JP2015126203A - Substrate delivery device and substrate delivery method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、蓋体を備えた密閉型の搬送容器に対して基板を取り出すとき、または基板を収納する時に搬送容器内で基板を清浄化する技術に関する。 The present invention relates to a technique for cleaning a substrate in a transport container when the substrate is taken out from a sealed transport container having a lid or when the substrate is stored.
半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置においては、密閉型の搬送容器である例えばFOUPがロードポートに載置され、FOUPの蓋体が開かれ搬送アームによりFOUP内から基板が取り出されて、基板処理部に搬送される。近年、基板処理部で処理された基板がFOUP内に搬送され、大気中の水分と反応してパーティクルが発生する場合や次工程の処理のために例えばOHT(Overhead Hoist Transport)で搬送されるFOUPがOHTによる搬送途中で大気と反応してパーティクルを発生させる場合など処理に悪影響を及ぼす場合があるため、ロードポートにて、FOUP内にパージガスを供給して水分を排出することが行われている。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer, a closed transfer container, for example, a FOUP is placed on a load port, a lid of the FOUP is opened, and a substrate is taken out from the FOUP by a transfer arm. It is conveyed to the substrate processing unit. In recent years, a substrate processed by the substrate processing unit is transported into the FOUP, where particles are generated by reacting with moisture in the atmosphere, or FOUP transported by OHT (Overhead Hoist Transport), for example, for the next process. Since it may adversely affect processing, such as when particles react with the atmosphere during transport by OHT to generate particles, the purge gas is supplied into the FOUP at the load port and the moisture is discharged. .
一方、基板処理装置においては、基板処理装置の内部の清浄度を高くしてパーティクルの発生を抑制しているが、搬送容器の内部にパーティクルが存在すると、基板及び搬送アームを介して基板処理装置内にパーティクルが持ち込まれる虞がある。半導体デバイスのパターンの線幅の微細化が進み、またパーティクル検査装置の測定感度が高くなってきていることから半導体製造装置の全般にわたって、パーティクルのサイズや単位体積当たりの個数の許容値が厳しくなってきており、搬送容器内の基板についてもより一層の清浄度が要求されつつある。 On the other hand, in the substrate processing apparatus, the generation of particles is suppressed by increasing the cleanliness inside the substrate processing apparatus. However, when particles are present inside the transfer container, the substrate processing apparatus passes through the substrate and the transfer arm. There is a risk of particles being brought into the interior. As the line width of semiconductor device patterns has become finer and the measurement sensitivity of particle inspection equipment has increased, tolerances for particle size and number per unit volume have become strict throughout semiconductor manufacturing equipment. As a result, even higher levels of cleanliness are required for the substrates in the transport container.
特許文献1には、搬送容器に収められたウエハの表面にガスを供給して、パーティクルを除去する技術が記載されているが、より小さなパーティクルまで効率よく除去するために、更なる改良が求められている。
また特許文献2には、搬送容器に可動子による主に上下振動を加えて搬送容器内の基板を平行な姿勢にする技術が記載されている。しかしながら本発明の課題を解決するものではない。
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、密閉型の搬送容器に対して基板搬送機構により基板の受け渡しを行うにあたって、搬送容器内の基板に付着したパーティクルを高い効率で除去する技術を提供することにある。 The present invention has been made under such circumstances. The purpose of the present invention is to increase the particles adhering to the substrate in the transfer container when the substrate is transferred to the sealed transfer container by the substrate transfer mechanism. It is to provide a technology for efficient removal.
本発明の基板受け渡し装置は、複数の基板を棚状に収納する容器本体と該容器本体の前面側の開口部を開閉する蓋体とを備えた搬送容器と、基板搬送機構と、の間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し装置において、
前記搬送容器が載置される載置部と、
該載置部に載置された搬送容器内にパージガスを供給するためのガス供給機構と、
前記搬送容器内に供給されたパージガスを排気するための排気部と、
前記蓋体を前記容器本体に対して着脱するための着脱機構と、
前記載置部に載置された前記搬送容器を振動させるための振動発生部と、
前記搬送容器内にパージガスを供給しながら振動発生部に振動を発生させるように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
A substrate delivery apparatus according to the present invention includes a substrate container that stores a plurality of substrates in a shelf shape, a conveyance container that includes a lid that opens and closes an opening on the front side of the container body, and a substrate conveyance mechanism. In the board transfer device for board transfer,
A placement section on which the transport container is placed;
A gas supply mechanism for supplying a purge gas into the transfer container mounted on the mounting unit;
An exhaust part for exhausting the purge gas supplied into the transfer container;
An attachment / detachment mechanism for attaching / detaching the lid to / from the container body;
A vibration generating unit for vibrating the transport container mounted on the mounting unit;
And a control unit that outputs a control signal so as to cause the vibration generating unit to generate vibration while supplying the purge gas into the transfer container.
本発明の基板受け渡し方法は、複数の基板を棚状に収納した容器本体と該容器本体の前面側の開口部を開閉する蓋体とを備えた搬送容器を載置部に載置する工程と、
その後、前記搬送容器の蓋体を取り外す工程と、
次いで、基板を基板処理部に搬送するために基板搬送機構により前記搬送容器から前記基板を取り出す工程と、
前記搬送容器を前記載置部に載置した後、前記搬送容器から前記基板を取り出す前に、搬送容器内にパージガスを供給すると共に前記搬送容器内に供給された前記パージガスを排気する工程と、
前記パージガスの供給及び排気を行いながら、前記載置部に載置された前記搬送容器を振動発生部により振動させる工程と、を含むことを特徴とする。
The substrate delivery method of the present invention includes a step of placing a transport container including a container main body storing a plurality of substrates in a shelf shape and a lid body that opens and closes an opening on the front side of the container main body on the placement unit; ,
Then, removing the lid of the transport container;
Next, a step of taking out the substrate from the transport container by a substrate transport mechanism in order to transport the substrate to the substrate processing unit;
Supplying the purge gas into the transfer container and exhausting the purge gas supplied into the transfer container before taking out the substrate from the transfer container after placing the transfer container on the placement unit;
And a step of vibrating the transfer container placed on the placement portion by a vibration generating portion while supplying and exhausting the purge gas.
本発明の基板受け渡し方法は、複数の基板を棚状に収納するための容器本体と該容器本体の前面側の開口部を開閉する蓋体とを備えた搬送容器を載置部に載置する工程と、
その後、前記搬送容器の蓋体を取り外す工程と、
しかる後、基板処理部にて処理された基板を基板搬送機構により前記搬送容器内に搬入する工程と、
前記搬送容器内に前記基板を搬入した後、当該搬送容器を前記載置部から搬出する前に、搬送容器内にパージガスを供給すると共に前記搬送容器内に供給された前記パージガスを排気する工程と、
前記パージガスの供給及び排気を行いながら、前記載置部に載置された前記搬送容器を振動発生部により振動させる工程と、を含むことを特徴とする
In the substrate delivery method of the present invention, a transport container including a container main body for storing a plurality of substrates in a shelf shape and a lid that opens and closes an opening on the front side of the container main body is placed on the placement unit. Process,
Then, removing the lid of the transport container;
Thereafter, a step of carrying the substrate processed in the substrate processing unit into the transfer container by the substrate transfer mechanism,
Supplying the purge gas into the transfer container and exhausting the purge gas supplied into the transfer container before the transfer of the substrate from the placement unit after loading the substrate into the transfer container; ,
And vibrating the transfer container placed on the placement unit with a vibration generation unit while supplying and exhausting the purge gas.
本発明は、複数の基板を収納する密閉型の搬送容器と、基板搬送機構との間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置において、載置部に載置された搬送容器に収められた基板の表面にパージガスを流すと共に搬送容器に振動を加えている。搬送容器に振動を加えることにより、基板に振動が加わり、基板に付着していたパーティクルが基板から離れやすくなって、パージガスに捕捉されやすくなる。このため搬送容器内の基板に付着しているパーティクルを効率よく除去することができる。 The present invention relates to a sealed transfer container that stores a plurality of substrates and a substrate transfer device that transfers a substrate between the substrate transfer mechanism and a substrate stored in the transfer container placed on the mounting portion. Purge gas is allowed to flow on the surface and vibration is applied to the transfer container. By applying vibration to the transfer container, vibration is applied to the substrate, and particles adhering to the substrate are easily separated from the substrate and are easily captured by the purge gas. For this reason, the particles adhering to the substrate in the transport container can be efficiently removed.
本発明の実施の形態にかかる基板受け渡し装置をマルチチャンバシステムである真空処理装置のロードポートに用いた実施の形態について説明する。まず真空処理装置の全体構成について図1〜図3を用いて説明する。図1に示すように真空処理装置90は、その内部雰囲気が、例えば窒素ガスにより常圧雰囲気とされる横長の常圧搬送室12を備え、常圧搬送室12の手前には、例えばFOUPである搬送容器1に対して基板の受け渡しを行うための複数のロードポート11が左右方向に並べて設置されている。
An embodiment in which a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention is used as a load port of a vacuum processing apparatus which is a multi-chamber system will be described. First, the overall configuration of the vacuum processing apparatus will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the
図2および図3に示すように常圧搬送室12の正面壁には、半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)Wを搬入出するためのウエハ搬送口4が設けられる。ウエハ搬送口4には搬送容器1の蓋体24と一緒に開閉される開閉ドア17が取り付けられている。また、図1および図3に示すように常圧搬送室12内には、ウエハWを搬送するための多関節アームで構成された基板搬送機構である第1の搬送アーム20が設けられている。また、図1に示すように前記常圧搬送室12のロードポート11側から見て左側壁には、ウエハWの向きや偏心の調整を行うアライメント室16が設けられている。さらに常圧搬送室12の底面には、常圧搬送室12内の排気を行うための排気口が設けられており、排気ファンなどの排気手段により排気される構成となっている。
As shown in FIGS. 2 and 3, a
図1示すように常圧搬送室12におけるロードポート11の反対側には、ウエハWを待機させた状態で内部の雰囲気を常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切り替える、例えば2個のロードロック室13が左右に並ぶように配置され、ドアバルブ18によって、各々を区画している。第1の搬送アーム20は、搬送容器1、アライメント室16及びロードロック室13に対してウエハWの受け渡しを行う役割を果たす。ロードロック室13の常圧搬送室12側から見て奥側には、真空搬送室14がゲートバルブ23を介して配置されている。
As shown in FIG. 1, on the opposite side of the
真空搬送室14には、ロードロック室13と真空処理モジュール15とがゲートバルブ23を介して接続されている。真空搬送室14には、第2の搬送アーム21が設けられており、第2の搬送アーム21により、各ロードロック室13、及び各真空処理モジュール15間でウエハWの受け渡しが行われる。真空搬送室14は、例えばその底面に設けられた排気配管を介して、真空排気機構に接続され、窒素ガス供給機構により窒素ガス雰囲気となるように、真空排気がされている。真空処理モジュール15で行われるプロセスとしては、例えば成膜処理、アニール処理、エッチング処理あるいは洗浄処理などの真空処理が挙げられる。
A
真空処理装置の全体的なウエハWの処理について説明しておくと、例えばOHTなどでロードポート11に搬入された搬送容器1内の処理前のウエハWは、常圧搬送室12→アライメント室16→ロードロック室13→真空搬送室14→真空処理モジュール15の経路で搬送されて成膜処理やアニール処理が行われる。処理を終えた処理済みのウエハWは、真空処理装置内を逆の経路(ただしアライメント室16は通らない)で搬送されて、所定の搬送容器1へと戻される。
The overall processing of the wafer W in the vacuum processing apparatus will be described. For example, the wafer W before processing in the
次に搬送容器1について説明する。図4および図5に示すように搬送容器1は容器本体10と、当該容器本体10の前面のウエハWの取り出し口25を塞いで、搬送容器1内を気密に保つための蓋体24と、搬送容器1を支持する脚部40と、からなる。搬送容器1内部の左右には、ウエハWの裏面周縁部を支持する支持部26が多段に設けられており、左右の対応する支持部26により、例えば25枚のウエハWが夫々棚状に保持されるスロット38が形成されている。図4では、記載が煩雑になるのを避けるため、スロット38の数を減らして記載している。搬送容器1の上部には、例えばOHTなどの搬送容器1の搬送機構が把持するための把持部28が設けられている。図5に示すように脚部40の下面側には、前方側に2カ所、後方側に1か所、後述のキネマティックピン3に嵌合する3つの凹部19が設けられている(図では前後の2箇所を示す)。
Next, the
取り出し口25の開口縁部の内周側の左右の上部および下部には各々係合溝27が形成されている(図4では下側の係合溝27が見えている)。搬送容器1がロード位置に置かれる時には、この開口縁部が、ウエハ搬送口4の開口縁部に密着し、常圧搬送室12と搬送領域1とが区画される。
蓋体24について説明すると、蓋体24の内部には左右に図示しない回転部が設けられている。回転部の上下には垂直方向に伸びる直動部29が設けられる。この直動部29は、回転部の回転量に応じた距離を移動し、その先端が蓋体24の上側及び下側から突出した状態と、蓋体24内に引き込んだ状態とで切り替わる。この直動部29の先端は前記搬送容器1の係合溝27に係合し、それによって蓋体24が容器本体10に係合されてロック状態となる。前記回転部には後述のラッチキー32が差し込まれ係合される鍵穴31が設けられており、そのように係合したラッチキー32の回転により、回転部の回動が行われる。蓋体24の前面には、このようにラッチキー32を回転部に差し込むことができるように、前記鍵穴31が形成されている。
The
搬送容器1の底面における後方側の左右の端及び前方側の左側の位置には、図5に示すように容器本体10の底部及び脚部40を貫通するガス供給口7が設けられており、ガス供給口7には、逆止弁72が設けられている。逆止弁72は弁体70を備えており、弁体70は、弁箱に相当する通流室75の天井面とは、弁体70との間に介在するばね73が復元力により、弁座74に押し付けられてガス供給口7を閉じる。弁体70は下方側の気圧が高くなると、ばね73の復元力に抗して弁座74から離れてガス供給口7を開口する。また弁体70の上方側にはガス中のパーティクルを除去するためのフィルタ71が設けられている。
At the left and right ends of the rear side and the left side of the front side of the bottom surface of the
図3および図4に示すように搬送容器1の内部における取り出し口25側から見て奥側の2つのガス供給口7には夫々上方に向けて伸びるガスノズル(シュノーケル)56が設けられる。各ガスノズル56には、各スロット38に保持されたウエハWの表面の高さに対応した高さ位置にウエハWに向けてパージガスを吐出するように吐出孔57が設けられている。
図5に示すように、搬送容器1の底面における前方側の右側の位置には、排気口8が設けられている。排気口8は、ガス供給口7に設けられた逆止弁72とは、上下方向逆に設けられた逆止弁72を備えており、搬送容器1内の気圧が搬送容器1の外部の気圧よりも高くなったときに開かれるようになっている。なお、排気口8側の逆止弁72に関連する部位の符号は、ガス供給口7側の逆止弁72に関連する部位の符号と同一符号を用いている。
As shown in FIG. 3 and FIG. 4, gas nozzles (snorkels) 56 extending upward are provided in the two
As shown in FIG. 5, an
次いでロードポート11について説明する。便宜上、常圧搬送室12側を前方側、ロードポート11側を後方側として説明する。図2および図3に示すようにロードポート11は、基体41上に搬送容器1を載置する載置部であるステージ(載置台)2を備えている。ステージ2はモータあるいはエアシリンダ等の駆動部を備えたステージ移動機構(図示せず)に接続されており、このステージ移動機構によって、前後方向に伸びるレール22に沿って前進動作及び後退動作を行うことができる。ステージ2の進退動作により、搬送容器1は後退位置(アンロード位置)と前進位置(ロード位置)との間で移動する。図3では搬送容器1がアンロード位置に置かれた状態を示している。搬送容器1は、例えばOHTにより前記アンロード位置に搬送される。そして、ステージ2が前進し、前記ロード位置にて、常圧搬送室12に対してウエハWの受け渡しが行われる。
Next, the
さらにロードポート11は、図3に示すようにウエハ搬送口4を塞ぐと共に搬送容器1の蓋体24の開閉を行うための開閉ドア17を備えている。開閉ドア17は図3に示すように常圧搬送室12の内側からウエハ搬送口4を塞ぐドア本体33(ハッチングで示す部分)とこのドア本体33の搬送容器1側に設けられた蓋体保持部39(白抜きで示す部分)とを備えている。
Further, as shown in FIG. 3, the
蓋体保持部39は、その後方側(搬送容器1と対向する側)にラッチキー32が設けられており、ステージ2に載置された搬送容器1が当該ステージ2により進退移動することで、蓋体24の鍵穴31に対して、ラッチキー32の差し込み及び引き抜きが行われる。この蓋体保持部39は、ウエハ搬送口4を開放する時には、ドア開閉機構34により、図3中実線で示すドア本体33の位置から前進した離間位置に移動する。そして、蓋体保持部39は、ドア開閉機構34により、その離間位置から図3に鎖線で示す開放位置へ下降してウエハ搬送口4の開放が行われる。
The
ステージ2及びステージ2の周辺部位について図6および図7を参照しながら説明する。なお、図7では図示の煩雑さを避けるためにガイドレール22を省略している。ステージ2の表面には、搬送容器1の凹部19に対応した位置に搬送容器1の位置決め用の突起部であるキネマティックピン3が設けられる。図7に示すようにキネマティックピン3は、その内部が空洞である円錐台形状の突起部35と、突起部35の下方に設けられた、円筒形のネジ部37とを備え、ステージ2にネジ部37がねじ込まれて固定されている。
The
3本のキネマティックピン3の内、例えばステージ2の後方側に設置されるキネマティックピン3には、振動子、例えば超音波振動子30が設けられている。この例では、超音波振動子30は突起部35の内部空間に頂面に接した状態で設けられている。超音波振動子30には給電部90が接続されており、給電部90は制御部9からの信号により超音波振動子30への電力の供給が制御され、超音波振動子30の振動のオンオフを制御する。超音波振動子30は電力を供給することにより、例えば前後方向、即ちウエハWの表面に沿う方向に振動するように設置される。ここでは超音波振動子30を備えたキネマティックピン3が搬送容器1に振動を加えるための振動発生部に相当する。
Of the three
ステージ2には、搬送容器1に設けられたガス供給口7と排気口8とに対応する位置に、図6および図7に示すように貫通孔36が設けられている。基体41には、ステージ2をロード位置に位置させた時の搬送容器1のガス供給口7に対応する位置に、各々ガス供給用のコネクタ部5が設けられている。図7に示すようにガス供給用のコネクタ部5は例えば上方が開口した有底円筒体により構成される。ガス供給用のコネクタ部5における側面の下方側部位には、水平方向に伸びるフレキシブルなガス供給管51の一端51aが開口している。ガス供給管51の他端側には、ガス供給源52が接続され、乾燥したパージガス例えば窒素ガス(N2ガス)を供給できるように構成されている。なお図6および図7中のV1〜V3はバルブである。
As shown in FIGS. 6 and 7, the
ガス供給用のコネクタ部5は、アーム53を介して昇降機構であるエアシリンダ55により昇降できるように構成されている。ガス供給用のコネクタ部5の上面周縁にはリング状のシール部材58が設けられている。実施の形態にかかる基板受け渡し装置では、搬送容器1のガスノズル56がガス供給部に相当し、ガスノズル56、ガス供給口7、ガス供給用のコネクタ部5、ガス供給管51、バルブV1〜V3及びガス供給源52がガス供給機構に相当する。
The gas
また基体41は、ロード位置に置かれたステージ2の前方側における右側の貫通孔36に対応する位置に、排気コネクタ6が設けられている。排気コネクタ6は、ガス供給用のコネクタ部5にガス供給管51に代えて排気管61の一端61aが接続されることを除いてガス供給用のコネクタ部5と同様の構成となっている。
The
また基板受け渡し装置には、図3および図7に示すような例えばコンピュータからなる制御部9が設けられる。この制御部9は、プログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、ガス供給用のコネクタ部5や排気コネクタ6の接続及びガスの供給の制御や蓋体24の開閉、あるいはキネマティックピン3の振動を制御するためのプログラムが格納されている。このプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、光磁気ディスク等に収納され制御部9にインストールされる。
Further, the substrate transfer apparatus is provided with a
続いて第1の実施の形態にかかる基板受け渡し装置の作用について説明する。例えば25枚のウエハWが収められた搬送容器がOHTにより、アンロード位置に設定されたステージ2の上に載置される。この時、図3および図8に示すように搬送容器1の下面に設けられた凹部19がステージ2上に設けられた3本のキネマティックピン3と夫々嵌合する。なお図8では便宜上凹部19とキネマティックピン3との間に隙間を介在して図示している。これにより搬送容器1の位置決めがされると共に搬送容器1はキネマティックピン3により3点で支持される。そしてステージ2が図3の矢印で示すように前進し、搬送容器1がロード位置に向けて移動する。
Next, the operation of the substrate transfer apparatus according to the first embodiment will be described. For example, a transfer container containing 25 wafers W is placed on the
この時ラッチキー32が鍵穴31に差し込まれ、ラッチキー32が回転して蓋体24と搬送容器1との係合が解除されると共に蓋体24がドア本体33と一体となる。しかる後、ドア本体33が前進してウエハ搬送口4から離れた離間位置に移動し、さらに下降して開放位置に移動することでウエハ搬送口4が開放される。
At this time, the
続いて搬送容器1内へのパージガスの供給および搬送容器1からの排気について説明するが、まず蓋体24を開く前にパージガスを供給する例について説明する。図6および図8に示すように基体41の後方側に設けられた2つのガス供給用のコネクタ部5が上昇して、貫通孔36を通り、夫々搬送容器1側に設けられたガス供給口7と接続され、シール部材58により気密にシールされる。また排気コネクタ6を上昇させて、搬送容器1側に設けられた排気口8と接続され、シール部材58により気密にシールされる。
Next, supply of purge gas into the
そしてバルブV1、V2を開くとガス供給源52から、ガス供給管51及びガス供給コネクタ5にパージガスが供給され搬送容器1の2か所のガス供給口7の逆止弁72が開かれ、ガスノズル56からウエハWに向けてパージガスが吐出する。またパージガスの供給により搬送容器1内の気圧が高まるため、排気口8における逆止弁72が開き排気口8から排気コネクタ6、排気管61を介してパージガスが排気される。2本のガスノズル56から吐出されるパージガスは図9、図10に示すようにウエハWに向けて吐出され、互いに衝突した後、方向を変えて搬送容器1の前方側へと流れ、その後排気口8を介して排気される。この例では、排気口8、排気コネクタ6及び排気管61が排気部となる。
When the valves V1 and V2 are opened, purge gas is supplied from the
そしてウエハWの表面にパージガスを流した状態で、超音波振動子30に電圧を印加して発振させると、超音波振動子30の基板を介して搬送容器1に伝搬し、各スロット38に挿入されているウエハWに伝搬する。ウエハWに振動を加えた時のウエハWの表面に付着したパーティクル100の動きについて図11〜図13を参照しながら説明する。ウエハWに形成されるパターンの溝部の溝幅は例えば20nmであり、振動により動いて離れるパーティクル100のサイズ(直径)は例えば35nmである。そのため例えばウエハWにおけるパーティクル100の中には、ウエハWの表面に静電引力などにより引きつけられて、図11に示すようにウエハWに形成されたパターンをなす溝部やホールなどの凹部101にはまり込んでいるものが含まれる場合がある。既述のように超音波振動子30は、横方向(ウエハWの面に沿った方向)に振動するため、パーティクル100は、図12に示すように慣性力によりウエハWの表面を転がろうとする。
Then, when a voltage is applied to the
パーティクル100を動かすことにより、静電引力によりウエハWに引きつけられているパーティクル100は静電引力から引き離され、凹部101へ嵌り込んでいるパーティクル100は、凹部101から抜け出す。パーティクル100が静電引力によりウエハWに引きつけられている場合や、凹部101に嵌り込んでいる場合には、ウエハWの表面にパージガスの流れを形成してもパーティクル100はウエハWから離れにくく、パージガスに捕捉されにくい。ウエハWを振動させた場合には、静電引力や引っ掛かりによる抵抗を弱めることができるため、パーティクル100は、図13に示すようにウエハWの表面を流れるパージガスに捕捉されやすくなる。
従って搬送容器1に振動を加えることにより、ウエハWに振動が加わり、ウエハWに付着していたパーティクル100がウエハWから離れやすくなって、パージガスに捕捉されやすくなる。このため搬送容器1内のウエハWに付着しているパーティクル100を効率よく除去することができる。
By moving the
Accordingly, by applying vibration to the
また搬送容器1の蓋体24を開放した後、パージガスを供給してもよい。まず搬送容器1から蓋体24を離間して、ウエハWの取り出し口25を開放する。次いで上述の実施の形態と同様に後方側に設けられた2本のガスノズル56からパージガスの吐出を開始する。パージガスは、図14、図15に示すように上述の実施の形態と同様に、ウエハWに向けて吐出され、互いに衝突した後、方向を変え、前方へ向かう。この時蓋体24が開放されているため、パージガスは搬送容器1の取り出し口25から常圧搬送室12内へと流れ込み、常圧搬送室12の底部に設けられた図示しない排気口から排出される。この例の場合にも、パージガスをウエハWの表面を流すことができるため、搬送容器1に振動を加えることで同様の効果を得ることができる。この例の場合にはウエハWの取り出し口25及び常圧搬送室12内の排気口が排気部に相当する。
Further, the purge gas may be supplied after the
パーティクル100の除去を終えたウエハWは、既述のように搬送容器1から第1の搬送アーム20に受け渡される。その後真空処理モジュール15にて処理が行われ、処理済みのウエハWが第1の搬送アーム20により各スロット38に収められる。その後開閉ドア17が閉じられると、蓋体24によりウエハWの取り出し口25が塞がれ、ラッチキー32が回転して蓋体24が搬送容器1に係合される。
The wafer W after the removal of the
この時真空処理モジュール15で用いた処理ガスと搬送容器1内の大気が反応して、パーティクルが生じることがあるため、処理済みのウエハWを搬送容器1内に戻した後、蓋体24によりウエハWの取り出し口25を塞ぐ前、あるいはウエハWの取り出し口25を塞いだ後に搬送容器1内にパージガスの供給を行ってもよい。ウエハWの取り出し口25を塞ぐ前にパージガスを供給する場合には、図14、図15に示すようにウエハWの取り出し口25から排気を行い、ウエハWの取り出し口25を塞いだ後にパージガスを供給する場合には、図9、図10に示すように排気口8から排気を行うようにすればよい。
At this time, the processing gas used in the
上述の実施の形態は、密閉型の搬送容器1に収められたウエハWに対して基板の受け渡しを行うロードポート11において、搬送容器1内の処理前あるいは処理後のウエハWの表面にパージガスを流しながら搬送容器1に振動を加えている。このため、ウエハWに振動が加わり、ウエハWに付着していたパーティクル100がウエハW上を動く。その結果パーティクル100は、ウエハWから離れやすくなり、ウエハWの表面を流れるガスに捕捉されてパージガスと共に排出される。従ってウエハWに付着するパーティクル100を効率よく除去することができる。
In the above-described embodiment, purge gas is applied to the surface of the wafer W before or after processing in the
またウエハWに振動を加える際に後方側のキネマティックピン3のみを振動させて搬送容器1に振動を加えるようにしている。ロードポート11における限られた部分だけを振動させているため、基板処理部側に伝搬する振動が抑制される。従って基板処理部側において、振動によるウエハWのずれや、パーティクルの発生を抑制することができる。
そして、キネマティックピン3は搬送容器1の脚部40の凹部19に嵌合して位置決めするためのものであり、このキネマティックピン3に振動発生部を設けることにより、振動発生部を搬送容器1に接触させるための構造、機構を別途に設けなくて済むという利点もある。
Further, when vibration is applied to the wafer W, only the
The
またウエハWを搬送容器1から取り出すときだけ、ウエハWを振動させ、処理を終えたウエハWを搬送容器1内に戻すときには、ウエハWを振動させないようにしてもよい。あるいは、処理を終えたウエハWを搬送容器1内に戻すときには、ウエハWを振動させて、ウエハWを搬送容器1から取り出すときには、ウエハWを振動させないようにしてもよい。
Alternatively, the wafer W may be vibrated only when the wafer W is taken out from the
また搬送容器内にパージガスを供給する手法としては、常圧搬送室12側から例えば、常圧搬送室12のウエハ搬送口4に臨む領域に設けたガスノズルから、搬送容器1内に窒素ガスを供給するようにしてもよい。例えば図16に示すように、常圧搬送室12内に、ガス供給管と接続されると共に長さ方向に吐出孔97が配列されたガスノズル96を、ウエハWの搬送路と干渉しないようにウエハ搬送口4の左右の位置に設ける。そしてこのガスノズル96から搬送容器1内に向けて水平にガスを吐出する。
Further, as a method of supplying the purge gas into the transfer container, nitrogen gas is supplied into the
搬送容器1の前面のウエハWの取り出し口25側から奥側にむけてガスを吐出すると、図16に示すように、窒素ガスは搬送容器1の奥側へ向かった後、搬送容器1の取り出し口25側へと回り込むように流れ、取り出し口25から排気されることになる。
振動発生部の振動の周波数については、周波数が低過ぎても、高過ぎても、パーティクルに加わる慣性力が小さくなることから、100Hz以上であることが好ましい。また搬送容器1に伝搬する振動波の振動成分については、ウエハWの面に沿った振動成分が、ウエハWの面と直交する振動成分よりも大きいことが好ましい。
第1の実施形態では、3本のキネマティックピン3のうち1本のキネマティックピン3に超音波振動子30を設けているが、2本あるいは3本のキネマティックピン3に超音波振動子30を設けてもよい。
When the gas is discharged from the front side of the wafer W toward the back side of the wafer W on the front side of the
The vibration frequency of the vibration generating unit is preferably 100 Hz or more because the inertial force applied to the particles becomes small regardless of whether the frequency is too low or too high. As for the vibration component of the vibration wave propagating to the
In the first embodiment, the
また搬送容器1に振動を加えるための手法としては、キネマティックピン3に超音波振動子30を設けることに限られるものではなく、例えば図17に示すように基体41の表面にバネ81を介して超音波振動子を含む振動体80を設け、搬送容器1がステージ2に置かれたときに脚部40が振動体80を押圧した状態となるように構成してもよい。
更にまた図18に示すように、例えばステージ2の後部に水平な回転軸周りに回動するアーム83を設けてこのアーム83に振動体82を取り付け、搬送容器1がステージ2に載置されたときにアーム83が起立して、振動隊82が搬送容器1の後面を押圧した状態となるように構成してもよい。更には、搬送容器1の両側面を押圧するように、当該両側面に対して接離自在な2個の振動体をロードポート11の基体あるいはステージ2に支持部材を介して設けるようにしてもよい。あるいはまた搬送容器1の上面に対して接離自在な振動体を基体41あるいはステージ2に支持部材を介して設けるようにしてもよい。
そしてまた、既述の振動体の設置構造の複数種別を組み合わせてもよい。例えばキネマティックピン3に超音波振動子30を含む振動体を設け、更に搬送容器1の側面に接触する振動体を用いるなどの組み合わせ構造を採用してもよい。
The method for applying vibration to the
Further, as shown in FIG. 18, for example, an
Further, a plurality of types of the installation structure of the vibrator described above may be combined. For example, a
またロードポート11としては、上述の実施形態に記載したタイプのものに限られるものではない。他のロードポート11の例としては、回転テーブルと蓋体24の開閉機構とがその内部に設けられ、一面が搬送容器1の搬入口として形成され、他の面が外部と仕切られる仕切り壁の開閉ドア付きの開口部に接続された着脱室を用い、この着脱室の中で蓋体24を着脱する構成が挙げられる。この場合、搬送容器1が着脱室内に搬入された後、搬入口のドアが閉じられ、蓋体24が取り外された後、回転テーブルにより前記開口部にウエハWの取り出し口が向くように搬送容器1が回転する。
本発明は、処理ガスにより基板が処理される装置に適用されるだけでなく、基板を検査する装置、例えばウエハプローバのロードポートに適用することもできる。
Further, the
The present invention can be applied not only to an apparatus for processing a substrate with a processing gas, but also to an apparatus for inspecting a substrate, for example, a load port of a wafer prober.
本発明は、搬送容器1から処理前の基板を取り出し、処理後の基板を当該搬送容器に戻すためのロードポート11において、既述のように基板を取り出す前及び基板を取り出した後の少なくとも一方にて、基板を振動させるようにしてもよいが、このようなロードポート11に適用されることに限られない。例えば、搬送容器1から処理前の基板を取り出すための第1のポートと、処理後の基板を別の搬送容器1に受け渡すための第2のポートと、が別個に配置されている基板処理装置を構築し、第1のポート及び第2のポートの少なくとも一方において、搬送容器内の基板を振動させる手法であってもよい。
例えば第2のポートに本発明を適用する場合には、搬送容器1を載置部に載置した後、蓋体24を取り外す工程と、処理済みの基板を当該搬送容器1内に搬入する工程と、搬送容器1を載置部から搬出する前に、既述のパージガスの供給、排気を行いながら搬送容器1を振動させる工程と、を含むことになる。
In the
For example, when the present invention is applied to the second port, the step of removing the
1 搬送容器
2 ステージ
3 キネマティックピン
4 ウエハ搬送口
5 ガス供給コネクタ
6 排気コネクタ
7 ガス供給口
8 排気口
11 ロードポート
12 常圧搬送室
17 開閉ドア
20 第1の搬送アーム
24 蓋体
25 取り出し口
34 ドア開閉機構
51 ガス供給管
52 ガス供給機構
56 ガスノズル(シュノーケル)
61 排気管
62 排気ポンプ
DESCRIPTION OF
61 Exhaust pipe 62 Exhaust pump
Claims (12)
前記搬送容器が載置される載置部と、
該載置部に載置された搬送容器内にパージガスを供給するためのガス供給機構と、
前記搬送容器内に供給されたパージガスを排気するための排気部と、
前記蓋体を前記容器本体に対して着脱するための着脱機構と、
前記載置部に載置された前記搬送容器を振動させるための振動発生部と、
前記搬送容器内にパージガスを供給しながら前記振動発生部に振動を発生させるように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板受け渡し装置。 Substrate for transferring a substrate between a transport container having a container body for storing a plurality of substrates in a shelf shape, a lid body for opening and closing an opening on the front side of the container body, and a substrate transport mechanism In the delivery device,
A placement section on which the transport container is placed;
A gas supply mechanism for supplying a purge gas into the transfer container mounted on the mounting unit;
An exhaust part for exhausting the purge gas supplied into the transfer container;
An attachment / detachment mechanism for attaching / detaching the lid to / from the container body;
A vibration generating unit for vibrating the transport container mounted on the mounting unit;
And a controller that outputs a control signal so as to cause the vibration generator to generate vibration while supplying purge gas into the transfer container.
前記振動発生部は、前記位置決め用の突起部に設けられたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板受け渡し装置。 The placement section includes a positioning projection for positioning the transport container,
The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the vibration generating unit is provided on the positioning projection.
その後、前記搬送容器の蓋体を取り外す工程と、
次いで、基板を基板処理部に搬送するために基板搬送機構により前記搬送容器から前記基板を取り出す工程と、
前記搬送容器を前記載置部に載置した後、前記搬送容器から前記基板を取り出す前に、搬送容器内にパージガスを供給すると共に前記搬送容器内に供給された前記パージガスを排気する工程と、
前記パージガスの供給及び排気を行いながら、前記載置部に載置された前記搬送容器を振動発生部により振動させる工程と、を含むことを特徴とする基板の受け渡し方法。 Placing a transport container having a container main body storing a plurality of substrates in a shelf shape and a lid for opening and closing an opening on the front side of the container main body on the placement unit;
Then, removing the lid of the transport container;
Next, a step of taking out the substrate from the transport container by a substrate transport mechanism in order to transport the substrate to the substrate processing unit;
Supplying the purge gas into the transfer container and exhausting the purge gas supplied into the transfer container before taking out the substrate from the transfer container after placing the transfer container on the placement unit;
And a step of vibrating the transfer container placed on the placing portion by a vibration generating portion while supplying and exhausting the purge gas.
その後、前記搬送容器の蓋体を取り外す工程と、
しかる後、基板処理部にて処理された基板を基板搬送機構により前記搬送容器内に搬入する工程と、
前記搬送容器内に前記基板を搬入した後、当該搬送容器を前記載置部から搬出する前に、搬送容器内にパージガスを供給すると共に前記搬送容器内に供給された前記パージガスを排気する工程と、
前記パージガスの供給及び排気を行いながら、前記載置部に載置された前記搬送容器を振動発生部により振動させる工程と、を含むことを特徴とする基板の受け渡し方法。 Placing a transport container having a container body for storing a plurality of substrates in a shelf shape and a lid body for opening and closing an opening on the front side of the container body on the placement unit;
Then, removing the lid of the transport container;
Thereafter, a step of carrying the substrate processed in the substrate processing unit into the transfer container by the substrate transfer mechanism,
Supplying the purge gas into the transfer container and exhausting the purge gas supplied into the transfer container before the transfer of the substrate from the placement unit after loading the substrate into the transfer container; ,
And a step of vibrating the transfer container placed on the placing portion by a vibration generating portion while supplying and exhausting the purge gas.
前記振動発生部は、前記位置決め用の突起部に設けられたことを特徴とする請求項7ないし10のいずれか一項に記載の基板受け渡し方法。 The placement unit includes a positioning projection for positioning the transport container,
The substrate transfer method according to claim 7, wherein the vibration generating unit is provided on the positioning projection.
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