KR20190122756A - 연마 패드 - Google Patents

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KR20190122756A
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노부토시 요코타
쇼타 스기야마
타카시 나리마츠
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후루카와 덴끼고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 연마 성능과 연마 슬러리의 배출 특성이 우수한 연마 패드를 제공하는 것을 목적으로 한다. 연마부와 홈부를 연마면에 갖는 연마 패드로서, 상기 홈부의 표면은, 미발포부를 가지며, 상기 연마부의 표면은, 발포부가 표출하는 연마 패드.

Description

연마 패드
본 발명은, 연마 성능과 연마 슬러리의 배출 특성이 우수한 연마 패드에 관한 것이다.
종래, 하드 디스크 드라이브(HDD) 내의 자기 디스크나 반도체 웨이퍼 등의 박판 부재의 연마 처리에서는, 피처리체의 표면에 미세한 스크래치(scratch)나 보이지 않는 스크래치 등이 발생하지 않는 가공이 요구된다는 점에서, 미소 연마 입자를 함유하는 연마 슬러리를 공급하면서, 부직포계 혹은 발포체계의 연마 패드를 이용하여 평활 경면 가공을 한다.
연마 패드에는, 평활 경면 가공을 위해서, 연마성 뿐만 아니라, 연마 슬러리의 배출 특성이 요구된다. 따라서, 연마 슬러리의 공급과 배출의 밸런스(배출 특성)를 향상시키기 위해서, 연마 표면에 홈을 가지는 연마층으로, 상기 홈의 내면의 평균 조도(Ra)를 1.0~5.0㎛로 한 연마 패드가 제안된다(특허문헌 1).
그러나, 특허문헌 1의 연마 패드에서는, 다공질재에 대해서 절삭 등으로 홈을 형성하고, 레이저 용해 등의 후가공에 의해 홈 내면을 비공질면으로 하기 때문에, 가공이 번잡하다. 또한, 연마층의 연마 표면 상태(특히 조도)에 대해 특정되지 않고, 연마성과 연마 슬러리의 배출 특성을 양립할 수 없는 경우가 있다는 문제, 따라서, 우수한 평활 경면 가공을 얻을 수 없는 경우가 있다는 문제가 있었다.
특허문헌 1: 특개 2006-186239호 공보
상기 사정에 비추어, 본 발명은, 연마 성능과 연마 슬러리의 배출 특성이 우수한 연마 패드를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 양태는, 연마부와 홈부를 연마면에 갖는 연마 패드로, 상기 홈부의 표면은, 미발포부를 가지며, 상기 연마부의 표면은, 발포부가 표출하는 연마 패드이다.
상기 양태의 연마 패드에서는, 연마면은, 연마 대상인 피처리체를 연마하는 연마부와, 피처리체를 연마할 때에 연마 패드에 공급되는 연마 슬러리를 연마 패드로부터 외부로 배출하기 위한 홈부를 가진다. 연마부의 표면에는 발포체의 발포부가 표출하고, 홈부의 표면은 미발포부를 가지므로, 연마부 표면의 최대 높이 조도(Rz)는, 홈부 표면의 최대 높이 조도(Rz)보다 크고, 연마부 표면의 산술 평균 조도(Ra)는, 홈부 표면의 산술 평균 조도(Ra)보다 큰 양태가 된다.
본 발명의 양태는, 상기 홈부의 표면의 최대 높이 조도(Rz)가, 10㎛~30㎛이며, 상기 연마부의 표면의 최대 높이 조도(Rz)가, 30㎛~100㎛인 연마 패드이다.
본 발명의 양태는, 상기 홈부의 표면의 산술 평균 조도(Ra)가, 0.1㎛~10㎛이며, 상기 연마부의 표면의 산술 평균 조도(Ra)가, 10㎛~45㎛인 연마 패드이다.
본 발명의 양태는, (상기 연마부의 표면의 최대 높이 조도(Rz))-(상기 홈부의 표면의 최대 높이 조도(Rz))의 값이, 20㎛~70㎛인 연마 패드이다.
본 발명의 양태는, (상기 연마부의 표면의 산술 평균 조도(Ra))-(상기 홈부의 표면의 산술 평균 조도(Ra))의 값이, 5㎛~35㎛인 연마 패드이다.
본 발명의 양태는, 3차원의 기포 구조를 갖는, 열가소성 수지로 이루어진 수지 발포체를 가지며, 상기 열가소성 수지가, 폴리페닐렌 설파이드 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지 및 폴리카보네이트 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종인 연마 패드이다.
본 발명의 양태에 따르면, 홈부의 표면이 미발포부를 가짐으로써, 연마 슬러리를 원활하게 연마 패드로부터 배출할 수 있다. 따라서, 연마 처리에 의해서 연마 슬러리에 혼입한 연마찌꺼기(연마잔사)가, 연마 패드에 체류하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 연마 슬러리를 원활하게 연마 패드로부터 배출할 수 있어, 연마 패드의 승온을 방지할 수 있다. 한편, 연마부의 표면에는 발포부가 표출하는, 즉, 그 표면은 거칠다는 점에서, 연마부의 연마 성능이 향상되고, 또한, 표출한 발포부에 연마 슬러리가 포획되는 점에서도, 연마부의 연마 성능이 향상된다.
도 1은 본 발명의 실시 형태예에 따른 연마 패드의 부분 측면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태예에 따른 연마 패드의 제조 방법 예에서 사용하는 수지 부재의 부분 측면 단면도이다.
도 3은 (a)도는, 본 발명의 실시 형태예에 따른 연마 패드의 제조 방법 예에 사용하는 홈부 형성용형 부재 전체의 설명도, (b)도는, 홈부 형성용형 부재의 A-A선 단면도이다.
도 4는 홈부 형성용형 부재를 이용한, 본 발명의 실시 형태예에 따른 연마 패드의 제조 방법 예의 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태예에 따른 연마 패드에 대해서, 도면을 이용하면서 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태예에 따른 연마 패드(1)에서는, 연마측의 면인 연마면(10)은, 연마부(11)와 홈부(12)를 가진다. 연마부(11)는, 연마 대상인 피처리체(도시하지 않음)를 연마하는 부위이다. 홈부(12)는, 피처리체를 연마할 때에 연마 패드에 공급되는 연마 슬러리와 연마 찌꺼기를 연마면(10)으로부터 외부로 배출하기 위한 부위이다.
연마 패드(1)는, 표층이 미발포부인 표면 미발포층(13)과, 표면 미발포층(13)의 내부에 설치된 발포부(14)를 갖는 수지 발포체(15)를 구비한다. 연마 패드(1)에서는, 연마부(11)의 거의 전 표면에서, 수지 발포체(15)의 발포부(14)가 표출한다. 따라서, 연마 패드(1)에서는, 연마부(11)의 표면은 표면 미발포층(13)을 가지지 않는다.
수지 발포체(15)의 발포부(14)는, 기포벽(16)으로 구획된 기포(17)가 복수 밀집하여 형성된, 3차원의 기포 구조로 되어 있다. 연마부(11)에서는, 3차원의 기포 구조가 표면으로부터 노출하기 때문에, 연마부(11)의 표면에서는, 기포(17)의 내면이 노출하는 양태로 되어 있다. 따라서, 연마부(11)의 표면은, 다공질의 구조로 되어 있다. 연마부(11)에서는, 표면 미발포층(13)을 연마 처리 등에서 미리 제거함으로써, 발포부(14)를 표출시킬 수 있다.
한편, 홈부(12)의 표면은, 수지 발포체(15)의 미발포부를 가진다. 즉, 홈부(12)의 표면은, 표면 미발포층(13)으로 되어 있다. 표면 미발포층(13)에는, 발포 처리에 의한 기포는 형성되어 있지 않다. 연마 패드(1)에서는, 홈부(12) 표면의 거의 전 영역이 미발포부인 표면 미발포층(13)으로 되어 있다. 따라서, 홈부(12)의 표면은, 기포(17)의 내부, 즉, 기포벽(16)의 내면은 노출하지 않고, 다공질의 구조는 표출하지 않는다.
상기로부터, 표면 미발포층(13)으로 되어 있는 홈부(12)의 표면은 매끄럽고, 발포부(14)가 표출하는 연마부(11)의 표면은, 홈부(12)의 표면보다 거칠어진다. 즉, 연마부(11)의 표면은, 홈부(12)의 표면보다, 최대 높이 조도(Rz), 산술 평균 조도(Ra) 모두 큰 값이 된다. 또한, 본 명세서 중, 「최대 높이 조도(Rz)」 및 「산술 평균 조도(Ra)」는, 레이저 현미경(주식회사키엔스제, VX-X150)으로 측정한 값을 의미한다.
연마부(11) 표면의 최대 높이 조도(Rz)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 그 하한값은, 표면의 거칠기에 따른 연마부(11)의 연마 성능 향상의 점에서 20㎛ 이상이 바람직하고, 표출한 발포부(14)의 기포벽(16) 내면에 연마 슬러리가 포획되어 연마부(11)의 연마 성능이 한층 더 향상되는 점에서 25㎛ 이상이 보다 바람직하고, 30㎛ 이상이 특히 바람직하다. 한편, 연마부(11) 표면의 최대 높이 조도(Rz)의 상한값은, 예를 들면, 수지 발포체(15)의 제조 용이성의 점에서 100㎛ 이하가 바람직하고, 65㎛ 이하가 보다 바람직하고, 55㎛ 이하가 특히 바람직하다.
연마부(11) 표면의 산술 평균 조도(Ra)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 그 하한값은, 표면의 거칠기에 따른 연마부(11)의 연마 성능 향상의 점에서 10㎛ 이상이 바람직하고, 표출한 발포부(14)의 기포벽(16) 내면에 연마 슬러리가 포획되어 연마부(11)의 연마 성능이 한층 더 향상되는 점에서 15㎛ 이상이 보다 바람직하고, 25㎛ 이상이 특히 바람직하다. 한편, 연마부(11) 표면의 산술 평균 조도(Ra)의 상한값은, 예를 들면, 수지 발포체(15)의 제조 용이성의 점에서 45㎛ 이하가 바람직하고, 35㎛ 이하가 특히 바람직하다.
홈부(12) 표면의 최대 높이 조도(Rz)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 그 하한값은, 수지 발포체(15)의 제조 용이성의 점에서 10㎛ 이상이 바람직하고, 15㎛ 이상이 특히 바람직하다. 한편, 최대 높이 조도(Rz)의 상한값은, 예를 들면, 연마 슬러리를 원활하게 연마 패드로부터 배출하고, 피처리체에 연마 처리에 의해서 연마 슬러리에 혼입한 연마 찌꺼기가, 연마 패드에 체류하는 것을 확실히 방지하는 점에서 30㎛ 이하가 바람직하고, 연마 슬러리를 원활하게 연마 패드로부터 배출하여 연마 패드의 승온을 확실히 방지하는 점에서 25㎛ 이하가 보다 바람직하고, 20㎛ 이하가 특히 바람직하다.
홈부(12) 표면의 산술 평균 조도(Ra)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 그 하한값은, 수지 발포체(15)의 제조 용이성의 점에서 0.1㎛ 이상이 바람직하고, 0.5㎛ 이상이 특히 바람직하다. 한편, 산술 평균 조도(Ra)의 상한값은, 예를 들면, 연마 슬러리를 원활하게 연마 패드로부터 배출하고, 피처리체에 연마 처리에 의해서 연마 슬러리에 혼입한 연마 찌꺼기가, 연마 패드에 체류하는 것을 확실히 방지하는 점에서 10㎛ 이하가 바람직하고, 연마 슬러리를 원활하게 연마 패드로부터 배출하여 연마 패드의 승온을 확실히 방지하는 점에서 5㎛ 이하가 보다 바람직하고, 3㎛ 이하가 특히 바람직하다.
(연마부(11) 표면의 최대 높이 조도(Rz))-(홈부(12) 표면의 최대 높이 조도(Rz))의 값, 즉, 연마부(11) 표면의 최대 높이 조도(Rz)와 홈부(12) 표면의 최대 높이 조도(Rz)의 차이는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 그 하한값은, 연마 성능과 연마 슬러리의 배출 특성의 밸런스를 향상시키는 점에서 20㎛ 이상이 바람직하고, 30㎛ 이상이 특히 바람직하다. 한편, 연마부(11) 표면의 최대 높이 조도(Rz)와 홈부(12) 표면의 최대 높이 조도(Rz) 차이의 상한값은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 발포체(15)의 제조 용이성의 점에서 70㎛ 이하가 바람직하고, 60㎛ 이하가 특히 바람직하다.
(연마부(11) 표면의 산술 평균 조도(Ra))-(홈부(12) 표면의 산술 평균 조도(Ra))의 값, 즉, 연마부(11) 표면의 산술 평균 조도(Ra)와 홈부(12) 표면의 산술 평균 조도(Ra)의 차이는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 그 하한값은, 연마 성능과 연마 슬러리의 배출 특성의 밸런스를 향상시키는 점에서 5㎛ 이상이 바람직하고, 10㎛ 이상이 특히 바람직하다. 한편, 연마부(11) 표면의 산술 평균 조도(Ra)와 홈부(12) 표면의 산술 평균 조도(Ra) 차이의 상한값은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 발포체(15)의 제조 용이성의 점에서 35㎛ 이하가 바람직하고, 30㎛ 이하가 특히 바람직하다.
수지 발포체(15)의 재료는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 폴리페닐렌 설파이드 수지(PPS 수지), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET 수지), 폴리카보네이트 수지(PC 수지) 등의 경질 수지를 들 수 있다.
또한, 연마 패드(1)에 구비되어 있는 수지 발포체(15)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 약 0.5~2.0mm의 범위를 들 수 있고, 연마 패드(1)에서는, 약 1.0mm로 되어 있다. 또한, 홈부(12)의 깊이는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 약 0.2~1.0mm의 범위를 들 수 있고, 연마 패드(1)에서는, 약 0.5mm로 되어 있다.
수지 발포체(15)는, 복수의 기포(셀)와 이들 셀이 서로 독립한 구획을 가지도록 기포벽에서 구획되어 구성된 3차원 셀 구조를 가진다. 평균 기포 지름은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 4~50㎛가 바람직하고, 평균 기포벽 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 1~5㎛가 바람직하다. 여기서, 기포 지름이란, 임의의 단면에 있어서의 기포를 동면적의 원으로 환산했을 경우의 직경이며, 평균 기포 지름이란, 임의로 선택한 10개의 기포의 기포 지름의 평균을 말한다. 또한, 기포벽 두께란, 임의의 단면에 있어서의 근접하는 기포 간 기포벽의 최소 두께이며, 평균 기포벽 두께란, 임의로 선택한 10곳의 기포벽 두께의 평균을 말한다. 평균 기포 지름과 평균 기포벽 두께는, 주사전자현미경(SEM, 니혼덴코제)으로 관찰한 수지 발포체(15)의 조직 사진을, 화상 처리 함으로써 구할 수 있다.
평균 기포 지름이 4㎛보다 작으면, 기포 내부에 유지되는 연마 입자가 적어지고, 연마 속도가 저하됨과 동시에 안정된 연마면을 얻을 수 없고, 평균 기포 지름이 50㎛를 넘으면, 기포벽의 강도가 부족하여, 안정된 연마 상태를 얻을 수 없어 표면 품질이 저하됨과 동시에, 기포 내에 연마 입자가 다량으로 집적하고 2차 입자가 발생하여 스크래치 등의 표면 결함이 발생하기 쉬워진다. 평균 기포 지름을 이 범위로 함으로써, 기포 구조가 보다 최적화되고, 연마 속도가 우수하다.
또한, 평균 기포 지름과 평균 기포벽 두께의 비율은, 4 이상 10 이하가 바람직하다. 평균 기포 지름과 평균 기포벽 두께의 비율이 4 미만이면, 기포 내부에 유지되는 연마 입자로서의 연마 입자가 적어지고, 연마 속도가 저하됨과 동시에 안정된 연마면을 얻을 수 없고, 10을 넘으면, 기포벽의 강도가 부족하여, 안정된 연마 상태를 얻을 수 없어 연마 속도가 저하된다.
이어서, 본 발명의 실시 형태예에 따른 연마 패드(1)의 제조 방법 예에 대해서, 도면을 이용하면서 설명한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 제조에는, 표층이 미발포부인 표면 미발포층(13)과 표면 미발포층(13)의 내부에 설치된 발포부(14)를 갖는 평판 형상의 수지 부재(20)를 사용한다. 표면 미발포층(13)이 설치된 한쪽의 평탄면이, 연마 패드(1)의 연마측의 면이다. 따라서, 수지 부재(20)의 표면 미발포층(13)의 외면은, 거의 평탄하게 되어 있다. 수지 부재(20)의 두께는, 상기 수지 발포체(15)의 두께이며, 수지 부재(20)의 표면 미발포층(13)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 약 25~100㎛의 범위를 들 수 있고, 수지 부재(20)에서는, 약 50㎛로 되어 있다. 수지 부재(20)의 발포부(14)의 두께는, 수지 부재(20)의 두께로부터 수지 부재(20)의 표리의 표면 미발포층(13)의 두께를 뺀 두께이다.
상기 수지 부재(20)의 표면 미발포층(13)에, 먼저, 홈부(12)를 형성한다. 홈부(12)의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 도 3(a), (b)에 도시한 바와 같이, 블레이드 형상의 돌기부(22)를 갖는 홈부 형성용형 부재(21)를 이용하는 것을 들 수 있다. 홈부 형성용형 부재(21)는, 얇은 평판 형상으로 되어 있다. 홈부 형성용형 부재(21)의 돌기부(22)의 배치는, 특별히 한정되지 않지만, 도 3(a)에서는, 동심원 형상으로 거의 등간격으로, 복수의 돌기부(22)가 형성된다. 또한, 돌기부(22)의 단면 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 도 3(b)에 도시한 바와 같이, 홈부 형성용형 부재(21)에서는, 돌기부(22)의 단면 형상은 거의 삼각형상으로 되어 있다.
도 2의 수지 부재(20) 상에 홈부 형성용형 부재(21)를 대고, 홈부 형성용형 부재(21)의 돌기부(22)의 정부(頂部)를 수지 부재(20)의 표면 미발포층(13)에 소정의 압력으로 누름으로써, 표면 미발포층(13)이 발포부(14) 방향으로 밀어 넣어져, 연마 패드(1)에 홈부(12)를 형성할 수 있다. 따라서, 도 3의 홈부 형성용형 부재(21)의 돌기부(22)의 위치에 대응하여, 수지 부재(20)의 표면 미발포층(13)에 홈부(12)가 형성된다. 또한, 돌기부(22)의 높이에 대응하여 홈부(12)의 깊이가 특정된다. 따라서, 돌기부(22)의 높이는, 홈부(12)의 소망한 깊이에 따라, 적절하게 선택 가능하고, 예를 들면, 약 0.2~1.0mm의 범위를 들 수 있고, 연마 패드(1)을 제조하기 위한 홈부 형성용형 부재(21)에서는, 약 0.5mm로 되어 있다. 홈부 형성용형 부재(21)의 재질로서는, 예를 들면, 금속이나 경질의 수지 등을 들 수 있다.
수지 부재(20)에 홈부 형성용형 부재(21)를 대는 방법으로서는, 예를 들면, 도 4에 도시한 바와 같이, 홈부 형성용형 부재(21)를 롤 형상으로 하고, 롤 형상의 홈부 형성용형 부재(21)를 회전시키면서, 돌기부(22)를 수지 부재(20)의 표면 미발포층(13)에 소정의 압력으로 꽉 누름으로써, 수지 부재(20) 상에 홈부(12)를 형성할 수 있다.
홈부(12)를 형성한 수지 부재(20)의 연마측의 면 중, 홈부(12) 이외의 부위가 연마부(11)로서 기능한다. 홈부(12) 이외의 부위의 표면 미발포층(13)을 버프 연마 등의 연마 처리로 제거함으로써, 수지 부재(20)의 발포부(14)를 표출시켜서 연마부(11)로 하여, 연마 패드(1)로 할 수 있다.
버프 연마 등에서 제거되는, 표면 미발포층(13)을 포함한 수지 발포체(15)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 약 50~200㎛의 범위에서의 제거를 들 수 있고, 실시 형태예에 따른 연마 패드(1)에서는, 수지 부재(20)의 표면 미발포층(13)의 두께가 약 50㎛라는 점에서, 약 100㎛ 제거한 후의 양태로 되어 있다.
연마 패드(1)가 상기 제조 방법 예에서는, 표면 미발포층(13)과 발포부(14)를 갖는 수지 부재(20)에 블레이드 형상의 돌기부(22)를 꽉 누름으로써 표면 평활한 홈부(12)를 형성할 수 있어, 연마 패드(1)의 제조가 용이하다. 또한, 수지 부재(20)에 돌기부(22)를 꽉 누름으로써 홈부(12)를 형성할 수 있어, 돌기부(22)의 형상, 배치를 변경함으로써, 홈부(12)의 형상, 배치를 변경할 수 있고, 홈부(12)의 설계의 자유도를 향상시킬 수 있다.
표면 미발포층(13)과 발포부(14)를 갖는 수지 부재(20)의 제조 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 소정의 미발포 수지의 성형체를 고압 용기 중에 봉입하고, 이 고압 용기에 불활성 가스를 주입하고, 가압 하에, 성형체에 불활성 가스를 침투시킨다. 불활성 가스를 침투 후, 압력 용기 내의 압력을 해방한 후 성형체를 가열하여 발포시켜, 한층 더 성형체를 냉각하고, 표면 미발포층(13)과 발포부(14)를 갖는 수지 부재(20)를 제조하는 방법을 들 수 있다. 혹은, 발포층을 형성하기 위한 열가소성 수지층에 기포화 핵제를 첨가하거나, 비발포층을 형성하기 위한 열가소성 수지층에 결정화 핵제, 결정화 촉진제를 첨가해 두는 것도, 각 수지층의 발포성을 어느 정도 제어할 수 있다. 또한, 각 층의 형성에 이용하는 열가소성 수지로서 특정 수지를 채용함으로써, 더욱 엄밀하게 발포성을 제어하는 것이 가능해진다. 상기 발포 조건을 적절하게 조정함으로써, 기포(17)의 치수, 기포벽(16)의 치수, 기포(17)의 밀집 상태 등을 조절하여, 연마부(11)의 최대 높이 조도(Rz) 및 산술 평균 조도(Ra)를 조절할 수 있다.
본 발명의 실시 형태예에 따른 연마 패드에서는, 예를 들면, 자기 디스크나 반도체 웨이퍼, 각종 기판, 전자재료를 연마하는 연마 장치에 이용할 수 있다. 상기 연마 장치로서는, 예를 들면, 연마 패드를 내면에 배치한 하정반(lower surface plate)과, 하정반의 연마 패드 상에 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 지지하는 지지 부재와, 연마 패드를 내면에 배치하고, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 소정의 가압을 실시하는 상정반(upper surface plate)과, 연마 슬러리 공급 수단을 구비한 연마 장치 등을 들 수 있다.
이어서, 본 발명의 연마 패드의 다른 실시 형태예에 대해 설명한다. 상기 실시 형태예에 따른 연마 패드(1)에서는, 연마부(11)의 전 표면으로부터 발포부(14)가 표출하고, 연마부(11)는 표면 미발포층(13)을 가지지 않지만, 이것을 대신해, 연마부(11) 중, 일부 표면으로부터 발포부(14)가 표출하고, 그 이외의 표면에서는, 표면 미발포층(13)으로 되어 있는 양태로 해도 좋다.
또한, 상기 홈부 형성용형 부재에서는, 돌기부의 단면은 거의 삼각형상이었지만, 돌기한 양태면, 그 형상은 한정되지 않고, 이것을 대신해, 예를 들면, 사다리꼴 등의 사각형이나 오각형 등의 다각형, 거의 반타원형, 거의 반원형 등이어도 좋다.
본 발명의 연마 패드는, 연마 성능과 연마 슬러리의 배출 특성이 우수하므로, 광범위의 분야에서 이용 가능하고, 예를 들면, 고도의 평활 경면 가공이 요구되는 자기 디스크나 반도체 웨이퍼의 연마의 분야에서 이용가치가 높다.
1: 연마 패드
10: 연마면
11: 연마부
12: 홈부
13: 표면 미발포층
14: 발포부
15: 수지 발포체

Claims (6)

  1. 연마부(polishing portion)와 홈부(groove portion)를 연마면에 갖는 연마 패드로서,
    상기 홈부의 표면은, 미발포부(unfoamed portion)를 가지며, 상기 연마부의 표면은, 발포부가 표출(reveal)하는 연마 패드.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 홈부의 표면의 최대 높이 조도(roughness)(Rz)가, 10㎛~30㎛이며, 상기 연마부의 표면의 최대 높이 조도(Rz)가, 30㎛~100㎛인 연마 패드.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 홈부의 표면의 산술 평균 조도(Ra)가, 0.1㎛~10㎛이며, 상기 연마부의 표면의 산술 평균 조도(Ra)가, 10㎛~45㎛인 연마 패드.
  4. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, (상기 연마부의 표면의 최대 높이 조도(Rz))-(상기 홈부의 표면의 최대 높이 조도(Rz))의 값이, 20㎛~70㎛인 연마 패드.
  5. 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서, (상기 연마부의 표면의 산술 평균 조도(Ra))-(상기 홈부의 표면의 산술 평균 조도(Ra))의 값이, 5㎛~35㎛인 연마 패드.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서, 3차원의 기포 구조를 갖는, 열가소성 수지로 이루어진 수지 발포체를 가지며, 상기 열가소성 수지가, 폴리페닐렌 설파이드 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지 및 폴리카보네이트 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종인 연마 패드.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001277304A (ja) * 2000-03-30 2001-10-09 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウエハ用研磨パッドの製造法
JP2006142440A (ja) * 2004-11-22 2006-06-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 研磨パッドおよびこれを用いた研磨方法
JP2006186239A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
KR20080037719A (ko) * 2005-08-19 2008-04-30 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 표면-텍스쳐화 미공질 연마 패드
JP2013176824A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Kuraray Co Ltd 皮膜および皮膜を有する研磨パッド
JP2015503232A (ja) * 2011-11-29 2015-01-29 ネクスプラナー コーポレイション 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000349053A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Asahi Chem Ind Co Ltd 溝付研磨パッド
US6641471B1 (en) * 2000-09-19 2003-11-04 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
US6913517B2 (en) * 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
KR100640141B1 (ko) * 2004-04-21 2006-10-31 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마 패드 및 그 제조 방법 및 화학 기계 연마방법
JP4621014B2 (ja) * 2004-12-10 2011-01-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
JP3769581B1 (ja) * 2005-05-18 2006-04-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびその製造方法
JP5288690B2 (ja) * 2005-05-13 2013-09-11 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法および研磨パッドの溝加工方法
JP5821133B2 (ja) * 2012-03-29 2015-11-24 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
JP5917236B2 (ja) * 2012-03-30 2016-05-11 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド用シート及びその製造方法、研磨パッド及びその製造方法、並びに研磨方法
JP2014008555A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Asahi Glass Co Ltd ガラス基板の研磨方法
JP6111797B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-12 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
US10946495B2 (en) * 2015-01-30 2021-03-16 Cmc Materials, Inc. Low density polishing pad

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001277304A (ja) * 2000-03-30 2001-10-09 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウエハ用研磨パッドの製造法
JP2006142440A (ja) * 2004-11-22 2006-06-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 研磨パッドおよびこれを用いた研磨方法
JP2006186239A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
KR20080037719A (ko) * 2005-08-19 2008-04-30 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 표면-텍스쳐화 미공질 연마 패드
JP2015503232A (ja) * 2011-11-29 2015-01-29 ネクスプラナー コーポレイション 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド
JP2013176824A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Kuraray Co Ltd 皮膜および皮膜を有する研磨パッド

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