JP2016178256A - Wafer transfer device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体製造装置、半導体ウェーハ等を測定、検査する装置等にウェーハを搬入、搬出するウェーハ搬送装置に係り、特に、ウェーハ搬送中に、ウェーハに付着する異物等の除去を行うウェーハ搬送装置に関する。 The present invention relates to a wafer transfer apparatus that loads and unloads a wafer to and from a semiconductor manufacturing apparatus, an apparatus for measuring and inspecting a semiconductor wafer, and the like, and in particular, a wafer transfer that removes foreign matters adhering to the wafer during wafer transfer. Relates to the device.
昨今、半導体デバイスの生産効率を高めるべく、半導体デバイスを形成するウェーハの径が３００ｍｍ、４５０ｍｍのように大口径化しつつある。また、半導体ウェーハ上に形成されるパターンの微細化にともない、塵埃などの異物の影響が大きくなる。そのため、半導体製造装置の設置される部屋のクリーン度向上が必要である。清浄空間を低コストで形成するための手段として、局所クリーン化システムを持つミニエンシステムがある。 In recent years, in order to increase the production efficiency of semiconductor devices, the diameters of wafers forming semiconductor devices are becoming larger, such as 300 mm and 450 mm. Further, as the pattern formed on the semiconductor wafer is miniaturized, the influence of foreign matters such as dust increases. Therefore, it is necessary to improve the cleanliness of the room where the semiconductor manufacturing apparatus is installed. As a means for forming a clean space at a low cost, there is a miniene system having a local cleaning system.
ミニエンシステムは、内部を陽圧に保持することで外部からの塵埃など異物の挿入を防止し、クリーン度はＪＩＳクラス１程度である。 The mini-ene system keeps the inside at a positive pressure to prevent foreign matter such as dust from being inserted from outside, and the cleanness is about JIS class 1.
ミニエンシステム内部の陽圧は、ファンとフィルタから成るファンフィルタユニット（以下ＦＦＵ）からのクリーンな空気をダウンフローで送り込むことによって形成される。ＦＦＵの風量とミニエンシステム下部の排気機構を制御することによって、ミニエンシステム内を一定の陽圧に制御している。陽圧はミニエンシステム内部と外部の気圧をそれぞれ検出器で検出し差圧計を用いて監視する。ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）が備えられたミニエンシステムは、特許文献１に示されている。 The positive pressure inside the mini-en system is formed by sending clean air from a fan filter unit (hereinafter referred to as FFU) consisting of a fan and a filter in a down flow. By controlling the air volume of the FFU and the exhaust mechanism at the bottom of the mini-en system, the inside of the mini-en system is controlled to a constant positive pressure. The positive pressure is monitored using a differential pressure gauge after detecting the pressure inside and outside the mini-en system with a detector. A mini-ene system provided with a fan filter unit (FFU) is disclosed in Patent Document 1.
上記特許文献１には、ミニエン装置の排気量を制御してファンフィルタユニット（ＦＦＵ）からの送風流量を変えることなく、ミニエン装置内の安定した気流状態を作り、ミニエン装置の内部で塵埃が拡散しないようにしている。しかし、ミニエン装置内の可動機構の動作等により発生する塵埃等の更なる除去が求められている。気流状態を適正に制御することによって、塵埃の拡散を抑制することはできるものの、一度、ウェーハに付着した塵埃を除去することは難しい。 In Patent Document 1 described above, a stable air flow state is created in the mini-en device without changing the air flow rate from the fan filter unit (FFU) by controlling the exhaust amount of the mini-en device, and dust is diffused inside the mini-en device. I try not to. However, further removal of dust and the like generated by the operation of a movable mechanism in the mini-en device is required. Although it is possible to suppress the diffusion of dust by appropriately controlling the air flow state, it is difficult to remove the dust once attached to the wafer.
以下に、試料表面、裏面、或いはその両面に付着した塵埃を試料の搬送過程で除去することを目的とするウェーハ搬送装置を提案する。 In the following, a wafer transfer device for removing dust adhering to the front surface, back surface, or both surfaces of the sample during the sample transfer process is proposed.
上記目的を達成するための一態様として、以下に、搬送対象であるウェーハを搬送するアームと、当該アームを移動させる駆動機構を備えたウェーハ搬送装置であって、前記駆動機構の駆動によって移動する前記ウェーハの移動軌道に対して、振動を伝播させる振動子を備えたウェーハ搬送装置を提案する。 As one aspect for achieving the above object, a wafer transfer apparatus including an arm for transferring a wafer to be transferred and a drive mechanism for moving the arm, which is moved by driving the drive mechanism. The present invention proposes a wafer transfer apparatus including a vibrator for propagating vibration with respect to the movement trajectory of the wafer.
上記構成によれば、ウェーハに付着した塵埃を、ウェーハ搬送中に除去することが可能となる。 According to the above configuration, the dust adhering to the wafer can be removed during the wafer transfer.
以下に説明する実施例は、搬送用局所クリーンルーム（例えばミニエンシステム）に係り、特に、ウェーハの搬送過程にて、ウェーハの表面、裏面、或いはその両方に対し、振動を伝播させる振動子を備えたウェーハ搬送装置に関する。振動子は、ウェーハの搬送軌道に向かって定在波を発生させるように構成される。 The embodiment described below relates to a local clean room for transport (for example, a mini-en system), and in particular, includes a vibrator that propagates vibration to the front surface, back surface, or both of the wafer during the wafer transport process. The present invention relates to a wafer transfer apparatus. The vibrator is configured to generate a standing wave toward the wafer transport path.
上記構成によれば、振動子によりウェーハとの間に定在波が形成されるため、音響浮揚の理論に基づきウェーハに付着した粉塵が浮揚し、ウェーハ表面の塵埃等の付着を抑制することが可能となる。 According to the above configuration, since a standing wave is formed between the vibrator and the wafer, dust attached to the wafer is levitated based on the theory of acoustic levitation, and the adhesion of dust and the like on the wafer surface is suppressed. It becomes possible.
以下、ウェーハ搬送装置の一例について、図面を用いて説明する。図１は、ウェーハ搬送装置を備えたミニエンシステムの一例を示す図である。図１は、ミニエンシステムの三面図であり、図１（ａ）は上視図、図１（ｂ）は、半導体製造装置や測定、検査装置側からみた側視図、図１（ｃ）は、ウェーハの搬送方向に対し垂直な方向から見た側視図である。ミニエン装置の外郭を形成する筺体１００は、内部に局所クリーンウェーハ搬送室１０１（クリーンな空間）を有する。局所クリーンウェーハ搬送室１０１には、ウェーハ４を搬送する搬送ロボット１０２が内蔵されている。 Hereinafter, an example of the wafer transfer apparatus will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a mini-en system including a wafer transfer device. FIG. 1 is a three-sided view of a mini-en system, FIG. 1 (a) is a top view, FIG. 1 (b) is a side view as seen from the semiconductor manufacturing apparatus and measurement / inspection apparatus side, and FIG. These are the side views seen from the direction perpendicular | vertical with respect to the conveyance direction of a wafer. A casing 100 that forms the outer shell of the mini-en device has a local clean wafer transfer chamber 101 (clean space) inside. In the local clean wafer transfer chamber 101, a transfer robot 102 for transferring the wafer 4 is incorporated.
局所クリーンウェーハ搬送室１０１の上側に設けられたファンフィルタユニット１０３（ＦＦＵ）は、送風ファン１０３ａ、清浄用フィルタ１０３ｂを有する。このファンフィルタユニット１０３によって、清浄な空気が局所クリーンウェーハ搬送室１０１内に導入される。 A fan filter unit 103 (FFU) provided on the upper side of the local clean wafer transfer chamber 101 includes a blower fan 103a and a cleaning filter 103b. The fan filter unit 103 introduces clean air into the local clean wafer transfer chamber 101.
ロードポート１１０は、筺体１００の前面に設けられる。ウェーハ４等を収納して運ぶ搬送密閉容器１１１は、ロードポート１１０に載置され、ウェーハ４等の製品が出し入れされる。ロードポート１１０は出入開口部を開閉する蓋体１１０ａを有する。この蓋体１１０ａは気密性があり、蓋体１１０ａを閉じると、筺体１００の内部は気密が保たれ、塵埃の出入りが遮断される。搬送密閉容器１１１への製品の出し入れは、ロードポート１１０の蓋体１１０ａ、および搬送密閉容器１１１の蓋（図示せず）を開いて行う。製品の出し入れ作業は、搬送ロボット１０２が行う。搬送ロボット１０２は、図示しない駆動機構の駆動によって、ロボットアーム１０４と、当該ロボットアーム１０４に載せられたウェーハ４を移動させる。 The load port 110 is provided on the front surface of the housing 100. The sealed container 111 for storing and carrying the wafer 4 and the like is placed on the load port 110, and a product such as the wafer 4 is taken in and out. The load port 110 has a lid 110a that opens and closes the entrance / exit opening. The lid 110a is airtight, and when the lid 110a is closed, the inside of the casing 100 is kept airtight and the dust is prevented from entering and exiting. The product is put into and out of the transporting sealed container 111 by opening the lid 110a of the load port 110 and the lid (not shown) of the transporting sealed container 111. The transfer robot 102 performs the product loading / unloading operation. The transfer robot 102 moves the robot arm 104 and the wafer 4 placed on the robot arm 104 by driving a drive mechanism (not shown).
上位装置１１２（半導体製造装置や半導体検査装置）は、図１の（ｃ）に示すように、筺体１００の後面側に密接するように置かれる。半導体製造装置や半導体検査装置で製造／検査されたウェーハ４等の製品は搬送ロボット１０２を用いて搬送密閉容器１１１に移される。また、その逆の移動も搬送ロボット１０２を用いて行われる。半導体検査装置には、電子ビームを試料に走査することによって得られる二次電子等を検出して、測定用、或いは検査用の画像や波形信号を生成する走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）等がある。また、走査電子顕微鏡には、得られた波形信号に基づいて、パターン寸法を測定するＣＤ−ＳＥＭ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ−ＳＥＭ）や、欠陥の座標情報に基づいて、欠陥をレビューするレビューＳＥＭなどがある。 The host apparatus 112 (semiconductor manufacturing apparatus or semiconductor inspection apparatus) is placed in close contact with the rear surface side of the housing 100 as shown in FIG. A product such as a wafer 4 manufactured / inspected by a semiconductor manufacturing apparatus or a semiconductor inspection apparatus is transferred to a transfer sealed container 111 using a transfer robot 102. The reverse movement is also performed using the transfer robot 102. In a semiconductor inspection apparatus, a scanning electron microscope (SEM) that detects secondary electrons or the like obtained by scanning an electron beam on a sample and generates an image or waveform signal for measurement or inspection. Etc. In addition, the scanning electron microscope includes a CD-SEM (Critical Dimension-SEM) that measures pattern dimensions based on the obtained waveform signal, and a review SEM that reviews defects based on coordinate information of defects. .
ミニエン装置の動作について、図１乃至図３を用いて説明する。まず、蓋体１１０ａを開き、搬送ロボット１０２の稼働操作でロードポート１１０に載置されている搬送密閉容器１１１にウェーハ４等の製品を出し入れする。製品の出し入れは、搬送密閉容器１１１を筺体１００に接合してするので空気流出は少ないが、搬送ロボット１０２の稼働によって塵埃が発生する可能性がある。そこで、ユーザーポート２の上部板金３に設置された振動子１から音波を出力する。振動子１はアレイ状に上部板金３に並んでいる。ここで振動子１はピエゾ素子、ランジュバン素子、もしくはスピーカを指す。 The operation of the mini-en device will be described with reference to FIGS. First, the lid 110a is opened, and a product such as the wafer 4 is taken in and out of the transfer sealed container 111 placed on the load port 110 by the operation operation of the transfer robot 102. When the product is put in and out, the airtight container 111 is joined to the housing 100, so that the outflow of air is small. However, the operation of the transport robot 102 may generate dust. Therefore, a sound wave is output from the vibrator 1 installed on the upper sheet metal 3 of the user port 2. The vibrators 1 are arranged on the upper sheet metal 3 in an array. Here, the vibrator 1 refers to a piezo element, a Langevin element, or a speaker.
振動子１とロボットアーム１０４上のウェーハ４との距離は半波長の正の整数倍になるように取り付ける。例えば周波数が４０ｋＨｚの場合の半波長は音速／周波数／２で求まり、大気中の音速（３４０ｍ／ｓ)を用いると半波長は４．２５ｍｍになる。これは振動子１とウェーハ４の間に定在波を形成するための必要条件である。 The vibrator 1 and the wafer 4 on the robot arm 104 are attached so that the distance between them is a positive integer multiple of a half wavelength. For example, when the frequency is 40 kHz, the half wavelength is obtained by sound speed / frequency / 2, and when the sound speed in the atmosphere (340 m / s) is used, the half wavelength is 4.25 mm. This is a necessary condition for forming a standing wave between the vibrator 1 and the wafer 4.
以下、図３に例示するフローチャートを用いて、ウェーハ搬送装置の具体的な動作を説明する。まず搬送ロボット１０２が搬送動作を開始する（ステップ１）。次に、搬送ロボット１０２がユーザーポート２にウェーハ４を搬送するかコントローラ１０７で確認する（ステップ５）。搬送動作前であることを検知した場合、ＤＣ電源１０５からラック１０６に搭載されたコントローラ１０７に電力が供給され、コントローラ１０７から振動子１に出力信号を送る（ステップ６）。搬送ロボット１０２がロボットアーム１０４を伸ばしてウェーハ４を上位装置１１２に搬送する際、振動子１から出力された音波がウェーハ４と振動子１の間で多重反射し、ウェーハ４と振動子１の間に定在波が形成される（ステップ７、８）。定在波が形成されると、ウェーハ４と振動子１の間には音圧の変化量が最大となる腹と、常に音圧が０の節が交互に分布する。塵埃の周りの音圧分布に差が発生することによって、浮力、及び塵埃の周りの粒子速度が変化することによる揚力が発生し、これらの合力が浮揚力として物体に加わる。物体が剛体、微小であるとき物体に加わる浮揚力をＦとすると、Ｆ＝５π2・ｒ3・ｐ0 2・ｆ／３ρ2・ｃ2（ｒ：物体の半径［ｍ］、ｐ0：音圧［Ｐａ］、ｆ：周波数［Ｈｚ］、ρ：媒体の密度［ｋｇ／ｍ3］）で求まる。Ｆが重力より大きければ物体は浮揚するので、Ｆ＞４／３πｒ3・ρs・ｇ（ρs：物体の密度、ｇ：重力）を満たせば良い。例えばポリプロピレン（９４６ｋｇ／ｍ3）を周波数４０ｋＨｚで浮揚させる場合、音圧は１０２．４７Ｐａ以上あれば良い。浮揚する条件を満たすと、ウェーハ４に付着した塵埃が腹もしくは節に移動し、留まる（ステップ９）。 Hereinafter, a specific operation of the wafer transfer apparatus will be described with reference to the flowchart illustrated in FIG. First, the transfer robot 102 starts a transfer operation (step 1). Next, it is checked by the controller 107 whether the transfer robot 102 transfers the wafer 4 to the user port 2 (step 5). When it is detected that it is before the transfer operation, power is supplied from the DC power source 105 to the controller 107 mounted on the rack 106, and an output signal is sent from the controller 107 to the vibrator 1 (step 6). When the transfer robot 102 extends the robot arm 104 and transfers the wafer 4 to the host device 112, the sound wave output from the vibrator 1 is reflected multiple times between the wafer 4 and the vibrator 1, and the wafer 4 and the vibrator 1 A standing wave is formed between them (steps 7 and 8). When a standing wave is formed, an antinode with the maximum amount of change in sound pressure and nodes with a sound pressure of 0 are always distributed alternately between the wafer 4 and the vibrator 1. Due to the difference in the sound pressure distribution around the dust, buoyancy and lift due to changes in particle velocity around the dust are generated, and these resultant forces are applied to the object as buoyancy. F = 5π 2 · r 3 · p 0 2 · f / 3ρ 2 · c 2 (r: radius of object [m], p 0 : Sound pressure [Pa], f: frequency [Hz], ρ: density of medium [kg / m 3 ]). If F is larger than gravity, the object is levitated. Therefore, it is sufficient to satisfy F> 4 / 3πr 3 · ρ s · g (ρ s : density of the object, g: gravity). For example, when polypropylene (946 kg / m 3 ) is levitated at a frequency of 40 kHz, the sound pressure may be 102.47 Pa or higher. If the levitation condition is satisfied, the dust adhering to the wafer 4 moves to the belly or node and stays (step 9).
ウェーハ４がユーザーポート２を通り過ぎると定在波は形成されず、下方向に向かう進行波に戻り塵埃が自由落下する（ステップ１０、１１）。その後、振動子１は停止し、搬送動作が終了する（ステップ１２、１３）。
以上のように、振動子１とウェーハ４が移動軌道との間の距離（振動子１とウェーハ４との間の重力場の向かう方向の距離）を、半波長の正の整数倍とすることによって、ウェーハ４が振動子１の直下に位置するときは、塵埃に対し浮揚力が発生し、ウェーハ４が振動子１の直下から離脱したときには、浮揚力によって持ち上げられた塵埃が落下する。このため、ウェーハ４の搬送によって、ウェーハ４からの塵埃の除去、及びウェーハ４が存在する個所以外への塵埃への落下の一連の異物除去作業を行うことが可能となる。
When the wafer 4 passes the user port 2, no standing wave is formed, and the dust returns freely to the traveling wave directed downward (steps 10 and 11). Thereafter, the vibrator 1 is stopped and the carrying operation is finished (steps 12 and 13).
As described above, the distance between the vibrator 1 and the wafer 4 along the moving trajectory (the distance in the direction of the gravitational field between the vibrator 1 and the wafer 4) is set to a positive integer multiple of a half wavelength. Thus, when the wafer 4 is positioned directly below the vibrator 1, a levitation force is generated with respect to the dust, and when the wafer 4 is detached from just below the vibrator 1, the dust lifted by the levitation force falls. For this reason, by transferring the wafer 4, it is possible to perform a series of foreign matter removing operations such as removal of dust from the wafer 4 and dropping onto dust other than the location where the wafer 4 exists.
また、図４のように振動子１を下部板金５に取り付けることで、ウェーハ４の裏面に付着した塵埃の除去が可能になる。振動子１はウェーハ４と振動子１が半波長の正の整数倍になるように設置する。吸引口６は振動子１の駆動と同じタイミングで吸引動作を開始する（ステップ６）。振動子１の音波出力方向にウェーハ４がある場合、定在波により付着した塵埃が下降し定在波の腹、もしくは節で浮遊する（ステップ７〜９）。なお、図４に例示する塵埃除去機構のユーザーポート２には、ユーザーポート２内の半導体ウェーハ移動軌道を含む空間の空気を排気するように、当該空間の空気を吸引する吸引口６が設けられている。吸引口６は図示しない吸引機構に接続されている。 Further, by attaching the vibrator 1 to the lower sheet metal 5 as shown in FIG. 4, it is possible to remove dust adhering to the back surface of the wafer 4. The vibrator 1 is installed so that the wafer 4 and the vibrator 1 are a positive integer multiple of a half wavelength. The suction port 6 starts the suction operation at the same timing as the driving of the vibrator 1 (step 6). When the wafer 4 is present in the sound wave output direction of the vibrator 1, the dust adhering to the standing wave descends and floats at the antinode or node of the standing wave (steps 7 to 9). In addition, the user port 2 of the dust removal mechanism illustrated in FIG. 4 is provided with a suction port 6 that sucks air in the space so as to exhaust air in the space including the semiconductor wafer movement trajectory in the user port 2. ing. The suction port 6 is connected to a suction mechanism (not shown).
ウェーハ４がユーザーポート２を通過中に吸引口６により塵埃が除去されるため、塵埃のユーザーポート２への落下・付着は防止される（ステップ１０、１１）。吸引口が塵埃の除去を行うため、ファンフィルタユニット１０３によるダウンフローが期待できない環境下でも使用可能である。吸引口の動作は振動子１の駆動停止時に吸引動作を停止、もしくは数秒後に吸引動作を停止する（ステップ１２）。 Since the dust is removed by the suction port 6 while the wafer 4 passes through the user port 2, the dust is prevented from dropping and adhering to the user port 2 (steps 10 and 11). Since the suction port removes dust, it can be used in an environment where downflow by the fan filter unit 103 cannot be expected. As for the operation of the suction port, the suction operation is stopped when the driving of the vibrator 1 is stopped, or the suction operation is stopped after several seconds (step 12).
なお、ユーザーポート２内の吸引口６に対向する位置に、清浄な空気を導入するための導入口（図示せず）を設けるようにしても良い。吸気口６から吸気する分の空気を、導入口から導入すれば、ミニエン内の他の空間からの空気の流れを抑制することができる。ＦＦＵによるダウンフローの流れを乱すことなく、塵埃除去機構によって生じた異物等を、空気清浄空間から除去することが可能となる。 Note that an inlet (not shown) for introducing clean air may be provided at a position facing the suction port 6 in the user port 2. If the air for intake from the intake port 6 is introduced from the introduction port, the flow of air from the other space in the miniene can be suppressed. It is possible to remove foreign matter or the like generated by the dust removing mechanism from the air cleaning space without disturbing the flow of downflow by the FFU.
図５に例示する塵埃除去機構は、ウェーハ搬送軌道の上下に、アレイ状に配列された振動子１を複数備えており、上下面の塵埃を同時に除去可能な構成となっている。振動子１はウェーハ４と振動子１が半波長の正の整数倍になるように設置する。 The dust removing mechanism illustrated in FIG. 5 includes a plurality of vibrators 1 arranged in an array above and below the wafer conveyance path, and is configured to simultaneously remove dust on the upper and lower surfaces. The vibrator 1 is installed so that the wafer 4 and the vibrator 1 are a positive integer multiple of a half wavelength.
図６はアライナ１１３とイオナイザ７がミニエン装置の筐体１００の局所クリーンウェーハ搬送室１０１に設置された場合を示している。図６ではアライナ１１３の真上にイオナイザ７が設置されており、アライナ１１３上でウェーハ４を回転させて除電を行う。アライナ１１３が無い場合、イオナイザ７は例えば局所クリーンウェーハ搬送室１０１の天井にあり、その下でウェーハ４をロボットアーム１０４に装着した搬送ロボット１０２が往復することでウェーハ４を除電する（ステップ２〜４）。除電後のステップ５以降の動作は、上述した実施例と同じである。ウェーハ４が除電されているため、静電力で引き寄せられて付着した塵埃も除去することが可能になる。このように、イオナイザを用いた除電を行うことによって、帯電によって付着する塵埃であっても、帯電を除去した上で、浮かせることが可能となるため、より効果的に塵埃の除去を行うことが可能となる。なお、確実に除電を行うためには、上述のようにイオナイザ７の下で、ウェーハ４を往復させることが望ましいが、往復しなくても十分に除電効果が認められるのであれば、イオナイザ７下の通過後、速やかに振動子１下に、ウェーハ４を移送するようにしても良い。 FIG. 6 shows a case where the aligner 113 and the ionizer 7 are installed in the local clean wafer transfer chamber 101 of the housing 100 of the mini-en device. In FIG. 6, the ionizer 7 is installed directly above the aligner 113, and the wafer 4 is rotated on the aligner 113 to perform static elimination. When the aligner 113 is not provided, the ionizer 7 is located on the ceiling of the local clean wafer transfer chamber 101, for example, and the transfer robot 102 with the wafer 4 mounted on the robot arm 104 reciprocates under the ionizer 7 (steps 2 to 2). 4). The operations after step 5 after static elimination are the same as those in the above-described embodiment. Since the wafer 4 is neutralized, it is possible to remove dust attracted and attracted by an electrostatic force. In this way, by removing the charge using an ionizer, even dust adhering to the charge can be lifted after removing the charge, so that the dust can be removed more effectively. It becomes possible. In order to surely remove static electricity, it is desirable to reciprocate the wafer 4 under the ionizer 7 as described above. However, if a sufficient static elimination effect is recognized without reciprocating, the ionizer 7 is After passing, the wafer 4 may be transferred immediately under the vibrator 1.
図７はユーザーポート２にイオナイザ７を備えている。図７ではウェーハ４が装着されたロボットハンド１０４をユーザーポート２内で往復して除電する。除電動作をユーザーポート２内で行うことにより、ウェーハ４の除電中も塵埃の除去が可能となる。除電に要する時間は数十秒〜数分要するため、塵埃に対し長時間浮揚力が発生し、塵埃の除去機能がさらに向上する。 FIG. 7 includes an ionizer 7 in the user port 2. In FIG. 7, the robot hand 104 on which the wafer 4 is mounted is reciprocated in the user port 2 to remove electricity. By performing the neutralization operation in the user port 2, dust can be removed even while the wafer 4 is neutralized. Since the time required for static elimination is several tens of seconds to several minutes, levitation force is generated for a long time against dust, and the dust removal function is further improved.
１ 振動子
２ ユーザーポート
３ 上部板金
４ ウェーハ
５ 下部板金
６ 吸引口
７ イオナイザ
１００ ミニエン装置の筐体
１０１ 局所クリーンウェーハ搬送室（クリーンな空間）
１０２ 搬送ロボット
１０３ ファンフィルタユニット
１０３ａ 送風ファン
１０３ｂ フィルタ
１０４ ロボットアーム
１０５ ＤＣ電源
１０６ ラック
１０７ コントローラ
１１０ ロードポート
１１０ａ 蓋体
１１１ 搬送密閉容器
１１２ 上位装置（ＣＤ−ＳＥＭなど）
１１３ アライナ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vibrator 2 User port 3 Upper sheet metal 4 Wafer 5 Lower sheet metal 6 Suction port 7 Ionizer 100 Mini-en equipment case 101 Local clean wafer transfer chamber (clean space)
102 Conveying robot 103 Fan filter unit
103a Blower fan
103b Filter 104 Robot arm 105 DC power source 106 Rack 107 Controller 110 Load port 110a Lid 111 Transporting sealed container 112 Host device (CD-SEM, etc.)
113 Aligner
Claims (7)
前記駆動機構の駆動によって移動する前記ウェーハの移動軌道に対して、振動を伝播させる振動子を備えたことを特徴とするウェーハ搬送装置。 In a wafer transfer apparatus having an arm for transferring a wafer to be transferred and a drive mechanism for moving the arm,
A wafer transfer apparatus comprising: a vibrator for propagating vibrations with respect to a movement trajectory of the wafer that is moved by driving of the drive mechanism.
前記振動子は、前記ウェーハとの間に定在波を形成するものであることを特徴とするウェーハ搬送装置。 In claim 1,
The wafer conveyance device, wherein the vibrator forms a standing wave with the wafer.
前記振動子は、当該振動子の重力場が向かう方向に、ウェーハが位置する場合に、定在波を形成し、前記振動子の重力場が向かう方向に、ウェーハが位置しない場合は、定在波を形成しないことを特徴とするウェーハ搬送装置。 In claim 1,
The vibrator forms a standing wave when the wafer is positioned in the direction in which the gravitational field of the vibrator is directed, and is standing when the wafer is not positioned in the direction of the gravitational field of the vibrator. A wafer conveyance device characterized by not forming a wave.
前記ウェーハを除電するイオナイザを備えたことを特徴とするウェーハ搬送装置。 In claim 1,
A wafer transfer device comprising an ionizer for discharging the wafer.
前記駆動機構は、前記イオナイザによる前記ウェーハの除電を実行した後に、前記振動子の重力場の向かう方向に、前記ウェーハを搬送することを特徴とするウェーハ搬送装置。 In claim 4,
The wafer transport apparatus, wherein the drive mechanism transports the wafer in a direction toward a gravitational field of the vibrator after the ionization of the wafer by the ionizer.
前記駆動機構は、前記移動軌道にて前記ウェーハを往復させることを特徴とするウェーハ搬送装置。 In claim 4,
The wafer transfer apparatus, wherein the drive mechanism reciprocates the wafer along the moving track.
前記ウェーハの移動軌道を含む空間の空気を吸引する吸引口を備えたことを特徴とするウェーハ搬送装置。 In claim 1,
A wafer transfer apparatus comprising a suction port for sucking air in a space including a movement track of the wafer.
Priority Applications (1)
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