 측정되는 박리 시험을 수행하였다. 실온에서 1일 후에 샘플에 대해 초기 접착력 시험을 수행하였다. 70℃ 및 85% 상대 습도에서 1일 동안 샘플을 에이징한 후에 접착력 1일-에이징 시험을 상기와 같이 수행하였다. 70℃ 및 85% 상대 습도에서 3일 동안 샘플을 에이징한 후에 접착력 3일-에이징 시험을 상기와 같이 수행하였다.
대안적으로, 기재 상의 감압 접착제의 평탄성은 '접착력 증가비'를 계산함으로써 간접적으로 측정하였다. 접착력 증가비 1을 다음과 같이 계산하였다:
(1일 에이징 후의 접착력/초기 접착력). 접착력 증가비 2를 다음과 같이 계산하였다:
(3일 에이징 후의 접착력/초기 접착력). 고르지 않은 접착제 코팅은 에이징 후 시험된 기재 상으로의 접착제를 차단하였으며, 더 높은 접착력 증가비가 초래되었다. 접착력 증가비 1 및/또는 접착력 증가비 2는 4.5 미만, 대안적으로 0 내지 4 미만, 그리고 대안적으로 0 내지 3.5, 그리고 대안적으로 0 내지 3의 값을 가질 수 있다.
산업상 이용가능성
전술한 바와 같이 제조된 접착제 물품은 전자 기기 응용, 예를 들어 마스킹 테이프, 캐리어 테이프, 또는 다른 보호 필름으로서의 보호에 유용하다. 소정 보호 응용에서, 접착제 물품 내의 감압 접착제는 낮은 이형력(예를 들어, 소정 기재에 대한 15 g/인치 이하의 접착력)을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 본 명세서에 기재된 조성물 및 방법에 의해 제조된 감압 접착제는 (참고예 2에 기재된 박리력에 의해 측정되는 바와 같은) 접착력이, 캐리어 테이프 응용의 경우, 0.5 g/인치 내지 400 g/인치, 대안적으로 0.5 g/인치 내지 200 g/인치일 수 있다.
본 명세서에 기재된 접착제 물품 내의 감압 접착제를 제조하는 데 사용되는 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은, 참고예 2에 기재된 회전 점도측정 기술에 의해 측정할 때, 점도가 300 mPa·s 내지 5,000 mPa·s, 대안적으로 300 mPa·s 내지 4,000 mPa·s, 대안적으로 500 mPa·s 내지 3,000 mPa·s, 그리고 대안적으로 500 mPa·s 내지 2,500 mPa·s일 수 있다.
이론에 의해 구애되고자 함이 없이, 접착제 물품이 보호 필름 응용에 사용될 때, 이러한 범위의 점도는 (예를 들어, 배킹 기재 상의 5 마이크로미터 내지 15 마이크로미터의) 낮은 코팅 두께를 용이하게 하여 통상적인 코팅 장비 및 공정에 의한 가공성을 보장할 수 있는 것으로 생각된다.
더욱이, 양호한 광학 특성(광학 투명도)이 소정 보호 필름 응용(예를 들어, 스크린 보호)을 위해 바람직하다. 접착제 물품은, 투명 배킹 기재(예를 들어, PI 또는 PET) 및 참고예 1의 기술에 의해 측정할 때 양호한 코팅 외관 및 평탄성을 갖는 (예를 들어 5 마이크로미터 내지 15 마이크로미터의) 낮은 코팅 두께의 감압 접착제를 포함한다.
용어의 정의 및 용법
본 명세서에 사용된 약어는 하기 표 5의 정의를 갖는다.
[표 5]
모든 양, 비 및 백분율은, 달리 표시되지 않는 한, 중량 기준이다. 조성물 중의 시재료들의 양은 총 100 중량%이다. 발명의 내용 및 요약서가 본 명세서에 참고로 포함된다. 관사('a', 'an', 및 'the')는 각각, 본 명세서의 문맥에 의해 달리 지시되지 않는 한, 하나 이상을 말한다. 단수형은 달리 지시되지 않는 한 복수를 포함한다. 범위의 개시는 그 범위 자체, 그리고 또한 그 안에 포함되는 임의의 것뿐만 아니라 종점도 포함한다. 예를 들어, 2.0 내지 4.0의 범위의 개시는 2.0 내지 4.0의 범위뿐만 아니라, 2.1, 2.3, 3.4, 3.5, 및 4.0도 개별적으로 포함하며, 또한 그 범위 내에 포함되는 임의의 다른 숫자도 포함한다. 더욱이, 예를 들어 2.0 내지 4.0의 범위의 개시는, 예를 들어 2.1 내지 3.5, 2.3 내지 3.4, 2.6 내지 3.7, 및 3.8 내지 4.0의 하위세트뿐만 아니라, 그 범위 내에 포함되는 임의의 다른 하위세트도 포함한다. 유사하게, 마쿠쉬 군의 개시는 전체 군, 그리고 또한 임의의 개별 구성원 및 그 안에 포함되는 하위군도 포함한다. 예를 들어, 마쿠쉬 군의 개시에서 수소 원자, 알킬 기, 알케닐 기, 또는 아릴 기는 개별적으로 구성원 알킬; 하위군 알킬 및 아릴, 및 임의의 다른 개별적인 구성원 및 그에 포함되는 하위군을 포함한다.
"알킬"은 분지형 또는 비분지형 포화 1가 탄화수소 기를 의미한다. 알킬 기의 예에는 메틸, 에틸, 프로필(n-프로필 및/또는 아이소-프로필을 포함함), 부틸(아이소-부틸, n-부틸, tert-부틸, 및/또는 sec-부틸을 포함함), 펜틸(아이소-펜틸, 네오펜틸, 및/또는 tert-펜틸을 포함함); 및 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 및 데실뿐만 아니라, 6개 이상의 탄소 원자의 분지형 포화 1가 탄화수소 기가 포함된다. 알킬 기는 적어도 하나의 탄소 원자를 갖는다. 대안적으로, 알킬 기는 1 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 10개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 6개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 4개의 탄소 원자, 대안적으로 1개 또는 2개의 탄소 원자, 그리고 대안적으로 1개의 탄소 원자를 가질 수 있다.
"아르알킬" 및 "알크아릴"은 각각 펜던트 및/또는 말단 아릴 기를 갖는 알킬 기 또는 펜던트 알킬 기를 갖는 아릴 기를 지칭한다. 예시적인 아르알킬 기에는 벤질, 톨릴, 자일릴, 페닐에틸, 페닐 프로필, 및 페닐 부틸이 포함된다. 아르알킬 기는 적어도 7개의 탄소 원자를 갖는다. 모노사이클릭 아르알킬 기는 7 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 7 내지 9개의 탄소 원자, 그리고 대안적으로 7개 또는 8개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 폴리사이클릭 아르알킬 기는 7 내지 17개의 탄소 원자, 대안적으로 7 내지 14개의 탄소 원자, 그리고 대안적으로 9개 또는 10개의 탄소 원자를 가질 수 있다.
"알케닐"은 분지형 또는 비분지형 1가 탄화수소 기를 의미하며, 여기서 1가 탄화수소 기는 이중 결합을 갖는다. 알케닐 기에는 비닐, 알릴, 및 헥세닐이 포함된다. 알케닐 기는 적어도 2개의 탄소 원자를 갖는다. 대안적으로, 알케닐 기는 2 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 10개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 6개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 4개의 탄소 원자, 그리고 대안적으로 2개의 탄소 원자를 가질 수 있다.
"알키닐"은 분지형 또는 비분지형 1가 탄화수소 기를 의미하며, 여기서 1가 탄화수소 기는 삼중 결합을 갖는다. 알키닐 기는 에티닐 및 프로피닐을 포함한다. 알키닐 기는 적어도 2개의 탄소 원자를 갖는다. 대안적으로, 알키닐 기는 2 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 10개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 6개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 4개의 탄소 원자, 그리고 대안적으로 2개의 탄소 원자를 가질 수 있다.
"아릴"은 아렌으로부터, 고리 탄소 원자로부터의 수소 원자의 제거에 의해 유도된 탄화수소 기를 의미한다. 아릴은 페닐 및 나프틸로 예시되지만 이로 한정되지 않는다. 아릴 기는 적어도 5개의 탄소 원자를 갖는다. 모노사이클릭 아릴 기는 5 내지 9개의 탄소 원자, 대안적으로 6개 또는 7개의 탄소 원자, 및 대안적으로 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 폴리사이클릭 아릴 기는 10 내지 17개의 탄소 원자, 대안적으로 10 내지 14개의 탄소 원자, 그리고 대안적으로 12 내지 14개의 탄소 원자를 가질 수 있다.
"카르보사이클" 및 "카르보사이클릭"은 탄화수소 고리를 지칭한다. 카르보사이클은 모노사이클릭일 수 있거나, 또는 폴리사이클릭, 예를 들어 바이사이클릭 또는 2개 초과의 고리를 갖는 것일 수 있다. 바이사이클릭 카르보사이클은 융합된, 가교된, 또는 스피로 폴리사이클릭 고리일 수 있다. 카르보사이클은 적어도 3개의 탄소 원자를 갖는다. 모노사이클릭 카르보사이클은 3 내지 9개의 탄소 원자, 대안적으로 4 내지 7개의 탄소 원자, 그리고 대안적으로 5개 또는 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 폴리사이클릭 카르보사이클은 7 내지 17개의 탄소 원자, 대안적으로 7 내지 14개의 탄소 원자, 그리고 대안적으로 9개 또는 10개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 카르보사이클은 포화(예를 들어, 사이클로펜탄 또는 사이클로헥산), 부분 불포화(예를 들어, 사이클로펜텐 또는 사이클로헥센), 또는 완전 불포화(예를 들어, 사이클로펜타다이엔 또는 사이클로헵타트라이엔)될 수 있다.
"사이클로알킬"은 카르보사이클을 포함한 포화 탄화수소 기를 지칭한다. 사이클로알킬 기는 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 및 메틸사이클로헥실로 예시된다. 사이클로알킬 기는 적어도 3개의 탄소 원자를 갖는다. 모노사이클릭 사이클로알킬 기는 3 내지 9개의 탄소 원자, 대안적으로 4 내지 7개의 탄소 원자, 그리고 대안적으로 5개 또는 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 폴리사이클릭 사이클로알킬 기는 7 내지 17개의 탄소 원자, 대안적으로 7 내지 14개의 탄소 원자, 그리고 대안적으로 9개 또는 10개의 탄소 원자를 가질 수 있다.
"1가 탄화수소 기"는 수소 원자 및 탄소 원자로 구성된 1가 기를 의미한다. 1가 탄화수소 기에는 상기에 정의된 바와 같은 알킬, 아르알킬, 알케닐, 알키닐, 및 사이클로알킬 기가 포함된다.
"1가 할로겐화 탄화수소 기"는 탄소 원자에 결합된 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 형식상(formally) 대체된 1가 탄화수소 기를 의미한다. 할로겐화 탄화수소 기는 할로알킬 기, 할로겐화 카르보사이클릭 기, 및 할로알케닐 기를 포함한다. 할로알킬 기는 플루오르화 알킬 기 및 플루오르화 사이클로알킬 기, 예를 들어 트라이플루오로메틸(CF3), 플루오로메틸, 트라이플루오로에틸, 2-플루오로프로필, 3,3,3-트라이플루오로프로필, 4,4,4-트라이플루오로부틸, 4,4,4,3,3-펜타플루오로부틸, 5,5,5,4,4,3,3-헵타플루오로펜틸, 6,6,6,5,5,4,4,3,3-노나플루오로헥실, 8,8,8,7,7-펜타플루오로옥틸, 2,2-다이플루오로사이클로프로필, 2,3-다이플루오로사이클로부틸, 3,4-다이플루오로사이클로헥실, 및 3,4-다이플루오로-5-메틸사이클로헵틸; 및 염소화 알킬 및 염소화 사이클로알킬 기, 예를 들어 클로로메틸, 3-클로로프로필 2,2-다이클로로사이클로프로필, 2,3-다이클로로사이클로펜틸을 포함한다. 할로알케닐 기는 클로로알릴을 포함한다.
용어 "포함하는" 및 이의 파생어, 예를 들어 "포함하다" 및 "포함한다"는 본 명세서에서 "구비한", "구비하다", "본질적으로 이루어지다(이루어진)" 및 "이루어지다(이루어진)"의 개념을 의미하고 포괄하기 위해 가장 넓은 의미로 사용된다. 예시적인 예를 열거하기 위한 "예를 들어", "예를 들면", "~와 같은" 및 "비롯한"의 사용은 단지 열거된 예들로만 제한되지 않는다. 따라서, "예를 들어" 또는 "~와 같은"은 "예를 들어, 그러나 이에 한정되지 않는" 또는 "~와 같은, 그러나 이에 한정되지 않는"을 의미하고, 다른 유사하거나 동등한 예를 포함한다.
일반적으로, 본 명세서에 사용되는 바와 같이 값들의 범위에서 하이픈 "-" 또는 대시 "―"는 "~ 내지 ~" 또는 "~부터 ~까지"이고; ">"는 "초과" 또는 "보다 큰"이고; "≥"는 "이상" 또는 "크거나 같은"이고; "<"는 "미만" 또는 "보다 작은"이고; "≤"는 "이하" 또는 "작거나 같은"이다. 개별 기준에 따라, 전술한 특허 출원, 특허 및/또는 특허 출원 공개의 각각은 하나 이상의 비제한적인 실시 형태에서 전체적으로 본 명세서에 참고로 명백하게 포함된다.
첨부된 청구범위는 상세한 설명에 기재된 명확하고 특정한 화합물, 조성물 또는 방법에 한정되지 않으며, 이들은 첨부된 청구범위의 범주 내에 속하는 특정 실시 형태들 사이에서 변화될 수 있음이 이해되어야 한다.
본 발명의 실시 형태
제1 실시 형태에서, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은
(A) 하기 화학식 A-1:
[화학식 A-1]
(R1 2R2SiO)-(R1 2SiO)a-(OSiR1 2R2)
(상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 말단 지방족 불포화체가 부재하는 1가 탄화수소 기 및 말단 지방족 불포화체가 부재하는 1가 할로겐화 탄화수소 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 각각의 R2는 말단 지방족 불포화체를 갖는 독립적으로 선택되는 1가 탄화수소 기이고, 하첨자 a는 회전 점도 측정에 의해 측정할 때 25℃에서 400 mPa·s 내지 100,000 mPa·s의 점도를 시재료 (A)에 부여하기에 충분한 값을 가짐)을 포함하는 폴리다이오르가노실록산;
(B) 하기 단위 화학식 B-1:
[화학식 B-1]
(R1 3SiO1/2)g(R1 2R2SiO1/2)h(R1 2SiO2/2)i(SiO4/2)j
(상기 식에서, 하첨자 g, h, i, 및 j는 2 ≥ g ≥ 0, 4 ≥ h ≥ 0, 995 ≥ i ≥ 4, j = 1, (g+h) = 4, 및 수량 (g+h+i+j)가 회전 점도측정에 의해 측정할 때 25℃에서 170 mPa·s 초과의 점도를 분지형 폴리오르가노실록산에 부여하기에 충분한 값을 갖도록 하는 평균 값을 가짐)을 포함하는 분지형 폴리오르가노실록산
(여기서, 시재료 (A) 및 시재료 (B)는 0.2/1 내지 20/1, 대안적으로 0.3/1 내지 17/1의 시재료 (A)에 대한 시재료 (B)의 중량비(B/A 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재함);
(C) 화학식 RM 3SiO1/2의 1작용성 단위("M" 단위) 및 화학식 SiO4/2의 4작용성 실리케이트 단위("Q" 단위) (여기서, 각각의 RM은 독립적으로 선택되는 1가 유기 기이며, 이는 1가 탄화수소 기 또는 1가 할로겐화 탄화수소 기일 수 있음)를 포함하는 폴리오르가노실리케이트 수지
(여기서, 시재료 (A), 시재료 (B) 및 시재료 (C)는 0.05/1 내지 1.5/1, 대안적으로 0.1/1 내지 1.0/1, 그리고 대안적으로 0.1/1 내지 0.9/1의 시재료 (A)와 시재료 (B)의 합계량에 대한 시재료 (C)의 양의 중량비(수지/중합체 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재함);
(D) 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 0% 초과 내지 5% 미만, 대안적으로 0.5% 내지 5% 미만의 올레핀계 반응성 희석제;
(E) 하기 단위 화학식 E-1:
[화학식 E-1]
(R1 3SiO1/2)p(R1 2SiO2/2)q(R1SiO3/2)r(SiO4/2)s(R1HSiO2/2)t(R1 2HSiO1/2)u
(상기 식에서, 하첨자 p, q, r, s, t, 및 u는 p ≥ 0, q ≥ 0, r ≥ 0, s ≥ 0, t ≥ 0, u ≥ 0, (t + u) ≥ 2, 및 수량 (p + q + r + s + t + u)가 5 내지 100의 중합도를 갖는 폴리오르가노하이드로겐실록산을 제공하기에 충분하도록 하는 값을 가짐)의 폴리오르가노하이드로겐실록산;
(F) 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 1 내지 1000 ppm의 백금족 금속을 제공하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 반응 촉매; 및
(G) 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 0% 내지 5%, 대안적으로 1% 내지 5%의 앵커리지 첨가제
를 포함하며; 시재료들은, 조성물 내의 모든 시재료의 합계 몰량을 기준으로, 말단 지방족 불포화 기에 대한 규소 결합된 수소 원자의 몰비(SiH/Vi 비)가 1.5/1 내지 50/1, 대안적으로 1.5/1 내지 10/1, 대안적으로 3/1 내지 10/1, 그리고 대안적으로 8/1 내지 10/1이 되도록 하는 양으로 존재한다.
제2 실시 형태에서, 무용매 실리콘 감압 접착제는, 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로, (H) 0.05% 내지 1%의 하이드로실릴화 반응 억제제를 추가로 포함한다.
제3 실시 형태에서, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에서 시재료 (B)는 하기 화학식을 포함한다:
[R2R1Si-(O-SiR1 2)x-O]y-Si-[O-(R1 2SiO)vSiR1 3]w.
상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 알킬 및 아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고, 각각의 R2는 알케닐이고; 하첨자 v, w, x, 및 y는 200 ≥ v ≥ 1, 2 ≥ w ≥ 0, 200 ≥ x ≥ 1, 4 ≥ y ≥ 0, 및 수량(w+ y) = 4가 되도록 하는 값을 갖는다.
제4 실시 형태에서, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에서 시재료 (C)는 하기 단위 화학식을 포함한다:
(R1 3SiO1/2)z(SiO4/2)o.
상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 알킬 및 아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고, 하첨자 o는 전술한 바와 같고, 하첨자 z는 4 초과이다.
제5 실시 형태에서, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에서 시재료 (D)는 1% 내지 3%의 14 내지 16개의 탄소 원자의 n-알켄을 포함한다.
제6 실시 형태에서, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에서 시재료 (E)는 하기 단위 화학식 E-2를 포함한다:
[화학식 E-2]
(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)aa(R1HSiO2/2)bb.
상기 식에서, 각각의 R1은 알킬 및 아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고, 하첨자 aa는 0 내지 30이고, 하첨자 bb는 5 내지 50이다.
제7 실시 형태에서, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에서 시재료 (F)는 카르스테트 촉매를 포함한다.
제8 실시 형태에서, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에서 시재료 (G)는 (G1) 비닐트라이아세톡시실란,(G2) 글리시독시프로필트라이메톡시실란, 또는 (G3) (G1)과 (G2)의 반응 생성물을 포함한다.
제9 실시 형태에서, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물에서, 각각의 R1은 메틸 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 각각의 R2는 독립적으로 비닐, 알릴, 및 헥세닐로 이루어진 군으로부터 선택된다.
제10 실시 형태에서, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물은 회전 점도측정에 의해 측정할 때 점도가 25℃에서 300 내지 5,000 mPa·s이다.
제11 실시 형태에서, 접착제 물품을 제조하는 방법은
1) 시재료들을 조합하여 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 형성하는 단계로서, 시재료들은
(A) 하기 화학식 A-1:
[화학식 A-1]
(R1 2R2SiO)-(R1 2SiO)a-(OSiR1 2R2)
(상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 말단 지방족 불포화체가 부재하는 1가 탄화수소 기 및 말단 지방족 불포화체가 부재하는 1가 할로겐화 탄화수소 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 각각의 R2는 말단 지방족 불포화체를 갖는 독립적으로 선택되는 1가 탄화수소 기이고, 하첨자 a는 회전 점도 측정에 의해 측정할 때 25℃에서 400 mPa·s 내지 100,000 mPa·s의 점도를 시재료 (A)에 부여하기에 충분한 값을 가짐)을 포함하는 폴리다이오르가노실록산;
(B) 하기 단위 화학식 B-1:
[화학식 B-1]
(R1 3SiO1/2)g(R1 2R2SiO1/2)h(R1 2SiO2/2)i(SiO4/2)j
(상기 식에서, 하첨자 g, h, i, 및 j는 2 ≥ g ≥ 0, 4 ≥ h ≥ 0, 995 ≥ i ≥ 4, j = 1, (g+h) = 4, 및 수량 (g+h+i+j)가 회전 점도측정에 의해 측정할 때 25℃에서 170 mPa·s 초과의 점도를 분지형 폴리오르가노실록산에 부여하기에 충분한 값을 갖도록 하는 평균 값을 가짐)을 포함하는 분지형 폴리오르가노실록산
(여기서, 시재료 (A) 및 시재료 (B)는 0.2/1 내지 20/1의 시재료 (A)에 대한 시재료 (B)의 중량비(B/A 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재함);
(C) 화학식 RM 3SiO1/2의 1작용성 단위("M" 단위) 및 화학식 SiO4/2의 4작용성 실리케이트 단위("Q" 단위) (여기서, 각각의 RM은 독립적으로 선택되는 1가 유기 기이며, 이는 1가 탄화수소 기 또는 1가 할로겐화 탄화수소 기일 수 있음)를 포함하는 폴리오르가노실리케이트 수지
(여기서, 시재료 (A), 시재료 (B) 및 시재료 (C)는 0.05/1 내지 1.5/1의 시재료 (A)와 시재료 (B)의 합계량에 대한 시재료 (C)의 양의 중량비(수지/중합체 비 또는 C/(A+B) 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재함);
(D) 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 0.5% 내지 5% 미만의 올레핀계 반응성 희석제;
(E) 하기 단위 화학식 E-1:
[화학식 E-1]
(R1 3SiO1/2)p(R1 2SiO2/2)q(R1SiO3/2)r(SiO4/2)s(R1HSiO2/2)t(R1 2HSiO1/2)u
(상기 식에서, 하첨자 p, q, r, s, t, 및 u는 p ≥ 0, q ≥ 0, r ≥ 0, s ≥ 0, t ≥ 0, u ≥ 0, (t + u) ≥ 2, 및 수량 (p + q + r + s + t + u)가 5 내지 100의 중합도를 갖는 폴리오르가노하이드로겐실록산을 제공하기에 충분하도록 하는 값을 가짐)의 폴리오르가노하이드로겐실록산;
(F) 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 1 내지 1000 ppm의 백금족 금속을 제공하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 반응 촉매; 및
(G) 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 1% 내지 5%의 앵커리지 첨가제
를 포함하며; 시재료들은, 조성물 내의 모든 시재료의 합계 몰량을 기준으로, 말단 지방족 불포화 기에 대한 규소 결합된 수소 원자의 몰비(SiH/Vi 비)가 0.5/1 내지 50/1이 되도록 하는 양으로 존재하는, 상기 단계;
2) 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 배킹 기재의 표면 상에 코팅하는 단계, 및
3) 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물을 경화시켜 배킹 기재의 표면 상에 감압 접착제를 형성하는 단계를 포함한다.
제12 실시 형태에서, 방법은 조성물을 표면 상에 코팅하는 단계 전에 배킹 기재를 처리하는 단계를 추가로 포함한다.
제13 실시 형태에서, 방법은 4) 감압 접착제가 배킹 기재와 전자 장치의 표면 사이에 있도록 감압 접착제를 전자 장치에 접착시키는 단계를 추가로 포함한다.
제14 실시 형태에서, 방법은 제조 동안 전자 장치에 제11 실시 형태 내지 제13 실시 형태 중 어느 하나의 방법에 의해 제조된 접착제 물품을 접착시키는 단계, 전자 장치 상에서 가공 단계들을 수행하는 단계, 및 그 후에 전자 장치로부터 접착제 물품을 제거하는 단계를 포함한다.
제15 실시 형태에서, 방법은 장치의 제조 후에 그리고 운송 또는 최종 사용 전에 제11 실시 형태 내지 제13 실시 형태 중 어느 하나의 방법에 의해 제조된 접착제 물품을 전자 장치에 접착시키는 단계를 포함한다.
제16 실시 형태에서, 접착제 물품은 광학적으로 투명하고, 방법은 전자 장치의 스크린 보호를 위해 제11 실시 형태 내지 제13 실시 형태 중 어느 하나의 방법에 의해 제조된 접착제 물품을 사용하는 단계를 추가로 포함한다.
Claims (15)
- 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물로서,
(A) 하기 화학식 A-1:
[화학식 A-1]
(R1 2R2SiO)-(R1 2SiO)a-(OSiR1 2R2)
(상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 말단 지방족 불포화체(unsaturation)가 부재하는 1가 탄화수소 기 및 말단 지방족 불포화체가 부재하는 1가 할로겐화 탄화수소 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 각각의 R2는 말단 지방족 불포화체를 갖는 독립적으로 선택되는 1가 탄화수소 기이고, 하첨자 a는 150 내지 2,000의 평균 값을 가짐)을 포함하는 폴리다이오르가노실록산;
(B) 분지형 폴리오르가노실록산으로서,
하기 단위 화학식 B-1:
[화학식 B-1]
(R1 3SiO1/2)g(R1 2R2SiO1/2)h(R1 2SiO2/2)i(SiO4/2)j
(상기 식에서, 하첨자 g, h, i, 및 j는 2 ≥ g ≥ 0, 4 ≥ h ≥ 0, 995 ≥ i ≥ 4, j = 1, (g+h) = 4, 및 수량 (g+h+i+j)가 회전 점도측정에 의해 측정할 때 25℃에서 170 mPa·s 초과 내지 1000 mPa·s의 점도를 상기 분지형 폴리오르가노실록산에 부여하기에 충분한 값을 갖도록 하는 평균 값을 가짐)의 Q 분지형 폴리오르가노실록산,
하기 단위 화학식 B-3:
[화학식 B-3]
(R1 3SiO1/2)d(R2R1 2SiO1/2)e(R1 2SiO2/2)m(R1SiO3/2)n
(상기 식에서, 하첨자 d는 0 이상이고, 하첨자 e는 0 초과이고, 하첨자 m은 15 내지 995이고, 하첨자 n은 0 초과임)의 T 분지형 폴리오르가노실록산, 또는
(B-1) 및 (B-3) 둘 모두
를 포함하며; 시재료 (A) 및 시재료 (B)는 0.2/1 내지 20/1의 시재료 (A)에 대한 시재료 (B)의 몰비(B/A 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재하는, 상기 분지형 폴리오르가노실록산;
(C) 하기 단위 화학식 C-1:
[화학식 C-1]
(R1 3SiO1/2)m(R1 2R2SiO1/2)n(SiO4/2)o
(상기 식에서, 하첨자 m, 하첨자 n 및 하첨자 o는 m ≥ 0, n ≥ 0, o > 1, 및 수량 (m+n)이 4 초과가 되도록 하는 평균 값을 가짐)을 포함하는 폴리오르가노실리케이트 수지로서, 시재료 (A), 시재료 (B) 및 시재료 (C)는 0.05/1 내지 1.5/1의 시재료 (A)와 시재료 (B)의 합계량에 대한 시재료 (C)의 양의 중량비(수지/중합체 비)를 제공하기에 충분한 양으로 존재하는, 상기 폴리오르가노실리케이트 수지;
(D) 상기 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 0% 초과 내지 5% 미만의 올레핀계 반응성 희석제;
(E) 하기 단위 화학식 E-1:
[화학식 E-1]
(R1 3SiO1/2)p(R1 2SiO2/2)q(R1SiO3/2)r(SiO4/2)s(R1HSiO2/2)t(R1 2HSiO1/2)u
(상기 식에서, 하첨자 p, q, r, s, t, 및 u는 p ≥ 0, q ≥ 0, r ≥ 0, s ≥ 0, t ≥ 0, u ≥ 0, (t + u) ≥ 2, 및 수량 (p + q + r + s + t + u)가 5 내지 100의 중합도를 갖는 상기 폴리오르가노하이드로겐실록산을 제공하기에 충분하도록 하는 값을 가짐)의 폴리오르가노하이드로겐실록산; 및
(F) 상기 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 1 내지 1000 ppm의 백금족 금속을 제공하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 반응 촉매
를 포함하며; 상기 시재료들은, 상기 조성물 내의 모든 시재료의 합계 몰량을 기준으로, 말단 지방족 불포화 기에 대한 규소 결합된 수소 원자의 몰비(SiH/Vi 비)가 1.5/1 내지 10/1이 되도록 하는 양으로 존재하는, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물. - 제1항에 있어서, (G) 상기 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 1% 내지 5%의 앵커리지 첨가제(anchorage additive) 및 (H) 상기 조성물 내의 모든 시재료의 합계 중량을 기준으로 0.05% 내지 1%의 하이드로실릴화 반응 억제제 중 하나 또는 둘 모두를 추가로 포함하는, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물.
- 제1항에 있어서, 화학식 A-1에서, 각각의 R1은 독립적으로 메틸 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 각각의 R2는 독립적으로 비닐, 알릴 및 헥세닐로 이루어진 군으로부터 선택되고; 하첨자 a는 시재료 (A)에 450 mPa·s 내지 100,000 mPa 미만의 점도를 부여하기에 충분한 값을 갖는, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물.
- 제1항에 있어서, 시재료 (B)는 하기 화학식 B-2:
[화학식 B-2]
[R2R1Si-(O-SiR1 2)x-O]y-Si-[O-(R1 2SiO)vSiR1 3]w
(상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 메틸 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 각각의 R2는 독립적으로 비닐, 알릴, 및 헥세닐로 이루어진 군으로부터 선택되고; 하첨자 v, w, x, 및 y는 200 ≥ v ≥ 1, 2 ≥ w ≥ 0, 200 ≥ x ≥ 1, 4 ≥ y ≥ 0, 및 수량 (w+y)는 4가 되도록 하는 값을 가짐)를 포함하는, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물. - 제1항에 있어서, 시재료 (C)는 하기 단위 화학식:
(R1 3SiO1/2)z(SiO4/2)o
(상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 메틸 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 하첨자 o는 전술한 바와 같고, 하첨자 z는 4 초과임)을 포함하는, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물. - 제1항에 있어서, 시재료 (D)는 1% 내지 3%의 14 내지 16개의 탄소 원자의 n-알켄을 포함하는, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물.
- 제1항에 있어서, 시재료 (E)는 하기 단위 화학식 E-2:
[화학식 E-2]
(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)aa(R1HSiO2/2)bb
(상기 식에서, 각각의 R1은 메틸 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 하첨자 aa는 0 내지 30이고, 하첨자 bb는 5 내지 50임)를 포함하는, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물. - 제1항에 있어서, 시재료 (F)는 카르스테트 촉매(Karstedt's Catalyst)를 포함하는, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물.
- 제2항에 있어서, 시재료 (G)는 (G-1) 비닐트라이아세톡시실란, (G-2) 글리시독시프로필트라이메톡시실란, 또는 (G-3) (G-1)과 (G-2)의 조합을 포함하는, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물은 회전 점도측정에 의해 측정할 때 점도가 25℃에서 300 mPa·s 내지 5,000 mPa·s인, 무용매 실리콘 감압 접착제 조성물.
- 접착제 물품을 제조하는 방법으로서,
1) 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 조성물을 배킹 기재(backing substrate)의 표면 상에 코팅하는 단계, 및
2) 상기 조성물을 경화시켜 상기 배킹 기재의 상기 표면 상에 감압 접착제를 형성하는 단계
를 포함하는, 방법. - 제11항에 있어서, 상기 조성물을 상기 표면 상에 코팅하는 단계 전에 상기 배킹 기재를 처리하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
- 제11항 또는 제12항에 있어서, 3) 상기 감압 접착제가 상기 배킹 기재와 전자 장치의 표면 사이에 있도록 상기 감압 접착제를 상기 전자 장치에 접착시키는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
- 제조 및/또는 운송 동안 전자 장치를 보호하기 위한, 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조되는 접착제 물품의 용도.
- 사용 동안 전자 장치의 표면 보호를 위한, 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조되는 접착제 물품의 용도.
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