KR20190117685A - Substrate processing system - Google Patents

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KR20190117685A
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히토시 하시마
노부아키 마츠오카
즈네나가 나카시마
다카히로 야스타케
히데오 후나코시
히로시 나카무라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판을 처리하는 처리 장치로서 열 처리 장치 등을 구비하고, 당해 처리 장치에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 음파를 방사하여 반송 영역 내의 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지하는 음파 방사 장치를 구비한다. 음파 방사 장치는, 예를 들어 반송 영역에 있어서의 열 처리 장치의 웨이퍼의 반출입구에 인접하는 영역이나, 기판 반송 영역에 있어서의, 카세트 적재부에 대한 기판 반출입구에 인접하는 영역에 마련된다. 또한, 음파 반사 장치는, 기판 반송 장치에 설치되어 있어도 된다.In the substrate processing system provided with the heat processing apparatus etc. as a processing apparatus which processes a board | substrate, and the conveyance area | region for conveying the wafer W in the said processing apparatus, the floating particle in a conveyance area | region is attached to a board | substrate by emitting a sound wave. It is provided with a sound wave radiation device for preventing the. An acoustic wave radiating apparatus is provided in the area | region adjacent to the carrying-out port of the wafer of the heat processing apparatus in a conveyance area | region, and the area | region adjacent to the board | substrate carrying out entrance to a cassette mounting part in a board | substrate conveyance area | region. In addition, the sound wave reflecting apparatus may be provided in the board | substrate conveyance apparatus.

Description

기판 처리 시스템Substrate processing system

(관련 출원의 상호 참조)(Cross-reference of related application)

본원은, 2017년 2월 24일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2017-32961호, 및 2017년 12월 27일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2017-251489호에 기초하여, 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-32961 for which it applied to Japan on February 24, 2017, and Japanese Patent Application No. 2017-251489 which was filed in Japan on December 27, 2017. The contents are used here.

본 발명은, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 관한 것이다.This invention relates to the substrate processing system provided with the processing apparatus which processes a board | substrate, and provided with the board | substrate conveyance area | region for conveying a board | substrate to the said processing apparatus.

예를 들어 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들어 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 표면 상에 도포액을 공급하여 반사 방지막이나 레지스트막을 형성하는 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리, 웨이퍼를 가열하는 열 처리 등이 순차 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다. 그리고 레지스트 패턴을 마스크로 하여 에칭 처리가 행해지고, 그 후 레지스트막의 제거 처리 등이 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 패턴이 형성된다. 이들 일련의 처리는, 웨이퍼를 처리하는 각종 처리 장치나 웨이퍼를 반송하는 반송 기구 등을 탑재한 기판 처리 시스템인 도포 현상 처리 시스템에서 행해지고 있다.For example, in the photolithography process in the manufacturing process of a semiconductor device, the coating process which supplies a coating liquid on the surface of a semiconductor wafer (henceforth a "wafer") as a board | substrate, for example, forms an anti-reflective film or a resist film, An exposure treatment for exposing the resist film in a predetermined pattern, a development treatment for developing the exposed resist film, a heat treatment for heating the wafer, and the like are sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer. Then, an etching process is performed using the resist pattern as a mask, and then a resist film removing process or the like is performed to form a predetermined pattern on the wafer. These series of processes are performed in the application | coating development system which is a substrate processing system equipped with the various processing apparatuses which process a wafer, the conveyance mechanism which conveys a wafer, etc.

또한, 도포 현상 처리 시스템에서는, 예를 들어 반송 영역 내의 분위기를 청정하게 유지하기 위해, 반송 기구가 마련된 반송 영역을 밀폐함과 함께, 반송 영역의 천장면에, 청정한 에어의 하강 기류를 공급하는 ULPA(Ultra Low Penetration Air) 필터를 마련하고 있다(특허문헌 1). ULPA 필터를 마련함으로써, 반송 영역 내의 부유 파티클을, 시스템의 하방으로 유하시켜, 배기 기구에 의해 배출할 수 있다.In addition, in the coating and developing processing system, for example, in order to keep the atmosphere in the conveying area clean, ULPA which seals the conveying area provided with the conveying mechanism and supplies the downdraft of clean air to the ceiling surface of the conveying area. (Ultra Low Penetration Air) filter is provided (patent document 1). By providing a ULPA filter, the floating particle in a conveyance area | region can flow down below a system, and can be discharged | emitted by an exhaust mechanism.

일본 특허 제2012-154688호 공보Japanese Patent No. 2012-154688

그런데, 장치 내의 파티클의 제어에 대해, 반도체 디바이스의 제조 프로세스의 미세화에 수반하여, 관리되는 파티클도 금후 점점 엄격해질 것이라고 생각할 수 있다. 따라서, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지하는 대책으로서, 특허문헌 1과 같이 반송 영역에 대해 ULPA 필터를 마련하는 것만으로는, 장치 내의 파티클의 제어로서 충분하지 않게 될 것이라고 생각할 수 있다. 예를 들어, ULPA 필터를 마련하였다고 해도, 웨이퍼 반송 장치의 동작 등에 의해 기류의 흐름이 차단, 변경되어, 웨이퍼 반송 장치가 동작하고 있지 않은 정지 상태와 상이한 내부 기류가 발생함으로써, 일단 하방을 향한 부유 파티클이 다시 상방으로 흐르게 되어 버리는 경우도 있다. 이 경우, 반송 영역으로부터 장시간 배출되지 않는 파티클도 존재할 가능성이 있어, 제조 프로세스에 따라서는, 이러한 파티클의 관리도 필요해지는 것이 예상된다.By the way, regarding the control of the particle | grains in an apparatus, with the refinement | miniaturization of the manufacturing process of a semiconductor device, it can be thought that the particle managed will become increasingly strict in the future. Therefore, as a countermeasure to prevent the floating particles from adhering to the substrate, it can be considered that simply providing a ULPA filter in the conveying area as in Patent Document 1 will not be sufficient as control of the particles in the apparatus. For example, even if the ULPA filter is provided, the flow of airflow is blocked and changed by the operation of the wafer conveying apparatus or the like, and internal airflow different from the stationary state in which the wafer conveying apparatus is not operated generates floating. In some cases, particles may flow upward again. In this case, there is a possibility that particles that are not discharged from the transport region for a long time may exist, and depending on the manufacturing process, it is expected that management of such particles is also required.

본 발명은, 이러한 점에 비추어 이루어진 것이며, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 더 확실하게 방지하는 것을 목적으로 하고 있다.The present invention has been made in view of the above, and further includes a substrate processing system provided with a processing apparatus for processing a substrate and provided with a substrate transport region for transporting the substrate to the processing apparatus, wherein the floating particles are attached to the substrate. It aims to prevent reliably.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태는, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 음파를 방사하는 음파 방사 장치를 상기 기판 반송 영역에 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.In order to achieve the said objective, 1 aspect of this invention is equipped with the processing apparatus which processes a board | substrate, and the board | substrate processing system provided with the board | substrate conveyance area for conveying a board | substrate to the said processing apparatus WHEREIN: The sound wave radiation which radiates a sound wave An apparatus is provided in the said board | substrate conveyance area | region.

본 발명에 따르면, 음파를 방사하는 음파 방사 장치를 상기 기판 반송 영역에 구비하기 때문에, 부유 파티클을 배기 기구의 방향으로 이동시킬 수 있으므로, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 더 확실하게 방지할 수 있다.According to the present invention, since the sound wave radiating device that emits sound waves is provided in the substrate conveyance region, the floating particles can be moved in the direction of the exhaust mechanism, whereby the floating particles can be more reliably prevented from adhering to the substrate. .

본 발명에 따르면, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 더 확실하게 방지할 수 있다.According to the present invention, in the substrate processing system provided with the processing apparatus which processes a board | substrate, and provided with the board | substrate conveyance area | region for conveying a board | substrate to the said processing apparatus, it can further reliably prevent a floating particle from adhering to a board | substrate. .

도 1은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 정면도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 배면도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 종단 측면도이다.
도 5는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 종단 정면도이다.
도 6은 음파 방사 장치의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 7은 음파 방사 장치의 다른 예를 도시하는 측면도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 다른 예의 개략을 도시하는 설명도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 또 다른 예의 설명도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 냉각판의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 선반 유닛에 마련된 수납 블록의 내부의 상면도이다.1 is a plan view illustrating an outline of a configuration of a substrate processing system according to a first embodiment.
2 is a front view illustrating an outline of a configuration of a substrate processing system according to a first embodiment.
3 is a rear view illustrating the outline of the configuration of the substrate processing system according to the first embodiment.
4 is a longitudinal side view illustrating an outline of a configuration of a substrate processing system according to the first embodiment.
5 is a vertical front view illustrating the outline of the configuration of the substrate processing system according to the first embodiment.
6 is a plan view illustrating an example of an acoustic wave radiating device.
7 is a side view showing another example of the sound wave emitting device.
It is explanatory drawing which shows the outline of another example of the substrate processing system which concerns on 1st Embodiment of this invention.
9 is an explanatory diagram of still another example of the substrate processing system according to the first embodiment of the present invention.
It is a figure for demonstrating the outline of the substrate processing system which concerns on 2nd Embodiment of this invention.
11 is a diagram illustrating another example of the cooling plate.
It is a figure for demonstrating the outline of the substrate processing system which concerns on 3rd Embodiment of this invention.
It is a top view of the inside of the accommodating block provided in the shelf unit.

(제1 실시 형태)(1st embodiment)

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 설명도이다. 도 2 및 도 3은, 각각 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 모식적으로 도시하는, 정면도와 배면도이다. 도 4 및 도 5는, 각각 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 모식적으로 도시하는, 종단 측면도와 종단 정면도이다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 대해서는, 동일한 번호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described. 1 is an explanatory diagram showing an outline of a configuration of a substrate processing system according to a first embodiment of the present invention. FIG.2 and FIG.3 is a front view and a back view which respectively show the outline of the internal structure of a substrate processing system. 4 and 5 are longitudinal side views and vertical front views, respectively, schematically showing an outline of an internal configuration of the substrate processing system. In addition, in this specification and drawing, duplication description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same number about the element which has a substantially same functional structure.

기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시하는 바와 같이 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 performs predetermined processing on the cassette station 10 into which the cassette C containing the plurality of wafers W is loaded and unloaded, and the wafers W. As shown in FIG. The interface station 13 which transfers the wafer W between the processing station 11 provided with the several processing apparatuses, and the exposure apparatus 12 adjacent to the processing station 11 integrally connected is integrally connected. Has a configuration

카세트 스테이션(10)에는, 카세트 적재대(20)가 마련되어 있다. 카세트 적재대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대해 카세트(C)를 반입출할 때, 카세트(C)를 적재하는 카세트 적재판(21)이 복수 마련되어 있다.The cassette station 10 is provided with a cassette mounting table 20. When the cassette C is carried in and out from the outside of the substrate processing system 1, the cassette mounting table 20 is provided with a plurality of cassette mounting plates 21 on which the cassette C is loaded.

카세트 스테이션(10)에는, 카세트 적재대(20)와 처리 스테이션(11) 사이에 웨이퍼 반송 영역 L이 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 영역 L에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는, 상하 방향 및 연직축 주위(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 적재판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The cassette station 10 is provided with a wafer conveyance area L between the cassette mounting table 20 and the processing station 11. In the wafer conveyance area L, as shown in FIG. 1, the wafer conveyance apparatus 23 which can move on the conveyance path 22 extended in an X direction is provided. The wafer transfer device 23 is movable in the vertical direction and the vertical axis circumference (θ direction), and the cassette C on each cassette mounting plate 21 and the third block G3 of the processing station 11 described later. The wafers W can be transported between the transfer devices of.

처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들어 제1∼제4의 4개의 블록 G1, G2, G3, G4가 마련되어 있다. 예를 들어 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 제1 블록(G1)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는, 제2 블록(G2)이 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는, 제3 블록(G3)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제4 블록(G4)이 마련되어 있다.The processing station 11 is provided with plural, for example, first to fourth four blocks G1, G2, G3, and G4 provided with various devices. For example, the 1st block G1 is provided in the front side (X direction negative direction side of FIG. 1) of the processing station 11, and the back side (X direction positive direction side of FIG. 1) of the processing station 11 is provided. The second block G2 is provided. Further, a third block G3 is provided on the cassette station 10 side (the Y-direction negative direction side in FIG. 1) of the processing station 11, and the interface station 13 side of the processing station 11 (FIG. 4th block G4 is provided in 1 Y-direction positive direction side).

예를 들어 제1 블록(G1)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이 복수의 액 처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래로부터 이 순서로 배치되어 있다.For example, in the first block G1, as shown in FIG. 2, a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a developing processing apparatus 30 for developing a wafer W, and a lower layer of a resist film of the wafer W A lower anti-reflection film forming apparatus 31 for forming an anti-reflection film (hereinafter referred to as a "lower anti-reflection film"), a resist coating device 32 and a wafer W for forming a resist film by applying a resist liquid to the wafer W; The upper antireflection film forming apparatus 33 for forming an antireflection film (hereinafter referred to as an "upper antireflection film") on the resist film is arranged in this order from below.

예를 들어, 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 각각 수평 방향으로 4개 나열되어 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.For example, four development processing apparatuses 30, the lower antireflection film forming apparatus 31, the resist coating apparatus 32, and the upper antireflection film forming apparatus 33 are arranged side by side in the horizontal direction. In addition, the number and arrangement | positioning of these image development processing apparatus 30, the lower anti-reflective film forming apparatus 31, the resist coating apparatus 32, and the upper anti-reflective film forming apparatus 33 can be selected arbitrarily.

이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에서는, 예를 들어 웨이퍼(W) 상에 소정의 도포액을 도포하는 스핀 코팅이 행해진다. 스핀 코팅에서는, 예를 들어 도포 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 도포액을 토출함과 함께, 웨이퍼(W)를 회전시켜, 도포액을 웨이퍼(W)의 표면으로 확산시킨다.In these development processing apparatuses 30, the lower antireflection film forming apparatus 31, the resist coating apparatus 32, and the upper antireflection film forming apparatus 33, a predetermined coating liquid is applied onto the wafer W, for example. Spin coating is done. In spin coating, for example, the coating liquid is discharged from the coating nozzle onto the wafer W, the wafer W is rotated, and the coating liquid is diffused onto the surface of the wafer W. FIG.

예를 들어 제2 블록(G2)에는, 도 3에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 가열이나 냉각과 같은 열 처리를 행하는 열 처리 장치(40)나, 레지스트액과 웨이퍼(W)의 정착성을 높이기 위한 어드히젼 장치(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향 등으로 나열되어 마련되어 있다. 이들 열 처리 장치(40), 어드히젼 장치(41), 주변 노광 장치(42)의 수나 배치에 대해서도, 임의로 선택할 수 있다.For example, in the second block G2, as shown in FIG. 3, the heat treatment apparatus 40 that performs heat treatment such as heating and cooling the wafer W, and the fixability of the resist liquid and the wafer W Advance apparatus 41 for increasing the height, and peripheral exposure apparatus 42 for exposing the outer peripheral portion of wafer W are arranged in the vertical direction and the like. The number and arrangement of these heat treatment apparatus 40, the advice apparatus 41, and the peripheral exposure apparatus 42 can also be selected arbitrarily.

예를 들어 제3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치 등이 적층된 선반 유닛이 마련되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에도, 복수의 전달 장치 등이 적층된 선반 유닛이 마련되어 있다.For example, a shelf unit in which a plurality of delivery devices and the like are stacked is provided in the third block G3. Moreover, the shelf unit in which several delivery apparatuses etc. were laminated is provided also in 4th block G4.

도 1에 도시하는 바와 같이 제1 블록(G1)∼제4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역 R이 형성되어 있다.As shown in FIG. 1, the wafer conveyance area | region R is formed in the area | region enclosed by the 1st block G1-the 4th block G4.

또한, 도 1에 도시하는 바와 같이 제3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(100)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(100a)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 반송 암(100a)에 의해 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.Moreover, as shown in FIG. 1, the wafer conveyance apparatus 100 is provided beside the X direction positive direction side of 3rd block G3. The wafer conveyance apparatus 100 has the conveyance arm 100a which can move to an X direction, (theta) direction, and an up-down direction, for example. The wafer conveyance apparatus 100 can move up and down in the state which supported the wafer W by the conveyance arm 100a, and can convey the wafer W to each delivery apparatus in 3rd block G3.

인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(110)와 전달 장치(111)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(110a)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 반송 암(110a)에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(111) 및 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The interface station 13 is provided with a wafer transfer device 110 and a transfer device 111. The wafer conveyance apparatus 110 has the conveyance arm 110a which can move to a Y direction, (theta) direction, and an up-down direction, for example. The wafer conveyance apparatus 110 supports the wafer W in the conveyance arm 110a, for example, and between each delivery apparatus, the delivery apparatus 111, and the exposure apparatus 12 in 4th block G4. The wafer W can be conveyed.

웨이퍼 반송 영역 R에 대해 더 설명한다. 웨이퍼 반송 영역 R은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 4개의 반송 영역 R1∼R4가 아래로부터 차례로 적층되어 구성되고, 반송 영역 R1∼R4는 각각, 제3 블록(G3)측으로부터 제4 블록(G4)측을 향하는 방향(도 4의 Y 방향 정방향)으로 연장되도록 형성되어 있다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R1∼R4의 폭 방향의 한쪽에는, 레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치가 배치되고, 다른 쪽에는 예를 들어 열 처리 장치(40)가 배치된다. 열 처리 장치(40) 대신에, 어드히젼 장치(41)나 주변 노광 장치(42)가 배치되는 경우도 있다.The wafer transfer region R will be further described. As shown in FIG. 4, the wafer conveyance area | region R is comprised by laminating | stacking four conveyance area | regions R1-R4 from the bottom, and conveyance area | regions R1-R4 are respectively comprised of the 4th block (from the 3rd block G3 side). It is formed to extend in the direction toward the G4) side (Y direction positive direction of FIG. 4). As shown in FIG. 5, liquid processing apparatuses, such as the resist coating apparatus 32, are arrange | positioned at one side of the width direction of conveyance area | regions R1-R4, and the heat processing apparatus 40 is arrange | positioned at the other side, for example. . Instead of the heat treatment apparatus 40, the advice apparatus 41 and the peripheral exposure apparatus 42 may be arrange | positioned.

또한, 반송 영역 R1∼R4에는 각각, 당해 반송 영역 R1∼R4의 길이 방향(도 5의 Y 방향)을 따라 연신하는 가이드(301)와, 당해 가이드(301)를 따라 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치인 반송 암 A1∼A4가 마련되어 있다. 반송 암 A1∼A4는, 반송 영역 R1∼R4마다 당해 영역 R1∼R4에 인접하는 모든 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 것이다. 이 반송 암 A1∼A4(이하, 통합하여 반송 암(A)이라고 칭하는 경우가 있음)는, 가이드(301)를 따라 이동하는 프레임(302)과, 당해 프레임(302)을 따라 승강하는 승강체(303)와, 당해 승강체(303) 상을 회동하는 회동체(304)와, 당해 회동체(304) 상을 진퇴하는 웨이퍼 지지부(305)를 갖는다.In addition, the conveyance area | region R1-R4 conveys the guide 301 extending along the longitudinal direction (Y direction of FIG. 5) of the said conveyance area | regions R1-R4, and the wafer W along the said guide 301, respectively. The conveyance arms A1-A4 which are conveyance apparatuses are provided. The transfer arms A1 to A4 are for transferring the wafers W between all the modules adjacent to the regions R1 to R4 for each of the transfer regions R1 to R4. The conveyance arms A1 to A4 (hereinafter sometimes referred to collectively as the conveyance arm A) include a frame 302 moving along the guide 301 and a lifting body that moves up and down along the frame 302 ( 303, the rotating body 304 which rotates on the said lifting body 303, and the wafer support part 305 which advances and advances on the said rotating body 304.

레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치는, 스핀 코팅에 의해 도포막을 형성하기 위해, 웨이퍼(W)를 보유 지지하여 회전시키는 스핀 척(201)과, 도포액을 공급하는 도시하지 않은 도포액 공급 노즐을 갖는다. 또한, 상기 액 처리 장치는, 웨이퍼(W)를 둘러싸고 웨이퍼(W)로부터 비산한 도포액을 회수하는 컵(202)과, 당해 컵(202)의 상방에 마련되고 컵(202) 내에 청정한 에어를 공급하는 필터(203)를 갖는다.A liquid processing apparatus such as a resist coating device 32 includes a spin chuck 201 for holding and rotating a wafer W and a coating liquid (not shown) to form a coating film by spin coating. Has a supply nozzle. The liquid processing apparatus further includes a cup 202 that surrounds the wafer W and recovers a coating liquid scattered from the wafer W, and air that is provided above the cup 202 and that is clean in the cup 202. It has the filter 203 to supply.

열 처리 장치(40)는, 웨이퍼(W)를 가열하는 열판(401)과, 당해 열판(401)과 반송 암 A1∼A4 사이에서 웨이퍼(W)를 전달함과 함께 웨이퍼(W)를 냉각하는 플레이트(402)와, 열판(401)의 상방에 마련된 정류판(403)과, 반송 영역 R1∼R4 및 열 처리 장치(40) 내를 배기하는 배기부(404, 405)를 갖는다. 위로부터 2개째, 4개째, 6개째, 8개째의 열 처리 장치(40)의 하방에는, 반송 영역 R1∼R4를 배기하는 팬 장치(406)가 마련되어 있다.The heat treatment apparatus 40 transfers the wafer W between the hot plate 401 for heating the wafer W, the hot plate 401 and the transfer arms A1 to A4, and cools the wafer W. The plate 402, the rectifying plate 403 provided above the hot plate 401, and the exhaust parts 404 and 405 which exhaust the conveyance area | regions R1-R4 and the inside of the heat processing apparatus 40 are provided. The fan apparatus 406 which exhausts conveyance area | regions R1-R4 is provided below the 2nd, 4th, 6th, and 8th heat processing apparatus 40 from the top.

처리 스테이션(11)에 대해 더 설명한다. 처리 스테이션(11)은, 하우징(51)을 구비하고, 당해 하우징(51) 내에 상술한 각 장치가 수납되어 있고, 하우징(51) 내는 반송 영역 R1∼R4마다 구획되어 있다. 하우징(51) 상에는 팬 필터 유닛(FFU)(52)이 마련되어 있고, 당해 FFU(52)에는 상하로 연신되어, 반송 영역 R1∼R4에 걸치도록 형성된 수직 덕트(53)가 접속되어 있다. 이 수직 덕트(53)는, 각 반송 영역 R1∼R4의 길이 방향을 따라 연신되는 수평 덕트(54)에 접속되어 있다.The processing station 11 is further described. The processing station 11 is provided with the housing 51, the above-mentioned apparatus is accommodated in the said housing 51, and the inside of the housing 51 is partitioned for every conveyance area | region R1-R4. A fan filter unit (FFU) 52 is provided on the housing 51, and the vertical duct 53 which extends up and down and is formed over the conveyance areas R1 to R4 is connected to the FFU 52. This vertical duct 53 is connected to the horizontal duct 54 extended along the longitudinal direction of each conveyance area | region R1-R4.

수평 덕트(54)는, 각 반송 영역 R1∼R4에 있어서의, 레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치측의 에지부의 상방에 마련되어 있다. 또한, 수평 덕트(54)는, 도시하지 않은 ULPA 필터를 내부에 갖는다. 상술한 팬 필터 유닛(52)으로부터 송풍된 에어는, 직접 또는 수직 덕트(53)를 통해, 수평 덕트(54)로 유입되고, ULPA 필터에 의해 청정화되어, 수평 덕트(54)로부터 하방으로 공급된다.The horizontal duct 54 is provided above the edge part of the liquid processing apparatus side, such as the resist coating apparatus 32 in each conveyance area | region R1-R4. In addition, the horizontal duct 54 has the ULPA filter which is not shown in figure. The air blown from the above-described fan filter unit 52 flows into the horizontal duct 54 directly or through the vertical duct 53, is cleaned by the ULPA filter, and is supplied downward from the horizontal duct 54. .

또한, 수평 덕트(54)의 하방에는, 구획판(55)이 마련되어 있다. 이 구획판(55)은, 각 반송 영역 R1∼R4의 천장면을 형성하는 것이며, 수평 덕트(54)로부터 공급되는 에어를 확산하는 기체 확산실(도시하지 않음)을 내부에 갖는다. 또한, 구획판(55)의 하면에는, 기체 확산실에서 확산된 에어를 반송 영역 R1∼R4로 토출하기 위한 다수의 토출구가 전체면에 형성되어 있다.The partition plate 55 is provided below the horizontal duct 54. This partition plate 55 forms the ceiling surface of each conveyance area | region R1-R4, and has the gas diffusion chamber (not shown) which diffuses the air supplied from the horizontal duct 54 inside. In addition, a plurality of discharge ports for discharging air diffused in the gas diffusion chamber into the transfer regions R1 to R4 are formed on the lower surface of the partition plate 55 on the entire surface.

수평 덕트(54)의 ULPA 필터를 통과하고 파티클이 제거되어 청정화된 에어는, 구획판(55)의 기체 확산실로 유입되어, 토출구를 통해, 하방으로 토출된다. 이와 같이 하여, 각 반송 영역 R1∼R4에 있어서, 청정화된 에어에 의한 하강 기류가 형성되어 있다.The air which has passed through the ULPA filter of the horizontal duct 54 and the particles are removed and cleaned, flows into the gas diffusion chamber of the partition plate 55 and is discharged downward through the discharge port. In this way, in each conveyance area | region R1-R4, the downward airflow by the clean air is formed.

처리 스테이션(11)은, 상술한 청정화된 에어에 의한 하강 기류로, 부유 파티클을 하방으로 유하시켜, 팬 장치(406)를 통해 외부로 배출하고 있다. 이 처리 스테이션(11)에서는, 각 반송 영역 R1∼R4 내의 분위기를 더 청정화하기 위해, 반송 영역 R1∼R4 내에 각각 음파 방사 장치가 마련되어 있다. 구체적으로는, 반송 영역 R1∼R4에 있어서 레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치의 웨이퍼(W)의 반출입구 K1에 인접하는 영역에 음파 방사 장치(60)가 마련되고, 반송 영역 R1∼R4에 있어서 열 처리 장치(40)의 웨이퍼(W)의 반출입구 K2에 인접하는 영역에 음파 방사 장치(70)가 마련되어 있다.The processing station 11 causes the floating particles to flow downward in the downdraft of clean air, and discharges them to the outside through the fan apparatus 406. In this processing station 11, in order to further clean the atmosphere in each conveyance area | region R1-R4, the sound wave radiating apparatus is provided in the conveyance area | regions R1-R4, respectively. Specifically, in the conveyance regions R1 to R4, the sound wave radiating apparatus 60 is provided in the region adjacent to the carry-out and exit K1 of the wafer W of the liquid processing apparatus such as the resist coating apparatus 32, and the conveyance regions R1 to R4. In R4, the sound wave radiating apparatus 70 is provided in the area | region adjacent to the carrying-out opening K2 of the wafer W of the heat processing apparatus 40. As shown in FIG.

음파 방사 장치(60, 70)는, 예를 들어 상기 반출입구 K1, K2의 상방으로부터, 배기용 팬 장치(406)가 마련된 반송 영역 R1∼R4의 저부를 향해, 음파를 방출하도록 설치된다.The sound wave radiators 60 and 70 are provided so as to emit sound waves, for example, from above the carry-out ports K1 and K2 toward the bottoms of the conveyance regions R1 to R4 provided with the exhaust fan apparatus 406.

음파 방사 장치(60, 70)로부터 저부 방향으로 방사한 음파에 의해, 상술한 반출입구 근방 등에 존재하는 부유 파티클을 하방으로 이동시켜, 팬 장치(406)를 통해 외부로 배출할 수 있다.By the sound waves radiated in the bottom direction from the sound wave radiating devices 60 and 70, the floating particles present in the vicinity of the carrying out entrance and the like can be moved downward and discharged to the outside through the fan device 406.

또한, 상기 음파 방사 장치(60, 70)를 상술한 바와 같이 마련함으로써, 액 처리 장치 및 열 처리 장치(40)와 반송 암 A1∼A4 사이에서의 웨이퍼(W) 전달 시에, 액 처리 장치 및 열 처리 장치(40)로부터 반송 영역 R1∼R4로 파티클이 침입하거나, 반송 영역 R1∼R4로부터 액 처리 장치 및 열 처리 장치(40)로 파티클이 침입하거나 하는 것을 방지할 수 있다.Further, by providing the sound wave radiating devices 60 and 70 as described above, the liquid processing device and the wafer W are transferred between the liquid processing device and the thermal processing device 40 and the transfer arms A1 to A4. It is possible to prevent particles from entering the conveyance regions R1 to R4 from the heat treatment apparatus 40 or invading particles into the liquid processing apparatus and the heat treatment apparatus 40 from the transfer regions R1 to R4.

또한, 음파 방사 장치(60, 70)를 마련함으로써, 메인터넌스 시에, 반송 영역 R1∼R4의 개방 등에 의해 파티클의 침입이나 인적 동작에 의한 발진 등에 의해 청정도가 악화되어도, 원래의 청정도로 신속하게 복귀시킬 수 있다.In addition, by providing the sound wave radiators 60 and 70, during the maintenance, even if the cleanliness deteriorates due to particle intrusion, oscillation by human motion, etc., by opening of the conveyance areas R1 to R4, etc., the apparatus quickly returns to the original cleanliness. You can.

또한, 반출입구 K1, K2는, 후술하는 제어부(500)의 제어에 기초하여 개폐 가능하게 구성되어 있다.In addition, the carrying in and out ports K1 and K2 are comprised so that opening and closing is possible based on control of the control part 500 mentioned later.

도면의 예에서는, 열 처리 장치(40)에 2개의 반출입구 K2에 대해 하나의 음파 방사 장치(70)를 마련하고 있지만, 2개의 반출입구 K2 각각에 대해 하나의 음파 방사 장치(70)를 설치하도록 해도 된다.In the example of the figure, although the one sound wave radiator 70 is provided in the heat processing apparatus 40 with respect to two carry-out inlet K2, one sound wave radiator 70 is provided for each of two carry-out inlet K2. You may do so.

또한, 음파 방사 장치(70)는, 반송 영역 R1∼R4의 저부측을 향해 음파를 방출하는 것이 아니라, 배기부(404, 405)가 마련된 열 처리 장치(40)의 외측을 향해 음파를 방출하도록 설치되어도 된다. 이에 의해, 열 처리 장치(40)의 반출입구 근방의 파티클을 외측으로 이동시켜, 배기부(404, 405)를 통해 외부로 배출할 수 있다.In addition, the sound wave radiating device 70 emits sound waves toward the outside of the heat treatment device 40 provided with the exhaust sections 404 and 405, instead of emitting sound waves toward the bottom sides of the transport regions R1 to R4. It may be installed. As a result, the particles in the vicinity of the carrying in and out of the heat treatment device 40 can be moved outward and discharged to the outside through the exhaust units 404 and 405.

도 6은, 음파 방사 장치(60)의 일례를 도시하는 평면도이다.6 is a plan view illustrating an example of the sound wave radiating device 60.

음파 방사 장치(60)는, 초음파를 사용함으로써 지향성을 갖는 음파를 방출하는 파라메트릭 스피커이며, 초음파를 방출하는 복수의 트랜스듀서(61)를 평판상의 베이스(62)에 나열하여, 파라메트릭 어레이가 구성된 것이다. 예를 들어, 트랜스듀서(61)가 아래를 향하도록 베이스(62)를 반송 영역 R1∼R4의 천장 부근에 고정함으로써 음파 방사 장치(60)는 설치된다.The sound wave radiating device 60 is a parametric speaker that emits sound waves having directivity by using ultrasonic waves, and a plurality of transducers 61 emitting ultrasonic waves are arranged on the flat base 62 so that a parametric array is provided. It is composed. For example, the sound wave radiating device 60 is provided by fixing the base 62 near the ceiling of the conveyance areas R1 to R4 so that the transducer 61 faces downward.

음파 방사 장치(60)가 방출하는 음파는, 가청 영역의 주파수인 것이어도 되고, 예를 들어 20㎑ 이상의 주파수를 갖는 초음파여도 된다.The sound wave emitted by the sound wave radiating device 60 may be a frequency of an audible region, for example, an ultrasonic wave having a frequency of 20 Hz or more.

음파 방사 장치(60)를 파라메트릭 스피커로 구성함으로써, 부유 파티클을 원하는 방향으로 이동시킬 수 있으므로, 당해 부유 파티클을 확실하게 외부로 배제하여 제거할 수 있다.By configuring the acoustic wave radiator 60 as a parametric speaker, the floating particles can be moved in a desired direction, so that the floating particles can be reliably excluded and removed to the outside.

또한, 도면의 예에서는, 세로 4개×가로 8개의 계 32개의 트랜스듀서(61)가 나열되어 있었지만, 트랜스듀서(61)의 수나 배치는 이 예에 한정되는 것은 아니다.In addition, in the example of the figure, although 32 transducers 61 of 4 total length x 8 widths were listed, the number and arrangement | positioning of the transducer 61 are not limited to this example.

또한, 음파 방사 장치(70)의 구성은, 음파 방사 장치(60)와 마찬가지이므로 그 설명을 생략한다.In addition, since the structure of the sound wave radiating apparatus 70 is the same as that of the sound wave radiating apparatus 60, the description is abbreviate | omitted.

이상의 각 장치로 이루어지는 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 제어부(500)가 마련되어 있다. 제어부(500)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계 동작을 제어하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 도포 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있었던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어부(500)에 인스톨된 것이어도 된다.The control part 500 is provided in the substrate processing system 1 which consists of each above apparatus as shown in FIG. The control part 500 is a computer, for example, and has a program storage part (not shown). In the program storage unit, a program for controlling the processing of the wafer W in the substrate processing system 1 is stored. The program storage unit also stores a program for controlling the drive system operations of the various processing apparatuses, conveying apparatuses, and the like described above to realize the coating process described later in the substrate processing system 1. The program may be a computer-readable storage medium H such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card, or the like. Recorded in the control unit and installed in the control unit 500 from the storage medium.

다음으로, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 사용하여 행해지는 웨이퍼 처리에 대해 설명한다. 먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가, 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되고, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치로 반송된다.Next, the wafer process performed using the substrate processing system 1 comprised as mentioned above is demonstrated. First, the cassette C which accommodated the some wafer W is carried in the cassette station 10 of the substrate processing system 1, and each wafer W in the cassette C is carried out by the wafer conveyance apparatus 23. ) Is sequentially conveyed to the delivery device of the third block G3 of the processing station 11.

다음으로, 웨이퍼(W)가 처리 스테이션(11)의 반송 영역 R2의 반송 암 A2에 의해 열 처리 장치(40)를 향해 반송된다. 이 반송과 함께, 반송 영역 R2에 인접하는 제2 블록(G2)의 열 처리 장치(40)의 반출입구 K2가 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(70)로부터 반송 영역 R2의 저부를 향해 음파가 방사된다. 반출입구 K2의 개구 동작 개시 전으로부터 음파 방사가 개시되는 것이 바람직하다.Next, the wafer W is conveyed toward the heat processing apparatus 40 by the conveyance arm A2 of the conveyance area | region R2 of the processing station 11. Along with this conveyance, the carry-out and exit K2 of the heat processing apparatus 40 of the 2nd block G2 adjacent to the conveyance area | region R2 is opened, and the bottom part of the conveyance area | region R2 is carried out from the sound wave radiating apparatus 70 according to this opening operation | movement. Sound waves are emitted towards It is preferable that sound wave radiation starts before the opening operation | movement start of opening-and-closing opening K2 is started.

음파 방사 장치(70)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 열 처리 장치(40) 내에 삽입되고, 당해 열 처리 장치(40)의 플레이트(402)에 웨이퍼(W)가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 열 처리 장치(40) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K2가 폐쇄되고, 음파 방사 장치(70)로부터의 음파 방사가 정지된다. 그리고 웨이퍼(W)는 열 처리 장치(40)에 의해 온도 조절 처리된다.In a state where sound waves are radiated from the sound wave radiating device 70, the wafer support 305 of the transfer arm A2 is inserted into the heat processing device 40, and the wafer W is placed on the plate 402 of the heat processing device 40. ) Is passed. After the transfer, the wafer support portion 305 of the transfer arm A2 is pulled out from the heat treatment apparatus 40, the carry-out and exit K2 is closed, and sound wave radiation from the sound wave radiator 70 is stopped. And the wafer W is temperature-controlled by the thermal processing apparatus 40.

온도 조절 처리 후, 열 처리 장치(40)의 반출입구 K2가 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(70)로부터 음파가 방사된다. 음파 방사 장치(70)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 열 처리 장치(40) 내에 삽입되고, 당해 열 처리 장치(40)의 플레이트(402)로부터 웨이퍼 지지부(305)로 웨이퍼(W)가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 열 처리 장치(40) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K2가 폐쇄되고, 음파 방사 장치(70)로부터의 음파 방사가 정지된다. 또한, 이하의 열 처리 장치(40)에서의 가열 처리 시에도, 상술한 바와 마찬가지로 반출입구 K2의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치(70)로부터의 음파 방사가 개시/정지된다. 따라서, 이하에서는, 열 처리 장치(40)에 의한 가열 처리 시에 행해지는 음파 방사에 대해 설명을 생략한다.After the temperature control processing, the carry-out and exit K2 of the heat treatment device 40 is opened, and sound waves are radiated from the sound wave radiator 70 in accordance with this opening operation. In the state in which sound waves are radiated from the sound wave radiating apparatus 70, the wafer support 305 of the transfer arm A2 is inserted into the heat treatment apparatus 40, and the wafer support portion (from the plate 402 of the heat treatment apparatus 40). Wafer W is delivered to 305. After the transfer, the wafer support portion 305 of the transfer arm A2 is pulled out from the heat treatment apparatus 40, the carry-out and exit K2 is closed, and sound wave radiation from the sound wave radiator 70 is stopped. Moreover, also in the heat processing in the following heat processing apparatus 40, sound wave radiation from the sound wave radiating apparatus 70 is started / stopped in synchronism with opening and closing of the carry-out and exit K2 similarly to the above. Therefore, below, description is abbreviate | omitted about the radiation of sound waves performed at the time of the heat processing by the heat processing apparatus 40. As shown in FIG.

그 후, 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 하부 반사 방지막 형성 장치(31)를 향해 반송된다. 이 반송과 함께, 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 반출입구 K1이 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(60)로부터 반송 영역 R2의 저부를 향해 음파가 방사된다. 반출입구 K1의 개구 동작 개시 전으로부터 음파 방사가 개시되는 것이 바람직하다.Thereafter, the wafer W is conveyed toward the lower antireflection film forming apparatus 31 by the transfer arm A2. With this conveyance, the carry-out and exit K1 of the lower antireflection film forming apparatus 31 is opened, and sound waves are radiated from the sound wave radiating device 60 toward the bottom of the conveyance region R2 in accordance with this opening operation. It is preferable that sound wave radiation starts before the opening operation | movement start of opening-and-closing opening K1 is started.

음파 방사 장치(60)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내에 삽입되고, 당해 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 웨이퍼 전달용의 핀(도시하지 않음)에 웨이퍼가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K1이 폐쇄되고, 음파 방사 장치(60)로부터의 음파 방사가 정지된다. 그리고 하부 반사 방지막 형성 장치(31)에 의해 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다.In the state where the sound wave is radiated from the sound wave radiating device 60, the wafer support part 305 of the conveyance arm A2 is inserted in the lower anti-reflective film forming apparatus 31, and for wafer transfer of the lower anti-reflective film forming apparatus 31. The wafer is delivered to a pin (not shown). After the transfer, the wafer support portion 305 of the transfer arm A2 is pulled out of the lower antireflection film forming apparatus 31, the carry-out and exit K1 are closed, and sound wave radiation from the sound wave radiating device 60 is stopped. The lower antireflection film is formed on the wafer W by the lower antireflection film forming apparatus 31.

하부 반사 방지막 형성 후, 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 반출입구 K1이 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(60)로부터 음파가 방사된다. 음파 방사 장치(60)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내에 삽입되고, 당해 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 웨이퍼 전달용의 핀으로부터 웨이퍼 지지부(305)에 웨이퍼(W)가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K1이 폐쇄되고, 음파 방사 장치(60)로부터의 음파 방사가 정지된다. 또한, 이하의 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 이외의 액 처리 장치에서의 처리 시에도, 상술한 바와 마찬가지로 반출입구 K1의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치(60)로부터의 음파 방사가 개시/정지된다. 따라서, 이하에서는, 액 처리 장치에 의한 가열 처리 시에 행해지는 음파 방사에 대해 설명을 생략한다.After the lower anti-reflection film is formed, the carry-out and exit K1 of the lower anti-reflection film forming apparatus 31 is opened, and sound waves are emitted from the sound wave radiating device 60 in accordance with this opening operation. In the state where the sound wave is radiated from the sound wave radiating device 60, the wafer support part 305 of the conveyance arm A2 is inserted in the lower anti-reflective film forming apparatus 31, and for wafer transfer of the lower anti-reflective film forming apparatus 31. The wafer W is transferred from the pins to the wafer support 305. After the transfer, the wafer support portion 305 of the transfer arm A2 is pulled out of the lower antireflection film forming apparatus 31, the carry-out and exit K1 are closed, and sound wave radiation from the sound wave radiating device 60 is stopped. In addition, also in the case of processing by liquid processing apparatuses other than the lower anti-reflective film forming apparatus 31, in the same manner as described above, sound wave radiation from the sound wave radiating device 60 starts / stops in synchronization with opening and closing of the carry-out and exit K1. do. Therefore, below, description is abbreviate | omitted about the acoustic radiation performed at the time of the heat processing by a liquid processing apparatus.

그 후, 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 반송 영역 R2에 인접하는 열 처리 장치(40) 내로 반송되어, 가열 처리되고, 온도 조절된다.Then, the wafer W is conveyed into the heat processing apparatus 40 adjacent to the conveyance area | region R2 by the conveyance arm A2, heat-processed, and temperature controlled.

다음으로 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 반송 영역 R2에 인접하는 어드히젼 장치(41)로 반송되어, 어드히젼 처리된다. 또한, 도시는 생략하지만, 어드히젼 장치(41)에도 웨이퍼(W)의 반출입구가 마련되어 있고, 반송 영역 R2에 있어서의 상기 반출입구에 인접하는 영역에 음파 방사 장치가 마련된다. 그리고 어드히젼 장치(41)에 의한 어드히젼 처리 시에도, 열 처리 장치(40)에 의한 가열 처리 시와 마찬가지로, 반출입구의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치로부터의 음파 방사가 개시/정지된다.Next, the wafer W is conveyed to the advice apparatus 41 adjacent to the conveyance area | region R2 by the conveyance arm A2, and is subjected to the advise process. In addition, although not shown in figure, the carrying out entrance of the wafer W is also provided in the advice apparatus 41, and the sound wave radiating apparatus is provided in the area | region adjacent to the said carrying out entrance in conveyance area | region R2. In addition, at the time of the advice treatment by the advice device 41, the sound wave radiation from the sound wave radiator is started / stopped in synchronization with the opening and closing of the carrying in and out as in the case of the heat treatment by the heat treatment device 40.

그 후 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 반송 영역 R2에 인접하는 제4 블록(G4)의 전달 장치로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 반송 영역 R3에 인접하는 제4 블록(G4)의 다른 전달 장치로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는 반송 영역 R3 내의 반송 암 A3에 의해 레지스트 도포 장치(32)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 반송 암 A3에 의해 반송 영역 R3에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되어, 프리베이크 처리된다. 또한, 프리베이크 처리에 있어서도 하부 반사 방지막 형성 후의 열 처리와 마찬가지의 처리가 행해지고, 또한 후술하는 반사 방지막 형성 후의 열 처리, 노광 후 베이크 처리, 포스트베이크 처리에 있어서도 마찬가지의 처리가 행해진다. 단, 각 열 처리에 제공되는 열 처리 장치(40)는 서로 다르다.Then, the wafer W is conveyed by the conveyance arm A2 to the delivery device of the 4th block G4 adjacent to the conveyance area | region R2. Next, the wafer W is conveyed by the wafer conveyance apparatus 110 to another delivery apparatus of the 4th block G4 adjacent to the conveyance area | region R3. And the wafer W is conveyed to the resist coating apparatus 32 by the conveyance arm A3 in the conveyance area | region R3, and a resist film is formed on the wafer W. As shown in FIG. Then, the wafer W is conveyed to the heat processing apparatus 40 adjacent to the conveyance area | region R3 by the conveyance arm A3, and is prebaked. Moreover, also in prebaking process, the process similar to the heat processing after lower antireflection film formation is performed, and the same process is also performed in the heat processing after antireflection film formation mentioned later, the baking process after exposure, and the postbaking process. However, the heat treatment apparatus 40 provided for each heat treatment differs from each other.

다음으로 웨이퍼(W)는, 반송 암 A3에 의해 반송 영역 R3에 인접하는 제4 블록(G4)의 전달 장치로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 반송 영역 R4에 인접하는 제4 블록(G4)의 다른 전달 장치로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 반송 영역 R4 내의 반송 암 A4에 의해 상부 반사 방지막 형성 장치(33)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는 반송 암 A4에 의해 반송 영역 R4에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되어, 가열되고, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 반송 암 A4에 의해 반송 영역R4에 인접하는 주변 노광 장치(42)로 반송되고, 주변 노광 처리된다. 또한, 도시는 생략하지만, 주변 노광 장치(42)에도 웨이퍼(W)의 반출입구가 마련되어 있고, 반송 영역 R4에 있어서의 상기 반출입구에 인접하는 영역에 음파 방사 장치가 마련된다. 그리고 주변 노광 장치(42)에 의한 주변 노광 처리 시에도, 열 처리 장치(40)에 의한 가열 처리 시와 마찬가지로, 반출입구의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치로부터의 음파 방사가 개시/정지된다.Next, the wafer W is conveyed by the conveyance arm A3 to the delivery device of the 4th block G4 adjacent to the conveyance area | region R3. Next, the wafer W is conveyed by the wafer conveyance apparatus 110 to another delivery apparatus of the 4th block G4 adjacent to the conveyance area | region R4. And the wafer W is conveyed to the upper antireflection film forming apparatus 33 by the conveyance arm A4 in the conveyance area | region R4, and an upper antireflection film is formed on the wafer W. As shown in FIG. Then, the wafer W is conveyed to the heat processing apparatus 40 adjacent to the conveyance area | region R4 by the conveyance arm A4, and is heated and temperature-controlled. Then, the wafer W is conveyed to the peripheral exposure apparatus 42 adjacent to the conveyance area | region R4 by the conveyance arm A4, and is subjected to the peripheral exposure process. Although not shown, the peripheral exposure apparatus 42 is also provided with a carrying in and out of the wafer W, and a sound wave radiating device is provided in a region adjacent to the carrying out opening in the transfer region R4. And also in the peripheral exposure process by the peripheral exposure apparatus 42, sound wave radiation from a sound wave radiation apparatus is started / stopped in synchronization with opening / closing of the carrying out opening and exiting similarly to the heat processing by the heat processing apparatus 40. FIG.

다음으로 웨이퍼(W)는 반송 암 A4에 의해 반송 영역 R4에 인접하는 제4 블록의 전달 장치로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 노광 장치(12)로 반송되어, 소정의 패턴으로 노광 처리된다.Next, the wafer W is conveyed by the conveyance arm A4 to the delivery device of the 4th block adjacent to the conveyance area | region R4. And the wafer W is conveyed to the exposure apparatus 12 by the wafer conveyance apparatus 110, and is exposed to a predetermined pattern.

다음으로 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 반송 영역 R1에 인접하는 제4 블록(G4)의 전달 장치로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 반송 영역 R1 내의 반송 암 A1에 의해, 반송 영역 R1에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 반송 암 A1에 의해, 현상 처리 장치(30)로 반송되어 현상 처리된다. 현상 처리 종료 후, 웨이퍼(W)는 반송 암 A1에 의해, 반송 영역 R1에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되고, 포스트베이크 처리된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 반송 암 A1에 의해 반송 영역 R1에 인접하는 제3 블록(G3)의 전달 장치로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트 적재판(21)의 카세트(C)로 반송되어, 일련의 포토리소그래피 공정이 완료된다.Next, the wafer W is conveyed by the wafer conveyance apparatus 110 to the delivery device of the 4th block G4 adjacent to the conveyance area | region R1. Next, the wafer W is conveyed to the heat processing apparatus 40 adjacent to the conveyance area R1 by the conveyance arm A1 in conveyance area | region R1, and is baked after exposure. Thereafter, the wafer W is conveyed to the developing apparatus 30 by the transfer arm A1 and developed. After completion of the developing treatment, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 adjacent to the conveying region R1 by the conveying arm A1, and post-baked. And the wafer W is conveyed by the conveyance arm A1 to the delivery device of the 3rd block G3 adjacent to the conveyance area | region R1. Thereafter, the wafer W is conveyed to the cassette C of the cassette loading plate 21 by the wafer transfer device 23, and a series of photolithography steps are completed.

이상의 예에서는, 개폐에 동기하여 음파 방사 장치(70)로부터 음파를 방사하고 있었지만, 음파 방사의 타이밍은 이 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 처리 스테이션(11) 내에 웨이퍼(W)가 존재하고 있을 때에는 항시 방사하고 있어도 되고, 구체적으로는, 처리 스테이션(11)의 제3 블록에 웨이퍼(W)가 반입되었을 때에 음파의 방사를 개시시켜 제4 블록으로부터 웨이퍼(W)가 반출되었을 때에 음파의 방사를 정지시키도록 해도 된다.In the above example, although the sound wave was radiated from the sound wave radiator 70 in synchronization with opening and closing, the timing of sound wave radiation is not limited to this example. For example, when the wafer W exists in the processing station 11, it may radiate | emit at all times, and specifically, the radiation of sound waves when the wafer W is carried in to the 3rd block of the processing station 11 May be started to stop the emission of sound waves when the wafer W is carried out from the fourth block.

도 7은, 음파 방사 장치 다른 예를 나타내는 측면도이다.7 is a side view showing another example of an acoustic wave radiating device.

도면의 음파 방사 장치(60')는, 지향성을 갖는 음파를 방출하는 파라메트릭 스피커이며, 음파의 방출 방향을 조절 가능하게 하기 위해, 음파 방사 장치(60')가 요동 가능하게 지지되어 있다. 구체적으로는, 음파 방사 장치(60')는, 복수의 트랜스듀서(61)를 갖는 베이스(62')가, 축 지지부(63)에 의해 요동 가능하게 지지되어 있다. 또한, 축 지지부(63) 자체는, 예를 들어 처리 스테이션(11)의 하우징(51)에 지지된다.The sound wave radiating device 60 'in the figure is a parametric speaker that emits sound waves having directivity, and the sound wave radiating device 60' is rockably supported in order to be able to adjust the direction in which sound waves are emitted. Specifically, in the acoustic wave radiating device 60 ', the base 62' having the plurality of transducers 61 is supported by the shaft support portion 63 so as to be able to swing. In addition, the shaft support part 63 itself is supported by the housing 51 of the processing station 11, for example.

이와 같이 음파 방사 장치(60')를 요동 가능하게 지지함으로써, 음파 방사 장치(60')로서 작은 것을 사용할 수 있고, 기판 처리 시스템(1)의 제조 비용의 대폭의 상승을 방지할 수 있다.In this way, by supporting the sound wave radiator 60 'so as to be swingable, a small one can be used as the sound wave radiator 60', and a significant increase in the manufacturing cost of the substrate processing system 1 can be prevented.

음파 방사 장치(60')는, 예를 들어 주기적으로 요동하도록 제어부(500)에 의해 제어된다.The sound wave radiating device 60 'is controlled by the control part 500 so that it may oscillate periodically, for example.

(제1 실시 형태의 다른 예)(Other example of 1st embodiment)

도 8은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 다른 예의 개략을 도시하는 설명도이며, 카세트 스테이션만을 도시하는 정면도이다.8 is an explanatory diagram showing an outline of another example of the substrate processing system according to the first embodiment of the present invention, and is a front view showing only the cassette station.

도 5 등의 예에서는, 처리 스테이션(11)의 반송 영역 R1∼R4에 음파 방사 장치(60, 70)를 마련하고 있었다. 그것에 비해, 도 8의 예에서는, 카세트 스테이션(10')의 웨이퍼 반송 영역 L에 음파 방사 장치(80)를 마련하고 있다. 구체적으로는, 카세트 스테이션(10)이 하우징(56)을 갖고, 당해 하우징(56)이, 카세트 적재대(20)에 적재된 카세트(C)에 대한 반출입구 K3을 가지므로, 웨이퍼 반송 영역 L 내의 상기 반출입구 K3과 인접하는 영역에 음파 방사 장치(80)를 마련하고 있다.In the example of FIG. 5 etc., the sound wave radiating apparatuses 60 and 70 were provided in the conveyance area | regions R1-R4 of the processing station 11. As shown in FIG. On the other hand, in the example of FIG. 8, the acoustic wave emitting apparatus 80 is provided in the wafer conveyance area | region L of the cassette station 10 '. Specifically, since the cassette station 10 has a housing 56, and the housing 56 has a carrying in and out opening K3 for the cassette C loaded on the cassette mounting table 20, the wafer transfer area L The sound wave radiating device 80 is provided in the area | region adjacent to the said carrying out entrance K3 in the inside.

이와 같이 음파 방사 장치(80)를 카세트 스테이션(10)의 웨이퍼 반송 영역 L에 마련함으로써, 카세트(C)로부터의 웨이퍼(W)의 반출 또는 카세트(C)로의 웨이퍼(W)의 반입 시에, 카세트(C)로부터 웨이퍼 반송 영역 L에 파티클이 침입하거나, 웨이퍼 반송 영역 L로부터 카세트(C)로 파티클이 침입하거나 하는 것을 방지할 수 있다.Thus, by providing the acoustic wave radiating apparatus 80 in the wafer conveyance area | region L of the cassette station 10, at the time of carrying out the wafer W from the cassette C or carrying in the wafer W to the cassette C, It is possible to prevent particles from entering the wafer transfer region L from the cassette C or particles from entering the cassette C from the wafer transfer region L.

또한, 음파 방사 장치(80)의 구성에는 예를 들어 도 6의 음파 방사 장치(60)와 마찬가지의 구성을 채용할 수 있다. 또한, 음파 방사 장치(80)를 도 8과 같이 반출입구 K3의 근방에 마련해도 되고, 반출입구 K3의 상방이며 천장면의 근방에 마련해도 된다.In addition, the structure similar to the sound wave radiator 60 of FIG. 6 can be employ | adopted as the structure of the sound wave radiator 80, for example. In addition, the sound wave radiating apparatus 80 may be provided in the vicinity of the carrying out entrance K3 like FIG. 8, and may be provided in the vicinity of the ceiling surface above the carrying out entrance K3.

도시는 생략하지만, 카세트 스테이션(10)에 대해서도 FFU 유닛은 마련되어 있고, 웨이퍼 반송 영역 L 내의 분위기를 배기하는 배기 기구가 카세트 스테이션(10)의 저부에 마련되어 있다. 음파 방사 장치(80)는, 예를 들어 반출입구 K3의 상방으로부터, 배기 기구가 마련된 웨이퍼 반송 영역 L의 저부를 향해, 음파를 방출하도록 설치된다.Although not shown, the FFU unit is also provided for the cassette station 10, and an exhaust mechanism for exhausting the atmosphere in the wafer transfer area L is provided at the bottom of the cassette station 10. The sound wave radiating device 80 is provided so as to emit sound waves, for example, from above the carry-out port K3 toward the bottom of the wafer transfer region L provided with the exhaust mechanism.

(제1 실시 형태의 다른 예)(Other example of 1st embodiment)

이상의 예에서는, 음파 방사 장치는, 반송 영역에 있어서의 웨이퍼의 반출입구에 인접하는 영역에만 마련되어 있지만, 음파 방사 장치가 마련되는 영역은 상술한 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 반송 영역의 천장면으로부터의 하강 기류를 방해하지 않는 범위에서, 당해 천장면의 전체를 덮도록 음파 방사 장치를 마련해도 된다. 또한, 처리 스테이션(11)의 반송 영역 R1∼R4의 폭 방향 중앙에, 길이 방향을 따라 복수의 음파 방사 장치를 마련해도 된다. 또한, 반송 영역의 폭 방향을 따라 복수의 음파 방사 장치를 마련하도록 해도 된다.In the above example, although the sound wave radiating apparatus is provided only in the area | region adjacent to the carrying in and out of the wafer in a conveyance area | region, the area | region in which a sound wave radiating apparatus is provided is not limited to the above-mentioned example. For example, you may provide a sound wave radiating apparatus so that the whole of the said ceiling surface may be covered in the range which does not prevent the downward airflow from the ceiling surface of a conveyance area | region. In addition, you may provide a some sound wave radiating apparatus in the width direction center of the conveyance area | regions R1-R4 of the processing station 11 along a longitudinal direction. Moreover, you may provide a some sound wave radiating apparatus along the width direction of a conveyance area | region.

또한, 반송 영역에 있어서의 제3 블록(G3)이나 제4 블록(G4)의 전달 장치와 인접하는 영역에 음파 방사 장치를 마련해도 된다.Moreover, you may provide a sound wave radiating apparatus in the area | region adjacent to the transmission apparatus of 3rd block G3 and 4th block G4 in a conveyance area | region.

(제1 실시 형태의 또 다른 예)(Another example of the first embodiment)

도 9는, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 또 다른 예의 설명도이며, 도 9의 (A)는 본 예의 기판 반송 장치의 주변의 상태를 도시하고, 도 9의 (B)는 도 9의 (A)의 기판 반송 장치에 설치되는 음파 방사 장치의 일부를 도시하는 도면이다.FIG. 9: is explanatory drawing of the other example of the substrate processing system which concerns on 1st Embodiment of this invention, FIG. 9 (A) shows the state of the periphery of the board | substrate conveyance apparatus of this example, and FIG. 9 (B) FIG. 9: is a figure which shows a part of sound wave radiating apparatus provided in the board | substrate conveyance apparatus of FIG. 9 (A).

도 5 등의 예에서는, 음파 방사 장치는 처리 스테이션(11)의 하우징(51)에 설치되어 있다. 그것에 비해, 본 예에서는, 도 9의 (A)에 도시하는 바와 같이, 음파 방사 장치(600)가 기판 반송 암(A)의 외측에 설치되어 있다.In the example of FIG. 5 etc., the sound wave radiating apparatus is provided in the housing 51 of the processing station 11. As shown in FIG. On the other hand, in this example, as shown to FIG. 9 (A), the acoustic wave emitting apparatus 600 is provided in the outer side of the board | substrate conveyance arm A. FIG.

기판 반송 암(A)에 설치되어 있는 음파 방사 장치(600)는, 제1 음파 방사 유닛(610)과 제2 음파 방사 유닛(620)을 갖는다.The sound wave radiating device 600 provided in the board | substrate conveyance arm A has the 1st sound wave radiation unit 610 and the 2nd sound wave radiation unit 620. As shown in FIG.

제1 음파 방사 유닛(610) 및 제2 음파 방사 유닛(620)은 각각, 초음파를 사용함으로써 지향성을 갖는 음파를 방출하는 파라메트릭 스피커이며, 초음파를 방출하는 복수의 트랜스듀서(611, 621)와, 당해 트랜스듀서(611, 621)를 기판 반송 암(A)에 대해 고정하기 위한 베이스 부재(612, 622)를 갖는다.The first sound wave radiation unit 610 and the second sound wave radiation unit 620 are parametric speakers that emit sound waves having directivity by using ultrasonic waves, respectively, and include a plurality of transducers 611 and 621 that emit ultrasonic waves. And base members 612 and 622 for fixing the transducers 611 and 621 to the substrate transfer arm A. FIG.

베이스 부재(612)는, 도 9의 (B)에 도시하는 바와 같이, 복수의 트랜스듀서(611)를 지지하는 지지면(612a)과, 반송 암(A)의 승강체(303)에 대한 고정면(612b)을 포함한다.The base member 612 is fixed to the support surface 612a which supports the some transducer 611, and the lifting body 303 of the conveyance arm A, as shown to FIG. 9 (B). Face 612b.

또한, 제2 음파 방사 유닛(620)의 구성은, 제1 음파 방사 유닛(610)과 마찬가지이므로 그 설명을 생략한다.In addition, since the structure of the 2nd sound wave radiation unit 620 is the same as that of the 1st sound wave radiation unit 610, the description is abbreviate | omitted.

제1 음파 방사 유닛(610)으로부터의 음파와 제2 음파 방사 유닛(620)으로부터의 음파는 모두, 반송 암(A)에 적재되어 있는 웨이퍼의 표면 전체에 방사된다. 단, 제1 음파 방사 유닛(610)의 트랜스듀서(611)를 지지하는 지지면(612a)과, 제2 음파 방사 유닛(620)의 트랜스듀서(621)를 지지하는 지지면은 서로 비평행이다. 따라서, 제1 음파 방사 유닛(610)으로부터의 음파의 벡터 V1과 제2 음파 방사 유닛(620)으로부터의 음파의 벡터 V2는 비평행이며, 양 벡터 V1, V2의 합은 반송 암(A)의 근원으로부터 선단 방향(도면의 X 방향 부방향)을 향하는 벡터가 된다. 따라서, 웨이퍼 반송 중에 음파 방사 장치(600)로부터 음파를 방사함으로써, 웨이퍼 표면 근방의 파티클을 웨이퍼로부터 이격시켜 외부로 배출할 수 있으므로, 웨이퍼에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.Both the sound waves from the first sound wave radiation unit 610 and the sound waves from the second sound wave radiation unit 620 are radiated to the entire surface of the wafer mounted on the carrier arm A. FIG. However, the support surface 612a for supporting the transducer 611 of the first sound wave radiation unit 610 and the support surface for supporting the transducer 621 of the second sound wave radiation unit 620 are nonparallel to each other. . Therefore, the vector V1 of the sound waves from the first sound wave radiation unit 610 and the vector V2 of the sound waves from the second sound wave radiation unit 620 are non-parallel, and the sum of both vectors V1 and V2 is equal to that of the carrier arm A. It becomes a vector from the source toward the tip direction (the negative direction in the X direction of the drawing). Therefore, by radiating sound waves from the sound wave radiator 600 during wafer transfer, the particles in the vicinity of the wafer surface can be separated from the wafer and discharged to the outside, thereby preventing the particles from adhering to the wafer.

또한, 도 9의 (B)에 도시하는 바와 같이, 복수의 트랜스듀서(611)로 이루어지는 트랜스듀서군의 중심에 웨이퍼(W)가 위치하도록 제1 음파 방사 유닛(610)은 반송 암(A)에 고정된다. 더 구체적으로는, 상기 트랜스듀서군의 길이 방향이 웨이퍼(W)의 표면과 평행이 되고, 상기 트랜스듀서군의 짧은 방향의 중심이 웨이퍼(W)의 표면에 위치하도록, 제1 음파 방사 유닛(610)은 반송 암(A)에 고정된다. 제2 음파 방사 유닛(620)에 대해서도 마찬가지이다.In addition, as shown in FIG. 9B, the first sound wave radiation unit 610 moves the carrier arm A so that the wafer W is positioned at the center of the transducer group including the plurality of transducers 611. Is fixed to. More specifically, the first sound wave radiation unit (eg, the longitudinal direction of the transducer group is parallel to the surface of the wafer W, and the center of the short direction of the transducer group is located on the surface of the wafer W). 610 is fixed to the transfer arm A. The same applies to the second sound wave radiation unit 620.

이상의 예에서는, 음파 방사 장치(600)가 반송 암(A)의 외측에 설치되어 있었다. 그러나 음파 방사 장치는, 반송 암(A)의 상방에 설치되어 있어도 된다. 더 구체적으로는, 반송 암(A)의 웨이퍼 지지부(305)의 상방에 음파 방사 장치는 설치되어 있어도 된다.In the above example, the sound wave radiating device 600 was provided in the outer side of the conveyance arm A. As shown in FIG. However, the sound wave radiator may be provided above the carrier arm A. FIG. More specifically, the sound wave radiating device may be provided above the wafer support part 305 of the transfer arm A. FIG.

(제2 실시 형태)(2nd embodiment)

도 10은, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략을 설명하기 위한 도면이며, 도 10의 (A) 및 도 10의 (B)는 각각, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구획판의 상면도 및 측면도이다.FIG. 10: is a figure for demonstrating the outline of the substrate processing system which concerns on 2nd Embodiment of this invention, and FIG. 10 (A) and FIG. 10 (B) are each of the substrate processing system which concerns on this embodiment. Top and side views of the partition plate.

제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템은, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템과 같이, 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L에 음파 방사 장치를 구비하는 것 외에도, 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L이 흡착 영역을 갖는다.The substrate processing system according to the second embodiment, like the substrate processing system according to the first embodiment, includes a sound wave radiating device in the transfer regions R1 to R4 and / or the wafer transfer region L, and also carries the transfer regions R1 to R4. And / or the wafer conveyance region L has an adsorption region.

구체적으로는, 예를 들어 도 10의 (A) 및 도 10의 (B)에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R2∼R4의 저면을 형성하는 구획판(55) 상에, 냉각된 냉각판(700)이 설치되어 있고, 냉각판(700)에 의한 열영동에 의해, 온도가 높은 영역의 부유 파티클이 냉각판(700)에 흡착된다. 바꾸어 말하면, 구획판(55) 상의 냉각판(700)에 의해 흡착 영역이 형성된다.Specifically, for example, as shown in FIGS. 10A and 10B, the cooling plate 700 cooled on the partition plate 55 that forms the bottom surfaces of the transfer areas R2 to R4. ) Is installed, and floating particles in a region having a high temperature are attracted to the cooling plate 700 by thermophoresis by the cooling plate 700. In other words, the adsorption region is formed by the cooling plate 700 on the partition plate 55.

냉각판(700)은, 예를 들어 내부에 냉각수를 순환시킴으로써 냉각된다. 단, 냉각판(700)의 냉각 방법은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 냉풍에 의해 냉각하도록 해도 된다.The cooling plate 700 is cooled by circulating cooling water inside, for example. However, the cooling method of the cooling plate 700 is not limited to this, For example, you may make it cool by cold air.

또한, 반송 영역 R1의 저면을 형성하는 저벽의 위에도 냉각판(700)을 설치하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to provide the cooling plate 700 also on the bottom wall which forms the bottom face of conveyance area | region R1.

반송 영역 R1∼R4의 저면에 흡착 영역을 형성하면, 부유 파티클을 포집할 수 있을 뿐만 아니라, 당해 저면에 퇴적된 파티클이 말려 올라가는 것을 방지할 수 있다. 또한, 음파 방사 장치 외에도 상술한 바와 같이 흡착 영역을 마련함으로써, 메인터넌스 시에 청정도가 악화되어도, 원래의 청정도로 더욱 신속하게 복귀시킬 수 있다.When the adsorption region is formed on the bottom surfaces of the transfer regions R1 to R4, not only the floating particles can be collected but also the particles deposited on the bottom surface can be prevented from rolling up. In addition, by providing the adsorption region as described above in addition to the sound wave emitting device, even if the cleanliness deteriorates during maintenance, the original cleanliness can be returned more quickly.

또한, 냉각판(700)을 구획판(55)이나 저벽의 위에 마련하는 대신에, 구획판(55)의 내부나 저벽의 내부에 냉각수를 순환시키거나 하여, 구획판(55)이나 저벽에 냉각 영역, 즉 부유 파티클의 흡착 영역을 형성하도록 해도 된다.In addition, instead of providing the cooling plate 700 on the partition plate 55 or the bottom wall, the cooling water is circulated inside the partition plate 55 or inside the bottom wall to cool the partition plate 55 or the bottom wall. You may make it form the area | region, ie, the adsorption area | region of a floating particle.

도 11은, 냉각판의 다른 예를 도시하는 도면이다.11 is a diagram illustrating another example of the cooling plate.

도 10의 냉각판(700)은, 구획판(55)의 대략 전체면을 덮도록 당해 구획판(55) 상에 마련되어 있었다. 그것에 비해, 도 11의 냉각판(800)은, 구획판(55)의 일부를 덮도록, 구체적으로는 구획판(55)의 반송 영역 R2∼R4의 폭 방향 중앙은 덮지 않고 양측만을 덮도록, 구획판(55) 상에 마련되어 있다.The cooling plate 700 of FIG. 10 was provided on the said partition plate 55 so that the substantially whole surface of the partition plate 55 might be covered. On the other hand, the cooling plate 800 of FIG. 11 covers only a part of the partition plate 55 so that the cooling plate 800 may cover only the both sides without specifically covering the width direction center of the conveyance area | regions R2-R4 of the partition plate 55, It is provided on the partition plate 55.

이 냉각판(800)에 의해서도, 부유 파티클을 흡착할 수 있다.This cooling plate 800 can also adsorb floating particles.

(제2 실시 형태의 다른 예)(Another example of the second embodiment)

이상의 예에서는, 냉각판은, 구획판(55) 등의 반송 영역의 저벽을 형성하는 부분에 설치되어 있었다. 그러나 냉각판은, 반송 영역을 형성하는 측벽을 형성하는 부분에 설치하도록 해도 된다.In the above example, the cooling plate was provided in the part which forms the bottom wall of conveyance area | regions, such as the partition plate 55. As shown in FIG. However, you may provide a cooling plate in the part which forms the side wall which forms a conveyance area | region.

또한, 반송 암(A)에 냉각판을 설치하도록 해도 된다. 반송 암(A)에 냉각판을 설치하는 경우, 예를 들어 승강체(303)에 냉각판은 설치된다. 또한, 반송 암(A)에 대해 배기 기구가 마련되어 있고, 배기는 X축/θ축으로부터 Z축을 경유하여 Y축으로부터 배기되고 있다. 상술한 바와 같이, 승강체(303) 등, 반송 암(A)의 하부에 냉각판을 설치함으로써, 반송 암(A)의 배기계로로부터 파티클이 누설되어 있는 경우라도, 더 구체적으로는, θ-z축관에서 파티클 누설이 발생하는 경우라도, 냉각판으로 파티클을 흡착할 수 있다.Moreover, you may make it provide a cooling plate in conveyance arm A. FIG. When providing a cooling plate in the conveyance arm A, the cooling plate is installed in the lifting body 303, for example. Moreover, the exhaust mechanism is provided with respect to the conveyance arm A, and exhaust is exhausted from the Y-axis via the Z-axis from the X-axis / theta-axis. As described above, even when particles are leaked from the exhaust system of the transfer arm A by providing a cooling plate in the lower portion of the transfer arm A, such as the lifting body 303, more specifically, θ− Even when particle leakage occurs in the z-axis tube, the particles can be adsorbed by the cooling plate.

(제2 실시 형태의 다른 예)(Another example of the second embodiment)

이상의 예에서는, 냉각판을 사용한 열영동에 의해 파티클의 흡착 영역을 형성하고 있었다. 그러나 흡착 방법은 상술한 예에 한정되지 않고, 정전 흡착에 의해 부유 파티클을 흡착하도록 해도 된다. 이러한 경우, 냉각판 대신에, 대전된 대전판이 반송 영역 내에 마련된다.In the above example, the adsorption | suction area | region of the particle | grains was formed by thermophoresis using a cooling plate. However, the adsorption method is not limited to the example described above, and may adsorb suspended particles by electrostatic adsorption. In this case, instead of the cooling plate, a charged charging plate is provided in the carrying area.

본 실시 형태와 같이 흡착 영역을 마련하는 경우, 흡착 영역은 소정의 타이밍에 청소되고, 포집된 파티클은 제거된다.In the case where the adsorption region is provided as in the present embodiment, the adsorption region is cleaned at a predetermined timing, and the collected particles are removed.

흡착 영역의 청소는, 예를 들어 정기 메인터넌스 시에 행해진다. 또한, 흡착 영역의 오염 상태를 감시하고, 청소가 필요해진 경우에 유저에게 통보하여, 통보 결과에 따라서 흡착 영역의 청소가 행해지도록 해도 된다.The adsorption area is cleaned, for example, at regular maintenance. In addition, the contamination state of the adsorption area may be monitored, the user may be notified when cleaning is required, and the adsorption area may be cleaned according to the notification result.

흡착 영역으로부터의 파티클의 제거는, 예를 들어 흡인 노즐에 의해 수동으로 흡입함으로써 행해도 되고, 흡착 영역의 주위에 배기 기구를 마련하여, 당해 배기 기구에 의해 자동적으로 배출함으로써 행해도 된다.The removal of particles from the adsorption region may be performed by manually sucking the suction nozzle, for example, or may be performed by providing an exhaust mechanism around the adsorption region and automatically discharging it by the exhaust mechanism.

(제3 실시 형태)(Third embodiment)

본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템을, 도 12 및 도 13을 사용하여 설명한다. 도 12 및 도 13은, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 제3 블록에 마련된 선반 유닛의 개략을 설명하기 위한 도면이며, 도 12는 선반 유닛의 측면도, 도 13은 선반 유닛에 마련된 후술하는 수납 블록의 내부의 상면도이다.The substrate processing system which concerns on 3rd Embodiment of this invention is demonstrated using FIG. 12 and FIG. 12 and 13 are diagrams for explaining the outline of the shelf unit provided in the third block of the substrate processing system according to the present embodiment, FIG. 12 is a side view of the shelf unit, and FIG. 13 is a storing described later provided in the shelf unit. Top view of the interior of the block.

제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템은, 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L에 인접하는 장치가, 당해 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L을 향해 음파를 방사하는 별도의 음파 방사 장치를 갖는다.In the substrate processing system according to the third embodiment, an apparatus adjacent to the transfer regions R1 to R4 and / or the wafer transfer region L emits sound waves toward the transfer regions R1 to R4 and / or the wafer transfer region L. Has a sound wave radiating device.

구체적으로는, 예를 들어 도 12에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R1∼R4에 인접하는 제3 블록(G3)에 마련된 수용 장치로서의 선반 유닛(900)이, 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파를 방사하는 별도의 음파 방사 장치(910)를 갖는다.Specifically, as shown, for example in FIG. 12, the shelf unit 900 as a storage apparatus provided in the 3rd block G3 adjacent to conveyance area | regions R1-R4 carries out a sound wave toward conveyance area | regions R1-R4. It has a separate sound wave emitting device 910 for emitting.

선반 유닛(900)은, 반송 영역 R1∼R4에 대응하기 위해 복수로 구획된 수납 블록 B1∼B4를 갖는다. 도시는 생략하지만, 선반 유닛(900)의 수납 블록 B1∼B4에는 각각, 웨이퍼(W)를 수용하는 수용부로서, 적재 선반이나 냉각 플레이트가 마련되어 있다. 냉각 플레이트는 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 것이다.The shelf unit 900 has the storage blocks B1 to B4 divided into a plurality of sections so as to correspond to the transport areas R1 to R4. Although not shown in the drawing, the storage blocks B1 to B4 of the shelf unit 900 are provided with a stacking shelf and a cooling plate, respectively, as accommodation sections for accommodating the wafers W. As shown in FIG. The cooling plate is for adjusting the wafer W to a predetermined temperature.

또한, 선반 유닛(900)은, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 셔틀 반송 장치와 반송 암 A1∼A4 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 스테이지를 갖는 전달부 TR1, TR2를 갖는다.In addition, the shelf unit 900 is a wafer W between a shuttle conveyance apparatus (not shown) and conveyance arms A1 to A4 that linearly convey the wafer W between the third block G3 and the fourth block G4. ), There are transfer units TR1 and TR2 having a transfer stage for performing transfer.

음파 방사 장치(910)는, 예를 들어 도 6의 음파 방사 장치(60)와 마찬가지의 구성을 채용할 수 있다.The sound wave radiator 910 can adopt the structure similar to the sound wave radiator 60 of FIG. 6, for example.

또한, 음파 방사 장치(910)는, 수납 블록 B1∼B4마다 하나 마련되어 있다. 또한, 본 예에서는, 수납 블록 B1에 있어서, 음파 방사 장치(910)는, 도 13에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R1을 향해 음파가 방사되도록, 수납 블록 B1에 웨이퍼(W)를 수용하였을 때에 당해 웨이퍼(W)를 사이에 두고 반송 영역 R1과 대향하는 위치에 마련되어 있다. 수납 블록 B2∼B4에 있어서의 음파 방사 장치(910)의 배치 위치도 마찬가지이다.In addition, one acoustic wave radiator 910 is provided for each of the storage blocks B1 to B4. In addition, in this example, when the wafer W is accommodated in the storage block B1 in the storage block B1, the sound wave radiating apparatus 910 accommodates the sound waves toward the transport region R1, as shown in FIG. It is provided in the position which opposes the conveyance area | region R1 with the said wafer W interposed. The same also applies to the arrangement position of the sound wave radiating apparatus 910 in the storage blocks B2 to B4.

본 실시 형태와 같이 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파를 방사하는 별도의 음파 방사 장치(910)를 선반 유닛(900)에 마련함으로써, 반송 영역 R1∼R4에 존재하는 부유 파티클이 선반 유닛(900) 내에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 그 때문에, 반송 영역 R1∼R4 내의 부유 파티클이, 선반 유닛(900)에 수용된 웨이퍼(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.By providing the separate sound wave radiating device 910 which radiates sound waves toward conveyance area | regions R1-R4 like this embodiment in the shelf unit 900, the floating particle which exists in conveyance area | regions R1-R4 becomes the shelf unit 900. Invasion can be prevented. Therefore, the floating particle in conveyance area | regions R1-R4 can be prevented from adhering to the wafer W accommodated in the shelf unit 900. FIG.

음파 방사 장치(910)는, 예를 들어 대응하는 반송 암 A1∼A4의 동작에 맞추어 음파를 방사한다. 구체적으로는, 음파 방사 장치(910)는, 대응하는 반송 암 A1의 웨이퍼 지지부(305)가 수납 블록 B1에 대해 움직이기 시작할 때부터, 즉, 웨이퍼 지지부(305)가 홈 위치로부터 움직이기 시작할 때부터, 웨이퍼 지지부(305)가 홈 위치로 복귀될 때까지의 동안, 음파를 방사한다. 이 대신에, 음파 방사 장치(910)는, 대응하는 반송 암 A1이 선반 유닛(900)에 액세스할 때에 반송 암 A1이 선반 유닛(900)을 향하는 방향(도 1의 Y 방향 부방향)의 이동을 정지하고 나서, 웨이퍼 지지부(305)가 홈 위치로 복귀될 때까지의 동안, 음파를 방사해도 된다. 또한, 음파 방사 장치(910)는, 상시 음파를 발생시켜도 된다.The sound wave radiator 910 emits sound waves, for example, in accordance with the operation of the corresponding carrier arms A1 to A4. Specifically, the acoustic wave radiating apparatus 910 starts from when the wafer support 305 of the corresponding conveyance arm A1 starts to move with respect to the accommodation block B1, that is, when the wafer support 305 starts to move from the home position. From, the sound wave is emitted until the wafer support 305 is returned to the home position. Instead, the sound wave radiator 910 moves in a direction (Y-direction negative direction in FIG. 1) in which the carrier arm A1 faces the shelf unit 900 when the corresponding carrier arm A1 accesses the shelf unit 900. After stopping, the sound wave may be emitted while the wafer support 305 is returned to the home position. In addition, the sound wave radiator 910 may generate sound waves at all times.

음파 방사 장치(910)의 음파 방사 타이밍은, 수납 블록 B1∼B4에서 공통이어도 되고, 수납 블록 B1∼B4마다 상이해도 된다.The sound wave emission timing of the sound wave radiator 910 may be common in the storage blocks B1 to B4, and may differ for each of the storage blocks B1 to B4.

또한, 상술한 예에서는, 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파가 방사되도록 음파 방사 장치(910)가 마련되어 있었다. 그러나 이것에 추가하여, 또는 이것 대신에, 웨이퍼 반송 영역 L이나 웨이퍼 반송 장치(100)가 존재하는 반송 영역을 향해 음파를 방사시키도록 음파 방사 장치(910)를 마련해도 된다. 단, 음파 방사 장치(910)를 하나만 마련하는 경우는, 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파가 방사되도록 마련하는 것이 바람직하다. 반송 암 중, 가장 빈번하게 동작하는 것이 반송 암 A1∼A4이며, 당해 반송 암 A1∼A4가 마련된 반송 영역 R1∼R4에 부유 파티클이 존재할 가능성이 높기 때문이다.In addition, in the above-mentioned example, the sound wave radiating apparatus 910 was provided so that a sound wave might radiate toward conveyance area | regions R1-R4. However, in addition or instead of this, you may provide the sound wave radiating apparatus 910 so that a sound wave may be radiated toward the conveyance area | region in which the wafer conveyance area L and the wafer conveyance apparatus 100 exist. However, when providing only one sound wave radiator 910, it is preferable to provide so that sound waves may radiate toward conveyance area | regions R1-R4. This is because the transport arms A1 to A4 operate most frequently among the transport arms, and there is a high possibility that floating particles are present in the transport regions R1 to R4 provided with the transport arms A1 to A4.

또한, 상술한 예에서는, 선반 유닛(900)의 수납 블록 B1∼B4에만 음파 방사 장치(910)가 마련되어 있었지만, 전달부 TR1, TR2에 마찬가지로 음파 방사 장치(910)를 마련해도 된다.In addition, in the above-mentioned example, although the sound wave radiating apparatus 910 was provided only in the storage blocks B1-B4 of the shelf unit 900, you may provide the sound wave radiating apparatus 910 similarly to the transmission parts TR1 and TR2.

또한, 상술한 예에서는, 음파 방사 장치(910)는, 반송 영역 R1∼R4에 인접하는 제3 블록(G3) 내의 선반 유닛(900)에 마련되어 있었다. 그러나 이것에 추가하여, 또는 이것 대신에, 음파 방사 장치(910)는 반송 영역 R1∼R4에 인접하는 제4 블록(G4) 내의 선반 유닛에 마련되어 있어도 된다.In addition, in the above-mentioned example, the sound wave radiating apparatus 910 was provided in the shelf unit 900 in 3rd block G3 adjacent to conveyance area | regions R1-R4. However, in addition or instead of this, the sound wave radiating apparatus 910 may be provided in the shelf unit in 4th block G4 adjacent to conveyance area | regions R1-R4.

또한, 제3 실시 형태에 있어서도, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템과 같이, 반송 영역에 음파 방사 장치를 구비하는 것이 바람직하다.Moreover, also in 3rd Embodiment, it is preferable to provide a sound wave radiating apparatus in a conveyance area like the substrate processing system which concerns on 1st Embodiment.

본 발명은, 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 유용하다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful for a substrate processing system provided with a substrate conveyance region for conveying a substrate.

1 : 기판 처리 시스템
K1, K2, K3 : 반출입구
A1, A2, A3, A4 : 반송 암
R1, R2, R3, R4 : 반송 영역
20 : 카세트 적재대
23 : 웨이퍼 반송 장치
60, 70, 80, 600, 910 : 음파 방사 장치
700, 800 : 냉각판
900 : 선반 유닛1: substrate processing system
K1, K2, K3: carrying out and exiting
A1, A2, A3, A4: conveyance arm
R1, R2, R3, R4: conveyance area
20: cassette holder
23: wafer transfer device
60, 70, 80, 600, 910: sound wave radiator
700, 800: cold plate
900: shelf unit

Claims (10)

기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서,
음파를 방사하여 상기 기판 반송 영역 내의 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지하는 음파 방사 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.In the substrate processing system provided with the processing apparatus which processes a board | substrate, and provided with the board | substrate conveyance area | region for conveying a board | substrate to the said processing apparatus,
And a sound wave emitting device for emitting sound waves to prevent floating particles in the substrate conveying region from adhering to the substrate. 제1항에 있어서,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역에 있어서의 상기 처리 장치의 기판 반출입구에 인접하는 영역에 마련되어 있는, 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The said acoustic wave radiation apparatus is provided in the area | region adjacent to the board | substrate carrying out opening of the said processing apparatus in the said board | substrate conveyance area | region. 제1항에 있어서,
기판을 수용하는 카세트를 적재하는 카세트 적재부를 구비하고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역에 있어서의, 상기 카세트 적재부에 대한 기판 반출입구에 인접하는 영역에 마련되어 있는, 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
A cassette stacker for stacking a cassette for accommodating a substrate,
The said acoustic wave radiation apparatus is provided in the area | region adjacent to the board | substrate carrying out opening with respect to the said cassette loading part in the said board | substrate conveyance area | region. 제1항에 있어서,
상기 기판 반송 영역 내를 이동하여 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 구비하고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 장치에 설치되어 있는, 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
It is provided with the board | substrate conveying apparatus which moves in the said board | substrate conveyance area | region, and conveys a board | substrate,
The said acoustic wave radiation apparatus is provided in the said substrate conveyance apparatus. The substrate processing system. 제1항에 있어서,
상기 음파 방사 장치는, 요동 가능하게 지지되어 있는, 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The said acoustic wave radiation apparatus is rocking | supporting so that the substrate processing system is possible. 제1항에 있어서,
상기 기판 반송 영역은, 진애를 흡착하는 흡착 영역을 갖는, 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The said substrate conveyance area | region has a adsorption area which adsorbs dust. 제1항에 있어서,
상기 음파 방사 장치가 방사하는 음파는, 지향성을 갖는, 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The sound wave radiated | emitted by the said sound wave radiating apparatus has directivity. 제1항에 있어서,
상기 기판 반송 영역에 인접하는 장치를 구비하고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역을 향해 음파를 방사하도록 상기 인접하는 장치에 마련되어 있는, 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
An apparatus adjacent to the substrate transport region;
The said acoustic wave radiating apparatus is provided in the said adjacent apparatus so that the sound wave may radiate toward the said substrate conveyance area | region. 제8항에 있어서,
상기 인접하는 장치는, 기판의 전달을 위해 기판을 수용하는 수용 장치이고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 수용 장치에 기판을 수용하였을 때에 당해 기판을 사이에 두고 상기 기판 반송 영역과 대향하는 위치에 마련되어 있는, 기판 처리 시스템.The method of claim 8,
The adjacent device is a receiving device for receiving the substrate for delivery of the substrate,
The said acoustic wave radiation apparatus is provided in the position which opposes the said board | substrate conveyance area | region across the said board | substrate when the board | substrate is accommodated in the said accommodation apparatus. 제8항에 있어서,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역 내를 이동하여 기판을 반송하는 기판 반송 장치의 동작에 맞추어 음파를 방사하는, 기판 처리 시스템.The method of claim 8,
The said sound wave radiator is a substrate processing system which moves a sound wave according to the operation | movement of the board | substrate conveyance apparatus which moves in the said substrate conveyance area | region and conveys a board | substrate.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7072301B1 (en) * 2021-09-01 2022-05-20 伸和コントロールズ株式会社 How to install equipment in a manufacturing plant and a manufacturing plant

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002041375A1 (en) * 2000-11-15 2002-05-23 Nikon Corporation Method and device for transfer, method and device for exposure, and method of manufacturing device
JP2004260099A (en) * 2003-02-27 2004-09-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Treatment fluid supply apparatus, substrate treatment apparatus using the same and substrate treatment method
JP2005354025A (en) * 2004-05-13 2005-12-22 Tokyo Electron Ltd Substrate transfer mechanism, substrate transfer equipment including the same, particles removing method for substrate transfer mechanism, particles removing method for substrate transfer equipment, program for executing its method, and storage medium
KR20100047165A (en) * 2008-10-27 2010-05-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Vacuum exhaust method and a substrate processing apparatus therefor
JP2012154688A (en) 2011-01-24 2012-08-16 Sumitomo Electric Ind Ltd Structural analysis method
JP2016178256A (en) * 2015-03-23 2016-10-06 株式会社日立ハイテクマニファクチャ＆サービス Wafer transfer device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4564742B2 (en) * 2003-12-03 2010-10-20 キヤノン株式会社 Exposure apparatus and device manufacturing method
CN100584714C (en) * 2004-05-13 2010-01-27 东京毅力科创株式会社 Substrate transfer mechanism and substrate transfer apparatus, particle removal method, program, and storage medium
CN100592468C (en) * 2006-02-02 2010-02-24 株式会社迅动 Substrate processing apparatus
JP4954728B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 Gate valve cleaning method and substrate processing system
JP5395405B2 (en) * 2008-10-27 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning method and apparatus
TWI523134B (en) * 2011-09-22 2016-02-21 東京威力科創股份有限公司 Substrate treatment system, substrate transfer method and computer-readable storage medium
JP5956324B2 (en) * 2012-12-13 2016-07-27 東京エレクトロン株式会社 Transport base and transport system
JP2015126203A (en) * 2013-12-27 2015-07-06 東京エレクトロン株式会社 Substrate delivery device and substrate delivery method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002041375A1 (en) * 2000-11-15 2002-05-23 Nikon Corporation Method and device for transfer, method and device for exposure, and method of manufacturing device
JP2004260099A (en) * 2003-02-27 2004-09-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Treatment fluid supply apparatus, substrate treatment apparatus using the same and substrate treatment method
JP2005354025A (en) * 2004-05-13 2005-12-22 Tokyo Electron Ltd Substrate transfer mechanism, substrate transfer equipment including the same, particles removing method for substrate transfer mechanism, particles removing method for substrate transfer equipment, program for executing its method, and storage medium
KR20100047165A (en) * 2008-10-27 2010-05-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Vacuum exhaust method and a substrate processing apparatus therefor
JP2012154688A (en) 2011-01-24 2012-08-16 Sumitomo Electric Ind Ltd Structural analysis method
JP2016178256A (en) * 2015-03-23 2016-10-06 株式会社日立ハイテクマニファクチャ＆サービス Wafer transfer device

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