KR102534203B1 - substrate handling system - Google Patents

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KR102534203B1
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노부아키 마츠오카
즈네나가 나카시마
다카히로 야스타케
히데오 후나코시
히로시 나카무라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판을 처리하는 처리 장치로서 열 처리 장치 등을 구비하고, 당해 처리 장치에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 음파를 방사하여 반송 영역 내의 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지하는 음파 방사 장치를 구비한다. 음파 방사 장치는, 예를 들어 반송 영역에 있어서의 열 처리 장치의 웨이퍼의 반출입구에 인접하는 영역이나, 기판 반송 영역에 있어서의, 카세트 적재부에 대한 기판 반출입구에 인접하는 영역에 마련된다. 또한, 음파 방사 장치는, 기판 반송 장치에 설치되어 있어도 된다.A substrate processing system comprising a heat treatment device or the like as a processing device for processing a substrate and having a transfer area for transporting a wafer (W) in the processing device, wherein sound waves are emitted so that floating particles in the transfer area adhere to the substrate. It is equipped with a sound wave emitting device to prevent it from happening. The acoustic wave emitting device is provided, for example, in a region adjacent to the wafer loading/unloading port of the thermal processing device in the transfer area or in a region adjacent to the substrate loading/unloading port for the cassette loading section in the substrate transport area. In addition, the sound wave emitting device may be installed in the substrate conveying device.

Description

기판 처리 시스템substrate handling system

(관련 출원의 상호 참조)(Cross Reference to Related Applications)

본원은, 2017년 2월 24일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2017-32961호, 및 2017년 12월 27일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2017-251489호에 기초하여, 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-32961 filed in Japan on February 24, 2017, and Japanese Patent Application No. 2017-251489 filed in Japan on December 27, 2017 and the contents are incorporated here.

본 발명은, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system including a processing device for processing a substrate, and provided with a substrate transport area for transporting a substrate to the processing device.

예를 들어 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들어 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 표면 상에 도포액을 공급하여 반사 방지막이나 레지스트막을 형성하는 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리, 웨이퍼를 가열하는 열 처리 등이 순차 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다. 그리고 레지스트 패턴을 마스크로 하여 에칭 처리가 행해지고, 그 후 레지스트막의 제거 처리 등이 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 패턴이 형성된다. 이들 일련의 처리는, 웨이퍼를 처리하는 각종 처리 장치나 웨이퍼를 반송하는 반송 기구 등을 탑재한 기판 처리 시스템인 도포 현상 처리 시스템에서 행해지고 있다.For example, in the photolithography process in the manufacturing process of semiconductor devices, for example, a coating process of supplying a coating liquid on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a "wafer") as a substrate to form an antireflection film or a resist film; An exposure process for exposing a resist film in a predetermined pattern, a development process for developing the exposed resist film, and a heat treatment for heating a wafer are sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer. Then, an etching process is performed using the resist pattern as a mask, and then a resist film removal process or the like is performed to form a predetermined pattern on the wafer. These series of processes are performed in a coating and developing processing system, which is a substrate processing system equipped with various types of processing devices for processing wafers and transport mechanisms for transporting wafers.

또한, 도포 현상 처리 시스템에서는, 예를 들어 반송 영역 내의 분위기를 청정하게 유지하기 위해, 반송 기구가 마련된 반송 영역을 밀폐함과 함께, 반송 영역의 천장면에, 청정한 에어의 하강 기류를 공급하는 ULPA(Ultra Low Penetration Air) 필터를 마련하고 있다(특허문헌 1). ULPA 필터를 마련함으로써, 반송 영역 내의 부유 파티클을, 시스템의 하방으로 유하시켜, 배기 기구에 의해 배출할 수 있다.Further, in the coating and developing processing system, for example, in order to keep the atmosphere in the transport area clean, a ULPA for supplying a descending flow of clean air to the ceiling surface of the transfer area while sealing the transfer area provided with the transfer mechanism. (Ultra Low Penetration Air) filter is provided (Patent Document 1). By providing the ULPA filter, floating particles in the transport area can be made to flow down the system and discharged by the exhaust mechanism.

일본 특허 제2012-154688호 공보Japanese Patent No. 2012-154688

그런데, 장치 내의 파티클의 제어에 대해, 반도체 디바이스의 제조 프로세스의 미세화에 수반하여, 관리되는 파티클도 금후 점점 엄격해질 것이라고 생각할 수 있다. 따라서, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지하는 대책으로서, 특허문헌 1과 같이 반송 영역에 대해 ULPA 필터를 마련하는 것만으로는, 장치 내의 파티클의 제어로서 충분하지 않게 될 것이라고 생각할 수 있다. 예를 들어, ULPA 필터를 마련하였다고 해도, 웨이퍼 반송 장치의 동작 등에 의해 기류의 흐름이 차단, 변경되어, 웨이퍼 반송 장치가 동작하고 있지 않은 정지 상태와 상이한 내부 기류가 발생함으로써, 일단 하방을 향한 부유 파티클이 다시 상방으로 흐르게 되어 버리는 경우도 있다. 이 경우, 반송 영역으로부터 장시간 배출되지 않는 파티클도 존재할 가능성이 있어, 제조 프로세스에 따라서는, 이러한 파티클의 관리도 필요해지는 것이 예상된다.By the way, with respect to the control of particles in the apparatus, it is conceivable that with the miniaturization of the manufacturing process of semiconductor devices, the controlled particles will also become more and more strict in the future. Therefore, as a countermeasure for preventing floating particles from adhering to the substrate, it is conceivable that providing only a ULPA filter for the transport area as in Patent Document 1 will not be sufficient as a control of particles in the device. For example, even if a ULPA filter is provided, the flow of the airflow is blocked or changed by the operation of the wafer transport device, etc., and an internal air flow different from that of the stationary state in which the wafer transport device is not operating is generated, so that the wafer temporarily floats downward. Particles may flow upward again in some cases. In this case, there is a possibility that there may be particles that are not discharged from the transport area for a long time, and depending on the manufacturing process, it is expected that management of these particles will also be required.

본 발명은, 이러한 점에 비추어 이루어진 것이며, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 더 확실하게 방지하는 것을 목적으로 하고 있다.The present invention has been made in light of these points, and in a substrate processing system provided with a processing device for processing a substrate, and provided with a substrate transfer area for transporting the substrate to the processing device, the floating particles are further prevented from adhering to the substrate. It aims to prevent this with certainty.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태는, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 음파를 방사하는 음파 방사 장치를 상기 기판 반송 영역에 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.In order to achieve the above object, one aspect of the present invention is a substrate processing system provided with a processing device for processing a substrate, and provided with a substrate transport area for transporting the substrate to the processing device, wherein sound wave radiation for emitting sound waves It is characterized in that a device is provided in the substrate transport area.

본 발명에 따르면, 음파를 방사하는 음파 방사 장치를 상기 기판 반송 영역에 구비하기 때문에, 부유 파티클을 배기 기구의 방향으로 이동시킬 수 있으므로, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 더 확실하게 방지할 수 있다.According to the present invention, since the substrate carrying area is provided with a sound wave emitting device that emits sound waves, the floating particles can be moved in the direction of the exhaust mechanism, so that the floating particles can be prevented from sticking to the substrate more reliably. .

본 발명에 따르면, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 더 확실하게 방지할 수 있다.According to the present invention, in a substrate processing system provided with a processing device for processing a substrate and provided with a substrate transport area for transporting the substrate to the processing device, it is possible to more reliably prevent floating particles from adhering to the substrate. .

도 1은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 정면도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 배면도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 종단 측면도이다.
도 5는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 종단 정면도이다.
도 6은 음파 방사 장치의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 7은 음파 방사 장치의 다른 예를 도시하는 측면도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 다른 예의 개략을 도시하는 설명도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 또 다른 예의 설명도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 냉각판의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 선반 유닛에 마련된 수납 블록의 내부의 상면도이다.1 is a plan view schematically illustrating the configuration of a substrate processing system according to a first embodiment.
2 is a front view schematically illustrating the configuration of the substrate processing system according to the first embodiment.
3 is a rear view schematically illustrating the configuration of the substrate processing system according to the first embodiment.
4 is a longitudinal side view schematically illustrating the configuration of the substrate processing system according to the first embodiment.
5 is a longitudinal front view showing an outline of the configuration of the substrate processing system according to the first embodiment.
6 is a plan view showing an example of a sound wave radiating device.
7 is a side view showing another example of a sound wave radiating device.
8 is an explanatory diagram schematically showing another example of the substrate processing system according to the first embodiment of the present invention.
9 is an explanatory diagram of yet another example of the substrate processing system according to the first embodiment of the present invention.
10 is a diagram for explaining the outline of a substrate processing system according to a second embodiment of the present invention.
11 is a diagram showing another example of a cooling plate.
12 is a diagram for explaining the outline of a substrate processing system according to a third embodiment of the present invention.
13 is a top view of the inside of the storage block provided in the shelf unit.

(제1 실시 형태)(First Embodiment)

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 설명도이다. 도 2 및 도 3은, 각각 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 모식적으로 도시하는, 정면도와 배면도이다. 도 4 및 도 5는, 각각 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 모식적으로 도시하는, 종단 측면도와 종단 정면도이다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 대해서는, 동일한 번호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described. 1 is an explanatory diagram showing an outline of the configuration of a substrate processing system according to a first embodiment of the present invention. 2 and 3 are a front view and a rear view schematically illustrating an outline of the internal configuration of the substrate processing system, respectively. 4 and 5 are a longitudinal side view and a longitudinal front view schematically illustrating an outline of an internal configuration of the substrate processing system, respectively. Note that, in this specification and drawings, elements having substantially the same function and structure are given the same reference numerals to omit redundant description.

기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시하는 바와 같이 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.As shown in FIG. 1 , the substrate processing system 1 performs a predetermined process on the cassette station 10 and the wafer W, in which a cassette C containing a plurality of wafers W is loaded and unloaded. An interface station 13 that transfers wafers W between a processing station 11 having a plurality of various types of processing devices for processing and an exposure device 12 adjacent to the processing station 11 is integrally connected. has a configuration.

카세트 스테이션(10)에는, 카세트 적재대(20)가 마련되어 있다. 카세트 적재대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대해 카세트(C)를 반입출할 때, 카세트(C)를 적재하는 카세트 적재판(21)이 복수 마련되어 있다.The cassette station 10 is provided with a cassette loading table 20 . The cassette mounting table 20 is provided with a plurality of cassette mounting plates 21 on which the cassettes C are loaded when the cassettes C are carried in and out of the substrate processing system 1 .

카세트 스테이션(10)에는, 카세트 적재대(20)와 처리 스테이션(11) 사이에 웨이퍼 반송 영역 L이 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 영역 L에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는, 상하 방향 및 연직축 주위(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 적재판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.In the cassette station 10, a wafer transfer area L is provided between the cassette mounting table 20 and the processing station 11. In the wafer transport area L, as shown in FIG. 1 , a wafer transport device 23 movable on a transport path 22 extending in the X direction is provided. The wafer transport device 23 is movable in the vertical direction and also around the vertical axis (θ direction), and includes cassettes C on each cassette mounting plate 21 and a third block G3 of the processing station 11 described later. It is possible to transfer the wafer (W) between the transfer devices.

처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들어 제1∼제4의 4개의 블록 G1, G2, G3, G4가 마련되어 있다. 예를 들어 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 제1 블록(G1)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는, 제2 블록(G2)이 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는, 제3 블록(G3)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제4 블록(G4)이 마련되어 있다.The processing station 11 is provided with a plurality of, for example, first to fourth four blocks G1, G2, G3, and G4 equipped with various devices. For example, the first block G1 is provided on the front side of the processing station 11 (the negative side in the X direction in FIG. 1 ), and the rear side of the processing station 11 (the positive side in the X direction in FIG. 1 ). , the second block G2 is provided. Further, a third block G3 is provided on the cassette station 10 side of the processing station 11 (the negative direction side in the Y direction in FIG. 1), and the interface station 13 side of the processing station 11 (Fig. 1). 1), a fourth block G4 is provided.

예를 들어 제1 블록(G1)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이 복수의 액 처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래로부터 이 순서로 배치되어 있다.For example, in the first block G1, as shown in FIG. 2, a plurality of liquid processing devices, for example, a developing processing device 30 for developing the wafer W, and a lower layer of a resist film of the wafer W A lower anti-reflection film forming device 31 for forming an anti-reflection film (hereinafter referred to as "lower anti-reflection film"), a resist coating device 32 for forming a resist film by applying a resist liquid to the wafer W, and a wafer W An upper antireflection film forming apparatus 33 for forming an antireflection film (hereinafter referred to as "upper antireflection film") on the upper layer of the resist film is disposed in this order from the bottom.

예를 들어, 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 각각 수평 방향으로 4개 나열되어 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.For example, the developing unit 30, the lower anti-reflection film forming unit 31, the resist coating unit 32, and the upper anti-reflection film forming unit 33 are arranged in a row in a horizontal direction. The number and arrangement of the developing unit 30, the lower anti-reflection film forming unit 31, the resist coating unit 32, and the upper anti-reflection film forming unit 33 can be arbitrarily selected.

이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에서는, 예를 들어 웨이퍼(W) 상에 소정의 도포액을 도포하는 스핀 코팅이 행해진다. 스핀 코팅에서는, 예를 들어 도포 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 도포액을 토출함과 함께, 웨이퍼(W)를 회전시켜, 도포액을 웨이퍼(W)의 표면으로 확산시킨다.In the developing apparatus 30, the lower antireflection film forming apparatus 31, the resist coating apparatus 32, and the upper antireflection film forming apparatus 33, for example, a predetermined coating liquid is applied onto the wafer W. Spin coating is performed. In spin coating, for example, a coating liquid is discharged from a coating nozzle onto the wafer W, and the wafer W is rotated to spread the coating liquid onto the surface of the wafer W.

예를 들어 제2 블록(G2)에는, 도 3에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 가열이나 냉각과 같은 열 처리를 행하는 열 처리 장치(40)나, 레지스트액과 웨이퍼(W)의 정착성을 높이기 위한 어드히젼 장치(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향 등으로 나열되어 마련되어 있다. 이들 열 처리 장치(40), 어드히젼 장치(41), 주변 노광 장치(42)의 수나 배치에 대해서도, 임의로 선택할 수 있다.For example, in the second block G2, as shown in FIG. 3, a heat treatment device 40 that performs heat treatment such as heating or cooling the wafer W, and fixation of the resist liquid and the wafer W An adhesion device 41 for raising , and a peripheral exposure device 42 for exposing the outer periphery of the wafer W are arranged in a vertical direction or the like. The number and arrangement of the heat treatment device 40, the adhesion device 41, and the peripheral exposure device 42 can also be arbitrarily selected.

예를 들어 제3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치 등이 적층된 선반 유닛이 마련되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에도, 복수의 전달 장치 등이 적층된 선반 유닛이 마련되어 있다.For example, a shelf unit in which a plurality of delivery devices and the like are stacked is provided in the third block G3. Further, a shelf unit in which a plurality of delivery devices and the like are stacked is provided in the fourth block G4 as well.

도 1에 도시하는 바와 같이 제1 블록(G1)∼제4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역 R이 형성되어 있다.As shown in FIG. 1, a wafer transfer area R is formed in the area surrounded by the first block G1 to the fourth block G4.

또한, 도 1에 도시하는 바와 같이 제3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(100)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(100a)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 반송 암(100a)에 의해 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.Further, as shown in FIG. 1 , a wafer transport device 100 is provided next to the third block G3 on the positive X-direction side. The wafer transfer device 100 has a transfer arm 100a that is movable in, for example, the X direction, the θ direction, and the vertical direction. The wafer transport device 100 can move up and down in a state in which the wafer W is supported by the transport arm 100a, and transport the wafer W to each transfer device in the third block G3.

인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(110)와 전달 장치(111)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(110a)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 반송 암(110a)에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(111) 및 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The interface station 13 is equipped with a wafer transport device 110 and a delivery device 111 . The wafer transport device 110 has a transfer arm 110a that is movable in the Y direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. The wafer transport device 110 supports the wafer W on the transport arm 110a, for example, and moves the wafer W between the respective transport devices in the fourth block G4, the transport device 111, and the exposure device 12. The wafer W can be transported.

웨이퍼 반송 영역 R에 대해 더 설명한다. 웨이퍼 반송 영역 R은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 4개의 반송 영역 R1∼R4가 아래로부터 차례로 적층되어 구성되고, 반송 영역 R1∼R4는 각각, 제3 블록(G3)측으로부터 제4 블록(G4)측을 향하는 방향(도 4의 Y 방향 정방향)으로 연장되도록 형성되어 있다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R1∼R4의 폭 방향의 한쪽에는, 레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치가 배치되고, 다른 쪽에는 예를 들어 열 처리 장치(40)가 배치된다. 열 처리 장치(40) 대신에, 어드히젼 장치(41)나 주변 노광 장치(42)가 배치되는 경우도 있다.The wafer transfer area R will be further described. As shown in FIG. 4 , the wafer transfer area R is formed by sequentially stacking four transfer areas R1 to R4 from the bottom, and the transfer areas R1 to R4 are each a fourth block from the third block G3 side ( It is formed so as to extend in a direction toward the G4) side (positive Y direction in FIG. 4). As shown in FIG. 5, a liquid processing device such as a resist coating device 32 is disposed on one side of the transfer regions R1 to R4 in the width direction, and a heat processing device 40, for example, is disposed on the other side. . Instead of the heat treatment device 40, an adhesion device 41 or a peripheral exposure device 42 may be disposed.

또한, 반송 영역 R1∼R4에는 각각, 당해 반송 영역 R1∼R4의 길이 방향(도 5의 Y 방향)을 따라 연신하는 가이드(301)와, 당해 가이드(301)를 따라 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치인 반송 암 A1∼A4가 마련되어 있다. 반송 암 A1∼A4는, 반송 영역 R1∼R4마다 당해 영역 R1∼R4에 인접하는 모든 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 것이다. 이 반송 암 A1∼A4(이하, 통합하여 반송 암(A)이라고 칭하는 경우가 있음)는, 가이드(301)를 따라 이동하는 프레임(302)과, 당해 프레임(302)을 따라 승강하는 승강체(303)와, 당해 승강체(303) 상을 회동하는 회동체(304)와, 당해 회동체(304) 상을 진퇴하는 웨이퍼 지지부(305)를 갖는다.Further, in the transfer areas R1 to R4, guides 301 extending along the longitudinal direction of the transfer areas R1 to R4 (Y direction in FIG. 5), and wafers W are transported along the guides 301. Transport arms A1 to A4, which are transport devices, are provided. The transfer arms A1 to A4 are for transferring the wafer W between all modules adjacent to the areas R1 to R4 in each transfer area R1 to R4. The transport arms A1 to A4 (hereinafter sometimes collectively referred to as transport arms A) include a frame 302 that moves along the guide 301 and an elevating body that moves up and down along the frame 302 ( 303), a rotation body 304 that rotates on the elevator body 303, and a wafer support unit 305 that advances and retreats on the rotation body 304.

레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치는, 스핀 코팅에 의해 도포막을 형성하기 위해, 웨이퍼(W)를 보유 지지하여 회전시키는 스핀 척(201)과, 도포액을 공급하는 도시하지 않은 도포액 공급 노즐을 갖는다. 또한, 상기 액 처리 장치는, 웨이퍼(W)를 둘러싸고 웨이퍼(W)로부터 비산한 도포액을 회수하는 컵(202)과, 당해 컵(202)의 상방에 마련되고 컵(202) 내에 청정한 에어를 공급하는 필터(203)를 갖는다.The liquid processing device such as the resist coating device 32 includes a spin chuck 201 for holding and rotating the wafer W, and a coating liquid (not shown) for supplying a coating liquid to form a coating film by spin coating. It has a supply nozzle. In addition, the liquid processing device includes a cup 202 that surrounds the wafer W and collects the coating liquid scattered from the wafer W, and provided above the cup 202 to supply clean air into the cup 202. It has a filter 203 to supply.

열 처리 장치(40)는, 웨이퍼(W)를 가열하는 열판(401)과, 당해 열판(401)과 반송 암 A1∼A4 사이에서 웨이퍼(W)를 전달함과 함께 웨이퍼(W)를 냉각하는 플레이트(402)와, 열판(401)의 상방에 마련된 정류판(403)과, 반송 영역 R1∼R4 및 열 처리 장치(40) 내를 배기하는 배기부(404, 405)를 갖는다. 위로부터 2개째, 4개째, 6개째, 8개째의 열 처리 장치(40)의 하방에는, 반송 영역 R1∼R4를 배기하는 팬 장치(406)가 마련되어 있다.The thermal processing device 40 includes a hot plate 401 that heats the wafer W, transfers the wafer W between the hot plate 401 and the transfer arms A1 to A4, and cools the wafer W. It has a plate 402, a rectifying plate 403 provided above the hot plate 401, and exhaust parts 404 and 405 for exhausting the inside of the transport regions R1 to R4 and the heat treatment device 40. Below the 2nd, 4th, 6th, and 8th thermal processing devices 40 from the top, a fan unit 406 for exhausting the transfer regions R1 to R4 is provided.

처리 스테이션(11)에 대해 더 설명한다. 처리 스테이션(11)은, 하우징(51)을 구비하고, 당해 하우징(51) 내에 상술한 각 장치가 수납되어 있고, 하우징(51) 내는 반송 영역 R1∼R4마다 구획되어 있다. 하우징(51) 상에는 팬 필터 유닛(FFU)(52)이 마련되어 있고, 당해 FFU(52)에는 상하로 연신되어, 반송 영역 R1∼R4에 걸치도록 형성된 수직 덕트(53)가 접속되어 있다. 이 수직 덕트(53)는, 각 반송 영역 R1∼R4의 길이 방향을 따라 연신되는 수평 덕트(54)에 접속되어 있다.The processing station 11 is further described. The processing station 11 includes a housing 51, and the above-described devices are housed in the housing 51, and the interior of the housing 51 is divided into transfer areas R1 to R4. A fan filter unit (FFU) 52 is provided on the housing 51, and the FFU 52 is connected to a vertical duct 53 extending vertically and extending over the conveyance regions R1 to R4. This vertical duct 53 is connected to the horizontal duct 54 extending along the longitudinal direction of each conveyance area|region R1-R4.

수평 덕트(54)는, 각 반송 영역 R1∼R4에 있어서의, 레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치측의 에지부의 상방에 마련되어 있다. 또한, 수평 덕트(54)는, 도시하지 않은 ULPA 필터를 내부에 갖는다. 상술한 팬 필터 유닛(52)으로부터 송풍된 에어는, 직접 또는 수직 덕트(53)를 통해, 수평 덕트(54)로 유입되고, ULPA 필터에 의해 청정화되어, 수평 덕트(54)로부터 하방으로 공급된다.The horizontal duct 54 is provided above the edge portion on the side of the liquid processing device such as the resist coating device 32 in each of the transfer regions R1 to R4. In addition, the horizontal duct 54 has an ULPA filter (not shown) therein. The air blown from the fan filter unit 52 described above flows into the horizontal duct 54 directly or through the vertical duct 53, is purified by the ULPA filter, and is supplied downward from the horizontal duct 54. .

또한, 수평 덕트(54)의 하방에는, 구획판(55)이 마련되어 있다. 이 구획판(55)은, 각 반송 영역 R1∼R4의 천장면을 형성하는 것이며, 수평 덕트(54)로부터 공급되는 에어를 확산하는 기체 확산실(도시하지 않음)을 내부에 갖는다. 또한, 구획판(55)의 하면에는, 기체 확산실에서 확산된 에어를 반송 영역 R1∼R4로 토출하기 위한 다수의 토출구가 전체면에 형성되어 있다.Further, a partition plate 55 is provided below the horizontal duct 54 . This partition plate 55 forms the ceiling surface of each transfer area R1-R4, and has a gas diffusion chamber (not shown) inside which diffuses the air supplied from the horizontal duct 54. Further, on the lower surface of the partition plate 55, a large number of discharge ports for discharging the air diffused in the gas diffusion chamber to the transfer regions R1 to R4 are formed on the entire surface.

수평 덕트(54)의 ULPA 필터를 통과하고 파티클이 제거되어 청정화된 에어는, 구획판(55)의 기체 확산실로 유입되어, 토출구를 통해, 하방으로 토출된다. 이와 같이 하여, 각 반송 영역 R1∼R4에 있어서, 청정화된 에어에 의한 하강 기류가 형성되어 있다.Air that has passed through the ULPA filter of the horizontal duct 54 and has been cleaned of particles is introduced into the gas diffusion chamber of the partition plate 55 and discharged downward through the discharge port. In this way, in each of the conveyance regions R1 to R4, a descending airflow of the purified air is formed.

처리 스테이션(11)은, 상술한 청정화된 에어에 의한 하강 기류로, 부유 파티클을 하방으로 유하시켜, 팬 장치(406)를 통해 외부로 배출하고 있다. 이 처리 스테이션(11)에서는, 각 반송 영역 R1∼R4 내의 분위기를 더 청정화하기 위해, 반송 영역 R1∼R4 내에 각각 음파 방사 장치가 마련되어 있다. 구체적으로는, 반송 영역 R1∼R4에 있어서 레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치의 웨이퍼(W)의 반출입구 K1에 인접하는 영역에 음파 방사 장치(60)가 마련되고, 반송 영역 R1∼R4에 있어서 열 처리 장치(40)의 웨이퍼(W)의 반출입구 K2에 인접하는 영역에 음파 방사 장치(70)가 마련되어 있다.The processing station 11 causes floating particles to flow downward with the above-described descending airflow of the purified air, and discharges them to the outside through the fan device 406 . In this processing station 11, in order to further purify the atmosphere in each of the transport regions R1 to R4, sonic emission devices are provided in each of the transport regions R1 to R4. Specifically, in the transfer areas R1 to R4, the acoustic wave emitter 60 is provided in the area adjacent to the carry-in/out port K1 of the wafer W of the liquid processing device such as the resist coating device 32, and the transfer area R1 to In R4 , an acoustic wave radiating device 70 is provided in a region adjacent to the wafer W carry-in/out port K2 of the thermal processing device 40 .

음파 방사 장치(60, 70)는, 예를 들어 상기 반출입구 K1, K2의 상방으로부터, 배기용 팬 장치(406)가 마련된 반송 영역 R1∼R4의 저부를 향해, 음파를 방출하도록 설치된다.The sound wave radiating devices 60 and 70 are installed so as to emit sound waves, for example, from above the carry-out ports K1 and K2 toward the bottom of the transport regions R1 to R4 where the exhaust fan devices 406 are provided.

음파 방사 장치(60, 70)로부터 저부 방향으로 방사한 음파에 의해, 상술한 반출입구 근방 등에 존재하는 부유 파티클을 하방으로 이동시켜, 팬 장치(406)를 통해 외부로 배출할 수 있다.The sound waves emitted from the sound wave radiating devices 60 and 70 toward the bottom can move the floating particles existing near the carry-in/outlet described above downward and discharge them to the outside through the fan device 406 .

또한, 상기 음파 방사 장치(60, 70)를 상술한 바와 같이 마련함으로써, 액 처리 장치 및 열 처리 장치(40)와 반송 암 A1∼A4 사이에서의 웨이퍼(W) 전달 시에, 액 처리 장치 및 열 처리 장치(40)로부터 반송 영역 R1∼R4로 파티클이 침입하거나, 반송 영역 R1∼R4로부터 액 처리 장치 및 열 처리 장치(40)로 파티클이 침입하거나 하는 것을 방지할 수 있다.In addition, by providing the sonic radiation devices 60 and 70 as described above, when the wafer W is transferred between the liquid processing device and the heat processing device 40 and the transfer arms A1 to A4, the liquid processing device and It is possible to prevent particles from entering the transfer regions R1 to R4 from the heat processing device 40 and entering the liquid processing device and the heat processing device 40 from the transfer regions R1 to R4.

또한, 음파 방사 장치(60, 70)를 마련함으로써, 메인터넌스 시에, 반송 영역 R1∼R4의 개방 등에 의해 파티클의 침입이나 인적 동작에 의한 발진 등에 의해 청정도가 악화되어도, 원래의 청정도로 신속하게 복귀시킬 수 있다.In addition, by providing the sonic emission devices 60 and 70, even if the cleanliness deteriorates due to intrusion of particles or dust due to human operation due to opening of the transfer areas R1 to R4 during maintenance, the original cleanliness is quickly restored. can make it

또한, 반출입구 K1, K2는, 후술하는 제어부(500)의 제어에 기초하여 개폐 가능하게 구성되어 있다.In addition, the carry-out ports K1 and K2 are configured to be opened and closed under the control of a control unit 500 described later.

도면의 예에서는, 열 처리 장치(40)에 2개의 반출입구 K2에 대해 하나의 음파 방사 장치(70)를 마련하고 있지만, 2개의 반출입구 K2 각각에 대해 하나의 음파 방사 장치(70)를 설치하도록 해도 된다.In the example of the drawing, one sonic radiating device 70 is provided for two loading/unloading ports K2 in the heat treatment device 40, but one sonic emitting device 70 is provided for each of the two loading/unloading ports K2. you can do it

또한, 음파 방사 장치(70)는, 반송 영역 R1∼R4의 저부측을 향해 음파를 방출하는 것이 아니라, 배기부(404, 405)가 마련된 열 처리 장치(40)의 외측을 향해 음파를 방출하도록 설치되어도 된다. 이에 의해, 열 처리 장치(40)의 반출입구 근방의 파티클을 외측으로 이동시켜, 배기부(404, 405)를 통해 외부로 배출할 수 있다.In addition, the sound wave radiating device 70 does not emit sound waves toward the bottom side of the transfer regions R1 to R4, but emits sound waves toward the outside of the heat treatment device 40 provided with the exhaust portions 404 and 405. may be installed. As a result, particles near the carry-in/outlet of the heat treatment device 40 can be moved to the outside and discharged to the outside through the exhaust units 404 and 405 .

도 6은, 음파 방사 장치(60)의 일례를 도시하는 평면도이다.6 is a plan view showing an example of the sound wave radiating device 60 .

음파 방사 장치(60)는, 초음파를 사용함으로써 지향성을 갖는 음파를 방출하는 파라메트릭 스피커이며, 초음파를 방출하는 복수의 트랜스듀서(61)를 평판상의 베이스(62)에 나열하여, 파라메트릭 어레이가 구성된 것이다. 예를 들어, 트랜스듀서(61)가 아래를 향하도록 베이스(62)를 반송 영역 R1∼R4의 천장 부근에 고정함으로써 음파 방사 장치(60)는 설치된다.The sound wave radiating device 60 is a parametric speaker that emits directional sound waves by using ultrasonic waves. it is composed For example, the acoustic wave radiating device 60 is installed by fixing the base 62 near the ceiling of the transport regions R1 to R4 so that the transducer 61 faces downward.

음파 방사 장치(60)가 방출하는 음파는, 가청 영역의 주파수인 것이어도 되고, 예를 들어 20㎑ 이상의 주파수를 갖는 초음파여도 된다.The sound wave emitted by the sound wave radiating device 60 may be of a frequency in the audible range, or may be, for example, an ultrasonic wave having a frequency of 20 kHz or higher.

음파 방사 장치(60)를 파라메트릭 스피커로 구성함으로써, 부유 파티클을 원하는 방향으로 이동시킬 수 있으므로, 당해 부유 파티클을 확실하게 외부로 배제하여 제거할 수 있다.Since the floating particles can be moved in a desired direction by configuring the sound wave radiating device 60 as a parametric speaker, the floating particles can be reliably excluded to the outside and removed.

또한, 도면의 예에서는, 세로 4개×가로 8개의 계 32개의 트랜스듀서(61)가 나열되어 있었지만, 트랜스듀서(61)의 수나 배치는 이 예에 한정되는 것은 아니다.In the example of the drawing, a total of 32 transducers 61, 4 vertically x 8 horizontally, are arranged, but the number and arrangement of the transducers 61 are not limited to this example.

또한, 음파 방사 장치(70)의 구성은, 음파 방사 장치(60)와 마찬가지이므로 그 설명을 생략한다.In addition, since the configuration of the sound wave emitting device 70 is the same as that of the sound wave emitting device 60, the description thereof is omitted.

이상의 각 장치로 이루어지는 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 제어부(500)가 마련되어 있다. 제어부(500)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계 동작을 제어하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 도포 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있었던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어부(500)에 인스톨된 것이어도 된다.In the substrate processing system 1 composed of the above devices, a controller 500 is provided as shown in FIG. 1 . The control unit 500 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). A program for controlling processing of the wafer W in the substrate processing system 1 is stored in the program storage unit. In addition, the program storage unit also stores a program for realizing the later-described coating process in the substrate processing system 1 by controlling the drive system operation of the above-described various processing devices, transport devices, and the like. In addition, the program, for example, a computer-readable storage medium (H) such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnet optical disk (MO), memory card , and may be installed in the control unit 500 from the storage medium.

다음으로, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 사용하여 행해지는 웨이퍼 처리에 대해 설명한다. 먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가, 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되고, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치로 반송된다.Next, wafer processing performed using the substrate processing system 1 configured as described above will be described. First, a cassette C containing a plurality of wafers W is loaded into the cassette station 10 of the substrate processing system 1, and each wafer W in the cassette C is carried in by the wafer transfer device 23. ) is conveyed to the delivery device of the third block G3 of the sequential processing station 11.

다음으로, 웨이퍼(W)가 처리 스테이션(11)의 반송 영역 R2의 반송 암 A2에 의해 열 처리 장치(40)를 향해 반송된다. 이 반송과 함께, 반송 영역 R2에 인접하는 제2 블록(G2)의 열 처리 장치(40)의 반출입구 K2가 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(70)로부터 반송 영역 R2의 저부를 향해 음파가 방사된다. 반출입구 K2의 개구 동작 개시 전으로부터 음파 방사가 개시되는 것이 바람직하다.Next, the wafer W is transferred toward the thermal processing apparatus 40 by the transfer arm A2 of the transfer area R2 of the processing station 11 . Along with this conveyance, the carry-in/outlet K2 of the heat treatment device 40 of the second block G2 adjacent to the conveyance region R2 is opened, and in accordance with this opening operation, the bottom of the conveyance region R2 from the acoustic wave emitter 70. sound waves are emitted towards It is preferable that the emission of sound waves starts before the start of the opening operation of the carry-in/out port K2.

음파 방사 장치(70)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 열 처리 장치(40) 내에 삽입되고, 당해 열 처리 장치(40)의 플레이트(402)에 웨이퍼(W)가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 열 처리 장치(40) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K2가 폐쇄되고, 음파 방사 장치(70)로부터의 음파 방사가 정지된다. 그리고 웨이퍼(W)는 열 처리 장치(40)에 의해 온도 조절 처리된다.In a state where sound waves are emitted from the sonic wave radiating device 70, the wafer support portion 305 of the transfer arm A2 is inserted into the thermal processing device 40, and the wafer W is placed on the plate 402 of the thermal processing device 40. ) is transmitted. After the transfer, the wafer support portion 305 of the transfer arm A2 is taken out from the inside of the thermal processing device 40, the carrying port K2 is closed, and emission of sound waves from the acoustic wave radiating device 70 is stopped. Then, the wafer W is subjected to a temperature control process by the heat treatment device 40 .

온도 조절 처리 후, 열 처리 장치(40)의 반출입구 K2가 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(70)로부터 음파가 방사된다. 음파 방사 장치(70)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 열 처리 장치(40) 내에 삽입되고, 당해 열 처리 장치(40)의 플레이트(402)로부터 웨이퍼 지지부(305)로 웨이퍼(W)가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 열 처리 장치(40) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K2가 폐쇄되고, 음파 방사 장치(70)로부터의 음파 방사가 정지된다. 또한, 이하의 열 처리 장치(40)에서의 가열 처리 시에도, 상술한 바와 마찬가지로 반출입구 K2의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치(70)로부터의 음파 방사가 개시/정지된다. 따라서, 이하에서는, 열 처리 장치(40)에 의한 가열 처리 시에 행해지는 음파 방사에 대해 설명을 생략한다.After the temperature control process, the transport port K2 of the heat treatment device 40 is opened, and sound waves are emitted from the sound wave radiating device 70 in accordance with the opening operation. In a state where sound waves are emitted from the sonic wave emitting device 70, the wafer support portion 305 of the transfer arm A2 is inserted into the heat processing device 40, and the wafer support portion 305 from the plate 402 of the heat processing device 40 305), the wafer W is transferred. After the transfer, the wafer support portion 305 of the transfer arm A2 is taken out from the inside of the thermal processing device 40, the carrying port K2 is closed, and emission of sound waves from the acoustic wave radiating device 70 is stopped. Also, during the heat treatment in the heat treatment device 40 described below, sound wave emission from the sound wave emitter 70 is started/stopped in synchronization with the opening and closing of the carry-out port K2 as described above. Therefore, in the following description, the sound wave radiation performed during the heat treatment by the heat treatment device 40 is omitted.

그 후, 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 하부 반사 방지막 형성 장치(31)를 향해 반송된다. 이 반송과 함께, 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 반출입구 K1이 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(60)로부터 반송 영역 R2의 저부를 향해 음파가 방사된다. 반출입구 K1의 개구 동작 개시 전으로부터 음파 방사가 개시되는 것이 바람직하다.Thereafter, the wafer W is transported toward the lower anti-reflection film forming apparatus 31 by the transport arm A2. Along with this conveyance, the carry-in/out port K1 of the lower antireflection film forming device 31 is opened, and sound waves are emitted from the sound wave emitter 60 toward the bottom of the conveyance region R2 in accordance with this opening operation. It is preferable that the emission of sound waves starts before the start of the opening operation of the carry-in/out port K1.

음파 방사 장치(60)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내에 삽입되고, 당해 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 웨이퍼 전달용의 핀(도시하지 않음)에 웨이퍼가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K1이 폐쇄되고, 음파 방사 장치(60)로부터의 음파 방사가 정지된다. 그리고 하부 반사 방지막 형성 장치(31)에 의해 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다.In a state where sound waves are emitted from the sonic wave emitting device 60, the wafer support portion 305 of the transfer arm A2 is inserted into the lower anti-reflection film forming device 31, and the lower anti-reflection film forming device 31 is used to transfer the wafer. A wafer is transferred to a pin (not shown). After delivery, the wafer support portion 305 of the conveyance arm A2 is pulled out from inside the lower antireflection film forming device 31, the carry-out port K1 is closed, and emission of sound waves from the sound wave radiating device 60 is stopped. A lower anti-reflection film is formed on the wafer W by the lower anti-reflection film forming apparatus 31 .

하부 반사 방지막 형성 후, 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 반출입구 K1이 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(60)로부터 음파가 방사된다. 음파 방사 장치(60)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내에 삽입되고, 당해 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 웨이퍼 전달용의 핀으로부터 웨이퍼 지지부(305)에 웨이퍼(W)가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K1이 폐쇄되고, 음파 방사 장치(60)로부터의 음파 방사가 정지된다. 또한, 이하의 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 이외의 액 처리 장치에서의 처리 시에도, 상술한 바와 마찬가지로 반출입구 K1의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치(60)로부터의 음파 방사가 개시/정지된다. 따라서, 이하에서는, 액 처리 장치에 의한 가열 처리 시에 행해지는 음파 방사에 대해 설명을 생략한다.After forming the lower anti-reflection film, the carry-out port K1 of the lower anti-reflection film formation device 31 is opened, and sound waves are emitted from the sound wave radiating device 60 in accordance with the opening operation. In a state where sound waves are emitted from the sonic wave emitting device 60, the wafer support portion 305 of the transfer arm A2 is inserted into the lower anti-reflection film forming device 31, and the lower anti-reflection film forming device 31 is used to transfer the wafer. A wafer W is transferred from the pins to the wafer support 305 . After delivery, the wafer support portion 305 of the conveyance arm A2 is pulled out from inside the lower antireflection film forming device 31, the carry-out port K1 is closed, and emission of sound waves from the sound wave radiating device 60 is stopped. In addition, even during processing in a liquid processing device other than the lower anti-reflection film forming device 31 described below, emission of sound waves from the sound wave radiating device 60 starts/stops in synchronization with the opening and closing of the carrying port K1 as described above. do. Therefore, in the following description, the sound wave radiation performed during the heat treatment by the liquid processing device is omitted.

그 후, 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 반송 영역 R2에 인접하는 열 처리 장치(40) 내로 반송되어, 가열 처리되고, 온도 조절된다.Thereafter, the wafer W is transported by the transport arm A2 into the thermal processing apparatus 40 adjacent to the transport region R2, subjected to heat treatment, and temperature-controlled.

다음으로 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 반송 영역 R2에 인접하는 어드히젼 장치(41)로 반송되어, 어드히젼 처리된다. 또한, 도시는 생략하지만, 어드히젼 장치(41)에도 웨이퍼(W)의 반출입구가 마련되어 있고, 반송 영역 R2에 있어서의 상기 반출입구에 인접하는 영역에 음파 방사 장치가 마련된다. 그리고 어드히젼 장치(41)에 의한 어드히젼 처리 시에도, 열 처리 장치(40)에 의한 가열 처리 시와 마찬가지로, 반출입구의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치로부터의 음파 방사가 개시/정지된다.Next, the wafer W is conveyed by the conveyance arm A2 to the adhesion device 41 adjacent to the conveyance area R2, and undergoes an adhesion process. In addition, although not shown, the adhesion device 41 is also provided with a loading/unloading port for the wafer W, and an acoustic wave emitting device is provided in a region adjacent to the loading/unloading port in the transfer area R2. Also, during the adhesion treatment by the adhesion device 41, as in the case of the heat treatment by the heat treatment device 40, emission of sound waves from the sound wave radiating device starts/stops in synchronization with opening and closing of the carrying port.

그 후 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 반송 영역 R2에 인접하는 제4 블록(G4)의 전달 장치로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 반송 영역 R3에 인접하는 제4 블록(G4)의 다른 전달 장치로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는 반송 영역 R3 내의 반송 암 A3에 의해 레지스트 도포 장치(32)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 반송 암 A3에 의해 반송 영역 R3에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되어, 프리베이크 처리된다. 또한, 프리베이크 처리에 있어서도 하부 반사 방지막 형성 후의 열 처리와 마찬가지의 처리가 행해지고, 또한 후술하는 반사 방지막 형성 후의 열 처리, 노광 후 베이크 처리, 포스트베이크 처리에 있어서도 마찬가지의 처리가 행해진다. 단, 각 열 처리에 제공되는 열 처리 장치(40)는 서로 다르다.Thereafter, the wafer W is transported by the transport arm A2 to the transport device of the fourth block G4 adjacent to the transport area R2. Next, the wafer W is transported by the wafer transport device 110 to another transfer device in the fourth block G4 adjacent to the transport area R3. Then, the wafer W is transported to the resist coating device 32 by the transport arm A3 in the transport area R3, and a resist film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transported by the transport arm A3 to the thermal processing apparatus 40 adjacent to the transport region R3 and subjected to a prebake process. Also, in the pre-bake treatment, the same treatment as the heat treatment after formation of the lower anti-reflection film is performed, and the same treatment is also performed in the heat treatment after formation of the anti-reflection film, the post-exposure bake treatment, and the post-bake treatment described later. However, the heat treatment devices 40 provided for each heat treatment are different.

다음으로 웨이퍼(W)는, 반송 암 A3에 의해 반송 영역 R3에 인접하는 제4 블록(G4)의 전달 장치로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 반송 영역 R4에 인접하는 제4 블록(G4)의 다른 전달 장치로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 반송 영역 R4 내의 반송 암 A4에 의해 상부 반사 방지막 형성 장치(33)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는 반송 암 A4에 의해 반송 영역 R4에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되어, 가열되고, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 반송 암 A4에 의해 반송 영역R4에 인접하는 주변 노광 장치(42)로 반송되고, 주변 노광 처리된다. 또한, 도시는 생략하지만, 주변 노광 장치(42)에도 웨이퍼(W)의 반출입구가 마련되어 있고, 반송 영역 R4에 있어서의 상기 반출입구에 인접하는 영역에 음파 방사 장치가 마련된다. 그리고 주변 노광 장치(42)에 의한 주변 노광 처리 시에도, 열 처리 장치(40)에 의한 가열 처리 시와 마찬가지로, 반출입구의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치로부터의 음파 방사가 개시/정지된다.Next, the wafer W is transferred to the transfer device of the fourth block G4 adjacent to the transfer area R3 by the transfer arm A3. Next, the wafer W is transported by the wafer transport device 110 to another transfer device in the fourth block G4 adjacent to the transport area R4. Then, the wafer W is transported to the upper anti-reflection film forming apparatus 33 by the transfer arm A4 in the transfer area R4, and an upper anti-reflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transported by the transport arm A4 to the thermal processing apparatus 40 adjacent to the transport area R4, heated, and temperature-controlled. Thereafter, the wafer W is transported by the transport arm A4 to the peripheral exposure apparatus 42 adjacent to the transport region R4 and subjected to peripheral exposure processing. In addition, although not shown, the peripheral exposure device 42 is also provided with a loading/unloading port for the wafer W, and an acoustic wave emitting device is provided in a region adjacent to the loading/unloading port in the transfer area R4. Also, during the peripheral exposure process by the peripheral exposure device 42, as in the case of heat processing by the heat treatment device 40, emission of sound waves from the sound wave emitter is started/stopped in synchronization with opening and closing of the carry-out port.

다음으로 웨이퍼(W)는 반송 암 A4에 의해 반송 영역 R4에 인접하는 제4 블록의 전달 장치로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 노광 장치(12)로 반송되어, 소정의 패턴으로 노광 처리된다.Next, the wafer W is transferred by the transfer arm A4 to the transfer device of the fourth block adjacent to the transfer area R4. Then, the wafer W is transported by the wafer transport device 110 to the exposure device 12 and subjected to exposure processing in a predetermined pattern.

다음으로 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 반송 영역 R1에 인접하는 제4 블록(G4)의 전달 장치로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 반송 영역 R1 내의 반송 암 A1에 의해, 반송 영역 R1에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 반송 암 A1에 의해, 현상 처리 장치(30)로 반송되어 현상 처리된다. 현상 처리 종료 후, 웨이퍼(W)는 반송 암 A1에 의해, 반송 영역 R1에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되고, 포스트베이크 처리된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 반송 암 A1에 의해 반송 영역 R1에 인접하는 제3 블록(G3)의 전달 장치로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트 적재판(21)의 카세트(C)로 반송되어, 일련의 포토리소그래피 공정이 완료된다.Next, the wafer W is transported by the wafer transport device 110 to the transport device of the fourth block G4 adjacent to the transport area R1. Next, the wafer W is transported by the transfer arm A1 in the transfer area R1 to the thermal processing apparatus 40 adjacent to the transfer area R1, and subjected to a post-exposure bake process. Thereafter, the wafer W is conveyed to the developing apparatus 30 by the conveyance arm A1 and subjected to development. After completion of the development process, the wafer W is transferred by the transfer arm A1 to the thermal processing apparatus 40 adjacent to the transfer area R1 and subjected to a post-bake process. Then, the wafer W is transported by the transport arm A1 to the delivery device of the third block G3 adjacent to the transport area R1. After that, the wafer W is transferred to the cassette C of the cassette mounting plate 21 by the wafer transfer device 23, and a series of photolithography processes are completed.

이상의 예에서는, 개폐에 동기하여 음파 방사 장치(70)로부터 음파를 방사하고 있었지만, 음파 방사의 타이밍은 이 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 처리 스테이션(11) 내에 웨이퍼(W)가 존재하고 있을 때에는 항시 방사하고 있어도 되고, 구체적으로는, 처리 스테이션(11)의 제3 블록에 웨이퍼(W)가 반입되었을 때에 음파의 방사를 개시시켜 제4 블록으로부터 웨이퍼(W)가 반출되었을 때에 음파의 방사를 정지시키도록 해도 된다.In the above example, sound waves are emitted from the sound wave emitting device 70 in synchronization with opening and closing, but the timing of sound wave emission is not limited to this example. For example, when the wafer W is present in the processing station 11, the emission may be constant. Specifically, when the wafer W is carried into the third block of the processing station 11, sound waves are emitted. may be started to stop emission of sound waves when the wafer W is carried out from the fourth block.

도 7은, 음파 방사 장치 다른 예를 나타내는 측면도이다.7 is a side view showing another example of a sound wave emitting device.

도면의 음파 방사 장치(60')는, 지향성을 갖는 음파를 방출하는 파라메트릭 스피커이며, 음파의 방출 방향을 조절 가능하게 하기 위해, 음파 방사 장치(60')가 요동 가능하게 지지되어 있다. 구체적으로는, 음파 방사 장치(60')는, 복수의 트랜스듀서(61)를 갖는 베이스(62')가, 축 지지부(63)에 의해 요동 가능하게 지지되어 있다. 또한, 축 지지부(63) 자체는, 예를 들어 처리 스테이션(11)의 하우징(51)에 지지된다.The sound wave radiating device 60' in the figure is a parametric speaker that emits sound waves having directivity, and the sound wave radiating device 60' is oscillatingly supported so as to be able to adjust the emission direction of sound waves. Specifically, in the sound wave radiating device 60', a base 62' having a plurality of transducers 61 is supported by a shaft support portion 63 so as to be able to swing. Further, the shaft support 63 itself is supported on the housing 51 of the processing station 11, for example.

이와 같이 음파 방사 장치(60')를 요동 가능하게 지지함으로써, 음파 방사 장치(60')로서 작은 것을 사용할 수 있고, 기판 처리 시스템(1)의 제조 비용의 대폭의 상승을 방지할 수 있다.By supporting the sound wave emitting device 60' so as to be rockable in this way, a small one can be used as the sound wave emitting device 60', and a significant increase in the manufacturing cost of the substrate processing system 1 can be prevented.

음파 방사 장치(60')는, 예를 들어 주기적으로 요동하도록 제어부(500)에 의해 제어된다.The sound wave radiating device 60' is controlled by the control unit 500 to oscillate, for example, periodically.

(제1 실시 형태의 다른 예)(Another example of the first embodiment)

도 8은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 다른 예의 개략을 도시하는 설명도이며, 카세트 스테이션만을 도시하는 정면도이다.8 is an explanatory diagram schematically showing another example of the substrate processing system according to the first embodiment of the present invention, and is a front view showing only the cassette station.

도 5 등의 예에서는, 처리 스테이션(11)의 반송 영역 R1∼R4에 음파 방사 장치(60, 70)를 마련하고 있었다. 그것에 비해, 도 8의 예에서는, 카세트 스테이션(10')의 웨이퍼 반송 영역 L에 음파 방사 장치(80)를 마련하고 있다. 구체적으로는, 카세트 스테이션(10)이 하우징(56)을 갖고, 당해 하우징(56)이, 카세트 적재대(20)에 적재된 카세트(C)에 대한 반출입구 K3을 가지므로, 웨이퍼 반송 영역 L 내의 상기 반출입구 K3과 인접하는 영역에 음파 방사 장치(80)를 마련하고 있다.In the examples of FIG. 5 and the like, the sonic radiation devices 60 and 70 are provided in the transfer regions R1 to R4 of the processing station 11 . In contrast, in the example of Fig. 8, the acoustic wave emitting device 80 is provided in the wafer transfer area L of the cassette station 10'. Specifically, since the cassette station 10 has a housing 56 and the housing 56 has a carry-in/outlet K3 for the cassette C loaded on the cassette mounting table 20, the wafer transfer area L A sound wave radiating device 80 is provided in an area adjacent to the carry-in/outlet K3 in the inside.

이와 같이 음파 방사 장치(80)를 카세트 스테이션(10)의 웨이퍼 반송 영역 L에 마련함으로써, 카세트(C)로부터의 웨이퍼(W)의 반출 또는 카세트(C)로의 웨이퍼(W)의 반입 시에, 카세트(C)로부터 웨이퍼 반송 영역 L에 파티클이 침입하거나, 웨이퍼 반송 영역 L로부터 카세트(C)로 파티클이 침입하거나 하는 것을 방지할 수 있다.By providing the acoustic wave emitting device 80 in the wafer transfer area L of the cassette station 10 in this way, when the wafer W is taken out of the cassette C or the wafer W is brought into the cassette C, It is possible to prevent particles from entering the wafer transfer area L from the cassette C or entering the cassette C from the wafer transfer area L.

또한, 음파 방사 장치(80)의 구성에는 예를 들어 도 6의 음파 방사 장치(60)와 마찬가지의 구성을 채용할 수 있다. 또한, 음파 방사 장치(80)를 도 8과 같이 반출입구 K3의 근방에 마련해도 되고, 반출입구 K3의 상방이며 천장면의 근방에 마련해도 된다.In addition, for the configuration of the sound wave radiating device 80, a configuration similar to that of the acoustic wave emitting device 60 of FIG. 6 can be employed, for example. In addition, the sound wave radiating device 80 may be provided near the carry-out entrance K3 as shown in FIG. 8 , or may be provided above the carry-out entrance K3 and in the vicinity of the ceiling surface.

도시는 생략하지만, 카세트 스테이션(10)에 대해서도 FFU 유닛은 마련되어 있고, 웨이퍼 반송 영역 L 내의 분위기를 배기하는 배기 기구가 카세트 스테이션(10)의 저부에 마련되어 있다. 음파 방사 장치(80)는, 예를 들어 반출입구 K3의 상방으로부터, 배기 기구가 마련된 웨이퍼 반송 영역 L의 저부를 향해, 음파를 방출하도록 설치된다.Although not shown, an FFU unit is provided for the cassette station 10 as well, and an exhaust mechanism for exhausting the atmosphere in the wafer transfer area L is provided at the bottom of the cassette station 10 . The sound wave emitting device 80 is installed so as to emit sound waves, for example, from above the carry-in/out port K3 toward the bottom of the wafer transfer area L provided with an exhaust mechanism.

(제1 실시 형태의 다른 예)(Another example of the first embodiment)

이상의 예에서는, 음파 방사 장치는, 반송 영역에 있어서의 웨이퍼의 반출입구에 인접하는 영역에만 마련되어 있지만, 음파 방사 장치가 마련되는 영역은 상술한 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 반송 영역의 천장면으로부터의 하강 기류를 방해하지 않는 범위에서, 당해 천장면의 전체를 덮도록 음파 방사 장치를 마련해도 된다. 또한, 처리 스테이션(11)의 반송 영역 R1∼R4의 폭 방향 중앙에, 길이 방향을 따라 복수의 음파 방사 장치를 마련해도 된다. 또한, 반송 영역의 폭 방향을 따라 복수의 음파 방사 장치를 마련하도록 해도 된다.In the above example, the acoustic wave emitting device is provided only in the area adjacent to the wafer loading/unloading port in the transfer area, but the area where the acoustic wave emitting device is provided is not limited to the above example. For example, the sound wave radiating device may be provided so as to cover the entire ceiling surface within a range that does not obstruct the downdraft from the ceiling surface of the transfer area. Further, a plurality of sound wave emitting devices may be provided along the longitudinal direction at the center of the width direction of the transport regions R1 to R4 of the processing station 11 . Further, a plurality of sound wave emitting devices may be provided along the width direction of the transport area.

또한, 반송 영역에 있어서의 제3 블록(G3)이나 제4 블록(G4)의 전달 장치와 인접하는 영역에 음파 방사 장치를 마련해도 된다.Further, a sound wave emitting device may be provided in an area adjacent to the delivery device of the third block G3 or the fourth block G4 in the transport area.

(제1 실시 형태의 또 다른 예)(Another example of the first embodiment)

도 9는, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 또 다른 예의 설명도이며, 도 9의 (A)는 본 예의 기판 반송 장치의 주변의 상태를 도시하고, 도 9의 (B)는 도 9의 (A)의 기판 반송 장치에 설치되는 음파 방사 장치의 일부를 도시하는 도면이다.9 is an explanatory diagram of another example of the substrate processing system according to the first embodiment of the present invention, FIG. 9(A) shows a state around the substrate conveying device of this example, and FIG. is a diagram showing a part of the sound wave radiating device installed in the substrate conveying device of FIG. 9(A).

도 5 등의 예에서는, 음파 방사 장치는 처리 스테이션(11)의 하우징(51)에 설치되어 있다. 그것에 비해, 본 예에서는, 도 9의 (A)에 도시하는 바와 같이, 음파 방사 장치(600)가 기판 반송 암(A)의 외측에 설치되어 있다.In the example of FIG. 5 and the like, the sonic emitting device is installed in the housing 51 of the processing station 11 . In contrast, in this example, as shown in FIG. 9(A) , the acoustic wave emitting device 600 is installed outside the substrate transfer arm A.

기판 반송 암(A)에 설치되어 있는 음파 방사 장치(600)는, 제1 음파 방사 유닛(610)과 제2 음파 방사 유닛(620)을 갖는다.The acoustic wave emitting device 600 installed on the substrate transport arm A has a first acoustic wave emitting unit 610 and a second acoustic wave emitting unit 620 .

제1 음파 방사 유닛(610) 및 제2 음파 방사 유닛(620)은 각각, 초음파를 사용함으로써 지향성을 갖는 음파를 방출하는 파라메트릭 스피커이며, 초음파를 방출하는 복수의 트랜스듀서(611, 621)와, 당해 트랜스듀서(611, 621)를 기판 반송 암(A)에 대해 고정하기 위한 베이스 부재(612, 622)를 갖는다.The first sound wave emitting unit 610 and the second sound wave emitting unit 620 are parametric speakers that emit directional sound waves by using ultrasonic waves, respectively, and include a plurality of transducers 611 and 621 that emit ultrasonic waves and , and base members 612 and 622 for fixing the transducers 611 and 621 relative to the substrate transfer arm A.

베이스 부재(612)는, 도 9의 (B)에 도시하는 바와 같이, 복수의 트랜스듀서(611)를 지지하는 지지면(612a)과, 반송 암(A)의 승강체(303)에 대한 고정면(612b)을 포함한다.As shown in FIG. 9(B) , the base member 612 is fixed to the support surface 612a for supporting the plurality of transducers 611 and the moving body 303 of the transfer arm A. It includes face 612b.

또한, 제2 음파 방사 유닛(620)의 구성은, 제1 음파 방사 유닛(610)과 마찬가지이므로 그 설명을 생략한다.In addition, since the configuration of the second sound wave radiating unit 620 is the same as that of the first sound wave emitting unit 610, a description thereof is omitted.

제1 음파 방사 유닛(610)으로부터의 음파와 제2 음파 방사 유닛(620)으로부터의 음파는 모두, 반송 암(A)에 적재되어 있는 웨이퍼의 표면 전체에 방사된다. 단, 제1 음파 방사 유닛(610)의 트랜스듀서(611)를 지지하는 지지면(612a)과, 제2 음파 방사 유닛(620)의 트랜스듀서(621)를 지지하는 지지면은 서로 비평행이다. 따라서, 제1 음파 방사 유닛(610)으로부터의 음파의 벡터 V1과 제2 음파 방사 유닛(620)으로부터의 음파의 벡터 V2는 비평행이며, 양 벡터 V1, V2의 합은 반송 암(A)의 근원으로부터 선단 방향(도면의 X 방향 부방향)을 향하는 벡터가 된다. 따라서, 웨이퍼 반송 중에 음파 방사 장치(600)로부터 음파를 방사함으로써, 웨이퍼 표면 근방의 파티클을 웨이퍼로부터 이격시켜 외부로 배출할 수 있으므로, 웨이퍼에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.Both the sound waves from the first sound wave radiation unit 610 and the sound waves from the second sound wave radiation unit 620 are radiated over the entire surface of the wafer loaded on the transfer arm A. However, the supporting surface 612a supporting the transducer 611 of the first sound wave emitting unit 610 and the supporting surface supporting the transducer 621 of the second sound wave emitting unit 620 are non-parallel to each other. . Therefore, the vector V1 of the sound wave from the first sound wave radiating unit 610 and the vector V2 of the sound wave from the second sound wave radiating unit 620 are non-parallel, and the sum of both vectors V1 and V2 is It becomes a vector directed from the root to the front end direction (X-direction negative direction in the drawing). Therefore, by emitting sound waves from the acoustic wave emitting device 600 during wafer transport, particles near the wafer surface can be separated from the wafer and discharged to the outside, so that particles can be prevented from adhering to the wafer.

또한, 도 9의 (B)에 도시하는 바와 같이, 복수의 트랜스듀서(611)로 이루어지는 트랜스듀서군의 중심에 웨이퍼(W)가 위치하도록 제1 음파 방사 유닛(610)은 반송 암(A)에 고정된다. 더 구체적으로는, 상기 트랜스듀서군의 길이 방향이 웨이퍼(W)의 표면과 평행이 되고, 상기 트랜스듀서군의 짧은 방향의 중심이 웨이퍼(W)의 표면에 위치하도록, 제1 음파 방사 유닛(610)은 반송 암(A)에 고정된다. 제2 음파 방사 유닛(620)에 대해서도 마찬가지이다.Further, as shown in FIG. 9(B) , the first acoustic wave radiating unit 610 moves the transfer arm A so that the wafer W is positioned at the center of the transducer group composed of a plurality of transducers 611. fixed on More specifically, the first sound wave emitting unit ( 610) is fixed to the transfer arm (A). The same applies to the second sound wave radiation unit 620 .

이상의 예에서는, 음파 방사 장치(600)가 반송 암(A)의 외측에 설치되어 있었다. 그러나 음파 방사 장치는, 반송 암(A)의 상방에 설치되어 있어도 된다. 더 구체적으로는, 반송 암(A)의 웨이퍼 지지부(305)의 상방에 음파 방사 장치는 설치되어 있어도 된다.In the above example, the acoustic wave emitting device 600 is installed outside the transfer arm A. However, the sound wave radiating device may be installed above the transfer arm A. More specifically, the acoustic wave radiating device may be installed above the wafer support portion 305 of the transfer arm A.

(제2 실시 형태)(Second Embodiment)

도 10은, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략을 설명하기 위한 도면이며, 도 10의 (A) 및 도 10의 (B)는 각각, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구획판의 상면도 및 측면도이다.10 is a diagram for explaining the outline of a substrate processing system according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 10(A) and FIG. 10(B) respectively show a substrate processing system according to the present embodiment. It is a top view and a side view of the partition plate.

제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템은, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템과 같이, 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L에 음파 방사 장치를 구비하는 것 외에도, 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L이 흡착 영역을 갖는다.Like the substrate processing system according to the first embodiment, the substrate processing system according to the second embodiment includes acoustic wave emitting devices in the transport regions R1 to R4 and/or the wafer transport region L, and the transport regions R1 to R4. and/or the wafer transfer area L has an adsorption area.

구체적으로는, 예를 들어 도 10의 (A) 및 도 10의 (B)에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R2∼R4의 저면을 형성하는 구획판(55) 상에, 냉각된 냉각판(700)이 설치되어 있고, 냉각판(700)에 의한 열영동에 의해, 온도가 높은 영역의 부유 파티클이 냉각판(700)에 흡착된다. 바꾸어 말하면, 구획판(55) 상의 냉각판(700)에 의해 흡착 영역이 형성된다.Specifically, as shown in FIGS. 10(A) and 10(B) , for example, a cooling plate 700 cooled on a partition plate 55 forming the bottom surfaces of the transfer regions R2 to R4. ) is installed, and by thermophoresis by the cooling plate 700, suspended particles in a high-temperature region are adsorbed to the cooling plate 700. In other words, the adsorption area is formed by the cooling plate 700 on the partition plate 55 .

냉각판(700)은, 예를 들어 내부에 냉각수를 순환시킴으로써 냉각된다. 단, 냉각판(700)의 냉각 방법은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 냉풍에 의해 냉각하도록 해도 된다.The cooling plate 700 is cooled by circulating cooling water therein, for example. However, the cooling method of the cooling plate 700 is not limited to this, and may be cooled by, for example, cold air.

또한, 반송 영역 R1의 저면을 형성하는 저벽의 위에도 냉각판(700)을 설치하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to install the cooling plate 700 also on the bottom wall forming the bottom of the transfer area R1.

반송 영역 R1∼R4의 저면에 흡착 영역을 형성하면, 부유 파티클을 포집할 수 있을 뿐만 아니라, 당해 저면에 퇴적된 파티클이 말려 올라가는 것을 방지할 수 있다. 또한, 음파 방사 장치 외에도 상술한 바와 같이 흡착 영역을 마련함으로써, 메인터넌스 시에 청정도가 악화되어도, 원래의 청정도로 더욱 신속하게 복귀시킬 수 있다.If the adsorption area is formed on the bottom surfaces of the transport areas R1 to R4, not only can floating particles be collected, but also particles accumulated on the bottom surfaces can be prevented from being rolled up. In addition, by providing the adsorption area as described above in addition to the sonic radiation device, even if the cleanliness deteriorates during maintenance, the original cleanliness can be restored more quickly.

또한, 냉각판(700)을 구획판(55)이나 저벽의 위에 마련하는 대신에, 구획판(55)의 내부나 저벽의 내부에 냉각수를 순환시키거나 하여, 구획판(55)이나 저벽에 냉각 영역, 즉 부유 파티클의 흡착 영역을 형성하도록 해도 된다.In addition, instead of providing the cooling plate 700 on the partition plate 55 or the bottom wall, cooling water is circulated inside the partition plate 55 or inside the bottom wall to cool the partition plate 55 or the bottom wall. A region, that is, an adsorption region for floating particles may be formed.

도 11은, 냉각판의 다른 예를 도시하는 도면이다.11 is a diagram showing another example of a cooling plate.

도 10의 냉각판(700)은, 구획판(55)의 대략 전체면을 덮도록 당해 구획판(55) 상에 마련되어 있었다. 그것에 비해, 도 11의 냉각판(800)은, 구획판(55)의 일부를 덮도록, 구체적으로는 구획판(55)의 반송 영역 R2∼R4의 폭 방향 중앙은 덮지 않고 양측만을 덮도록, 구획판(55) 상에 마련되어 있다.The cooling plate 700 of FIG. 10 was provided on the partition plate 55 so as to cover substantially the entire surface of the partition plate 55 . On the other hand, the cooling plate 800 in FIG. 11 covers a part of the partition plate 55, specifically, covers only both sides without covering the center of the conveying regions R2 to R4 of the partition plate 55 in the width direction. It is provided on the partition plate 55.

이 냉각판(800)에 의해서도, 부유 파티클을 흡착할 수 있다.Even with this cooling plate 800, floating particles can be adsorbed.

(제2 실시 형태의 다른 예)(Another example of the second embodiment)

이상의 예에서는, 냉각판은, 구획판(55) 등의 반송 영역의 저벽을 형성하는 부분에 설치되어 있었다. 그러나 냉각판은, 반송 영역을 형성하는 측벽을 형성하는 부분에 설치하도록 해도 된다.In the above example, the cooling plate is installed in a part forming the bottom wall of the conveyance area, such as the partition plate 55. However, the cooling plate may be provided in a portion forming a side wall forming the transport area.

또한, 반송 암(A)에 냉각판을 설치하도록 해도 된다. 반송 암(A)에 냉각판을 설치하는 경우, 예를 들어 승강체(303)에 냉각판은 설치된다. 또한, 반송 암(A)에 대해 배기 기구가 마련되어 있고, 배기는 X축/θ축으로부터 Z축을 경유하여 Y축으로부터 배기되고 있다. 상술한 바와 같이, 승강체(303) 등, 반송 암(A)의 하부에 냉각판을 설치함으로써, 반송 암(A)의 배기계로로부터 파티클이 누설되어 있는 경우라도, 더 구체적으로는, θ-z축관에서 파티클 누설이 발생하는 경우라도, 냉각판으로 파티클을 흡착할 수 있다.Alternatively, a cooling plate may be installed on the transfer arm A. When the cooling plate is installed on the transfer arm A, the cooling plate is installed on the elevating body 303, for example. Further, an exhaust mechanism is provided for the conveyance arm A, and the exhaust is exhausted from the X-axis/θ-axis via the Z-axis and from the Y-axis. As described above, even when particles leak from the exhaust system of the transfer arm A by installing the cooling plate on the lower part of the transfer arm A, such as the elevating member 303, more specifically, the θ- Even when particle leakage occurs in the z-axis tube, particles can be adsorbed by the cooling plate.

(제2 실시 형태의 다른 예)(Another example of the second embodiment)

이상의 예에서는, 냉각판을 사용한 열영동에 의해 파티클의 흡착 영역을 형성하고 있었다. 그러나 흡착 방법은 상술한 예에 한정되지 않고, 정전 흡착에 의해 부유 파티클을 흡착하도록 해도 된다. 이러한 경우, 냉각판 대신에, 대전된 대전판이 반송 영역 내에 마련된다.In the above example, the particle adsorption area was formed by thermophoresis using a cooling plate. However, the adsorption method is not limited to the above example, and floating particles may be adsorbed by electrostatic adsorption. In this case, instead of the cooling plate, a charged charging plate is provided in the conveying area.

본 실시 형태와 같이 흡착 영역을 마련하는 경우, 흡착 영역은 소정의 타이밍에 청소되고, 포집된 파티클은 제거된다.When the adsorption area is provided as in the present embodiment, the adsorption area is cleaned at a predetermined timing and the collected particles are removed.

흡착 영역의 청소는, 예를 들어 정기 메인터넌스 시에 행해진다. 또한, 흡착 영역의 오염 상태를 감시하고, 청소가 필요해진 경우에 유저에게 통보하여, 통보 결과에 따라서 흡착 영역의 청소가 행해지도록 해도 된다.The adsorption area is cleaned, for example, during regular maintenance. Further, the contamination state of the adsorption area may be monitored, and when cleaning is required, the user may be notified, and the adsorption area may be cleaned according to the notification result.

흡착 영역으로부터의 파티클의 제거는, 예를 들어 흡인 노즐에 의해 수동으로 흡입함으로써 행해도 되고, 흡착 영역의 주위에 배기 기구를 마련하여, 당해 배기 기구에 의해 자동적으로 배출함으로써 행해도 된다.The removal of particles from the adsorption area may be performed by manually sucking in, for example, with a suction nozzle, or by providing an exhaust mechanism around the adsorption area and automatically discharging the particles by the exhaust mechanism.

(제3 실시 형태)(Third Embodiment)

본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템을, 도 12 및 도 13을 사용하여 설명한다. 도 12 및 도 13은, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 제3 블록에 마련된 선반 유닛의 개략을 설명하기 위한 도면이며, 도 12는 선반 유닛의 측면도, 도 13은 선반 유닛에 마련된 후술하는 수납 블록의 내부의 상면도이다.A substrate processing system according to a third embodiment of the present invention will be described using FIGS. 12 and 13 . 12 and 13 are diagrams for explaining the outline of the shelf unit provided in the third block of the substrate processing system according to the present embodiment, FIG. 12 is a side view of the shelf unit, and FIG. 13 is a storage provided in the shelf unit to be described later. This is a top view of the inside of the block.

제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템은, 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L에 인접하는 장치가, 당해 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L을 향해 음파를 방사하는 별도의 음파 방사 장치를 갖는다.In the substrate processing system according to the third embodiment, a device adjacent to the transfer areas R1 to R4 and/or the wafer transfer area L emits sound waves toward the transfer areas R1 to R4 and/or the wafer transfer area L. Has a sonic emitter.

구체적으로는, 예를 들어 도 12에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R1∼R4에 인접하는 제3 블록(G3)에 마련된 수용 장치로서의 선반 유닛(900)이, 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파를 방사하는 별도의 음파 방사 장치(910)를 갖는다.Specifically, as shown in FIG. 12 , for example, the shelf unit 900 as a housing device provided in the third block G3 adjacent to the transport regions R1 to R4 transmits sound waves toward the transport regions R1 to R4. It has a separate sound wave radiating device 910 that emits.

선반 유닛(900)은, 반송 영역 R1∼R4에 대응하기 위해 복수로 구획된 수납 블록 B1∼B4를 갖는다. 도시는 생략하지만, 선반 유닛(900)의 수납 블록 B1∼B4에는 각각, 웨이퍼(W)를 수용하는 수용부로서, 적재 선반이나 냉각 플레이트가 마련되어 있다. 냉각 플레이트는 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 것이다.The shelf unit 900 has a plurality of partitioned storage blocks B1 to B4 to correspond to the transfer areas R1 to R4. Although not illustrated, storage blocks B1 to B4 of the shelf unit 900 are each provided with a loading shelf or a cooling plate as a storage unit for accommodating the wafers W. The cooling plate is for adjusting the wafer W to a predetermined temperature.

또한, 선반 유닛(900)은, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 셔틀 반송 장치와 반송 암 A1∼A4 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 스테이지를 갖는 전달부 TR1, TR2를 갖는다.In addition, the shelf unit 900 is configured to transfer the wafers W between the transfer arms A1 to A4 and a shuttle transfer device (not shown) that linearly transfers the wafers W between the third block G3 and the fourth block G4. ) and transmission parts TR1 and TR2 having a transmission stage for delivery.

음파 방사 장치(910)는, 예를 들어 도 6의 음파 방사 장치(60)와 마찬가지의 구성을 채용할 수 있다.The sound wave radiating device 910 may have a configuration similar to that of the sound wave emitting device 60 of FIG. 6 , for example.

또한, 음파 방사 장치(910)는, 수납 블록 B1∼B4마다 하나 마련되어 있다. 또한, 본 예에서는, 수납 블록 B1에 있어서, 음파 방사 장치(910)는, 도 13에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R1을 향해 음파가 방사되도록, 수납 블록 B1에 웨이퍼(W)를 수용하였을 때에 당해 웨이퍼(W)를 사이에 두고 반송 영역 R1과 대향하는 위치에 마련되어 있다. 수납 블록 B2∼B4에 있어서의 음파 방사 장치(910)의 배치 위치도 마찬가지이다.In addition, one acoustic wave radiating device 910 is provided for each of the storage blocks B1 to B4. Further, in this example, in the storage block B1, the sound wave emitting device 910, as shown in FIG. 13 , when the wafer W is accommodated in the storage block B1 so that sound waves are emitted toward the transfer region R1 It is provided at a position facing the transfer area R1 with the wafer W interposed therebetween. The arrangement position of the sound wave emitting device 910 in the storage blocks B2 to B4 is also the same.

본 실시 형태와 같이 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파를 방사하는 별도의 음파 방사 장치(910)를 선반 유닛(900)에 마련함으로써, 반송 영역 R1∼R4에 존재하는 부유 파티클이 선반 유닛(900) 내에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 그 때문에, 반송 영역 R1∼R4 내의 부유 파티클이, 선반 유닛(900)에 수용된 웨이퍼(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.As in the present embodiment, by providing the shelf unit 900 with a separate sound wave emitting device 910 that emits sound waves toward the transport regions R1 to R4, floating particles present in the transport regions R1 to R4 are removed from the shelf unit 900. intrusion can be prevented. Therefore, floating particles in the transfer regions R1 to R4 can be prevented from adhering to the wafers W accommodated in the shelf unit 900 .

음파 방사 장치(910)는, 예를 들어 대응하는 반송 암 A1∼A4의 동작에 맞추어 음파를 방사한다. 구체적으로는, 음파 방사 장치(910)는, 대응하는 반송 암 A1의 웨이퍼 지지부(305)가 수납 블록 B1에 대해 움직이기 시작할 때부터, 즉, 웨이퍼 지지부(305)가 홈 위치로부터 움직이기 시작할 때부터, 웨이퍼 지지부(305)가 홈 위치로 복귀될 때까지의 동안, 음파를 방사한다. 이 대신에, 음파 방사 장치(910)는, 대응하는 반송 암 A1이 선반 유닛(900)에 액세스할 때에 반송 암 A1이 선반 유닛(900)을 향하는 방향(도 1의 Y 방향 부방향)의 이동을 정지하고 나서, 웨이퍼 지지부(305)가 홈 위치로 복귀될 때까지의 동안, 음파를 방사해도 된다. 또한, 음파 방사 장치(910)는, 상시 음파를 발생시켜도 된다.The sound wave emitting device 910 emits sound waves in accordance with the operations of the corresponding transfer arms A1 to A4, for example. Specifically, the acoustic wave emitting device 910 starts moving from the time the wafer supporter 305 of the corresponding transfer arm A1 starts to move relative to the storage block B1, that is, when the wafer supporter 305 starts moving from the home position. From this point until the wafer support 305 returns to the home position, sound waves are emitted. Instead of this, the acoustic wave radiating device 910 moves in the direction of the carrying arm A1 toward the shelf unit 900 when the corresponding carrying arm A1 approaches the shelf unit 900 (in the negative Y direction in FIG. 1 ). Sound waves may be emitted from the time of stopping the operation until the wafer support 305 returns to the home position. In addition, the sound wave radiating device 910 may always generate sound waves.

음파 방사 장치(910)의 음파 방사 타이밍은, 수납 블록 B1∼B4에서 공통이어도 되고, 수납 블록 B1∼B4마다 상이해도 된다.The sound wave emission timing of the sound wave radiating device 910 may be common in the storage blocks B1 to B4 or different for each storage block B1 to B4.

또한, 상술한 예에서는, 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파가 방사되도록 음파 방사 장치(910)가 마련되어 있었다. 그러나 이것에 추가하여, 또는 이것 대신에, 웨이퍼 반송 영역 L이나 웨이퍼 반송 장치(100)가 존재하는 반송 영역을 향해 음파를 방사시키도록 음파 방사 장치(910)를 마련해도 된다. 단, 음파 방사 장치(910)를 하나만 마련하는 경우는, 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파가 방사되도록 마련하는 것이 바람직하다. 반송 암 중, 가장 빈번하게 동작하는 것이 반송 암 A1∼A4이며, 당해 반송 암 A1∼A4가 마련된 반송 영역 R1∼R4에 부유 파티클이 존재할 가능성이 높기 때문이다.In the example described above, the sound wave radiating device 910 is provided so that sound waves are emitted toward the transport regions R1 to R4. However, in addition to or instead of this, the acoustic wave emitting device 910 may be provided so as to emit sound waves toward the wafer transport area L or the transport area where the wafer transport device 100 exists. However, when providing only one sound wave radiating device 910, it is preferable to provide so that sound waves are emitted toward the conveyance regions R1 to R4. This is because among the transport arms, the transport arms A1 to A4 operate most frequently, and there is a high possibility that floating particles exist in the transport regions R1 to R4 in which the transport arms A1 to A4 are provided.

또한, 상술한 예에서는, 선반 유닛(900)의 수납 블록 B1∼B4에만 음파 방사 장치(910)가 마련되어 있었지만, 전달부 TR1, TR2에 마찬가지로 음파 방사 장치(910)를 마련해도 된다.In the example described above, the acoustic wave radiating devices 910 are provided only in the storage blocks B1 to B4 of the shelf unit 900, but the acoustic wave emitting devices 910 may be similarly provided in the transmission units TR1 and TR2.

또한, 상술한 예에서는, 음파 방사 장치(910)는, 반송 영역 R1∼R4에 인접하는 제3 블록(G3) 내의 선반 유닛(900)에 마련되어 있었다. 그러나 이것에 추가하여, 또는 이것 대신에, 음파 방사 장치(910)는 반송 영역 R1∼R4에 인접하는 제4 블록(G4) 내의 선반 유닛에 마련되어 있어도 된다.In the example described above, the sound wave radiating device 910 was provided in the shelf unit 900 in the third block G3 adjacent to the transport regions R1 to R4. However, in addition to or instead of this, the acoustic wave emitting device 910 may be provided in the shelf unit in the fourth block G4 adjacent to the conveyance regions R1 to R4.

또한, 제3 실시 형태에 있어서도, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템과 같이, 반송 영역에 음파 방사 장치를 구비하는 것이 바람직하다.Also in the third embodiment, as in the substrate processing system according to the first embodiment, it is preferable to provide a sound wave emitting device in the transport area.

본 발명은, 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 유용하다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful for a substrate processing system provided with a substrate transport area for transporting a substrate.

1 : 기판 처리 시스템
K1, K2, K3 : 반출입구
A1, A2, A3, A4 : 반송 암
R1, R2, R3, R4 : 반송 영역
20 : 카세트 적재대
23 : 웨이퍼 반송 장치
60, 70, 80, 600, 910 : 음파 방사 장치
700, 800 : 냉각판
900 : 선반 유닛1: Substrate handling system
K1, K2, K3: Carry-out entrance
A1, A2, A3, A4: transfer arm
R1, R2, R3, R4: Return area
20: cassette loading table
23: wafer transfer device
60, 70, 80, 600, 910: sonic radiation device
700, 800: cooling plate
900: shelf unit

Claims (11)

기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서,
음파를 방사하여 상기 기판 반송 영역 내의 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지하는 음파 방사 장치를 구비하고,
상기 기판 반송 영역은, 그 저부에 배기 기구가 마련되어 있고,
상기 음파 방사 장치가 방사하는 음파는, 지향성을 갖고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 저부를 향하는 방향으로 음파를 방출하거나, 또는 기판의 표면을 따르는 방향으로 음파를 방출하는,
기판 처리 시스템.A substrate processing system comprising a processing device for processing a substrate and having a substrate transport area for transporting a substrate to the processing device, comprising:
A sound wave emitting device for emitting sound waves to prevent floating particles in the substrate transport area from being attached to the substrate;
The substrate transport area has an exhaust mechanism provided at the bottom thereof,
The sound waves emitted by the sound wave emitting device have directivity,
The sound wave emitting device emits sound waves in a direction toward the bottom or in a direction along the surface of the substrate,
Substrate handling system. 제1항에 있어서,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역에 있어서의 상기 처리 장치의 기판 반출입구에 인접하는 영역에 마련되어 저부를 향하는 방향으로 음파를 방출하는, 기판 처리 시스템.According to claim 1,
The substrate processing system according to claim 1 , wherein the sound wave emitting device is provided in an area adjacent to a substrate carrying/outlet of the processing device in the substrate transport area and emits sound waves in a direction toward a bottom. 제1항에 있어서,
기판을 수용하는 카세트를 적재하는 카세트 적재부를 구비하고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역에 있어서의, 상기 카세트 적재부에 대한 기판 반출입구에 인접하는 영역에 마련되어 저부를 향하는 방향으로 음파를 방출하는, 기판 처리 시스템.According to claim 1,
A cassette loading unit for loading a cassette accommodating a substrate,
The substrate processing system of claim 1 , wherein the sound wave emitting device is provided in an area adjacent to a substrate loading/unloading port for the cassette loading unit in the substrate transfer area and emits sound waves in a direction toward a bottom. 제1항에 있어서,
상기 기판 반송 영역 내를 이동하여 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 구비하고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 장치에 설치되어 기판의 표면을 따르는 방향으로 음파를 방출하는, 기판 처리 시스템.According to claim 1,
a substrate conveying device for conveying a substrate by moving within the substrate conveying area;
The substrate processing system according to claim 1 , wherein the sound wave emitting device is installed on the substrate transport device and emits sound waves in a direction along the surface of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 음파 방사 장치는, 요동 가능하게 지지되어 있는, 기판 처리 시스템.According to claim 1,
The substrate processing system according to claim 1 , wherein the acoustic wave emitting device is supported so as to be able to swing. 제1항에 있어서,
상기 기판 반송 영역은, 진애를 흡착하는 흡착 영역을 갖는, 기판 처리 시스템.According to claim 1,
The substrate processing system of claim 1 , wherein the substrate transfer area has an adsorption area for adsorbing dust. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기판 반송 영역에 인접하는 장치를 구비하고,
상기 기판 반송 영역을 향해 음파를 방사하도록 상기 인접하는 장치에 마련되어 있는 음파 방사 장치를 더 포함하는, 기판 처리 시스템.According to claim 1,
a device adjacent to the substrate transport area;
and a sound wave emitting device provided in the adjacent device to emit sound waves towards the substrate conveying area. 제8항에 있어서,
상기 인접하는 장치는, 기판의 전달을 위해 기판을 수용하는 수용 장치이고,
상기 인접하는 장치에 마련되어 있는 상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역 내의 부유 파티클이 상기 수용 장치 내로 침입하지 않도록, 상기 수용 장치에 기판을 수용하였을 때에 당해 기판을 사이에 두고 상기 기판 반송 영역과 대향하는 위치에 마련되어 있는, 기판 처리 시스템.According to claim 8,
the adjacent device is a receiving device for receiving a substrate for transfer of the substrate;
The acoustic wave emitting device provided in the adjacent device faces the substrate transport area with the substrate interposed therebetween when the substrate is accommodated in the accommodation device so that floating particles in the substrate transport area do not enter the accommodation device. A substrate processing system provided in a position to do. 제8항에 있어서,
상기 인접하는 장치에 마련되어 있는 상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역 내를 이동하여 기판을 반송하는 기판 반송 장치의 동작에 맞추어 음파를 방사하는, 기판 처리 시스템.According to claim 8,
The substrate processing system according to claim 1 , wherein the sound wave emitting device provided in the adjacent device emits sound waves in accordance with an operation of a substrate transport device that moves in the substrate transport area and transports the substrate. 제1항에 있어서,
상기 음파 방사 장치는, 상기 처리를 행하기 위해서 상기 기판이 통과하는 기판 반출입구에 인접하는 영역에 마련되고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반출입구의 상방으로부터 상기 저부를 향하는 방향으로 음파를 방출하는, 기판 처리 시스템.According to claim 1,
the acoustic wave emitting device is provided in a region adjacent to a substrate carrying in/out port through which the substrate passes in order to perform the processing;
The substrate processing system of claim 1 , wherein the sound wave emitting device emits sound waves in a direction from an upper side of the substrate loading/unloading port toward the bottom portion.
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