KR20190138764A - 표시 기판의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 기판의 제조 방법은 베이스 기판 상에 제1 도전층을 형성하는 단계, 상기 제1 도전층 상에 제1 절연막을 형성하는 단계, 상기 제1 절연막 상에 제2 도전층을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 도전층 상에 유기 절연막을 형성하는 단계, 상기 유기 절연막 및 상기 제1 절연막을 통해 상기 제1 도전층을 노출하는 제1 콘택홀 및 상기 유기 절연막을 통해 상기 제2 도전층을 노출하는 제2 콘택홀을 형성하는 단계, 및 상기 유기 절연막 상에 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 제1 도전층과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 제2 도전층과 전기적으로 연결되는 도전 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제1 콘택홀에서 상기 제1 도전층과 상기 도전 전극이 접하는 면적의 크기는 상기 제2 콘택홀에서 상기 제2 도전층과 상기 도전 전극이 접하는 면적의 크기보다 같다.

Description

표시 기판의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY SUBSTRATE}
본 발명은 표시 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표시 기판의 제조에 이용되는 노광 마스크를 이용한 표시 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 기판과 같은 기판은 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 형성된 게이트층, 상기 게이트층에 상의 일부에 형성된 소스/드레인층, 및 상기 게이트층 및 상기 소스/드레인층 상에 형성된 유기 절연막을 포함한다.
최근에는, 상기 표시 기판에 포함된 게이트 라인에 게이트 신호를 출력하는 게이트 구동부를 상기 표시 기판의 주변 영역에 형성한다. 즉, 상기 게이트 라인에 상기 게이트 신호를 출력하는 아몰퍼스 실리콘 게이트(Amorphous Silicon Gate: ASG)가 상기 표시 기판에 형성된다.
상기 표시 기판에 형성된 상기 게이트 구동부는 복수의 스테이지들을 포함하고, 각각의 상기 스테이지들은 복수의 박막 트랜지스터들을 포함하며, 상기 박막 트랜지스터들 중에 적어도 하나의 박막 트랜지스터에 포함된 게이트 전극 및 소스 전극 또는 드레인 전극은 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 게이트층 및 상기 소스/드레인층이 연결된다.
상기 소스/드레인층 및 상기 게이트층을 전기적으로 연결하기 위해, 상기유기 절연층을 노광하여 상기 유기 절연층에 상기 소스/드레인층을 노출하는 제1 콘택홀을 형성하고 상기 게이트층을 노출하는 제2 콘택홀을 형성한다.
하지만, 상기 소스/드레인층 상에 배치된 상기 유기 절연층의 두께보다 상기 게이트층 상에 배치된 상기 유기 절연층의 두께가 더 두껍다. 그러므로, 상기 유기 절연막을 노광하는 과정에서 상기 게이트층이 노출되지 않을 수 있고, 이에 따라, 상기 기판의 불량이 발생하는 문제점이 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 기판의 불량을 감소시킬 수 있는 표시 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 노광 마스크 및 상기 노광 마스크를 이용한 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 노광 마스크는 제1 투과부, 제2 투과부 및 차단부를 포함한다. 상기 제1 투과부는 게이트층 및 상기 게이트층 상에 형성된 소스/드레인층이 배치되는 제1 영역 상에 배치되고, 상기 소스/드레인층 상에 형성된 유기 절연막에 상기 소스/드레인층을 노출하는 제1 콘택홀을 형성하기 위해 광의 제1 에너지를 투과한다. 상기 제2 투과부는 상기 게이트층이 상기 소스/드레인층에 의해 노출되는 제2 영역 상에 배치되고, 상기 게이트층 상에 형성된 상기 유기 절연막에 상기 게이트층을 노출하며 상기 제1 콘택홀의 크기보다 크거나 같은 크기를 가지는 제2 콘택홀을 형성하기 위해 상기 광의 상기 제1 에너지보다 큰 상기 광의 제2 에너지를 투과한다. 상기 차단부는 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 경계 상에 배치되고, 상기 광을 차단한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역이 배치되는 방향으로, 상기 제1 투과부는 제1 길이를 가질 수 있고, 상기 제2 투과부는 상기 제1 길이보다 긴 제2 길이를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 투과부는 제1 면적을 가질 수 있고, 상기 제2 투과부는 상기 제1 면적보다 큰 제2 면적을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 투과부의 제1 투과율 및 상기 제2 투과부의 제2 투과율은 서로 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 투과부는 제1 투과율을 가지는 제1 반투과막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제2 투과부는 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가지는 제2 반투과막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 각각의 상기 제1 투과부 및 상기 제2 투과부는 슬릿을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제2 투과부에 포함된 상기 슬릿의 개수는 상기 제1 투과부에 포함된 상기 슬릿의 개수보다 많을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 투과부는 제1 투과율을 가지는 제1 반투과막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제2 투과부는 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을가지는 제2 반투과막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역이 배치되는 방향으로, 상기 제1 투과부의 제1 길이 및 상기 제2 투과부의 제2 길이는 서로 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 투과부의 제1 면적 및 상기 제2 투과부의 제2 면적은 서로 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 각각의 상기 제1 투과부 및 상기 제2 투과부는 슬릿을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제2 콘택홀에서 상기 게이트층과 접하는 부분의 크기는 상기 제1 콘택홀에서 상기 소스/드레인층과 접하는 부분의 크기보다 크거나 같을 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 기판의 제조 방법에서, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 베이스 기판 상에 게이트층이 형성된다. 상기 게이트층 상에 게이트 절연막이 형성된다. 상기 제1 영역의 상기 게이트 절연막 상에 반도체층이 형성된다. 상기 반도체층 상에 소스/드레인층이 형성된다. 상기 제1 영역의 상기 소스/드레인층 상 및 상기 제2 영역의 상기 게이트 절연막 상에 유기 절연막이 형성된다. 상기 제1 영역 상에 광의 제1 에너지가 투과하는 제1 투과부가 배치되고, 상기 제2 영역 상에 상기 광의 상기 제1 에너지보다 큰 상기 광의 제2 에너지가 투과하는 제2 투과부가 배치되며, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 경계 상에 상기 광을 차단하는 차단부가 배치되도록 노광 마스크가 배치된다. 상기 노광 마스크를 통해 상기 광이 상기 유기 절연막으로 인가되어, 상기 제1 영역에 상기 소스/드레인층을 노출하는 제1 콘택홀 및 상기 제2 영역에 상기 게이트층을 노출하며 상기 제1 콘택홀의 크기보다 큰 크기를 가지는 제2 콘택홀이 형성된다. 상기 유기 절연층 상에, 상기 제1 콘택홀 및 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 소스/드레인층 및 상기 게이트층을 전기적으로 연결하는 도전 전극이 형성된다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역이 배치되는 방향으로, 상기 제1 투과부는 제1 길이를 가지고, 상기 제2 투과부는 상기 제1 길이보다 긴 제2 길이를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 투과부는 제1 면적을 가지고, 상기 제2 투과부는 상기 제1 면적보다 큰 제2 면적을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 투과부는 제1 투과율을 가지는 제1 반투과막을 포함하고, 상기 제2 투과부는 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가지는 제2 반투과막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 투과부의 제1 면적 및 상기 제2 투과부의 제2 면적은 서로 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 게이트층은 상기 베이스 기판 상에 배치되어 게이트 라인으로 게이트 신호를 출력하는 게이트 구동부에 포함된 박막 트랜지스터의 게이트 전극일 수 있고, 상기 소스/드레인층은 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극일 수 있으며, 상기 도전 전극은 상기 게이트 전극 및 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 게이트층은 게이트 패드일 수 있고, 상기 소스/드레인층은 데이터 패드일 수 있으며, 상기 도전 전극은 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드를 전기적으로 연결하는 브릿지 전극일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제2 콘택홀에서 상기 게이트층과 접하는 부분의 크기는 상기 제1 콘택홀에서 상기 소스/드레인층과 접하는 부분의 크기보다 크거나 같을 수 있다.
이와 같은 노광 마스크 및 이를 이용한 기판의 제조 방법에 따르면, 광의 제1 에너지를 투과하는 제1 투과부 및 상기 제1 에너지보다 큰 상기 광의 제2 에너지를 투과하는 제2 투과부를 포함하는 상기 노광 마스크를 이용하여, 기판의 제1 영역 및 제2 영역에서 각각 제1 두께 및 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께를 가지는 유기 절연막의 아래에 배치된 서로 다른 층들을 노출하는 제1 콘택홀 및 제2 콘택홀을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 제2 두께를 가진 상기 유기 연막의 아래에 배치된 층(layer)이 노출되지 않음으로 인한 기판의 불량을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 마스크 및 기판을 나타내는 단면도이다.
도 2a는 도 1에 도시된 상기 노광 마스크의 제1 투과부를 나타내는 평면도이다.
도 2b는 도 1에 도시된 상기 노광 마스크의 제2 투과부를 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광 마스크 및 기판을 나타내는 단면도이다.
도 4a는 도 3에 도시된 상기 노광 마스크의 제1 투과부를 나타내는 평면도이다.
도 4b는 도 3에 도시된 상기 노광 마스크의 제2 투과부를 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노광 마스크 및 기판을 나타내는 단면도이다.
도 6a는 도 5에 도시된 상기 노광 마스크의 제1 투과부를 나타내는 평면도이다.
도 6b는 도 5에 도시된 상기 노광 마스크의 제2 투과부를 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노광 마스크 및 기판을 나타내는 단면도이다.
도 8a는 도 7에 도시된 상기 노광 마스크의 제1 투과부를 나타내는 평면도이다.
도 8b는 도 7에 도시된 상기 노광 마스크의 제2 투과부를 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노광 마스크 및 기판을 나타내는 단면도이다.
도 10a는 도 9에 도시된 상기 노광 마스크의 제1 투과부를 나타내는 평면도이다.
도 10b는 도 9에 도시된 상기 노광 마스크의 제2 투과부를 나타내는 평면도이다.
도 11a 내지 11c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 마스크 및 기판을 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 상기 기판(100)은 베이스 기판(110), 게이트층(120), 게이트 절연막(130), 반도체층(140), 소스/드레인층(150), 패시베이션막(160), 유기 절연막(170) 및 도전 전극(180)을 포함한다. 상기 기판(100)은 액정 표시 장치와 같은 표시 장치의 표시 기판일 수 있다.
상기 베이스 기판(110)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함한다. 상기 베이스 기판(110)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.
상기 게이트층(120)은 상기 베이스 기판(110) 상에 형성되고, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 게이트층(120)은 구리 물질 및 티타늄 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(130)은 상기 게이트층(120) 상에 형성되고, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 게이트 절연막(130)은 질화 규소(SiNx) 물질을 포함할 수 있다.
상기 반도체층(140)은 상기 게이트 절연막(130) 상에 형성된다. 상기 반도체층(140)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 반도체층(140)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 반도체층(140)은 활성층 및 상기 활성층 상에 형성된 오믹 콘택층을 포함할 수 있다. 상기 반도체층(140)은 규소 물질을 포함할 수 있다.
상기 소스/드레인층(150)은 상기 반도체층(140) 상에 형성된다. 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 소스/드레인층(150)은 구리 물질 및 티타늄 물질을 포함할 수 있다.
상기 패시베이션막(160)은 상기 소스/드레인층(160) 및 상기 게이트 절연막(130) 상에 형성된다. 상기 패시베이션막(160)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 패시베이션막(160)은 질화 규소(SiNx) 물질을 포함할 수 있다.
상기 유기 절연막(170)은 상기 패시베이션막(160) 상에 형성된다. 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 반도체층(140) 및 상기 소스/드레인층(150)이 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에 형성되지 않으므로, 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에서 단차를 형성한다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 제1 두께(T1)를 가지고, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(130) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 제2 두께(T2)를 가진다.
상기 유기 절연막(170)에는 제1 콘택홀(191) 및 제2 콘택홀(192)이 형성된다. 상기 제1 콘택홀(191)은 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)을 노출하고, 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 제2 콘택홀(192)의 크기는 상기 제1 콘택홀(191)의 크기보다 크거나 같다. 구체적으로, 상기 제2 콘택홀(192)에서 상기 게이트층(120)과 접하는 부분의 크기는 상기 제1 콘택홀(191)에서 상기 소소/드레인층(150)과 접하는 부분의 크기보다 크거나 같다. 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 노광 마스크(200)를 이용하여 형성된다.
상기 도전 전극(180)은 상기 유기 절연막(170) 상에 형성되고, 상기 소스/드레인층(150) 및 상기 게이트층(120)을 전기적으로 연결한다. 구체적으로, 상기 도전 전극(180)은 상기 제1 영역(A1)의 상기 유기 절연막(170)에 형성되어 상기 소스/드레인층(150)을 노출하는 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 영역(A2)의 상기 유기 절연막(170)에 형성되어 상기 게이트층(120)을 노출하는 상기 제2 콘택홀(192)을 통해 상기 소스/드레인층(150) 및 상기 게이트층(120)을 전기적으로 연결한다. 상기 도전 전극(180)은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide: ITO) 물질 또는 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide: IZO) 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트층(120)은 상기 베이스 기판(110) 상에 배치되어 게이트 라인으로 게이트 신호를 출력하는 게이트 구동부에 포함된 박막 트랜지스터의 게이트 전극일 수 있고, 상기 소스/드레인층(150)은 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극일 수 있으며, 상기 도전 전극(180)은 상기 게이트 전극 및 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극일 수 있다.
이와 달리, 상기 게이트층(120)은 게이트 패드일 수 있고, 상기 소스/드레인층(150)은 데이터 패드일 수 있으며, 상기 도전 전극은 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드를 전기적으로 연결하는 브릿지 전극일 수 있다.
상기 노광 마스크(200)는 상기 기판(100)의 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하기 위해 이용된다. 구체적으로, 상기 유기 절연막(170)이 형성된 후, 상기 유기 절연막(170) 상에 상기 노광 마스크(200)를 배치하고, 상기 유기 절연막(170)에 광(UV)을 선택적으로 인가한다. 예를 들면, 상기 광(UV)은 자외선일 수 있다.
상기 노광 마스크(200)는 차단부(210), 제1 투과부(220) 및 제2 투과부(230)를 포함한다. 상기 노광 마스크(200)는 바이너리 마스크일 수 있다.
도 2a는 도 1에 도시된 상기 노광 마스크(200)의 상기 제1 투과부(220)를 나타내는 평면도이고, 도 2b는 도 1에 도시된 상기 노광 마스크(200)의 상기 제2 투과부(230)를 나타내는 평면도이다.
도 1 내지 2b를 참조하면, 상기 차단부(210)는 상기 광(UV)이 상기 유기 절연막(170)으로 인가되지 않도록 상기 광(UV)을 차단한다. 상기 차단부(210)는 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)이 형성되지 않는 영역에 대응하여 배치된다. 따라서, 상기 차단부(210)는 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에 인접하여 배치된다. 상기 차단부(210)는 크롬 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 투과부(220)는 상기 제1 영역(A1)에 배치되고, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 유기 절연막(170) 및 상기 패시베이션막(160)이 식각되고, 상기 소스/드레인층(150)을 노출하는 상기 제1 콘택홀(191)이 형성된다.
상기 제2 투과부(230)는 상기 제2 영역(A2)에 배치되고, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 유기 절연막(170), 상기 패시베이션막(160) 및 상기 게이트 절연막(130)이 식각되고, 상기 게이트층(120)을 노출하는 상기 제2 콘택홀(192)이 형성된다.
상기 제1 투과부(220)의 제1 투과율 및 상기 제2 투과부(230)의 제2 투과율은 서로 동일할 수 있다.
상기 소스/드레인층(150) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)를 가지고, 상기 게이트층(120) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가진다. 그러므로, 상기 제1 콘택홀(191)을 형성하는 상기 광(UV)의 에너지 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하는 상기 광(UV)의 에너지가 서로 동일할 경우, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)은 노출되지만 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)이 노출되지 않을 수 있다.
하지만, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)이 배치되는 방향으로 상기 노광 마스크(200)의 상기 제1 투과부(220)는 제1 길이를 가지고, 상기 노광 마스크(200)의 상기 제2 투과부(220)는 상기 제1 길이보다 긴 제2 길이를 가진다. 또한, 상기 제1 투과부(220)는 제1 면적을 가지고, 상기 제2 투과부(230)는 상기 제1 면적보다 큰 제2 면적을 가진다. 예를 들면, 상기 제1 투과부(220)의 면적은 14 μm * 17 μm일 수 있고, 상기 제2 투과부(230)의 면적은 17.5 μm * 20.5 μm일 수 있다.
그러므로, 상기 제1 투과부(220)를 투과하는 상기 광(UV)의 제1 에너지보다 상기 제2 투과부(230)를 투과하는 상기 광(UV)의 제2 에너지가 더 크다. 따라서, 상기 제1 콘택홀(191)은 제1 크기를 가지고, 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 가지며, 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)를 가지고 상기 게이트층(120) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가지더라도 상기 게이트층(120)이 노출될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 면적을 가지는 제1 투과부(220) 및 상기 제1 면적보다 큰 상기 제2 면적을 가지는 제2 투과부(230)를 포함하는 상기 바이너리 마스크를 이용하여, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에서 각각 상기 제1 두께(T1) 및 상기 제2 두께(T2)를 가지는 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성할 수 있고, 상기 소스/드레인층(150) 및 상기 게이트층(120)을 노출시킬 수 있다. 따라서, 상기 게이트층(120)이 노출되지 않음으로 인한 상기 기판(100)의 불량을 감소시킬 수 있다.
실시예 2
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광 마스크 및 기판을 나타내는 단면도이다.
본 실시예에 따른 도 3의 기판(100)은 이전의 실시예에 따른 도 1의 상기 기판(100)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1과 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 기판(100)은 상기 베이스 기판(110), 상기 게이트층(120), 상기 게이트 절연막(130), 상기 반도체층(140), 상기 소스/드레인층(150), 상기 패시베이션막(160), 상기 유기 절연막(170) 및 상기 도전 전극(180)을 포함한다.
상기 베이스 기판(110)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)을 포함한다. 상기 게이트층(120)은 상기 베이스 기판(110) 상에 형성되고, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 게이트 절연막(130)은 상기 게이트층(120) 상에 형성되고, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 반도체층(140)은 상기 게이트 절연막(130) 상에 형성된다. 상기 반도체층(140)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 반도체층(140)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 소스/드레인층(150)은 상기 반도체층(140) 상에 형성된다. 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 패시베이션막(160)은 상기 소스/드레인층(160) 및 상기 게이트 절연막(130) 상에 형성된다. 상기 패시베이션막(160)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다.
상기 유기 절연막(170)은 상기 패시베이션막(160) 상에 형성된다. 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 반도체층(140) 및 상기 소스/드레인층(150)이 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에 형성되지 않으므로, 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에서 상기 단차를 형성한다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)를 가지고, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(130) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가진다.
상기 유기 절연막(170)에는 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)이 형성된다. 상기 제1 콘택홀(191)은 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)을 노출하고, 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 제2 콘택홀(192)의 크기는 상기 제1 콘택홀(191)의 크기보다 크거나 같다. 구체적으로, 상기 제2 콘택홀(192)에서 상기 게이트층(120)과 접하는 부분의 크기는 상기 제1 콘택홀(191)에서 상기 소소/드레인층(150)과 접하는 부분의 크기보다 크거나 같다.
상기 노광 마스크(300)는 상기 기판(100)의 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하기 위해 이용된다. 구체적으로, 상기 유기 절연막(170)이 형성된 후, 상기 유기 절연막(170) 상에 상기 노광 마스크(300)를 배치하고, 상기 유기 절연막(170)에 상기 광(UV)을 선택적으로 인가한다.
상기 노광 마스크(300)는 차단부(310), 제1 투과부(320) 및 제2 투과부(330)를 포함한다.
도 4a는 도 3에 도시된 상기 노광 마스크(300)의 상기 제1 투과부(320)를 나타내는 평면도이고, 도 4b는 도 3에 도시된 상기 노광 마스크(300)의 상기 제2 투과부(330)를 나타내는 평면도이다.
도 3 내지 4b를 참조하면, 상기 차단부(310)는 상기 광(UV)이 상기 유기 절연막(170)으로 인가되지 않도록 상기 광(UV)을 차단한다. 상기 차단부(310)는 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)이 형성되지 않는 영역에 대응하여 배치된다. 따라서, 상기 차단부(310)는 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에 인접하여 배치된다. 상기 차단부(310)는 크롬 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 투과부(320)는 상기 제1 영역(A1)에 배치되고, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 유기 절연막(170) 및 상기 패시베이션막(160)이 식각되고, 상기 소스/드레인층(150)을 노출하는 상기 제1 콘택홀(191)이 형성된다.
상기 제2 투과부(330)는 상기 제2 영역(A2)에 배치되고, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 유기 절연막(170), 상기 패시베이션막(160) 및 상기 게이트 절연막(130)이 식각되고, 상기 게이트층(120)을 노출하는 상기 제2 콘택홀(192)이 형성된다.
각각의 상기 제1 투과부(320) 및 상기 제2 투과부(330)는 슬릿을 포함한다. 따라서, 상기 노광 마스크(300)는 슬릿 마스크일 수 있다. 예를 들면, 상기 슬릿을 형성하는 부분에서, 상기 광(UV)을 차단하는 라인의 폭은 1.3 μm일 수 있고, 상기 광(UV)을 투과시키는 스페이스의 폭은 1.3 μm일 수 있다.
상기 소스/드레인층(150) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)를 가지고, 상기 게이트층(120) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가진다. 그러므로, 상기 제1 콘택홀(191)을 형성하는 상기 광(UV)의 에너지 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하는 상기 광(UV)의 에너지가 서로 동일할 경우, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)은 노출되지만 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)이 노출되지 않을 수 있다.
하지만, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)이 배치되는 방향으로 상기 노광 마스크(300)의 상기 제1 투과부(320)는 제1 길이를 가지고, 상기 노광 마스크(300)의 상기 제2 투과부(320)는 상기 제1 길이보다 긴 제2 길이를 가진다. 또한, 상기 제1 투과부(320)는 제1 면적을 가지고, 상기 제2 투과부(330)는 상기 제1 면적보다 큰 제2 면적을 가진다.
그러므로, 상기 제1 투과부(320)를 투과하는 상기 광(UV)의 제1 에너지보다 상기 제2 투과부(330)를 투과하는 상기 광(UV)의 제2 에너지가 더 크다. 따라서, 상기 제1 콘택홀(191)은 상기 제1 크기를 가지고, 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 제1 크기보다 큰 상기 제2 크기를 가지며, 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)를 가지고 상기 게이트층(120) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가지더라도 상기 게이트층(120)이 노출될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 면적을 가지는 제1 투과부(320) 및 상기 제1 면적보다 큰 상기 제2 면적을 가지는 제2 투과부(330)를 포함하는 상기 슬릿 마스크를 이용하여, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에서 각각 상기 제1 두께(T1) 및 상기 제2 두께(T2)를 가지는 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성할 수 있고, 상기 소스/드레인층(150) 및 상기 게이트층(120)을 노출시킬 수 있다. 따라서, 상기 게이트층(120)이 노출되지 않음으로 인한 상기 기판(100)의 불량을 감소시킬 수 있다.
실시예 3
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노광 마스크 및 기판을 나타내는 단면도이다.
본 실시예에 따른 도 5의 기판(100)은 이전의 실시예에 따른 도 1의 상기 기판(100)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1과 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 기판(100)은 상기 베이스 기판(110), 상기 게이트층(120), 상기 게이트 절연막(130), 상기 반도체층(140), 상기 소스/드레인층(150), 상기 패시베이션막(160), 상기 유기 절연막(170) 및 상기 도전 전극(180)을 포함한다.
상기 베이스 기판(110)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)을 포함한다. 상기 게이트층(120)은 상기 베이스 기판(110) 상에 형성되고, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 게이트 절연막(130)은 상기 게이트층(120) 상에 형성되고, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 반도체층(140)은 상기 게이트 절연막(130) 상에 형성된다. 상기 반도체층(140)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 반도체층(140)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 소스/드레인층(150)은 상기 반도체층(140) 상에 형성된다. 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 패시베이션막(160)은 상기 소스/드레인층(160) 및 상기 게이트 절연막(130) 상에 형성된다. 상기 패시베이션막(160)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다.
상기 유기 절연막(170)은 상기 패시베이션막(160) 상에 형성된다. 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 반도체층(140) 및 상기 소스/드레인층(150)이 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에 형성되지 않으므로, 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에서 상기 단차를 형성한다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)를 가지고, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(130) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가진다.
상기 유기 절연막(170)에는 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)이 형성된다. 상기 제1 콘택홀(191)은 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)을 노출하고, 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 제2 콘택홀(192)의 크기는 상기 제1 콘택홀(191)의 크기보다 크거나 같다. 구체적으로, 상기 제2 콘택홀(192)에서 상기 도전 전극(180)이 상기 게이트층(120)과 접하는 부분의 크기는 상기 제1 콘택홀(191)에서 상기 도전 전극(180)이 상기 소소/드레인층(150)과 접하는 부분의 크기보다 크거나 같다.
상기 노광 마스크(400)는 상기 기판(100)의 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하기 위해 이용된다. 구체적으로, 상기 유기 절연막(170)이 형성된 후, 상기 유기 절연막(170) 상에 상기 노광 마스크(400)를 배치하고, 상기 유기 절연막(170)에 상기 광(UV)을 선택적으로 인가한다.
상기 노광 마스크(400)는 차단부(410), 제1 투과부(420) 및 제2 투과부(430)를 포함한다.
도 6a는 도 5에 도시된 상기 노광 마스크(400)의 상기 제1 투과부(420)를 나타내는 평면도이고, 도 6b는 도 5에 도시된 상기 노광 마스크(400)의 상기 제2 투과부(430)를 나타내는 평면도이다.
도 5 내지 6b를 참조하면, 상기 차단부(410)는 상기 광(UV)이 상기 유기 절연막(170)으로 인가되지 않도록 상기 광(UV)을 차단한다. 상기 차단부(410)는 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)이 형성되지 않는 영역에 대응하여 배치된다. 따라서, 상기 차단부(410)는 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에 인접하여 배치된다. 상기 차단부(410)는 크롬 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 투과부(420)는 상기 제1 영역(A1)에 배치되고, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 유기 절연막(170) 및 상기 패시베이션막(160)이 식각되고, 상기 소스/드레인층(150)을 노출하는 상기 제1 콘택홀(191)이 형성된다.
상기 제2 투과부(430)는 상기 제2 영역(A2)에 배치되고, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 유기 절연막(170), 상기 패시베이션막(160) 및 상기 게이트 절연막(130)이 식각되고, 상기 게이트층(120)을 노출하는 상기 제2 콘택홀(192)이 형성된다.
상기 제1 투과부(420)는 제1 반투과막을 포함하고, 상기 제2 투과부(430)는 제2 반투과막을 포함한다. 따라서, 상기 노광 마스크(400)는 반투과 마스크일 수 있다.
상기 소스/드레인층(150) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)를 가지고, 상기 게이트층(120) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가진다. 그러므로, 상기 제1 콘택홀(191)을 형성하는 상기 광(UV)의 에너지 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하는 상기 광(UV)의 에너지가 서로 동일할 경우, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)은 노출되지만 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)이 노출되지 않을 수 있다.
하지만, 상기 제1 투과부(420)는 제1 투과율을 가지고, 상기 제2 투과부(430)는 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가진다. 구체적으로, 상기 제1 투과부(420)에 포함된 상기 제1 반투과막은 상기 제1 투과율을 가지고, 상기 제2 투과부(430)에 포함된 상기 제2 반투과막은 상기 제1 투과율보다 높은 상기 제2 투과율을 가진다.
그러므로, 상기 제1 투과부(420)를 투과하는 상기 광(UV)의 제1 에너지보다 상기 제2 투과부(430)를 투과하는 상기 광(UV)의 제2 에너지가 더 크다. 따라서, 상기 제1 콘택홀(191)은 상기 제1 크기를 가지고, 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 제1 크기보다 큰 상기 제2 크기를 가지며, 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)를 가지고 상기 게이트층(120) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가지더라도 상기 게이트층(120)이 노출될 수 있다.
상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)이 배치되는 방향으로 상기 제1 투과부(420)의 제1 길이 및 상기 제2 투과부(430)의 제2 길이는 서로 동일할 수 있다. 또한, 상기 제1 투과부(420)의 제1 면적 및 상기 제2 투과부(430)의 제2 면적은 서로 동일할 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)이 배치되는 방향으로 상기 제1 투과부(420)는 상기 제1 길이를 가지고, 상기 제2 투과부(420)는 상기 제1 길이보다 긴 상기 제2 길이를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 투과부(420)는 상기 제1 면적을 가지고, 상기 제2 투과부(430)는 상기 제1 면적보다 큰 상기 제2 면적을 가질 수 있다.
본 실시예에서는, 상기 제1 투과부(420)가 상기 제1 반투과막을 포함하고, 상기 제2 투과부(430)가 상기 제2 반투과막을 포함하지만, 이에 한정하지 아니한다. 예를 들면, 상기 제1 투과부(420)는 상기 제1 반투과막을 포함하고, 상기 제2 투과부(430)는 상기 제2 반투과막을 포함하지 않을 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 투과율을 가지는 제1 투과부(420) 및 상기 제1 투과율보다 큰 상기 제2 투과율을 가지는 제2 투과부(430)를 포함하는 상기 반투과 마스크를 이용하여, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에서 각각 상기 제1 두께(T1) 및 상기 제2 두께(T2)를 가지는 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성할 수 있고, 상기 소스/드레인층(150) 및 상기 게이트층(120)을 노출시킬 수 있다. 따라서, 상기 게이트층(120)이 노출되지 않음으로 인한 상기 기판(100)의 불량을 감소시킬 수 있다.
실시예 4
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노광 마스크 및 기판을 나타내는 단면도이다.
본 실시예에 따른 도 7의 기판(100)은 이전의 실시예에 따른 도 1의 상기 기판(100)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1과 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 기판(100)은 상기 베이스 기판(110), 상기 게이트층(120), 상기 게이트 절연막(130), 상기 반도체층(140), 상기 소스/드레인층(150), 상기 패시베이션막(160), 상기 유기 절연막(170) 및 상기 도전 전극(180)을 포함한다.
상기 베이스 기판(110)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)을 포함한다. 상기 게이트층(120)은 상기 베이스 기판(110) 상에 형성되고, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 게이트 절연막(130)은 상기 게이트층(120) 상에 형성되고, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 반도체층(140)은 상기 게이트 절연막(130) 상에 형성된다. 상기 반도체층(140)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 반도체층(140)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 소스/드레인층(150)은 상기 반도체층(140) 상에 형성된다. 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 패시베이션막(160)은 상기 소스/드레인층(160) 및 상기 게이트 절연막(130) 상에 형성된다. 상기 패시베이션막(160)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다.
상기 유기 절연막(170)은 상기 패시베이션막(160) 상에 형성된다. 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 반도체층(140) 및 상기 소스/드레인층(150)이 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에 형성되지 않으므로, 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에서 상기 단차를 형성한다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)를 가지고, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(130) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가진다.
상기 유기 절연막(170)에는 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)이 형성된다. 상기 제1 콘택홀(191)은 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)을 노출하고, 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 제2 콘택홀(192)의 크기는 상기 제1 콘택홀(191)의 크기보다 크거나 같다. 구체적으로, 상기 제2 콘택홀(192)에서 상기 게이트층(120)과 접하는 부분의 크기는 상기 제1 콘택홀(191)에서 상기 소소/드레인층(150)과 접하는 부분의 크기보다 크거나 같다.
상기 노광 마스크(500)는 상기 기판(100)의 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하기 위해 이용된다. 구체적으로, 상기 유기 절연막(170)이 형성된 후, 상기 유기 절연막(170) 상에 상기 노광 마스크(500)를 배치하고, 상기 유기 절연막(170)에 상기 광(UV)을 선택적으로 인가한다.
상기 노광 마스크(500)는 차단부(510), 제1 투과부(520) 및 제2 투과부(530)를 포함한다.
도 8a는 도 7에 도시된 상기 노광 마스크(500)의 상기 제1 투과부(520)를 나타내는 평면도이고, 도 8b는 도 7에 도시된 상기 노광 마스크(500)의 상기 제2 투과부(530)를 나타내는 평면도이다.
도 7 내지 8b를 참조하면, 상기 차단부(510)는 상기 광(UV)이 상기 유기 절연막(170)으로 인가되지 않도록 상기 광(UV)을 차단한다. 상기 차단부(510)는 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)이 형성되지 않는 영역에 대응하여 배치된다. 따라서, 상기 차단부(510)는 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에 인접하여 배치된다. 상기 차단부(410)는 크롬 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 투과부(520)는 상기 제1 영역(A1)에 배치되고, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 유기 절연막(170) 및 상기 패시베이션막(160)이 식각되고, 상기 소스/드레인층(150)을 노출하는 상기 제1 콘택홀(191)이 형성된다.
상기 제2 투과부(530)는 상기 제2 영역(A2)에 배치되고, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 유기 절연막(170), 상기 패시베이션막(160) 및 상기 게이트 절연막(130)이 식각되고, 상기 게이트층(120)을 노출하는 상기 제2 콘택홀(192)이 형성된다.
상기 제1 투과부(520)는 제1 반투과막을 포함하고, 상기 제2 투과부(430)는 제2 반투과막을 포함한다. 따라서, 상기 노광 마스크(400)는 반투과 마스크일 수 있다. 또한, 각각의 상기 제1 투과부(520) 및 상기 제2 투과부(530)는 슬릿을 포함한다. 따라서, 상기 노광 마스크(500)는 슬릿 마스크일 수 있다.
상기 소스/드레인층(150) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)를 가지고, 상기 게이트층(120) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가진다. 그러므로, 상기 제1 콘택홀(191)을 형성하는 상기 광(UV)의 에너지 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하는 상기 광(UV)의 에너지가 서로 동일할 경우, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)은 노출되지만 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)이 노출되지 않을 수 있다.
하지만, 상기 제1 투과부(520)는 제1 투과율을 가지고, 상기 제2 투과부(530)는 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가진다. 구체적으로, 상기 제1 투과부(520)에 포함된 상기 제1 반투과막은 상기 제1 투과율을 가지고, 상기 제2 투과부(530)에 포함된 상기 제2 반투과막은 상기 제1 투과율보다 높은 상기 제2 투과율을 가진다.
그러므로, 상기 제1 투과부(520)를 투과하는 상기 광(UV)의 제1 에너지보다 상기 제2 투과부(530)를 투과하는 상기 광(UV)의 제2 에너지가 더 크다. 따라서, 상기 제1 콘택홀(191)은 상기 제1 크기를 가지고, 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 제1 크기보다 큰 상기 제2 크기를 가지며, 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)를 가지고 상기 게이트층(120) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가지더라도 상기 게이트층(120)이 노출될 수 있다.
상기 제1 투과부(420)의 제1 면적 및 상기 제2 투과부(430)의 제2 면적은 서로 동일할 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 투과부(420)는 상기 제1 면적을 가지고, 상기 제2 투과부(430)는 상기 제1 면적보다 큰 상기 제2 면적을 가질 수 있다.
본 실시예에서는, 상기 제1 투과부(420)가 상기 제1 반투과막을 포함하고, 상기 제2 투과부(430)가 상기 제2 반투과막을 포함하지만, 이에 한정하지 아니한다. 예를 들면, 상기 제1 투과부(420)는 상기 제1 반투과막을 포함하고, 상기 제2 투과부(430)는 상기 제2 반투과막을 포함하지 않을 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 투과율을 가지고 상기 슬릿이 형성된 제1 투과부(520) 및 상기 제1 투과율보다 큰 상기 제2 투과율을 가지고 상기 슬릿이 형성된 제2 투과부(530)를 포함하는 상기 반투과 마스크를 이용하여, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에서 각각 상기 제1 두께(T1) 및 상기 제2 두께(T2)를 가지는 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성할 수 있고, 상기 소스/드레인층(150) 및 상기 게이트층(120)을 노출시킬 수 있다. 따라서, 상기 게이트층(120)이 노출되지 않음으로 인한 상기 기판(100)의 불량을 감소시킬 수 있다.
실시예 5
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노광 마스크 및 기판을 나타내는 단면도이다.
본 실시예에 따른 도 9의 기판(100)은 이전의 실시예에 따른 도 1의 상기 기판(100)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1과 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 기판(100)은 상기 베이스 기판(110), 상기 게이트층(120), 상기 게이트 절연막(130), 상기 반도체층(140), 상기 소스/드레인층(150), 상기 패시베이션막(160), 상기 유기 절연막(170) 및 상기 도전 전극(180)을 포함한다.
상기 베이스 기판(110)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)을 포함한다. 상기 게이트층(120)은 상기 베이스 기판(110) 상에 형성되고, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 게이트 절연막(130)은 상기 게이트층(120) 상에 형성되고, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 반도체층(140)은 상기 게이트 절연막(130) 상에 형성된다. 상기 반도체층(140)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 반도체층(140)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 소스/드레인층(150)은 상기 반도체층(140) 상에 형성된다. 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 패시베이션막(160)은 상기 소스/드레인층(160) 및 상기 게이트 절연막(130) 상에 형성된다. 상기 패시베이션막(160)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다.
상기 유기 절연막(170)은 상기 패시베이션막(160) 상에 형성된다. 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 반도체층(140) 및 상기 소스/드레인층(150)이 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에 형성되지 않으므로, 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에서 상기 단차를 형성한다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)를 가지고, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(130) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가진다.
상기 유기 절연막(170)에는 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)이 형성된다. 상기 제1 콘택홀(191)은 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)을 노출하고, 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)을 노출한다. 상기 제2 콘택홀(192)의 크기는 상기 제1 콘택홀(191)의 크기보다 크거나 같다. 구체적으로, 상기 제2 콘택홀(192)에서 상기 게이트층(120)과 접하는 부분의 크기는 상기 제1 콘택홀(191)에서 상기 소소/드레인층(150)과 접하는 부분의 크기보다 크거나 같다.
상기 노광 마스크(600)는 상기 기판(100)의 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하기 위해 이용된다. 구체적으로, 상기 유기 절연막(170)이 형성된 후, 상기 유기 절연막(170) 상에 상기 노광 마스크(600)를 배치하고, 상기 유기 절연막(170)에 상기 광(UV)을 선택적으로 인가한다.
상기 노광 마스크(600)는 차단부(610), 제1 투과부(620) 및 제2 투과부(630)를 포함한다.
도 10a는 도 9에 도시된 상기 노광 마스크(600)의 상기 제1 투과부(620)를 나타내는 평면도이고, 도 10b는 도 9에 도시된 상기 노광 마스크(600)의 상기 제2 투과부(630)를 나타내는 평면도이다.
도 9 내지 10b를 참조하면, 상기 차단부(610)는 상기 광(UV)이 상기 유기 절연막(170)으로 인가되지 않도록 상기 광(UV)을 차단한다. 상기 차단부(610)는 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)이 형성되지 않는 영역에 대응하여 배치된다. 따라서, 상기 차단부(610)는 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에 인접하여 배치된다. 상기 차단부(610)는 크롬 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 투과부(620)는 상기 제1 영역(A1)에 배치되고, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 유기 절연막(170) 및 상기 패시베이션막(160)이 식각되고, 상기 소스/드레인층(150)을 노출하는 상기 제1 콘택홀(191)이 형성된다.
상기 제2 투과부(630)는 상기 제2 영역(A2)에 배치되고, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 유기 절연막(170), 상기 패시베이션막(160) 및 상기 게이트 절연막(130)이 식각되고, 상기 게이트층(120)을 노출하는 상기 제2 콘택홀(192)이 형성된다.
각각의 상기 제1 투과부(620) 및 상기 제2 투과부(630)는 슬릿을 포함한다. 따라서, 상기 노광 마스크(600)는 슬릿 마스크일 수 있다.
상기 소스/드레인층(150) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)를 가지고, 상기 게이트층(120) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가진다. 그러므로, 상기 제1 콘택홀(191)을 형성하는 상기 광(UV)의 에너지 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하는 상기 광(UV)의 에너지가 서로 동일할 경우, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)은 노출되지만 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)이 노출되지 않을 수 있다.
하지만, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)이 배치되는 방향으로 상기 노광 마스크(600)의 상기 제1 투과부(620)는 제1 길이를 가지고, 상기 노광 마스크(600)의 상기 제2 투과부(620)는 상기 제1 길이보다 긴 제2 길이를 가진다. 또한, 상기 제1 투과부(620)는 제1 면적을 가지고, 상기 제2 투과부(630)는 상기 제1 면적보다 큰 제2 면적을 가진다. 또한, 상기 제1 투과부(620)에 포함된 상기 슬릿의 개수보다 상기 제2 투과부(630)에 포함된 상기 슬릿의 개수가 더 많다.
그러므로, 상기 제1 투과부(620)를 투과하는 상기 광(UV)의 제1 에너지보다 상기 제2 투과부(630)를 투과하는 상기 광(UV)의 제2 에너지가 더 크다. 따라서, 상기 제1 콘택홀(191)은 상기 제1 크기를 가지고, 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 제1 크기보다 큰 상기 제2 크기를 가지며, 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)를 가지고 상기 게이트층(120) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가지더라도 상기 게이트층(120)이 노출될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 면적을 가지고 상기 슬릿을 포함하는 제1 투과부(620) 및 상기 제1 면적보다 큰 상기 제2 면적을 가지고 상기 제1 투과부(620)에 포함된 상기 슬릿의 개수보다 많은 개수의 상기 슬릿을 포함하는 제2 투과부(630)를 포함하는 상기 슬릿 마스크를 이용하여, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에서 각각 상기 제1 두께(T1) 및 상기 제2 두께(T2)를 가지는 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성할 수 있고, 상기 소스/드레인층(150) 및 상기 게이트층(120)을 노출시킬 수 있다. 따라서, 상기 게이트층(120)이 노출되지 않음으로 인한 상기 기판(100)의 불량을 감소시킬 수 있다.
실시예 6
도 11a 내지 11c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
본 실시예에 따른 상기 기판(100)은 이전의 실시예에 따른 도 1의 상기 기판(100)과 실질적으로 동일하다. 또한, 본 실시예에 따른 노광 마스크(200)는 이전의 실시예에 따른 도 1의 상기 노광 마스크(200)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1과 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 11a를 참조하면, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)을 포함하는 상기 베이스 기판(110) 상에 상기 게이트층(120)을 형성한다. 상기 게이트층(120)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다.
상기 게이트층(120) 상에 상기 게이트 절연막(130)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(130)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다.
상기 게이트 절연막(130) 상에 상기 반도체층(140)을 형성한다. 상기 반도체층(140)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 반도체층(140)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다.
상기 반도체층(140) 상에 상기 소스/드레인층(150)을 형성한다. 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 소스/드레인층(150)은 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트층(120)을 노출한다.
상기 소스/드레인층(150) 및 상기 게이트 절연막(130) 상에 상기 패시베이션막(160)을 형성한다. 상기 패시베이션막(160)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다.
상기 패시베이션막(160) 상에 상기 유기 절연막(170)을 형성한다. 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에 형성된다. 상기 반도체층(140) 및 상기 소스/드레인층(150)이 상기 제1 영역(A1)에 형성되고 상기 제2 영역(A2)에 형성되지 않으므로, 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에서 단차를 형성한다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 제1 두께(T1)를 가지고, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(130) 상에 배치된 상기 유기 절연막(170)은 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 제2 두께(T2)를 가진다.
도 11b를 참조하면, 상기 유기 절연막(170) 상에 상기 노광 마스크(200)를 배치한다. 상기 노광 마스크(200)는 차단부(210), 제1 투과부(220) 및 제2 투과부(230)를 포함한다.
상기 차단부(210)는 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 경계에 인접하여 배치된다.
상기 제1 투과부(220)는 상기 제1 면적을 가지고, 상기 제1 영역(A1)에 배치된다. 상기 제1 투과부(220)는 상기 제1 영역(A1)에서 상기 소스/드레인층(150)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 유기 절연막(170) 및 상기 패시베이션막(160)이 식각되고, 상기 소스/드레인층(150)을 노출하는 상기 제1 콘택홀(191)이 형성된다.
상기 제2 투과부(230)는 상기 제1 면적보다 큰 상기 제2 면적을 가지고, 상기 제2 영역(A2)에 배치된다. 상기 제2 투과부(230)는 상기 제2 영역(A2)에서 상기 게이트층(120)을 노출시키기 위해 상기 광(UV)을 투과시킨다. 따라서, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 유기 절연막(170), 상기 패시베이션막(160) 및 상기 게이트 절연막(130)이 식각되고, 상기 게이트층(120)을 노출하는 상기 제2 콘택홀(192)이 형성된다.
상기 제1 투과부(220)의 상기 제1 면적보다 상기 제2 투과부(230)의 상기 제2 면적이 더 크므로, 상기 제1 투과부(220)를 투과하는 상기 광(UV)의 상기 제1 에너지보다 상기 제2 투과부(230)를 투과하는 상기 광(UV)의 상기 제2 에너지가 더 크다. 따라서, 상기 제1 콘택홀(191)은 제1 크기를 가지고, 상기 제2 콘택홀(192)은 상기 제1 크기보다 크거나 같은 제2 크기를 가지며, 상기 소스/드레인층(150) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)를 가지고 상기 게이트층(120) 상에 배치되는 상기 유기 절연막(170)이 상기 제1 두께(T1)보다 두꺼운 상기 제2 두께(T2)를 가지더라도 상기 게이트층(120)이 노출될 수 있다. 즉, 상기 제2 콘택홀(192)에서 상기 게이트층(120)과 접하는 부분의 크기는 상기 제1 콘택홀(191)에서 상기 소소/드레인층(150)과 접하는 부분의 크기보다 크거나 같다.
도 11c를 참조하면, 상기 유기 절연막(170) 상에 상기 도전 전극(180)을 형성한다. 구체적으로, 상기 도전 전극(180)이 상기 제1 영역(A1)의 상기 유기 절연막(170)에 형성되어 상기 소스/드레인층(150)을 노출하는 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 영역(A2)의 상기 유기 절연막(170)에 형성되어 상기 게이트층(120)을 노출하는 상기 제2 콘택홀(192)을 통해 상기 소스/드레인층(150) 및 상기 게이트층(120)을 전기적으로 연결하도록 상기 도전 전극(180)을 형성한다. 따라서, 상기 기판(100)이 형성된다.
본 실시예에서는, 상기 기판(100)의 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하는 공정에서 도 1의 상기 노광 마스크(200)가 이용되었으나, 이에 한정하지 아니한다. 예를 들면, 상기 기판(100)의 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성하는 공정에서 도 3의 상기 노광 마스크(300), 도 5의 상기 노광 마스크(400), 도 7의 상기 노광 마스크(500) 및 도 9의 상기 노광 마스크(600) 중 적어도 하나가 이용될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 광(UV)의 상기 제1 에너지를 투과하는 상기 제1 투과부(220) 및 상기 제1 에너지보다 큰 상기 광(UV)의 상기 제2 에너지를 투과하는 상기 제2 투과부(230)를 포함하는 상기 노광 마스크(200)를 이용하여, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)에서 각각 상기 제1 두께(T1) 및 상기 제2 두께(T2)를 가지는 상기 유기 절연막(170)에 상기 제1 콘택홀(191) 및 상기 제2 콘택홀(192)을 형성할 수 있고, 상기 소스/드레인층(150) 및 상기 게이트층(120)을 노출시킬 수 있다. 따라서, 상기 게이트층(120)이 노출되지 않음으로 인한 상기 기판(100)의 불량을 감소시킬 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 표시 패널 구동 방법, 이를 수행하기 위한 표시 패널 구동 장치 및 이 표시 패널 구동 장치를 포함하는 표시 장치에 의하면, 사용자가 이동하더라도 3차원 입체 영상 크로스토크의 발생을 감소시킬 수 있으므로, 3차원 입체 영상을 표시하는 표시 장치의 표시 품질이 향상될 수 있다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 400: 표시 장치 110, 410: 표시 패널 어셈블리
120, 420: 표시 패널 130, 430: 배리어부
150: 타이밍 제어부 200, 500: 구동부
210: 데이터 구동부 220: 게이트 구동부
300, 600: 움직임 구동부 310, 610: 촬영부
330, 630: 사용자 위치 데이터 출력부
350, 650: 움직임 제어부 352, 652: 메모리
354, 654: 비교부 356, 656: 계산부

Claims (15)

  1. 베이스 기판 상에 제1 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 도전층 상에 제1 절연막을 형성하는 단계;
    상기 제1 절연막 상에 제2 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제2 도전층 상에 유기 절연막을 형성하는 단계;
    상기 유기 절연막 및 상기 제1 절연막을 통해 상기 제1 도전층을 노출하는 제1 콘택홀 및 상기 유기 절연막을 통해 상기 제2 도전층을 노출하는 제2 콘택홀을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 절연막 상에 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 제1 도전층과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 제2 도전층과 전기적으로 연결되는 도전 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 콘택홀에서 상기 제1 도전층과 상기 도전 전극이 접하는 면적의 크기는 상기 제2 콘택홀에서 상기 제2 도전층과 상기 도전 전극이 접하는 면적의 크기보다 같고,
    상기 유기 절연막은 상기 제2 도전층과 중첩하는 부분에서 제2 두께를 갖고, 상기 제2 도전층과 중첩하지 않는 부분에서 상기 제2 두께와 다른 제1 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전층은 상기 제2 도전층과 부분적으로 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유기 절연막을 형성하는 단계 전에,
    상기 제1 및 제2 도전층 상에 패시베이션막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 및 제2 콘택홀을 형성하는 단계에서는,
    상기 유기 절연막, 상기 패시베이션막 및 상기 제1 절연막을 통해 상기 제1 도전층을 노출하는 상기 제1 콘택홀 및 상기 유기 절연막 및 상기 패시베이션막을 통해 상기 제2 도전층을 노출하는 상기 제2 콘택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 콘택홀의 깊이는 상기 제2 콘택홀의 깊이 보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층은 비표시 영역인 주변 영역에 배치되는 게이트 구동부의 회로 배선을 포함하고,
    상기 제1 도전층은 영상이 표시되는 표시 영역에 배치되는 게이트 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 콘택홀을 형성하는 단계는
    제1 에너지가 투과하는 제1 투과부, 상기 제1 에너지보다 작은 상기 제2 에너지가 투과하는 제2 투과부, 및 상기 제1 투과부와 상기 제2 투과부 사이에 광을 차단하는 차단부를 포함하는 노광 마스크를 배치하는 단계; 및
    상기 노광 마스크를 통해 상기 광을 상기 유기 절연막으로 인가하여, 상기 제1 투과부에 대응하여 상기 제1 콘택홀 및 상기 제2 투과부에 대응하여 상기 제2 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 투과부는 제1 투과율을 가지는 제1 반투과막을 포함하고, 상기 제2 투과부는 상기 제1 투과율보다 낮은 제2 투과율을 가지는 제2 반투과막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 투과부의 제1 면적 및 상기 제2 투과부의 제2 면적은 서로 동일한 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1 투과부는 제1 면적을 가지고, 상기 제2 투과부는 상기 제1 면적보다 작은 제2 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서, 각각의 상기 제1 투과부 및 상기 제2 투과부는 슬릿을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 투과부에 포함된 상기 슬릿의 개수는 상기 제2 투과부에 포함된 상기 슬릿의 개수보다 많은 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 슬릿을 형성하는 부분에서, 상기 광을 차단하는 라인의 폭은 1.3 μm이고, 상기 광을 투과시키는 스페이스의 폭은 1.3 μm인 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  13. 제6항에 있어서,
    상기 제1 투과부 면적과 상기 제2 투과부의 면적은 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 콘택홀을 형성하는 단계에서,
    노광 마스크를 배치하는 단계; 및
    상기 노광 마스크를 통해 광을 상기 유기 절연막으로 인가하여, 상기 제1 콘택홀 및 상기 제2 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 콘택홀을 형성하기 위해 노광되는 면적과 상기 제2는 콘택홀을 형성하기 위해 노광되는 면적은 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
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