KR101054339B1 - 다결정용 마스크 및 이를 이용한 규소 결정화 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 규소 결정화 방법은 절연 기판 위에 비정질 규소층을 증착하는 단계, 레이저빔을 투과시키는 투과 영역과 투과 영역 내에 형성되어 있는 반사선으로 포함하여 이루어진 슬릿 패턴을 가지는 다결정용 마스크를 이용하여 결정화 공정을 진행하여 비정질 규소층을 다결정 규소층으로 결정화하는 단계를 포함한다.
마스크, 투과 슬릿, 반사선, 결정화, 레이저
Description
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 다결정용 마스크를 도시한 도면이고,
도 2는 종래 기술에 따른 다결정용 마스크를 통해 비정질 규소막에 주사되는 레이저의 에너지 공간 밀도 프로파일을 도시한 도면이고,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다결정용 마스크를 통해 비정질 규소막에 주사되는 레이저의 에너지 공간 밀도 분포 프로파일을 도시한 도면이고,
도 4는 도 2 및 도 3에 도시한 레이저의 에너지 공간 밀도 프로파일에 따른 결정의 성장 길이를 비교하여 나타낸 시뮬레이션 결과 그래프이고,
도 5는 레이저를 조사하여 비정질 규소를 다결정 규소로 결정화하는 순차적 고상 결정 공정을 개략적으로 도시한 도면이고,
도 6은 순차적 측면 결정화 공정을 통하여 비정질 규소가 다결정 규소로 결정화되는 과정에서 다결정 규소의 미세 구조를 도시한 도면이고,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,
도 8a 및 도 8b는 각각 도 7의 VIIIa-VIIIa' 선 및 VIIIb-VIIIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 9, 도 11, 도 13, 도 15 및 도 17은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 배치도로서, 공정 순서대로 나열한 도면이고,
도 10a 및 도 10b는 각각 도 9의 Xa-Xa' 선 및 Xb-Xb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 12a 및 도 12b는 각각 도 11의 XIIa-XIIa' 선 및 XIIb-XIIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 14a 및 도 14b는 각각 도 13의 XIVa-XIVa' 선 및 XIVb-XIVb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 16a 및 도 16b는 각각 도 15의 XVIa-XVIa' 선 및 XVIb-XVIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 18a 및 도 18b는 각각 도 17의 XVIIIa-XVIIIa' 선 및 XVIIIb-XVIIIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
본 발명은 박막 트랜지스터 표시판의 다결정 규소층을 형성하는 마스크 및 이를 이용한 규소 결정화 방법에 관한 것이다.
일반적으로 규소는 결정 상태에 따라 비정질 규소(amorphous silicon)와 결 정질 규소(crystalline silicon)로 나눌 수 있다. 비정질 규소는 낮은 온도에서 증착하여 박막(thin film)을 형성하는 것이 가능하여, 주로 낮은 용융점을 가지는 유리를 기판으로 사용하는 액정 패널(liquid crystal panel)의 스위칭 소자에 많이 사용한다.
그러나 비정질 규소 박막은 낮은 전계 효과 이동도 등의 문제점으로 표시 소자의 대면적화에 어려움이 있다. 그래서 높은 전계 효과 이동도와 고주파 동작 특성 및 낮은 누설 전류(leakage current) 의 전기적 특성을 가진 다결정 규소(poly crystalline silicon)의 응용이 요구되고 있다.
다결정 규소를 이용한 박막의 전기적 특성은 입자(grain)의 크기 및 균일성(uniformity)에 큰 영향을 받는다. 즉, 입자의 크기 및 균일성이 증가함에 따라 전계 효과 이동도도 따라 증가한다. 따라서 입자를 크게 하면서도 균일한 다결정 규소를 형성하는 방법에 관심이 높아지고 있다.
다결정 규소를 형성하는 방법에는 ELA(eximer laser anneal), 로 열처리 (chamber annal) 등이 있으며 최근에는 레이저로 규소 결정의 측면 성장을 유도하여 다결정 규소를 제조하는 SLS(sequential lateral solidification) 기술이 제안되었다.
이러한 SLS 기술은 규소 입자가 액상 규소와 고상 규소의 경계면에서 그 경계면에 대하여 수직 방향으로 성장한다는 사실을 이용한 것으로, 레이저빔 에너지의 크기와 레이저빔의 조사 범위의 이동을 광계(optic system) 및 마스크를 이용하여 적절하게 조절하여 규소 입자를 소정의 길이만큼 측면 성장 시킴으로서 비정질 규소를 결정화하는 것이다.
즉, 레이저빔을 슬릿 모양을 가지는 마스크의 투과 영역을 통과시켜 비정질 규소를 완전히 녹여 슬릿 모양의 액상 영역을 형성한다. 이어서, 액상의 비정질 규소는 냉각되면서 결정화가 이루어지는데, 결정은 레이저가 조사되지 않은 고상 영역과 액상 영역의 경계면에서부터 성장하고, 그 경계면에 대하여 수직 방향으로 성장한다. 그리고, 입자들의 성장은 액상 영역의 중앙에서 서로 만나면 멈추게 된다.
여기서 마스크는 다수개의 직사각형 모양의 슬릿이 일정한 간격으로 배열되어 있는 두 개의 슬릿 열을 가지며 각 열의 슬릿은 서로 엇갈리도록 배열되어 있다. 이러한 마스크 패턴을 이용하여 기판 전체에 다결정 규소를 형성하기 위해서는 레이저빔을 조사한 후 마스크 패턴을 이동하여 재조사하는 공정을 다수 회 실시하게 된다. 이때 결정화 공정은 마스크를 기판의 X축 방향으로 소정 거리만큼 연속적으로 이동하면서 레이저빔을 조사하여 이루어지며, 이러한 공정은 기판의 Y축 방향으로 반복적으로 실시하여 전면적으로 비정질 규소를 다결정 규소로 결정화한다.
그런데, 이러한 슬릿 모양을 가지는 마스크의 투과 영역을 통과시켜 레이저빔을 조사하게 되면, 투과 영역의 너비에 따라 마스크의 투과 영역을 통과하는 레이저빔의 에너지 공간 밀도가 불균일하다. 따라서, 레이저빔의 에너지가 불균일하게 조사되는 부분에서는 결정의 성장 길이 및 서로 이웃하는 결정과의 중첩 상태 따위가 불균일하다.
이처럼 결정이 불균일하게 성장한 부분에 박막 트랜지스터의 채널부가 위치하는 경우에는 박막 트랜지스터의 특성이 저하되며, 이로 인하여 표시 장치의 화질이 고르지 못하게 되며 유기 발광 표시 장치의 경우에는 더욱 그러하다. 유기 발광 표시 장치는 흐르는 전류에 의해 빛을 내는 유기 물질을 이용한 표시 장치로 다결정의 균일성에 따라 전류의 흐름이 민감하게 반응하기 때문이다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서 균일한 결정을 가지는 다결정 규소층을 형성할 수 있는 다결정용 마스크를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는 다결정용 마스크를 이용하여 균일한 결정을 가지는 다결정 규소층을 형성하는 규소 결정화 방법을 제공한다.
이러한 과제를 달성하기 위해 본 발명에서는 다음과 같은 다결정용 마스크 및 이를 이용한 규소 결정화 방법을 마련한다.
보다 상세하게는 레이저빔을 투과시키는 투과 영역과 투과 영역의 내에 형성되어 있는 반사선을 포함하여 이루어진 슬릿 패턴을 가지는 다결정용 마스크를 마련한다.
또한 반사선은 상기 투과 영역의 크기 보다 작은 크기를 가지는 것이 바람직하다.
또한 반사선이 투과 영역 내부에 하나 이상 위치하는 것이 바람직하다.
또한 다결정용 마스크는 둘 이상의 슬릿 패턴이 슬릿 패턴의 Y축 길이만큼의 간격으로 Y축 방향으로 배열되어 있는 제1 그룹을 가지는 것이 바람직하다.
또한 다결정용 마스크는 제1 그룹과 동일한 패턴을 가지고, 슬릿 패턴의 Y축 길이의 1/2만큼 어긋나게 배열되어 있는 제2 그룹을 더 포함하는 것이 바람직하다.
다르게는 절연 기판 위에 비정질 규소층을 증착하는 단계, 레이저빔을 투과시키는 투과 영역과 투과 영역 내에 형성되어 있는 반사선으로 포함하여 이루어진 슬릿 패턴을 가지는 다결정용 마스크를 이용하여 결정화 공정을 진행하여 비정질 규소층을 다결정 규소층으로 결정화하는 단계를 포함하는 규소 결정화 방법을 마련한다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 위에 있다고 할 때, 이는 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 바로 위에 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이제 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 다결정용 마스크를 도시한 도면 이고, 도 2는 종래 기술에 따른 다결정용 마스크를 통해 비정질 규소막에 주사되는 레이저의 에너지 공간 밀도 프로파일을 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다결정용 마스크를 통해 비정질 규소막에 주사되는 레이저의 에너지 공간 밀도 분포 프로파일을 도시한 도면이고, 도 4는 도 2 및 도 3에 도시한 레이저의 에너지 공간 밀도 프로파일에 따른 결정의 성장 길이를 비교하여 나타낸 시뮬레이션 결과 그래프이다.
본 발명의 실시예에 따른 다결정용 마스크(300)에는 일정한 간격으로 배열되어 있으며 레이저빔을 투과시키는 투과 영역(310)이 형성되어 있고, 투과 영역(310)의 중심 일부분에는 레이저빔을 반사시키는 반사선(320)이 형성되어 있다. 이하에서는 투과 영역(310)과 반사선(320)을 합쳐 슬릿 패턴(330)이라 부르기로 한다. 다결정용 마스크(300)의 슬릿 패턴(330)은 도 1a 및 1b에서와 같이 다양한 형태로 배열할 수 있다(각각 제1 및 제2 실시예). 이하에서 도면의 상하 방향을 Y축 방향이라 하고 좌우 방향을 X축 방향이라 한다.
즉, 슬릿 패턴(330)은 1a에 도시한 바와 같이 Y축에 대해서 일정한 간격으로 배열할 수 있으며, 처음 조사(照射) 후 마스크를 Y축으로는 슬릿 패턴(330)의 Y축 길이의 1/2만큼 이동하고, X축으로는 슬릿 패턴(330)의 X축 길이만큼 이동하여 조사하는 제1 조사 과정, Y축으로는 슬릿 패턴(330)의 Y축 길이만큼 이동하며 X축으로는 이동하지 않고 조사하는 제2 조사 과정, Y축으로는 이동하지 않고 X축으로는 슬릿 패턴(330)의 X축 길이만큼 떨어진 위치까지 이동하여 조사하는 제3 조사 과정을 적절히 조합하여 다결정 규소층을 형성할 수 있다.
그리고 도 1b에 도시한 바와 같이, 다 수개의 슬릿 패턴(330)이 Y축에 대해서 일정한 간격으로 배열되어 있는 제1 열, 슬릿 패턴(330)이 Y축 길이의 1/2만큼 어긋나며 슬릿 패턴(330)의 X축 길이만큼 떨어져 위치하여 Y축에 대해서 일정한 간격으로 배열되어 있는 제2 열을 포함한다. 이러한 배열은 도 1a에 도시한 다결정용 마스크를 이용할 때보다 기판 전체에 대해서 조사하는 시간을 1/2로 줄일 수 있다. 이때는 처음 조사 후, 마스크를 Y축으로는 이동하지 않고 X축으로는 다결정용 마스크의 1/2만큼 이동하여 처음 조사시의 제1 열을 제2 열의 위치까지 이동하여 조사하는 제1 조사 과정, Y축으로는 이동하지 않고 X축으로는 슬릿 패턴(330)의 Y축 길이의 1/2만큼 이동하여 조사하는 제2 조사 과정을 적절히 조합하여 다결정 규소층을 형성할 수 있다. 도 1b에 도시한 다결정용 마스크를 이용한 다결정 규소층을 형성하는 과정은 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다.
이처럼 여러 형태의 다결정용 마스크(300)를 이용하여도 최종적으로 형성되는 다결정 규소층의 결정은 동일한 형태를 가지도록 형성된다.
보다 상세히 설명하면, 본 발명에 따른 슬릿 패턴(330)을 가지는 다결정용 마스크(300)를 이용하여 비정질 규소층에 레이저빔을 조사하면, 레이저빔이 슬릿 패턴(330)의 투과 영역(310)을 통과하는 과정에서 반사선(320)에 의해 회절한다. 즉, 단순히 투과 영역만을 가지는 마스크를 이용하여 레이저빔을 비정질 규소층에 조사하게 되면, 레이저빔의 에너지 공간 밀도가 가우시안 프로파일(gaussian profile)(도 2 참조)을 이루어 동일한 투과 영역에 대응하는 부분이라도 위치에 따라서 결정이 불균일하게 성장하는 반면에, 본 발명에 따른 슬릿 패턴을 이용하여 레이저빔을 비정질 규소층에 조사하게 되면, 레이저빔의 에너지 공간 밀도가 스퀘어 프로파일(square profile)(도3 참조)에 가깝게 형성되어 슬릿 패턴에 대응하는 비정질 규소층에서 결정이 보다 균일하게 성장한다.
또한 본 발명에 따른 슬릿 패턴을 가지는 마스크를 이용하여 결정화 공정을 진행하게 되면, 도 4에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 결정 보다 긴 성장 길이를 가지는 결정을 형성할 수 있다.
다음은 이러한 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소층을 본 발명의 제2 실시예에 따른 다결정용 마스크를 이용하여 형성하는 방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 5는 레이저를 조사하여 비정질 규소를 다결정 규소로 결정화하는 순차적 고상 결정 공정을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 6은 순차적 측면 결정화 공정을 통하여 비정질 규소가 다결정 규소로 결정화되는 과정에서 다결정 규소의 미세 구조를 도시한 도면이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 레이저빔을 투과시키는 투과 영역 (310)과 투과 영역(310)의 내에 위치하며, 레이저빔을 반사시키는 반사선(320)을 포함하는 슬릿 패턴(330)이 다수개 형성되어 있는 다결정용 마스크(300)를 통하여 레이저빔을 조사한다. 그리고, 절연 기판(110)의 상부에 형성되어 있는 비정질 규소층(150)을 국부적으로 완전히 녹여 투과 영역(310)에 대응하는 비정질 규소층(150)에 액상 영역(210)을 형성한다. 이때, 다결정 규소의 입자는 레이저가 조사된 액상 영역(210)과 레이저빔이 조사되지 않은 고상 영역(220)의 경계면(230)에서 각각 그 경계면에 대하여 수직 방향(도 6 참조, A방향)으로 성장한다. 입자들의 성장은 액상 영역(210)의 중앙(231)에서 서로 만나면 멈추게 된다.
도 6은 슬릿 패턴(330)이 형성되어 있는 다결정용 마스크(300)를 이용하여 순차적 측면 결정화 공정을 진행하였을 경우 형성되는 다결정 규소의 결정 구조를 나타낸 것으로 결정은 A 방향으로 성장하였음을 알 수 있으며, B 방향으로 다결정용 마스크의 이동을 다수 회 반복하여 스캔을 완료한다. 이러한 스캔 작업은 기판의 좌상부에서 우하부로 내려오는 지그재그 형태로 기판 전체에 진행된다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소층 및 이를 위한 다결정용 마스크는 다결정 규소층을 포함하는 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 동일하게 적용할 수 있으며, 이에 대하여 도면을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 8a 및 도 8b는 각각 도 5의 VIa-VIa' 선 및 VIb-VIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 7 내지 도 8b에 도시한 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 산화 규소 등으로 이루어진 차단층(111)이 형성되어 있고, 차단층(111) 위에 다결정 규소층(153a 154a, 155a, 153b, 154b, 155b, 157)이 형성되어 있다.
다결정 규소층(153a, 154a, 155a, 153b, 154b, 155b, 157)은 제1 트랜지스터부(153a, 154a, 155a), 제2 트랜지스터부(153b, 154b, 155b) 및 유지 전극부(157)를 포함한다. 제1 트랜지스터부(153a, 154a, 155a)의 소스 영역(제1 소스 영역, 153a)과 드레인 영역(제1 드레인 영역, 155a)은 n형 불순물로 도핑되어 있고, 제2 트랜지스터부(153b, 154b, 155b)의 소스 영역(제2 소스 영역, 153b)과 드레인 영역(제2 드레인 영역, 155b)은 p형 불순물로 도핑되어 있다. 이 때, 구동 조건에 따라서는 제1 소스 영역(153a) 및 드레인 영역(155a)이 p형 불순물로 도핑되고 제2 소스 영역(153b) 및 드레인 영역(155b)이 n형 불순물로 도핑될 수도 있다.
다결정 규소층(153a, 154a, 155a, 153b, 154b, 155b, 157) 위에는 산화 규소 또는 질화 규소로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 위에는 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 또는 이들의 합금 등의 금속으로 이루어진 게이트선(121)과 제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b) 및 유지 전극(133)이 형성되어 있다.
제1 게이트 전극(124a)은 게이트선(121)의 가지 모양으로 형성되어 있고 제1 트랜지스터의 채널 영역(제1 채널 영역, 154a)과 중첩하고 있으며, 제2 게이트 전극(124b)은 게이트선(121)과는 분리되어 있고 제2 트랜지스터의 채널 영역(제2 채널 영역, 154b)과 중첩하고 있다. 유지 전극(133)은 제2 게이트 전극(124b)과 연결되어 있고, 다결정 규소층의 유지 전극부(157)와 중첩되어 있다. 게이트선(121)의 한쪽 끝부분은 외부 구동 회로(도시하지 않음)로부터 전달되는 신호를 입력받기 위해서 게이트선(121)의 폭보다 넓게 형성할 수 있다.
게이트선(121)과 제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b) 및 유지 전극(133)의 위에는 층간 절연막(801)이 형성되어 있고, 층간 절연막(801) 위에는 제1 및 제2 데이터선(171a, 171b), 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b), 제1 및 제2 드레인 전 극(175a, 175b)이 형성되어 있다.
제1 소스 전극(173a)은 제1 데이터선(171a)의 분지로서 층간 절연막(801)과 게이트 절연막(140)을 관통하고 있는 접촉구(181)를 통하여 제1 소스 영역(153a)과 연결되어 있고, 제2 소스 전극(173b)은 제2 데이터선(171b)의 분지로서 층간 절연막(801)과 게이트 절연막(140)을 관통하고 있는 접촉구(184)를 통하여 제2 소스 영역(153b)과 연결되어 있다. 제1 드레인 전극(175a)은 층간 절연막(801)과 게이트 절연막(140)을 관통하고 있는 접촉구(182, 183)를 통하여 제1 드레인 영역(155a) 및 제2 게이트 전극(124b)과 접촉하여 이들을 연결하고 있고, 제2 드레인 전극(175b)은 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(801)을 관통하고 있는 접촉구(185)를 통하여 제2 드레인 영역(155b)과 연결되어 있다. 한편, 제2 데이터선(171b)은 유지 전극(133)과 중첩되어 있다.
그리고 데이터선(171a, 171b, 173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b) 위에는 제2 드레인 전극(175)을 노출하는 접촉구(186)를 가지는 층간 절연막(802)이 형성되어 있다.
층간 절연막(802) 위에는 접촉구(186)를 통해 제2 드레인 전극(175b)과 연결되어 있는 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 알루미늄 등의 반사성이 우수한 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 필요에 따라서는 화소 전극(190)을 ITO (Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium zinc Oxide) 등의 투명한 절연 물질로 형성할 수도 있다.
화소 전극(190) 위에는 유기 절연 물질로 이루어진 격벽(803)이 형성되어 있 다. 격벽(803)은 화소 전극(190) 주변을 둘러싸서 유기 발광층(70)이 채워질 영역을 한정하고 있다.
격벽(803)은 검정색 안료를 포함하는 감광제를 노광 및 현상하여 형성함으로써 차광막의 역할을 하도록 하고, 동시에 형성 공정도 단순화할 수 있다. 격벽(802)에 둘러싸인 화소 전극(190) 위의 영역에는 유기 발광층(70)이 형성되어 있다. 유기 발광층(70)은 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 빛을 내는 유기 물질로 이루어지며, 적색, 녹색 및 청색 유기 발광층(70)이 순서대로 반복적으로 배치되어 있다.
유기 발광층(70)과 격벽(803) 위에는 버퍼층(804)이 형성되어 있다. 버퍼층(804)은 필요에 따라서는 생략될 수 있다.
버퍼층(804) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있다. 만약 화소 전극(190)이 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어지는 경우에는 공통 전극(270)은 알루미늄 등의 반사성이 좋은 금속으로 형성한다.
한편, 도시하지는 않았으나 공통 전극(270)의 전도성을 보완하기 위하여 저항이 낮은 금속으로 보조 전극을 형성할 수도 있다. 보조 전극은 공통 전극(270)과 버퍼층(804) 사이 또는 공통 전극(270) 위에 형성할 수 있으며, 유기 발광층(70)과는 중첩하지 않도록 격벽(803)을 따라 매트릭스 모양으로 형성하는 것이 바람직하다. 여기서, 제2 데이터선(171b)은 정전압 전원에 연결되어 되어 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구동에 대하여 간단히 설명한다.
게이트선(121)에 온(on : 이하 온 이라함) 펄스가 인가되면 제1 트랜지스터가 온 되어 제1 데이터선(171a)을 통하여 인가되는 화상 신호 전압이 제2 게이트 전극(124b)으로 전달된다. 제2 게이트 전극(124b)에 화상 신호 전압이 인가되면 제2 트랜지스터가 온 되어 제2 데이터선(171b)을 통하여 전달되는 전류가 화소 전극(190)과 유기 발광층(70)을 통하여 공통 전극(270)으로 흐르게 된다. 유기 발광층(70)은 전류가 흐르면 특정 파장대의 빛을 방출한다. 흐르는 전류의 양에 따라 유기 발광층(70)이 방출하는 빛의 양이 달라져 휘도가 변하게 된다. 이 때, 제2 트랜지스터가 전류를 흘릴 수 있는 양은 제1 트랜지스터를 통하여 전달되는 화상 신호 전압의 크기에 의하여 결정된다.
이상 설명한 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법을 도 9 내지 도 18b 및 앞서 설명한 도 7 내지 도 8b를 참조하여 상세히 설명한다.
도 9, 도 11, 도 13, 도 15 및 도 17은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 배치도로서, 공정 순서대로 나열한 도면이고, 도 10a 및 도 10b는 각각 도 9의 Xa-Xa' 선 및 Xb-Xb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 12a 및 도 12b는 각각 도 11의 XIIa-XIIa' 선 및 XIIb-XIIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 14a 및 도 14b는 각각 도 13의 XIVa-XIVa' 선 및 XIVb-XIVb' 선 을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 16a 및 도 16b는 각각 도 15의 XVIa-XVIa' 선 및 XVIb-XVIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 18a 및 도 18b는 각각 도 17의 XVIIIa-XVIIIa' 선 및 XVIIIb-XVIIIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
먼저 도 9 내지 도 10b에 도시한 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 산화 규소 등을 증착하여 차단층(111)을 형성하고, 차단층(111) 위에 비정질 규소막을 증착한다. 비정질 규소막의 증착은 LPCVD(low temperature chemical vapor deposition), PECVE(plasma enhanced chemical vapor deposition) 또는 스퍼터링(sputtering)으로 진행할 수 있다. 이어서, 비정질 규소막을 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 다결정용 마스크를 이용한 결정화 방법으로 결정화하여 균일한 결정립을 가지는 다결정 규소막을 형성한다(도 5 및 도 6 참조).
다음, 다결정 규소막을 사진 식각 공정으로 패터닝하여 제1, 제2 트랜지스터부 및 유지 전극부(157)를 형성한다.
도 11 내지 도 12b에 도시한 바와 같이, 다결정 규소층(150a, 150b, 157) 위에 게이트 절연막(140)을 증착한다. 이어서, 금속을 증착하여 게이트용 금속막(120)을 형성한다. 이후 게이트용 금속막(120) 위에 감광막을 도포한 후 노광 및 현상하여 제1 감광막 패턴(PR1)을 형성한다.
다음으로 제1 감광막 패턴(PR1)을 마스크로 하여 게이트용 금속막(120)을 식각함으로써 제2 게이트 전극(124b)과 유지 전극(133)을 형성하고, 노출되어 있는 제2 트랜지스터부(150b) 다결정 규소층에 p형 불순물 이온을 주입하여 제2 소스 영역(153b)과 제2 드레인 영역(155b) 및 불순물이 도핑되지 않은 제2 채널 영역(154b)을 형성한다. 이 때, 제1 트랜지스터부(150a) 다결정 규소층은 제1 감광막 패턴(PR1) 및 게이트용 금속막(120)에 덮여 보호된다. 이때 유지 전극부(157)는 후에 형성되는 데이터선(171b)과 중첩하는 부분으로 감광막에 의해 보호되므로 불순물이 도핑되지 않는다.
도 13 내지 도 14b에 도시한 바와 같이, 제1 감광막 패턴(PR1)을 제거하고, 감광막을 새로 도포하고 노광 및 현상하여 제2 감광막 패턴(PR2)을 형성한다. 제2 감광막 패턴(PR2)을 마스크로 하여 게이트용 금속막(120)을 식각함으로써 제1 게이트 전극(124a) 및 게이트선(121)을 형성하고, 노출되어 있는 제1 트랜지스터부(150a) 다결정 규소층에 n형 불순물 이온을 주입하여 제1 소스 영역(153a)과 제1 드레인 영역(155a) 및 불순물이 도핑되지 않은 제1 채널 영역(154a)을 형성한다. 이 때, 제2 트랜지스터부(153b, 154b, 155b) 및 유지 전극부(157)는 제2 감광막 패턴(PR2)에 덮여 보호된다.
다음, 도 15 내지 도 16b에 도시한 바와 같이, 게이트선(121, 124a, 124b, 133) 위에 층간 절연막(801)을 적층하고 사진 식각 공정으로 층간 절연층(801) 및 게이트 절연막(140)을 식각하여 제1 소스 영역(173a), 제1 드레인 영역(175a), 제2 소스 영역(173b) 및 제2 드레인 영역(175b)을 각각 노출시키는 접촉구(181, 182, 184, 185)와 층간 절연층(801)을 식각하여 제2 게이트 전극(124b)의 한쪽 끝부분을 노출시키는 접촉구(183)를 형성한다.
다음 데이터용 금속막을 적층하고 사진 식각 공정으로 데이터선(171a, 171b, 173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b)을 형성한다.
도 17 내지 도 18b에 도시한 바와 같이, 데이터선(171a, 171b, 173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b) 위에 층간 절연막(802)을 형성한 후 사진 식각 공정으로 층간 절연막(802)을 식각하여 제2 드레인 전극(175b)를 노출하는 접촉구(186)를 형성한다.
이후 층간 절연막(802) 위에 알루미늄 등의 반사성이 우수한 금속을 증착한 후 사진 식각 공정으로 패터닝하여 접촉구(186)를 통해 제2 드레인 전극(175b)과 연결되는 화소 전극(190)을 형성한다.
다음, 도 7 내지 도 8b에 도시한 바와 같이, 데이터선(171a, 171b, 173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b) 위에 검정색 안료를 포함하는 유기막을 도포하고 노광 및 현상하여 격벽(803)을 형성하고, 각 화소 영역에 유기 발광층(70)을 형성한다. 이 때, 유기 발광층(70)은 다층 구조로 이루어지는 것이 보통이다. 유기 발광층(70)은 마스킹(masking) 후 증착하거나 잉크젯 프린팅 등의 방법을 통하여 형성한다.
다음, 유기 발광층(70) 위에 전도성 유기물질을 도포하여 버퍼층(804)을 형성하고, 버퍼층(804) 위에 ITO 또는 IZO를 증착하여 공통 전극(270)을 형성한다.
이 때, 도시하지는 않았으나 공통 전극(270) 형성 전 또는 후에 알루미늄 등의 저저항 물질로 보조 전극을 형성할 수 있다. 또, 화소 전극(190)을 투명 도전 물질로 형성하는 경우에는 공통 전극(270)을 반사성이 우수한 금속을 사용하여 형성한다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예 시적인 것에 불과하며 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 다결정용 마스크를 이용하여 비정질 규소층을 결정화하면 균일한 다결정 규소층을 얻을 수 있다. 따라서 다결정 규소층을 포함하는 표시판을 형성할 때 다결정 규소층의 전류 특성이 향상되므로 고품질의 표시판을 얻을 수 있다.
Claims (6)
- 레이저빔을 투과시키는 투과 영역과 상기 투과 영역의 내에 형성되어 있으며 상기 투과 영역의 길이 방향으로 길게 형성되어 있는 반사선을 포함하여 이루어진 복수의 슬릿 패턴을 가지는 다결정용 마스크.
- 제1항에서,상기 반사선은 상기 투과 영역의 크기 보다 작은 크기를 가지는 다결정용 마스크.
- 제1항에서,상기 반사선이 상기 투과 영역 내부에 하나 이상 형성되어 있는 다결정용 마스크.
- 제1항에서,상기 다결정용 마스크는 상기 슬릿 패턴이 상기 슬릿 패턴의 Y축 길이만큼의 간격으로 상기 Y축 방향으로 배열되어 있는 제1 그룹을 가지는 다결정용 마스크.
- 제4항에서,상기 다결정용 마스크는 상기 제1 그룹과 동일한 패턴을 가지고, 상기 슬릿 패턴의 Y축 길이의 1/2만큼 어긋나게 배열되어 있는 제2 그룹을 더 포함하는 다결정용 마스크.
- 절연 기판 위에 비정질 규소층을 증착하는 단계,레이저빔을 투과시키는 투과 영역과 상기 투과 영역 내에 형성되어 있는 반사선으로 포함하여 이루어진 슬릿 패턴을 가지는 다결정용 마스크를 이용하여 결정화 공정을 진행하여 상기 비정질 규소층을 다결정 규소층으로 결정화하는 단계를 포함하는 규소 결정화 방법.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140067546A (ko) * | 2012-11-27 | 2014-06-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광 마스크 및 이를 이용한 기판의 제조 방법 |
| KR20190138764A (ko) * | 2019-11-29 | 2019-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판의 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070109127A (ko) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | 삼성전자주식회사 | 순차적 측면 고상화용 마스크 및 이를 이용한 순차적 측면고상화 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995018984A1 (en) * | 1994-01-07 | 1995-07-13 | Coherent, Inc. | Apparatus for creating a square or rectangular laser beam with a uniform intensity profile |
| KR20030039653A (ko) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | 삼성전자주식회사 | 다결정 규소용 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법 |
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-
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- 2003-12-04 KR KR1020030087613A patent/KR101054339B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995018984A1 (en) * | 1994-01-07 | 1995-07-13 | Coherent, Inc. | Apparatus for creating a square or rectangular laser beam with a uniform intensity profile |
| KR100816344B1 (ko) | 2001-08-21 | 2008-03-24 | 삼성전자주식회사 | 다결정 규소용 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법 |
| KR20030039653A (ko) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | 삼성전자주식회사 | 다결정 규소용 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법 |
| KR100796758B1 (ko) * | 2001-11-14 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 다결정 규소용 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140067546A (ko) * | 2012-11-27 | 2014-06-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광 마스크 및 이를 이용한 기판의 제조 방법 |
| KR102052933B1 (ko) * | 2012-11-27 | 2019-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 |
| US10529751B2 (en) | 2012-11-27 | 2020-01-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Exposure mask and method of manufacturing a substrate using the exposure mask |
| US10727257B2 (en) | 2012-11-27 | 2020-07-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Exposure mask and method of manufacturing a substrate using the exposure mask |
| KR20190138764A (ko) * | 2019-11-29 | 2019-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판의 제조 방법 |
| KR102121341B1 (ko) * | 2019-11-29 | 2020-06-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판의 제조 방법 |
Also Published As
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