KR20190131546A - 픽셀 구조 및 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 픽셀 구조 및 제조 방법을 공개하며, 기판(11)을 준비하는 단계; 기판에서 수용 캐비티(121) 및 격리 영역(122)을 갖는 블랙 포토레지스트층(12)을 제조하는 단계; 블랙 포토레지스트층의 격리 영역 이외의 표면에 고분자 전해질 용액을 코팅하여 고분자 전해질층(13)을 공기 건조 및 형성하는 단계; 고분자 전해질층 표면에 금속 나노입자 용액을 코팅하여 금속 나노입자층(14)을 공기 건조 및 형성하는 단계; 및 마이크로 발광 다이오드(15)를 블랙 포토레지스트층에 위치를 정렬하여 이동시키는 단계를 포함한다. 상술한 방법을 통하여, 본 발명은 마이크로 발광 다이오드의 광 이용률을 향상시킬 수 있다.

Description

픽셀 구조 및 제조 방법
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로, 특히 픽셀 구조 및 제조 방법에 관한 것이다.
디스플레이 기술이 빠르게 발전함에 따라, 마이크로 발광 다이오드(Micro LED)의 디스플레이 응용도 점점 업계의 주목을 받고 있다.
Micro LED는 전류 구동의 자기 발광 유닛으로서, 각각의 독립적인 발광 유닛은 모두 공간 중의 각각의 방향을 향해 균일하게 발광하여, 따라서 이러한 과정에서 다수의 광 에너지가 손실된다.
본 발명은 마이크로 발광 다이오드의 광 이용률을 향상시킬 수 있는 픽셀 구조 및 제조 방법을 제공한다.
상술한 기술적 문제를 해결하고자, 본 발명에서 사용하는 기술적 해결수단은, 픽셀 구조를 제공하는 것이며, 상기 픽셀구조는, 기판; 상기 기판에 증착되고, 수용 캐비티(accommodation cavity) 및 상기 수용 캐비티 내에 설치된 격리 영역을 포함하는 블랙 포토레지스트층; 상기 격리 영역 이외의 상기 블랙 포토레지스트층에 코팅되는 고분자 전해질층; 상기 고분자 전해질층에 피복되는 금속 나노입자층; 및 상기 격리 영역에 설치되는 마이크로 발광 다이오드를 포함하되, 여기서, 상기 금속 나노입자는 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중의 적어도 한 가지 및/또는 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중 적어도 두 가지로 형성된 합금을 포함하고, 상기 고분자 전해질층은 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드(polydiallyldimethylammonium chloride), 폴리아크릴산나트륨(Sodium Polyacrylate), 폴리디메틸디아릴암모늄클로라이드(Polydimethyldiallyl ammonium chloride) 및 아크릴-비닐피리딘 공중합체 중 적어도 한 가지이다.
상술한 기술적 문제를 해결하고자, 본 발명에서 사용한 다른 일 기술적 해결수단은, 마이크로 발광 다이오드의 광 이용률을 향상시키는 픽셀 제조 방법을 제공하는 것이며, 상기 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에서 수용 캐비티 및 격리 영역을 갖는 블랙 포토레지스트층을 제조하는 단계; 상기 블랙 포토레지스트층의 상기 격리 영역 이외의 표면에 고분자 전해질 용액을 코팅하고 공기 건조(air-dry)하여 고분자 전해질층을 형성하는 단계; 상기 고분자 전해질층 표면에 금속 나노입자 용액을 코팅하고 공기 건조하여 금속 나노입자층을 형성하는 단계; 및 상기 마이크로 발광 다이오드를 상기 블랙 포토레지스트층으로 위치를 정렬(align)하여 이동(transfer)시키는 단계를 포함한다.
상술한 기술적 문제를 해결하고자, 본 발명에서 사용한 또 다른 일 기술적 해결수단은, 픽셀 구조를 제공하는 것이며, 상기 픽셀 구조는, 기판; 상기 기판에 증착되고, 수용 캐비티 및 상기 수용 캐비티 내에 설치된 격리 영역을 포함하는 블랙 포토레지스트층; 상기 격리 영역 이외의 상기 블랙 포토레지스트층에 코팅되는 고분자 전해질층; 상기 고분자 전해질층에 피복되는 금속 나노입자층; 및 상기 격리 영역에 설치되는 마이크로 발광 다이오드를 포함한다.
본 발명의 유익한 효과는, 종래기술과 달리, 본 발명은 반사층을 갖는 픽셀 구조를 형성하여, 마이크로 발광 다이오드의 광 이용률을 향상시킬 수 있다는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 픽셀 구조 제조 방법의 일 실시예의 흐름 모식도이다.
도 2는 본 발명에 따른 픽셀 구조의 일 실시형태의 구조 모식도이다.
아래에서는, 본 발명의 실시예 중의 첨부 도면을 결합하여, 본 발명의 실시예의 기술적 해결수단을 명확하고 완전하게 설명하나, 설명되는 실시예는 단지 본 발명의 일부 실시예일뿐, 모든 실시예가 아님은 분명하다. 본 발명 중의 실시예에 기초하여, 본 기술분야의 통상의 기술자들이 창조적 노력을 하지 않는 전제하에서 획득한 모든 다른 실시예는, 모두 본 발명의 보호 범위에 속한다.
도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명의 픽셀 구조 제조 방법의 일 실시예이며, 상기 방법은 하기와 같은 스텝을 포함한다.
S110에서, 기판을 준비한다.
여기서, 상기 기판은 투명한 재질일 수 있으며, 구체적으로는 유리 또는 투명 플라스틱 등일 수 있다.
S120에서, 기판에서 수용 캐비티 및 격리 영역을 갖는 블랙 포토레지스트층을 제조한다.
스텝 S120에서, 수용 캐비티 및 격리 영역을 갖는 상기 블랙 포토레지스트층의 형성은 포토리소그래피법을 사용하여 단일 스텝으로 성형될 수 있다. 여기서, 블랙 포토레지스트층은 유기 화합물이며, 자외선에 노광된 후, 현상액에서의 용해도에 변화가 발생하게 된다. 일반적으로 포토레지스트는 액체 상태로 기판 표면에 코팅되며, 노광된 후 고체 상태로 베이크되는데(baked), 그 작용은 마스크 상의 패턴을 기판 표면의 산화층으로 이동시켜, 후속 공정에서, (에칭 또는 이온 주입 등으로부터) 하부의 재료를 보호하도록 하는 것이다.
포토리소그래피법은 일련의 생산 단계를 통하여, 기판 표면의 포토레지스트층의 특정 부분을 제거하는 공법을 가리키며, 그 후 기판 표면에 마이크로 패턴 구조를 갖는 포토레지스트층이 남겨진다. 포토에칭(photoetching) 공법을 통하여, 최종적으로 기판 표면에 남겨지게 되는 것은 특징 패턴 부분이다. 또한 포토리소그래피법의 3가지 기본 요소는 조명(주로 자외선), 마스크 및 포토레지스트(photoresist)를 제어하는 것이다.
본 실시예에 있어서, 수용 캐비티 및 격리 영역을 갖는 상기 블랙 포토레지스트층은 포토리소그래피법을 통하여 단일 스텝으로 성형될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 블랙 포토레지스트층은 포토리소그래피법을 통하여 두 스텝으로 성형될 수도 있는데, 즉 먼저 수용 캐비티 구조를 갖는 블랙 포토레지스트층을 형성하고, 그 다음에 수용 캐비티 내에 격리 영역 구조를 더 형성한다. 여기서, 상기 격리 영역은 돌기, 리세스(recess) 또는 트렌치(trench) 등의 구조로 설치될 수 있고, 후속의 고분자 전해질 용액과 금속 나노입자 용액은 모두 상기 격리 영역 부분에 코팅되지 않을 것인데, 목적은 마이크로 발광 다이오드 양단의 핀(pin)을 격리하여, 마이크로 발광 다이오드가 단락되지 않도록 하는 것이다. 본 실시예에서는, 상기 격리 영역은 돌기 구조로 설치되어, 마이크로 발광 다이오드를 간편하게 안착시키도록 한다.
S130에서, 블랙 포토레지스트층의 격리 영역 이외의 표면에 고분자 전해질 용액을 코팅하고 공기 건조하여 고분자 전해질층을 형성한다.
스텝 S130에서, 고분자 전해질층 및 후속의 필름 구조의 코팅에는 층상 조립 기술(Layer-by-Layer, LBL)이 이용된다. 층상 조립 기술은 층간 교대 증착 방법을 이용하고, 각층 분자 사이의 약한 상호작용(예를 들어, 정전기 인력, 수소결합, 배위 결합 등)을 이용하여, 층과 층이 자발적으로 완전한 구조를 형성하고, 성능이 안정적이며, 특정된 기능을 갖는 분자 응집체 또는 초분자 구조로 조합되는 과정이다. 본 실시예에서는, 주로 정전기 층상 조립 기술, 즉 이온 사이의 정전기 작용을 이용하여 필름 형성의 구동력으로 한다. 상기 포토에칭 공법에 의해 균일하게 코팅된 수용 캐비티 및 격리 영역을 갖는 블랙 포토레지스트층에 고분자 전해질 용액을 코팅하여 공기 건조한 후 고분자 전해질층을 형성한다. 여기서, 상기 고분자 전해질 용액은 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드, 폴리아크릴산나트륨, 폴리디메틸디아릴암모늄클로라이드 및 아크릴-비닐피리딘 공중합체 등의 한 가지일 수 있다. 구체적인 실시예에서, 고분자 전해질 용액은 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드(Poly Dimethyl Diallyl Ammonium chloride, PDDA) 용액을 선택할 수 있으며, 그 농도는 2 mg/mL이고, 코팅 과정에서 블랙 포토레지스트층의 격리 영역 구조를 피한다. 에어나이프(air knife)로 불어내어 건조(blow-dry)시킨 후, 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드 필름, 즉 고분자 전해질 필름을 형성한다.
S140에서, 고분자 전해질층 표면에 금속 나노입자 용액을 코팅하고 공기 건조하여 금속 나노입자층을 형성한다.
스텝 S140에서, 분자 전해질층에 금속 나노입자 용액을 더 코팅한다. 여기서, 상기 금속 나노입자 용액은 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중의 적어도 한 가지 및/또는 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중 적어도 두 가지에 의해 형성된 합금을 포함할 수 있다. 선택된 금속 나노입자 용액은 비교적 높은 소광계수를 구비하여야 하며, 소광계수란 피측정 용액이 광을 흡수하는 크기값이다. 본 실시예에서는, 금속 나노입자 용액으로서 Ag 나노입자 용액을 선택하여 고분자 전해질층을 코팅하고 공기 건조하여 Ag 나노입자층을 형성한다. 다시 말해서, Ag 나노입자층을 반사층으로 하고, 광속(light flux)이 공기로부터 상기 Ag 나노입자층 표면으로 입사될 경우, Ag 나노입자층 내로 유입되는 광의 진폭은 빠르게 감퇴되어, Ag 나노입자층 내로 유입되는 광에너지를 상응하게 감소시켜, 반사광의 에너지를 증가시킨다. 선택된 금속 입자 용액의 소광계수가 클수록, 광의 진폭의 감퇴가 점점 빨라져, 금속 내부로 유입되는 광에너지는 점점 적어지고, 반사율은 점점 높아진다.
그밖에, 스텝 S130 및 스텝 S140에서, 고분자 전해질 용액과 금속 나노입자 용액의 전기적 성질은 서로 반대인데, 즉 스텝 S130에서, 고분자 전해질 용액으로 선택된 것은 양이온 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드이고, 스텝 S140에서, 금속 나노입자 용액으로서 음전하를 띤 Ag 나노입자 용액이 선택된다. 다른 실시예에서, 고분자 전해질 용액과 금속 나노입자 용액의 선택은 양자의 전기적 성질이 서로 반대이면 된다. 또한 층상 조립 기술의 교대 증착 기술을 이용하여 조립 필름층의 구조와 두께를 제어할 수 있다. 구체적인 실시예에서, 금속 나노입자층의 두께를 증가시켜야 할 경우, 상기 스텝 S130과 스텝 S140을 반복하면 되는데, 즉 금속 나노입자층에 한 층의 고분자 전해질 용액을 다시 코팅하여 공기 건조한 후 고분자 전해질층을 형성하고, 그 다음에 상기 고분자 전해질층에 금속 나노입자 용액을 코팅하여 공기 건조한 후 금속 나노입자층을 형성하며, 이와 같이 상기 스텝을 반복하면 필요로 하는 필름 두께를 얻을 수 있다.
S150에서, 마이크로 발광 다이오드를 블랙 포토레지스트층으로 위치를 정렬하여 이동시킨다.
층상 조립 기술의 교대 증착 기술을 이용하여 필요로 하는 금속 나노입자층 두께를 형성한 후, 마이크로 발광 다이오드(Micro LED)를 블랙 포토레지스트층으로 위치를 정렬하여 이동시킨다. 구체적으로, 마이크로 발광 다이오드를 블랙 포토레지스트층의 격리 영역 구조로 위치를 정렬하여 이동시킨다.
여기서, 마이크로 발광 다이오드는 성숙한 발광 다이오드 제조 공법을 이용하여, 규모화된 사파이어(sapphire) 유형의 기판에서 분자 빔 에피택시(molecular beam epitaxy)를 통해 성장한 10 ~ 50 um 크기의 마이크로 발광 다이오드 유닛을 가리키며, 패턴화된 상이한 색상의 마이크로 발광 다이오드 구성 디스플레이 영역을 형성하려면, 고정밀도의 이동 기술을 통하여 이를 유리 기판으로 이동시켜야 한다. 마이크로 발광 다이오드를 제조하는 사파이어 기판의 크기는 기본적으로 실리콘 결정의 크기인데, 제조된 디스플레이 장치는 크기가 많이 큰 유리 기판이므로, 따라서 필연적으로 여러 차례의 운송을 수행해야 하고, 여기서 상기 마이크로 발광 다이오드의 이동에는 특수한 이송 공구가 필요하므로, 상기 이송 공구의 작용은 마이크로 발광 다이오드를 사파이어 기판으로부터 상기 블랙 포토레지스트층의 격리 영역으로 위치를 정렬하여 이동시키는 것이며, 그 과정을 간단하게 설명하면 하기와 같다. 우선, 이송 공구를 마이크로 발광 다이오드와 접촉시키고, 이송 공구에 전압을 가하여 마이크로 발광 다이오드에 대한 클램핑 압력을 생성시켜, 이송 공구로 마이크로 발광 다이오드를 픽업(pick-up)하고, 블랙 포토레지스트층의 격리 영역 구조가 마이크로 발광 다이오드와 접촉되도록, 마지막으로 마이크로 발광 다이오드를 격리 영역 구조 상에 놓아둔다(release).
나아가, 상기 마이크로 발광 다이오드를 블랙 포토레지스트층의 격리 영역 구조 상으로 위치를 정렬하여 이동시킨 후, 상기 금속 나노입자층의 광학적 특성으로 인하여, 마이크로 발광 다이오드가 주변 방향으로 발사된 광선을 굴절 및 반사를 거쳐 출광 방향으로 다시 응집시켜, 광 손실을 감소시키고, 광 이용률을 향상시킬 수 있다.
상기 실시형태에 있어서, 층상 조립 기술을 통하여 반사층을 갖는 픽셀 구조를 형성함으로써, 마이크로 발광 다이오드의 광 이용률을 향상시킬 수 있다.
도 2를 참조하면, 도 2는 본 발명에 따른 픽셀 구조의 일 실시형태의 구조 모식도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 픽셀(10)은 기판(11), 블랙 포토레지스트층(12), 고분자 전해질층(13), 금속 나노입자층(14) 및 마이크로 발광 다이오드(15)를 포함한다.
여기서, 기판(11)은 투명한 재질일 수 있으며, 구체적으로는 유리 또는 투명 플라스틱 등일 수 있다.
블랙 포토레지스트층(12)은, 기판(11) 위에 증착되고, 수용 캐비티(121) 및 수용 캐비티(121) 내에 설치된 격리 영역(122)을 포함한다. 구체적으로, 상기 블랙 포토레지스트층(12)은 유기 화합물이며, 자외선에 노광된 후, 현상액에서의 용해도에 변화가 발생하게 된다. 일반적으로 포토레지스트는 액체 상태로 기판 표면에 코팅되며, 노광된 후 고체 상태로 베이크되는데, 그 작용은 마스크 상의 패턴을 기판(11) 표면의 산화층으로 이동시켜, 후속 공정에서, (에칭 또는 이온 주입 등으로부터) 하부의 재료를 보호하도록 하는 것이며, 상기 블랙 포토레지스트층(12)은 포토리소그래피법을 통하여 단일 스텝으로 성형될 수도 있고, 포토리소그래피법을 통하여 두 스텝으로 성형될 수도 있으며, 즉 먼저 수용 캐비티(121) 구조를 갖는 블랙 포토레지스트층(12)을 형성하고, 그 다음에 수용 캐비티(121) 내에 격리 영역(122) 구조를 더 형성한다. 여기서, 상기 격리 영역(122)은 돌기, 리세스 또는 트렌치 등의 구조로 설치될 수 있고, 후속의 고분자 전해질층과 금속 나노입자층은 모두 상기 격리 영역(122) 부분에 코팅되지 않을 것인데, 목적은 마이크로 발광 다이오드(15) 양단의 핀(pin)을 격리하여, 마이크로 발광 다이오드(15)가 단락되지 않도록 하는 것이다. 본 실시예에서는, 상기 격리 영역(122)은 돌기 구조로 설치되어, 마이크로 발광 다이오드(15)를 간편하게 안착시키도록 한다.
고분자 전해질층(13)은, 격리 영역(122) 이외의 블랙 포토레지스트층(12)에 코팅된다. 여기서, 상기 고분자 전해질층(13)은 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드, 폴리아크릴산나트륨, 폴리디메틸디아릴암모늄클로라이드 및 아크릴-비닐피리딘 공중합체 등의 한 가지일 수 있으며, 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 고분자 전해질층(13)으로서는 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드를 선택한다.
금속 나노입자층(14)은, 고분자 전해질층(13)을 덮으며, 그 금속 나노입자는 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중의 적어도 한 가지 및/또는 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중 적어도 두 가지에 의해 형성된 합금을 포함하고, 선택된 금속 나노입자층은 비교적 높은 소광계수를 구비하여야 한다. 본 실시예에서는, 반사층으로서 금속 나노입자층을 선택하고, 광속(light flux)이 공기로부터 상기 Ag 나노입자층 표면으로 입사될 경우, Ag 나노입자층 내로 유입되는 광의 진폭은 빠르게 감퇴되어, Ag 나노입자층 내로 유입되는 광에너지를 상응하게 감소시켜, 반사광의 에너지를 증가시킨다. 선택된 금속 나노입자층의 소광계수가 클수록, 광의 진폭의 감퇴가 점점 빨라져, 금속 내부로 유입되는 광에너지는 점점 적어지고, 반사율은 점점 높아진다.
구체적인 실시예에서, 상기 고분자 전해질층(13)과 금속 나노입자층(14)의 전기적 성질은 서로 반대인데, 즉 상기 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드 박막층은 양전하를 띠고, Ag 나노입자층은 음전하를 띠며, 양자는 정전기적 작용을 통해 교대로(alternately) 증착되어, 필요로 하는 두께의 금속 나노입자 필름에 도달하게 된다. 다른 실시예에서, 고분자 전해질층과 금속 나노입자층의 선택은 양자의 전기적 성질이 반대이면 된다.
마이크로 발광 다이오드(15)는, 격리 영역(122)에 설치된다. 여기서, 상기 마이크로 발광 다이오드(15)는 성숙한 발광 다이오드 제조 공법을 이용하여, 규모화된 사파이어 유형의 기판에서 분자 빔 에피택시를 통해 성장한 10 ~ 50 um 크기의 마이크로 발광 다이오드 유닛을 가리킨다. 또한 마이크로 발광 다이오드는 위치 정렬 및 이동을 통하여 블랙 포토레지스트층(12)의 격리 영역(122) 구조에 설치되며, 구체적인 설치 방법은 상술한 설명을 참조하고, 여기서는 더이상 설명하지 않는다. 상기 금속 나노입자층의 광학적 특성으로 인하여, 마이크로 발광 다이오드가 주변 방향으로 발사된 광선을 굴절 및 반사를 거쳐 출광 방향으로 다시 응집시켜, 광 손실을 감소시키고, 광 이용률을 향상시킬 수 있다.
종합해보면, 본 분야의 기술자는, 본 발명이 픽셀 구조 및 제조 방법을 제공하고, 층상 조립 기술을 이용하여 반사층을 갖는 픽셀 구조를 형성함으로써, 마이크로 발광 다이오드의 광 이용률을 향상시킬 수 있다는 것을 용이하게 이해할 것이다.
이상은 단지 본 발명의 실시형태일뿐, 결코 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것이 아니며, 본 발명의 명세서 및 첨부된 도면 내용을 이용하여 구현된 등가의 구조 또는 등가의 공정 변경이, 다른 관련 기술 분야에 직접 또는 간접적으로 적용되는 것은, 모두 본 발명의 특허 보호 범위 내에 포함된다.

Claims (12)

  1. 픽셀 구조로서,
    기판;
    상기 기판에 증착되고, 수용 캐비티 및 상기 수용 캐비티 내에 설치된 격리 영역을 포함하는 블랙 포토레지스트층;
    상기 격리 영역 이외의 상기 블랙 포토레지스트층에 코팅되는 고분자 전해질층;
    상기 고분자 전해질층에 피복되는 금속 나노입자층; 및
    상기 격리 영역에 설치되는 마이크로 발광 다이오드를 포함하되,
    상기 금속 나노입자는 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중의 적어도 한 가지 및/또는 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중 적어도 두 가지로 형성된 합금을 포함하고,
    상기 고분자 전해질층은 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드, 폴리아크릴산나트륨, 폴리디메틸디아릴암모늄클로라이드 및 아크릴-비닐피리딘 공중합체 중 적어도 한 가지인, 픽셀 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 전해질층과 상기 금속 나노입자층의 전기적 성질은 서로 반대인, 픽셀 구조.
  3. 마이크로 발광 다이오드 광 이용률을 향상시키는 픽셀 제조 방법으로서,
    기판을 준비하는 단계;
    상기 기판에서 수용 캐비티 및 격리 영역을 갖는 블랙 포토레지스트층을 제조하는 단계;
    상기 블랙 포토레지스트층의 상기 격리 영역 이외의 표면에 고분자 전해질 용액을 코팅하고 공기 건조하여 고분자 전해질층을 형성하는 단계;
    상기 고분자 전해질층 표면에 금속 나노입자 용액을 코팅하고 공기 건조하여 금속 나노입자층을 형성하는 단계; 및
    상기 마이크로 발광 다이오드를 상기 블랙 포토레지스트층에 위치를 맞추어 이동시키는 단계를 포함하는, 픽셀 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 블랙 포토레지스트층은 포토리소그래피법을 사용하여 단일 스텝으로 성형되는, 픽셀 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 블랙 포토레지스트층은 포토리소그래피법을 사용하여 두 스텝으로 성형되는, 픽셀 제조 방법.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 고분자 전해질 용액과 상기 금속 나노입자 용액의 전기적 성질은 서로 반대인, 픽셀 제조 방법.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 금속 나노입자는 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중의 적어도 한 가지 및/또는 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중 적어도 두 가지로 형성된 합금을 포함하는, 픽셀 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 고분자 전해질은 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드, 폴리아크릴산나트륨, 폴리디메틸디아릴암모늄클로라이드 및 아크릴-비닐피리딘 공중합체 중 적어도 한 가지인, 픽셀 제조 방법.
  9. 픽셀 구조에 있어서,
    기판;
    상기 기판에 증착되고, 수용 캐비티 및 상기 수용 캐비티 내에 설치된 격리 영역을 포함하는 블랙 포토레지스트층;
    상기 격리 영역 이외의 상기 블랙 포토레지스트층에 코팅되는 고분자 전해질층;
    상기 고분자 전해질층에 피복되는 금속 나노입자층; 및
    상기 격리 영역에 설치되는 마이크로 발광 다이오드를 포함하는, 픽셀 구조.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 고분자 전해질층과 상기 금속 나노입자층의 전기적 성질은 서로 반대인, 픽셀 구조.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 금속 나노입자는 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중의 적어도 한 가지 및/또는 Au, Ag, Cu, Ni, Co, Pt 중 적어도 두 가지로 형성된 합금을 포함하는, 픽셀 구조.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 고분자 전해질층은 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드, 폴리아크릴산나트륨, 폴리디메틸디아릴암모늄클로라이드 및 아크릴-비닐피리딘 공중합체 중 적어도 한 가지인, 픽셀 구조.
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