KR20220021290A - Apparatus for treating substrate - Google Patents
Apparatus for treating substrate Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220021290A KR20220021290A KR1020200101968A KR20200101968A KR20220021290A KR 20220021290 A KR20220021290 A KR 20220021290A KR 1020200101968 A KR1020200101968 A KR 1020200101968A KR 20200101968 A KR20200101968 A KR 20200101968A KR 20220021290 A KR20220021290 A KR 20220021290A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- exhaust
- housing
- unit
- bake
- substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
Abstract
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 가열 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus for heat processing a substrate.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 식각, 증착, 이온주입, 그리고 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이 중 사진공정은 패턴을 형성하기 위해 공정으로 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photography, etching, deposition, ion implantation, and cleaning are performed. Among them, the photo process plays an important role in achieving high integration of semiconductor devices as a process for forming patterns.
사진공정은 크게 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정으로 이루어지며, 노광공정이 진행되기 전후 단계에는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열처리하는 과정으로, 가열플레이트에 기판이 놓이면, 가열 플레이트의 내부에 제공된 히터를 통해 그 기판을 열 처리한다. The photo process consists of a coating process, an exposure process, and a developing process, and a baking process is performed before and after the exposure process. The bake process is a process of heat-treating a substrate. When the substrate is placed on a heating plate, the substrate is heat-treated through a heater provided inside the heating plate.
이러한 베이크 공정을 위한 베이크 유닛은 다음과 같은 문제점을 갖는다.The bake unit for such a baking process has the following problems.
첫째, 베이크 유닛 내로 급기되는 기체가 없어서 배기양이 적고, , 공정 챔버 배기량에 따라 공정 챔버 내 기압이 음압이 되면서 외부의 오염물질이 챔버 내로 유입될 수 있다. First, there is no gas supplied into the bake unit, so the exhaust amount is small, and the air pressure in the process chamber becomes negative according to the exhaust amount of the process chamber, and external contaminants may be introduced into the chamber.
또한, 기존 베이크 장치는 배기 효율이 낮아 고온의 기체가 공정 챔버 내부에 잔류하게 되어 공정 챔버 자체의 온도를 상승시켜 전장품을 사용하기에 적합하지 못한 환경이 조성될 수 있다. In addition, the conventional baking apparatus has low exhaust efficiency, so that a high-temperature gas remains inside the process chamber, thereby increasing the temperature of the process chamber itself, thereby creating an environment unsuitable for using electrical equipment.
그리고, 베이크 유닛 내의 기류 흐름이 없기 때문에 내부에 있는 파트의 사용 온도에 접합하지 않으며 오염물질의 배출도 원활하게 이루어지지 못한다. And, since there is no airflow in the baking unit, it does not adhere to the use temperature of the parts inside, and the discharge of contaminants is not performed smoothly.
본 발명의 일 과제는 흄 및 잔류 가스를 원활하게 배기할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of smoothly evacuating fume and residual gas.
본 발명의 일 과제는 챔버의 주변 온도를 일정하게 유지시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of maintaining a constant ambient temperature of a chamber.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 일 측면에 따르면, 베이크 유닛들이 적층 배치되는 베이크 프레임; 및 상기 베이크 유닛 내부로 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부; 상기 베이크 유닛 내부의 기체를 배기시키는 배기부를 포함하되; 상기 베이크 유닛은 내부 공간을 갖는 하우징; 상기 하우징의 일측면에 제공되는 퍼지 가스가 공급되는 공급구; 및 상기 공급구와 마주하는 상기 하우징의 타측면에 제공되고, 기체가 배기되는 배기구를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, a bake frame in which the bake units are stacked; and a purge gas supply unit supplying a purge gas into the bake unit. including an exhaust for evacuating gas inside the bake unit; The baking unit may include a housing having an inner space; a supply port through which a purge gas provided on one side of the housing is supplied; and an exhaust port provided on the other side of the housing facing the supply port and through which gas is exhausted.
또한, 상기 퍼지 가스 공급부는 상기 베이크 프레임의 일측에 제공되는 메인 공급 덕트; 및 상기 메인 공급 덕트로부터 분기되고 상기 공급부에 연결되는 공급 라인을 포함할 수 있다.In addition, the purge gas supply unit is a main supply duct provided on one side of the bake frame; and a supply line branched from the main supply duct and connected to the supply unit.
또한, 상기 배기부는 상기 베이크 프레임의 타측에 제공되는 메인 배기 덕트; 상기 메인 배기 덕트로부터 분기되고 상기 배기구에 연결되는 배기라인을 포함할 수 있다.In addition, the exhaust portion is a main exhaust duct provided on the other side of the bake frame; It may include an exhaust line branched from the main exhaust duct and connected to the exhaust port.
또한, 상기 베이크 유닛은 상기 하우징 내에 제공되고, 기판 가열 처리 공정이 진행되는 열처리 공간을 제공하는 열처리 챔버를 더 포함할 수 있다.In addition, the bake unit may further include a heat treatment chamber provided in the housing and providing a heat treatment space in which a substrate heat treatment process is performed.
또한, 상기 열처리 챔버는 상기 배기구가 위치한 상기 하우징의 타측면에 인접하게 배치될 수 있다.In addition, the heat treatment chamber may be disposed adjacent to the other side of the housing in which the exhaust port is located.
또한, 상기 배기구는 슬릿 형태 및 홀 형태를 포함할 수 있다. In addition, the exhaust port may include a slit shape and a hole shape.
또한, 상기 메인 배기 덕트로부터 분기되는 배기라인들은 그 크기가 상이하게 제공될 수 있다.In addition, the exhaust lines branching from the main exhaust duct may have different sizes.
또한, 상기 메인 배기 덕트에 연결되는 배기 펌프를 더 포함하고, 상기 배기라인들은 상기 배기 펌프로부터 멀어질수록 그 크기가 증가할 수 있다. In addition, an exhaust pump connected to the main exhaust duct may be further included, and the size of the exhaust lines may increase as the distance from the exhaust pump increases.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부 공간을 갖는 하우징; 상기 하우징 내에 제공되고, 기판 가열 처리 공정이 진행되는 열처리 공간을 제공하는 열처리 챔버; 상기 하우징 내부로 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부; 상기 하우징 내부의 기체를 배기시키는 배기부를 포함하되; 상기 하우징은 일측면에 상기 퍼지 가스 공급부로부터 제공받은 퍼지 가스가 공급되는 공급구; 및 상기 일측면과 마주하는 타측면에 상기 배기부와 연결되고 기체가 배기되는 배기구를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a housing having an interior space; a heat treatment chamber provided in the housing and providing a heat treatment space in which a substrate heat treatment process is performed; a purge gas supply unit supplying a purge gas into the housing; including an exhaust for exhausting gas inside the housing; The housing may include a supply port through which the purge gas provided from the purge gas supply unit is supplied at one side thereof; and an exhaust port connected to the exhaust unit on the other side facing the one side and through which gas is exhausted.
또한, 상기 퍼지 가스 공급부는 메인 공급 덕트; 및 상기 메인 공급 덕트와 상기 공급구를 연결하는 공급 라인을 포함할 수 있다. In addition, the purge gas supply unit may include a main supply duct; and a supply line connecting the main supply duct and the supply port.
또한, 상기 배기부는 메인 배기 덕트; 및 상기 메인 배기 덕트와 상기 배기구를 연결하는 배기라인을 포함할 수 있다.In addition, the exhaust portion includes a main exhaust duct; and an exhaust line connecting the main exhaust duct and the exhaust port.
또한, 상기 열처리 챔버는 상기 배기구가 위치한 상기 타측면에 인접하게 배치될 수 있다.In addition, the heat treatment chamber may be disposed adjacent to the other side where the exhaust port is located.
또한, 상기 배기구는 슬릿 형태 및 홀 형태로 제공될 수 있다. In addition, the exhaust port may be provided in the form of a slit or a hole.
본 실시예에 의하면, 퍼지 가스공급부를 통해 공급된 퍼지 가스는 하우징 내부와 열처리 챔버를 관통해서 흐른 뒤 배기되어 하우징과 열처리 챔버의 온도를 일정하게 유지시키며 오염물질의 배출도 이루어지는 효과를 갖는다. According to the present embodiment, the purge gas supplied through the purge gas supply unit flows through the inside of the housing and the heat treatment chamber, and then is exhausted to maintain a constant temperature of the housing and the heat treatment chamber, and also has the effect of discharging contaminants.
본 실시예에 의하면, 각 배기 라인을 하나의 배기 덕트로 통합해 설비 외부로 배출하여 공간활용도를 높였으며, 각 베이크 유닛의 배기 라인의 크기를 상이하게 하여 제어밸브가 없이도 동일한 배기량을 배출하도록 하여 사용자 편의성을 증대할 수 있다. According to this embodiment, each exhaust line is integrated into one exhaust duct and discharged to the outside of the facility to increase space utilization, and the size of the exhaust line of each bake unit is different to discharge the same exhaust amount without a control valve. User convenience can be increased.
발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 베이크 유닛들이 적층 배치된 구조를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이크 유닛의 사시도이다.
도 6은 도 5의 베이크 유닛의 평면도이다.
도 7은 도 5의 베이크 유닛의 단면도이다. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view of the
FIG. 3 is a view of the
4 is a view showing a structure in which bake units are stacked.
5 is a perspective view of a baking unit according to an embodiment of the present invention.
6 is a plan view of the bake unit of FIG. 5 .
7 is a cross-sectional view of the bake unit of FIG. 5 .
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment may be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Hereinafter, a case in which a wafer is used as a substrate will be described as an example.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.1 to 3 are views schematically showing a
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.1 to 3 , the
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다. Hereinafter, the direction in which the
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved while being accommodated in the
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다. The
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공된다. 프레임(210)은 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제 1 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다. The cooling
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 액처리 챔버(410), 베이크 유닛(500), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 액처리 챔버(410), 베이크 유닛(500), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 액처리 챔버(410)는 기판(W)DP 레지스트 도포 공정을 수행하는 레지스트 도포 챔버(410)로 제공될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 유닛(500)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 챔버들(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist
도 1 내지 도 3을 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 액처리 챔버(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 액처리 챔버(460), 베이크 유닛(500), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 액처리 챔버(460)는 현상 챔버로 제공될 수 있다. 현상 챔버(460)와 베이크 유닛(500)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 1 to 3 , the developing
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(470), 현상 챔버들(460), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing
현상 모듈(402)에 제공되는 베이크 유닛(500)은 전술한 베이크 유닛(500)과 대체로 동일하게 제공된다. The
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and
인터페이스 모듈(700)은 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. The
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. The
제 1 버퍼(720)는 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The
도 4는 베이크 유닛들이 적층 배치된 구조를 보여주는 도면이다.4 is a view showing a structure in which bake units are stacked.
도 4를 참조하면, 베이크 유닛(500)들은 베이크 프레임(501)에 다단으로 적층 배치될 수 있다. 베이크 프레임(501)에는 퍼지 가스 공급부(580)와 배기부(590)가 제공될 수 있다. 퍼지 가스 공급부(580)는 베이크 프레임(501)에 적층 배치된 베이크 유닛(500) 각각으로 퍼지 가스를 공급한다. 배기부(590)는 베이크 프레임(501)에 적층 배치된 베이크 유닛(500) 각각의 내부 기체를 배기시킨다. Referring to FIG. 4 , the
각각의 베이크 유닛(500)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(500)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등과 같은 가열 공정을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행할 수 있다. Each of the
도 5는 도 4에 도시된 베이크 유닛을 보여주는 사시도이며, 도 6은 도 5에 도시된 베이크 유닛을 보여주는 평면도 그리고 도 7은 도 5에 도시된 베이크 유닛의 측단면도이다.5 is a perspective view showing the baking unit shown in FIG. 4 , FIG. 6 is a plan view showing the baking unit shown in FIG. 5 , and FIG. 7 is a side cross-sectional view of the baking unit shown in FIG. 5 .
베이크 유닛(500)은 하우징(510), 냉각 유닛(530), 열처리 챔버(550)를 포함할 수 있다. The
하우징(510)은 내부 공간을 제공한다. 하우징(510)은 직육면체 형상으로 제공된다. 하우징(510)은 제1측벽(511), 제2측벽(513) 그리고 출입구(512)를 포함한다. The
제1측벽(511)은 하우징(510)의 일측면에 제공된다. 제2측벽(512)은 제1측벽(511)과 맞은편에 제공된다. 하우징(510)의 또 다른 측벽에는 기판(W)이 출입되는 출입구(512)가 형성된다. 출입구(512)는 기판(W)이 이동하는 통로를 제공한다. The
제1측벽(511)에는 공급구(516)가 제공된다. 퍼지 가스 공급부(580)에서 공급되는 퍼지 가스는 공급구(516)를 통해 하우징(510) 내부 공간으로 제공된다. 제2측벽(512)에는 배기구(518)가 제공된다. 하우징(510) 내부 공간의 기체는 배기구(518)를 통해 배기된다. 배기구(518)는 슬릿 형태와 홀 형태의 복합 구조로 이루어짐으로써, 챔버 배기와 하우징 내부 배기를 통합적으로 하여 공간 활용도와 배기 효율을 높일 수 있다. The
예컨대, 퍼지 가스 공급부(580)는 베이크 프레임(501)의 일측에 제공되는 메인 공급 덕트(582)와, 메인 공급 덕트(582)로부터 분기되고 공급구(516)에 연결되는 공급 라인(584)을 포함할 수 있다. 퍼지가스는 온도와 습도가 조절된 청정 공기일 수 있다. For example, the purge
배기부(590)는 베이크 프레임(501)의 타측에 제공되는 메인 배기 덕트(592)와 메인 배기 덕트(592)로부터 분기되고 배기구(518)에 연결되는 배기라인(594)을 포함할 수 있다. 배기라인(594)들은 각 베이크 유닛(500)마다 그 직경을 다르게 하여 제어 밸브 없이 하우징(510)에서 배기되는 배기량을 균일하게 제어할 수 있다. 일 예로. 배기라인(594)들의 직경은 메인 배기 덕트(592)에 연결되는 배기 펌프(599;도 4에 표시됨)로부터 멀어질수록 그 크기가 증가하도록 제공될 수 있다. The
냉각 유닛(530)은 가열 플레이트(551) 또는 처리가 끝난 기판(W)을 냉각시킨다. 냉각 유닛(530)은 쿨링 플레이트(531)와 쿨링 플레이트(531)를 이동시키는 반송부(540)를 포함할 수 있다. 일 예로 쿨링 플레이트(531)는 내부에 냉각 유로가 제공될 수 있다. 냉각 유로에는 냉각수가 공급되어 기판(W) 및 쿨링 플레이트(531)를 냉각할 수 있다. 반송부(540)는 하우징(510) 내에서 쿨링 플레이트(531)를 반송한다. 쿨링 플레이트(531)는 반송부(540)에 의해 대기 위치와 쿨링 위치로 이동될 수 있다. 대기 위치는 출입구와 인접한 위치(도 5에 도시된 위치)일 수 있고, 쿨링 위치는 가열 플레이트 상부에 해당되는 위치일 수 있다. The
쿨링 플레이트(531)에는 기판(W)이 놓인다. 쿨링 플레이트(531)는 원형의 형상으로 제공된다. 쿨링 플레이트(531)는 기판(W)과 동일한 크기로 제공된다. 쿨링 플레이트(531)는 열전도도가 좋은 금속의 재질로 제공된다. 쿨링 플레이트(531)에는 가이드 홀(535)이 형성되어 있다. 가이드 홀(535)은 쿨링 플레이트(531)의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공된다. 가이드 홀(535)은 쿨링 플레이트(531)의 이동 시 리프트 핀(553)과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 한다. 쿨링 플레이트(531) 내에는 쿨링 냉매가 흐르는 유로가 제공될 수 있다.A substrate W is placed on the
아암(532)은 쿨링 플레이트(531)와 고정결합된다. 아암(532)은 쿨링 플레이트(531)와 반송부(540) 사이에 제공된다. The
반송부(540)는 쿨링 플레이트(531)를 구동시킨다. 반송부(540)는 쿨링 플레이트(531)를 수평 운동 또는 상하 이동시킨다. 반송부(540)는 쿨링 플레이트(531)를 제1위치와 제2위치로 이동시킬 수 있다. 제1위치는 쿨링 플레이트(531)가 제1측벽(511)에 인접한 위치이다. 제2위치는 제2측벽(513)에 근접하며 가열 플레이트(551)의 상부 위치이다. The
열처리 챔버(550)는 기판(W)을 설정 온도로 가열한다. 열처리 챔버(550)는 배기구(518)에 인접하게 배치되는 것이 바람직하다. 열처리 챔버(550)는 가열 플레이트(551), 리프트 핀(573), 커버(555) 그리고 구동기(557)를 포함한다. The
가열 플레이트(551)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 가열 수단이 제공된다. 예컨대, 가열 수단은 히팅 코일로 제공될 수 있다. 이와는 달리 가열 플레이트(551)에는 발열 패턴들이 제공될 수 있다. 가열 플레이트(551)는 원통형의 형상으로 제공된다. 가열 플레이트(551)의 내에는 리프트 핀(573)을 수용하는 핀 홀(554;도10 참조)이 형성된다.A heating means for heating the substrate W is provided inside the
핀 홀(554)은 리프트 핀(573)이 기판(W)을 상하로 이동시킬 때 리프트 핀(573)의 이동하는 경로를 위해 제공된다. 핀 홀(554;도10 참조)은 가열 플레이트(551)를 상하방향으로 관통하도록 제공되며, 복수개가 제공될 수 있다. The
리프트 핀(573)은 핀구동부(571)에 의해 상하로 이동된다. 리프트 핀(573)은 기판(W)을 가열 플레이트(551) 상에 안착시킬 수 있다. 리프트 핀(573)은 기판(W)을 가열 플레이트(551)로부터 일정거리 이격된 위치로 기판(W)을 승강시킬 수 있다. The
커버(555)는 가열 플레이트(551)의 상부에 위치한다. 커버(555)는 원통형의 형상으로 제공된다. 커버(555)는 내부에 가열 공간을 제공한다. 커버(555)는 기판(W)이 가열 플레이트(551)로 이동시 구동기(557)에 의해 가열 플레이트(551)의 상부로 이동한다. 커버(555)는 기판(W)이 가열 플레이트(551)에 의해 가열 시 구동기(557)에 의해 하부로 이동하여 기판(W)이 가열되는 가열 공간을 형성한다. The
구동기(557)는 지지부(558)에 의해 커버(555)와 고정 결합된다. 구동기(557)는 기판(W)이 가열 플레이트(551)로 이송 또는 반송되는 경우 커버(555)를 상하로 승하강시킨다. 일 예로 구동기(557)는 실린더로 제공될 수 있다. The actuator 557 is fixedly coupled to the
상술한 구조를 갖는 베이크 유닛(500)은 하우징(510) 내부 공간에 수평한 배기 흐름이 형성된다. 즉, 퍼지가스는 냉각 유닛(530)과 열처리 챔버(550)를 거쳐 배기됨으로써, 열처리 챔버(550)에서 누출되는 흄이나 증발가스 등을 배기시켜 하우징 내부 환경 및 열처리 챔버 주변 온도를 일정하게 유지시켜줄 수 있다.In the
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and various modifications and variations will be possible without departing from the essential characteristics of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.
500 : 베이크 유닛
510 : 하우징
530 : 냉각 유닛
550 : 열처리 챔버
580 : 퍼지 가스 공급부
590 : 배기부 500: bake unit 510: housing
530: cooling unit 550: heat treatment chamber
580: purge gas supply unit 590: exhaust unit
Claims (13)
상기 베이크 유닛 내부로 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부;
상기 베이크 유닛 내부의 기체를 배기시키는 배기부를 포함하되;
상기 베이크 유닛은
내부 공간을 갖는 하우징;
상기 하우징의 일측면에 제공되는 퍼지 가스가 공급되는 공급구; 및
상기 공급구와 마주하는 상기 하우징의 타측면에 제공되고, 기체가 배기되는 배기구를 포함하는 기판 처리 장치.a bake frame in which bake units are stacked; and
a purge gas supply unit supplying a purge gas into the bake unit;
including an exhaust for evacuating gas inside the bake unit;
The bake unit is
a housing having an interior space;
a supply port through which a purge gas provided on one side of the housing is supplied; and
and an exhaust port provided on the other side of the housing facing the supply port and through which gas is exhausted.
상기 퍼지 가스 공급부는
상기 베이크 프레임의 일측에 제공되는 메인 공급 덕트; 및
상기 메인 공급 덕트로부터 분기되고 상기 공급구에 연결되는 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The purge gas supply unit
a main supply duct provided on one side of the bake frame; and
and a supply line branched from the main supply duct and connected to the supply port.
상기 배기부는
상기 베이크 프레임의 타측에 제공되는 메인 배기 덕트;
상기 메인 배기 덕트로부터 분기되고 상기 배기구에 연결되는 배기라인을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
the exhaust part
a main exhaust duct provided on the other side of the bake frame;
and an exhaust line branched from the main exhaust duct and connected to the exhaust port.
상기 베이크 유닛은
상기 하우징 내에 제공되고, 기판 가열 처리 공정이 진행되는 열처리 공간을 제공하는 열처리 챔버를 더 포함하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The bake unit is
and a heat treatment chamber provided in the housing and configured to provide a heat treatment space in which a heat treatment process for a substrate is performed.
상기 열처리 챔버는
상기 배기구가 위치한 상기 하우징의 타측면에 인접하게 배치되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The heat treatment chamber
A substrate processing apparatus disposed adjacent to the other side surface of the housing in which the exhaust port is located.
상기 배기구는 슬릿 형태 및 홀 형태로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The exhaust port is provided in the form of a slit and a hole in the substrate processing apparatus.
상기 메인 배기 덕트로부터 분기되는 배기라인들은 그 크기가 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The exhaust lines branching from the main exhaust duct have different sizes.
상기 메인 배기 덕트에 연결되는 배기 펌프를 더 포함하고,
상기 배기라인들은 상기 배기 펌프로부터 멀어질수록 그 크기가 증가하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Further comprising an exhaust pump connected to the main exhaust duct,
The size of the exhaust lines increases as the distance from the exhaust pump increases.
상기 하우징 내에 제공되고, 기판 가열 처리 공정이 진행되는 열처리 공간을 제공하는 열처리 챔버;
상기 하우징 내부로 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부;
상기 하우징 내부의 기체를 배기시키는 배기부를 포함하되;
상기 하우징은
일측면에 상기 퍼지 가스 공급부로부터 제공받은 퍼지 가스가 공급되는 공급구; 및
상기 일측면과 마주하는 타측면에 상기 배기부와 연결되고 기체가 배기되는 배기구를 포함하는 기판 처리 장치. a housing having an interior space;
a heat treatment chamber provided in the housing and providing a heat treatment space in which a substrate heat treatment process is performed;
a purge gas supply unit supplying a purge gas into the housing;
an exhaust for exhausting gas inside the housing;
the housing is
a supply port through which the purge gas provided from the purge gas supply unit is supplied to one side; and
and an exhaust port connected to the exhaust unit on the other side facing the one side and through which gas is exhausted.
상기 퍼지 가스 공급부는
메인 공급 덕트; 및
상기 메인 공급 덕트와 상기 공급구를 연결하는 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The purge gas supply unit
main supply duct; and
and a supply line connecting the main supply duct and the supply port.
상기 배기부는
메인 배기 덕트; 및
상기 메인 배기 덕트와 상기 배기구를 연결하는 배기라인을 포함하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
the exhaust part
main exhaust duct; and
and an exhaust line connecting the main exhaust duct and the exhaust port.
상기 열처리 챔버는
상기 배기구가 위치한 상기 타측면에 인접하게 배치되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The heat treatment chamber
A substrate processing apparatus disposed adjacent to the other side surface on which the exhaust port is located.
상기 배기구는 슬릿 형태 및 홀 형태로 제공되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The exhaust port is provided in the form of a slit and a hole in the substrate processing apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200101968A KR20220021290A (en) | 2020-08-13 | 2020-08-13 | Apparatus for treating substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200101968A KR20220021290A (en) | 2020-08-13 | 2020-08-13 | Apparatus for treating substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220021290A true KR20220021290A (en) | 2022-02-22 |
Family
ID=80494106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200101968A KR20220021290A (en) | 2020-08-13 | 2020-08-13 | Apparatus for treating substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20220021290A (en) |
-
2020
- 2020-08-13 KR KR1020200101968A patent/KR20220021290A/en unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101605721B1 (en) | Bake apparatus and Apparatus for treating substrate | |
KR20160017699A (en) | Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method | |
JP4005609B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate manufacturing method | |
JP3983481B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate transfer method in substrate processing apparatus | |
KR102315662B1 (en) | Substrate treating apparatus and method | |
KR20190012965A (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR20190004494A (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR20180001690A (en) | bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof | |
KR102378336B1 (en) | Bake apparatus and bake method | |
KR102000023B1 (en) | Substrate treating apparatus | |
KR101895404B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR102545752B1 (en) | Bake unit and Apparatus for treating substrate | |
KR20220021290A (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR101776018B1 (en) | Method for heating a substrate and Apparatus for treating a substrate | |
KR101768518B1 (en) | Transfer chamber, Apparatus for treating substrate, and method for trasnferring substrate | |
KR102534608B1 (en) | Apparatus for treating substrate and Exhaust method | |
JP3966884B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate manufacturing method | |
KR20150039063A (en) | Substrate treating apparatus, substrate treating facility including the apparatus, and substrate treating method using the apparatus | |
KR102607809B1 (en) | Support unit, bake apparatus and substrate treating apparatus including the same | |
KR101870651B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR20190034725A (en) | Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate | |
KR20220088593A (en) | Apparatus for treating substrate and substrate carrying apparatus | |
KR20180031849A (en) | Apparatus for treatinf substrate | |
KR101885567B1 (en) | Apparatus treating substrate | |
KR20160081010A (en) | Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method |